JP2002170818A - プラズマプロセス装置 - Google Patents

プラズマプロセス装置

Info

Publication number
JP2002170818A
JP2002170818A JP2000368508A JP2000368508A JP2002170818A JP 2002170818 A JP2002170818 A JP 2002170818A JP 2000368508 A JP2000368508 A JP 2000368508A JP 2000368508 A JP2000368508 A JP 2000368508A JP 2002170818 A JP2002170818 A JP 2002170818A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric
slot antenna
antenna plate
microwave
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000368508A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3650025B2 (ja
Inventor
Naoko Yamamoto
直子 山本
Tatsushi Yamamoto
達志 山本
Masaki Hirayama
昌樹 平山
Tadahiro Omi
忠弘 大見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2000368508A priority Critical patent/JP3650025B2/ja
Priority to TW090129064A priority patent/TW555878B/zh
Priority to CNB011429402A priority patent/CN1296975C/zh
Priority to US10/007,127 priority patent/US6783628B2/en
Priority to KR10-2001-0075753A priority patent/KR100494607B1/ko
Publication of JP2002170818A publication Critical patent/JP2002170818A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3650025B2 publication Critical patent/JP3650025B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロ波によるプラズマ励起において、被
処理物に対するイオン照射エネルギの調整が容易で、被
処理物に対するプラズマ処理が面内にわたって均一なプ
ラズマプロセス装置を提供する。 【解決手段】 チャンバ内部１３内にマイクロ波を照射
するための第２の誘電体５のチャンバ内部１３側にはス
ロットアンテナ板７が配置されている。スロットアンテ
ナ板７は導電体よりなり、かつマイクロ波をチャンバ内
部１３に通すためのスロット７ａを有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマプロセス
装置に関し、より詳しくは、たとえば半導体、液晶表示
素子、太陽電池などの製造プロセスなどに使用されるエ
ッチング装置、成膜装置、アッシング装置などのプラズ
マプロセス装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体やＬＣＤ（liquid crystal
display）などの製造に用いられる基板の大型化によ
り、大面積の基板を処理するプラズマプロセス装置が開
発されている。特にＬＣＤの製造装置においては基板サ
イズが１ｍ角以上の基板を対象にした装置の開発がなさ
れており、これらの装置においては、プラズマの均一化
が課題となっている。それとともに、装置のスループッ
トを向上させるための成膜、エッチング、アッシングな
どのプラズマプロセス速度の向上も開発要素となってい
る。また、ドライエッチング装置においてはパターンの
微細化や多層膜化によりエッチング時の断面形状の制御
も課題となっている。
【０００３】プラズマの均一化を目的としたマイクロ波
プラズマプロセス装置は、たとえば実開平４−１１７４
３７号公報に記載されている。これはマイクロ波誘電体
線路の下の空気層と第２の誘電体との間にスリット孔を
有する金属板を設けてマイクロ波の強度分布を調節し、
プラズマ生成室のプラズマ密度を均一にするものであ
る。
【０００４】しかしながら、この構成では変形を考慮し
て厚い板を用いていたが、板厚が厚い場合はマイクロ波
導延室の中央部の端で異常放電が起こる。また、板厚が
薄い場合は金属と誘電体との熱膨張係数が大きいことか
ら金属と誘電体を接触させることができなかったり、異
常放電が生じる。これらのことは、特開２０００−９１
０９７号公報で指摘されており、この公報にはその改良
の発明が記載されている。
【０００５】特開２０００−９１０９７号公報に記載さ
れた発明では、図９に示す構成が採用され、かつＡｌ
（アルミニウム）からなるマイクロ波分散板６５の厚さ
が０．２ｍｍから２ｍｍとされている。つまり、図９を
参照して、マイクロ波はマイクロ波発振器６１から、導
波管６２、誘電体線路６３、空気層、第１の誘電体６
４、マイクロ波分散板６５、第２の誘電体６６および第
３の誘電体６７を通って処理室６８にエネルギーを供給
する構成が採用されており、この構成とすることにより
アッシング部が均一にされている。
【０００６】また、プラズマのイオン照射量を制御し、
プロセス速度の制御やエッチングにおける被エッチング
膜の断面形状の制御をするために、被処理物に直流、交
流あるいはパルス状のバイアス電圧を印加する技術が知
られている。この被処理物へのバイアス電圧印加方法と
しては、たとえば特開２０００−６８２２７号公報に開
示された方法がある。この方法は、被処理物の処理面に
間隔をあけて対向し、かつ接地電位または正電位に固定
された多孔電極を設けておき、被処理物にパルス状また
は直流のバイアス電圧を印加する技術である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
４−１１７４３７号公報および特開２０００−９１０９
７号公報に関しては、マイクロ波を均一にするために分
散板を用いる技術が示されているが、その設計方法が開
示されていない。また、高周波のバイアス電圧を試料台
に印加することが記載されているが、図９に示すように
基板７１に対向する面をなす第３の誘電体６７がセラミ
ックスからできており、その第３の誘電体６７の電位を
調整することができない。このため、基板７１にバイア
ス電圧を効率的に印加することができず、被処理物に対
するイオン照射エネルギーの調整範囲が拡大できないと
いう課題がある。
【０００８】また、特開２０００−６８２２７号公報で
は、実施例に記載されている技術がＩＣＰ（inductivel
y coupled plasma）装置に関するもので、プラズマ源と
して周波数がＭＨｚオーダのＲＦ（radio frequency）
電源が用いられており、マイクロ波電源によりプラズマ
を発生させることは記載されていない。このため、１辺
が数百ｍｍ〜１０００ｍｍ程度の真空装置の長さよりも
マイクロ波の波長が短い（ｆ＝２．４５ＧＨｚの場合、
真空中の自由空間波長が１２２ｍｍ）ことにより生じる
問題点も記載されていない。つまり、プラズマを励起す
る場合に生じる問題点であるマイクロ波の定在波分布を
考慮した設計がなされていない。
【０００９】マイクロ波励起のプラズマプロセス装置に
おいては、マイクロ波の立体回路を共振器として考える
必要があるが、真空チャンバへのマイクロ波導入部分が
前記共振器の一部をなしている。このため、プラズマ放
電の開始、維持および均整に関してはマイクロ波の導入
部分についてはマイクロ波の伝搬特性を考慮した設計が
必要であるが、上記公報などにはそのような設計の指針
が示されていない。
【００１０】それゆえ、本発明の目的は、マイクロ波に
よるプラズマ励起において、被処理物に対するイオン照
射エネルギーの調整が容易で、かつ被処理物に対するプ
ラズマ処理が面内にわたって均一なプラズマプロセス装
置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマプロセ
ス装置は、プラズマを用いた処理を行なう処理室と、処
理室にマイクロ波を導くマイクロ波伝送手段と、マイク
ロ波伝送手段により伝送されたマイクロ波を処理室内に
放射するための誘電体と、誘電体の処理室に面する側の
面に配置されかつ誘電体から放射されたマイクロ波を通
すための開口部を有する導電体のスロットアンテナ板と
を備えることを特徴とする。
【００１２】本発明のプラズマプロセス装置によれば、
誘電体の処理室側に配置されるスロットアンテナ板は導
電体よりなるため、スロットアンテナ板の電位の調整が
容易である。このため、スロットアンテナ板の電位を調
整することにより、プラズマ中のイオンなどの処理基板
に対する方向性を制御することができる（バイアス効
果）。たとえば、スロットアンテナ板の接地電位を、処
理基板にバイアス電圧をそれぞれ印加することにより、
プラズマ中のイオンなどを基板表面全面に対して略垂直
に入射させることが可能となり、被処理物に対してプラ
ズマ処理を面内にわたって均一に行なうことができる。
【００１３】また、スロットアンテナ板を誘電体に接触
させた場合、スロットアンテナ板と誘電体との間に空気
層がある場合よりもマイクロ波の空間波長を短くするこ
とができる。これにより、スロットアンテナ板の開口部
の間隔を短くすることができ、多数の開口部を形成する
ことが可能となる。このため、開口部を通じて処理室内
に放射されたマイクロ波の分布が均一となり、処理室内
のプラズマ分布を均一にすることが可能となる。
【００１４】また、開口部を複数個設けて、その各開口
部の位置をマイクロ波の定在波に対して適切な位置、寸
法などに設定することにより、マイクロ波を処理室内に
効率的かつ均一に放射することができる。
【００１５】上記のプラズマプロセス装置において好ま
しくは、スロットアンテナ板の開口部は、マイクロ波伝
送手段および誘電体から構成される共振器に立つマイク
ロ波の定在波の腹の部分の直下に位置している。
【００１６】このように定在波の腹の部分直下の磁界が
大きくなる部分に開口部を設けることにより、開口部の
まわりに電流が誘導され、この電流により開口部から磁
界が誘起される。すなわち、定在波の腹の部分直下に開
口部を設けることによりマイクロ波が処理室内に効率的
に放射されることになる。
【００１７】上記のプラズマプロセス装置において好ま
しくは、スロットアンテナ板は、接地電位または正の電
位に調整されている。
【００１８】スロットアンテナ板の電位を調整すること
により、プラズマ中のイオンなどの処理基板に対する方
向性を制御することが可能となる。
【００１９】上記のプラズマプロセス装置において好ま
しくは、スロットアンテナ板に、プロセスガスの流路が
設けられている。
【００２０】これにより、プロセスガス流を制御するこ
とが容易となり、被処理物のプラズマ処理を均一に行な
うことが容易となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図に基づいて説明する。
【００２２】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的に示
す断面図であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う概略
断面図である。また、図３は、図１の矢印ＩＩＩ方向か
ら見た第２の誘電体とスロットアンテナ板と支持部材と
の配置状態を示す図である。
【００２３】なお、図１および図２の断面図は、図３の
Ｉ−Ｉ線およびＩＩ−ＩＩ線に沿う断面に対応してい
る。
【００２４】図１〜図３を参照して、本実施の形態のプ
ラズマプロセス装置は、チャンバ蓋１、プロセスチャン
バ本体２、導波管３、導入導波管３ａ、第１の誘電体
４、第２の誘電体５、支持部材６、スロットアンテナ板
７、および基板ホルダ８を主に有している。
【００２５】チャンバ蓋１はプロセスチャンバ本体２の
対向部分に配置されており、チャンバ蓋１とプロセスチ
ャンバ２との間はガスケット１０によりシールされてい
る。このチャンバ蓋１にはスリット状の開口部１ａが形
成されている。その開口部１ａにはＳｉＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ＡｌＮなどの誘電体からなり、かつ逆凸状の断面
を有する第１の誘電体４が挿入されている。チャンバ蓋
１と第１の誘電体４との間はガスケット１１によりシー
ルされており、ガスケット１１はガスケット１０ととも
にチャンバ内部１３を気密に保持している。チャンバ内
部１３は図示しないターボ分子ポンプなどの真空ポンプ
により排気され、１０-4Ｐａから１０-3Ｐａ程度の真空
状態に保持される。
【００２６】第１の誘電体４の大気側には導入導波管３
ａが配置され、チャンバ蓋１にボルトで締結されてい
る。導入導波管３ａは、その上面中央部で導波管３と締
結されている。マグネトロンから発振された周波数２．
４５ＧＨｚのマイクロ波は図示しないアイソレータ、自
動整合器などと直導波管、コーナ導波管、テーパ管、分
岐導波管などのマイクロ波立体回路などを通って導波管
３に導かれた後、開口部３ｂから第１の誘電体４側へ放
射される。
【００２７】導入導波管３ａには保温流路３ｃが設けら
れており、導入導波管３ａとその周辺部とが所定の温度
に保たれるように保温流路３ｃには保温媒質が流されて
いる。また、図示していないが、チャンバ蓋１やプロセ
スチャンバ本体２も、ヒータや保温流路を有しており、
これによりチャンバ温度を均一に保つためにヒータが加
熱したり、保温流路に保温媒質を流すなどの温度調節機
能を有している。
【００２８】チャンバ蓋１の真空側にはＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2、ＡｌＮなどの誘電体からなる複数（たとえば４
枚）の第２の誘電体５が第１の誘電体４に接するように
設置されている。この第２の誘電体５の下部には導電体
からなるスロットアンテナ板７が、第２の誘電体５と接
するように固定されている。
【００２９】第２の誘電体５とスロットアンテナ板７の
外周部には、第２の誘電体５およびスロットアンテナ板
７をチャンバ蓋１に支持するための導電体からなる支持
部材６が図３に示すようにねじなどで固定されている。
また、スロットアンテナ板７には図３のような矩形のス
ロット７ａが設けられており、スロットアンテナ板７の
厚さはたとえば１〜２０ｍｍである。この矩形のスロッ
ト７ａは、後述するようにスロットアンテナの役目を果
たすように設計された位置に設けられている。
【００３０】このスロットアンテナ板７の材質は、たと
えばＡｌ、ＳＵＳなどが用いられる。また、このスロッ
トアンテナ板７をより確実に第２の誘電体５に密着させ
る場合は、スロットアンテナ板７と支持部材６との間に
ばね材を挿入するなどの構成が採られる。
【００３１】チャンバ内部１３には基板９を保持する基
板ホルダ８が、スロットアンテナ板７と対向する位置に
設置されている。
【００３２】チャンバ蓋１には外部からチャンバ内部１
３へ反応ガスを供給するためのガス供給管１２が接続さ
れている。このガス供給管１２から供給された反応ガス
をチャンバ内部１３へ導くために支持部材６にはガス流
路６ａ、６ｂが設けられている。
【００３３】また、チャンバ蓋１およびプロセスチャン
バ本体２は導電体からなっており、接地されている。ま
た、支持部材６およびスロットアンテナ板７も導電体か
らなっており、接地あるいは正の電位（図４）を印加さ
れている。そして、基板ホルダ８には、基板バイアスを
印加するために高周波のバイアス電圧（周波数＝６ＭＨ
ｚ、出力＝１ｋＷ程度）が印加される構成を有してい
る。また、基板ホルダ８には、基板９を吸着するための
静電チャック機構、および基板９をＨｅ（ヘリウム）ガ
スなどで冷却するための機構が設けられている。バイア
ス電圧に関しては、上記の他に周波数の異なるものでも
よく、直流の電圧またはパルス状の電圧でもプロセスの
目的に応じて選択することが可能である。
【００３４】なお、支持部材６とスロットアンテナ板７
とに正の電位を印加する場合には、図４に示すようにチ
ャンバ蓋１と支持部材６とは、その間に絶縁体１５を挟
むことにより絶縁する必要がある。図４は、図１の断面
に対応した断面を示している。
【００３５】次に、スロットアンテナ板７のスロット７
ａの位置の設計について説明する。スロットアンテナ板
７のスロット７ａの位置の設計は、コンピュータシミュ
レーション技術を用いて行なわれる。まずマイクロ波導
入口から導波管３、導入導波管３ａ、第１の誘電体４、
第２の誘電体５までのモデル形状が作成される。そし
て、このモデルの境界面での境界条件を完全導体として
電磁波解析が行なわれる。この場合、マイクロ波発振器
からスロットアンテナまでの空気と誘電体とから構成さ
れる空間部分は共振器となるので、マイクロ波の定在波
が生じる結果が得られる。この結果から第１および第２
の誘電体４、５におけるマイクロ波の定在波の腹の直下
にスロット７ａが設計される。
【００３６】ここでマイクロ波の定在波の腹とは、定在
波の電界振幅が極大になる部分のことである。実際に
は、図５に示すように第１および第２の誘電体４、５中
における定在波の電界強度は、点線２１の等高線図で示
すようになり、その略円形（または楕円形）の等高線２
１の中心ほど電界強度が高くなる。このため、略円形
（または楕円形）の等高線２１の中央部分の直下にスロ
ット７ａが設けられる。
【００３７】定在波の腹の部分直下は磁界が大きくなる
部分であるため、その位置にスロット７ａを設けること
により、スロット７ａのまわりに電流が誘導される。こ
の電流によりスロット７ａから磁界が誘起される。すな
わち、定在波の腹の部分直下にスロット７ａを設けるこ
とにより、マイクロ波が効率的にチャンバ内部１３に放
射されることになる。
【００３８】スロット７ａの形状はたとえば長方形で、
その長方形の長辺の長さが誘電体内の空間波長の半分
（たとえば、比誘電率＝１０の誘電体を用い、周波数
２．４５ＧＨｚの場合、２０ｍｍ程度）で、短辺方向は
長辺長さの半分以下の長さとなるように設計される。通
常、スロットアンテナを用いる場合、矩形状のスロット
の長辺の長さが２／λの場合にマイクロ波の放射効率が
よくなる。これにより、上述のようなスロット７ａの形
状とすることにより、マイクロ波の放射効率を良好にす
ることができる。
【００３９】また好ましくは、このときの定在波分布の
大きさに対応させてスロット７ａの形状は変化され、電
界振幅の大きいところではスロット７ａの長辺の長さが
短くされる。スロット７ａの配置場所によりマイクロ波
の放射量が異なる場合があるため、放射量が大きいスロ
ット７ａに対してはスロット開口部の長辺の長さを短く
することにより放射量を減らし、他のスロットの放射量
と同じ大きさにして各スロット７ａからの放射を均一に
することができる。
【００４０】このように設計することにより、スロット
アンテナ板７はマイクロ波のスロットアンテナの役割を
なし、マイクロ波を効率的にかつ各スロット７ａから均
一に放射するよう設計することができる。
【００４１】なお、上記においてスロット７ａの数や形
状は共振器の構造によって設計されるものである。つま
り、上記のように各スロット７ａで矩形の長さや幅を変
えたり、スロット７ａ中心軸をスロット板の長手方向に
対して傾けたりする構成でも、各スロット７ａから均一
にマイクロ波が放射される設計であれば、いかなる設計
が採用されてもよい。
【００４２】次に、本実施の形態のプラズマプロセス装
置をたとえばＳｉＯ2膜のドライエッチング装置として
用いた場合の動作について説明する。
【００４３】図１を参照して、チャンバ内部１３が予め
真空排気手段を用いて真空状態に保持される。そして、
ＣＦ4、Ｏ2などのプロセスガスが図示しないマスフロー
コントローラにより所定の流量に制御されてガス供給管
１２から導入された後、複数のガス流路に分岐され、複
数のガス導入孔６ａからチャンバ内部１３へ供給され
る。チャンバ内部１３の圧力は、圧力調整機構により排
気系のコンダクタンスを調整することで所定の圧力（た
とえば、３０Ｐａ）に調整される。
【００４４】そして、マイクロ波を所定のパワー（たと
えば２ｋＷ）で供給すると、導波管３、導入導波管３
ａ、第１の誘電体４、第２の誘電体５を経てスロットア
ンテナ板７の開口部７ａからマイクロ波がチャンバ内部
１３に放射される。被エッチング膜側壁のテーパ形状の
制御など必要に応じて基板９にバイアス電圧を印加する
と均一なプラズマが生成され、これにより基板８上の膜
（たとえばＳｉＯ2膜）に対して均一なエッチングが行
なわれる。
【００４５】また、プロセスガスの種類や混合比率を変
更し、ガス圧を所定の圧力に設定し、マイクロ波のパワ
ーを所定のパワーに設定することにより、他の絶縁膜や
Ａｌ、Ｔｉなどの金属膜などをエッチングすることもで
きる。
【００４６】本実施の形態においては、チャンバ蓋１、
プロセスチャンバ本体２、支持部材６およびスロット７
に接地電位が印加され、基板９にバイアス電圧が印加さ
れている。このバイアス電圧を調整することにより、チ
ャンバ内部１３に発生するプラズマ中のイオンの基板９
に対する方向性を制御することができる。
【００４７】従来例で示したマイクロ波プラズマプロセ
ス装置（特開２０００−９１０９７号公報）では、誘電
体面の大半がプラズマ放電面に面している。このような
場合、第２の誘電体は絶縁体であるため基板に対向する
面の大半が浮動電位となる。
【００４８】これに対して本実施の形態では、支持部材
６およびスロットアンテナ板７が導電体で構成されてい
るため、この導電体の電位を接地電位にするなどして電
位の制御が可能となる。このため、基板９にバイアス電
圧を印加することによるイオンやラジカルの引込み効果
を十分に発揮することができ、エッチングレートの向上
およびエッチング形状の制御範囲を広げる効果が得られ
る。
【００４９】また本実施の形態では、スロットアンテナ
板７は第２の誘電体５に接するように配置されている。
このため、スロットアンテナ板７と第２の誘電体５との
間に空気層がある場合よりも空間波長が短くなる（Ａｌ
2Ｏ3、ＡｌＮの場合、波長は１／３程度）。このため、
スロット７ａの間隔を短くすることができ、多数のスロ
ット７ａを形成できる。よって、マイクロ波の分布、す
なわちプラズマの分布を均一にすることが可能になる。
【００５０】なお、導入導波管３ａ、第１の誘電体４、
第２の誘電体５の形状は上記で示したものに限定され
ず、チャンバサイズ、チャンバ形状などに応じて最適な
形状を決定することができる。この場合、スロットアン
テナ板７のスロット７ａの配置もそれに応じて設計され
る。
【００５１】（実施の形態２）図６は、本発明の実施の
形態２におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的に
示す断面図である。実施の形態１では、マイクロ波を透
過するものとして第１の誘電体と第２の誘電体とを用い
た２段の誘電体構造としていたが、本実施の形態のプラ
ズマプロセス装置は、図６に示すように第２の誘電体を
省略するとともに第１の誘電体４の形状を短辺方向（図
中左右方向）に広げた構成を有している。このため、ス
ロットアンテナ板７は第１の誘電体４に接している。ま
た支持部材６はスロットアンテナ板７のみを支持してい
る。
【００５２】なお、これ以外の構成については、上述し
た実施の形態１とほぼ同じであるため、同一の部材につ
いては同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００５３】本実施の形態におけるスロットアンテナ板
７のスロット７ａの設計方法は以下のとおりである。
【００５４】マイクロ波導入口から導波管３、導入導波
管３ａ、第１の誘電体４までのモデルが作成され、モデ
ルの境界面での境界条件を完全導体として電磁波解析が
行なわれる。そうすると、このモデルは共振器となるの
でマイクロ波の定在波が生じる結果が得られる。この結
果から、第２の誘電体５における定在波の腹の直下位置
にスロットアンテナ板７のスロット７ａが位置するよう
設計される。
【００５５】スロット７ａの形状は、たとえば長方形
で、大きさは長辺の長さが誘電体内の空間波長の半分
（たとえば、比誘電率＝１０の誘電体を用い、周波数
２．４５ＧＨｚの場合、２０ｍｍ程度）、短辺方向は長
辺長さの半分以下の長さとなるように設計される。好ま
しくは、スロット７ａの各寸法はこのときの定在波分布
の大きさに対応させて変化させ、電界振幅の大きいとこ
ろではスロット７ａの長辺の長さは短くされる。このよ
うに設計することにより、スロットアンテナ板７はマイ
クロ波のスロットアンテナの役割をなし、マイクロ波を
効率的に放射する役割を果たす。
【００５６】本実施の形態では、実施の形態１と比較し
て第２の誘電体が省略されている。実施の形態１のよう
に第１の誘電体と第２の誘電体とを２段構造とした場
合、それらの間に隙間が生じないように設計する必要が
ある。しかし、第１および第２の誘電体、チャンバ蓋
１、支持部材６などの加工、組立、温度変化などによっ
て、数百μｍ程度の隙間が生じる場合もあった。本実施
の形態では、第２の誘電体を省略したことにより、この
ような隙間が生じることはない。
【００５７】（実施の形態３）図７は本発明の実施の形
態３におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的に示
す断面図であり、図８は図７の矢印ＶＩＩＩ方向から見
た第１の誘電体とスロットアンテナ板との配置状態を示
す図である。なお、図７の断面図は図８のＶＩＩ−ＶＩ
Ｉ線に沿う概略断面図を示している。
【００５８】図７および図８を参照して、本実施の形態
のプラズマプロセス装置は、スロットアンテナ板７にガ
ス流路７ｂ、７ｃが設けられた構成を有している。また
スロットアンテナ板７は実施の形態１および２のような
支持部材で支持されておらず、直接チャンバ蓋１にねじ
などにより固定されている。
【００５９】なお、これ以外の構成については、上述し
た実施の形態２とほぼ同じであるため、同一の部材につ
いて同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００６０】本実施の形態においては、スロットアンテ
ナ板７にガス流路を設けているため、実施の形態１およ
び２のように支持部材にガス流路を設ける必要がない。
支持部材にガス流路を設けた場合、第１の誘電体４の下
にはガス流路を設けることができず、チャンバ内部１３
におけるガス流を最適化することは困難であった。
【００６１】しかし本実施の形態によれば、スロットア
ンテナ板７にガス流路７ｂ、７ｃが設けられているた
め、第１の誘電体４の真下にもガス流路７ｂ、７ｃを設
けることができ、チャンバ内部１３におけるガス流を最
適化することが可能となる。また、スロットアンテナ板
７にガス流路７ｂ、７ｃを設けたことにより、実施の形
態２における支持部材６は不要となる。
【００６２】このように本実施の形態の構成とすること
により、ガスの流れがエッチングに支配的なＡｌ、Ｔ
ｉ、ＴｉＮ膜などのエッチングプロセスにおいて被処理
物のエッチング分布を向上することができた。
【００６３】また、実施の形態１の構成においても、ス
ロットアンテナ板７と支持部材６とが一体化された構成
が採用されてもよい。
【００６４】なお、上記の実施の形態１〜３で説明した
プラズマプロセス装置を用いてＡｌなどの金属をエッチ
ングするプロセスにおいては、スロットアンテナ板７を
Ａｌで構成した場合、それ自身がエッチングされるおそ
れがある。このようなプロセスに用いる場合は、スロッ
トアンテナ板７の少なくともプラズマにさらされる面に
Ａｌ2Ｏ3の被覆処理を施すことが望ましい。また、チャ
ンバ内壁面にもＡｌ2Ｏ3の被覆処理を施すことが好まし
い。
【００６５】また上記の被覆処理にて被覆する材料はＡ
ｌ2Ｏ3に限るものではなく、プラズマで侵されない材料
であればいかなる材質が用いられてもよい。
【００６６】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【００６７】
【発明の効果】以上説明したように本発明のプラズマプ
ロセス装置によれば、誘電体の処理室側に配置されるス
ロットアンテナ板は導電体よりなるため、スロットアン
テナ板の電位の調整が容易である。このため、スロット
アンテナ板の電位を調整することにより、プラズマ中の
イオンなどの処理基板に対する方向性を制御することが
できる（バイアス効果）。たとえば、スロットアンテナ
板の接地電位を、処理基板にバイアス電圧をそれぞれ印
加することにより、プラズマ中のイオンなどを基板表面
全面に対して略垂直に入射させることが可能となり、被
処理物に対してプラズマ処理を面内にわたって均一に行
なうことができる。
【００６８】また、スロットアンテナ板を誘電体に接触
させた場合、スロットアンテナ板と誘電体との間に空気
層がある場合よりもマイクロ波の空間波長を短くするこ
とができる。これにより、スロットアンテナ板の開口部
の間隔を短くすることができ、多数の開口部を形成する
ことが可能となる。このため、開口部を通じて処理室内
に放射されたマイクロ波の分布が均一となり、処理室内
のプラズマ分布を均一にすることが可能となる。
【００６９】また、開口部を複数個設けて、その各開口
部の位置をマイクロ波の定在波に対して適切な位置、寸
法などに設定することにより、マイクロ波を処理室内に
効率的かつ均一に放射することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１におけるプラズマプロ
セス装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う概略断面図であ
る。
【図３】 図１の矢印ＩＩＩ方向から見た第２の誘電体
とスロットアンテナ板と支持部材との配置状態を示す図
である。
【図４】 スロットアンテナ板に正の電位を印加する場
合の構成を示す概略断面図である。
【図５】 誘電体内に生じる定在波の様子を説明するた
めの図である。
【図６】 本発明の実施の形態２におけるプラズマプロ
セス装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図７】 本発明の実施の形態３におけるプラズマプロ
セス装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図８】 図７の矢印ＶＩＩＩ方向から見たスロットア
ンテナ板と第１の誘電体との配置状態を示す図である。
【図９】 従来のプラズマプロセス装置の構成を概略的
に示す断面図である。
【符号の説明】
１ チャンバ蓋、２ プロセスチャンバ本体、３ 導波
管、３ａ 導入導波管、３ｂ 開口部、４ 第１の誘電
体、５ 第２の誘電体、６ 支持部材、６ａガス導入
孔、６ｂ 溝、７ スロットアンテナ板、７ａ スロッ
ト、８ 基板ホルダ、１２ ガス供給管、１４ 絶縁
体。
フロントページの続き (72)発明者 山本 達志 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 平山 昌樹 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉05 東北大 学大学院工学研究科内 (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２−１−17− 301 Ｆターム(参考） 4K057 DA16 DB05 DB06 DB08 DD01 DE08 DE20 DM10 DM29 DN01 5F004 AA01 BA20 BB14 BB29 BB32 BC03 BD01 BD04 DA01 DA26 DB03 DB08 DB09 DB12 5F045 AA09 BB02 DP03 EF05 EH02

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 プラズマを用いた処理を行なう処理室
    と、 前記処理室にマイクロ波を導くマイクロ波伝送手段と、 前記マイクロ波伝送手段により伝送されたマイクロ波を
    前記処理室内に放射するための誘電体と、 前記誘電体の前記処理室に面する側の面に配置され、か
    つ前記誘電体から放射されたマイクロ波を通すための開
    口部を有する導電体のスロットアンテナ板とを備えた、
    プラズマプロセス装置。
  2. 【請求項２】 前記スロットアンテナ板の前記開口部
    は、前記マイクロ波伝送手段および前記誘電体から構成
    される共振器に立つマイクロ波の定在波の腹の部分の直
    下に位置している、請求項１に記載のプラズマプロセス
    装置。
  3. 【請求項３】 前記スロットアンテナ板は、接地電位ま
    たは正の電位に調整されていることを特徴とする、請求
    項１または２に記載のプラズマプロセス装置。
  4. 【請求項４】 前記スロットアンテナ板に、プロセスガ
    スの流路を設けたことを特徴とする、請求項１〜３のい
    ずれかに記載のプラズマプロセス装置。
JP2000368508A 2000-12-04 2000-12-04 プラズマプロセス装置 Expired - Fee Related JP3650025B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000368508A JP3650025B2 (ja) 2000-12-04 2000-12-04 プラズマプロセス装置
TW090129064A TW555878B (en) 2000-12-04 2001-11-23 Plasma processing apparatus
CNB011429402A CN1296975C (zh) 2000-12-04 2001-11-30 等离子体加工设备
US10/007,127 US6783628B2 (en) 2000-12-04 2001-12-03 Plasma processing apparatus
KR10-2001-0075753A KR100494607B1 (ko) 2000-12-04 2001-12-03 플라즈마 프로세스 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000368508A JP3650025B2 (ja) 2000-12-04 2000-12-04 プラズマプロセス装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002170818A true JP2002170818A (ja) 2002-06-14
JP3650025B2 JP3650025B2 (ja) 2005-05-18

Family

ID=18838725

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000368508A Expired - Fee Related JP3650025B2 (ja) 2000-12-04 2000-12-04 プラズマプロセス装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6783628B2 (ja)
JP (1) JP3650025B2 (ja)
KR (1) KR100494607B1 (ja)
CN (1) CN1296975C (ja)
TW (1) TW555878B (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003041460A1 (fr) * 2001-11-08 2003-05-15 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif de traitement au plasma et processeur associe
WO2004077540A1 (ja) * 2003-02-25 2004-09-10 Sharp Kabushiki Kaisha プラズマプロセス装置
JP2006128000A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd プラズマ処理装置
JP2006310794A (ja) * 2005-03-30 2006-11-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置と方法
JP2007048718A (ja) * 2005-08-12 2007-02-22 Tohoku Univ プラズマ処理装置
JP4944198B2 (ja) * 2007-06-11 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置および処理方法

Families Citing this family (260)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4072422B2 (ja) * 2002-11-22 2008-04-09 三星エスディアイ株式会社 蒸着用マスク構造体とその製造方法、及びこれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法
US6998565B2 (en) 2003-01-30 2006-02-14 Rohm Co., Ltd. Plasma processing apparatus
EP1637624B1 (en) * 2003-06-02 2012-05-30 Shincron Co., Ltd. Thin film forming apparatus
US20050000446A1 (en) * 2003-07-04 2005-01-06 Yukihiko Nakata Plasma processing apparatus and plasma processing method
US7268074B2 (en) * 2004-06-14 2007-09-11 Enthone, Inc. Capping of metal interconnects in integrated circuit electronic devices
US20080190560A1 (en) * 2005-03-04 2008-08-14 Caizhong Tian Microwave Plasma Processing Apparatus
JP4703371B2 (ja) * 2005-11-04 2011-06-15 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置
JP4915985B2 (ja) * 2006-02-06 2012-04-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2007273637A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Tokyo Electron Ltd マイクロ波プラズマ処理装置，マイクロ波プラズマ処理装置の製造方法およびプラズマ処理方法
US7998307B2 (en) * 2006-09-12 2011-08-16 Tokyo Electron Limited Electron beam enhanced surface wave plasma source
US8100082B2 (en) 2007-05-18 2012-01-24 Tokyo Electron Limited Method and system for introducing process fluid through a chamber component
JP2009021220A (ja) 2007-06-11 2009-01-29 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、アンテナおよびプラズマ処理装置の使用方法
JP2008305736A (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の使用方法およびプラズマ処理装置のクリーニング方法
US20080303744A1 (en) * 2007-06-11 2008-12-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing system, antenna, and use of plasma processing system
JP4705967B2 (ja) * 2008-02-26 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5213530B2 (ja) * 2008-06-11 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5578865B2 (ja) * 2009-03-25 2014-08-27 東京エレクトロン株式会社 誘導結合プラズマ処理装置のカバー固定具およびカバー固定装置
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5628507B2 (ja) * 2009-10-20 2014-11-19 東京エレクトロン株式会社 試料台及びマイクロ波プラズマ処理装置
US8980047B2 (en) * 2010-07-02 2015-03-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Microwave plasma processing apparatus
CN102094184A (zh) * 2010-09-28 2011-06-15 常州天合光能有限公司 Pecvd上下同时镀膜方法
JP5851899B2 (ja) * 2011-03-25 2016-02-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
CN104186024A (zh) * 2011-12-19 2014-12-03 松下电器产业株式会社 微波加热装置
JP2013243218A (ja) 2012-05-18 2013-12-05 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9530621B2 (en) * 2014-05-28 2016-12-27 Tokyo Electron Limited Integrated induction coil and microwave antenna as an all-planar source
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6404111B2 (ja) * 2014-12-18 2018-10-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
CN107369601B (zh) * 2016-05-11 2019-04-23 北京北方华创微电子装备有限公司 表面波等离子体加工设备
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10546724B2 (en) * 2017-05-10 2020-01-28 Mks Instruments, Inc. Pulsed, bidirectional radio frequency source/load
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
WO2019199648A1 (en) * 2018-04-10 2019-10-17 Applied Materials, Inc. Microwave plasma source with split window
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04117437A (ja) 1990-09-07 1992-04-17 Yokohama Rubber Co Ltd:The ゴム配合用硫黄
DE4235914A1 (de) * 1992-10-23 1994-04-28 Juergen Prof Dr Engemann Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen
JP2611732B2 (ja) * 1993-12-13 1997-05-21 日本電気株式会社 プラズマ処理装置
US5545258A (en) * 1994-06-14 1996-08-13 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Microwave plasma processing system
EP0702393A3 (en) * 1994-09-16 1997-03-26 Daihen Corp Plasma processing apparatus for introducing a micrometric wave from a rectangular waveguide, through an elongated sheet into the plasma chamber
JP3233575B2 (ja) * 1995-05-26 2001-11-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5645644A (en) * 1995-10-20 1997-07-08 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Plasma processing apparatus
JP3217274B2 (ja) * 1996-09-02 2001-10-09 株式会社日立製作所 表面波プラズマ処理装置
JP2000068227A (ja) 1998-08-24 2000-03-03 Nissin Electric Co Ltd 表面処理方法および装置
JP2000091097A (ja) 1998-09-11 2000-03-31 Sumitomo Metal Ind Ltd マイクロ波導入装置及びプラズマ処理装置
JP2000173989A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置
JP2000286240A (ja) * 1999-03-30 2000-10-13 Rohm Co Ltd 半導体基板用プラズマ表面処理装置におけるラジアルラインスロットアンテナの構造

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003041460A1 (fr) * 2001-11-08 2003-05-15 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif de traitement au plasma et processeur associe
US7478609B2 (en) 2001-11-08 2009-01-20 Sharp Kabushiki Kaisha Plasma process apparatus and its processor
WO2004077540A1 (ja) * 2003-02-25 2004-09-10 Sharp Kabushiki Kaisha プラズマプロセス装置
JP2006128000A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd プラズマ処理装置
US7728251B2 (en) 2004-10-29 2010-06-01 Sharp Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus with dielectric plates and fixing member wavelength dependent spacing
JP2006310794A (ja) * 2005-03-30 2006-11-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置と方法
JP2007048718A (ja) * 2005-08-12 2007-02-22 Tohoku Univ プラズマ処理装置
JP4944198B2 (ja) * 2007-06-11 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置および処理方法
US8733281B2 (en) 2007-06-11 2014-05-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US6783628B2 (en) 2004-08-31
KR100494607B1 (ko) 2005-06-13
JP3650025B2 (ja) 2005-05-18
CN1296975C (zh) 2007-01-24
US20020123200A1 (en) 2002-09-05
TW555878B (en) 2003-10-01
CN1363718A (zh) 2002-08-14
KR20020043446A (ko) 2002-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3650025B2 (ja) プラズマプロセス装置
KR100498584B1 (ko) 플라즈마처리장치및플라즈마처리방법
KR100689037B1 (ko) 마이크로파 공명 플라즈마 발생장치 및 그것을 구비하는플라즈마 처리 시스템
US6358361B1 (en) Plasma processor
JP2002093788A (ja) プラズマ処理装置
JP2570090B2 (ja) ドライエッチング装置
KR20070108929A (ko) 마이크로파 플라즈마 처리 장치
TW200810613A (en) Plasma treatment device, and plasma treatment method
JP5522887B2 (ja) プラズマ処理装置
JP3050124B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4304053B2 (ja) マイクロ波励起プラズマ処理装置
JP2002231637A (ja) プラズマ処理装置
KR100218836B1 (ko) 플라스마 처리장치
JPH1187320A (ja) プラズマ処理装置
JP2001015297A (ja) プラズマ装置
JP2007258570A (ja) プラズマ処理装置
JP2000164392A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH11204295A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP4165944B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP3077144B2 (ja) 試料保持装置
JPH10149896A (ja) プラズマ処理装置
JPH11145116A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置及びその実施に使用する対向電極
JPH09321030A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP2000173989A (ja) プラズマ処理装置
JPH06136541A (ja) 薄膜形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040325

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040413

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040611

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040914

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041108

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20041014

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20050106

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050201

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050216

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080225

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090225

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090225

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100225

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110225

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110225

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120225

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120225

Year of fee payment: 7

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130225

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130225

Year of fee payment: 8

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130225

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees