TW575668B - Process for manufacturing a composite foil suitable for manufacturing multi-layer printed circuit boards - Google Patents

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575668 A7 _ _________B7__ 五、發明說明（/ ) 發明領域 本發明係有關於一種適用於製造多層印刷電路板之複 合箔的製造方法，以及有關於此〜複合箔。 發明背景 當電子設備變的愈來愈小、愈來愈輕，且其性能愈來 愈高時，有必要減少多層印刷電路板中層層相連的金屬線 寬度以及導孔的直徑。爲了製造直徑小於200μχη的導孔， 一般稱爲微導孔（microvias)，則提出了雷射的使用。 W0 00/57680揭示一種複合箔，其係特別適合用於製 造多層印刷電路板的方法中，其中的微導孔則係藉由二氧 化碳雷射加以鑽孔。此複合箱包括了一載體薄（carrier foil )、於載體薄一側的脫膜層（release layer)、以及具有正 對的該脫膜層之正面（front side)和一背對且經樹脂塗布 的背面（back side)之超薄銅箔（小於ΙΟμιη的厚度）。 爲了改良二氧化碳雷射光的吸收率，特別是降低雷射光的 反射，超薄銅箔的正面經過表面處理。因此，再移除載體 薄之後，該超薄銅箔將具有低反射率的表面，藉此雷射鑽 孔的條件與鑽孔速度以及微導孔的品質將會改善。 該超薄銅箔的正面上之表面處理，是在製造複合箔期 間而完成。其在於電沈積該超薄銅箔之前’提供超薄銅箔 一表面色彩，以利於二氧化碳雷射光的吸收率，其係藉由 形成一暗黑色之導電性材料薄層於載體薄的脫膜層上。 達到此表面處理的第一步係爲碳沈積。而於脫膜層之 將面對超薄銅箔的那一面上，運用了包含碳的液體碳分散 4 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------- %」 575668 A7 ______B7 _ 五、發明說明（1 ) 物、一個或多個可分散碳的介面活性劑、以及諸如水的液 體分散介質。因此，導電性材料的暗黑層形成於脫膜層上 ，且該超薄銅箔隨即被電沈積於此暗黑層上。 可選擇地，該暗黑色導電性層可藉由一暗黑色導電性 聚合物而形成。聚合形式之導電性的單體，諸如毗喃（ pyrrole)，藉由濕式處理運用於脫膜層的表面。之後，該 單體被聚合，而該超薄銅箔則被電沉積於聚合物層上。 發明槪要 本發明係有關於一種製造複合箔之特別有利的方法， 該複合箔包括於載體箔上之一超薄銅箔，且可從其移除， 其中在製造過程期間，該超薄銅箔的表面經過了表面處理 以有利於二氧化碳雷射光的吸收率。根據本發明，本發明 之方法包括下列步驟： (a) 、提供一載體箔； (b) 、將一脫膜層沉積於該載體箔的一側； (c) 、將一暗黑色層（dark coloured layer)電沉積於 該脫膜層上； (d) 、於第一浴（first bath)中將第一層銅電沉積於 該暗黑色層上，其係經過設計以致於不會溶解了該暗黑色 .層；而且 (e) 、於另外至少一個浴（bath)中，將足夠的銅電 沉積於該第一層銅上，以便提供該希冀的超薄銅箔。 應該察覺的是，由於該暗黑色層附著於該超薄銅箱上 ’以致於當後者與載體箔分離時，至少有部分的暗黑色廢 5 ___________— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -n n n n n 一OJ· i i n n n n 575668 A7 ___B7 ____ — 五、發明說明（3 ) 仍然附著於該超薄銅箱上。確貫地，超薄銅泊画載體泊移 除時可能完全地與其分離，抑或者是部分分離。於後者狀 況中，該載體范與超薄銅箔的分離係發生於暗黑色層中， 且該超薄銅箔以一特定厚度的暗黑色材料所覆蓋。 因此，在移除載體箔之後’該超薄銅范及擁有以暗黑 色層所覆蓋的表面’其係提供（由於其暗黑色）有利於雷 射光吸收率之表面處理’特別是來自二氧化碳雷射。所以 ，該超薄銅箔可藉由二氧化碳雷射的方式加以有效地鑽孔 。本發明的優點，在於發現一種可將超薄銅箔進行表面處 理以改良雷射鑽孔的有利方法’其相較於使用碳沉積或者 是導電性聚合物的技術還來得精確。的確，本發明的方法 中，該表面處理即爲由電沉積所形成的一暗黑色層。電解 技術的使用，得以精確地控制沉積速度與暗黑色層的厚度 ，藉此以確保其均質性。.此外，使用電解技術以形成暗黑 色層，此證明了其係非常有益於實務上的。甚至，需要形 成暗黑色層的電鍍浴’可輕易地在用於製造不具表面處理 的複合箔之傳統電解方法中被整合。 再者’應該察覺的是’超薄銅箔的形成係於浴中開始 ’該浴係經設計以致於不會溶解了該暗黑色層。的確，若 ，無採取任何預防措施，而將會有溶解該暗黑色層的風險， 例如，若第一層銅被沉積於酸性的銅電鍍浴中。因此，該 第一層銅則在控制中的條件下被沉積，以避免暗黑色層的 移除，並且當銅更進一步地被電沉積以生長出所需厚度的 超薄銅箱，其作用係爲一種保護層。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ ϋ ί i i— ϋ I 一 ον · I ϋ an I n n ϋ 6 575668 A7 ______B7 五、發明說明（4 ) 該暗黑色層應有效地被電沉積於一浴中，而該浴係包 括主要的染色成份，其係來自包括鋅、銅和鈷的群組中一 種，染色添加劑係爲來自包括砷、錳、錫、釩、鉬和銻的 群組中至少一種。的確’可觀察到的，具有此金屬組成的 電解浴可使得形成具有黑色且低反射率的一層，其特別牢 牢地黏附於該超薄銅箔上。主要的染色成份與染色添加劑 (每一個染色添加劑均以少於主要染色成份的量，出現於 電鑛浴中）均係爲金屬’而可由暗黑色層得到暗黑色。然 而，可注意到的是，電銨浴亦可包含一種或多種其他成分 ，該成分爲不需要獲得暗黑色但可同時被沉積。換句話說 ，.暗黑色層亦可包括除了主要染色成分以外之其他成分， 以及一個或多個染色添加劑。 該暗黑色層較佳應具有介於0.1至2.2 μιη的厚度，更 加係介於0.4至1.7 μιη之間。 當經電沉積的暗黑色層形成於包括上述金屬組成物之 浴中（具有作爲主要成分之Zn、Cu和Co中的一種），可 具有單位面積中的質量，其範圍在1，〇〇〇至20,000 mg/m2 之間，較佳爲介於4,000至15,000 mg/m2之間。更進一步 ，刀括了此金屬組成物之經電沉積的暗黑色層，在藉由所 .謂的”微侵蝕（Microetch) ”方法加以雷射鑽孔之後，可輕 易且均勻地被移除，而所使用的該方法一般係在多層板內 層上之棕/黑氧化物層成型以前，用於銅軌跡表面的製備。 此’’微侵蝕”’方法，典型地在於控制金屬銅於高硫酸銨或鈉 浴中之溶解。 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ n n j r i n n an n n n i 言 575668 A7 _________B7__ 五、發明說明（文） 銅的第一層應有效地被電沉積於一焦磷酸銅浴中，乃 由於其提供了銅均勻的電沉積，而更重要的是，其通常具 有低的酸性以致於其不會溶解該暗黑色層。當該暗黑色層 從包含鋅或銘作爲其主要染色成分之浴中被沉積時，焦磷 酸銅浴則特別適用於沉積銅的第一層。 在銅的第一層沉積之後，該超薄銅箔較佳藉由更進一 步的電鍍於至少一包含硫酸銅與硫酸的電解浴中，以生長 成所希冀的厚度。而當考慮到產能與成本時，此電解浴相 較於焦磷酸銅浴而言則更爲有利。因此第一銅層生長到一 足夠的厚度，以有效地覆蓋該暗黑色層，典型地至少爲〇.3 μπι，且使用硫酸銅浴，該超薄銅箔接著較佳地更進一步生 長成厚度介於2和 10 μιη之間。 脫膜層較佳爲一以鉻爲基的一層。此鉻基層可以電沉 積的鉻或鉻酸鹽所組成。.當暗黑色層由主要爲鋅的沉積物 所組成時，鉻基脫膜層就特別地合適，如同其將預防鋅擴 散至載體箔中，以避免複合箔的黏附。 載體箔可由各種不同的金屬所製成，且可藉由電沉積 或壓合加以製造。載體箔的厚度應有效地到達此程度，以 致於使複合箔成爲滾軋形式。較佳地，載體箔是一種具有 介於18和105 μιη之間厚度電沉積銅箔。 本發明之方法應該有益地包括更進一步的方法步驟， 係施加一瘤狀化處理（nodulairizing treatment)於超薄銅箔 上，以改良超薄銅箔之暴露的表面對於絕緣樹脂層的附著 力。再者，可運用鈍化處理於經瘤狀化之超薄銅箔上以預 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ 訂--------- %」 575668 A7 ____B7__ 五、發明說明（έ ) 防其氧化。此一鈍化處理可包括將至少由鋅、鉻酸鋅、鎳 、錫、鈷和鉻的群組中之一種，或是其合金，沉積於經瘤 狀化之超薄銅箔上。 有益地’本發明之方法更進〜步地包括塗佈超薄銅箔 之暴露面的步驟，較佳係藉由加強的熱固性樹脂加以瘤狀 化和鈍化。 應該注意的是，本發明之方法亦可於載體箔的兩面執 行，可同時或者是依序執行，以提供載體箔的每一面一層 脫膜層、暗黑色層以及超薄銅箔。藉此，可製造支撐兩超 薄銅箱的複合銅范’而每一超薄銅箱均具有表面顏色，以 有利於二氧化碳雷射光的吸收率。 根據本發明之另一方面，係提出了複合箔。其包括了 一載體箔、於載體箔一面上的脫膜層、以及具有面向脫膜 層的正面和相反的背面之超薄銅箔。該超薄銅箔經過了表 面處理，其提供了特別的表面顏色以有利於二氧化碳雷射 光的吸收率。應該察覺的是，該表面處理係藉由在脫膜層 與超薄銅箔中間，且經電沉積之暗黑色層所提供。更進一 步應該察覺的是，當超薄銅箔從載體箔分離時，至少有一 部份的暗黑色層餘留在超薄銅箔的正面。 本發明之複合箔證明了其係非常有利於製造使用雷射 鑽孔的多層印刷電路板。在複合箱壓合（lamination)於具 有外部線圈的核心板上之後，移除載體箔，而該超薄銅箔 則具有以暗黑色層所覆蓋的表面。因此，此暗黑色層具有 表面處理的功效，可確保有效的雷射鑽孔。的確，暗黑色 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 575668 A7 ________B7 _ 五、發明說明（7 ) 層會降低雷射光在超薄銅箔上的反射。應該注意的是，優 於暗黑色層係藉由電沉積所形成’因此其具有均質特性與 精確的厚度。所以’皆由二氧化碳雷射的方式，經過超薄 銅箔而有效地鑽出微導孔’且其具有高經密度與可再生性 Ο 較佳地，暗黑色層包括了主要的染色成份，來自包括 鋅、銅和鈷的群組中一種，染色添加劑係爲來自包括砷、 錳、錫、釩、鉬和銻的群組中至少一種。 脫膜層較佳爲一以鉻爲基的一層。此鉻基層可以電沉 積的鉻或鉻酸鹽所組成。較佳地，載體箔是一種具有介於 18和105 μιη之間厚度電沉積銅箔。 超薄銅箔的背面以一未強化的熱固性樹脂所塗佈爲有 益的。此一複合箔證明了在製造MLB的方法中鉻方面其均 爲有益的，其中微導孔是藉由二氧化碳雷射加以鑽孔。首 先該載體范可以其易碎的、未強化的熱固性樹脂塗層，來 加以操控超薄銅箔，而不具撕裂、破劣以及皺紋。其次， 複合箔可壓合覆蓋於不包含中間絕緣基材之核心板頂部上 ，且在壓合期間該超薄銅箔係藉由載體箔加以保護。第三 ，在移除了載體之後，超薄銅箔已準備好使雷射加以鑽孔 因爲其是以經電沉積之暗黑色層所覆蓋。再者，於未強 化的熱固性樹脂二氧化碳雷射光束所引起的材料剝落是相 對均質的。本發明之複合箔，其各個方面係提供微導孔非 常精確的鑽孔，以就是說使微導孔具有良好定義之形狀、 直徑以及高度，而不包含局部過熱或銅的濺出（splashes) 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) β —訂--------- 575668 A7 ______B7 _ 五、發明說明（？） Ο 較佳具體實施例之細節說明 根據本發明本方法之用於製造複合箔的較佳具體實施 例’將於以下實施例的方式做詳盡的敘述。 根據本發明的方法以生產複合箔而言，不同的層相繼 地相互沉積於載體箔之上。 該載體箔較佳藉由銅的電沉積所形成，而此電沉積是 來自於旋轉的鈦質陰極胴面（rotating titanium cathode drum)上的電解液。該電解溶液是在陰極胴面與緊密間距 的陰極間循環。典型的電解液包括70至ll〇g/l的銅（如 硫酸銅），80至120g/l的硫酸。電沉積的參數較佳地被 S周整以生長一具有厚度介於18至1〇5 μιη之載體箔12，例 如 35 μιη 或 70 μιη。 載體箔接著經歷數個電鍍浴，將不同層沉積於載體箔 之上。於此具體實施例中，載體箔係爲條狀的，而因此連 繪地通過電鍍浴。然而，很淸楚的是，若該載體箔係爲薄 板狀，其可相繼地於每一個電鍍浴中做處理。 首先，載體箔通過了一第一浴，其中脫膜層被沉積到 載體箔的一面上。一般來說該脫膜層會被沉積到載體箔所 口同的光澤面上，也就是說，在製造載體箱期間與陰極胴面 相接觸的一面。然而，也有可能在載體箔之相反而無光澤 的一面上形成脫膜層。 ' 不言而喻，該脫膜層必須更進一步進行電沉積，因爲 暗黑色層將被電沉積於其上。此非常薄之脫膜層是以鉻爲 11 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱) '" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-------- 575668 A7 _____ Β7 _ 五、發明說明（？） 基且厚度約0.1 μχη的一層爲較佳。此非常薄之厚度典型地 並非測量而得，而是藉由每單位面積鉻的沉積重量與鉻的 密度所計算出來的。此脫膜層可形成於包含180至300g/l 的鉻酸（是以CiO3來計算）和1.8至3g/l的硫酸（H2S〇4) 的鉻浴（chromium bath)中。該電流密度應介於5至 40A/dm2的範圍之間而該浴溫度應介於18至60°C的範圍間 〇 雖然由於電鍍鉻的金屬脫膜層會提供一均勻的沉積， 而被認爲係較佳的，但是鉻酸鹽脫膜層，可選擇性地藉由 含六價的鉻離子之浴中浸沒或電解作用而形成。 .在脫膜層沉積過後，該載體箔經過了第二浴，其中一 暗黑色層被電沉積於脫離層上。此暗黑色層將提供超薄銅 箔一表面處理，將隨即被沉積於其上。使用電解技術可精 確地控制沉積速度，以及暗黑色層的厚度，藉此確保其均 質性。 現已發展有三種較佳的電解浴。這些較佳的電解浴包 括了主要的染色成份，來自包括鋅、銅和鈷的群組中一種 ’染色添加劑係爲來自包括砷、錳、錫、釩、鉬和銻的群 組中至少一種。應該察覺的是，這些較佳的電解浴可形成 .具有無光澤、暗黑色層外表之層、以及對於超薄銅箔的良 好附著力。每一種浴將在以下加以提出。 於下一步驟中，具有脫膜層的載體箔和於其上的暗黑 色層’通過了第三浴，其中第一銅層被電沉積於電解液中 的暗黑色層上，但其並沒有移除該暗黑色層。