TW552481B - Non-corrosive stripping and cleaning composition - Google Patents

Non-corrosive stripping and cleaning composition Download PDF

Info

Publication number
TW552481B
TW552481B TW088113522A TW88113522A TW552481B TW 552481 B TW552481 B TW 552481B TW 088113522 A TW088113522 A TW 088113522A TW 88113522 A TW88113522 A TW 88113522A TW 552481 B TW552481 B TW 552481B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
acid
weight
cleaning composition
water
corrosion
Prior art date
Application number
TW088113522A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Honda
Richard Mark Molin
Gale Lynne Hansen
Original Assignee
Arch Spec Chem Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Arch Spec Chem Inc filed Critical Arch Spec Chem Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW552481B publication Critical patent/TW552481B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261—Alcohols; Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D9/00—Chemical paint or ink removers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5009—Organic solvents containing phosphorus, sulfur or silicon, e.g. dimethylsulfoxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/264—Aldehydes; Ketones; Acetals or ketals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3263—Amides or imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3281—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/34—Organic compounds containing sulfur

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

552481 ‘ A7 B7 五 、發明說明（ 本發明係關於一種非腐蝕性之光阻劑剝離及清潔組合物， 其含有特足百分比之選用的溶劑；選用的烷醇胺化合 物，（3)選用的腐蝕抑制劑；及（4)水之組合。 發明背景 光阻劑剥離劑/電漿蝕刻殘餘物清潔劑技藝多數係爲内含 極性溶劑或烷醇胺化合物其中之一或兩者之組合物。爲： ^效移除經交聯抗#膜，已評斷/光阻劑剥離劑組合物中必 、而存在:^醇胺。不過，垸醇胺類的光阻劑剝離劑在某些狀 況下有嚴重的腐蝕問題，特別是對於鋁製基。 一 ^認爲，腐钱部份係由於在剝離後以水沖洗時，燒醇胺 化作用所導致’因爲，殘存的剝離劑溶液可 :在剝離步驟之後仍餘留在基材表面及/或基材載體 ^説，剝離劑組合物之燒醇胺成分本身並不會侵 材，但其可在激發水後引起腐蝕。 土 、爲了解決此問題’可在剥離步驟及剝離後用 ，間採用以有機溶劑(例如：異丙醇 ： 是此中間清洗步驟並非絕對令人、$音但 更複雜，此外，其會產生更多 = 此，若欲再採用含燒醇胺之剝離劑，必須^廢^因 題且不致於產生中間的有機溶劑廢料。b / n 虫問 此外，目前已知其他的金屬腐蚀機制，例如， (如：氣魅）傾向於以電Μ刻副產物之 1商化物物當與清潔步驟之水接觸後可造成基材；蚀2屬 ，"時或後清洗處理中亦觀察到其他腐蚀機制，尤並： 事 t 訂 線 本纸張尺度適財關家鮮（CNS)A4規格（21G x 29y 公釐） 552481 A7 B7 五、發明說明（2 ) 與合金，例如Al-Cu-Si有關之腐蚀。此類腐蚀一般屬於局部 的，因此，其被稱之爲孔蝕。孔蝕被認爲是由兩種具有不 同陰電性之金屬進行的直流式電化學反應所引起的。 本發明針對所有上述腐蝕類型提供一解決之道。 此外，在轉接器、金屬模具及鈍化孔的異向性電漿蝕刻方 法中，在抗蝕劑側壁上常發生’’側壁殘餘物”沉積的現象， 在以氧電漿法將光阻薄膜灰化之後，這些殘餘物變成金屬 氧化物。這些殘餘物若去除不完全會干擾到圖樣清晰度及/ 或使轉接孔完全堵塞。 許多不同化學品經確認可去除後蝕刻殘餘物，尤其是金屬 氧化物類型之殘餘物。例如，驗性的水性顯影劑，例如含 '氫氧化四甲基銨（TMAH)之顯影劑，已知會侵蝕鋁，因此 鋁氧化物殘餘物可用TMAH蝕刻消除。但是其他與多金屬 系統，例如Al-Si-Cu相關之後蝕刻殘餘物，則無法用 TMAH輕易的移除。TMAH對於多晶矽電漿蝕刻法之殘餘 物亦無效用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 • ----.------11-¾^--- (請先閱讀背面之注意事項本頁) -I線· 金屬氧化物類型之側壁殘餘物也可以下列移除：（1)氫氟 酸及乙二醇醚之混合物，或（2)硝酸、乙酸、及氫氟酸之 混合物。此類溶液須要極度小心控制，以預防其對重要金 屬及氧化物塗層之過度腐蝕。因其並無選擇性之腐蝕機 制，此類溶液無法使用在某些裝置構造中。
Wai M. Lee 在 Interconnects，Contact Metallization and Multilevel Metallization Symposium (183rd Spring Meeting of The Electrochemical Society) in Honolulu, HI May 16-21， -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐) 552481 • A7
1993描述’ 一種含！胺之胺/水基剥離劑組合物可移除 某些側壁殘餘物。雖然羥胺有可能增進剝離屬 J---·---------裝—— (請先閱讀背面之注寒項本頁) 腐蚀=，但其在.加熱下並不穩定。因此不建議= 胺’尤其^用於咼度驗性的介質中時。 因此’在較向溫度下，經胺並不通入 七田mm 妝卫巧通口用於剥離光阻劑薄膜 或用於清潔後蝕刻殘餘物。 以下説明的參考文獻建議含極性溶劑及/或燒醇胺化合物 之光阻劑剝離组合物或電漿蝕刻殘餘物清潔组合物： 於1986年！ 0们4日頒發給Sizensky等人之u s卜㈣n〇 4,617,251敎示一種正型光阻劑剝離組合物，其包含： -丨線· 選用的胺化合物（例如，2_(2-胺基乙氧基）乙醇、2_(2_胺基 乙基胺基）乙醇、及其混合物）及（B)選用的極性溶劑（例 如，N -甲基-2-吡咯啉酮、四氫呋喃醇、異佛爾酮、二甲 基亞颯、己二酸二甲酯、戊二酸二甲酯、環砜烷、^ _ 丁 内酯、N，N-二甲基乙醯胺及其混合物）。此文獻進一步敎 示此組合物中可加入水及染料或著色劑、潤溼劑、界面活 性劑、及抗泡沫劑。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於 1994年 1 月 1 8 日頒發給 Lee之 U. S. Patent No. 5，279,791 敎示一種用於將抗蝕劑自基材上移除之剝離組合物，其包 含（A)羥胺（例如：NH2OH) ; (B)至少一種烷醇胺；及視需 要選用的（C)至少一種極性溶劑。 濃與給 J. T· Baker Inc.之 European Patent Application Ν〇· 647884揭示一種非水性光阻劑剝離組合物，其包括⑴剝離 溶劑（例如：Ν -甲基-2-吡咯啉酮）、（ii)親核性胺（例如： -6 - 本纸張尺度適用…國國家標準（CMS)A4規格（210 X 297公釐） 552481
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（4 ) 單乙醇胺）、及（iii)還原劑，例如··水楊酸肟、鎵酸、及鎵 酸酯類。 讓與 J. T. Baker，Inc 之 European Patent Application No. 5 9 6 5 15揭示一種驗性的光阻劑剝離組合物’其包括溶劑、 親核的胺類（例如：1 -胺基-2-丙醇’ 2 -胺基乙醇）、及非 含氮之弱酸。 於1990年3月1日頒予Schulz專利之German Published Patent Application No. DE3828513敎示一種正型及負型光阻 劑剝離劑組合物，其包含（A)非質子性極性溶劑（例如：> 1，3-二甲基-2-咪唑啉酮或1，3-二甲基-四氫嘧啶酮）；及（B) 有機鹼（例如烷醇胺）。 於 1989年 3 月 28 日頒予K. Matsumoto (Asahi Chemical)專 利之 Japanese Published Patent Application No. 1-081949 敎 示一種正型作用的光阻劑剝離組合物，其包含（A) r - 丁内 酯，N -甲基甲醯胺、N，N-二甲基甲醯胺、N，N-二甲基乙 醯胺或N -甲基-2-吡咯啉酮；（B)胺基醇（例如：N - 丁基-乙 醇胺及N-乙基二乙醇胺）；及（C)水。 於 1992 年 12 月 4 日頒予 H. Goto 等人（Texas Instruments, Japan and Kanto Chemical，Inc·)專利之 Japanese Published Patent Application No· 4-350660敎示一種正型光阻劑之剝 離劑，其包括（A)l，3-二甲基-2-咪唑啉酮、（B)二甲基亞石風 及（C)水溶性胺（例如單乙醇胺或2-(2-胺基乙氧基）乙醇）， 其中以重量計，水溶性胺之量爲7-30%。 於1997年1 0月20日公開，且讓與給T〇ky0 Ohka Kogyo之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意· 事項 本瓦) 裝 訂： -丨線·
552481 五、發明說明（5 ) apanese Published Patent Application No· 7-271057敎示一 種含ν，ν·二乙純基胺之正型光阻劑組合物。較佳的調配 物5F含燒醇胺類（例如：’單乙醇胺）；水互溶性有機溶劑 (例如：N-甲基-2-峨嘻琳酮）；水；添加劑（例如：幾基芳 香族的化合物或三唑化合物）；或含羧基之有機化合物、 或其特定結合物。水楊醇爲其中較佳的羥基芳香族化合物 之一 〇
Japanese Published Patent Application N〇 7 271〇57確實建 議在水互溶性極性溶劑及燒醇胺之混合物中加入幾酸，以 應用於光阻劑剝離組合物或電漿蝕刻殘餘物清潔組合物， 然而，該組合物中須要加人㈣化合物H乙基㈣ (DEHA)以達成其所欲得之效能。 同樣的，European PatentApplicati〇nN〇 5965i5確實揭示 调配物，内含溶劑、烷醇胺及非含氮弱酸的混合物， 合物並未含有對於某些電漿蝕刻殘餘物之移除‘係 本發明之剝離及清潔组合物另一方面則可有效的 種有機聚合材料及電漿蚀刻殘餘物。本案發明人傾發現 些類型之腐蝕抑制劑可預防全屬腐 4丨祐玄, 万至屬腐蝕而不致降低光阻劑之 n 致降低去除電衆蚀刻殘餘物的效用。本發明 调配物录顧了各種功能及經濟上的f求， 基材表面之金屬污染，及在所需 、/、万 材料成本。 π而的腐蝕抑制效應下有利的 (請先閱讀背面之注意事項 —· I milk-頁： •線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8 - 552481 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（6 ) 本發明係關於一種不含羥胺及其衍生物之非腐蝕性剥離 及清潔組合物，此組合物包含： 純5%至50%之溶劑，其係選自由N_甲基·2•吡咯啉 酮、N-羥基乙基-2_吡咯啉酮、丨，3•二甲基-2•咪唑啉酮、 二:基亞砜、N，N-二甲基乙醯胺、環砜烷、二丙酮醇、乙 一醇、丙一醇及其混合物所組成之群； (b)約10%至90q/q之烷醇胺，其係選自由二乙二醇胺、單 ^醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、2_(2-胺基乙基胺基 醇、及其混合物所組成之群； ⑷約〇·1%至1G%之羧酸型腐#抑制，此賴型腐 制劑係選自由甲酸、乙酸、丙酸、戊酸、異戊酸、草酸、 1二酸、琥轴酸、戊二酸、順丁烯二酸、反丁缔二酸、酞 ，’2’3苯_二羧酸、乙醇酸、乳酸、檸檬酸、水楊酸、 酒石酸、葡萄糖酸、及其結合物所組成之群；及 (d)約1 %至40%之水。 上述所有百分比係以剥離及清潔組合物之總重計。 圭具壁1施例之描沭 '斤定我，非腐蝕性’’乙語意指對任何漸序磨損基 才炙化子作用的抑制性。”剥離及清潔組合物”乙語音指一 下列兩項作用之組合物··⑴可由基材上移剝 口 、且蜊（或其它類似的有機聚合材料）薄膜或塗層，及（2) I:基材上移除或清除各種類型之電漿㈣殘餘物（或稱 私漿側壁聚合物）。 文所陳述’本發明之非腐蝕性剝離及清潔組合物具 ί J------------裝 i — (請先閱讀背面之注意事項>411^本頁) . --線-
規格 (210 X 297公餐） 552481 A7 B7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、發明說明（7 ) 有四種成分，即一種或多種經選用的極性溶劑、一種或多 種經選用的烷醇胺化合物、一種或多種經選用的腐蝕抑二 劑、及水。此四種成分必需以特定之百分比存在。同時， 本發明較佳不含羥胺化合物及其衍生物，例如· N，N•二乙 基經胺。 本發明之剝離及清潔組合物所採用的溶劑包括：N _甲基 -2-p比洛p林酮（NMP)、N-#至基乙基-2 - p比洛琳嗣（HEP)、1 3 二甲基-2-咪唑啉酮（DMT)、二甲基亞砜（DMS〇)、N，N_’二 甲基乙醯胺（DMAC)、環砜烷、二丙酮醇（Daal)、乙二醇 (EG)、丙二醇（PG)或其結合物。NMP及HEP爲較佳的溶 劑。這些溶劑可用以有效的剝離各種光阻劑類型。 特佳的一種疋HEP及NMP之混合物，其中hep對NMP之重 量％混合比例爲約10 : 90%至90 : 10%，因爲HEP係爲較安 全且黏性較大的溶劑，而NMP則爲黏度較小而剝離力較強 的溶劑。一般而言，剥離力係隨著剝離劑溶劑黏度降低而 增加。 如以上所述剥離及清潔組合物亦包括烷醇胺類。較佳的 少元醇胺類包括二乙二醇胺（DEGA)、單乙醇胺（MEA)、二乙 醇胺（DEA)、三乙醇胺（TEA)、2-(2-胺基乙基胺基）乙醇及 其混合物。以EMA爲特佳的，。 可用於本發明中之腐姓抑制劑爲幾酸化合物。較佳的羧 酉父化合物爲甲酸、乙酸、丙酸、戊酸、異戊酸、草酸、丙 一酸、琥珀酸、戊二酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、酉太 酸、1，2,3-苯-三羧酸、乙醇酸、乳酸、擰檬酸、水楊酸、 • 10- 本紙張泛度適用屮國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項 $ 本頁) 裝 · · 線· 552481 Α7
五、發明說明（8 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 酒石酸、葡萄糖酸、及其結合物。更佳的羧酸型腐蝕抑制 劑為乳酸、檸檬酸、琥珀酸、水楊酸、酞酸、酒石酸、及 葡萄糖酸。頃發現此類化合物可有效的抑制腐蝕而不損及 任何剝離力，特別是在與上述所有極性溶劑、烷醇胺類及 水之混合物組合之情況下。此類化合物能兼顧到各種功能 和經濟上的要求，包括卓越的預防基材表面之金屬污染、 及在達成所需的腐蝕抑制效應下，較有利的材料成本。 第四個必要成分是水。在使用本發明組合物作爲後電漿 蚀刻殘餘物之清潔劑時，水可提昇其清潔力。 水 本發明之剝離及清潔組合物中視需要使用之成分包括： 水溶性界面活化劑。典型的界面活化劑包括聚（環氧乙烷） 與月EJ肪醇之縮合物，商品名爲”PQLY_TERGENT Olin Corporation of Norwalk，CT製造）。 這些成分的較佳含量爲，約8-40%之極性溶劑；約2〇_ 80%之胺化合物；約1至10%之腐蝕抑制劑；5_25%之水； 及，在採用時，0.01-2。/。界面活性化合物；所有均以剝離 及清潔組合物之重量計。這些成分的更佳含量爲，約1〇_ 35〇/〇之極性溶劑；約3〇-7〇%之胺化合物；約3至7%之腐蝕 抑制劑；約10-30%之水；及視需要選用的約〇〇5_1%界面 活性化合物；所有均以組合物之總重量計。 熟悉此技藝的人士所知之各式其它成份可視需要包含於 剝離及清潔組合物中，例如：染料或著色劑、潤溼劑、抗 ?沫劑等。-般而ΐ，這些其它視需要使用之成分的含 量’以組合物之總重量計，各約佔重量。 (請先閱讀背面之注意事項1 π本頁) 裝 丨線. -11 - 552481 五、發明說明（9 ) 製備本發明之剝離及清潔組合物時係將一種或多種經選 用的腐蝕抑制劑與一種或多種經選用的溶劑及一種或多 經選用的烷醇化合物在室溫下溶解。如上述所士， 入選用的成分。 口 項 訂 ▲ 上述剥離及清潔組合物的功能之一係從基材去除或剥離 有機聚合材料。就此而言，係藉由將有機聚合材料，例如 光阻d薄膜與上述剝離及清潔組合物接觸以實施本發明。 =的組合物亦可在電漿蝕刻金屬化晶圓之後用以上除後 電漿蝕刻之副產物。此類電漿蝕刻副產物，例如爲鋁、 鈦、銅或相關金屬之氧化物或卣化物，例如·· Ale。、 A1F3、Al2〇3、SiF4、Si〇2等。就此而言，係藉由將電聚蚀 刻殘餘物與上述清潔劑溶液接觸以實施本發明。確實之條 ^即溫度、時間等可有大幅度之變化，_般視所欲移除 」有機聚合材料或電漿蝕刻殘餘物的本質及厚度、及其他 =此技藝的人士熟知的因素而定。—般而言，進行約5 刀姜里4 0刀|里之代表性溫度係介於約4 5至9 〇 。 ^發明在運用上可使用各種方法使有機聚合材料及/或 包水蝕刻殘餘物與剥離及清潔組合物接觸。舉例+之，各 有機聚合材料及/或電㈣刻殘餘物之基材可浸在 =潔浴中、或剝離及清潔組合物可噴灑在有機聚合材料及 厂姓刻殘餘物表面上，這些均爲熟悉此技藝的人士所 知〇 本發明之剝離及清潔組合物可有效的由基材上去除多種 有機聚合材料及電漿㈣殘餘物。有機聚合物材料之例子包 -12- x_297 公— 本紙張 <度適用4,國國家標準（cns)A4規烙（210 552481 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（) 括正型及負型作用的g -線、i -線及深u v抗蝕劑、電子束 抗餘劑、X光抗蚀劑、離子束抗蚀劑、及有機介電材料， 例如聚醯亞胺樹脂等。運用本發明去除的由有機聚合材料 特定實例包括：内含酚甲醛樹脂或聚（對-乙烯基酚）的正 型抗蝕劑；内含環化聚異戊二烯或聚（對-乙晞基酚）的負 型抗蝕劑；及含聚甲基丙晞酸甲酯的抗蚀劑之正型抗蝕 劑。特定言之，剝離及清潔組合物經發現可極有效的去除 含酚醛清漆樹脂及重氮基莕幷醌類，例如鄰莕幷醌重氮基 磺酸酯類敏化劑。此類型抗蝕劑包括由〇lin Microelectronic Materials，of Norwalk，Connecticut所發售。 HPR 204 Series POSITIVE RESIST > HPR 504 Series POSITIVE RESIST、OiR32 Series POSITIVE RESIST、及 HPR 6500 Series POSITIVE RESIST。有機聚合材料殘餘物 可自熟悉此技藝的人士已知任何習用的基材上移除，例如 自石夕、二氧化石夕、氮化石夕、多晶石夕、铭、銘合金、銅、銅 合金、聚醯亞胺等基材上移除。 本發明將用以下之實施例作進一步之詳細描述。除非另 有説明，所有之份及百分比均以重量計，以及所有溫度均 採用攝氏溫標。 實施例1 製備剝離/清潔溶液，其係藉由混合30.0克N -甲基-2-吡 咯啉酮（NM)、55·0克之單乙醇胺（MEA)、5.68克88重量百分 比之乳酸（LA)水溶液、及9.32克去離子水，攪拌產生澄清 溶液。產生之溶液中各成分之重量比爲NMP/MEA/H20/LA= 30.0/55.0/10.0/5.0。溶液之 pH 爲 11.8。 -13- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNSM4規格（210 X 297公釐） I ^---·---------裝--- (請先閱讀背面之注意事項ιίΡι本頁) . •線· 552481 A7 B7 五、發明說明（11 ) α藉U /几積方法製備含多重塗層的碎晶 ，’及進-步的以旋轉式塗覆方法於晶圓上塗覆ι〇微米 旱度的正型光P_a劑（pR)薄膜。藉由光刻使p R塗層微圖樣 化再以預圖樣化之p R罩，藉由電聚蚀刻方法將圖樣轉 :多到金屬塗層_h。所形成的晶圓同時包含pR殘餘物及電 水蝕刻田I】產物’此係爲矽和鋁之氧化物及鹵化物的混合 物。所形成的電漿触刻殘餘物（PER)之组成，可用x-射線 光i晉分析定性。 將所形成的晶圓切成i cmx i cm片，i置於内含1〇〇毫升 上述剥離/凊潔洛液之2〇〇毫升燒杯中，該燒杯係置於 =$度控制浴中。將這些晶圓片浸於溶液中溫和振盪30 刀4里。再將晶圓片移入另一個内含室溫下的去離子水之燒 杯中，並溫和攪拌5分鐘。再由水中取出晶圓片並以氮氣 吹乾晶圓片表面。 在金濺射之後用掃描式電子顯微鏡（SEM)檢視晶圓片。 由晶圓的俯視面及橫切面SEM圖片檢視晶圓片上的卩尺與 per殘餘物。此外，用SEM檢視外露金屬層表面，以評估 金屬表面是否有任何腐蝕現象。 SEM檢視結果顯示，本發明nMP/mea/H2〇/;la= 30/55/10/5之調配物，即使並未以有機溶劑，例如異丙醇 (IPA)進行後剥離中間沖洗步驟，亦可同時將PR與PER殘 餘物移除而無金屬腐蝕的現象。 實例2 - 3 實施例2 - 3説明額外經測試之組合物，其具有在不同濃 度下之相同溶劑、烷醇胺、水及乳酸之混合物。詳細調配 -14- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） I *---·---------裝--- (請先閱讀背面之注寒項本頁) . •線‘ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制代 552481 A7 B7 五、發明說明（12 ) 物列於表1，並附各個SEM檢視結果。 對照組1 除了實施例1 - 3之外，製備如下不含腐蝕抑制劑之對照 調配物；NMP/MEA/H2O = 35/55/10。剝離測試條件則如實 施例1所述。 SEM檢視結果顯示，P R及PER殘餘物均如實施例1所顯 示，已完全移除。然而，相較於實施例1 - 3之調配物，金 屬塗層卻有嚴重腐蚀的現象。 對照組2 除了對照組1，再製備另一個不含水的對照調配物： NMP/MEA//LA=35/60/5。剝離測試條件一如實施例1所述。 、SEM檢視結果顯示，雖然P R殘餘物已完全移除，但無水 調配物並未移除電漿蚀刻殘餘物。同時，如表1所示，並 未發現此調配物有金屬腐蝕的現象。 下表1顯示不同調配物之結果，及其對剝離光阻劑（PR)、 清除電漿蝕刻殘餘物（PER)及腐蚀抑制（CIN)上的效應。 表1 (請先閱讀背面之注意事項
本頁) . 丨線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 調配物（Wt·%) 效能 實施例 NMP MEA H20 LA PR PER CIN 1 30 55 10 5 +++ ++ + +++ 2 34 55 10 1 +++ +++ + 3 32 55 10 3 +++ +++ ++ 對照組1 35 55 10 0 +++ ++ + - 對照組2 35 60 0 5 +++ - +++ + + +爲最高得分，及-爲負面效應 -15- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 552481 A7 B7 五、發明說明（13 從表1中可得到以下之結論·· ⑴溶劑、烷醇胺及水混合物中加入乳酸，對於避免金屬 腐蝕且不損及任何光阻劑剥離及電漿蝕刻殘餘物之清效 能非常重要； ' (2)腐蝕抑制效應對乳酸濃度具依存性。換士之，在最理 ，酸濃度下，才能在腐蚀抑制及殘餘物去除之間獲得 最佳之平衡；及 (，劑、燒醇胺及水混合物中若不含水則不能完全去除 笔漿蝕刻殘餘物。 本發明雖參考上述特定具體實施例 丁 Γ 1丄日一 j 1乍呪明，不過仍可在 :偏離揭示於此文中之發明概念之情况變、 ^飾、及變更。因此，本發明旨於涵技、 Ύ ^ 、 利範圍之精神及範疇之此類改變、修斤有付合其申凊專 /巾、及變更。 (請先閱讀背面之注意事項 — ·裝i 本頁： 一-ο, I . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制么 16 氏張〈度適用山國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. Jsr ..^vf'n實質内衮 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 本|3522號專利甲胥案 &申I請專利範圍修正本(90年8月）说 ι·ι— '申請專利範圍 A8 B8 C8 .種不含^胺及其付生物之非腐姓性剥離及清潔組合 物，包括： (a) 約5 %至50%重量比之溶劑，其係選自由N -甲基_2_ 口比P各淋酉同、N _每基乙基-2 -说p各琳酉同、13 _二甲基_ 2 _味 唑啉酮、二甲基亞颯、N，N_二甲基乙醯胺、環颯烷、 二丙酮醇、乙二醇、丙二醇及其混合物所組成之群； (b) 約10%至90%重量比之烷醇胺，其係選自由二乙二 醇胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、2_(2_胺基乙 基胺基）乙醇、及其混合物所組成之群； (C)約0.1%至10%重量比之羧酸類型之腐蝕抑制劑，其 係選自由甲酸、乙酸、丙酸、戊酸、異戊酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、酞酸、1，2,3-苯-三羧酸、乙醇酸、乳酸、檸檬 酸、水揚酸、酒石酸、葡萄糖酸、及其結合物所組成 之群，及 (d)約1%至40%重量比之水。 2 .如申請專利範圍第1項之非腐蝕性剝離及清潔組合物， 其中該溶劑抗蝕劑存在量為約訌4〇%，該烷醇胺存在量 為約20_80%，該腐蝕抑制劑存在量為約i至1〇%，且該 水存在量為約5-35%。 ~ 3 ·如申請專利範圍第1項之非腐蝕性剥離及清潔組合物， 其中該溶劑抗蝕劑為約10 — 35%，該烷醇胺抗蝕劑為约 3 0-70%，該腐蝕抑制劑抗蝕劑為約3至7 %，及該水抗 蝕劑為約10-30%。 〜
    (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 552481 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 .如申請專利範圍第1項之非腐蝕性剝離及清潔組合物， 其進一步包含約0.01%至2%重量比之界面活性化合物。 5 . —種不含烴胺及其衍生物之非腐蝕性剥離及清潔組合 物，其包含： (a) 約8-40%重量比之N -甲基-2-吡咯啉酮； (b) 約20-80%重量比之單乙醇胺； (c) 約：3至7 %重量比之乳酸；及 (d) 約5-35%之水。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
TW088113522A 1998-08-18 1999-08-07 Non-corrosive stripping and cleaning composition TW552481B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/135,809 US6268323B1 (en) 1997-05-05 1998-08-18 Non-corrosive stripping and cleaning composition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW552481B true TW552481B (en) 2003-09-11

Family

ID=22469785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088113522A TW552481B (en) 1998-08-18 1999-08-07 Non-corrosive stripping and cleaning composition

Country Status (8)

Country Link
US (2) US6268323B1 (zh)
EP (1) EP1129145B1 (zh)
JP (2) JP3796622B2 (zh)
KR (1) KR20010072673A (zh)
AT (1) ATE280204T1 (zh)
DE (1) DE69921350T2 (zh)
TW (1) TW552481B (zh)
WO (1) WO2000011091A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1938647B (zh) * 2004-03-03 2012-08-29 高级技术材料公司 用于蚀刻后去除基片上沉积的光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射物质的组合物和方法
CN114127230A (zh) * 2019-07-15 2022-03-01 弗萨姆材料美国有限责任公司 用于去除蚀刻残留物的组合物、其使用方法及用途

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7144848B2 (en) * 1992-07-09 2006-12-05 Ekc Technology, Inc. Cleaning compositions containing hydroxylamine derivatives and processes using same for residue removal
US6825156B2 (en) * 2002-06-06 2004-11-30 Ekc Technology, Inc. Semiconductor process residue removal composition and process
US20040134873A1 (en) * 1996-07-25 2004-07-15 Li Yao Abrasive-free chemical mechanical polishing composition and polishing process containing same
US6268323B1 (en) * 1997-05-05 2001-07-31 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive stripping and cleaning composition
DE19744434A1 (de) * 1997-10-08 1999-04-15 Weigert Chem Fab Reinigungsmittel für chirurgische Instrumente
DE69941088D1 (de) 1998-05-18 2009-08-20 Mallinckrodt Baker Inc Alkalische, silikat enthaltende reinigungslösungen für mikroelektronische substrate
US7579308B2 (en) * 1998-07-06 2009-08-25 Ekc/Dupont Electronics Technologies Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging
CA2353609A1 (en) * 1998-12-04 2000-06-15 Marine Ultra Clean Limited Method for removing surface coatings
KR20010080533A (ko) * 1999-09-24 2001-08-22 미우라 유이찌, 쓰지 가오루 세정제
DE60136335D1 (de) * 2000-02-16 2008-12-11 Illumina Inc Parallele genotypisierung mehrerer patientenproben
JP2002075993A (ja) * 2000-06-15 2002-03-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US6455479B1 (en) * 2000-08-03 2002-09-24 Shipley Company, L.L.C. Stripping composition
US6498131B1 (en) * 2000-08-07 2002-12-24 Ekc Technology, Inc. Composition for cleaning chemical mechanical planarization apparatus
US6558879B1 (en) * 2000-09-25 2003-05-06 Ashland Inc. Photoresist stripper/cleaner compositions containing aromatic acid inhibitors
US6599370B2 (en) * 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
JP2002180044A (ja) * 2000-12-07 2002-06-26 Toray Eng Co Ltd 熱可塑性ポリイミド樹脂用エッチング液
GB0031213D0 (en) * 2000-12-20 2001-01-31 Teklube Ltd Bactericidal emulsifying compound and process for producing such compound
WO2002095501A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-28 Dongjin Semichem Co., Ltd. Resist remover composition
US6559104B2 (en) * 2001-07-13 2003-05-06 Exxonmobil Research And Engineering Co. Method for inhibiting corrosion using certain aromatic acidic species
JP3797541B2 (ja) * 2001-08-31 2006-07-19 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
KR100554964B1 (ko) * 2001-09-07 2006-03-03 길준잉 포토레지스트 스트립핑 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성방법
JP2003177556A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Sharp Corp フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法
US20030171239A1 (en) * 2002-01-28 2003-09-11 Patel Bakul P. Methods and compositions for chemically treating a substrate using foam technology
EP1335016A1 (en) * 2002-02-06 2003-08-13 Shipley Company LLC Cleaning composition
WO2003091377A1 (en) 2002-04-25 2003-11-06 Arch Speciality Chemicals, Inc. Non-corrosive cleaning compositions for removing etch residues
US8003587B2 (en) * 2002-06-06 2011-08-23 Ekc Technology, Inc. Semiconductor process residue removal composition and process
US6677286B1 (en) * 2002-07-10 2004-01-13 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions for removing etching residue and use thereof
ES2200700B2 (es) * 2002-07-19 2005-10-01 Prodema S.A Tablero tipo sandwich.
EP1544324A4 (en) * 2002-08-19 2005-11-09 Merk Kanto Advanced Chemical L ablation solution
JP4282054B2 (ja) * 2002-09-09 2009-06-17 東京応化工業株式会社 デュアルダマシン構造形成プロセスに用いられる洗浄液および基板の処理方法
KR100503231B1 (ko) * 2002-10-22 2005-07-22 주식회사 엘지화학 반도체 및 ｔｆｔ-ｌｃｄ용 세정제 조성물
FR2850114B1 (fr) * 2003-01-17 2005-02-18 Atofina Nouvelles compositions contenant des hydrocarbures fluores et des solvants oxygenes
US6864193B2 (en) * 2003-03-05 2005-03-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor
US7337788B2 (en) * 2003-06-30 2008-03-04 Henkel Kommanditgesellschaft Auf Aktien Compositions useful for cleaning solvent-based paint from paint delivery installations
