TW546728B - Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and protecting method for semiconductor wafer using said adhesive film - Google Patents

Description

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本發明為關於半導體晶圓表 該黏著薄膜之半導體晶圓的保方、^用黏著薄膜、及使用 半導體集成電路之製造步驟中"，於研:^詳言 <，為關於 之集成電路側之面（以下，、％刨未組裝半導體晶圓 半導體晶圓之破損、污$，乃；時，為了防止 路側之面（以下，稱為晶圓之表面）透晶圓之集成電 :導體晶圓表面保護用黏著薄二而貼附的 導體晶圓的保護方法。 使用该黏者缚膜之半 f景拮输 半導體裝置通常為將高純 晶圓後，經由離子植入、蝕 組裝集成電路後之晶圓裏面 予以機械性研削成晶圓厚度 裏面研削過程後，予以鑄模 晶圓厚度為薄至2〇〇〜250 //m 性研削而於晶圓裏面所產生 有時亦於裏面研削步驟中接 往，於此些步驟中，為了防 乃使用半導體晶圓表面保護 度的石夕單結晶等予以薄切作成 刻等組裝集成電路，並且，將 經過磨碎、磨擦、拋光等機構 為薄至100〜6〇〇 //m左右為止之 且晶片化之方法則可製造。於 以下之情形中，為了除去機械 的破碎層並且提高晶圓強度， 著將裏面施以藥液處理。以 止半導體晶圓的破損、污染， 用黏著薄膜。 具體而言，於晶圓表面將半導體晶圓表面保護用黏著薄 膜’透過其黏著劑層貼附將晶圓表面予以保護後，以機械 性研削該晶圓之裏面。研削後，視需要，接著實施晶圓裏 面的藥液處理步驟。於此些步驟完成後，將該黏著薄膜由

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546728 五 發明說明（2) 晶圓表面剝離。 此類半導體晶圓表面保護用點菩

、者涛例如於日太直U 開昭6 1 - 1 0242號公報中，揭示於宙於日奉專利特 其奸w y主品 外罢針朴十ί 、为氏D型硬度為4 0以下之 專片纟面，§又置黏者劑層為其特徵之 膜。此類半導體晶圓表面保護用黏 缚 能可列舉對於晶圓表面凹凸之宓人& ^得的重要性 之密合性由防止晶圓破損、抑制研削後曰阳圓表面凹凸 差（所謂TTV)之觀點而言為特別重要。者/θ圓面内厚度偏 導體晶圓之表面，存在起因於、組I集成貧電際上壯’通常於半 電路上所形成之保護膜的凹凸。兔7 γ < 衣置、和集成 句ί緩和研肖,1直 削應力及防止研削中之晶圓破損，並且為 ⑴義面時的研 削後之晶圓厚度精確度惡化地進行研削=了不會令裏面研 晶圓表面保護用黏著薄膜對於此此 i f必須令半導體 此些凹凸。 ：良好密合並且吸收 以往’通常於半導體晶圓之表面上，护 等之塗覆層、氧化矽膜、氮化矽膜等之、^在聚醯亞胺 等所產生之最大20 左右的凹凸、。但，从積^膜、因抄寫線 導體晶圓表面之約1〇%左右的凹陷，^大 ^凹凸僅為半 為較平滑的。通常，較平滑凸部之面。刀之凸部頂點 90%。對於具有此類凹凸之晶圓，可用二曰曰圓表面之約 圓表面保護用黏著薄膜將表面予以保'述之半導體晶 圓破損、污染。 σ 可應付不會令晶 但是’近年’隨著半導體業界的技 前之半導體晶圓表面保護用黏著薄膜所難2付出現具有先 __心、之表面形狀

C:\2D-\91-12\91122169.ptd 546728 五、發明說明（3) _ — -_ 圓]例如，隨著實裝技術的進步、和集成電路之高性 採用將半導體集成電路表面接續至下側所配置之基 二2反面晶片（flip chip)實裝之實裝方法的情況增" 有突二f適合此類實裝方法等晶片之晶圓，被生產成為| 合全t =衝撞電極的半導體晶圓。衝撞電極之材質為鉛錫 二雷技金、銀、銅等，形狀為球狀、圓柱狀、方形等。衝 二雪為由晶圓表面突出所形成，其高度（晶圓表面與衝 9^n亟頂點之高低差）一般為10〜150 ，其中亦存在到達 AM 者。文，隨著半導體晶片生產步驟的多樣化，於研 'V體晶圓裏面前，採用檢查半導體晶圓表面之晶片， 妒Γ r良晶片加以高度為1 0〜1 0 0 # m之突起狀不良電路識別 不忑亦稱為油墨點）後進行半導體晶圓之裏面研削之+ ^ 對表面具 的晶圓表面 膜、並且保 物，且黏著 之應力為集 例如即使未 突起狀物所 深研削之狀 令研削後之 驟造成影響 部為起點的 小艮電路 半導體晶 黏著薄膜 狀物之凸 並且於研 前述突起 面部位為 酒窩狀（d 之偏差惡 品之原因 生令晶圓 保護用黏 充分追隨 合不足， 晶圓破損 影響下， 部分呈現 之坑狀凹 於鑄模等 況，發生 損的重大 有衝撞 ，貼附 護之情 薄膜對 中在突 發生破 對應之 態，發 晶圓面 ，成為 裂痕， 電極和 先前之 形中， 於突起 起狀物 損亦在 晶圓裏 生所謂 内厚度 不良製 並且發 識別標 圓表面 並無法 部的密 削中令 狀物之 比周圍 i mp1e) 化，對 。視情 完全破 起狀物 著薄 突起狀 研削時 °又， 表面之 更加被 部等， 下一步 以酒窩 問題。

546728 五、發明說明

=類題之方法例如於曰本專利特開平…以關 方高度(A)為10〜100…半導體晶圓的 晨：研則方法。該方法之要點為使用肖氏D型硬度40以下 之溥膜’做為構成黏著薄膜的基材薄 你田甘r由 ⑻、黏著劑層之厚度(c)、及前且’使用其厚度 <R η 及刖述衝撞高度（Α)為滿足4Α =B、0· 6A =C關係之黏著薄膜。此方法即使 1 00 // m左右之半導體晶圓，亦可不會 圓^问:”、、 污染等實施裏面研削的優良方法。山曰固破知、表面 速但ί持ί U Γ體集成電路的小型化、輕量化被加 ί罢和精細間距化。進行精細間距化之 、-。果，例如，於晶圓表面設置高度100//m左右之焊雄 二電極：主：往間距一般為5°°㈣左右，但現在以：滿Γ 30 0 #m為主流。更且，已出現間距為2〇〇从爪左右者。兩 對於具f微細間距之衝撞電極的晶圓，於使 導體晶圓晨面研削用薄膜之情形+，將黏著薄膜由研 之晶圓剝離時，於晶圓表面易殘留一部分黏著劑（以研^，灸 ί:Γ4)狀物並且污染晶圓表面。其係因表面存在衝撞 Γ晶圓，於黏著薄膜由晶圓表面剝離時， 於犬起狀物周邊之黏著劑中，運作起因於突 複雜力量。於剝離黏著薄膜後之晶 的 等令半導體裂置之產率惡化的重大問題。“板树月曰剝離 於：電：m ΐί”撞電極之晶圓情況， /、衝扣電極之間的狹小間隙中所進入的黏著劑

546728 五、發明說明（5) 易有破碎殘留之傾命 σ „ 、门 成為嚴重之，問題。對於此_ 4生Λ 距化之衝撞電極之糊殘 ρ卩你栋田二、+、 Μ月細間 開平10-1895〇4所揭亍ΛH 本專利特 法解決。強列期望斜於/ V組晶圓之裏面研削方法亦無 出現。 …對於此類晶圓亦可無問題研削之技術的 首=，於日本專利特開2〇〇1_2〇32 5 5號公報中，揭示 ‘月豆晶圓力σ工時，貝古阳ρ *、曾 ； 、寸至半體日日圓表面且保持丰墓㈣曰 圓用之黏著薄[於基材層之單一表面設置彈二广 30〜10〇0kPa，且凝膠成分為2〇%以下之中間層，並於該中 3層ί ί::Ϊ Ϊ著劑層的半導體晶圓保持保護用黏著薄 片。關於黏者劑層之彈性查 太 j宝 r ^ ^ ^ ^ 羊可在不彳貝害接黏性、保持性之 巳 、*扠疋’且記載於25 °C中以10〜lOOOkPa為佳。但 是，關於黏著劑層之、;黑序#紹#也θ m主工 一 /皿度依賴性與日日0表面之污染防止之 關係則未言及。 於上述狀況下，追求對於晶圓表面具有精細齒距化之衝 =電極和不良電路識別標記之突起狀物的晶圓，亦可對於 突起狀物充分良好密合，防止晶圓破損和凹陷發生，且， 於晶圓表面無糊殘留之可使用的半導體晶圓表面保護用黏 著薄膜。 發明之揭示 本發明之目的為鏗於上述問題，提供即使於晶圓表面具 有精細齒距化之突起狀物之密合困難且易有糊殘留的晶 圓，亦可對於突起狀物之密合性優良，不會發生裂痕和凹 地研削’並且於黏著薄膜剝離後之晶圓表面無糊殘留之

