TW571165B - Liquid crystal display device - Google Patents

Description

571165 -一丁 五、發明說明G) 發明領域 俜有=:明係有關於一液晶顯示器，更特w 係有關於可容易地製造並用於具 炅特別的是，本發明 的液晶顯示器。 、义好可視性之顯示裝置 發明背景 目前的液晶顯 的顯示螢幕或監視 及機場控制塔等， 泡。 示器具有各種不同 器、工廠自動化系 液晶顯示裝置亦可 的應用，如個人電腦 統、電視、資訊終端 於液晶投影機的燈 G · 7日大多數使用之液晶顯示裝置為扭Μ (twisted nematic，ΤΝ)，其中在、/ 轉向列型 列型液晶。當沒有施加電壓時，^片f螭基板間填充向 板’而使顯示器顯示為”白”；卷1曰今子排列成平行於基 所造成的電場排列成一直線，：=壓時’液晶分子與 黑"。因此，可利用控制電壓與分；加壮電場之處則顯示為" 間灰階程度。 卞才曰向矢而達成許多中 然而，由於液晶分子固有的扭轉 顯示器具有相對較窄的視角，此窄視 的液晶分子傾斜方向會特別顯著。 某二些技術已提議改善液晶顯* $置的可視度，例如， 日、開平第4-261522號專利（對應於美國第5, 229, 873號 專利）、以及第6-43461(對應於美國第5, 309, 264號專利） 揭露使用多於一個的液晶域（domain)。如第1A圖中所示， 所揭露之液晶顯示裝置包括一彩色濾光片基板5 0 1與一下

行為，扭轉向列液晶 角的問題在灰階影像

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基板。此彩色滤光片基板5()1包括—共通電極&()2及黏合在 其上之配向膜503。在共通電極與配向膜中形成一切除部 伤（CUt〇la)517。下板包括一畫素電極5〇4及黏合在其上之 另一配向膜5 0 3。在基板間放置同向異質地 (h〇me〇tr〇Pi cal ly)配列的液晶分子5〇8'。且在兩交叉的偏 ”基板與液晶的結合’其中彼此的偏光軸互相垂 直。當施加電壓時，切除部彳八、息从 f J除0^邊緣的電場（視為斜方向電 %效應（fringe fleld))為傾斜的，且 兩個或多個液晶域，液晶域的胜w日，丄 一京了 &刀為 爭定，uwal 特性則由切除部份的形狀所 決疋，如第1B圖與1C圖所示之方形或又形。 需注意日本特開平第4_26 1 5 22號專 平第6 - 4 3 4 6 1唬專利則在暗模式盖 ’ 補償膜。 、式而要改#視角時使用光學 稍後亦會揭露即使在紐Μ ^ μ & > 液晶顯示器中，利用使用斜：：v顯示器而異方性 成兩個或多個域而改善視角。電％效應將每個畫素區分 可利用如光阻製程的微製程 通電極，但對於傳統TN液晶 八有切除部份的共 必須精確地放置上、下基拓二、疋不需要的；此外， 的主動式矩陣液晶顯示；而士、： = : *TFT之開關元件 在製造傳統主動式矩陣;:為：：別明顯的問題。 板上形成如薄膜二極體之心；不裝置中，透明基 元件所形成之基板上進行n制=，此思味著只需在開關 共通電極)則不需進行二衣广：另-基板(通^ ^ 的是在基板的 571165

整個表面上形成電極。 ，…、、而，上述之切除部份使得共通電極亦需微製造，因 而增加了製程數目；此外，在微製造後需要精地 上、下基板。 ”日本特開平第1 0-33 3 1 8 0號敘述在一晝素電極後放置 一薄膜電晶體（TFT )、一閘極線及一汲極線的結構，以避 免在TFT、閘極線與汲極線周圍產生電 極中由切除部份所產生之斜方向電場效應；然 電極後之元件將降低液晶顯示器之開口率。 日本特開平第10一20 323號（對應於美國第5, 963, 29 0號 利）揭路一包括兩基板夾著一液晶層的ΤΝ液晶顯示器， 此液晶顯示器具有兩個或多個液晶域，;:其中一基板具有由 第二電極所提供之開口。對第二基板_加一電壓會產生一 ^方向電场效應’並在每個晝素中改變液晶分子的傾斜方 二而產生多域結構，如此可增加視角。需注意的是對第 電極^加電壓需要一特殊的驅動方法；然而，並不能省 $此方法’且只能在對第二電極施加電壓後達成多域結 專 型 依 分 生 非

第8頁 ,日本特開平第5 —H 3 5 6 1號（對應於歐洲第〇 538 79 6號 利）a敎述_—使用具有負雙折射係數之補償膜的垂直配列 ' a "、員示衣置’以在沒有施加電壓時補償與液晶角度相 之雙折射係數的改變，並利用具有正及負光活化性的四 ^ 波長板以確保顯示器之亮度。此技術在暗模式時產 增加的視角’但卻沒有精確地定義液晶分子的方向。並 f有的畫_奢具有所需的域特性，且有時顯示器會輕微粗 571165 案號 90130696 曰 修正 五、發明說明（4) 糙地顯示，視角本身並非非常令人滿意。 曰本第2947350號專利揭露在上、下基板之上或之中 提供一突出物或一切除部份，以分開對應於施加一電壓之 同向異質地配列的液晶分子，且至少其中之一為突出物； 然而，如此需要兩個基板均進行微影製程，且必須精確地 放置基板的邊緣。 國際專利第W0 9 1 / 1 0 936 ( JP-T-5 -505247 )號專利公開 揭露同平面開關（In-Plane-Switching)(IPS)液晶顯示 器’其中在同一基板上裝置兩電極，且液晶分子可在基板 平面中旋轉。當跨過電極施加電壓時，液晶分子本身配向 f場’而其餘部分則平行於基板。利用此技術，在施加電 壓時不會有液晶分子繫在基板上，可減少觀察方向的改 且可提供在廣視角中具有低變異雙:折射率之液晶顯示 器。此技術之缺點為小的開口率及一晶胞間隙（c e i 1 gap ) ’因為較小的晶胞間隙需要一較高的驅動電壓。 另一方面’應用物理期刊1974年第45冊第12號第5466 頁（Journal of Applied PhySics，ν〇1· 45，No· 12 (1974) 5466)與日本特開平第1〇 — 186351號揭露一與 技術結合且具有誘電率異方性垂直配列的液晶分子，使得 液晶分子沿著電場平行於基板在橫向上排列。需注意由於 電场方向而使得垂直配列的液晶分子表現出不同的傾斜 ，，所造成之多域方向的配列則可提供具有廣視角之液晶 顯示器。 在基於垂直配列的液晶分子之丨ps技術與平行於基板 的電場方向之驅動方沐由，—成& β ,一、_ β 〜

第9頁 571165 案號 90130696 曰 修正 五、發明說明（5) 色濾光層，其中在該層上放置液晶。當開關晶胞具有一 TFT結構時，由跨過源極電極與共通電極施加的電位差所 產生之電場對彩色濾光層，特別是顯示性質，有不好的影 響。這是因為彩色濾光片所使用之染料包括如鈉離子的污 染物，而施加於彩色濾光層的電場將造成彩色濾光層上之 累積電荷，累積於彩色濾光層上之電荷將造成對具有電荷 區域後方之液晶連續施加不必要的電場，使得濾光片的色 彩扭曲。 曰本特開平第1 〇 - 1 8 6 3 3 0號建議使用一感光材料以形 成一方形壁，此配置用於產生一畫素之基本單元。具有負 誘電率異方性之液晶分子朝向不同方向以在每個畫素中產 生兩個或多個域；然而，需要使用黃患微影以形成對液晶 分子方向適當的壁，此黃光微影將增力$製造步驟數目。 考慮上述習知技術的缺點，本發明的目的係利用提供 在廣視角具有高對比度，而不需增加如光阻之額外的複雜 製造程序與先進的邊緣定位，來克服傳統液晶顯示裝置的 缺點及問題，更特別的是，本發明係為減少液晶顯示器之 色彩扭曲。 本發明之另一目的係提供一單純且簡單的方法以製造 一液晶顯示器。 本發明之又一目的係提供一具有廣視角特性之液晶顯 示器且可有效地利用其顯示性質的驅動方法。 發明概述 達成上述目的，本發明之第一態樣提供一液晶顯示裝

7061-4533-PFl(N).ptc 第10頁 571165 案號 90130696 mmmmmmrn-- 五、發明説明（6) 置’該顯示器包括-第—基板，在該第一基板上形成複數 個畫素二：I第;二基板，在該第二基板上形成-相對電 極，及’文：二，該液晶層係夾於該第一基板與該第二基 板之間。，=弟二基板上更具有複數個突出物且在相對 於畫素電極貫質中心部份處放置每個突出物。 本發：i第：態樣提供該液晶顯示裝置之第-基板具 有複數個旦’、母個·® 素由複數個互相連接的單一晝素所 構成。 本發明之第三態樣提供一液晶顯示裝置，其中每個突 出物穿透该液晶層以到達各相對應之畫素電極。 車交佳實施例詳述 本發明現在在此參考示範的實施參述之，熟悉此項 技藝之人士可使用本發明之技術完成許多替代的實施例， 且本發明並不限於用來解釋的示範實施例。 本發明之實施例可參考圖示敘述之。 <第一實施例〉 考第2 A至第7G圖，敘述根據本發明之第一實施例之液 晶顯示器，此液晶顯不器係基於簡單的矩陣驅動方法，豆 畫素在第2A圖中以截面敘述之，係由第“圖中之A —A,線^斤 載取。 液晶顯示器包括一上基板與一下基板，上基板包括一 具有如姻錫氧化物（ΙΤΟ)的透明電極（共通電極）1〇2之透明 基板1 0 1，且在其为後至少有一棒狀間隔物（此後將稱為間 隔物）。對透明電極102施加一同向異質配向膜103，上基 571165

> 板的透明基板亦具有以單軸負站於+ 貝補償膜1 2 2、四分之一波長 板121及偏光板120的順序，在卜A 1 四刀^反农 .^ ^ ^ ^ θ 上基板的透明基板表面上形 成，稭由間早矩陣液晶，可將读+ t -七作d门也观 令透明電極102如第2B圖中所 不之條狀圖案配置。 一下基板107具有在其上表而L ^ ^ α , Λ ^ ^ ^ 衣面上而以條狀圖案形成之 配線電極1 0 6，配線電極1 〇 6垂吉认t # ,ΛΟ 土直於上基板上之透明電極 1 〇 2。絕緣膜1 〇 5由如氮化石夕所组士 ^ t 叮、、且成，形成於配線電極1 06 二條狀圖案之上，配線電極106與畫素電極1〇4 m連接。了基板1〇7亦具有以單轴負補償膜122、四分之

-波長板121及偏光板120的順序，在下基板的透明基板表 面上形成之。 上、下基板經由放置在接近畫素電極丨〇4之對稱中心 =隔物119接合之，並將具有負誘電%異方性之液晶分 8填充於Ji、下基板之間，棒狀間隔物"9不必形成於 共通電極1〇2上，|而代之的{，可形成於晝素電極1〇4之 上基板上，為一的要求為間隔物119需位於畫素電極1〇4之 對稱中心附近。

旦素電極104小於共通電極1〇2，並以共通電極1〇2覆 盖之’畫素電極1 0 4具有一大體對稱的形狀，如圓、橢圓 或多邊形。更特別的是，晝素電極1〇4可具有如第2C至第 2G圖中所示之圓、橢圓或包括正五邊形、正六邊形、正八 邊形及正方形的正多邊形。當畫素電極1〇4具有正多邊形 形狀時’並不需要一完全的正多邊形，某些量的變異亦可 接受。 棒狀間隔物11 9具有一類似縮小尺寸之畫素電極丨0 4的

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月 修正 截面結構，由配向的觀點觀之，間隔物丨丨9最好如第2A圖 中在垂直截面為梯形形狀，且面對共通電及1〇2為其寬 側’而面對畫素電極為其窄側或斜側；然而，需注意間隔 物1 1 9的結構是次要的，因為其具有小的表面積，最重要 的是在每例中都有間隔物1 1 9。 間隔物1 1 9最好由光學異方性或黑材料所組成，以 免在光穿透液晶顯示器時漏光；另一方法為，在間隔物 戶ΓΛ其周Λ覆Λ遮光層，遮光層可由TFT側之閣極層金屬 陣 光片側上的畫素電極内之棒附近提供

可使用感光材料形成棒狀間隔物i i 9，此 i括感光壓克力樹脂及紛趁清漆基正光阻，另—二去為 棒狀間隔物119可由無機材料所組成万法為 通常在共通電極102上之其μ，一 1說… 間隔物U9 ; ‘然而，由邊缘上經由微影而形成棒狀 電極上之基板上形成間邊隔= J好在畫素 存在而非精確地放置間隔物 取重要的疋間隔物11 9合 對稱中心或其周圍即2;::間隔物119位於晝素電極 極上提供間隔物11 9，亦° 此，即使在相對基板的，

在第2C圖中示範的棒H精確的邊緣定位。 1〇4的截面構η特別的”隔物:19具有類似晝素電極 但類似於相對應畫素電極疋Μ隔物11 9的載面具有小方 五邊形 '正六邊形、正^形狀，如圓形、搞圓形或如i 而，需了解間隔物1 1 9不兩翻幵^及正方形之正多邊形；然 造。 而、似於晝素電極1 〇 4之截面構

571165 -------案號 90130696__年月曰_Hi__^ 五、發明說明（9) 如第2A圖中所示，在畫素電極1〇4附近提供遮罩電極 l〇4a，以避免由較低配線電極1〇6所產生之電場影響液晶 分子的多域。 當沒有施加電壓時，液晶分子丨〇 8通常以垂直配列基 板，因為在上、下基板上的配向膜丨〇 3為垂直配列型。當 、下基板個別的共通電極102與畫素電極丨〇.4間施加電 ’跨過畫素電極1〇4與相對共通電極1〇2會產生一電 2。由於晝素電極104具有對稱的形狀，且共通電極1〇2比 ^素電極具有較大的外側尺寸，因此電極間的電場方向對 土板並非為垂直，電場如第2A圖中所示朝向晝素中心方向 ^，且電場使得具有負誘電率異方性之液晶分子1〇8以 如!向晝素的中…如此一來' 由於畫素電極具有 圖中之對稱形狀，在維持分子_稱形成時可產生 稱中：上迷：棒狀間隔物119位於接近晝素電極m的對 稱中〜，間隔物1 1 9的角色為在其他域中液曰八 地配列時可補償個別的域。換阳刀 之邊X 士叫L, 俠J居°兄’四個明顯的液晶域 之透界由間隔物11 9精準地定羞，日„ γ 裎中裎也二外> ^ ^ ^且間隔物119是在製造過 矛中k仏而非在施加電壓後提供， 產生適當的多域結構。在每個書辛中2對應電壓快速地 撐外力，芸to + 士〜 一常中之間隔物1 1 9亦可支 扭外刀，右無此支撐，液晶分子 顯示器螢幕的外表面時流走。邊界的^在:手指壓在液晶 示外觀，其可藉由間隔物119的存在而\=將造成粗链的f m 液晶分子在其他域中不同地配列：=生多域的方法;^ wrn舰·帆二--一^---__而任何特別的配向 第14頁

7061-4533-PFl(N).ptc 571165 曰 案號 90130696 修正

_ 1 I I 五、發明說明（10) 膜之處理而可增加視角 基板-液晶組裝（面板）可夾於透過 叉偏光板之間’所得之顯示器在通常里+直的兩父 (normally black mode)下操作，也就模^ 電壓時顯示器為黑的，若有電麼存在日士疋况’當沒有施加 增加視角。 日守則為亮的，因此町 如習知技藝中所熟知，傳統液晶顯示裝勺 素電極，然:而’在此畫素電極的形狀並益特η 素電極可由如第3Α至第31圖中所示互相^接的，制’畫 電極所構成，至少-個棒狀間隔物119 ^之'數個畫素 設計的中心。當在方形書素中、接近母個對稱 付具有多域之視角增加，其中由在每個 貝i會使 分所產生之間隔物定義多域邊界。τ^案勺對稱中心部 第2C圖聯合之，棒狀間隔物119扮:怎二之敘述與第Μ直 η別域中’液晶分子1〇8與其他域中之= 3 ::去i液晶域之邊界最好由間隔物"9精：地 撐。因此，母個畫素中之多域 文 表的問題。 夕坺了…卜力，並消除粗糙外 於相中所示範之棒狀間隔物119具有類似 的】的戴面時’g 了解間隔物與晝素電極 ·,、把二5 ，旦素的連續圖案並不限於對稱設計的單〆 Λ ^ 行乘m列的陣列形成對稱設計（其中n及m均 —T h ^ θ應⑧成電極之次單元的對稱設 -_^素^^^彳姐可能的小’較小的晝素單元可有較高之 第15頁 7061-4533-PFl(N).ptc 571165 Μ - 案號901306%__年月日 修正 五、發明說明（11) 響應。 為確保更精確的建立域邊界，畫素電極104可如第4Α 至第4Ε圖中所示具有朝向每個對稱形狀外圍之徑向凹口 10 4b，對於多邊形晝素電極，在每個多邊形之角落形成凹 口 l〇4b。另一方法為’如第5A至第5H圖中所示，晝素電極 1 0 4可具有自電極外圍徑向向外延伸的突出物1 q 4 c。對於 多邊形畫素電極，突出物1 0 4c自每個多邊形之角落延伸。 晝素電極104可具有無電極區域i〇4d，其中沒有電極形成 於無電極區域10 4d上，如第6A至第6G圖中之虛線所示，且 無電極區域1 〇 4 d自對稱電極之中心徑向向外地延伸。此 外，畫素電極104可具有凹陷部i〇4e，如第7A至第7G圖中 之實線所示，凹陷部l〇4e自對稱電極之^中心徑向向外地延 伸’可在晝素電極上個別地或整合地戒成凹陷部丨〇 4 e，亦 可使用上述結構之結合。 “在第4 A至第7 G圖中，棒狀間隔物2 1 9位於接近每個畫 素電極的對稱中心，在間隔物丨丨9的例子中，棒狀間隔= _ 2 1 9扮演補償個別域的必要角色，其中在個別域中，液晶 刀子1 0 8與其他域中之液晶分子不同地配列，且液晶域之 邊界最好由間隔物丨丨9精確地定義，每個晝素中的間隔物 1 1 9亦可當成對抗外力之支撐。因此，每個畫素中之多域 Τ心又外力’並避免液晶分子不必要的流動，且可 呈 有此變形時的粗糙外觀。 ’…、 一當在TFT極晝素電極間提供一有機絕緣層或在彩色濾 光層與液晶層間放置晝素電極時，可在層間絕緣膜或 層中形成凹陷部1 〇 4e>如此可使提供一深凹陷部丨〇 4 e但卻

7061-4533-PFl(N).pt 第16頁 571165 皇號 90130696 五、發明說明（12) 不增加製造複雜度， 對於同向異質型 壓時形成一扭轉或螺 (chiral agent)以穩 法為，或此外，可在 口或凹陷部。 上述之凹口 l〇4b 陷部104e均徑向向外 在均質地配向具有正 行而提供凹口 l〇4b、 部104e，其中每個液 面。 修正 並確 配列 旋路 定此 每個 、突 地延 誘電 突出 曰曰 分 保域邊界 重新配 杈，可添 配向，並 畫素中形 出物l〇4c 伸；然而 率異方性 物 l〇4c、 子的長軸 穩 弋的建立。 置' 液晶分子以在施加電 力口 旋光性材料 增力17響應速率。另一方 成螺旋型之畫素中之凹 、無電極區域104d及凹 ’在某些例子中，最好 之液晶分子時，與側平 無電極區域1 04d及凹陷 平行或反平行於基板表 根據本發明之液晶_ — 至少一個光補償板，以辦二二f偏先每與液晶晶胞間包者 液晶分子為同向昱折曰二角，因為當沒有施加電壓日 性，以在以斜角看J曰顯向補償板最好具有負雙折$ (retardat.on)，^ ^ ^ ^ ^ ^ 、、且補彳貝板可為雙軸方向方法形成之單一 且A簟：Πΐ f合兩個或多個單軸向膜以形成實質負， 且為單軸的補償板。

^補償板在沒有施加電壓時，用來補償液晶分子的相遲 緩卩使觀察者自螢幕前移離營幕數叶，顯示器上的黑仍 非常黑’因此可改善顯示器的可視性。 對於一些晶皰來說，在施加電壓後的不同域中會產生 二過渡區域’此過渡區域在垂直偏光板下顯示為黑7造成 亮度降低，並可j某程度緩慢地移動過渡區域而明顯地降

7061-4533-PFl(N).ptc 第17頁 571165 號 90130fiQfi 五、發明說明（13) 低響應速率。 當上述單軸配向膜 界看不見而明顯地增如缒=分之一波長板時，可利用使邊 胞的兩側上配置四分之二…速率；更特別的是，在液晶晶 光軸與垂直偏光板的 ^皮長板，使得四分之一波長板的 一波長板的雙折射率，軸，45度角，如此可減少四分之 供一實質單軸負補償的板=單軸配向膜可互相重疊，以提 最好利用改變四分 化，以得到一額外的丰ί —波長板的線性極化成為圓形極 不管液晶分子的配向而= = 此配向膜可 用其明亮的特徵，i、=保明冗的顯不螢幕，可完全地使 廣視角時的雙折射率=分之了波長板則補償其各自在 垂直的單軸補償板結合， 赵片„，軸對基板為 122配置於偏光板12〇與 ^ :二f早軸負補償膜 122的光軸以垂直愈基、透//板1()1間4 ’而使得補償膜 角，如此-來，液、曰Λ 此結構原則上可提供廣視 關，且1 $/ # $ 1曰的又折射在暗模式中變得與角度較無 雙轴配向膜以提供相黑…雙折射膜可充當 =光板120的透過轴以45度傾斜的液晶分子提供最 同的免度，大部分穩定的液晶分子i Q8為在畫素中的上至 下、側至側方向傾斜，因此，通常配置偏光板丨2〇使得其 透過軸t位於畫素的45度角上。然而，沿偏光板12〇的透過 軸之方向可達成最佳的可視性，視液晶顯示器的特殊應 用’而需要在其他方向改善可視性。 由於在本實施例中四分之一波長板配置於偏光板丨2 〇 571165 I正

H 901306QR 五、發明說明（14) 與透明基板1 〇 1間，至液晶分子丨〇 8的入 換成圓形極化光，因此，不管液晶分=由線性極化轉 亮度，此意味著偏光板的透過軸可各，：：達成高 方向與通常為亮模式的某一方向巾 式的相對 由上可更明白’四分之一波長板提供^:形極化。 的圓形極化’ @此，可在任一方向；2:j入射光 消耗亮度，㉟常來說，吸收 方向’因為在此方向通常希望具有好的視角/ 原則上’當沒有施加電壓時，液曰 ;要=二視如—4^子基 可應用於利用使用具有如紹的高當二 示11，利用在畫素電極上形成不規則 次使用擴政板而提供良好的亮顯示。 在根據本發明製造液晶顯示器之方法 =2=力一電M，以控制液晶分子上= A 13應包括在液晶分子中少量的聚合單體或募聚 ^，〇llg_r) ’以確保初始方向，可用各種方法達成此步 二Γ t;可對液晶加㉟’造成自液晶態轉變為等向性液 :的：r匕，並接著在共通電極與晝素電極間施加電麼時 +二=pi，另一方法為即使在室溫下，在共通電極與晝 土電極間施加的電壓亦可正常地作用。在稍後的例子中：

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571165 案號 90130696 五、發明說明（15) 在施加電壓之前或之後會造成響應。此法。 動方法產生一多域結構，因此，不需要如I， 第1 0-2 0323號中揭露之對第二電極施加電壓^ 根據本發明製造液晶顯示器的方法可與光 合，以視域之特徵而控制預傾斜角，因而確保 方向控制性’預傾角與斜方向電場效應結合的 效地產生多域結構。 舉例來說，適用於特殊多域結構的預傾角 物質當作配向膜與將極化光朝向一傾斜角來達 目的之物質的範例包括具有可控制在極化光下 方向之功能基’如桂皮酸基（Cinnamic gr〇Up) AM-LCD ’ 96 / I DW’技術論文摘要第33 7頁中揭露 基以在其受到極化光時可聚合反應的聚^合物。 利用光配向技術，畫素多邊形之側的數目 步驟的數目’最好使用如正方形、五邊形、六 形或八邊形之多邊形。 多域技術本身在習知中即為人所熟知；然 聚合反應在液晶中包括小量的可聚合之單體或 動操作中，可更明確地保留多域。 本發明所使用之單體或募聚物可為可光固 熱固性之單體或這些單體的募聚物，亦可包括 在此所使用之”可光固化之單體或寡聚物” 可紫外光固化之單體與寡聚物，其可利用紫外 而可光固化之單體與募聚物則利用可見光固化 使用後者，因為其較易處理。 用標準的驅 曰本特開平 額外步驟。 配向技術結 更好的初始 效應會更有 可使用特定 成，適用此 液晶分子的 ，及如在 ，具有感光 會影響操作 邊形、七邊 而，在利用 寡聚物之驅 化之單體、 其他組成。 的字眼包括 光固化之， 之，最好是

7061-4533-PFl(N).ptc 第20頁 571165 案號 90130696 ___Ά 修正 五、發明說明（16) 本發明中所使用之聚合化合物可具有類似於包括在液 晶單體或寡聚物之液晶分子的結構；然而，在其未使用於 液晶分子的配向時，此化合物可為包括一環稀鏈的可撓性 化合物，單體或寡聚物可為單功能的或多功能的。 本發明所使用之光固化及紫外光固化單體的範例包括 如2-丙稀酸乙己酯（2-ethylhexyl acrylate)、· 丁乙基丙 烯酸酯（butylethyl acrylate)、丙稀酸丁氧基乙酯 (butoxyethyl acrylate)、2-氰基丙烯酸酯 (2 - cyanoethyl acrylate)、苯曱基丙稀酸S旨（benzyl acrylate)、丙稀酸環己基酯（cyclohexyl acrylate)、2-經基丙基丙稀酸酯（2-hydroxypropyl acrylate)、2-乙氧 基乙 S旨丙稀酸自l(2-ethoxyethyl a c r y 1 a t e )、 (N, N-ethylaminoethyl acrylate) 、N，N —二乙胺基丙烯 g曼 δ旨（N，N — d i me thy 1 am i noe thy 1 aery 1 ate)、二環戊烧丙稀 酸酯（dicyclopentanyl acrylate)、二環戊烯丙烯酸酯 (dicyclopentenyl acrylate)、縮水甘油丙浠 g 楚酯 (glycidyl acrylate)、四氫化糠基丙烯酸酯 (tetrahydro fur fury 1 acrylate)、異冰片基丙稀酸酯 (isobornyl acrylate)、異癸基丙烯酸酯（isodecyl acrylate)、月桂基丙烯酸酯（lauryl acrylate)、對氧氮 己環丙稀酸酯（morpholine acrylate)、笨氧乙基丙稀酸 SI ( phenoxye thy 1 acrylate)、苯氧二乙烯雙甘醇丙烯酸 酯（phenoxydiethyleneglycol aery late)、2，2，2-三氟乙 基丙稀酸5旨（2，2，2-1：1^1:111〇1'〇61:11乂18(：〇1&七6)、 2, 2, 3, 3, 3 -五氟丙基丙烯酸酯

7061-4533-PFl(N).ptc 第21頁 571165 _案號90130696_年月 曰 修正_ 五、發明說明（17) (2，2,3,3,3-pentafluoropropylacrylate)、2,2，3,3-ra 氟丙基丙烯酸醋（2,2,3,3-161：厂31111〇1^〇01*〇0713(^丫1316) 及2, 2, 3, 4, 5, 6_六氟丁基丙烯酸酯 (2，2，3，4，5，6-hexafluorobutyl acrylate)之單功能丙稀 酸醋化合物。 範例亦包括如2 -乙己基甲基丙稀酸酯（2 - e th y 1 h e X y 1 methacrylate)、丁乙基曱基丙烯酸 δ旨（butylethyl methacrylate)、丁氧乙基曱基丙烯酸酯（butoxyethyl methacrylate)、2 -氰基曱基丙烯酸酷（2-cyanoethyl methacrylate)、苯甲基曱基丙晞酸醋（benzyl methacrylate)、環己基曱基丙烯酸酯（cyclohexyl methacrylate)、 ( 2-hy droxypr opy 1 m；e thacrylate)、2- 經基丙基曱基丙稀酸S旨（2-ethoxyethyl: methacrylate)、 2-乙氧基乙酯曱基丙烯酸酯（2-ethoxyethy 1 methacrylate)、N，N-二乙胺基曱基丙烯酸酯 (N，N-diethylaminoethyl methacrylate) 、N，N-二甲胺基 曱基丙烯酸酯（N， N-dimethylaminoethyl methacrylate)、二環戊烧甲基丙稀酸酯 (dicyclopentanyl methacrylate)、二環戊稀曱基丙稀酸 酯（dicyclopentenylmethacrylate)、縮水甘油曱基丙烯 酸酯（glycidyl methacrylate)、四氫氮己環曱基丙稀酸 酯（tetrahydrofurfuryl methacrylate)、異冰片基曱基 丙稀酸醋（isobornyl methacrylate)、異癸基甲基丙稀酸 酯（isodecyl methacrylate)、月桂基曱基丙稀酸酯 (lauryl methacrylate)、對氧氮己環甲基丙烯酸酯

7061-4533-PFl(N).ptc 第22頁 571165 案號 90130696 年 月 a 修正 五、發明說明（18) (morpholine methacrylate)、苯氧乙基甲基丙稀酸酯 (phenoxyethyl methacrylate)、苯氧二乙烯雙甘醇曱基 丙稀酸酯（phenoxydiethyleneglycol methacrylate)、2, 2，2 -三氟乙基甲基丙烯酸酯（2，2，2-trifluoroethyl methacrylate)、2，2，3，3 -四氟丙基曱基丙烯酸酯（2, 2, 3, 3-tetrafluoropropyl methacrylate)及六氟丁基甲基丙 稀酸酯（2，2，3，4，4, 4-hexafluorobutyl methacrylate)之 單功能的丙烯酸酯化合物。

其他範例包括如4，4 ’ -雙苯基二丙稀酸酉旨 (4, 4’ - biphenyl diacrylate)、二乙己稀雌紛二丙稀酸酯 (diethylstilboestrol diacrylate)、1，4 -雙丙稀醯經基 苯（1，4-bisacryloyloxybenzene)、4, 4’ -雙丙稀酸經基二 苯酯（4，4’ — b i sacr y 1 oy 1 oxy d i pheny 1 e ther )、4，4 ’ -雙丙 烯醯羥基二苯基曱烷 (4，4’ -bisacryloyloxydiphenylmethane)、3，9 -雙[1，1-二曱基-2_丙烯醯羥基乙基]-2, 4, 8, 10 -四螺旋[5, 5]十一 烧（3，9-bis[1，1-dimethyl-2-acryloyloxyethyl]-2, 4, 8, 10-tetraspiro[5， 5] undecane) 、 α， α’-雙[4-丙稀醯 羥基]-1，4-二異丙基苯（α， α

’-bis[4-acryloyloxyphenyl]-l，4-diisopropylbenzene) 、1，4-雙丙烯醯羥基四氟代苯 1，4-（1，4-bisacryloyloxytetrafluorobenzene)、4, 4’ -雙丙烯醯羥基八氟代苯 (4，4’-bisacryloyloxyoctafluorobiphenyl)、二乙稀雙 甘醇二丙稀酸 S旨（diethyleneglycol diacrylate)、1，4-

7061-4533-PFl(N).ptc 第23頁 571165 銮醮 90130696 曰 修正 五、發明說明（19) 丁二醇二丙烯酸酯（1，4 -butanediol diacrylate) '1,3-丁二醇二丙晞 S曼酯（1，3 - butyleneglycol diacrylate)、 二環戊基二丙烯酸diacrylate)、丙 三 g享二丙烯 S复 6 旨（glycerol diacrylate) 、1，6-己二 ^ 二 丙稀酸酯（1，6 - hexanediol diacrylate)、新戊基乙二醇 二丙烯酉曼 SI(neopentylglycol diacrylate)、四乙酉i 雙甘 醇二丙烯酸酯（tetraethyleneglycol diacrylate)、三經 曱基丙烧三丙稀酸酯（trimethylolpropane triacrylate)、季戊四醇四丙稀酸S旨（pentaerythritol tetraacrylate)、季戊四醇三丙稀酸 S旨（pentaerythritol triacrylate)、二三羥曱基丙烧四丙烯酸醋 (ditrimethylolpropane tetraacryl at e )、二季戊四醇六 丙浠酸酯（dipentaerythritol hexaacry 1 ate)、二季戊四 醇單經基五丙烯酸酯（dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate)、4,4’-二丙烯醯經基均二苯 乙烯（4,4’-diacryloyloxystilbene)、4,4’_ 二丙歸酿經 基二曱基苯乙烯 4, 4’ -二丙烯 (4, 4’ -diacryloyloxydimethylstilbene) 醯羥基二乙基笨乙烯 4, 4,-、4, 4’ 4, 4’ - 丙稀醯 二丙烯 丙稀醯 (4，4’ -diacryloyloxydiethylstilbene) 羥基二丙基苯乙烯 (4, 4’ - diacryloyloxydipropylstilbene) 醯羥基二丁基苯乙烯 (4，4’ - diacryloyloxydibutylstilbene) 羥基二戊基苯乙烯

7061-4533-PFl(N).ptc 第24頁 571165 案號 90130696 A_η 曰 修正 五、發明說明（20) (4, 4’ — diacryloyloxydipentylstilbene)、4, 4’ - 二丙稀 醯羥基二己基苯乙烯 (4，4’-(^&。『71〇71〇父7(11116又7131:1166116)、4,4’-二丙烯醯 羥基二氟苯乙烯 (4，4’-diacryloyloxydifluorostilbene)、2，2,3，3,4,4-六敗戊二基_1，5_二丙稀酸醋 (2, 2, 3, 3, 4, 4-hexafluoropentanediol-l, 5-diacrylate) 、1，1，2，2，3，3-六氟丙基-1，3 -二丙稀酸SI (1，1，2，2，3，3-hexafluoropropyl-1，3-diacrylate)及尿 烧丙烯酸S旨募聚物（urethane acrylate oligomer)之多功 能的丙稀酸酯化合物。 此外，可使用如但不限於二乙烯雙甘醇二甲基丙烯酸 酯（diethyleneglycol dimethacryla ΐ·έ)、1，4 - 丁 二醇二 曱基丙稀酉复醋（l，4-butanediol dimethacrylate) 、1，3 — 丁 二醇二曱基丙烯酸酯（l，3-butyleneglycol dimethacrylate)、二環戊基二曱基丙稀酸醋 (dicyclopentanyl dimethacrylate)、丙三醇二甲基丙稀 酸酯（glycerol dimethacrylate)、1，6-己二酸二甲基丙 烯酸酯（l，6-hexanediol dimethacrylate)、新戊基乙二 醇二曱基丙稀酉曼 S 旨（neopentylglycol dimethacrylate)、 四乙浠雙甘醇二曱基丙烯酸酯（tetraethyieneg^yco1 dimethacrylate)、三羥甲基丙烷三曱基丙烯酸酯 (trimethylolpropane trimethacrylate)、季戊四醇四曱 基丙烯酸酯（pen taery thr i tol t e t r ame thacry 1 ate )、季 戊四醇三甲基丙烯酸酯（Pentaerythritol

7061-4533-PFl(N).ptc 第25頁 571165 Λ _案號 90130696_年月日___ 五、發明說明（21) trimethacrylate)、二三經曱基丙烧四曱基丙稀酸酯 (ditrimethylolpropane tetramethacrylate)、二季戊四 醇六曱基丙稀酸酯（dipentaerythritol hexamethacrylate)、二季戊四醇單經基五甲基丙稀酸酯 (dipentaerythritol monohydroxypentamethacrylate)、 2, 2, 3, 3, 4, 4 -六氟戊二基-1，5 -二曱基丙烯酸酯-(2, 2, 3, 3, 4, 4-hexafluoropentanediol-l，5-dimethacrylate)及尿 院曱基丙稀酸酯寡聚物（urethane methacrylate oligomer)、苯乙稀（styrene)、氨基苯乙稀 (aminostyrene)和乙稀基醋酸酯（vinyl acetate)之多功 能丙浠酸S旨化合物。 根據本發明驅動晶胞的電壓受聚舍;物與液晶材料間介 面交互作用的影響，因此，可使用包:括^氟原子的高分子化 合物，此高分子化合物的範例包括如但:不限於自2，2，3，3， 4, 4 -六氟二戊基-1，5_二丙烯酸酯 (2, 2, 3, 3, 4，4-hexafluoropentanediol-1，5-diacrylate) 、：1，1，2, 2, 3, 3-六氟丙基-1，3 -二丙烯酸酯 (1，1，2, 2, 3，3-hexafluoropropyl-l，3-diacrylate)、 2, 2, 2 -三氟乙基丙烯酸酯（2, 2, 2-trifluoroethyl acrylate)、2，2，3，3，3 -五氟丙基丙稀酸醋 (2,2,3,3,3-pentafluoropropyl acrylate) 、 2,2， 3,3-四 氟丙基丙烯酸酯（2, 2, 3，3-tetrafluoropropyl acrylate)、2，2, 3，4，4，4 -六氟 丁基丙稀酸酯（2，2，3，4，4, 4-hexafluorobutyl acrylate)、2，2，2 -三 乙基甲基丙 烯酸酯（2, 2，2 -trifluoroethyl methacrylate)、

7061-4533-PFl(N).ptc 第26頁 571165 _ 案號90130696_年月曰 修正__ 五、發明說明（22) 2, 2, 3, 3 -四氟丙基甲基丙烯酸酯 (2，2,3，3-tetrafluoropropyl methacrylate) 、2，2,3，4, 4, 4 -六氟丁基曱基丙烯酸酯 (2，2，3，4, 4，4-hexafluorobutyl methacrylate)或尿烧曱 基丙稀酸酯募聚物（urethane acrylate oligomer)所合成 之混合物。 當使用可光固化或可紫外光固化之單體當成本發明之 高分子化合物時，可使用光起始劑，光起始劑自如包括乙 醯苯群（acetophenones)之2, 2-二乙氧基乙醯苯 (2，2- diethoxyacetophenone)、2-經基-2-曱基-1-苯基 -1- _(2-hydroxy-2-methyl-l-phenyl -1-one)、1-（4-異 丙苯基）-2 -羥基-2 -曱基丙烷-1-酮 (l-(4-isopropylphenyl)-2-hydroxy-基-methylpropan-1-one)及卜（4-十二苯基）-2 -羥基-2-曱基丙烷-1-酮 (l-(4-dodecylphenyl)-2-hydroxy-2-methylpropan_l-on e);如二苯乙醇 _ 甲鱗（benzoin methyl ether)、二苯 乙醇酮乙驗（benzoin ethyl ether)及苯曱基二曱基縮酮 (benzyl dimethyl ketal)的二苯乙醇酮君羊（benzoins)； 如二苯甲 _(benzophenone)、苯醯苯酸（benzoylbenzoic acid)、4 -苯基二苯甲酮（4 -phenylbenzophenone)及3，3-二曱基-4-甲氧基二苯曱酮 (3，3-dimethyl-4-methoxybenzophenone)的二苯甲酮群 (benzophenones );如硫代咕 口頓酮（thioxanthone) λ2-氣 代硫代咕σ頓酮（2 - c h 1 〇 r 〇 t h i ο X a n t h ο n e )及2 -甲基硫代咕口頓 _(2-methylthioxanthone)的咕 0頓酮群

7061-4533-PFl(N).ptc 第27頁 571165 -一案號901306巡_ — 年月曰 修正_ 五、發明說明（23) " (thioxanthones);重氮鹽（diazonium saHs)、硫鹽 (sulfonium salts)、碘鹽（iodonium saHs)及硒鹽 (selenium salts)的多樣起始劑中所選出。 本發明第一實施例之某些範例敘述如下。 (範例1 ) 在玻璃基板1 0 1及1 〇 7上濺鍍銦錫氧化物（I τ 〇 )，並利 用傳統的微影技術形成I TO電極的陣列丨0 2與丨〇 6，且只在 下基板1 0 7上沉積氮化矽膜1 〇 5，並利用微影製程在氮化矽 膜1 〇 5中形成貫穿孔11 6，在其上濺鍍丨τ〇，並利用微影形 成六邊形晝素電極104。在共通電極1〇2上以感光聚矽氮烷 形成側邊為5微米長且大體為六邊型的棒狀間隔物，使得 高度為3·5微米的間隔物位於畫素電極錢近中心之處。可 對上、下基板塗佈同向異質配向膜（可得自日產化學工業 的商標名” SE 1211”）1〇3及105，並以20ITC加熱基板1小時 以乾燥塗層。 沿基板塗上一密封物（s e a 1 a n t)，並配置間隔物劑， 且以後、封物將具有形成X、γ電極之矩陣電極的上、下基板 組合在一起，接著加熱基板以固化此密封物。

隨後’將具有負誘電率異方性之線狀液晶丨〇 〇注入至 基板間’並以光固化樹脂封住注入口 ，並注入額外具有負 誘電率異方性之向列型液晶，其具有0096的異向反射率 (△ Π)，並以光固化樹脂封住注入口。 接著提供具有負補償膜之面板，該負補償膜係由與液 晶層之絕對值相同但符號相反的異向反射率所組成，偏光 板與四分之一波長板配置於上、下基板上，且偏光板之透

7061.4533-PFl(N).ptc 第28頁 571165 —月 修正 曰 j 號 90130MR 五、發明說明（24) 過轴與四分之_、、dtr g ^ 及長板的緩慢軸夾4 5度，以達成相反的圓 形極化。 、因此可里測所得之面板的光性質，結果指出面板在較 '或沒有灰階反轉的廣視角下具有高對比，具有高亮度之 面板在沿偏光板的透過軸上沒有暗區域。 (範例2 ) ^複耗例1以形成液晶顯示器，除了在整個下基板丨〇 7 ^之氮化矽膜1 〇 5上的每個六邊形電極丨〇 4周圍形成遮蔽電 極104^，製備遮蔽電極丨〇4a只需小部份地更改光罩，所得 之遮蔽電極104a與零電壓連接。 因此可量測所得之面板的光性質，結果指出面板在較 ^或沒有灰階反轉的廣視角下具有高對^比，並可在光學顯 城鏡下觀察晝素，在範例丨之例子中，畫素内並無可見的 異常旋轉位移（disclination)。 〈第二實施例〉 參照第8 A至8 B圖，敘述根據本發明第二實施例之液晶 顯示為’此液晶顯示器係基於簡單的矩陣驅動方法，並使 用具有正誘電率異方性之線狀液晶，第8A圖中顯示為其畫 素之截面，係自第8B圖中之A-A，線所取。 液晶顯示器包括一上基板與一下基板，上基板丨〇 1包 括具有如銦錫氧化物（IT0)之透明電極1〇2的玻璃基板 1〇1 ’並對透明電極102上塗上配向膜1〇3，摩擦配向膜丨〇3 使得液晶分子以垂直配列摩擦方向，預傾角非常小（小於1 度）或為幾乎零度。由於是簡單式矩陣的液晶顯示器，因 此透明電極102以條狀圖案配置’下基板107具有以^條狀圖

7061-4533-PFl(N).ptc 第29頁 571165 案號 90130696 五、發明說明（25) 案在其上表面形成之配線電極1Q6，配線電極1〇6垂直於上 基，上之透明電極1 0 2。在配線電極丨〇 6的條狀圖案上形成 如氮化矽之絕緣膜1 0 5，配線電極丨〇 6經由貫穿孔丨丨6與畫 素電極1 0 4連接。晝素電極具有對稱之形狀，並在接近晝 素電極的對稱中心處形成棒狀間隔物丨丨9。在上、下基板 上塗上配向膜1 〇 3，接著以密封物組合上、下基板，並隨 後將具有正誘電率異方性之液晶分子注入至基板之間。 晝素電極104小於共通電極1〇2，因此共通電極1〇2覆 蓋於畫素電極104上，在畫素電極1〇4周圍提供遮蔽電極 1 0 4 a，以避免液晶分子的多域受下配線電極1 q 6所產生之 電場所影響。 在此實施例中，摩擦或以光配向上、下基板的配向膜 以定義液晶分子的配向，接近基板1 0 1乏液晶分子的配向 由第8B圖中之實線箭頭117所指示，而接近下基板110之液 晶分子方向則由第8 B圖中之虛線箭頭11 8所指示，此配列 可很容易地使用具有垂直於摩擦方向或將極化光自基板法 線朝向光配向膜而獲得，而不需使用旋光性材料（c h i r a 1 agent) ° 具有正誘電率異方性之扭轉向列型液晶可提供兩個或 多個可能的固定方向與扭轉方向之組合，如此可在每個晝 素中產生多域。 由於扭轉向列結構，使得液晶分子在每個方向中均等 地傾斜，預傾角儘可能的小，預傾角最好為1度或更小， 或甚至為0度。 液晶分子1 0 8在沒有施加電壓時以垂直配列上、下基

7061-4533-PFl(N).ptc 第30頁 571165 修正 ___案號 90130696 五、發明說明（26) 板上之配向膜1 0 3的摩擦方向，預傾角非常小（小於1度）或 甚至為0度。當上基板之共通電極1〇2與下基板之畫素電極 1 04間分別沒有施加電場時，跨過晝素電極丨〇4與相對之共 通電極102間會產生一電場，由於晝素電極1〇4具有對稱之 形狀’且共通電極1 0 2比畫素電極丨〇 4具有較大之外側尺 寸’電極間電場的方向對基板並非為垂直，電場如第8A圖 中所示以朝向晝素之中心而傾斜；換句話說，上、下電極 之結構決定了斜方向電場效應之對稱形狀。

類似第一實施例，間隔物丨丨9位於接近晝素電極對稱 中心之處，間隔物扮演不可或缺的角色，以補償液晶分子 與其他域不同地配列之個別域，清楚的液晶域之邊界則由 間隔物精確地定義。

大體來說，可在域中形成右旋或矣旋，斜方向電場效 應使液晶分子如第8B圖中所示在每個域中主要地朝向一方 向傾斜，因此，可自動地獲得如第8 b圖中所示之方向。更 特別的是，可自動地產生對稱多域結構，因為（丨）下基板 上之晝素電極1 0 4具有對稱形狀；（2 )上基板之共通電極 覆蓋畫素電極104 ;且（3)共通電極1〇2大於畫素電極 1 04，使得視角增加。面板可夾於具有互相垂直之透過軸 的偏光板之間，而液晶的配列方向與偏光板之透過軸一 致’所造成的液晶顯示器在沒有施加電壓時顯示為白，在 施加電壓時顯示為黑，此一黑一白顯示則提供了廣視角。 由於每個晝素區分成多域，在黑或灰階顯示模式時，液晶 分子的方向補償了其他的液晶分子的方向，在具有以不同 角度傾斜之分子之域的邊界沒有發生漏光，因此，不需遮

7061-4533-PFl(N).ptc 第31頁 571165 571165 修正 __案號90130696 ____年月曰 五、發明說明（27) 光層即可達成高對比度。 不像第一實施例’此處不需單軸負補償膜；然而，如 上所述，四分之一波長板可自選擇製程條件而產生優點， 因為液晶的方向不會影響亮度，在此例中，棒狀間隔物 1 1 9的表面位於畫素接近對稱中心之處以補償個別的域， 明顯的液晶域之邊界則由間隔物精確地定義。. 為確保更精確地建立域的邊界，晝素電極1 〇 4可具有 朝向每個對稱形狀之外為的徑向凹口 l〇4b，如第4A至4E圖 中所示，對於多邊形畫素電極，可在多邊形的每個角形成 凹口 104b ;另一方法為，如第4A至4E圖中所示，晝素電極 1 04可具有自電極外圍徑向向外地延伸的突出丨〇 4c。對於 多邊形晝素電極而言’突出物l〇4c自多邊形的每個角延 伸。晝素電極1 0 4可具有沒有形成電極篆無電極區域 104d，如第6A至6G圖中之線所指示，灰電極區域1〇4d自對 稱電極的中心徑向向外地延伸。此外，晝素電極丨〇 4可具 有凹陷部104e，如第7A至7G 1 0 4 e自對稱電極之中心徑向 別地在晝素電極上形成或在 使用上述結構之組合。 圖中之實線所指示，凹陷部 向外地延伸，凹陷部1 0 4 e可個 晝素電集中整合地形成，亦可 使用光配向膜以確保多域处播 曰曰 •，另-方面，在呈可用於扭轉向列型液 ’力 /) ¢7 在具有負誘電率里士 向列型液晶的操作驅動中，f包括广日^晶中’在扭轉 夕罝辦+宣取从取人 於/夜晶中的可聚合反應 在此例中，幾乎不需要補償膜， 、—° 、 僧姑Ψ沾止與枝α 、 因為液晶分子互相補 1貝彼此的先學特性；然而，可使用 紐*配置於上、下偏光

7061-4533-PF1(N).ptc 第32頁 之早肢或养“勿聚合反應時，仍可確保多域 571165 ____案號 五、發明說明（28) 90130696

或光配向操作的 板内側的四分之一波長板，以幫助在摩擦 界面處控制分子配列的處理。 更特別的是， 的偏差不會影響其 上、下基板使用正 折射特性，此結果 若具有四分之一波 所製成之顯示器的 與負四分之一波長 可增加視角。 長板液晶分子輕微 亮度，特別是可在 板來補償補償膜的雙

第9 A圖顯示液晶分子丨〇 8具有正誘電率異方性且 有她加電壓時為均質的例子，上、下基板應受摩擦或光配 向製程以定義液晶之方向，接近基板丨之液晶分子方向 由貫線箭頭1 1 7所指，而接近下基板11 〇之液晶分子方向°則 由虛線箭頭1 1 8所指。如上述之實施例，預傾角最好儘可 能的小，預傾角最好是1度或更小，或碁至為〇度，使用具 有垂直於摩擦方向或極化光自基板法學朝向光配向膜方向 之條狀配向膜可輕易地得到此一配列，而不需使用旋光性 材料。 當在上、下電極間施加電壓時，會對稱地產生斜方向 電場效應，如此會在每個晝素中產生兩個域，且在這兩個 域中液晶分子以相反方向傾斜。為了均質配向，最好在畫 素的中心提供凹口部1 〇 4 e ’以穩定域的邊界。 液晶顯示器的另一結構與特徵如第9A至9B圖中所示，_ 與第8 A至8 B圖中所述類似’類似的元件與零件標示相同的 參考號碼，且因此省略其敘述。 當具有正誘電率異方性之液晶在關狀態（◦ f f s ta t e ) 均質地配向時，晶胞區分成具有液晶分子以相反方向傾斜 的兩個域而非四個域。配置具有與關狀態（通常為暗）之液

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五 發明說明（29) 晶光軸符合之單輛|姑 軸沿任一域中之液；“員膜，或配置單軸負補償膜使其光 在至少—域子(通常為亮)之軸傾斜。 閉狀態的通常為暗2晶與補償膜間的相遲緩可在電壓關 式之廣視角來補償：電壓開啟狀態的通常為亮模 6Α至6G圖中之無電柄J此例：，第4Α至4Ε圖中之凹口、第 行於下基板上之查I :域或弟7Α至76圖中之凹陷部最好平 最好控制成垂側邊而形成’液晶的初始方向亦 〇。為達此目的，幾上乎迷//要、=頃/儘可能如此例上述為 補償其光學性質.块而而^貝膜，因為液晶分子互相 四分之一波長杯以=可在上、下偏光板内側配置一組 的分子配向的處理向操作之介面處

Sr; V θ \ 又符別的疋，由於有四分之一浊喜 ，：；ΚΪ微的偏差不會影顯顯·的*⑨。 配向，111冗中，當液晶分子在關閉模式中均質地 不需摩捧而、查H 光板内側配置四分之一波長板時，可 晶分子^方位（W對比度與高亮度。更特別的{，由於液 液晶入l+_Tzlmuthal)方向散亂地初始配向，且朝向 極化，0此可不管液晶方子在方 為的光線。。 對的圓形極化’且其具有相位差 偏光ϊ習ϊ中所熟知，可在輸出側放置四分之一波長板盘 形極化f其允許光線通過它們，並相對於入射側具有圓 且、夜曰八ΐ於此結#，在施加電壓時可達成初始亮狀態， 且液日日分子變成固定於基板上。 5在光通過液晶層傳輸時沒有相遲緩，因 Kuh IVk·晰.《山二 * --— _

7061.4533-PFl(N).ptc 第34頁 571165 案號 90130696 五、發明說明（30) 此’不會影響到達輸 化光之傳輸由偏光板 形極化的光線才能穿 在每個晝素中的 在灰階模式中亦可得 變化，因此響應速率 子。 晝素最好儘可能 彼此靠近時，最好可 inversion driving) 向電場效應的產生， 作（reset operation 使用快速響應來顯示 用此一驅動方法以加 顯示器中，可產生增 優點。 修正 則基板上的圓形極化光，此圓形極 所阻擔，&就是$，只有具有相反圓 過，因此可達成暗狀態。 液晶分子配向；^ m ^ 门不冋的方向，所以即使 “土角’此外’在方位方向上看不到 可南於沒有使用四分之—波長板的例 多地彼此隔開，當畫素為方便設計而 使用謂的”點反轉驅d〇t 以改變相鄰書专沾k 州旦言的極性，而確保斜方 點反轉亦可允許在單一畫框的重新操 )’而將顯示器改:變為暗狀態，以只 ，因為液晶的初始響應相當慢，可使 強動畫的邊緣。在根據本發明之液晶 加明顯的響應速率之附加優點或第二 上述敘述已與穿透式液晶顯示器聯合敘述之；然而， 可相同地應用於使用如鋁之具有高反射率的金屬當^書素 電極材料的反射式顯示器，可利用在畫素電極表:形$不 規則形狀或使用擴散板而提供良好的白影像，在此^施例 中，省略彩色濾光片；然而，可在上基板1 〇 1與透明Θ電極 1 〇 2間配置彩色濾光層而得一彩色液晶顯示器。 (範例3 ) 重複範例1以利用微影製程形成I TO電極、氮化石夕膜與 一正方形畫素電極104，使用由JSR所得之配向膜

571165 修正 曰 五、發明說明（31) "JALS-428"及具有正誘電率異方性之液晶"ZU 4 792"而 需旋光性材料可產生一液晶面板，沿正方形的對角線摩捧 配向膜，而摩擦方向垂直於上、下基板上的液晶配列方τ 向。在JALS-428中，液晶垂直於摩擦方向配列，由晶體 轉法所量測到之預傾角接近〇度，晶胞厚度接近5微米。可 使用由住友化學公司所得之” New_Vac”膜當成裸償膜，量 測此面板之光學性質，在廣視角時沒有發現灰階反 〈第三實施例〉 參照第10A與10B圖，敘述根據本發明之第三實施例的 液晶顯示器，本液晶顯示器係為主動式矩陣驅動方法，其 =素截面如第10A圖中所示，係由第1〇β圖中之β—β，線所截 在上透明基板201上形成彩色濾光是214與遮光層 215，且在幾乎整個透明基板2〇1的表面上形成共通電極 202，在共通電極2 〇2塗上同向異質配向膜2〇3，亦在共通 電極20 2上形成棒狀間隔物2 19，其中共通電極上塗上同 異質配向膜2 0 3。 在下基板20 7的上表面提供TFT 23〇，在電晶體23〇上 =，C r閘極電極（掃描彳§號電極）2 〇 g，在閘極電極2 〇 9上覆 蓋虱化矽閘極絕緣膜21〇，在閘極電極2〇9上穿過閘極絕緣 膜210形成半導體膜212，此半導體膜當成了^^^的主動 層。配置汲極電極21 1與源極電極21 3使其與半導體膜212 $部分圖案互相重疊，汲極與源極由鉬所組成，在所有元 1上形成氮化矽保護膜2 0 5，汲極電極211與源極電極213 _過換雜η型雜質的非晶石夕膜（未顯示）而與半導體膜212的 第36頁 7061.4533-PFl(N).ptc 571165

案號 90130696 五、發明說明（32) 部分圖案重疊。 如第10B圖中所示’極極電極2"與 線)ma連接，換句話說，汲極電極211成為資料線= 虎的 一部为，而且閘極電極2 09成為掃描訊號線2〇9&的一 分’畫素電極20 4與在閘極絕緣膜21〇上之源極電極21° 接’並在源極電極上形成同向異質配向膜。 在本實施例中，源極電極213與畫素電極2〇4連接，以 對畫素電極施加視訊訊號’掃描訊號用來 開/關。晝素電極m具有對稱的形狀，其中在本實 為六邊形，晝素電極可具有如第2(：圖中所示圓形、五邊型 或正方形之形狀，具有負誘電率異方性的液晶分子夾 在上、下基板之間。 由於在上、下基板上的配向膜2 03為同向里質配列 型，因此在沒有施加電壓時，液晶分子2〇8通常垂直於基 板而配列。 &

當對閘極電極20 9施加一電壓時以使TFT動作時，亦對 源極電極21 3施加電壓，因此跨過晝素電極2〇4與相對之共 通電極202會產生電場，由於畫素電極2〇4具有對稱的形 狀，且共通電極202具有比晝素電極2〇4還大之外圍尺寸， 電極間的電場方向對基板並非為垂直。取而代之的是電場 在朝向畫素中心的方向中傾斜。如第丨〇 A圖中所示，電場 使得具有負誘電率異方性之液晶分子2〇8以對稱的形式朝 向畫素中心，如此一來，在維持分子的對稱形成時產生了 多域。如第〆實施例中，棒狀間隔物219位於晝素電極2〇4

7061-4533-PFl(N).ptc 第37頁 571165 Λ_3. 修正 曰 90130696^ 五、發明說明（33) 在液日日刀，，其他域之液晶分子不同地配向時補償個別 域換句f次，明顯的液晶域之邊界由間隔物2 1 g精確地 定義。由單軸負補償膜與四分之一波長板所 二第-實施例’特別是當畫素電極具有多邊形形狀了：： 曰曰刀子在方位方向上I廣的分布時，四分之一波

，高之亮度，並可在任一方向中決定偏光板的方向了 J 就疋具有廣視角的方向。 由上可明顯得知，根據本發明使用具有負誘 性之液晶分子，可將查去F夕a 肝旦素區刀成多域，且不需任何特殊的 配向膜處理’在多域中液晶分子與其他域之液晶分子不 地配向，因此可增加視角。 對於主動式矩陣液晶顯示器，由掃描訊號電極2〇9&盥 ===之橫向電場所產生夂不適當的旋轉位移 線a衫喜里素電極，旋轉位移線會干擾液晶方向，可 增加掃描訊號電極20 9a與晝素電極2 〇4間之距離來解決曰 問題；然而，若考量當晝素較小時的開口率，最好不要 太大的距離。另一解決干擾問題的方法是將遮蔽電極或圭 素電極204的一部分放置在掃描訊號電極2〇93與視訊訊號& 電極21 la的至少一個的上表面，需注意當畫素電極2〇\ ^ 蔽所有的掃描訊號電極2 0 9 a與視訊訊號電極2 1丨a時，開口 率會變得較小，對此，放置於掃描訊號電極2 〇 9 a與視訊訊 號電極211a的至少一個的上表面之遮蔽電極或畫素電極 2 0 4的一部分町避免降低開口率，配置的選擇則視如圭素 的形狀、掃描訊號電極2 0 9a與視訊訊號電極2丨丨a與產生遮 蔽電極的方法而定。 、 ''

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__棄號 90130M 五、發明說明（34)

視晝素的設計’由於開口率的關係，只能在掃描訊號 電極20 9a或視訊訊號電極21 la間提供不足夠的距離，為了 確保較佳的液晶分子預傾角之控制，可使用光配向膜當作 配向膜，根據光配向膜的本質與特性，照射斜角的極彳"匕光 或非極化光’小量的單體可包括在液晶中以避免干擾液晶 的方向，可聚合反應單體以保留適當的方向。 M 為了穩定域的邊界，可在如第4A至4E圖中所示之書素 中形成凹口；另一方法為，在如第5A至5H圖中的晝素電極 之每個角形成突出物，可移除晝素電極的一部分以形成如 第6A至6G圖中所示之無電極區域。 此外，如第11 A至11 B圖所示，可在正方形晝素電極 204的一部分中形成如第7A至7G圖中所宇之凹陷部22J3，凹 陷部22 3自畫素電極204的中心徑向向外.地延伸至晝素電極 的角，可在晝素電極204上個別地或整合地形成凹陷部 223，第11A與11B圖中所示之液晶顯示器的其他結構盥特 徵類似於第1 0A與1 0B圖中除畫素電極2〇4中或上的凹陷部 223之敘述，類似的元件與零件標示相同的參考號碼，且 因此省略其敘述。 如第一貫施例中，在偏光板與玻璃基板間放置負補償 膜以在電壓關狀態下的液晶分子中消除相遲緩，即使觀察 者在螢幕前移離螢幕數吋，顯示器的黑仍非常黑。 ” 原則上，當沒有施加電壓時液晶分子以垂直配列基 然而，配列會受如晶胞特徵的干擾。在此情況下，可 提供具有正誘電率異方性的額外膜以補償干擾。

571165 案號 90130fiQfi 五、發明說明（35) 且在沒有施加電壓時 液晶分子具有正誘電 式配列時，可達成類 角。在此例中，液晶 明顯的域。對於扭轉 形形狀，亦可應用於 本發明特別對具 晶顯示器提供明顯的 之主動式矩陣液晶顯 於其上之基板進行如 (通常視為共通電極） 的整個表面上形成電 若已完成凹口， 外光阻製程產生多域 驟’因為會使得良率 /效率。根據本發明， 結構，並增加視角。 根據第二貫施例 第一實施例所敘述。 接下來，敘述第 (範例4 ) 年 曰 修正 液晶分子以垂直配列基板；然而，當 率異方性且在關狀態時以扭轉向列方 似第二實施例中的敘述，亦可增加視 層區分成如第8A與8B圖中所示之四個 向列型液晶而言，晝素最好具有正方 下述之實施例中。 有如T F T的開關元件之主動式矩陣液 效應，更特別的是，在具有傳統TN型 示器的例子中，只需對具有主動元件 光阻製程之微製造，不需對其他基板 進行微製造，取而代之的是，在基板 極。 視角會變窄，可矣\晝素中以傳統的額 以增加視角，但必須減少此額外步 降低及造成不需要之生產設備的負荷 不需光阻製程可在晝素中產生多域 製造液晶_示器之液晶的方法類似於 三實施例之範例。 一基板具有利用沉積與微影在玻璃基板上以非晶矽形 成之TFT陣列23 0，TFT 2 3 0包括閘極：鉻層20 9，氧化石夕或 氮化石夕：閘極絕緣層2 1 〇，#晶石夕：半導體層2 1 2與汲極一 源極：鉬層2 1 1、2 1 3，並以此順序在基板2 0 7上形成之。

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，並 銮號.90130696 五、發明說明（36) ，極電極213與以ITG形成之正方形晝素電紀 在运些元件上沉積氧化矽或氮化矽的保護層2〇5 在此 中 製備具有黑矩陣的彩色渡光基板當成; 目對基板， ，板的整個表面上已沉積ITO，在相對基板上每個書 心的對稱中心處形成側邊微5微米長的 一’、 間隔物以感光壓克力樹脂形成之長且的呈正有方間隔物⑴ -.L π w』么丄 儿具有3. 7微米的高 度。在上、下基板塗佈同向異質配向膜2〇 1所得商標為"SE 1211"的產品），並以2 產^子 固化該密封物。接著’在基板間注入具有負誘電；= 之向列型液晶20 8，液晶具有〇.〇96的雙折射 ' 入口以感光樹脂密封。 ^ ^ ^ ，相著提供具有與液晶1相同絕對值但符 的負補償膜.，在上、下基板配置偏光板 \ 偏光板之透過軸與四分之一波导 緩慢軸夾45度，以達成相反的圓形極化。刀之波長板之 因此可量測所得到的面板光學性f， 少或沒有灰階反轉的面板在廣視角具有高以出2較 t光學顯微鏡下觀察畫素，沿偏光 “卜’

域，可提供具有高亮度的面板。 、軸-有暗Q (範例5 ) 重複範例4以形成如第6人至6(；圖中 7=:::成之無電極區域_，“二 ^ 產生除里素電極與沿正方形畫素電極對角線分 的無電極區域外之液晶顯示面板。Μ對角線刀布 571165 案號 90130696 一年 月 月 曰 五、發明說明（37) 因此可量測所得到的面板光學性質，結匕 少或沒有灰階反轉的面板在廣視角具有高辦^出具有較 在光學顯微鏡下觀察晝素，沿偏光板的透又’此外， 域，可提供具有高亮度的面板。 沒有暗區 (範例6 ) 重複範例4以產生TFT基板，如第11圖中 蝕刻閘極絕緣膜的一部分以形成凹陷部223， 用微影 度ITO以產生如第丨1A與1 1B圖中所示之結構，二=上濺 4成為IT0 2 04的一部分，因此可得如範例4的液晶面板。 因此可量測所得到的面板光學性質，結果指出具 少或沒有灰階反轉的面板在廣視角具有高對比度，此 在光學顯微鏡下觀察畫素，沿偏光板的:透過軸沒哜 域，可提供具有高亮度的面板。 -；；：： 日时 (範例7 ) 重複範例4以在玻璃基板上形成TFT，TFT包括如範例4 所敘述胃之閘極鉻層、氧化矽或氮化矽—閘極絕緣層、非晶 石夕半‘肪層及閘極-源極-鉬層，且在基板上以此順序形 成之’並在這些元件上沉積氮化矽，在氮化矽膜上形成六 邊形的，素電極，畫素電極經由貫穿孔與源極電極連接。 如犯例4中’在具有黑矩陣之彩色濾光基板的整個表 面满:鑛I TO ’為相對基板，在相對基板每個晝素的對稱中 心形，側邊為5微米長的正方形間隔物，間隔物由感光壓 克力樹脂所組成，且具有4 · 0微米的高度。在上、下基板 塗佈，同向異質配向膜（得自日產化學工業所得商標為” S E 1211 ) ^ ^X2〇〇 °C加熱基板1小時以乾燥塗層。沿基板外圍