此電解浴較 12 ΐ紙張尺度適用中國國家標毕（CNS)A4規格⑽χ 297 ) " - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -Μ I n n n f— &-OJ« n n ϋ ·ϋ n it · 575668 A7 ______B7________ 五、發明説明（P ) 佳係爲焦磷酸銅浴，其提供了一均勻的電沉積。更重要的 是，其並不傾向於溶解主要由鋅或鈷所製成的暗黑色層’ 但若使用了酸性的硫酸銅則可能會發生。雖然對於環境與 操作的安全性而言，較佳係使用焦磷酸銅電鍍爲有利’但 是第一層銅可於氰化銅（copper cyanide)浴中形成。 焦磷酸銅浴中，銅濃度較佳爲約16至38g/l，而焦磷 酸鉀較佳爲約150至250g/l。pH値較佳應爲約8至9.5。 浴溫應爲約45至60°C。焦磷酸銅浴應更進一步包括一些 慣用的添加劑，特別是有機添加劑。當使用在受控制且限 定的濃度之下時，有機添加劑會精煉晶粒結構，使電鍍浴 具有整平特性（leveling characteristics)，且作用爲一光 澤劑（brighteners)。而鹼金屬與有機酸均會被用來作爲 光澤劑。 因此超薄銅箔開始沉積在焦磷酸銅浴中，於其中第一 層銅亦沉積於暗黑色層上。第一銅層較佳生長到一足夠的 厚度，以有效地覆蓋該暗黑色層，典型地至少爲0.3 μιη。 該超薄銅范藉由使用焦憐酸銅浴而更進一步生長到希冀厚 度，此爲有利於產能與成本。 實務上，藉由將載體箔通過複數個硫酸銅電鍍浴，而 .更進一步將銅電沉積至第一銅層上，直到獲得所希冀的厚 度。超薄銅箔的厚度愈厚，硫酸銅電鍍浴的數量愈多。 硫酸銅電鑛浴中’銅濃度較佳爲約30至110g/l，而硫 酸較佳爲約30至120g/l。操作電流密度應於5至60A/dm2 的範圍之中。浴溫應於約30至70°C之間。 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 575668 A7 _______ B7___ 五、發明說明（f丨） 因此，最終的複合箔包括了一載體箔、相繼的一脫膜 層、一暗黑色層、以及一超薄銅箔。更進一步，超薄銅箔 與暗黑色層所接觸的那一面將被稱作正面，而相反的那一 面即稱爲背面。 應該注意的是，於先前所提及之電鍍浴中所製成的暗 黑色層，其具有對於超薄銅箔的良好附著力特性。 更進一步需注意的是，鉻脫膜層將暗黑色層從載體箔 隔離出來。因此，該脫膜層將確保複合箔壓合之後的載體 箔分離，例如在預漬體上或者是具有外部線圏的核心板之 上。的確，於壓合期間，複合箔持續加溫加壓一段時間。 若沒有此脫膜層，鋅（假設是以鋅爲基的暗黑色層）將擴 散至載體箔之中（將銅合金化成爲黃銅）且該載體箔會無 法從超薄銅箔移除。 基於暗黑色層對於超薄銅箔之良好的附著力，該超薄 銅箔係被暗黑色層所覆蓋（於移除了載體箔之後）。事實 上’根據本發明方法所製造的複合箔，該載體箔與超薄銅 箔一般會於暗黑色層中分離。因此，脫膜層與超薄銅箔的 正面（其整個表面）均被一特定厚度的暗黑色金屬材料所 覆蓋。 因此，超薄銅箔具有暗黑色的正面，且其比具有高反 射、亮淡紅色之傳統銅箔的表面還來得暗的多（不含表面 處理）。此外，超薄銅箔的正面相對的無光澤。此超薄銅 箔之低反射、無光澤、暗黑色的正面係特別地適用於二氧 化碳雷射鑽孔。然而，要改善鑽孔條件亦可使用其他種類 14 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 訂-------- _%) 575668 B7 五、發明說明（θ ) 的雷射。 談到更具體之暗黑色層的電沉積，以下將對三個電鍍 浴作細部的說明。 第一個用於暗黑色層電沉積之較佳的電鍍浴，其包括 了作爲主要的染色成份的鋅與作爲染色添加劑的銻。更具 體地，此一電鎪浴應包括10至40g/l的鋅和1至3g/l的銻 。該電鑛浴的pH値較佳應爲約1至3。而電流密度應介於 5至15A/dm2的範圍中。 