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546728 五、發明說明（7) 2體晶圓的保護方法，使用 厂 徵之：述半導體晶圓表面保護用黏4:; ί用 干岭肢晶圓的保護方法。 布/寻胰為其特 ^發明之半導體晶圓表面保護 材湾膜之單—表面’少 ^二膜之特徵為於基 層形成黏著劑層，且形成最外層二=，i再於其外 ，率南’中間層之至少一層（c)mB)之貯藏彈 合低…層(C)的 * ^ Ξ ® )\βΛνΛ# 11 w" /G，mirO限定於"之;』：二之：❹性率比(G，25 t 防止半導體晶圓表 、Λ 、13之，考慮以黏著劑層（B) 彈性率：：：ff之巧染，將顯示黏著劑層⑻之貯藏 用 ==之指數限定於小之範圍為其特徵 物等之伴# 士述構成，即使於半導體晶圓表面存在突起壯 性，於;曰圓對於半導體晶圓表面的優良密合 ^則日日0晨面％可防止晶圓破損、 於剝離黏著薄膜後之晶圓表 ^ J又， 達成優良的非污染性。 曰引起糊殘留，且可同時 ⑻具為體:曰VA基二薄膜距離最遠位置所設置的黏著劑層 ^0. 〇7^5MPa Λ t Vn , C ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ Λ 薄腺栌终 门 則可防止由晶圓表面剝離黏著 1 、可殘奋糊。又’若令中間層（c)於5(TC中之貯藏彈性 第11頁 C.\2D-\91-12\91122169.ptd 546728 ι·. 五、發明說明（8) _ 率限定於0. OOlMPa以上、去、 經由滿足上述數式（1 )之關係“，· 〇 7/Pa之較低範圍、及、 突起狀物的優良密合性，、則可達成對於晶圓表面之 破損、發生凹陷，更且，較1:削晶圓裏面時可防止晶圓 。(：中之貯藏彈性率（G，25 彳土恶樣為令黏著劑層於25 /G，nun)均限定於特定範、及貯藏彈性率比（G，25 °C 還有，本發明中之 ，則可令上述效果更加顯著。 記載之方法測定之值、。 性率為意指根據後述實施例所 發明之最佳實 以下，詳細說明本 用黏著薄膜、及使用^半導it半導體晶圓表面保護 半導體晶圓的保護方法。净日日圓表面保護用黏著薄膜之 首先，說明可鹿用 薄膜的半導體晶圓。^明之半導體晶圓表面保護用點著 晶圓，亦可列舉Ξ ;ΐ明可適用之半導體晶圓不僅;: 關於晶圓錄磷、鎵相等之晶圓 用全部公知的半導=^=集成電路之形狀並無限定，可 破損、污染等之電面於裏面研削時，於特別易發： 良電路識別標記之古成面（表面）混合存在衝撞電極、 間距（鄰接突起肤^7度（ha)為10〜20〇 #Π1之突起狀物不 的精細間距化之半之雕中曰心間距離）5〇〜1 0 00 //Hi形成之所1^ 關於突起狀物之=二日日圓亦可較佳應用。 明 狀、高度、大小f體的齒距為依據突起狀物之種類3 異，例如，於i成間距之检數、實裝方“：形 战大起狀物之高度（ha)為120 “爪之衝撞電 C:\2D-\9l-12\91122169.ptd 第12頁 546728 五、發明說明（9) 藥又球狀丄之情形中，亦可應用間距為“0〜 ΐ;】電二形成突起狀物之高度(ha)為23P 士衝才里電極（金、縱橫分別為45口左右之方 中，亦可應用間距為5〇〜500 之晶圓。 月y 此處所謂之衝撞電極，為以適於曰一卜 #占么士法膏梦主道雕B U tt 日日片貫裝等之無線 二電極型式，於半導體晶圓表面 與电路共同形成者。通常，具有衝撞電極之 s 經由迴流、熱壓黏等步驟，透過此 ==片為 盤上，故該電極為具有10〜2〇〇 左右 妾績至貫裝基 衝撞電極之半導體晶圓為比以往晶呵：。具有此類 形兹狀等之依據衝撞的形成方柱狀：： 而有各式各樣的形狀。材質亦為料^求，，月匕寺 使用。 乃之只名方法等而適當選擇 又’所謂不良電路識別標記為指用以檢查 晶圓表面所形成的電路（晶片）4識別不^電路並 電路上加以標記。通常，為直徑〇1〜2關 〇 = 左右之以紅色等色素所著色的圓柱狀、圓錐狀又°开/ 0，? 良電路識別標記之部分為由周圍之半導 生7 狀態(突起狀物）。 圍之+導-晶圓表面突出之 其次’言兒明本發明之半導體晶圓表面保護用黏著薄膜。 護用黏著薄膜為於基材薄膜之 早-表面形成至少-層的中間層、及黏著劑層。此些層之

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内，將黏著劑層（B )以5 〇〜丨〇 〇 — 一 為〇· 0 7〜5MPa之範圍般較硬形:之貯藏彈性率之最小值 (c)為以5 0。(：中之貯藏彈性率又，中間層之至少一層 0· 〇7MPa般較柔軟形成。黏添、思01Mpa以上、未滿 體晶圓表面，防止污染之蜊層^(β)為考慮直接接觸半導 之間，通常於其表面貼附為占：二：於製造後至使用為止 本發明所用之基材薄膜^ f間隔物的剝離薄膜。

膜狀之薄Μ。基材薄膜可，：將合成樹脂成形加工為 之薄膜層合體。又，基：匕=…亦可為二層= 工成形之薄膜，且亦可為將熱可塑性樹脂予二上 膜。基材薄膜若變薄，貝:2化性樹脂製膜後、硬化之σ 之傾向，伴隨造成操作二寺黏著薄膜形態之性質有變J 加。由此類觀點而言生連帶令製造費^ 更佳為5〜500 。 土材缚膜之厚度為2〜5〇〇 “m為佳。 基材薄膜中所用之 稀、聚丁稀、聚甲基：：树脂可列t例t聚乙烯、聚丙 -丙烯酸乙酯共聚物、乙烯醋酉义乙烯酯共聚物、乙* 乙烯-甲基丙烯酸縮水甘丙細酸酯—馬來酸酐共聚物、 聚物、離聚物樹脂、\甘：=:物乙稀-曱基内歸^ 髀、焚7 Μ ,、 外—丙烯共聚物、丁二烯系碟〇 苯乙煤车料異一烯系彈性體等之熱可塑性彈性雕 :旨、聚氯乙稀樹脂、聚偏氣乙稀系：聚 醋、聚醯亞胺、聚醚：：乙；' …秦酸乙二雖等之聚

^ C

\鉍酮、聚碳酸酯、聚胺基曱 546728 五、發明說明（11) 丙稀酸系樹月旨、翁4 苴中，4 鼠糸树月曰、纖維素系樹脂等。 0 裏面研削加工時的保護性能，則以 (硬度計D硬度）為j K7m — 1 98 6所規定之肖氏D型硬度 成形加工成薄膜狀之時，視兩要，介叮亏二*此些树月曰 劑、抗氧化劑、㈣ j 亦可添加安定劑、滑 料等。將美材μΪ 劑、可塑劑、賦勒劑、柔軟材 時：添加；工成形時添加安定劑等之各種添加劑 且污毕曰iT: 著劑層’令黏著劑之特性變化，並 I木表面。於此類情形中，於基材薄膜與黏著劑層 S ，；防止各種添加劑移行至黏著劑層之】 阻擋層為佳。 日]卜 5又置 實：之圓裏面研削後’視需要’若考慮其後所 j使用：藥品':生優良之基材薄膜為佳。可列舉例如於基j 溥膜之设置黏著劑層側之反側面，將聚丙烯、聚對笨二曱 酸乙二酯等之具備耐藥品性之薄膜予以疊層之方法等。 基材薄膜之設置黏著劑層側之面，為了提高基材薄膜與 黏著劑層之接黏力，預先施以電暈放電處理或化學處理^ 佳。又，於相同目的下，亦可於基材薄膜與黏著劑層之間 形成底塗劑層。 本發明所使用之基材薄膜為由砑光法、τ型板擠壓法、 吹塑法、>堯_法專公知技術所製造之薄膜中，考慮生產 性、所得薄膜之厚度精確度等而適當選擇。 剝離薄膜可列舉聚丙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二酿（以

I C:\2D-\9M2\91]22169.ptd 第15頁 546728 五、發明說明（12) 下，稱為PET薄膜）等之合成* 施以聚矽氧烷處理等之脫模=炎、。視而要，於其表面 常為1〇〜2 0 0 0 左右。較 為佺。剝離薄膜之厚度通 本發明之半導體晶圓李= f3()〜1(3()0#m。 之早一表面，設置至少一声 有，导膜為於基材薄膜 層可由一層，且亦可形成二間層及黏著劑層。中間 薄膜之單一表面直接接觸；二上：無妨。首A，於基材 一層中間層之表面形成第_ =弟一層之中間層。依序於第 成第三層、依序、於第(:二^ 此些中間層之内，至少一 中間層之表面形成第η層。 率。如此處理於基材薄膜二」成八有上述的貞了藏彈性 之第η層表面，形成黏著劑層（β )。斤形成之η層中間層 黏著劑層（Β)為於使用時】 ° 層，若考慮以黏著劑層（Β) 丰钕肢晶圓表面之 °c中之貯藏彈性率的晶圓表面;亏染’則50〜100 ⑻於50，。中之性率在特定範:為佳。黏著劑層 圓Λ，， m 1 η右又低，則於剝離黏曰 殘留。又，若變得過高，則對於表面產生糊 性不鈎奋八，HI i 則對於日日圓表面突起狀物之密人 刀，引起晶圓破損和凹陷發生。若者岸茈〇 之最小值（G’min)為U7〜5MPa為佳。中之^無性率 又，於25°C中之貯藏彈性率（G，25t)若 黏著薄膜後之晶圓表面產生糊殘留。相反地若變^^離 c:\2D-\91-12\91]22]69. ptd 第16頁 546728 五、發明說明（13) ___ Ξ雞則ίί於喪失黏著性之晶圓表面的貼附性降低， 、。若考慮此點，則黏著劑層（Β)於25。 ·，且貼黏 率（〜。〇狀卜5MPa為佳L⑻於25C中之貯藏彈性 f f，考慮以黏著劑層（B)防止 Ϊ為；f'黏著劑層⑻之貯藏彈性率的溫；：；：，其重 賴性貯□藏彈性率的溫度依賴性為：‘ 溫度依圓=層巧^ 速度等之剝離條件為變動時广又」【：缚膜時之溫度、 «為變化時，於晶圓表面發生糊二】表=突起狀物之 黏著劑層⑻於5H。〇 t中之 由此類觀點而 G,min)相對於25t中之貯藏彈性率（g，25 1之敢小值 # η，以下，將此比稱為貯藏彈性率比）^之比（G’25°C 佺。經由將貯藏彈性率比（G, 25 ·匕）為卜3之範圍為 圍，則可取得貯藏彈性率之溫度依賴控制於上述範 結果，於晶圓表面之突起狀物之大、^黏著劑層。其 度、剝離速度等之剝離條件變 二化&、或制離溫 留糊，可防止污染。 亦不會於晶圓表面殘 若綜合性考慮對於晶圓表面之 之良好剝離性、對於晶圓表 I = 5性、由晶圓表面 (B)於25t中之貯藏彈性率（G，性等，則黏著劑層 述貯藏彈性率比（G，25t/G，m =為0.1〜5MPa，且，上 “黏著劑層⑻之厚度(tb)為對於為曰〜3 J範圍為佳。 者力等造成影f。厚度若變 曰曰、面之污染性、黏 _ ❹晶圓表㈣”所造 賺 第17頁 C:\2D-\91-12\91122169.ptd 546728 MM— 五、發明說明（14) :::亏染。厚度若變厚’則黏著力變高，且導致剝離時之 作業性降低。由此類觀點而言，則黏著劑層（B )之严产 (tb)r〜5”m為佳。更佳為H〇"m。為；實現對子:晶圓 表面之大起狀物的優良密合性，較佳令黏著劑斧 度（U、單位：#n〇與5 0〜1〇〇 t中之貯藏彈性S 、 位.MPa)之最小值（g，min)的積為在〇.卜5〇之 乂:Γ::10Γ之貯藏彈性率為對於半導體B晶圓表面之 藏彈性率若高，則中間層變硬且密 口 r〜低例如，於使用半導體晶圓之電路# A A y 4 高度為10〜200 之衝揞雷托 也路形成面’形成 把处％ * A之衝妆電極、不良電路識別桿記算之空 起狀物為以齒距5〇〜1〇〇〇 之半 ㈠不。己寻之大 顯著:相反若過低，則雖然提高密向特別 化。由此類觀ί:!1層白貼附和剥離時之操作性惡 中之貯藏彈性率為〇.〇(HMPa以上、未；；〇 pC)為以5(rC 有此特性之中間層(c)可為一未滿〇?，為佳。具 欲提高操作性、中 一 /成一層以上亦可。 薄膜之間的接黏力i :若在;;二J J力、中間層與基材 情形，考庹對於曰门走羊為上述乾圍外之中間層。於此 、十、# A k〜子於日日圓表面之密合性，且嗲目中获^ k 、b 述轭圍外之中間層 且4射藏5早性率為上 中間層（C)之人舛戶、子又為具有上述貯藏彈性率之 中間声之内口计厚度Ο0的25%以下為佳。 n7 "内’於50 °c之貯藏彈性率為0 ΟίΠΜΡ 滿〇.〇7MPa之中間層⑹的 =為〇.〇〇lMPa以上、未 _ 十厗度（tc)與黏著劑層（B)之 C:、2D- \9M2\9】122]69

Ptd 第18頁 五、發明說明（15) 厚度（tb)重要為滿足上述數式⑴之關係。妳 關係，則可令黏著薄膜充分追隨晶圓表面之/狀足此类貝 高對於突起狀物的密合性。其結果，於研 =，提 可防止於對應突起狀物之晶圓裏面發生u面時， 晶圓的破損。 凹1亦可防止 本發明之半導體晶圓表面保護用薄膜為適合使 電路形成面具有高度為10〜2 0 0 #m之衝撞電極、文為於 ，標記：或其混合物等突起狀物的半導體晶圓之良電， 二〜用。此^有上述貯藏彈性率之中間層(C :广保 度、早位.《)與突起狀物（A)之高度（ha、單位切 為滿足下述數式⑺之關係為佳。，經由同 .“ ⑴及下述數式⑺之㈣，則可更加顯 =數式 tc -ha ...(2) 咬取上建政果。 义具有上述貯藏彈性率之中間層（c)之各層厚度， =條：ΐ範圍内，通常於3〜3 0 0，、更佳為5〜25。：足 靶内I田遠擇。彳度若過度變#，則難以製作豸占菩：之 膜，對生產性造成影響且令製造費用增加。若^者缚 ?晶圓表面之密合性降低。*考慮此點，則具有巧對 弹性率之中間層（C)之合計厚度（tc)為1〇〜4〇〇 ^ %藏 佳為10，。_。又，黏著劑層⑻與全 更 11〜550 //m為佳。 〜各度為 本發明中之黏著劑層（B)及中間層只要滿足前述 則此些層之主成分的聚合物種類可由天然橡膠系、人 膠系、聚矽氡烷橡膠系、丙烯酸橡膠系等各式各樣

第19 1 546728 五、發明說明（16) 聚合物中適當選取使用。其中，若考慮物性之控制、再現 性等，則以丙烯酸橡膠系之聚合物做為主成分為佳。 聚合物為丙烯酸橡膠系時，構成聚合物之主要單體為丙 烯酸烷酯、甲基丙烯酸烷酯、或含有其混合物者為佳。丙 烯酸烷酯及曱基丙烯酸烷酯可列舉丙烯酸曱酯、曱基丙烯 酸曱S旨、丙烯酸乙酯、曱基丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯、 曱基丙烯酸正丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸辛酯等。其可單獨使用，且亦可混合使 用二種以上。主要單體之使用量為於做為聚合物原料之全 單體總量中，含有6 0〜9 9重量％之範圍為佳。經由使用此類 組成之單體混合物，則可取得含有大約同組成之丙烯酸烷 酯單位、曱基丙稀酸烧酯單位、或其混合單位之聚合物。 聚合物亦可具有能與交聯劑反應的官能基。能與交聯劑 反應之官能基可列舉羥基、羧基、環氧基、胺基等。於黏 著劑聚合物中導入此些能與交聯劑反應之官能基的方法一 般為使用在聚合物聚合時，令具有此些官能基之共聚用單 體進行共聚的方法。 具有上述官能基之共聚用單體可列舉例如丙烯酸、曱基 丙烯酸、衣康酸、中康酸、檸康酸、反丁烯二酸、順丁烯 二酸、衣康酸單烷酯、中康酸單烷酯、檸康酸單烷酯、反 丁烯二酸單烷酯、順丁烯二酸單烷酯、丙烯酸-2-羥乙 醋、曱基丙烯酸-2 -羥乙酯、丙烯醯胺、曱基丙烯醯胺、 第三丁胺乙基丙烯酸酯、第三丁胺乙基曱基丙烯酸酯等。 可令此些共聚用單體中之一種與上述主要單體共聚，且

C:\2D-\91-12\91122169.ptd 第20頁 546728 五、發明說明（17) 亦可令二種以上共聚。具有能與上述交聯劑反應之官能基 的共聚用單體使用量（共聚量），為於做為黏著劑聚合物原 料之全單體總量中，含有1〜4 0重量％之範圍内為佳。經由 使用此類組成之單體混合物，則可取得含有大約同組成之 共聚用單體單位的聚合物。 於本發明中，除了上述構成聚合物之主要單體及具有能 與交聯劑反應之官能基的共聚用單體以外，亦可令具有界 面活性劑性質之特定的共聚用單體（以下，稱為聚合性界 面活性劑）進行共聚。聚合性界面活性劑為具有令主要單 體及共聚用單體進行共聚之性質，並且於乳化聚合時具有 做為乳化劑之作用。於使用聚合性界面活性劑之乳化聚合 之聚合物時，通常，不會因界面活性劑而產生對於晶圓表 面的污染。又，即使發生起因於黏著劑層之些微污染時， 亦可經由水洗晶圓表面而輕易除去。 此類聚合性界面活性劑可列舉例如於聚氧乙稀壬苯醚之 苯環中導入聚合性之：1 -丙烯基者[第一工業製藥（股）製； 商品名：Acuaron RN-10 、同RN-20 、同RN-30 、同RN-50 等]、於聚氧乙烯壬苯醚之硫酸酯之銨鹽之苯環中導入聚 合性之1 -丙烯基者[第一工業製藥（股）製；商品名： Acuaron HS-10、同HS-20等]、及於分子内具有聚合性雙 鍵之磺基琥珀酸二酯系者[花王（股）製；商品名：LATEM S-120A、同 S-180A 等]等。 更且，視需要，亦可令丙稀酸縮水甘油酯、曱基丙稀酸 縮水甘油酯、異氰酸酯丙烯酸乙酯、異氰酸酯曱基丙稀酸

91122169.ptd 第21頁 546728 况口月 -- 乙酯、2-(1-氮丙啶基）丙烯酸乙酯、2 丙烯酸乙酯等之且有自共六聆从6 虱丙疋土土 ,^ /、有自我父聯性官能基之單體、醋酸乙烯 ί :、、苯乙稀等之具有聚合性雙鍵之單體、二乙烯 :某丙烯二^烯酉曰、曱基丙烯酸乙烯酯、1^烯酸烯丙酯、 ί::丙酿等之多官能性單體等進行共聚。 八：li離$ : 5應機構可列舉自由基聚合、陰離子聚 合、1¾離子聚合箄。婪去南 美之旦彡塑β 4 v、 右考慮+合物之製造費用、單體官能 基聚合進行聚人為於t 表面之影響等，則以自由 由基聚人引0二 土以自由基聚合反應進行聚合時，自 由&水口引發劑可列舉過 化異丁醯、過氯仆妾护 本曱、過氧化乙、過氧 三戊基等之過氧化二第三丁I、過氧化二第 納等之無機過氧=二、勿、，過硫酸銨、過硫酸鉀、過硫酸 -2-曱基丁腈、4,4，果“2她_偶$雙異丁腈、2,2，_偶氮雙 等。 又氰基戊酸等之偶氮化合物 又’以自由基聚合反 分子量等之目沾丁 、…將來合物聚合時，於調整聚合物 慣用的鏈移動則， —受j添加鏈移動劑。鏈移動劑為 烷基硫醇等之4醇類g不例如第三·"十二烷硫醇、正-十二 總量1 00重I八=。鍵移動劑之使用量為相對於單體 至里份，以0 · 〇 〇 i〜〇 R舌θ八 聚合物之聚人 u.5重1份左右。 直接接觸半導體\^圓#石的聚合物，若考慮黏著劑層（Β)為 曰曰、的黏著劑層，由防止晶圓污染之

91122169.ptd 第22頁 合法等公知$ 1^ φ、礼化聚合法、懸浮聚合法、溶液聚 劑層⑻之點H 適當選擇使用。特別，關於構成黏著 546728 五、發明說明（19) 觀點而言，則以採用取得高分子量聚合物之乳化聚合法為 佳。 以乳化聚合法將聚合物予以聚合時，此些自由基聚合引 發劑中，以水溶性之過硫酸銨、過硫酸鉀、過硫酸納等之 無機過氧化物、相同水溶性之4, 4’ -偶氮雙-4-氰基戊酸等 之分子内具有羧基之偶氮化合物為佳。若考慮離子對於半 導體晶圓表面之影響，則以過硫酸銨、和4, 4’ -偶氮雙-4-氰基戊酸等之分子内具有羧基之偶氮化合物為更佳。 4, 4’ -偶氮雙-4-氰基戊酸等之分子内具有羧基之偶氮化合 物為特佳。 於形成本發明所用之黏著劑層（B)及中間層的聚合物 中，亦可添加於1分子中具有二個以上交聯反應性官能基 之交聯劑。經由添加於1分子中具有二個以上交聯反應性 官能基之交聯劑，使得交聯劑所具有之交聯反應性官能 基、與聚合物所具有之官能基反應，則可調整交聯密度、 黏著力及凝集力。 交聯劑可列舉山梨糖醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘 油醚、季戊四醇聚縮水甘油驗、二甘油聚縮水甘油醚、甘 油聚縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、間苯二酚二縮 水甘油醚等之環氧系交聯劑、三經曱基丙烧-三-召-氮丙 啶基丙酸酯、四羥曱基甲烷-三-/3 -氮丙啶基丙酸酯、 N，N’ -二苯基曱烧-4，4’ _雙（1_氮丙唆魏酷胺）、N，N’ -伸己 基-1，6 -雙（1-氮丙啶羧醯胺）、N，N’-曱苯-2,4-雙（1_氮丙 啶羧醯胺）、三羥曱基丙烷-三-冷-（2 -曱基氮丙啶）丙酸酯

C:\2D-\91-12\91122169.ptd 第23頁 546728 五、發明說明（20) 等之氮丙啶系交聯劑、二異氰酸伸丁酯、二異氰酸伸己 酯、三羥曱基丙烷之曱苯二異氰酸酯三加成物、聚異氰酸 酯等之異氰酸酯系交聯劑等。此些交聯劑可單獨使用，且 亦可併用二種以上。 又，於聚合物為水溶液、水做為介質之乳狀液等之水系 之情形中，異氰酸酯系交聯劑為經由與水之副反應而令失 活速度變高，故與聚合物之交聯反應有時無法充分進行。 因此，於此情形中，於上述交聯劑中使用氮丙啶系或環氧 系之交聯劑為佳。 本發明之1分子中具有二個以上交聯反應性官能基之交 聯劑含量相對於聚合物1 0 0重量份，以交聯劑0 . 0 1〜3 0重量 份、較佳為0. 1〜2 5重量份。交聯劑之含量若少，則黏著劑 層之凝集力不足，於晶圓表面產生污染。若過多，則黏著 劑層與晶圓表面之密合力變弱，且於研削加工中浸入水和 研削屑，使得晶圓破損，並因研削層而令晶圓表面發生污 染。 於構成本發明之黏著劑層（B)及中間層之聚合物中，除 了上述之1分子中具有二個以上交聯反應性官能基之交聯 劑以外，為了調整黏著特性，亦可適當含有松脂系、萜烯 樹脂系等之黏合劑、各種界面活性劑等。又，於聚合物為 乳狀液時，在不影響本發明目的之程度下亦可適當含有二 甘醇單丁驗等之增膜輔助劑。 其次，說明關於黏著劑層（B )、及具有前述貯藏彈性率 之中間層（C)之貯藏彈性率的控制方法。貯藏彈性率（以

C:\2D-\91-12\91122169.ptd 第24頁 546728 五、發明說明（21) 下，稱為G ’）為受到（1)構成聚合物之主要單體之種類及使 用量、（i i)具有能與交聯劑反應之官能基之共聚用單體的 種類及使用量（共聚量）、（i i i )聚合物之聚合方法、（i v) 交聯劑之添加量等因子所左右。說明此些因子對於貯藏彈 性率所造成之影響。 首先，關於（i )構成聚合物之主要單體之種類及使用 量，於使用丙烯酸烷酯及曱基丙烯酸烷酯做為主要單體 時，於選擇丙烯酸曱酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯等之 烷基碳數為4個以下之丙烯酸烷酯類、及、曱基丙烯酸曱 酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、曱基丙烯酸 -2-乙基己酯等之曱基丙烯酸烷酯類時，G’有變高之傾 向。另一方面，若選擇丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸辛酯 等之烷基碳數為5〜8個之丙烯酸烷酯類，則G ’有變低之傾 向。任何情況均為此些主要單體之使用量愈多，則對於G’ 值所造成之影響愈大。 因此，通常，形成黏著劑層（B)之情況，使用主要烷基 碳數為4個以下之丙稀酸烧S旨、及、曱基丙稀酸烧S旨類為 佳。又，形成中間層（C)之情況，使用主要烷基之碳數為 5〜8個之丙稀酸烧酯類為佳。 關於（i i )具有能與交聯劑反應之共聚用單體之種類及使 用量（共聚量），於通常使用做為共聚用單體之物質中，例 如，丙稀酸、曱基丙稀酸、衣康酸等具有叛基者、及、丙 烯醯胺、甲基丙烯醯胺、N-羥曱基丙烯醯胺等具有醯胺基 者、曱基丙稀酸縮水甘油酯、曱基丙稀酸-2 -經乙S旨等之

C:\2D-\91-12\91122169.ptd 第 25 頁 546728 五、發明說明（22) 曱基丙浠酸醋類之情形中，一般令G’有變高之傾向，使用 量（共聚量）愈多則此傾向愈大。 因此，通常，形成黏著劑層（B)之情況中，上述G ’有變 高傾向之共聚用單體添加量於上述範圍内較多，且於形成 中間層（C)之情況，共聚用單體之添加量於上述範圍内較 少為佳。 關於（i i i )聚合物之聚合方法，特別於使用乳化聚合 法、和以高單體濃度進行聚合等之取得高分子量聚合物之 聚合法之情況，與採用其他聚合法之情況比較，G’為變 高，且因貯藏彈性率溫度而降低之傾向變小，貯藏彈性率 比有變小之傾向。另一方面，於使用添加鏈移動劑進行聚 合，且於具有鏈移動效果之曱苯等之溶劑為存在較多之系 中進行溶液聚合等之難令分子量變高之聚合法之情況，與 採用其他聚合法之情況比較，則G ’有變低之傾向，並且貯 藏彈性率比有變大之傾向。 因此，通常，形成黏著劑層（B)之情況中，以採用取得 上述高分子量聚合物之聚合法為佳。形成中間層（C)之情 況中，以採用上述聚合物分子量難變高之聚合法為佳。 關於（i v )交聯劑之添加量，若交聯劑之添加量多，則G ’ 為高，貯藏彈性率比變小，相反地，若交聯劑之添加量 少，則G ’為低，貯藏彈性率比有變大之傾向。但，交聯劑 之添加量若添加超過具有能與前述交聯劑反應官能基之共 聚用單體之種類及使用量（共聚量）所對應之必要一定量以 上，則因未反應之殘存交聯劑的影響，相反令G’降低，且

C:\2D-\91-12\91122169.ptd 第26頁 〇46728 五、發明說明（23) 聍藏彈性率比亦有時變大。 因此，通常，开； # ，量於上述範圍内較:者劑層（β)之情況中，交聯劑之使 交聯劑之使用量Λ二三且於形成中間層（c)之情況中， 於基材薄膜之單乾圍内較少為佳。 將上述聚合物以溶黏著劑層⑻及中間層時， 裂式，可使用以轉塗^ 以下，將其總稱為塗佈液） ^、美亞（Meyer) 康馬（Co㈣㈧塗層法、型板塗層 層法等公知方法依 ef、延轉輥塗層法、照相凹版塗 令塗佈之中d塗布、乾燥形成之方法。此時，為了 染，較佳於塗佈声丄:M層⑻受到保護免被環境所污’ ，者，採用於二L面：Γ;薄膜。 將塗佈液塗佈、乾_ 、之早一表面，依據上述公知方法 ;用乾燥疊層法等及中間層後， ，以下，稱為轉印法)亦：法基材薄膜之方 J ’於各一層之剝離薄膜的單-表面淨佈複3予以疊層 後，對於基材薄膜單一 f面主佈、乾燥形成層 且亦可預先於剝離黏著 '複數回逐次轉印之步驟， 鬲，依序形成絲收J層CB)及中間層之薄膜的單—矣 乾燥塗佈液時之乾：J:::J基材薄膜之單-表：。 為於8 0〜2 0 〇 〇C之、、田择r岡士 土 里1 ϋ刀知為佳。更佳 達成所疊層之黏著劑層⑻及中間層之 第27頁 C:\2D-\91-I2\9l]22169.ptd 546728

546728 五、發明說明（25) 上j之半‘月丑日日圓表面保護用黏著薄膜為其特徵。 其詳細情況為，|先，由半導 膜（以下，稱為黏著镇描、+叙# ^ ^ 剝離，令黏著劑層（βΚΛ黏/劑層⑻將剝離薄膜予以 至半導體晶圓之表面Λ ’、透過黏著劑層⑻’貼 著薄膜之基材薄膜声將:;研削機之卡盤台上透過勸 晶圓的裏面。研晶圓固定’並且研削半導體 肖Jβ ^ ^ 〜了後，將黏著薄膜予以剝離。裏面；^ 削終了後，於黏著薄腺4,丨雜乂 衣®研 步驟等之藥液處：：：剝：則亦；過化學㈣步驟、抛光 後，對於半導體曰# 視需要，將黏者薄膜剝離 洗淨處理 0 51表面，“水洗、等離子體洗淨等之 面法可適當使用於電路形成 記、或其混合物等電極、不良電路識別標 法。 大起狀物之半導體晶圓的表面保護方

於此類一連串步驟之半導沪曰 處理等之操作中，帛導俨：口f面之研削加工、藥液 50 0 ~1〇f)n ,/m 4千¥肢日日0於研削前之厚度通常A 以1。二’Λ對地’依據半導體晶… 度為薄=Λ 有時研削至50^左右為止了曰 於曰曰m m Γ則下之情形中，為了除去機^ 裏西研削步驟強度提•，有= 適當：？固的厚度為根據半導體晶圓之口徑、錄研削別 研削後之厚度為依據所得晶片種；等而 h、電路種 91122169,

Ptd

第29頁 546728 五、發明說明（26) ' -- 類等而適當決定。 將黏著薄膜貼黏至半導體晶圓之操作有時以人手進行， 但一般為以安裝輥狀黏著薄膜之所謂的自動貼黏機裝置進 打貼黏。此類自動貼黏機可列舉例*takat〇ri (股）製、形 j 、同ATM-1100、帝國精機（股）製、形式： STL糸列、曰東精機（股）製、形式：dr — 85〇〇ii等。 之；！ 口；貼黏至半導體晶圓時之溫度通常於Μ左右 ϊΐ;:: 於該自動貼黏機具備黏著薄膜貼黏動作前 々日日囫升溫之機構之情形中，經由 至適當溫度之狀態下貼黏黏著薄膜亦可：械構將曰曰圓升溫 半導體晶圓裏面之研削加工方式 直接儀入方式、内银入方式等：制，。用 對半導體晶圓與研磨石一邊以水冷一二研Ί日可， 將晶圓裏面予以研削加工之研削機進:丁研削為佳。 製、形式：DFG-860、（股）岡本工作^例如（股）D1SC0 式：SVG-502MKII8、（股）東京精密製、成衣^所製、形

Linda PG200 等。 ^式.Polishing 於裏面之研削加工、藥液處理等終 晶圓表面剝離。將黏著薄膜由晶圓表面’將黏著薄膜由 可以人手進行，但一般為以所謂的自二離之操作有時亦 此類自動剝離機為了I (股）製、^離機裝置進行。 同 ATRM-2100、帝 i精機（股）製、形 ^ · ATRM-2 0 0 0B、 機（股）製、形式：HR-850 0 1 I等。X，以、系歹1卜曰東精 由半導體晶圓表面，將半導體晶圓表 述自動剝離機

_ ” °蔓用黏著薄膜剝 546728

3M(股）制、广了剝離添帶的黏著膠帶可使用例如住友 將丰 ί 鲫日1 LanCUPFUament Tape No·897 等。 離時之ί ϊί表面保護用黏著薄膜由半導體晶圓表面剝 離機11 = ^吊為於25 °c左右之室溫中進行，於該自動剝 備黏4薄膜剝離動作前令晶圓升溫之機構之情形 »、’二由:玄加熱機構將晶圓升溫至適當溫度（通常，4 0〜9 0 —J之狀態下剝離該黏著薄膜亦可。 實施例 以下’示出實施例更加詳細 此些貫施例所限定。對於以下 例’於維持美國連邦規格2〇9b 淨度之環境中，實施黏著劑塗 及、半導體矽晶圓之裏面研削 較例所示之黏著力、貯藏彈性 法進行測定、評價。(1)黏著力（N/25mm) 說明本發明，但本發明不被 所示之全部實施例及比較 所規定之等級1，〇 〇 〇以下清 佈液之調整及塗佈、乾燥、 等。還有，以下實施例及比 率、實用評價為根據下述方 於23 °C，將實施例或比較例所得之黏著薄膜透過其最外 層之黏著劑層（B)，貼至SUS304-BA板（JIS G-4305規定、 縱：20公分、橫：5公分）之表面，並放置1小時。放置 後_’將试料之一端夾住，並以剝離角度·· i 8 〇度、剝離速 度· 3 0 0mm/min.，由SUS30 4-BA板之表面剝離試料，測定 剝離時之應力並換算成^^/25_。 ' (2 )貯藏彈性率（μ P a) 以製作實施例、比較例之各黏著劑層或中間層時之相同

546728 - ΜΜΜΗΜΜΜ 五、發明說明（28) _ 的塗佈條件（#度、乾燥溫度、乾燥時 施以聚矽氧烷處理之PET薄膜（剝離薄膜），蚜單一表面 側，將塗佈液予以塗佈、乾燦，並於pE ^莫處理面 面上形成黏著劑層或中間層。形成 _ /之脫模處理 為了賦與實施例、比較例所記載之各黏以或中間層後： 之熱經歷，將黏著劑層或中間層就單声二中間層同等 熱48小時。將所得之層依序重聶 :后、水，於6 〇t中加 劑層或中間層之薄膜狀薄片。二此 二$ =1咖之黏著 約8關、厚度約〗^左右之圓盤 气缚片，採集直徑 用動態黏彈性測定裝置[使用LE〇MuH# \將此試料，使 、直徑8襲之平行圓盤型附 二式； ^ad/sec、25〜100 c之溫度範圍測定貯乂周波數 吕，將樣品於25 〇C中透過上述平 早率。具體而 黏彈性測定裝置，並由25至丨^0 ^型附件安裝至動態 升溫速度-邊升溫—邊測定 性、止’以⑴分鐘之 採用50，°。°中之貯藏彈性率(G，、二)：！；視需要’ (G，min、MPa)、或50 〇c中 ）之取小值 中之貯藏彈性率（G，25 t：、MpI)。性率（G, 、MPa)、25 °C (3 )貫用評價 於電路形成面具有突起狀物（一 石夕晶圓（直徑：2 0 0_、厚度細=於表1及表2)半導體 或比較例所得之半導雕曰 # 111 )之表面，將實施例 外層之黏著劑層⑻導表薄膜透過其最 且使用研削裝置 91122169.ptd 第32頁 546728 五、發明說明（29) [。（股)^)1SC0製、形式；DFG86〇]，一邊以水冷卻一邊將晶 圓之裏面予以研削加工，作成研削後之晶圓厚度為1 5 0 β m方、、各黏著涛膜，對1 〇枚之半導體矽晶圓進行研削加 工:削^工終了後，對各半導體矽晶圓，觀察研削加工 後1晨面’並且觀察有無裂痕和凹陷。又，於觀察到 凹^之一形中’以接觸式微細形狀測定器[(股）小坂研究 所衣形式’ ET〜30K]測定凹陷之深度，且若凹陷之深度 未滿2. 0 //、m，則為實用上無問題之範圍，視為合格，且於 毛現個’木度為2 · 〇 // m以上之凹陷時視此晶圓為不合格。 觀察、測定裂痕和凹陷後，由未發生裂痕之晶圓表面，使 用表面保護膠帶剝離機丨曰東精機（股）製、形式： HR 85 0 0 1 I , ^ ^ij ^ ^ ^ ： Hi Lanci gpFi lament Tape [住友3M(股）製]、卡盤台溫度：5〇°C}將該黏著薄 膜剝離。將該黏著薄膜離％ 尋腺利離後之晶圓表面，使用光學顯微 鏡{(股）Nikkon 製：〇ρτιρη〇τ91η^+ pro ιηηη uri 放大至50〜1 0 0 0倍之範圍， 並對晶圓表面之全部曰# $ ^ 一 & |日日方進仃巧染之親察，並於可辨視之 糊殘留所造成之污毕為# I # L , ^ 人 ^木馮被發現一點以上之情形中，將此晶 片以 污染晶片」型式計童i* ， ” 〇 π诚下、+、垂r Λ ^數，亚且依據下述數式算出污染 發生手Cr。

Cr-(C2/Cl)x 10〇 此處’ Cr ·污染發生率（％)、C1 :觀察之晶片數、c2 : 污染之晶片數。 (4 )基材薄膜之製作 將肖氏D型硬度為3 5之乙稀—錯酸乙稀酿共聚物樹脂（三

C:\2D-\91-12\91122l69.ptd 第33頁 546728

五、發明說明（30) 型 劑 井.Dupont Polychemical(股）製、品牌：Ebaflex P- 1 9 0 5 ( EV4 6 0 )、醋酸乙烯酯單位含量：19重量％)使用丁 板擠壓機’形成厚度1 20 // m之薄膜。此時，於形成點著 層側之面，施以電暈放電處理。 (5 )塗佈液之調製 <調製例1 > 於聚合反應機中添加脫離子水1 3 5重量份、做為聚人 發劑之4, 4’ -偶氮雙-4-氰基戊酸[大塚化學（股）製、；^ 名·· ACVA]0· 5重量份、丙烯酸丁酯74· 25重量份、曱基扣 烯酸曱酯13重量份、曱基丙烯酸-2 -羥乙g旨9重量份、甲 丙稀酸2重量份、丙稀酸胺1重量份、做為水溶性共聚用时 體之聚氧乙烯壬醚（環氧乙烷之加成莫耳數之平均值；約$ 20)之硫酸酯之銨鹽之苯環中導入聚合性卜丙烯基之物質 [第一工業製藥（股）製：商品名：Acuaron HS-20]0. 75 ^ 量份，並於攪拌下且7 0 °C中實施9小時乳化聚合，取得兩 烯酸樹脂水乳狀液。將其以1 4重量％氨水予以中和，取得 含有固形成分4 0重量％之聚合物乳狀液（主劑）。採集所得 之聚合物乳狀液1 0 0重量份（聚合物濃度：4 0重量％)，再加 入14重量％氨水並調整成ΡΗ9· 3。其次，添加氮丙啶系交聯 劑[(股）日本觸媒製、商品名：Chemitite ΡΖ-33]2· 5重量 份、及二甘醇單丁醚5重量份，取得塗佈液。 <調製例2 > 將丙烯酸2-乙基己酯21重量份、丙烯酸乙酯48重量份、 丙烯酸甲酯2 1重量份、丙烯酸2 -羥乙酯9重量份、及做為

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546728 五、發明說明（31) 聚合引發劑之過氧化笨曱醯〇 · 5重量份混合，且於放入曱 苯5 5重量份、醋酸乙酯5 〇重量份之氮氣更換燒瓶中，一邊 攪拌一邊於8 0 °C下歷5小時滴下，再攪拌反應5小時，取得 丙烯酸酯共聚物溶液。於此溶液中，相對於共聚物（固形 成分）1 0 0重量份，添加異氰酸酯系交聯劑{三井武田化學 (股）製、商品名：OLESTAR P49-75S}0.2重量份，取得塗 佈液。 <調製例3 > 於調製例1中，除了令氮丙啶系交聯劑之添加量為1 · 〇重 量份以外，完全同調製例1處理取得塗佈液。 <調製例4 > 於調製例2中’除了令異氰酸酯系交聯劑之添加量為0 · 4 重量份以外，完全同調製例2處理取得塗佈液。 <調製例5 > 於调製例1中’除了使用環氧系交聯劑[N a g a s e化成工業 (股）製、商品名：D e n a c ο 1 E X - 6 1 4 ]代替氮丙啶系交聯 劑，且添加量為1 · 5重量份以外，完全同調製例1處理取得 塗佈液。 <調製例6 > 於調製例1中，除了令氮丙淀系交聯劑之添加量為4. 〇重 量份以外，完全同調製例1處理取得塗佈液。 <調製例7 > 於聚合反應機中添加脫離子水1 3 5重量份、做為聚合引 發劑之4, 4’ -偶氮雙-4-氰基戊酸[大塚化學（股）製、商品

C:\2D-\9M2\91122169.ptd 第35頁 546728 五、發明說明（32) 名·· ACVA]0· 5重量份、丙烯酸-2-乙基己酯94重量份、甲 基丙稀酸-2-羥乙酯3重量份、甲基丙烯酸2重量份、丙烯 醯胺1重量份、正十二烷基硫醇〇·〗重量份、做為水溶性丘 聚用單體之聚氧乙烯壬醚（環氧乙烷之加成莫耳數之 〃 值；約2 0 )之硫酸酯之銨鹽之苯環中導入聚合性卜而稀句 之物質[第一工業製藥（股）製：商品名：Acuaron '基 H S - 2 0 ] 0 · 7 5重量份，並於攪拌下且7 0 °c中實施9小時乳化 聚合，取得丙烯酸樹脂水乳狀液。將其以1 4重量％氨水予 以中和，取得含有固形成分4 0重量％之聚合物乳狀液（主 劑）。採集所得之聚合物乳狀液1 0 0重量份（聚合物遭度. 40重量％)，再加入14重量％氨水並調整成ρΗ9· 3。其冰 、 加環氧系交聯劑[Nagase化成工業（股）製、商品名： 、 Denacol EX-614]0· 5重量份、及二甘醇單丁醚5重量份， 取得塗佈液。 <調製例8 > 於調製例1中，除了令氮丙啶系交聯劑之添加量為丨61 量份以外，完全同調製例1處理取得塗佈液。 <調製例9 > 於調製例7中，除了令環氧系交聯劑之添加量為2. 〇重4 份以外，完全同調製例7處理取得塗佈液。 <調製例1 0 > 於調製例1中，除了令氮丙啶系交聯劑之添加量為6. 〇重 量份以外，完全同調製例1處理取得塗佈液。 <調製例11 >

546728 五、發明說明（33) '- 於調製例2中，除了令異氰酸酯系交聯劑之添加量為1 重量份以外，完全同調製例2處理取得塗佈液。 · <調製例1 2 > 於t合反應機中添加脫離子水1 3 5重1份、做為聚合引 發劑之4, 4’ -偶氮雙-4-氰基戊酸[大塚化學（股）製、商品 名·Α〔νΑ]0·5重量份、丙稀酸丁 S旨55.25重量份、甲基丙 婦酸曱酯22重量份、甲基丙稀酸-2 -經乙15重量份、甲 基丙烯酸6重量份、丙烯醯胺1重量份、做為水溶性共聚用 單體之聚氧乙稀壬_(環氧乙烧之加成莫耳數之平均值· 約2 0 )之硫酸酯之銨鹽之苯環中導入聚合性1 —丙稀基之物 質[第一工業製藥（股）製：商品名：Acuaron HS-20]〇. 75 重量份，並於攪拌下且70 t中實施9小時乳化聚合，取得 丙烯酸樹脂水乳狀液。將其以1 4重量％氨水予以中和，取 得含有固形成分4 0重量％之聚合物乳狀液（主劑）。採集所 得之聚合物乳狀液100重量份（聚合物濃度：40重量％)，再 加入14重量％氨水並調整成ρΗ9· 3。其次，添加氮丙啶系交 耳外劑[(股）日本觸媒製、商品名：C h e m i t i t e Ρ Ζ - 3 3 ] 3 2重 里伤、及一甘醇單丁 _ 5重量份，取得塗佈液。 實施例1

黏著，層（B)及中間層（C)之疊層為以首先於基材薄膜之 施以電暈放電處理側之面將中間層（c)疊層，其次，將黏 著，層（B)於中間層（c)之基材薄膜反側之面予以疊層之順 序貫施。即，於單一表面施以聚矽氧烷處理（脫模處理）之 厚度3 8 //m之PET薄膜（剝離薄膜）施以脫模處理側之面，將

)46728 五、發明說明（34) 前述調製例2所得之涂你、、六、士 120。(：乾燥6分鐘，取瑪塗層器予以塗佈，並於 將前述厚度12〇/^之美二23〇/^之中間層°對其， 以乾式層合哭予q %二4厚膜％以電暈放電處理側之面， -之施以電= = 面令中間物印至基材薄 4;膜;得二塗佈液，使用.議於聚 燥2分鐘，取得厚声〗 又 /m)上塗佈，並於120 °C乾 膜所疊層之中間屑f '之黏著劑層（B)。由前述基材薄 (B)貼合押壓，令& | /層（C)之表面將黏著劑層 側之面上韓印 ' 者劑層（β)於中間層（C)之基材薄膜反 卻至室溫二:^。疊層後，於60 °C加熱48小時後，冷 #壚ΐ、& t 2、、，體晶圓表面保護用黏著薄膜。 率^時則:2疋黏著劑層（B)及中間層（C)之貯藏彈性 〇羊 M;V=;劑層⑻之G，25°CW，a，G，mi“

/Γ， ，使用其所計算之貯藏彈性率比G，25 °C

ArTUp · 3二中間層（C)於5〇 °C中之貯藏彈性率G，（MPa) . 還有’此黏著薄膜之黏著力為3· 75N/25mm。 \ ^ =之黏著薄膜，對於平均高度1 2 〇 " m (1 2 0 ± 1 5 # \之^市衝彳里（球狀）電極為以2 5 〇 # m齒距之格子狀配置 為每1晶片設置1 369個（37個X 37個= 1369個）之半導體矽晶 圓（直徑：2〇〇mm、厚度·· 725 、晶片形狀：1〇, 〇mmx 1 0 · 0 m^n之正方形、沿著晶圓全面形成晶片圖案），進行前 述之實用評價。觀察研削加工後之晶圓裏面時，皆無產生

91122169.ptd 第38頁 546728 五、發明說明（35) 凹陷之晶圓。於黏著 舍現可辨視糊殘留所造成的 =後之晶圓表面， 貫施例j 、、、。果示於表】。 於實施例1之中間層（c)之形成中， 付之塗佈液代替調製例2所得之塗佈除了使用調製例4所 度為〗50 ，於黏著劑層（B)之形2，且中間層（c)之厚 所得之塗佈液代替調製例1所得之Ϊ彳t、，除了使用調製例3 之厚度為3 0 # m以外，完全同實施液，且黏著劑層（B) 表面保護用黏著薄膜。 处理取得半導體晶圓 依據前述方法測定黏著劑層（6)及 率G，時，黏著劑層（B)之厂25r間層（C)之貯藏彈性 〇.〇9MPa(10(TC) ’使用其所計算之·2Μ“ 為 /G’min為2.2。中間層（c)於5〇χ：中之丁 =弹性率比G，25t 為〇.〇5MPa。還有，此黏著薄膜之點^藏=性率G，（MPa) 徒用所提夕幻：益s时 k. 者力為5 · 7 2 N / 2 5 m m 〇 樣'於實施州實用評價所用者同 ί : / 200mmm25"、晶片形 二佳！" °mm之正方形、沿著晶圓全面形成晶片圖 =)，進仃刖述之貫用評價。觀察研削加工後之晶圓裏面 牯，白無產生裂痕和凹陷之晶圓。於黏著薄膜剝離後之晶 圓表面，並未發現可辨視糊殘留所造成的污染。結果示於 表1 〇 實施例3 於單一表面施以聚矽氧烷處理（脫模處理）之厚度3 8 // m 之PET薄膜（剝離薄膜）施以脫模處理側之面，將前述調製

91122169.ptd 第39頁 546728 五、發明說明（36) 例2所付之塗佈液以康瑪塗層器予以塗佈，並於1 2 〇 4分鐘，取得戸a β η 專乙餘 ρη Λΐ "之中間層（C2)。對其，將前述厚户 UIU 土材薄膜施以電暈放電處理側之面，以乾式#二 ，予以貼合押壓，令中間層(C2)轉印 暈放電處理側之面。 土 W /寻朕之知以電 佈i ί 一，:述調製例4所得之塗佈液，以康瑪塗層器塗 之PET^以聚矽氧烷處理（脫模處理）之厚度38 Ϊ?上中度6Mm之中間層(⑴。*前述基材薄Ϊ CM：曰之中間層（C2)，將聚矽氧烷 、 且於所露出之中門>电 心riw，寻膜剝離， 令中間層間層(⑴站合押厂堅， 疊層。更且，脾& I a (C2)基材薄膜反側之面上轉印、 二更且將w述調製例5所得之塗佈液，使 於聚丙烯薄膜（剝離薄' 收使用毹塗益 〇C乾燥2分鐘，取；p p谇ιη . 0 #m)上塗佈，並於120 材薄膜所疊層之;;=黏著劑層⑻。由前述基 面，將聚矽氧Η層(）其次疊層中間層(C1)之表 露出之中間層（H ^PET薄5剝離薄膜）剝離’且於所 著劑層⑻於V 黏著劑層⑻貼合押屢，令黏 疊# Λ Λ 層（⑴之中間層（⑺反側之面上轉印、 ΐΐ體=面f6°°c加熱48小時後，冷卻至室溫，取得 干v 日日η表面保護用黏著薄膜。 ％竹 著劑層⑻、中間層(⑴、中間層 UMPa，G，min 為〇 ，二者齊;層(B)之G’25t 為 MPa(1〇° C)，使用其所計算之貯藏彈 91122169.ptd 第40頁 546728 五、發明說明（37) 十生率比G’25C/G’min為2.0。中間層（C1)於50。(3中之貯藏 彈性率G’（MPa)為〇· 〇5MPa、中間層（C2)於5〇 t中之貯藏彈 ^生率G (MPa)為〇,〇3MPa。還有，此黏著薄膜之黏著力為 4.6lN/25mm 。 7 〇使用所得之點著薄膜，對於直徑5 0 0〜6 0 0 // m、高度 曰8 0 # m之不良電路識別標記（油墨點）為於全部晶圓上之 曰曰片 中央荀5以去^ 〇ηπ \ Ν距1 〇mm間隔設置之半導體矽晶圓（直徑·· ZUOmm、厚度:7 9 ς 方形），進行& b # m、晶片形狀··一邊長度為1 〇 m m之正 面時，皆無汀產別迷之實用評價。觀察研削加工後之晶圓裏 晶圓表‘ 了並^ $痕和凹陷之晶圓。於黏著薄膜剝離後之 於表1。 … 备現可辨視糊殘留所造成的污染。結果示 於聚丙烯薄m( ^ 將前述調製例7所二離薄膜、厚度：5 0 // m )之單一表面， 1 2 0 °C乾燥4分鐘得之塗佈液以輥塗器予以塗佈，並且於 前述基材薄膜H ^得厚度40_之中間層（c)。對里，將 以貼合押星，♦中^電處理側之面，以乾式層合器予 電處理側之面。4層（C)轉印至基材薄膜之施以電暈放 其次，將前述 m制離薄膜n ㈣液’使用親塗器於聚 岛2刀鐘，取 又· 50 #«〇上塗佈，並於12〇 t：齡 膜所疊層之中，度10…黏著劑声m。士 乾 且;^ : 間層（c)，將取/廣）由雨述基材薄 所路出之中間層(c)::而稀薄膜(剝離薄膜)剝離， ^__ 表面將黏著劑層（B)貼合押壓， 9】122169.ptd 第41頁 546728 III ιβββ 五、發明說明（38) t黏著f層（β)於尹間層（C)之基材薄膜反側之面上轉印、 =f : 3 f ’於60 °c加熱48小時後，冷卻至室溫’取得 牛¥肢日日Η表面保護用黏著薄膜。 率r依ί别^ ?法測定黏著剤層(β)及中間層(c)之貯藏彈性 Ο 6ΜρΙη ^ 者劑層（β)之G，25 °C 為 1 . 0MPa，G，min 為 /G，πη η為! · 7')中ί 所二算之貯藏彈性率比G’ 25。。 為0.02MPa。還右曰^ 。中之貯藏彈性率G，（MPa) 使用所；T > 1 ，此站者薄膜之黏著力為2. 25N/25mm。 j IK::膜，對於平均高度 片之外緣部以7〇 X 之金衝撞（方形）電極為於各個晶 半導體石夕曰曰曰圓平行配置為每1晶片言免置328個之 2.5mmx WOmm之長方形、^、厚曰度:725，、晶片形狀·· 進行前述之實用評價。觀^研者宙二圓全面形成晶片圖案）， 無產生裂痕和凹陷之a斤、研W加工後之晶圓裏面時，皆 面’並未發現可辨視；：。於黏著薄膜剝離後之晶圓表 1。 了辨視糊殘留所造成的污染。結果示於表 實施例5 於貫施例4之中 # ^ f ^ ^ ^ t ^7 ^ ^ ^ t #j9 „ ，形J中’除了使用調/ : t佈液’且於黏著劑層(B) 得之塗佈液以外，完所得之塗佈液代替調製例6所 表面保f用黏著薄膜。““列4處理，取得半導體晶圓 依據前过〔古 ___則定點著劑層(B)及中間層⑹之貯藏彈性 91122169.ptd 第42頁 546728

率G’時，黏著劑層（B)之G，25為〇· 5MPa 〇.2MPa(l〇〇°C)，使用豆所計管之目宁菸^ min^ /Γ, . R山伲用/、所开之貝7賊彈性率比G，25 t： 為。：P : I間層⑹於50 °C中之貯藏彈性率G，(MPa) 為？4MPa。运有，此黏著薄膜之黏著力為2 i6N/25_。 使用：得之黏著薄膜’同實施例4處理並且進行實用評 仏。硯察研削加工後之晶圓裏面時’皆無產生裂痕和凹陷 =。於黏著薄膜剝離後之晶圓表φ，並未發現可辨視 糊蜮遠所造成的污染。結果示於表2。 實施例6 於實施例1之黏著劑層（B)之形成中，除了令黏著劑層 (B )之厚度為3 〇 # m以外，完全同實施例i處理，取得半導 體晶圓表面保護用黏著薄膜。

依據前述方法測定黏著劑層（B)、中間層（c)之貯藏彈性 率G’時，黏著劑層（B)之G，25°C為0.7MPa，G,min為 0 · 3 Μ P a (1 〇 〇 c )，使用其所計算之貯藏彈性率比g，2 5 °C /G’ min為2· 3。中間層（C)於50 °C中之貯藏彈性率G，（MPa) 為〇.〇3MPa。還有，此黏著薄膜之黏著力為3.89N/25mm。 使用所得之黏著薄膜，同實施例1處理並且進行實用評 價。觀察研削加工後之晶圓裏面時，皆無產生裂痕和凹陷 之晶圓。於1 〇牧中2牧晶圓之裏面雖發現凹陷，但測定凹 陷之深度均為未滿2 · 〇 # m (實測之凹陷深度為丨.7 # m )，故 為&格。於黏著薄膜剝離後之晶圓表面，並未發現可辨視 糊殘留所造成的污染。結果示於表2。 實施例7

91122169.ptd 第43頁 546728 發明說明（40) 於貫施例1之黏著劑層（B )之形成， 所得之塗佈液代替調製例！所得之塗佈液于以使用j周製例」0 施例1處’取得半導體晶κ表面保護用黏著薄】全同實 依據别述方法測定黏著劑層（Β)、中 / ' 率〇，時，黏著劑層（3)之〇,25。(：為2.2評3, 〇之=滅弹性 2.〇MPa(1〇〇°C)，使用其所計算之貯藏彈性率 /G’mingli。中間層（C)於50t中之貯 為O.OSMPa。還有，此黏著薄膜之黏著力為}羊 a。） 使用所得之黏著薄膜，同實施例i處理並且進行實:評 價。觀察研削加工後之晶圓裏面時，皆無產生裂痕和凹陷 之晶圓。於1 0枚中3枚晶圓之裏面雖發現凹陷，但測定凹 陷之深度均為未滿2. 0 μ m(實測之凹陷深度為】8 #幻，故 為合格。於黏著薄膜剝離後之晶圓表面，並未發現可辨視 糊殘留所造成的污染。結果示於表2。 比較例1 於貝施例1之黏著劑層（B )之形成中，除了使用調製例7 所得之塗佈液代替調製例1所得之塗佈液以外，完全同實 施例1處理’取得半導體晶圓表面保護用黏著薄膜。 、 依據前述方法測定黏著劑層（B)及中間層（c)之貯藏彈性 率6’時，黏著劑層（8)之0’25它為0.1]^8,6，111丨11為 0 · 0 2 Μ P a (1 0 0 °C )，使用其所計算之貯藏彈性率比G，2 5 °c /G’ min為5· 0。中間層（C)於50 °C中之貯藏彈性率G，（MPa) 為0.03MPa。還有，此黏著薄膜之黏著力為β·45Ν/25πιπι。 使用所得之黏著薄膜，同實施例1處理並且進行實用評

91122169.ptd 第44頁 546728 五、發明說明（41) b 1觀察研削加工後之晶圓裏面時，皆無產生裂痕和凹陷 ^ ^ <一7^ ’黏著薄膜剝離後之晶圓表面於光學顯微鏡 之觀察中’相對於全晶片數於8. 7%晶片觀察到糊殘留所造 成的污染。結果示於表3。 比較例2 …方、、貝鉍例1之中間層（c)之形成中，除了使用調製例11所 =之^:乂佈液代替凋製例2所得之塗佈液以外，完全同實施 歹理^取知半導體晶圓表面保護用黏著薄膜。 率法敎黏著劑層⑻及中間層⑹之貯藏彈性 〇 m 者劑層（B)之^^為0·7^，6^^ /r · & C)，使用其所計算之貯藏彈性率比G，25 X： 為〇Hp · L中間層（C)於5〇<t中之貯藏彈性率G，（MPa) 、使用所^曰。^，此黏著薄膜之黏著力為3· 21N/25關。 同黏著薄膜，料實施例1之實用評價所用者 " 丰導肢矽晶圓進打丽述之實用評價。觀荠研削Λ τ :=曰圓裏面時，雖然皆無發生裂痕的晶圓，；： 1 〇牧中全部的晶圓裏面發現凹陷，於測定凹陷之、、菜；七之 於=晶圓全部觀察到深度2·〇…乂上的凹陷並且二 之糊殘留所造成的污染。結果示於表3。亚务現可辨视 比較例3 於實施例1之中間層（C)之形成中，除了令中 厚度為40 //m，且於黏著劑層（B)之形成中 人系之 m之厚度為20 —外，完全同實施例〗處理層體 91122169.ptd 第45頁 546728 五 發明說明（42) 晶圓表面保護用孝# μ 〇. 7MPa，G，mln 2者溽膜。黏著劑層（β)之G，25 °C為 性率比〇,25它/^ MPa(1〇〇°C)，使用其所計算之貯藏彈 性率G，（MPa)為〇 為2· 3。中間層（C)於50 °C中之貯藏彈 2.·/25龍為〇.〇3MPa。還有’此黏著薄膜之黏著力為 使用所得之戈卜^ β 同樣之半導體:夕=:二ί :實，例3之實用評價所用者 後之晶圓裏面時曰，曰虽U: 1之實用評價。觀察研削加工 1〇牧中5牧的晶圓寞而、V 生裂痕的晶圓，但於評價之 於測定之5枚:曰現凹：’於測定凹陷之深度時， 判定為不合格。"於王^喊；察到^度2. 〇以m以上的凹陷並且 可辨視之糊殘留所1:'專膜剝離後之晶圓表面’並未發現 比較例4 ^所造成的污染。結果示於表3。 於聚丙烯薄膜（剝離薄膜、厚声 〇 將前述調製例7所得 二、又5 0 # m)之單一表面， °C乾燥4分鐘，取Γ :佈液以輥塗器予以塗佈’並於120 述基材薄膜施以電;:度』。/:之中間層(C)。對其，將前 面上轉印。^ H在施以基材薄膜電晕放電處理側之 表面施以聚矽氧烷處理（ /仔之塗佈液，對早一 (剝離薄膜）施以脫槿卢田、 ）之厚度38 之PET薄膜 你廿柄處理側之面，使用康瑪塗屑哭早泠 佈，亚於120。(：乾燥2分鐘， 斤$ 土層杰予以塗 ⑻。由前述基材薄膜所疊層之又"m之黏著劑層 (剝離薄膜）剝離，且'"曰屮，將聚丙烯薄膜 於所路出之中間層（c)之表面將黏著

C:\2D-\91-12\91122l69.ptd 第46頁 546728 五、發明說明（43) 劑層（B )貼合押壓，令黏著劑層（B )於中間層（C )之基材薄 膜反側之面上轉印、疊層。疊層後，於6 0 °C加熱4 8小時 後，冷卻至室溫，取得半導體晶圓表面保護用黏著薄膜。 依據前述方法測定黏著劑層（B)及中間層（C)之貯藏彈性 率G’時，黏著劑層（B)之G’25°C為0.2MPa，G’min為 0. 05MPa(100 °C)，使用其所計算之貯藏彈性率比G’ 25 °C /G’ min為4· 0。中間層（C)於50 °C中之貯藏彈性率G’（MPa) 為0.02MPa。還有，此黏著薄膜之黏著力為3.96N/25mm。 使用所得之黏著薄膜，對於實施例4之實用評價所用者 同樣之半導體矽晶圓進行前述之實用評價。觀察研削加工 後之晶圓裏面時，皆無產生裂痕和凹陷之晶圓，但是，黏 著薄膜剝離後之晶圓表面於光學顯微鏡之觀察中，相對於 全晶片數於2. 2%晶片觀察到糊殘留所造成的污染。結果示 於表3。 比較例5 於實施例4之中間層（C)之形成中，除了使用調製例9所 得之塗佈液代替調製例7所得之塗佈液，且中間層（C)之厚 度為2 5 μ m，於黏著劑層（B )之形成中，除了使用調製例1 0 所得之塗佈液代替調製例6所得之塗佈液以外，完全同實 施例4處理，取得半導體晶圓表面保護用黏著薄膜。 依據前述方法測定黏著劑層（B )及中間層（C )之貯藏彈性 率G’時，黏著劑層（B)之G’ 25 °C為2. 2MPa，G’ min為 2. 0MPa(100 °C)，使用其所計算之貯藏彈性率比G’ 25 °C /G’ min為1. 1。中間層（C)於50 °C中之貯藏彈性率G’（MPa)

C:\2D-\9M2\91122169.ptd 第47頁 546728 五、發明說明（44) 為〇· 〇4MPa%°選有，此黏著薄膜之黏著力為1. 09N/25_。 石使用所=之黏著薄膜，對於實施例4之實用評價所用者 =樣之f 士體石夕晶圓進行前述之實用評價。觀察研削加工 後之晶圓晨面時，雖然皆無發生裂痕的晶圓，但於評價之 10牧中3牧的晶圓裏面發現凹陷，於測定凹陷之深度時， 於3枚晶圓全部觀察到深度2. 〇 # m以上的凹陷並且判定為 不合格。於黏著薄膜剝離後之晶圓表面，並未發現可 之糊殘留所造成的污染。結果示於表3。 比較Ϊ列6

於實施例4之黏著劑層（B)之形成中，除了使用調製例工 所得之塗佈液代替調製例6所得之塗佈液以外，完全同每 施例4處_理，取得半導體晶圓表面保護用黏著薄膜。A 依據前述方法測定黏著劑層（B)及中間層（c)之 率〇，時，黏著劑層⑻u，25t:為9 0MPa，G，min·臧 (100 C)，使用其所計算之貯藏彈性率比G,25C>c/G,min 1· 1。中間層（C)於50 °C中之貯藏彈性率G, (Mpa) 奸 。還有，此黏著薄膜之黏著力為 4之實用評價所用者同樣之半導體石夕晶圓進行前述二 評彳貝。硯察研削加工後之晶圓裏面 、用 陷之晶圓，於10牧中2枚晶圓之裏面發現凹陷。測凹 之深度，1 0牧中2枚為未滿2 〇 r ^ 、疋凹陷 ，故為合…是，心測之凹陷深度為1.8 之凹陷，故為不合格。於黏二為觀察到曰深度2·。心 未發現可辨視之糊殘留所造$ '剠離後之aa圓表面，教 〇 ^成的污染。結果示於表3。

第48頁 546728 五、發明說明（45) 表1 o.l 90

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91122169.ptd 第49頁 546728 五、發明說明（46) 表2 τ.τ orsi ri oi

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91122169.ptd 第50頁 546728 五、發明說明（47) 表3 0.6 0.8 ΓΙ 01

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第51頁 546728

91122169.ptd 第52頁 546728 圖式簡單說明

91122169.ptd 第53頁

Claims (1)

1. 546728

   申凊專利範圍 基1材以ί體著薄膜，其觀，於 層，且羝4 又0又 y 4之中間層、及黏著劑 二且黏者劑（B)於50〜loot中之貯藏彈性 / Γ宁藏=)广―^ 間層(〇的“c · !:(、具有前述貯藏彈性率之中 之關係…十厚度（tC、早位）為滿足下述數式⑴ tc =3tb …（1) 。 薄2膜如1 ί專利範圍第1項之半導體晶圓表面保護用黏著 。〇 Af/、，黏著劑層（B)於25 °C中之貯藏彈性率（G，25 範圍 5MPa，且貯藏彈性率比（G，25t：/G，min)4l〜3i 3 ·如申1 2青專利範圍第1項 丰 薄膜，其t，符英：：J之：導體晶圓表面保護用黏著 、+'日士#?。 +者知層（丑）之厚度（tb)為1〜50#m、_i_右义

   C-\2D-\91-12\91122169.ptd 第54頁 1 與中間層(C)之總厚度為1卜55。… 2 薄膜，心專2 :口第1項之半導體晶圓表面保護用黏著 Γ…L材缚膜之厚度為2〜5〇〇_。 薄膜，盆°:，2 ΐ圍第1項之半導體晶圓表面保護用黏著 成面且^香并半導體晶圓表面保護用黏著薄膜為於電路形 高度…⑼一突起狀丄電路，別標記㈣出之至少-種 且，中間層(C)之合計厚(;t:半！體晶圓口：護用， 子度Ltc 早位：/zm)與突起狀物 546728 六、申請專利範圍 (A )之高度（h a、單位：// m )為滿足下述數式（2 )之關係 t c ^ ha …（2) 〇 6. —種半導體晶圓保護方法，其特徵為，於半導體晶圓 之電路形成面上將半導體晶圓表面保護用黏著薄膜貼黏 後，將該半導體晶圓之裏面予以研削，其次，將半導體晶 圓表面保護用黏者薄膜剝離之半導體晶圓的保護方法5其 使用如申請專利範圍第1至5項中任一項之半導體晶圓表面 保護用黏著薄膜做為半導體晶圓表面保護用黏著薄膜。

   C:\2D-\91-12\91122169.ptd 第55頁