TW522292B - Inertial temperature control system and method - Google Patents
Inertial temperature control system and method Download PDFInfo
- Publication number
- TW522292B TW522292B TW091101797A TW91101797A TW522292B TW 522292 B TW522292 B TW 522292B TW 091101797 A TW091101797 A TW 091101797A TW 91101797 A TW91101797 A TW 91101797A TW 522292 B TW522292 B TW 522292B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- temperature
- rate
- control
- furnace
- heating element
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 42
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 12
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 5
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 claims 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 230000003872 anastomosis Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B11/00—Automatic controllers
- G05B11/01—Automatic controllers electric
- G05B11/36—Automatic controllers electric with provision for obtaining particular characteristics, e.g. proportional, integral, differential
- G05B11/42—Automatic controllers electric with provision for obtaining particular characteristics, e.g. proportional, integral, differential for obtaining a characteristic which is both proportional and time-dependent, e.g. P. I., P. I. D.
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
- H05B1/0227—Applications
- H05B1/023—Industrial applications
- H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1927—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors
- G05D23/193—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces
- G05D23/1935—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces using sequential control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
Description
522292 A7 —_ B7 五、發明説明(1 ) 優先權資料 本案請求2 0 0 1年2月6日所申請的專利申請案 N 〇 · 6 〇 / 2 6 6 9 2 6之優先權,且將其內容在此倂 入作爲參考。 發明領域 本發明係關於溫度控制系統及方法,係用以從一設定 點溫度改變成另一個設定點的溫度。更明確地說,本發明 係關於用在製造程序上的一慣性溫度控制系統及方法,例 如但不是侷限於半導體製造過程。 發明背景 溫度控制系統及方法在許多製造過程中扮演相當重要 的角色,現有的習知技術中,用來在製造過程中控制溫度 的方法一般使用溫度控制演算法,例如比例積分導數( P I D )演算法或模糊邏輯學。P I D演算法在控制理論 上是眾所週知的,且使用目前測量到的溫度與想要的溫度 之間的差異(誤差値),來決定欲施加到加熱電路上的功 率量。正如其名,在P I D的計算方式中具有三項。比例 項提供功率正比於誤差値的分佈,積分項提供功率正比於 誤差値與時間的積分(總合),導數項則提供功率正比於 誤差値的導數(變化率)° 當改變想要的溫度時,P I D演算法會藉由增加功率 (假如突然衝至較高的設定點)或降低功率(假如突然急 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) Γ4Τ ^ mm I )· - · - I、—· -- - - I —I— I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 522292 A7 B7 五、發明説明(2 ) 速降至較低的設定點)來對應於設定點(理想溫度)的變 化。一般來說,當急速衝至較高的溫度時,則測量到的溫 度將會落後在設定點之後,會超過想要的溫度,且在吻合 之前會經歷到震盪。如圖1所示。 由於在物體內過量的慣性溫度梯度,所以尤其重要的 是限制暴衝速率以保護對於加熱物體的負面熱效應。這一 點在半導體晶圓處理系統中是相當重要的,晶圓邊緣相對 於中心之過量加熱可以導致物理及/或化學的損害,如此 會使晶圓無法使用或導致從晶圓製造出來的半導體晶片產 生早期失敗。 當在一半導體晶圓處理系統中,例如爐,從一溫度加 熱或冷卻至另一溫度時,在最小量的時間中將溫度穩定在 理想的設定點溫度上是很重要的。正統地,爐子會使用一 控制的線性暴增以便從一溫度設定點到另一個溫度設定點 。雖然如此會提供連續的設定點溫度値,但是所產生的暴 衝速率卻不會是連續的,如圖1所示。而且,此暴衝速率 從零跳到某一値(暴衝速率),然後當達到設定點時又返 回零。設定點的第二階導數是溫度加速度,必須是無限大 以便瞬間從零暴衝速率增加至一非零値’且再次返回。真 正的物體在溫度的暴衝速率上無法瞬間且無限大的加速, 所以必須在此理想化關係下加熱或冷卻。如此在開始加熱 之後在物體真正的溫度暴衝速率達到想要的暴衝速率之前 ,會產生時間延遲。、、熱慣性〃的類似效應也會發生在當 物體的溫度達到最後設定點時。當爐子關掉時’溫度暴衝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -5 - - - - - - .· ϋϋ - -- H 嘴丨 ! - I - - I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局W工消費合作社印製 522292 A7 B7 五、發明説明(3 ) 減速速率必須是負的無限大,以使暴衝速率從一非零値返 回零。結果,物體的溫度會超過設定點且然後會上下震盪 ’直到它最後安頓下來到一穩定的溫度,如圖1所示。 顯示在圖1中與習知技術有關的控制方法,其中在暴 衝相位開始時的時間延遲或落後,理想設定點的超過量, 及在設定點附近的溫度震盪,特別是當需要穩定與精確的 溫度控制時,這些方法在許多應用中均不理想。於是,需 要一種增進的溫度控制系統與方法。 發明槪述 於是,本發明的一目的是要提供一種增進的溫度控芾5J 系統與方法,更特別的是,本發明在製造過程中,例如但 不侷限於半導體處理及裝備,提供一種增進的溫度控制系 統及方法。明確地說,本發明提供一種控制溫度的系統與 方法,藉由使用慣性溫度控制及溫度控制演算法,例如用 於P I D控制器或其他根據模糊邏輯學設計等其他裝置。 本發明控制溫度暴衝速度設定點的加速及減速,致使在物 體內的溫度變化能在一有限且物理上可獲得的速率下發生 。本方法可以應用至各種系統上,尤其需要精確控制可變 溫度設定點,例如半導體處理爐。在一較佳實施例中,係 在用於半導體處理時的一多區爐中實施本發明的系統與方 法。 在本發明的一實施例中,提供一方法,用以將放置在 溫度控制爐中的溫度內室內之一物體的溫度予以改變,使 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ϋ— ϋϋ ^ϋ«ι K« n ^ri^i .1.^1 ϋϋ I— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局W工消費合作社印製 -6 - 522292 A7 ___ B7 五、發明説明(4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用溫度控制演算法從起點到終點溫度。至少一個可控制加 熱元件及至少一個溫度感測元件是存放在爐子的加熱內室 中’提供改變的溫度設定點到溫度控制演算法。此設定點 溫度從開始溫度朝終點溫度以一有限速率加速,直到溫度 暴衝速率達到界定的最大暴衝速率。大致上維持最大暴衝 速率直到設定點溫度達到終點溫度,然後設定點溫度會從 最大暴衝速率以一有限速率減速以達到終點溫度,溫度控 制演算法大致上維持物體的溫度符合提供的設定點溫度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的另一個實施例提供一種方法,可以將放置於 溫度控制爐中加熱內室內的物體溫度,使用溫度控制演算 法從起點溫度變化到終點溫度,此方法包含以下步驟··提 供溫度資料,這些資料是從放置在加熱內室中至少一個溫 度感測裝置來的,及提供一溫度設定點。溫度控制演算法 控制能量傳送到爐中的至少一個可控制加熱元件上,溫度 設定點從起初設定點溫度以一有限且預先設定好的加速度 速率進行加速,直到達成界定的最大溫度暴衝速率。然後 ’設定點溫度被維持在最大溫度暴衝速率下,直到接近終 點溫度。最後,溫度設定點從最大暴衝速率開始以一有限 且預先設定好的減速速率減速,直到到達終點設定溫度。 這樣的減速是用以下的方式實施的,就是使物體的溫度平 •順地達到終點設定溫度而不會過量或在終點設定溫度附近 震盪。 本發明的另一個實施例提供一種溫度控制爐,用以改 變物體的溫度。此爐包括一加熱內室,其中放置至少一個 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(210X297公釐) -7 - 522292 A7 B7_ 五、發明説明(5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 可控制加熱元件,及至少一個溫度感測裝置。藉由一溫度 控制器而控制傳送到加熱元件的能量,構成此溫度控制器 以便接收一設定點溫度圖表及代表放置在加熱內室中的溫 度感測裝置之溫度資料。此溫度控制器提供加熱能量指令 以便透過一溫度加速相位、固定的暴衝速率相位及一溫度 減速相位暴增物體的溫度,在想要的溫度附近以最小震盪 平順地達到想要的溫度。 圖示簡易說明 在閱讀過本發明的詳細說明、申請專利範圍及參考附 圖之後,本發明的其他目的及優點將會更加明顯,其中 圖1是一圖形,顯示習知技術溫度控制法的溫度控制 反應。 圖2是一圖形,說明本發明的方法及系統之溫度控制 反應。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖3顯示一個用於半導體製造的爐,此爐使用本發明 的系統及方法,該爐包括熱偶用以測量溫度及電子加熱元 件用以提供能量。在此實施例中,有五個控制區,在每個 區域中具有兩個熱偶用以測量。 圖4是一爐的槪略圖,僅顯示本發明的方法所使用的 控制元件及系統。 圖5是一流程圖,顯示本發明系統與方法之一實施例 的溫度控制軟體之慣性結構。 圖6是一流程圖,顯示本發明方法的一實施例。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 7« . ' 522292 A7 B7 五、發明説明(6 ) 圖7是一圖形,顯示習知溫度控制方法所用的溫度及 量的資料。 -1 ίΜ 冬蕤娟il A顧心、U續a t此叫/| |衿成茂 1¾¾ 1 2 :可控制加熱器元件 1 6 :信號 2 2 :加熱內室 2 6 :尖峰熱偶 3 2 :控制器 3 6 :尖峰溫度 4 2 :設定點函數 較佳實施例之詳細說明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1〇:爐 1 4 :可控制區域 2 0 :物體 2 4 :想要的溫度 3 0 :外廓熱偶 3 4 :控制器 3 8 :外廓溫度 4 4 :目前的設定點 須應付如何 技術溫度控 性方式增加 ,所以在開 本發明提供 接近一個真 溫度變化的 能夠更加接 術筆直的線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明慣性溫度控制中所使用的觀念必 管理溫度設定點。在半導體工業所使用的習知 制法中,例如半導體晶圓的物體,一般是以線 溫度。物體的真正溫度無法配合線性暴增速率 始時會落後,且在結束時會超過。相較之下, 一溫度設定點比上時間的曲線’此曲線會更加 正物體所能達成的曲線。因此,本發明能說明 慣性,且控制設定點以便允許物體的真正溫度 近設定點,且藉此縮小超過量,而比起習知技 性暴增法中更能快速達成溫度穩定。 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(2!〇X 297公釐) -9 - 522292 A7 —__^ 五、發明説明(7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 施加到物體的熱量不會立刻傳送到該物體上,在熱傳 送的傳導、對流及輻射三種方式上會有延遲。上述習知技 術溫度控制方法所產生的問題不在於控制演算法本身,而 是在於溫度的變化能夠立即開始或停止的假設。溫度變化 無法以一瞬間的方式加速到特定的暴衝速率,或當溫度達 到想要的最終溫度時瞬間停止,如同在圖1中所示的習知 方法。此問題亦可藉由類推到牛頓物理學而說明,靜止的 物體不法一瞬間加速到一非零的速度。反之,必須是逐漸 加速到一最大速度。當物體返回靜止時,此過程以逐漸減 速而逆向進行。在本發明所點出的問題中,溫度好比是位 置,暴衝速度(溫度的第一階時間導數)好比是速度,且 暴衝速率所增加的速率(溫度的第二階時間導數)是加速 度或減速度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將設定點的溫度線性地從一溫度變化至另一溫度,需 要物體無限大的加速度或無限大的減速度,由於物體無法 配合此輸入的命令,所以結果使物體的溫度相對於理想假 設產生起初落後,接著當物體溫度在暴增終點時超過設定 點而產生超過量,且然後在最終穩定於想要的溫度之前又 會在設定點附近產生震盪◊爲了較佳地控制溫度,本發明 提供的控制輸入(設定點)是物體能以物理方式達到的。 溫度加速到一特定暴衝速度,維持在該暴衝速度直到接近 設定點溫度,且然後當物體達到想要的穩定狀態設定點溫 度時,減速到一零暴衝速度。如圖2所示,提供修改過的 控制輸入,致使溫度控制演算法所命令的加速度是有限的 尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) JO : 522292 A7 __ B7 五、發明説明(8 ) ,且被加熱的物體在物理上可以達到。本發明縮小或理想 地消除習知方法的超過與震盪問題。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖3 ,4及5進一步說明本發明。在本發明的一實施 例中,可以使用此方法在一半導體爐中,例如但是並未侷 限至圖3所示的垂直急速加熱爐。在本實施例中,此爐包 括可控制加熱器元件1 2,可以分隔成可個別控制區1 4 。可控制加熱器元件1 2可以是電阻加熱線圈、輻射熱燈 ,或其他用以傳送熱量的可控制機構或系統。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖4中所示的控制系統包括五個區域1 4,在每個區域 1 4中個別地控制一功率指令或信號1 6,加熱器元件 1 2的目的是要加熱物體2 0,在此範例中爲矽晶圓,這 些物體係放置在爐1 0的加熱內室2 2內部,以便加熱至 想要的溫度2 4。雖然已經顯示具有五個區域1 4的特定 半導體爐,但是對於熟知此項技術者來說,本發明的系統 與方法可以應用於其他形式的半導體爐上,且可以其他半 導體形式的裝備及需要精確溫度控制的應用上實施本發明 。因此,本發明並未被侷限於所顯示的特定範例而已,例 如,本發明可以用於具有多數區域的爐內,或具有至少一 區域的單一晶圓工具。也可以被用在其他加熱裝置上。除 了加熱迴路之外,慣性溫度也很適合用以控制冷卻迴路。 再次參考圖3及4中的實施例,顯示出控制系統,一 般包含一處理控制器3 4,其具有處理控制軟體,連接到 具有溫度控制軟體的一溫度控制器3 2上。至少設有一溫 度感測裝置。在實施例中,最好有兩組熱偶,均包含至少 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -11 - 522292 A7 _____B7 五、發明説明(9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一個尖峰熱偶2 6及至少一個外廓熱偶3 0,用以測量在 加熱內室2 2內部的溫度。尖峰熱偶2 6放置在加熱元件 1 2附近,且因此對於加熱內室2 2反應溫度控制輸入的 溫度變化會比較快。外廓熱偶3 0比較接近物體2 0,在 此範例爲矽晶圓,且因此在表現溫度上較佳。以市面可得 的溫度控制軟體而編程的溫度控制器會從處理控制器3 4 接收到設定點的理想溫度2 4,且從個別電偶2 6,3 0 讀取測量到的尖峰溫度3 6及外廓溫度3 8。作爲時間函 數的溫度設定點可以被編程到處理控制軟體中以作爲設定 點溫度圖表。根據此控制演算法,溫度控制器軟體3 2會 決定施加到爐加熱器元件1 2的每個區域1 4之能量。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖5是一流程圖,顯示本發明一實施例的溫度控制器 3 2之內部控制軟體。在決定控制溫度函數4 0中,從個 別的熱偶2 6,3 0根據尖峰及外廓溫度3 6,3 8而計 算單一控制溫度4 1。在本發明此實施例中,這些値是以 一特定比例而結合,且可以包含偏差量以便更加反應出晶 圓的真正溫度。這些比例可用以對應不同的溫度範圍,由 於尖峰熱偶2 6放置在加熱元件1 2附近,所以他們快速 反應到功率輸入。外廓熱偶3 0比較接近物體2 2,且因 此反應較慢。假如爐子的控制是僅基於外廓熱偶3 0的話 ,則然後物體2 2的反應速度慢會導致震盪。藉由選定一 比例,則能使反應與精確性達到最佳。特定範圍的爐、區 域及溫度條件之最佳比例可以藉由熟知此項技術者憑經驗 得到,但是一般會與高溫的外廓溫度3 8有很大的關係, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) _彳2 : 522292 A7 ____B7 五、發明説明(10) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此高溫下從線圈到熱偶2 6 ,3 0的熱傳較快。在本發 明的一實施例中,於3 0 0 m m的氣壓急速垂直處理器( R V P )爐中執行反應,此爐具有五個區域及電子線圈, 用以計算控制溫度的外廓溫度對尖峰溫度之比例是以下列 方式變化:4 0 0 °C時,5 0 %外廓溫度加5 0 %尖峰溫 度,6 0 0 °C時,6 0 %外廓溫度加4 0 %尖峰溫度, 7 0 0 °C時,9 0 %外廓溫度加1 〇 %尖峰溫度,在超過 8 0 0 °C以上時是1 〇 〇 %外廓溫度。也可以根據被加熱 的物體與使用的爐參數而決定使用其他的比例。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 計算設定點函數4 2計算中間的溫度設定點,此函數 作爲其輸入想要的設定點溫度2 4。它將會維持在其目前 的設定點4 4上。當目前的設定點4 4等於想要的設定點 溫度2 4時,然後沒有進行任何處理,且目前設定點通過 到溫度控制演算4 6上。設定點4 4是可變化的且在此以 多種方式稱呼,例如目前設定點溫度或中間設定點溫度。 當計算設定點函數4 2接收到與目前控制溫度4 1不同的 想要設定點溫度2 4時,它會使目前設定點4 4以一預定 加速速率朝想要的設定點溫度2 4加速。計算設定點函數 4 2也維持預定的溫度加速速率。當溫度暴衝速率達到最 大的暴衝速率時,它能將暴衝速率維持在最大暴衝速率, 直到溫度接近終點設定點。當中間溫度設定點4 4夠接近 終點設定點,致使以減速速率減速時將會導致中間設定點 接近它,然後減少暴衝速率以允許此事發生。最大的暴衝 速率最好是在2 °C / m i m到3 0 °C / m i m的範圍內, 本紙尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 「13 - -- 522292 A7 B7 五、發明説明(^1) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後根據許多因素來選擇的正確値,這些因素包括爐的操 作溫度及是否正在加熱或冷卻。對於加熱處理來說,溫度 暴衝速率最好是在2 °C / m i m到1 〇 °C / m i m的範圍 內,在高溫時使用較低的最大暴衝速率以便減小被加熱物 體因爲熱膨脹而導致的損壞風險。對於冷卻處理來說,最 大暴衝速率一般受到爐子功率以外的物理因素限制,因此 ,冷卻時的最大暴衝速率一般會小於3 °C / m i m。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 加速速率、減速速率及最大暴衝速率是爲了特定爐所 建立的預定値,此預定値是根據測量元件的性能以經驗獲 得。不同形式的元件展現出不同的性能,加速及減速速率 係根據熱偶能多麼快速反應功率輸入,此亦關於元件所能 供應的熱量總量。具有較高瓦特密度的元件會具有較大的 .設定點加速度。較佳的是加速速率能在2 °C / m i m 2到 4 0 °C / m i m 2的範圍內,更好的是加速速率能在在4 °C / m i m 2到1 5 °C / m i m 2的範圍內。在上述的R V P 爐中,最好使用大約8 °C / m i m 2的加速速率。同樣地, 具有快速冷卻的低絕緣性之元件可以具有較大的設定點減 速。使用在1 °C / m i m 2到6 °C / m i m 2的範圍內的溫 度減速速率且最好是2 t: / m i m 2。 在一實施例中,使用sensarray晶圓建立偏移量,這些 是測試晶圓且上面附著有熱偶。明確地說,晶圓被維持在 一特定的爐溫中一段時間,且測量介於外廓與晶圓之間的 溫度。一旦知道靜態的偏移,則sensarray晶圓會從爐內室 2 2移除。然後藉由將外廓溫度設定成想要的晶圓溫度減 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨OX297公釐) -14 - 522292 A7 ___ _B7_ 五、發明説明(12) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 去偏移而進行未感測晶圓的處理,然後正確控制預估晶圓 溫度。P I D演算法函數4 6將會根據控制溫度4 1與設 定點4 4而決定指令功率1 6。 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 圖6顯示本發明的一實施例之流程圖,這是包含在計 算設定點函數4 2中的邏輯詳細說明,用以計算中間設定 點4 4。此流程圖說明用以從一溫度平順變化到另一溫度 的邏輯,這是藉由先檢查是否物體2 0正在加熱或冷卻 5 0而完成的。假如不是的話,則不需要暴衝,所以程式 維持在目前的設定點5 2且結束5 4。假如目前正在進行 一溫度暴衝的話,則程式會檢查是否該是開始減速的時候 5 6。假如獲准減速的話,則計算減速速率6 0以便平順 地從中間設定點轉移到終點設定點。假如程式目前正在減 .速暴衝速率的話6 2,則根據目前的減速速率而計算出一 校正過的溫度设疋點4 4。假如暴衝速率既不是減速也不 需要減速的話,則程式會證實是否暴衝速率目前在最大暴 衝速率以下6 6。由於在這些條件下暴衝速率是位於最大 値以下,所以程式會產生朝最大暴衝速率的加速7 0。假 如暴衝速率目前在最大値的話,則程式會維持最大暴衝速 度7 2,直到它到達需要平順減速到最終設定點之位置。 實驗證明 進行以下的實驗,其中sensan'ay半導體晶圓以一模擬 氧化處理在垂直快速加熱爐中加熱,以比較本發明的方法 與習知技術溫度控制法。以下所提出的例子僅僅用於說明 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) :巧- 522292 A7 ___B7___ 五、發明説明(13) 而已,不是用以侷限本發明。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲了建立比較本發明與習知技術的底線,進行以下的 實驗,其中晶圓以五個加熱器元件區域在P丨D演算法所 控制的爐中加熱制8 5 0 °C,而不用本發明的慣性溫度控 制系統。圖7顯示溫度對時間的關係,及施加的加熱器功 率對五個爐加熱器元件區域的時間反應之關係。如圖7所 示,藉由習知P I D控制溫度恢復,在溫度暴衝以大約3 到4 °C的終點溫度過量及大約1 〇分鐘恢復時間,在此恢 復時間期間,不同的爐區域溫度會在想要的溫度附近震盪 ,且施加功率重複關掉。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使用相同的爐及以本發明慣性溫度控制方法所擴大的 P I D溫度控制演算法,來執行類似測試。起初步驟時間 、溫度及來自僅P I D測試的氣體流等因素均被維持。如 圖8所示,慣性溫度控制同時減少熱過量及穩定時間,熱 過量在所有區域中被限制到小於0 . 5 °C,且溫度恢復發 生在小於五分鐘。此外,當比較兩個資料圖形時,可以看 出上述在功率調節中的進步。使用本發明的方法,能夠抑 制功率在振幅及頻率上的波動,且在整個熱週期之間明顯 地減少。此點對於爐操作具有幾個正向的衝擊。由於功率 的減少循環,所以可以預期的是元件壽命的增加,此外在 接近爐線圈的機械組件上也會有比較少的應力,且如此可 增進整個爐的可靠性。 上述的說明及特定實施例僅作爲說明目的而已,並非 用以限制本發明,且對於熟知此項技術者來說,可以根據 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -把_ 522292 A7 B7 五、發明説明(Η) 發定 本界 此而 因換 。 置 化效 變等 及其 例及 施圍 實範 、 利 改專 修請 多申 許的 出下 生以 產由 而藉 導是 教圍 的範 述的。 上明的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -17 -
Claims (1)
- 522292 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 . 一種改變物體溫度的方法,此物體是放置在溫度 控制爐內的加熱內室中,藉由一溫度控制演算法而從起點 到終點設定點溫度,此方法其特徵在於: 該加熱內室放置至少一個可控制加熱元件,及至少一 個溫度感測裝置; 一設定點溫度是以一有限的速率從該起點溫度朝向該 ’終點溫度加速,直到達成所界定的最大暴衝速率; 該設定點溫度大致上維持在該最大暴衝速率上,直到 接近該終點溫度; 該設定點溫度是以一有限速率從該最大暴衝速率朝向 該終點溫度減速;及 該溫度控制演算法大致上維持該物體的溫度以便符合 該設定點溫度。 2 · —種改變物體溫度的方法,此物體是放置在溫度 ί空制爐內的加熱內室中,藉由一溫度控制演算法而從起點 到終點設定點溫度,此方法包含以下步驟: 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 從該加熱內室中的至少一溫度感測裝置中提供溫度·資. 料·或設定點,輸入到該溫度控制演算法中,此演算法能夠 控制功率傳送到該爐中的至少一個可控制加熱元件; 溫度設定點從起初設定點溫度以一有限且預先設定好 的加速度速率進行加速,直到達成界定的最大溫度暴衝速 率; 設定點溫度被維持在最大溫度暴衝速率下,直到接近 終點溫度; -18 本紙張尺度適用中國國家標準(CNs ) Α4規格(210Χ297公釐) 522292 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 溫度設定點從最大暴衝速率開始以一有限且預先設定 好的減速速率減速,.直到到達終點設定溫度,致使物體的 '溫度平順地達到終點設定點溫度而不會過量或在終點設定 溫度附近震盪。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之方法,其中該可控 制加熱元件是電子加熱線圈。 4 ·如申請專利範圍第1或2項之方法,其中該可控 制加熱元件是輻射加熱燈。 5 ·如申請專利範圍第1或2項之方法,其中該溫度 感測裝置是一或多個熱偶,用以在該至少一個可控制加熱 元件上提供至少一溫度。 6 .如申請專利範圍第5項之方法,其中作爲該一或 多個熱偶溫度的數學結合之控制溫度是該溫度控制演算法 的輸入。 7 ·如申請專利範圍第6項之方法,其中進一步界定 該控制溫度以便與該熱偶溫度具有一已知的偏移。 8 .如申請專利範圍第7項之方法,其中該溫度偏移. 是靜態偏移,能夠矯正該控制溫度,而該控制溫度是用以 控制該物體溫度與熱偶溫度之間的差異。 9 .如申請專利範圍第1或2 ·項之方法,.其中該物體 是一半導體晶圓。 1 0 . —種改變物體溫度的溫度控制爐,包含: 一加熱內室,放置至少一可控制加熱元件及至少一溫 度感測裝置;及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)522292 A8 B8 C8 ____ D8 六、申請專利範圍 3 一溫度控制器,用以實施申請專利範圍第1或2項之 方法。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 1 · 一種改變物體溫度的溫度控制爐,包含: 一加熱內室,放置至少一可控制加熱元件及至少一溫 度感測裝置;及 一溫度控制器,用以接收一設定點溫度圖表及溫度資 料輸入,這些資料能代表放置在該加熱內室中的溫度感測 裝置,且此溫度控制器用以改變傳送到至少一可控制加熱 元件的功率,致使該物體的溫度是經由一溫度加速相位、 一固定暴衝速率相位,及一溫度減速相位而暴衝,以便在 想要溫度周圍以最小的震盪,平順地到達想要的溫度。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之爐,其中該可控制 加熱元件是電子加熱線圏或輻射加熱燈。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之爐,其中該溫度感 測裝置是一或多個熱偶,用以在該至少一個可控制加熱元 件上提供至少一溫度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US26692601P | 2001-02-06 | 2001-02-06 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW522292B true TW522292B (en) | 2003-03-01 |
Family
ID=23016553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091101797A TW522292B (en) | 2001-02-06 | 2002-02-01 | Inertial temperature control system and method |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6901317B2 (zh) |
EP (1) | EP1239357A3 (zh) |
JP (1) | JP2002328728A (zh) |
KR (1) | KR100441046B1 (zh) |
CN (1) | CN1372175A (zh) |
SG (1) | SG113404A1 (zh) |
TW (1) | TW522292B (zh) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7427329B2 (en) * | 2002-05-08 | 2008-09-23 | Asm International N.V. | Temperature control for single substrate semiconductor processing reactor |
EP2790210A3 (en) | 2002-06-19 | 2014-12-31 | Murata Machinery, Ltd. | Automated material handling system |
KR101510614B1 (ko) | 2002-10-11 | 2015-04-10 | 무라다기카이가부시끼가이샤 | 오버헤드 호이스트를 탑재한 오버헤드 호이스트 수송 차량 |
JP3850413B2 (ja) * | 2004-02-16 | 2006-11-29 | 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント | 電子デバイス冷却装置、電子デバイス冷却方法、電子デバイス冷却制御プログラム及びそれを格納した記録媒体 |
US20050247266A1 (en) * | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Patel Nital S | Simultaneous control of deposition time and temperature of multi-zone furnaces |
US7770806B2 (en) * | 2007-06-19 | 2010-08-10 | Nordyne Inc. | Temperature control in variable-capacity HVAC system |
TWI380144B (en) * | 2008-04-09 | 2012-12-21 | Inotera Memories Inc | Method of fuzzy control for semiconductor machine |
JP5274213B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2013-08-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法、温度制御方法 |
US9289002B2 (en) | 2010-06-02 | 2016-03-22 | National Pasteurized Eggs, Inc. | Shell egg pasteurization method |
CN101893906A (zh) * | 2010-07-08 | 2010-11-24 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 温度控制系统及方法 |
US9226489B2 (en) | 2011-03-18 | 2016-01-05 | Ecolab Usa Inc. | Heat system for killing pests |
CN102354244B (zh) * | 2011-06-16 | 2013-10-02 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 半导体热处理工艺温度前馈补偿方法 |
US20130269539A1 (en) * | 2011-09-17 | 2013-10-17 | B. Robert Polt | Variable Temperature Cooking Method and Apparatus |
CN104752249A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 侦测炉管加热器状态的方法 |
JP6324739B2 (ja) * | 2014-01-27 | 2018-05-16 | 株式会社Kelk | 半導体ウェーハの温度制御装置、及び半導体ウェーハの温度制御方法 |
KR101605717B1 (ko) * | 2014-07-16 | 2016-03-23 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN104980534B (zh) * | 2014-09-17 | 2018-01-19 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 一种移动终端的外壳温度调整装置及方法 |
CN109043667B (zh) * | 2018-07-13 | 2021-05-14 | 深圳麦克韦尔科技有限公司 | 低温卷烟设备、存储装置、温度控制装置及其方法 |
CN109324646B (zh) * | 2018-12-05 | 2021-07-30 | 上海亚泰仪表有限公司 | 一种小振幅快速温度控制装置及方法 |
EP4197287A1 (en) * | 2020-08-12 | 2023-06-21 | Watlow Electric Manufacturing Company | Method and system for providing variable ramp-down control for an electric heater |
EP4113222A1 (de) * | 2021-06-28 | 2023-01-04 | Brabender GmbH & Co. KG | Verfahren und steuer- und/oder regeleinheit zum bereitstellen eines zeitlichen verlaufs eines messparameters sowie entsprechende messvorrichtung |
CN114510088B (zh) * | 2022-02-18 | 2023-08-15 | 安徽庆宇光电科技有限公司 | 一种小型恒温控制系统及其在线空气检测仪 |
US20230350438A1 (en) * | 2022-04-29 | 2023-11-02 | Semes Co., Ltd. | Process measurement apparatus and method |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4669040A (en) * | 1984-09-19 | 1987-05-26 | Eurotherm Corporation | Self-tuning controller |
US4807144A (en) * | 1986-12-02 | 1989-02-21 | Glasstech International L.P. | Temperature control system for glass sheet furnace |
US4782215A (en) * | 1986-12-10 | 1988-11-01 | Robertshaw Controls Company | Control unit and method of making the same |
US4842686A (en) * | 1987-07-17 | 1989-06-27 | Texas Instruments Incorporated | Wafer processing apparatus and method |
US4845332A (en) * | 1987-09-16 | 1989-07-04 | National Steel Corp. | Galvanneal induction furnace temperature control system |
US4952227A (en) * | 1989-05-22 | 1990-08-28 | Libbey-Owens-Ford Co. | Apparatus for processing glass |
US4991770A (en) * | 1990-03-27 | 1991-02-12 | Honeywell Inc. | Thermostat with means for disabling PID control |
JP2816054B2 (ja) * | 1992-06-25 | 1998-10-27 | 三洋電機株式会社 | 恒温庫の温度制御装置 |
JPH06187005A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-08 | Fuji Electric Co Ltd | 時間切替式2自由度pid制御装置 |
US5561612A (en) * | 1994-05-18 | 1996-10-01 | Micron Technology, Inc. | Control and 3-dimensional simulation model of temperature variations in a rapid thermal processing machine |
JPH086648A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-12 | Hitachi Ltd | 温度制御装置 |
JP3334356B2 (ja) * | 1994-09-09 | 2002-10-15 | 株式会社明電舎 | 自動温度制御装置 |
US5618351A (en) | 1995-03-03 | 1997-04-08 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus and process |
JP3380668B2 (ja) * | 1996-01-23 | 2003-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度調整方法、温度調整装置及び熱処理装置 |
US6133550A (en) | 1996-03-22 | 2000-10-17 | Sandia Corporation | Method and apparatus for thermal processing of semiconductor substrates |
US5963840A (en) * | 1996-11-13 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing premetal dielectric layer at sub-atmospheric and high temperature conditions |
US5994675A (en) | 1997-03-07 | 1999-11-30 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing furnace heating control system |
US6005225A (en) | 1997-03-28 | 1999-12-21 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus |
GB2329962A (en) | 1997-07-04 | 1999-04-07 | Euratom | Analytical instrument for measuring heat evolution |
US6059567A (en) | 1998-02-10 | 2000-05-09 | Silicon Valley Group, Inc. | Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system |
TW446995B (en) * | 1998-05-11 | 2001-07-21 | Semitool Inc | Temperature control system for a thermal reactor |
JP3278807B2 (ja) * | 1998-10-14 | 2002-04-30 | オムロン株式会社 | 制御装置、温度調節器および熱処理装置 |
US6449534B1 (en) * | 1999-03-16 | 2002-09-10 | Sigma Systems Corporation | Method and apparatus for optimizing environmental temperature for a device under test |
JP2000305632A (ja) * | 1999-04-20 | 2000-11-02 | Fujitsu General Ltd | ペルチェ素子の温度制御方式 |
JP4192394B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2008-12-10 | オムロン株式会社 | 温度調節器 |
JP3925078B2 (ja) * | 2000-11-20 | 2007-06-06 | オムロン株式会社 | 制御装置、温度調節器および熱処理装置 |
-
2002
- 2002-02-01 TW TW091101797A patent/TW522292B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-02-06 EP EP02250814A patent/EP1239357A3/en not_active Withdrawn
- 2002-02-06 US US10/068,127 patent/US6901317B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-06 KR KR10-2002-0006778A patent/KR100441046B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-02-06 CN CN02108085A patent/CN1372175A/zh active Pending
- 2002-02-06 JP JP2002069336A patent/JP2002328728A/ja active Pending
- 2002-02-06 SG SG200200733A patent/SG113404A1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100441046B1 (ko) | 2004-07-19 |
CN1372175A (zh) | 2002-10-02 |
US6901317B2 (en) | 2005-05-31 |
SG113404A1 (en) | 2005-08-29 |
EP1239357A3 (en) | 2002-09-25 |
JP2002328728A (ja) | 2002-11-15 |
US20020143426A1 (en) | 2002-10-03 |
EP1239357A2 (en) | 2002-09-11 |
KR20020065398A (ko) | 2002-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW522292B (en) | Inertial temperature control system and method | |
JP4553266B2 (ja) | 熱処理装置、制御定数の自動調整方法及び記憶媒体 | |
US7723648B2 (en) | Temperature controlled substrate holder with non-uniform insulation layer for a substrate processing system | |
US7483769B2 (en) | Method and apparatus for latent temperature control for a device under test | |
JP6531605B2 (ja) | 温度制御装置およびオートチューニング方法 | |
TWI262305B (en) | Thermal control system for environmental test chamber | |
JP2004510338A (ja) | 熱処理システム中の加工物の移動を制御するためのシステムおよび方法 | |
JP2002515648A (ja) | 加熱反応炉の温度制御システム | |
JPWO2005010970A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
EP1161712A1 (en) | Method and apparatus for optimizing environmental temperature for a device under test | |
US6864466B2 (en) | System and method to control radial delta temperature | |
JP3096743B2 (ja) | ランプアニール炉の温度制御装置 | |
US20020113060A1 (en) | Method and apparatus to control temperature in an rtp system | |
JP2002108411A (ja) | 温度調節器および熱処理装置 | |
JP2002297245A (ja) | 制御装置、温度調節器および熱処理装置 | |
WO2002073660A2 (en) | System and method to control radial delta temperature | |
TW550647B (en) | System and method to control radial delta temperature | |
JP2006155169A (ja) | 温度制御方法、温度調節器および熱処理システム | |
KR20240056414A (ko) | 웨이퍼 온도 제어 장치, 웨이퍼 온도 제어 방법 및 웨이퍼 온도 제어 프로그램 | |
JP2819102B2 (ja) | プログラム温度調節計の温度制御方式 | |
JP2007079897A (ja) | 温度制御方法、温度調節器および熱処理装置 | |
JP2002257479A (ja) | 熱処理炉及びその加熱制御装置 | |
KR20240118658A (ko) | 웨이퍼 온도 제어 장치, 웨이퍼 온도 제어 방법 및 웨이퍼 온도 제어 프로그램 | |
RU2335010C1 (ru) | Способ управления электронагревательным устройством | |
CN117331386A (zh) | 基于双模型的温度控制器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |