TW573446B - Metal pattern formation - Google Patents

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573446 A7 B7 五、發明説明（1 本發明係關於在用金屬層（較佳用銅膜）塗覆的介電基材 上形成金屬圖案之方法，本發明亦關於一種電泳漆料。 過去曾提出在介電電路載體上產生電路圖案的很多不同 方法。在板鍍覆製程中，首先以電路結構所需的厚度產生 完全覆蓋穿孔印刷電路板材料的銅層《然後將印刷電路板 外側區域用對應於欲形成電路結構的抗蝕層覆蓋，使此等 區域在隨後蝕刻製程期間受到保護，並因此得以保存。在 圖案鍍覆製程中，只首先在印刷電路板材料上形成一薄銅 膜。在其上施加一抗光蝕劑層，且在對應於欲形成電路結 構的位置藉由光結構作用使銅膜再次曝露。為形成電路圖 案，隨後首先使進一步銅層沈積到所曝露的銅區域，然後 形成抗電蝕層。然後除去抗光蝕劑層？並由蝕刻除去裸露 銅膜。抗蝕層保護下面的金屬層不受蝕刻劑侵蝕。在金: 抗蝕製程的次要情況下，金屬抗蝕層用作抗電蝕層，例如 ’錫/雜層。 此等方法及其它已知方法存在相當多缺點。更確切言之 ，在製造條件下不可能以再現方式製造小於100微米寬度 的電路結構。為此目標已作出大量嘗試。在一些複雜方法 和原料幫助下，可最終產生此等電路。但此等方法由於代 價高昂和複雜及/或需要極貴重原料，因此不適用於大量 生產。此等方法不適合製造具有小於50微米結構寬度線= 之電路。 德國專利申請案第18 u 377號揭示一種製造其雙側施加 電路線路之印刷電路板之方法，其中將抗蝕刻層（更確切 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 573446 A7 B7 五、發明説明（2 為錫層）專門施加至已接觸通過的印刷電路板孔腔中的銅 膜，且其中由蝕刻產生所需電路線路圖案。為此目的，在 施加抗蝕刻層之前，對電路板的外側提供延伸到孔腔邊緣 的漆層。 德國專利第37 32 249 A1號提出一種用減/半添加技術在 絕緣基材上製造具有圖案轉移的三維印刷電路板之方法， 其中首先用能夠被無電鍍覆及/或電解沈積的抗蝕金屬錫 完全塗覆以銅膜塗覆之基材。然後使抗蝕金屬在不使用罩 幕下選擇性曝露於雷射輻射。使所產生的電路圖案為負性 。然後可藉由蝕刻將已曝露的銅區域除去。 歐洲專利第0 062 300 A2號描述一種製造印刷電路板之 方法，其中將銅膜施加於塑性基材的至少一側上，然後藉 由在銅膜上沈積金屬抗蝕層使銅膜中形成電路圖案，抗姓 層根據所需電路圖案藉助於雷射束選擇性蒸發，餘下的銅 膜由#刻除去，直到雷射處理去除位置的塑性基材表面。 曰本專利申請案第59227 1 86號的德文特摘要（Derwent Abstract)概括一種方法，其中將抗光蝕刻劑施加到已接觸 通過的僅印刷電路板外側，然後使焊接金屬或錫的抗蝕金 屬層沈積於孔腔壁上，隨後使具有電路圖案的抗光蝕刻劑 曝光，顯影，而後由蝕刻所曝露銅將抗光蝕劑除去。 歐洲專利第0 757 885 B1號指示一種在電絕緣基材上形 成金屬電路圖案之方法，其中首先將金屬施加於基材，其 後用電/永π塗在#上施加一種有機保護層。然《吏將保護層 在欲由雷射輻射形成電路圖案之區域除去。將抗蝕金屬層

裝 訂 蜷 -5- 573446 A7 B7 沈積於曝露的金屬表面上。然後將有機保護層藉由雷射輻 $在相郴未來電路圖案之區域除去，在此等區域亦將所曝 露金屬層藉由餘刻製程除去。雷射輻射一般由Nd_YAG雷 射器產生。 德國專利第41 3 1 065 A1號揭示另一種製造印刷電路板 之方法，其中首先在基材上施加金屬層，隨後施加金屬或 有機抗钱層。此案建議用錫或錫和鋁之合金層作為抗蝕金 屬層’而將能夠由電泳或靜電塗覆產生的層作為有機抗姓 層。然後在直接相^來電路圖案之區域，將抗姓層藉由 電磁輻射（例如，雷射輻射）蝕刻除去，使由蝕刻渠溝自圖 案電分離的電路圖案及金屬層島保留在基材上。雷射輻射 由Nd-YAG雷射器·產生。此案指出用此方法產生15〇微米寬 度之蝕刻渠溝，各蝕刻渠溝側翼上的金屬層下切達35微 米。 U國專利第44 1 7 245 A1揭示一種在印刷電路板表面上 製造金屬結構之方法，該方法句括，用底漆塗覆基材，隨 後將第二層施加於底漆層上，兩層均不導電，然後藉由激 凡雷射將部分第二層燒蝕，最後.在曝露的底漆層表面上無 電鍍覆金屬。 臥洲專利第0 469 635 Α1號描述一種製造印刷電路板之 方法，其中首先在基材上施加金屬層，隨後施加有機抗蝕 刻層。所用有機抗蝕刻層為一種電泳浸潰塗層。隨後將抗 姓層在直接相鄰未來電路圖案之區域藉由Nd-YAG雷射清 除’並使因此曝露的金屬層藉钱刻除去。

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形狀亦可再現，且最大可能接近長方形截面。 泳：問題係藉由申請專利範圍第1項之方法及第“項之電 項中：：決。本發明之較佳具體實施例在申請專利圍附屬 根據本 表本發明之方法用於在介電基材上形成金屬圖案’ x月之電泳漆料特別用於實施該方法。 邮該方法更明確用於製造微電子I業所料冑整合電路載 ，例如晶片載體、多晶片模組（MCM)及其它混合電路載 體。當然，該方法亦可用於製造其他產品，例如，製造微 反應為、存儲介質、太陽能集電器具有超過50微米結構寬 度之印刷電路板（PCB)，以及在塑膠上形成起裝飾作用的 金屬圖案。 由於漆料包含至少一種配合紫外輻射的燒蝕增強劑，所 以可藉’外輕射極快速除去所施加漆層。這可藉極度增加 燒蝕速率取得。因此，可以紫外輻射用顯著短於已知方法 處理時間之曝光時間去除漆層，而不留下任何殘餘物。 燒姓增強劑更明確為芳系羰基化合物，其包括，乙醯苯 及其衍生物，例如，反-亞芊基乙醯苯；二苯酮及其衍生 物，例如，羥基二苯酮，二羥基二苯酮及多羥基二苯酮； 以及肉桂酸、環庚三烯酚酮（tr〇p〇1〇ne)及其衍生物。此外 ’原則上亦適合以蒽、9-蒽甲醇、1，4-二甲氧基蒽、9，I〇-二乙基E、9-笨氧基甲基蒽、9,10-雙（三甲基矽基乙炔基） 蒽、芘（pyrene)、(perylene)、二苯基丁二烯及其衍生物 、荔（chrysene)及二苯基亞曱基環戊二烯之形式使用多環 • 9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 573446 A7 B7 五、發明説明（7 ) 烴。另外可使用雜環化合物，尤其是多環雜環，例如，咔 唾及其衍生物’更確切為具有親水性基團者，例如齡系經 基和羧基，可更進一步使用二吡啶基胺、吩$呼、2_苯基 苯并咪唑及氧化異喹啉。芳系硝基化合物亦適用，例如^ 基苯酚、硝基苯胺、ω-硝基苯乙烯以及丨，^二硝美苒。 正由於漆料包含配合紫外輻射的燒蝕增強劑，所τ以可取 得有利燒蝕時間。使用及未使用燒蝕增強劑進行比較性試 焉双產生巨大漆層燒姓速率增加：在包含此等化合物時，完 全除去所需輻射時間可減少至少15倍，更明確為3〇至5〇^ 。反-亞爷基乙醯苯、二Μ基二苯酮、硝基苯盼及二口比石定 基胺特別適用。其可能的原因為，此等化合物易溶於共聚 物顆粒，且由於此等化合物在聚合物基質中分佈更加均勻 ，所以燒蝕增強劑分子不會聚集成較大大小的粒體。 可以一般方式將燒蝕增強劑作為額外組分加入漆料。在 /替代性具體實施例中，亦可在燒#增強劑和共聚物之間 形成共價鍵。在此情況下，敏化劑對漆層中共聚物在空間 的所需接近已藉由此鍵取得。 為實施本發明方法，使用一@具有基底金屬表面（較佳 了有銅膜）之基材，根據本發明之結構蝕刻基底金屬表面 σ以產生所需金屬®1案。如果使用基底金屬層，則在曝露 品域的、、口構上該層可被完全除去。構造基底金屬表面進行 以下方法步驟： 句提供包含基底金屬表面之基材； )藉由電永方法將漆層施加到基材，該漆層包含至少一 -10 10 X 297^57 五、發明説明（ 8 ) 種為適應紫外輪射調節的燒鞋增強劑， :)在與所要形成金屬圖案不對應的至少部分區域用紫外 吾他50奈米）燒姓漆層’使基底金屬表面裸露[除其他外 2藉曝光是否在空氣⑵9G奈米）或真空決定紫外輕射的 輻射^限’而在後-情形下’可使用低於刚奈米波長的 W钱刻所曝露的基底金屬表面。 在與所要形成的金屬圖案不對應區域可完全除去漆層。 在另一具體實施例中，該漆層只在此等區域之部分除去， :丨如，只在直接與所要形成的金屬圖案相鄰之區域，以使 =部分金屬保持在所要形成的金屬圖案之分離區域之間（對 :’參考德國專利第41 31 〇56 A1號、歐洲專利第〇469 AU虎及第0 361 192 A2號）。進行此方法的優點為，如 :屬圖案只不完全或不均勾覆蓋基材表面，以致 圖案影響，則可比在不要形成金屬圖案的整個區 s几王π除漆層之情況更快自基材表面除去 =用能量輻射較佳為雷射，因為該轄射具^夠高能量 二而且能夠更加尖銳聚焦’以便能夠製造更精細結構 2體是因為，在聚焦的雷射中，能量密度高得足以燒 Κ層。欲被除去漆層以及欲經曝光的表面區域在後者情 况下經掃描，使表面區域相繼被光束俘獲。 。：然亦可不使雷射束聚焦’而使整個：材表面同時曝光 此清況下’應使用罩幕（可與基材接觸或藉助於光學 系、”先不接觸）遮罩其中要形成金屬圖案的表面區域，以保 -11 - 297公釐） ® 冢標準(CNS) Α4規格(210; 9 五、發明説明（ 護在此等區域不被雷射束燒钱。 為在欲曝路的基底金屬表面區域選擇性去除漆層，較佳 使用激元雷射’例如，具有則瓦特惶定輸出功率的ArF· 、KtC1-、KrF_、XeCl-、XeF^F2雷射。 該輻射源特別適用於燒蝕由有機材料組成的漆層，而不 =任何殘餘物，因為漆層有機分子中的化學鍵能夠藉由 糸外輻射破壞。 古在使用激元雷射時，在處理位置的能量密度較佳達到50 笔焦耳/厘米。原則上，雖然可調節較低能量密度，但在 降低雷射跨電路板掃描的速度或與此同時使整個基材表面 曝路於非聚集的雷射束時，曝光時間因此延長。 本發明之方法允許形成其中電路線路具有5〇微米及更小 結構寬度之電路圖t。例可形成具有15微米基底寬度 的幾乎長方形剖面之電路線路。電路線路的剖面實質為類 似梯形$狀’頃發現’相鄰電介質的電路線路基底區域比 更見因此，在電路線路和電介質之間得到大面積接 觸二所以取得對基材的最佳接著。用約2〇微米寬和約汕微 米1¾的電路線路’電路線路的側翼陡度（稱為下切）達到約 2.5微米。這表示電路線路各側翼上的基底區域自電路線 路表面下伸出所指示距離。 可使電路線路寬度為再現性。例如，可得到具有實質； 良^約2峨米結構寬度之電路線路。其寬度變化在最多士1 微米之範圍内。因此保證整個電路的電整合性。 更確切而舌，不會發生用德國專利第37 32 249 A1號所

本紙張尺度適用中國國家標準 (CNS) A4規格(210X297公釐) /^446 /^446 五 、發明説明（1〇 3方法觀察到的問題。隨之的曝露銅層㈣失敗尚未觀察 口蝕刻所有奴經處理電路的表面區域不存在問題，且沒 有j下殘餘物，其中在頃由雷射處理對應於電路線路的表 々面區域之後以及由金屬組成用於蝕刻的保護性塗層頃在此 寺區域沈積之後，將漆層除去。 即使在已㈣銅層之後也未觀察到金屬圖案中的凹痕狀 普虫刻。 另外，進一步處理經蝕刻電路載體沒有問題存在：與已 知方法對比，應用焊接抗蝕罩幕及隨後沈積鎳/金末端層 不存在任何困難。在第一種情形下，谭接抗姓罩幕對電路 料的接著力離足夠好，在第二種情形下，能夠在施加未 端層之前滿意蝕刻電路線路表面。 /、使用抗光蝕劑和絲網印刷抗蝕劑的習知結構技術比較 ，根據本發明藉由能量輻射源進行燒蝕之方法更為容易。 特別是該漆層不需進-步化學顯影。此外，由於能夠無需 罩幕進行，可取得結構方法的最大靈活性。 與在可見光譜區域發射輯射源對比，更明確為在紅或紅 外光譜區域（此等方法描述於歐洲專利第G G62挪A2號、 ，國專利第4131〇65Am、歐洲專利第〇 757 885 B1號及 第〇 469 635 A1號）’本發明所用紫外輻射源特別適用於形 成最精細金屬圖案，更確切為50微米及更小結構寬度。這 可能由以下情況產生： 自下面基底金屬表面去除漆層 a.容易 -13-

五、發明説明（11 ) b·沒有任何殘餘物 c ·留下尖銳輪廓 d·在沒有殘餘物及留尘 域去除基底金屬層没有實質下切漆層後’在曝露區 頃發現，在較長波長區域（可見及紅外）使㈣ 燒蝕漆層沒有保證，特別是处 /Λ ，έ士播仆，史思4 a 犯不曰留下尖銳輪廓。相反 ::化漆層經常顯示具有不尖銳輪靡的側 此寻情形下，殘餘物保留在基底金屬屬區域上形成的溝ί 内。其原因可能為’用可見和紅外區域的電磁二= 層為熱作用(熱解性)’不像使用紫外輻射時那樣為實質光 解作用。在熱作用方法中，自漆展” “ 產物^ ^ ^ ^ ^ 漆^以不確疋方式生成反應 產物，此寻反應產物可能部分為高分子量，以致由 蒸氣壓不能完全去除漆層。 、，、低 激元雷射特別適合在紫外光譜範圍產生㈣，因 允許在此波長範圍取得高輻射密度。結果使選擇性除去 層所需的處理時間顯著降低，使得以此裝置提供的處理机 備生產量足夠高，因此，實施此方法的成本足夠低。& 本發明之方法較已知方法具有進一步優點： a) 在用於使基底金屬表面結構化的蝕刻製程中，基材中 的孔腔得到有效保護，從而保證可靠抗蝕性，使此區域中 的金屬+受影響；ϋ對在基材表面金屬目案上保留㈣ 同樣成立； 曰 b) 由於在經受控乾及視需要熱處理後，漆層抗劃，更明 確為抗指紋，以漆層塗覆的基材機械不敏感； -14 - 本纸張尺度適用中@ @家標準(CNS) A4規格(灿x 297公爱） C)漆料不為光敏性，因此習知抗 al 此白夭才几先蝕劑更易處理； 句另外，可很容易除去漆層。 較佳用陰離子電泳漆料形成漆層。此等漆料可由 性溶液除去。 由驗 該共聚物應具有以下性能： a) 對基底金屬表面(更確切為對銅表面)的優良接著力. b) 對酸銅蝕刻劑的優良抵抗力’例如對鹽酸⑽溶液

〇應容易自基底金屬表面除去，且在用紫外輻射照射:士 ’不應留下任何殘餘物； T d) 在姓刻基底金屬層時應容易用含水、驗性溶液自基底 金屬表面除去（2重量％ NaOH溶液）； 一 e) 在含水溶劑中用作陰離子電泳漆的優良乳化能力； f) 低於100°C的低玻璃轉移溫度（丁 g)，以保證熱固性，即 使對於敏感性基材。 對於用共聚物生成的最適宜漆料，必須在保證足夠抗蝕 性所需的足夠厚度以及保證用紫外輻射的快燒蝕速率所需 的最小厚度之間作出折衷考慮。 為此目的、漆料較佳由至少一種經單體共聚生成的共聚 物組成’该單體選自由曱基丙烯酸、曱基丙烯酸ci-C2烧 酯及其它酯、（曱基）丙烯酸(：3_(：10烷酯及其它酯以及曱基 丙烯酸羥烷酯及其他酯所組成之群（其烷基具有2至4個碳 原子）。（曱基）丙稀酸烧醋指丙稀酸烧和曱基丙稀酸烧g旨 二者。應懂得，該共聚物亦包含上述單體以外的單體，例 如，苯乙烯、馬來酸及其酯。在一較佳具體實施例中，曱 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱） 573446 A7 B7 五、發明説明（13 ) 基丙烯酸及其醋可由馬來酸及其酯替代。另外應懂得，該 漆料亦包括由以上丙烯酸系單體共聚生成的共聚物以外之 其他共聚物。 為生成該共聚物，明確用曱基丙烯酸甲酯作為甲基丙烯 酸匸！·^2烷酯，用丙烯酸丁酯作為丙烯酸C3_Ci〇烷酯，並用 甲基丙烯酸1-羥基乙酯、甲基丙烯酸羥基乙酯或相應丙 烯酸羥丙酯作為（甲基）丙烯酸羥烷酯。 製造共聚物較佳使用以下用量單體： a)甲基丙烯酸：1-25重量％， 5)甲基丙烯酸(：1-(：2烷酯：20-80重量〇/〇, c) 丙烯酸C3-C10烷酯：1-50重量％， d) 甲基丙烯酸羥烷酯：〇-20重量％ , 上述單體的總量達到1 〇〇重量％。 如果用甲基丙烯酸C3-c10烷酯代替丙烯酸C3-Ci〇垸醋， 則前者單體應以相當高濃度使用，例如，以2弘75重量％之 濃度使用，例如，以25-75重量％之濃度。這一增加可藉由 相同含量曱基丙烯酸CrC2烷酯降低，例如，降低到5_4〇 重量％比例。 該共聚物包含曱基丙烯酸，以使漆層對基底金屬表面的 接著力最佳’並保證共聚物在含水驗性溶劑中具有充分乳 化能力。如果該化合物在共聚物中比例太低，接著力亦會 太低。另一方面，亦應避免比例太高，以確保在由雷射幸^ 射燒餘時（更明確為在用鹼性水溶性隨後除去具有基底金 屬表面之層時）完全將漆層清除（而不留下任何殘餘物% = ” -16- 573446 A7

該/、ΛΚ物包含甲基丙稀酸曱醋及/或乙S旨，以調節機械 性能，更確切為使共聚物的剛性度適合實際需要。如果其 比例太高，則共聚物變脆，並可能在加熱處理時斷裂。另 外，此等層的處理也成問題。如果其比例太低，則所得層 太軟，且在基底金屬表面處於結構化時沒有所需的抗蝕性。 丙烯酸C3_C1(3烷酯（更具體為丙烯酸丁酯）亦用於使共聚 物的剛度最佳，其中此等組分表現為曱基丙烯酸甲酯和乙 酯的對抗劑。該組分進一步影響共聚物的玻璃轉移溫度Tg 。為在雷射燒蝕後使加熱處理溫度盡可能低，該溫度應為 最低這對降低介電基材以及欲經處理已置於電路載體上 的可能其他電子元件之熱應力非常必要。丙烯酸C3_C 烷 酯之比例增加導致Tg值下降。另一方面，丙烯酸丁酯比例 太高使層太軟。另外，在此情形下，亦額外改良保護基底 金屬表面不受水性化學敍刻劑侵姓。 藉由使用曱基丙烯酸羥基烷酯，可使漆層對基底金屬表 面的接著力最佳。增加其在共聚物中的濃度亦增強接著力 。當用鹼性水溶液不能再使共聚物完全自基基金屬表面除 去時，比例達到上限。 如果在合成共聚物期間反應進行得充分，則更可使其性 旎最佳。前述性能在製造具有15,000至1〇〇, 〇〇〇克/莫耳之 重里平均分子量Mw時取得，更確切為5〇,〇〇〇至6〇,〇〇〇克/ 莫耳。如果Mw太低，則所得共聚物同樣太軟，且沒有所 品的抗姓性。而具有太咼此參數數值共聚物之漆料自基底 金屬表面除去可能不再容和完全。

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五、發明説明（15 ) 亦可藉由合成共聚物期間進行的方式使共聚物的多分散 指數（P!)最為適宜，其定義為Mw/Mn2&Mn為共聚物的數 畺平均分子量。在將p!選擇為1.5至3.5之數值時，更確切 為2.0至2.5，可產生抗蝕最優良的漆層。 該參數亦為含共聚物漆料作用的指示表：Ρι值越低，具 有不同分子量由合成獲得的共聚之混合物越均勻，使得如 果Mw值足夠高，包含具有低Mw值共聚物部分越少。通過 使用此％共聚物，可改良抗餘性。 例如，重量平均分子量值（Mw)藉由大小排阻色譜法 (SEC)測定，更明確由凝膠滲透色譜法（Gpc)測定。數量平 均分子量值MN (例如）可藉由滲透壓力測定法測定。兩種 方法均為實際已知。 藉由利㈣殊共聚物組合物，更柄為制明錢姓增 強劑’可由紫外轴射極快除去所施加的漆層。這—方面由 具有以-種方式調配的漆料組合物取得，該方式為，雖然 該層厚度小且不大於5微米’較佳不大於3微米，更確切為' 1至2微米，但以漆層塗覆的金屬圖案區域在適用於銅圖案 :酸钱刻劑中卻具有足夠抗姓性。正由於漆層能夠完好保 *又下面基底金屬層不受㈣劑侵姓’所以可選擇很小漆層 厚度’以使燒料率與已知方法比較有相當大增加。另: 方面’藉由額外介人燒料強劑化合物，使㈣速率額外 增加到所述程度。因此，用紫外_ pe .. , ^ ^ #田射使除去漆層的曝光時 間：者短於已知方法的處理時間，且不留下任何殘餘物。 電冰漆料可進一步包含額夕卜受田 匕3額外吊用組分，如，改良漆料處

本紙張尺度適^^i¥¥(CNS) A4規格_(1 10X297公釐) 理性能及結構化接m ^ L* 後先子硯察所用之染料和顏料，影塑Γ例 如）漆料流動性能科與、 〜響（例 择強所増塑劑和無機填料，另外還有 立曰強所方也加漆層對你私 ^ 笨共m甘 銅膜接著力之接著劑(例如， 开一坐）或其他類似化合物。此 漆層塗覆的基材處理性铲最#鉍田 κ ’、°.匕3使以 (例如，表面活性劑） 所用之表面潤滑劑及乳化劑 ::::軚佳溶於或乳化於水性溶劑。除水外，該溶劑 亦可有機溶劑，更柄為親水性溶劑，如甲λ •乙美 銅、二氧雜環己院、甲氧基乙醇'二乙二醇、乙：醇和： 乙—醇之§旨、乙二醇和二乙二醇之醇、丙二醇之酯 醇之醚。 一 為產生漆料可首先將上述組分以較佳1 〇至3 〇重量％之 濃度均勻溶於有機溶劑。然後將所得溶液/乳液收入水中 、。繼而加入至少一種鹼，以中和共聚物的酸基團，鹼較佳 k自由—乙胺單乙醇胺、嗎♦、氨及氫氧化鈉所組成之 群。亦可使用其他單-、二·、或三·烷基胺，例如，三丁基 胺。將乳液的pH調節至中性至微鹼性之數值範圍。最二 PH依賴共聚物類型。加入鹼改良組合物在水中的溶解性/ 乳化能力，使在水中的初始混濁乳液變成幾乎清澈溶液。 所得乳液的固體含量較佳達到5至2〇重量％。亦可改變本 文以上所示製造方法。 可藉由通常電泳方法將漆層施加到基材。為此目的，使 提供有基底金屬表面之基材與反電極一起接觸漆料乳液， 並在基材和反電極之間施加電壓。

本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 573446 五、發明説明（17 漆層厚度較佳不大於5 到1至2微米。這伴 在用 不大於3微米，最佳達 立除去。 漆層在用’'外輻射燒料極快且可獨 二常：=對並一處… 材在〜或用:::將基 燥器及輕射紅外加熱或熱空氣途徑組合。連*動乾 後將基材以所指定方法曝露於転射源。為防止 層，將由其產生的氣態產物藉助於 成新 環境抽A。 自基材的最接近 立m:聚焦的雷射束(主光束周圍的漏泄輻射自 τs射束跨抗姓層表面掃&，在抗钱層中形成 極精細結構。可能得到的結構寬度顯著低於2〇微米。 ，亦可使用5楚米χ5爱来光束區域的散射雷射輕射。此時 1射經由直接接觸基材表面的罩幕引到表面上，或藉由 光學系統投影到表面上。亦可在此等情況下形成具有‘陡 側翼之極精細結構。 在藉由紫外輻射使漆層結構化後，裸露的基底金屬表面 由蝕刻除去。如果考慮的基底金屬表面為銅層，則可使用 通用於銅的酸蝕刻溶液。鹽酸_CuCl2蝕刻溶液或鹽酸卜^] 溶液，因為抗蝕劑對pH<1〇的鹼提供足夠抵抗力（>5分鐘 在除去已裸露的基底金屬層後，較佳除去漆層，以曝露 金屬圖案。因此，可使其他金屬層沈積於金屬圖案上。含 水驗性溶液特別適合此目的，例如，水性碳酸鈉溶液或氫 -20- 573446 發明説明 氧化鈉溶液。 如此獲得的銅圖案為具有陡直側翼的輪廓尖銳、精 銅結構。 " 在金屬圖案裸露後，可將至少一種另外的金屬層由無電 鍍覆方法施加到金屬圖案上。沈積適宜金屬層或金屬組合 層特別為保護表面不受侵蝕及形成可焊接和可接著表面或 在長財存時間保存。為形成可焊接表面，可沈積錫層或錫

合金層。為獲得烈接著表面，可首先使鎳層沈積於鋼表面 上’並於其上沈積金層。 % 為能夠沈積額外金屬層，首先用（例如）含表面活性劑之 溶液製備金屬圖案之銅表面。為產生微觀粗糙度，以便額 外金屬層緊固接著到銅表面，以便額外金屬層緊固接著到 銅表面，製備表面的另外可能性在於輕微腐蝕銅面。為此 ，可利用用於銅的通常蝕刻溶液，即，氧化劑[例如，過 二硫酸鹼金屬鹽、過氧化氫或卡若酸鹽（car〇ate)]的水性溶 液。將該表面在此等及進一步處理階段清洗，以完全除去 自先前處理仍粘著在上面的液體餘物。 隨後在所曝露的銅區域藉由金屬沈積形成充當焊接層的 錫層或錫合金層及其上充當可接著表面的金層。此等層亦 用於保護金屬圖案不被氧化。 用於由無電鍍覆形成金屬層的鍍覆浴液係為實際已知。 在進行所述塗覆步驟後，將基材清洗及乾燥。 本文上述方法可用各種技術進行。例如，可將具有銅膜 之基材浸入槽罐所包含的處理溶液中。使基材接觸處理溶

22- 573446 五、發明説明（π 液所用的較佳方法在於用連續水平操作方法形成漆層及除 去所曝露銅膜❹該方法在於將基材運送通過以水平方向輸 送的設備。藉以將基材垂直或水平保持。在第一種情下， 基材可同樣以水平輸送方向運送。可藉適宜噴嘴[藉助於 流噴嘴（flow nozzle)、射流噴嘴（jet n〇zzie)* 噴霧嘴 nozzle)]將溶液輸送到基材表面，或在處理浴液中與處理 流體接觸。 為製造高度整合電路載體，基材所用基底材料可由在一 側或雙側具有基底銅膜的電介質組成。製造此等材料之方 去係為已知。根據所需佈線密度，可在載體基材一側或雙 側施加介電層。亦可使用複數層，電路圖案用本發明之方 法在各新層中形成。這允許幾乎無限增加信號佈線密度。 很顯然，各導電圖案必須在能夠組建額外介電層之前完成。 以下圖式更詳細勾晝本發明之具體實施例輪廓： 圖1為本發明方法之示意說明； 圖2顯示pH與加入漆料的三乙胺量（重量％)之函數關係； 圖3顯示用共聚物6產生之漆料對於不同陰極電極電流密 度的一般電壓/時間函數關係； 圖4顯示用共聚物6得到漆料的層厚度測量結果。 至於圖1，漆層3藉由電泳作用施加於具有銅膜1且實質 上包含環氧樹脂2層之基材上。 ' 根據圖1A ,漆層以罩幕4部分覆蓋，例如，接觸金屬罩 幕备、外雷射輻射5由（例如）KrF激元雷射發射，並通過罩 幕4輻射到漆層上。使漆層3在曝光區域自銅膜表面丨去除 本紙張尺⑽財g g家標準(CNS) A4規格γ2ΐ()χ2^^ 裝 訂 % 573446 A7

。這可自圖1B在位置6觀察，在此，漆層3已部分除去。 C ^經曝光的基材與化學靖液接觸，例如鹽酸 U W汶。在此製程中，所曝露的銅面受到化學浸姓， 使銅膜1在此等區域自環氧樹脂2去除。這可自圖1C在位置 6’觀察到。在蝕刻處理中，在環氧樹脂2之表面上產 需電路圖案。 π

裝 然後用洗脫溶液除去保留的漆層，例如，Na〇H溶液 所產生的金屬圖案保留在基材上（圖1D)。 對方法最佳化的檢定結果‘在後文指明： 共聚物之合成： 1 ·首先分批製備共聚物： 為產生5亥共聚物，將甲基·乙基酮（MEK)及偶氮雙異丁 腈（AZDN)送入雙頸燒瓶。然後加入單體。在整個反應期 間’反應混合物保持密封。製備共聚物所用成分比例顯示 於表1中。 蟪 為引發聚合反應，將混合物加熱。混合物保持回流小 時。反應完成時測定的轉化率（％)亦顯示於表i中。 反應完成時，用水以7份水對1份反應混合物之重量比使 聚合物自反應混合物沈澱。分離後，在60至70°C真空乾燥 4 8小時，得到無色粉末。 共聚物的分子量由凝朦滲透色譜法（M w)或滲透壓力測測 定法（ΜΝ)測定，測定時分別用ΡΜΜΑ標準品校準。 2.在一步試驗中，共聚物由半連續方法合成。為此目的 在反應開始只加入部分個別反應劑，其餘在較後階段加 _______,23- 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS) Α4規格(210X 297公釐） 573446 A7 B7 五、發明説明（21 ) 入0 將B A或BMA分別分批加入反應混合物，即反應開始的 總量。對於共聚物6，亦分批加入引發劑AZDN。在反應開 始分別加入一部分MAA，MMA及HEMA，另外部分（約33 至3 9%，以該單體總量計）在9小時反應時間内加入。 單體之混合比及由此等單體製成的共聚物之特性顯示於 表2中。括弧内所示單體的所加比例數值為9小時反應時間 内的加入量，而各個其他數值為反應開始加入量。對於 AZDN，表中分別顯示不同加入量，加入的時刻在括弧中 給出（例如，T3h : 3小時後加入）。 漆料和漆層之表現特徵： 將分批或以半連續方法製備的一些共聚物旋塗施加於銅 板上，各旋轉速度根據所需層厚度設定。將各層分別依共 聚物之Tg在70°C或1〇〇°C烘箱中乾燥。該烘箱配有風扇。 應注意到，亦可在低於聚合物之Tg實施乾燥。由於漆料中 存在額外物質，漆料之Tg比純共聚物低。 檢測其厚度、抗蝕性及在含水鹼性溶液中的除去能力。 檢測條件如下： a) 層厚唐:測定層厚度使用檢測感應電流或渦流電流之 裝置（Bykotester 7 5 00)。所測數值的再現性達到土1微米。 所測數值由光學顯微法校對。 b) 抗蝕性z蝕刻溶液：30重量％ FeCl3溶液+10重量％ 1^(：1 + 60重量％水 溫度：40°C，浸清時間：1分鐘 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 573446 A7

除去能力:2重 溫度，5 0 C，浸潰時間：1分鐘 結果再現於表3中。 量％ NaOH溶液 3·製備/ μ聚物’以檢測製程的再現性。單.體之 一…^rr》凡Ί王 〇 , 自單體獲得共聚物之物理特性顯示於表4中。 ♦在與共聚物6利相同之條件下製備共聚物13。但在。 處’所取得轉化率較高，玻璃轉移溫度、較低。 共聚物14及15在6小時内聚合，而不是9小時。因此" 化率之百分數不相同。 汴匕Ί： 為增加再現性，共聚物16和2〇在半連續加入單體及引發 劑下進行聚合。 共聚物17在相同條件製備，但BA比例較高。可觀察到 ’玻璃轉移溫度Tg較低（約74。〇。 有關抗姓性的進一步結果顯示於表5中。可由其推論， 用共聚物16和17得到3微米厚抗蝕層。在指定浸潰時間内 ’亦可使此等層在鹼性水溶液中自銅區域完全除去。 現在進一步研究如何使所產生共聚物適合調配陰離子電 泳漆。為此製備具有以下組分之漆料： 聚合物 10重量％ 溶劑（ΜΕΚ) 18·6重量％ 鹼（三乙胺 0.4至1.2重量％ 7jc 餘量 漆料的pH由改變所加的鹼量調節。由此獲得不同生成 乳液的條件：當漆料pH低於某一轉移點時，所得流體為 L___—_-25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐）

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混濁。高於該值時，乳液清激。在其轉移點時，混濁流體 變成清澈乳液。 ； 用共聚物6、16及20製備漆料，並進行檢驗。圖2顯示 PH與加入漆料的三乙胺量（重量％)間的函數關係。可自圖 2進一步看到，在此pH流體為混濁且在此pH得到清澈乳 液0 為生成陰離子電泳漆，將pH各調節到略高於以圖2中· 線間接暗示的轉移點，此時乳液清澈。 為由陰離子電泳沈積漆料，應選擇試驗系列，其中將肩 有6釐米2總面積之銅板作為陽極佈置在充當陰極的兩塊销 種鋼板（不銹鋼）之間。陽極/陰極間隔設定為2釐米。該系 列在含有乳液的槽罐中佈置。流體體積總共達到1〇〇釐米 。由電源在陽極和陰極之間施加電壓，使電流保持恆定。 圖3顯不用共聚物6產生的漆料對於不同陰極電流密度的 一般電壓-時間函數關係。頃發現，用共聚物“產生的漆 料展現類似性能。 Λ 通過調節極電流密度，可以不同的寬度範圍用共聚物6 產生漆層。在設置的陰極電流密度選擇沈積時間能夠獲得 一定厚度層。 & 在用共聚物6組成的漆層沈積於銅陽極後，將該銅極清 洗及乾燥，以自該層去除過量溶劑（ΜΕΚ)和鹼（三乙胺）， 使層凝結。 — 圖4顯示用共聚物6獲得漆料的層厚度檢測結果，此時漆 層以兩種不同陰極電流密度產生。

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-26- 573446 A7 B7 五、發明説明（24 ) 漆層在產生後以9 5 °C加熱處理3 0分鐘。溫度比該共聚物 的玻璃轉移溫度Tg高l〇°C。 可自圖4看到，可得到僅1至2微米厚度層。 在進一步試驗中檢測此等層的抗蝕性。 抗#性用一種溶液檢驗，其組成如下：

FeCl3 30 重量 ％ HC1 10重量％ 水 餘者 蝕刻浴液溫度達40°C，蝕刻時間達到i分鐘。 表6顯示用具共聚物6之漆料獲得的結果，在此情況下， 漆層以j = 0. 50毫安培/爱米2之陰極電流密度沈積。 除調配漆料所需的共聚物外，表6尚顯示切斷電壓（終止 沈積所處的電壓）、沈積時間、所測層厚度及抗蝕性。 圖7進一步包含用共聚物6獲得的不同漆料以卜〇33毫安 培/釐米2陰極電流密度沈積的抗姓結果。 圖6和圖7顯示，具有共聚物6之漆層最小厚度達到2至3 微米，與陰極電流密度無重要關係。該層最小厚度與由旋 塗施加的層最小厚度對應。用共聚物16產生的漆料進行試 驗產生同樣結果。 ° 另外，陰離子電泳沈積之層藉由掃描電子顯微法（sem) 及原子驅動顯微法（atomic force microscopy)(AFM)檢杳。 私查發現，層表面比由旋塗產生的對應層表面粗趟。由 AFM技術測疋，2.9微米厚層的平均粗糙度達到32〇奈米， 而方疋塗技術％加的3 · 4微米厚層的平均粗糙度達到7 =米 __. _^27· 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公I)— 一---一 —

。以陰離子電泳產生的層實質為圓柱形結構。 然後試驗在共聚物16之漆料組合物中包含燒姓增強劑。 所用燒蝕增劑為以共聚物量計10重量％濃度之反_亞苄基乙 醯笨。包含燒蝕增強粉末實質影響共聚物的乳化性2。 PH只增加約0.15個單位。性能實質上保持不變❶ 以下陰離子電泳試驗用具有以下組分之漆料進行： 共聚物1 6 1 〇重量％ 反-亞苄基乙醯苯 1重量％ MEK 18.6 重量 ％ 二乙胺 0.5重量〇/0 水 69.9重量％ 乳液之pH為7.84。 在上述條件下分別沈積3·8微米和115微米厚度之層。 …然後用紫外雷射源對具有10微米厚銅膜且其上施加3微 米厚漆層之環氧樹脂板檢驗燒蝕作用。為此利用具有5 〇瓦 特輸出功率之KrF雷射。使聚焦的雷射束跨所塗覆表面掃 描。雷射束的能量密度達到15〇毫焦耳/爱米2至2〇〇毫焦耳/ 釐米2。結果使漆層自銅表面去除。 在雷射結構化製程中裸露的銅在45。〇用具有以下組分之 酸-氣化銅姓刻溶液除去： 氯化銅 每升80至160克Cu2 + 鹽酸 每升280至300毫升（32重量。/〇 HC1) 形成由銅電路線路組成的圖案。隨後用2重量％之Na〇H 溶液使漆層自基底銅表面完全除去。 _____ · 28 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 573446

用知描電子顯微鐘取像檢驗蝕刻結果：該電路線路具有 °規則j面·電路線路為梯形狀，且具有約微米寬度。 FR4材料上保留的電路線路面積比電路線路表面大。電路 、彳彳翼正直且陡，使得下切小於2 · 5微米。經觀察沒 有缺口漏斗形狀㈣及其它不規則性。在姓刻處理期間藉 由漆層保護的表面區域上沒有發現蝕刻良述。 為確定燒#增強劑的效果，在印刷電路板材料的整個表 :。上:走塗施加漆層，該層具有2.5微米厚度，且包含1〇重 里％ /辰度燒蝕增劑。使如此產生的不同層區域曝光於且有 雷射波長、600毫焦耳雷射能量及4〇〇毫焦耳/釐米 能量密度之變數雷數雷射脈衝。然後蝕刻所曝露的銅。 如此確定完全除去聚合物需要多少個雷射脈衝。 表8再現此等試驗結果。 、、在進一步試驗中，用共聚物16製備額外乳液漆料。該乳 液具有以下組分，且在各單獨漆料中使用不同燒蝕增強劑： 共聚物16 10重量％ ^ 燒蝕増強劑 1重量％ 二乙胺 〇 · 5重量％ 水 76.7重量％ 將漆料乳液以卜0.50安培/爱米2之陰極電流密度施加於 印刷電路板材料上。切斷電壓達到8〇伏特。至於其餘者，、 沈積條件對應於本文上述各自條件。 隨後將生成的抗蝕層在本文上述條件下燒蝕。對於不同

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A -29- 573446 A7 B7 五、發明説明（27 ) 的雷射脈衝數於表9中給 燒蝕增強劑，完全除去各層所需 出0 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 573446 A7 B7 五、發明説明（28 ) ΜΑΑ :-¾^¾¾^ HEMA:-3^^莓繆2-^^^蟲 **)ΙΠ>務涔 sfilt^^效參 BMA: ^踝 JLTSmfT MMA : f _a^瘃-asmir BA :¾¾漭 iLTSl y Mw [g/mol] Mn [g/mol] Tg[°C]估計值**) Tg[°c]估計值*) Tg[°C]估計值 轉化率[°/〇] AZDN HEMA BMA > MMA MAA 單體 68.7 81.2 94.80 0.48 to 28.5 51.8 12.5 共聚物1含量 [重量％] to G\ Lk) LO 〇 81.5 94.80 0.48 <1 to 28.5 51.8 12.5 共聚物2含量 [重量％] to L> y\ 〇\ o to s o a 99.9 92.40 0.48 to 19.4 60.9 12.5 共聚物3含量 [重量％] Κ) to o K) c-n o 〇〇 LO 1—k 93.60 0.48 to 67.8 12.5 12.5 共聚物4含量 [重量％] to 53,460 K) Lrt o o 89.3 92.80 0.48 k) 46.2 12.5 共聚物5含量 [重量％] 31 釐 公 7 29 χ 10 2 規 4 A s) N c 標 家 國 國 中 用 適 度 尺 張 ί 裝· ’訂· ·% 573446 A7 B7 五、發明説明（29 MAA :啲^③莓瘃 BMA : 漭 JLTSI BA :ai^LTSI HEMA : f _^莓繆 2-菡_^爵 .· ^ *)隙涔_氺效參 **) ||務^3:障^痛^效參 y Mw [g/mol] Mn [g/mol] Tg[°C]估計值**) Tg[°C]估計值*) Tg[°C]估計值 轉化率[%] AZDN HEMA BMA > MMA MAA 單體 2.23 Lt\ ON 〇> 00 〇 to LT\ V o Lh Lt\ 82.80 0.48 1 7.2(33.1) 19.4 60.9 (39.2) ' 12.5 (39.7) 共聚物6含量 [重量％] 3.71 」 "lo o H—^ H—* ON 00 〇 67.9 94.90 0.48 (TO) + 0.24 (T4h) 7.2 (33.1) 28.5 51.8(39.2) 12.5 (39.7) 共聚物7含量 [重量％] 3.22 ^s〇 00 o H-* U) Os 〇 62.4 <50 ' 99.70 0.3 (TO) + 0.2 (T3h) + 0.2 (T6h) 7.2 (39.8) LO Lr\ 45.3 (69.7) 12.5 (40.1) 共聚物9含量 [重量％] 2.75 吞 oo o a； £ o ON 〇\ to 97.20 ί 0.3 (TO)+ 0.2 (T3h)| + 0.2 (T6h) | 7.2 (40.1) 67.8 12.5 (40.1) 12.5 (39.8) 共聚物10含量 [重量％] OJ k) 37,180 On U) o 55.3 73.7 <50 0.3 (TO) + 0.2 (T3h) + 0.2 (T6h) 7.2 (81.5) LO LAI 45.3 (59.9) 12.5(59.9) 共聚物11含量 [重量％] >2 32 裝· ’訂· ‘紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 573446 A7 B7 五、發明説明（30 ) 表3 : 共聚物編號 厚度[微米] 抗蝕刻性*) 去除能力*) 3 9.3 + + 3 6.1 + + 6 6.4 + * + 6 5.4 + + 9 10 氧化 + 9 10 氧化 + 10 5 氧化 不可能 10 4.4 氧化 不可能 11 7.4 輕微氧化 - 11 4.6 輕微氧化 - *)“ + ”：可以（對於抗蝕刻：未發現氧化） 表5 : 共聚物編號 厚度[微米] 抗蝕刻性*) 去除能力*) 16 5.28 + + 16 4.04 + + 16 3 + + 17 5.36 + + 17 4.04 + + 17 3 + + *) “ + ” ··可以（對於抗蝕刻：未發現氧化） -33· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 573446 A7 B7 五、發明説明（31 MAA : f ss BMA : f ssiLTSI BA :为焉JLTSI HEMA : flLa^p^^s ^ *)障荠_和效參 **)ΙΠ>務涔s獰舞菇»效參 y Mw [g/mol] Mn [g/mol] ! Tg[°C]估計值**) Tg[°C]估計值*) 轉化率[%] 以半連續用於單體 AZDN HEMA > MMA MAA 單體 κ> in Lk) 00 V t—^ 1—* U) o On OO 92.3 0.48 7.2(33.1) 19.4 60.9 (39.2) 1 12.5(39.7) 共聚物13含量 -[重量％] K) ίο K) 〇 to o o 50.7 LO 89.1 ! On 0.48 7.2 (33.1) 19.4 60.9 (39.2) 12.5 (39.7) |共聚物14含量 | [重量％] 2.71 ON ^sO V to 85.5 to 94.4 0.48 7.2(33.1) 19.4 60.9 (39.2) 12.5 (39.7) 共聚物15含量 i [重量％] 2.25 Ln y\ K) 纟 to G\ 00 92.5 92.1 ! ! On 0.48 (半連續6小時） 7.2(33.1) 19.4 60.9 (39.2) 12.5 (39.7) 共聚物16含量 [重量％] 2.37 K) V o K) JO t—-k On OO 88.6 ON 0.48 (半連續6小時） 7.2(33.1) 19.4 51.8(39.2) 12.5(39.7) 共聚物17含量 | [重量％] 92.5 Os 0.48 (半連續6小時） 7.2(33.1) 19.4 60.9 (39.2) 12.5 (39.7) 共聚物20含量 | [重量％] >4 : 裝· -訂· 34 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 573446 A7 B7 五、發明説明（32 ) 表6 : 樣品編"5^ 切斷電壓[伏特] 沈積時間[秒] 薄膜厚度[微米] 抗蝕刻性能 13 2.6 12 0 差 4 9.5 14.4 0 差 14 9.0 16.8 0 . 差 5 19.0 24 0.7 差 6 28.6 24 1.55 滿意 7 38.1 26.4 1.9 滿意 8 47.6 40.8 2.65 好 9 57.1 50.4 4 好 10 66.6 74.4 5 好 11 71.4 100.8 8.6 好 12 71.9 144 11.5 好 表7 : 樣品編號 切斷電壓[伏特] 沈積時間[秒] 薄膜厚度[微米] 抗蝕刻性能 16 19.0 50.4 0 差 12 39.1 55.2 0.5 差 9 52.4 57.6 0.8 差 10 47.6 60 0.8 差 6 66.6 64.8 1.7 差 4 76.2 74.4 2 滿意 5 71.4 74.4 1.6 滿意 2 80.9 86.4 2.9 好 21 117.6 105.6 2.5 好 22 114.2 110.4 6.4 好 24 106.0 115.2 6.4 好 23 110.0 124.8 6.6 好 27 118.0 134 7.9 好 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐） 573446 A7 B7 五、發明説明（33 ) 表8 ·· 共聚物編號 燒蝕增強劑 結果 9 亞芊基乙醯苯 7次脈衝 9 2,4-二羥基二苯酮 7次脈衝 10 反-1，2-二苯乙烯 >90次脈衝，無燒餘 10 亞芊基乙醯苯 6次脈衝 10 2,4-二羥基二苯酮 6次脈衝 9 無 >脈衝，無燒蝕 表9 : 燒蝕增強劑 厚度[微米] 結果 2,4-二羥基二苯酮 1.9 6次脈衝 4-硝基苯酚 2.1 4次脈衝 芘 2.5 30次脈衝 2,2’-二吡啶基胺 2.8 5次脈衝 όϋ -硝基本乙稀 1.8 15次脈衝 無 2.5 >100次脈衝 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐)

Claims (1)

1°573446 第〇91103786號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(92年10月)申請專利範圍

1· 一種於介電基材上形成金屬圖案 驟： ㈣之方去，其包括以下步 a) 提供包含基底金屬表面之基材； b) 將漆層藉由電泳方法施加於基材上； c) 在與要形成金屬圖案；ρ對應的至少部分區域燒姓漆層 ，該基底金屬表面藉由紫外輻射曝露； d) 蝕刻已曝露的基底金屬表面， 其中該漆料包含至少-種適應對紫外耗射調節的燒❹ 強劑，且該燒蚀增強劑係以增加的成分添加至該漆料： 2.根據中請專利範圍第旧之方法，丨中該至少—種μ ㈣劑係選自包括芳系幾基化合物、多環烴化合物：雜 環化合物及芳系确基化合物所組成之群。 ” 3 ·根據申凊專利範圍第1及2項中任一項 % <方法，其中該燒 蝕增強劑係選自由乙醯苯衍生物、-贷 一本嗣、肉桂酸、環 庚三烯酚酮（trop〇l〇ne)、其他二苯基 一 +丞丁一烯及其衍生物 、屈（chrysene)、二苯基亞甲基環戊二烯、二吡啶基胺 、吩噚畊（phenoxazine)、2_苯基苯并咪唑、氧化異^啉 、硝基苯酚、硝基苯胺、ω_硝基笨乙烯及i,5_二 莕所組成之群。 ’ 土 4·根據申請專利範圍第1及2項中任一項 貝 < 方法，其中該紫 外幸S射係藉由雷射產生。 5.根據申請專利範圍第1及2項中任一項之古i ^ 貝1万法，其中該紫 外輻射係藉由激元雷射產生。 、 項之方法，其中 該漆 6·根據申請專利範圍第1及2項中任 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)"------- 573446

申請專利範圍 層係用陰離子電泳漆料生成。 7·根據申請專利範圍第丨及2項中任一項之方法，其中該漆 料係用至少一種藉由單體共聚產生的共聚生成，該單體 係選自包括甲基丙烯酸、甲基丙烯酸C1-C2烷酯、（甲 基）丙稀酸C3-C10烷酯及甲基丙烯酸羥烷酯（其烷基具有 2-4個碳原子）所組成之群。 8·根據申請專利範圍第7項之方法，其中該曱基丙烯酸Ci_ C2烧s旨為甲基丙烯酸甲酯；該（甲基）丙烯酸c3_Ci〇烷酯 為丙烤酸丁醋；且/或該甲基丙烯酸羥烷酯為曱基丙烯 酸1-羥乙酯及/或甲基丙烯酸2_羥乙酯。 9.根據申請專利範圍第7項之方法，其中該共聚物係自具 有以下用量之單體生成： a) 甲基丙稀酸：1-25重量％， b) 甲基丙烯酸CpC：2烧酯：20-80重量％, c) 丙烯酸C3_C10烷酯：ι_5〇重量％， d) 甲基丙烯酸羥烧酯：〇_2〇重量％， 前述單體總量達到1 〇〇重量％。 1〇·根據申請專利範圍第7項之方法，其中該共聚物之重量 平均分子量值Mw係設定於15,000至1〇〇,〇〇〇克/莫耳之範 圍内。 11·根據申請專利範圍第10項之方法，其中該“…係設定於 50,000至60,000克/莫耳之範圍内。 12·根據申請專利範圍第7項之方法，其中該共聚物之多分 月文i曰數P1係没定於1 · 5至3 · 5之數值範圍内。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公董） 573446 「、申請專利範圍 據申請專利範圍第12項之方法，其中該匕之數值俜設 定於2.0至2.5之數值範圍内。 ’、又 14·根據申請專利範圍第⑴項中任一項之方法 料為陰離子電泳性且包含至少一種選自包括單了 -了二 院基胺、單乙醇胺、嗎琳、氨及氫氧化納組成之群I驗Γ 15.根據中請專利範圍第項中任—項之方法，其中㈣ 層係於方法步驟d)之後自基底金屬表面去除。 16·—種電泳漆料，其係施加於基底金屬表面，且包含至少 :種適應對紫外㈣調節的燒#增強劑，該燒钱增強劑 係以增加的成分添加至該漆料，而藉由紫外輕射曝露該 基底金屬表面。 17·根據申請專利範圍第16項之電泳漆料，其中該至少一種 燒姓增強劑係選自包括芳^基化合物、多環烴化合物 、雜環化合物及芳系硝基化合物所組成之群。 18·根據申請專利範圍第16及17項中任一項之電泳漆料，其 中該燒蝕增強劑係選自包括乙醯苯衍生物、二苯酮、肉 桂I、％庚二稀齡酮（tr〇p〇l〇ne)、其他二苯基丁二烯及 其衍生物、荔（Chrysene)、二苯基亞甲基環戊二烯、二 吡啶基胺、吩呤畊（phenoxazine)、2·苯基苯并咪唑、氧 化異峻琳、硝基苯酚、硝基苯胺、^ -硝基苯乙烯及 1，5 -二硝基萘所組成之群。 19·根據申請專利範圍第丨6及17項中任一項之電泳漆料，其 中該漆料為一種陰離子電泳漆料。 2 〇 ·根據申凊專利範圍第1 6及1 7項中任一項之電泳漆料，其 3- 573446 A BCD 申請專利範圍 中該漆料係用至少一種藉由單體共聚產生的共聚物生成 ’该單體係選自由甲基丙烯酸、甲基丙婦酸(^-(：2烧酯 、（甲基）丙烯酸C3-C10烷酯及甲基丙烯酸羥烷酯（其烷基 具有2-4個碳原子）所組成之群。 21 4艮據申請專利範圍第20項之電泳漆料，其中該曱基丙烯 酸為曱基丙烯酸甲酯；該（甲基）丙烯酸c3-Ci〇烷酯為丙 稀酸丁酯；且/或該曱基丙烯酸羥烷酯為曱基丙烯酸^ 私乙酯及/或曱基丙烯酸2-羥乙酯。 22·根據申請專利範圍第2〇項之電泳漆料，其中該共聚物係 自具有以下用量之單體生成： a) 曱基丙稀酸：1-25重量％， b) 曱基丙烯酸Crq烷酯：20-80重量％， c) 丙烯酸C3_C1()烷酯：1-50重量％， d) 曱基丙烯酸羥烷酯·· 〇_2〇重量〇/0 , 前述單體總量達到1 〇〇重量。/。。 23·根據申請專利範圍第2〇項之電泳漆料，其中該共聚物之 重量平均分子量值Mw係設定於1 55〇00至ι〇〇,〇〇〇克/莫耳 之範圍内。 24. 根據申請專利範圍第2〇項之電泳漆料，其中該共聚物之 多分散指數P!係設定於丨.5至3·5之數值範圍内。 25. —種基材’其係以根據申請專利範圍第^及丨了項中任一 項之電泳漆料塗覆。 -4 -