TW521223B - D/A conversion circuit and semiconductor device - Google Patents

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521223 A7 五、發明說明（1 發明背景 1. 發明領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係相關於一種D / A轉換（數位至類比轉換） 電路（D A C :數位一類比轉換器）。本發明係特別係相 關於一種使用在半導體裝置之驅動電路中之D a C，以及 相關於使用該D A C之半導體裝置。 2. 相關技藝之描述 進來’將半導體薄膜形成於廉價之玻璃基底上之半導 體裝置之製造技術（像是製造薄膜電晶體（TFT)之技 術正快速的進展。其原因在於對於半導體（特別是主動式 液晶顯示裝置以及E L顯示裝置）之需求係遽增。 一主動式矩陣液晶顯示裝置係以如下而構成，在 T F T係置於以每個類似矩陣之方式之數千萬至數億個圖 素區中，使得來自於以及送至於個別圖素元件之電荷，由 丁 F T之切換功能而控制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此些主動式矩陣液晶顯示裝置中，一種數位驅動類 型之主動式矩陣液晶顯示裝置頗引人注目，其原因在於該 顯不裝置越來越精確以及縮小，且其之影像品質係越來越 高。 圖1 5係展示習知數位驅動類型主動式矩陣液裝之結 構輪廓。該習知之數位驅動類型之主動式矩陣液晶顯示裝 置之構成係由（如圖1 5所示）來源信號線側移位暫存器 1 4 0 1、來自於爲側之數位信號之位址線（a至d ) -4- M氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 521223 A7

五、發明說明（2 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 4 〇 2、閂鎖電路1 ( L· A 丁 1 ) 1 4 〇 3、閂鎖電路 2 ( L A T 2 ) 1 4 0 4、閂鎖脈衝線 1 4 〇 5、D / a 轉換電路1 4 0 6、層次（g r a d a t丄〇 n )電壓線 1 4 〇 7、來源丨g號線（資料線）i 4 〇 8、閘極信號線 側移位暫存器1 4 Q 9、閘極信號線（掃瞄線）1 4丄〇 以及圖素T F T 1 4 1 1。此處所舉之例子係爲4位元 數位驅動類型主動式矩陣液晶顯示裝置。該問鎖電路1 ( 1 4 0 3 )以及閂鎖電路2 ( 1 4 0 1 )(即，L A T 1 以及L A T 2 )在此時係處於將四個閂鎖電路放置一起之 狀態下。 該來自於外側而至該數位信號位址線（a至d ) 1 4 0 2之數位信號係根據來自於來源信號線側移位暫存 器1 4 0 1之時序信號而連續的寫入至所有L A T 1 ( 1403)中◦在本說明書中，所有一起放置之LAT1 係統稱爲L A T 1群組。 完成將數位信號寫入至L A T 1群組之所需時間長度 ，係稱爲單一線週期。即，該單一線週期之定義乃係，將 自外側輸入之數位信號寫入至L A T 1之最左側端之時間 點，算至將自外側輸入之數位信號寫入至L A T 1最右側 之時間點中，該兩點之時間間隔。 在將數位信號寫入至L A T 1群組終止之後’該因此 而寫入至L A T 1群組之數位信號係同步的傳導性’並與 來源信號線側移位暫存器1 4 0 1之操作時序協調而寫入 至所有L A T 2 ( 1 4 0 4 )而將所閂鎖之信號輸入至閃 -5- ‘紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ί — 裝·1 — !訂----I I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) > f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 _____ B7 五、發明說明（3 ) 鎖脈衝線1 4 0 5。在此說明書中，所有放置一起之 L A T 2統稱爲L A T 2群組。 對於完成傳送數位信號至L A T 2群組之L AT 1群 組而言，再次送至數位解碼器位址線（a至d )之數位信 號’係根據來自於來源信號線側移位暫存器1 4 0 1之信 號而執行。 在開始第二單一線週期之步驟中，該先前送至 L A T 2群組之數位信號係送至D / A轉換電路1 4 0 6 ，並轉換成對應於數位信號之類比層次電壓信號，並於之 後將之送至來源信號線1 4 0 8。 該類比層次電壓信號在單一週期中被送至對應之來源 信號線1 4 0 8。藉由自閘極信號線側移位暫存器 1 4 0 9所輸出之掃瞄信號，而執行該對應圖素 TFT 1 4 1 1之切換，而藉由來自於掃瞄信號 1 4 1 1之類比層次電壓信號，該液晶分子可被驅動。 藉由以相等於掃瞄線之數目而重複上述上述操作，而 形成單一圖像（picture )(單一框）。一般而言，再依主 動式矩陣液晶顯示裝置中，一秒可具有6 0個框影像之重 新寫入。 此處，係描述已知使用在上述數位驅動電路之A / D 轉換器電路。以下參考圖1 6。 已知之4位元D / A轉換電路係包含開關（s w 〇至 s w 1 5 )以及層次電壓線（V 〇至V 1 5 )。此4位元 D / A轉換電路係由如下而構成，自圖1 5之數位驅動類 -6- 度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I I------- I I I--— 訂---— — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) > V \ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 關, __— B7 五、發明說明（4 ) 型主動式矩陣液晶顯示裝置中之L A T 2群組1 4 0 4所 送來之4位元數位信號、選擇該等開關（s w 〇至 s w 1 5 )中之一個，以及自連接至該所選擇支開觀之層 次電壓中而將電壓送至來源信號線1 4 0 8。 在現將描述之已知4位元D / A電路中，開關之數目 係爲1 6而層次電壓線之數目爲1 6。在職繼之主動式矩 陣類型液晶顯示裝置，開關本身之面積頗大。進一步，圖 1 6所示之D / A轉換電路係以一個接著一個的速度而提 供，使得整個驅動電路之面積變大。 接著解釋已知4位元D / A轉換電路之另一例子。圖 1 7所示之四位元D / A轉換電路係如以下而構成（如上 述4位元D / A轉換電路）：多數個開關（s w 〇至 swl 5)中之一個係由來自於LAT2群組（1 404 )之4位元數位信號所選擇，並自連接至該所選擇支開觀 之層次電壓線中將電壓送至來源信號線1 4 0 8。 在圖1 7所示之D / A轉換電路中，該層次電壓線係 爲五個（V0至V4)，而因此較圖16之四位元D/A 轉換電路之該數目爲小。然而，開關之數目仍然爲十六個 。因此，仍然很難減少整個驅動電路之面積。 在此處所述之將4位元數位信號轉換成一類比層次電 壓信號之D / A轉換電路中’假如位元數目增加，開關數 目將指數的增加。即’在已知將n位元數位信號轉換成類 比層次信號之D / A轉換電路中’需要2 11個開關。因此， 很難將驅動電路之面積減少。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） I----------裝--------訂-------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) > fv' 521223 A7 五、發明說明（5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在上述包括D / A轉換電路之驅動電路中，由於很難 將驅動電路之面積減少，造成對於半導體裝置（特別是液 晶顯示裝置）之最小化之困難。 進一步’對了製造具有高準確性以及縮小化之半導體 裝置’圖素之數目必須增加，即，來源信號線之數目必須 增加。然而，假如該來源信號線增加的話，則D / A轉換 電路之數目亦如上述而會增加，因此驅動電路之面積增加 ’而造成實現高精確性以及最小化架構之障礙。 爲了以上之理由，需要將D / A轉換電路之面積縮小 之需要。 進一步處了上述電阻除法類型之D A C之外，亦具有 一種電容除法類型D A C，其電阻除法係以電容之方式所 製。爲了操作該電容除法類型DA C，需要在電容中累積 電荷之時間以及需要在電容中將所累積之電荷予以放電至 相同於地端（g r 〇 u n d )之電荷，因而使操作速度變 慢。 發明槪述 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此，本發明在解決上述之問題，而本發明之目的在 於將D / A轉換電路保持至一小的値。 根據本發明之D A C係包含由個別對應至η位元數位 信號之η個電阻A 〇，A i，··，Α 3之電阻Α群組以及 包含η個電阻ΒρΒ:，· . ，B3所構成之之電阻B群 組。電阻A群組以及電阻B群組之電阻値的一般表示方式 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 B7 五、發明說明（6 ) 係爲2n — iR (其中η表示1或更大之自然數，而R代表 一正數）。進一步，根據本發明之DAC包括一含有對應 於個別η位元數位信號之開關S W a 〇，S W a i ’…’ S W a 3之開關S W a群組以及由η個開關S W b ◦，S W b i ，…，S W b 3所構成之開關S W b群組。根據本發明之 D A C進一步包括兩個電源電壓線（即，一電源電壓線L 以及一電源電壓線，並使之相互之間具有電位差）。 當開關S W a群組之開關係接通時，該電源電壓線L以 及一輸出線係經由藉由η個電阻A 〇，A i，··，A 3所 構成之電阻A群組而相互連接。進一步，當開關S W b被類 似的接通時，電源電壓線Η以及輸出線係經由藉由η個電 阻Β。，B i，· · ，Β 3所構成之電阻Β群組，而連接。 相反的，假如開關群組S W a群組之開關係被斷開時， 介於電源電壓線L以及輸出線之間的連接係被斷開。進一 步，假如開關群組S W b之開關係被斷開時，則介於電源電 壓線L以及輸出線之間的連接係被斷開。 該開關群組S W a係由自外側輸入之η位元數位信號所 控制，而開關群組S W b群組之開關係由η位元數位信號之 反向信號所控制。之後對應於所輸入之η位元數位信號之 一類比層次電壓信號經由該輸出線而被輸出。 根據本發明之D A C將根據本發明之特殊觀點而予以 解釋。 〔實施例1〕 ____^_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） "" (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) -----!| 訂 -----I!

521223 A7 B7 五、發明說明(7 ) 圖1係展示實施例模式1之D A C電路。圖1所示之 本發明之D A C係將η位元數位信號轉換成一類比層次電 壓信號。在本發明中，η係爲一自然數。 如圖1 Α至圖1 D所示，本發明之DAC係包括η個 電阻 A ◦，A i，· · ，Α 3 以及電阻 Β 〇，B i，· ·， B 3。該電阻A 〇，A i，· · ，A 3 (放置一起）而統稱爲 電阻A群組。進一步，η個電阻B 〇，B 1，· · ，B n - 1 (放置一起）而統稱爲電阻Β群組。 該構成電阻Α群組之電阻係如下：A i = R，A 2 = 2R，A3=22R，…，An — — iR。進一步，該 構成電阻B群組之電阻係如下：B i = R，Β 2二2 R， B3=22R，…，Bn — 1=2n — iR。在本發明中，R係 爲電阻値之一定値。 在本發明中，η個電阻Α〇，Αι，· · ，Αη — 1以及 η個電阻BQ，Bi，· · ，：Bn — 1每個具有兩個或多個端 子。對於此些端子，具有輸入以及輸出端子以輸入至電阻 以及自電阻輸出，而除此之外，具有一共用端子其係爲共 同輸入至電阻以及自電阻輸出。在本發明中，該電阻之兩 個輸入以及輸出端子將係爲電阻之端部。 進一步，根據本發明之D A C係包括η個開關S W a 〇 ，SWal，…，SWan — 1 以及 η 個開關 SWbQ，SWbl ，…，S W b η — i。該 η 個開關 S W a Q，S W a 1，…， S W a n — 1 (設置一起）而統稱爲開關S W a群組。進一步 ，該η個開關S W b。，S W b i，…，S W b n - !(設置一 ___-10-___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---—訂· I I-----

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 __ B7 五、發明說明@ ) 起）而統稱爲開關群組S W b。進一步，該開關s w a群組 以及開關S W b群組（設置一起）而統稱爲開關S W群組。 在此實施例模式，開關S W群組之內部電阻係認定爲0， 但是亦可視需要將開關s W群組中具有內部電阻。 在本發明中，該η個電阻SWao，swal，…， S W a n — i 以及 n 個電阻 s W b。，S W b !，…，S W b n - 1 ’每個具有輸入以及輸出端子作爲輸入至該開關以及作爲 自該開關輸入。進，在某些情況下，該等開關每個具有除 了輸入以及輸出端子之外的一共用端子，該係爲共用於輸 入至該開關以及自該開關中輸出。在本發明中，開關之該 兩個端子（輸入以及輸出端）係稱爲開關之端部。 進一步，根據本發明之D A C包括一輸出線、一電源 電壓線L，以及一電源電壓線Η。在D A C之輸出線中， 係輸出將數位信號轉換而成之類比層次電壓信號。自該輸 出線所輸出之類比層次電壓信號之輸出電位係稱爲V。u t 。電源電壓線L以及電源電壓線Η係連接至位於D A C外 側之電源中，並維持在一固定之電位。該電源電壓L係維 持在一電源電位V 1而電源電壓線Η係維持在電源電位V η 〇 電源電位V L以及電源電位V Η係皆相對於接地（ G N D )電位。 在本說明書中，”連接”係指一電導通。電導通係一程度 之問題。在當供應電力而完成其標的功能以及當供應電力 之標的功能受損，其係界定電連接受到影響。進一步，在 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

I ·ϋ ^flJ« .1 ϋ ·1 1 I #- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 B7 五、發明說明θ ) 本說明書中，連接被斷開係指電導通不再作用。 關於電源電位V Η與電源電位V L之關係，（即當V Η < V L以及當V Η >壓低之情形），相反於另一端之數位信 號係作爲輸出電壓V。U t而輸出。此數，當V Η > V L時， 該輸出被設定爲正相位，而當V Η < V L時，係設定爲相反 相位。 此處，將解釋本發明之D A C之電路架構。 電阻A Q之兩端部係分別連接至開關S W a。以及輸出 線。該開關S W a 〇之該端（其係未連接至電阻A。）係連 接至電源電壓線L。 進一步，電阻A i之兩端係個別連接至開關S W a 1以 及輸出線。該S W a i (其係並未連接至電阻A 1 )而連接 至電源電壓線L。 進一步，電阻A 2之兩端係個別連接至開關S W a 2以 及輸出線。該S W a 2 (其係並未連接至電阻A 2 )而連接 至電源電壓線L。 同樣的，電阻A η — 1之兩端係個別連接至開關 S W a η — i以及輸出線。該S W a η - 1 (其係並未連接至電 阻A η - i )而連接至電源電壓線L。 如上述，A Q，A 1，· · ’ A η — 1之兩端係個別連接 至個別開關S W a 〇，S W a i，…，S W a η - 1以及輸出線 。該個別S W a。，S W a i，…，S W a η - 1之此些端部（ 其係並未連接至個別電阻A Q，A i，· · ，A η — )而係 連接至電源電壓線L。 ___-12-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 11 11---1------^* — — — — — 1 — (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) · 丨 521223 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7____ 五、發明說明（10 ) 關於電阻B Q，B 1，· · ，Β η - 1以及開關S W b 〇， s W b 1，...，s w b η — i等之關係，係類似於關於電阻A 0 ，A i，· · ，A η — i 以及開關 S W a Q，S W a i，…， s W a n — 1之關係。即，個別電阻B 〇，B i，· ·， B…i之兩端部係連接至個別開關s w a Q，S W a i，…， S W a „ — 1以及輸出線。該開關s w a。，s W a i，…， s w a n — 1之個別端部（其係並未連接至電阻B Q，B i， • · ，B n - i )而係連接至電源電壓線H。 接著，描述本發明之D A C之操作。 當開關S W a係被接通時，該電源電壓線L以及電阻 A 〇係相互連接。即，當開關S W a。被接通時，電阻A ◦之 該端部（其係連接至S W a。）而維持在與電源電位V t相 同之電位。相反的，假如開關S W a 〇被斷開時，則介於電 源電壓線L以及電阻A。之間的連接被切斷。 進一步，假如該開關S W a i被接通時，電源電壓線L 以及電阻A i係相互連接。即，假如該開關S W a i被接通 時，則該電阻A i之該端部（其係連接至開關S W a i )係 維持在與電源電位V I相同之電位。相反的，假如開關 S W a :被斷開時，則介於電源電壓線l以及電阻A i之間 的連接被切斷。 進一步，假如該開關S W a 2被接通時，電源電壓線L 以及電阻A 2係相互連接。即，假如該開關S W a 2被接通 時，則該電阻A 2之該端部（其係連接至開關s w a 2 )係 維持在與電源電位V L相同之電位。相反的，假如開關 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i I--! I 訂---I--I--

13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 521223 A7 ----- B7 五、發明說明（11 ) s W a 2被斷開時，則介於電源電壓線L以及電阻A 2之間 的連接被切斷。 同樣的，假如該開關S W a n — i被接通時，電源電壓線 L以及電阻A n — i係相互連接。即，假如該開關s w η - i 被接通時，則該電阻A η - i之該端部（其係連接至開關 S W a n - i )係維持在與電源電位V 相同之電位。相反的 ’假如開關s W a n - i被斷開時，則介於電源電壓線L以及 電阻A η - 之間的連接被切斷。 如上述’假如每個該等開關s W a 0，S W a i，...， S W a η - 1被接通時，電源電壓線L以及電阻A Ο，A i， • ·’ A η — 1係相互連接。即’假如該開關S W a ο， S W a 1 ’…’ S W a η - 1被接通時，則該電阻A Q，A 1， • . ，A η — 之該端部（其係連接至每個開關S W a Ο， S W a i，…，S W a η — i )係維持在與電源電位V l相同之 電位。相反的，假如開關S W a Q，S· W a 1，_·， s W a n - 1被斷開時，則介於電源電壓線L以及電阻A 0， A i，· · ，A η — i之間的連接被切斷。 同樣的，假如每個該等開關S W b Q，S W b i，...， s w b η - 1被接通時，電源電壓線H以及電阻B Ο，B i， ..，B η — i係相互連接。即，假如該開關S W b ο， s w b i，…，S W b η - i被接通時，則該電阻Β Q，Β i， ..，B η — i之該端部（其係連接至每個開關S W b 0， S W b 1，…，S W b η - i )係維持在與電源電位V H相同之 電位。相反的，假如開關s W b Q，S W b i，…， -14- ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱） (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁)

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 -------- B7 五、發明說明（12 ) s w b n — 1被斷開時，則介於電源電壓線Η以及電阻B 0， Β 1 ’ · · ，Β η — i之間的連接被切斷。 該開關S W a群組以及開關s W b群組之〇N或〇F F 控制係根據輸入至D A C中之D a Q，D a i，…，D a η — i 而決定。該數位信號D a。，D a 1，...，D a η — 1 (設置一 起）而統稱爲數位信號D a。 該數位信號之値係爲H i或L 〇兩者之一。爲了方便 起見，當H i時該數位信號之値係爲1 ，而當爲L ◦時， 該數位信號之値係爲〇。該數位信號經由此設定，而使 D a ◦係爲最小位元（L S B )，而D a n - 1係爲最大位元 (MSB)。 進一步，來自於數位信號D a ◦，D a 1，·_，D a n - 1 之反向信號係爲D b Q，D b i，…，D b η — i。於是，假如 D a 0爲1 ，則D b 0爲〇，相反的，假如D a 0爲Ο，貝[J DbQ爲1。該數位Db〇，Dbl，…，Dbn — 1 (經設置一^ 起）而統稱爲D b。 假如數位信號D a係輸入至D A C，則數位信號D a係 輸入至開關S W a。，S W a 1，…，S W a η - 1中，而數位 信號D b係輸入至開關S W b 0，S W b i，…，S W b η - i ο 假如數位D a (其係輸入至每個開關S W a 〇，S W a : ，…，S W a n — i )係假設爲1 ，則開關S W a q，S W a i ，…，S W a n — i係每個皆爲接通。該數位信號D b (其係 輸入至每個開關SWb。，SWbl ’…’ SWbn- 1中）而 ___- 15- _ 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 一 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) | 裝 ---^訂---— II--

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 ----- B7 五、發明說明（13 ) 係爲數位信號D a之相反値，而係爲〇，所以每個開關 S W b 〇，S W b i，…，S W b η — i 係爲斷開。 相反的’假如D a (其係輸入至每個開關S w a 〇， S W a i，…，S W a η - i )係假設爲〇，則開關S W a 〇， S W a i，…，s W a η — i係每個皆爲斷開。該數位信號D b (其係輸入至每個開關S W b 0，S W b i，…，s W b η — i 中）而係爲數位信號D a之相反値，而係爲1 ，所以每個 開關S W b Q，S W b i，…，S W b η — i係爲接通。 因此，該開關S w a群組以及開關s W b群組係關連 而操作。 接著檢視係爲第一位元之數位信號D a 〇 ;假如數位信 號DaQ=l被輸入至DAC中，則Da。被輸入至對應至 D a 〇之開關S W a 〇，而開關S W a 〇係被接通。結果， 電源電壓線L之電源電位V L被送至對應於開關s W a ◦之 電阻A 〇。 當D a 〇 = 1 ，則D b。= 〇。該數位信號D b。係輸 入至封應之開關S W b Q，使得開關S W b ◦係斷開。結果， 對應於開關S W b ◦之電阻B Q係與電源電壓線Η相斷開。 對於數位信號D a i，D a 2，…，D a η — i係可適用於 上述D a。相同之情事。 以下參考圖1 A而解釋輸入至D A C之數位信號D a 係皆爲1時之本發明D A C所執行之操作。 當數位信號D a ( D a。，D a :，…，D a η - i )係皆 爲1時，該等開關S W a 〇，S W a i，…，S W a η - i係被 _ -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） I — — — — — — i I I I I I I ^ . I I--I I I . (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) · ;

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五、發明說明（14 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接通，且輸出線係經由每個電阻A。，A i，· · ，A n — i 而連接至電源電壓線L。使得數位信號D b ( D b ◦，d b i ’…，D b n — i )皆爲〇，該開關S W b q，S W b i，…， S W b n — i被斷開，使得輸出線與電源電壓線H相斷開。 結果，電源電壓線L之電源電位V l在未與輸出線接觸 下而輸出。該來自於D A C之輸出線之輸出電位變成 V〇Ut (030 = 031 = ...^Dan-l^ 1 ) = VL 〇 以下參考圖1 B而解釋輸入至DAC之數位信號D a 係皆爲0時之本發明D A C所執行之操作。 當數位信號D a ( D a。，D a 1，…，D a n — ；l )係皆 爲0時，該等開關S W a Q，S W a 1，...，S W a n — !係被 斷開，且輸出線係經由每個電阻A Q，A 1，· · » A η - 1 而連接至電源電壓線L。使得數位信號D b ( D b Q，D b i ，…，D b n - i )皆爲 0，該開關 s W b。，S W b i，...， s W b n — i皆被接通，使得電源電壓線H經由每個B 〇， B 1，· · ，Β η - i而連接至電源電壓線η。 結果’電源電壓線Η之電源電位V η係直接自該輸出線 而輸出。該來自於DA C之輸出線之輸出電位Vout變成 V 0 U t (DaO — Dal = ...= Dan-l=〇) = Vh〇 以下參考圖1 C而解釋輸入至D A C之數位信號只有 D a係爲0，而D a 1，…，D a η - 1皆爲1時之本發明 D A C所執行之操作。 因爲Da〇係爲〇，sWa〇爲斷開，而SWbQ係爲接 通，而輸出線係經由電阻B 〇而連接至電源電壓線Η。另一 -17 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公* ) ------------裝--------訂-------1 — (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) · 521223 A7 五、發明說明（15 方面’因爲D a i，…，D a η — i係皆爲1 ，S W a S W a n —係皆接通，而相反的，s w b i，…，S W 皆斷開，因此，輸出線係經由電阻A 〇，A i，· ·， A n - 1而連接至電源電壓線L。 關於電阻A。，A 1，· · ，A η - i，所有此些連接至 係爲〇N狀態之開關SWaO，SWal，_·_，SWan-l之 此些電阻（此時即電阻A 1，··，A η — 1 )之總電阻係假 係 設爲Α Τ。進一步，關於電阻Β

B

B -1 所有此些連接至該等係爲〇N狀態之開關S W b 0，S W b i ，…，S W b η — i之此些電阻（此時即電阻B 〇，B i，· · ，B n — i )之總電阻係假設爲B τ。 總電阻A τ之倒數係等於個別連接至係爲〇 N狀態之開 關 S W a i，…，S W a n — i 之個別電阻 A i^ A η - 1 之倒數和。（等式1 ) 〔等式1〕 111 11 —=—I---κ…+--η —— 為' 4為 八-2 At _ +

2R 22R ^ 2n^2R T^R .⑴ (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由解得等式1中之A 〔等式2〕 可得等式2 ··· Ατ 2n' 2η·2+2Λ'3+.... + 2 + 1

R ，⑺ 進一步，類似的，總電阻B τ之倒數係等於連接至處於 -18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 ------ B7 五、發明說明（16 ) 0 N狀態之開關S w b 0之電阻B 0之倒數値。（等式3 ) 〔等式3〕 111 η、

BT B{) R 藉由解得等式3中之Βτ，可得等式4。 〔等式4〕 ..Βγ = · · · (4) 藉由使用由等式2以及等式4而得之總電阻Α τ以及總 電阻Βτ，可算出自輸出線之輸出電位V〇 U t ( D a 〇 = 〇，Dai = Da2 = .._Dan — 1=1)。該輸出電位 V 〇 u t ( (Da〇 = 〇，Dal=Da2=··· D a n - 1 = 1 )係將等式2中之總電阻A τ除以等式2之 總電阻Α τ與等式4之總電阻Β τ之和而後將此所得之商乘 上電源電位V η與電源電位V L之差（等式5 )。 〔等式5〕 依此，藉由對開觀之〇N /〇F F之操作，該η位元 數位信號可轉換成類比層次電壓信號。 藉由使用圖1 D，此時根據本發明之D A C之操作， ___-19-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂--------- •V (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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五、發明說明（17 ) 解釋輸入至本發明D A C之數位信號D a之D a。以及 Dai係爲〇 ’而Dal ’…’ Dan-1係爲1。 因爲D a〇與D a 1爲0 ’開關SWa〇以及i 係爲斷開，而相反的，開關S W b 〇以及s w b i係接通， 而輸出線係經由電阻B 0以及B i而連接至電源電M線H。 ，D a η〜i係皆爲丄，開 - 1係皆接通，而相反的 - 1係經斷開，而輸出係 1而連接至電源電壓線L 另一方面，因爲D 關 S W a 2，S W a ’ s W b 2，s W b 經由電阻A 2，A :

D 關於電阻A Q，A 1，· . ，A n — 係爲〇N狀態之開關S W a 2，S W a 3 此些電阻（此時即電阻A 2，A 3，· ’所有此些連接至 __，S W " - i 之 ’ A n ― 1 )之總電 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 阻係假設爲Α τ。進一步，關於電阻Β 〇，β :， ， B η - 1 ’所有此些連接至該等係爲〇N狀態之開關s w b 〇 ，s W b i之此些電阻（此時即電阻Β Ο，Β 〇之總電阻係 假設爲Β τ。 總電阻Α τ之倒數係等於個別連接至係爲〇Ν狀態之開 關 S W a 2，S W a 3 …，S W a η - i 之個別電阻 A 2，A 3 · • ，A η — i之倒數和。（等式6 ) 〔等式6〕 111 _ " ~ - + - Ατ A3 Λ + - Λ 界+歹Γ····κ η .⑹ ^1 ^1 ϋ ϋ ϋ ϋ ·ϋ ϋ n a_i n 1 I >

-20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） >21223 A7 B7 五、發明說明（18 ) 藉由解得等式 〔等式7〕 中之At，可得等式7 蟮 Αγ 2η~ 2Λ-3+2Λ_4+…. + 2 + 1 進一步，類似的’總電阻B T之倒數係等於連接至處於 0 Ν狀態之開關s W b 0與s W b i之電阻B Q與B i之倒數 値之和。（等式8 ) 〔等式8〕

1 1 1 11 ⑼ -=-Η-----1--·*·(〇) Βτ Β, Bx R 2R 藉由解得等式8中之Βτ，可得等式9 〔等式9〕 ----------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1111111

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由使用由等式7以及等式9而得之總電阻Α τ以及總 電阻Β τ，可算出自輸出線之輸出電位V ◦ u t ( D a 〇二 D a 1= 〇，Da2 二 …Dan — 1= 1 )。該輸出電位 V 0 U t ( D a ο = D a 1 = Ο 9 D a 2 = D a 3 = ... D a η - 1 =1 )係將等式7中之總電阻A T除以等式7之總電阻A T 與等式9之總電阻Β T之和而後將此所得之商乘上電源電位 Vh與電源電位Vt之差（等式10)。 ______121β：__ ϋ張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " 521223 A7 B7 五、發明說明) 〔等式1 0〕

OUT Αγ + Βγ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依此，藉由對開觀之〇Ν /〇F F之操作’該η位元 數位信號可轉換成類比層次電壓信號。 以上，藉由使用等式1至1 〇參考個別數位信話之値 等係具有得知而解釋下，於是，以下，根據本發明之總電 阻A Τ、總電阻Β Τ以及輸出電位V ◦ u t可以一般表示方 式而表示。 總電阻Α τ之倒數係等於個別連接至此等開關（即’開 關S W a 0，S W a 1，…，S W a η - 1 )中係爲〇N狀態之 個別電阻之倒數之和。對於開關S W a。，S W a i，…， S W a η - 1中，此些在〇N狀態之該些開關係可將係爲1之 數位信號D a。，D a i，…，D a η - 1輸入至其中之開關。 因此，總電阻Α Τ之倒數係等於藉由將連接至開關S W a 〇 ，S W a i，…，S W a η - i 之個別電阻 A。，A 1，· ·， A n - !之倒數，予以乘上對應於個別開關S W a Q，S W a i ，...，S W a n — i之數位信號D a之値所得之値，予以相加 。（等式1 1 ) 〔等式1 1〕 1 _Da^ Da, | ^ Dan.2 + 么 Λ) Α-2 次_

, Dai R 2R

Da"

2n~2R 2n R (11) -22- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 521223 A7 B7 五、發明說明€〇 ) 藉由解得等式1 1中之At，可得等式 〔等式1 2〕 T~ ••八叫 +····+2ΖΚ-2+βί •R ...(12) 進一步，類似的，總電阻Β τ之倒數係等於個別連接至 開關S W b ◦，S W b !，…，S W b η — i中之電阻Β。，Β丄 ，· · ，Β η — i予以乘上對應於個別開關S W b。，S W b i ，…，s W b η — i之數位信號D b之値，而後將該等之乘積 予以相加（等式1 3 ) 〔等式1 3〕

I Db0 Db{ t , Pbn_2 , Dbn_x Db0 , Dbx 叫_2 .取一 一 " + 十··••十 十 一 十 十··••十’ ， · Λ Βτ β0 Βλ * Βη_2 Βη.χ R 2R T'2R T~XR (13) (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 藉由解得等式1 3中之Βτ，可得等式1 4 等式1 4〕 :.ΒΤ 2η~ 2n_1D60 + 2Π一 2坪 + …· + 2冰_2 + R --(14) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該輸出電位V 〇 u t係將等式1 2中之總電阻Α τ除以 等式1 2之總電阻Α τ與等式1 4之總電阻Β τ之和而後將 此所得之商乘上電源電位V Η與電源電位V L之差（等式 〔等式1 5〕 -23- 本紙張尺度適用甲國國冢標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 521223 A7 五、發明說明（21 ) Ψ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依此’由數位信號D a之値所得輸出電位V ^ u t係由 該輸出線而輸出。由等式1 5可知，該輸出電位V。u t並 不是由電阻値R而得。進一步該輸出電位vout之大小可 藉由Vh以及Vl而決定。 根據本發明之D A C，不需提供如習知d A C之將開 關或層次電壓線使之具有相等於數位信號位元數之數目。 因此，D A C之面積可縮小，而因此可使驅動電路以及主 動式矩陣液晶顯示裝置可最小化。 進一步，在習知D A C中，當數位信號增加時，必須 指數的增加開關之數目。根據本發明，然而，在轉換η位 元數位信號時，開關之數目係爲2 η。因此，即使位元數 目增加，可減少開關數目之增加，而不同於習知之D A C ’因此，其可將驅動電路以及主動式矩陣液晶顯示裝置可 最小化。 進一步因爲D A C之面積可以減少，驅動電路之面積 可減少，儘管D / A轉換電路之數目藉由增加圖素之數目 而增加，即，藉由增加來源信號線，而因此，可高精密而 最小化的建構主動式矩陣液晶顯示裝置。 進一步，不似習知電容除法式D A C，在電容中累積 電荷之週期時間以及在電容中將所累積電荷予以放電至相 等於接地（G N D )之週期時間皆不需要，使得相較於電 —___-94-___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------------:---丨訂---------線蠢 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ， 』 521223 A7 --- B7 五、發明說明（22 ) 容除法式D A C係增進操作速度。 〔實施例模式2〕 此實施例模式將參考轉換2位元數位信號至一類比層 次電壓信號之D A C而使用薄膜電晶體而製造。此實施例 模式並不限制於此位元數目。 圖5 A係展示轉換2位元數位信號至一類比層次電壓 信號之D A C之詳細電路圖。對於該D A C，一數位信號 D a係經由I N 〇而輸入，而一數位信號D a i係經由 I N 1而輸入。 該經由I N 〇輸入之數位信號D a 〇係輸入至S W a 〇 ，使得S W a 〇之〇N或〇F F係由數位信號D a 〇而決定 。該來自於以一反向器而將數位信號D a 〇反向之數位信號 Db。係輸入至SWb〇，使得SWb〇之ON或OFF係 由數位信號所決定。因爲D b 〇因此而將D a 〇之信號反向 ，該S W b 〇將在S W a。接通時而斷開，而S W b 〇將在 S W a 〇斷開時而接通。 在當數位信號D a i被輸入至I N :時，該S W a i以 及S W b :係由與數位信號D a。被輸入至I N。相同的方 式而由數位信號D a i所控制。 圖5 B係使用在本實施例模式中之反向器之具n μ路 圖例。在此實施例模式，1代表一 Η 1信號，而0代表 L 〇信號。V d d h表示與數位信號之H i相等之電源電 位，而V s s代表與數位信號之L 〇相等之電位。 ____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁)

-----^—訂---------線 I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（23 ) 當H i數位信號送至V i η時，該L 〇數位信號自 V。u t而輸出。相反的，當L 〇數位信號被送至V i η ’貝!1 H i數位信號自V。u t而輸出。 在此實施例中，由於在D A C中具有電阻’即’在形 成開關S W群組中之薄膜電晶體（T F T )之內部電阻。 該T F T之內部電阻係指存在於連接源極區以及汲極區之 方向中，以及存在於T F T作用層叟具有之通道形成區。 圖6係展示使用於此實施例模式之開關S W之具體電路圖 之例子。 如圖6所示，該開關S W群組包括一 N通道薄膜電晶 體（N通道TFT)以及P通道薄膜電晶體（P通道 TFT)。每個N通道TFT以及P通道TFT之源極區 以及汲極區中之一個，係連接至輸出線，而另一區係樨皆 至電源電壓線。 當數位信號1送至開關S W群組時，在開關S W群組 中之N通道T F T以及P通道T F T中之源極區以及汲極 區變成電導狀態；而該開關群組被接通。 相反的，當數位信號0送至開關S W群組時’在開關 SW群組中之N通道T F T以及P通道T F T中之源極區 以及汲極區變成非電導狀態；而該開關群組被斷開。 圖7係展示使用開關S W群組之薄膜電晶體之上視圖 例。圖7係展示作用層以及閘極電極。該閘極電極係經構 成，而使閘極信號線之部分作爲閘極電極。雖然未顯示’ 聞極絕緣膜係位於作用層以及聞極電極之間。 ___-9R-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 ______ B7 五、發明說明（24 ) 於其中加入導電性之雜質的源極區以及汲極區係位於 該作用層中。進一步，介於該源極區以及汲極區之加，係 將形成形成通道之區域的通道形成區之電壓送至閘極電極 〇 在使源極區以及汲極區相互連接之方向上之通道形成 區的長度係界定爲通道長度（L )。進一步，在垂直於使 源極區以及汲極區相互連接之方向上之通道形成區的長度 係界定爲通道寬度（W)。 薄膜電晶體（T F T )之內部電阻之電阻値，在當通 道長度（L )相等時，係根據通道寬度（W)而決定。該 內部電阻之電阻値係反比於通道寬度，使得當T F T之內 部電阻之電阻値爲兩倍時，該通道寬度（W)變成一半， 當T F T資內部電阻之電阻値係變成2 2倍，而通道寬度（ W)變成1/2 2倍。 在此實施例中，很重要的是，N通道TFT以及P通 道TFT之內部電阻之電阻値要一致，使得輸出自DA C 之類比層次電壓信號沒有副作用。 此實施例模式已經根據圖5之D A C電路圖而描述， 但是本實施例模式並未限制於此電路圖，而設計者可根據 該圖而予以修改。 進一步，本實施例模式係參考當薄膜電晶體之內部電 阻之電阻値係由控制通道寬度（W )而改變之例子而描述 ，但是該薄膜電晶體T F T內部電阻之電阻値可藉由控制 通道長度（L )而改變。該T F T內部電阻之電阻値係正 ________________________- 97 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------------^—訂---------線氣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521223 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（25 ) 比於通道長度（L )。因此，當T F T內部電阻之電阻値 加倍時，通道長度（L )加倍，而當T F T內部電阻之電 阻値增加至2 2被時，通道長度（L )變成2 2倍。進一步 藉由一起控制通道長度（L)以及通道寬度（W)，可控 制T F T內部電阻之電阻値。 根據本發明之D A C，不需提供如習知D A C之將開 關或層次電壓線使之具有相等於數位信號位元數之數目。 医1此，D A C之面積可縮小，而因此可使驅動電路以及主 動式矩陣液晶顯示裝置可最小化。

進一步，在習知D A C中，當數位信號增加時，必須 指數的增加開關之數目。根據本發明，然而，在轉換n位 兀數位信號時，開關之數目係爲2 η。因此，即使位元數 目增加，可減少開關數目之增加，而不同於習知之D A C ’因此，其可將驅動電路以及主動式矩陣液晶顯示裝置可 最小化。 進一步因爲D A C之面積可以減少，驅動電路之面積 可減少’儘管D/A轉換電路之數目藉由增加圖素之數目 而增加，即，藉由增加來源信號線，而因此，可高精密而 最小化的建構主動式矩陣液晶顯示裝置。 進一步，不似習知電容除法式DA C，在電容中累積 電荷之週期時間以及在電容中將所累積電荷予以放電至相 等於接地（G N D )之週期時間皆不需要，使得相較於電 容除法式D A C係增進操作速度。 進一步，在此實施例模式中，該D A C係使用開關具 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公愛） -----------------K----訂---------線 I (請先閲讀背面之注音？事項再填寫本頁) 521223 A7 _____Β7 五、發明說明（26 ) 有之薄膜電晶體內部電阻而構成。結果，與實施例模式1 不同的’不需重新提供電阻，因此，可減少D A C之面積 以及包括D A C之半導體裝置之面積。進一步，可減少製 造D A C之步驟數目。 圖形的簡單敘述 圖1 A — 1 D係根據實施例模式1之d A C電路圖。 圖2 A - 2 D係根據實施例模式1之d A C電路圖。 圖3係使用實施例2之D A C之主動式液晶顯示裝置 之方塊圖。 圖4係實施例模式2之D A C電路圖。 圖5 A - 5 B係實施例模式2之D A C詳細電路圖。 圖6係使用實施例2之D A C之開關以及電阻之電路 圖。 圖7係使用在根據實施例模式2之D A C之開關以及 電阻所構成之T F T之頂視圖。 圖8 A - 8 C係根據實施例4之T F T製造步驟之圖 式。 圖9 A - 9 C係根據實施例4之T F T製造步驟之圖 式。 圖1 Ο A - 1 〇 C係根據實施例4之T F T製造步驟 之圖式。 圖1 1係根據實施例4而施加電壓而以其光線傳導性 之無啓始—反鐵電（thresholdless-antiferroelectric )矩陣 _________________ -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂---------線』 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 B7 五、發明說明（27 ) 液晶之特性。 圖1 2 A - 1 2 F係根據實施例5之半導體裝置之電 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 子裝置之示意圖。 圖1 3 A - 1 3D係根據實施例5之半導體裝置之三 平板類型前投射器以及後投射器之示意圖。 圖1 4A - 1 4 C係根據實施例5之半導體裝置之單 一平板類型之圖式。 圖1 5係習知數位驅動類型主動矩陣液晶顯示裝置之 結構輪廓之示意圖。 圖16係習知DAC之電路圖。 圖1 7係習知DAC之電路圖。 圖1 8 A - 18 B係根據實施例6之半導體裝置中之 一種的E L顯示裝置之頂視圖以及剖面圖。 圖1 9係根據實施例6之半導體裝置中之一種的E L 顯示裝置之剖面圖。 圖2 Ο A - 2 Ο B係根據實施例6之半導體裝置中之 一種的E L顯示裝置之頂視圖以及電路圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2 1係根據實施例7之半導體裝置中之一種的E L 顯示裝置之剖面圖。 圖2 2 A — 2 2 C係根據實施例8之半導體裝置中之 一種的E L顯示裝置之電路圖。 圖2 3 A - 2 3 C係根據實施例9之半導體裝置中之 一種的E L顯示裝置之圖素部份之電路圖。 圖2 4A - 2 4 B係根據實施例1 〇之半導體裝置中 30 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 ___________ B7 五、發明說明（28 ) 之一種的E L顯示裝置之圖素部份之電路圖。 圖2 5A — 2 5B係根據實施例1 2之半導體裝置中 之電子裝置之圖式。 符號說明 -----^—訂---------線* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) T F T 薄膜 電晶體 1 4 0 1 來源 信號線 側邊 移位 暫 存 器 1 4 0 3 閂鎖 電路1 1 4 0 4 閂鎖 電路2 1 4 0 5 閂鎖 脈衝線 1 4 0 6 D / A轉換 電路 1 4 〇 7 層次 電壓線 1 4 0 8 來源 信號線 1 4 0 9 閘極 信號線 側邊 移位 暫 存 器 1 4 1 0 閘極 信號線 1 4 1 1 圖素 TFT A 0 5 A i， · · ，A η - 1 電 阻 B 0 ， B i，· · ，Bn -1 電 阻 S W a 0，S W a 1 ，... ，S W a η —: L開 關 S W b 0，S W b 1 ’ ... ，S W b η — 1開 關 L ， Η 電源 電壓線 D a 1 D ， ，Dal，· _，D a 1 η - 1 數 位 信 號 D b l 0 : ，D b 1 ， ，D t )η - 1 數 位 信 號 3 0 1 來源 信號線 驅動 J電路 A _ 31 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 521223 A7 B7 五、發明說明（29 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 〇 2 來源信號線驅動電路B 3 〇 3 閘極信號線驅動電路 3 0 4 圖素部份 3 0 5 數位信號資料驅動電路 3 〇 1 — 1 來源信號線驅動電路 3 〇 1 — 2 閂鎖電路1 3 〇 1 — 3 閂鎖電路2 3 〇 1 — 4 選擇器電路1 3 〇 1 — 5 D / A轉換電路 3 〇 1 — 6 選擇器電路2 3 〇 2 來源信號線驅動電路B 6 〇 〇 1 基底 6 〇 〇 2 氮化矽膜 6 〇 〇 3 氧化矽膜 6 〇 〇 4 — 6 〇 〇7 島半導體層 6 〇 〇 8 閘極絕緣膜 6 〇 〇 9 — 6 〇 12 電阻遮罩 6 〇 1 3 — 1 〇 15 低濃度雜質區 6 〇 1 6 第一導電層 6 〇 1 7 第二導電層 6 〇 1 8 — 6 〇 2 0 電阻遮罩 6 〇 2 1 閘極 6 〇 2 2 — 6 〇 2 3 導電膜 6 〇 2 4 6 〇 2 5 雜質區 ___ -------------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 521223 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7 五、發明說明¢0 ) 6 〇 2 6 - -6 〇 2 9 電 阻 遮 罩 6 〇 3 〇- -6 〇 3 2 閘 極 6 〇 3 3， 6 〇 3 4 電 阻 遮 罩 6 〇 3 5 — -6 〇 4 1 雜 質 6 〇 4 2 — -6 〇 4 4 ， 6 〇 4 5 雜 質 區 6 0 4 6 保 護 絕 緣 膜 6 〇 4 7 相 互 絕 緣 膜 6 〇 4 8， 6 〇 5 〇 5 6 〇 5 2 5 6 〇 5 4 源極 6 0 4 9， 6 〇 5 1 1 6 〇 5 3 7 6 〇 5 5 汲極 6 〇 5 6 通 公Μ 過 膜 6 〇 5 7 第 二 相 互 層 絕 緣 膜 6 〇 5 8 遮 蔽 膜 6 〇 5 9 介 電 基 底 6 〇 6 〇， 丨6 〇 6 1 6 0 6 2 圖 素 電 極 6 〇 6 3 區 6 〇 9 1 P 通 道 T F T 6 0 9 2 ，6 〇 9 3 Ν 通 道 T F T 6 〇 9 4 圖 素 Τ F T 6 〇 6 4 通 道 形 成 1E 6 〇 6 5 源 極 6 〇 6 6 汲 極 is 6 0 6 7 通 道 形 成 6 〇 6 8 源 極 區 6 〇 6 9 汲 極 is - - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----:----訂--------- « 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 521223 A7 B7 五、發明說明（31 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 〇 7 〇 L D D 區 6 〇 7 1 通 道 形 成 區 6 〇 7 2 源 極 區 6 〇 7 3 汲 極 Is 6 〇 7 4， 6 〇 7 5 L 〇 V 6 〇 7 6， 6 〇 7 7 通 道 形 成 區 6 〇 7 8 源 極 15 6 0 8 〇 汲 極 6 〇 8 1 - -6 〇 8 4 L 〇 f f 6 0 9 4 圖 素 2 0 〇 1 主 要 本 體 2 〇 〇 2 影 像 輸 入 部 份 2 〇 〇 3 顯 示 裝 置 2 〇 〇 4 鍵 盤 2 1 〇 1 主 要 本 體 2 1 9 2 顯 示 裝 置 2 1 〇 3 語 輸 入 部 份 2 1 〇 4 操 作 開 關 2 1 〇 5 電 池 2 1 〇 6 影 像 接 收 部 份 2 2 〇 1 主 要 本 體 2 2 〇 2 昭 j \ w 相 機 部 份 2 2 〇 3 影 像 接 收 部 份 2 2 〇 4 操 作 開 關 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----:----訂--------- -- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 521223 A7 B7 五、發明說明Ο2 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 2 〇 5 顯 示 裝 置 2 3 〇 1 主 要 本 體 2 3 〇 2 顯 示 裝 置 2 3 0 3 臂 部 份 2 4 〇 1 主 要 本 體 2 4 〇 2 顯 示 裝 置 2 4 〇 3 揚 士ru 腎 器 部 份 2 4 〇 4 記 錄 媒 體 2 4 〇 5 開 關 D V D 數 位 多 用 途 碟 片 2 5 〇 1 主 要 本 體 2 5 〇 2 顯 示 裝 置 2 5 〇 3 觀 察 瀏 覽. 器 部 份 2 5 〇 4 操 作 開 關 2 6 〇 1 顯 示 裝 置 2 6 〇 2 螢 幕 2 7 〇 2 螢 幕 2 7 〇 3 鏡 2 7 〇 4 螢 幕 2 8 〇 1 光 線 來 源 係 統 2 8 〇 2， 2 8 0 4 — 2 8 〇 6 2 8 〇 7 光 系 統 2 8 〇 8 顯 示 裝 置 2 8 〇 9 向 位 差 平板 _- - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -----:----訂--------- * J (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) « 521223 、發明說明¢3 2 2 2 8 1 0 投 射光 系 統 8 1 1 反 射 器 8 12 光 源 8 13, 2 8 14 透 鏡 陣 8 15 光 極 化 轉 換 8 16 聚 光 透 m 0 〇 0 0 6 4 7 光線來源系統 顯示裝置 投射光系統 旋轉濾色器電路板 微透鏡陣列 顯示裝置 分光鏡 分光鏡 分光鏡 投射光系統 K—訂---------線 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 較佳實施例之詳細描述 現在解釋DAC之實施例。然而，本發明之DAC之 具體構成並不陷於以下實施例之構成。 實施例1 本實施例現藉由圖2 A - 2 D ’參考對應於4位元數 位信號D A C之例子而描述。 -3fi-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 ------ B7 五、發明說明04 ) 圖2 A - 2 D所示之本實施例D A C係將4位元數位 信號D a ( d a Q，D a i，…，D a 3 )轉換成類比層次電壓 信號。在此實施例中，電源電位V η係設定爲5 V，而電源 ® _ V t係設定爲〇 ν，但是本發明並非限制於該等値。 如圖2 A — 2 D所示，根據本發明之DA C包括四個 開關S W a ◦，S W a i，…，S W a 3以及四個開關S W b 〇 ’ s W b :，…，s W b 3。該D A C亦包括四個電阻A 〇， A 1，· · ，A 3 以及四個電阻 B ◦，B i，· · ，B 3。 此處，解釋根據本發明之D A C之電路建構。 電阻A Q之兩端部係個別連接至開關S W a。以及輸出 線。未連接至電阻A 〇之開關S W a Q係連接至電源電壓線 L。在此實施例中，開關S W群組之內部電阻係爲〇，但 是可將該開關S W設計爲具有內部電阻。 進一步，A i之兩端係分別連接至開關S W a :以及輸 出線。未連接至電阻A i之開關S W a :係連接至電源電壓 線L。 進一步，A 2之兩端係分別連接至開關S W a 2以及輸 出線。未連接至電阻A 2之開關S W a 2係連接至電源電壓 線L。 同樣的，A 3之兩端係分別連接至開關S W a 3以及輸 出線。未連接至電阻A 3之開關S W a 3係連接至電源電壓 線L。 電阻 B ◦，B !，· · ，B 3 以及開關 S W b 〇，S W b ! ，...，S W b 3之關係係類似於電阻A。，A i，· · ，A 3 _____-37- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ---------K----訂---------線 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 五、發明說明05 ) 與開關S W a Q，S W a i，…，S W a 3之間的關係。即，個 別電阻B 〇，B i，. · ，B 3係連接至個別開關s W b 0， s W b 1，…，s W b 3以及輸出端。個別開關s W b 0， s W b 1 ’…，s W b 3之端部（其係並未連接於電阻B 0， B 1 · · ’ B 3 )係連接至電源電壓線η。 接著，描述本實施例之D A C之操作。 當開關S W a ◦被接通時，電源電壓線L以及電阻A 〇 係相互連接。即，當開關S w a。係被接通時，連接至開關 S W a Q之電阻a 〇之該端係維持在與v l相等之電位中。 相反的’當開關S W a Q係被斷開時，電源電壓線L與電阻 A 〇之間的連接被斷開。 進一步，假如開關S W a i被接通，則電源電壓線L以 及電阻A i係相互連接。即，當開關S w a i係被接通時， 連接至開關S W a i之電阻A :之該端係維持在與V ε相等 之電位中。相反的，當開關S W a i係被斷開時，電源電壓 線L與電阻a i之間的連接被斷開。 進一步，假如開關S W a 2被接通，則電源電壓線L以 及電阻A 2係相互連接。即，當開關s W a 2係被接通時， 連接至開關S W a 2之電阻A i之該端係維持在與V i相等 之電位中。相反的，當開關S W a 2係被斷開時，電源電壓 線L與電阻A 2之間的連接被斷開。 相同的，假如開關S W a 3被接通，則電源電壓線L以 及電阻A 3係相互連接。即，當開關S W a 3係被接通時， 連接至開關S W a 3之電阻A i之該端係維持在與V l相等 1 - _____-38 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----K----訂---------線 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521223 A7

五、發明說明$6 ) 之電位中。相反的，當開關s W a 3係被斷開時，電源電壓 線L與電阻a 3之間的連接被斷開。 如上述，假如每個開關S W a ◦，s W a i，…，s W a 3 皆被接通，則電源電壓線L以及每個電阻A。，A :，·. ’ A 3係相互連接。即，假如每個開關s W a 〇，S W a i， …’ s W a 3被接通，則每個開關s W a Q，s W a i，…， S W a 3至該端係維持在與v l —樣之電位。相反的，假如 每個開關S W a Q，S W a i，…，S W a 3被斷開，則電源電 壓線L與每個電阻A Q，A i，· · ，A 3之間的連接被斷 開。 相同的，假如每個開關S W b 0，S W b i，…，S W b 3 皆被接通，則電源電壓線L以及每個電阻B (3，B i，.. ’ B 3係相互連接。即，假如每個開關S W b 〇，S W b i， …’ S W b 3被接通，則每個開關S W b 〇，S W b i，…， S W b 3至該端係維持在與v l —樣之電位。相反的，假如 每個開關S W b 〇，S W b i，…，S W b 3被斷開，則電源電 壓線L與每個電阻B 〇，B i，· · ，B 3之間的連接被斷 開。 該開關S W a群組以及開關S W b群組之〇N或 〇F F係根據輸入至D A C之數位信號D a 〇，D a !，…， D a 3而被決定。 假如數位信號D a被輸入至D A C，則數位信號D a 被輸入至開關S W a。，S W a i，...，S W a 3，而數位信號 D a之反向信號D b係被輸入至開關S W b 〇，S W b i，… 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) ^—訂---------線氣 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7____ 五、發明說明$7 ) ，S W b 3。 假如輸入至個別開關S W a。，S W a i，...，S W a 3之 數位信號D a係爲1，則開關S W a ◦，S W a i，…， S W a 3係被個別接通。該輸入至個別開關S W b Q ’ S W b i，…，S W b 3之數位信號D b係爲數位信號D a之反向 並而爲0時，則該開關S W b Q，S W b !，…，S W b 3被個 別斷開。 相反的，假如輸入至個別開關S W a。，S W a 1，…’ s W a 3之數位信號D a係爲ο，則開關s W a Q，S w a 1 ，…，S W a 3係被個別斷開。該輸入至個別開關s W b 〇， S W b i ’…，S W b 3之數位信號D b係爲數位信號D a之 反向並而爲1時，則該開關S W b ◦，S W b i，...，S W b 3 被個別接通。 依此’開關S W a群組以及開關S W b群組係相互關 聯而被操作。 以下解釋圖2 A中之輸入至D A C中之數位信號爲1 時，本發明之D A C所執行之操作。 當輸入至D A C至數位信號D a ( D a 〇，D a 1，…， D a 3 )係爲1 ，該開關S W a。，S W a i，…，S W a 3皆 被接通，而輸出線係經由電阻A 0，A i，. . ，A 3而連 接至電源電壓線L。相反的，數位信號D b 〇，D b i，…， D b 3皆變爲〇，使得開關S W b ◦，S W b i，…，S W b 3 皆被斷開，因此，輸出線變成與電源電壓線H之不連接狀 態。（圖2 A )。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------------^—訂—------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -40 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 --------- B7 五、發明說明〇8 ) 結果，在電源電壓線L上之V L係直接自該輸出線而輸 出。來自於D A C輸出線之輸出電位V。u t變成u t (

Da〇==Dai =…= Da3=l) = Vl=〇V。 當輸入至根據本發明之D A C之數位信號D a之根據 本發明之D A C所執行之操作（只有D a。爲Ο，而D a i ，Da2以及Da3皆爲1)，將參考圖2B而描述。 由於D a 〇爲0，S W a 〇被斷開，而S W b 〇則爲接 通’使得輸出線經由電阻B 〇被連接至而連接至電源電壓線 H。另一方面，因爲Dal，…，Da3爲1 ，SWal，…， S W a 3皆爲接通，而S W a i，…，S W a 3係爲斷開，因此

輸出線係經由電阻A i，· . ，A 3而連接至電源電壓線L 〇 關於電阻A 〇，A i，· · ，A 3，所有此些連接至係 爲〇N狀態之開關S W a i，…，S W a 3之此些電阻（此時 即電阻A i，· · ，A 3 )之總電阻係假設爲Α τ。進一步 ，關於電阻Β 〇，B i，· · ，Β 3，所有此些連接至該等 係爲〇N狀態之開關S W b 〇之此些電阻（此時即電阻B 〇 )之總電阻係假設爲Β τ。 總電阻Α τ之倒數係等於個別連接至係爲Ο N狀態之開 關S W a i，…，S W a 3之個別電阻A i，· · ，A 3之倒數 和。（等式1 6 ) 〔等式1 6〕 ____-41 -__一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------------^—訂---------線 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223

五、發明說明（39 ) 丄=丄+丄+丄=士 + -^—+ …⑽ Ατ A3 2R 22R 23R } 藉由解得等式1 6中之At，可得等式1 7。 〔等式1 7〕 旦/?…(Π) 7 進一步，類似的，總電阻Β τ之倒數係等於連接至處於 〇N狀態之開關swb ◦之電阻B ◦之倒數値。（等式1 8 ) 〔等式1 8〕 = 一 ".(18)

BT B0 R 藉由解得等式1 8中之Βτ，可得等式1 9。 〔等式1 9〕 Λ5Τ ·*·(19) 藉由使用由等式1 7以及等式1 9而得之總電阻A T以 及總電阻Β τ，可根據以下等式2 0而算出自D A C輸出線 之輸出電位 V 0 U t (DaO=0 ，Dal = Da2 =…Da3 =1)。該輸出電位Vout ((Dao^O’Dai^ -4?- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 B7 五、發明說明（4〇 ) D a 2 =…D a 3 = 1 )係將等式1 7中之總電阻Α τ除以 等式1 7之總電阻Α τ與等式1 9之總電阻Β τ之和而後將 此所得之商乘上電源電位V Η與電源電位V 之差（等式 2〇）° 〔等式2 0〕 …(2〇) 依此，藉由對開觀之Ο Ν /〇F F之操作，該η位元 數位信號可轉換成類比層次電壓信號。 藉由圖2 C，此時根據本發明之d A C之操作，解釋 輸入至本發明D A C之數位信號D a之D a 〇以及D a i係 爲0 ’而D a 1 ’…’ D a 3係爲1。 因爲Da。與〇81爲〇，開關SWa〇以及SWa:. 爲斷開，而相反的，開關S W b 〇以及S W b 1係接通，而 輸出線係經由電阻B Q以及B i而連接至電源電壓線Η。另 一方面，因爲Da2，Da3係皆爲1 ，開關SWa2， s W a 3係皆接通，而相反的，s W b 2，s W b 3係經斷開 ，而輸出係經由電阻A 2，A 3而連接至電源電壓線L。 關於電阻A。，A i，· · ，A 3，所有此些連接至係 爲〇N狀態之開關S W a 2，S W a 3之此些電阻（此時即電 阻A 2，A 3 )之總電阻係假設爲A T。進一步，關於電阻 B之所有此些連接至該等係爲〇N狀態之開關S W b 0， S W b i之此些電阻（此時即電阻B 〇，B :)之總電阻係假 _ -43 -_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----r----訂---------線‘ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521223

五、發明說明（41 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B又爲Β τ。 總電阻Α τ之倒數係等於個別連接至係爲〇Ν狀態之開 關s W a 2，S W a 3之個別電阻A 2，A 3之倒數和。（等 式2 1 ) 〔等式2 1〕 lllll — + — = -7— + ——…（21)

Ατ Α2 Α3 22R 23R 藉由解得等式2 1中之At，可得等式2 2。 〔等式2 2〕 ^ = 3^^ * * * (22) 進一步，類似的，總電阻Β τ之倒數係等於連接至處於 〇N狀態之開關s W b 〇與S W b i之電阻B 〇與B i之倒數 値之和。（等式2 3 ) 〔等式2 3〕 …(功 藉由解得等式2 3中之Βτ，可得等式2 4 〔等式2 4〕 (24) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------I Κ----訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521223 A7 ----- B7 五、發明說明（42 ) (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 藉由使用由等式2 2以及等式2 4而得之總電阻Α τ以 及總電阻Β τ，可算出自輸出線之輸出電位V 〇 u t (

Da〇 = Dai=〇 » Da2 = Da3 = ...Da3=l)。該輸出 fe flA V 〇 U t (DaO^DaisQ ’ =1 )係將等式2 5中之總電阻A T除以等式2 2之總電阻 Α τ與等式2 4之總電阻Β τ之和而後將此所得之商乘上其 爲5之電源電位VH與電源電位Vl之差。 〔等式2 5〕 鲁 ...(25) 依此，藉由對開觀之〇N /〇F F之操作，該η位元 數位信號可轉換成類比層次電壓信號。 圖2 D將解釋本發明輸入至D A C之數位信號D a ( D a Q，D a 1，…，D 3 )之D A C執行操作，其中D a 2爲 〇，而Da〇，Dai以及Das係皆爲1。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當D a 2係爲0，S W a 2係爲斷開，而相反的， S W b 2係爲接通，使得輸出線竟由電阻B 2而被連接至電 源電壓線Η。另一方面，因爲，D a 〇，D a i以及D a 3係 爲1 ，而開關S W a。，S W a i以及S W a 3係爲接通，而 相反的S W b Q，S W b i，S W b 3係爲斷開，使得輸出線係 經由電阻A之電阻A 0，A i，，A 3而連接至電源電壓線 L。 _________-45- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 521223 A7 五、發明說明（43 ) 關於電阻A。，A 1， 爲〇N狀態之開關S W a 〇 (此時即電阻A Q，A 2， • ，A 3，所有此些連接至係 SWal，SWa3之此些電阻 • ，A 3 )之總電阻係假設爲 Α τ。進一步’連接至係爲〇 n狀態之開關s w b 2此些電 阻之總電阻（此時，電阻B 2係對應於此些電阻）係爲Β τ 〇 總電阻A T之倒數係等於個別連接至此等開關（即，開 關S W a 〇 ’ S W a i，…，s W a 3 )中係爲〇N狀態之個別 電阻A ◦，A i，A 3之倒數之和。（等式2 6 )。 〔等式2 6〕

1 11111 1 〜、 —=--1--η--= —|---1—：— (Ζο) \ \ Ax R 2R 23R 藉由參考At而解等式2 〔等式2 7〕 可得等式2 7 ^—訂---------線u · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ••词 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 進一步，類似的，組電阻Β τ係等於連接至開關 8贾133之電阻63之倒數。（等式2 8) 〔等式2 8〕

BT B2 22R .(28) -4fi- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 -----------B7___ 五、發明說明（44 ) 藉由參考At而解等式2 8，可得等式2 9。 〔等式2 9〕 • · βγ = .· · (29) 藉由使用由等式2 7以及等式2 9而得之總電阻Α τ以 及總電阻Β τ，可由等式3 〇而算出自D a C輸出線之輸出 電位 Vout (Da〇=〇，Dai = Da2 = Da3=l)。 該輸出電位 V〇 u t (Da2=0 ，Da〇 二 0 ，Dal = D a 3二1 )係將等式2 7中之總電阻a τ除以等式2 7之 總電阻A τ與等式2 9之總電阻Β τ之和而後將此所得之商 乘上其爲5之電源電位VH與電源電位Vl之差。 〔等式3 0〕 ==吾·％-匕)=f …(3〇) 依此，，藉由對開觀之〇N /〇F F之操作，該η位元 數位信號可轉換成類比層次電壓信號。 上述中，係參考具體已知之數位信號値而參考等式 1 6至3 0而解釋，但是根據本發明D A C的總電阻Α τ、 總電阻Β τ以及V ◦ u t將在以下以一般形式而表示。 該總電阻Α τ之倒數係等於連接至係爲〇n狀態之開關 S W a 〇，S W a i，…，S W a 3之個別電阻之倒數和。對於 S W a 〇，S W a i，…，S W a 3，該等開關係處於〇N狀態 -----------47 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -----^----訂---------線* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521223 A7 B7__ 五、發明說明（45 ) ’而係將爲1之DaQ，Dal，…，Da3予以輸入其中之開 關。因此，總電阻A T之倒數係等於將連接於S W a 〇， S W a 1，…，s W a 3之個別電阻A 0，A 1，· · ，A 3之 倒數乘以對應於個別開關S W a Q，s W a i，…，s W a 3之 數位信號D a之乘積和（等式3 1 )。 〔等式3 1〕 Λ 4 4 Λ A R 2R 22r 23r () 藉由參考At而解等式3 1，可得等式3 2。 〔等式3 2〕 ^ 2"Da^22Dax + 2Da2 + Da3 R …㈤ 進一步，類似的，總電阻B τ係等於將連接於S W b ο ，SWbi，…，SWb3 之個別電阻 Β。，Βι，· · ’ Β3 之倒數乘以對應於個別開關S W b。，S W b i，…，s W b 3 之數位信號Db之乘積和（等式33)。 〔等式3 3〕

Βτ Βχ Βλ B2 B3 R 2R 22R 23R 藉由參考Bt而解等式3 3，可得等式3 4。 〔等式3 4〕 ______-AR ___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------^----訂---------線‘ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 五、發明說明（46 ) .B __^_R ...(34) τ — 23Db0 + 22Db'+2Db2+Db3 輸出電位V 〇 u t係將等式3 2之總電阻Α τ除以等式 3 2之總電阻a τ與等式3 4之Β τ之和而得，而後將所得 之値乘以電源電位V η以及V l之差。（等式3 5 )。 〔等式3 5〕 ·. 23Db^22Dbl + 2Db7+Db, ^ 一匕） 23Dbj22Db^2Db7+Dbi …⑽ 依此，輸出V。u t (係由數位信號D a之値所決定） 係自該輸出線而輸出。但應自等式3 5瞭解，輸出電位 v。U t無法根據電阻値r而決定。 根據本發明之D A C，不需要提供於習知D A C —樣 數目位元之數位信號之開關或層次電壓線。因此，D A C 之面積可減少，而因此可使驅動電路以及主動式矩陣液晶 顯示裝置可最小化。 進一步，在習知D A C中，當數位信號增加時，必須 指數的增加開關之數目。根據本發明，即使位元數目增加 ，可減少開關數目之增加，而不同於習知之D A C，因此 ，其可將驅動電路以及主動式矩陣液晶顯示裝置可最小化 〇 進一步因爲D A C之面積可以減少，驅動電路之面積 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------犧II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 « 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 _________ B7 五、發明說明（47 ) 可減少，儘管D / A轉換電路之數目藉由增加圖素之數目 而增加，即，藉由增加來源信號線，而因此，可高精密而 最小化的建構主動式矩陣液晶顯示裝置。 在此實施例中，V Η係設定爲5 V，而V 係設定爲 〇V ’但是本發明並不限於此値。輸出電位V。u t之大小 可根據V Η以及V ◦ u t之差而決定。進，本實施例係參考當 數ίΐΔ柄號係爲4個位兀而解釋’但是並非限制於該數目。 實施例2 本實施例將參考根據實施例1之D A C使用在主動矩 陣液晶顯示裝置之驅動電路而描述。 圖3係展示根據本實施例之主動矩陣液晶顯示裝置之 輪廓的方塊圖。標號3 0 1係來源信號線驅動電路A，而 標化3 0 2係來源信號線驅動電路B。標號3 0 3係閘極 信號線驅動電路。標號3 0 4係圖素部份。標號3 Q 5係 數位視頻資料除法電路（S P C :序列至平行轉換電路） 〇 該來源信號線驅動電路A 3 0 1包括一來源信號線側 邊移位暫存器電路（一 2 4 0級移位暫存器電路X 2 ) 3 0 1 - 1 ，一閂鎖電路1 ( 9 6 Ο X 8數位閂鎖電路） 3〇1 — 2 ，一問鎖電路2 ( 9 6 Ο X 8數位問鎖電路） 301 - 3，一選擇器電路1 301 - 4，一 D/A轉 換電路（DAC) 301 - 5 ’以及選擇器電路2 3 0 1 - 6。該來源信號線驅動電路A 3 0 1進一步包 ______- Rd -_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) -------------鼋—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 « 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 _ B7 五、發明說明（48 ) 括一緩衝器電路以及一位準位移器電路（未顯示）。進一 步，該來源信號線驅動電路A 3 0 1亦可包括一位準位 移電路所構成（雖然爲簡化而未顯示）。 該來源信號線驅動電路B 3 〇 2具有與來源信號線驅 動電路A 3 0 1相同的構成。該來源信號線驅動電路a 3 0 1係經構成以傳送具有視頻信號（一類比層次電壓信號 )之奇數來源信號線，而來源信號線驅動電路B 3 0 2係 經構成以傳送具有視頻信號（一類比層次電壓信號）之偶 數來源信號線。 在本實施例中之主動矩陣液晶顯示裝置中，係具有兩 個來源信號線驅動電路（即，來源信號線驅動電路A以及 來源信號線驅動電路B )而夾置該圖素部份3 〇 4 (其係 由於電路佈局之故），但是，假如電路佈局許可的話，可 只提供一個來源信號線驅動電路。 進一步，標號3 0 3係爲一聞級信號線驅動電路，其 包括一移位暫存器、一緩衝器電路以及一位準移位電路（ 未顯不）。 該圖素部份304具有1920x1080 (寬度X 長度）之圖素。對於每個圖素，係放置一圖素TFT ;而 對於每個圖素T F T之來源區，係連接一源極信號線，而 對於閘極，係連接一閘級信號線。進一步對於每個圖素 T F T之汲極區，係連接一圖素電極。該圖素T F T每個 係控制將視頻信號（一類比層次電壓信號）之送至連接至 每個圖素T F T之圖素。對於每個圖素電極，係傳送視頻 -- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線« (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521223 A7 __ B7 五、發明說明（49 ) 信號（類比層次電壓信號），使得電壓被送至介於每個圖 素電極以及相反電極之間的夾置液晶，藉此而驅動液晶。 此處將解釋根據本實施例之主動矩陣液晶顯示裝置之 信號流以及其操作。 首先，將解釋來源信號線驅動電路A 3 0 1之操作。 對於來源信號線側邊移位暫存器電路3 0 1 - 1 ，係輸入 一時脈信號（C K )以及開始脈衝（S P )。來源信號線 側邊移位暫存器電路3 0 1 - 1根據時脈信號（C K )以 及開始脈衝（S P )而連續產生時脈信號，而經由緩衝器 電路或類似等（未顯示）而在接著之極（stage )而將之送 至該電路。 來自於來源信號線側邊移位暫存器電路3 0 1 - 1之 時脈信號係經由緩衝器電路以及類似等而予以暫存。對於 時序信號送至之來源信號線，係連接一大數目之電路或元 件，使得負載電容（寄生電容）係爲大的。爲了避免時序 信號之前緣以及後緣，因爲此大的負載電容而變鈍（blunt )，需提供此緩衝器電路。 由該緩衝器電路所暫存之時序信號送至閂鎖電路1 ( 3 0 1-2)。該閂鎖電路1 ( 3〇1 — 2 )具有9 6 0 及之閂鎖電路以處理數位信號。該閂鎖電路1 ( 3 0 1 -2 )當得到時序信號時，將連續自數位視頻資料除法電路 中得到數位信號並保持該等信號。 將數位信號完全的寫入至閂鎖電路1 ( 3 0 1 — 2 ) 之所有級之所需時間長度係稱爲單一線週期。即，該單一 ________ - - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 « 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 B7____ 五、發明說明（50 ) 線週期乃係’自將數位信號在問鎖電路1 ( 3 0 1 - 2 ) (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 之最左側級中寫入閂鎖電路之時間點，至將數位信號在閂 鎖電路1 ( 3 〇 1 - 2 )之最右側級中寫入閂鎖電路之時 間點之間的時間。實際上，包含上述線週期之週期時間加 上水平返馳（retrace )週期時間，有時係稱爲單一線週期 〇 在完成單一線週期之後，閂鎖信號係以來源信號線側 邊移位暫存器電路3 0 1 - 1之操作時序而送至閂鎖電路 2 (301-3)。此時，經寫入並保持在閂鎖電路1 ( 3 0 1 - 2 )之數位信號係送出至閂鎖電路2 ( 3 0 1 — 3 )，並寫入至閂鎖電路2 ( 3 0 1 — 3 )之所有級並保 持之。 對於該完成將數位信號傳送至閂鎖電路2 ( 3 0 1 - 3 )之閂鎖電路1 ( 3 0 1 - 2 )，該來自於數位視頻資 料除法電路之數位信號係根據來自於來源信號線側邊移位 暫存器電路3 0 1 - 1而連續執行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當此第二單一線週期時，經寫入並保持於閂鎖電路2 (3 0 1 - 3 )之數位信號係經由控制器電路（3 0 1 - 4 )而被連續選擇，並被送至D / A轉換電路（D A C ) 301 — 5。在該控制器電路（301 — 4)，單一選擇 電路係對應至四個來源信號線。對於選擇器電路’可參見 接是於日本公開號第9 一 2 8 6 0 9 8號。 該由選擇器電路控制器電路（3 0 1 - 4 )所選擇之 數位信號被送至D A C 3 0 1 - 5。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -53- 521223 A7 --- B7 五、發明說明（51 ) 該D A C 3 0 1 - 5係將數位信號轉換成類比層次電 壓信號，其係連續送至由選擇器電路2 ( 3 0 1 - 6 )所 選擇之來源數位信號。該根據本實施例之D A C係對應於 數位信號，而其操作係與實施例1之操作一致，而輸出 V cut係以上述等式而表示。 送至來源數位信號之類比層次電壓信號係被送至位於 圖素部份3 0 4中之圖素TFT之來源區（其係連接至來 源數位信號）。 標號3 0 2係一來源信號線驅動電路B，而其構成係 與來源信號線驅動電路A —樣。該來源信號線驅動電路 B 3 0 2係傳送具有視頻信號（類比層次電壓信號）之偶 數來源數位信號。 在閘極信號線驅動電路中，該來自於移位暫存器（未 顯示）之時序信號係送至緩衝器電路（未顯示）中，並送 至對應之閘級信號線（掃瞄線）。對於該閘極信號線，對 應於單一線之圖素T F T之閘級電極係被連接，而對應於 單一線之所有圖素T F T必須被同步接通，使得對於緩衝 器電路，而選擇具有大電流量之緩衝器電路。 依此，藉由來自於閘極閘極信號線驅動電路之掃瞄信 號，而執行對應圖素T F T之切換，該來自於來源信號線 驅動電路之類比層次電壓信號被送至圖素T F T，使得該 液晶分子被驅動。 標號3 0 5係一數位視頻資料除法電路（S P C :序 列至平行轉換電路）。該數位視頻資料除法電路3 0 5係 ................ - RA - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 r— -_____ B7 五、發明說明（52 ) 作爲降低自外側之數位信號所輸入之數位信號之1 / m之 頻率。藉由除法自外側輸入之數位信號，對於操作驅動電 路乃爲必要的信號的頻率亦可低至1 / m倍。 根據本發明之D A C可使用在異於如本實施例所構成 之主動矩陣液晶顯示裝置。藉由使用本發明之D A C，可 最小化該驅動電路以及主動矩陣液晶顯示裝置。 實施例3 本實施例現藉由圖4，參考實施例1所揭示之另一例 >子而由圖4而解釋。 圖4所示之本實施例D A C係將4位元數位信號D a (D a 0，D a i，…，D a 3 )轉換成類比層次電壓信號。此 實施例將參考對應於4位元數位信號而解釋，但是本發明 並非限制於該數字。進一步，在此實施例中，電源電位V Η 係設定爲6 V，而電源電壓V l係設定爲2 V，但是本發明 並非限制於該等値。 如圖4所示，根據本發明之D A C包括四個開關 s W a。，S W a i，…，S W a 3以及四個開關s W b ◦， S W b i，…，S W b 3。該D A C亦包括四個電阻A ◦，A i ，· · ’A3以及四個電阻Bq，Bi’ · . ，B3。 電阻A。之兩端部係個別連接至開關S W a q以及輸出 線L。未連接至電阻A 〇之開關S W a。係連接至電源電壓 線。 相同的事情係適用於A i，A 2，A 3。依此，每個電 ___________ - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） -------------—l·—訂---------線‘ (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 521223 A7 -—_ B7 五、發明說明（53 ) 阻A 〇，A i，· · ，A 3之兩端部係個別連接至每個開關 S W a。，s W a i，…，S W a 3以及電源電壓線L。爲連接 至個別電阻 A 〇，A 1，· · ，A 3 之 S W a。，S W a 1，· ’ S W a 3係連接至輸出端。 關於電阻B ο，B i，· · ，B 3以及開關S W b 〇， S W b :，…，s W b 3等之關係，係類似於關於電阻A 〇， A 1，· · ，A 3 以及開關 S W a ◦，S W a i，…，S W a 3 之關係。即，個別電阻B 0，B i，· · ，B 3之兩端部係 連接至每個開關S W b ο，S W b i，…，S W b η - i以及電 源電壓線H。該未連接至個別電阻B Q，B i，· ·，

Bn — 1之個別開關SWbQ，SWbl，…，SWbn — 1係連 接至輸出線。 接著，描述本發明之.D A C之操作。 當開關S W a Q係被接通時，該電壓線以及電阻A。係 相互連接。即，當開關S W a ◦被接通時，連接至開關 S W a。之電阻A。之端部以及輸出線係維持在相同的電位 。相反的，假如開關S W a。被斷開時，則介於輸出線以及 電阻A。之間的連接被切斷。 相同的事情亦適用於開關S W a i，S W a 2，S W a 3 ，假如每個開關S W a i，S W a 2，S W a 3係被接通，則 輸出線以及每個電阻A Ο，A i，· · ，A 3係相互連接。 即，假如開關S W a i，S W a 2，S W a 3係皆接通，則連 接至個別開關之S W a Q，S W a i，…，S W a 3以及輸出線 之個別電阻A Q，A i，· · ，A 3係維持在相同的電位。 __- RR - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------%i. (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 訂---------線 « 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 ----- B7 五、發明說明（54 ) 相反的’假如開關S W a Q，S W a i，…，S W a 3係皆斷開 ’則介於輸出端以及電阻A 〇，A i，· · ，A 3之間的連 接係皆斷開。 相同的事情亦適用於開關s W b。，s W b i，...， S W b 3，假如每個開關s W b。，S W b i，…，S W b 3係 被接通，則輸出線以及每個電阻B。，B :，. · ，B 3係 相互連接。即，假如開關S W b Q，S W b i，…，S W b 3係 皆接通，則連接至個別開關之S W b。，S W b :，...， s w b 3以及輸出線之個別電阻B 〇，B i，· · ，B 3係維 持在相同的電位。相反的，假如開關S W b Q，S W b i，... ’ S W b 3係皆斷開，則介於輸出端以及電阻b Q，B i，. .，B 3之間的連接係皆斷開。 此實施例與實施例1之不同在於對於後者，本實施例 之設置開關以及電阻之位置係相互設置。在此實施例，電 阻係設置於相對於該開關之較爲接近於電源電壓線，而相 反的，在實施例1 ，開關係設置於相對於該電阻之較爲接 近於電源電壓線。 本實施例係以將所有電阻設置於較開關更接近於電源 線側邊之方式建構，但是本發明應可以將一些電阻設置於 較開關爲接近電源電壓線側邊，而剩下的開關係設置於較 電阻爲接近於該電源電壓線。 實施例4 本實施例藉由圖8 A至1 0 C而解釋同步製造設置於 _____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------—— (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 ----- B7 五、發明說明（55 ) 圖素部份之周邊的中之主動式矩陣液晶顯示裝置（其係爲 本發明之半導體裝置例子）之圖素部份以及驅動電路 TFT之TF T。應注意，本發明只是一個例子，而本發 明並不限制於此製造方法。 在圖8 A中，一非鹼玻璃基底或一時應基底最好係使 用作爲主動式矩陣基底6 0 0 1。具有形成於該表面上之 絕緣膜之矽基底或金屬基底亦可使用做唯一主動矩陣基底 〇 形成T F T於其上之基底的一表面上，一包含氧化矽 膜、氮化矽膜或氮化矽氧化物之基膜（base film )係藉由 電漿CVD或濺射而形成具有1 〇 〇至4 0 0 nm之厚度 °例如’該基膜可以係雙層結構，而形成具有2 5至 lOOnm (此處係爲5〇nm)之氮化矽膜6002 ， 以及具有厚度爲5 0至3 0 0 nm厚度（此處爲 1 5 0 n m )之氧化矽膜6 0 0 3於其中。該基膜係作爲 避免主動矩陣基底受到雜質污染，而係不一定需要用到石 英基底。 接著，具有厚度爲2 0至1 0 0 n m厚度之非晶矽膜 以習知之膜沈積方法而形成於基膜之上。雖然係根據氫的 成分’該非晶矽膜最號係在4 0 0至5 0 0 °C之下而加熱 數個小時以利脫氫作用，而使氫成分減少至5原子％或更 少以準備結晶步驟。該非晶矽膜亦可藉由其他像是濺射或 蒸發之形成方式而形成。此時，最好該像是氧以及氮等含 在膜中之雜質元素可被有效減少。該基膜以及非晶矽膜可 ____- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ti — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 __ B7 五、發明說明（56 ) 以相同之膜沈積方法而形成，使得該膜等可被連續的形成 。此時，因爲爲暴露於空氣中而避免表面上之污染，而減 少所生產之T F T之波動（fluctuation)。 可使用一種已知的雷射結晶技術或熱結晶技術於自非 晶砂膜中形成一結晶砂膜之步驟。該結晶砂膜可藉由使用 加速矽結晶之催化元素之熱氧化而形成。其他選擇包括使 用使用一微結晶矽膜以及將結晶矽膜直接沈積。進一步， 該結晶矽膜可藉由使用已知之S 0 I (在絕緣體上之矽） 之技術（一單晶矽係附著於一基底）而形成。 如此形成之節晶矽膜之被必要部份係被蝕刻並被移除 以形成島半導體層（6004至6007)。在形成η — 通道T F Τ之節晶矽膜之區域可被事先滲入濃度爲1 X 1〇1 5至5 X 1 0 1 7 c m 3密度之硼（Β )，以控制該初 始電壓。 之後一閘極絕緣膜6 0 0 8主要由氧化砂或氮化砂所 形成而覆蓋住島半導體層6 0 0 4至6 0 0 7。閘極絕緣 膜6008之後度可以是10至200nm，最好是50 至1 5 0 nm。例如，一氮化矽可藉由N2〇以及S i H4 原始材料而以電漿C V D而形成7 5 n m之厚度，之後該 膜可在在8 0 0至1 0 〇 0°C之下，而在一氧環境下或氧 與鹽酸環境下而熱氧化至1 1 5 nm之厚度（圖8A)。 電阻遮罩6 0 0 9至6 0 1 2係在島半導體層 6〇04至6007之整個表面、在島半導體層6005 之一部份上（包括成爲通道形成區域之區域）以及島半導 _ - - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------养 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 -—- __ B7 五、發明說明（57 ) 體層6 〇 〇 6之部分（包括變成通道形成區域之區域）的 上面上形成，而一低濃度雜質區6 〇 1 3至6 〇 1 5係藉 由加入一 η型雜質元素而形成。此等低濃度雜質區 6 〇 1 3至6 0 1 5係藉由夾置一柵極絕緣膜（在此說明 書中稱爲L ο ν區，其中，◦ ν’代表，overlap，）於驅動電路 之η型通道TFT中而覆蓋閘極電極等之LDD (微量滲 入汲極）區之雜質區。此處形成之低濃度雜質區之含有η 型雜質元素係稱爲（η )。於是，該低濃度雜質區 6 0 1 3至6 0 1 5在此說明書中亦可稱爲η區。 使用電漿激化（plasma-excited )磷化氣（Ρ Η3)而 不執行大的分離於其上之離子滲入而滲入磷。當然，亦可 採用相關於大分離之方式的離子植入。在此步驟中，在柵 極絕緣膜6 0 0 8之上之半導體層係經由膜6 0 0 8而滲 入磷。使用在滲入中之磷的濃度最好是在5 X l〇17a t〇m/cm3 至 5xl018a t 〇m/cm3 之範圍內，而在本實施例中之濃度係設定爲1 x l〇18at〇m/cm3 (圖 8B)。 因此，電阻遮罩6009至6012被移除，而熱處 理係在氮氣環境下而在4 0 0至9 0 0°C之下而執行，最 好是5 5 0至8 0 0 °C而處理1至1 2個小時，而使磷於 此步驟中被加入。 一第一導電膜6 0 1 2以一導電材質而形成1 0至 l〇〇nm之厚度，該材質包含選自鉅（Ta) ’鈦（ T i )，鉬（Mo)以及鎢（W)之元素或選自具有一個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -------------^i- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 1---- _____B7___ 五、發明說明（58 ) 比匕些主要成分之一的導電材質之元素。例如，氮化鉅（ T a N )或氮化鎢（W N )係最好使用在第一導電膜 β 〇 1 6。一第二導電膜6 0 1 7係以1 0 0至 4〇〇nm之厚度而形成於選自Ta ，Ti ，Μ◦以及W 素或選自包含該等成分之一的導電材料之該第一導電 膜6〇16之上。例如，一Ta膜可爲200nm之厚度 成。雖然未顯示，可在第一導電膜6 〇 1 6之下而以 糸勺2至2 〇 nm之厚度而形成一矽膜，以避免該第一導電 〇 1 6以及第二導電膜6 0 1 7之氧化（特別是該第 一島耐Η旲6017)(圖8C)。 電阻遮罩6 0 1 8至6 0 1 2已形成，而第一導電膜 6016以及第二導電膜6017 (此後成爲薄片膜）係 經蝕刻而形成ρ通道T F Τ之閘極6 0 2 1。此數，導電 膜6 0 2 2以及6 0 2 3係留作覆蓋形成η通道TFT之 整個表面區域。 該電阻遮罩6 0 1 8至6 0 2 0係留作爲遮罩，而形 成P通道TFT之半導體層6 0 0 4之部分係滲入P型雜 質。硼在此處可作爲該雜質元素，而使用以硼院（B 2 Η 6 )滲入（或可使用離子植入）而滲入。含於雜質區中之Ρ 型雜質之雜質元素之濃度係以（Ρ ++)而表示。於是，雜 質區6 0 2 4以及6 0 2 5在本說明書中亦可稱爲Ρ+ + ( 圖 9 A )。 此處，亦可藉由使用電阻遮罩6 0 1 8至6 0 2 0之 蝕刻以移除閘極絕緣膜6 0 0 8而在暴露島半導體層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 « 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7____ 五、發明說明（59 ) 6 〇 0 4之部分之後，而執行p型雜質元素之滲入處理。 此時，低加速電壓係爲低，使得島半導體膜較無會損害， 而增加流通量。 在移除電阻遮罩60 1 8至6 0 2 0之後，形成電阻 遮罩6026至6029 ，而形成道TFT之閘極 6 0 3 0至6 0 3 2。此時，形成閘極6 〇 3 0，以經由 柵極絕緣膜6 0 0 8而覆蓋n區6 〇 χ 3。進一步，形成 柵極6 0 3 1以藉由夾置一閘極絕緣膜6 〇 〇 8而覆蓋η 區6014以及6015。（圖9Β) 該電阻遮罩6 0 2 6至6 0 2 9之後被移除而形成新 的電阻遮罩6 0 3 3以及6 0 3 4。接著，而執行作爲在 η通道T F Τ之源極區或汲極區之雜質區的步驟。該電阻 遮罩經形成以覆蓋η通道T F Τ之閘極6 0 3 2。此係爲 了在後面的步驟中形成不覆蓋位於圖素部份之η通道 T F Τ之閘極之L D D區。 η型雜質經加入其中而形成雜質區6 0 3 5至 6041。此處，再次採用磷化氫（ΡΗ3)而離子滲入（ 當然亦可予以離子植入），而在該等區中之磷濃度被設定 爲1乂1〇20至1又1〇213 1〇111/(：1113。包含在雜 質區6 0 3 9至6 0 4 1中之η型雜質之雜質元素之濃度 在此係以（η + )而表不。於是，雜質區6 0 3 9至 6 0 4 1在此說明書係稱爲η +區。該雜質區6 〇 3 5至 6 0 3 8具有已經形成之η —區，使得嚴格說起來，其包含 較雜質區6 0 3 9至6 0 4 1之磷濃度爲高之濃度。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） K----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521223 A7 ----- B7 五、發明說明（6〇 ) 此處’亦可藉由使用電阻遮罩6 0 3 3至6 0 3 4之 倉虫刻以移除閘極絕緣膜6 0 0 8而在暴露島半導體層 6 0 0 5至6 0 0 7之部分之後，而執行η型雜質元素之 滲入處理。此時，一低加速電壓係足以執行滲入，而使在 島半導體層之損害最小，而增進流通量。（圖9C) 接著，電阻遮罩6 0 3 3以及6 0 3 4被移除，而具 有η型雜質之雜質元素被滲入至形成圖素部份之η通道 TFT之島半導體層6007。如此形成之雜質區 6 0 4 2至6 0 4 4係以與上述η—區相同之濃度或更小之 濃度而滲入磷（特別是，在5 X 1 016至1 X 1018a t om/cm3)。此處所形成之包含在雜質區 6〇4 2至6 0 4 5之滲有η型雜質元素之濃度係以（η — )而表示。於是，雜質區6 0 4 2至6 0 4 5在此說明書 中可用而表示。進一步除了藏在閘極之下的雜質區 6070 ，6〇74以及6〇75之外，所有之雜質區係 在此步驟中滲以濃度爲η ^之磷。然而，磷之濃度是很小的 而可忽略其影響。 以下形成者係保護絕緣膜6 0 4 6，其係將成爲第一 交互層膜之一部份。該保護絕緣膜6 0 4 6可包含一氮化 矽膜、一氧化矽膜、一氮化矽氧化物或結合此些膜之薄片 膜。其中之膜厚度係在1 0 0 n m至4 0 0 n m之範圍。 因此，一熱處理步驟係經執行以激化以個別濃度加入 η型或P型雜質之雜質元素。此步驟可採用一爐鍛化、一 雷射鍛化或一快速熱鍛化（R T A )。在此實施例模式中 ___- -_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------II (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 訂---------線 « 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 B7 五、發明說明（61 ) ，該激化步驟係由爐鍛化而執行。該熱處理係在氮氣環境 下而在30 ◦至6 5 (KC下（最好是400至500 °C之 範圍內，此處係爲4 5 0 °C )予以執行2小時。 進一步’熱處理係在氫氣爲3至1 〇 〇%之環境下將 島半導體層6 0 0 4至6 0 0 7予以氫化1至1 2個小時 。此步驟係以熱激化氫氣而終止在半導體層中搖擺（ dangling )鍵結。其他之氫化機構，包括電漿氫化（其使用 電漿激化氫氣）（圖1 0 B )。 當完成激化步驟後，具有厚度爲〇·5至1·5微米 之一相互層絕緣膜6 0 4 7係形成在該保護絕緣膜 6〇4 6之上。包含保護絕緣膜6 0 4 6以及相互層絕緣 膜6 0 4 7之一薄片膜係作爲一第一相互層絕緣膜° 之後，即於個別T F T之源極區或汲極區之接觸孔隙 經形成以形成源極6〇4 8，6 0 5 0，6 0 5 2以及 6054 ，以及源極 6 0 49 ，6051 ，6053 以及 6 0 5 5。雖然未顯示，在本實施例模式中此些電極包含 厚度爲100nm之Ti膜，300nm厚度之含Ti鋁 膜以及具有1 5 0 n m厚度之另一 T i膜，經由濺射而形 成爲一個三層結構之薄片膜。 之後，一通過（passivation )膜6 0 5 6係使用一氣 化矽膜、一氧化矽膜或一氮化矽氧化物而具有5 0至 5〇〇nm厚度（一般爲200至30 0 nm)。之後’ 在此狀態下之氫氣化處理對於T F T之特性帶來改進。例 如，假如熱處理係在含有3至1 0 0 %氫氣之環境下於 ____ - -___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------鲁· ! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 B7 五、發明說明（62 ) 3 〇 0至3 4 0 °C予以熱處理1至1 2個小時。該相同的 結果可在使用電漿氫氣化方法下而獲得。此處可在該通過 膜6 0 5 6的之後所形成作爲連接圖素電極以及汲極至接 觸孔處而形成一^開口。 之後，包含有機樹脂之一第二相互層絕緣膜6 0 5 7 係形成爲具有約1微米之厚度。可使用聚亞胺、丙烯、聚 醯胺、聚亞胺一胺、BCB (苯並環乙烯）而作爲有機樹 脂。使用該樹脂膜之優點包括簡化膜之形成、減少由於低 枏對電容率（permitivity )所生之寄生電容，優異的平坦 度等。可使用異於以上所列之其他有機樹脂或一樹脂爲基 本之S i 0成分。此處，使用施加至該基底後之熱聚合類 型之聚亞胺而在3 0 0°C下加熱以形成該膜6 0 5 7。 接著’ 一'遮蔽（shielding ) 旲6 0 5 8係形成在形成 圖素部份區域之第二相互層絕緣膜6 0 5 7。該遮蔽膜 6058包含選自鉅（Ta)，鈦（Ti)，鋁（A1) 以及鉻（C r )之元素或選自具有一個此些主要成分之一 而具有1 〇 〇至3 0 0 nm之厚度。在遮蔽膜6 0 5 8之 表面，具有厚度3 0至1 5 0 nm (最好是5 0至 7 5 nm)之介電2之介電基底6 0 5 9 ，係陽極氧化或 電漿氧化。此處，鋁膜或一主要含有鋁之膜係使用作爲遮 蔽膜6 0 5 8，而一旅氧化物膜（鋁化物膜）係使用作爲 介電基底6059。

該介電基底僅位於此處本實施例中之遮蔽膜6 0 5 8 之表面上。一介電基底可藉由像是電漿CVD，熱CVD n 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 « 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 ---- B7 五、發明說明（63 ) 或濺射於該第二相互層絕緣膜6 0 5 7之蒸汽沈積方法而 形成’以覆蓋該遮蔽膜6 0 5 8。此時，其膜厚度最好係 爲30至150nm(最好係50至75nm)。一氧化 矽膜、一氮化矽膜、一氮化矽氧化物、一 D L C (像是鑽 石之碳化物）膜或一有機樹脂膜可使用作爲介電基底 6 0 5 9。亦可使用結合堆層此些膜等之薄片。 之後，即於汲極6 0 5 5之接觸孔隙在第二相互絕緣 膜6 0 5 7以及該通過膜6 0 5 6中形成，以形成圖素電 極6060，6061以及6062。注意，該圖素電極 6 0 6 1以及6 0 6 2係相鄰，但是爲個別獨立之圖素。 對於圖素電極6060至6062，一透明導電膜可使用 在建構傳送式主動矩陣液晶顯示裝置，而一金屬膜可使用 在一反射式主動矩陣液晶顯示裝置。此處，爲了製造一傳 送式主動矩陣液晶顯示裝置，藉由濺射而形成具有厚度爲 1〇0 n m之銦錫氧化物膜（I T〇）。 此時，一儲存電容係形成在以遮蔽膜6 0 5 8經由介 電基底6 0 5 9而覆蓋圖素電極6 0 6 0之一區域 6 0 6 3° 此時’包含一驅動電路以及圖素部份於一相同基底上 之一主動矩陣基底係被完成。一 p通道TFT609 1、 一 η通道TFT6〇9 2以及η通道TFT6 0 9 3係形 成在該驅動電路中，而一圖素TFT6 0 9 4係自圖素部 份之η通道TFT而形成。 驅動電路之P通道T F T 6 0 9 1係包括一通道形成 _ -RR- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------------^----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7

五、發明說明（64 ) 區6〇64，以及一源極區6065以及一汲極區 6 〇 6 6，個別形成在該p + +區域中。該^通道 TFt6 〇 9 2包含一通道形成區6 0 6 7、一源極區 6 0 6 8、一汲極區6 〇 6 9以及一 L D D區（此後稱爲 ^ ◦ v區，該’〇 ν’代表’〇veriap’）6 〇 6 7，其係以該鬧 ® 6 〇 3 〇經過柵極絕緣膜6 0 0 8而覆蓋。該源極區 6 0 6 8以及汲極區6 0 6 9係個別自（η — + n + )區而 形成’而L 〇 v區6 0 7 0係自該η —區而形成。 一通道形成區607 1、一源極區6072、一汲極 ® 6 〇 7 3、藉由夾置閘極絕緣膜6 0 0 8 (此後稱爲 L ◦ ν區，其中’〇 ν’代表’overiap’）而覆蓋柵極電極 6031之LDD區域6 0 74以及6075係形成在η 通道TFT6 0 9 3中。該源極區6 0 7 2以及汲極區 6 〇 7 3係個別自（η — + η + )區而個別形成，L ο ν區 6 〇 7 4以及6〇7 5係自η —區而形成。 圖素部份（圖素TFT)之TFT具有通道形成區 6076以及6 0 77、源極區6078、一汲極區 6〇80、LDD區域608 1至6 084，其並不經由 柵極絕緣膜6 0 0 8而以閘極電極6 0 3 2覆蓋（此後稱 爲L 〇 f f區域，其中’〇 f f’代表’offset’），以及一 n + 區域6 0 79與Lof f區6082以及6083接觸。 該源極區6 0 7 8以及汲極區6 0 8 0係個別自η +區而形 成，而Lof f區608 1至6084係自該η 區而形成 -R7 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

521223 A7 -B7 五、發明說明（65 )

Lov區之長度係爲〇·5至3·〇微米，一般係爲 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 · 〇至1 · 5微米，而通道長度係爲3至7微米。建構 在圖素TFT6094中之Lof f區6 0 81至 6084之長度可以是0·5至3·5微米，一般係 2 · 0至2 · 5微米。 在根據上述實施例所建構之液晶顯示裝置中，其可使 用各種之液晶。例如，可使用的液晶材料包括揭示在 H.Furue等人1998 SID”穩定聚合物單一穩定F L C D展示快 速反應時間以及高對比比率而有灰階功能之驅動建構之特 性”；T.Yoshida 等人 1 997，SID DIGEST，841,“一全彩無啓始 一反鐵電L C D展示寬視角而具有快速反應時間”；S . Inui 等人魚 1 996 J.Mater. Chem. 6(4)，67 1 -673，”在液晶中之無啓 始-反鐵電以及其應用於顯示器”；以及美國專利號第 5.594，569 號。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 展示固定溫度範圍下之反鐵電相位之液晶係稱爲反鐵 電。在混合之具有反鐵電液晶之液晶中，具有一種稱爲無 啓始-反鐵電混合液晶，其展示關於電場之傳導性變異的 光電反應特性。一些無啓始-反鐵電混合液晶，係展示V 形之光電反應特性，而在其中找到大約爲± 2 · 5 V之驅 動電壓（其細胞厚度約爲1微米至2微米）。 此數，參考圖1 1所示之展示關於施加電壓之光傳導 特性的V形無啓始-反鐵電特性例。在圖1 1中，縱軸係 標示傳導性（在任意單位中）而橫軸係爲施加電壓。在液 晶顯示裝置之入射側之極化板之傳導軸係與無啓始一反鐵 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 521223 A7 __ B7 五、發明說明（66 ) 電混合液晶之半導體層一般線方向（其實質並存於液晶顯 示裝置之擦拭方向）而實質平行。另一方面，在發射側之 極化板之傳送軸經設定，以實質形成橫跨鎳至入射側之極 化板之傳送軸。 如圖1 1所示，應瞭解使用此種無啓始-反鐵電混合 液晶可使低電壓驅動以及灰階顯示。 對於將此種低電壓驅動之無啓始-反鐵電混合液晶使 用在具有以數位操作之來源信號線驅動電路之液晶顯示裝 置中之情形下，D / A轉換電路之輸出電壓可經減少至D / A轉換器電路之較低操作供應電壓以及至驅動器之較低 操作供應電壓。於是，可實現較低電力消耗而高可靠度之 液晶顯示裝置。 因此，此種低電壓驅動之無啓始-反鐵電混合液晶在 當採用具有寬度相對小（例如爲〇 n m至5 0 0 n m，或 0 nm至2 Ο 0 nm)之LDD區（輕微滲入區）之 T F T時，而爲有效。 一般而言，無啓始一反鐵電混合液晶在自發極化上係 大的，而液晶本身之介電電容度係高的。因此，當使用無 啓始-反鐵電混合液晶作爲液晶顯示裝置時，圖素需要相 對的大儲存電容。因此，最好使用在自發極化上爲小之無 啓始-反鐵電。或者，藉由使用線序區動作爲液晶顯示裝 置之驅動方法，電壓灰階線序區動作爲液晶顯示裝置之驅 動方法，電壓灰階寫入至圖素之寫入週期（圖素饋入週期 )係加長，使得可提供一小的儲存電容。 _ _ 69 - _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（67 ) 使用此種無啓始-反鐵電混合液晶可實踐低電壓驅動 ’因此實現較低電力消耗之液晶顯示裝置。 實施例5 本發明之D/A轉換器電路可使用在各種之半導體裝 置中（主動矩陣液晶顯示裝置以及E L顯示裝置）。本發 明亦可實施於所有具有此種半導體裝置而作爲顯示媒體之 電子裝置。 此種電子裝置包括視頻照相機、數位照相機、投影機 (返5而或近5而）、頭部接合顯不器（突出（toggle )式顯 示器）、車輛導航系統、個人電腦、以及可攜式資訊終端 機（f了動式電腦、可擒式電話或電子書等）。此些例子係 展不在圖1 2A至1 4C。 圖1 2A係一個人電腦，其包含一主要本體2 〇 〇 1 、一影像輸入部份2 0 0 2、一顯示裝置2 0 〇 3、以及 一鍵盤2 0 0 4。本發明可應用於影像輸入部份2 〇 〇 2 、顯示裝置2 0 0 3以及其他信號控制電路。 圖1 2 B係一視頻照相機，其包含一主要本體 2 1 0 1、一顯示裝置2 1 〇 2、一語音輸入部份 2 1 03、一操作開關2 1 04、一電池2 1 〇 5、以及 一影像接收部份2 1 0 6。本發明可應用於顯示裝置 2 1 〇 2、語音輸入部份2 1 〇 3以及其他信號控制電路 〇 圖1 2 C係一行動式電腦，包含一主要本體2 2 〇丄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） 70 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（68 ) ’ 一照相機部份2 2 0 2 ; —影像接收部份2 2 0 3 ;操 作開關2204 ;以及一顯示裝置2205。本發明可應 用於該顯示裝置2 2 0 5以及其他信號控制電路。 圖1 2 D係一突出式顯示器，其包含一主要本體 2301 、一顯示裝置23 0 2以及一臂部份2303。 本發明可應用於顯示裝置2 3 0 2以及其他信號控制電路 〇 圖1 2 E係一裝置，其使用一該程式記錄其中之記錄 媒體（此後稱爲一記錄媒體），其包含：一主要本體 2402、一顯示裝置2402、一揚聲器部份2403 、一記錄媒體2404、一操作開關2405。注意，該 苜樂欣賞、影片欣賞、遊戲、以及使用網際網路可使用 DVD (數位多用途疊片）、一 CD等作爲記錄媒體之裝 置而執行。本發明可應用至顯示裝置2 4 0 2以及其他信 號控制電路。 圖1 2 F係爲一數位照相機，其包含：一主要本體 2501、一顯示裝置2502、一觀視搜尋器部份 2 5 0 3、ί荣作開關等2 5 0 4、以及一影像接收部份（ 未顯示於此圖中）。本發明可應用於該顯示裝置以及其他 信號控制電路。 圖1 3 Α係一前式投影機，其包含：一光線來源系統 以及一顯不裝置2 6 0 1、一螢幕2 6 0 2。在圖1 3A 中’該顯不裝置係爲一主動矩陣液晶顯示裝置。本發明亦 可應用於該顯示裝置以及其他信號控制電路。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 71 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223

五、發明說明（69 ) 圖1 3 B係一後式投影機，其包含一主要本體 27 0 1、一光學系統以及一顯示裝置2702、一鏡 2?〇3 、以及一螢幕27〇4。在圖138中，該顯示 裝置係爲一主動矩陣液晶顯示裝置。本發明可應用於該顯 示裝置以及其他信號控制電路。 注意，圖1 3 C係一展示在圖1 3A以及在圖1 3 B 中之光線來源系統以及一顯示裝置2 6 0 1以及一 7 〇 2 之結構之例子。該光線來源系統以及一顯示器2 6 0 1以 及2 7 0 2包含：一光線來源系統2 8 0 1、鏡子 2802 以及 2804 至 28 0 6、一分光（dichroic )鏡 2 8 0 3、一光系統2 8 0 7線來源系統以及一顯示器 2 6 0 1以及2 7 0 2包含：一光線來源系統2 8 0 1、 鏡子 2802 以及 2804 至 2806、一分光（dlchrolc )鏡2803、一光系統2807、一顯示裝置2808 、一相位微分板2 8 0 9、以及一投射光系統2 8 1 0。 該投射光系統2 8 1 0包含多數個具有投射透鏡之光鏡。 此結構稱爲三板式，因爲係使用三個顯示裝置2 8 0 8。 進一步一操作員可適當設置一光透鏡、具有極化功能之一 膜、一作爲調整相位差之S旲、或I R膜等（在圖1 3 C中 以箭頭表示之光路徑）。 注意圖1 3 D係爲一展示圖1 3 C之光線來源系統 2 8 0 1之結構例的圖。該光線來源系統2 8 0 1包含： 一反射器28 1 1、一光源28 1 2、透鏡陣列28 1 3 以及2 8 1 4，光線極化反射轉換元件2 8 1 5以及聚光 _^79 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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五、發明說明（7〇 ) 迈鏡2 8 1 6。注蒽，圖1 3 D中光線系統僅爲一例子而 不限制於此。例如一操作員可適當設置一光透鏡、具有極 化功能之一膜、一作爲調整相位差之膜、或I R膜等於一 光線來源系統。 而圖1 3 C係展示三板式之例子，圖1 4A係展示單 一板式例之圖。該光線來源系統以及一顯示裝置（圖 1 4 A )係包含：一光線來源系統2 9 0 1、一顯示裝置 2 9 0 2、以及一投射光系統2 9 0 3。該投射光系統 2 9 0 3包含多數個包括一投射透鏡之光透鏡。該光源系 統以及一顯示裝置（圖1 4 A )可應用至光線來源系統以 及顯示裝置2601以及1702 (展示在圖13A以及 1 3 B )。圖1 3 D所示之光線來源系統可使用於一光線 來源系統2 9 0 1。注意，一置於顯示裝置中濾色器（未 顯示）以及該顯示影像可予以呈彩色。 一光線來源系統以及顯示裝置（圖1 4 B所示）係圖 1 4 A之應用，而該所顯示影像係使用置換一濾色器之 R G B旋轉濾色器電路板2 9 0 5。該光源系統以及一顯 示裝置（圖1 4 B所示）可應用於光線光源系統以及顯示 裝置2601以及2702 (展是於13A以及13B) 〇 圖1 4 C中光線來源系統以及顯示裝置係稱爲爲濾色 器單一板系統。置於顯示裝置中之一微透鏡陣列2 9 1 5 之此系統以及該所顯示影像之呈彩色，係使用一分光鏡（ 綠色）2 9 1 2、一分光鏡（紅）2 9 1 3以及一分光鏡 _-72 -__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------------K----訂---------· (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 Α7 _ Β7 五、發明說明（71 ) (藍）29 14。該投射光系統29 14包含多數個含有 投射鏡之光透鏡。圖1 4 C所示之光源系統以及顯示裝置 可應用於光線來源系統以及顯示裝置2 6 0 1以及 2702 (如圖13厶以及13已）。進一步，可使用作 爲一光線來源系統、一使用對偶透鏡之光系統、除了光源 之外的對準器透鏡。 如上述，本發明之液晶顯示裝置之可應用範圍可很大 的，而可應用於各種領域之電子裝置。本發明之電子裝置 可使用實施例1至4之組合而完成。 實施例6 本實施例描述包含本發明D/A轉換器電路之EL( 墊-螢光性）顯示裝置之製造例子。注意，圖1 8 A中係 爲包含本發明D / A轉換器之E L顯示裝置之頂視圖，而 圖1 8 B係其側視圖。 在圖1 8A以及1 8B中，標號400 1係表示一基 底；4 0 0 2係爲圖素部份，4 0 0 3爲來源信號線驅動 電路；4 0 0 4爲閘極信號線驅動電路。每個驅動電路經 由接線4 0 0 5而置F P C (撓性印刷電路）4 〇 〇 6。 此數，一第一密合材料4 1 〇 1、一覆蓋材料 4 1 〇 2、一塡入材料4 〇 3以及第二密合材料 4 1 〇 4係置於圖素部份4 〇 〇 2、一來源信號線驅動電 路4 0 0 3以及閘極信號線驅動電路4 〇 〇 4之周圍。 進一步’圖1 8 B係對應於圖1 8 A之A〜Δ，七層千目 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4 ^ (210x 297 ^1) 74 -------------餐.II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂▲------------線 _ 521223 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7____五、發明說明（72 ) 圖。一驅動器T F Τ 4 2 0 1 (其形成一來源信號線驅雲力 電路4 0 0 3，注意’圖中所視爲2驅動電路4 0 0 3 ’ 注意，圖中所示爲η通道TFT以及ρ通道TFT)以及 一電流控制T F T (控制留置E L元件之電流的T F T ) 4202 (其形成該圖素部份4002)係形成於整個基 底上4 0 0 1。 在本實施例中，藉由已知方法所製之P通道T F T或 η通道T F T係使用作爲一驅動器T F T 4 2 0 1 ;以及 經由已知方法所製之Ρ通道T F Τ係使用作爲電流控制 T F Τ 4 2 0 2。進一步’連接至電流控制 丁 F Τ 4 2 0 2之閘極之儲存電容（未顯示）係置於圖素 部份4〇〇2中。 包含樹脂材料之相互層絕緣膜（平坦膜）4 3 0 1係 形成於驅動器TFT4 2 0 1以及圖素TFT4 2 0 2之 上，而圖素電極（陽極）4302 (其係電連接至圖素 T F Τ 4 2 0 2之汲極）係形成在其上。對於一圖素電極 4 3 0 2，使用透明導電膜（其具有一大工作功能）。銦 氧化物以及錫氧化物之化合物，銦氧化物以及鋅氧化物之 化合物，鋅氧化物，錫氧化物或銦氧化物可使用作爲透明 導電膜。此外，亦可加入鎵之材料製上述透明導電膜。 一絕緣膜4 3 0 3係形成於圖素電極4 3 0 2，而開 口部份係形成在上述圖素電極4 3 0 2中絕緣膜4 3 0 3 。在此開口部份，一 E L (電螢光）層4 3 〇 4係形成於 圖素電極之上。一已知有機或無機E L材料可使用作爲 -------------燦·II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) tr‘——I-----線 « 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 75 A7

521223 五、發明說明（73 ) EL層4304。進一步，在有機EL·材料可使用小分子 材料或聚合材料，兩者之一。 可使用一已知蒸汽技術或一覆蓋技術之E L層 4 3 〇 4之形成方法。進一步，e L層結構可以自由組合 涧射出層、一洞傳送層、一光發射層、一電子傳送層或一 電子射出層之薄片結構或一單一層結構。 一包含具有光遮蔽特性之導電膜的陰極4 3 〇 5 (一 般爲導電膜，其具有作爲主要材質之鋁、銅或銀或此些以 及其他導電膜之薄片）係形成於E L層4 3 0 4之上。最 好盡量避免於介於陰極4 3 0 5以及E L層4 3 0 4之間 的介面間存在濕氣以及氧氣。於是，需要像是在真空中連 續沈積兩個、或在氮氣或貴金屬環境下形成E二層 4 3 0 4，且之後在不與氧氣以及濕氣接觸之下而形成陰 極4 3 0 5。在本發明中，上述之沈積可使用像是多艙室 系統（叢集工具（cluster-tool )系統）之沈積裝置。 陰極4 3 0 5係在標號4 3 0 6之區域中電連接至接 線4 0 0 5。接線4 0 0 5係作爲施加預設電壓至陰極 4 3 0 5之接線，而且係經由均等性（isotropic )導電膜 43〇7而電連接至？？〇4006中。 因此，形成包含圖素電極（陽極）4302、一 EL 層4 3 0 4以及陰極4 3 0 5之EL元件。該EL元件可 由第一密合材料4 1 0 1以及藉由第一密合材料以及由塡 入材料4 1 0 3所密合而連接至基底4 0 0 1之覆蓋材料 4 10 2。 7R - ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------—— (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 訂.III-----線 i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 B7 五、發明說明（74 ) 對於覆蓋材料4 1 〇 2，可使用玻璃材料、金屬材料 (一般爲不銹鋼）、一陶材料以及一塑膠材料（包括一塑 膠膜）。對於塑膠材料，可使用F R p (加強纖維玻璃塑 脉）板、P V F (聚氟乙烯）膜、M y 1 e r膜、聚脂膜或乙 稀酸系樹脂膜。進一步，可使用具有將P V F膜或Myler膜 而夾置之銘合金結構的板。 注意’自E L兀件之射線係直接至朝向覆蓋材料之方 向日寸’係需要爲透明。此時，可使用像是玻璃奈、塑膠騙 、聚脂膜或丙烯膜之透明基底。 一紅外線保藏樹脂或日設定樹脂可使用作爲塡入材質 4103 ，而可使用PVC (聚氯乙烯）、丙烯酸、聚亞 胺、環氧樹脂、桂酮樹脂、p V B (聚乙烯基丁醛）、或 E V A (乙酸伸乙基乙烯酯）。假如乾燥試劑（最好是鋇 氧化物）或吸收氧氣之材料形成在塡入材料4 1 0 3之內 側而形成時，可避免E L材料之損害。 進一步，隔置器可包括在該塡入材料4 1 0 3之中。 當隔置器係以鋇氧化物而形成時，可吸收濕氣至該隔寘器 本身。此外，最好提供一樹脂膜於陰極之上，作爲當暴露 該隔置器時自該隔置器釋放壓力之緩衝器層。 該接線4 0 0 5係i由各向異性（amsouopic )導電 膜4307而連接至FPC400 6中。接線4005傳 送送至圖素部份4 0 0 2、來源側驅動電路4 0 0 3以及 閘極側驅動電路4 0 0 4至F P C 4 0 〇 6之信號，並藉 由F P C 4 0 0 6而墊連接至一外部裝置。 ___- 77 -___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-----;-----線 fn· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 -—---- B7 五、發明說明（75 ) 在本實施例中，該完全遮蔽該E L元件於外部環境之 結構’係採用在具有第二密合材料4 1 0 4之中，以覆蓋 第一密合材料4 1 0 1之暴露部份以及FPC40 〇 6之 部分。具有圖1 8 B之橫切結構之E L顯示裝置因而可完 成。 圖2 〇 A展示圖1 9圖素部份之橫切面圖之頂視圖的 詳細結構。圖1 9 ，2 Ο A以及2 Ο B中之參考號係使用 一致’ 2 A以及2 Ο B中之參考號係使用一致，以便相互 比較。 圖1 9中，暴露於基底上4 4 0 1之切換 TFT4 4 0 2係根據已知方法而自η通道TFT所建構 而形成。4 4 0 3所示之接線係爲電連接切換 TFT4402之閘極4404a以及4404b之閘極 接線。 注意，當本發明使用形成2通道形成區的雙閘極結構 ，形成單一閘極結構之單一通道以及形成3通道形成區之 二閘極結構亦可被接受。 切換T F T 4 4 0 2之汲極接線4 4 0 5係電連接致 電流控制T F T 4 4 0 6之閘極4 4 0 7中。注意，以已 知方法而形成P通道T F T。注意雖然本發明使用一單一 閘極結構，但是雙閘極結構或三閘極結構亦可接受。 第一通過膜4 4 0 8係置於切換TF T4 4 0 2以及 電流控制T F T 4 4 0 6之上，而包含樹脂之極化膜 4 4 0 9係形成於頂部。重要的是，藉由使用極化膜 __________ - 7R - _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------------：----訂---------· (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 521223 A7 ------^ B7 五、發明說明（76 ) 4 4 〇 9而予以平坦化（由於T F T之步驟）。因爲稍後 $成之E L層係極薄，有時因爲該步驟之存在而造成亮度 β受損。因此，最好在形成圖素電極之前而予以極化，以 形成E L曾於之前而予以極化，以形成E L層於經極化之 表面。 標號4 4 1 0係爲包含包含透明導電膜之圖素電極（ E L元件之陽極），而係電連接致電由控制 T F Τ 4 4 0 6之汲極接線4 4 1 7。銦氧化物以及錫氧 化物之化合物，銦氧化物以及鋅氧化物之化合物，鋅氧化 物’錫氧化物或銦氧化物可使用作爲透明導電膜。此外， 亦可加入鎵之材料製上述透明導電膜。 E L層4 4 1 1係形成於圖素電極上4 4 1 0。注意 ，雖然圖1 9僅展示1個圖素，對應於每個顏色R (紅色 )、G (綠色）以及Β (藍色）之EL層係每個適當的形 成在本實施例中。一小的分子形式有機E L材質係藉由本 發明之蒸汽法而形成。實質上，一薄片結構係以設置作爲 洞射出層之2 0 n m厚度之銅酞花青（C u P c )膜以及 將三一 8 -喹啉酸脂鋁絡合物（A 1 Q 3 )膜形成其上成 7 0 nm厚度而作爲螢光層，而形成。一螢光彩色可藉由 加入像是_ D丫酮，Perylene或D C Μ 1至A 1 q 3而控制。 然而，上述例子係爲可使用作爲E L層之有機E L材 料之一例子，而不必要限制於此。一 E L層（作爲螢光以 及作爲螢光載子移動之層）可藉由自由組合螢光層、電荷 傳輸層、或電荷射出層而形成。例如’使用小分子類型材 __________ - 7Q - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I-----------—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 « 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 B7 五、發明說明（77 ) 料而作爲螢光層之例子，係展示在本實施例中，亦可使用 聚合物類型之有機E L材料。進一步，可能使用像是矽碳 化物等而作爲電荷傳輸曾以及電荷射出層。眾人已知之材 料可使用作爲有機E L材料以及無機材料。 一包含導電膜之陰極4 4 1 2係接著形成於E L層之 上。在本實施例中，鋁或鋰合金膜係使用作爲導電膜。當 然’可使用眾人已知的M g A g膜（鎂以及銀合金膜）。 可使用包含屬於週期表中第1或第2群組之元素的導電膜 ’或至少加入一個此些元素之導電膜而作爲陰極材質。 E L元素4 4 1 3係在當形成陰極4 4 1 2時而完成 。注意，此處形成之E L元素4 4 1 3代表由圖素電極（ 陽極）4410、EL層4411以及陰極4412所形 成之電容所表示。 接著藉由圖2 0 A而解釋本實施例之圖素之頂視圖。 切換T F T 4 4 0 1之區域係連接至來源接線（來源信號 線）4 4 1 5，而汲極區係連接至汲極接線4 4 0 5。進 一步，汲極接線4 4 0 5係電連接至電流控制 T F T 4 4 0 6之閘極電極4 4 0 7。電流控制 T F T 4 4 0 6之源極區係電連接至電流供應線，而汲極 區係電連接至汲極接線4 4 1 7。汲極接線4 4 1 7係以 虛線表示連接至圖素電極（陽極）4 4 1〇。 此處，儲存電容係形成於4 4 1 9所示之區域中。儲 存電容4 4 1 9係以電連接至電流供應線4 4 1 6之半導 體膜4 4 2 0、與閘極絕緣膜（未顯示）相同層之絕緣膜 -ftn. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------___ (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁) 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 ---B7 五、發明說明（78 ) 以及閘極電極4 4 0 7所形成。進一步，可使用以閘極 4 4 0 7之電容、以相通於第一相互絕緣膜（未顯示）相 同層之一曾以及電流控制供應線4 4 1 6而作爲儲存電容 〇 實施例7 在實施例7中，係描述具有與實施例6不同圖素結構 之E L顯示裝置。圖2 1係作爲解釋。至，實施例6之描 述係使用與圖2 0相等之標號。 圖2 1中係爲以已知方法所製之η通道TFT而使用 作爲電流控制T F T 4 5 0 1。當然，電流控制 T F T 4 5 0 1之閘極4 5 0 2係電連接至切換 T F T 4 4 0 2之汲極接線4 4 0 5。電流控制 T F T 4 5 0 1之汲極接線4 5 0 3係電連接至圖素電極 4 5 0 5。 在實施例7中，包含導電膜之圖素電極4 5 0 5係作 爲E L元素之陰極。鋁以及鋰合金係具體使用，但是可使 用包含屬於週期表群組1或2之元素之導電膜，或加人此 些元素之導電膜。 E L層4 5 0 5係形成在圖素電極4 5 0 4之頂部。 注意，雖然圖2 1係僅展示單一圖素，對應於G (綠色） 之E L層在本實施例中係藉由蒸汽方法或覆蓋方法（最好 是旋轉（spin )覆蓋）而在本實施例中形成。具體的，薄 片結構係包含2 0 n m厚度之氟化鋰（L i F )而作爲電 _ _ - _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------------^—訂—^-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521223 A7 五、發明說明（79 子射出曾以及作爲螢光層之7 0 nm厚度之P P V ( G， P · 6 8 ) 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 包含透明導電膜之陽極4 5 0 6係接著暴露於E L層 4 5 〇 5之上。在本實施例中，銦氧化物以及錫氧化物之 化合物或銦氧化物以及鋅氧化物之化合物係使用作爲透明 導電膜。 在完成陽極4 5 0 6之完成時，亦完成E L元素 4507。注意，該EL元素4507此處係表示由圖素 電極（陰極）4504、EL層4505以及陽極 4 5 0 6之電容。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由於載子效應所產生之退化在當施加至E L元素 4 5 0 7之電壓係超過1 〇V之高電壓時，而發生在電流 控制T F T 4 5 0 1中。可有效的使用具有L D D區 4 5 0 9之η通道TFT而作爲電流控制TFT4 5 0 1 。注意，本實施例之電流控制T F T 4 5 0 1在閘極 4 5 0 2以及L D D區4 5 0 9之間而形成稱爲閘極電容 之寄生電容。可藉由調整此閘極電容而提供與圖2 0 A以 及2 0 B所示之儲存電容之相同功能。特別在當藉由數位 驅動方法而驅動E L顯示裝置時，可使用儲存電容之閘極 電容，因爲儲存電容之電容與使用類比驅動方法而驅動例 子相比係爲小的。 注意，L D D區4 5 0 9自圖2 1所示之結構移除之 不「可在當施加至E L元素之電壓係小於1 〇 V (最好是 小於5 V )時，而使用，因爲由於熱載子效應之上述退化 _- μ - _ 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 521223 Α7

五、發明說明（8〇 ) 將不會變成嚴重的問題。 ---------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 貫施例8 實施例6以及7中所述之E R L顯示裝置之圖素部份 所使用之圖素結構例子，係展示在圖2 2A至2 2 C中之 本貫施例◦在本實施例中，標號4 6 0 1係表示一開關 4 6 0 2之來源接線（來源信號線）；4 6 0 3係表示~ 開關4 6 0 2之閘極接線（閘極信號線）；4 6 0 4係一 電流控制T F T ; 4 6 0 5係一電容；4 6 0 6以及 4 6 0 8係電源線；以及4 6 0 7係E L元素。 圖2 2 A係展示電流供應線4 6 0 6由兩個圖素所分 享之例子。即，此例子之特徵在於該兩個圖素係經形以對 於電流供應線4 6 0 6而爲非對稱。此時，可減少電流供 應線之數目，進一步，可增進圖素部份之界定。 m 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2 2 B係展示電流供應線4 6 0 8係與閘極接線 4 6 0 3平行建構之例子。雖然電流供應線4 6 0 8係建 構使得不與圖2 2 B之閘極接線4 6 0 3重疊，但是假如 該等線係形成在不同層中時該兩個可經由一絕緣膜而相互 重疊。此時，電流供應線4 6 0 8以及閘極接線4 6 0 3 可分享該等之佔有區，進一步增進圖素部份之界定。 圖2 2 C所示之例子之特徵在於電流供應線4 6 0 8 係以類似於圖2 2 B類似的結構，而與閘極接線4 6 0 3 相平行的建構，而進一步，該兩個圖素係經形以對於電流 供應線4 6 0 8而爲非對稱。有效建構電流供應線 ___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 521223 A7 ---^ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（81 ) 4 6 〇 8已與閘極接線2建構電流供應線4 6 0 8以與閘 極接線4 6 0 3重疊。此時，可減少電流供應線之數目， 進一步，可增進圖素部份之界定。 實施例9 此實施例係相關於本發明所適用之E L顯示裝置之圖 素結構，而圖2 2 A至圖2 3 B係展示該圖素結構之例子 °在此實施例中，標號4 7 0 1係表示切換 T F T 4 7 0 1之來源接線（來源信號線），標號 4 7 〇 3係爲切換T F T 4 7 0 2之閘極接線（閘極信號 線），標號4 7 0 4係電流控制T F T，標號4 7 0 5係 一電容（此處略去），標號4 7 0 6係爲電源饋送線，標 號4 0 7係電源控制T F T，標號4 7 0 8係E L元件， 而標號4 7 0 9係電源控制閘極接線。爲了操作電源控制 TFT4707，可參考日本專利申請號第11 — 3 4 1 2 7 2。 進一步，在此實施例中，電源控制T F T 4 7 0 7係 位於電流控制T F T 4 7 0 4以及E L元件4 7 0 9之間 ，但是本實施例可將電流控制T F T 4 7 0 4置於電源控 制TFT4707以及EL元件4708之間。進一步， 最好該電源控制T F T 4 7 0 7係與電流控制 T F T 4 7 0 4相同之結構，而以相同作用層而連續形成 〇 進一步，圖2 3 A係展示當電源線4 7 0 5係共同使 _ -84- -------------—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·· 線 « 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 521223 A7 _ B7 五、發明說明（82 ) -------------—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用在兩圖素之間時的例子。即，本實施例之特徵在於兩圖 素係經形成爲相對於電源饋送線4 7 0 6爲非對稱。此時 ’電源線可在數目上減少，使得圖素部份可進一步精準以 及最小化。 進一步，圖2 3 B展示當電源線4 7 1 0係設置平行 於電源控制閫極接線4 7 1 1 (其位於與源極接線平行 4 7 0 1平行）之例子。在圖2 3 B所示之結構中，電源 線4 7 1 0以及閘極接線4 7 0 3並不相互重疊，但是， 假如兩線係在不同層中形成時，其等可以經由絕緣體膜而 相互重疊。此時，相同的區域可由電源線4 7 1 0以及閘 極接線4 7 0 3而共同佔有，使得圖素部份可進一步精準 以及最小化。 實施例1〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施例係相關於本發明所應用之E L顯示裝置之圖 素結構，而圖2 4 A以及圖2 4 B係該圖素結構之例子。 在本實施例中，標號4 8 0 1係爲切換T F T 4 8 0 2之 來源接線（來源信號線），標號4 8 0 2係來源接線（來 源信號線），標號4 8 0 4爲電流控制T F T，標號 4805爲電容（此處刪去）’標號4806係爲電源饋 送線，標號4 8 0 7係爲抹除T F T，標號4 8 〇 8係爲 抹除閘極接線，而標號4 8 0 9係爲E L元素。爲了操作 電源控制T F T 4 7 0 7，可參考日本專利申請號第1 1 — 3 3 8 7 8 6。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 521223 A7 -—--- B7 五、發明說明（83 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 抹除T F T 4 8 0 7之汲極係連接至電流控制 T F T 4 8 0 4之閘極，而可強迫改變電流控制 T F T 4 8 0 4之閘極電壓。該抹除T F T 4 8 0 7可包 括η通道TFT或p通道TFT兩者之一，但是最好爲與 切換T F T 4 8 0 2相同之結構，而使〇F F電流可以減 少。 進一步，圖2 4 A展示當電源供應線4 8 0 6係共同 使用在兩圖素之間時的例子。即，圖2 4 A所示之結構之 特徵在於該兩個圖素係經形以對於電流供應線4 8 0 6而 爲非對稱。此時，可減少電源線之數目而進一步精準以及 最小化。 進一步，圖2 4 B係展示電源線4 8 1 0係與閘極接 線4 8 0 3平行建構，而抹除閘極接線4 8 1 1係位於與 來源接線‘4 8 0 1平行時之例子。在圖2 4 B所示之結構 中，該電源線4 8 1 0以及閘極接線4 8 0 3係經設置而 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 不相互重疊，但是，假如其接線係形成於不同層時，該等 可經由一絕緣膜而相互重疊。此時，單一接合區可由電源 線4 8 1 0以及閘極接線4 8 0 3而共同使用，使得該圖 素部份可進一步準確以及最小化。 · 實施例1 1 使用本發明之D / A轉換器電路的E L顯示裝置係以 將數個T F T設置於該圖素中之方式而建構。例如，可具 有四個至六個或更多之TF T。本發明可在不限制E L顯 ______ - - 紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）

521223 五、發明說明⑼） 示裝置之圖素結構下而實施。 貫施例1 2 本實施例係相關於不同於實施例5之使用本發明D / A轉換電路之電子裝置的例子。 圖25A展示一顯示器，包括殼本體2601、一支 ί寸座2602、一顯示裝置2603等。本發明可應用於 _示裝置2 6 0 3以及其他信號控制電路。 圖25Β展示一顯示器，包括一主要本體27〇1、 信號纜線2 7 0 2、頭部固定帶2 7 0 3、一螢幕部份 27 〇4、一光系統27 0 5、一顯示裝置2706等。 本發明可應用於顯示裝置2 6 0 6以及其他信號控制電路 如上述，可應用於大範圍之本發明可應用於任一領域 之電子裝置。進一步，根據本實施例之電子裝置可藉由使 用包含實施例1至4以及6至1 1之構成而實施。 在本發明之D A C中，不需要提供相同數目之開關或 與已知D A C相同之層次電壓之數位信號線。因此， D A C之面積可減少，而可使驅動電路以及半導體予以最 小化。

進一步，在習知D A C中，開關之數目會因爲數位信 號之位元數目之增加而指數增加。根據本發明，當轉換η 位元數位信號時，開關之數目變成2 η個。因此，即使位 元數目增加，開關數目之增加可減少而不像習知之D A C «7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） ------------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂：—： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521223 A7 B7 五、發明說明（85 ) ’医1此’可使驅動電路以及半導體予以最小化。 進一步因爲DA C本身之面積可減少，甚至當D/A 車專換電路之數目因爲圖素數目（即，來源信號線）之增力口 而可減少；而可使半導體裝置之建構具有高準確度以及最 小化。 進一步不像電容除法式D A C，在電容中之累積電荷 週期時間以及在電容中之釋放電荷至與接地G N D (接地 )相等電荷之週期時間將不在需要，使得操作速度與電容 除法式D A C相較可較爲增進。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I I I l·---訂-------- · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -88-

Claims (1)

1. 521223 A8 B8 C8 _____D8六、申請專利範圍 1 · 一種D / A轉換電路，包含： η 個電阻 A ◦，A i，· · ，A n —丄， n 個電阻 B。，B i，· . ，B n —丄， 一電源電壓線L以及一電源電壓線H，係維持在相互 不同之電位， η個開關S W a 〇 S W S W η 個開關 SWb。，SWbi， 一輸出線， S W 以及 其中η個電阻α〇，Αι，· · ，An 別爲 R，2 R，…，2 n — 1 R， 其中n代表1或大於1之自然數，而r代表一正數， 其中η個電阻B。，B i，· · ，B n — χ之電阻値係分 別爲 R，2 R，…，2 n — 1 R， 其中每個η個電阻A ◦，A i，· · ，A n - i之兩端部 係連接至每個開關S W a Q，S W a 1，…，S W a η — 1之一 端以及該輸出線處， 其中每個η個電阻之一端（其係並未連接於每個η個 電阻Α。，A i，· · ，A η - i端）係連接至電源電壓線L 之電阻値係分 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中每個η個電阻B 連接至每個η個開關SW 一端以及該輸出線， Β S W b 1 Β η — 1之兩端係 .，S W b η — 1 之 其中每個η個電阻Β。，Β : 其係並未連接於每個η個電阻Β Β Β 之一端（ Β η - 1 端 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）-89 - 521223 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 )係連接至電源電壓線Η， 其中該 η 個開關 S W a ◦，S W a !，_··，S W a η (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 及n個開關S W b。，S W b i，…，S W b η - 1係由輸入至 外側之n位元數位信號所控制， 其中輸入至η個開關S W a 〇，S W a 1 ’ S W a n i之η位元數位信號之反向信號係個別輸入至n個 開關 S W b 〇，S W b i，…，S W b n - i，以及 其中一類比層次電壓信號係自該輸出線而輸出。 2 .如申請專利範圍第1項之電路，其中每個開關 S W a 0，S W a i，…，S W a η - i係包括一薄膜電晶體。 3 ·如申請專利範圍第1項之電路，其中每個開關 SWb。，SWbl，…，SWbn — 1包括一薄膜電晶體。 4 ·如申請專利範圍第2項之電路，其中該薄膜電晶 體包括至少選自η通道薄膜電晶體以及p通道薄膜電晶體 所構成之群組中之一個。 5 · —種D / Α轉換電路，包含 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一電源電壓線Η以及一電源電壓線L，而維持在相互 不同之電位， η個開關S W a 〇，S W a 1，…，S W a η — i，每個包 括一薄膜電晶體， η個開關S W b。，S W b 1，…，S W b n — !，每個包 括一薄膜電晶體，以及 一輸出線， 其中該薄膜電晶體包括 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 9〇 _ 521223 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一聞極， 一具有源區之作用層，一汲極區以及一通道形成區， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以及 一閘極絕緣膜，係位於閘極以及作用層之間， 其中該薄膜電晶體具有內部電阻以一般表示式 2 11 — 1 R所表示之電阻値， 其中η代表1或大於1之自然數，而R代表一正數， 其中每個η個開關S W a。，S W a i，…，S W a η —] 之一端係連接至電源電壓線L，而另一端係連接至輸出線 ， 其中每個該η個開關S W b 〇，S W b i，…， S W b n - i之一端係連接至電源電壓線Η，而另一端係連接 至輸出線， 其中η個開關S W a 0，S W a i，…，S W a η — i以及 η個開關S W b Q，S W b i，…，S W b η - 1係由輸入自外 側之η位元數位信號所控制， 其中輸入至η個開關S W a。，S W a i ’…， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S W a η - i之η位元數位信號之反向信號係個別輸入至η個 開關 S W b。，S W b i，…，S W b η — i，以及 其中一類比層次電壓信號係自該輸出線而輸出。 6 ·如申請專利範圍第5項之電路，其中薄膜電晶體 之內部電阻之電阻値係由通道形成區之通道寬度W所決定 〇 7 ·如申請專利範圍第5項之電路’其中薄膜電晶體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-91 - 521223 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 之內部電阻之電阻値係由通道形成區之長度L所決定。 8 ·如申請專利範圍第5項之電路，其中該薄膜電晶 體包含至少選自η通道薄膜電晶體以及p通道薄膜電晶體 所構成之群組中之一個。 9 · 一種D / Α轉換電路，包含： η 個電阻 Α〇，Αι，. · ，An — 1， η 個電阻 B〇，Bl，· · ，Bn — 1， 一電源電壓線L以及一電源電壓線Η，係維持在相互 不同之電位， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) η個開關S W a 〇， S W a 1 ，…，S W a n - 1 ， η個開關S W b 〇， S W b 1 ，…，S W b n - 1 ’以及 一輸出線， 其中η個電阻A 〇 ，A i ， • · , An- i之電阻値係分 、IT. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 別爲 R，2 R，…，2 η _ 1 R， 其中η代表1或大於1之自然數，而R代表一正數， 其中η個電阻Β〇，Βΐ，· · ，Bn-l之電阻値係分 別爲 R，2 R，…，2 11 _ 1 R， 其中每個η個電阻A ◦，A 1，· · ，A n - 1之兩端部 係連接至每個開關SWaQ，SWal，…，SWan — 1之一* 端以及電源電壓線L， 其中每個η個電阻之一端（其係並未連接於每個η個 電阻Α。，Α i，· · ，Α η — i端）係連接至輸出線， 其中每個η個電阻B〇，Bi，· · ，：Bn — 兩端係 連接至每個η個開關S W b ◦，S W b i，…，S W b n - 1之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 92 - 521223 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 端以及電源電壓線Η ’ 其中每個η個電阻Β Β Β 之一端 Β Β 上山 m 其係並未連接於每個ri個電阻B 0 )係連接至輸出線， 其中該η個開關S W a。，S W a i， 及η個開關S W b 〇，S W b i，…，S W 外側之n位元數位信號所控制’ 其中輸入至η個開關S W a ◦，S W a 1，…， S W a n — i之n位元數位信號之反向信號係個別輸入至n個 開關 S W b Q，S W b i，…，S W b η - 1，以及 其中一類比層次電壓信號係自該輸出線而輸出。 1 0 ·如申請專利範圍第9項之電路’其中每個開關 s w "-丄以 1係由輸入至 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 S W S W S W 係包括一薄膜電晶體。 .如申請專利範圍第9項之電路，其中每個開關 S W b 〇 S W b 1 s w b n — 1 包括一薄膜電晶體 1 2 ·如申請專利範圍第1 0項之電路，其中該薄膜 電晶體包括至少選自η通道薄膜電晶體以及ρ通道薄膜電 晶體所構成之群組中之一個。 1 3 ·如申請專利範圍第1項之電路，係與一半導體 裝置相組合。 14· 一^種主動式矩陣液晶顯不裝置，使用如申請專 利範圍第1項之D / Α轉換電路。 1 5 · —種E L顯示裝置，使用如申請專利範圍第工 項之D / A轉換電路。 -•t 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -93 - 521223 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 6 · —種電腦，使用如申請專利範圍第丨項之 D / A轉換電路。 1 7 · —種視頻照相機，使用如申請專利範圍第丄項 之D / A轉換電路。 1 8 · —種D V D，使用如申請專利範圍第丄項之 D / A轉換電路。 1 9 ·如申請專利範圍第3項之電路，其中該薄膜電 晶體包括至少選自η通道薄膜電晶體以及p通道薄膜電晶 體所構成之群組中之一個。 2 0 ·如申請專利範圍第1 1項之電路，其中該薄膜 電晶體包括至少選自η通道薄膜電晶體以及p通道薄膜電 晶體所構成之群組中之一個。 2 1 ·如申g靑專利範圍第5項之電路，係與一半導體 裝置相組合。 2 2 · —種主動式矩陣液晶顯示裝置，使用如申請專 利範圍第5項之D / A轉換電路。 2 3 · —種E L·顯示裝置，使用如申請專利範圍第5 項之D / A轉換電路。 2 4 · —種電腦’使用如申目靑專利範圍第&垣之 D / A轉換電路。 2 5 · —種視頻照相機，使用如申請專利範圍第5項 之D / A轉換電路。 2 6 · —種D V D，使用如申請專利範圍第5項之 D / A轉換電路。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -94- 521223 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 7 .如申請專利範圍第9項之電路，係與一半導體 裝置相組合。 2 8 · —種主動式矩陣液晶顯示裝置，使用如申請專 利範圍第9項之D / A轉換電路。 2 9 . —種E L顯示裝置，使用如申請專利範圍第9 項之D / A轉換電路。 3 ◦.—種電腦，使用如申請專利範圍第9項之 D / A轉換電路。 3 1 . —種視頻照相機，使用如申請專利範圍第9項 之D / A轉換電路。 3 2 . —種D V D，使用如申請專利範圍第9項之 D / A轉換電路。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）_ 95 -