TW517292B - Method for forming contact plug of semiconductor device - Google Patents

Description

517292 SS—90132497 五、發明說明（1) 〈發明之範圍〉 本發明係有關於一種形成用作半導體元件之插頭的方 法，特別係有關於一種利用矽之外延成長（s i丨i c〇n epitaxial growth)形成接觸插頭（c〇ntact plug)之方 法，能夠避免由於加工溫度而引致之元件特性之退化 (deterioration) ° 〈先前技藝之描述〉 ik著半‘脰元件之集積化degree)被提 高，電路圖樣群之線幅（line width 〇f · patterns)亦被減少；相應地，新技術乃被發展，以改進· ，兀件之特性；尤其是，新的接觸程序^⑽以以 processes)乃被發展出來，以增加元件操作之效率。 當上部圖樣與下部圖樣間之接觸不穩定時、或當其間 之接觸阻抗（contact resistance)增加時，元件可靠度便 不此传到即使貝現了微細的圖樣線幅（f i n e p a 11 e r η 11 ne w i dth) ’亦難以實現快速運作。因此，於高度集積 之元件中’例如在一具有大於25 6 MB記憶體之元件，可應 用一種自行整列接觸程序（self_al igned c〇ntact process) ’以於上、下部圖樣群之間實現穩定的接觸。 · 習見之接觸程序包括··第一步驟為形成一接觸孔 麵丨 hole)，以露出下部圖樣之一部份；第二步驟乃· 以V私材料注入接觸孔，以形成一接觸插頭；而第三步驟 為形成一上部圖樣，其與接觸插頭接觸。或者是，此種自 灯整列接觸程序包括：第一步驟為形成接觸孔，以露出預

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ΐ: —導電層，以充滿接觸 層研磨（Wishing)，卩形成一門接多觸^^基板區域將導電 成一上部圖樣，與每一接觸1#頭接接觸觸插頭；第四 在自行整列接觸程序中，接觸孔所具有之 其包括字兀線之間、具有微細寬度的矽基板區知: 上、下部圖樣之間實現穩定的接觸。 ^ 在 頭可同時被形成，因此使加卫程序簡化。* 13接觸插 上、下部圖樣之間籍著自行整列接觸程序，達到 的接觸’然而難以控制上、下部圖樣之間的“ (contact reS1Stance)之增加。更詳細的說，由於一 二，石MP〇lySilicon)作為接觸插頭之材料，而石夕基板 ς晶矽乃類似之材料，因此如果有理想的接觸界面狀熊、 ，，兩者間之接觸阻抗非常低。然而實際上，矽基= :石夕間之接觸阻抗相當高，此乃因為接觸形成程序中ς ，之自然氧化層（natural oxide layers) a以及所產/ 之殘餘異物（residues)，皆介於矽基板與多^夕之間， =矽基板之表面會產生蝕刻破壞（etching damagea)所=以 ^此，於習見之接觸插頭形成程序中，為了控制接觸阻 増加，當完成濕蝕刻（wet etching)程序打開接觸几 後’多晶石夕乃立即被沈積。 然而，由於在單位晶胞面績持續地減少的結果，接角 孔之大小會顯著縮小，因此接觸阻抗依照接觸面積的減^

517292 -- 案號90132497____年月日_修正 __ 五、發明說明（3) 之增加仍然難以控制。 有鑑於此’為了解決因為接觸面積減少而使接觸阻抗 增加之問題，一種方法乃被提議出來，其中一藉由選擇的 外延成長（selective epitaxial growth，SEG)所形成之 石夕外延層（silicon epi layer)，乃使用來形成一接觸 插頭。石夕外延層曾被應用於淺接面形成（311&1 1〇w junction formation)與絕緣（is〇iati〇n)，而近來則被應 用作為接觸插頭的形成。 身又’一低壓化學蒸汽沈積法（L 0 w p r e s s u r e

Chemical Vapor Deposition，LPCVD)乃被應用來成長矽❿ 外延層。石夕外延層之成長，在利用lpcvd程序成長矽外延 層中’個由一氟石夕烧（dichlorosilane，DSC，

SiCi2h2)、氫氣（h2)、與氣化氫（HC1)之混合氣體，或一個 矽，（mo^nosilane，MS，SiH4)、氫氣（Η〗）、與氣化氫（HCi) 之混合氣體，再加上摻雜物磷化氫（Ph3)，乃作為反應 然而’習見用以成長矽外延層之LPCVD程序，乃必須 在超過80 0 t之高溫下達成，因此難以得到穩定之元件特 性。即是，當石夕外延層於超過8〇 〇 〇c之高溫被形成，由於 連接範圍中所摻雜不純物，其濃度（c〇ncentrati〇n)相當 且不必要的改變，導致其特性退化。 田 〈發明之總綸〉 有鑑於此，本發明之目的乃提供一種形成接觸插頭之 方法，其中利用矽之選擇的外延成長，以形成一接觸插

517292 案號 90132497 五、發明說明（4) 頭，而元件之特性不會因為矽外延層成長之溫度而退化。 為了實現上述目的’本發明之形成半導體元件之接觸 插頭的方法（Method for Forming Contact Plug Semiconductor Device)，乃依照LPCVD程序，在溫度為 6 0 0至7 0 0。(：時，在形成於絕緣層之接觸孔所露出基板 上成長一矽外延層，而作為一種接觸插頭之材料。該^外 延層乃被成長，其於與矽基板接觸之區域上成為單=石夕 (single crystal silicon)，而於接觸孔之侧壁上成長成 為為多晶石夕（polysilicon)。 依照本發明之形成半導體元件之接觸插頭的方法 (Method for Forming Contact Plug of Semiconductor Device)，藉著LPCVD程序，在形成於絕緣層之接觸孔所露 出之矽基板上，在温度為5 5 0至7 0 0 °C時，於起始成長階段 成長成為單晶矽，然後成長成為非結晶矽（am〇rph〇us s i 1 i c ο η)或多晶石夕，從而成長一石夕外延層作為接觸插頭材 料0 依照本發明之形成半導體元件之接觸插頭的方法 (Method for Forming Contact Plug of Semiconductor Dev i ce )，包括：提供一矽基板，其具有一絕緣層，其中 形成有一接觸孔；依次地對矽基板上之接觸孔所露出之表耀丨 面區域進行乾式洗淨與濕式洗淨（dry and wet cleaning) ’將所得之石夕基板插入於一LPCVD室（chamber)

中；以氫氣烘乾（H2 baking)矽基板表面所露出及已被清 洗之區域；以及，按照現場的LPCVD程序（in-si tu LPCVD Μ 晒

第7頁 517292 案號 90132497 Λ_Η 曰 修正 五、發明說明（5) process) ’在溫度為550至700 C時’使一砍外延層成長於 石夕基板露出之區域’因此石夕基板之接觸區域、與其他區域 具有不同的結晶構造。 上述方法中，MS氣與&氣、或SiCl2H2(DCS)與112氣乃被 用作為反應氣體’而PI氣則被用作摻雜物，以成長石夕外 延層。MS氣或DCS氣之流量（flow)乃被控制為loo至5〇〇 seem，H2氣之流量則被控制為2, 〇〇〇至2〇, 〇〇〇 sccm，而pi 氣之流量則被控制為1〇〇至3 0 0 seem，因此矽外延層之摻3 雜物之濃度變成為1以…至丨” at〇ms/cm3 ;而且，曰矽外 延層於1至2 0 0 Torr之壓力下被成長。依照本發明之形成 半導體元件之接觸插頭的方法（Meth〇d f〇r Fc)rming c=nJaclplug of Semiconductor Device)，乾式洗淨與 >.，、、式洗淨、及&烘乾乃執行於使矽外延層成長之前。 至於上述本發明之目❺、及其他特徵與優點，則參照 列依附圖所作之說明即可得到完全的了解。 〈較佳具體實施例之詳細描述〉 依照本發明之形成半導體元件之接觸插 ΐIίIΐ成長之接觸插頭形成方法中，於矽外延層之成 2::4:有氯：=)氣體，基板之接= Μ刀白，、頁不冋的結晶構造，以降低 第1圖所示為本發明中- 皿又 之貫施例剖面圖。如圆- 卜k層 fen 圖所不，成長一矽外延屏4，认μ社 板1之接觸區域上長虑盔σο ^ ^ Θ 4 於矽基 风為早晶砍4a’而於接總^丨q 長成為多矽4b。 叩％接觸孔3之側壁上

517292 案號 901324Q7 五、發明說明（6) 在此，石夕外延層乃在6 〇〇至7 〇〇它之溫度下成長。一般 使用MS氣與I氣作為反應氣體，而Ρη3氣則作為摻雜物，以 成長石夕外延層4 ;亦可使用DCS氣體以取代MS氣。氣或 DCS氣之流量乃被控制為ι〇〇至5〇〇 sccm，h2氣之流量則被 控制為2,0 0 0至20,〇〇〇 sccm，而Ph3氣則被控制為1〇〇至 300 seem，因此矽外延層之摻雜物之濃度變成*lxl〇lg至 1〇21 atoms/cm3。而且，矽外延層4乃於約j至2〇() T〇rr之 壓力下成長。 ^依照本發明之形成半導體元件之接觸插頭的方法之實 ，例’由於單晶矽乃成長於與矽基板1接觸之區域中，藉 著減少矽基板1與矽外延層4之接觸面積，可以控制接觸曰阻 抗之增力^。而且，亦可以降低矽外延層4之成長溫度，使 之低方、界溫度（criticai 。於本發 明之形成半導體元件之接觸插頭的方法中，由於只有與矽 基板1接觸之區域成長成為單晶矽4a，較佳之成長溫度為 6 0 0 至 7 0 〇。。。 /而且，依照第1圖所示之實施例，單晶矽成長呈圓錐 $ ’亚於圓錐之表面與多矽41)形成接合面。在此，由於接 合面的形成乃當兩種結晶形態矽之入注成長時，因此產 了自然氧化層於接合面上。 ，者’依照此實施例，使用肿3/02電漿（plasma)之乾 、、先淨與使用緩衝餘刻氧化物（B u f f e r e d 0 X i d e E t c h， 與硫酸U2S〇4)之混合溶液之濕式洗淨，分別於成長矽 夕延層4之前約2〇至3〇秒被執行。之後，於LpcVD室中執行

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I烘乾，以大約70 0至1，〇〇〇七之溫度及6〇至3〇〇秒之時 間’以成長碎外延層。 第^圖所示為本發明中利用接觸插頭以成長矽外延層 之另一貫施例剖面圖。如圖所示，起始階段乃使矽外延層 4成長、，成為單晶矽43，即是，自矽基板】成長至5〇〇 λ 然後成長成為非結晶矽，或更佳地成為多矽4 b。 在此’一般使用MS氣與I氣作為反應氣體，以成長矽 外延層4，如前述之實施例所示；然而，亦可以DCS氣取代 MS氣，而PH3氣則被用作為摻雜物。MS氣或DCS氣之流量乃 被控制為100至5 0 0 seem，H2氣體被控制為2, 〇〇〇至2〇, 〇〇〇 _丨 seem ’而PH3氣之流量則被控製為1〇〇至3〇() sccm，因此石夕 外延層之摻雜物濃度會保持在為1 X 1〇〗9至丨，at〇ms/pc之 間；而矽外延層4則成長於1至2〇〇 Tor r之壓力下。 同樣的條件下，執行先前實施例起始階段之矽外延層 4之成長。即是，執行單晶矽4a之成長階段！分鐘，較佳地 執行3 0至6 0秒。於5 5 0至6 5 0 °C之溫度下執行非結晶矽或多 晶矽4b之成長，更佳地執行於55 0至610 °C之間。而且，依 照此實施例，使用NF3/02電漿之乾式洗淨、以及使用β〇Ε與 ISO4混合溶液之濕式洗淨，乃於矽外延層之成長前分別被 執行2 0至30秒。然後，於LPCVD室中執行112烘乾，以約7 0 0鲁 至1，0 0 0 C之溫度、及執行約6 〇至3 〇 〇秒，使石夕外延層成 長。 依照本發明之形成半導體元件之接觸插頭的方法之又 一實施例，藉著減少矽基板1與矽外延層4之接觸面積，以

第10頁 517292 _ 案號90132497_年月日 修正_ 五、發明說明（8) 及降低加工程序之溫度，可以控制矽基板1與矽外延層4之 接觸阻抗。 第3圖所示為本發明中利用接觸插頭以成長矽外延層 之又一實施例剖面圖。 首先，於矽基板1上以習見半導體之製造方法形成隔 離層群ll(isolati on layers)，以定義一活動區域 · (active region)，然後於矽基板1之活動區域上形成一閘 ， 氧化層 12(gate oxide layer)、一 閘電極I3(gate electrode)、其包括多石夕圖樣i3a(polysilicon pattern) 與一鎢圖樣1 3b( tungsten pattern)、以及一硬光罩層 φ 14(hard mask layer)。然後，一氮化物墊體 i5(nitride layer spacer)形成於此疊層閘構造之侧壁上。同時地， 沈積一插入絕緣層16(interlayer insulating layer)於 所得之構造上，然後將插入絕緣層1 6研磨或回蝕刻（et ch back)，使之露出硬光罩14。接著形成一接觸孔（圖未示） 以露出此層疊構造之一部份、以及矽基板之一部份。 然後，為了除去自然氧化層群、以及形成於露出來之 石夕基板1上之殘餘異物（r e s i d u e s )，以及為了復原餘刻程 序形成接觸孔時所形成於基板表面上之蝕刻破壞，以使用 NFs/〇2電漿之乾式洗淨、以及使用b〇e與}12304混合溶液之濕· 式洗淨，分別執行2 0至3 0杪。之後，將所得到之構造插入 於LPCVD室中，以進行矽外延層之成長，並以7〇〇至丨，〇〇〇 °C之溫度、60至3 0 0秒之時間執行H2烘乾。 接著，於接觸插頭形成區上，藉由LPCVD程序之矽外

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，成長’-矽外延層4乃被成長作為接觸插頭之材料，即 疋，形成於矽基板上層的疊層構造之間，—矽外延声4 被成長’作為接觸插頭之材料。石夕外延層4乃以低於a7〇(rc 之溫度被成長，較佳地以60〇至7〇〇1 ,並於盥矽基板i 觸之區域成長成為單晶矽4a、以及於接觸孔;側壁上成長 ，為^石夕4b。而且，如上所㉛’一般使用Ms氣與氣作為 反應氣體，而PI氣則作為摻雜物，以成長矽外延層4 ;然 而亦可使用DCS氣以取代MS氣。而且，；5夕外延層4乃於1 至200 Torr之壓力下成長。 、 與此同時，對矽外延層4執行化學機械研磨（Chemical Mechanical P〇l i shi ng，CMP)或回蝕刻（etch back)，從 而形成一包括矽外延層4之接觸插頭丨6。 第4圖所示為如第3圖中半導體元件之TEM相片圖。相 片中所不之元件中，矽外延層乃以6 3 5它之溫度、約丨2 〇

