CN102094184A - Pecvd上下同时镀膜方法 - Google Patents

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张瞩君
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Abstract

本发明涉及PECVD镀膜设备技术领域，特别是一种提高硅片镀膜效率的PECVD上下同时镀膜方法。该方法是将单一的上镀膜设备或下镀膜设备改造成PECVD上下同时镀膜设备，在石墨载板上同时放置上下叠加的两张硅片，PECVD上下同时镀膜设备在叠加的两张硅片的两上下外露面上同时镀膜。可在单一腔体内实现产能的100％提升；同时硅片的上下叠加放置，减少了硅片背面的污染，提高电性能。

Description

PECVD上下同时镀膜方法
技术领域
本发明涉及PECVD镀膜设备技术领域，特别是一种提高硅片镀膜效率的PECVD上下同时镀膜方法。
背景技术
现有的太阳能电池载板式PECVD镀膜设备均采用单一的上镀膜或下镀膜，不能够完全利用空间工艺腔空间。同时在成膜过程中，等离子体会溢过载板，造成电池背面沉积薄膜，对电池转换效率产生不良影响。
PECVD上镀膜设备和下镀膜设备仅在工艺腔体的微波源安装存在区别，两种类型的设备均同时具有的上镀膜和下镀膜微波源安装预留口。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：增加单台PECVD镀膜设备的产能，降低生产成本，同时提高电池转换效率。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种PECVD上下同时镀膜方法，在PECVD上下同时镀膜设备的石墨载板上同时放置上下叠加的两张硅片，PECVD上下同时镀膜设备在叠加的两张硅片的两上下外露面上同时镀膜。
PECVD上下同时镀膜设备由PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备改造而来，利用在PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备的微波源安装预留口，在PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备上安装双套微波源以及相应的气路，实现上下同时镀膜。
本发明的有益效果是：将单一的上镀膜设备或下镀膜设备改造成上下同时镀膜设备，可在单一腔体内实现产能的100％提升；同时硅片的上下叠加放置，减少了硅片背面的污染，提高电性能。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的改造后的PECVD上下同时镀膜设备的结构示意图；
图中：1.PECVD上下同时镀膜设备，2.石墨载板，3.硅片，4.微波源。
具体实施方式
如图1所示，一种PECVD上下同时镀膜方法，在PECVD上下同时镀膜设备1的石墨载板2上同时放置上下叠加的两张硅片3，PECVD上下同时镀膜设备1在叠加的两张硅片3的两上下外露面上同时镀膜。
PECVD上下同时镀膜设备1由PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备改造而来，利用在PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备的微波源安装预留口，在PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备上安装双套微波源4以及相应的气路，实现上下同时镀膜。
Roth&Rau公司的太阳能电池载板式PECVD镀膜设备加工156mm*156mm准方形多晶硅太阳能电池为例，在PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备上安装双套微波源以及相应的气路，同一个石墨载板2可携带上下叠加的硅片3两片.当石墨载板2通过设备时，一次可以完成两片硅片的镀膜。

Claims (2)

1.一种PECVD上下同时镀膜方法，其特征是：在PECVD上下同时镀膜设备(1)的石墨载板(2)上同时放置上下叠加的两张硅片(3)，PECVD上下同时镀膜设备(1)在叠加的两张硅片(3)的两上下外露面上同时镀膜。
2.根据权利要求1所述的PECVD上下同时镀膜方法，其特征是，所述的PECVD上下同时镀膜设备(1)由PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备改造而来，利用在PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备的微波源安装预留口，在PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备上安装双套微波源(4)以及相应的气路，实现上下同时镀膜。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

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