第二個用於暗黑色層電沉積之較佳的電鍍浴，其包括 了作爲主要的染色成份的銅與作爲染色添加劑的砷。更具 體地，此一電鍍浴應包括約2.5至7.5gA的銅和0.1.至lg/ι 的砷以及約40至120g/l的硫酸。而電流密度應介於5至 15A/dm2的範圍中。 第三個用於暗黑色層電沉積之較佳的電鍍浴，其包括 了作爲主要的染色成份的鈷與作爲染色添加劑的鉬。更具 體地，此一電鑛浴應包括約7至30g/l的鈷和2.至15g/l的 鉬以及約10至30g/l的H3B〇3。該電鍍浴的pH値較佳應 爲約1至3，且其溫度約15至50°C。而電流密度應介於5 至15A/dm2的範圍中。 、 仍然需要注意的是，爲了強化超薄銅箔背面對於絕緣 樹脂材料的黏附力，可運用瘤狀化處理於超薄銅箔的背面 。照慣例此瘤狀化處理可藉由形成瘤狀銅沉積物於背面上 而進行，藉此調整電鍍條件。在完成瘤狀化處理之後，可 對於超薄銅箔的背面施加傳統的鈍化處理，諸如藉由將鋅 15 本纸張尺皮過用中國國家標準（Cns)A4規格（210 X 297公爱) ' '~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 i H I 一-口 Y I n ---- --1 ϋ n I · 575668 A7 ____ B7__ 五、發明說明（Ο ) 、鉻酸鋅、鎳、錫、鈷、和鉻沉積於經瘤狀化的背面上。 根據先前所敘述之方法所生產的複合箔，可使用中間 絕緣基材，而將其壓合至具有外部線圈的核心板頂部上。 此一中間絕緣基材可爲雷射預漬體（基於玻璃纖維布，其 相較於傳統織物更適用於雷射鑽孔）或者是充滿樹脂的有 機補強劑，諸如 Aramid based Thermount® (Dupont 的註 冊商標）。可選擇地，由先前所敘述之方法所生產的複合 箔可以未強化之熱固性樹脂加以塗佈。該樹脂塗層較佳應 具有足夠厚度，以使得經樹脂塗佈的複合箔壓合於核心板 上，而不使用額外的中間絕緣基材。 實施例1 一種複合箔根據先前所敘述之方法所被製造。該暗黑 色層被電沉積於一電解浴中，而該浴係包括主要的染色成 份的鋅與染色添加劑的銻。該複合箔被壓合至樹脂製成的 基材上並移除載體箔。該分離係發生於暗黑色層中。該超 薄銅箔正面的整個表面以暗黑色材料所覆蓋。 載體箔正面的顏色劑乃依據L*，a*，b*-系統（DIN 6174 )。其結果顯示於以下的表1中，其中亦呈現傳統電沉積 超薄銅箔所得到的結果，其係直接沉積於鉻脫膜層上，也 •就是說不經過表面處理。於L*，a*，b*·系統中，L*係定義爲 明-暗軸的位置，a*係定義爲紅-綠軸的位置，b*係定義爲 藍-黃軸的位置。 16 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（21Q X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 II - i I n n n 1 -I - 一°Ji fn I ·= n ϋ !. 575668 A7 五、發明說明（# ) 表1 傳統超薄銅箔 覆蓋Zn/Sb層的超薄銅范 L* 80 39-48 a* 16.6 0.8-2.1 b* 15.7 2.9-6.5 實施例2 一種複合箔根據先前所敘述之方法所被製造，然而該 暗黑色層被電沉積於一電解浴中，而該浴係包括主要的染 色成份的銅與染色添加劑的砷。該複合箔被壓合至樹脂製 成的基材上並移除載體箔。該分離係發生於暗黑色層中。 該超薄銅箔正面的整個表面以暗黑色材料所覆蓋。 載體箔正面的顏色劑乃依據L*，a*，b*-系統。其結果顯 示於以下的表2中，其中亦呈現傳統電沉積超薄銅箔所得 到的結果，其係直接沉積於鉻脫膜層上，也就是說不經過 表面處理。 表2 傳統超薄銅箔 覆蓋Cu/As層的超薄銅箔 L* 80 25-32 a* 16.6 5-10 b* 15.7 4-11 實施例3 種複口泊根據先則所欽述之方法所被製造，然而該 暗黑色層被電沉積於~電解浴中，而該浴係包括主要的染 色成份的鈷與染色添加劑的鉬。該複合箔被壓合至樹脂製 成的基材上並移除載體箔。該分離係發生於暗黑色層中。 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

rt·— n n n I n n · ϋ flu n an n n I 575668 A7 _ B7______ 五、發明說明（K ) 該超薄銅箔正面的整個表面以暗黑色材料所覆蓋。 載體箔正面的顏色劑乃依據L*，a*，b*-系統。其結果顯 示於以下的表3中，其中亦呈現傳統電沉積超薄銅箔所得 到的結果，其係直接沉積於鉻脫膜層上，也就是說不經過 表面處理。 表3 傳統超薄銅箔 覆蓋Co/Mo層的超薄銅箔 L* 80 29-36 a* 16.6 0.1-0.3 b* 15.7 3.1-5 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Claims (1)

1. 575668 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 中之該電沉積係運用了一種包含焦磷酸銅的電解浴，以沉 積該第一銅層，接著步驟（e)中該電沉積係使用了至少一 種包含了硫酸銅與硫酸的電解浴。 7·根據申請專利範圍第6項之方法，其中該第一銅 層爲至少0.3 μιη厚，而該超薄銅層的厚度係介於2和10 μηι之間。 8·根據申請專利範圍第1項之方法，其中該脫膜層係 爲以鉻爲基的一層。 9. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該載體箔係 爲具有介於18和105 μιη厚度的電沉積銅箔。 10. 根據申請專利範圍第1至9項中任一項之方法， 其中該暗黑色層具有介於0.1和2.2 μιη的厚度。 11. 根據申請專利範圍第1〇項之方法，其更進一步 包括將瘤狀化處理運用於該超薄銅箔上，以改良該超薄銅 箔之暴露的表面對於絕緣樹脂層的附著力。 12. 根據申請專利範圍第11項之方法，其更進一步包 括運用鈍化處理於該瘤狀化之超薄銅箔上，以預防其氧化 〇 13. 根據申請專利範圍第12項之方法，其中該鈍化處 理包括將至少由鋅、鉻酸鋅、鎳、錫、鈷和鉻的群組中之 一種，或是其合金之一，沉積於該經瘤狀化之超薄銅箔上 〇 14 ·根據申g靑專利車Β圍弟13項之方法’其更進一步包 括使用未加強之熱固性樹脂，塗佈該超薄銅箔之暴露面的 2 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)Α4規格⑽χ 297公I) _ J-----J-------------裝------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ1 ·. 馨— 575668 C8 D8 六、申請專利範圍 步驟。 ir-----τ-----------------裝------ (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 15. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該載體箔 之第二、未覆蓋的一面，以不是同時地就是相繼地方式進 行相同的方法步驟，接著於其上形成第一超薄銅箔，以便 接著於其上提供第二脫膜層、第二暗黑色層以及第二超薄 銅箱。 16. —種複合箔，其包括： 一載體箔； 於該載體箱一面上之一脫膜層； 具有面向脫膜層的正面和相反的背面之一超薄銅箔， 其中該正面經過了表面製備，其提供了特別的表面顔色以 有利於二氧化碳雷射光的吸收率； 其中該表面製備係藉由在脫膜層與超薄銅箔中間，且 經電沉積之暗黑色層所提供，且其中當超薄銅箔從載體箔 分離時，至少有一部份的暗黑色層餘留在超薄銅箔的正面 〇 17. 根據申請專利範圍第16項之複合銅箔，其中該暗 黑色層包括了作爲主要的染色成份，係來自包括鋅、銅和 鈷的群組中一種，及作爲染色添加劑，係來自包括砷、錳 、錫、釩、鉬和銻的群組中至少一種。 18. 根據申請專利範圍第17項之複合銅箔，其中該暗 黑色層具有單位面積的質量介於1，〇〇〇至20,000 mg/m2之 間 。 19. 根據申請專利範圍第18項之複合銅箔，其中該暗 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） 575668 儲 C8 D8 六、申請專利範圍 黑色層具有單位面積的質量介於4,000至15,000 mg/m2之 間。 20. 根據申請專利範圍第16項之複合銅箔，其中該超 薄銅層的厚度係介於2和10 μιη之間。 21. 根據申請專利範圍第16項之複合銅箔，其中該脫 膜層係爲以鉻爲基的一層。 22. 根據申請專利範圍第16項之複合銅箔，其中該載 體箔係爲具有介於18和105 μτη厚度的電沉積銅箔。 23. 根據申請專利範圍第16至22項中任一項之複合 銅箔，其中該暗黑色層具有介於0.1和2·2 μιη的厚度。 24. 根據申請專利範圍第21項之複合銅箔，其中該超 薄銅箔之該背面以一未強化的熱固性樹脂所塗佈。 25. 根據申請專利範圍第16項之複合銅箔，其更進一 步包括於該載體箔之另一面上的第二脫膜層、第二暗黑色 層以及第二超薄銅箔。 26. 根據申請專利範圍第16至22項中任一項之複合 銅箔，其係用於製造印刷電路板以及多層印刷電路板的方 法。 27. 根據申請專利範圍第26項之複合銅箔’其中該暗 黑色層具有介於0.1和2.2 μπι的厚度。 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 裝 、\\\口：

   1- 一種製造複合箔的方法，該複合箔包括被支撐於載 體箔上且可自其移除的超薄銅箔，該方法包括下列步驟： (a) 、提供一載體箔； (b) 、將一脫膜層沉積於該載體箔的一側； (〇、將一暗黑色層電沉積於該脫膜層上； (d) 、於第一浴中將第一層銅電沉積於該暗黑色層上 ，其係經過設計以致於不會溶解了該暗黑色層；而且 (e) 、於另外至少一個浴中，將足夠的銅電沉積於該 第一'層銅上’以便提供S亥希冀的超薄銅泊’ 其中，當該超薄銅箔自該載體箔分離時，至少有部分 的暗黑色層仍然附著於該超薄銅箔上。 2. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該暗黑色層 被電沉積於一浴中’而該浴係包括主要的染色成份，其係 來自包括鋅、銅和鈷的群組中一種，染色添加劑係爲來自 包括砷、錳、錫、釩、鉬和銻的群組中至少一種。 3. 根據申請專利範圍第2項之方法，其中該暗黑色層 具有單位面積的質量介於1，〇〇〇至20,000 mg/m2之間 。 4. 根據申請專利範圍第2項之方法，其中該暗黑色層 具有單位面積的質量介於4,000至15,000 mg/m2之間。 5. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中步驟（d) 中之該電沉積係運用了一種包含焦磷酸銅的電解浴，以沉 積該第一銅層’接著步驟（e)中該電沉積係使用了至少一 種包含了硫酸銅與硫酸的電解浴。 6. 根據申請專利範圍第2項之方法，其中步驟（d) 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、\u 口