TWI405509B - Ultra-thin copper foil with carrier and printed circuit board (2) - Google Patents
Ultra-thin copper foil with carrier and printed circuit board (2) Download PDFInfo
- Publication number
- TWI405509B TWI405509B TW095143950A TW95143950A TWI405509B TW I405509 B TWI405509 B TW I405509B TW 095143950 A TW095143950 A TW 095143950A TW 95143950 A TW95143950 A TW 95143950A TW I405509 B TWI405509 B TW I405509B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- copper foil
- carrier
- thin copper
- metal
- ultra
- Prior art date
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 201
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 50
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 45
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 20
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 16
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 12
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 74
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 13
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 136
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 9
- AFTDTIZUABOECB-UHFFFAOYSA-N [Co].[Mo] Chemical compound [Co].[Mo] AFTDTIZUABOECB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 6
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 4
- RRIWRJBSCGCBID-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O RRIWRJBSCGCBID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229940116202 nickel sulfate hexahydrate Drugs 0.000 description 4
- MOWMLACGTDMJRV-UHFFFAOYSA-N nickel tungsten Chemical compound [Ni].[W] MOWMLACGTDMJRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 4
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N molybdenum nickel Chemical compound [Ni].[Mo] DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- QWMFKVNJIYNWII-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-2-(2,5-dimethylpyrrol-1-yl)pyridine Chemical compound CC1=CC=C(C)N1C1=CC=C(Br)C=N1 QWMFKVNJIYNWII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005246 galvanizing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229940053662 nickel sulfate Drugs 0.000 description 2
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- RWVGQQGBQSJDQV-UHFFFAOYSA-M sodium;3-[[4-[(e)-[4-(4-ethoxyanilino)phenyl]-[4-[ethyl-[(3-sulfonatophenyl)methyl]azaniumylidene]-2-methylcyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]methyl]-n-ethyl-3-methylanilino]methyl]benzenesulfonate Chemical compound [Na+].C1=CC(OCC)=CC=C1NC1=CC=C(C(=C2C(=CC(C=C2)=[N+](CC)CC=2C=C(C=CC=2)S([O-])(=O)=O)C)C=2C(=CC(=CC=2)N(CC)CC=2C=C(C=CC=2)S([O-])(=O)=O)C)C=C1 RWVGQQGBQSJDQV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010038629 Molybdoferredoxin Proteins 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBELESVMOSDEOV-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Mo] Chemical compound [Fe].[Mo] HBELESVMOSDEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHIVCQLQCIBVOS-UHFFFAOYSA-N [Fe].[W] Chemical compound [Fe].[W] AHIVCQLQCIBVOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- MZZUATUOLXMCEY-UHFFFAOYSA-N cobalt manganese Chemical compound [Mn].[Co] MZZUATUOLXMCEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N cobalt tungsten Chemical compound [Co].[W] JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLESOAREQXNYOK-UHFFFAOYSA-N cobalt vanadium Chemical compound [V].[Co] LLESOAREQXNYOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQLBQWDYEGOYSW-UHFFFAOYSA-L copper;disulfamate Chemical compound [Cu+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O ZQLBQWDYEGOYSW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000002659 electrodeposit Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- DALUDRGQOYMVLD-UHFFFAOYSA-N iron manganese Chemical compound [Mn].[Fe] DALUDRGQOYMVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNXOJQQRXBVKEX-UHFFFAOYSA-N iron vanadium Chemical compound [V].[Fe] PNXOJQQRXBVKEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAUUZASCMSWKGX-UHFFFAOYSA-N manganese nickel Chemical compound [Mn].[Ni] ZAUUZASCMSWKGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- HBVFXTAPOLSOPB-UHFFFAOYSA-N nickel vanadium Chemical compound [V].[Ni] HBVFXTAPOLSOPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
- H05K3/025—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates by transfer of thin metal foil formed on a temporary carrier, e.g. peel-apart copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/04—Wires; Strips; Foils
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/20—Separation of the formed objects from the electrodes with no destruction of said electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
- Y10T428/12438—Composite
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12458—All metal or with adjacent metals having composition, density, or hardness gradient
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/125—Deflectable by temperature change [e.g., thermostat element]
- Y10T428/12514—One component Cu-based
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
- Y10T428/12812—Diverse refractory group metal-base components: alternative to or next to each other
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
- Y10T428/12826—Group VIB metal-base component
- Y10T428/1284—W-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
- Y10T428/12826—Group VIB metal-base component
- Y10T428/12847—Cr-base component
- Y10T428/12854—Next to Co-, Fe-, or Ni-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12903—Cu-base component
- Y10T428/1291—Next to Co-, Cu-, or Ni-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12931—Co-, Fe-, or Ni-base components, alternative to each other
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
本發明係有關於一種具有載體之極薄銅箔以及使用該具有載體之極薄銅箔之印刷電路基板，且特別有關於一種適於高密度極精細電路(精細圖樣)用途的印刷電路板、多層印刷電路板、覆晶薄膜(COF)用電路板之具有載體之極薄銅箔。
通常使用於成為印刷電路板、多層印刷電路板、覆晶薄膜用電路板等的基礎之印刷電路基板的銅箔，係將此銅箔熱壓黏合於樹脂基板等之側的表面作成粗糙面，利用此粗糙面以發揮對於該基板的黏固效應，因而提高該基板與銅箔的黏接強度，以確保作為印刷電路基板的可靠性。
更且，最近施行：預先利用如環氧樹脂的黏合用樹脂來被覆銅箔的粗糙面，使該黏合用樹脂成為半固化狀態(B階段)的絕緣樹脂層而形成具有樹脂之銅箔，而將此具有樹脂之銅箔用作電路形成用的銅箔，將絕緣樹脂層之側熱壓黏合於基板以製成印刷電路基板，使該印刷電路基板層積多層，以製造組裝電路板。所謂組裝電路板係多層印刷電路板之一種，依各一層的絕緣層、導體圖樣的順序形成於絕緣基板上，藉由激光法或光刻法於開口的孔道施行電鍍，一邊導通層間一邊層積電路層之一種電路板。
此種電路板由於須因應各種電子元件的高集成化、孔道能夠精細化，故電路圖樣亦須提高精細的線寬和線間間距之要求，例如使用於裝配式半導體之印刷電路板的情形，則要求提供具有線寬和線間間距各30 μ m左右的高密度極精細電路之印刷電路板。
作為這種精細圖樣印刷電路板用的銅箔，若使用較厚的銅箔，則基於蝕刻的電路形成時的蝕刻時間變得較長，其結果，所形成的電路圖樣之側壁的垂直性走樣，而對於所形成的電路圖樣之電路線寬為狹小的情形，則會有斷線之虞。因而，作為使用於精細圖樣用途的銅箔，期望厚度為9 μ m以下的銅箔，目前最多使用厚度為5 μ m左右的銅箔，更進一步要求極薄銅箔化。
然而，這種薄的銅箔(以下有稱為極薄銅箔的情形)由於機械強度較弱，在製造印刷電路基板時容易發生皺摺或折痕，亦會引起銅箔斷裂，故作為使用於精細圖樣用途的極薄銅箔，係使用將剝離層介入於作為載體的金屬箔(以下稱為載體箔)的單面，而使極薄銅箔層直接電沈積之具有載體之極薄銅箔。
如上述，現在大多使用的5 μ m厚度的銅箔係提供作為具有載體之極薄銅箔。
具有載體之極薄銅箔係於載體箔的單面，依序以剝離層與基於電鍍銅的極薄銅箔所形成者，由該電鍍銅所形成的極薄銅箔之最外層表面做成粗糙面。
於載體箔的單面所形成的剝離層雖常用有機膜層、鉻金屬、鉻合金、鉻酸鹽等，但近年來，在將聚醯亞胺等的高溫塑膠等製成絕緣基板之電路基板方面，由於銅箔與基板的加壓溫度或固化溫度等的條件係高溫，有機系的剝離層因無法剝離故不能使用有機膜層，而使用金屬系的剝離層。
作為形成剝離層的金屬，如前述，係以鉻金屬、鉻合金、鉻酸鹽為主流。然而，若使用鉻於剝離層，則於高溫的電路基板製造步驟中會產生氣泡，致剝離性參差不齊，對於電路基板的穩定製造稍微產生問題。
並且，像這些鉻的金屬之一部分被認為對人體有不良影響，預料今後這些金屬也會禁止使用。因而，鉻等的金屬必須儘量朝不使用的方向才行，此為現狀。
如前述，基於鉻的剝離層欠缺在高溫的電路基板之製造穩定性，並且，不使用或抑制至最小限度的有對人體造成影響之虞的鉻金屬來製成剝離層，期望即使在高溫下亦可很容易剝離的具有載體之極薄銅箔的出現。
有鑑於該現狀，本發明的目的在於提供一種具有載體之極薄銅箔，其中抑制氣泡的產生、不影響載體剝離強度、對於具有載體之極薄銅箔的製造條件之管理範圍較廣、製造品質穩定、較環保、即使置於高溫的環境下也能夠很容易地剝離載體箔與極薄銅箔。
又本發明的目的在於提供一種印刷電路基板，其中成為使用前述具有載體之極薄銅箔的精細圖樣用途之印刷電路板、多層印刷電路板、覆晶薄膜用電路板等的基材。
本發明的第1具有載體之極薄銅箔係由載體箔、擴散防止層、剝離層、以及極薄銅箔所形成，其特徵在於：前述剝離層係由保持剝離性之金屬A、與容易施行極薄銅箔的電鍍之金屬B所形成，構成前述剝離層之金屬A的含量a與金屬B的含量b係滿足10≦a/(a＋b)＊ 100≦70(%)之式。
本發明的第2具有載體之極薄銅箔係由載體箔、擴散防止層、剝離層、以及極薄銅箔所形成，其特徵在於：前述剝離層係由保持剝離性之金屬A、與容易施行極薄銅箔的電鍍之金屬B的組成比不同的2層所形成，於配成構成擴散防止層側的剝離層之金屬A的含量c、金屬B的含量d；構成極薄銅箔側的剝離層之金屬A的含量e、金屬B的含量f時，則滿足|(c/c＋d)－(e/e＋f)| ＊ 100≧3(%)之式。
構成前述剝離層之金屬A係由鉬、鉭、釩、錳、鎢、鉻的群組、金屬B係由鐵、鈷、鎳、鉻的群組之中各別選擇者為較佳。
前述剝離層的吸附量的合計係0.05mg/dm2
~50mg/dm2
為較佳。
本發明的印刷電路基板係，前述具有載體之極薄銅箔並將極薄銅箔層積於樹脂基板所形成的高密度極精細電路用途的印刷電路基板。
本發明能夠提供一種具有載體之極薄銅箔，其中可抑制剝離層界面產生氣泡、不影響載體剝離強度、製造品質穩定、較環保、即使置於高溫的環境下也能夠很容易地剝離載體箔與極薄銅箔。
又本發明能夠提供一種印刷電路基板，其中成為使用前述具有載體之極薄銅箔的精細圖樣用途之印刷電路板、多層印刷電路板、覆晶薄膜用電路板等的基材。
作為具有載體之極薄銅箔用的金屬載體箔一般雖可使用鋁箔、鋁合金箔、不鏽鋼箔、鈦箔、鈦合金箔、銅箔、以及銅合金箔等，但作為使用於極薄銅箔或銅合金箔(以下無須區別此二者時則總稱為極薄銅箔)的載體箔，由其處理的簡便性觀之，則以電解銅箔、電解銅合金箔、壓延銅箔或壓延銅合金箔為較佳。並且，其厚度係使用7 μ m~200 μ m厚度的箔為較佳。
作為載體箔，若採用厚度小於7 μ m的薄銅箔，則由於此載體箔的機械強度較弱，在製造印刷電路基板等時，容易產生皺摺或折痕，而有引起箔斷裂的危險性。而載體箔的厚度若超過200 μ m，則因每單位線圈的重量(線圈單重)增加，隨著生產性大受影響，在設備上也要求更大的張力，而需較大規模的設備，故不佳。因而，製成載體箔的厚度係以7 μ m~200 μ m較為適合。
作為載體箔，至少單面的表面粗糙度係使用Rz：0.01 μ m~5.0 μ m的金屬箔較佳，特別是在覆晶薄膜用電路板的辨識性等受到要求的情形，則Rz：0.01 μ m~2.0 μ m較佳。因此，在覆晶薄膜電路基板用等辨識性受到要求的情形，則使用表面粗糙度的範圍為Rz：2 μ m~5.0 μ m的載體箔時，可預先在粗糙的表面施予機械性研磨或電解研磨，使表面粗糙度平滑化而成為Rz：0.01 μ m~2 μ m的範圍來加以使用。再者，對於表面粗糙度Rz：5 μ m以上的載體箔也可預先施行機械性研磨．電化溶解加以平滑化來使用。
於本發明中，為了使後述的剝離層的相對於剝離性的耐熱性穩定，而在剝離層與載體箔之間設置擴散防止層。擴散防止層係以鎳或其合金所形成者為較佳。再者，以鉻或鉻合金所形成者亦有效果。
於本發明中，在擴散防止層上所設置的剝離層係以金屬、與非金屬或金屬的氧化物或合金的混合物所構成。特別是本發明的剝離層係以保持剝離性之金屬A、與容易施行極薄銅箔的電鍍之金屬B所構成。
作為構成前述剝離層之金屬A係由鉬、鉭、釩、錳、鎢、鉻的群組加以選定。
而金屬B係由鐵、鈷、鎳、鉻的群組加以選定。
再者，由於鉻金屬包含對環境造成的問題，故儘量不用、或即使使用也要抑制至最小限度的需要量，則為特佳。
前述剝離層係由保持剝離性之前述金屬A、與容易施行極薄銅箔的電鍍之前述金屬B所形成，構成前述剝離層之金屬A的含量a與金屬B的含量b係滿足10≦a/(a＋b)＊ 100≦70之式。再者，藉由將此比率a/(a＋b)＊ 100設為20~70的範圍，則可得到更優異的效果。
並且，前述剝離層係由保持剝離性之金屬A、與容易施行極薄銅箔的電鍍之金屬B的組成比不同的2層所形成，於配成構成擴散防止層側的剝離層之前述金屬A的含量c、前述金屬B的含量d；構成極薄銅箔側的剝離層之前述金屬A的含量e、前述金屬B的含量f時，則滿足|(c/c＋d)－(e/e＋f)| ＊ 100≧3(%)之式。
再者，各層滿足10≦(c/c＋d)＊ 100≦70 10≦(e/e＋f)＊ 100≦70則效果更為提昇。
上述2層或更多層，即使無意改變組成，而藉由電鍍條件，於載體箔表面側與極薄銅箔側亦可改變組成比。對於來自載體箔側與極薄銅箔側總吸附量的0.1%以上5%以下的厚度，其上下的組成比之差異若在3%以上，則與刻意設置2層者產生同等的效果。
以2層來構成剝離層，利用不同族屬金屬構成該2層時，以屬於金屬A的金屬族屬與屬於金屬B的金屬族屬，若為上述組成比的範圍，則亦能夠產生同等的效果。
於本發明中，所吸附的剝離層之吸附量的合計係0.05mg/dm2
~50mg/dm2
較佳。
吸附量若小於0.05mg/dm2
，則因無法達到作為剝離層的充分功能，故不適合；而即使超過50mg/dm2
雖也可剝離，但形成剝離層的金屬族屬，若為難電鍍的金屬，且一厚會失去平滑性者，剝離力參差不齊，穩定性消失，亦可能成為起泡的原因，故最好是50mg/dm2
以下較佳。更且，若也考量極薄銅箔的表面平滑性，則20mg/dm2
以下較佳。並且，剝離層表面的粗糙度係載體箔表面的粗糙度的1.5倍以下，又表面積也為載體箔的表面積的1.5倍以下為較佳。若表面粗糙度及表面積增大，則整體上載體剝離強度增大，參差不齊情形也會變大。
於本發明中，將剝離層作成2層時的厚度係，2層的合計吸附量與上述同樣為0.05mg/dm2
~50mg/dm2
，特別是，比起載體箔側的第1層的吸附量，則極薄銅箔側的第2層的吸附量較小而有剝離性提昇的傾向。
又由防止在剝離層上極薄銅箔表面產生氧化的理由看來，則設置由低熔點金屬所形成的氧化防止層較佳。作為低熔點金屬係單體且熔點為450℃以下的金屬、或其合金。具體而言，係吸附著鋅、錫、鉍、銦、或以鋅、錫、鉛、鉍、銦之中的1種作為主成分的合金，而具有抑制極薄銅箔表面的氧化變色之效果，故較佳。
並且，作為此低熔點金屬的效果，由於在常態中容易黏合剝離層與薄銅箔，故薄銅箔不易產生電鍍缺陷(針孔)及進行熱處理時的氣泡。並可舉出，在黏貼於聚醯亞胺時，加上熱量，因低熔點金屬擴散於薄銅箔表面，於剝離層與薄銅箔之間產生空間，致載體剝離強度亦降低。依金屬族屬雖有所不同，但剝離層上的低熔點金屬的吸附量係0.01mg/dm2
以上為較佳。特別是0.05mg/dm2
~10mg/dm2
最為適當。對於吸附各種低熔點金屬的電鍍浴並未特別指定，但可使用市售的電鍍液。
極薄銅箔的形成可使用硫酸銅浴、焦磷酸銅浴、氨基磺酸銅浴、氰化銅浴等，於剝離層上以電解電鍍而形成。再者，電鍍浴係使用pH1~12之間的鍍銅浴為較佳。
極薄銅箔的形成，對於剝離層以易溶於鋅等的電鍍浴之金屬而形成的情形，由於電鍍液中的浸漬時間．電流值、電鍍完成的電鍍液去除．水洗、剛施行金屬電鍍後的電鍍液pH等決定剝離層的殘留狀態，因此浴種需以和剝離層表面及在其上面所形成的金屬之間的關係加以選擇。
又極薄銅箔形成於剝離層上，由於該剝離層的剝離性之故，施行均勻的電鍍非常困難，結果在極薄銅箔上存在著很多的針孔。於此種電鍍條件下，首先施行觸擊鍍銅，接著施行一般的電解電鍍，藉此而能夠在剝離層上實施均勻的電鍍，於極薄銅箔所產生的針孔的數量可大幅減少。
以觸擊電鍍所吸附的鍍銅厚度係0.01 μ m~1 μ m較佳，雖依浴種之不同而有各種條件，但作為電流密度係0.1A/dm2
~20A/dm2
、作為電鍍時間係0.1秒以上較佳。電流密度若小於0.1A/dm2
，則難以在剝離層上施行均勻的電鍍；而若超過20A/dm2
，則電鍍液的金屬濃度受到淡化的觸擊電鍍，會發生燒鍍而無法得到均勻的鍍銅層，故不佳。對於電鍍時間，若小於0.1秒，則為了得到充分的電鍍層，時間上太短，故不佳。
藉由觸擊電鍍而在剝離層上形成無損於剝離層的剝離性的厚度為0.01 μ m以上的鍍銅層之後，施行鍍銅達既定的厚度，製成極薄銅箔。
並且，若極薄銅箔表面含有磷，則由於和剝離層之間的黏附性變弱，故剝離強度降低。因而，為了調節剝離強度，故使極薄銅箔表面含磷為相當有效。
再者，為了得到極薄銅箔表面與絕緣基板之間的更高強度的黏附性，故於極薄銅箔表面進行粗面化處理，將表面的粗糙度作成Rz：0.2~3.0(μ m)為較佳。於粗面化處理，若粗糙度小於0.2(μ m)，則由於不太影響黏附性，即使施行粗面化也不具意義；粗糙度若為3(μ m)，則由於可得到充分的黏附性，因此超過此粗糙度的粗面化並無需要。
最後，於粗面化處理的表面上附著具有防鏽及耐熱性效果的鎳、鋅、或依情形之不同的鉻。又為了提昇剝離強度，塗布矽烷亦具有效果。
以下，藉由實施例對本發明作具體說明。
各實施例的電鍍條件如下。
(1)鍍銅條件<鍍銅條件1>Cu2
P2
O7
．3H2
O：3~50g/l K4
P2
O7
：50~350g/l PH：8~11電流密度：0.1~5A/dm2
<鍍銅條件2>Cu2
P2
O7
．3H2
O：10~150g/l K4
P2
O7
：50~400g/l NH3
OH(28%)：1~10ml/l PH：8~12浴溫：20~60℃<鍍銅條件3>硫酸銅(以銅金屬計)：10~70g/dm3
硫酸：30~120g/dm3
電流密度：1~60A/dm2
通電時間：1秒~2分浴溫：10~70℃
(2)鍍鎳條件硫酸鎳(以鎳計)：1~120g/dm3
硼酸：10~50g/dm3
電流密度：1~60A/dm2
通電時間：1秒~2分浴溫：10~70℃
(3)鍍鎳－鈷條件硫酸鎳(以鎳計)：5~120g/dm3
硫酸鈷(以鈷金屬計)：0.5~40g/dm3
PH：2~4電流密度：0.5~10A/dm2
時間：1秒~2分
(4)鍍鉬－鈷條件鈷量：0.1~20g/dm3
鉬量：0.05~20g/dm3
檸檬酸：5~240g/dm3
電流密度：0.1~60A/dm2
通電時間：1秒~5分浴溫：10~70℃
(5)鍍鉬－鎳條件硫酸鎳六水合物：10~100g/dm3
鉬酸鈉二水合物：10~100g/dm3
檸檬酸鈉：30~200g/dm3
浴溫：10~50℃電流密度：0.5~15A/dm2
(6)鍍鎢－鎳條件硫酸鎳六水合物：10~100g/dm3
鎢酸鈉二水合物：10~100g/dm3
檸檬酸鈉：30~200g/dm3
浴溫：30~90℃電流密度：0.5~15A/dm2
基於載體箔→鎳(擴散防止層)→鉬－鈷(剝離層)→鍍銅(極薄銅箔)的具有載體之極薄銅箔的製造
以單面為Rz：0.8 μ m的銅箔(厚度：31 μ m)作為載體箔，於該載體箔上面在前述鍍鎳條件下施作擴散防止層之後，以下述條件利用鍍鉬－鈷來形成剝離層。
鈷量：4.0g/dm3
鉬量：2.0g/dm3
檸檬酸：80g/dm3
電流密度：2A/dm2
通電時間：15秒浴溫：50℃
所形成的剝離層的吸附量係1.5mg/dm2
、鉬/(鉬＋鈷)＊ 100＝31(%)。
於所形成的剝離層上面，以前述<鍍銅條件1>施行鍍銅至0.2 μ m厚度，於其上利用前述<鍍銅條件3>以電流密度4.5A/dm2
來施行鍍銅，以形成3 μ m厚度的極薄銅箔，作為具有載體之極薄銅箔。
其次，於施行鎳：0.5mg/dm2
、鋅：0.05mg/dm2
、鉻：0.3mg/dm2
的表面處理之後，再進行有機矽烷偶合劑處理(後處理)，而得到具有載體之極薄銅箔。
基於載體箔→鎳(擴散防止層)→鉬－鎳(剝離層)→鍍銅(薄銅箔)的具有載體之極薄銅箔的製造
以單面為Rz：0.85 μ m的銅箔(厚度：31 μ m)作為載體銅箔，於前述鍍鎳條件下施行電鍍之後，於其上利用下述條件來製成鍍鉬－鎳層。
硫酸鎳六水合物：50g/dm3
鉬酸鈉二水合物：60g/dm3
檸檬酸鈉：90g/dm3
浴溫：30℃電流密度：3A/dm2
通電時間：20秒
所製成的剝離層的吸附量係：2.4mg/dm2
、鉬/(鉬＋鎳)＊ 100＝29(%)。
於剝離層上面，以<鍍銅條件1>形成厚度0.2 μ m的鍍銅層後，再使用<鍍銅條件3>以電流密度4.5A/dm2
的電鍍來形成鍍銅層，使形成3 μ m厚度的極薄銅箔，作為具有載體之極薄銅箔。
其次，於施行鎳：0.5mg/dm2
、鋅：0.05mg/dm2
、鉻：0.3mg/dm2
的表面處理之後，再進行有機矽烷偶合劑處理(後處理)，而得到具有載體之極薄銅箔。
基於載體箔→鎳(擴散防止層)→鎢－鎳(剝離層)→鍍銅(極薄銅箔)的具有載體之極薄銅箔的製造
以單面為Rz：0.82 μ m的銅箔(厚度：31 μ m)作為載體銅箔，於鍍鎳條件施行電鍍後，利用下述電鍍條件來製成鎢－鎳層。
硫酸鎳六水合物：50g/dm3
鎢酸鈉二水合物：60g/dm3
檸檬酸鈉：90g/dm3
浴溫：70℃電流密度：2.5A/dm2
通電時間：18秒
形成剝離層的吸附量：1mg/dm2
、鎢 ＊ 100/(鎢＋鎳)＝20%。
利用前述<鍍銅條件1>而形成鍍銅至0.2 μ m厚度後，再利用鍍銅條件<鍍銅條件3>以電流密度3.5A/dm2
施行電鍍，使形成3 μ m厚度的極薄銅箔，作為具有載體之極薄銅箔。
其次，於施行鎳：0.5mg/dm2
、鋅：0.05mg/dm2
、鉻：0.3mg/dm2
的表面處理之後，再進行有機矽烷偶合劑處理(後處理)，而得到具有載體之極薄銅箔。
基於載體箔→鎳(擴散防止層)→鉬－鈷(第一層)→鉬－鈷(第二層)(剝離層)→鍍銅(極薄銅箔)的具有載體之極薄銅箔的製造
以單面為Rz：0.74μm的銅箔(厚度：22μm)作為載體銅箔，以<鍍鎳條件>施行電鍍後，利用下述條件來製成鍍鉬－鈷層。
<第一層電鍍條件>鈷量：4.0g/dm3
鉬量：3.0g/dm3
檸檬酸：80g/dm3
電流密度：2A/dm2
通電時間：10秒浴溫：50℃
<第二層電鍍條件>鈷量：4.0g/dm3
鉬量：1.5g/dm3
檸檬酸：80g/dm3
電流密度：2A/dm2
通電時間：5秒浴溫：50℃形成剝離層(第一層＋第二層)的吸附量：2.3mg/dm2
第一層 鉬＊ 100/(鉬＋鈷)＝56%第二層 鉬＊ 100/(鉬＋鈷)＝23%
以<鍍銅條件1>形成鍍銅至0.2 μ m厚度之後，再使用<鍍銅條件3>以電流密度3.5 A/dm2
來施行電鍍，使形成3 μ m厚度的極薄銅箔，作為具有載體之極薄銅箔。
其次，於施行鎳：0.5mg/dm2
、鋅：0.05mg/dm2
、鉻：0.3mg/dm2
的表面處理之後，再進行有機矽烷偶合劑處理(後處理)，而得到具有載體之極薄銅箔。
除了將擴散防止層設為鎳－鈷之外與實施例1同樣地處理而得到具有載體之極薄銅箔。
除了將擴散防止層設為鎳－鈷之外與實施例2同樣地處理而得到具有載體之極薄銅箔。
除了將擴散防止層設為鎳－鈷之外與實施例3同樣地處理而得到具有載體之極薄銅箔。
除了將擴散防止層設為鎳－鈷之外與實施例4同樣地處理而得到具有載體之極薄銅箔。
與實施例1同樣地形成至剝離層(鉬－鈷)之後，於該剝離層上面，將低熔點金屬的鋅以下述電鍍條件施作0.3mg/dm2
，而得到具有載體之極薄銅箔。
剝離層上的鍍鋅係鋅金屬濃度：1~40g/dm3
氫氧化鈉：3~100g/dm3
溫度：10~60℃電流密度：0.1~10A/dm2
1.載體箔以載體箔的表面粗糙度Rz：1.2 μ m的銅箔作為載體箔。
2.剝離層的形成於前述載體銅箔形成了吸附鉻金屬的剝離層。
3.極薄銅箔的形成Cu2
P2
O7
．3H2
O：30g/l K4
P2
O7
：300g/l PH：8電流密度：4A/dm2
利用上述條件施行厚度1 μ m電鍍之後，以銅濃度：50g/l硫酸：100g/l電流密度：20A/dm2
的條件來施行電鍍使成為3 μ m厚度的極薄銅箔，再利用習知的方法來施行吸附銅粒子的粗面化處理。
作為防鏽處理及表面處理，於施行粗面化處理的極薄銅層上面，利用習知的方法來施行鍍鋅及鉻酸鹽處理，而得到具有載體之極薄銅箔。
1.載體箔以載體箔的表面粗糙度Rz：1.2 μ m的銅箔作為載體箔。
2.剝離層的形成於前述載體銅箔連續進行鉻的電鍍，而形成了吸附量1.5mg/dm2
的鍍鉻剝離層。表層則形成水合氧化物。
3.極薄銅箔的形成於此鍍鉻剝離層上面，以Cu2
P2
O7
．3H2
O：30g/lK4
P2
O7
：300g/l PH：8電流密度：1.5A/dm2
的條件施行60秒鐘、觸擊鍍銅，再以Cu2
P2
O7
．3H2
O：30g/l K4
P2
O7
：300g/l PH：8電流密度：4A/dm2
的條件施行厚度1 μ m電鍍之後，以銅濃度：50g/l硫酸：100g/l電流密度：20A/dm2
的條件來施行電鍍使成為3 μ m厚度的極薄銅箔，再利用習知的方法來施行吸附銅粒子的粗面化處理。
作為防鏽處理及表面處理，於施行粗面化處理的極薄銅層上面，利用習知的方法來施行鍍鋅及鉻酸鹽處理，而得到具有載體之極薄銅箔。
對於上述實施例及比較例所製成的具有載體之極薄銅箔的載體剝離強度的評估用試樣，製作如下並加以評估。
(1)載體剝離強度的測定及氣泡確認用試樣將具有載體之極薄銅箔(實施例1~9、比較例1、2)裁切成長250 mm、寬250mm之後，以溫度350℃進行10分鐘加熱，製成氣泡確認用的試樣。
並且，在經上述熱處理的試樣的極薄銅箔側，以雙面膠帶黏貼樹脂基板，作成具有載體箔的聚醯亞胺載體剝離強度測定用單面銅質覆積層板。
(2)針孔確認試樣將具有載體之極薄銅箔(實施例1~9、比較例1、2)裁切成長250 mm、寬250mm，以透明膠帶黏貼於極薄銅箔側，將極薄銅箔由載體箔剝離，作成針孔確認用的試樣。
(1)載體剝離強度的測定方法與氣泡的確認(a)氣泡的確認以目視觀察載體箔上的極薄銅箔是否起泡，計算氣泡的數量。其結果如第1表所示。
(b)載體剝離強度的測定將利用上述(1)的方法所製作的試樣依據JISC6511所規定的方法，以測定試樣寬10mm，由載體箔剝離極薄銅箔，以n數3測定載體剝離強度。評估結果如第1表所示。
(c)針孔確認於上述(2)針孔測定用試樣，由下方照光，計算看得見光的數目，作為針孔數量。
比較例1的具有載體之極薄銅箔係載體剝離強度較高、而氣泡較少。另一方面，比較例2的具有載體之極薄銅箔係載體剝離強度較低、而氣泡較多。如此，由比較例可顯示，若載體剝離強度較低則有氣泡增多的趨勢；若氣泡的數量較少則有載體剝離強度昇高的趨勢。
相對於此，本發明的具有載體之極薄銅箔係載體剝離強度較低、而氣泡亦較少。
並且，若以擴散防止層之有無來作比較，沒有擴散防止層者相較於有擴散防止層者，載體剝離強度雖多少有較高的趨勢，但實用上還沒有到發生問題的程度。
本發明的具有載體之極薄銅箔如比較例所示，相較於剝離層的主成分係鉻的習知的具有載體之極薄銅箔，則氣泡．載體剝離強度皆相當穩定。
又將構成該剝離層的2成分的金屬組成比不同的層作成2層，藉由將接觸載體箔側的部分與接觸極薄銅箔的部分之組成比加以改變，可成為更穩定的具有載體之極薄銅箔。
對於上述實施例，可使用鉬－鈷、鉬－鎳、鎢－鎳的層作為剝離層，此外，鉬－鐵、釩－鐵、釩－鈷、釩－鎳、錳－鐵、錳－鈷、錳－鎳、鎢－鐵、鎢－鈷的組合也可得到同樣的效果。
更且，在環境問題逐漸變得重要的現代，由於完全不使用鉻或以微量即可解決，故本發明的具有載體之極薄銅箔可提供作為較環保的原料。
本發明如上述，能夠提供一種具有載體之極薄銅箔，其中可抑制剝離層界面產生氣泡而不影響載體剝離強度、較環保、即使置於高溫的環境下也能夠很容易地剝離載體箔與極薄銅箔。
又本發明能夠提供一種印刷電路基板，其中作為使用前述具有載體之極薄銅箔的精細圖樣用途之印刷電路板、多層印刷電路板、覆晶薄膜用電路板等的基材，製造品質穩定。具有優異效果的印刷電路基板。
Claims (7)
- 一種具有載體之極薄銅箔，由載體箔、擴散防止層、剝離層、以及極薄銅箔所形成，其特徵在於：前述剝離層係由保持剝離性之金屬A、與容易施行極薄銅箔的電鍍之金屬B所形成；構成前述剝離層之金屬A的含量a與金屬B的含量b係滿足10≦a/(a＋b)＊ 100≦70之式。
- 一種具有載體之極薄銅箔，由載體箔、擴散防止層、剝離層、以及極薄銅箔所形成，其特徵在於：前述剝離層係由保持剝離性之金屬A、與容易施行極薄銅箔的電鍍之金屬B的組成比不同的2層所形成；於製成構成擴散防止層側的剝離層之金屬A的含量c、金屬B的含量d；構成極薄銅箔側的剝離層之金屬A的含量e、金屬B的含量f時，則滿足|(c/c＋d)－(e/e＋f)|＊ 100≧3(%)之式。
- 如申請專利範圍第1項所述的具有載體之極薄銅箔，其中構成前述剝離層之金屬A係由鉬、鉭、釩、錳、鎢、鉻的群組所形成，金屬B係由鐵、鈷、鎳、鉻的群組所形成。
- 如申請專利範圍第2項所述的具有載體之極薄銅箔，其中構成前述剝離層之金屬A係由鉬、鉭、釩、錳、鎢、鉻的群組所形成，金屬B係由鐵、鈷、鎳、鉻的群組所形成。
- 如申請專利範圍第1項所述的具有載體之極薄銅箔，其中前述剝離層的吸附量的合計係0.05mg/dm2 ~50mg/dm2 。
- 如申請專利範圍第2項所述的具有載體之極薄銅箔，其中前述剝離層的吸附量的合計係0.05mg/dm2 ~50mg/dm2 。
- 一種高密度極精細電路用途的印刷電路基板，係如申請專利範圍第1、2、3、4、5及6項中任一項所述的具有載體之極薄銅箔並將極薄銅箔層積於樹脂基板而形成者。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005361311 | 2005-12-15 | ||
| JP2006303303A JP4927503B2 (ja) | 2005-12-15 | 2006-11-08 | キャリア付き極薄銅箔及びプリント配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200803640A TW200803640A (en) | 2008-01-01 |
| TWI405509B true TWI405509B (zh) | 2013-08-11 |
Family
ID=38000847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW095143950A TWI405509B (zh) | 2005-12-15 | 2006-11-28 | Ultra-thin copper foil with carrier and printed circuit board (2) |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7771841B2 (zh) |
| EP (1) | EP1802183B1 (zh) |
| JP (1) | JP4927503B2 (zh) |
| KR (1) | KR101502159B1 (zh) |
| DE (1) | DE602006010161D1 (zh) |
| TW (1) | TWI405509B (zh) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4934409B2 (ja) * | 2005-12-15 | 2012-05-16 | 古河電気工業株式会社 | キャリア付き極薄銅箔及びプリント配線基板 |
| KR101351928B1 (ko) | 2007-12-28 | 2014-01-21 | 일진머티리얼즈 주식회사 | 캐리어박 부착 극박 동박, 그 제조 방법 및 이를 채용한프린트 배선 기판 |
| CN102203326A (zh) | 2008-09-05 | 2011-09-28 | 古河电气工业株式会社 | 带有载体的极薄铜箔以及贴铜层压板或印刷线路基板 |
| JP2009143233A (ja) * | 2008-12-24 | 2009-07-02 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | キャリア付金属箔 |
| CN102452197B (zh) | 2010-10-21 | 2014-08-20 | 财团法人工业技术研究院 | 附载箔铜箔及其制造方法 |
| US8329315B2 (en) * | 2011-01-31 | 2012-12-11 | Nan Ya Plastics Corporation | Ultra thin copper foil with very low profile copper foil as carrier and its manufacturing method |
| TWI569705B (zh) | 2011-03-30 | 2017-02-01 | 三井金屬礦業股份有限公司 | 多層印刷配線板的製造方法及以該製造方法所得之多層印刷配線板 |
| WO2012133637A1 (ja) | 2011-03-30 | 2012-10-04 | 三井金属鉱業株式会社 | 多層プリント配線板の製造方法及びその製造方法で得られる多層プリント配線板 |
| KR101343951B1 (ko) | 2011-06-23 | 2013-12-24 | 코닉이앤씨 주식회사 | 금속박의 제조 방법 및 제조 장치 |
| JP6144003B2 (ja) * | 2011-08-29 | 2017-06-07 | 富士通株式会社 | 配線構造及びその製造方法並びに電子装置及びその製造方法 |
| US8980414B2 (en) * | 2011-08-31 | 2015-03-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Carrier-attached copper foil |
| JP5854872B2 (ja) * | 2012-02-15 | 2016-02-09 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、積層体及びプリント配線板の製造方法 |
| JP5175992B1 (ja) * | 2012-07-06 | 2013-04-03 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 極薄銅箔及びその製造方法、並びに極薄銅層 |
| JP5228130B1 (ja) | 2012-08-08 | 2013-07-03 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | キャリア付銅箔 |
| KR101391811B1 (ko) | 2012-08-17 | 2014-05-07 | 일진머티리얼즈 주식회사 | 캐리어박 부착 극박동박, 이를 채용한 동부착적층판 및 프린트 배선판 |
| KR20150060940A (ko) * | 2012-09-28 | 2015-06-03 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 캐리어 부착 동박 및 캐리어 부착 동박을 사용한 구리 피복 적층판 |
| TWI486260B (zh) | 2012-11-16 | 2015-06-01 | Nanya Plastics Corp | 具有黑色極薄銅箔之銅箔結構及其製造方法 |
| JP5247929B1 (ja) * | 2012-11-28 | 2013-07-24 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板及びプリント回路板 |
| JP5364838B1 (ja) * | 2012-11-30 | 2013-12-11 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | キャリア付銅箔 |
| JP5742859B2 (ja) | 2013-01-30 | 2015-07-01 | 日立金属株式会社 | 高速伝送ケーブル用導体、及びその製造方法、並びに高速伝送ケーブル |
| KR101422262B1 (ko) * | 2013-02-08 | 2014-07-24 | 와이엠티 주식회사 | 동박층이 형성된 기판과 인쇄회로기판의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 인쇄회로기판 |
| CN105074058B (zh) * | 2013-02-26 | 2016-11-23 | 古河电气工业株式会社 | 带载体超薄铜箔、覆铜层压板以及无芯基板 |
| WO2014136785A1 (ja) * | 2013-03-04 | 2014-09-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付銅箔、それを用いた銅張積層板、プリント配線板、電子機器及びプリント配線板の製造方法 |
| JP5746402B2 (ja) * | 2013-06-13 | 2015-07-08 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法 |
| JP6310193B2 (ja) * | 2013-07-02 | 2018-04-11 | Ｊｘ金属株式会社 | キャリア付銅箔、その製造方法、銅張積層板の製造方法及びプリント配線板の製造方法 |
| JP6310192B2 (ja) * | 2013-07-02 | 2018-04-11 | Ｊｘ金属株式会社 | キャリア付銅箔及びその製造方法、銅張積層板の製造方法及びプリント配線板の製造方法 |
| JP6310191B2 (ja) * | 2013-07-02 | 2018-04-11 | Ｊｘ金属株式会社 | キャリア付銅箔及びその製造方法、銅張積層板の製造方法及びプリント配線板の製造方法 |
| JP5521099B1 (ja) * | 2013-09-02 | 2014-06-11 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | キャリア付銅箔、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板、及びプリント配線板の製造方法 |
| TWI589201B (zh) * | 2013-11-22 | 2017-06-21 | Mitsui Mining & Smelting Co | Manufacturing method of a printed circuit board having a buried circuit and a printed circuit board obtained by the manufacturing method |
| JP6123655B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2017-05-10 | 日立金属株式会社 | 銅箔及びその製造方法 |
| TWI613940B (zh) * | 2014-03-31 | 2018-02-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 附載體之銅箔、印刷配線板、積層體、電子機器及印刷配線板之製造方法 |
| CN103974549A (zh) * | 2014-05-26 | 2014-08-06 | 深圳市智武科技有限公司 | 一种电路板线路的制作方法 |
| KR102126611B1 (ko) * | 2014-12-30 | 2020-06-25 | 서키트 호일 룩셈부르크, 에스에이알엘 | 박리성 동박, 코어리스 기판의 제조방법 및 이 방법으로 얻어진 코어리스 기판 |
| WO2016143117A1 (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-15 | 三井金属鉱業株式会社 | キャリア付き金属箔及び配線基板の製造方法 |
| US10015778B2 (en) * | 2015-03-17 | 2018-07-03 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Systems and methods for uplink control information signaling design |
| GB2552983B (en) * | 2016-08-17 | 2021-04-07 | Ge Aviat Systems Ltd | Method and apparatus for detecting an electrical fault in a printed circuit board |
| US9955588B1 (en) * | 2016-11-28 | 2018-04-24 | Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. | Multilayer carrier foil |
| CN109797414A (zh) * | 2019-03-14 | 2019-05-24 | 北京工业大学 | 一种获得高软磁性能电沉积可剥离铁钴合金薄膜的方法 |
| LU101698B1 (en) * | 2020-03-18 | 2021-09-20 | Circuit Foil Luxembourg | Surface-treated copper foil for high-frequency circuit and method for producing same |
| CN115707194A (zh) * | 2021-08-04 | 2023-02-17 | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 | 部件承载件及其制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003094553A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-03 | Nippon Denkai Kk | 複合銅箔及びその製造方法 |
| TW575668B (en) * | 2001-07-18 | 2004-02-11 | Circuit Foil Luxembourg Trading Sarl | Process for manufacturing a composite foil suitable for manufacturing multi-layer printed circuit boards |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5720347A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-02 | Nippon Denkai Kk | Synthetic foil for printed wiring and its manufacture |
| JPH0818401B2 (ja) * | 1989-05-17 | 1996-02-28 | 福田金属箔粉工業株式会社 | 複合箔とその製法 |
| US6183880B1 (en) * | 1998-08-07 | 2001-02-06 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Composite foil of aluminum and copper |
| US6346335B1 (en) * | 2000-03-10 | 2002-02-12 | Olin Corporation | Copper foil composite including a release layer |
| US7026059B2 (en) * | 2000-09-22 | 2006-04-11 | Circuit Foil Japan Co., Ltd. | Copper foil for high-density ultrafine printed wiring boad |
| US7465829B2 (en) | 2002-02-19 | 2008-12-16 | Schneider Advanced Technologies, Inc. | Halo active aromatic sulfonamide organic compounds and uses therefor |
| JP2004169181A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-06-17 | Furukawa Techno Research Kk | キャリア付き極薄銅箔、及びその製造方法、キャリア付き極薄銅箔を用いたプリント配線基板 |
| JP3977790B2 (ja) * | 2003-09-01 | 2007-09-19 | 古河サーキットフォイル株式会社 | キャリア付き極薄銅箔の製造方法、及び該製造方法で製造された極薄銅箔、該極薄銅箔を使用したプリント配線板、多層プリント配線板、チップオンフィルム用配線基板 |
| US7132158B2 (en) * | 2003-10-22 | 2006-11-07 | Olin Corporation | Support layer for thin copper foil |
| JP4217786B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2009-02-04 | 古河電気工業株式会社 | キャリア付き極薄銅箔、およびキャリア付き極薄銅箔を用いた配線板 |
| EP1531656A3 (en) * | 2003-11-11 | 2007-10-03 | Furukawa Circuit Foil Co., Ltd. | Ultra-thin copper foil with carrier and printed wiring board using ultra-thin copper foil with carrier |
| US7645829B2 (en) * | 2004-04-15 | 2010-01-12 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Plasticized functionalized propylene copolymer adhesive composition |
| TW200609109A (en) * | 2004-08-02 | 2006-03-16 | Nippon Denkai Ltd | Composite copper foil and method for production thereof |
-
2006
- 2006-11-08 JP JP2006303303A patent/JP4927503B2/ja active Active
- 2006-11-28 TW TW095143950A patent/TWI405509B/zh active
- 2006-12-13 DE DE602006010161T patent/DE602006010161D1/de active Active
- 2006-12-13 EP EP06025857A patent/EP1802183B1/en active Active
- 2006-12-15 US US11/639,439 patent/US7771841B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-15 KR KR1020060128350A patent/KR101502159B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-06-30 US US12/827,018 patent/US7985488B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW575668B (en) * | 2001-07-18 | 2004-02-11 | Circuit Foil Luxembourg Trading Sarl | Process for manufacturing a composite foil suitable for manufacturing multi-layer printed circuit boards |
| JP2003094553A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-03 | Nippon Denkai Kk | 複合銅箔及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070141381A1 (en) | 2007-06-21 |
| EP1802183A3 (en) | 2008-01-23 |
| US7985488B2 (en) | 2011-07-26 |
| DE602006010161D1 (de) | 2009-12-17 |
| US7771841B2 (en) | 2010-08-10 |
| EP1802183B1 (en) | 2009-11-04 |
| EP1802183A2 (en) | 2007-06-27 |
| JP2007186782A (ja) | 2007-07-26 |
| JP4927503B2 (ja) | 2012-05-09 |
| KR20070064282A (ko) | 2007-06-20 |
| TW200803640A (en) | 2008-01-01 |
| KR101502159B1 (ko) | 2015-03-12 |
| US20100270063A1 (en) | 2010-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI405509B (zh) | Ultra-thin copper foil with carrier and printed circuit board (2) | |
| TWI397352B (zh) | Very thin copper foil with carrier and printed circuit board (1) | |
| CN1984527B (zh) | 带载体的极薄铜箔及印刷电路基板 | |
| US8674229B2 (en) | Ultra-thin copper foil with carrier and copper-clad laminate board or printed circuit board substrate | |
| JP3977790B2 (ja) | キャリア付き極薄銅箔の製造方法、及び該製造方法で製造された極薄銅箔、該極薄銅箔を使用したプリント配線板、多層プリント配線板、チップオンフィルム用配線基板 | |
| US8530749B2 (en) | Copper foil attached to the carrier foil, a method for preparing the same and printed circuit board using the same | |
| JP4087369B2 (ja) | キャリア付き極薄銅箔、およびプリント配線板 | |
| JP2010100942A (ja) | キャリア付き極薄銅箔、その製造方法及びプリント配線基板 | |
| JPWO2013031913A1 (ja) | キャリア付銅箔 | |
| US8329315B2 (en) | Ultra thin copper foil with very low profile copper foil as carrier and its manufacturing method | |
| JP2007314855A (ja) | キャリア付き極薄銅箔、銅張積層板及びプリント配線基板 | |
| JP2007186797A (ja) | キャリア付き極薄銅箔の製造方法、及び該製造方法で製造された極薄銅箔、該極薄銅箔を使用したプリント配線板、多層プリント配線板、チップオンフィルム用配線基板 | |
| JP5364838B1 (ja) | キャリア付銅箔 | |
| JP4391449B2 (ja) | キャリア付き極薄銅箔及びプリント配線基板 | |
| JP4748519B2 (ja) | キャリア付き極薄銅箔、及びその製造方法、キャリア付き極薄銅箔を用いたプリント配線基板 | |
| JP2020183565A (ja) | 電解銅箔、該電解銅箔を用いた表面処理銅箔、並びに該表面処理銅箔を用いた銅張積層板及びプリント配線板 | |
| TW202319231A (zh) | 用於允許簡單微孔加工之具有載體箔之超薄銅箔、使用其之包銅層壓體、及其製造方法 | |
| TWI461576B (zh) | 以超低稜線銅箔為載體之極薄銅箔及其製造方法 |