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案號 90130696 五、發明說明（38) 塗佈密封物，接著加熱面板以闽儿^ ^ ‘ 自嗜雷H/曰、t Λ 化密封物。接著，將具有 ^ n μ ± ( a λ廿丨ν丄土板之間，液晶具有〇 · 〇 9 5 的異向反射率C △ η )，亚以光[si儿& ^ , %圓化樹脂密封注入口。如蘇 例4中，提供具有與液晶層之雙杈 女犯 又斫射率絕對值相同作餑考 相反的負補償膜之面板，在上、下装把門阶/ U仁付號 、 下基板間配置偏光板盥四 分之一波長板，其偏光板的透過u 八+ 寄〆、 槔鮭十π洛& 、、去々,c逐過轴與四y刀之一波長板的緩 f又軸夾4 5度角’以達成相反的圓形極化。 因此可量測所得到的面板光學性質，結果指出且有較 少或沒有灰階反轉的面板在廣視角具有高對比度，此外， 在光學顯微鏡下觀察晝素’沿偏光板的透過軸沒有暗區 域’可提供具有南亮度的面板。 〈第四實施例〉 參考第1 2A與1 2B圖’敘述根據本赛明之第四實施例的 液晶顯示器，如第三實施例基於主動矩陣式驅動方法之液 晶顯示器，其畫素截面如第12A圖中所示，由第12β圖中之 C - C ’線所取。 第四貝施例與第二實施例不同之處在於晝素電極3 〇 4 經由貝牙孔與源極電極3 1 3連接而非直接連接。 在透明基板301上形成彩色濾光層314與遮光層315， 並在透明基板的幾乎整個表面上形成共通電極3〇2，且在 共通電極302上塗上同向異質配向膜3〇3。 在下基板30 7的上表面提供TFT 33〇，鉻閘極電極（掃 描訊號電極）3 0 9位於電晶體33〇上，在閘極電極3〇9上覆蓋 由氧化石夕與氮化矽所組成之閘極絕緣膜3丨〇，在閘極電極 3 0 9 Ji @由閘極絕緣膜3 1 0形成由非晶矽組成之半導體膜 m 獅

I 第43頁 7061-4533-PFl(N).ptc 571165 案號 90130696 年 月 曰 五、發明說明（39) 312 ’半導體膜當成TFT 330的主動層。配置汲極電極311 與源極電極3 1 3使其與半導體膜3丨2的一部分重疊，汲極與 源極電極由鉬所組成。 在所有元件上形成由如氮化矽組成之保護膜3丨〇，保 護膜3 1 0可只由氮化矽所組成，或在氮化矽上覆蓋其他如 壓克力樹脂之有機膜，汲極電極311與源極電極313經由摻 雜η雜質之非晶矽（未顯示）而與半導體膜3丨2之一部份重 疊，晝=電極30 4經由貫穿孔316與源極電極313連接。 嫂、Π2!圖中所示，汲極電極311與資料線（視訊訊號 ί 換句話說，汲極電極311成為資料線的一部 y，樣地’閘極電極3 0 9成為掃描訊號_9a的一部 3V並保二膜=上提供與源極電極31 3連接之畫素U 304亚在晝素電極上塗佈同向異質配‘膜。 *辛電極3:二例巾源極電極3 1 3與畫鲁電極30 4連接以對 畫素電極304施加視訊訊號，播 死伐 的開/關，在此實施例中佥夸田°號用來控制視訊訊號 狀，書辛電θ + 旦素電極3〇4具有八邊形之對稱形 素電極30 4具有如第2C圖中之圓形、五邊形或正方 如弟二貫施例中，在 302上提供棒狀間隔物319丄：：：配：膜的共通電極 質配向膜303，谅曰八工 兀在畫素電極3〇4塗佈同向異 板配列。 /日日刀一般在沒有施加電壓時垂直於基 當對問極電極3 〇 9施加電 電極施加電壓，因此跨過 Ζ使TFT作用，亦對源極 302產生電場，由於畫 極3〇4與相對之共通電極

7061-4533-PFl(N).ptc 第44頁 :丨丨画_--二、有對稱形狀，且共通電 571165

i 號 9013_ft 五、發明說明（40) 極302具有比畫素電極3〇4更大 方向對基板並非垂直，取外：尺寸’電極間電場的 方向t傾料 ^ 取代的是，電場在朝向書辛中心的 308以對稱方式朝向晝素的中負二丰異—方性之液晶分子 的對稱形成時可產生多域。“ D 來，當維持分子 理二 不需對配向膜作特殊處 配向，因此可增加視曰角曰:子與其他域中之液晶分子不同地 稱中心：處及3::::，間隔物位於晝素電極接近對 域不同地配列的個別。液的角色’以補償與其他 由具有單軸負補償膜與=ς之一波 θ 似於第-實施例與第三實施例中所得〜:特二：ί ::: f 具有多邊形形狀且液晶分子.特別疋當晝素電極 時，四分之-波長板可提供較古二：上具有較大的分布 上得到偏光板之方向，也:=度，亚可在任一方向 i就疋具有廣視自的方6 由上可更清楚，根據本發明 σ 。 之液晶分子，可將書辛&八: 用八有負誘電率異方性 分子與其他域之液晶其中在此多域之液晶 殊處理，因此可增加視角。。 -己列，而不須配向膜的特 對於主動式矩陣液晶顯示器而言，& _ & 號線3 0 9 a及視訊訊號線;3彳丨.;自％描汛 線會影響書素電極，^韓’之，向電場所產生的旋轉位移 用增加掃描訊號線3〇9a或視訊訊號線3lla:書辛：二4利 ^巨離解決此^ ‘然而，若當畫素二

7061-4533-PFl(N).ptc 第45頁 彳 從轉位移線會 曰 571165 571165 業號 90130696 五、發明說明（41) ΐ二ί好不要有太大的距離。另-解決干擾問題的方、” 冬遮蔽電極或一部分的畫素電極放士 /疋 與視訊訊垆雷托q 1 1 Ρ沾η , 置在扣^田δί1咸電極3 0 9a 祝Λ Λ唬電極31 la的至少一個之上表面上。〆 素電極304遮蔽所有的掃描訊妒雷 而止旦 311&時，開口率合變小//^㈣^與視訊訊號電極 U此覜點，將遮蔽電極或蚩辛雷 極3 04的一部分放置在掃描訊沪雷 旦素電 〇! , k ^ 3田口tL派冤極3〇9a與視訊·訊號電極 3二㈣上表面上以避免降低開口率，配置的選擇視二極 =形狀、掃描訊號電極30仏與視訊訊號電極3Ua的配2及 產生遮蔽電極的方法而定。 雷*二of Ϊ的設計’由於開口率的關係、，只能在掃描訊號 電極30 9a或視訊訊號電極311a間提供不足夠的距離，為了 確保較佳的液晶分子預傾角之控制，可)使用光配向膜當作 配向膜，根據光配向膜的本質與特性，|照射斜角的極化光 或非極化光，小量的單體可包括在液‘中以避免干擾液晶 的方向，可聚合反應單體以保留適當的方向。 為了穩定域的邊界，可在如第4A至4£：圖中所示之晝素 中，成凹口；另一方法為，在如第5人至511圖中的晝素電極 之每個角形成突出物，可移除畫素電極的一部分以形成如 第6A至6G圖中所示之無電極區域。 此外，如第1 1 A至11 β圖所示，可在晝素電極的一部分 中形成如第7Α至7G圖中所示之凹陷部，可在晝素電極上個 別地或整合地形成凹陷部。 如第一實施例中，在偏光板與玻璃基板間放置負補償 膜以在電壓關狀態下的液晶分子中消除相遲緩，即使觀察 者在螢幕前移離螢幕數吋，顯示器的黑仍非常黑。

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原則上，當沒有施加電壓時液晶分子以垂直配列基 巧；然而’配列會受如晶胞特徵的干擾。在此情況下，可 提供具有正誘電率異方性的額外膜以補償干擾。 在上述敘述中，假設液晶分子具有負誘電率異方性， 且在沒有施加電壓時液晶分子以垂直配列基板；然而，卷 液晶分子具有正誘電率異方性且在關狀態時以扭轉向列^ 式配列時，可達成類似第二實施例中的敘述，亦可增加視 角。在此例中，液晶層區分成如第8 A與8B圖中所示^四^ 明顯的域。對於扭轉向列液晶而言，畫素最好具固 形狀。 $止方形 ^ 當晝素相對地大時，可在每個晝框的初使前施加接、斤 臨界電壓值（高於或低於臨界電壓）的電:壓以驅動顯示哭近 此電壓可定義液晶分子的傾斜角，並可比不施加此 ^ ’ 驅動液晶顯示器更快且更正向地形成域。 i而 的響應 漏光，漏 的退化。 四實施例 s施加高於臨界值時的電壓以增加液晶顯示 速率時’在液晶分子傾斜的每個畫素周圍會發生 光會造成對比度的退化，遮蔽外圍可避免對比度 可以用與第一實施例相同方法而產生根據第 液晶顯示器之液晶。 接下來敘述第四實施例之範例。 (範例8 ) …重複範例4以在玻璃基板30 7上形成TFT，TFT 3 30包括 如範例4中所述之閘極鉻層3 〇 9、氮化矽絕緣層3 1 〇、非晶 矽-半導體層31 2及汲極-源極-鉬層3丨丨與31 3，且在基板上 以此順序形成之，並在所有元件上沉積氮化矽3 〇 5，在氮 第47頁 571165 案號 9013069R 五、發明說明（43) 化矽膜305上形成八邊形的畫素電極3〇4，晝素電極3〇4經 由貫穿孔3 1 6與源極電極3丨3連接。 . 如範例4中，製備具有黑矩陣的彩色濾光基板當成相 對基板，在此基板的整個表面上沉積丨τ〇，在上、下基板 $佈同向異質配向膜303 (自日產化學工業所得商標為^se 211"的產品），並以20〇 〇c加熱基板^、時以乾燥塗層。沪 J，外圍塗佈密封物’ m佈間隔物’接著加熱基板二固:匕 二在封物。接下來，在基板間注入具有負誘電率異方性 向列型液晶3 08，注入口以感光樹脂密封。接著提供且 2液晶層相同絕對值但符號相反之反射係數的負補償膜， 過ΐ板配置偏光板與四分之一波長板，$光板之透 過轴垂直於四分之一波長板之緩慢軸。 因此可量測所得到的面板光學性質，、結果指 乂或沒有灰階反轉的面板在廣視角具有 -乂 (範例9 ) ^ 重複範例8以製備除且古τ:士立/ > # + m基板及彩色请：：曰有正方形之畫素電極312外之 膜，極化紫外光自四個方向以钭:佈先配向 .^ # 飞 舨預傾角朝向沿正方形的条飧宗 義之域邊界照射紫外光，因&， 2的對角線疋 子以不不方向配列的域邊界。“ 角線補償液晶分 並接二ν::Λ封物且在密封面板前注入液晶， 儿條耆杈仏具有與液晶層之雙 反的負補償膜之面;I：反，在i 车f值相同但符號相

7061-4533-PFl(N).ptc 第48頁 之一波長板’其偏光板的透過軸：反0、配置偏光板與四分 ----遇過輪與四分之一波長板的緩慢 571165 案號 901306% 五、發明說明（44) 轴夾45度角，以達成相反的圓形極化。 因此可量測所得到的面板光學性質，結果指出具有較 少或沒有灰階反轉的面板在廣視角具有高對比度，此外， 在光學顯微鏡下觀察畫素，沿偏光板的透過軸沒有暗區 域’可提供具有高亮度的面板。亦可在驅動操作時在光學 顯微鏡下觀察晝素，如此一來，在範例6觀察之.畫素中沒 有看見異常的旋轉位移線。 s偏光板的透過軸配列面板的上-下方向時，所得之 顯示器在上-下方向具有特別高的對比度，當偏光板之透 過轴爽45度時’光學性質改變不多，在與面板表面夾45度 的方向中可得特別高的對比度。 (範例1 0) 電極接近對稱中與彩色痛光片基板，在畫素

配向膜（自日產化學工掌18所上、了基板塗佈同向異質 加熱基則小時以乾焊K传商標為，'SE ，以20(TC 接著，注入具有負：此仔到-面板。 液晶溶液（自日太點* \ 电午兵方性且包括向列型液晶的 十狀兄公司所復龙 溶液整體重量〇·2 wt%)及/仔商k為nMJ95 95 5 )(相對於 相對於單體總重量為5^始劑（零售商"IRGANOX 90 7 π ， 以避免液晶溶液暴露於光^ °十分小心地密封面板組裝， 個別地施加〇 V與3 ν的電ρ 。當對共通電極與畫素電極 板的整個表面，以聚合反二=’將紫外光自TFT側導至面 供具有與液晶折射;$，於液晶内的單體。接著提 571165

m_9〇13〇696 五、發明說明（45) :膜：面板，在上、下基板間配置偏 板，其偏光板的透過軸與四分之一波反與四分之一波長 角，以達成相反的圓形^化。 、反的緩慢軸夾4 5度 因此可董測所得到的面板光學性質，红 =或沒有灰階反轉的面板在廣視角具：果指出具有較 在光學顯微鏡下觀察晝素，沿偏光板的透^比度，此外， 域可提供具有向亮度的面板 在又有暗區 有看見異常的旋轉位移犯例9觀察之晝素中沒 (範例1 1) TFT美重杯複/巳例^ ^製備除具有正方形之晝素電極312外之 且可量測其響應^…例8中七方法製備-面板’ =注意在沒有任何的偏壓5 ¥的驅:動 施加5J的電壓時的40ms後穿透光之量並非常數；另Ρ = ，田首先轭加2 · 2 V的偏壓再施加5 v的驅動電壓時，穿 透光的量在5 V電壓施加後的20 ms即為常數。 〈第五貫施例〉 參，第13A與13B圖，敘述根據本發明第五實施例之液 曰曰顯不态’此顯不器為如第三與第四實施例中之主動式矩 P驅動方法，其晝素截面如第13A圖中所示，係自第咖圖 中之D一D，、線所截取，在第五實施例中，在下基板 彩色濾光層。 # 在上透明基板401的幾乎整個表面上形成共通電極 402 ’並在共通電極402上塗佈同向異質配向膜4〇3 〇在下

7061-4533-PFl(N).ptc 第50頁 571165

基板40 7上提供TFT 430，並在電晶體430上放置Cr閘極電 極（jf描訊號電極）409，在閘極電極4〇9上覆蓋氮化矽的閘 極絶緣膜4 1 〇，在閘極電極4 〇 9上經過閘極絕緣膜4丨〇形成 非晶矽的半導體膜412，半導體膜當作TFT 430的主動層， 配置汲極電極4 1 1與源極電極4 1 3使其與半導體膜4 1 2的一 部分重豐，汲極與源極電極由鉬所組成。在所有元件上形 成由如氮化矽組成之保護膜405，汲極電極411與源極電極 4 1 3 It由摻雜η雜質之非晶石夕（未顯示）而與半導體膜4 1 2之 一部份重疊。 如第13Β圖中所示，汲極電極41 1與資料線（視訊訊號 線）41 la連接，換句話說，汲極電極41 i成為資料線4ι 的 一部分。同樣地，閘極電極4 〇 9成為掃描訊號線4 〇 9 a的一 部分。 在第五實施例中，在保護層405上形成彩色濾光層4丨4，此 外’在保護層40 5上形成遮光層415以覆蓋TFT的主動層 412 ’並在彩色濾光層414與遮光層415上覆蓋一覆蓋層 4 1 7，覆盍層由幾乎不累積電荷的透明絕緣材料所組成。 如第三實施例中，可在共通電極4〇2上形成棒狀間隔 物；然而，最好在畫素電極404上形成間隔物，以增加 上、下基板邊緣定位的精確度。此外，可在共通電極4 〇 2 與畫素電極4 04上塗佈同向異質配向膜4〇3後形成間隔物， 第13A與13B圖顯示此例，其中在晝素電極4〇4上形成棒狀 間隔物419後塗佈同向異質配向膜4〇 3。 在覆盍層417上形成經由貫穿孔416與源極電極413連 白勺t f電才虽4 0 4 ’並在此畫素電極上形成同向異質配向 571165 案號 90130696 曰 修正 五、發明說明（47) 膜4 03，由於同向異質配向膜的存在，在沒有施加電壓 時’液晶分子4 0 8大體地垂直於基板而配列。 當對閘極電極4 0 9施加電壓以作用τ F τ時，亦對源極電 極4 1 3施加電壓，因此跨過畫素電極4 〇 4與相對的共通電極 4 0 2產生電場，如上述實施例中，晝素電極4 〇 4具有對稱的 形狀，且共通電極402比畫素電極4〇4具有更大的外圍尺 寸，電極間的電場方向對基板並非垂直，取代的是，電場 在朝向晝素中心的中心方向上傾斜，電場使得具有負誘^ 率異方性之液晶分子4〇8以對稱的方式朝向晝素的中心， 如此一來，當維持分子的對稱形成時可產生多域。 ， 在根據本發明之方法中，畫素可自動地區分成 其中多域中的液晶分子不同於其他域中:之液晶分子二， 而不需任何配向膜特殊的處理，因此可々增加視角。-列， 如上述實施例中，棒狀間隔物位於晝素電極拯 中心之處’間隔物扮演不可或缺的角&，以補Ά斜稱 之液晶分子不同地配列的個別域，由單軸負他域 之一波長膜所得之優點類似於第三與第四貝' 與四分 更為清楚，根據本發明使用具有負誘電显性^由上可 的處 理 :夜素區分綱，在多域中之液晶分晶分 之液日日刀子不同地配列，而不需任何配、、他域 因此可增加視角。 肤符殊 〇在第五實施例中，畫素電極4〇4足以與間極綠 唬線）4 0 9a與汲極線（視訊訊號線）41 &區分，、β τ栺訊 t提供由外部電4的景；:可在電

7061-4533-PFl(N).ptc 第52頁 配向幾乎不受由電極所產生之電 液：分子之 571165 案號 90130696 曰 修正 五、發明說明（48) 在第五實施例中，在彩色濾光層4 1 4與液晶層4 0 8間配 置晝素電極4 04，如此可消除彩色濾光層4 1 4與畫素電極 4 0 4間的邊緣定位，因此可明顯地增加基板壓合的精度。 具有開口或在其内形成之挖除部份（cut〇ut)的共通電 極不能獲得此一明顯、有優點的影響，此外，可利用在彩 色濾、光層414與液晶層40 8間放置畫素電極404來減少自掃 描訊號電極4 0 9a與視訊訊號電極41 1的橫向電場之影響。 此結構提供解決在彩色濾光層的濾光層上之電荷累積 所造成之色彩扭轉的問題，特別是在丨PS液晶顯示裝置與 同向異質配列型液晶顯示裝置。 如第三與第四實施例中，可更精確與更正向地控制液 日曰刀子的倾斜角’為此’可使用光配向膜當作配向膜，且 根據光配向膜的特性與特徵而照射斜角的極化光或非極化 液晶中少量的單體可避免干擾液晶配向，並可 水a ^應早體以維持適當方向。 通常i ί ，的透過軸彼此垂直時’所得之液晶顯示器為 視角與二遲： = 與正補償膜及偏光板以降低 態，象品質視：此可在全視角達成黑狀 在沒ΐ ί ϊ ΐ :液晶分子具有負誘電率異方性且 有正誘電率異方二垂直配列基板；，然而’當液晶分子具 方向，且在關狀L日！’可達成如第二貫施例中所述之類似 角。在此例中Γ:以扭轉向列方式配列’因此可增加視

7061-4533-PFl(N).ptc 第53頁 域，由於是扭韓2::層區分成如第“與卟圖中四個明顯的 - σ列液晶，畫素最好是正方形。 571165 案號 90130696 五、發明說明（49) 以與第一實施例中相同之方式可產生根據第五實施例 液晶顯示器之液晶。 接著，敘述第五實施例之範例。 (範例1 2) 重複範例4以製造在玻璃基板40 7上利用沉積與微影形 成具有非晶矽的TFT陣列430，TFT 4 3 0包括間極-鉻層〜7 4 0 9，氧化矽或氮化矽-閘極絕緣層4 1 〇，非晶石夕—半導體層 4 1 2與汲極-源極-鉬層4 1 1、4 1 3，並以此順序在基板上形 成之。在閘極絕緣膜4 1 0上形成保護膜以覆蓋汲極電極 4 1 1、源極電極4 1 3與半導體膜4 1 2。 在保護膜4 0 5上形成彩色濾光層與遮光層，經由微影 使用包括如紅、綠或藍色染料或顏料的:樹脂膜形成彩色濾 光層4 1 4，使用包括黑色染料或顏料的赛光樹脂形成遮光 層4 1 5，另一做法為使用金屬形成遮光層41 5。 使用包括如在一負感光壓克力樹脂中提供所需光學性 質之紅色顏料的顏料分散樹脂，在保護膜上塗佈顏料分散 光阻以形成光阻膜，並以光罩使光阻曝光以在光阻膜上達 成預定區域之選擇性曝光，也就是以矩陣形式配置的畫素 區域。，曝光後，利用顯影液對膜進行顯影以形成預&圖 案，重複類似的方法，如每個紅、藍、綠顏色三次以形成 彩色濾光層4 1 4。 在彩^濾光層414與遮光層415上形成由透明絕緣材料 組成之覆蓋層4 1 7，覆蓋層4 1 7的材料可由如壓克力樹脂的 熱固性樹脂所組成，當本實施例之覆蓋層4丨7由如壓克力 樹脂的熱固性樹脂所組成時，其可由感光透明樹脂所組 571165

修正 413連接後的’覆盖層417上形成經由貫穿孔416與源極電極 ’，方形晝素電極404，利用感光壓克力樹脂在書 物。虽的對稱中心高度3· 5微米，側邊5微来長的棒狀間隔 在f個表面濺鍍1 TO膜所製備之玻璃基板當作相對基 如耗例4中，在上、下基板塗佈同向異質配向膜 2⑽。化學工#所得商標為，，SE 1211”的產品），並以 二、、、基板1小時以乾燥塗層。沿基板外圍塗佈密封 物’接著利用加熱固化該密封物。接下來，在基板間注入 具有負誘電率異方性之向列型液晶，液晶具有0· 0 9 6的雙 折射率（Δη)，注入口以感光樹脂密封丨接著提供具有與 液晶層相同絕對值但符號相反之反射俺丨數的負補償膜，在 上、下基板配置偏光板與四分之一波長:板，偏光板之透過 軸與四分之一波長板之緩慢軸夾4 5度，以達成相反的圓形 極化0 因此可量測所得到的面板光學性質，結果指出具有較 少或沒有灰階反轉的面板在廣視角具有高對比度，即使當 旦素很小時’組裝上、下基板亦不需邊緣定位。 (範例1 3) 重複範例11以製造除如第5 Α至5 Η圖中所示具有突出物 之畫素電極之面板。 因此可量測所得到的面板光學性質，結果指出具有較 少或沒有灰階反轉的面板在廣視角具有高對比度，在範例 11的例子中，在畫素中並沒有看到旋轉位移的缺陷。

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(範例1 4 ) 重複範例1 2以在彩色渡光層4 1 4與覆蓋層4 1 7上形成正 方形晝素電極以製造TFT基板，如範例3中，使用由jSr所 付之配向膜以1^-428’’與具有正誘電率異方性之液晶 ” ZL1 47 92”而不需使用旋光性材料來製造面板，並如範例3 中進行摩擦，重複範例9中之方法以提供除沒有使用單軸 負補償膜之液晶面板。

、因此可量測所得到的面板光學性質，結果指出具有較 少或沒有灰階反轉的面板在廣視角具有高對比度，即使合 晝素很小時，組裝上、下基板亦不需邊緣定位，此外，^ 擦方向可能的偏差亦不會影響亮度。 (範例1 5) 具有突出物之晝 重複範例13以製造除如第5A至5 Hu 7中 素電極之面板。 因此可量測所得到的面板光學性質，結果指 少或沒有灰階反轉的面板在廣視角具有高對比户。八有較 (範例1 6) 重複範例4以製造除沒有使用四分之一波長才 板’接著，可量測面板的響應速率，如此—來，反^之面 使在施加5V的電壓時的40 ms後穿透光之量並非^可發現即 一方面，當首先施加2. 2 V的偏壓再施加5 v的驅*數；另 時’穿透光的量在5 V電壓施加後的2〇 ms即為=電壓 果指出施加偏壓可增加響應速率；然而，對比声数。此結 V的偏壓之23 0 0降低至2. 2 V的偏壓之〗μ。 X自沒有0 畫素周圍之露光是此主要原η取

7061-4533-PFl(N).pt - 乂$矩陣遮住 5?1l65

Ss 90130696 年 月 曰 修正 五、發明說明（52) 響應區域，對比度為2〇〇〇。 在施加沒有偏壓的5 V電壓30 ms後穿透光的量變為常 數，在此情況下，首先施加2 · 2 V的偏壓並施加5 V的驅動 電壓時，在施加5 V的驅動電壓1 〇 ms後穿透光的量變為常 數’此結果意味著四分之一波長板實質增加了響應速率。 (範例1 7) 重複範例1 2以提供除具有2微米高度之間隔物4 1 9的面 板，在液晶配向膜處塗佈同向異質配向膜（得自日產化學 工業所得商標為，，SE 1211”），且不需摩擦。接著，注入具 有負誘電率異方性之液晶，此液晶具有〇 · i 6 6 9的異向反射 率（△ η ) 並雄封/主入口。如範例4中，配置單轴負補償 膜、四分之一波長板與偏光板以製造液晶面板。 因此可量測所得到的面板光學性貧，結果指出具有較 少或沒有灰階反轉的面板在廣視角具有高對比度，=偏光 板之透過軸沒有暗區域，可提供具有高亮度之面板。 以施加此電壓驅動之面板對每個丨6· 7 ms的晝框 8· 3 ms的黑狀態，如此一來，可清楚地看見動畫。 ’、 (範例1 8 ) ^ 重複範例4以製造在單軸負補償膜處貼合之半 的液晶面板，如第14圖中所示，偏光板之透過軸邀皮長板 一波長板之缓慢軸炎角如下，下基板上偏光板透四分之 向601垂直於上基板（彩色濾光基板）上偏光板之义軸之方 下基板（TFT基板）上半波長板緩慢軸之方向6〇向6〇2。 板（彩色濃光基板）上半波長板緩慢軸之方向相同"、上基 下基板（TFT基板）四分之一波長板緩慢軸之方向6〇4垂直

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案號 90130696 五、發明說明（53) 上基板（彩色遽光基板）半波長板之緩 板（TFT基板）上半波長板緩慢軸6〇3的方向相同。下基 下基板（TFT基板）上偏光板透過轴 7迫時針旋轉而與 因此可量測所得到的面板光軸學之二向，5度。 少或沒有灰階反轉的面板在廣視角具二土果指出具有較 顯微鏡下觀察晝素，結果沿偏光板 :’比度，在光學 可提供具有高亮度之面板。 之透過軸沒有暗區域， 本發明並不限於具有棒狀間隔物 供突起物、隆起物或突出物取代間^ 日日”、、員不I置，提 類似效應。 取代間^物以提供產生多域的 具有突出物之實施例敘述如下。 〈第六實施例〉 曰顯參！_ ’敘述根據本明第六實施例之液 日日，..，貝不為，本液日日顯不器係如第三實施:例中之主動 Γ:Ε動線截面如第W圖中所示’係自咖圖中之 TFT根Λ第：/^之液晶顯示器包括如第三實施例之 TFT ’在共通電極7 02上形成至少一個突出物（突出結 構）719以取代棒狀間隔物，其他元件與零件則類似第三實 施例所述。 突出物7 02最好為類似對稱晝素電極的圓錐形，突出 物材料之介電常數最好小於液晶材料之介電常數。 突出物7 19最好具有等於或大於共通電極7〇2與晝素電 極704間距離的5%，如此會因為突出物719的高度小於距離 的5%而幫助產生多域結構，可避免突出物成為域的邊界

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五、發明說明（54) 突出物719更好具有等於或大於共通電極7〇2與畫素電 極704間距離之10%至90%，當沒有大於9〇%的高度確保間隙 不會超過100%時，等於或大於10%的高度可更有效地產生 多域。

如第二貫施例中，當對閘極電極7 〇 g施加電壓以使T F T 作用時，可因此跨過晝素電極7 〇 4與相對的共通電極7 〇 2而 產生電場，由於晝素電極70 4具有對稱的形狀，且共通電 極7 0 2比晝素電極7 〇 4具有較大之外圍尺寸，電極間的電場 方向對基板並非為垂直，取代的是，電場在朝向畫素中心 的方向傾斜’這些電場使得具有負誘電率異方性之液晶分 子7 0 8以對稱方式朝向畫素的中心，如此一來，在維持分 子的對稱形成時可產生多域。 由上可更清楚，不需對配向膜作聲殊的處理，可將晝 素區分成多域，而多域中的液晶分子與其他域的液晶分^ 不同地配列，因此可增加視角。

位於對稱畫素接近中心之處的突出物719扮演不可或 缺的角色’以補償與其他域之液晶分子不同地配列的個】 域，由單軸負補償膜與四分之一波長板所得之優點類似 三實施例中所得，特別當畫素電極具有多邊形且液晶分γ ，方位方向上具有較大的分布時，四分之—波長板;二^ 車^大的亮度，並可在任何方向上決定偏光板的方向也） 是廣視角的方向。 電極7lla與晝素電極70 4間之距離，另―解決干

7〇6l-4533-PFl(N).ptc 為避免自問極線（掃描訊號線）7 093與及極線（視訊訊 破線）7113電場方向的干擾，可增加掃描訊號電極”“ 571165 案號 9013069fi 曰 修正 五、發明說明（55) 擾問題之方法為將遮蔽電極或晝素電極7〇4的一部分放置 在掃描訊號電極7 〇 9 a與視訊訊號電極7 11 a的至少一個之上 表面上’並視畫素的設計，及由於開口率的關係，只能在 掃描訊號電極2 0 9a或視訊訊號電極2 1 1 a間提供不足夠的距 離’為了確保較佳的液晶分子預傾角之控制，可使用光配 向膜當作配向膜，根據光配向膜的本質與特性，照射斜角 的極化光或非極化光，小量的單體可包括在液晶中以避免 干擾液晶的方向，可聚合反應單體以保留適當的方向。 為了穩定域的邊界，可在如第3圖中所示之畫素中形 成凹口，凹口可朝向每個對稱形狀之外圍徑向向外地延 伸，對於多邊形晝素電極而言，可在每個晝素的角邢 口 104b，另一方法為，如第4^4ε圖中，畫素電極^且有 自電極外圍徑向向外延伸的突出物丨〇4έ，對於多 ς 電極而言，可自每個多邊形的角延伸突出物104c。：雷 極可具有沒有電極在上形成之無電極區域1〇4d =素

6G圖中之虛線所指，無電極區域md|對稱電 f U 向向外地延伸；此外，蚩夸雷托可 勺中心位 、丨甲，此汁旦素電極可具有凹陷部i 〇4p ^ 7A至7G圖中之實線所指，凹陷部1〇“自對稱電 ϋ 向向外地延伸，可個別地或整合地在畫素 )]中心徑 部1 04e，亦可使用上述結構的結合。—’、° 形成凹陷 當在偏光板72 0與玻璃基板7 01間放置單 722時，可消除關狀態時的相^緩，即 、補仏膜 移離螢幕數吋，顯示器的黑仍非常黑。 ” 螢幕前 在上述敘述中，假設液- 571165 ___宏號· 90130696 年月日_修正___ 五、發明說明（56) 液晶分子具有正誘電率異方性且在關狀態時以扭轉向列方 式配列時，可達成類似第二實施例中的敘述，亦可增加視 角。在此例中，液晶層區分成如第8 A與8 B圖中所示之四個 明顯的域。對於扭轉向列液晶而言，晝素最好具有正方形 形狀。 (範例1 9) 重複範例4以製造TFT基板與當作相對基板的彩色濾光 基板，製造側邊為5微米長的角錐形突出物以取代棒狀間 隔物，突出物由感光壓克力樹脂所組成，且具有3 · 7微米 的局度。

經由SEM觀察突出物，結果發現由於曝光、顯影及加 熱的效應’上部分為較低的’但形狀接'近角錐形，如範 i中濃佈3. 7微米的間隔物以產生液晶每:板。 因此可量測所得到的面板光學性質，結果指出具有 少或沒有灰階反轉的面板在廣視角具有高對比度，且沪" 光板之透過軸沒有暗區域，可提供具有高亮度之面板:’ 顯然地，本發明並不限於上述實施例，但在不脫 匕明之範疇與精神下，仍可對本發明作些許的修飾與變

571165 _案號 9Q130696

修正 圖式簡單說明 本發明之上述與其他目的、 列發明詳述與隨附的附圖而 j =與優點可藉由參考下 第1A圖為傳統液晶顯示丄其中 第1B圖為具有如第"圖中之圭：素之截面圖； 平面圖； 旦素的傳統液晶顯示器之 第1C圖為具有如第1A圖中佥 平面圖； 旦素的傳統液晶顯示器之 第2 A圖為根據本發明之第一每 一圭辛的截而岡 总ώ结。 貝^例的液晶顯示器中單 υπη圖中之“’線所截取； 圖；第圖為具有如第2Α圖中之晝素的液晶顯示器之平面 第2 C - 2 G圖為示範一此佥去翁技^丄 m l - 1二旦素電極結構的概念圖示； 弟<3 A <31圖為不弟色.一 jtt*金姜《 φ 二 +主# &丄α 二旦素電極結構的概念圖示，哕 畫素電極由彼此連接之各複數個畫素所構成；圓丁 。亥 第4 Α-4Ε圖為示範一些在畫素電極中形 口 電極結構的概念圖示； 之|素 第5 Α-5Η圖為示範一些在晝素電極上形成突出物之書 素電極結構的概念圖示； ~ 第6A-6G圖為示範一些具有沒有形成電極的無電極區 域之結構的概念圖示； ’' " 第7A-7G圖為示範一些在畫素電極中形成凹陷部 (c ο n c a ν e)之畫素電極結構的概念圖示； 第8 A圖為根據本發明之第二實施例的液晶顯示器中單 一晝素的截面圖； 第8B圖為第8A圖中晝素區分成四個液晶分子域的平面

7061-4533-PFl(N).ptc 571165 ‘ _案號90130696_年月日 修正_ 圖式簡單說明 圖， 第9 A圖為當沒有施加電壓時，液晶層具有均勻結構之 液晶顯示器的截面圖； 第9B圖為第9A圖之顯示器中一畫素區分成兩個液晶分 子域的平面圖； 第10A圖為具有在畫素電極中形成内凹部之晝素電極 的液晶顯示器截面圖，係自第10B圖中之B-B’線所截取； 第10B圖為第10A圖中之液晶顯示器的平面圖； 第1 1 A圖為根據本發明之第三實施例的液晶顯示器的 截面圖，係自第11B圖中之D-D’線所截取； 第11B圖為第11A圖中之液晶顯示器的平面圖； 第12A圖為根據本發明之第四實施_的液晶顯示器的 截面圖，係自第12B圖中之C-C，線所截參； 第1 2B圖為第1 2A圖中液晶顯示器之平面圖； 第1 3A圖為根據本發明之第五實施例的液晶顯示器的 截面圖，係自第13B圖中之D-D’線所載取； 第13B圖為第1 3A圖中液晶顯示器之平面圖； 第1 4圖為偏光板透過軸與四分之一波長板和半波長板 之緩慢轴的平面圖； 第1 5A圖為根據本發明之第六實施例的液晶顯示器的 截面圖，係自第15B圖中之E-E’線所截取；及 第15B圖為第15A圖中液晶顯示器之平面圖。 符號說明 1 (Π〜透明基板； 1 0 2〜共通電極；

7061-4533-PFl(N).ptc 第63頁 571165 案號 90130696 曰 修正 圖式簡單說明 1 0 4〜晝素電極； 104b〜凹口； 104d〜無電極區域 1 0 5〜絕緣膜 I 0 7〜下基板 II 6〜貫穿孔 103〜同向異質配向膜 1 0 4 a〜遮蔽電極； 1 0 4 c〜突出物； 1 0 4 e〜凹陷部； 1 0 6〜配線電極； 1 0 8〜液晶分子； 1 1 7〜接近上基板之液晶分子的配向 1 1 8〜接近下基板之液晶分子的配向 1 1 9〜間隔物 1 2 0〜偏光板 m〜 四 分 之 一 波 長 板 ;122 〜 單 軸 負 補 償膜 2(Π〜 透 明 基 板 202〜 共 通 電 極 20 3〜 同 向 異 質 配 向 膜 ;2 04〜 畫 素 電:: 極 20 5〜 氮 化 矽 保 護 膜 ， 20 7〜 下 基 ， 20 8〜 液 晶 分 子 j 20 9〜 閘 極 電 極 y 20 9a 〜資料線； 210〜 閘 極 絕 緣 膜； 21卜 汲 極 電 極 211a 〜掃描訊號線 21 2〜 半 導 體 膜 213〜 源 極 電 極 21 4〜 彩 色 濾 光 層 215〜 遮 光 層 21 9〜 棒 狀 間 隔 物 ， 220〜 偏 光 板 j 22卜 四 分 之 一 波 長 板 ;222 〜 單 軸 負 補 償膜 22 3〜 凹 陷 部 ； 230〜 電 晶 體 ； 30卜 透 明 基 板 302〜 共 通 電 極 30 3〜 同 向 異 質 配 向 膜 ;3 04 〜 晝 素 電 極 ； 30 5〜 氮 化 矽 膜 3 0 7〜 下 基 板 j 30 8〜 液 晶 分 子 j 3 0 9〜 閘 極 電 極 9

7061-4$33-PFl(N).ptc 第64頁 571165 _案號90130696_年月日 修正 圖式簡單說明 30 9a 〜掃描訊號線 310〜 閘 極 絕 緣 膜 31卜 汲 極 電 極 311a 〜資料線； 31 2〜 半 導 體 膜 313〜 源 極 電 極 J 31 5〜 遮 光 層 316〜 -ω- 貝 穿 孔 ； 31 9〜 棒 狀 間 隔 物 9 320〜 偏 光 板 32卜 四 分 之 一 波 長 板 ； 322〜 單 軸 負 補 償 膜·; 4(Π〜 透 明 基 板 402〜 共 通 電 極 40 3〜 同 向 異 質 配 向 膜 > 404〜 畫 素 電 極 ； 40 5〜 氮 化 矽 膜 ； 407〜 下 基 板 ； 40 8〜 液 晶 分 子 40 9〜 閘 極 電 極 40 9a 〜掃描訊號線 410〜 閘 極 絕 緣 膜 9 41卜 汲 極 電 極 ， 411a 〜資料绛； ) 41 2〜 半 導 體 膜 413〜 源 極 € 極 ， 41 5〜 遮 光 層 > 417〜 覆 蓋 層 ， 41 9〜 棒 狀 間 隔 物 420〜 偏 光 板 42卜 四 分 之 一 波 長 板 ， 422〜 單 軸 負 補 償 膜； 43 0〜 電 晶 體 50卜 彩 色 濾 光 層 50 2〜 共 通 電 極 503〜 配 向 膜 5 0 4〜 晝 素 電 極 5 0 5〜 保 護 膜 ， 50 8〜 液 晶 分 子 517〜 切 除 部 份 601- 下 基 板 上 偏 光 板 之 透過 軸 方 向 60 2〜 上 基 板 上 偏 光 板 之 透過 軸 方 向 ， 60 3〜 上 Λ 下 基 板 上 半 波 長板 之 緩 慢 轴 方 向； 60 4〜 上 下 基 板 上 四 分 之一 波 長 板 之 緩 慢轴方向； 7(Π〜 透 明 基 板 ， 702〜 共 通 電 極

7061-4533-PFl(N).ptc 第65頁 571165 曰 案號 90130696 圖式簡單說明 70 3〜同向異質配向 7 0 5〜氮化矽膜； 7 0 9〜閘極電極； 7 1 0〜閘極絕緣膜； 7 1 1 a〜掃描訊號線 7 1 3〜源極電極； 7 1 5〜遮光層； 7 2 0〜偏光板； 72 2〜單軸負補償膜 膜；704〜晝素電極； 7 0 7〜下基板； 709a〜資料線； 7 11〜汲極電極； 712〜半導體膜； 7 1 4〜彩色濾光層；· 7 1 9〜突出物； 7 2 1〜四分之一波長板；

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Claims (1)

1. 571165 案號 90130696 曰 修正 -六Λ-坤請專ϋ範S1 1. 一種液 一第一基 一第二基 相對電極之面 一液 曰曰 在該第二 於相對應之該 2. 如申請 該第一基板具 連接的各單一 3. 如申請 各該突出物穿 晶顯示裝置，其包括： 板，在該第一基板上形成複數個畫素電極； 板，在該第二基板上形成一相對電極，且該 積大於該畫素電極之形狀；以及 ，夾於該第一基板與該第二基板間， 基板上更具有複數個突出物，各該突出物位 畫素電極的實質中心部分。 專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中 有複數個晝素，且由各該畫素由複數個互相 晝素所構成。 專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中 過該液晶層以達相對應之各該畫素電極。

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