TW515848B - Tantalum sputtering target and process of making same - Google Patents
Tantalum sputtering target and process of making same Download PDFInfo
- Publication number
- TW515848B TW515848B TW088106727A TW88106727A TW515848B TW 515848 B TW515848 B TW 515848B TW 088106727 A TW088106727 A TW 088106727A TW 88106727 A TW88106727 A TW 88106727A TW 515848 B TW515848 B TW 515848B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- forging
- patent application
- scope
- target
- metal object
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 21
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 15
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 title claims description 14
- 238000005242 forging Methods 0.000 claims abstract description 51
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims abstract description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 18
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 17
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000005496 tempering Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims description 10
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 239000010985 leather Substances 0.000 claims description 3
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 1
- 238000005478 sputtering type Methods 0.000 claims 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 5
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000001036 glow-discharge mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
- C22C27/02—Alloys based on vanadium, niobium, or tantalum
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21J—FORGING; HAMMERING; PRESSING METAL; RIVETING; FORGE FURNACES
- B21J5/00—Methods for forging, hammering, or pressing; Special equipment or accessories therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Forging (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
515848 4527pif2.doc/008 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(ί ) 本發明是有關於一種具有精細均一結構與構造之金屬 物件及該物件之製造方法。詳言之,所述金屬物件型式特 別適用於濺鍍祀。高純度金屬與合金的濺鍍靶廣泛的被應 用於電子與半導體薄膜濺鍍工業。而得到更大尺寸的濺鍍 靶是刻不容緩的課題。 因此本發明就是在提供一種高純度钽之金屬物件,如 爲具有實質上實質上均一構造之濺鍍靶。尤其是本發明還 包括一至少約99.95wt·%钽與實質上實質上均一的{100}立 方體構造之鉬濺鍍革巴。 鉬濺鍍靶的製造方法揭露於與本案同日申請之申請案 第______號,該申請案納入本案參考。此製造方法包括: 1) 提供一金屬條狀靶材; 2) 加熱此條狀靶材至一低於此金屬再結晶溫度之锻造 溫度; 3) 於將進行鍛造的條狀靶材之末端與鍛造機之壓力板 間提供一固體潤滑物,其中條狀靶材將進行鍛造以降低鍛 造時產生的摩擦力; 4) 鍛造此條狀靶材至縮減率約爲70%至95%時所需的 條狀靶材厚度; 5) 將鍛造過的條狀靶材降至約室溫的溫度; 6) 對此條狀靶材進行滾軋,使每經一次滾軋’其厚度 具有一縮減量以足以提供接近均一的應變分佈;以及 7) 再結晶回火此滾軋過的板狀物。 如此有助於在提供足夠厚度的固體潤滑物之前,於條 4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝---- 1T·—------ 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 B7 經濟部智慧財崖屬員工诮費合作社印製 515848 4527pif2.doc/008 五、發明說明(>) 狀靶材的兩個末端以機製成淺的開口。此條狀靶材之锻造 溫度較佳爲低於靜態再結晶之最低溫度的溫度,接著於一 時間與溫度下進行滾軋、回火,以提供靜態再結晶之啓使 階段。 每次的滾軋縮減率與每次的最小縮減率、滾筒半徑及 在鍛造之後所需的條狀靶材厚度有關。通常滾軋過程中每 次的縮減率約爲10%至20%。 本發明另一實施例包括一種例如爲濺鍍靶的金屬物 件,其具有一接近最小値之靜態結晶的晶粒大小,以及均 一的構造。 , 本製程可應用於不同的金屬及合金,其等在低於其靜 態再結晶溫度下具有好的延展性與操作能力。其中本發明 之金屬可以是 A卜 Ti、Ta、Cu、Nb、Ni、Mo、Au、Ag、 Re、Pt與其他金屬,和其等之合金。本方法實施例之一包 括將錠塊(ingot)製成半完成的條狀靶材之步驟,其例如包 括融化、錠塊鑄造、均質化/溶液化之加熱處理、打斷鑄 造結構的熱操作、以及緊接著塑造條狀靶材與熱機械處理 等步驟的條狀靶材預處理等,以製成例如爲濺鍍靶的成 品、並精煉此冶金結構、以及製成一所需的構造。藉由本 發明一實施例的方法,利用低溫/較高溫操作與回火以製 成非常精細、均一結構與堅固、均一的構造,其可於濺鍍 革巴的效率上得到很大的改善。 圖式之簡單說明 第1圖爲钽祀材顆粒結構之顯微相片,此爲祀材中心 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
515848 A7 B7 4527pif2.doc/008 五、發明說明(、) 位置,爲100x25微米。 第2圖爲鉬靶材顆粒結構之顯微相片,此爲靶材半徑 的中點位置,爲100x25微米。 第3圖爲钽靶材顆粒結構之顯微相片,此爲靶材邊緣 位置,爲100x25微米。 第4圖爲{100}立方構造之反極圖(inverse pole figure),此爲粑材的中心位置。 第5圖爲{100}立方構造之反極圖,此爲靶材半徑的 中點位置。 第6圖爲{100}立方構造之反極圖,此爲靶材的邊緣 位置。 實施例 爲了 使熱機械處理(thermomechanical treatment)最佳 化,需於再結晶回火步驟之前得知其等値(intensive)與均 一的應變。典型的濺鍍靶爲一薄的圓盤,此圓盤係對單一 條狀靶材(billet)進行滾軋或鍛粗-鍛造製程所形成的。於上 述兩種情形,其條狀靶材由原始長度(H〇)降低至一最終厚 度(h),而其平均應變以下列方程式計算如下: (1) 8 = (l-h/H〇) 1〇〇〇/0 = [l-(M/M〇) 2/3] 100% 其中M〇 = H0/D0與M=h/d分別爲原始條狀靶材與其 成品之高度對直徑比。最終比(M)係描述所欲形成的靶材 形狀,且通常介於Μ=〇·〇7到Μ=0·5間,而原始條狀靶材 比Μ〇大約介於1.86到〇·5間,如此上述方程式(1)所得到 的應變範圍如下: 6 $紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 χ 297公敕)------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ~ --------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 515848 A7 B7 4527pif2.doc/〇〇8 五、發明說明(Μ) 73% < 8 <95% (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 方程式(2)中的高應變量僅足以最佳化薄的靶材之靜態 再結晶操作。但對這些靶材而言,其應變分佈的非均一性 的確會嚴重地降低某些區域的應變値。而且,對一些應用 而言’必需提供大的條狀靶材上述方程式(2)所需的鍛造壓 力或滾軋碾磨程度也許會過高。因此,利用滾軋或鍛造操 作以得到所需的應變將會受到一些限制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 滾軋爲最適合進行薄且大之靶材的製造方法。但原始 條狀耙材比Μ〇最好小於1,否則於長圓桶狀鞭材的滾軋 操作過程中所產生的末端效應(end effect)將會造成應變分 佈非常嚴重的不均勻性。此外,爲了提供薄的靶材較均一 的應變,較佳的滾筒直徑應遠大於靶材的厚度,且每次滾 軋的縮減量亦會影響其結果。如上所述,滾軋過的條狀革巴 材具有類似凹洞形狀,且在接觸表面具有最大的應變,而 在條狀靶材之中間部分具有最小的應變。最近日本專利第 08-269701號曾揭露一鈦靶材,其係將原料等値低溫地滾 軋成片狀,且低溫回火以製成。然而,此種技術不能應用 於平板狀(plate),雖然一些靶材部分需要細小的顆粒,但 是日本專利資料顯示於顆粒半徑上產生了極大的偏差。 鍛造時應變的非均一性比滾軋的應變非均一性大。由 於接觸的摩擦力,將會在條狀靶材的中心部分產生廣大的 死金屬區(dead metal zone)。如此,將導致這些區域具有 低的應變、高壓以及薄靶材的負載。對由具有大的厚度對 直徑比之大條狀靶材锻粗成塊狀靶材,其需要非常大的壓 7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 5848 A7 B7 4527pif2.doc/008 五、發明說明(P) 力與昂^的工具,然而卻無法製造出具有均勻顆粒直徑的 成品。這就是爲什麼鍛造操作較適用於只有鋼錠鑄造 ingot)之熱朋潰(hot breakdown)的原因。 解決上述問題的方法之一揭露於日本專利第〇8_232〇61 號中。此專利係描述在一低於相轉變溫度的溫度下,對鈦 靶材進行結合鍛造與滾軋的方法。此製程係於一低於相轉 變溫度的溫度下進行,但較佳溫度爲厚的處理過的材料之 I#恶再Ια日日iW度。結果,此製程不能最佳化再結晶,而形 成非常細小且具均一的結構/構造。 與習知技藝比較,本發明還包括: (1) 進行無摩擦力鍛粗的锻造步驟,以提供應力_應變 均一性,與等値且不使材料碎裂及超過負荷壓力的操作; 以及 (2) 於低於最小靜態再結晶溫度的溫度下,進行锻造步 驟,以提供此狀況下最細小且最均勻的結構/構造。此鍛 造、滾乳與回火等步驟能夠被最佳化而提供具有成本效率 的操作與靶材效率。 原始的條狀靶材爲圓柱狀,具有一體積與長度對直徑 比M〇。較佳是進行低溫鍛粗,但在某些情況下,預熱條 狀靶材與其工具至低於靜態再結晶溫度的溫度是可以降低 運作的壓力與負載。兩薄片的固體潤滑物(3)置放於條狀靶 材末端與裝設於壓力機(press)的鍛造盤(4)之間。結果發現 最佳係使用在運作狀態下具黏彈性(visco-elastic)的潤滑聚 合物,例如聚乙烯、聚四氟乙烯、或聚氨基甲酸酯。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂--------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 515848 4527pif2.doc/008 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(厶) 本發明之黏彈性聚合物是用來完全分離條狀靶材與使 用的工具。在鍛粗過程中,聚合物將流入並與條狀靶材接 觸。藉由本發明,條狀靶材原始比(M〇)可達=1.86,聚 合物潤滑膜能夠使局部縮減率增加至75%。由於原始條狀 靶材比M〇 =1.86的增加,大部分情形下所得到結合均一 應變分佈之應變(見方程式(1),其較方程式(2)爲佳)限制 (3) 87% < ε <95% 可使熟知此技藝者最佳化其再結晶狀態。再者,於锻造(達 Μ=0·16)之後,薄的條狀靶材可提供後續滾軋的最佳狀態。 對預先被锻造的條狀靶材進行滾軋以進一步的減少其 厚度。此外,亦可使用低溫或較高溫的滾軋。滾軋可以兩 個或四個相互垂直的方向進行,以製造具有類似圓形之成 品。重要的是,於控制滾筒直徑對條狀靶材厚度比(/Η)、 條狀靶材厚度對直徑比(Μ)與每次滾軋的縮減率之滾軋過 程中,能夠提供最均一的應變分佈。其重要在於能防止圓 柱狀的條狀靶材在滾軋之初沿著其自由表面產生的變形。 變形面積(Τ)約等於條狀靶材-滾筒的接觸長度(L),而當第 一次滾軋後接觸長度大於條狀靶材之厚度(hi)時,其變形 情形即可消除。換句話說,若L>H,則(4) 在此Φ爲滾筒直徑,ε = (1-h/H) 100%爲每經一次滾軋的 縮減量。計算式(4)所得不同的縮減率列於表1。 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公t ) "~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 訂——丨----AW. 515848 4527pif2.doc/008 A7 B7 五、發明說明(7 ) / 表1 ε 5% 10% 15% 20% 25% φ/Η 36 16 9.7 6.5 4.6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如同所得結果,在平均縮減率或少於15%時,滾 筒的直徑至少約10倍(表1中的9.7)於圓柱狀條狀靶材的 厚度。在另一方面,滾軋時使用細長的條狀靶材而沒有經 過鍛粗,其可能會降低縮減率(1)。習知滾軋靶材時會有兩 個缺點,即非均一性與低縮減率,此均不能使結構最佳化。 本發明係以預先對條狀靶材進行鍛粗達所需的厚度(H) ’ 而提供高的滾筒直徑對條狀靶材厚度(/H)比。而進行鍛粗 操作的同時,亦提供一約少於0.5的預滾軋條狀靶材比 (m),此對沿著條狀靶材滾軋而達到均一的滾軋縮減率是 有幫助的。部分由約10%至約20%的滾軋縮減率亦有助於 最終成品接近均一的應變分佈。低於約的浪軋縮減率 在條狀靶材的表面將造成高的應變,而超過約18%的滾軋 縮減率在條狀靶材的中心部分將造成高的應變。最佳實施 例爲利用所有的參數定義出靶材進行鍛粗與滾軋操作時最 佳化的結果。 靶材製程的最後步驟爲再結晶的回火步驟。對許多金 屬與合金而言,方程式(3)的應變足以最佳化靜態再結晶。 爲達此目的,首先,必需決定出達靜態再結晶的最低溫度’ 接著決定出在所有條狀靶材體積完成的最短時間。而對應 此參數的結構其具有最小的顆粒直徑與每局部面積內顆粒 10 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝 1T---------- 適 1度 尺 張 紙 本 格 規 4 )A S) N (C 準 標 - 515848 A7 B7 4527pif2.doc/008 五、發明說明(1)) 直徑的最低分佈。當本發明提供均一的應變於條狀靶材任 何部分時,靜態再結晶的最低溫度即爲在最短的時間內整 個條狀¥E材的最佳化溫度。如此可得到非吊細小且均一'結 構,以及堅固與均一構造的靶材成品。 本發明之另一實施例係在少數具有可連續降低條狀靶 材厚度與每個步驟薄膜潤滑物的再使用步驟中進行鍛造。 以此種方法鍛造也許可形成低的條狀靶材厚度’而不會造 成無摩擦狀況以及在相對低壓與負載下應變均一性的扭 曲。但若持續進行鍛造至最終的粑材厚度而沒有進行滾乳 時,將提供一靶材相對的锻造構造。同樣的,在一些特殊 情形下本發明亦可進行滾軋步驟’而不進行具有接近均一 應變分佈的鍛造步驟。 以下例子說明本發明之一實施例。 使用的條狀靶材長度約爲iMmm與l〇〇mm,其材料 係使用高純度的鉅(99.95%或更高)。 鉬靶材之成分列於表2 ’靶材包括99.95%的钽與其他 成分均列於表格中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ · I ϋ I ϋ H ϋ ϋ 一一tfJ in ϋ ·ϋ n _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 515848 A7 B7 4527pif2.doc/008 五、發明說明(1 ) 表2 --- ——----- —----- 少、 元素 ----— 表性成分 元素 代表性成分 C 10 Ca <5 0 15 Fe 15 N 15 〜--*--- Mg <5 Η __ <5 Mn 40 Κ __0.001 Mo 40 Li 0.001 Nb 150 Na 0.001 Ni <5 A1 <5 Si 15 B 2 Sn <5 Cu 1 —----1 __ <5 Ti 5 Co W 25 Cr _ <5 Zr <5 表格中單位爲ppm。 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 合 作 社 印 製 C、Ο、N與η係以leCO分析。 Na、Li與κ係以SIMS分析。 金屬兀素係以ICP(電感耦式電漿)或以GDMS(發光放 熱質譜儀)分析。在室溫下進行條狀靶材锻粗-鍛造步驟至 其厚度爲75mm。使用150mm見方且厚度爲i.2mm的鐵 氟龍薄膜作爲無摩擦力鍛粗時的潤滑物(亦可於攝氏300 度下進行無摩擦鍛粗-鍛造)。之後利用直徑915mm的滾 筒’進行沿著45度角四個方向的低溫滾軋操作達十六次, 而每經一次滾軋其局部縮減率爲12%。 12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) Α7 Β7 515848 4527pif2.doc/008 五、發明說明(Θ ) 一 對經由滾軋過的條狀靶材之中心、半徑中點及外表面 進行取樣,此樣品每隔1小時於不同溫度下進行回火,對 其結構與構造進行顯微鏡照相,結果如第I-6圖所示。第 1-3圖分別爲樣品中心、半徑中點及其邊緣之顯微鏡相片, 其顯示鉬耙材之顆粒結構。第4-6圖顯市樣品在中心、半 徑中點及其邊緣之{10〇}結晶方向。 本發明之重要優點之一爲能夠在耙材之任一點’製造 出非常細小、且具均一結構與堅固的均一^構造之成品,而 此爲習知技藝所不能達到的。以下爲各種條狀粑材之尺寸 與其製造具有均一微觀結構與結晶構造之濺鑛耙的製程。 此方法於濺鍍靶操作效率中提供了具重大進步的靶材。 以下例子說明各種可能啓始的靶材尺寸。 條狀靶材高度(Ho) 7,, 6,, 4.5 條狀靶材(Do) 3.75” 3.75 4.5 Mo 1.86 1.6 1 不同條狀靶材尺寸之製造流程。 Μο=1.86 步驟1:於真空下進行條狀靶材的回火 步驟2 :在室溫或在572F下,以鐵氟龍作爲固體潤滑 物進行鍛粗-鍛造,以達滾軋時所需的特定高度 步驟3 :飛刀切削被鍛造的條狀靶材的表面 步驟4:在室溫下對條狀靶材進行滾軋至所需之最終 厚度 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 515848 A7 B7 4527pif2.doc/008 五、發明說明((f ) 步驟5:於真空中回火,以得到細小的顆粒尺寸與均 一之構造 M〇=1.86時之另一製造流程 步驟1:利用鐵氟龍進行鍛粗-鍛造至一高度,使Mo=l.〇 步驟2 :對鍛造的條狀靶材進行真空回火 步驟3 :利用鐵氟龍對條狀靶材進行锻粗-鍛造至滾軋 操作所需的最終厚度 步驟4 :飛刀切削被鍛造的條狀靶材的表面 步驟5 :在室溫下對條狀靶材進行滾軋至所需之最終 厚度 步驟6:於真空中對滾乳的靶材毛坯(blank)進行真空 回火,以得到細小的顆粒尺寸與均一之構造 當Mo=1.6時 步驟1:於真空中對條狀靶材進行回火 步驟2 :在室溫或在572F下,以鐵氟龍作爲固體潤滑 物進行鍛粗-鍛造,至適合滾軋所需的最終高度 步驟3 :飛刀切削已锻造的條狀靶材的表面 步驟4:在適溫下對條狀靶材進行滾軋至所需之最終 厚度 步驟5:於真空中以得到細小的顆粒尺寸與均一之構 造 當Mo=l .0時 步驟1:於真空下進行條狀靶材的回火 步驟2 :在室溫或在572F下,以鐵氟龍作爲固體潤滑 14 丨;^紙張尺度1國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------丨訂·——— - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 515848 A7 B7 4527pif2.doc/008 五、發明說明(c>) 物,對條狀靶材進行鍛粗-鍛造 步驟3 :飛刀切削鍛造的條狀靶材的表面 步驟4 :在室溫下對條狀靶材進行滾軋至所需之最終 厚度 步驟5 ··於真空中回火,以得到細小的顆粒尺寸與均 一之構造 以下對一得到鉅(純度爲99.95或更高)靶材毛坯的製 程實施例進行說明,而此鉬靶材毛坯具有小於50微米之 一最大顆粒尺寸,以及橫跨表面與穿過靶材厚度之一均一 的{1〇〇}結晶構造。 1) 在熱機械製程中,結合無摩擦鍛粗鍛造與滾軋步 驟,進行一條狀靶材的運作; 2) 沿著接觸面得到正向摩擦與能夠增加製程穩定性的 鍛粗操作過程中,進行無摩擦鍛造; 3) 預先決定出鍛粗操作的參數,以增加所累積的應 變’降低壓力承受度與增加有效滾軋; 4) 預先決定出滾軋條件的參數,以得接近均一應變分 佈與圓柱狀的濺鍍靶成品; 5) 以靜態再結晶之最低溫度爲回火溫度;以及 6) 製造一具有非常細小與均一結構與均一堅固構造的 濺鑛靶,此爲習知技藝無法製成的。 本發明當可於不偏離本發明情況下,作各種之更動與 潤飾。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所 界定者爲準,而其申請專利範圍爲: 15 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Claims (1)
- 515848 r~-—---4527pif6.d〇C/( 、、 .爲第 88lft672 』匕f 12 7號申請專利範圍修正才 ^ Lx ,Ί ί六、半普專寿 1範圍 Β8 C8 修正 斤月曰 伶 Tf^g:91 年10 月 23,曰_ 1. 一種鉅濺鍍靶,包括至少99.95重囊百分比的組’ 其中在該鉅濺鍍靶之表面呈現出大體上均勻@ {100} 〇 2. 如申請專利範圍第1項所述之一 _輯灑鑛祀’其 中該濺鍍靶面的最大晶粒钽的尺寸小於50微# ° 3. 如申請專利範圍第1項所述之一 _銀灑鑛祀’其 中該钽濺鍍靶的晶粒平均尺寸爲25微米。 4. 如申請專利範圍第1項所述之一 旦灘鑛祀’其 係藉由一條狀靶材進行無摩擦鍛造的製造過程而製得的^ 5. 如申請專利範圍第1項所述之一__灑鑛祀’ # 鉅濺鍍靶具有一厚度,而遍及在該钽濺鑛靶之該厚度上呈 現出大體上均句的該結晶方向{100}。 i如申請專利範圍第1項所述之鉅濺鑛祀’其中在 該钽濺鍍靶之表面的平均钽晶粒尺寸小於5〇微米1 ° , L一種濺鍍靶,該濺鍍靶具有一厚度,以及包,、· · 遍及在該厚度上之平均钽晶粒的尺寸小& 5〇 以及在遍及該厚度卜呈現出大體上均勻的一結晶方P (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Φ 訂— ------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 {100 卜 L如申請專利範圍第7項所述之一種濺鍍祀’巳、 至少99.95重量百分比的钽,而該濺鍍靶的最大晶粒鉅的 尺寸小於50微米。 L如申請專利範圍第7項所述之一種濺鍍靶’其係 藉由一條狀祀材進行無摩擦鍛造的製造過程而製得的 1如申請專利範圍第7項所述之一種钽濺鍍靶,其 _ —一 本紙張尺度適用中國國(CNS)A4規格χ 297公爱) 515848 4527pif6.doc/012 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 晶粒平均尺寸爲小於或等於25微$。 11^一種形成金屬物件的方法,包括: 提供一金屬材料,包括進行一鍛粗_锻造的钽,該鍛 粗-鍛造係實施於一低於該金屬材料靜態再結晶之最低溫 度的溫度’而g亥锻粗-鍛造包括使用一潤滑劑,以於該锻 粗-鍛造期間完全分離該金屬材料與一锻造工具;以及 於該锻粗-锻造之後,對該條狀靶材進行一加工製 程,以形成一金屬物件,該金屬物件具有呈現出大體上均 勻的一結晶方向{100}的一表面,以及一晶粒平均尺寸小 於50微米。 如申請專利範圍第U項所述之形成金屬物件的 方法,其中該潤滑劑係選自於包括聚四氟乙烯與聚氨基甲 酸酯之族群。 、1如申請專利範圍第11項所述之形成金屬物件的 方法’更包括形成該金屬物件成爲一濺鍍革巴。 1如申請專利範圍第U項所述之形成金屬物件的 方法,其中該鍛粗-锻造是一第一鍛造,以及其中對該條 狀靶材進行該加工製程,以形成該金屬物件之步驟包括另 一鍛造步驟,以減少該金屬材料的厚度。 如申請專利範圍第π項所述之形成金屬物件的 方法,其中該加工製程包括一滾軋。 I如申請專利範圍第I5項所述之形成金屬物件的 方法其中S亥浪軋包括數次操作以及其中每一次操作的縮 减率會使該金屬材料的厚度從10%至20%被減少。 尺度 17 . , I -----------C----------l· I I L--I--線 f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 規格(2】〇χ 297公釐) 515848 4527pif6.doc/012 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 如申請專利範圍第11項所述之形成金屬物件的 方法,其中該加工製程包括再結晶回火。 1如申請專利範圍第11項所述之形成金屬物件的 方法,其中該金屬物件於該鍛粗-鍛造期間包括99.95wt.% 的鉅,以及其中於該鍛粗锻造之後,該金屬物件包括至少 99.95wt.% 的鉅。 1如申請專利範圍第.Π項所述之形成金屬物件的 方法,其中該金屬物件表面包括最大晶粒尺寸小於50微 米。 1如申請專利範圍第11項所述之形成金屬物件的 方法,其中該金屬物件包括一厚度,而遍及在該厚度上之 平均晶粒的尺寸爲25微米。 --I I — 111 I — — I I 1 I 訂- - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 18 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2】〇χ 297公釐〉
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/098,760 US6348139B1 (en) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | Tantalum-comprising articles |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW515848B true TW515848B (en) | 2003-01-01 |
Family
ID=22270767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW088106727A TW515848B (en) | 1998-06-17 | 1999-04-27 | Tantalum sputtering target and process of making same |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6348139B1 (zh) |
EP (1) | EP1088115A4 (zh) |
JP (1) | JP2002518593A (zh) |
KR (1) | KR100512295B1 (zh) |
CN (1) | CN1283830C (zh) |
TW (1) | TW515848B (zh) |
WO (1) | WO1999066100A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI473898B (zh) * | 2011-04-15 | 2015-02-21 | Mitsui Mining & Smelting Co | 太陽電池用濺鍍靶 |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6569270B2 (en) | 1997-07-11 | 2003-05-27 | Honeywell International Inc. | Process for producing a metal article |
US6323055B1 (en) | 1998-05-27 | 2001-11-27 | The Alta Group, Inc. | Tantalum sputtering target and method of manufacture |
US6348139B1 (en) * | 1998-06-17 | 2002-02-19 | Honeywell International Inc. | Tantalum-comprising articles |
US6348113B1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
US20040072009A1 (en) * | 1999-12-16 | 2004-04-15 | Segal Vladimir M. | Copper sputtering targets and methods of forming copper sputtering targets |
US6878250B1 (en) * | 1999-12-16 | 2005-04-12 | Honeywell International Inc. | Sputtering targets formed from cast materials |
US6331233B1 (en) * | 2000-02-02 | 2001-12-18 | Honeywell International Inc. | Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture |
US7517417B2 (en) * | 2000-02-02 | 2009-04-14 | Honeywell International Inc. | Tantalum PVD component producing methods |
JP2001303240A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-10-31 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
WO2001096620A2 (en) * | 2000-05-22 | 2001-12-20 | Cabot Corporation | High purity niobium and products containing the same, and methods of making the same |
WO2001094660A2 (en) * | 2000-06-02 | 2001-12-13 | Honeywell International Inc. | Sputtering target |
JP4825345B2 (ja) * | 2000-08-24 | 2011-11-30 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットとそれを用いたバリア層および電子デバイスの形成方法 |
CN1257998C (zh) | 2001-01-11 | 2006-05-31 | 卡伯特公司 | 钽和铌的坯料及其制造方法 |
MXPA03007490A (es) * | 2001-02-20 | 2004-09-06 | Starck H C Inc | Chapas de metal refractario con textura uniforme y metodos de hacerlas. |
US6770154B2 (en) | 2001-09-18 | 2004-08-03 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target |
US20040016635A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Ford Robert B. | Monolithic sputtering target assembly |
JP4883546B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2012-02-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲットの製造方法 |
JP4263900B2 (ja) * | 2002-11-13 | 2009-05-13 | 日鉱金属株式会社 | Taスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US6921470B2 (en) * | 2003-02-13 | 2005-07-26 | Cabot Corporation | Method of forming metal blanks for sputtering targets |
US20040186810A1 (en) * | 2003-02-14 | 2004-09-23 | Michaluk Christopher A. | Method of supplying sputtering targets to fabricators and other users |
JP4256388B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2009-04-22 | 日鉱金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲット |
US7228722B2 (en) * | 2003-06-09 | 2007-06-12 | Cabot Corporation | Method of forming sputtering articles by multidirectional deformation |
US20040256226A1 (en) * | 2003-06-20 | 2004-12-23 | Wickersham Charles E. | Method and design for sputter target attachment to a backing plate |
WO2005045090A1 (ja) | 2003-11-06 | 2005-05-19 | Nikko Materials Co., Ltd. | タンタルスパッタリングターゲット |
WO2005064037A2 (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-14 | Cabot Corporation | High integrity sputtering target material and method for producing bulk quantities of same |
WO2005080961A2 (en) * | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Cabot Corporation | Ultrasonic method for detecting banding in metals |
AU2005230927A1 (en) | 2004-03-26 | 2005-10-20 | H.C. Starck Inc. | Refractory metal pots |
US8252126B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-08-28 | Global Advanced Metals, Usa, Inc. | Sputter targets and methods of forming same by rotary axial forging |
US7998287B2 (en) * | 2005-02-10 | 2011-08-16 | Cabot Corporation | Tantalum sputtering target and method of fabrication |
EP1876258A4 (en) * | 2005-04-28 | 2008-08-13 | Nippon Mining Co | sputtering Target |
WO2007040014A1 (ja) | 2005-10-04 | 2007-04-12 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | スパッタリングターゲット |
US20070084527A1 (en) * | 2005-10-19 | 2007-04-19 | Stephane Ferrasse | High-strength mechanical and structural components, and methods of making high-strength components |
KR101466996B1 (ko) * | 2006-03-07 | 2014-12-01 | 캐보트 코포레이션 | 변형된 금속 물품을 제조하는 방법 |
US20070251818A1 (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-01 | Wuwen Yi | Copper physical vapor deposition targets and methods of making copper physical vapor deposition targets |
US20080110746A1 (en) * | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Kardokus Janine K | Novel manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
TWI432592B (zh) * | 2007-04-27 | 2014-04-01 | Honeywell Int Inc | 具有降低預燒時間之濺鍍靶,其製造方法及其用途 |
US8250895B2 (en) * | 2007-08-06 | 2012-08-28 | H.C. Starck Inc. | Methods and apparatus for controlling texture of plates and sheets by tilt rolling |
KR101201577B1 (ko) | 2007-08-06 | 2012-11-14 | 에이치. 씨. 스타아크 아이앤씨 | 향상된 조직 균일성을 가진 내화 금속판 |
US9150957B2 (en) * | 2008-11-03 | 2015-10-06 | Tosoh Smd, Inc. | Method of making a sputter target and sputter targets made thereby |
JP4675421B2 (ja) | 2009-03-27 | 2011-04-20 | Thk株式会社 | シリンジ駆動ユニット |
KR101288651B1 (ko) | 2009-05-22 | 2013-07-22 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 탄탈륨 스퍼터링 타겟 |
SG174153A1 (en) | 2009-08-11 | 2011-10-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Tantalum sputtering target |
JP5681368B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2015-03-04 | 株式会社神戸製鋼所 | Al基合金スパッタリングターゲット |
KR20130037215A (ko) | 2010-08-09 | 2013-04-15 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 탄탈 스퍼터링 타깃 |
EP2604718B1 (en) * | 2010-08-09 | 2015-03-18 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Tantalum sputtering target |
JP5731770B2 (ja) * | 2010-08-23 | 2015-06-10 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲット |
CN102517550B (zh) * | 2011-12-20 | 2014-07-09 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 高纯钽靶材的制备方法和高纯钽靶材 |
CN104204282B (zh) | 2012-03-21 | 2017-05-24 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 钽溅射靶及其制造方法以及使用该靶形成的半导体布线用阻挡膜 |
CN103572223B (zh) * | 2012-08-01 | 2016-01-27 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 钽靶材及钽靶材组件的制造方法 |
WO2014097897A1 (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP5829757B2 (ja) | 2012-12-19 | 2015-12-09 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
SG11201505306PA (en) | 2013-03-04 | 2015-08-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Tantalum sputtering target and production method therefor |
CN104128740A (zh) * | 2013-05-02 | 2014-11-05 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种铜靶材的制备方法 |
KR20160052664A (ko) | 2013-10-01 | 2016-05-12 | 제이엑스 킨조쿠 가부시키가이샤 | 탄탈 스퍼터링 타깃 |
US10655214B2 (en) | 2015-04-10 | 2020-05-19 | Tosoh Smd, Inc. | Method of making a tantalum sputter target and sputter targets made thereby |
CN107532287B (zh) | 2015-05-22 | 2019-11-05 | 捷客斯金属株式会社 | 钽溅射靶及其制造方法 |
CN107109634B (zh) | 2015-05-22 | 2020-08-28 | 捷客斯金属株式会社 | 钽溅射靶及其制造方法 |
WO2017023603A1 (en) | 2015-08-03 | 2017-02-09 | Honeywell International Inc. | Frictionless forged aluminum alloy sputtering target with improved properties |
TW201738395A (zh) * | 2015-11-06 | 2017-11-01 | 塔沙Smd公司 | 具有提高的沉積速率的製備鉭濺鍍靶材的方法 |
US10900102B2 (en) | 2016-09-30 | 2021-01-26 | Honeywell International Inc. | High strength aluminum alloy backing plate and methods of making |
KR102445159B1 (ko) * | 2020-12-21 | 2022-09-22 | 한국재료연구원 | 정적 재결정법을 이용한 금속의 강도 강화방법 |
Family Cites Families (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3268328A (en) * | 1964-11-03 | 1966-08-23 | Nat Res Corp | Metallurgy |
US3497402A (en) * | 1966-02-03 | 1970-02-24 | Nat Res Corp | Stabilized grain-size tantalum alloy |
US3616282A (en) * | 1968-11-14 | 1971-10-26 | Hewlett Packard Co | Method of producing thin-film circuit elements |
US4000055A (en) * | 1972-01-14 | 1976-12-28 | Western Electric Company, Inc. | Method of depositing nitrogen-doped beta tantalum |
DE2429434B2 (de) * | 1974-06-19 | 1979-10-04 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung von Widerständen und Kondensatoren in Dunnschichtschaltungen |
DE3246361A1 (de) | 1982-02-27 | 1983-09-08 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Kohlenstoff enthaltende gleitschicht |
US4589932A (en) * | 1983-02-03 | 1986-05-20 | Aluminum Company Of America | Aluminum 6XXX alloy products of high strength and toughness having stable response to high temperature artificial aging treatments and method for producing |
JPS6066425A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lsi電極用の高純度モリブデンタ−ゲツトならびに高純度モリブデンシリサイドタ−ゲツトおよびその製造方法 |
US4663120A (en) | 1985-04-15 | 1987-05-05 | Gte Products Corporation | Refractory metal silicide sputtering target |
JPH0621346B2 (ja) | 1986-06-11 | 1994-03-23 | 日本鉱業株式会社 | 高純度金属タンタル製ターゲットの製造方法 |
US4889745A (en) | 1986-11-28 | 1989-12-26 | Japan As Represented By Director General Of Agency Of Industrial Science And Technology | Method for reactive preparation of a shaped body of inorganic compound of metal |
JPS63216966A (ja) | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツト |
DE3712281A1 (de) * | 1987-04-10 | 1988-10-27 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zur herstellung von hochduktilem tantal-halbzeug |
US4762558A (en) | 1987-05-15 | 1988-08-09 | Rensselaer Polytechnic Institute | Production of reactive sintered nickel aluminide material |
US4960163A (en) | 1988-11-21 | 1990-10-02 | Aluminum Company Of America | Fine grain casting by mechanical stirring |
US5468401A (en) | 1989-06-16 | 1995-11-21 | Chem-Trend, Incorporated | Carrier-free metalworking lubricant and method of making and using same |
US5074907A (en) | 1989-08-16 | 1991-12-24 | General Electric Company | Method for developing enhanced texture in titanium alloys, and articles made thereby |
DE69117868T2 (de) | 1990-05-15 | 1996-07-25 | Toshiba Kawasaki Kk | Zerstäubungstarget und dessen herstellung |
JPH05508509A (ja) * | 1990-07-03 | 1993-11-25 | トーソー エスエムディー,インコーポレーテッド | コンパクトディスクのコーティング用改良スパッタリングターゲットとその使用方法及びその製造方法 |
US5087297A (en) | 1991-01-17 | 1992-02-11 | Johnson Matthey Inc. | Aluminum target for magnetron sputtering and method of making same |
EP0535314A1 (en) | 1991-08-30 | 1993-04-07 | Mitsubishi Materials Corporation | Platinum-cobalt alloy sputtering target and method for manufacturing same |
JPH05214523A (ja) | 1992-02-05 | 1993-08-24 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
US5330701A (en) | 1992-02-28 | 1994-07-19 | Xform, Inc. | Process for making finely divided intermetallic |
JP3338476B2 (ja) | 1992-06-29 | 2002-10-28 | 住友チタニウム株式会社 | スパッタリング用の金属Tiターゲットの製造方法 |
JPH0693400A (ja) | 1992-09-16 | 1994-04-05 | Nkk Corp | チタン製電着ドラムの製造方法 |
TW234767B (zh) * | 1992-09-29 | 1994-11-21 | Nippon En Kk | |
US5693203A (en) * | 1992-09-29 | 1997-12-02 | Japan Energy Corporation | Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface |
US5415829A (en) * | 1992-12-28 | 1995-05-16 | Nikko Kyodo Co., Ltd. | Sputtering target |
JPH06256919A (ja) | 1993-03-01 | 1994-09-13 | Seiko Instr Inc | チタン合金の加工方法 |
JPH06264232A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-20 | Nikko Kinzoku Kk | Ta製スパッタリングタ−ゲットとその製造方法 |
US5400633A (en) | 1993-09-03 | 1995-03-28 | The Texas A&M University System | Apparatus and method for deformation processing of metals, ceramics, plastics and other materials |
US5772860A (en) | 1993-09-27 | 1998-06-30 | Japan Energy Corporation | High purity titanium sputtering targets |
KR950034588A (ko) * | 1994-03-17 | 1995-12-28 | 오가 노리오 | 탄탈계 고유전체재료 및 고유전체막의 형성방법 및 반도체장치 |
US5513512A (en) | 1994-06-17 | 1996-05-07 | Segal; Vladimir | Plastic deformation of crystalline materials |
US5590389A (en) | 1994-12-23 | 1996-12-31 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same |
JP2984778B2 (ja) | 1995-02-27 | 1999-11-29 | 株式会社住友シチックス尼崎 | 高純度チタン材の鍛造方法 |
JP3413782B2 (ja) | 1995-03-31 | 2003-06-09 | 日立金属株式会社 | スパッタリング用チタンタ−ゲットおよびその製造方法 |
US5600989A (en) | 1995-06-14 | 1997-02-11 | Segal; Vladimir | Method of and apparatus for processing tungsten heavy alloys for kinetic energy penetrators |
US5673581A (en) | 1995-10-03 | 1997-10-07 | Segal; Vladimir | Method and apparatus for forming thin parts of large length and width |
US5766380A (en) | 1996-11-05 | 1998-06-16 | Sony Corporation | Method for fabricating randomly oriented aluminum alloy sputtering targets with fine grains and fine precipitates |
US5994181A (en) * | 1997-05-19 | 1999-11-30 | United Microelectronics Corp. | Method for forming a DRAM cell electrode |
US20030052000A1 (en) * | 1997-07-11 | 2003-03-20 | Vladimir Segal | Fine grain size material, sputtering target, methods of forming, and micro-arc reduction method |
US5993621A (en) | 1997-07-11 | 1999-11-30 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Titanium sputtering target |
US6569270B2 (en) * | 1997-07-11 | 2003-05-27 | Honeywell International Inc. | Process for producing a metal article |
JPH1180942A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-26 | Japan Energy Corp | Taスパッタターゲットとその製造方法及び組立体 |
US6139701A (en) * | 1997-11-26 | 2000-10-31 | Applied Materials, Inc. | Copper target for sputter deposition |
US6348139B1 (en) | 1998-06-17 | 2002-02-19 | Honeywell International Inc. | Tantalum-comprising articles |
US6348113B1 (en) | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
US6192989B1 (en) * | 1999-03-02 | 2001-02-27 | Barbara A. Tooman | Temporary horseshoe |
US6113761A (en) * | 1999-06-02 | 2000-09-05 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Copper sputtering target assembly and method of making same |
US6478902B2 (en) * | 1999-07-08 | 2002-11-12 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Fabrication and bonding of copper sputter targets |
US6521173B2 (en) * | 1999-08-19 | 2003-02-18 | H.C. Starck, Inc. | Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy |
US6391163B1 (en) * | 1999-09-27 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing hardness of sputter deposited copper films |
US6454994B1 (en) * | 2000-08-28 | 2002-09-24 | Honeywell International Inc. | Solids comprising tantalum, strontium and silicon |
US6896748B2 (en) * | 2002-07-18 | 2005-05-24 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Ultrafine-grain-copper-base sputter targets |
-
1998
- 1998-06-17 US US09/098,760 patent/US6348139B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-08 CN CNB988141183A patent/CN1283830C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-08 EP EP98945933A patent/EP1088115A4/en not_active Ceased
- 1998-09-08 WO PCT/US1998/018676 patent/WO1999066100A1/en active IP Right Grant
- 1998-09-08 JP JP2000554901A patent/JP2002518593A/ja active Pending
- 1998-09-08 KR KR10-2000-7014206A patent/KR100512295B1/ko active IP Right Grant
-
1999
- 1999-04-27 TW TW088106727A patent/TW515848B/zh active
-
2001
- 2001-12-11 US US10/014,310 patent/US20020063056A1/en not_active Abandoned
-
2002
- 2002-04-12 US US10/122,042 patent/US20020153248A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI473898B (zh) * | 2011-04-15 | 2015-02-21 | Mitsui Mining & Smelting Co | 太陽電池用濺鍍靶 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002518593A (ja) | 2002-06-25 |
US20020153248A1 (en) | 2002-10-24 |
EP1088115A1 (en) | 2001-04-04 |
KR20010071476A (ko) | 2001-07-28 |
KR100512295B1 (ko) | 2005-09-05 |
EP1088115A4 (en) | 2005-03-30 |
WO1999066100A1 (en) | 1999-12-23 |
US20020063056A1 (en) | 2002-05-30 |
CN1307646A (zh) | 2001-08-08 |
CN1283830C (zh) | 2006-11-08 |
US6348139B1 (en) | 2002-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW515848B (en) | Tantalum sputtering target and process of making same | |
KR100528090B1 (ko) | 미세한 균일 구조 및 조직을 가지는 금속 물품 및 그의 제조방법 | |
US7017382B2 (en) | Methods of forming aluminum-comprising physical vapor deposition targets; sputtered films; and target constructions | |
US20030052000A1 (en) | Fine grain size material, sputtering target, methods of forming, and micro-arc reduction method | |
WO2020195049A1 (ja) | Ni基超耐熱合金の製造方法およびNi基超耐熱合金 | |
US7228722B2 (en) | Method of forming sputtering articles by multidirectional deformation | |
CN107532287B (zh) | 钽溅射靶及其制造方法 | |
JP6939893B2 (ja) | チタン熱間圧延板の製造方法 | |
WO2001094660A2 (en) | Sputtering target | |
CN112771199A (zh) | 溅射靶及其制造方法 | |
Weaver et al. | Microstructures and mechanical properties of commercial titanium foils processed via the melt overflow process | |
JPH0585630B2 (zh) | ||
JPH08318301A (ja) | フェライト合金圧延板の製造方法 | |
JP2008023545A (ja) | 難加工性合金スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
JP3073734B1 (ja) | シャドウマスク用Fe―Ni系合金素材の製造方法 | |
TW397722B (en) | Metal article with fine uniform structures and textures and process of making same | |
JP2844688B2 (ja) | Co基合金の製造方法 | |
JP2023040457A (ja) | チタン合金板およびその製造方法 | |
KR20190076749A (ko) | 타이타늄 합금의 처리 방법 | |
JPH0559480A (ja) | 加工性に優れた高融点金属材およびその薄板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |