JP2005243909A - 表面保護テープおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ポリエチレンテレフタレート層10a/中間吸収層10b/粘着材層10cの3層構造のうち中間吸収層10bの弾性率を20[MPa]〜40[MPa]の範囲となるように形成する。
【選択図】 図1
Description
近年、半導体ウェハの薄厚化が要求されており、大口径ウェハの場合、裏面研削工程では半導体ウェハの厚さを50〜100μmあるいはそれ以下まで研削することが必要とされている。このとき、薄厚化が進むと半導体ウェハの反りの影響が大きくなるためこの反りの影響を回避するため、ポリエチレンテレフタレートを硬質素材として構成したポリエチレンテレフタレート層/中間吸収層/粘着材層の3層構造のテープが使用されることがある。
ところで、図4は、このような表面保護テープの使用方法を概略的に示している。半導体ウェハ1の表面に回路パターンを形成し、その後半導体ウェハ1の表面部1aの上全面に例えばポリイミドコーティングすることにより保護膜2を形成しパターン形成面を保護する。その後、この保護膜2をエッチング処理することにより保護膜2に溝部3を形成する。この溝部3は、後工程のダイシング工程において個々の半導体チップ分離を容易にするために形成される。溝部3を形成した後、保護膜2上から半導体ウェハ1の表面部1aの上全面に表面保護テープ4を貼付し、その後裏面研削工程において半導体ウェハ1の裏面部1bを裏面研削する。その後ダイシングテープ(図示せず)に転写し、表面保護テープ4を剥離し、ダイシング工程において個々の半導体チップを分離する。
この歩留まりや裏面平坦度の悪化の原因として、次のような理由が推定される。すなわち、裏面研削工程において半導体ウェハ1の裏面を砥石により研削することにより、表面部1aの一部が保護膜2に形成された溝部3を介して表面保護シート4に当接し、該当接部4aに力が与えられる。この力は主に表面保護シート4の中間吸収層4bで吸収されるが、砥石から加えられる圧力が高く中間吸収層4bの弾性率が極端に低いと、図4に示すように、半導体ウェハ1の表面部1aの一部が表面保護シート4面から沈みこんだ変形状態で半導体ウェハ1の裏面部1bが研削される。このように、変形状態において研削することにより溝部3を起点として半導体ウェハ1の割れが発生し歩留まりが悪化することが推定される。
すなわち、特許文献1に示されるように、表面保護シートとして、より好ましい応力緩和率(例えば40%以上、50%以上、60%以上、99%、99.9%、理論上100%)の応力緩和性フィルムをたとえ使用したとしても、裏面研削工程において半導体ウェハ1の表面部1aの一部が表面保護シート4の表面から沈みこむ量が増加してしまい割れが発生したり、これに伴い、半導体ウェハ1の表面部1a側から裏面部1b側にかかる復元力が増加してしまうため裏面平坦度が悪化する。
本実施形態では、半導体ウェハ1の表面部1aに回路パターンを形成した後の組立工程の特に裏面研削工程(バックグラインディング工程)に特徴があるため、この特徴について主に説明する。図1(a)に示すように、半導体ウェハ1の表面部1aに回路パターン(図示せず)が形成された後、形成された回路パターンを検査する。この検査工程が終了すると組立工程が行われる。
図2(a)〜(d)は、表1に示した条件の表面保護テープ10を使用して裏面研削した後に、溝部3付近の裏面平坦度を測定した実験結果を示している。この実験結果は、半導体ウェハ1の裏面部1bの凹凸を実測した結果を示している。
半導体ウェハ1を裏面研削した後、半導体ウェハ1の裏面部1bをダイシングテープ(図示せず)に転写する。ダイシングテープは、ダイシング工程において半導体ウェハ1から個々のチップにスクライビングし分割するときに貼付されるテープを示している。このダイシングテープが貼付された後、半導体ウェハ1の表面部1aに貼付された表面保護テープ10を剥離し、ダイシング工程において個々の半導体チップを分離することができる。
Claims (3)
- ポリエチレンテレフタレート層/中間吸収層/粘着材層の3層構造であると共に、半導体ウェハを所定厚さに裏面研削するときに当該半導体ウェハ表面保護のために貼付される表面保護テープにおいて、
前記中間吸収層は、20[MPa]〜40[MPa]の弾性率の範囲となるように形成されていることを特徴とする表面保護テープ。 - バンプレス半導体ウェハの裏面研削用に適用したことを特徴とする請求項1記載の表面保護テープ。
- 半導体ウエハの表面に回路パターンを形成する工程と、
ポリエチレンテレフタレート層と20[MPa]〜40[MPa]の弾性率の中間吸収層と粘着材層との3層構造の表面保護テープを前記半導体ウェハの表面に貼付して、前記半導体ウエハの裏面を研削する工程と、
裏面が研削された半導体ウエハから個々のチップを分離する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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