TW518367B - Plasma treatment apparatus and plasma treatment method performed by use of the same apparatus - Google Patents

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518367 五、 發明說明（2 物的％ %狀反應管提供電漿噴射。然而，此種方法仍具有可釺 針以下各點改善之空間。 (丨）因爲處理範圍小，故不貧於貪理大貧猜―。__________________________ ， (2)當放電空間變窄時，熱輻射性質降低，而該反應管内部係 於高溫下加熱，使得欲處理之目標物易嗖受熱損壞。另—方面 ’當該放電空間放大時，該處理效率降低。 ⑺當該反應管内部於該高溫下加熱時，㉟電極間或該反應管 妈孩目標物之間易產生流光放電（弧放電）'因此，不適於穩定 地提供一均勻電漿處理。 不此外，日本專利早期公告[K0KAI]編號4-358076揭示—種 %及處理裝置，於平板電極間放置介電板此裝置中，存在因 «裝置之尺寸大，而該處理速度因以下因素而難以得到高雨 聚密度，故處理速度緩慢之問題。即，因爲該平板電極之面^ 大’故每早兀體積電漿之電能降低。藉著施加較大之電能，可 增加該電«度。然而，該電極於高溫下加熱，使得欲處理之 目標物易遭到熱損壞，或電極破裂或可能產生輝光放電。而且 ，於該介電板放置於該平板電極上之方法中，因結構問題而難 以縮小該介電板之厚度。就結構問題而言，例如，當作爲介電 =玻璃板放置於該電極上時，難以將厚度小於⑫米之大: ‘貝玻場板黏著於該平板電接上，因爲該玻璃板強度較差。此外 、:使用陶綱爲介電板時，可製造厚度較薄而強度足夠之陶 究板。然而，難以製造具有對應於該平板電極之大面積的 板，及得到與該電極材料間之良好黏著性。結果，因爲於介電 C請先閱讀背面之>i音？事項再填寫本頁} --------訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

518367 Λ7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（3 板上鹿生電壓降’故變成難以增品每苹元體積電漿之電能。 .發明總結 就前述各點而言，本發明之重點在於提出一種電漿處埋裝冒 ，其可有效地於置於-放電空間下游之大面積目標物上進行= 漿處理。本發明電漿處理裝置係包括至少一對電極、一供氣； 元-以於介於該電極間之放電空間中提供用以生成電漿之：： 二及-電源—用以於該電極間提供一交流電電壓，以於該放； 2間中生成用以生成電漿之氣體的電漿。該對電極中至少—者 I外表面上具有介電層。本發明中，該對電極中至少一者具 伸入該放電空間中之彎曲表面。 “ 使用具有伸入該放電空間中之彎曲表面的電極，可於防止產 生流光放電之下，使用較低之電能增加電漿密度。#，當使用 具有伸入該放電空間中之尖點邊緣部分的電極時，肖電二密户 可增加 '然而，該邊緣部分易因電場不均勾而產生流光 (弧放电）=一旦發生流光放電，該電漿處理因該電漿消光放 電）變成不較而爲法持續。此外，當該電極及該目標物間發 生該流光放電時，存有該目標物易有相當大之熱損壞的問題。 $用具有伸入該放電空間中之彎曲表面的電極時，可增加電漿 密度且防止該流光放電。尤其以該彎西表面之曲徑介於丨至25 亳米範圍内爲佳。 以將一電漿導引元件放置於該對電極中至少一者之鄰近，以 導引孩電漿使孩電漿由該放電空間向外擴張至該目標物爲佳。 此外，該電漿導引元件以與該電極整體性地形成爲佳。該電漿 •U---..---------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518367 Λ7 經爷部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（4 令引兀件可用以有效地於大而積目標物上進行該電漿處理。 二外該對電極中以至少—輪，狀電極爲#，而以圓柱狀 元尤佳，以於該管狀或圓柱狀電極内部提供一冷卻劑，於電裝 處理期間降低電極溫度。降低哕. 吟低μ吧如溫反有效地防止流光放電 ，如下文所詳述。 本發明另一重點係提出一種雷將卜 1 杜私水7处理万法，其係使用前述電 A藏·理置進行。即，今*雪將由a μ兒水處理万法包括於介於該電極間之 —见工η中、用以生成$漿之氣體，以於大氣壓下於該放電 父間中，產生用以生成電聚之氣體的電聚，以該電聚處理該目 標物。 經由以下本發明詳述及本發明實施例可明瞭此等及其他目的 及優點。 圖式簡單説明 圖1係爲顯示本發明電漿處理裝置之—具體實例的剖面圖； 圖2係爲顯示圖1之電聚處理裝置之電漿生成器的剖面圖； 圖3係爲顯示圖1之電漿處理裝置的電漿生成器之透視圖； 圖4A及4B中，圖4A係説明圓柱型電極間所生成之電浆，而 圖4 B係説明平板電極間所生成之電衆. 圖5係爲顯示本發明電衆處理裝置之另-電襞生成器的副面 圖： - 圖6係爲顯示本發明電聚處理裝置之一對電極之一修飾的剖 面圖； -1·---.--------------- tl--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁} 518367 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 五、發明說明（6 ) 爲了改善該電極之熱輻射性質及確認均勻之輝光放電，該電極 1，2以由具有優越之熱導係數製造爲佳。詳言之’，可使用銅、 銘、黃銅、或具有優越之抗腐蚀性的不銹鋼。 琢電極外表面之表面糙度以算術平均糙度計係介於1 〇至丨〇〇〇 微米範圍内。當該表面糙度以y=f(x)之方程式表示時，該算 術平均糙度Ra(微米）係由以下方程式（！）根據JIS B 〇6〇1定義。

Ra ^ — fr* | / ( - ) K (-) / sU 'J 1 其中“Γ表示電極長度。當該表面糙度係小於1〇微米時，變成 難以生成電漿。另一方面，當表面糙度大於1〇〇〇微米時，該電 漿3變成不穩定。前述表面糙度範圍適於確定均勻之輝光放電 ’因爲相信其生成極細之微放電，故防止產生弧放電。爲了得 到所需之電極1，2之表面糙度，例如可使用物理性處理諸如噴 砂。 母笔極1及2皆具有作爲外層之介電層6。介電層6對於在放 電2間22中降低電漿溫度極爲重要。該介電層6以由介電常數 爲2000或更低之絕緣材料製造爲佳。當該介電常麩大於⑼時 ’雖然施加於該電極1及2之間的垂直大小變大，仍有導致電浆 3义溫度升高的可能性。此對該介電常數之下限値無限制。例 如’該介電常數之下限値係爲2。當該介電常數小於2時，需增 加施加於電極1及2間之交流電電壓，以保持該放電。此情況下 ’該放電空間中之電能消耗量增加，使得該電漿3之溫度升高 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A-i規格（210 x 297公釐） Φ I|«---卜---------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518367 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（7 ) 2 或2具有介電層6時，以將具有該介電層之電極連接 於这父况電電源13爲佳。· Α 了改善輝光放電之穩定性，以使用具有高値二次電子放射 係數〈材料或其混合物以作爲介電層6。就具有高値二次電子 放射係數之材料而言，例如可使用MgO, MgF2, CaF4LlF。 尤，以使用Mg〇(氧化鎂）以保持穩定性爲佳。若使用此等材料 乍爲4 %層6’當電漿3中之離子與介電層6表面撞擊時，由該 1弘層〈表面放射大量二次電子。所放射之二次電子使輝光放 ，具有穩定性。就含有氧化鎂介電材料而言，例如可使用一種 ㈣製備一陶资粉末諸如氧化銘及少量（〇·〇1〜5體積百分比） 氧化鎂之奶合物並燒結藏混合物而製備之燒結體，或一種藉著 於-電極材料上火焰喷塗該混合物而製造之材料。此外，:有 氧化鎂之該介電材料可藉著於一介電基材諸如氧化銘或石二表 面上藉著濺射、電子束沉積、或噴噴塗而製造。 例如，具有介電層6之電極i，2可根據一方法形成，其係包 括製備第-個由絕緣材料製造之圓柱體及第二個由前述電極材 料製造（圓柱體，並將該第二個圓柱體黏著於該第一個圓柱體 内表面（步驟。或可使用一種陶瓷噴塗法，其包括分散氧化鋁 ^化鍰、鈥酸鋇、PZT等粉末於電漿中，並將該電聚喷塗於 ^第”二個圓柱體外表面上之步驟。此外，可使用—種根據溶膠 -凝膠方法而形成以玻璃爲底質之薄膜的方法。 ’ .尤其以根據熔接法製造具有該介電層6之電極丨，2爲佳。此 方法中，以玻璃爲底質之材料的玻璃料包含無機材料諸如二氧 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I ---------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518367 五、 發明說明（8 ) 化矽、氧化鎂、氧化錫、氧化 ^ 分此人h 虱化政、虱化锆或氧化鋁主要成分， π以於一落劑中。其次，爲了 泰 % (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ ^ ^ %極材料上得到以玻璃爲底 W〜材料的溥膜，該電極材料爲、、主 ， 係/又，貝於包括該玻璃料之溶劑中 或琢&璃料係使用噴槍噴塗兩 占1ΠηπΥ、、 丄万…茨材料上。該膜係於48( 上丨000 C足溫度下加熱歷經3至丨 —、 之；W·拉r 使传该以玻璃爲底質 <材枓係熔接於該電椏材料上。 屌二 馬了形成具有所需厚度之介電 q 可重稷則述方法。該熔接方法且古7 4曰 m ^ . ^ r a 安万忐具有可輕易形成具有較薄 ―展<介電層的優點，可防止 止產生吊見於由陶资噴塗法產生之 兒曰中的針孔。因此’由溶接法、 均勻之輝光放電。 去所形成…層6適於確定 ::電層6之厚度以介於0.Κ2毫米範圍内爲佳。當該厚度 小万；〇. 1 *米時，可降低該介電層 兒尽 < 耐昼。此外，可庙咕裂

或剝離，使其難以料輝光放電 — W 尖砝、、丄广 J刁性。當孩厚度大於2毫 未時二' 耐壓過度增高，使其難以保持輝光放電之均勾性。 供氣各态12具有氣體入口 16及氣# 喂佶田、々贿 夂乳也出口 17。用以提供生成電 水使用〈氣姐的供氣單元5係經由

。闫，+ 切1，、轧$ 15連接於氣體入口 U 圖J中，供氣容器12之深度尺寸奋μ 二、 . 又了 L男、貝上與電極1，2者相同 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 。邊供氣容器12之高度尺寸$、λ 又八了 Η以係馬通於由氣體出口 17提供 寸：上氣流的長度爲佳。該供氣容器12之寬度尺 丁 u貝貝寺於電極}及2之間中心至中 &哭可、+罢士土中、又距離，使得該供氣 • „ ^ οσ 包二間22。如圖3所示，該供 虱谷盔1 2係固定於電極i，2，使得 、 .^ σσ 亍用以生成電漿之氣體可自供 乳奋咨12内邵流至該放電空間22。 U疋万；邊电極之供氣容器12 -11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐 Λ7 B7 五、 '發明說明（9 係由支撑元件14所支撑，如圖丨所示。 冷卻劑供應單元20係包括一冷卻劑槽及一自該冷卻劑槽泵出 〜冷部劑9之栗。就冷卻劑9而言，可使用純水或離子交換水。 此外’孩冷卻劑9以具有於下之抗凍性且具有絕緣性爲佳。 坑絕緣性而言，該冷卻劑9以於〇1毫米間隔下具有至少1〇什 ’特之耐壓爲佳。具有此範圍内之絕緣性的冷卻劑9適於防止 由旄加有高値電壓之電極洩漏。就具有前述性質之冷卻劑9而 ㊁’可使用例如全氟碳化物、氫氟醚或藉著添加5至6〇重量百 分比之乙二醇於純水中所得之混合物溶液。 乂圖3所示，關閉母個電極1及2之相反末端。冷卻劑供應管 s 2 1之一末端係連接於該泵。冷卻劑供應管2丨之另一端係連接 於該電極1之一末端部分，以於該電極丨内部提供冷卻劑9。冷 部劑輸送管33之一末端係連接於該電極i之相反末端。該冷卻 劑輸送管33之另一末端係連接於該電極2之一末端，以自該電 極1内部將冷卻劑9輸送至該電極2内部。冷卻劑排流管以之一 末端係連接於該電極2之相反末端。冷卻劑排流管“之另一末 端係連接於該冷卻劑槽。因此，電極丨及2可藉著冷卻劑9之循 環而冷卻。爲了保持該電極間之絕緣，該冷卻劑輸送管U以由 絕緣材料製造爲佳。 就用以測足電極之表面溫度的溫度計24而言，以使用紅外光 溫度計爲佳。於圖丨及2中，編號40係表示於供氣容器12中所形 成之紅外光透明窗口 40。所測量之電極溫度係於顯示器”上偵 測，而於下文所説明之控制器7中提供一微電腦3〇。可使用二 L I I 1>1 — — — — — — . I — — —— — I I—/ I I — — — — —— -xttD (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12 - 五、 、發明說明（1〇 ) 諸：熱偶以取代红外綱溫度計。 说侧送$ 11而了’可使用輸送帶，如圖1所示。欲處理之目 I私4可連〜使用輸送帶〗1而以電漿3處理。該輸送器11可藉著 I文所。兑明之杈制器7控制。本發明於工業規模下應用時，以 使用逐輸运器以進—步改善該電漿處理裝置之處理效率尤佳。 Μ I制器7主要係包括微電腦（個人電腦）3〇，以根據該溫度 十4之秦】’】出偵測该電極之表面溫度，並控制施加於電極2之交 二兒％壓的大小及該目標物4之輸送速度。泵動冷卻劑9之泵可 藉β I φ1]备7而控制。例如，當所測量之電極溫度係高於預定 臨丨良度時’该微電腦30送出一控制信號，以增加流至該泵之 '十卩J 9心里。或供冷卻劑使用之冷卻裝置可用以根據該控制 洛輸出而降低該冷卻劑溫度。 其次，説明使用前述裝置進行之電漿處理方法。 的首先，_以生成電漿之氣體㈣氣體供應單元5送至供氣容 ☆ 12。就本發明所使用之生成電漿的氣體而言，可使用一隋性 ，體（稀有氣體）、惰性氣體之混合物或—惰性氣體與一反應性 =叫物。就惰性氣體而言，可使用氦、纟、氖或氣。就 : 性及成本效率而言，以使用氦、氬或氦與氬之淚合物 馬佳。氮與氬之混合物比例與該電極之表 .!, 衣囬，皿度有密切關係。 ，歹J如，當電極表面溫度爲250Ό或更低時，，θ 〇〇^ ^ _ χ ^ 了此合物中之氬量以 里百为比爲較低爲佳。當氬量高於旦 ^ ^ ,, 里里百分比時，可能 增加屋生流光放電之機率。 〒 。 反應氣體可根據該電漿處理之目的而 ^兄逛擇。例如，當 -13 - 本纸張尺度適用中家標準（CNS)A4規格⑵〇χ 297公爱 -L —*---------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518367 A7 B7 五：發明說明（11 ) 清洗位於目標物4上之有機物、去除抗蝕劑、或蝕刻有機膜時 ，以使用一氧化氣體諸如氧、空氣、C02、蒸汽或N2〇爲佳。 此貧石夕時7可使用以氟爲底質之氣體諸如cf4作爲反 應氣體。當還原金屬氧化物時，可使用還原氣體諸如氫或氨。 例如，該反應氣體之添加量介於10重量百分比或更低之範圍内 爲佳，而相對於惰性氣體用量以0.1至5重量百分比更佳。當使 用反應氣體氧化或氟化該目標物表面成爲問題時，該電漿處理 僅能使用惰性氣體，而不能使用反應氣體。 供生成電漿使用之氣體係經由氣體出口 1 7提供於介於電極1 及2之間的放電空間22。該電漿3係藉著於該電極間施加交流電 電壓而產生。本發明中，該交流電電源之頻率以介於5 0赫茲至 200百萬赫茲範圍内爲佳，尤其是1仟赫茲至200百萬赫茲。當 該頻率低於50赫茲時，存有該放電無法於該放電空間22中穩定 化之可能性。當該頻率高於200百萬赫茲時，電漿3之溫度可能 大幅升南。 此外，每單元體積電漿之電能以介於10至10000瓦/厘米3範 圍内爲佳，而電漿3之流速係介於20至10000厘米/秒範圍内。 當未滿足前述條件時，該電漿處理無法於目標物4上充分地進 行，或該目標物可能承受熱損壞。因此，以調整該交.流電電壓 之大小’並提供電蒙生成使用之氣體用量及速率，以滿足前述 範圍。 *電漿處理期間，該電極之表面溫度以保持於250°C或更低爲 佳，尤其是200°C或更低。當電極溫度高於250°C時，可於該放 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） L------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 叫367 Λ7 Π7 五、 發明說明（12 電ΐ間22中生成流光放電。對於該電極溫度之下限値並無限制 。例如，下限溫度可爲〇，c或更低。換言之，可使用冷卻劑未 ur^TTSiL度一。此外了當—電極i及2可藉著空氣冷―卻而充分地冷卻 ，不需使用該冷卻劑9。 夕7夕丨相k生成流光放電（?瓜放電）之原因是該電極表面溫度 因4漿而增咼。於孩電漿處理中，該電漿3係於實質大氣壓之 供4浆生成使用I氣體下產生。於該電漿3中，氣體粒子不間 斷地撞擊。意指該氣體粒子之撞擊頻率高於大氣壓電漿中之頻 率。隨著該撞擊頻率之提高，該電漿溫度升高。此外，該撞擊 頻率與交流電電源之頻率有密切關係。當該交流電電液之頻率 較高時，適於電浆處理之原子團及離子數量增多。然而，該電 漿溫度升高，冑電極表面溫度亦增高。尤其，該電極i，2曝露 於該電漿3之相對表面的溫度增量明顯。此溫度增量致使大量 電子由孩電極表面放射。一旦產生流光放電，則該電漿處理因 電漿（輝光放電）變成不穩定而無法持續。當該電極及該目標物 間產生流光放電時，該目標物易受到大幅損壞。此外，存有該 電極材料部分因該流光放電而蒸發之問題，而所蒸發之電極材 料係顯示於該目標物上。 於本發明圖1所示之電漿處理裝置中，爲了防止流光放電之 屋生，使用圓柱型電極！，2，其各具有伸入該放電空間22中之 f曲表面R，亦使用該冷卻劑供應單心，以於該電極⑴内 部提供冷卻劑9 ’以降低該電極之表面溫度，並防止該電極表 面之局部電子放射。因此，可於該電激處理期間穩定地保持均 ------------------訂--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印袅 -15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ^_ JB7 發明說明（13 ) 勾之輝光放電。 此外’因爲圖1 <電聚處理裝置中使用圓柱型電極丨及2，故 =著縮小該電極間之距離，而増加每單元體積輝光放電之電 尺山度亦產生％漿噴射（電漿流）3，其係由該放電空間22 2 % fe I外園表面向外向下擴張，如圖4A之箭號所示。使用 弘永在度增加之屯漿噴射3處理該目標物4，可改善該處理效率 。相反地，如圖4B所示，當使用_對平板電極^及以時，僅 自十介於該電極間之放電空間22S提供具有有小寬度之電浆喷射 (電漿流）3S。此外，難以相對地增加每單元體積電漿之電能， 如前文所述。因此，限制以電漿噴射3S處理該目標物4s之面 積。圖4B中，編號6S係表示一介電板。 就该電極結構之第一個修飾而言，可使用一對管狀電極i A ’ 2 A ’各具有實i二角形剖面，如圖5所示。電極係排列成使 得該電極1A之下側邊與該電極2A之下側邊齊平，而該電極平 行延伸。放電空間22係界定於該電極之相反頂點部分之間。伸 入該放電空間22中之彎曲表面R係於電極丨八及2 a之各個頂點部 分上形成。彎曲表面R之曲徑以介於i至25亳米範圍内爲佳。 使用每個電極1A及2A之内部空間以循環一冷卻劑9。每個電極 皆具有銘介電層6以作爲外層。此外，一對各具有三角形剖面 之電漿導引元件50係放置於電極丨八及2八之鄰侧，以界定_電 漿可擴散區35。該電漿可擴散區35使電漿3向著放置於該放電 空間22下游侧邊之目標物4擴展。於使用圓柱型電極i，2之圖^ 電聚處理裝置中，該電漿3係被導引，以藉著圓柱電極本身之 -16 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^ --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 叫367 Λ7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（14 結構由该放電2間2 2 妙/孟z；、、 °外擴展至孩目標物4。換言之，每個g 柱型電極诗具有作戽常將^ %吓Α叱水導引兀件之一電漿導引部分。該放售 k間22中所產生之雷带**W$ ·、η*立、、τ ^ 〇水3係沿耆孩電漿導引部分一即每個圓相 型义極〈外,緣表面-向外擴展，而到達該目標物*。圖二中，話 編號35係表示於該電極卜2下所得之電漿可擴散區域。 就該電極結構之第二個修飾而言，如圖6所示，可使用各異 有贫質三角形剖面之電椏1Β，2β。當排列電極…2B時，如 圖6所示’在不個別地使用電衆導引元件下，於電極下得到電 漿可擴散區3 5。 就該電極結構之第三個修飾而言，如圖7所示，可使用_對 具有矩形剖面之第-個電極^及具有擴圓剖面之第二個電杯 2C。此情況下，放電空間22係於該第一個電極⑴之平面及該 第二個電極2C之彎曲表面尺間界宗。 、 间界疋。此外，以取出一對電極中 之土少一者，以使其平面上突出一 ♦ 主+、 门 X ^ 只貝半球形表面，而排列使 仔孩半球形表面恰位於該電極間之放電空間中爲佳。 此外，以使用圖8所示之電喈吐忐哭】 7生成扣1 0馬佳。此電漿生成器 1〇係包括多對各具有一圓柱型έ 打 口 W处尸—口. U序土〜構之电極1，2及具有一氣體入 161供氣谷咨12。該電極1，？你； # ^ · ^4 — 係父拳排列，使得每個電極1 係男貝與相鄰電極2平行地延伸。每個兩 兩钇D日 母彳U兒極1皆以距離d與相鄰 兒fe 2相間隔。放電空間22係 電極2皆連接於交流電電源之間。所有 ，9而所有弘極1皆接地。每個電極i -疋外衣面皆具有一介電層6。個別雷朽、 A兮、4 + 個d %極 < 外緣彎曲表面係伸 入该放電空間22中。供生成命將你田士々 見水使用 < 氣體係經由氣體入口 16 . --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本纸尺t翻中國國家鮮（cNS)A4娜（21Q x 2^r 公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518367 五？發明說明（16 ) 9之電漿處理裝置相同。 ‘實施例1 使之Hi處理裝置進 厂、 退仃电漿處貧。使—用—各具有200微米 厚度鋁層之介電層6的不銹錮其 …门&作爲黾極1，2。個別電極之周 圍表面平均表面糙度係爲丨〇 破未。介電層6係藉著陶瓷噴塗法 形成。該電極1及2之間的距雜仅^， 、 離係馬1耄米。各電極1，2之彎曲 表面R之曲徑係爲5毫米。欲♦仰、 t 起里I目標物4係藉著於一石夕晶圓 上形成1微米厚之負型抗蝕為t 、 蚀釗（T〇ky〇 Ohka Kogyo Co.，Ltd.製造 ^OMR-83”)膜而製備。用以生成電漿之氣體係使用氦、氬及 氧^氣體混合物。氦流量係爲2升/分鐘。氣流速係爲7升/分鐘 °氧流速係爲50毫升/分鐘。 將電極1接地，電極2係連接於頻率爲13 56百萬赫兹之交流 電電源13。於該電極間提供交流電電壓（施力口電能雜瓦），以 於大氣壓下生成電漿3。蝕刻處理係使用此電漿3於該目標物* 上進行。電極之表面溫度係於該電漿蝕刻處理期間，以紅外光 輻射溫度計24(Chln〇 Corp.製造）測量。測出之電極溫度係爲 25〇 C。每單元體積電漿3之電能係爲4〇〇瓦/厘米3。測定使用 私裝蚀刻處理自該目標物4冗全剝除該抗触劑所需之時間。根 據測量結果，抗蝕劑蝕刻速率係爲1 5微米/分鐘。處理之後， 居目標物4上未發現熱損壞或因流光放電所致之損壞。前述實 驗條件及評估結果係列示於表1中。 實施例2 使用圖1之電漿處理裝置根據基本上與實施例1相同之方式進 -19 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------曹--------IJ---------蠢 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518367 經濟部智慧財產局員工消費合作·社印製 Λ7 五、發明說明（17 ) 行L 7k /4段’不同處係使用表丨所示之實驗條件。此實施例中 ^ μ ^心i丄期間’離子交換水係作爲冷卻劑9而於電極1，2 中仉¥。經電漿處理之後，目標物4上未發現熱損壞或因流光 刀疋屯所致之損壞。結果列示於表1。 實施例3 使用圖】之裝置根據基本上與實施例丨相同之方式，進行電漿 處理，不同處係使用表丨所列示之實驗條件。此實施例中，使 用氣化鋁及Mg〇（Mg〇含量爲5體積百分比）作爲介電層6。該介 電層6係耠陶瓷噴塗法形成，厚度爲7〇〇微米。此外，電漿處理 期間，HFEJIOO (Sumitom〇 3M c〇 Ltd製造）係作爲冷卻劑9 而於電極1，2中循環。電漿處理之後，目標物4上未發現熱^員 壞或因流光放電所致之損壞。結果係列示於表1中。 使用圖丨之裝置根據基本上與實施例1相同之方式，進行電漿 處理，不同處係使用表1所列示之實驗條件。此實施例中，使 用包括二乳化石夕、氧化条、氧化欽、氧化锆及氧化銘之資轴作 爲介電層6。該介電層6係藉熔接法形成，厚度爲则微米。電 裝處理之後，目標物4上未發現熱損壞或因流光放電所致之： 壞。結果係列示於表1中。 實施例5 使用圖！之電漿處理裝置進行電聚處理。使用各具有2〇〇微米 厚度之氧化鈥看以作爲介電層6之不銹鋼管作爲電極卜2。久 電極之周圍表面之平均表面縫度係爲2〇微米。該介電…㈣ 表紙張&度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 I I I I I n I I n I I - I I n I I I ϋ · ϋ — — — — — — — (請先閱讀背面之注咅心事項再填寫本頁) 518367 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五_、發明說明（18 ) 著陶瓷:噴塗法形成。電極1及2之間的距離係爲1毫米^各電杨1 ，2之彎曲表面R的曲徑係爲丨〇毫米。該電漿處理期間， FluomiertTM FC-77(Sumit〇m〇 3M c〇 Ltd 製造）係作爲冷卻劑 9 而於孩電極1，2中循環。用以生成電漿之氣體係使用氦、氬及 氧。氦之流量係爲3升/分鐘。氬之流量係爲9升/分鐘。氧之流 量係爲1〇〇毫升/分鐘。此實施例中，使用塑料BGA(BaU &id

Array)基材（50 χ 200毫米）作爲目標物4。此基材係藉著於厚度 〇.5耄米ιΒΤ(雙三聚氰胺三畊）樹脂板形成4〇微米厚度之抗蝕 劑墨液（Talyo Ink MFG.Co.，Ltd.製造“PSR_4000AUS5，，）薄膜而 製備。此BGA基材係具有鍍金部分，且上層具有一積體電路晶 片。該目標物4係使用輸送器丨丨於2厘米/秒之輸送速度下輸送。 將電極1接地，該電極2係連接於頻率爲13 56百萬赫兹之交 流電電源13。於該電極間施加交流電電壓（施加電能：1〇〇〇瓦） ，以万;大氣壓下生成電漿3。孩電極之表面溫度係於該電漿處 理期間以紅外光輻射溫度計24測量。所測定之電極溫度係爲 200°C。每單元體積電漿3之電能係爲2〇〇瓦/厘米3。 此實施例係進行以下評估。即，於該電漿處理之前，測定水 於該抗姓劑上之接觸角。接觸角係爲8〇度。電梁處理之後，再 次測量接觸角。接觸變成8度。其次，於鍍金部分與該未經處 理（BGA基材具有80度接觸角的積體電路晶片間形成線路連接 ，而測定其間之連接強度。該連接強度係爲5克。相同地:於 該鍍金部分與該已經電漿處理之BGA基材具有8度接觸角的積 體電路晶片間形成線路連接，而測定其間之連接強度。該連接 • 21 - ^纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公ϋ" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -MW----- 訂---------· 518367 Λ7 B7 五、發明說明（19 ) 強度係A 8克。因此，藉由該電漿處理改善連接強度。 而且，密封樹脂（Matsushita Electric Works，Ltd·製造 “panasea|er CV8丨00Z”）係於丨75»C下於各個未經處理及經電漿 處理之GBA基材上模製成圓頂形，之後測定剪切應力之剝離強 度。該密封樹脂於未經處理BGA基材上之剝離強度係爲11百萬 帕司卡。相反地，孩密封樹脂於該經電漿處理之BGA基材上的 剝離強度係爲2G百萬帕司卡。因此，該剝離強度係藉著電聚處 理而改善。結果列於表2中。 實施例6 電漿處理係使用圖！之電漿處理裝置根據基本上與實施例6相 同之方式進行，不同處係使用表2所列之實驗條件。此實施例 ^使用各具有鍍金部分且上層具有積體電路晶片而以銅爲底 質I引線框基材（50 X 200毫米）作爲目標物4。'结果列示於表& 。評估結果顯示該電衆處理可改善連接強度及剝離強度。- 實施例7 使用圖！之電漿處理裝置進行電漿處理。使用各具有5〇〇微米 厚度（氧化鈥層以作爲介電層6的不銹鋼管作爲電極^，2。該 電極之周圍表面之平均表面糙度係爲5峨米。該介電層6係藉 者陶竟喷塗法形成。電極以2之間的距離係爲〇 5毫米。各電 極1 ’ 2之f曲表面R的曲徑係爲1〇毫米。該電漿處理期間， HU_er〜C.77(Sumit。则3M c〇Ud製造）係作爲冷卻劑9 而相電極卜2中循環。用以生成電衆之氣體係使用氦血氬' 乳及混合物氣體。氦之流量係爲W分鐘。氬之流量係 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -n ϋ ϋ I n^OJ· n ei ·.1 ϋ n ϋ n _ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 Μ

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518367 A7 B7 五_、發明說明（2Q ) 爲3升/分鐘。氧之流量係爲1 00毫升/分鐘。而CF4之流量係爲 50毫升/分鐘。 徐^極十接地，該電極2係連接於頻率爲13.56百萬赫茲之交 流電電源1 3。於該電極間施加交流電電壓（施加電能：1 〇〇〇瓦) ，以於大氣壓下生成電漿3。該電極之表面溫度係於該電漿處 理期間以紅外光輻射溫度計24測量。所測定之電極溫度係爲 200°C。每單元體積電漿3之電能係爲100瓦/厘米3。 此實施例中’於半導體晶片上形成S η - A g'焊料隆哭物表面， 使用經Ni/Au金屬化基材之經金屬化部分作爲經處理之目標物4 。該半導體晶片與該經Ni/Au金屬化之基材於空氣中校準之後 ，於230°C下於帶型爐中於氮氛圍（氧濃度：百萬分之80份數) 中逆流。該半導體晶片及該經Ni/Au金屬化之基材上未進行電 漿處理時，該半導體晶片無法藉著逆流步驟與該經Ni/Au金屬 化之基材連接。然而，當該半導體晶片及該經Ni/Au金屬化之 基材上已進行電漿處理時，該半導體晶片藉著逆流步驟與該經 Ni/Au金屬化之基材得到良好連接狀態。實驗條件及評估結果 係列示於表3。 實施例8 . 使用基本上與圖1之裝置相同的電漿處理裝置進行電漿處理 ，不同處係使用圖5所示之電漿生成器。電極1 A，2 A各係藉著 於具有實質三角形剖面之不錄鋼管上形成一作爲介電層6之氧 ‘化鋁層而製得。該不銹鋼壁厚係爲1毫米。該三角形剖面之各 側邊尺寸係爲1 0毫米。每個電極1A，2 A之頂點部分皆具有彎 -23 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I*—---------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518367 Λ7 \Μ 濟 部 智 慧 財 產 局 費 合 作 社 印 η 五、發明說明（21 曲表而R。該彎曲表而R之曲徑係爲3毫米。放電空間22係於該 觉極I A ’ 2 A之弩曲表而R間界定。電極間之距離係爲1毫米。 把”贫堂法形成一介電層6，厚度約5〇〇微米。個別電極之 周阁表而的平均表而糙度係爲50微米。於電極旁放置一對由鐵 张龍®所製造之電漿導引元件5〇。該電漿導引元件5〇之斜邊長 度係馬15毫米。於該電漿處理期間，使用離子交換水於該電極 1 A ’ 2 A中循環以作爲冷卻劑9。欲處理之目標物*係藉著於一 石夕晶圓上形成】微米厚之負型抗蝕劑（T〇ky〇 〇hka K〇gy〇 C〇., ⑽製造‘‘⑽R_83，’）M而製備。心生成電浆之氣體係使用氣 與氧之混合物氣體。氦之流量係爲10升/分鐘。氧之流量係爲 100毫升/分鐘。 將電極1接地，該電極2係連接於頻率爲1〇〇仟赫兹之交流電 電源13。於該電極間施加交流電電壓（施加電能：15〇〇瓦），以 於大氣壓下生成電仏使用電聚冰目標物4上進行蚀刻處理 二刻處理之後，發現目標物4上並無熱損壞或因流光放電 所致<抽壞。實驗條件及評估結果係列示於表3。 實施例9 電裝處理係使用圖9所示之電漿# m… 水處理农置進行。每個電極卜 錄鋼管（m . sus”M、·人卜“、Α6·35ι米之圓柱型不 用噴：Γ 介電層6係藉㈣μ形成。即，使 用貧搶相不銹鋼管上喷塗150克形成之混合 :‘使 。孩膜係於85〇r下加熱10分鐘， 传到薄μ 知I介電層6之厚度係爲500 ' B上。所 未相都電極1及2之間的距離係

本纸弦尺度_巾目®冢鮮（CNS)A找格（210 X L------------------訂--------- c請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) -24 - 518367 Λ7 五、發明說明（22 A丨公米，處理楷6〇(520毫米（L) κ 352，來（w) χ 2〇〇毫米⑻）係 由封脂製造。每個電極丨及2皆由位於該處理槽之側壁上 少:蝴卡示）支撑。輸送器,！係放置於該處理槽6〇中位於該電 極下。輸送器llif包括多個由鐵錢⑧所製造之时，放置於 該處理槽外之馬達、滑輪、及橡膠帶。該處理槽6〇之問柄結構 係使用具有氣壓型_機制之連線閘如。該處理槽内部係 由外邵利用封裝元件諸如〇型環而與外界呈氣密性。 欲處理之目標物4係使用供液晶使用之破璃 fX3⑽毫米）。所有電極㈣地，而所有電㈣連接㈣ 雷：:⑽仟…流電電源13。於電極丨及2之間施加交流電 -坠（她加寬此：1 〇 Q 〇瓦） #人士今 Μ心大轧壓下生成電漿3。電漿處 水係於電極卜2中循環以作爲冷卻❿。電浆生成 用^係使用氦與氧之混合物氣體。氨之流量係爲分鐘 ^流f係爲Π) 〇毫升/分鐘。目標物4與電極！，2間之垂直 罗=爲5毫米。目標物4係於15毫米/秒之輸送速度下以輸送 “:;二用電漿3,於該目標物4上進行該電漿處理（表面 二IS::此實：例t進行。即，水於該玻璃板上之接觸 、/ %水理之沩進行。接觸角係爲45度=經電喷卢理、 再次測量該接觸角。該接觸角係爲6度。因此二 .二=:Γ蜀角、因㈣之電漿處理而降低。水之接觸角的降 前^二·連=f \此實驗條件及評估結果係列示於表3 3 .田乂、申凊專利範圍及/或附圖中所示 或以任何形式結合而作爲以不同形式進行本發明之材料。固d 訂 .¾ 財 員 工 消 費 印 t 張㈣用 -25 - 518367 Λ7B7 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 c”:， —r丨 ? V.' WC- -.r S 'r^· ί>ν 涔 /七 上、 产‘' ♦ J5>； —7 C^T. i?7 IE 6、 H： W- rc-y $.· i 、二、 Γίν >w^ φ ^, r- c- C^T -t* G~ 5 .- ΡΤ' —- Π <^w GT, /~、' -ο C^T 莽 令 V »r O t-j 莽. \ •Ά > & $ ^^ & ^-U 、〆 & 7^ &*: 力 h. & Γ^· X—ν r/r -,.7 C^v 'frC ΠΓ； 5^· 、~〆 今 f ·， C^T 念 $ ---^ 寸 w ci^ It •3*" iK >—^ 二， w,” —f^- ^*τ C^v V=w 斤. ίτ ?Ό U\ Ξ L/\ Ο L/ι to 7^* s — ro Ξ t — r~^. ，一 W> — ! c«. ίο Vi Lyi S. 1 U-ι 'nv 一 L/i K) > ，一 ψ w-T. > -V·· ro ；rl LO \μ 〇\ 一 一 m r>\ ΙΟ > r 一 ^ P ^ 、一 广、>pr X乙 UJ 卜 1 广、 〇 LO jL·. Ο 一 一 1 § i 1 ! j — -- -------f------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------. 釐一公 I97 2X1012一規A4 S) N (C 準 標 家 國 國 中 用 適 度 j尺 I張 纸 I本 518367 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 ill 五、發明說明（h) Γ-Τ Ρ' r· <r 产·.， ，j广 ί _»___ -C": l'·- cV H冢 三： /V rzrr 二:· "j2T Γ, (j * Pv :=k-， ，、 -—〆 Ύ‘: ψ:. FT 一.：· g£. ί· · 产—- 二"i » 二 Γ\ I y 、· · 三V ϋ: 云· 三'广· r£.: 产、 ____^ rz；z π /ν 舌 r^· ir：< rr： -—〆 Ρ'Τ πτ. 二,、 -‘r C^T 9 7^ 、^' & -l^U- 三 上,、 θ广 C^v *^V- 一 ·： C^T -i- 1 —.r c^-τ 转 (f- i C7" Q TV i ro 二 : 1 ο LO j 3 C Ο 一 hJ NJ ,Ρ 1 j j ί W- ί: j • r〇 .LO LO '^1 C> | 一 C /-V -0 一 ^Tr ο rJ 〇- 妗2 11 —--------衣--------1T---------(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張&度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518367 Λ7 B7 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i j I ί 1 ! I gl l· -^- '—-Γ〉， 1 1 r? r?. ，、 r-y i ^ j ! ! i I 二/ 二孓 ，—· 二，： 1 ^yj W 云 "Ξ-- 方! 一 ί I j 1 1 二r' -> —:rv —"r- 一广 -^- —τ1* 1 1¾ /^s >—✓ Vr>> «^/ .一 1 \ ^/\ > 1 ^ 1 / ; ί 5 !- II 1 1 '-J ^r\ ί 一 L/1 、.二 一、> 浐3 r^· ^~N S： "TTr 寮 I- Μ 〇 V-v. ro 二 CC U-X 1 0C g to 二 CC I CC 1 2 1'—..---------------IT---------(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度遠用中S國家標準（CNS)A4規格（210^ 297公釐） 518367 A7B7 五、發明說明（2‘ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 P> C^· 3: ί /七 Ξ： 兮 7?，， C 一· 泠 /十 Pr W ^fM； r C 辛 I'^h SCs 乂 s; i z 1 'ιή> cy /十 寸’ • ί^Τ* *τ> 5 δ m /十 §ΐ ά 部丫 Uc 下： r^xr 卜 β .，， G=v : 〇ΓΓΓ S 'Ϊ&1 u> 二 高 ΙΪ 令 〜r. P? s Γ# ‘ 1 〇 h \^\-t ΓΖ.^ ri·· g: 1 ο Γ,, 畔： 、、 > $ X & 哞 § :匕W ；r· ；Fl r^" CP-T 释 t- Ρ 1 [ ( 1 t t 1 1 1 1 § to ο ο LO C7N \J\ 2 L/\ LO 一 斧 S 1 1 I 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 〇 NJ ο ο O1 yr ? ~ > 3t- •矢 〇\ 1 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 ^r\ CC ο % >· 3 ί : --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫—頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNSM4規格（21〇χ 297公釐） 518367 Λ7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印Μ· 五、發明說明（27) 1 [y柱型電極 2 圓柱型電極 3 電漿 4 目標物 5 供氣單元 6 介電層 7 控制器 9 冷卻劑 1〇 電漿生成器 11 輸送器 1 2 供氣容器 13 交流電電源 14 支撑元件 15 供氣管線 16 氣體入口 17 氣體出口 20 冷卻劑供應單 21 冷卻劑供應管 22 放電空間 23 冷卻劑排流管 24 溫度計 27 顯示器 30 微電腦 • 3 3 冷卻劑輸送管 J 5 電痕擴散區 40 紅外光透明窗 參考編號列示 50電漿引導元件 60處理槽 6 1氣體入口 62氣體出口 6 3連線型閘極 64弛張室 65分隔板 67狹縫 1 A管狀電極 2A管狀電極 1 B電極 2B電極 1C第一電極 2C弟二電極 1 S平板電極 2S平板電極 3S電漿 4S目標物 6S介電層 22S 放電空間 -30 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----..---------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. 518367 第88118321號申請專利案 残 I':: .，. 泛中文申請妻利範同正本C90年Π月）D8

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1· 一種電漿處理裝置，使用電漿（3)處理置於一放電空間 (22)下游之目標物（4)，該裝置係包括： ϋ二對電極（1，2，1A，2A，1B、2B，1C，2C)，該對電極中 之一的外表面上具有一介電層弘）； 一供氣裝置（5)，用以於該電極間所界定之放電空間中 提供用以生成電漿之氣體；及 一電源（13)，用以於該電極間提供交流電電壓，以於 该放電空間中，生成該用以生成電漿之氣體的電製； 其中該對電極中之至少一電極係具有伸入該放電空間 (22)中之彎曲表面（R)。 2·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其另外包括一電 漿引導元件，與該對電極中之至少一電極相鄰，以引導 該電漿，使得該電漿由該放電空間向外向著該目標物擴 展。 ' 3·如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，其中該電衆引導 元件係與該電極一起整體性地形成。 4.如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該對電極中 之至少一電極係為管狀電極。 5 ·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該對兩極中 至少一電極係為圓柱型電極。 6.如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該對#極係 為一對圓柱型電極，而排列成使得該電極中 〜 丄丫I一貫質與 另一電極平行地延伸。 7·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該伸入，放

   (請先閲讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 訂--- P 518367 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 電空間中之彎曲表面的曲徑係介於1至25毫米範圍内。 8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之電漿處理裝置，其 一冷卻劑提供裝置，用以於該電極内部提供冷^ 卻劑，以於電漿處理期間降低電極溫度。 9. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之電漿處理裝置，其 另外包括一控制裝置，於電漿處理期間使電極溫度保持 於預定溫度或較低溫度。 10·如申請專利範圍第9項之電漿處理裝置，其中該預定溫度 係為250°C。 11. 如申明專利範圍第1至7項中任一項之電漿處理裝置，其 中該電極外表面之表面糙度以算術平均糙度計係介於1〇 至1000微米範圍内。 12. 如申請專利範圍第丨至7項中任一項之電漿處理裝置，其 中忒具$介電層之電極係藉著將以玻璃為底質之材料溶 接於一電極材料上而形成。 13. 如申請專利範圍第丨至7項中任一項之電漿處理裝置，其 中該具有介電層之電極係藉著將陶瓷材料噴塗於一電極 材料上而形成。 14. 如申請專利範圍第丨至7項中任一項之電漿處理裝置，其 中及介％層係由選自氧化鎂及含有氧化鎂之絕緣材料製 造。 15. 如申請專利範圍第丨項之電漿處理裝置，其中用以生成電 漿之氣體係選自惰性氣體、惰性氣體混合物、及惰性氣 體與反應性氣體之混合物。 丄紙張尺度適財國國家^^CNS)A4規格⑵G χ 297 -----— I-裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518367 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 16 ·如申請專利範圍第1至7項中任一項之電漿處理裝置，其 另外包括一輸送器’以將該目標物輸送至位於該電極下 m _ 一 17· —種電漿處理裝置，用以使用電漿（3)處理位於放電空間 (22)下游側邊之目標物（4)，該裝置包括： 多對第一及第二電極（1，2)，該第一及第二電極中至少 一電極之外表面具有介電層（6); 供氣裝置（5)’用以於該放電芝間中提供用以生成電漿 之氣體，每一個放電空間皆係由相鄰之該第一及第二電 極所界定；及 一電源（13) ’用以於該第一及第二電極（1，2)間提供交 流電電壓，以於該放電空間中生成該用以生成電聚之氣 體的電漿； 其中該第一及第二電極係交替排列，使得每個該第一 電極（1)基本上係與相鄰之該第二電極平行地延伸； 每個該第一及第二電極皆具有一管狀結構；且 相鄰之該第一及第二電極（1，2)中至少—電極係具有伸 入该放電空間（22)中之彎曲表面（R)。 18. 如申請專利範圍第π項之電漿處理裝置， 且’具另外包括一 冷卻劑提供裝置，用以於該第一及第-吟 系一电極内部提供冷 卻劑，以於電漿處理期間降低電極溫度。 19. -種電梁處理方法，其係使用如申請：利範園第⑴須 中任-項之電漿處理裝置進行’該方法係包括步驟.’、 於介於該電極間之放電空間中提供用以生成電衆之氣 •3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)^規格（21〇 χ 297公釐 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 tr---------Aw.

   八、申1 請專利範圍 體， 於孩電極間提供一交流電電壓’以於大氣壓下’於該 —工成该用以生成電漿之氣體的電浆；及 使用菽電漿處理該目標物。 -- /種電漿處理方法，並伯你 2°· ”係使用如申請專利範圍第17或1 8 項之電漿處理裝置進行，該方法係包括步驟： 於介於该弟_及第二電極間之放電空間中提供用以生 成電漿之氣體； 於該第一及第二電極間提供一交流電電壓，以於大氣 塵下，於該放電空間中，生成該用以生成電漿之氣體的 電漿；及 使用該電漿處理該目標物。 -------------- (漆先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) tr--------- 經濟部智慧財產扃員工消費合作社印製 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）