Torr之壓力成長。ms氣之流量乃控制為2〇〇 sccm，h2氣之 流量控制為5,〇〇〇 sccm，而ph3氣之流量則控制為30〇 seem。如相片中所示，單晶矽4a於接觸區域上自矽基板1 成長呈圓錐狀，而於其他部份則成長成為多晶矽。 如上所述，依照本發明之形成半導體元件之接觸插頭 的方法’矽外延層於與矽基板接觸之區域上成長成為單晶_丨 石夕’且於其他區域成長成為多矽。因此，可以低於700 t： 之溫度成長矽外延層，從而得到一接觸插頭，改進了其與 矽基板分界面之特性。 總而言之，依照本發明之形成半導體元件之接觸插頭 (10) (10) 五、發明說明 的方法， 於接觸孔 態，可降 700 t。 因此 阻抗之增 長，從而 可以節省 集積化與 習見者之 定，懇請 需陳 例，若依 仍未超出 範圖内， 其使用一矽外延層作為接觸插頭之材料，β ，不同區域中成長矽外延層成為不同的結蓋 氏矽外延層之成長溫度低於臨界溫度，即低 ，藉著矽外延層以形成接觸插頭，能夠避免 加。而且，亦能夠在較低溫度中使矽外延層 避免因為製造溫度過高而引致元件特性退化 Ά力的供應。結果，本發明能夠有效地應用 ^速元件中。而本發明之諸等功效確實可以 弈而且並未見諸公開使用，合於專利法之 賜予專利，實為德便。 月者以上所述者乃是本發明較佳具體的實 j务明之構想所作之改變，其產生之功能作 5兄明書與圖示所涵蓋之精神時，均應在本創 合予陳明。 r藉著 形 於 接觸 成 ，更 於高 改進 規 施 用， 作之 517292 案號 90132497 年 月 曰 修正 圖式簡單說明 第1圖所示為本發明中利用接觸插頭以成長矽外延層 之實施例剖面圖。 第2圖所示為本發明中利用接觸插頭以成長矽外延層 之另一實施例剖面圖。 第3圖所示為本發明中利用接觸插頭以成長矽外延層 之又一實施例剖面圖。 第4圖所示為如第3圖中半導體元件之TEM相片圖。

〈圖示中元件編號與名稱對照〉 1 :矽基板 3 :接觸孔 4 : $夕外延層 4a 單 晶句7 4b 多 晶碎 12 閘 氧化層 13 閘 電極

1 3 a :多矽圖樣 1 3 b :鎢圖樣 14 :硬光罩層 1 5 :氮化物墊體 1 6 :插入絕緣層

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Claims (1)

1. 517292 案號 90132497 六、申請專利範圍 年月曰 修正 步驟： 1 · 一種形成半導體元件之接觸插頭的方法，包括 以 其中使接觸孔之底部露出 形成一絕緣層於;6夕基板上； 於絕緣層中打開一接觸孔， 矽基板之一部份；以及 於接觸孔中在6 0 0至70 0。〇的溫度下，利用低壓化 汽沈積法（LPCVD)選擇地成長一矽外延層，其中之選擇的、、、 外延層包括二單晶矽區域、及一多晶矽或非結晶矽區域'; 其中之單晶矽成長於矽基底以及與其接觸之區域； 而多晶矽成長於接觸孔的側壁區域。 2·如申請專利範圍第1項所述之形成半導體元件之接 觸插頭的方法，所述外延層成長的反應氣體乃含有 MS(monosilane，8丨114)與112之混合氣體、或含有 DSC(dicl〇r〇Silane，SiCl2H2)與!!2之混合氣體、以及—pH 摻雜氣體者。 ^ 3·如申請專利範圍第2項所述之形成半導體元件之接 觸插頭的方法，其中之MS氣或DCS氣之流量乃被控制為丨〇〇 至500 seem，以及H2氣之流量乃被控制為2, 〇〇〇至2〇, 〇〇〇 seem 。 4 ·如申請專利範圍第2項所述之形成半導體元件之接· 觸插頭的方法，在摻雜物濃度為1 X 10〗9至1〇2! atmos/cm3 之間時，PH3氣之流量乃被控制丨00至3〇〇 seem之間者。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之形成半導體—元件之接 觸插頭的方法’其中選擇地成長矽外延層之步驟乃實施於

   第15頁 517292 ______案號 90132497___♦ j 日 六、申請專利範圍 璧力為1至200 Torr之間者。 6·如申請專利範圍第1項所述之形成半導體元件之接 觸插頭的方法，其中於所述矽外延層成長之前，更包括·· 對在接觸孔露出之矽基板區域的表面施以乾式洗淨與渴式. 洗淨以及以H2烘乾的程序。 ”、 7·如申請專利範圍第β項所述之形成半導體元件之接 觸插碩的方法，其中施以乾洗淨程序之 肝3/02電漿處理20至3。秒者。 鄉更匕括以 8 ·如申請專利範圍第6項所述之形成半導體元件之接 碩的方法，其中施以濕式洗淨程序之步驟更包括以緩 r氧化物蝕刻劑（Buffered 之混合溶液處理2 〇至3 〇秒者。 ” 2 4 _·如申明專利範圍第6項所述之形成半導體元件之接 1 f =的方法’其中之烘乾步驟更包括以&在7〇〇至1， 之溫度現場處理（丨11-311：11)約6〇至3〇〇秒者。 如申請專利範圍第丨項所述之形成半導體元件之 碩的方法，其中選擇地成長一矽外延層之步驟更包 PrvrfJ^成絕緣膜之接觸孔所露出之石夕基板區域上，以 私序以接觸插頭之物質，成長矽外延層； 期階=在5 50至露的溫度下成長，成長初 1 ，、成長早s曰石夕，以後成長多晶矽與非結晶矽者。 1 ^ 如申請專利範圍第1 〇項所述之形成半導體元件< 接觸插頭的七i α , τ ^ 只的方法’所述矽外延層成長的反應氣體包括

   517292 --—---—案號 90132497 _^^_3_一修正 __ 六、申請專利範圍 之混合氣體、或含有〇8(：(3丨(：12112)與112之混合 氣體、以及PH3之摻雜氣體者。 1 2 ·如申請專利範圍第丨丨項所述之形成半導體元件之 接觸插頭的方法，其中之MS氣或DCS氣之流量乃被控制為 100至5 0 0 sccm ; h2氣之流量乃被控制為2,〇〇〇至20,0 0 0 seem 〇 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述之形成半導體元件之 接觸插頭的方法，其中在摻雜物濃度為1 X丨〇19至丨〇2〗 atmos/cm3之間時，ph3氣之流量乃被控制於1〇〇至3〇〇 sccm 之間者。 14 ·如申請專利範圍第10項所述之形成半導體元件之 接觸插頭的方法，其中選擇地成長矽外延層之步驟乃實施 於壓力為1至200 Torr之間者。 1 5 ·如申請專利範圍第1 0項所述之形成半導體元件之 接觸插碩的方法’其中之單晶矽之高度為到5 〇 〇 X為止 者。 1 6 ·如申請專利範圍第丨5項所述之形成半導體元件之 ，觸插頭的方法’其中成長單晶矽之步驟乃進行3 〇至6 〇秒 垃17·—如申請專利範圍第15項所述之形成半導體元件之 ?插頭的方法’其中成長單晶矽之步驟乃於約6〇〇至 C之溫度下進行者。

   第17頁 J l I厶y丄 J l I厶y丄

   案號90132仙7 申請專利範圍 6 5 0 °C之溫度下進行者。 19·如申請專利範圍第1〇項 接觸插頭的方法，其中成長多、曰々迷之形成半導體元件之 5 50至610 °C之溫度下進行者^晶石夕或非結晶矽之步驟乃於 2 0 ·如申請專利範圍第1 〇項戶斤 f 接觸插頭的方法，其巾於所述:^之形成半導體元件之 括： 外延層成長之前，更包 對在接觸孔露出之石夕基板 濕式洗淨以及以&烘乾的程序。°°成的表面施以乾式洗淨與 2 1 ·如申請專利範圍第2 〇 一 接觸插沾士、αχ , 、 述之形成半導體元件之 叩3/〇2電1 线賴謂秒者 4_序之㈣更包括以 接觸專利範圍第2。項所述之形成半導體元件之 插碩的方法，纟中施以濕式洗淨程序之步驟更包括以 ^衝氣化物蝕刻劑（Buffered 0xide Etchant ,Β〇Ε)與 Η4〇4之混合溶液處理2〇至3〇秒者。 2 3 ·如申請專利範圍第2 〇項所述之形成半導體元件之 接觸插頭的方法，其中之烘乾步驟更包括以&在8〇〇至9〇() °C之溫度現場處理⑽至3 〇 〇秒者。 2 4 · —種形成半導體元件之接觸插頭的方法，依序地 包括以下步驟： 準備一珍基板； 形成一絕緣層於矽基板上； 形成一接觸孔於絕緣層中，以露出矽基板之一部位；

   第18頁 517292 __案龜90132497_年月日 絛正_ 六、申請專利範圍 將矽基板露出之部位乾式洗淨； 將矽基板露出之部位濕式洗淨； 將矽基板插入於一LPCVD裝置中； 將已被乾式洗淨與濕式洗淨之砍基板露出之部位以1 ，· 烘乾；以及， 伙所述接觸孔路出的碎基板區域上’以L p c V D法，在 550至7 0 0 °C之溫度，以接觸插頭之物質選擇地成長一外延 -矽部位，並使所述矽基板與接觸區域與其他部位之間有不 同的結晶構造。 2 5 ·如申請專利範圍第2 4項所述之形成半導體元件之. 接觸插頭的方法，其中乾式洗淨之步驟更包括以NF3/〇2電 漿處理20至30秒者。 2 6 ·如申請專利範圍第2 4項所述之形成半導體元件之 接觸插頭的方法，其中濕式洗淨之步驟更包括施以BOE與 之混合溶液20至3 0秒者。 2 7 ·如申請專利範圍第2 4項所述之形成半導體元件之 接觸插頭的方法，其中之}12烘乾步驟更包括以7 0 0至1，〇 〇 〇 C之溫度處理6 〇至3 〇 〇秒者。 2 8 ·如申請專利範圍第2 4項所述之形成半導體元件之_ . 接觸插頭的方法，其中之矽外延層係，在矽基皮及與其接· 觸區域，成長單晶石夕，而在所述接觸孔之側壁形成多晶 石夕〇 2 9 ·如申請專利範圍第2 8項所述之形成半導體元件之 接觸插頭的方法，其中所述矽外延層係在6 0 0至7 0 0。(：之溫

   第19頁 517292 曰 修正 案號 901324Q7 /、、申请專利範圍 度下成長者。 3〇·如申請專利範圍第24 到5〇〇 A為止，成長單結晶矽，以\層係，從矽基板之表面 矽或多晶矽者。 的厚度則成長非結晶 3 1 ·如申請專利範圍第3 〇項 、 接觸插頭的方法，#中所述單晶 1成半導體元件之 間進行。 曰曰夕之成長係，在30至60秒 3 2 ·如申請專利範圍第3 〇 接觸插頭的方法，其中成長多、曰/形成半導體元件之 55。至65。。。之溫度下進：長…或非結晶…驟乃於丨 33·如申請專利範圍第24項所述之形 接觸插頭的方法，其中所述 > 卜 _ ^ ^ ώ,ϋ τ斤、夕外延層成長的反應氣體包括 曰Ϊ麟4)削2之混合氣體、或含有DSC(Si Cl2H2)料之 此a虱肢、以及pi之摻雜氣體者。 #紹7 ·-如申咕專利範圍第2 4項所述之形成半導體元件之 $ η /頭的方法，其中Ms氣或DCs氣之流量乃被控制為1 0〇 SCCm，H2氣之流量乃被控制為2,00 0至20,00 0 seem ° 3 5 ·如申請專利範圍第2 4項所述之形成半導體元件之< 接觸插頭的方法，其中在摻雜物濃度為1 X丨〇19至丨 atmos/cm3之間時，ph3氣之流量乃被控制於1〇〇至3〇〇 sccm 之間者。 3 6 ·如申請專利範圍第2 4項所述之形成半導體元件之 第20頁 517292

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