TW559793B - Magneto-optical recording medium - Google Patents

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559793 A7 五、發明説明（) —--- 【發明之技術領域】 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 本發明係有關於-種磁光性記錄媒體，特別是有關於 一種具有軟磁性膜之磁光性記錄媒體。 【發明之背景】 迄今，已實用化之磁光性記錄媒趙多半係於透明基板 上層叠記錄層及保護層#而自&板側入射光以進行資訊之 記錄·#生者。 為使磁光性記錄媒體高密度化，可舉出使磁軌寬及記 錄記號尺寸微細化等方法，舉例言之，目前則正進行縮小 朝磁光性記錄媒體照射之光束之點尺寸。現在，磁光性記 錄媒體所使用之物鏡之開口數NA則為〇·55〜0.6左右。 般而a，：¾•使點尺寸為0、物鏡之開口數為να、雷 射光之波長為λ ,則可成立0=；l/2NA之關係式。依據該 式，必須增大物鏡之開口數ΝΑ以縮小點尺寸0。若增大 ΝΑ，則雖可提高解像力，但焦點距離將縮短。 因此，由於開口數ΝΑ愈大，基板之厚度不均及傾斜⑴⑴ 所致偏差亦愈增加，故必須儘可能減少基板之厚度。因此， 與其如以往般自基板側入射光線而進行記錄再生，不如自 記錄膜側入射光線而進行記錄再生，較可實現高密度化。 以下’則將自記錄側入射光線而進行記錄再生之方式 稱為前照明（front illumination)方式。 前照明方式係使用可產生磁場之線圈與物鏡成一鱧之 構造之光學浮動磁頭（optical flying head)或接近引動器 (actuator)者0 . 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -4- 559793 A7 ____B7_ 五、發明説明g ) 一般而言，必須施加較高記錄磁場（諸如3〇〇〇e以上）之 磁光性記錄媒體通常必須朝接近引動器之線圈通入較大電 流（900mA) 〇 另，為提昇記錄再生之速度，必須以高速進行電流之 ON/OFF，並要求高速之暫態應答。 然而，通入較大電流時，電流之暫態應答時間必須增 長’南速之電流開關，即高速之磁場開關將難以進行。 又’ 一旦進行高速之電流開關，由於電流將流過線圈 之表層，故線圈之電阻值將增加，因此線圈將發熱而導致 性能劣化及壽命縮短等問題。 因此’需要較高記錄磁場之媒體難以進行高速之電流 開關，為實現記錄速度l〇〇Mbps，必須將記錄磁場之強度 之上限值控制在2〇〇〇e以下。即，為滿足i〇〇Mbps之要求規 格，必須減低磁場強度。 因此’為將自外部施加之磁場強度減低至20〇〇e而亦維 持與3〇〇〇e之磁場相同之記錄性能，目前則於基板之上之記 錄層之下層形成NiFe等之軟磁性層。 此因一旦對軟磁性層施加磁場，磁束將因不擴散而集 中之性質而形成與施加高磁場相同之磁化狀態之故。因 此，若形成軟磁性層，則即便減少通入線圈之電流，亦可 對需要較高記錄磁場之媒體進行記錄再生。 另，為得到與施加3000e之高磁場相同之效果，軟磁性 層之膜厚須為1 OOnm以上。 習知之一般磁光性記•錄媒體之基板表面上形成有由槽 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） .................裝........ 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) -5- 559793 A7 B7_ 五、發明説明（3 ) "~ 脊（land)及凹槽（groove)所構成之凹凸形狀之伺服圖案，該 伺服圖案上則可形成軟磁性層。 然而’已形成l〇〇nm以上之軟磁性層時，槽脊將變寬 而使槽脊與凹槽之寬度比大幅改變，凹槽之錐形角度將明 顯鈍角化，而槽脊及凹槽之邊緣部則將成極圓滑狀。 因此’記錄層將形成於未正確地反映基板之伺服圖案 之形狀之軟磁性層上，如此則無法進行滿足所要求之性能 之記錄再生。 又，特開平3-105741號公報中，則記載有一種於鋁基 板上設置lOOnm以上之軟磁性體層，並於其上設置凹槽 層，而提昇了 C/N之磁光性記錄媒體用基板。 然而’一般而言，由於鋁基板剛性較低，故若使物鏡 與媒體接近而加以配置，則可能發生接觸，而不宜使用接 近引動器。 又’於軟磁性層之上直接設有凹槽層時，由於軟磁性 層將直接曝露於大氣中，故磁特性可能因氧化及氮化而改 變〇 【發明之揭示】 本發明係考量以上情形而設計者，其目的在提供一種 可藉於軟磁性層之上設置保護層而防止軟磁性層之氧化及 氮化而具有安定之磁特性之磁光性記錄媒體。 本發明之目的並在提供一種於基板上依次形成有至少 軟磁性膜、保護膜、形成有伺服圖案之樹脂層、反射膜、 下層介電體膜、記錄膜、，上層介電體膜及覆蓋層之磁光性 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） .....-.....................----- 0- (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) .訂· -6- 559793 A7 —— ___B7 _ 五、弩明説明f ) 記錄媒體。 藉此’即可提供一種可防止軟磁性膜之氧化、氮化， 並具有安定之磁特性之磁光性記錄媒體。 又’本發明並可提供一種磁光性記錄媒體，包含有： 第1構件，係於第1基板上依次形成軟磁性膜及保護膜而成 者；及，第2構件，係於透光性之第2基板上依次形成形成 有伺服圖案之樹脂層、反射膜、下層介電體膜、記錄膜、 上層介電體膜及覆蓋層而成者；且，該第1構件與第2構件 皆係藉厭氣性硬化樹脂黏著該保護膜與該第2基板而構成 者。 本發明中，宜以FeC形成該軟磁性膜，並以膜厚ι〇ηηι 左右之Si〇2膜形成該保護膜，且調整該樹脂層、反射膜及 下層介電體膜之膜厚而使該軟磁性膜與記錄膜之距離為10 // m左右以下，以得到較佳之磁特性。 又，亦可調整該保護膜至覆蓋層之各構成膜之膜厚以 使該軟磁性膜與設於記錄再生頭之磁場產生用線圈之距離 保持於22± 4/zm左右。 又，本發明並可提供一種磁光性記錄媒體之製造方 法，係於基板上藉濺鍍法形成軟磁性膜，並於軟磁性膜之 上形成保護膜，再壓附已朝形成有預定之伺服圖案之壓模 上滴下預定量之熱固樹脂而成之構件而使熱固樹脂之表面 與保護膜接觸，並藉進行預定之加熱而使熱固樹脂硬化， 然後剝離壓模，再於該熱固樹脂之上藉濺鍍法依次形成反 射膜、下層介電體膜、記·錄膜及上層介電體膜，最後藉於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） .......................裝..................ΤΓ..................線. (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 559793 at __ ._B7^_ 五、發明説明f ) 上層介電體膜之上塗布紫外線硬化樹脂而形成覆蓋層者。 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 進而，本發明並可提供一種磁光性記錄媒體之製造方 法，係於第1基板上藉濺鍍法依次製成軟磁性膜及保護膜， 而製作第1構件，並朝形成有預定之伺服圖案之壓模上滴下 紫外線硬化樹脂，再於紫外線硬化樹脂之上壓附透光性之 第2基板，然後自第2基板之上方照射紫外線使該紫外線硬 化樹脂硬化以形成樹脂層，而製作第2構件，然後，朝該第 2構件之第2基板上滴下厭氣性硬化樹脂，並藉該厭氣性硬 化樹脂結合該第1構件之保護膜與該第2基板，再於使該厭 氣性硬化樹脂硬化後剝離壓模，並於該樹脂層之形成有伺 服圖案之表面上藉錢鑛法依次形成反射膜、下層介電體 膜、記錄膜及上層介電體膜，最後藉於上層介電體膜之上 塗布紫外線硬化樹脂而形成覆蓋層者。 【圖式之簡單說明】 第1圖係本發明第1實施例之磁光性記錄媒體之概略截 面圖。 第2圖係本發明第i實施例之軟磁性膜之機能之概略說 明圖。 第3圖係與本發明第丨實施例之浮動磁頭等之位置關係 之說明圖。 第4(a)〜(e)圖係本發明第丨實施例之磁光性記錄媒體之 製造程序圖。 第5(f)〜(h)圖係本發明第〖實施例之磁光性記錄體之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) M規格（21〇><297公I) -8- 559793 A7 _B7_ 五、發明説明έ ) 製造程序圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 第6圖係3個磁·光性記錄媒體之記錄磁場強度與CNR之 關係圖表。 第7圖係本發明第2實施例之磁光性記錄媒體之概略截 面圖° 第8(a)〜(f)圖係本發明第2實施例之磁光性記錄媒體之 製造程序圖。 第9(g)〜(h)圖係本發明第2實施例之磁光性記錄媒體之 製造程序圖。 第10(h)〜(j)圖係本發明第2實施例之磁光性記錄媒體 之製造程序圖。 第11圖係與本發明第2實施例之浮動磁頭等之位置關 係之說明圖。 第12(a)〜(e)圖係本發明第3實施例之磁光性記錄媒體 之製造程序圖。 第13(f)〜(g)圖係本發明第3實施例之磁光性記錄媒體 之製造程序圖。 第14(g)〜(i)圖係本發明第3實施例之磁光性記錄媒體 之製造程序圖。 【本發明之實施例】 以下，依據附圖所示之實施例詳細說明本發明。另， 本發明並不因此而受限。 〔第1實施例〕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -9- 559793 A7

559793 A7 B7 五、發明説明ί 〈第1實施例之構成之特徵〉 本媒體係自與·基板1為相反側之覆蓋層9側入射光線之 前照明方式之媒體。本發明中，保護膜3係用以防止軟磁性 膜2之氧化及氮化，並防止軟磁性膜2之磁特性尤其是導磁 率（magnetic permeability)改變者，與軟磁性膜2同為本發明 所必需之構成要素。 本發明之樹脂層4之表面上形成有由槽脊及凹槽所構 成之凹凸形狀之伺服圖案《該樹脂層4上所形成之反射膜 5、記錄膜7亦如第1圖所示般呈反映該伺服圖案之凹凸之表 面形狀。 又，為儘量縮短物鏡及線圈與該媒體之距離而將之保 持一定’基板宜儘量使用剛性較高之材料。此係因若使用 剛性較低之基板，浮動磁頭之浮上量之變動將增大，故光 束點之偏差亦將增大，而使記錄再生之性能劣化之故。另， 由於剛性較高之基板可抑制浮動磁頭之浮上量變動，故光 束點之偏差變動小，而可抑制信號品質之劣化。 當記錄膜7係由3層構造之磁性超解析膜所構成者時， 可經中間層72將記錄於記錄層71之資訊複製至再生層73， 再藉光照射而透過形成於再生層73之低溫及高溫之護罩領 域以外之微小領域再生該業經複製之資訊。 軟磁性膜2係形成以儘量將來自線圈之磁束集中於線 圈正下方者，為防止記錄膜7之特性劣化，而形成於比形成 有伺服圖案之樹脂層4更下方並與基板丨接觸之位置。 當軟磁性膜2存在時，如第2圖所示，可知自線圈朝媒 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210><297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) •裝· 訂- :線· -11- 559793 A7 ----- -B7 _ 五、發明説明《) ：------ 體方向前進之磁束將集中於線圈正下方之部分而直達軟磁 性膜2再朝水平方向前進’而有效地對記錄臈7施加磁場。 此則可藉觀測記錄信號特性之記錄磁場依賴性而得知。 另’可知軟磁性膜2之磁場集中效果係記錄膜7與軟磁 性膜2之距離愈近即愈大。因此，記錄膜了與軟磁性膜㈣所 設之保護膜3、樹脂層4、反射膜5及下層介電體㈣之總計 膜厚宜儘量為小值，而以m左右以下為佳。即，使軟 磁性膜與記錄膜之距離為1〇以 m以下。 又，如第3圖所示，當存在接近引動器21時，若將媒體 與覆蓋層9之距離C設定為50# m左右，則調整保護膜3至覆 蓋層9之各構成層之膜厚與總計膜厚，以使接近引動器21 所包含之線圈與軟磁性膜2之距離A為70± 4/zm左右。 或，如第3圖所示，當浮動磁頭22存在時，若將媒體與 覆蓋層9之距離D設定為1 a m左右，則調整保護膜3至覆蓋 層9之各構成層之膜厚與總計膜厚，以使浮動磁頭22所包含 之線圈與軟磁性膜2之距離B為22± 4//m左右。 如上所述，樹脂層4及覆蓋層9亦可使用厭氣性硬化樹 脂，厭氣性硬化樹脂則係可藉混合可於室溫下促進聚合反 應之聚合引發劑（primer)與作為母劑之丙烯酸樹脂而硬化 者，舉例言之，可使用TB1390E作為PRIMER，並使用 TB3062B作為母劑樹脂。 〈第1實施例之各構成層之材料及膜厚〉 以下，就本發明第1實施例之磁光性記錄媒體之各構成 層之材料及膜厚之一實施例加以說明。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐）

•I「· — -·· (請先閲讀背面之注意事項再蜞窝本頁) •訂· -12· 559793 A7 B7

五、發明説明（C 基板1 :玻璃（驗石灰），厚1.2mm，表面粗縫度 Ra=2.5A，直徑90mm 〇 軟磁性膜2 : FeC，厚100nm，導磁率900 保護膜3 : Si02，厚10nm 樹脂層4:熱固性樹脂，厚10/z m以下，凹凸之溝深30nm 反射膜5 : A1，厚15nm 下層介電體膜6: SiN，厚60nm 記錄膜7 : 130nm(記錄層71 : TbFeCo : 50nm，中間層 72 : GdFeCo : 40nm，再生層 73 : GdFeCo : 40nm) 上層介電體膜8: SiN，厚80nm 覆蓋層9 :紫外線硬化樹脂，厚10/zm 〈第1實施例之媒體之製造方法〉 第4及第5圖係顯示本發明第1實施例之磁光性記錄媒 體之製造程序圖。 (1-1)玻璃基板1之製作 首先，如第4(a)圖所示，準備玻璃基板1(板厚1.2mm、 直徑90m、表面粗縫度2.5A)。 (I·2)轸磁性膜2之製膜 其次，如第4(b)圖所示，於基板1上藉濺鍍法而製作 100nm左右之軟磁性膜2之FeC。濺鍍係使用一般之真空濺 鍍裝置，並於該裝置内之預定位置上分別設置基板1與Fe 目標及C目標，再藉濺鍍而進行者。製膜氣體則為Ar，製 膜氣體壓為〇.5Pa，接通電力則為200〜1800W。 舉例言之，當組成比為Fe75%、C25%時，Fe目標之接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） .......................裝..................tr..................線. (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) -13- 559793 A7 ____B7 _ 五、發明説明（i ) 通電力為800W、C目標之接通電力亦為800W。 (1-3)保護膜3之製膜 其次，如第4(c)圖所示，藉濺鍍法於軟磁性膜2之上形 成用以防止氧化及氮化之保護膜3之10nm左右之Si〇2。 濺鍍則使用了製膜氣體壓為0.5〜IPa，接通電力為 0.5〜0.8kw，Ar氣體：02氣體=2 : 1之混合氣體。 (1-4)樹脂層4之形成 其次，於第4(d)、（e)、第5(f)圖中，於保護膜3之上形 成作為由槽脊及凹槽所構成之伺服圖案之樹脂層4。在此， 首先，為提高保護膜3與樹脂層4間之密著性，將預先對保 護膜3塗布石夕烧偶合劑（silane coupling agent)。 接著，朝形成有預定之伺服圖案之壓模41(鎳壓模， TP=0.25/z m，溝深30nm)上滴下熱固性樹脂42(丙烯酸樹脂） 而使樹脂流入溝全體（〇 · 15 g左右）。 然後，於樹脂硬化前，使壓模41之伺服圖案面與保護 膜3相對，而以預定之壓力自上方朝壓模41壓附基板側之構 件。 其次，如第4(e)圖所示，使樹脂均勻地充填於壓模41 與保護膜3間後，為使樹脂硬化，再自壓模41側進行加熱（諸 如 140°C、30分鐘）。 樹脂硬化後，一旦自壓模41剝離熱固性樹脂42，則如 第5(f)圖所示，可形成包含具有伺服圖案形狀之樹脂層4之 媒體。 在此，由於已對保護膜3進行矽烷偶合劑處理，故保護 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1: ..................訂.... ...... r * (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) -14- 559793 A7 B7 五、發明説明（2 膜3與樹脂層4間之密著性高，而可自壓模41剝離樹脂層4。 樹脂層4則可形成1Ό // m左右以下之厚度。 (1-5)反射膜5等之製膜 其次，如第5(g)圖所示，於樹脂層4之上依次製作反射 膜5(A1膜，膜厚I5nm)、下層介電體膜6(SiN，膜厚60nm)、 記錄膜7(整體膜厚I30nm左右）及上層介電體膜8(SiN，膜厚 80nm)。 其等皆係使用Ar作為製膜氣體，氣體壓為onpa、接 通電力0.5〜0.8kw，而藉濺鍍法製膜而成者。但，siN之形 成則使用了 Ar氣：仏氣=2 : 1之混合氣體。 又，記錄膜7則為3層構造之雙重護罩（double mask)RAD型之磁性超解析膜（參照諸如特開平 2000-200448號公報）。該磁性超解析媒體之再生原理則係 於雷射點之照射領域中，於低溫側及高溫側形成磁性護 罩，並自其等間所包夾之中間溫度領域再生微小之記錄記 號之方式。 本實施例中，藉濺鍍法而於下層介電體膜6之上依次形 成有記錄層71(Tb22.2Fe60.3Col7.5合金膜，膜厚50nm)、 中間層 72((Gd33.8Fe62.4Co3.8)92Si8 合金膜，膜厚 40nm)及 再生層 73(Gd24.6Fe61.8Col3.6 合金膜，膜厚 40nm)。 (1-6)覆蓋層9之形成 最後’如第5(h)圖所示，藉塗布紫外線硬化樹脂而形 成覆蓋層9(紫外線硬化樹脂，膜厚i〇ym± 2//m左右）。 藉以上之處理，即可製造第1圖所示之本發明第丨實施 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） ........................裝：… (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) .訂· •線· -15- 559793 A7 ^---^— _ B7 五、發明說明（3 ) 例之磁光性記錄媒體。 如第3圖所示，當覆蓋層9表面至接近引動器21之距離 <：為50以m，而覆蓋層9表面至浮動磁頭22之距離D為1/zm 左右時’可使軟磁性膜2之表面至接近引動器21之距離A為 70± 4 v m，並使其與浮動磁頭22之距離B為22士 4以m左 右’而充分發揮軟磁性膜2之磁束集中之機能，並形成軟磁 性膜2不致氧化及氮化而具有安定之磁特性之磁光性記錄 媒體。 〈第1實施例之磁特性〉 其次，說明本發明第1實施例之媒體即便施加更低位準， 之磁場’亦可得到可充分進行記錄再生之CNR。 為與本發明之第1實施例作比較，而製作了 2比較例之 媒體A、B。比較例A相對於第1圖之第1實施例，係無軟磁 性膜2及保護膜3者，其他之膜構造則相同❶比較例b雖然 膜構造與第1圖之第1實施例相同，但其係軟磁性膜2之膜厚 為50nm者。為比較3媒體之CNR，而使用波長405nm、 NA0.85、光束點徑〇·42 // m之光碟測試器，並進行線速 6.0m/s、最短記號長〇·2 // m、磁場調變方式之記錄，而測 定了記錄磁場強度（Oe)之相對CNR。 第6圖係顯示3媒體之記錄磁場強度之相對CNR之圖 表。 第6圖中，橫轴代表記錄磁場強度（0e)，縱轴則代表信 號對雜訊比CNR(dB)。 實線之圖表係本發明第1實施例之媒體，一旦記錄磁場 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） Γ· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -16- 559793 A7 B7 五、發明説明（4 ) 強度達到2000e程度，CNR則達到一定值，並呈飽和狀態。 虛線之圖表係比較例A(無軟磁性膜及保護膜）之媒體，當記 錄磁場強度為3400e程度時，CNR即呈飽和狀態。假想線之 圖表係比較例B(軟磁性膜2之膜厚50nm)之媒體，其則於 2500e程度呈飽和狀態。 一般而言，CNR將隨著記錄磁場強度增加而提高，但 任何媒體皆於記錄磁場強度到達一定值時呈CNR飽和狀 態。 上述飽和CNR值雖皆為45dB左右，但可使CNR飽和之 記錄磁場強度愈低愈可提昇媒體之寫入速度（即記錄速 度），此點上則極為有利。如上所述，為實現100Mbps之記 錄速度，至少必須將記錄磁場強度控制在2000e程度以下。 依據第6圖之圖表，相對於本發明第1實施例之媒體以 2000e程度達到飽和CNR，比較例A及B為達到相同之飽和 CNR，必須分別施加2500e、3400e之較高記錄磁場強度， 故該等比較例之媒體並無法實現100Mbps之記錄速度。 即，雖然以往必須施加3000e之高記錄磁場強度以達成 充分之記錄特性（CNR=45dB)，但本發明第1實施例之媒體 可僅施加較低之2000e程度之記錄磁場強度而達成同等之 記錄特性（CNR)，且，由於僅須施加2000e程度之低記錄磁 場強度，故可實現100Mbps之高記錄速度。此則可知因如 上所述，本發明第1實施例之媒體藉於基板上之記錄膜7之 下層設置軟磁性膜2，並設置保護膜3以防止該軟磁性膜2 之氧化等變化，而可使來自線圈之磁束集中於其正下方且 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇><297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) •裝· 、^丨 •線丨 -17- 559793 A7 B7_ 五、發明細ί5 ) ~ '' 安定地予以施加之故。 〔第2實施例〕 其次，就本發明第2實施例之磁光性記錄媒體之構造及 其製造方法加以說明。 第7圖係顯示本發明第2實施例之磁光性記錄媒體之構 造之概略截面圖。 〈第2實施例之媒體之構成〉 第2貫施例之媒體係由依次形成有玻璃基板丨、軟磁性 膜2、保護膜3、厭氣性硬化樹脂5 4、玻璃基板21、樹脂層 53、反射膜電晶體56、記錄膜7、上層介電鱧膜8及覆蓋層9 之層疊構造所構成者。 本第2實施例中’至中途為止皆分成2構件而進行製 造，再結合該2構件以製造媒體。第7圖中，玻璃基板21係 用以製作用以形成樹脂層53之構件者。厭氣性硬化樹脂54 則係用以結合由基板1、軟磁性膜2、保護膜3所構成之第2 構件，以及由玻璃基板21與樹脂層53所構成之第1構件者。 玻璃基板21宜為剛性較高之基板，除玻璃以外，亦可 使用矽晶圓。厭氣性硬化樹脂54則可使用前述之材料 (PRIMER : TB1390E，樹脂：TB3062B)。 又，軟磁性膜2等之材料則可使用與第1實施例相同者。 〈第2實施例之媒體之製造方法〉 本發明第2實施例之媒體係藉與第1實施例不同之製造 方法而作成者。第8、9、10圖係顯示本第2實施例之製造程 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） ..................訂 ..... 9* (請先閲讀背面之注意事项再填窝本頁) -18- 559793 A7 B7 五、發明説明（6 ) 序圖者。 (2-1)玻璃基板·21之製作 .......................裝：… (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 首先，如第8(a)圖所示，準備板厚100//m、直徑9〇mm、 表面粗糙度2.5A之玻璃基板21。 (2-2)樹脂層53之形成 如第8(b)圖所示，朝形成有由預定之槽脊及凹槽所構 成之伺服圖案之鎳壓模51(TP=0.25#m，溝深3〇nm)上滴下 〇.15g之紫外線硬化樹脂53。又，為確保密著性，可預先以 矽烷偶合劑處理玻璃基板21之與樹脂層53之黏著面。 •訂_ 其次，將玻璃基板21之業經矽烷偶合劑處理之面置於 紫外線硬化樹脂53之上，並加以壓附以使樹脂層53均勻擴 展至溝内。然後，如第8(c)圖所示，自玻璃基板21之後方 照射紫外線59(2分鐘），以使樹脂層53硬化。藉以上之程 序，即可完成第2構件。 (2-3)第1構件之製作 :線· 如第8(d)圖所示，準備與第丨實施例相同之玻璃基板 1。其次如第8(e)圖所示，於玻璃基板1上藉濺鍍法製作軟 磁性膜2(FeC，膜厚l〇〇nm)。進而，如第8(f)圓所示，於軟 磁性膜2之上藉濺鍍法製作保護膜3(si〇2，膜厚i〇nm)。接 著，為確保下一程序之密著性，而預先以矽烷偶合劑處理 保護膜3之表面。藉以上之程序，即可完成第丨構件。 (2-4)第1及第2構件之結合 如第9(g)圖所示，藉厭氣性硬化樹脂54黏著第2構件之 玻璃基板21與第1構件之保護膜3 ^厭氣性硬化樹脂54則可

-19- 559793 A7 B7 五、發明説明（7 ) 使用混合前述之primer與樹脂而成之材枓，並朝玻璃基板 21之表面滴下可使該樹脂54硬化後之厚度為1 〇 " m左右之 量。 其次，如第9(h)圖所示，於厭氣性硬化樹脂54硬化後， 再自樹脂層53剝離壓模51。藉以上之程序，即可形成於表 面形成有伺服圖案之結合媒體。 (2-5)反射膜5、下層介電體膜6、記錄膜7及上層介電 體膜8之製膜 於形成有第10(h)圖所示之伺服圖案之樹脂層53之上 與第1實施例完全相同地依次製作反射膜5、下層介電體膜 6、3層構造之記錄膜7及上層介電體膜8(第10(i)圖）。膜厚、 材料等製膜條件亦可與第1實施例相同。 (2-6)覆蓋層9之形成 最後，如第10(j)圖所示，藉塗布紫外線硬化樹脂而形 成覆蓋層9(紫外線硬化樹脂，膜厚1 〇 # m± 2 # m)，即完成 本發明第2實施例之磁光性記錄媒體。 第11圖係顯示與本發明第2實施例之接近引動器或浮 動磁頭之位置關係之說明圖者。 與第3圖相同，當覆蓋層9表面至接近引動器21之距離 C為50//m，而覆蓋層9表面至浮動磁頭22之距離D為1/zm 左右時，可使軟磁性膜2之表面與接近引動器21之距離A為 175〜185/z m左右，並使其與浮動磁頭22之距離B為126〜136 // m左右。 此時，由於亦將軟磁性膜2與保護膜3形成於基板1上， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） …：·…：；：……费：… 0 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼訂— -20- 559793 A7 B7 五、發明説明（8 故可進行女疋之磁束集中化，即便施加2〇〇〇e程度之低記錄 磁場強度，亦可得到可充分進行記錄再生之CNR，並實現 100Mbps程度之高速記錄。 〔第3實施例〕 第2實施例中，雖然使用了於第2構件形成有玻璃基板 21者，但亦可結合無該玻璃基板21之第2構件與第丨構件。 第3實施例中’第2構件之紫外線硬化樹脂53與第丨構件 之保護膜3係藉厭氣性硬化樹脂54而結合者。 因此，由於無玻璃基板21，故可僅使軟磁性膜2與記錄 膜7之距離更拉近與其相當之厚度（1 · 2 mm左右），故與第2 實施例相比，可得到更安定之磁束集中化及充分之CNR , 並藉2000e程度之低記錄磁場強度之施加而實現i〇〇M：pbs 程度之高速記錄。 第12、13、14圖係顯示本發明第3實施例之磁光性記錄 媒體之製造程序圖者。 (3-1)第2構件之製作 首先’如第12(a)圖所示，與第2實施例同樣朝鎳壓模 51上滴下〇.9g之紫外線硬化樹脂53。其次，以2000rpm左右 之速度使該鎳壓模51旋轉，並旋塗紫外線硬化樹脂以覆蓋 壓模表面之凹凸全體。 接著，如第12(b)圖所示，朝樹脂層53照射紫外線59， 並使之硬化，藉此，即可形成膜厚lOgm左右之樹脂膜53。 藉以上程序，即可完成第2構件。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（㈣父扨了公釐） .......................^..................t..................緣 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) -21- 559793 A7 __________B7 _ 五、發明説明（9 ) (3-2)第1構件之製作 第1構件雖係藉第12(c)、（d)、（e)圖所示之程序（軟磁性 膜2、保護膜3之製膜）而完成者，但其係藉與第2實施例之 第2構件相同之方法製作者。 (3·3)第1與第2構件之結合 如第13(f)圖所示，朝硬化後之樹脂層53之上滴下預定 量之厭氣性硬化樹脂54，並黏著第2構件之樹脂層53與第1 構件之保護膜3。 其次，如第13(g)圖所示，使厭氣性硬化樹脂54硬化 後’再自樹脂層5 3剝離壓模51。藉此，即可形成於表面形 成有伺服圖案之結合媒體。 (3-4)反射膜5至覆蓋層9之形成 於第14(g)圖所示之結合媒鱧之樹脂層53之上，藉與第 1及第2實施例相同之方法形成反射膜5、下層介電體膜 7、記錄膜7及上層介電體膜8、覆蓋層9(第14(h)、（j)囷）。 藉此，即完成本發明第3實施例之磁光性記錄媒體。 以上，雖已就本發明之磁光性記錄媒體說明3種構造與 其等之製造方法，但下層介電體膜6至覆蓋層9之構造並不 特別受限於此，而亦可應用與以往使用之磁光性記錄媒體 相同者。 尤其，如上所述，記錄膜7亦可不使用3層構造之磁性 超解析膜，而使用由1層構成之記錄磁性膜。 【發明之效果】 本發明由於與軟磁性膜接觸而形成保護膜，故可防止 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） ..............................訂：：·............0 • 禮 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) -22- 559793 A7 B7 五、發明説明（〇 ) 軟磁性膜之氧化、氮化，並提供一種具有安定之磁特性之 磁光性記錄媒體。_ 又，由於與基板接觸而配置軟磁性膜，並於其上形成 保護膜、形成有伺服圖案之樹脂層，進而於其上形成有記 錄層，故可將來自浮動磁頭等之線圈之磁束集中施加於其 正下方，即便施加比以往小之磁場，亦具有充分之記錄再 生特性，且可提供磁特性安定之媒體。 另，由於僅須施加較小之磁場，故可減少流向線圈之 電流，並可使記錄速度高速化至100Mbps程度。 ........................裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 【主要元件符號之說明】 卜··基板 2···軟磁性膜 3…保護膜 4…樹脂層 5…反射膜 6···下層介電體膜 7…記錄膜 8···上層介電體膜 9…覆蓋層 21…接近引動器、玻璃基板 22…浮動磁頭 41…壓模 42…熱固性樹脂 51…鎳壓模 53···樹脂層、紫外線硬化樹 脂 54…厭氣性硬化樹脂 56…反射膜電晶艘 59···紫外線 71…記錄層 72…中間層 73…再生層 訂· -線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X 297公釐） -23-

Claims (1)

1. 559793 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 —、：..... 0 J (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 1· 一種磁光性記錄媒體，係於基板上依次形成有至少軟 磁性膜、保護膜、形成有伺服圖案之樹脂層、反射膜 膜、下層介電體膜、記錄膜、上層介電體膜及覆蓋層 者。 2·如申請專利範圍第1項之磁光性記錄媒體，其中該軟 磁性膜係以FeC形成者。 3·如申請專利範圍第1或2項之磁光性記錄媒體，其中 該樹脂層、反射膜及下層介電體膜之膜厚係調整成可 使該軟磁性膜與記錄膜之距離為1〇ym以下者。 4·如申請專利範圍第1項之磁光性記錄媒體，其中該保 濩膜至覆蓋層之各構成膜之膜厚係調整成可使該軟磁 性膜與設於記錄再生頭之磁場產生用線圈之距離保持 於 22± 4vm 者。 5· —種磁光性記錄媒體，包含有： 第1構件’係於第1基板上依次形成軟磁性膜及保護膜 而成者；及 第2構件’係於透光性之第2基板上依次形成形成有伺 服圖案之樹脂層、反射膜、下層介電體膜、記錄膜、上 層介電體膜及覆蓋層而成者； 且’該第1構件與第2構件皆係藉厭氣性硬化樹脂黏著 該保護膜與該第2基板而構成者。 6.如申凊專利範圍第5項之磁光性記錄媒體，其中該軟 磁性膜係以FeC形成者。 7·如申请專利範圍第5或6項之磁光性記錄媒體，其中

   -24- 559793 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 該樹脂層、反射膜及下層介電體膜之膜厚係調整成可 使該軟磁性膜與記錄膜之距離為10//m以下者。 8.如申請專利範圍第5項之磁光性記錄媒體，其中該保 護膜至覆蓋層之各構成膜之膜厚係調整成可使該軟磁 性膜與設於記錄再生頭之磁場產生用線圈之距離保持 於 22± 4 // m 者。 9· 一種磁光性記錄媒體之製造方法，係於基板上藉濺鑛 法形成軟磁性膜，並於軟磁性膜之上形成保護膜，再 壓附已朝形成有預定之伺服圖案之壓模上滴下預定量 之熱固樹脂而成之構件而使熱固樹脂之表面與保護膜 接觸，並藉進行預定之加熱而使熱固樹脂硬化，然後 剝離壓模，再於該熱固樹脂之上藉濺鍍法依次形成反 射膜、下層介電艟膜、記錄膜及上層介電體膜，最後 藉於上層介電體膜之上塗布紫外線硬化樹脂而形成覆 蓋層者。 10· —種磁光性記錄媒鱧之製造方法，係於第丨基板上藉 濺鍍法依次製成軟磁性膜及保護膜，而製作第1構件， 並朝形成有預定之伺服圖案之壓模上滴下紫外線硬化 樹脂，再於紫外線硬化樹脂之上壓附透光性之第2基 板，然後自第2基板之上方照射紫外線使該紫外線硬化 樹脂硬化以形成樹脂層，而製作第2構件， 然後，朝該第2構件之第2基板上滴下厭氣性硬化樹 脂，並藉該厭氣性硬化樹脂結合該第！構件之保護膜與 該第2基板， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) •负丨 •線 •25- 559793 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 再於使該厭氣性硬化樹脂硬化後剝離壓模，並於該樹脂 層之形成有伺服圖案之表面上藉濺鍍法依次形成反射 膜、下層介電體膜、記錄膜及上層介電體膜， 最後藉於上層介電體膜之上塗布紫外線硬化樹脂而形 成覆蓋層者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） •26-