US20050032657A1 (en) * 2003-08-06 2005-02-10 Kane Sean Michael Stripping and cleaning compositions for microelectronics
US7384900B2 (en) * 2003-08-27 2008-06-10 Lg Display Co., Ltd. Composition and method for removing copper-compatible resist
WO2005041905A2 (en) * 2003-10-30 2005-05-12 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Stabilized body care products, household products, textiles and fabrics
US6946396B2 (en) * 2003-10-30 2005-09-20 Nissan Chemical Indusries, Ltd. Maleic acid and ethylene urea containing formulation for removing residue from semiconductor substrate and method for cleaning wafer
FR2868429B1 (fr) * 2004-04-02 2006-06-23 Ind De Chimie Elaboree Francai Agent activateur pour composition decapante et utilisations
US7094742B2 (en) * 2004-04-23 2006-08-22 Jelmar, Llc Hard surface cleaning compositions containing a sultaine and a mixture of organic acids
CN1994033A (zh) * 2004-07-29 2007-07-04 三井金属矿业株式会社 印刷电路板、其制造方法及半导体装置
US8178482B2 (en) * 2004-08-03 2012-05-15 Avantor Performance Materials, Inc. Cleaning compositions for microelectronic substrates
JP2006077134A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Kawaken Fine Chem Co Ltd 塗料剥離剤
US20060094612A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Mayumi Kimura Post etch cleaning composition for use with substrates having aluminum
PT1828848E (pt) * 2004-12-10 2010-05-21 Mallinckrodt Baker Inc Composições de limpeza para microelectrónica, não aquosas e não corrosivas, contendo inibidores da corrosão poliméricos
KR101088568B1 (ko) * 2005-04-19 2011-12-05 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. 갈바닉 부식을 억제하는 비수성 포토레지스트 스트립퍼
TWI282363B (en) * 2005-05-19 2007-06-11 Epoch Material Co Ltd Aqueous cleaning composition for semiconductor copper processing
EP1913448B1 (en) * 2005-08-13 2010-10-13 Techno Semichem Co., Ltd. Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing
US8211844B2 (en) * 2005-10-21 2012-07-03 Freescale Semiconductor, Inc. Method for cleaning a semiconductor structure and chemistry thereof
KR101152139B1 (ko) 2005-12-06 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치용 세정제 및 이를 사용하는 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법
US20070232511A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Matthew Fisher Cleaning solutions including preservative compounds for post CMP cleaning processes
US20080070820A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-20 Wescor, Inc. Stain removing cleaning solutions
TWI338026B (en) * 2007-01-05 2011-03-01 Basf Electronic Materials Taiwan Ltd Composition and method for stripping organic coatings
FR2912151B1 (fr) * 2007-02-05 2009-05-08 Arkema France Formulation de dimethylsulfoxyde en melange avec un additif permettant d'abaisser le point de cristallisation de ce dernier, et applications de ce melange
JP5464809B2 (ja) * 2008-02-29 2014-04-09 横浜油脂工業株式会社 塗膜用水系剥離剤および塗膜剥離方法
CN101251722B (zh) * 2008-03-19 2011-06-29 曹学增 一种正性光刻胶剥离液及其制备方法
CN101251723B (zh) * 2008-03-19 2010-10-27 曹学增 一种负性彩色光刻胶脱胶剂及其制备方法
JP4903242B2 (ja) 2008-10-28 2012-03-28 アバントール パフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッド 多金属デバイス処理のためのグルコン酸含有フォトレジスト洗浄組成物
US8361237B2 (en) * 2008-12-17 2013-01-29 Air Products And Chemicals, Inc. Wet clean compositions for CoWP and porous dielectrics
US8309502B2 (en) * 2009-03-27 2012-11-13 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
KR101098373B1 (ko) 2009-07-23 2011-12-23 남방씨.엔.에이 주식회사 슬래그 제거제용 조성물
US8569220B2 (en) 2010-11-12 2013-10-29 Jelmar, Llc Hard surface cleaning composition
US8575084B2 (en) 2010-11-12 2013-11-05 Jelmar, Llc Hard surface cleaning composition for personal contact areas
CN103160161B (zh) * 2011-12-16 2015-06-17 天津立昌科技有限公司 一种漆膜剥离剂
CN103631101B (zh) * 2012-08-22 2018-01-09 得凯莫斯公司弗罗里达有限公司 包含含氟表面活性剂的光阻剥除剂
US9434910B2 (en) 2013-01-16 2016-09-06 Jelmar, Llc Mold and mildew stain removing solution
US9873854B2 (en) 2013-01-16 2018-01-23 Jelmar, Llc Stain removing solution
CN103571640A (zh) * 2013-10-31 2014-02-12 合肥中南光电有限公司 一种水基led芯片清洗剂及其制备方法
CN103571644A (zh) * 2013-10-31 2014-02-12 合肥中南光电有限公司 一种水基硅片清洗剂及其制备方法
CN103571670A (zh) * 2013-10-31 2014-02-12 合肥中南光电有限公司 一种光伏电池硅片清洗剂及其制备方法
CN103589521A (zh) * 2013-10-31 2014-02-19 合肥中南光电有限公司 一种去除硅片表面污斑的水基清洗剂及其制备方法
CN103589525A (zh) * 2013-10-31 2014-02-19 合肥中南光电有限公司 一种去除黑蜡、松香和石蜡混合物的半导体硅片清洗剂及其制备方法
JP2015207712A (ja) * 2014-04-22 2015-11-19 三菱電機株式会社 洗浄液、洗浄設備、および実装基板の洗浄方法
US9957469B2 (en) 2014-07-14 2018-05-01 Versum Materials Us, Llc Copper corrosion inhibition system
WO2016028454A1 (en) 2014-08-18 2016-02-25 3M Innovative Properties Company Conductive layered structure and methods of making same
JPWO2021049330A1 (zh) * 2019-09-11 2021-03-18

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56115368A (en) 1980-02-15 1981-09-10 San Ei Chem Ind Ltd Releasing agent of photosensitive polymer
US4395348A (en) 1981-11-23 1983-07-26 Ekc Technology, Inc. Photoresist stripping composition and method
US4617251A (en) * 1985-04-11 1986-10-14 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Stripping composition and method of using the same
US4770713A (en) 1986-12-10 1988-09-13 Advanced Chemical Technologies, Inc. Stripping compositions containing an alkylamide and an alkanolamine and use thereof
JPS63208043A (ja) 1987-02-25 1988-08-29 Kanto Kagaku Kk ポジ型フオトレジスト用水溶性剥離液
US5035829A (en) * 1987-03-04 1991-07-30 Gaf Chemicals Corporation Paint removing compositions
JP2553872B2 (ja) 1987-07-21 1996-11-13 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
US4824763A (en) 1987-07-30 1989-04-25 Ekc Technology, Inc. Triamine positive photoresist stripping composition and prebaking process
JPH0769618B2 (ja) 1987-09-25 1995-07-31 旭化成工業株式会社 フオトレジスト用剥離剤
JP2631849B2 (ja) 1987-09-30 1997-07-16 ナガセ電子化学 株式会社 剥離剤組成物
US5011621A (en) * 1990-06-04 1991-04-30 Arco Chemical Technology, Inc. Paint stripper compositions containing N-methyl-2-pyrrolidone and renewable resources
JP2906590B2 (ja) 1990-06-14 1999-06-21 三菱瓦斯化学株式会社 アルミニウム配線半導体基板の表面処理剤
JP2527268B2 (ja) 1990-09-17 1996-08-21 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離剤組成物
US5279771A (en) 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
JP3160344B2 (ja) 1991-01-25 2001-04-25 アシュランド インコーポレーテッド 有機ストリッピング組成物
US5988186A (en) * 1991-01-25 1999-11-23 Ashland, Inc. Aqueous stripping and cleaning compositions
US5753601A (en) * 1991-01-25 1998-05-19 Ashland Inc Organic stripping composition
JPH04350660A (ja) 1991-05-28 1992-12-04 Texas Instr Japan Ltd 半導体装置製造用ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法
US5308745A (en) * 1992-11-06 1994-05-03 J. T. Baker Inc. Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins
US5454985A (en) * 1992-11-06 1995-10-03 Gage Products Company Paint stripping composition
US6326130B1 (en) 1993-10-07 2001-12-04 Mallinckrodt Baker, Inc. Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion
JP3406055B2 (ja) 1994-03-31 2003-05-12 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト用剥離液
US5545353A (en) 1995-05-08 1996-08-13 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Non-corrosive photoresist stripper composition
US5472830A (en) 1994-04-18 1995-12-05 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Non-corrosion photoresist stripping composition
US5597678A (en) * 1994-04-18 1997-01-28 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Non-corrosive photoresist stripper composition
US5567574A (en) 1995-01-10 1996-10-22 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Removing agent composition for photoresist and method of removing
US5563119A (en) * 1995-01-26 1996-10-08 Ashland Inc. Stripping compositions containing alkanolamine compounds
US5571447A (en) 1995-03-20 1996-11-05 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
US5507978A (en) 1995-05-08 1996-04-16 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Novolak containing photoresist stripper composition
JP2911792B2 (ja) * 1995-09-29 1999-06-23 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
JP3236220B2 (ja) * 1995-11-13 2001-12-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
US5759975A (en) * 1996-08-26 1998-06-02 Gage Products Company Paint line cleaner
US6268323B1 (en) * 1997-05-05 2001-07-31 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive stripping and cleaning composition
US5798323A (en) * 1997-05-05 1998-08-25 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Non-corrosive stripping and cleaning composition

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1938647B (zh) * 2004-03-03 2012-08-29 高级技术材料公司 用于蚀刻后去除基片上沉积的光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射物质的组合物和方法
CN114127230A (zh) * 2019-07-15 2022-03-01 弗萨姆材料美国有限责任公司 用于去除蚀刻残留物的组合物、其使用方法及用途

Also Published As

Publication number Publication date
US20010034313A1 (en) 2001-10-25
US6268323B1 (en) 2001-07-31
EP1129145B1 (en) 2004-10-20
DE69921350T2 (de) 2006-02-16
ATE280204T1 (de) 2004-11-15
WO2000011091A1 (en) 2000-03-02
JP3796622B2 (ja) 2006-07-12
DE69921350D1 (de) 2004-11-25
US6372050B2 (en) 2002-04-16
JP2002523546A (ja) 2002-07-30
EP1129145A1 (en) 2001-09-05
KR20010072673A (ko) 2001-07-31
JP2006146272A (ja) 2006-06-08
EP1129145A4 (en) 2001-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW552481B (en) Non-corrosive stripping and cleaning composition
KR100504979B1 (ko) 비부식성 스트리핑 및 세정 조성물
EP1808480B1 (en) pH buffered aqueous cleaning composition and method for removing photoresist residue
EP1813667B1 (en) Cleaning formulations
TWI226520B (en) Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
US7888302B2 (en) Aqueous based residue removers comprising fluoride
JP5662365B2 (ja) クリーニング調合物およびそのクリーニング調合物の使用方法
TWI752528B (zh) 用於半導體基材的清潔組合物
KR20010086161A (ko) 비부식성 세정 조성물 및 플라즈마 에칭 잔류물의 제거방법
US7682458B2 (en) Aqueous based residue removers comprising fluoride
JP2006085017A (ja) ホトレジスト用剥離液およびこれを用いた基板の処理方法
TWI251132B (en) Remover for photoresist and method for removing photoresist using same
JP3255623B2 (ja) レジスト用剥離液組成物
JP2006343604A (ja) ホトリソグラフィ用洗浄液およびこれを用いた基板の処理方法
JP2001022096A (ja) ポジ型レジスト用剥離液
TW520470B (en) Photoresist remover composition

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent