TW513896B - Luminescent display and method of making - Google Patents

Luminescent display and method of making Download PDF

Info

Publication number
TW513896B
TW513896B TW089126487A TW89126487A TW513896B TW 513896 B TW513896 B TW 513896B TW 089126487 A TW089126487 A TW 089126487A TW 89126487 A TW89126487 A TW 89126487A TW 513896 B TW513896 B TW 513896B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
item
patent application
scope
cold
Prior art date
Application number
TW089126487A
Other languages
English (en)
Inventor
Anil Raj Duggal
Alok Mani Srivastava
Original Assignee
Gen Electric
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gen Electric filed Critical Gen Electric
Application granted granted Critical
Publication of TW513896B publication Critical patent/TW513896B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/30—Inkjet printing inks
    • C09D11/32—Inkjet printing inks characterised by colouring agents
    • C09D11/328—Inkjet printing inks characterised by colouring agents characterised by dyes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F13/00—Illuminated signs; Luminous advertising
    • G09F13/20—Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts
    • G09F13/22—Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts electroluminescent
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/221—Static displays, e.g. displaying permanent logos
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/86—Series electrical configurations of multiple OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68359—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during manufacture of interconnect decals or build up layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/841—Applying alternating current [AC] during manufacturing or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H10K85/146—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/656—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising two or more different heteroatoms per ring
    • H10K85/6565—Oxadiazole compounds

Description

513896 一—— 修正補充 A7 B7 五、發明説明（1) 發明背景 1 .發明領域 本發明大致有關冷光應用裝置，及更特別有關一種包 含有機發光材料之顯示器裝置。 2 .相關技藝之敘述 製造能夠在黑暗中閱讀之便宜標誌係長期以來所想要 者。一習知方法係利用一具有一或多個色彩過瀘器之玻璃 或塑膠板，定位該過濾器以致當放置在一背光上方時產生 所想要之標誌。此一例子係常見之“出口 ”標誌。然而此技術 不谷易疋製’因爲該使用客戶未能輕易地設計及產生此_. 標誌。大部份使用客戶沒有必要之工具或專門技術以由他 們自己製造該過濾板。反之，該使用客戶必須獲得一過濾 板製造廠之服務以產生一定製標誌。大部份使用客戶不會 以此努力貫徹到底。 已發展出許多技術以允許更多可在黑暗中閱讀之定製 標誌。大部份之此等標誌係在一^陰極射線管（C R T)顯示器上 作變化。可迅速地重新電子架構此顯示器以顯示一新的標 誌。其他具有相同能力之技術包含液晶顯示器、薄膜電黎 顯不器、及有機之電致發光顯示器。然而，該顯示器需要 複雜之電子工學及對很多簡單顯示標誌應用而言太昂貴。 因此，長期以來有一可由使用客戶輕易定製之簡單、 便宜之照明標誌需求。 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-口 Γ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4 - 513896 A7 __ B7 五、發明說明（2 ) 發明槪要 本發明有關一種包含第一電極、第二電極、一置於該 第一及第二電極間之有機發光層、及一由該有機發光層接 收光線且將該光線轉換成不同波長之發冷光材料之照明顯 示器’其中該第一及第二電極一起定義一激發該有機發光 層以發光之重疊區域，且該發冷光材料係放置於一部份之 重疊區域內。 本發明亦有關一於溶液中之磷光物質，一包含第一電 極、第二電極、及一有機發光層之發光裝置，及用以將該 磷光物質塗至該發光裝置上之機制。用以塗敷之機制可譬 如包括一含有至少一磷光物質之印表機墨水匣。該印表機 墨水匣可用來將該發冷光材料印刷於該發光裝置上。用以 塗敷之機制亦可包含諸如畫筆、戳記、或筆之手動工具。 該磷光物質溶液能以任何想要之圖案及色彩畫、蓋印、或 寫在該發光裝置上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明亦有關一包含產生一影像及在已形成一發光裝 置之後將該影像印刷在.包含有機發光層之發光裝置上等步 驟之方法。該影像可譬如產生在個人電腦上及以噴墨印表 機印出。該影像可用當吸收來自該有機發光層之不同波長 光線時會發出一波長光線之磷光物質印出。 本發明之各種實施例允許使用客戶藉著塗敷一磷光物 質圖案至一預製、封裝發光裝置輕易地製造定製之照明顯 一示器。該發光裝置典型包含一在大表面積上方提供照明之 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 513896 A7 B7 五、發明說明（3 ) 有機發光層。該磷光物質圖案能以使用客戶可利用之許多 方式塗敷至該發光裝置，諸如以電腦或手動工具。電腦產 生影像之有效性允許使用客戶以最小之設備投資產生專業 品質之照明顯示器。 圖面簡述 本發明之其他特色及優點將由較佳實施例及所附圖面 之下列詳細敘述而變得明顯，其中： 第1圖係根據本發明示範實施例之照明顯示器之剖視 圖； 第2 - 5圖係根據本發明其他實施例之有機發光層之剖 視圖， 第6圖係根據本發明示範實施例之一照明顯示器透視 圖； 第7圖係根據本發明示範實施例而將一發冷光材料塗 敷至發光裝置上之設備圖面； 第8圖係根據本發明另一實施例而將一發冷光材料塗 敷至發光裝置上之設備示意圖； 第9圖係根據本發明示範實施例描述一照明顯示器之 照明區域之圖面； 第1 0圖係根據本發明另一實施例而將一發冷光材料塗 敷至發光裝置上之裝置剖面圖；及 第11圖係一包含多個電極之示範照明顯示器之圖面。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6 - (請先閱讀背面之注意事項再15^1^4頁)
訂---------線—I
513896 ______^丨 和年Μ〒黎瓜_件：第89126487號專利申請案中文說明書修正頁 :、 補无1 $ 民國90年12月呈 五、發明説明（4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Ϊ要元件對照表 11 第一下層 12 第二下層 13 第一下層 14. 第二下層 15 第一下層 16 第二下層 17 . 電洞注入下層 18 電洞運送下層 19 發冷光下層 20 電子注入下層 100 照明顯示器 102 第一部份 103 導線 104 第二部份 105 導線 107 絕緣材料 110 有機發光層 120 陰極 130 陽極 135 發光裝置 140 基材 150 封裝層 152 密封構件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -7- A7 ~----*---Si 五、發明說明（5 ) 160 發冷光材料 162 基材 164 背襯 170 耐磨層 180 電源 200 裝置 210 電腦 212 記憶體 214 中央處理器 216 隨機存取記憶體 218 調變解調器 220 印表機 222 印表機墨水匣 230 螢幕 240 鍵盤 245 容器 250 手動工具 300 重疊區域 (請先閱讀背面之注意事項再 € ·! ^14 頁： 訂---------線i: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之詳細敘述 梦考弟1圖5其係根據本發明之一*不範實施例指出一* 照明顯示器之剖視圖。第6圖說明該照明顯示器之透視圖 。該照明顯示器100包含一放置於例如陰極120及陽極130之 二電極間之有機發光層1 1 0。I有機發光層110於越過該陽 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8- 513896 A7 B7 修正 (么） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 極及陰極加上一電壓時發光。該陽極及陰極將載荷子、亦 即電洞及電子射入該有機發光層11 〇，在此他們再度結合以 形成已激發分子或激子，當該分子或激子衰變時將發光。 該分子所發光線之顏色係依該分子或激子之激發及基態間 之能量差而定。所施加電壓典型係約3 -10伏特，但可高至3 0伏特或更高，且該外量子效率（光子出/電子入）係於百分 之0.01及百分之5之間或更多。該有機發光層110典型具有約 50-500奈米之厚度，且該電極.120，130每一個典型具有約100-1000奈米之厚度。 該陰極120大致包含一具有低功函數値之材料，以致一 相當小之電壓可造成電子由該陰極射出。該陰極120可包含 譬如鈣或諸如黃金、銦、錳、錫、鉛、鋁、銀、鎂、或鎂/ 銀合金之金屬。另一種選擇是該陰極可製成二層，以增強 電子射出。範例包含一氟化鋰之薄內層，隨之包含一鋁或 銀之較厚外層；或鈣之薄內層，隨之包含鋁或銀之較厚外 層。 經濟部智慧財1局員工消費合作社印製 該陽極13 0典型包含一具有高功函數値之材料。該陽極 1 3 0最好呈透明，以致在該有機發光層1 1 0中所產生之光線 可傳送出該照明顯示器100。該陽極130可譬如包含氧化銦 錫（ITO)、氧化錫、鎳、或黃金。可譬如藉著習知之蒸氣澱 積技術形成該電極1 20,1 30，諸如蒸發或噴濺法。 可會同本發明之示範實施例使用各種有機發光層110。 根據第1圖中所示實施例，該有機發光層顯示器11 〇包含單 層。該有機發光層110可包含譬如一發冷光之共軛聚合物、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 513896 戶JVI日 修正補充 A7 B7 五、發明説明（了） 一摻雜以電子運送分子及發冷光材料之電洞運送聚合物、 或一摻雜以電洞運送分子及發冷光材料之惰性聚合物。該 有機發光層110亦可包含能摻雜以其他發冷光分子之發冷光 小有機分子之無結晶性薄膜。 根據本發明第2 - 5圖所示之其他實施例，該有機發光 層顯示器11 0包含二或更多下層，該下層執行該電洞射出、 電洞運送、電子射出、電子運送、及發光之功能。只有該 發光層需要一起作用裝置。然而，該額外之下層大致增加 該電洞及電子復合以產生光之效率。如此該有機發光層110 可包含1-4下層，譬如包含一電洞射出下層、一電洞運送 下層、一發光下層、及一電子射出下層。一或更多下層亦 可包含一達成二或更多功能之材料，諸如電洞射出、電洞 運送、電子射出、電子運送、及發光。 現在將敘述該有機發光層1 1 0包含單層之實施例，如第 1圖所示。 根據第一實施例，該有機發光層110包含一共軛聚合物 。“共軛聚合物” 一詞意指沿著該聚合物之主鏈包含一移位π 電子體系之聚合物。該移位π電子體系對該聚合物提供半導 體性質及沿著該聚合物主鏈以高遷移率給予支撐正負載荷 子之能力。該聚合物薄膜具有一充分低之外來載荷子濃度 ，當在該電極之間加上一電場時，載荷子係射入該聚合物 及由該聚合物發出輻射光。共軛聚合物係譬如討論於R.H.富 蘭得（Fnend)之分子電子工學期刊之第4期、第37-46頁（ 1988年）。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） J I >- V 衣 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一 513896 A7 B7 修正
Alt, 五、發明説明（2 ) 當加上一電壓即發光之共軛聚合物之例子係PPV(聚對 苯撐乙烯）。PPV發射約500-690奈米光譜範圍之光線及對熱 及應力所致斷裂具有良好之阻抗。一合適之PPV薄膜典型具 有約100-1000奈米之厚度。於甲醇中在一基材上能藉著自旋 塗佈一母體溶液至PPV及於真空爐加熱中形成該PPV薄膜。 對該PPV可做各種修改，而保留其發冷光性質。譬如， 該PPV之次苯基環可選擇性地帶有一或多個取代基，每一取 代基獨自由烷基'烷氧基、鹵素，或硝酸選出。其他源自 PPV之共軛聚合物亦可會同本發明之示範實施例使用。此 PPV之衍生物例子包含：1)源自以一熔凝環體系取代次苯 基環之聚合物，例如以一蔥或環烷環體系取代該次苯基環 。該另一種環體系亦可帶有上述有關該次苯基環型式之一 或多個取代基；2 )源自以諸如夫喃環之雜環體系取代該次 苯基環之聚合物。該夫喃環可帶有上述有關該次苯基環型 式之一或多個取代基；3 )源自有.關每一次苯基或其他環體 系增加部份乙烯撐數目之聚合物。上述衍生物具有不同能 隙，而能彈性生產一於想要之彩色範圍中發光之有機發光 層11 0。額外之發冷光共軛聚合物資訊係敘述於美國專利第 5,247，190號中，該專利在此倂入參考。 其他合適之共軛聚合物例子包含聚環烷烴，諸如2,7_取 代基-9-取代基環烷烴及9 -取代基環烷烴低聚物及聚合物。 該環烷烴、低聚物及聚合物係在該第9位置以部份之二烴 基取代’其可選擇性地包含一或多個硫磺、氮、氧、亞磷 或矽雜原子；一以9個碳形成在該環烷烴環上之c5~2〇環結 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） •. m.— - ml Arm tmL--·-··· n_n>— m ml tii_li— an (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 修正 A7 B7 補充 五、發明説明（，） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 構或一以9個碳形成之2。環結構，包含一或更多硫磺、 氮或氧雜原子，或部份之烴基（hydrocarbylidene)。根據一實 施例’該環烷烴係在第2及第7位置以部份芳香族羥基取 代’其進一步以能夠交鍵部份或鏈增長或三烷基矽氧烷（ trialkylsiloxy)部份取代。可在第2及第7位置取代該環烷 烴聚合物及低聚物。該環烷烴低聚物及聚合物之單體單位 係在第2及第7位置彼此聯結。該2,7，-芳香族羥基-9-取代 基環烷烴低聚.物及聚合物可進一步彼此反應，以藉著.在末 端’2,7’-芳香族羥基部份上造成該選擇性部份而形成較高之 分子量聚合物，其能夠交鍵或鏈增長，以承受鏈增長或交 鍵。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可藉著使一或更多2,7-二鹵代-9-取代環烷烴接觸一鹵 代芳香族化合物或多種鹵代芳香族化合物製備該2,7取代芳 香族羥基及9 -取代環烷烴低聚物及聚合物，而進一步以能 夠交鍵或鏈增長或三烷基矽氧烷部份之反應團取代，並在 存有一催化反應之二價鎳鹽量、至少一化學量之鋅粉及於 極性溶劑中之三烴基磷中，而在製備此一 2,7芳香族羥基-9-取代環烷烴或9 -取代環烷烴低聚物或聚合物之狀況下。具 有氫或鹵素而終止在末端第2及第7位置之9 -取代環烷烴 低聚物及聚合物係藉著上述製程製備，但無一鹵代芳香族 化合物。 該環烷烴及環烷烴低聚物或聚合物於固態中展現強固 之光激發光。當此材料暴露至約300至約700奈米波長之光 線時，該材料發出於約400至約800奈米範圍波長之光線。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董） 513ML· 修正 A7 B7 補充 五、發明説明（\D ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 更好是此等材料吸收由約3 5 0至約400奈米波長之光線及發 出於約400至約65 0奈米範圍波長之光線。本發明之環烷烴 及環烷烴低聚物或聚合物係可輕易地溶解於常見之有機溶 劑中。藉著諸如自旋塗佈、噴濺塗佈、浸泡塗佈及滾筒塗 佈之習知技術可將他們處理成薄膜或塗層。於固化時，此 薄膜展現對常見有機溶劑之阻抗及高熱阻抗。聚環烷烴之 額外資訊係敘述在美國專利第5,70 8,1 3 0中，該專利在此倂 入參考。 . 根據第1圖所示單層裝置之第二實施例，該有機發光 層110包含一分子摻雜聚合物。一分子摻雜聚合物典型包含 電荷運送分子之二元素固體溶液，該電荷運送分子係呈分 子般散佈在一惰性聚合黏合劑中。該電荷運送分子增強電 洞及電子之能力，以行進穿過該摻雜之聚合物及復合。以 可用之摻雜材料及主聚合物黏合劑之機械性質觀點而言， 該惰性聚合物提供很多選擇性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一分子摻雜聚合物之範例包含呈分子般摻雜以該電洞 運送分子N，N’ -聯苯- N，N’ -雙（3 -甲基聯苯聯二苯-4,4’-聯氨（TPD)及該發冷光材料三（8-氮雜荼[quinolinolato])-鋁（ III)(Alq)之聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)。TDP具有每伏特-秒 1(Τ3平方公分之高電洞漂流遷移率，而Alq係一除了其發冷 光性質外具有電子運送性質之發冷光金屬複合物。 該摻雜濃度典型係約百分之50，而TDP對Alq之質量比 可能譬如由約0.4變化至1.〇。藉著混合一包含適量TPD、Alq 、及PMMA之二氯乙烷溶液即能製備該摻雜PMMA薄膜，且 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） "^3"
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 513896 A7 B7 五、發明説明（II ) 將該溶液浸泡塗佈於想要之基材上，例如氧化銦錫（ITO)電 極。該摻雜PMMA層之厚度典型約100奈米。當藉著加上一 電壓激發時’產生一綠光放射。此摻雜聚合物之額外資訊 係敘述在應用物理第61冊第76 1 -7 63頁（ 1 992年）之Junji Kido 等人之“基於分子摻雜聚合物之有機電致發光裝置”，該專利 在此倂入參考。 根據本發明第2圖所示之另一實施例，該有機發光層 1 10包含二下層。該第一下層1 1提供電洞運送、電子運送、 及發冷光性質，且定位鄰接該陰極120。該第二下層12具有 一電洞射出下層之作用及定位鄰接該陽極130。該第一下層 1 1包含一摻雜以電子運送分子及發冷光材料、例如染料或 聚合物之電洞運送聚合物。該電洞運送聚合物可譬如包含 聚N-乙烯卡唑（PVK)。該電子運送分子可譬如包含2-(4-聯二 苯）-5-(4-特-丁基聯苯）-1,3,4-噁二唑（PBD)。該發冷光材料典 型包含具有發射中心之作用之小分子或聚合物，以變化所 放射色彩。譬如，該發冷光材料可包含該有機染料香豆素4 60(藍色）、香豆素6 (綠色）、或尼羅紅色。上面之材料在商 業上係可用譬如來自奧德利奇（Aldrich)化學公司、蘭卡斯特 (Lancaster)合成物公司、美國TCI公司、及拉母達費西克（La mbda PhyS1k)公司者。可藉著自旋塗佈氯仿溶液形成該混合 物之薄膜，該溶液包含不同數量之PVK、電子運送分子、及 發冷光材料。譬如，一合適之混合物包含重量百分比100之 PVK、重量百分比40之PBD、及重量百分比0.2-1.0之有機染料。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -14- 513896
A7 B7 五、發明説明（p) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該第二下層1 2具有一電洞射出下層之作用及可譬如包 含聚（3,4)乙二氧撐塞吩/聚苯乙烯磺酸鹽（？£〇17?38)，可用 來自貝爾（Bayer)公司者，而能以諸如自旋塗佈之習知方法 塗佈。摻雜以電子運送分子及發冷光材料之電洞運送聚合 物之額外資訊係敘述在電機電子工程師學會第44期會報第 12 69-1281頁（1997年）電子裝置之吳重吉（Chung· Chih Wu)等 人之“使用具有雙極載流子運送能力之單層摻雜聚合物薄膜 之有效率有機電致發光裝置”，該專利在此倂入參考。· 範例1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一藍色有機發光裝置係製成如下。由塗佈薄膜公司可 購得氧化銦錫（IT0)塗佈之玻璃（15平方歐姆），且其一部份 係使用王水之蒸氣蝕刻。然後該基材係以一淸潔劑手工地 淸潔、在一甲醇溶液中浸泡、隨之浸泡於一沸騰之異丙基 酒精溶液中、及最後置於一臭氧淸潔器中達5分鐘之久。 然後將來自貝爾公司之約5奈米聚（3,4)乙二氧撐塞吩/聚苯 乙烯磺酸鹽（PEDT/PSS)層自旋塗佈於該IT〇上。然後使用二 氯乙院當作溶劑’以重量百分比100:40:1將約100奈米之一 聚合物混合物自旋塗佈於該PEDT層上，該混合物包括來自 奧德利奇公司之聚（9-乙烯卡唑）（PVK)、來自奧德利奇公司 之2-(4-聯二苯）-5-(4-特-丁基聯苯M，3,4-噁二唑（PBD)、及 來自激子（Exciton)公司之7-二乙氨基-4-甲基香豆素（香豆素 460)。其次，一包括0.8奈米氟化鋰層及約1〇〇奈米鋁之陰極 係經由蔭罩蒸發於該裝置上，以定義一陰極圖案。然後該 裝置係傳送至一手套箱及以環氧基樹脂將一玻璃滑動片附 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) : -1厂卜 513896 Α7 R7 修正 補吉 五、發明説明（、3 ) 著至該裝置之陰極側，以便提供封裝作用。結果之裝置於 加上電壓時將發出藍光。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明第3圖中所示之另一實施例，該有機發光 層110包括含有發冷光下層之第一下層13及含有電洞運送下 層之第二下層14。該電洞運送下層14可包含一能輕易地氧 化及還原之芳胺。譬如，電洞運送化合物可包含在室溫呈 固體之胺，且其中至少一氮原子係以取代基取代，而至少 一取代基係芳.香族經基。於電洞運送化合物中之芳香族經 基取代基包含芳香族羥基以及諸如苯基、及甲基苯基之不 取代芳香族羥基。有用之取代基範例包含1至5個碳原子 '諸如氯代及氟代之鹵代之烷基，及具有1至5碳原子之 烷氧基，諸如甲氧基、乙氧基、及丙氧基。特定範例包含！， 1-雙（4-二-對-甲苯基氨基苯基）環己烷、ν，Ν，Ν-三（對-甲苯基 )胺、Μ-雙（4-二-對-甲苯基氨基苯基）-4-苯基環己烷、及雙 (4-二甲基氨基-2-甲基苯基）苯基甲烷。 經濟部智慧財產局員工涓費合作社印製 適用於該發冷光下層13之發冷光材料範例包含4,4’-雙（5 ，7 -二-特-戊基-2-苯並噁唑）-二苯乙烯、2,5 -雙（5,7 -二-特-戊 基-2-苯並嚼坐）-1，2,4 -塞1:1坐（thiadiazole)、及8 -經基氮荼之金 屬複合物，在此該金屬係鋅、鋁、鎂或鋰。該發冷光下層 1 3及該電洞運送下層1 4能由習知真空澱積技術所形成。此 裝置之額外資訊係敘述在美國專利第4,5 3 9，5 07號中 > 該專 利在此倂入參考。 根據本發明第4圖所示之另一實施例，該有機發光層 H0包括含有發冷光及電洞運送性質之第一下層15，及包含 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） 513896 n引日
A7 B7 五、^1^明（H ) 電子射出性質之第二下層16。該第一下層15包含聚矽甲烷 ，及該第二下層包含噁二唑化合物。該結構產生紫外光。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 聚矽甲烷係以各種烷基及/或芳香族羥基側基團取代之 線型矽主鏈聚合物。對比於π -共軛聚合物，聚矽甲烷係沿 著該聚合物主鏈具有移位共軛電子之準一維材料。由於其 一維直接帶隙之本質，聚矽甲烷以高量子效率於該紫外光 區域中展現一淸晰之光激發光。合適之聚矽甲烷範例包含 聚（二-η“丁基矽甲烷MPDBS)、聚（二-η-戊基矽甲烷）（PDPS)、 聚（二- η-己基矽甲烷MPDHS)、聚（甲基-苯基矽甲烷）（PMPS) 、及聚[-雙（對-丁基苯基）矽甲烷](PBPS)。能譬如藉著自旋 塗佈由一甲苯溶液塗上該聚矽甲烷下層1 5。該電子射出下 層16可譬如包含2,5-雙（4-聯二苯）-1，3,4-噁二唑（880)。發射 紫外光之聚矽甲烷有機發光層之額外資訊係敘述在固體薄 膜331期第64-70頁（ 1 998年）Hiroynki Suzuki等人之“來自聚矽 甲烷之接近紫外光之光激發光”，該專利在此倂入參考。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明第5圖所示之另一實施例，該有機發光層 110包含一電洞注入下層17、電洞運送下層18、發冷光下層1 9、及電子注入下層20。該電洞注入下層17及電洞運送下層 18有效率地提供電洞至該復合區域。該電極注入下層20有 效率地提供電子至該復合區域。 該電洞注入下層1 7可譬如包含一紫質化合物，諸如一 無金屬酮鈦菁或包含金屬酮鈦菁。該電洞運送下層18可包 含一電洞運送芳香特胺，在此該芳香特胺係只鍵接至碳原 子之至少包含一三價氮原子之化合物，至少其中之一係一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -17* 513896 A7 _ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（15) 芳香環之分支。該發冷光下層19可譬如包含一於藍光波長 中發射之混合配位體鋁螯化物，諸如雙（R-8-氮雜荼）-酚鹽（ phenolato)鋁（III)螯化物，在此R係該8-氮雜荼環晶核之一環 取代基，選擇之以阻斷超過二個8 -氮雜荼配位體之附著至 該鋁原子。該電子射出下層20可包含一金屬胯（oxinold)電荷 承接化合物’ S者如銘之二螯化物。此四層材料及裝置之額 外資訊係敘述在美國專利第5,294,8 70號中，該專利在此倂 入參考。 上面之有機發光層1 1 0範例能用於設計於一或多種想要 色彩中發光之發光裝置。譬如，該發光裝置135可發出紫外 光、藍光、綠光、及紅光之一或多種光。藉著將具有不同 成份之二或更多有機發光層110加至同一電極之不同區域即 可形成不同色彩範圍。“發光裝置”一詞大致意指該有機發光 層110、ή亥極120及該極130之結合。如第1圖所示，該 發光裝置135亦可包含一基材140。該基材140提供一可於製 造期間澱積該陽極130、該有機發光層11〇、及該陰極120之 基底。該基材可譬如包含玻璃或諸如MYLAR之透明聚合物 。該發光裝置1 3 5及該發冷光材料1 6 0 —起形成該照明顯示 器 100。 該發光裝置135可封裝在一封裝層15〇內。該封裝層150 最好提供防水及防氧氣性質’以減少或防止該有機發光層 110及該電極120,130之氧化及水解降解。該封裝層15〇可包 含一諸如玻璃或石英之無機材料，該無機材料可用環氧基 …樹脂黏著至該陰極1 2 0。於一玻-璃封裝層黏著至該陰極120 (請先閱讀背面之注意事項再1?^4頁) ·»·· 訂· --線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •18- 513896
Α7 Β7 五〜:發聰^明（|“） 之案例中，該基材1 40典型亦爲玻璃或石英及能具有一封裝 層之作用，以致能省略第1圖所示毗連該基材140之部份封 裝層1 50。沿著該裝置之周邊能提供一密封構件1 52，以密 封鄰接該陰極120之封裝層150至鄰接該陽極130之封裝層150 。該密封構件152可譬如包含諸如錫、銦、鈦、黃金、或其 結合物之金屬。 根據另一實施例，假如想要時，該封裝層1 50或一部份 封裝層可能譬.如包含諸如MYLAR.之聚合物，並塗以一·介電 材料，諸如一氧化政、二氧化砂、氮化砂、氧化鍺、或氧 化鉻。諸如聚矽氧烷、鐵弗龍，或例如聚乙烯或聚丙烯之 支化聚烯烴之不吸水聚合物層可塗佈至該介電材料。依據 本實施例，該封裝層1 5 0亦可具有該基材1 4 0之作用，以致 能省略一分開之基材140。額外封裝方法及材料係敘述在美 國專利第5,874,804及5,9 5 2,77 8號中，該二專利在此倂入參 考。 如第1圖所示，一發冷光材料1 60係加至該發光裝置 135之表面。該發冷光材料160於一部份電磁波頻譜中吸收 能量及於另一部份電磁波頻譜中發出能量，如該技藝中所 熟知者。該發冷光材料160典型包含一無機磷光物質。很多 無機磷光物質具有大致不易受氧氣或濕氣影響之優點。據 此，他們可加至該封裝發光裝置1 3 5之外側，在長期使用下 無顯著之劣化。然而，能使用其他型式之發冷光材料，諸 如有機熒光材料。 一合適之發射紅光無機磷光物質範例係SrB4〇7:sm2+， 本紙张尺度適用中國國家標準（匸奶）八4規格（210父297公#) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 513896 Α7 Β7 轉「 ^ 五、發明説明（q ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此於冒號後之Sm2 +代表一活化劑。該磷光物質吸收比600 奈米短之可見光波長及以大於650奈米之波長發光，如一深 紅線。可取超過百分之5之SrC〇3、Η;Β〇3及Sm2〇3混合，及 在攝氏900度下於例如百分之5氫氣之去氧大氣中加熱該混 合物達5小時以製備以84〇7:31!12+。其他合適之發射紅光磷 光物質包括 Sm2 +活化之 SrBsOi。、BaMgFc LiBaF3及 BaFCl。 一合適之發射黃光無機磷光物質範例係Y3Ah〇12:Ce3+。 該磷光物質吸收大部份低於500奈米之波長及具有在約570-5 80奈米之最大放射。可藉著混合Y2〇3、Al2〇3、Ce〇2與3莫 耳百分比A1F3製備Y3Al5〇^Ce.3+，該A1F3具有助熔劑之作用 。然後於稍微去氧之大氣中在攝氏1500度下加熱該混合物 達6 - 8小時。 一合適之發射綠光無機磷光物質範例係SrGa2S4:Eu2+ / 1亥磷光物質吸收低於5 00奈米之波長及具有在5 3 5奈米之最 大放射。可譬如藉著混合Ga2〇3、SrCCh及Eu2〇3及在攝氏900 度於H2S液流下加熱達四小時，然後在相同狀況下於攝氏 1000度硏磨及再處理以製備SrGa2SrEu2+。 經濟部智¾財1局員工消費合作社印製 一合適之發射藍光無機磷光物質範例係BaMg2Ah6〇27: Eu2+。BaMg2Ali6〇27:Eu2 +吸收大部份低於430奈米之波長及具 有在450奈米之最大放射。可藉著於去氧之大氣中在攝氏 1 400度下加熱BaCO;、Mg〇、Ah〇3、及Eu2〇3之混合物達8小 時以製備 BaMg2Ali0〇27:Eu2+。 可用作該發冷光材料160之有機熒光材料範例包含（來自 激子公司香豆素460)而吸收低於420奈米之波長及發藍光之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 513896 Α7 Β7 修正 補充 五、發明説明（β) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7-二乙氨基-4-甲基香豆素；（來自激子公司香豆素540)而吸 收低於500奈米之波長及發綠光之3-(2’-苯並塞唑基）-7-二乙 氨基香豆素；（來自激子公司DCM)而吸收低於5 50奈米之波 長及發紅光之4-二氰亞甲基-2-甲基-6-(對-二乙氨基苯乙烯）-4Η-比喃；來自激子公司而吸收低於5 00奈米之波長及發黃 光之氟代（Fluorol)7GA ;(來自激子公司DOCI)而吸收低於500 奈米之波長及發綠光之3,3’-二乙基氧雜羧基碳氫基氨（ Diethyloxacarboxyanine)碘化物；及（奧德利奇公司）吸收低 於600奈米之波長及發紅光之尼羅紅（Nile Red)。 該發冷光材料1 60可吸收全部或只吸收一部份該有機發 光層1 10所發光線。例如，該發冷光材料160可吸收該有機 發光層110所發出之全部藍光及發出紅光。另一種選擇是該 發冷光材料160可譬如只吸收該有機發光層1 10所發出之一 部份光線及發出黃光。於該案例中，未吸收之藍光及該磷 光物質所發出之黃光結合以產生另一色光，例如白光。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印^ 該發冷光材料160能以各種方式加至該發光裝置135。 譬如，根據一實施例，該發冷光材料1 60係與一載體媒介結 合及以諸如噴墨印表機之習知印表機加至該發光裝置13 5。 於該發冷光材料160包含一無機磷光物質之案例中，該無機 磷光物質典型係不溶於該載體媒介中，但係以小微粒形式 散佈或懸浮著及藉著一分散劑穩定地抵抗絮凝及沈澱。一 合適之懸浮液範例於一液體媒介中包含約體積百分比1 5之 磷光物質粉末（例如鈽激發之釔鋁石榴石）。該磷光物質粉末 粒徑典型係約1 〇微米。大部份由液體媒介組成之溶劑譬如 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 513896 Α7 Β7 五、發明說明（19) 包含1-丁醇。加至該溶劑者係重量百分比0.5而當作黏合劑 之乙基纖維素及重量百分比5.0而當作分散劑之緋魚魚油。 能以超音波加熱該材料達1 5分鐘，以均勻地分散該粉末及 分解軟凝聚物。 於該發冷光材料1 6 0包含一有機染料之案例中，該有機 染料典型能夠溶解在該載體媒介中。該載體媒介可譬如包 含水，及假如想要時可包含一諸如酒精、酮、或酯之可水 溶解之輔助溶劑。亦可加入一界面激發劑以調整該溶液之 表面張力，如該技藝中所已知者。 第8圖說明一裝置200，其根據本發明之一示範實施例 用以塗敷該發冷光材料160至該發光裝置135。該裝置200包 含電腦210、印表機220、螢幕230及鍵盤240。該電腦210在 其他零組件中包含記憶體2 1 2、中央處理器2 1 4、隨機存取 記憶體2 1 6.、及調變解調器2 1 8。該記憶體2 1 2、儲存諸如數 位影像之資訊。該中央處理器2 1 4以該技藝中所熟知方式處 理指令。該調變解調器2 1 8譬如提供一與諸如網際網路之電 腦網路之界面，及可由該網際網路接收數位影像。該印表 機2 20由該電腦210接收數據，諸如影像數據，及按照該數 據印出影像。該印表機220可包含一至少傳送磷光物質溶液 至諸如所要求發光裝置135之基材之印表機墨水匣222。該 印表機墨水匣222可譬如包含三個磷光物質溶液水槽、即紅 色、綠色、及藍色，其印刷在該基材上以產生色彩影像。 該發光裝置135能設計成具有標準化紙張尺寸，諸如 …-Uxl 1吋之A4尺寸等，以及合適之彈性及厚度，以致其將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22- ^1 ϋ ϋ Mm— ϋ emmmm tmmf i^i I · n ϋ n 1 an 一 δ，I 11 ϋ ·ϋ ϋ ϋ 1 I i·— ϋ_· §__1 1 1 Ιί ϋ ·1 I (請先閱讀背面之注意事項再頁) 513896 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（20) 適合裝入標準之印表機，諸如噴墨印表機。因此，以商業 販售之軟體即可設計多色電腦影像及印刷在該發光裝置1 35 上。此外，可用一印表機將多層發冷光材料160塗至該發光 裝置135上。譬如，一綠光發射磷光物質能塗在整個發光裝 置1 3 5上方，及一額外磷光物質或多種磷光物質能以一圖案 塗在一部分綠光發射磷光物質上。 於該發光裝置135未能裝入一標準印表機或不具充分彈 性之案例中，該影像能印刷於一中介基材上。譬如，一磷 光物質圖案能印刷於具有透明黏著性背襯之8.5χ 11吋透明材 料薄片上。在其上面具有該磷光物質圖案之已印刷中介基 材能因此藉著該黏著性背襯黏著至該發光裝置1 35。以此方 式，可製成各種形狀之發光裝置及稍後由使用客戶所定製 。第10圖顯示此一具有黏著性背襯164及發冷光材料160之 基材1 62之剖面。當然亦可用任何大面積之注射印表機印刷 該影像，而非以習知設計供印刷在習知紙張尺寸上之噴墨 印表機。 根據本發明之其他實施例，該發冷光材料1 60係藉著手 動工具以合適之載體媒.介塗至該發光裝置135。該發冷光材 料1 60能與一載體媒介混合及加上彩色包裝。一無機磷光物 質之合適載體媒介可包含譬如上面所述含有重量百分比0.5 之乙基纖維素而當作黏合劑之1-丁醇及重量百分比5.0而當 作分散劑之緋魚魚油。第7圖說明三個包含三種不同磷光 物質溶液之容器245，例如紅色、綠色、及藍色。第7圖亦 …顯示一手動工具250 〇該手動工，.具25 0可爲譬如畫筆、戳記 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -23- -------；-----111 Aw i 11 Ί---訂---------線 J 請先閱讀背面之注意事項再頁) 鱗 513896 A7 _____ B7 五、發明說明（21) 、或鋼筆。然後該磷光物質溶液能以任何想要之圖案及色 彩畫、蓋印、或寫在一發光裝置135上。 根據本發明之另一實施例，使用絲網印刷法以將該磷 光物質溶液塗在該發光裝置或中介基材上。包含想要圖案 之絲網或各絲網係藉著習知方法製備，且該磷光物質溶液 係經由該絲網塗至該發光裝置1 35以移轉該絲網圖案至該發 光裝置。 在該磷光物質溶液已塗至該發光裝置135之後，該磷光 物質溶液乾燥後留下一發冷光層1 60，如第1圖所示。該發 冷光層160在該發光裝置135上形成一圖案。該發冷光層160 一般未蓋住該發射裝置135之整個發光區域。將大致藉著該 二電極120,130之重疊區域定義該發光區域。如第9圖所示 ，該重疊區域300係定義爲該電極1 20,1 30重疊之區域。該電 極典型具有大體而言相同形狀之周邊。該重疊區域300典型 將呈連續不斷，亦即非由離散、分開之所組成，而是由單 一區域所組成。於該重疊區域300中，將產生一電場以造成 該有機發光層1 1 0發光。如第9圖所示，例如磷光物質之發 冷光材料160典型佔有該重疊區域300之一部份，但並非全 部。 該發冷光材料160可採取數字、字母、裝飾設計之形式 ，或任何其他想要之形式。其能包含多重色彩。第6圖所 示電源1 80可包含一根據例如一秒閃爍一次之預設時程表加 上一電壓至該照明顯示器1 〇〇之控制器。 根據本發明第1 1圖所示之另一實施例’該照明顯示器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再頁) ---:----訂---------線 麟 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 513896 A7 __ B7 五、發明說明（22) 100至少包含二組可獨立運作之電極。於第11圖中，第一組 電極控制該照明顯示器1〇〇之第一部份102，且第二組電極 控制第二部份1 04。該電極係經由導線1 03，1 05連接至該電源 1 8 0。該電源1 8 0可包含一控制器，以獨立地作動該第一及 第二組電極。譬如第1 1圖所示，該“NO”部份102可與該“ VACANCY”部份獨立地打開或關閉。假如想要時，該電極可 根據預設時程表獨立地運作。於多組電極之案例中，每一 組電極可藉著電絕緣材料107與其他組電極絕緣。 再參考第1圖，爲了耐磨，一耐磨層170可加至該發冷 光材料160上方。該耐磨層170可譬如包含一透明、耐磨材 料，諸如MYLAR或其他透明聚合物。該耐磨層170可包含一 用於附著該耐磨層170至該發光裝置135及發冷光材料160之 黏著性背襯。假如該發冷光材料1 60包含一無機磷光物質’ 該耐磨層170不需要提供氧氣或濕氣隔離性質，因爲許多無 機磷光物質係相當穩定。 由考慮在此所揭露之各實施例，本發明之其他實施例 對於熟練該技藝之人士將是明顯的。吾人意欲將該規格及 範例只視爲示範例子’而將本發明之範圍及精神定義於下 文之申請專利中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25- -------:-----------"----訂------- (請先閱讀背面之注意事項再頁)

Claims (1)

  1. 513896
    六、申請專利範圍 第891 26487號專利申請案 中.文申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國9 1年7月修正 1 · 一種冷光顯示裝置，包含： 只有一對電極，其由第一電極和第二電極組成； 一置於該第一及第二電極間之有機發光層，其中該第 一及第二電極一起界定當一電壓施加跨過該對電極時，激 發該有機發光層以發光之重疊區域；和 一由該有機發光層接收光線且將該光線轉換成不同波 長之冷光材料，其中該冷光材料係放置於一部份之重疊區 域內，且與有機發光層分離。 2 .根據申請專利範圍第1項之冷光顯示裝置，其中 該第一及第二電極之周邊具有大體而言相同之形狀。 3 ·根據申請專利範圍第1項之冷光顯示裝置，其中 該冷光材料佔有該重疊區域之一部份，以在該重疊區域內 產生一圖案。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 .根據申請專利範圍第1項之冷光顯示裝置，其中 該冷光材料包含至少一無機磷光物質。 5 .根據申請專利範圍第1項之冷光顯示裝置，其中 該冷光材料包含至少一有機染料。 . 6 .根據申請專利範圍第1項之冷光顯示裝置，其中 該冷光材料包含至少SrB4〇7:Sm2+、Y3Ah〇i2:Ce3、SrGa2S4: Eu2 +及 BaMg2Al“〇27:Eu2 +之一。 - 7 .根據申請專利範圍第1項之冷光顯示裝置，其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 3896 Α8 Β8 C8 D8 夂、申請專利範圍 該有機發光層發出紫外光。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 ·根據申請專.利範圍第1項之冷光顯示裝置，其中 口亥冷光顯不裝置具有一長方形周邊，該周邊具有A4紙張 或8 · 5 X 11吋紙張之尺寸。 9 ·根據申請專利範圍第1項之冷光顯示裝置，另包 含在吸收由有機發光層發出之光下發出第二種色光之第二 冷光材料。 10.根據申請專利範圍第1項之冷光顯示裝置，其中 該冷光材料包含第一層冷光材料及放置在該第一層冷光材 料上之第二層冷光材料。 11 ·根據申請專利範圍第1項之冷光顯示裝置，另包 含與該第一及第二電極獨立運作之第三電極及第四電極。 12.根據申請專利範圍第1項之冷光顯示裝置，另包 含一放置於該冷光材料及該第一電極間之封裝層。 13·根據申請專利範圍第1項之冷光顯示裝置，另包含 一在其上面塗以該冷光材料之透明基材，其中該透明基材 包含一黏著性背襯。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14.根據申請專利範圍第13項之冷光顯示裝置，其中 該透明基材以該黏著性背襯黏著至該封裝層。 1 5 · —種應用一冷光材料在一有機發光裝置上之系統 ，該系統包含： 一印表機，包含一印表機墨水匣，其含有冷光材料散 佈在溶液中，該印表機接收有機發光裝置；和- 用以接收和儲存資料之機構，該資料說明選自由〜影 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -2 - 513896 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 像和一圖案所組成之群之物體； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中該印表機從用以接收和儲存資料之機構接收說明 物體之貪材，和將物體印刷在有機發光裝置上，該物P包 含冷光材料。 16.根據申請專利範圍第15項之系統，另包含一發光 裝置’該發光裝置包含第一電極、第二電極、及一置於該 第一及第二電極間之有機發光層。 17 ·根據申請專利範圍第1 5項之系統，其中該印表機 墨水匣係一噴墨印表機墨水匣。 1 8 ·根據申請專利範圍第1 5項之系統，其中該冷光材 料包含一發綠光磷光物質及一發紅光磷光物質。 19·根據申請專利範圍第15項之系統，其中該冷光材 料包含至少 SrB4〇7:Sm2+、Y3Al5〇12:Ce3+、SrGa2S4:Eu2 +及 BaMg2Ali6〇27:Eu2 +之一。 20.—種冷光顯示裝置，包含： 一磷光物質溶液； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一發光裝置包含第一電極、第二電極、及一有機.發光 層；及 用以將該磷光物質塗至該發光裝置上之機構。 21·根據申請專利範圍第20項之冷光顯示裝置，其中 用以塗佈之機構包含一印表機墨水匣。 22. 根據申請專利範圍第20項之冷光顯示裝置，其中 用以塗佈之機制包含晝筆。 ’ 23. 根據申請專利範圍第20項之冷光顯示裝置，其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -3 - 513896 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 用以塗佈之機制包含鋼筆。 24_—種冷光顯示方法，包含下列步驟： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉著形成第一電極、形成第二電極、及於該第一及第 二電極之間形成一有機發光層以製成一發光裝置；及 提供某一形式之冷光材料，以致在已形成該發光裝置 之後，該冷光材料可塗至該發光裝置。 25.根據申請專利範圍第24項之冷光顯示方法，其中 該發冷光材料包含一磷光物質，及所提供步驟包含磷光物 質液體溶液之形成步驟。 26·根據申請專利範圍第25項之冷光顯示方法，其中 該提供步驟包含於印表機墨水匣中包裝該液體溶液之步驟 〇 27.根據申請專利範圍第24項之冷光顯示方法，其中 形成發光裝置之步驟另包含形成與該第一及第二電極獨立 地運作之第三電極及第四電極之步驟。 2 8 · —種冷光顯示方法，包含下列步驟： 產生一影像；及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在已形成該發光裝置之後，將該影像印在~包含有機 發光層之發光裝置上。 29·根據申請專利範圍第28項之冷光顯示方法，其中 該影像係產生在一電腦上。 3 0·根據申請專利範圍第28項之冷光顯示方法，其中 該印刷步驟包含印刷第一層及在該第一層上印刷之第二層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 513896 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 31. 根據申請專利範圍第28項之冷光顯示方法，其中 該印刷步驟包含在該發光裝置上印刷一磷光物質溶液。 32. 根據申請專利範圍第31項之冷光顯示方法，另包 含在所印刷影像上方塗上一耐磨層之步驟。 33. 根據申請專利範圍第28項之冷光顯示方法，其中 該印刷步驟包含在該發光裝置上印刷多色磷光物質圖案。 34. 根據申請專利範圍第28項之冷光顯示方法，其中 該印刷步驟包含以注射印表機在該發光裝置上印刷該影像 〇 3 5 . —種冷光顯示方法，包含下列步驟： 產生一影像； 在一基材上印刷該影像；及 將已印刷基材黏貼至一包含有機發光層之發光裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -i'tt ί Ρ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -5 -
TW089126487A 1999-12-22 2000-12-12 Luminescent display and method of making TW513896B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/469,702 US6566808B1 (en) 1999-12-22 1999-12-22 Luminescent display and method of making

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW513896B true TW513896B (en) 2002-12-11

Family

ID=23864769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089126487A TW513896B (en) 1999-12-22 2000-12-12 Luminescent display and method of making

Country Status (7)

Country Link
US (3) US6566808B1 (zh)
EP (1) EP1111966A3 (zh)
JP (1) JP2001297879A (zh)
KR (1) KR20010062574A (zh)
CN (1) CN1303228A (zh)
CA (1) CA2327870A1 (zh)
TW (1) TW513896B (zh)

Families Citing this family (130)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7768210B2 (en) * 1999-12-22 2010-08-03 General Electric Company Hybrid electroluminescent devices
US7576496B2 (en) * 1999-12-22 2009-08-18 General Electric Company AC powered OLED device
US6566808B1 (en) * 1999-12-22 2003-05-20 General Electric Company Luminescent display and method of making
US20020190661A1 (en) * 2000-01-27 2002-12-19 General Electric Company AC powered oled device
DE10005296A1 (de) * 2000-02-07 2001-08-16 Infineon Technologies Ag Vorrichtung für die Emission elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zu deren Herstellung
JP2002090737A (ja) * 2000-09-18 2002-03-27 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP4273694B2 (ja) * 2001-06-07 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 Ｅｌディスプレイ、ｅｌ照明装置、およびその駆動方法、ならびに液晶装置および電子機器
FI110675B (fi) * 2001-07-06 2003-03-14 Valtion Teknillinen Menetelmä orgaanisen valoa emittoivan diodin muokkaamiseksi
US20030068470A1 (en) * 2001-08-17 2003-04-10 Eastman Kodak Company Combination of imaging member and functional base for new utility
US6970512B2 (en) * 2001-08-28 2005-11-29 Sbc Technology Resources, Inc. Method and system to improve the transport of compressed video data
TWI264121B (en) * 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
US6660184B2 (en) * 2001-12-13 2003-12-09 Osram Sylvania Inc. Phosphor paste compositions
US6953735B2 (en) 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
WO2003069957A1 (fr) * 2002-02-12 2003-08-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Ecran electroluminescent et son procede de fabrication
JP3838964B2 (ja) * 2002-03-13 2006-10-25 株式会社リコー 機能性素子基板の製造装置
TW200403956A (en) * 2002-07-01 2004-03-01 Seiko Epson Corp Composition, film formation method and device, photoelectric device and its manufacturing method, organic EL device and its manufacturing method, device, manufacturing method and electronic machine
US7049757B2 (en) 2002-08-05 2006-05-23 General Electric Company Series connected OLED structure and fabrication method
US7034470B2 (en) * 2002-08-07 2006-04-25 Eastman Kodak Company Serially connecting OLED devices for area illumination
EP2149907A3 (en) * 2002-08-29 2014-05-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device having light-emitting diodes
EP1563523A4 (en) 2002-09-03 2006-05-24 Bloomberg Lp DECK RINGLESS ELECTRONIC DISPLAY
US6919678B2 (en) * 2002-09-03 2005-07-19 Bloomberg Lp Bezel-less electric display
US7224116B2 (en) 2002-09-11 2007-05-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of active electronic devices
US20040048033A1 (en) * 2002-09-11 2004-03-11 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd. Oled devices with improved encapsulation
US7193364B2 (en) * 2002-09-12 2007-03-20 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Encapsulation for organic devices
US20040135160A1 (en) * 2003-01-10 2004-07-15 Eastman Kodak Company OLED device
US7279832B2 (en) * 2003-04-01 2007-10-09 Innovalight, Inc. Phosphor materials and illumination devices made therefrom
US20040252488A1 (en) * 2003-04-01 2004-12-16 Innovalight Light-emitting ceiling tile
KR101142648B1 (ko) * 2003-05-21 2012-05-10 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 점도 개질제 및 발광성 화합물의 블렌드
US20040238846A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-02 Georg Wittmann Organic electronic device
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
JP2007502534A (ja) * 2003-08-12 2007-02-08 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 有機ダイオードの交流駆動用回路配置
DE10339941A1 (de) * 2003-08-29 2005-03-24 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Kältegerät mit OLED-Display
US7012585B2 (en) * 2004-02-06 2006-03-14 Eastman Kodak Company OLED apparatus having improved fault tolerance
EP1759145A1 (en) * 2004-05-28 2007-03-07 Tir Systems Ltd. Luminance enhancement apparatus and method
US7733441B2 (en) 2004-06-03 2010-06-08 Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. Organic electroluminescent lighting system provided with an insulating layer containing fluorescent material
US20060012289A1 (en) * 2004-07-19 2006-01-19 General Electric Company Hybrid electroluminescent devices
GB2416621A (en) * 2004-07-27 2006-02-01 Cambridge Display Tech Ltd Laminated interconnects for opto-electronic device modules
US7750352B2 (en) * 2004-08-10 2010-07-06 Pinion Technologies, Inc. Light strips for lighting and backlighting applications
US20060038485A1 (en) * 2004-08-18 2006-02-23 Harvatek Corporation Laminated light-emitting diode display device and manufacturing method thereof
US7348738B2 (en) * 2004-09-02 2008-03-25 General Electric Company OLED area illumination source
TWI240438B (en) * 2004-09-07 2005-09-21 Opto Tech Corp High power LED array
CA2580402A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-23 Holyoke Consulting Llc Device for the signalling and lighting during an emergency condition
US8013519B2 (en) * 2004-12-06 2011-09-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Organic electroluminescent light source
US7259391B2 (en) * 2004-12-22 2007-08-21 General Electric Company Vertical interconnect for organic electronic devices
US7307278B2 (en) * 2004-12-22 2007-12-11 General Electric Company Organic electronic devices having two dimensional series interconnections
US20060145599A1 (en) * 2005-01-04 2006-07-06 Reza Stegamat OLEDs with phosphors
US20060214577A1 (en) * 2005-03-26 2006-09-28 Lorraine Byrne Depositing of powdered luminescent material onto substrate of electroluminescent lamp
US7518148B2 (en) * 2005-03-29 2009-04-14 General Electric Company Full fault tolerant architecture for organic electronic devices
US7645177B2 (en) * 2005-05-07 2010-01-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electroluminescent panel with inkjet-printed electrode regions
EP1905069B1 (en) * 2005-07-14 2011-03-16 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Electroluminescent light source
US7781023B2 (en) * 2005-10-11 2010-08-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of producing an electroluminescent display
WO2007047779A1 (en) * 2005-10-14 2007-04-26 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for light emission utilizing an oled with a microcavity
KR100571882B1 (ko) * 2005-10-27 2006-04-17 알티전자 주식회사 황색 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 장치
US7843134B2 (en) * 2005-10-31 2010-11-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL emission devices connected in series
EP1860923A1 (en) * 2006-05-22 2007-11-28 TETENAL AG & Co. KG. Electroluminescent element
US7926300B2 (en) 2005-11-18 2011-04-19 Cree, Inc. Adaptive adjustment of light output of solid state lighting panels
US8278846B2 (en) 2005-11-18 2012-10-02 Cree, Inc. Systems and methods for calibrating solid state lighting panels
US8514210B2 (en) 2005-11-18 2013-08-20 Cree, Inc. Systems and methods for calibrating solid state lighting panels using combined light output measurements
CN103925521A (zh) * 2005-12-21 2014-07-16 科锐公司 照明装置
US20070144045A1 (en) * 2005-12-23 2007-06-28 Lexmark International, Inc. Electroluminescent display system
KR101157265B1 (ko) * 2005-12-30 2012-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광표시장치
KR101084166B1 (ko) * 2006-01-13 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 픽셀 구조 및 이를 구비한 유기 전계 발광소자
US7629742B2 (en) * 2006-03-17 2009-12-08 Lexmark International, Inc. Electroluminescent displays, media, and members, and methods associated therewith
US7648257B2 (en) 2006-04-21 2010-01-19 Cree, Inc. Light emitting diode packages
US7777166B2 (en) 2006-04-21 2010-08-17 Cree, Inc. Solid state luminaires for general illumination including closed loop feedback control
KR100805038B1 (ko) * 2006-05-04 2008-02-20 주식회사 엘지화학 유기발광소자 및 그의 제조방법
WO2007130536A2 (en) 2006-05-05 2007-11-15 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
US8008676B2 (en) 2006-05-26 2011-08-30 Cree, Inc. Solid state light emitting device and method of making same
US8596819B2 (en) 2006-05-31 2013-12-03 Cree, Inc. Lighting device and method of lighting
US7969097B2 (en) 2006-05-31 2011-06-28 Cree, Inc. Lighting device with color control, and method of lighting
US20080007936A1 (en) * 2006-07-05 2008-01-10 Jie Liu Organic illumination source and method for controlled illumination
US7766508B2 (en) 2006-09-12 2010-08-03 Cree, Inc. LED lighting fixture
US7665862B2 (en) 2006-09-12 2010-02-23 Cree, Inc. LED lighting fixture
WO2008064717A1 (de) * 2006-11-30 2008-06-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strukturanordnung und verfahren zur ausfallsicherung einer led- oder oled-kette
EP1927973B1 (de) 2006-11-30 2017-05-03 OSRAM OLED GmbH Strukturanordnung und Verfahren zur Ausfallsicherung einer LED- oder OLED-Kette
US7498603B2 (en) * 2006-12-06 2009-03-03 General Electric Company Color tunable illumination source and method for controlled illumination
US8258682B2 (en) 2007-02-12 2012-09-04 Cree, Inc. High thermal conductivity packaging for solid state light emitting apparatus and associated assembling methods
JP4356899B2 (ja) * 2007-03-15 2009-11-04 財団法人山形県産業技術振興機構 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
US7824070B2 (en) 2007-03-22 2010-11-02 Cree, Inc. LED lighting fixture
US7625502B2 (en) * 2007-03-26 2009-12-01 General Electric Company Nano-scale metal halide scintillation materials and methods for making same
US7608829B2 (en) * 2007-03-26 2009-10-27 General Electric Company Polymeric composite scintillators and method for making same
US7708968B2 (en) 2007-03-26 2010-05-04 General Electric Company Nano-scale metal oxide, oxyhalide and oxysulfide scintillation materials and methods for making same
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
US8042971B2 (en) 2007-06-27 2011-10-25 Cree, Inc. Light emitting device (LED) lighting systems for emitting light in multiple directions and related methods
WO2009012287A1 (en) 2007-07-17 2009-01-22 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Optical elements with internal optical features and methods of fabricating same
DE102007052181A1 (de) * 2007-09-20 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US8866410B2 (en) 2007-11-28 2014-10-21 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same
DE102008046857A1 (de) 2007-12-17 2009-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh OLED für Betrieb mit Wechselspannung und Herstellungsverfahren
US7804245B2 (en) * 2008-01-24 2010-09-28 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved brightness uniformity
US20090252933A1 (en) * 2008-04-04 2009-10-08 3M Innovative Properties Company Method for digitally printing electroluminescent lamps
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
TW201000602A (en) * 2008-06-30 2010-01-01 Paragon Technologies Co Ltd Organic membrane for transmitting optical spectrum and LED chip package module
WO2010022101A2 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Plextronics, Inc. Organic light emitting diode lighting devices
TWI446822B (zh) * 2008-10-28 2014-07-21 Nat Univ Tsing Hua 有機發光二極體裝置及其製造方法
US8022631B2 (en) * 2008-11-03 2011-09-20 General Electric Company Color control of light sources employing phosphors
FR2941033A1 (fr) * 2009-01-15 2010-07-16 Peugeot Citroen Automobiles Sa Bloc optique a amplification de photons par luminescence
TWI466266B (zh) * 2009-02-24 2014-12-21 Epistar Corp 陣列式發光元件及其裝置
US20100294526A1 (en) * 2009-05-21 2010-11-25 General Electric Company Hermetic electrical package
US8450926B2 (en) 2009-05-21 2013-05-28 General Electric Company OLED lighting devices including electrodes with magnetic material
US8427845B2 (en) * 2009-05-21 2013-04-23 General Electric Company Electrical connectors for optoelectronic device packaging
DE102009050542A1 (de) 2009-10-23 2011-04-28 Merck Patent Gmbh Sm-aktivierte Aluminat- und Borat-Leuchtstoffe
US8188463B2 (en) * 2009-11-19 2012-05-29 General Electric Company Organic light emitting diode with magnetic structure for improved current adaptability
US20110163337A1 (en) * 2010-01-06 2011-07-07 General Electric Company Architecture for organic electronic devices
JP2012009420A (ja) 2010-05-21 2012-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び照明装置
WO2012014759A1 (en) 2010-07-26 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device
JP5827885B2 (ja) 2010-12-24 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び照明装置
CN102569659A (zh) * 2010-12-27 2012-07-11 苏州晶能科技有限公司 有机无机led面光源模块及其制造方法
JP6000127B2 (ja) * 2011-01-07 2016-09-28 株式会社カネカ 有機ｅｌ装置
JP5964070B2 (ja) * 2011-02-10 2016-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
JP5820295B2 (ja) 2011-02-21 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
US8373181B2 (en) 2011-06-29 2013-02-12 General Electric Company Method and device for a cathode structure for flexible organic light emitting diode (OLED) device
US8552420B2 (en) 2011-08-09 2013-10-08 Universal Display Corporation OLED light panel with controlled brightness variation
RU2614515C2 (ru) * 2011-12-05 2017-03-28 Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. Осветительная система
KR101926358B1 (ko) * 2012-02-17 2018-12-07 삼성전자주식회사 반도체 발광장치 및 조명장치
US20130248914A1 (en) 2012-03-20 2013-09-26 General Electric Company Packaged optoelectronic device and process for manufacturing
US20130278158A1 (en) * 2012-03-26 2013-10-24 Cheorwon Plasma Research Institute Oled lighting module
DE102012109142B4 (de) * 2012-09-27 2019-04-25 Osram Oled Gmbh Verfahren zum Herstellen eines passiven elektronischen Bauelements und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe
JP2014102958A (ja) 2012-11-19 2014-06-05 Toshiba Corp 表示装置及び表示システム
WO2014129519A1 (en) 2013-02-20 2014-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus
KR20150033195A (ko) * 2013-09-23 2015-04-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105793957B (zh) 2013-12-12 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 剥离方法及剥离装置
US20160335933A1 (en) * 2014-01-08 2016-11-17 Julie Claire Company Limited A submersible display
CN107134256A (zh) 2017-05-03 2017-09-05 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其驱动方法、显示装置
WO2018210144A1 (zh) * 2017-05-19 2018-11-22 中国科学院化学研究所 一种用于制得激光光源的墨水
CA3105969A1 (en) * 2018-07-13 2020-01-16 Roger MCKENZIE Hybrid led / photoluminescent signs
US11739919B2 (en) 2019-07-10 2023-08-29 Inspace Media Ltd. Panel, system, kit of parts and methods
CN110456560A (zh) * 2019-07-29 2019-11-15 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板及其显示装置
CN113764598A (zh) * 2020-06-03 2021-12-07 咸阳彩虹光电科技有限公司 一种薄膜封装结构、oled显示面板及显示器
CN112586990B (zh) * 2020-12-01 2022-02-01 杭州九阳小家电有限公司 一种烹饪器具

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3558886A (en) * 1969-04-23 1971-01-26 David Carver Method of discovering imperfections in bonded laminated structures
US3763468A (en) * 1971-10-01 1973-10-02 Energy Conversion Devices Inc Light emitting display array with non-volatile memory
US4186020A (en) * 1974-11-04 1980-01-29 A. B. Dick Company Fluorescent ink for automatic identification
JPS538053A (en) * 1976-07-09 1978-01-25 Fujitsu Ltd Gas discharging panel
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
IT209813Z2 (it) * 1987-01-08 1988-11-04 Incas Int Carbon Solvent Spa Nastro adesivo fluorescente atto all'impiego com evidenziatore.
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5294870A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
JPH06337647A (ja) * 1993-05-28 1994-12-06 Nec Kansai Ltd 電界発光灯表示板及びその製造方法
US5681380A (en) * 1995-06-05 1997-10-28 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Ink for ink jet printers
JPH0864009A (ja) * 1994-08-17 1996-03-08 Mitsuru Kono 平面蛍光発色薄型装飾装置
JP3187695B2 (ja) * 1995-02-06 2001-07-11 出光興産株式会社 多色発光装置およびその製造方法
JPH08330070A (ja) * 1995-05-29 1996-12-13 Pioneer Electron Corp 発光素子の駆動法
US5708130A (en) 1995-07-28 1998-01-13 The Dow Chemical Company 2,7-aryl-9-substituted fluorenes and 9-substituted fluorene oligomers and polymers
JP2947154B2 (ja) * 1996-01-31 1999-09-13 日本精機株式会社 電界発光素子
WO1997038347A1 (en) * 1996-04-10 1997-10-16 Cambridge Display Technology Limited Efficient backlighting for lcds
US5772741A (en) 1996-05-20 1998-06-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Aqueous ink jet ink compositions
AUPO062996A0 (en) * 1996-06-24 1996-07-18 Zone Properties Pty Ltd Ink composition
US5661645A (en) * 1996-06-27 1997-08-26 Hochstein; Peter A. Power supply for light emitting diode array
JPH1039791A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Mitsubishi Electric Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5705285A (en) * 1996-09-03 1998-01-06 Motorola, Inc. Multicolored organic electroluminescent display
US5874803A (en) 1997-09-09 1999-02-23 The Trustees Of Princeton University Light emitting device with stack of OLEDS and phosphor downconverter
US6013982A (en) * 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US5965242A (en) * 1997-02-19 1999-10-12 Eastman Kodak Company Glow-in-the-dark medium and method of making
US5874804A (en) 1997-03-03 1999-02-23 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device hermetic encapsulation package and method of fabrication
US5952778A (en) 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
US6337492B1 (en) * 1997-07-11 2002-01-08 Emagin Corporation Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer
JPH1167451A (ja) * 1997-08-20 1999-03-09 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ発光装置及び多色発光装置
JPH1187055A (ja) * 1997-09-11 1999-03-30 Shibusawa Enterp Kk シート状発光表示装置および発光表示装置
US6370019B1 (en) * 1998-02-17 2002-04-09 Sarnoff Corporation Sealing of large area display structures
JP3884564B2 (ja) * 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置
ITTO980580A1 (it) 1998-07-02 2000-01-02 C R F Societa Consotile Per Az Dispositivo emettitore di luce, a base di materiale organico elettro- luminescente, con interfaccia esterna conformata
US6072280A (en) * 1998-08-28 2000-06-06 Fiber Optic Designs, Inc. Led light string employing series-parallel block coupling
US6166489A (en) * 1998-09-15 2000-12-26 The Trustees Of Princeton University Light emitting device using dual light emitting stacks to achieve full-color emission
EP0996176B8 (en) * 1998-10-13 2005-10-19 Sony Deutschland GmbH Method of fabricating an active matrix light-emitting display device
US6259838B1 (en) * 1998-10-16 2001-07-10 Sarnoff Corporation Linearly-addressed light-emitting fiber, and flat panel display employing same
US5997622A (en) 1998-12-01 1999-12-07 Eastman Kodak Company Ink jet printing with metal complex
US6162490A (en) * 1999-09-07 2000-12-19 Iomega Corporation Method for applying an emissive material to a substrate
US6566808B1 (en) * 1999-12-22 2003-05-20 General Electric Company Luminescent display and method of making

Also Published As

Publication number Publication date
CN1303228A (zh) 2001-07-11
JP2001297879A (ja) 2001-10-26
US6800999B1 (en) 2004-10-05
EP1111966A2 (en) 2001-06-27
US6566808B1 (en) 2003-05-20
EP1111966A3 (en) 2006-04-19
KR20010062574A (ko) 2001-07-07
CA2327870A1 (en) 2001-06-22
US7198533B2 (en) 2007-04-03
US20040251818A1 (en) 2004-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW513896B (en) Luminescent display and method of making
KR100687666B1 (ko) 전계발광 재료, 전계발광 소자 및 색전환 필터
JP4411851B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2998268B2 (ja) 有機電界発光素子
US7186469B2 (en) Bathophenanthroline compound and EL device
JP4993420B2 (ja) 有機発光素子及び取付方法
JP3968933B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JP3196230B2 (ja) 有機電界発光素子
JPH06325871A (ja) 有機電界発光素子
CN101425565A (zh) 电致发光元件及其制造方法
JP4804661B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4788078B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料および表示装置
TW200803600A (en) Light emitting device
JP4506086B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3845941B2 (ja) イミダゾール金属錯体及びそれを用いた有機電界発光素子
JP4803478B2 (ja) Ｇａ系合金及びこれを用いた有機機能素子
JP2002324676A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、発光光源、照明装置、表示デバイスおよび発光方法
JP4940504B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4962577B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20060226421A1 (en) Amine compound and uses thereof
TW200304940A (en) Coumarin compound
JP2004055258A (ja) 発光素子
JP4556335B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4949149B2 (ja) 発光素子
JP5129359B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置