TW518642B

TW518642B - Level shifter

Info

Publication number: TW518642B
Application number: TW090115661A
Authority: TW
Inventors: Jun Koyama; Munehiro Azami; Yutaka Shionoiri; Tomoaki Atsumi
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 2000-06-27
Filing date: 2001-06-26
Publication date: 2003-01-21
Also published as: JP2013078125A; JP5696204B2; JP5777783B2; JP2015019389A; JP5433771B2; KR20020014670A; US20040201410A1; JP2014099865A; JP5546059B2; JP5386536B2; JP2013093856A; US7324097B2; KR100841904B1; JP2011223590A; US20020008689A1; US6731273B2

Description

518642 A7 B7 五、發明説明（ο 1 ·發明背景 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明是有關於一顯示裝置之驅動電路中所使用之一種位準移位器，且尤其是有關於一顯示裝置之驅動電路中所使用之一種位準移位器，而其驅動電路是使用形成在一絕緣體上薄膜電晶體（此後稱爲T F Τ )。注意到在這專利說明書中，顯示裝置意爲當作L C D (液晶顯示器），〇L E D (有機E L顯示器），或諸如此類者使用之顯示裝置。 2 ·相關技術說明最近，隨著L S I之迷你化，半導體製造技已有進步。這造成更活絡應用這種L S I在如需要這種較低功率 L S Γ之個人數位助理之小型設備上。今天，主要使用以如3 · 3 V之低電源電壓加以驅動之L S I。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製另一方面，至於L C D (液晶顯示器），其需求顯著增加’日來在個人數位助理，電腦監視器之類者之領域中 ’常以1 0 V — 2 0 V電壓振幅之訊號驅動液晶。因此，這種液晶驅動電路包含至少一由高電源電壓所驅動之電路部。因此，不可或缺的是使用低電源電壓驅動之上述 L S I之控制器l S I連接至一電路，用於驅動經由一位準移位器以高電源電壓驅動之液晶，加以改變訊號之振幅電壓。第1 2 Α與1 2 Β圖說明一般所使用位準移位器之電 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 518642 Α7 Β7 五、發明説明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 型TFT1204之洩極區取出一輸出訊號（Out)。此處，從第三P型TF T 1 2 0 3之洩極區也可取出一反相輸出訊號（〇u t b )。注意到，雖然有一種η型與p型之導電型TF T，在這專利說明書中，在未明確限制T F Τ極性之狀況下，說明導電型爲一第一導電型與一第二導電型。例如，當第一導電型T F Τ爲η型時，第二導電型意爲ρ型。反之，當第一導電型T F Τ爲ρ型時，第二導電型意爲η型。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製接著，說明傳統位準移位器之基本運作。當輸入一 H i訊號爲輸入訊號（I η )時，η型T F Τ 1 2 0 5處於導通狀態而Ρ型T F Τ則處於未導通狀態。因此，一 G N D電位訊號，那就是，將一 L 〇訊號輸入ρ型 T F Τ 1 2 0 2之閘電極時，ρ型T F Τ 1 2 0 2則處於導通狀態。另一方面，此處之反相輸入電壓（I n b )爲一 L 〇訊號。因此，n型T F Τ 1 2 0 6處於未導通狀態而ρ型T F Τ 1 2 〇 4則處於導通狀態。因ρ型T F Τ 1 2 0 2與1 2 0 4兩者皆處於導通狀態，而輸出一 Η 1 訊號作爲電位爲V D D 2之輸出訊號（〇u t )。注意到 ρ型T F Τ 1 2 0 1處於未導通狀態，這確信將ρ型 TFT1202之閘電極電位保持在Lo = GND。當輸入訊號（I η)電位爲L 〇時，因第1 2A圖中說明之位準移位器結構爲對稱式，而從電位爲G N D，那就是，0 V之輸出端輸出一 L 〇訊號（〇u t )。依此方式，將電壓振幅爲G N D - V D D 1之輸入訊 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）一 518642 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) 號轉換成一電壓振幅爲G N D 一 V D D 2之輸出訊號。接著，第1 2 B圖中所說明之位準移位器將電壓振幅爲VDD 3 — GND之一輸入訊號轉換成一電壓振幅爲 V D D 4 - G N D之輸出訊號。更明確地說’利用固定較高之電位端並在較低電位端轉換電位加以轉換振幅°位準移位器之結構如下。第一 η薄膜電晶體（此後稱爲η型 TFT) 1211之源極與第二η型TFT1212之源極區兩者連接至電源VDD4。第一η型TFT1211 之洩極區連接至第三η型TFT 1 2 1 3之源極區’而第二η型TFT 1 2 1 2之洩極區則連接至第四η型TFT 1 2 1 4之源極區。第三η型TFT1 2 1 3之洩極區連接至第一 Ρ型薄膜電晶體（此後稱爲Ρ型T F Τ ) 1 2 15之洩極區及第二Ρ型TFT1 2 1 2之閘電極。第四η型TFT1 2 1 3之洩極區連接至第二Ρ型TFT 1 2 1 6之洩極區及第一 ρ型TFT1 2 1 1之閘電極。第一ρ型TFT1215之源極區與第二P型TFT 12 16之源極區兩者連接至GND ( = 〇V)。將一輸入訊號（I η )輸入至第三η型T F Τ 1 2 1 3之閘電極及第一 ρ型T F Τ 1 2 1 5之閘電極。將輸入訊號之一反相訊號（I n b )輸入第四η型T F Τ 1 2 1 4之閘電極及第二ρ型TFT1216之閘電極。從第四η型TFT 1 2 1 4之洩極區取出一輸出訊號（〇u t )。此處，從第三η型TFT 1 2 1 3之洩極區也可取出一反相輸出訊號（〇u t b )。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ϋϋ ^—Βϋι ϋϋ alat i^l··— Biaii— ϋιϋ —Bn an-iil i^n·· ml IB···— —ϋϋ i-IBIl 1_11 111 ·111 ΒΗϋϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518642 A7 B7 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，說明傳統位準移位器之基本運作。當輸入-L 〇訊號爲輸入訊號（I η)時，p型TFT1 2 1 5處於導通狀態而η型T F Τ 1 2 1 3則處於未導通狀態。因此，將電位爲G N D，那就是H i訊號，之訊號輸入至η 型TFT1 2 1 2之閘電極，且η型TFT1 2 1 2處於導通狀態。另外，此處之反相輸出訊號（I n b )此時爲 H i訊號。因此，p型T F T 1 2 1 6處於未導通狀態而 η型TFT 1 2 1 4處於導通狀態。因η型TFT 1 2 1 2與1 2 1 4兩者處於導通狀態，而輸出—L 〇訊號作爲電位爲V D D 4之輸出訊號（0 u t )。注意到η 型T F Τ 1 2 1 1處於未導通狀態，其確信將η型T F Τ 1 2 1 2之閘電極電位保持在H i = G N D。當輸入訊號（I η )電位爲H i時，因第Γ 2 B圖中說明之位準移位器結構爲對稱式，而從電位爲G N D，那就是Ο V之輸出端輸出一 Η :訊號（〇u t )。依此方式，將電壓振幅爲V D D 3 - G N D之輸入訊號轉換成一電壓振幅爲V D D 4 - G N D之輸出訊號。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製現在說明有關第1 2 A至1 2 B圖中所說明位準移位器之問題。注意到，因問題共通於第1 2 A與1 2 B圖中所說明之位準移位器，藉實例只說明第1 2 A圖中所圖解者.如以上說明，令日主要使用以3 · 3 V運作之控制器 L S I ◦假設第1 2 A圖中所說明之位準移位器在 V D D 1 = 3 V且V D D 2 = 1 Ο V之情況下實施轉換。當對丁卩丁1203，12〇4，12〇5與1206之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 518642 A7 B7 五、發明説明（6 ) 輸入訊號振幅爲3V，且η型TFT 1 20 5與1 2〇6 之臨界電壓爲3 V，則不預期位準移位器可運作正常。更明確地說，因當轉換前之電壓振幅變較小時，閘極對源極電壓變得更不可能高到T F T充份導通，而使正常運作變得更困難。發明摘要因此，本發明之一項目的在提供一種嶄新之位準移位器，甚至假如以伴隨一輸入訊號之一較低電壓振幅之較低電源供應器電壓驅動-驅動電路時也能保證位準移位器之正常運作。爲解決以上問題，本發明之結構如下。在傳統位準移位器中，將一輸入訊號輸入至第1 2 A 圖中之丁？丁1203，1204，1205與1206 之閘電極。當輸入訊號之電壓振幅變成低於T F T之臨界絕對値時，則無法得到高到可使T F T充份導通之閘極對源極電壓，這使正常運作不可能。因此，在根據本發明之位準移位器中，設法想出輸入訊號路徑，甚至當輸入訊號之電壓振幅變低時，使T F T 之臨界値較不易有反效果。而且，利用爲一電流鏡電路與一差分電路組合之一差分放大器電路，在轉換電壓振幅時能得到高增益。以下發表本發明之位準移位器架構。根據這發明第一方面，用於將一低電壓振幅訊號轉換本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ Q _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --- J—訂—-----— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518642 A7 B7 五、發明説明（7 ) 成一高電壓振幅訊號並用於輸出所轉換訊號之位準移位器包含：一電流鏡電路；一以電流鏡電路爲一負載之差分電路；一用於供應電流給差分電路之第一電流源；以及第一與第二源極跟隨器電路，其特徵爲：經由第一源極跟隨器電路將一第一輸入訊號輸入至差分電路；以及經由第二源極跟隨器電路將一第二輸入訊號輸入至差分電路。根據本發明第二方面，用於將一低電壓振幅訊號轉換成一高電壓振幅訊號並用於輸出所轉換訊號之位準移位器包含：一電流鏡電路；一以電流鏡電路爲一負載之差分電路；一用於供應電流給差分電路之第一電流源；第一與第二電晶體，第一電晶體之閘電極與洩極區以電氣方式彼此連接而第二電晶體之閘電極與洩極區以電氣方式彼此連接；以及用於供應電流分別至第一與第二電晶體之第二與第三電流源，其特徵爲：經由第一電晶體輸入一第一輸入訊號至差分電路；以及經由第二電晶體輸入一第二輸入訊號至差分電路。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ ’ —ί-ll·——·—訂__ip (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 518642 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 根據本發明第三方面，用於將一低電壓振幅訊號轉換成一高電電壓振幅訊號並用於輸出所轉換訊號之位準移位器包含：一電流鏡電路；一以電流鏡電路爲一負載之差分電路；一用於供應電流差分電路之第一電流源；第一與第二電晶體，第一電晶體之閘電極與洩極區以電氣方式彼此連接而第二電晶體之閘電極與洩極區以電氣方式彼此連接；以及用於供應電流分別至第一與第二電晶體之第二與第三電流源，其特徵爲；差分電路包含第三與第四電晶體；第一電晶體之洩極區與第三電晶體之閘電極以電氣方式彼此連接；第二電晶體之洩極區與第四電晶體之閘電極以電氣方式彼此連接；經由第一電晶體輸入一第一輸入訊號至第三電晶體之閘電極；以及經由第二電晶體輸入一第二輸入訊號至第四電晶體之閘電極。根據本發明第四方面，用於將一低電壓振幅訊號轉換成一高電壓振幅訊號並用於輸出所轉換訊號之位準移位器包含：一第一導電型之第一電晶體，其閘電極與洩極區以電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ ” _ ..... ..... ... - —. ^ 訂 . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518642 A7 B7 五、發明説明（9 ) 氣方式彼此連接；一第一導電型之第二電晶體，其閘電極與洩極區以電氣方式彼此連接；含第一導電型一第三電晶體及第一導電型一第四電晶體之差分電路；含第二導電型一第五電晶體及第二導電型一第六電晶體之電流鏡電路，第五電晶體之閘電極與洩極區彼此連接一用於以電氣方式連接差分電路與第一電流源之第一導電型之第七電晶體；一用於以電氣方式連接第五電晶體與第二電流源之第二導電型之第八電晶體；一用於以電氣方式連接第六電晶體與一第三電流源之第二導電型之第九電晶體；以及一用於供應電位給第七，第八，及第九電晶體之閘電極之電源部份，其特徵爲：經由第一電晶體輸入一第一輸入訊號至第三電晶體之閘電極。經由第二電晶體輸入一第二輸入訊號至第四電晶體之閘電極。根據本發明第五方面，用於將一低電壓振幅訊號轉換成一高電壓振幅訊號並用於輸出所轉換訊號之位準移位器包含：第一與第二電流鏡電路； ......' . .... . * . . . . I ^ 訂 . ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518642 A7 B7 五、發明説明（1〇) 一以電氣方式連接至第一與第二電流鏡電路之差分電路；一用於供應電流至差分電路之第一電流源；第一與第二電晶體，第一電晶體之閘電極與洩極區以電氣方式彼此連接而第二電晶體之閘電極與洩極區以電氣方式彼此連接 ;以及用於供應電流分別至第一與第二電晶體之第二與第三電流源，其特徵爲= 經由第一電晶體輸入一第一輸入訊號至差分電路；以及經由第二電晶體輸入一第二輸入訊號至差分電路。根據本方面第六方面，用於將一低電壓振幅訊號轉換成一高電壓振幅訊號並用於輸出所轉換訊號之位準移位器包含：第一與第二電流鏡電路；一以電氣方式連接至第一與第二電流鏡電路之差分電路；一用於供應電流至差分電路之第一電流源；第一與第二電晶體，第一電晶體之閘電極與洩極區以電氣方式彼此連接而第二電晶體之閘電極與洩極區以電氣方式彼此連接；以及用於供應電流分別至第一與第二電晶體之第二與第三電流源，其特徵爲：差分電路包含第三與第四電晶體；本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ I::— — — — 丁！！卜— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518642 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（11) 第一電晶體之洩極區與第三電晶體之閘電極以電氣方式彼此連接；第二電晶體之洩極區與第四電晶體之閘電極以電氣方式彼此連接；經由第一電晶體輸入一第一輸入訊號至第三電晶體之閘電極；以及經由第二電晶體輸入一第二輸入訊號至第三電晶體之閘電極。根據本方面第七方面，用於將一低電壓振幅訊號轉換成一高電壓振幅訊號並用於輸出所轉換訊號之位準移位器包含：一電流鏡電路；一以電流鏡電路爲一負載之差分電路；一用於供應電流差分電路之第一電流源；第一與第二電流源從動路；以及一用於重置之電晶體，其特徵爲：經由弟一源極跟隨器電路輸入一第一輸入訊號至差分電路；經由％一源極跟隨器電路輸入一第二輸入訊號至差分電路；以及在未轉換一輸入訊號之電壓振幅期間，以輸入至電晶體之一重置訊號加以重置，阻擋第一電流源之電流供應。根據本方面第八方面，用於將一低電壓振幅訊號轉換成一高電壓振幅訊號並用於輸出所轉換訊號之位準移位器本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -14- kill·.--: — 丨费丨！ — 訂...ι!ι·Γ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518642 A7 B7 五、發明説明（12) 包含：一電流鏡電路；一以電流鏡電路爲一負載之差分電路；一用於供應電流差分電路之第一電流源；第一與第二電晶體，第一電晶體之閘電極與洩極區以電氣方式彼此連接而第二電晶體之閘電極與洩極區以電氣方式彼此連接；以及用於供應電流分別至第一與第二電晶體之第二與第三電流源，其特徵爲：經由第一電晶體輸入一第一輸入訊號至差分電路；經由第二電晶體輸入一第二輸入訊號至差分電路；以及在未轉換一輸入訊號之電壓振幅期間，阻檔第一，第二，及第三電流源之電流供應。根據本方面第九方面，用於將一低電壓振幅訊號轉換成一高電壓振幅訊號並用於輸出所轉換訊號之位準移位器包含：一第一導電型之第一電晶體，其閘電極與洩極區彼此連接；一第一導電型之第二電晶體，其閘電極與洩極區彼此連接；含第一導電型一第三電晶體及第一導電型一第四電晶體之差分電路；含第一導電型一第五電晶體及第二導電型一第六電晶 I! I — — I — 费 I 丨：_ -- — I1T! I — — — JPL (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 518642 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（13) 體之電流鏡電路，第五電晶體之閘電極與洩極區彼此連接，一用於連接差分電路與第一電流源之第一導電型之第七電晶體；一用於以電氣方式連接第五電晶體與一第二電流源之第二導電型之第八電晶體；一用於以電氣方式連接第六電晶體與一第三電流源之第二導電型之第九電晶體；一用於供應電位給第七、第八，及第九電晶體之閘電極之電源供應部；一用於重置之第二導電型之第一電晶體；以及一用於重置之第一導電型之第二電晶體，其特徵爲：第一電晶體之洩極區與第三電晶體之閘電極以電氣方式彼此連接；第二電晶體之洩極區與第四電晶體之閘電極以電氣方式彼此連接；用於重置之第一電晶體之源極區以電氣方式連接至第七與第八電晶體之源極區，而用於重置之第一電晶體之洩極區以電氣方式連接至第七與第八電晶體之閘電極；用於重置之第二電晶體之源極區以電氣方式連接至第九電晶體之源極區，而用於重置之第二電晶體之洩極區以電氣方式連接至第九電晶體之閘電極；經由第一電晶體輸入一第一輸入訊號至第二電晶體之閘電極； ki卜睿丨！丨訂—I!卜—0- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 518642 A7 _ B7 五、發明説明（15) 第5圖爲根據本發明實例2，具有兩輸入端與一輸出端之位準移位器之電路圖；第6 A至第6 D圖爲當驅動第5圖中所說明之位準移位器時，說明電位模擬結果；第7圖爲根據本發明實施例3，具有輸入端與一輸出端之位準移位器之電路圖；第8 A至第8 D圖爲當驅動第7圖中所說明之位準移位器時，說明電位模擬結果；弟9 A至9 C圖p兌明根據本發明貫施例4之一'主動矩陣基底之典範製程；第1 Ο A至1 〇 C圖說明根據本發明實施例4之一主動矩陣基底之典範製程；第1 1 A至1 1 B圖說明根據本發明實施例4之主雲力矩陣基底之典範製程；第1 2 A與1 2 B圖爲具有兩輸入端與兩輸出端之一傳統位準移位器之電路圖； ----------^衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂第

之 1 Ί-1 例實明發本據根明說 F 3 IX 至 A 設子經濟部智慧財產局員工消費合作社印製備備備之 ΊΧ IX 例實明發本據根明說 D 4 T—I 至 A 4 IX 第例實明發本據根明說 D 5 至 A 5 r—I 第設子設子電之整器位移·，準圖位要之槪 5 之例路實電明置發裝本示據顯根一用之利上爲底圖基 6 一 1 在第成形體本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 518642 A7 B7 五、發明説明（16) 第1 7圖爲根據本發明實例6，具有兩輸入端與一輸出端之位準移位器之電路圖；第1 8 A至1 8 D圖爲當驅動第1 7圖中所說明之位準移位器時，說明電位模擬結果；第1 9圖爲根據本發明實例7，具有兩輸入端與一輸出端之位準移位器之電路圖；第2 0圖爲根據本發明實例8，具有一重置訊號輸入端之位準移位器之電路圖；第2 1圖爲根據考慮T F T鄰接佈置之本發明實例 1 0位準移位器T F T之實際設計典範佈置；以及第2 2圖爲根據本發明實例9，具有一電流源供應器控制訊號輸入端之位準移位器之電路圖。元件對照表 1201，1202，120 3，

12 04， 1215， 1216 /3 型 TFT 1205，1206，1211，

1212，1213，1214 η 型 TFT 150 電流鏡電路 16〇，17〇0 差分電路 17〇，180，320， 330，520，530，720 ，7 3 0 源極跟隨器電路 1 0 9，1 0 7，1 0 8 電流源本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I--------0 — , (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518642 A7 B7 五、發明説明（17〇

1〇1，1〇2 p型TFT

103，104，1〇5，1〇6 η 型 TFT (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I 1 0 3，I 1 0 4 電流 3〇〇，5〇〇，7〇〇差分放大器電路 35〇，55〇，75〇， 205 0 ^ 2250 電源供應部

V D D 2，G N D V D D 4，V r e f 電源供應器

31〇，311，3〇2，3〇3 ，3〇1，304 p 型 TFT

313，312，3〇6，3〇7 ，3〇9，3〇5，308 η 型 TFT V306 ，V307 ，V706 ，V506 ，V507，V707 電位

513，512，509，506 ，5〇7，5〇5，5〇8 p 型 TFT 511，510，5〇1，5〇4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

η 型 T F T

713，712，7〇9，706 ，7〇7，7〇5，708 η 型 TFT 71〇，711，7〇1，7〇4 p 型 TFT 5002 底膜 5 001 ? 1600 基底 5002a 5 5002b 氧化氮石夕膜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 2〇 _ 518642 A7 B7 五、發明説明（t 5 0 0 3 -5 5 0 0 7 5 〇 0 8，5 5 0 10 5 0 11-5 5 0 2 1 -5 5 〇 2 1 a -5 0 17-5 5 0 2 7 b-5 0 2 7 -5 5 0 3 9 -5 5 0 2 7 a-5 0 3 2 -5 5 0 3 2 a-5 0 3 2 b-5〇〇4 ， 5 5 0 3 8 5 0 0 6 5 0 3 4 5 〇 3 2，5 5 0 3 6 5 〇 4 5，5 5 〇 4 7，5 5 0 4 9 0 0 6 0 0 9 半導體膜閘極絕緣膜導電膜光罩 I „ 訂 . I ^^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製〇 1 6 〇 2 6 5 〇 2 6 a 〇 2 〇 5 〇 3 1 b 〇 3 1 〇 4 4 5 〇 3 1 a 〇 4 2 5 〇 3 7 a 5 〇 3 7 b 〇〇 3 5 5 0 0 〇3 3 ， 5〇3 5 0 4 6 0 4 8 導電層雜質區導電層半導體層抗飩罩電容部繞線部導電層中介層絕緣膜源極繞線洩極繞線本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ 21 518642 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（19) 5 0 5 0 5 0 5 9 5 0 3 4 5 0 5 3 5 0 5 4 5 0 5 5 5 0 5 8 5 0 6 2 5 0 6 1 16 0 1 16 0 7 16 0 4 16 0 5 16 0 6 V 1 7 0 3 17 4 0 1〇7， 19 0 1 2 2 0 4 3 3 0, 2 6 0 1 2 6 3 1 2 6 0 2 2 6 0 3 5〇 5 0 5 2 5 0 6 0 5 0 5 7 6 0 2

V 17 0 4 〇 17 〇8，1 19 0 2 4〇 2 6 11 2 6 4 1 7 3 0 19 0 3 2 6 2 電極源極訊號線方位膜反基底濾色層外覆層封合劑液晶材質驅動器電路像素部位準移位器位準移位器類比開關電位電流源 p 型 T F T η 型 T F T 訊號線主體語音輸出部語音輸入部 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -22 - 518642 A7 B7 」.——lr_.Ί,-I 訂 —I — I — ΙΦΙ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（20) 2 6 〇 4，2 6 1 2 2625，2632 2 6 〇 5，2 6 1 4 26 06，2655 2 6 13 2 6 15 2 6 1 6，2 6 2 3 2 6 2 2 2 6 3 3 2 6 4 2 2 6 4 4 2 6 4 5 2 6 5 1，2 7 1 1 2 7 3 1 2652，27 0 3 2712，2722 2 6 5 3 2 6 5 4，2 7 1 5 2 7 13 2 7 14 2 7 2 3 2 7 3 2 2 8 0 1，2 8 1 2 2 8 〇 2 ，2 8 1 3 2 6 4 3，顯示部 2 6 3 4 操作開關天線音訊輸入部電池影像接收部相機部支臂部喇叭輸入裝置放大器裝置 2 7 2 1，主體 2 7 3 1，顯示部記憶媒體 2 7 2 4 操作開關喇叭部記錄媒體觀景部套帶部投射裝置 2 8 2 8 顯示裝置本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 23 _ 518642 A7 B7 五、發明説明（21) 2 8 〇 3，2 8 1 4 28〇4，2815 28〇5，2817 2 8 11 2 8 1 6 ，2 8 3 1 2 8 3 8 2 1 8 2 2 8 2 3 8 2 7 8 2 9 8 3 0 8 3 3 8 3 4 8 3 5 2824-2 826 光源光學系統銀幕主體反射器光學光源系統鏡片雙向色性鏡片稜鏡相差板投射光學系統透鏡陣列極化器轉換元件聚光透鏡 I--------01 — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂優選實施例詳述第1圖爲根據本發明一位準移位器之電路圖。此處，使用GND(=〇V) ，VDD1，與VDD2爲電源供應電位，其中，GND<<VDD1<VDD2。根據本發明之位準移位器包含一由虛線框1 5 〇所圍繞之電流鏡電路，一由虛線框1 6 0所圍繞之差分電路，一由虛線框 1 7 0所圍繞之第一源極跟隨器電路，一由虛線框1 8〇所圍繞之第二源極跟隨器電路，及一電流源1 〇 9。電流鏡電路1 5 0與差分電路1 6 0形成一用於轉換一訊號之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ 297公釐） f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 518642 A7 ___ B7 五、發明説明（22) 電壓振幅之差分放大器電路。 P型TFT1 0 1之源極區與P型TFT 1 〇 2之源極區連接至電源供應器V D D 2。p型T F T 1 〇 1之閘電極與p型T F T 1 0 2之閘電極以電氣方式彼此連接，並以電氣方式連接至P型TFT 1 〇 1之洩極區與η型 TFT1 〇 3之洩極區。Ρ型TFT1 0 2之洩極區以電氣方式連接至η型T F Τ 1 0 4洩極區之一節點在這節點處得到輸出（〇u t ) 。η型T F Τ 1 0 3之源極區與η 型TFT 1 〇 4之源極區以電氣方式連接至電流源1 0 9 。將一第一輸入訊號（I η 1 )輸入至η型TFT1 〇 5 之源極區，而將一第二輸入訊號（I η 2 )輸入η型 TFT106之源極區。η型TFT105之閘電極與洩極區雨者皆以電氣方式連接至一電流源1 〇 7及η型 T F Τ 1 〇 3之閘電極。η型T F Τ 1 〇 6之閘電極與洩極區兩者皆以電氣方式連接至一電流源1 〇 8及η型 T F Τ 1 〇 4之閘電極。參考第1與2 Α至2 D圖，現在說明根據本發明之位準移位器之基本運作。首先，從第一輸入端（I η 1 )輸入振幅爲G N D — V D D 1之一訊號。從電流源1 0 9供應恆恆電流至差分電路部1 6 0。另外，在第一與第二源極跟隨器電路170與180中，η型TFT1〇52_ 電極與洩極區彼此連接，且η型T F Τ 1 〇 6之閘電極與洩極區彼此連接◦因此，TFT 1 〇 5與1 0 6兩者在一飽和區內運作。因此，將以阻抗分壓V D D 2與第一輸入本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — I---------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518642 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（23) 端（I η 1 )之間電壓所得到之電位輸入至η型T F T 1 0 3之閘電極。這電位以V 1 〇 3表示。類似地，從第二輸入端（I η 2 )輸入一訊號。以第一輸入訊號情況之相同方式，將以阻抗分壓V D D 2與第二輸入端（I η 2 )之間電壓所得到之電位輸入至η型T F Τ 1 〇 4之閘電極。這電位以V 1 Q 4表示。 V i ◦ 3與V 1 ◦ 4之電位如第2 Β圖中之說明。現在說明第1圖中由虛線框1 5 0所圍繞之電流鏡電路以及虛線框1 6 0所圍繞之差分電路所形成之差分放大器電路之運作。差分電路中之η型TFT 1 〇 3之源極區與η型 T F Τ 1 〇 4之源極區連接至電流源1 0 9。因此，恆電流永遠通過兩TFT 1 〇 3與1 0 4 ◦此處，當第一輸入訊號爲H i而第二輸入訊號爲L 〇時，關於輸入至差分電路之電位滿足VH3SVH4。因此，η型TFT103 之閘極對源極區電壓變高而η型T F Τ 1 0 4之閘極對源極電壓變低。因此，流經η型T F Τ 1 0 3之電流I i 3 增加而流經η型T F Τ 1 〇 4之電流I 1。4減少。此處，電流鏡電路使電流I i 〇 3流經Ρ型T F Τ 1 0 1與1 0 2 。因此，等於I 1 ◦ 3與I i Q 4間電流差之電流流經輸出端 (Out) 〇當第一輸入訊號爲H i且第二輸入訊號爲L 〇時 I 1 0 3 > Γ 1 0 4且因此，差分電流對輸出端充電而使電位變高。反之，當第一輸入訊號爲L 〇且第二輸入訊號爲H i時，則使輸出端電位變低。因此，在輸出纟而取得如 I:11 — -倉— — ^II !ι·Γ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 26 _ 518642 A7 B7 五、發明説明（24) I--------参— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2 c圖中所說明之脈衝。然後，在後續階段對輸出端提供一緩衝器及諸如此類者而得到如第2 D圖中所說明，振幅爲GND—VDD2之脈衝。關於這實施例之輸入訊號，藉著將第一輸入訊號加以反相所得到之訊號爲第二輸入訊號。然而，第一與第二輸入訊號間之關係未限於此。如第2 B圖中之說明，重要的是，在第一輸入訊號時機，其關係高於有關施加至η型 T F Τ 1 0 3與1 0 4閘電極之電位所滿足者。而且，爲解釋運作起見，雖然說明特定典範之電流鏡電路1 5 0與差分電路1 6 0，其電路結構並不限於此處所圖解及說明之特定結構。現在說明本發明實施例如下。 (實施例1 ) 0! 第3圖說明根據本發明一位準移位器之實施例。在這實施例說明中所含之模擬中使用G N D (二〇 V )， V D D 1 ( - 3 V )，及 VDD2 (=10V)作爲電源經濟部智慧財產局員工消費合作社印製電位。這實施例之位準移位器包含一由虛線框3 0 0所圍繞，具有一差分放大器電路之位準移位器部，一由虛線框 3 2 0所圍繞之第一源極跟隨器電路，及一由虛線框 3 3 0所圍繞之第二源極跟隨器電路，及一由虛線框3 5 。所圍繞之電源供應部。首先，說明電源部之結構。P型T F T 3 1 〇之源極本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 518642 Α7 Β7 五、發明説明（25) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 區，p型TFT311之源極區，及η型TFT313之閘電極以電氣方式連接至一電源供應器V D D 2。η型 TFT3 1 2之源極區與η型TFT3 1 3之源極區以電氣方式連接至電源供應器GND。η型TFT3 1 3之洩極區以電氣方式連接至Ρ型TFT3 1 1之洩極區，而且 ’以電氣方式連接至Ρ型TFT310之閘電極及ρ型 T F Τ 3 1 1之閘電極，將其輸入至位準移位器部之以α 表示之節點。η型TFT3 1 2之洩極區以電氣方式連接至Ρ型TFT3 1 0之洩極區及ρ型TFT3 1 2之閘電極，將其輸入至位準移位器部之以/3表示之節點。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製接著，說明位準移位器部之結構。在差分放大器電路 3〇〇中，ρ型TFT3 0 2之源極區與ρ型TFT 3〇3之源極區以電氣方式連接至電源供應器V D D 2。 P型T F T 3 0 2之閘電極ρ型T F T 3 0 3之閘電極以電氣方式彼此連接，並以電氣方式連接至P型T F T 302之洩極區及η型TFT306之洩極區。ρ型 TFT3 0 3之洩極區以電氣方式連接至η型 T F Τ 3 0 7洩極區之一節點，從這節點，經由一緩衝器及諸如此類者得到輸出（〇u t ) 。η型T F Τ 3 0 6之源極區與η型T F Τ 3 0 7之源極區以電氣方式連接至η 型TFT309之洩極區。η型TFT309之源極區以電氣方式連接至電源供應器G N D。將節點Α之電位輸入 η型TFT309之閘電極。在第一源極跟隨器電路3 2 0中，ρ型TFT3〇1 -28 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 518642 Α7 ______ Β7 五、發明説明（26) 之源極區以電氣方式連接至電源供應器V D D 2。將節點 α之電位輸入至p型TFT3 0 1之閘電極。另一方面，從η型T F Τ 3 0 5之源極區輸入一第一輸入訊號（ I nl) 。η型TFT305之洩極區與η型TFT 3 0 5之閘電極以電氣方式彼此連接，而且，在一節點處以電氣方式連接至p型TF T 3 0 1之洩極區，在差分放大器電路3 0 0中將節點處之電位輸入至η型TFT 3 0 5之閘電極。在第二源極跟隨器電路330中，P型TFT3 04 之源極區電氣方式連接至電源供應器V D D 2。將節點α 之電位輸入至Ρ型TF Τ 3 0 4之閘電極。另一方面，從 η型TFT3 0 8之源極區輸入第一輸入訊號（I η 1 ) 。n—TFT3 0 8之洩極區及η型TFT3 08之閘電極以電氣方式彼此連接，而且在一節點處以電氣方式連接至ρ型TFT 3 0 4之洩極區，在差分放大器電路3 0〇中將節點處電位輸入至η型T F T 3 0 7之閘電極。參考第3圖與第4Α至4D圖，現在說明根據本發明之位準移位器之運作。第4 Α至4 D圖說明關於第3圖中所說明電路之模擬結果。首先，說明電源供應部之運作。將V D D 2輸入至η 型TFT3 1 3之閘電極，使η型· TFT3 1 3導通。這輸入GND至ρ型TFT310之閘電極與Ρ型TFT 3 1 1之閘電極，使P型T F T 3 1 0與3 1 1兩者導通。因P型TFT310導通’將VDD2輸入至η型 I---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本貢)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _ 29 _ 518642 A7 B7 五、發明説明（27) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) TFT312之閘電極，使η型TFT312導通。在第 3圖中，節點α處出現之電位有點高於G N D，而節點；8 處出現之電位有點低於V D D 2。