TW555878B - Plasma processing apparatus - Google Patents

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555878 A7 _____ B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 發明領域 本發明有關電漿處理裝置，尤其，本發明有關一種使 用於例如半導體元件，液晶顯示器或太陽能電池的製造過 程之諸如蚀刻，膜沈積及灰化裝置的電漿處理裝置。 背景技術說明 隨著使用於製造半導體元件，LCD (液晶顯示器）或類似 物之基板大小的增加，最近已發展出用於處理此一具有大 面積基板之電漿處理裝置。特別地，該等裝置係發展用於 LCD以處理1 m(公尺）χΐ m或更大尺寸的基板，該等裝置 提出了使電漿均勻之挑戰，例如由發展用於膜沈積，蝕刻 及灰化之該等裝置所提出之挑戰係用於該等裝置之輸貫量 增強之電漿處理速率的改善。用於乾蝕刻裝置之挑戰在於 控制藉蝕刻法所產生之橫剖面形狀以符合圖案之漸增地減 少之大小以及增加之層數。 例如具有確保電漿均句目的之微波電漿處理裝置揭示於 曰本新型公開案號第4-1 17437號中，根據該裝置，具有槽 之金屬板係配置於介電質之微波線下方之空氣層與第二介 電質之間以調整微波之強度分布且因而獲得一均勾之電栽 密度於電漿產生室之中。 慮及形變，用於此裝置之板係厚的，然而，厚的板會在 微波波導室之中央部分的邊緣上造成不正常的放電。當使 用較薄之板時，由於金屬與介電質之大的熱膨脹係數，將 無法使金屬與介電質相互接觸且可造成不正常的放電。該 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 555878 A7 _____ B7 五、發明説明（2 ) '、一 等問題指出於日本專利公開案號第2000-91097號中，其揭 示克服該等問題的發明。 第9圖顯示日本專利公開案號第2000-9 1097號中所揭示 之發明所採用的結構，包含一由具有厚度範圍自〇·2 mm(毫 米）至2 mm(毫米）的A1(鋁）所製成之微波彌散板65。特定地 ’參閱第9圖，微波係發射自微波產生器6 1而通過導波管62 ’介電質通道63，空氣層，第一介電質板64，微波彌散板 65 ’第二介電質板66，及第三介電質板67以供應能量到處 理室68。此結構提供一均勻之灰化法。 已知之技術係提供一 DC(直流），AC(交流）或脈波之偏壓 到欲處理之材料而控制電漿離子照射量且藉此控制處理速 率或蚀刻膜之橫剖面形狀。施加偏壓於欲處理材料之方法 揭示於例如曰本專利公開案號第2〇〇〇-68227號中，根據該 方法’提供一固定在接地或正電位處之多孔電極，面向欲 處理 < 材料的平面而具有空間在該處之間，使得脈波或DC 偏壓施加於材料。 雖然日本新型公開案號第4-1 17437號及日本專利公開案 唬第2000-9 1097號顯示使用彌散板以用於使微波均勻之技 術，但並未揭示該彌散板之設計方法，此外，雖揭示了施 加同頻偏壓於樣品架，但顯示於第9圖中相對於基板7丨之第 2介電質板67係由陶質物所製成，以致無法調整第三介電 質板67的電位。因此，不可能有效地施加偏壓於基板71且 因而產生鴂法擴展可調整範圍之離子照射能量於欲處理之 材料的問題。 -5- 五、發明説明（3 ) 根據日本專利公開案號第2000-68227號之實施例中的技 術，ICP(電感性耦合電漿）裝置係使用有一電漿源，該電漿 源係在頻率上為MHz大小的RF(射頻）功率源，且因此劣 略關於藉由微波功率源產生電漿的說明。所以，並無問題 會由於微波之波長比一具有一側約數百瓜爪至1〇〇〇 mm(用 於f=2.45 GHz，真空中之自由空間波長為122爪爪）之真空 裝置的長度更短而產生。換言之，並沒有揭示解決當激勵 電漿時有關微波駐波分布之問題的設計。 對於微波激勵之電聚處理裝置而言，微波電路應視為一 譜振器而其中微波進人真空室之—部分將建構諧振器的一 部分。然後’應考慮到有關微波入口部分之微波的傳播特 性之設計1 ’訧低功率電漿放電的起始及維持以及電漿均 勻性之方面考慮。然而，上述公告並未提供此一設計的準則。 發明概述 本發明之目的於提供-種使用微波來激勵電聚之電㈣ 理裝置’其具有指引至欲處理之材料之易於調整的離子兩 射能量以及在該材料之平面内均勾地電漿處理該材料。 根據本發明之電漿處理裝置包含：一處理室，用於藉由 電漿來處理；微波發射單元，用於發射微波到處理室；一 介電質’用於㈣微波發射單元所發射之微波到處理室之 内；以及-槽天線板，由導體所形成，配置於介電質之一 側上而面向處理室且本右_ pq ^至丑〇有開口以用於通過輻射自介電質 而穿過該處的微波。 本發明之電漿處理裝置包含由導體所製成之槽天線，爲 555878