爲說明起見，前者之電位此後稱爲G N D /而後者之電位此後稱爲V D D 2 > ( 這模擬形成 GND^ = 1 · 8V 且 VDD2 ' = 6 · 8V )° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製接著，說明位準移位器部之運作。將從上述電源供應器輸出之VDD2/輸入至η型TFT309之閘電極，使η型TFT3 0 9導通。因此，將電源供應器GND輸入至η型TFT3 0 6之源極及η型TFT3 0 7之源極。另一方面，將從上述電源供應部輸出之G N D /輸入至 ρ型TFT3 0 1之閘電極及Ρ型TFT3 0 4之閘電極，使Ρ型TFT3 0 1與3 0 4兩者導通。因η型TFT 3 0 5之閘電極與η型T F T 3 0 5之洩極區彼此連接且 η型TFT3 0 8之閘電極與η型TFT3 0 8之洩極區彼此連接。TFT3 0 5與3 0 8兩者是在飽和區中運作。因此，將以Ρ型TFT301與η型TFT305之阻抗分壓V D D 2與第一輸入訊號（I η 1 )之間電壓所得到之電位輸入至η型T F Τ 3 0 6之閘電極。這電位以 V 3 〇 6表示。類似地，將以Ρ型T F Τ 3 0 4與η型 TFT3 0 8之阻抗分壓VDD2與第二輸入訊號（ I η 2 )之間電壓所得到之電位輸入至η型T F Τ 3 0 7 之閘電極◦這電位以V 3 0 7表示。電位V3 0 6與V3 0 7如第4B圖中所說明。由虛本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 30 - 518642 A7 B7 五、發明説明（28) 線框3 0 0所圍繞之差分放大器電路具一放大並輸出 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) V 3 0 6與V 3 0 7間電位差之功能。因此，在輸出端（〇u t )得到如第4 C圖中所說明之脈衝。然後，藉著在後續階段提供一緩衝器及諸如此類者給輸出端，得到如第 4 D圖中所說明’振幅爲G N D — V D D 2之脈衝。爲比較起見，第4 C與4 D說明由傳統位準移位器所實施振幅轉換之模擬結果。可看到的是，第4 C圖中所說明之位準移位器之輸出不再保持正常波形。關於第4 D圖中所說明之緩衝器輸出，雖然完成0 - 1 0 V之電壓振幅，比根據本發明之位準移位器輸出比較，可看到第4 D圖中所說明之傳統位準移位器之輸出對於輸入訊號而言大大延犀。如上述，如本發明之位準移位器可實施傳統位準移位器難以實施之正常振幅轉換。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在根據這實施例之第3圖中，雖然TF T 3 0 5與 3〇8爲n型TFT，但TFT3〇5與3〇8可以是P 型TFT，TFT3 0 5與3 0 8之閘電極與洩極區連接至輸入端（Ini或In2)，且TFT 305與308 之源極區連接至T F T 3 0 1與3 0 4之洩極區並連接至差分電路之輸入部。 (實施例2 ) 在實施例1中，利用固定較低電壓端（G N D )並從 V D D 1轉換較高電壓端至v d D 2加以轉換訊號之振幅。在這實施例中，說明利用固定較高電壓端並轉換較低電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -31 - 518642 A7 __B7 _ 五、發明説明（29) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 壓端加以轉換訊號振幅所構成之位準移位器。此處說明中，使用GND，VDD3，與VDD4作爲電源電位，其中VDD4<VDD3<GND。在這實施例說明中所含之模擬中使用 GND (― 〇V) ，VDD3 ( = — 3V) ，及VDD4 ( = - 10V)作爲電源供應電位。第5圖說明本實施例位準移位器之電路結構。形成本發明位準移位器之T F T極性與形成第3圖中所說明之位準移位器之T F T相反。在本實施例中，電源供應器 VDD 4連接至第3圖中之電源供應器VDD 2所連接處。這位準移位器將電壓振幅爲VDD 3 - GND之輸入訊號轉換成電壓振幅爲V D D 4 — G N D之輸出訊號。參考第5與6圖，現在說明根據本發明之位準移位器運作。第6圖說明對於第5圖中所說明電路之模擬結果。在第5圖中，分別說明一由虛線框5 5 0所圍繞之電源供應部，一具有差分放大器電路5 0 0之位準移位器部及源極跟隨器電路520與530。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製首先，說明電源供應部。將V D D 4輸入至p型 T F T 5 1 3之閘電極，使p型T F T 5 1 3導通。因此，將GND輸出至η型TFT510之閘電極及η型 TFT5 1 1之閘電極，使η型TFT5 1 0與5 1 1兩者導通。因η型TFT5 1 0導通，將VDD4輸入至ρ 型TFT5 12之閘電極，使Ρ型TFT5 1 2導通。在第5圖中，節點α處出現之電位有點低於G N D，而節點石處出現之電位有點高於V D D 4。爲說明起見，前者電 -32- 本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 518642 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（30) 位此後稱爲G N D 〃而後者電位此後稱爲V D D 4 這模擬形戊G N D 〃 = — 3 · 6 V且V D D 4 —= —8 . 1 V )。接著，說明位準移位器部。首先，在第5圖中，分別從I η 3與I η 4輸入第三訊號與第四訊號。同時，將從上述電源供應器輸出之VDD4/輸入至Ρ型TFT 5〇9之閘電極，使P型T F T 5 0 9導通。因此，將電源供應器GND輸入至p型TF T 5 0 6之源極區及P型丁 F T 5 0 7之源極區。另一方面，將從上述電源供應部輸出之GND 〃輸入至η型TFT5 0 1之閘電極及η型 T F Τ 5〇4之閘電極，使η型T F Τ 5 0 1與5 0 4兩者導通。因Ρ型T F Τ 5 0 5之閘電極與洩極區彼此連接且ρ型T F Τ 5 0 8之閘電極與洩極區彼此連接，_ T F Τ 5 0 5與5 0 8兩者是在飽和區中運作◦因此，將以η型 TFT5 0 1與Ρ型TFT5 0 5之阻抗分壓VDD4與第三輸入訊號（I η 3 )之間電壓所得到之電位輸入至Ρ 型T F Τ 5 0 6之閘電極。這電位以V 5 q 6表示◦類似地，將以η型TFT5 0 4與ρ型TFT 5 0 8之阻抗分壓 V D D 4與第四輸入端（I η 4 )之間電壓所得到之電位輸入至Ρ型T F Τ 5 0 7之閘電極。這電位以V 5 ◦ 7表示〇 V 5 ◦ 6與V 5 0 7電位如第6 Β圖中所說明。由虛線 5 0 0所圍繞之差分放大器電路具一放大且輸出V 5 Q 6與 V 5 Q 7間電位差之功能。因此，在一輸出端（0 U t )得本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ———— — -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 518642 A7 B7 五、發明説明（31) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 到如第6 C圖中所說明之脈衝。然後’耢者在後|買階段fe 供一緩衝器與諸如此類者給輸出端，得到如第6 D圖中所說明振幅爲G N D - V D D 4之脈衝。在根據這實施例之第5圖中，雖然TF T 5 0 5與 508爲P型TFT，但TFT 505與5〇8可以是P 型TFT，TFT5 0 5與5 0 8之閘電極與洩極區連接至輸入端（11^3或1114)，且丁孖丁5〇5與5〇8 之源極區連接至TF T 5 0 1與5 0 4之洩極區及差分電路之輸入部。 (實施例3 ) 雖然實例1與2中所說明，根據本實施例之各位準移位器具兩輸入端與一輸出端，一位準移位器當使用一類似電路時可具一輸入端與一輸出端。在這實施例中’利用實例說明用於轉換電壓振幅爲G N D -\^〇01之一訊號爲電壓振幅爲GND - VDD 2之一訊號，具有一輸入端及一輸出端之位準移位器。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第7圖表示具有一輸入端與一輸出端之一典範位準移位器。除了實施例1中第二訊號（I η 2 )所輸入端點連接到這實施例中電源供應器V r e ί外，這實施例之位準移位器與實施例1之位準移位器間之電路結構並無差異。此處，使甩 GND( = 〇V) ，VDD1 (二 3V) ’ VDD2 (-10V)，及 Vref (=1.5V)作爲電源供應電位。最好V r e f電位在輸入訊號（1 n )振 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 518642 Α7 Β7 五、發明説明（32) 幅之範圍內。在這實例中，設定V r e f電位，例如在 GND ( = 〇V)與 VDD1 ( = 3V)間之中間。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 參考第7與8 A至8 D圖，現在說明根據本發明之位準移位器之運作。第8 A至8 D圖說明關於第7圖中所說明電路之模擬結果。在第7圖中，分別說明一由虛線框 7 5 0所圍繞之電源供應部，及一具有差分放大器電路 7 0 0之位準移位器部及源極跟隨器電路7 2 0與7 3 0 〇首先，說明電源供應部之運作。將V D D 2 ( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 =1 0V)輸入至η型TFT7 1 3之閘電極，使η型 TFT7 13導通。因此，將GND ( = 〇V)輸入至ρ 型TFT7 1 0之閘電極及p型TFT7 1 1之閘電極，使P型TFT710與711兩者導通。因p型TFT 710導通，將VDD2 (=10V)輸入至p型TFT 7 1 2之閘電極，使η型TFT7 1 2導通。因此，第5 ‘圖中，在節點α處出現之電位有點高於G N D，而在節點 /3處出現之電位有點低於V D D 2。爲說明起見，前者電位此後稱爲G N D >而後者電位此後稱爲V D D 2 >。（這模擬形成 GND> = 1 · 8V 且 VDD2 > = 6 . 8V )° 接著，說明位準移位器部之運作。將從上述電源供應部所輸出之VDD2 >輸入至η型TFT709之閘電極，使η型TFT7 0 9導通。因此，η型TFT7 0 6之源極區與η型T F Τ 7 0 7之源極區以電氣方式連接至電 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 518642 A7 B7 五、發明説明（33) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 源供應器G N D。另一方面，將從上述電源供應部輸出之 GND >輸入至P型TFT7 0 1之閘電極及P型TFT 704之閘電極，使P型TFT701與704兩者導通。因η型T F T 7 0 5之閘電極與洩極區已彼此連接且η 型TFT7 0 8之閘電極與η型TFT7 0 8之洩極區彼此連接，TFT7 0 5與7 0 5兩者是在飽和區中運作。因此，將以Ρ型T F Τ 7 0 1及η型T F Τ 7 0 5之阻抗分壓V D D 2與第一輸入訊號（I η )之間電壓所得到之電位輸入至η型T F Τ 7 0 6之閘電極。這電位以V 7 〇 6 表示。類似地，將以Ρ型T F Τ 7 0 4及η型T F Τ 7 0 8之阻抗分壓V D D 2與第二輸入訊號（I n b )之間電壓所得到之電位輸入至η型T F T 7。7之閘電極。這電位以V 7。7表不。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此處，檢查V 7。6與V 7。7間之關係。首先，因 VDD2 (=l〇v)與 Vref (=1 . 5V)間之電壓爲固定，故V 707亦爲一恆電位。另一方面，如第8 A 與8 B圖中所說明，當輸入訊號（I η )電位爲Η 1 (二 3 V )時之V 7。6及當輸入訊號（I η )電位爲l 〇 (二 0 V )時之V 7 0 6彼此相異。以下對於兩種情況說明 V 7 0 6與V 7 Q 7間之關係。

(1 )當輸入H i作爲輸入訊號（I η)時在這情況下，V7Q6爲以Ρ型TFT7 0 1及η型 TFT705之阻抗分壓VDD2 (=l〇V)及VDD 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公p ---- 518642 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（34) 1 ( = 3 V )之間電壓所得到之電位。因G N D (二0 V )< V r e f (=1.5V)<VDD1( = 3V) ’故接著 V7Q6 >V7〇7(第 8B 圖）。 (2 )當輸入L o作爲輸入訊號（I n)時在這情況下，V7〇6爲以p型TFT7 0 1及n型丁FT7〇5之阻抗分壓VDD2(=1〇V)及GND (二〇 V )之間電壓所得到之電位。類似於以上（1 )之情況，因 G N D ( = 0 V ) < V r e f ( = 1 · 5 V ). < V D D 1 ( = 3 v )，故接著，V7〇6<V7〇7(第 8B 圖）。因此，在輸出端（〇u t )得到如第8 C圖中所g兑明之脈衝。然後，藉著在後續階段提供一緩衝器及諸如此類者至輸出端。得到如第8 D圖中所說明振幅爲G N D — V D D 2之脈衝。雖然，根據這實施例之第7圖中，T F Τ 7 0 5與 7〇8爲11型丁？丁，但丁卩丁705與708可以是？型TFT，TFT 70 5與7 0 8之閘電極與洩極區連接至輸入端（In)或Vref ，且TFT705與7〇8 之源極區連接至TFT7 0 1與7 0 4之洩極區及一差分電路之輸入部。 (實施例4 ) 在實施例4，在像素部及其周邊（一源極訊號線驅動器電路及一閘極訊號線驅動器電路）中提供同時製造驅動本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37- I:II___1 — — .^ 丨__— II 丁_____Ι Ι..·Γ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518642 A7 B7 五、發明説明（35) 器電路部T F T之方法。然而，爲了簡化說明，在圖中表示一供驅動器電路用之基本電路之C Μ〇S電路。首先，如第9 Α圖中所示，由諸如氧化矽膜，氮化矽膜，或氧化氮矽膜之絕緣膜製成之底膜5 0 0 2是形成在由諸如硼矽酸-鋇玻璃或硼矽酸鋁玻璃，以康寧公司 # 7 0 5 9玻璃或# 1 7 3 7玻璃爲代表之玻璃所製成之基底5 0 0 1上。例如，以電漿C V D法從S 1 Η 4， ΝΗ3與MSG製造之一氧化氮矽膜5 0 〇 2 a形成1 0至 200nm (最好爲50至lOOnm)之厚度，而從 S i Η 4與Ν 2 Ο類似製造之一加氫處理之氧化氮矽膜 5〇〇213形成5 0至20〇11111(最好爲1〇〇至 1 5 0 n m )之厚度，加以形成一積層。在實施例4中，雖然底膜5 0 0 2表示爲兩層結構，該膜可由前述絕緣膜之一單層膜所形成或表示爲兩層以上之積層結構。孤島似之半導體層5 0 0 3至5 0 0 6是由利用有關具一非結晶質結構之半導體膜之雷射結晶化方法，或利用一已知熱結晶化方法所製造之一結晶質半導體膜所形成。設定孤島式半導體層5 0 0 3至5 0 0 6之厚度從2 5至 8 0 n m (最好在3 0與6 0 n m之間）。對於結晶半導體膜材質並無限制，但最好由砂或鍺化砂（S i G e )合金加以形成膜。使用如脈衝振盪型或連續放射型準分子雷射之雷射， Y A G雷射，或Y V〇4雷射，以雷射結晶化方法加以製造結晶質半導體膜。當使用這些型式之雷射時，可使用以一本紙張尺度適财麵家辟（CNS ) ( 210X297公釐) ΤΓ" I 衣 ^ 訂 . ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 518642 A7 B7 五、發明説明（36) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 光學系統將從一雷射振盪器射出之雷射光會聚成一線性形狀且然後將光線照射至半導體膜之一種方法。操作人員可適當選擇結晶化條件，但脈衝振盪頻率設成3 Ο Η z ，且當利用準分子雷射時，雷射能量密度設爲從1 0 0至 4〇〇 m J / c m 2。而且，當使用Y A G雷射時則利用第二諧波，脈衝振盪頻率設成從1至1 0 k Η z，且雷射能量密度可設成從300至600mJ/cm2(典型爲在 3 5 0與5 0 0 m J / c m 2 )。然後在基底整個表面上照私已被會聚成寬度爲1 0 0至1 0 0 0 //m，例如爲 4 0 0 // m之線性形狀之雷射光。這表現出8 0至9 8 % 之重疊率。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製接著，一閘極絕緣膜5 0 0 7形成覆蓋孤島式半導體層5 0 0 3至5 0 0 6。閘極絕緣膜5 0 0 7由含厚度 4〇至1 5 0 # m之砂之絕緣膜以電漿C V D法或濺射法形成。在實施例4中成1 2 0 // m厚之氧氮化矽膜。閘極絕緣膜不限於這種氧氮化政膜’當然’在一單層或一積層結構中也可使用含矽之其它絕緣膜。例如，當使用一氧化矽膜時，它可以電漿c V D法，混合T E 0 S (四乙酯正矽酸鹽）與〇2，在40Pa之反應壓，及基底溫度設爲從30 0至400 °C下’並在高頻（13 · 56MHz) 下以0 · 5至0 · 8W/cm2之電力密度放電而形成的。後續在4 0 0至5 0 0 °C下實施熱退火可得到這般製造爲一閘極絕緣膜之氧化矽膜之良好特性。爲了形成閘電極’然後在閘極絕緣膜上形成一第一導本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Γ39 -"" 518642 A7 _____B7 五、發明説明（37) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電膜5 0 0 8及一第二導電膜5 0 0 9。在實施例4中，從T a形成厚度5 0至1 0 0 nm之第一導電膜5 0 0 8 ，並從W形成厚度1 0 0至3 0 0 nm之第二導電膜 5〇〇9 。 T a膜由濺射法形成，並利用A r實施丁3標的之濺射。濺射期間如添加適量之X e或K r至A r將會舒緩 T a之內壓，並能防止層膜之剝落。α相位T a膜之電阻係數大小爲2 0 // Ω c m且可使用T a膜爲閘電極，但0 相位T a膜之電阻係數大小爲1 8 0 // Ω c m且T a膜不適於閘電極。爲了形成α相位T a膜，如果擁有接近α相位T a之水晶結構之氮化鉅膜形成厚度1 〇至5 Ο II m作爲T a之基極，則可輕易得到α相位之T a膜。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製以W爲一標的，藉濺射法形成W膜。利用六氟化鎢（ W F 6 )亦可以熱C V D法形成W膜。不管使用何者，爲了使用它作爲閛電極’需要使這膜爲低阻ί几’且最好W膜之電阻係數設成2 Ο μ Ω c m或更小。放大W膜之結晶體可降低電阻係數，但對於W膜內有許多如氧氣之雜質元素之情況，則抑制了結晶化，且這膜變成高阻抗。在濺射法中因此使用純度99·9999%或99·99%之W標的。此外，當充份注意使得在膜形成時未從氣相內部導入雜質，利用形成W膜可完成9至2 Ο Μ Ω c m之電阻係數〇注意到在實施例4中，雖然分別由T a與W形成第一導電膜5 0 0 8與第二導電膜5 0 0 9，導電膜不限於這 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518642 A7 B7 _____ 五、發明説明（38) 些。第一導電膜5 0 0 9與第二導電膜5 0 〇 9也可由選自包含T a ，W，T i ，Μ 〇，a 1及C u群組中之一兀素，或由一合金材質或由具有這些元素其中之一作爲其主要成份之化學混合材質加以形成。而且，也可使用一向爲聚矽膜之半導體膜，在該聚矽膜內摻雜如含磷之雜質元素。實施例4中除外優選組合實例包含：由氮心鉬（T a N )形成之第一導電膜5 0 0 8與由W形成之第二導電膜 5〇0 9 ;由氮化鉅（T a N )形成之第一導電膜 5〇0 8與由A 1形成之第二導電膜5 0 0 9 ;以及由氮化钽（T a N)形成之第一導電膜5 0 0 8與由C u形成之第二導電膜5 0 0 9。接著，由抗鈾刻形成一光罩5 0 1 0，爲了形成電極與繞線而實施第一蝕刻程序。實施例4中使用一 I C P ( 感應式耦合電漿）飩刻法。使用C F 4與C 1 2之混合氣爲鈾刻氣體，並在1 P a下施加5 0 0W之RF電力（ 1 3 . 5 6 Μ Η z )至一線圈形電極。亦施加1 0 0 W R F電力（1 3 · 5 6 Μ Η ζ )至基底側（測試片階段 )，有效地施加一負自我偏壓。當混合C F 4與C 1 2時，以相同大小蝕刻W膜與T a膜兩者。根據，使用一適當抗蝕罩形狀，以以上蝕刻條件施加至基底側之偏壓效果，使第一導電層與第二導電層之邊緣部份成錐狀。錐狀部份之角度從1 5至4 5 ° 。爲了實施蝕刻，不在閘極絕緣膜上留下任何殘餘可增加大槪1 0至2 0 %之鈾刻時間。對於 W膜之氧氮化矽膜選擇度由2至4 ( 一向爲3)，且因此 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 41 - "~' I I ^ 訂 . — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 518642 A7 B7 五、發明説明（39) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ’以這過度鈾刻程序加以餓刻大槪2 0至5 0 n m之氧氮化矽膜之暴露表面。第一種形狀之導電層5 0 1 1至 5016 (第一導電層5011a至5〇16a及第二導電層5 0 1 1 b至5 0 1 6 b )因此以第一蝕刻程序，由第一導電層及第二導電層形成。此時，利用鈾刻使未被第一種形狀之導電層5 0 1 1至5 0 1 6所覆蓋之閘極絕緣膜5〇0 7區變得更薄大槪2〇至5 0 n m (第9 A圖）〇 - 然後，實施一第一摻雜程序，添加一雜質元素，用於傳達η型導電性。以離子摻雜法或離子射入法可實行摻雜。離子摻雜法之條件爲用量1 X 1 0 1 3至5 X 1 0 1 4原子 /cm3，且加速電壓爲6 0至1 0 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 k e V。作爲傳達η型導電性之雜質元素，使用一向爲磷 (Ρ )或砷（A s )之屬於1 5組之元素，但此處使用磷。在這情況下，導電層5 0 1 1至5 0 1 6變成雜質元素之光罩加以傳達η型導電性，並以自我對齊方式形成第一雜質區5 0 17至5 0 20。將濃度範圍lxl〇2°至1 X 1 021原子/cm3中用於傳達η型導電性之雜質元素添加至第一雜質區5017至5020 (第9Β圖）。接著，如第9 C圖中所示，未移除抗鈾罩而實施一第二蝕刻程序。使用C F 4，C 1 2與〇2之混合氣爲飩刻氣體，並選擇性地加以鈾刻W膜。此時，第二種形狀之導電層5021至5026 (第一導電層5〇21a至 5 0 26 a及第二導電層5021b至5026b)由第 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 518642 A7 ___ B7 五、發明説明（40) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 二蝕刻程序形成。利用鈾刻使未被第二種形狀之導電層 5 0 2 1至5 0 2 6所覆蓋之閘極絕緣膜5 0 0 7區變得更薄約20至50nm。從所產生之根或離子種類及反應物之氣壓可猜測由 C F 4與C 1 2混合氣對w膜或T a膜之蝕刻反應◦當彼此比較W與T a之氟化物與氯化物之氣壓時，W氟化物之 WF6氣壓特別高，且其它WC 15，TaF5與Ta c 15 幾乎具相等氣壓。因此，在C F 4與C 1 2混合氣中，蝕刻 w膜與T a膜兩者。然而，當添加適量之0 2至此混合氣時，CF4與〇2彼此反應加以形成CO與下，並產生大量之 F根或F離子。結果，增加具有高氣壓氟化物之W膜蝕刻率。另一方面，對於T a，甚至如果下增加時，鈾刻率之增加相當小。而且，與W比較，因T a容易被氧化，T a 表面因添加〇2而被氧化。因T a之氧化物不與氟與氯產生反應，更降低T a膜之飩刻率。因此，W膜與T a膜之蝕刻率之間可能有差異，這變得可能使W膜之蝕刻率高於 T a膜。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製然後，如第1 0 A圖所示，實施第二摻雜程序。在這情況下，用量低於第一摻雜程序且在高加速電壓之條件下，摻雜一傳達η型導電性之雜質元素。例如，設定加速電壓爲70至1 20k eV並以1 X 1 013原子/cm 3之用量實行程序，故在第9 B圖中形成孤島式半導體層之第一雜質區內部形成新的雜質區。實行摻雜，俾能使用第二種形狀之導電層5 0 1 1至5 0 2 6作爲對雜質元素之光本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 「43 - ~~一 518642 A7 B7 五、發明説明（41) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 罩且亦添加雑質兀素在第一導電層5 0 2 1 a至 5 0 2 6 a下之區域。依此方式，形成第二雜質區 5〇27至5031。根據第一導電層502la至 5〇2 6 a錐狀部份之厚度，添加至第二雜質區5 0 2 7 至5 0 3 1之磷（P )濃度具一溫和濃度梯度。注意到在與第一導電層5 0 2 1 a至5 0 2 6 a錐狀部份重疊之半導體層，摻雜元素濃度從第一導電層5 0 2 1 a至 5 0 2 6 a之錐狀部份末端朝向內部稍微下降，但濃度幾乎保持相同位準。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製如第1 0 B圖中所示，實施三蝕刻程序。這是使用以 C H F 6爲蝕刻氣體之反應離子蝕刻法（R I E法）加以實施的。部份鈾刻第一導電層5 0 2 1 a至5 0 2 6 b之錐狀部份，並以第三飩刻程序降低當中第一導電層與半導體層之重疊區域。形成第三種形狀之導電層5 0 3 2至 5037 (第一導電層5032a至5037 a及第二導電層5 0 3 2 b至5 0 3 7 b )。此時，利用鈾刻使未被第三種形狀之導電層5 0 3 2至5 0 3 7所覆蓋之閘極絕緣膜5 0 0 7區變得更薄約2 0至5 0 n m。以第三種蝕刻程序，在第二雜質區5 0 2 7至 5 0 3 1之情況中，與第一導電層5 0 3 2 a至 5037a重疊之第二雜質區5027a至5031a ’ 以及第三雜質區5 0 2 7 b至5 0 3 1中是在第一雜質區與第二雜質區之間。然後，如第1 0 C中所示，在形成p通道T F T之孤本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） -44- 518642 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（42) 島式半導體層5 0 0 4中形成導電性型與第一導電性型相反之第四雜質區5 0 3 9至5 0 4 4。使用第三導電層 5 0 3 3 b爲雜質元素之光罩，並以自我對齊方式形成雜質區。此時，以一抗飩罩5 0 3 8覆蓋形成η通道T F T 之孤島式半導體層5003，5005 ’保持張力之電容部5 0 0 6與繞線部5 0 3 4之整個表面。分別以不同濃度添加磷至雜質區5 0 3 9至5 0 3 3。這區域是利用乙硼烷（Β 2 Η 6 )以離子摻雜法形成的並在這區域之任何地方形成2 X 1 02()至2 X 1 021原子/ cm3之雜質濃度〇利用至此之步驟，在個別孤島式半導體層中形成雜質區。與孤島式半導體層重疊之第三種形狀之導電層 5032，5033，5035與5036作用爲閘電極。號碼5 0_ 3 4之作用爲一孤島似來源訊號線。號碼 5〇3 7作用爲一電容繞線。在移除抗鈾罩5 0 3 8後，爲了控制導電性型，實施一步驟加以觸發添加在個別孤島式半導體層中之雜質元素。這步驟是利用一退火爐，以熱退火方加以實行的。此外，可應用一雷射退火法或一快速熱退火法（RTA法）。在一具有p pm或更小，最好爲〇 · 1 p pm或更小之氧氣濃度之氮大氣中，於400至700 °C，向來爲5 0〇至6 0 0 °C下實施這熱退火法。在實施例4中，在5 0 0 °C下實施4小時之熱處理。然而，在第三導電層5 0 3 7 至4 0 4 2所用之繞線材質不耐熱之情況下，最好在形成 1:— — — — ^iLP— — — — — — II —___>ιφ— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） -45- 518642 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（43) 中介層絕緣膜（包含矽爲其主要成份）後實施觸發加以保護繞線或其它同類者。而且，在包含3至1 0 0%氫氣之大氣中，於3 0 0 至4 5 0 °C下實施1至1 2小時之熱處理，並實施使孤島式半導體層與氫化合之步驟。這步驟爲以熱激發氫氣終止半導體中懸吊連結之步驟。可實施例電漿氫化合（利用電漿所激發之氫氣）爲另一種氫化合方法。接著，一氧氮化矽膜之第一中介層絕緣膜5 0 4 5形成1 0 0至2 0 0 // m之厚度。然後，在上面形成一有機絕緣材質之第二中介層絕緣膜5 0 4 6。之後，實行蝕刻形成接觸孔。然後，在驅動器電路部中，形成用於接觸孤島式半導體層源極區之源極繞線5 0 4 7與5 0 5 8，以及用於接觸孤島式半導體層洩極區之洩極繞線5 0 4 9。在像素部中，形成一連結電極5 0 5 0與像素電極5 0 5 1與 5 0 5 2 (第1 1 A圖）。連結電極5 0 5 0允許源極訊號線5 0 3 4與像素T F T間之電氣連結。注意到像素電極5 0 5 2與儲存電容爲一接鄰像素。如上述，具η型T F T與p型T F T之驅動器電路部以及具像素T F Τ與儲存電容之像素部可形成在一基底上。這種基底此處稱爲主動矩陣基底。在這實施例中，爲了不使用一黑矩陣而遮蔽像素電極間之空間免於光線，將像素電極末端份佈置成重疊訊號線與掃描線。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） I--------1^^----„---、訂------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 518642 A7 B7 _

五、發明説明（U (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 而且，根據本實施例中所說明之程序，製造一主動矩陣基底所需之光罩數量可設爲五（一孤島式半導體層所用之圖案，一第一繞線（掃描線，訊號線，及電容繞線）之圖案，一 p導通區所用之光罩圖案，一接觸孔所用之圖案 .，及一第二繞線（含像素電極與連結電極）所用之圖案）。結果，可使程序更短，能降低製造成本，並改善良率〇接著，在得到如第1 1 A圖中所說明之主動矩陣基底後，在主動矩陣基底上形成一方位膜5 0 5 3並實施磨光處理。同時，備置一反基底5 0 5 4。在反基底5 0 5 4上形成濾色層5055至5 0 57及一外覆層5058。濾色層之結構爲紅濾色層5 0 5 5與藍濾色層5 0 5 6重疊在T F T之上俾能亦作爲一遮光膜用。因需遮蔽至少 T F T，連結電極，與像素電極間之空間免於光線，最好將紅濾色器與藍濾色器佈置成重疊使這些地方可遮光。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製紅濾色層5 0 5 5，藍濾色層5 0 5 6，及綠濾色層 5〇5 7重疊，俾能與連結電極5 0 5 0對齊而形成一間隔器。利用混合壓克力樹脂中之適當色素形成個別之濾色層並形成1至3 //m之厚度。這些濾色層可從使用光罩之預定圖案中之感光材質加以形成。考慮1至4 // m之外覆層5 0 5 8之厚度，間隔器高度可爲2至7 //m，最好爲 4至· 6. // m。當主動矩陣基底與反基底彼此粘合時，這高度形成一間隙。外覆層5 0 5 8形成諸如聚醯亞胺樹脂或本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ^ -47 - 518642 A7 B7 五、發明説明（45) 壓克力樹脂之光設定或熱設定之有機樹脂材質。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 間隔器之佈置可任意加以決定。例如，如第1 1 B圖中之說明，可將間隔器佈置在反基底5 0 5 4上，俾能與連結電極5 0 5 0對齊。或者，可將間隔器佈置在反基底 5 0 5 4上，俾能與一驅動器電路部T F T對齊。這種間隔器可佈置在驅動器電路部之整個表面上，或可佈置成覆蓋源極繞線與洩極繞線。形成外覆層5 0 5 8後，打樣形成一反電極5 0 5 9 ，形成一方位膜5 0 6 0，並實施磨光處理。然後，使用封合劑5 0 6 2將上面形成像素部與驅動者電路部之主動矩陣基底接著至反基底。充塡劑是混在封合劑5 0 6 2中。充塡器與間隔器幫助兩基底以之間之一固定間隙彼此接著在一起。之後，在基底之間射入液晶材質5 0 6 1，且封裝劑（未示出）實施完整之封裝。可使用一已知之液晶材質作爲液晶材質5 0 6 1。依此方式，完成如第1 1 B圖中所說明之主動矩陣液晶顯示裝置。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製注意到雖然以上程序中所形成之T F T爲一頂層閘極結構，這實施例可輕易被應用在底層閘極結構及其它結構之 T F T。而且，雖然這實施例中所說明之顯示裝置爲一液晶顯不裝置’在一使用電致（E L ) E L絲頁不裝置以及液晶顯示裝置之驅動器電路中可有效利用根據本發明之位準移位器。 -48- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 518642 A7 B7 五、發明説明（46) (實施例5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 6圖說明使用根據本發明一位準移位器之一顯示裝置之典範結構。一源極訊號線驅動器電路1 6 0 1，一閘極訊號線驅動器電路1 6 0 2，及一像素部1 6 0 7整體形成在一絕緣基底1 6 0 0上。源極訊號線驅動器電路 1 6 0 1具一位準移位器1 6 0 4，一位準移位器 1 6 0 5 ’ 一類比開關1 60 6 ，及其它同類者。從一外部L S I供應驅動顯示裝置所需訊號。因這些曰來L S I或其它同類者之功率消耗變低且這種l S I例如在低如3 · 3 V之電壓下運作，利用根據本發明之位準移位器1 6. 0 4將一輸入訊號之振幅加以轉換傳送至位準移位器及諸如此類者。要注要的是，爲了提供另一裝置供轉換電壓振幅，雖然第1 6圖中未表示，在先前階段可提供一位準移位器，用於進一步將電壓振幅轉換成一緩衝器部或接近像素部之諸如此類者，可降低顯示裝置內部之功率消耗。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製而且，雖然一類比影像訊號是輸入至根據這實施例之第1 6圖中所說明之顯示裝置，也可將根據本發明之位準移位器應用到輸入一數位影像訊號之一顯示裝置之驅動器電路中。 (實施例6 ) 在這實施例中，說明利用具不同結構之差分電路，不需一緩衝器，用於取得振幅爲G N D — V D D 2之結構。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 AQ , 518642 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（47) 第1 7圖爲根據本發明之這實施例中一位準移位器電路之典範結構。一差分電路1 7 0 0具TFT 1 7 0 3與 1 7 04。TFT1 7 0 5與1 7 08形成一第一電流鏡電路，而TF T 1 7 0 6與1 7 0 7形成一第二電流鏡電路。參考第1 7與1 8 A至1 8 D圖，現在說明個別部份之運作。類似於實施例1之情況，在第1 8 A至1 8 D中所說明之模擬中使用G N D ( = 0 V ) ，V D D 1 ( 二3V)，及VDD2(=l〇V)作爲電源供應電位。對於第1 7圖中之電流源，藉著經由T F T連接個別之電源供應器认及控制個別T F T之閘電極電位而固守恆電流〇首先，從輸入端（第1 8 A圖）輸入振幅爲G N D -V D D 1之兩訊號（I n 1與I n 2 )。分別輸入以上輸入訊號與電源供應器V D D 2間之電位至T F Τ 1 7 0 3 與1 7 0 4之閘電極。這些電位是以分攤爲電流源而佈置之TFT及TFT1 70 1與1 70 2之阻抗而得到的。 T F Τ 1 7 0 3與1 7 0 4之閘電極電位分別以V ! 7。3與 Vuh表示（第18B圖）。 I 1740 = I 1703 + I 1704 ’ 其中 I 17 4。爲流經電流源1 7 4 0之電流，I i 7 0 3爲流經T F Τ 1 7 0 3之電流’而I 1 7。4爲流經I 1 7 0 4之電流。如V 1 7 0 3 > Vl7〇4 ’ 貝 IJIi703〉Vl704。因此，流經 TFT 7 1 〇 5與1 7 0 6之電流分別與I 1 7 Q 3及I i 7。4相同本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） !!1·! — 1 訂-! I HL (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 518642 Α7 Β7 五、發明説明（48) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 。而且，因決定流經T F T 1 7 0 5與1 7 0 6之電流値，故亦決定了 T F T 1 7 0 5與1 7 0 6之閘極電位，該閘極電位分別以V i 7 ◦ 5與V 1 7 Q 6表示◦因T F T 1 7〇5與1 7〇8形成一電流鏡電路且TFT1 70 6 與1 7 0 7形成另一電流鏡電路，故由他們決定1 7〇7 與1 7 0 8之鬧極電位。更明確地說，V 17。5 = V 1708 且V 1 7 0 6 = V 1 7 ◦ 7。當V 1 7 ◦ 3與V 1 7 0 4間之關係如以上所提時，隨著Vl7Q5>Vl7Q6，且因此Vl7Q7< Vl70 8 (第 18C 圖）。根據模擬結果，如第1 8 C圖中之說明，V i 7 ◦ 7與 V i 7。8之範圍大槪從〇 · 5 V至9 V。當V i 7 Q 7爲Η 1 時，T F Τ 1 7 0 7是處於未導通狀態。因此，降低 TFT1 7〇9與1 7 1〇之閘極電位且TFT1 7 〇 9 與1 7 1 0未導通。此處，Vi7Q8爲L 〇且TFT 1 7 0 8爲導通。這造成VDD 2出現在輸出端。當經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

V i 7 Q 7 L 〇時，T F Τ 1 7 0 7爲導通。因此，增加 TFT1709與1710之閘極電位且TFTl?〇9 與1 7 1 0爲導通。此處，爲Η 1且TFT 1 7 0 8未導通。這造成GND出現在輸出端（第1 8D 圖）。

在根據這實施例之第1 7圖中，雖然TFT 1 7 〇 1 與 17〇2n 型 TFT ，TFT17 0 1 與 1702 可* Μ 是ρ型TFT，TFT1701與1702之閘電極與》曳極區連接至輸入端（I η 1與I η 2 )，且T F T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _ 51 _ 518642 Α7 Β7 五、發明説明（49) 1 7〇1與1 7 0 2之源極區連接至電流源1 7 2 0與 1 7 3 0以及至差分電路之輸入部。 (實施例7 ) 如第1圖中所說明，在根據本發明之實施例模式中，將輸入訊號輸入至T F T 1 〇 5與1 0 6之源極區。在這實施例中，說明使用輸入訊號之不同方法之情況。第1 9圖說明本實施例一電路之典範結構。第1 9圖與第1圖不同處只在佈置於差分電路與輸入訊號（I η 1 與I η 2 )間之T F Τ之連結。第1 9圖中，分別以Ρ型 TFT 19 0 1與1902取代第1圖中，ini與 I η 2所連接之η型TFT 1 〇 5與1 〇 6號，並將輸入訊號分別輸入至P型T F Τ 1 9 0 1與1 9 0 2之閘電極〇現在說明第1 9圖中所說明之位準移位器運作如下。考慮在差分電路中，施加至TFT 1 9 0 3之閘電極電壓，那就是節點T之電位。要注意到的是，如上述，在節點 r處出現範圍從VDD 2至GND之電位。首先，當輸入Hi入一輸入訊號（I n 1)時，ρ型 TFT1 9 0 1之閘電極電位爲3V。此處ρ型TFT 1 9 0 1之閘極對源極電壓以V g s i表示。當輸入L 〇作爲輸入訊號（I η 1 )時，ρ型T F Τ 1 9 0 1之閘電極電位爲0 V。此處ρ型T F Τ 1 9 0 1之閘極對源極電壓以V G S 2表不。 I!----· — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -52- 518642 A7 _ B7 五、發明説明（50) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此處’ |Vgsi|<|VgS2| °RHi>RLl)，其中，R H i與R L。爲T F T 1 9 0 1在個別狀況下之〇N阻抗。當T F T 1 9 0 1之〇N阻抗爲低時，以阻抗分壓 V D D 2與G N D間電壓所得到出現在節點r處之電位更接近GND並下降。反之，當TFT1 9 0 1之ON阻抗爲尚時’出現在節點T之電位更接近VDD且上升。因此 ’施加至P型T F T 1 9 0 3閘電極之電壓與輸入訊號（ I η 1 )同相並以某一振幅加以振盪。依此類似方式，差分電路中施加至1 9 0 4閘電極之電壓，即節點（5處之電位亦與輸入訊號（I η 2 )同相並以某一振幅加以振盪。因此，以差分放大器電路放大節點Τ與δ間之電位差並加以輸出。之後，以實施例1中實施例模式情況之類似方式，及諸如此類者，輸出振幅爲0 — V D D 2之訊號。 (實施例8 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製根據本發明之一位準移位器使用一恆電流源，且甚至當未實行一訊號之振幅轉換時，亦保持電流流動。在這實施例中，說明在這一期間當中（更明確地說，未輸入低電壓振幅訊號之折回期間，或其它同類者）降低功率消耗之方法。如第1圖中之說明，從三電流源1 0 7，1 0 8與 1〇9供應電流至位準移位器。在第2 0圖中’以T F Τ 2〇〇1 ，2〇〇2與2〇0 3控制電流供應器之路徑’ 且電源供應部2 0 5 0供應電位至TFT2 0 〇 1’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _ _ 518642 A7 B7 五、發明説明（51) 2 0 0 2與2 0 0 3之閘電極。因此，阻擋電流供應器至位準移位器之最簡單方式爲使TFT2001 ，20 0 2 與2 0 0 3處在未導通狀態。因此，用於重置之TF T 2 0 0 4與2 0 0 5如第2 0圖中之說明加以佈置。在這實例中，使用一 P型TFT作爲重置用之TFT 2 0 0 4 ，而使用一 η型TFT作爲重置用之TFT2 0 0 5。 TFT2004之源極區連接至電源供應器VDD2，且 TFT 20 0 4之洩極區連接至TFT2 0 0 1與 2 0 0 2之閘電極。TFT2 0 0 5之源極區連接至電源供應器GND，而TFT2 0 0 5之洩極區連接至TFT 2〇〇3之閘電極。在位準移位器未運作期間，如折回期間（此後稱爲一重置斯間），輸入一重置訊號（電壓振幅例如爲0 V -VDD2)至TFT2004與2005之閘電極。當提供結構如第2 0圖中所說明，供重置用之一電路時，於重置期間輸入一 Η :訊號。這使得T F T 2 0 0 4與 2005導通，使TFT200與20〇2之閘電極電位爲VDD2，並使TFT2003之閘電極電位爲GND 而使所有TFT20〇1，2〇02與20〇3處於未導通狀態。因此，阻擋了對個別部份之電流。選擇用於重置之TFT 2 0 0 4與2 0 0 5之通道寬度使其爲一具有電流容量之大小加以允許T F T 2 0 0 1 ，2 0 0 2與2 0 0 3之閘極對源極電壓充份低於其臨界値之絕對値（明確地說，T F T 2 0 0 4洩極區之電位充 I---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ Ρ. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 54 _ 518642 A7 ______ B7 __ 五、發明説明（份接近V D D 2且T F T 2 0 0 5洩極區之電位充份接近 G N D )。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (實施例9 ) 在這實施例中，說明異於實施例8中所使用方法中阻擋電流供應至一位準移位器之情況。在先前實施例中所說明之一電路中，在第2 2圖所示電路之電源供應部2 2 5 0中，輸入一恆電流供應電位至 T F T 2 2 0 4之閘電極，使T F T永遠保持在〇N狀態。另一方面，在這實施例中，輸入一電源供應控制脈衝（控制脈衝）至T F T 2 2 0 4之閘電極。在第22圖中，因TFT2204爲一 η型TFT，當電源供應控制脈衝電位爲H i時，T F T 2 2 0 4是在〇N狀態，使在位準移位器端上之T F T 2 2 0 1至 2 2 0 3導通。另言之，只在轉換位準作業爲需要之期間輸入電源供應控制脈衝，使得只在那期間供應電流至位準移位器。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (實施例1 0 ) .第2 1圖說明根據被應用到一顯示裝置之本發明位準移位器TFT之一實際，典範佈置。第21圖中之TFT 30 1至309相當於第3圖電路圖中之TFT3〇1至 3 0 9。雖然第2 1圖中所說明之實例中未說明電源供應部，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）一 ' -55- 518642 A7 B7 五、發明説明（^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 卻平行並邊靠邊佈置眾多位準移位器。要供應至連接至一電流源之T F T 3 0 1，3 0 4與3 0 9閘電極之電位是從平行佈置之位準移位器外部之一電源供應部，經由訊號線3 3 0與3 4 0，供應至個別位準移位器。電源供應部可通常爲眾多位準移位器所使用。要注意的是在繞線鋁，一閘極金屬與一半導體層之間有一絕緣膜，使其在彼此重疊處無短路，且他們在備置一接觸孔處彼此連接。根據本發明在位準移位器中所使用之差分電路與電流鏡電路之操作特性尤其需要電路在形成電路之T F T特性中具有非常小之變動。因此，最好形成電路之T F T是毗鄰佈置的。而且，當T F T基底之製程包含雷射照射或諸如此類者時，以第2 1圖中所說明之T F T之毗鄰佈置，可降低由於不均勻雷射照射或諸如此類者所造成丁 F T特性中之變動◦此外，因以線性照射形式正常實施上述雷射照射或諸如此類者，由於不平均之雷射照射或諸如此類者更降低T F T特性之變動。因此，更最好是這種佈置。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (實施例1 1 ) 利用與本發明一起形成之驅動器電路之主動矩禪型顯示裝置各種用法。在這實施例中，半導體裝置利用與本發明一起形成之驅動器電路貫施顯不裝置。下列可假設爲這種電子設備之實例：一可攜式資訊終端機（如一電子書，一行動電腦，或一行動電話），一攝本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' - -56- 518642 A7 B7 五、發明説明（影機；-數位相機；-個人電腦；—電視及一投射裝置。 &些電子δ又備之貫例表不在第1 3，i 4與1 5圖中。第1 3 A0爲一可攜式電話，它包含一主體2 6 〇 1 ，一語音輸出部2 6 0 1，一語音輸入部2 6 〇 3，—顯示郃2 6〇4 ，操作開關2 6 0 5 ，及一天線2 6〇6。本發明可被應用在顯示部2 6 0 4。第1 3 B圖說明一攝影機，它包含一主體2 6丄丄，. 一顯示部2 6 1 2，一音訊輸入部2 6丄3，操作開關 26 14，一電池26 15，一影像接收部2616，或曰者如此類者。本發明可被應用在顯示部2 6 1 2。影像接收部 2 5，或諸 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 3 C圖說明一行動電腦或可攜式資訊終端機，它包含一主體2 6 2 1，一相機部2 6 2 2， 2 6 2 3 ’操作開關2 6 2 4，——顯示部2 6 2 如此類者。本發明可被應用在顯示部2 6 2 5。第1 3 D圖說明一頭戴式顯示器，它包含一主體2 6 31 ’ 一顯示部2632及一支臂部2633。本發明可被應在顯示2 6 3 2。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第1 3 E圖說明一電視，它包含一主體2 6 4 1，一喇叭2 6 4 2，一顯示部2 6 4 3，一輸入裝置2 6 4 4 及一放大器裝置2 6 4 5。本發明可被應用在顯示部 2 6 4 3。第1 3 F圖說明一可攜式電子書，它包含一主體 2 6 5 1，一顯示部2 6 5 2 ’ 一記憶媒體2 6 5 3，一操作開關2 6 5 4，及一天線2 6 5 5且可攜式電子設備本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 57 518642 A7 B7 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 顯示迷你碟（M D )與D V D (影音光碟機）中所記錄之資料以及由天線所記錄之資料。本發明可被應用在顯示部 2 6 5 2° 第1 4Α圖說明一個人電腦.，它包含一主體2 7〇1 ’一影像輸入部2 7 0 2，一顯示部2 7 0 3，一鍵盤 2 7 0 4，或諸如此類者。本發明可被應用在顯示部 2 7 0 3° 第1 4 Β圖說明一使用記錄媒體之播放器，它記錄一節目（此後稱爲記錄媒體）並包含一主體2 7 1 1，一顯示部2 7 1 2，一喇叭部2 7 1 3，一記錄媒體2 7 1 4 ，及操作開關2 7 1 5。這播放器使用D V D (影音光碟機），C D等加以記錄媒體，並可用在音樂欣賞，影片欣賞，遊戲與網際網路上。本發明可被應用在顯示部 2 7 12。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第1 4 C圖說明一數位相機，它包含一主體2 7 2 1 ，一顯示部2 7 2 2，一觀景部2 7 2 3，操作開關 2 7 3 4，及一影像接收部（圖中未示出）。本發明可被應用在顯示部2 7 2 2。第1 4 D圖說明一單眼頭戴式顯示器，它包含一主體 2 7 3 1及一套帶部2 7 3 2。本發明可被應用在顯示部 2 7 3 1。第1 5 Α圖爲一前投式投影機，它包含一投射裝置 2 8 0 1，顯示裝置2 8 0 2，一光源2 8 0 3，一光學系統2 8 0 4及一銀幕2 8 0 5。而且可使用一單板式爲本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ297公釐） -58- 518642 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製投射裝置2 8 Ο 1並可使用分別相當於R，G與B光源之二板式。本發明可被應用在顯示裝置2 8 〇 2。第1 5 B圖爲一後投式投影機，它包含一主體 2811 ’一投射裝置2812，一顯示裝置2813, 一光源2814，一光學系統2815，一反射器 2 8 1 6與一銀幕2 8 1 7。而且，可使用一單板式爲投射裝置2 8 1 3並可使用分別相當於R，G與b光線之三板式。本發明可被應用在顯示裝置2 8 1 3。第1 5 C圖表示第1 5A與1 5 B圖中投射裝置 2 8 0 1與2 8 1 2結構之實例圖。投射裝置2 8 〇 1與 2812包含：一光學光源系2821 ;鏡片2822與 2 8 2 4至2 8 2 6 ; —雙向色性鏡片2 8 2 3 ; —棱鏡 2827 ; —顯不裝置2828 ; —相差板2829 ;以及一投射光學系統2 8 3 0。投射光學系統2 8 3 0包含具一投射透鏡之眾多光學透鏡。雖然本實施例表示一三板式實例，本發明並未侷限於這實例且例如可使用一單板式。而且，操作人員在第1 5 C圖中箭頭所示之光路徑中可適度地處置一光學透鏡，一具有極化光線功能之層膜，一調整相位差之層膜以及一 I R層膜等。第1 5 D圖表示第1 5 C圖中光學光源系統系統 2 8 1 2 1結構之實例圖。本實施例中，光學光源系統 2821包含：一反射器2831 ;光源2832 ;透鏡陣列2 8 3 3 ; —極化器轉換元件2 8 3 4 ;以及一聚光透鏡2 8 3 5。注意到第1 5 D中所示之光學光源系統只 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1«· 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 518642 A7 ____ B7 五、發明説明（5) 是一實例而結構並未侷限於這實例。例如，操作人員可適度處置一光學透鏡，一具有極化光線功能之層膜，一調整相位差之層膜以及一 I R層膜等。甚至當一輸入訊號之電壓振.幅爲低時，根據本發明具差分放大器電路之位準移位器可提供一充份轉換能力。甚至當驅動器電路之驅動電壓下降且驅動器電路與像素部間之驅動電壓差爲大時，這使其可能正常轉換訊號之振幅。而且，根據本發明一實例，位準移位器之結構使得未直接輸入一訊號至一閘電極。當輸入訊號之電壓振幅爲低時，T F T臨界値影響力降低，未來本發明大大促成降低一驅動器電路之驅動電壓。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -60

Claims

518642 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍第901 1 5661號專利申請案中交申請專利範圍修正本民國91年9月23日修正 1 · 一種位準移位器，包含：一電流鏡電路；一'以0亥電流鏡電路爲負載之差分電路；一用於供應電流至該差分電路之電流源；以及第一與第二源極跟隨器電路，其中，將一第一輸入訊號輸入該第一源極跟隨器電路其中，將從該第一源極跟隨器電路之一第一輸出訊號輸入至該差分電路，其中，將一第二輸入訊號輸入至該第二源極跟隨器電路，以及其中，將從該第二源極跟隨器電路之一第二輸出訊號輸入至該差分電路。 2 · —種位準移位器，包含一電流鏡電路；一以該電流鏡電路爲負載之差分電路；一用於供應電流至該差分電路之第一電流源；一第一電晶體具有一第一閘電極及第一洩極區以電氣方式彼此連接，一第二電晶體具有一第二閘電極及一第二洩極區以電氣方式彼此連接；以及本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐） ——：------«#! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 •Γ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518642 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍第二與第三電流源用於分別供應電流至該第一至第二電晶體， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中，將一第一輸入訊號輸入至該第一電晶體之一第一源極區；其中，將從該第一電晶體之一第一輸出訊號輸入至該差分電路；其中，將一第二輸入訊號輸入至該第二電晶體之一第二源極區，以及其中，將從該第二電晶體之一第二輸出訊號輸入至該差分電路。 3 . —種位準移位器，包含：一電流鏡電路；一以該電流鏡電路爲負載之差分電路；一用於供應電流至該差分電路之第一電流源；一第一電晶體具有一第一閘電極及一第一洩極區以電氣方式彼此連接；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一第二電晶體具有一第二閘電極及一第二洩極區以電氣方式彼此連接；以及第二與第三電流源用於分別供應電流至該第一與第二電晶體，其中，該差分電路包含第三與第四電晶體；其中，該第一電晶體之該第一洩極區以及該第三電晶體之一第三閘電極以電氣方式彼此連接，其中，該第二電晶體之該第二洩極區以及該第四電晶本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）一 -2- 518642 A8 B8 C8 D8 穴、申請專利乾圍體之一第四閘電極以電氣方式彼此連接， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中，將一第一輸入訊號輸入至該第一電晶體之一第一源極區，其中，將一第一輸出訊號輸入至該第三電晶體之一第三閘電極，其中，將一第二輸入訊號輸入至該第二電晶體之一第 —^源極區’以及其中，將一第二輸出訊號輸入至該第四電晶體之一第四閘電極。 ' 4 . 一種位準移位器，包含：其一第一閘電極及其一第一洩極區以電氣方式彼此連接一第一導電型第一電晶體；其一第二閘電極及其一第二洩極區以電氣方式彼此連接之該第一導電型第二電晶體；一包含該第一導電型之一第三電晶體及該第一導電型之一第四電晶體之差分電路；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一包含一第二導電型之一第五電晶體及該第二導電型之一第六電晶體之電流鏡電路，該第五電晶體之該第五閘電極及第五洩極區彼此連接；一用於以電氣方式連接該差分電路與一第一電流源之該第一導電型之第七電晶體； ——用於以電氣方式連接該第五電晶體與一第二電流源之該第二導電型之第八電晶體；一用於以電氣方式連接該第六電晶體與一第三電流源本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 518642 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍之該第二導電型之第九電晶體；以及一用於供應電位至該第七，第八，與第九電晶體之電源供應部，其中，將一第一輸入訊號輸入至該第一電晶體之一第一源極區，其中，將從該第一電晶體之一第一輸出訊號輸入至該第三電晶體之一第三聞電極，其中，將一第二輸入訊號輸入至該第二電晶體之一第 ~~源極區’以及其中，將從該第二電晶體之一第二輸出訊號輸入至該第四電晶體之一第四閘電極。 5 · —種位準移位器，包含：第一與第二電流鏡電路；一以電氣方式連接至該第一與第二電流鏡電路之差分電路；一用於供應電流至該差分電路之第一電流源；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其一第一聞電極及一第一拽極區以電氣方式彼此連接之一第一電晶體；其一第二閘電極及一第二洩極區以電氣方式彼此連接之一第二電晶體；以及用於分別供應電流至該第一與第二電晶體之第二與第三電流源，其中，將一第一輸入訊號輸入至該第一電晶體之一第一源極區，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4- 518642 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍其中’將從該第一電晶體之一第一輸出訊號輸入至該差分電路， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中，將一第二輸入訊號輸入至該第二電晶體之一第二源極區，以及其中，將從該第二電晶體之一第二輸出訊號輸入至該差分電路。 6 . —種位準移位器，包含：第一與第二電流鏡電路；一以電氣方式連接至該第一與第二電流鏡電路之差分電路；一用於供應電流至該差分電路之第一電流源；其一第一閘電極及一第一洩極區以電氣方式彼此連接之一第一電晶體；其一第二閘電極及一第二洩極區以電氣方式彼此連接之一第二電晶體；以及. 用於分別供應電流至該第一與第二電晶體之第二與第三電流源，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其中，該差分電路包含第三與第四電晶體，其中，該第一電晶體之該第一洩極區及該第三電晶體之一第三閘電極以電氣方式彼此連接，其中，該第二電晶體之一第二洩極區及該第四電晶體之一第四閘電極以電氣方式彼此連接，其中，該一第一輸入訊號輸入至該第一電晶體之一第一源極區，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） 518642 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍其中，將從該第一電晶體之該一第一輸出訊號輸入至該第三電晶體之一第三閘電極； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中，將一第二輸入訊號輸入至該第二電晶體之一第二源極區，以及其中，將從該第二電晶體之一第二輸出訊號輸入至該第四電晶體之一第四閘電極。 7 . —種位準移位器，包含：一電流鏡電路；一以該電流鏡電路爲負載之差分電路； · 一用於供應電流至該差分電路之第一電流源；第一與第二源極跟隨器電路；以及一用於重置之電晶體，其中，將一第一輸入訊號輸入至該第一源極跟隨器電路，其中，將從該第一源極跟隨器電路之一第一輸出訊號輸入至該差分電路，其中，將一第二輸入訊號輸入至該第二源極跟隨器電經濟部智慧財產局員工消費合作社印製路，其中，將從該第二源極跟隨器電路之一第二輸出訊號輸入至該差分電路，以及其中，在一輸入訊號之電壓振幅未轉換期間，該第一電流源所供給之電流係爲輸入至該重置用電晶體之一重置訊號所阻擋。 8. —種位準移位器，包含：本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -6- 518642 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍一電流鏡電路；一以該電流鏡電路爲負載之差分電路； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一用於供應電流至該差分電路之第一電流源；. 一第一電晶體具有一第一聞電極及一第一洩極區以電氣方式彼此連接；第二電晶體具有一第二閘電極及一第二洩極區以電氣方式彼此連接；以及第二與第三電流源用於分別供應電流至該第一與第二電晶體， ' 其中，將一第一輸入訊號輸入至該第一電晶體之一第一源極區，其中，將從該第一電晶體之一第一輸出訊號輸入至該差分電路，其中，將一第二輸入訊號輸入至該第二電晶體之一第二源極區，其中，將從該第二電晶體之一第二輸出訊號輸入至該差分電路，以及經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其中，一輸入訊號之電壓振幅未轉換期間，該第一，第二，與第三電流源所供給之電流係被阻擋。 9 . 一種位準移位器，包含：第一導電型之一第一電晶體，其一第一閘電極及其一第一^拽極區彼此連接；其一第二閘電極及其一第二洩極區彼此連接之該第一導電型第二電晶體；本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）一 518642 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍一包含該第一導電型之第三電晶體及該第一導電型之一第四電晶體之差分電路；一包含一第二導電型之一第五電晶體及第二導電型之一第六電晶體之電流鏡電路，其中，該第五電晶體之第五閘電極及第五洩極區以電氣方式彼此連接；一用於連接該差分電路與一第一電流源之該第一導電型之第七電晶體一用於以電之該第二導電型一用於以電之該第二導電型一用於供應電極的電源供應一重置用之一重置用之中，該第氣方式之第八氣方式之第九電位至部；連接該第五電晶體與一第二電流源電晶體' 連接該第六電晶體與一第三電流源電晶體；該第七，第八與第九電晶體之閘極經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其之一第其之一第其方式連重置用該第七其該第二導電型之第十電晶體；以及該第一導電型之一電晶體之該第第十一電晶體，一洩極區及該第三電晶體三閘電極以電氣方式彼此中，該第二電晶體之該第四閘電極以電氣方式彼此中，重置用之該第十電晶接至該第七與第八電晶體之該第十電晶體之一第十與第八電晶體之第七與第連接，二洩極區及該第四電晶體連接，體之一第十源極區以電氣之第七與第八源極區，而洩極區以電氣方式連接至八閘電極，中，重置用之該第十一電晶體之一第十一源極區以 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -8- 518642 A8 B8 C8 _D8 六、申請專利範圍電氣方式連接至該第九電晶體之一第九源極區，而重置用之該第十一電晶體之一第十一洩極區以電氣方式連接至該第九電晶體之一第九閘電極，其中，將一第一輸入訊號輸入至該第一電晶體之一第一源極區，其中’將從該第一電晶體之一第一輸出訊號輸入至該第三電晶體之該第三閘電極，其中，將一第二輸入訊號輸入至該第二電晶體之一第一源極區， · 其中’將從該第二電晶體之第二輸出訊號輸入至該第四電晶體之該第四閘電極，以及其中，一輸入訊號之電壓振幅未轉換期間，電流供給係爲輸入至該重置用第十與第十一電晶體之一重置訊號並利用使該第七，第八，及第九電晶體處於未導通狀態所阻擋。 1 0 ·如申請專利範圍第1項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號，而該第二輸入訊號爲一低電壓振幅且與該第一輸入訊號反相之訊號。 1 1 ·如申請專利範圍第2項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號，而該第二輸入訊號爲一低電壓振幅且與該第一輸入訊號反相之訊號。 1 2 ·如申請專利範圍第3項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號，而該第二輸入訊號爲一低電壓振幅且與該第一輸入訊號反相之訊號。本^張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） "" " |丨_：------# ! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、v" f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9- 518642 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 3 ·如申請專利範圍第4項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號，而該第二輸入訊號爲一低電壓振幅且與該第一輸入訊號反相之訊號。 1 4 ·如申請專利範圍第5項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號，而該第二輸入訊號爲一低電壓振幅且與該第一輸入訊號反相之訊號。 1 5 ·如申請專利範圍第6項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號，而該第二輸入訊號爲一低電壓振幅且與該第一輸入訊號反相之訊號。 · 1 6 .如申請專利範圍第7項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號，而該第二輸入訊號: 爲一低電壓振幅且與該第一輸入訊號反相之訊號。 1 7 ·如申請專利範圍第8項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號，而該第二輸入訊號爲一低電壓振幅且與該第一輸入訊號反相之訊號。 1 8 ·如申請專利範圍第9項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號，而該第二輸入訊號爲一低電壓振幅且與該第一輸入訊號反相之訊號。 1 9 .如申請專利範圍第1項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號而該第二輸入訊號在該第一輸入訊號之該振幅範圍中具一固定電位之一訊號。 2 〇 ·如申請專利範圍第2項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號而該第二輸入訊號爲在該第一輸入訊號之該振幅範圍中具一固定電位之一訊號本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1·——------#! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 518642 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本貢) 2 1 .如申請專利範圍第3項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號而該第二輸入訊號爲在該第一輸入訊號之該振幅範圍中具一固定電位之一訊號〇 2 2 ·如申請專利範圍第4項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號而該第二輸入訊號爲在該第一輸入訊號之該振幅範圍中具一固定電位之一訊號〇 - 2 3 ·如申請專利範圍第5項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號而該第二輸入訊號爲在該第一輸入訊號之該振幅範圍中具一固定電位之一訊號〇 2 4 .如申請專利範圍第6項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號而該第二輸入訊號爲在該第一輸入訊號之該振幅範圍中具一固定電位之一訊號〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 5 ·如申請專利範圍第7項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號而該第二輸入訊號爲在該第一輸入訊號之該振幅範圍中具一固定電位之一訊號〇 2 6 ·如申請專利範圍第8項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號而該第二輸入訊號爲在該第一輸入訊號之該振幅範圍中具一固定電位之一訊號本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -11 - 518642 8 88 8 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製々、申請專利範圍〇 2 7 ·如申請專利範圍第9項之位準移位器，其中之該第一輸入訊號爲一低電壓振幅訊號而該第二輸入訊號爲在該第一輸入訊號之該振幅範圍中具一固定電位之一訊號〇 2 8 .如申請專利範圍第1項之位準移位器，其中，各該第一與第二輸入訊號之電壓振幅爲5 V或更低些。 2 9 ·如申請專利範圍第2項之位準移位器，其中，各該第一與第二輸入訊號之電壓振幅爲5 V或更低些。· 3 0 ·如申請專利範圍第3項之位準移位器，其中，各該第一與第二輸入訊號之電壓振幅爲5 V或更低些。 3 1 ·如申請專利範圍第4項之位準移位器，其中，各該第一與第二輸入訊號之電壓振幅爲5 V或更低些。 3 2 .如申請專利範圍第5項之位準移位器，其中_，各該第一與第二輸入訊號之電壓振幅爲5 V或更低些。 3 3 .如申請專利範圍第6項之位準移位器，其中，各該第一與第二輸入訊號之電壓振幅爲5 V或更低些。 3 4 ·如申請專利範圍第7項之位準移位器，其中，各該第一與第二輸入訊號之電壓振幅爲5 V或更低些。 3 5 ·如申請專利範圍第8項之位準移位器，其中，各該第一與第二輸入訊號之電壓振幅爲5 V或更低些。 3 6 ·如申請專利範圍第9項之位準移位器，其中，各該第一與第二輸入訊號之電壓振幅爲5 V或更低些。 3 7 ·如申請專利範圍第1項之位準移位器，其中之本尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------#1-----訂------f (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -12- 518642 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍該位準移位器是包含在一顯示裝置中。 3 8 ·如申請專利範圍第2項之位準移位器，其中之該位準移位器是包含在一顯示裝置中。 3 9 ·如申請專利範圍第3項之位準移位器，其中之該位準移位器是包含在一顯示裝置中。 4 0 .如申請專利範圍第4項之位準移位器，其中之該位準移位器是包含在一顯示裝置中。 4 1 ·如申請專利範圍第5項之位準移位器，其中之該位準移位器是包含在一顯示裝置中。 · 4 2 ·如申請專利範圍第6項之位準移位器，其中之該位準移位器是包含在一顯示裝置中。 4 3 ·如申請專利範圍第7項之位準移位器，其中之該位準移位器是包含在一顯示裝置中。 4 4 ·如申請專利範圍第8項之位準移位器，其中之該位準移位器是包含在一顯示裝置中。 4 5 ·如申請專利範圍第9項之位準移位器，其中之該位準移位器是包含在一顯示裝置中。 4 6 ·如申請專利範圍第3 7項之位準移位器，其中之該顯示裝置包含在一電子設備中，該電子設備選自由一可攜式電話，一行動電腦，一攝影機，一頭戴式顯示器，一電視，一可攜式電子書，一個人電腦，一播放機，一數位相機，一單眼頭戴式顯示器，一前投式投影機，以及一後投式投影機所組成之群組中。 4 7 ·如申請專利範圍第3 8項之位準移位器，其中本·紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-13- 518642 A8 B8 C8 ____ D8 . 六、申請專利範圍之該顯示裝置包含在一電子設備中，該電子設備選自由一可攜式電話，一行動電腦，一攝影機，一頭戴式顯示器，一電視，一可攜式電子書，一個人電腦，一播放機，一數位相機，一單眼頭戴式顯示器，一前投式投影機，以及一後投式投影機所組成之群組中。 4 8 ·如申請專利範圍第3 9項之位準移位器，其中之該顯示裝置包含在一電子設備中，該電子設備選自由一可攜式電話，一行動電腦，一攝影機，一頭戴式顯示器，一電視，一可攜式電子書，一個人電腦，一播放機，一數位相機，一單眼頭戴式顯示器，一前投式投影機，以及一後投式投影機所組成之群組中。 4 9 ·如申請專利範圍第4 0項之位準移位器，其中之該顯示裝置包含在一電子設備中，該電子設備選自由一可攜式電話，一行動電腦，一攝影機，一頭戴式顯示器，一電視，一可攜式電子書，一個人電腦，一播放機，一數位相機，一單眼頭戴式顯示器，一前投式投影機，以及一後投式投影機所組成之群組中。 5 〇 ·如申請專利範圍第4 1項之位準移位器，其中之該顯示裝置包含在一電子設備中，該電子設備選自由一可攜式電話，一行動電腦，一攝影機，一頭戴式顯示器，一電視，一可攜式電子書，一個人電腦，一播放機，一數位相機，一單眼頭戴式顯示器，一前投式投影機，以及一後投式投影機所組成之群組中。 5 1 _如申請專利範圍第4 2項之位準移位器，其中本&張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " I!------#! (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ，1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 518642 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍之該顯示裝置包含在一電子設備中，該電子設備選自由一可攜式電話，一行動電腦，一攝影機，一頭戴式顯示器，一電視，一可攜式電子書，一個人電腦，一播放機，一數位相機，一單眼頭戴式顯示器，一前投式投影機，以及一後投式投影機所組成之群組中。 5 2 ·如申請專利範圍第4 3項之位準移位器，其中之該顯示裝置包含在一電子設備中，該電子設備選自由一可攜式電話，一行動電腦，一攝影機，一頭戴式顯示器，一電視，一可攜式電子書，一個人電腦，一播放機，一數位相機，一單眼頭戴式顯示器，一前投式投影機，以及一後投式投影機所組成之群組中。 5 3 ·如申請專利範圍第4 4項之位準移位器，其中之該顯示裝置包含在一電子設備中，該電子設備選自由一可攜式電話，一行動電腦，一攝影機，一頭戴式顯示器·，一電視，一可攜式電子書，一個人電腦，一播放機，一數位相機，一單眼頭戴式顯示器，一前投式投影機，以及一後投式投影機所組成之群組中。 5 4 ·如申請專利範圍第4 5項之位準移位器，其中之該顯示裝置包含在一電子設備中，該電子設備選自由一可攜式電話，一行動電腦，一攝影機，一頭戴式顯示器，一電視，一可攜式電子書，一個人電腦，一播放機，一數位相機，一單眼頭戴式顯示器，一前投式投影機，以及一後投式投影機所組成之群組中。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ——------41— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15-