槽天線係配置於介電質之側邊而面向處理室，且因而槽天 線板之電位可立即予以調整，然後，可調整槽天線板之電 位來控制電漿離子的方向，例如相對於將處理的基板（偏壓 效應）。例如可藉調整槽天線板的電位於接地電位及施加偏 G杰基板使私漿離子入射於基板的整個表面上而實質垂直 於孩處。所以，可均勾地電漿處理一材料於其平面之内。 而且，相較於當空氣層存在於槽天線板與介電質之間時 ，可使槽天線與介電質接觸以縮短微波之空間波長。因此 ，可縮短槽天線板之開口間之間隔使形成更多數目的開口 ，所以透過該等開口輻射於處理室内之微波可均勻地分布 於處理室之内。 裝 此外，適當地界定用於微波駐波的複數個開口及其位置 與尺寸可提供有效及均勻輻射之微波至該處理室之内。 訂 較佳地，用於上述電漿處理裝置，槽天線的開口係直接 地定位於藉微波發射單元及介電質所建構之諧振器中之微 波的駐波波腹下方。 直接在駐波波腹下方的磁場會更大，然後，直接定位開 口於駐波之波腹下方以允許電流感應在開口周圍，此電流 感應來自該開口的磁場。換言之，藉直接地配置開口於駐u 波波腹下方將取得有效地輻射至處理室内之微波。 較佳地，用於上述電漿處理裝置，槽天線板具有其調整 於接地電位或正電位之電位。 槽天線板足電位調整可控制電漿離子的方向，例如相 於欲處理之基板。 ’ 555878 A7

較佳地’用於上述電漿處理裝置，槽天線板包含一用於 處理氣體的通道。 在此方式中’係促成處理氣體流量的控制，使得欲處理 之材料可均句地以電漿來處理。 本發明之上述及其他目的，特性，觀點及優點將呈明顯 於下文結合附圖之詳細說明中。 圖式簡單說明 第1圖係示意橫剖面圖，顯示根據本發明第一實施例之電 漿處理裝置的結構； 第2圖係沿著第丨圖中之線JJ _ 的示意橫剖面圖； 第3圖顯示第丨圖中箭頭皿之方向中所視之第二介電質， 槽天線板及支撐構件的設置； 第4圖係不意橫剖面圖，顯示用於施加一正電位於槽天線 板的結構； 第5圖描繪介電質中所產生的駐波； 第6圖係示意橫剖面圖，顯示根據本發明第二實施例之電 漿處理裝置的結構； 第7圖係示意橫剖面圖，顯示根據本發明第三實施例之電 漿處理裝置的結構； 第8圖顯示第7圖中箭頭观之方向中所視之槽天線板及第 一介電質的設置； 第9圖係示意橫剖面圖，顯示習知電漿處理裝置之結構。 較佳實施例之說明 現將結合附圖說明本發明之實施例。 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 555878 A7 --—__________Β7 五、發明説明（6 ) " ~ ---- 第一實施例 參閱第1至3圖，根據第一實施例之電漿處理裝置包本炎 作主要組件之一室蓋卜一處理室本體2，—導波管3, 波管3a’ -第一介電質板4, 一第二介電質板5, 一支撐構 件6，一槽天線板7 ,及一基板夾持器8。 須注意的是，第1及2圖中所示之個別的橫剖面分別地相 對應於第3圖中之線〗一 I及n — n。 室蓋1係放置相對處理室本體2而其均密封以一墊圈1〇， 罜蓋1具有一裂隙型開口 la,其中插置第一介電質板4，該 介電質板4係由諸如SiOyAhO3及A1N之介電質所製成而具 有以粗體縱向線所示之類似，，丁，，之形狀的橫剖面，室蓋i及 第一介電質板4亦密封以一墊圈u，該墊圈丨丨與墊圈1〇 一起 提供氣密於室之内部13 ,在室内部13中之空氣係藉一諸如 满輪分子泵（未圖示）之真空泵予以排氣而維時該室13於一 大約10·4 Pa(巴）至1〇-3 Pa的真空狀態中。 弟一介電質4具有暴露於大氣之側（下文中稱為，，大氣側”） ，而導波管3a放置於大氣側之上且以螺栓固緊於室蓋1 ,導 波管3固緊於導波管3a之上方平面的中央部，產生自一磁控 管之頻率2 ·45 GHz的微波係透過例如一隔離物及自動匹配 裝置以及進一步地透過一具有例如直接導波管，一轉角導波 管，一抽頭導波管及一分支導波管之微波固態電路（未圖示） 而導引至導波管3，之後，微波輻射自一開口 3b朝向第一介 電質板4。 入口導波管3a具有一保溫通道3c，在該處熱絕緣介質會流 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 動以用I維持導波管3a及其週邊部分之預定溫度。室蓋i及 處理至本體2亦具有提供溫度調節功能之加熱器及熱絕緣通 … 图示）以用於藉加熱加熱器及透過熱絕緣通道之熱絕 緣介質的流動來維持室溫度均勻。 至盍1具有暴露於真空之側（下文中稱為，，真空側”）。在該真 2側 <上’由諸如Al2〇3，Si〇2及A1N之介電質所製成之複 數個第二介電質板5係設置接觸於第一介電質板4。在該第 二介電質板5下方係固定由導體所製成之槽天線板7來接觸 第二介電質板5。 如第3圖中所示，由導體所製成之支撐構件6係以螺釘固 累於第二介電質板5及槽天線板7以用於支撐該第二介電質 板5及槽天線板7於室蓋1之上。如第3圖中所示，槽天線板7 具有矩形槽7a且具有例如1至2〇 mm的厚度，矩形槽7a係根 據設計而定位，製成用以執行稍後所述之槽天線的功能。 槽天線板7例如由A1或SUS所製成，一彈簧材料可插置於 槽天線板7與支撐構件6之間以用於確保槽天線板7與第二 介電質板5之間的更緊密接觸。 支撐基板9之基板夾持器8係配置於室内部13中以面向样 天線板7。 氣體供應管12係連接於室蓋1以用於從外部供應反應劑 氣體至室内部13之内，供應自氣體供應管12之反應劑氣體 係導引穿過支撐構件6的氣體孔6a及溝槽6b。 & 室蓋1及處理室本體2係由導體所製成且接地，支撐構件6 及天線板7亦由導體所製成且接地或施加有正電位（第$圖） -10- 555878

發明説明 。用於基板偏壓之施加，高頻之偏壓（頻率·· 6 MHz，輸出 :約1 Kw)施加於基板夾持器8，基板夾持器8具有諸如用 以吸取基板9之靜電夾頭機制及用以藉由例如He(氦）氣體 冷部機板9之冷卻機制，偏壓則可為任一除了上述者之外之 具有不同頻率的電壓，或Dc電壓或脈波電壓，可選擇任一 合適之偏壓以符合製程之目的。 若施加正電位於支撐構件6及槽天線板7時，室蓋丨及支 才牙構件6必須藉配置一絕緣物15於該處之間而予以絕緣，如 第4圖中所示，該圖顯示相對應於第丨圖之橫剖面圖。 槽天線板7之槽7a的位置係設計如下文所述。 槽7a(位置係利用電腦模擬技術設計，形成一模型形狀 自一微波入口到第二介電質板5而具有導波管3&及第一介 電質板4於孩處之間，接著，若該模型之邊界的邊際條件相 對應於一完美之導體時，則執行電磁分析。此處，藉空氣 及微波產生器與槽天線間之介電質所形成之空間作用為一 諧振腔而藉此產生該微波之駐波，因此，槽7a係直接地定 位於第一及第二介電質板4及5中之微波駐波的波腹下方。

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k 微波駐波之波腹稱為駐波之最大場振幅的位置。參閱第 5圖’在第-及第二介電質板4及5中之駐波的場強度係實際 地藉描繪為點線2 1 <輪廓線予以表示，輪廓線2丨在形狀上 係幾乎圓形（或橢圓形）而較接近中心的圓形（或橢圓形）表 示較大的場強度，槽7a則直接地定位在幾乎圓形（或橢圓形 )輪廓線2 1之中心的下方。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公袭：） 555878 A7 _____B7 _ 五、發明説明（9 ) 直接地在駐波波腹下方位置處之磁場會較大，因此，配 置槽7a於該位置處以感應電流於槽7a周圍，此電流會造成 磁％產生自槽7 a ’也就是說，槽7 a係直接地定位在駐波之 波腹下方而有效率地輻射微波到室内部丨3之内。 例如槽7a為矩形，則槽7a係設計具有介電質中之空間波 長之一半長度的較長側邊（例如大約20 mm，倘若該介電質 具有10之相對介電常數以及頻率為2.45 GHz)且設計具有 更短側邊而在長度上為該較長側邊的一半或更小。通常， 當槽天線之矩形槽的較長側邊為2/ ^時，則微波之輻射效 率會增強，槽7a可以以此方式成形而增強微波之輕射效率。 較佳地’槽7a之形狀係根據駐波分布的大小而變化；特 定地，當場振幅大時，槽7a之較長側係製成更短；根據槽 7 a的位置，可變化微波輻射之量。因此，較大輕射量之槽 7a具有其較長側邊縮短以用於減少輕射量以便輻射出相同 於從其他槽所輻射出之微波的量，所以可使來自槽h之微 波輻射均勻。 因此，設計槽7a以使槽天線板7作用為槽天線而可有效地 且均勻地從槽7a輻射出微波。 須注意的是，槽7a係根據諧振器之結構而設計有數目及 形狀，換言之，可在使微波均勾地輻射自槽&的條件上採 用任一設計，例如矩形槽〜可如上述地在長度及寬产上木 異，或槽7a之中心轴可相對於槽天線板之縱=側而=相 根據第一實施例之電漿處理裝置的操作係描述於下 '，其 係使用為用於例如S i 0 2膜的乾触刻裝置。 、

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555878 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 參閱第1圖，藉真空抽取裝置，真空狀態會初步地產生 且維持於室内部13之中，然後以質量流控制器（未圖示）所 控制之預疋流動速率從氣體供應管12供應諸如CF4及〇2處 理氣體，之後，透過複數個氣體孔6a使處理氣體分流進入 將供應至室内部13之複數個氣體通道之内，該室内部13之 壓力係藉凋整排放系統之傳導率的壓力調節機制而調整到 一預定的壓力（例如3 0巴）。 預定功率（例如2千瓦（kW))之微波係透過導波管3 ,入口 導波管3a以及第一及第二介電質板4及5而從槽天線板7之 開口 7a供應及輻射至室内部13，視需要地供應偏壓至基板9 以用於例如所蝕刻之膜的側壁之錐形控制。在此方式中， 可均勻地產生電漿且可均句地蝕刻基板8上之膜（例如Si〇2 膜）。 其他形式之絕緣膜以及例如A1及Ti之金屬膜亦可藉改變 處理氣體之形式及混合比例，設定氣體壓力於預定之壓力 及提供預定功率之微波予以蝕刻。 根據第一實施例，接地電位係施加於室蓋1 ,處理室本 體2，支撐構件6，及槽天線板7，而偏壓則施加於基板9 , 孩偏壓可予以調整而控制室内部丨3中所產生之電衆離子相 對於基板9的方向。 關於上述稱為習知裝置之微波電漿處理裝置（日本專利 公開案第2000-91097號），大多數之介電質部分面對電聚放 電平面。、在此例中因為第二介電質係絕緣體，故相對基板 之大邵分平面上之電位為浮動電位。 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21GX 297公爱) 555878 A7

根據本發明之第一實施例，支撐構件6及槽天線板7係由 導體所製成，使得藉設定導體之電位於例如接地電位之電 位控制為可行的。在此方式中，透過偏壓之施加可完整地 取得牽引離子及自由基之效應。有利地，可增強蝕刻速率 及擴展由蝕刻所產生之形狀的控制範圍。 此外’根據第一實施例，槽天線板7係設置接觸於第二 介電質板5，因此，空間波長會比當空氣層存在於槽天線板 7與第二介電質板5之間的空間波長更短（該波長大略地為 Al2〇3 ’ A1N之第二介電質的三分之一）。較短之間隔於槽7a <間係因而可行的，其意指可形成較大數目之槽7a，因此 可使微波分布，亦即，電漿分布均勻。 須注意的是，入口導波管3a以及第一及第二介電質板5 的個別形狀並未受限於上文所示之該等形狀而可根據室之 大小及形狀而為任何適用之形狀。在此例子中，係因此而 設計槽天線板7之槽7a的設置。 第二實施例 根據第一實施例，微波係透過由第一及第二介電質所建 構之雙介電質結構予以發射。根據第二實施例，如第6圖中 所示之電漿處理裝置係建構不具第二介電質，而是延伸第 一介電質板4於較短側邊之方向中（其中導波管延伸之方向 )，然後，槽天線板7接觸第一介電質板4而支撐構件6則僅 支撐槽天線板7。 除了上述組件外之組件係建構幾乎相類似於第一實施 例之該等組件，因此，彼此相對應之組件係藉相同之符號 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

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予以表示而不重複其說明。 槽天線板7之槽7 a係根據下文所述之第二實施例設計。 形成一包含微波入口，導波管3，入口導波管3a，及第_ 介私、板4之模型之接著，倘若該模型之邊界的邊界條件相 對應於一完美的導體時，執行電磁分析。所以，此模型作 用為諧振器，因而產生微波之駐波。因此，槽天線7之槽& 係設計直接地定位在第二介電質板5中之微波駐波的波腹 下方。 例如槽7a為矩形，則槽7&係設計具有介電質中之空間波 長之一半長度的較長側邊（例如大約2〇 mm，倘若該介電質 八有10之相對介電常數以及頻率為2.45 GHz)且設計具有 更短側邊而在長度上為該較長側邊的一半或更小。較佳地 ，槽7a之各尺寸係根據駐波分布的大小而變化；特定地， s %振幅大時，槽7a之較長側係製成更短。在此方式中， 設計槽7a以使槽天線板7作用為槽天線以用於微波且因此 而作用於有效地輻射出微波。 第二實施例相異於第一實施例，其中前者不具有第二介、 電質。根據第一實施例，採用由第一及第二介電質所形成 之介私質的兩部分結構，其應設計不具有縫隙於第一與第 一；I %貝之間。在若干例子中，大略地數百微米之縫隙可 根據第一及第二介電質，室蓋1 ,支撐構件ό及類似物之製 私，組合及溫度改變而予以產生。根據第二實施例，此一 縫隙可接第二介電質之去除而避免。 弟二貫施例 555878 A7 _________ B7 五、發明説明（13 ) 參閱第7及8圖，根據第三實施例之電漿處理裝置係建構 有配置於槽天線板7之中的缝隙通道讣及八，槽天線板7並 未如第一及第二實施例中所採用之支撐構件予以支撐，而 是直接地以例如螺釘來固定於室蓋1。 須注意的是，第7圖顯示相對應於第8圖中線νπ -νπ之示意 橫剖面圖。 除了上述組件外之組件係建構幾乎相類似於第二實施 例之该等組件，因此，彼此相對應之組件係藉相同之符號 予以表示而不重複其說明。 根據第三實施例，槽天線板7具有氣體通道，然後，並 不需相似於第一及第二實施例地提供氣體通道於支撐構件 之中。右泫支撐構件具有氣體通道，則無氣體通道可配置 於該第一介電質板4下方。在此例子中，在室内部ι3中之氣 體流動的最適化會是困難的。 根據第二貫施例 < 配置於槽天線板7中之氣體通道讪及 7c可直接地設置在第一介電質板4下方以使室内部13中之 氣體流動最適化。此外，因為氣體通道71}及7c係配置於槽 天線板7之中，故無需第二實施例之支撐構件6。 第三實施例之此結構提供了例如蝕刻A1，以及TiN膜之 過程中蝕刻均句性之增強，其中該氣體流動具有決定性之 影響於蝕刻之上。 槽天線板7及支撐構件6可集成以用於第一實施例之結 構。 菖使用根據弟一至第二貫施例所述之電襞處理裝置於 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 555878

姓刻諸如A1之金屬時，則可㈣槽天線板m槽天線板 本身係由A1所形成時。在此一例子中，至少一槽天線板 7之平面之暴露於電漿的部分會企望地塗覆有Αι2〇3。此外 ,較佳地該室之内壁係塗覆有Al2〇3。 如上述之使用於塗覆之材料並未受限於Abo〗而是可應 用任一材料於該材料不受電漿影響之條件下。 如上文中所述地，根據本發明之電漿處理裝置採用由導 體所製成之槽天線板而設置在面向處理室之介電質的側邊 上以便促成該槽天線板之電位的調整。因此，槽天線板之 電位可予以調整而控制例如電漿離子相對於欲處理基板之 万向（偏壓效應）。例如可藉調整該槽天線板之電位於接地 電位且施加偏壓於基板而使電漿離子實質地垂直地入射於 基板之整個表面之上，因此，可均勻地電漿處理一材料於 其平面之内。 而且，可使槽天線板接觸介電質以縮短相較於當空氣層 存在於槽天線板與介電質之間的微波空間波長。因此，可 縮短槽天線板之開口間的間隔，使得可形成較大數目之開 口，所以可透過該等開口均勻地分布輻射進入該處理室之 内的微波於處理室之中。 此外，具有適當地界定用於微波駐波之位置及尺寸的複 數個開口可j疋供有效率的及均勻的微波輕射於處理室之内。 雖然本發明已詳細地予以說明及描繪，但應清楚地理解 的是，莫係僅用於描繪及舉例而非用於限制，因此，本發 明之精神及範疇僅受限於附錄申請專利範圍之條款。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 裝 訂

k 555878 A7 B7 五、發明説明（15 ) 件 符號說明 1 室蓋 10 墊圈 2 處理室本體 11 墊圈 3 導波管 12 氣體供應管 3a 導波管 13 室内部 3b 開口 15 絕緣物 3 c 保溫通道 21 輪靡線 4 第一介電質板 30 螺絲 5 第二介電質板 61 微波產生器 6 支撐構件 62 導波管 6a 氣體孔 63 介電質通道 6b 溝槽 64 第一介電質板 7 槽天線板 65 微波彌散板 7a 槽 66 第二介電質板 7b 氣體通道 67 第三介電質板 7c 氣體通道 68 處理室 8 基板夫持！§· 71 基板 9 基板 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

Claims (1)

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   ι· 一種電漿處理裝置，包含： 一處理室’用於藉由電漿來處理； 微波發射裝置’用於發射微波到該處理室； 一介電質板’用於輻射該微波發射裝置所發射之微波 到該處理室之内；以及 一槽天線板，由導體所形成，配置於該介電質板之一 側上而面向該處理室，且含有一開口以用於通過輻射自 該介電質板而穿過該開口處之微波。 2 ·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該槽天線 板之該開口係直接地定位在該微波發射裝置及該介電 質所建構之一諧振器中之微波駐波的波腹下方。 3. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該槽天線 板具有調整於一接地電位或一正電位的電位。 4. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該槽天線 板包含一用於一處理氣體之通道。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐）