JP2002324676A - 有機エレクトロルミネッセンス素子、発光光源、照明装置、表示デバイスおよび発光方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子、発光光源、照明装置、表示デバイスおよび発光方法Info
- Publication number
- JP2002324676A JP2002324676A JP2001129284A JP2001129284A JP2002324676A JP 2002324676 A JP2002324676 A JP 2002324676A JP 2001129284 A JP2001129284 A JP 2001129284A JP 2001129284 A JP2001129284 A JP 2001129284A JP 2002324676 A JP2002324676 A JP 2002324676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- light emitting
- organic
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 131
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 52
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 46
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 69
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 44
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 39
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 33
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 claims description 21
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 claims description 21
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 claims description 21
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 303
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 56
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 47
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 42
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 42
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 28
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 15
- -1 amino-substituted chalcone derivatives Chemical class 0.000 description 14
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 14
- 239000002585 base Substances 0.000 description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 7
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 7
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 6
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005835 GeO6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 230000037427 ion transport Effects 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical class N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- MALKDETVJPZAOQ-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxyethylsilyl prop-2-enoate Chemical compound C(C=C)(=O)O[SiH2]CC(OC)OC MALKDETVJPZAOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVOSWEYVOJNMTC-UHFFFAOYSA-N 3-[3-prop-2-enoyloxypropyl(dipropoxy)silyl]propyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCC[Si](OCCC)(CCCOC(=O)C=C)OCCC SVOSWEYVOJNMTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEQANKMIYGFHHO-UHFFFAOYSA-N 3-propylsilyloxypropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C(C(=C)C)(=O)OCCCO[SiH2]CCC HEQANKMIYGFHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGEKXQRHZRDGKO-UHFFFAOYSA-N 3-tripropoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)CCCOC(=O)C=C HGEKXQRHZRDGKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(dimethylamino)-2-methylphenyl]-phenylmethyl]-n,n,3-trimethylaniline Chemical compound CC1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)N(C)C)C)C1=CC=CC=C1 AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEIBOBDKQKIBJH-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-phenylcyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCC(CC1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MEIBOBDKQKIBJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUSWRTUHJVJVRY-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]propan-2-yl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C(C)(C)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 DUSWRTUHJVJVRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical group C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIQGFRHAIQHZBD-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]-phenylmethyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 XIQGFRHAIQHZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical class N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical group [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 241000534944 Thia Species 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- ABRVLXLNVJHDRQ-UHFFFAOYSA-N [2-pyridin-3-yl-6-(trifluoromethyl)pyridin-4-yl]methanamine Chemical compound FC(C1=CC(=CC(=N1)C=1C=NC=CC=1)CN)(F)F ABRVLXLNVJHDRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000990 laser dye Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical class C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBDFECYVDQCSCN-UHFFFAOYSA-N n-(4-methoxyphenyl)-4-[4-(n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]-n-phenylaniline Chemical group C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=CC=C1 BBDFECYVDQCSCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N naphthalene perylene Chemical group C1=CC=CC2=CC=CC=C21.C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N p-quaterphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical group [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWJUTPORTOUFDY-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCOCC1CO1 RWJUTPORTOUFDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004798 β-ketoamides Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 省電力で面状発光し、フレキシブルデバイス
の作製が可能であり、発光効率が高い発光極大波長が４
１５ｎｍ以下の有機ＥＬ素子、該有機ＥＬ素子を用いた
発光光源、照明装置、表示デバイス及び発光方法を提供
する。 【解決手段】 基体上に、一対の電極および該一対の電
極に挟持される有機化合物薄膜を有する有機ＥＬ素子に
おいて、前記有機化合物薄膜は発光層と、前記発光層と
隣接する隣接層とを有し、前記発光層を構成する発光材
料および前記隣接層を構成する隣接層材料それぞれの蛍
光極大波長が４１５ｎｍ以下であることを特徴とする有
機ＥＬ素子、該有機ＥＬ素子を用いた発光光源、照明装
置、表示デバイスおよび発光方法。
の作製が可能であり、発光効率が高い発光極大波長が４
１５ｎｍ以下の有機ＥＬ素子、該有機ＥＬ素子を用いた
発光光源、照明装置、表示デバイス及び発光方法を提供
する。 【解決手段】 基体上に、一対の電極および該一対の電
極に挟持される有機化合物薄膜を有する有機ＥＬ素子に
おいて、前記有機化合物薄膜は発光層と、前記発光層と
隣接する隣接層とを有し、前記発光層を構成する発光材
料および前記隣接層を構成する隣接層材料それぞれの蛍
光極大波長が４１５ｎｍ以下であることを特徴とする有
機ＥＬ素子、該有機ＥＬ素子を用いた発光光源、照明装
置、表示デバイスおよび発光方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットディスプ
レイや照明用平面光源、光記憶媒体、電子写真複写機、
光通信処理機器等の光源に使用される蛍光極大波長が４
１５ｎｍ以下の発光を得る有機エレクトロルミネッセン
ス素子（以下、有機ＥＬ素子と称する）に関するもので
ある。
レイや照明用平面光源、光記憶媒体、電子写真複写機、
光通信処理機器等の光源に使用される蛍光極大波長が４
１５ｎｍ以下の発光を得る有機エレクトロルミネッセン
ス素子（以下、有機ＥＬ素子と称する）に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、平面型光源としては、無機エレク
トロルミネッセンス素子が使用されてきたが、無機エレ
クトロルミネッセンス素子を駆動させるためには、交流
の高電圧が必要となる。
トロルミネッセンス素子が使用されてきたが、無機エレ
クトロルミネッセンス素子を駆動させるためには、交流
の高電圧が必要となる。
【０００３】最近開発された、有機ＥＬ素子は、蛍光性
の有機化合物を含む薄膜（有機化合物薄膜）を、陰極と
陽極で挟んだ構成を有し、前記有機化合物薄膜に電子及
び正孔を注入して再結合させることにより励起子（エキ
シトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光
の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子であり、
数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能であり、自己発
光型であるために視野角依存性に富み、視認性が高い。
更には薄膜型の固体素子であるために省スペース等の観
点からも注目され、実用化研究への展開が開始されてい
る。
の有機化合物を含む薄膜（有機化合物薄膜）を、陰極と
陽極で挟んだ構成を有し、前記有機化合物薄膜に電子及
び正孔を注入して再結合させることにより励起子（エキ
シトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光
の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子であり、
数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能であり、自己発
光型であるために視野角依存性に富み、視認性が高い。
更には薄膜型の固体素子であるために省スペース等の観
点からも注目され、実用化研究への展開が開始されてい
る。
【０００４】これまで様々な有機ＥＬ素子が報告されて
いる。たとえば、米国特許第３，５３０，３２５号に記
載の蛍光性の有機化合物として単結晶アントラセン等を
用いたもの、特開昭５９−１９４３９３号に記載の正孔
注入層と発光層とを組み合わせたもの、特開昭６３−２
９５６９５号に記載の正孔注入層と電子注入輸送層とを
組み合わせたもの、Ｊｐｎ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａ
ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｉｓｙｃｓ，ｖｏｌ１２７，Ｎｏ．
２第２６９〜２７１頁に記載の正孔移動層と発光層と電
子移動層とを組み合わせたものがそれぞれ開示されてい
る。
いる。たとえば、米国特許第３，５３０，３２５号に記
載の蛍光性の有機化合物として単結晶アントラセン等を
用いたもの、特開昭５９−１９４３９３号に記載の正孔
注入層と発光層とを組み合わせたもの、特開昭６３−２
９５６９５号に記載の正孔注入層と電子注入輸送層とを
組み合わせたもの、Ｊｐｎ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａ
ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｉｓｙｃｓ，ｖｏｌ１２７，Ｎｏ．
２第２６９〜２７１頁に記載の正孔移動層と発光層と電
子移動層とを組み合わせたものがそれぞれ開示されてい
る。
【０００５】しかしながら、エネルギー変換効率、発光
効率の更なる向上や、経時での有機化合物薄膜の安定性
の付与など解決すべき問題は多数ある。特に赤色発光の
発光効率は悪く、更なる改善が必要とされている。
効率の更なる向上や、経時での有機化合物薄膜の安定性
の付与など解決すべき問題は多数ある。特に赤色発光の
発光効率は悪く、更なる改善が必要とされている。
【０００６】特開平３−１５２８９７には、青色もしく
は青緑色に発光する有機化合物薄膜からの発光を、蛍光
色素で色変換することにより赤色発光を得る有機ＥＬ素
子が開示されているが、青もしくは青緑に吸収を有し、
且つ、赤色に蛍光を持つ蛍光色素は少なく、青から赤色
への色変換を複数の蛍光色素を用いて段階的に行ってい
るため、必ずしも発光効率の満足できるものではない。
は青緑色に発光する有機化合物薄膜からの発光を、蛍光
色素で色変換することにより赤色発光を得る有機ＥＬ素
子が開示されているが、青もしくは青緑に吸収を有し、
且つ、赤色に蛍光を持つ蛍光色素は少なく、青から赤色
への色変換を複数の蛍光色素を用いて段階的に行ってい
るため、必ずしも発光効率の満足できるものではない。
【０００７】ＥＰ１０６７１６５Ａには、青紫発光ない
し紫青領域に発光し、該発光を吸収する蛍光体を組み合
わせることにより、ディスプレイのような情報表示デバ
イスや白色照明にも応用されうる有機ＥＬ素子が開示さ
れている。これは、青紫領域に吸収を有する蛍光体を用
いることができるため、赤色への変換が多段階を経ず一
段階での変換が可能となる。よって、前記特開平３−１
５２８９７号に開示の技術に比べて赤色への変換効率が
高く、省電力なフルカラーディスプレーや白色照明を提
供できる。しかしながら、有機化合物薄膜からの青紫発
光ないし紫青領域の発光の発光効率については、さらな
る改良が求められる。
し紫青領域に発光し、該発光を吸収する蛍光体を組み合
わせることにより、ディスプレイのような情報表示デバ
イスや白色照明にも応用されうる有機ＥＬ素子が開示さ
れている。これは、青紫領域に吸収を有する蛍光体を用
いることができるため、赤色への変換が多段階を経ず一
段階での変換が可能となる。よって、前記特開平３−１
５２８９７号に開示の技術に比べて赤色への変換効率が
高く、省電力なフルカラーディスプレーや白色照明を提
供できる。しかしながら、有機化合物薄膜からの青紫発
光ないし紫青領域の発光の発光効率については、さらな
る改良が求められる。
【０００８】有機ＥＬ素子で紫外発光した例は他に特開
平１１−２６１５９号に開示される技術もあるが、単層
構成の有機ＥＬ素子であり、外部取り出し量子効率は
０．１％以下であり、発光効率は非常に低い。
平１１−２６１５９号に開示される技術もあるが、単層
構成の有機ＥＬ素子であり、外部取り出し量子効率は
０．１％以下であり、発光効率は非常に低い。
【０００９】一方、有機ＥＬ素子以外の分野における紫
外発光デバイスとしては、特開平１０−３２１９０８号
に挙げられるように、高エネルギーバンドギャップを有
する窒化物系化合物半導体を利用した半導体素子が開発
されている。高エネルギーバンドギャップを有する半導
体素子を利用したデバイス例として、青紫色系が発光可
能な発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザなどが挙
げられる。
外発光デバイスとしては、特開平１０−３２１９０８号
に挙げられるように、高エネルギーバンドギャップを有
する窒化物系化合物半導体を利用した半導体素子が開発
されている。高エネルギーバンドギャップを有する半導
体素子を利用したデバイス例として、青紫色系が発光可
能な発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザなどが挙
げられる。
【００１０】しかし、窒化物系化合物半導体を利用した
半導体素子は、ＧａＡｓ、ＧａＰやＩｎＧａＡｌＡｓな
どの半導体素子とは異なり単結晶を形成させることが難
しい。結晶性の良い窒化物系化合物半導体の単結晶膜を
得るために、ＭＯＣＶＤ法やＨＤＶＰＥ法を用いサファ
イア基板上にバッファ層を介して形成させることが行わ
れている。これら半導体素子を用いることにより近紫外
光すなわち青紫発光もしくは４１５ｎｍ以下に発光極大
波長を有する発光デバイスを提供することは可能である
が、ＬＥＤは無機半導体の単結晶膜を必要とするため、
非常に作製が困難であり、製造のエネルギーもかかる。
更に、点光源であるため、面状の発光は困難であり、更
に単結晶膜であるために、樹脂フィルム等を基体とした
フレキシブルデバイスの作製はほぼ不可能であるといえ
る。
半導体素子は、ＧａＡｓ、ＧａＰやＩｎＧａＡｌＡｓな
どの半導体素子とは異なり単結晶を形成させることが難
しい。結晶性の良い窒化物系化合物半導体の単結晶膜を
得るために、ＭＯＣＶＤ法やＨＤＶＰＥ法を用いサファ
イア基板上にバッファ層を介して形成させることが行わ
れている。これら半導体素子を用いることにより近紫外
光すなわち青紫発光もしくは４１５ｎｍ以下に発光極大
波長を有する発光デバイスを提供することは可能である
が、ＬＥＤは無機半導体の単結晶膜を必要とするため、
非常に作製が困難であり、製造のエネルギーもかかる。
更に、点光源であるため、面状の発光は困難であり、更
に単結晶膜であるために、樹脂フィルム等を基体とした
フレキシブルデバイスの作製はほぼ不可能であるといえ
る。
【００１１】また最近、無機ＥＬ素子においても、Ｔｈ
ｅ １０ｔｈ ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ｗｏｒｋ
ｓｈｏｐ ｏｎ ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ ｏｒｇ
ａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ
（ＥＬ’００）予稿集Ｐ−１９に記載されているよう
に、紫外発光デバイスの研究がなされているが、無機Ｅ
Ｌ素子は通常１００Ｖ程度の高電圧が必要な上、発光の
エネルギー効率も低くモバイル機器等への搭載は不向き
である。
ｅ １０ｔｈ ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ｗｏｒｋ
ｓｈｏｐ ｏｎ ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ ｏｒｇ
ａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ
（ＥＬ’００）予稿集Ｐ−１９に記載されているよう
に、紫外発光デバイスの研究がなされているが、無機Ｅ
Ｌ素子は通常１００Ｖ程度の高電圧が必要な上、発光の
エネルギー効率も低くモバイル機器等への搭載は不向き
である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記課題を鑑み、本発
明の目的は、省電力で面状発光し、フレキシブルデバイ
スの作製が可能であり、発光効率が高い発光極大波長が
４１５ｎｍ以下の有機ＥＬ素子、該有機ＥＬ素子を用い
た発光光源、照明装置、表示デバイス及び発光方法を提
供することである。
明の目的は、省電力で面状発光し、フレキシブルデバイ
スの作製が可能であり、発光効率が高い発光極大波長が
４１５ｎｍ以下の有機ＥＬ素子、該有機ＥＬ素子を用い
た発光光源、照明装置、表示デバイス及び発光方法を提
供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的は、以
下の構成により達成された。
下の構成により達成された。
【００１４】１．基体上に、一対の電極および該一対の
電極に挟持される有機化合物薄膜を有する有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、前記有機化合物薄膜は
発光層と、前記発光層と隣接する隣接層とを有し、前記
発光層を構成する発光材料および前記隣接層を構成する
隣接層材料それぞれの蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下で
あることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。
電極に挟持される有機化合物薄膜を有する有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、前記有機化合物薄膜は
発光層と、前記発光層と隣接する隣接層とを有し、前記
発光層を構成する発光材料および前記隣接層を構成する
隣接層材料それぞれの蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下で
あることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。
【００１５】２．前記有機エレクトロルミネッセンス素
子の電界発光の極大発光波長が４１５ｎｍ以下であるこ
とを特徴とする上記１に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。
子の電界発光の極大発光波長が４１５ｎｍ以下であるこ
とを特徴とする上記１に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。
【００１６】３．前記発光層が電子輸送型発光層であ
り、且つ、前記隣接層が正孔輸送層であることを特徴と
する上記１または２に記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
り、且つ、前記隣接層が正孔輸送層であることを特徴と
する上記１または２に記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
【００１７】４．前記正孔輸送層が接する側とは反対側
の前記電子輸送型発光層の隣接層として電子輸送層を有
し、前記電子輸送層を構成する電子輸送材料の蛍光極大
波長が４１５ｎｍ以下であることを特徴とする上記３に
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
の前記電子輸送型発光層の隣接層として電子輸送層を有
し、前記電子輸送層を構成する電子輸送材料の蛍光極大
波長が４１５ｎｍ以下であることを特徴とする上記３に
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１８】５．前記正孔輸送層を構成する正孔輸送材
料のイオン化ポテンシャルが５．７ｅＶ以下であり、前
記正孔輸送材料の蛍光極大波長が前記電子輸送型発光層
を構成する発光材料の蛍光極大波長よりも短波長である
ことを特徴とする上記３または４に記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子。
料のイオン化ポテンシャルが５．７ｅＶ以下であり、前
記正孔輸送材料の蛍光極大波長が前記電子輸送型発光層
を構成する発光材料の蛍光極大波長よりも短波長である
ことを特徴とする上記３または４に記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子。
【００１９】６．前記正孔輸送材料のイオン化ポテンシ
ャルが、前記発光材料のイオン化ポテンシャルよりも小
さいことを特徴とする上記５に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
ャルが、前記発光材料のイオン化ポテンシャルよりも小
さいことを特徴とする上記５に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
【００２０】７．前記発光層が正孔輸送型発光層であ
り、且つ、前記隣接層が電子輸送層であることを特徴と
する上記１または２に記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
り、且つ、前記隣接層が電子輸送層であることを特徴と
する上記１または２に記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
【００２１】８．前記正孔輸送層が接する側とは反対側
の前記電子輸送型発光層の隣接層として電子輸送層を有
し、前記正孔輸送層を構成する正孔輸送材料の蛍光極大
波長が４１５ｎｍ以下であることを特徴とする上記７に
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
の前記電子輸送型発光層の隣接層として電子輸送層を有
し、前記正孔輸送層を構成する正孔輸送材料の蛍光極大
波長が４１５ｎｍ以下であることを特徴とする上記７に
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２２】９．前記電子輸送層を構成する電子輸送材
料の電子親和力が２．５ｅＶ以上であり、前記電子輸送
材料の蛍光極大波長が前記正孔輸送型発光層を構成する
発光材料の蛍光極大波長よりも短波長であることを特徴
とする上記７または８に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。
料の電子親和力が２．５ｅＶ以上であり、前記電子輸送
材料の蛍光極大波長が前記正孔輸送型発光層を構成する
発光材料の蛍光極大波長よりも短波長であることを特徴
とする上記７または８に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。
【００２３】１０．前記電子輸送材料の電子親和力が、
前記発光材料の電子親和力よりも大きいことを特徴とす
る上記９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記発光材料の電子親和力よりも大きいことを特徴とす
る上記９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２４】１１．前記有機化合物薄膜を構成する全材
料のそれぞれのガラス転移点が１００度以上であること
を特徴とする上記１〜１０のいずれか１項に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。
料のそれぞれのガラス転移点が１００度以上であること
を特徴とする上記１〜１０のいずれか１項に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。
【００２５】１２．前記基体が樹脂フィルムであること
を特徴とする上記１〜１１のいずれか１項に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。
を特徴とする上記１〜１１のいずれか１項に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。
【００２６】１３．前記有機エレクトロルミネッセンス
素子の発光の室温における外部取り出し効率が２％以上
であることを特徴とする上記１〜１２のいずれか１項に
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
素子の発光の室温における外部取り出し効率が２％以上
であることを特徴とする上記１〜１２のいずれか１項に
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２７】１４．前記発光層からの発光を吸収し、該
発光とは異なる色に変換する色変換部とを有することを
特徴とする上記１〜１３のいずれか１項に記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。
発光とは異なる色に変換する色変換部とを有することを
特徴とする上記１〜１３のいずれか１項に記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。
【００２８】１５．前記発光層からの発光が青紫領域の
色であることを特徴とする上記１４に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。
色であることを特徴とする上記１４に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。
【００２９】１６．前記色変換部が、無機蛍光体を含有
することを特徴とする上記１４または１５に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。
することを特徴とする上記１４または１５に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。
【００３０】１７．上記１〜１６のいずれか１項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子から構成される発
光光源。
の有機エレクトロルミネッセンス素子から構成される発
光光源。
【００３１】１８．上記１〜１６のいずれか１項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子から構成される照
明装置。
の有機エレクトロルミネッセンス素子から構成される照
明装置。
【００３２】１９．前記色変換部が前記発光層からの発
光を吸収し青色に変換する青色変換部である上記１４に
記載の第１の有機エレクトロルミネッセンス素子と、前
記色変換部が前記発光層からの発光を吸収し緑色に変換
する緑色変換部である上記１４に記載の第２の有機エレ
クトロルミネッセンス素子と、前記色変換部が前記発光
層からの発光を吸収し赤色に変換する赤色変換部である
上記１４に記載の第３の有機エレクトロルミネッセンス
素子とから構成されるフルカラーの表示デバイス。
光を吸収し青色に変換する青色変換部である上記１４に
記載の第１の有機エレクトロルミネッセンス素子と、前
記色変換部が前記発光層からの発光を吸収し緑色に変換
する緑色変換部である上記１４に記載の第２の有機エレ
クトロルミネッセンス素子と、前記色変換部が前記発光
層からの発光を吸収し赤色に変換する赤色変換部である
上記１４に記載の第３の有機エレクトロルミネッセンス
素子とから構成されるフルカラーの表示デバイス。
【００３３】２０．基体上に、一対の電極および該一対
の電極に挟持される有機化合物薄膜を有する有機エレク
トロルミネッセンス素子の前記一対の電極に電圧をかけ
て発光させる発光方法において、前記有機化合物薄膜は
発光層と、前記発光層と隣接する隣接層とを有し、前記
発光層を構成する発光材料および前記隣接層を構成する
隣接層材料それぞれの蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下で
あることを特徴とする発光方法。
の電極に挟持される有機化合物薄膜を有する有機エレク
トロルミネッセンス素子の前記一対の電極に電圧をかけ
て発光させる発光方法において、前記有機化合物薄膜は
発光層と、前記発光層と隣接する隣接層とを有し、前記
発光層を構成する発光材料および前記隣接層を構成する
隣接層材料それぞれの蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下で
あることを特徴とする発光方法。
【００３４】２１．基体上に、一対の電極および該一対
の電極に挟持される有機化合物薄膜を有する有機エレク
トロルミネッセンス素子において、前記有機化合物薄膜
は発光層と、前記発光層と隣接する隣接層とを有し、前
記有機エレクトロルミネッセンス素子の電界発光の極大
発光波長が４１５ｎｍ以下であることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子。
の電極に挟持される有機化合物薄膜を有する有機エレク
トロルミネッセンス素子において、前記有機化合物薄膜
は発光層と、前記発光層と隣接する隣接層とを有し、前
記有機エレクトロルミネッセンス素子の電界発光の極大
発光波長が４１５ｎｍ以下であることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子。
【００３５】２２．基体上に、一対の電極および該一対
の電極に挟持される有機化合物薄膜を有する有機エレク
トロルミネッセンス素子において、前記有機化合物薄膜
は発光層と、前記発光層の両側に隣接するそれぞれ一層
ずつの隣接層とを有し、前記有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の電界発光の極大発光波長が４１５ｎｍ以下で
あることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。
の電極に挟持される有機化合物薄膜を有する有機エレク
トロルミネッセンス素子において、前記有機化合物薄膜
は発光層と、前記発光層の両側に隣接するそれぞれ一層
ずつの隣接層とを有し、前記有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の電界発光の極大発光波長が４１５ｎｍ以下で
あることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。
【００３６】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明の有機ＥＬ素子は、基体上に、一対の電極および該
一対の電極に挟持される有機化合物薄膜を有するもので
ある。
発明の有機ＥＬ素子は、基体上に、一対の電極および該
一対の電極に挟持される有機化合物薄膜を有するもので
ある。
【００３７】前記有機化合物薄膜は複数層構成である。
ただし、該複数層構成において、有機物以外の層（例え
ばフッ化リチウム層や無機金属塩の層、またはそれらを
含有する層など）が任意の位置に配置されていてもよ
い。
ただし、該複数層構成において、有機物以外の層（例え
ばフッ化リチウム層や無機金属塩の層、またはそれらを
含有する層など）が任意の位置に配置されていてもよ
い。
【００３８】前記有機化合物薄膜は、前記一対の電極か
ら注入された電子及び正孔が再結合して発光する領域
（発光領域）を有する発光層および該発光層と隣接する
隣接層の少なくとも２層を有する。前記発光領域は、発
光層の層全体であってもよいし、発光層の厚みの一部分
であってもよい。また、発光層と隣接層との界面であっ
てもよい。本発明において、発光領域が２層にわたる場
合には、どちらか一層を発光層ととらえ、もう一層を前
記発光層の隣接層ととらえる。
ら注入された電子及び正孔が再結合して発光する領域
（発光領域）を有する発光層および該発光層と隣接する
隣接層の少なくとも２層を有する。前記発光領域は、発
光層の層全体であってもよいし、発光層の厚みの一部分
であってもよい。また、発光層と隣接層との界面であっ
てもよい。本発明において、発光領域が２層にわたる場
合には、どちらか一層を発光層ととらえ、もう一層を前
記発光層の隣接層ととらえる。
【００３９】前記隣接層については後述するが、その機
能によって大きくは正孔輸送層と電子輸送層に分類する
ことができる。さらに細かく機能分類すると、正孔注入
層、正孔輸送層、電子阻止層、電子注入層、電子輸送
層、正孔阻止層等がある。
能によって大きくは正孔輸送層と電子輸送層に分類する
ことができる。さらに細かく機能分類すると、正孔注入
層、正孔輸送層、電子阻止層、電子注入層、電子輸送
層、正孔阻止層等がある。
【００４０】そして、本発明においては、前記発光層を
構成する発光材料および前記隣接層を構成する隣接層材
料それぞれの蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下である。
構成する発光材料および前記隣接層を構成する隣接層材
料それぞれの蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下である。
【００４１】本発明において、発光材料または隣接層材
料の蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下であるとは、前記発
光材料または前記隣接層材料が蒸着可能な化合物である
ならば蒸着膜、高分子化合物ならスピンコートやキャス
トコートもしくはインクジェットなどの方法により膜の
状態とし、当該膜において測定した蛍光極大波長が４１
５ｎｍ以下ということである。
料の蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下であるとは、前記発
光材料または前記隣接層材料が蒸着可能な化合物である
ならば蒸着膜、高分子化合物ならスピンコートやキャス
トコートもしくはインクジェットなどの方法により膜の
状態とし、当該膜において測定した蛍光極大波長が４１
５ｎｍ以下ということである。
【００４２】蛍光極大波長とは蛍光スペクトルにおける
極大値を与える波長のことであり、その材料の物性を規
定する指標である。もし、複数個の極大波長がある場合
は長波長側の方を蛍光極大波長とする。つまり、蛍光を
与える励起状態が複数ある場合でも、一番エネルギーが
低い最低励起状態のことを意味する。蛍光の強度は関係
しない。蛍光強度が非常に弱い場合に於いても蛍光極大
波長が４１５ｎｍ以下であればよい。ただし、発光材料
のうち少なくとも一種は蛍光量子収率が０．５以上であ
ることが好ましい。
極大値を与える波長のことであり、その材料の物性を規
定する指標である。もし、複数個の極大波長がある場合
は長波長側の方を蛍光極大波長とする。つまり、蛍光を
与える励起状態が複数ある場合でも、一番エネルギーが
低い最低励起状態のことを意味する。蛍光の強度は関係
しない。蛍光強度が非常に弱い場合に於いても蛍光極大
波長が４１５ｎｍ以下であればよい。ただし、発光材料
のうち少なくとも一種は蛍光量子収率が０．５以上であ
ることが好ましい。
【００４３】また、本発明の有機ＥＬ素子は、電界発光
の極大発光波長が４１５ｎｍ以下である。電界発光の極
大発光波長とは、有機ＥＬ素子の一対の電極に電圧を印
加して、それぞれの電極から電子および正孔が注入さ
れ、発光層でそれらが再結合して発光したときの当該発
光において、発光スペクトルにおける極大値を与える波
長の波長のことである。もし、複数個の極大発光波長が
ある場合は、蛍光強度が一番強い極大発光波長のことで
ある。
の極大発光波長が４１５ｎｍ以下である。電界発光の極
大発光波長とは、有機ＥＬ素子の一対の電極に電圧を印
加して、それぞれの電極から電子および正孔が注入さ
れ、発光層でそれらが再結合して発光したときの当該発
光において、発光スペクトルにおける極大値を与える波
長の波長のことである。もし、複数個の極大発光波長が
ある場合は、蛍光強度が一番強い極大発光波長のことで
ある。
【００４４】このような電界発光の色としては、青紫発
光であることが好ましい。青紫発光の青紫とは分光放射
輝度計ＣＳ−１０００（ミノルタ製）等の測定器で測定
し、その結果、座標が、ＣＩＥ色度座標（「新編色色彩
科学ハンドブック」１０８頁の図４．１６（日本色彩学
会編、東京大学出版会、１９８５））に当てはめたと
き、Ｐｕｒｐｌｉｓｈ Ｂｌｕｅ（紫青）、または、Ｂ
ｌｕｉｓｈ Ｐｕｒｐｌｅ（青紫）の領域にある場合を
いう。
光であることが好ましい。青紫発光の青紫とは分光放射
輝度計ＣＳ−１０００（ミノルタ製）等の測定器で測定
し、その結果、座標が、ＣＩＥ色度座標（「新編色色彩
科学ハンドブック」１０８頁の図４．１６（日本色彩学
会編、東京大学出版会、１９８５））に当てはめたと
き、Ｐｕｒｐｌｉｓｈ Ｂｌｕｅ（紫青）、または、Ｂ
ｌｕｉｓｈ Ｐｕｒｐｌｅ（青紫）の領域にある場合を
いう。
【００４５】前記発光層は、（１）電界印加時に、陽極
から正孔注入層、正孔輸送層または正孔輸送型発光層に
より正孔を注入することができ、かつ陰極から電子輸送
層、電子注入層または電子輸送型発光層により電子を注
入することができる注入機能、（２）注入した電荷（電
子と正孔）を電界の力で移動させる輸送機能、（３）電
子と正孔の再結合の場を発光層内部に提供し、これを発
光につなげる発光機能などを有している。ただし、正孔
の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあっ
てもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送機
能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動
させる機能を有するものが好ましい。すなわち、電子輸
送能を有するもの（電子輸送型発光層と称する）または
正孔輸送能を有するもの（正孔輸送型発光層と称する）
が好ましい。
から正孔注入層、正孔輸送層または正孔輸送型発光層に
より正孔を注入することができ、かつ陰極から電子輸送
層、電子注入層または電子輸送型発光層により電子を注
入することができる注入機能、（２）注入した電荷（電
子と正孔）を電界の力で移動させる輸送機能、（３）電
子と正孔の再結合の場を発光層内部に提供し、これを発
光につなげる発光機能などを有している。ただし、正孔
の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあっ
てもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送機
能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動
させる機能を有するものが好ましい。すなわち、電子輸
送能を有するもの（電子輸送型発光層と称する）または
正孔輸送能を有するもの（正孔輸送型発光層と称する）
が好ましい。
【００４６】電子輸送型発光層とは、電子輸送能を有す
る発光層のことであり、基本的には隣接する正孔輸送
層、正孔注入層もしくは電子阻止層との界面に正孔と電
子の再結合領域ならびに発光領域を有する。ただし、発
光は電子輸送型発光層の発光材料からの発光である。
る発光層のことであり、基本的には隣接する正孔輸送
層、正孔注入層もしくは電子阻止層との界面に正孔と電
子の再結合領域ならびに発光領域を有する。ただし、発
光は電子輸送型発光層の発光材料からの発光である。
【００４７】正孔輸送型発光層とは、正孔輸送能を有す
る発光層のことであり、基本的には隣接する電子輸送
層、電子注入層、もしくは正孔阻止層との界面に正孔と
電子の再結合領域ならびに発光領域を有する。ただし、
発光は正孔輸送型発光層の発光材料からの発光である。
る発光層のことであり、基本的には隣接する電子輸送
層、電子注入層、もしくは正孔阻止層との界面に正孔と
電子の再結合領域ならびに発光領域を有する。ただし、
発光は正孔輸送型発光層の発光材料からの発光である。
【００４８】本発明において、一対の電極および有機化
合物薄膜の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、こ
れに限定されるものではない。 （ｉ）陽極／正孔輸送層／電子輸送型発光層／陰極 （ii）陽極／正孔輸送層／電子輸送型発光層／電子輸送
層／陰極 （iii）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／電子輸送型発
光層／陰極 （iv）陽極／正孔輸送型発光層／電子輸送層／陰極 （v）陽極／正孔輸送層／正孔輸送型発光層／電子輸送
層／陰極 （vi）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／正孔輸送型発光
層／電子輸送層／電子注入層 （vii）陽極／正孔輸送層／電子輸送型発光層／電子輸
送層／陰極 （viii）陽極／正孔輸送型発光層／電子輸送層／電子注
入層／陰極 （ix）陽極／正孔注入層／正孔輸送型発光層／正孔阻止
層／電子輸送層／電子注入層／陰極 上記において、正孔輸送型発光層および電子輸送型発光
層が本発明における発光層であり、また、該発光層に接
して隣り合う層が隣接層である。
合物薄膜の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、こ
れに限定されるものではない。 （ｉ）陽極／正孔輸送層／電子輸送型発光層／陰極 （ii）陽極／正孔輸送層／電子輸送型発光層／電子輸送
層／陰極 （iii）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／電子輸送型発
光層／陰極 （iv）陽極／正孔輸送型発光層／電子輸送層／陰極 （v）陽極／正孔輸送層／正孔輸送型発光層／電子輸送
層／陰極 （vi）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／正孔輸送型発光
層／電子輸送層／電子注入層 （vii）陽極／正孔輸送層／電子輸送型発光層／電子輸
送層／陰極 （viii）陽極／正孔輸送型発光層／電子輸送層／電子注
入層／陰極 （ix）陽極／正孔注入層／正孔輸送型発光層／正孔阻止
層／電子輸送層／電子注入層／陰極 上記において、正孔輸送型発光層および電子輸送型発光
層が本発明における発光層であり、また、該発光層に接
して隣り合う層が隣接層である。
【００４９】有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事
関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化
合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好まし
く用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡ
ｕなどの金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴ
Ｏ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯなどの導電性透明材料が挙げら
れる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ）など非晶
質で透明導電膜を作製可能な材料を用いても良い。該陽
極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの
方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法
で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパ
ターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以
上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所
望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％
より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシ
ート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材
料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０
〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化
合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好まし
く用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡ
ｕなどの金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴ
Ｏ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯなどの導電性透明材料が挙げら
れる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ）など非晶
質で透明導電膜を作製可能な材料を用いても良い。該陽
極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの
方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法
で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパ
ターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以
上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所
望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％
より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシ
ート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材
料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０
〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００５０】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合
金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質と
するものが用いられる。このような電極物質の具体例と
しては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグ
ネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネ
シウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合
物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／
酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リ
チウム／アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げら
れる。これらの中で、電子注入性及び酸化などに対する
耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の
値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例え
ばマグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウ
ム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニ
ウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム
／アルミニウム混合物、アルミニウムなどが好適であ
る。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリン
グなどの方法により、薄膜を形成させることにより、作
製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は
数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μ
ｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。な
お、発光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰
極のいずれか一方が、透明又は半透明であれば発光効率
が向上し好都合である。
（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合
金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質と
するものが用いられる。このような電極物質の具体例と
しては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグ
ネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネ
シウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合
物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／
酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リ
チウム／アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げら
れる。これらの中で、電子注入性及び酸化などに対する
耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の
値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例え
ばマグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウ
ム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニ
ウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム
／アルミニウム混合物、アルミニウムなどが好適であ
る。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリン
グなどの方法により、薄膜を形成させることにより、作
製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は
数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μ
ｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。な
お、発光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰
極のいずれか一方が、透明又は半透明であれば発光効率
が向上し好都合である。
【００５１】次に、本発明において、発光層と隣接する
隣接層としての注入層、正孔輸送層、電子輸送層等につ
いて説明する。
隣接層としての注入層、正孔輸送層、電子輸送層等につ
いて説明する。
【００５２】注入層は必要に応じて設け、電子注入層と
正孔注入層があり、上記のごとく陽極と発光層または正
孔輸送層の間、および、陰極と発光層または電子輸送層
との間に存在させてもよい。
正孔注入層があり、上記のごとく陽極と発光層または正
孔輸送層の間、および、陰極と発光層または電子輸送層
との間に存在させてもよい。
【００５３】注入層とは、駆動電圧低下や発光効率向上
のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有
機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０
日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極
材料」（第１２３頁〜第１６６頁）に詳細に記載されて
おり、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層
（陰極バッファー層）とがある。
のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有
機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０
日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極
材料」（第１２３頁〜第１６６頁）に詳細に記載されて
おり、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層
（陰極バッファー層）とがある。
【００５４】陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開
平９−４５４７９号、同９−２６００６２号、同８−２
８８０６９号等にもその詳細が記載されており、具体例
として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン
バッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッ
ファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリア
ニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性
高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
平９−４５４７９号、同９−２６００６２号、同８−２
８８０６９号等にもその詳細が記載されており、具体例
として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン
バッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッ
ファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリア
ニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性
高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
【００５５】陰極バッファー層（電子注入層）は、特開
平６−３２５８７１号、同９−１７５７４号、同１０−
７４５８６号等にもその詳細が記載されており、具体的
にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属
バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金
属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表され
るアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニ
ウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
平６−３２５８７１号、同９−１７５７４号、同１０−
７４５８６号等にもその詳細が記載されており、具体的
にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属
バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金
属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表され
るアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニ
ウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
【００５６】上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜
であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は
０．１〜１００ｎｍの範囲が好ましい。
であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は
０．１〜１００ｎｍの範囲が好ましい。
【００５７】阻止層は、上記のごとく、有機化合物薄膜
の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものであ
る。例えば特開平１１−２０４２５８号、同１１−２０
４３５９号、および「有機ＥＬ素子とその工業化最前線
（１９９８年１１月３０日 エヌ・ティー・エス社発
行）」の第２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホー
ルブロック）層がある。
の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものであ
る。例えば特開平１１−２０４２５８号、同１１−２０
４３５９号、および「有機ＥＬ素子とその工業化最前線
（１９９８年１１月３０日 エヌ・ティー・エス社発
行）」の第２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホー
ルブロック）層がある。
【００５８】正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層で
あり、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能
力が著しく小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔
を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させる
ことができる。
あり、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能
力が著しく小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔
を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させる
ことができる。
【００５９】一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸
送層であり、正孔をを輸送する機能を有しつつ電子を輸
送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送し
つつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向
上させることができる。
送層であり、正孔をを輸送する機能を有しつつ電子を輸
送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送し
つつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向
上させることができる。
【００６０】正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有す
る材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も
正孔輸送層に含まれる。
る材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も
正孔輸送層に含まれる。
【００６１】正孔輸送層は単層もしくは複数層設けるこ
とができるが、本発明の有機エレクトロルミネッセンス
素子においては、発光層が電子輸送型発光層であって、
その隣接層が正孔輸送層である場合には、該正孔輸送層
を構成する正孔輸送材料の蛍光極大波長が４１５ｎｍ以
下であることが好ましい。また、このような層構成の場
合において、さらに前記正孔輸送層と接する側とは反対
側の前記電子輸送型発光層の隣接層として電子輸送層を
有し、該電子輸送層を構成する電子輸送材料の蛍光極大
波長が４１５ｎｍであることが好ましい。つまり、発光
層をはさんだ３層すべての材料の蛍光極大波長が４１５
ｎｍ以下であることが好ましい。蛍光極大波長について
は、上述した通りである。
とができるが、本発明の有機エレクトロルミネッセンス
素子においては、発光層が電子輸送型発光層であって、
その隣接層が正孔輸送層である場合には、該正孔輸送層
を構成する正孔輸送材料の蛍光極大波長が４１５ｎｍ以
下であることが好ましい。また、このような層構成の場
合において、さらに前記正孔輸送層と接する側とは反対
側の前記電子輸送型発光層の隣接層として電子輸送層を
有し、該電子輸送層を構成する電子輸送材料の蛍光極大
波長が４１５ｎｍであることが好ましい。つまり、発光
層をはさんだ３層すべての材料の蛍光極大波長が４１５
ｎｍ以下であることが好ましい。蛍光極大波長について
は、上述した通りである。
【００６２】蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下の正孔輸送
材料としては、特に制限はなく、従来、光導伝材料にお
いて、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているも
のやＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公
知のものの中から任意のものを選択して用いることがで
きる。
材料としては、特に制限はなく、従来、光導伝材料にお
いて、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているも
のやＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公
知のものの中から任意のものを選択して用いることがで
きる。
【００６３】正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸
送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機
物、無機物のいずれであってもよい。正孔輸送材料とし
ては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘
導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導
体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレ
ンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換
カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアント
ラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導
体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共
重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェ
ンオリゴマーなどが挙げられる。
送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機
物、無機物のいずれであってもよい。正孔輸送材料とし
ては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘
導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導
体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレ
ンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換
カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアント
ラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導
体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共
重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェ
ンオリゴマーなどが挙げられる。
【００６４】正孔輸送材料としては、上記のものを使用
することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三
級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族
第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三
級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族
第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
【００６５】上記芳香族第三級アミン化合物及びスチリ
ルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’
−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル；Ｎ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニ
ル）−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノ
フェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリ
ルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェ
ニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチ
ルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス
（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタ
ン；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキ
シフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル；Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル；４，４’−ビス（ジフェニルアミ
ノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリ
ル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−
〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベ
ン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニル
ビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾー
ル、さらには、米国特許第５０６１５６９号明細書に記
載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するも
の、例えば４，４’−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ
−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−
３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミ
ンユニットが３つスターバースト型に連結された４，
４’，４’’−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴ
Ａ）などが挙げられる。
ルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’
−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル；Ｎ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニ
ル）−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノ
フェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリ
ルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェ
ニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチ
ルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス
（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタ
ン；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキ
シフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル；Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル；４，４’−ビス（ジフェニルアミ
ノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリ
ル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−
〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベ
ン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニル
ビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾー
ル、さらには、米国特許第５０６１５６９号明細書に記
載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するも
の、例えば４，４’−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ
−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−
３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミ
ンユニットが３つスターバースト型に連結された４，
４’，４’’−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴ
Ａ）などが挙げられる。
【００６６】さらにこれらの材料を高分子鎖に導入し
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
【００６７】また、ｐ型−Ｓｉ，ｐ型−ＳｉＣなどの無
機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用する
ことができる。
機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用する
ことができる。
【００６８】正孔輸送材料は、正孔輸送能を有しつつか
つ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇである化合
物が好ましい。
つ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇである化合
物が好ましい。
【００６９】このような有機化合物は具体的な一例とし
てはπ電子平面を立体障害等の効果により非平面的する
ことで得られる。例としてはトリアリールアミンのアリ
ール基のオルト位（窒素原子から見た）に立体障害性の
置換基を導入することが挙げられる。これによりねじれ
角を増強される。
てはπ電子平面を立体障害等の効果により非平面的する
ことで得られる。例としてはトリアリールアミンのアリ
ール基のオルト位（窒素原子から見た）に立体障害性の
置換基を導入することが挙げられる。これによりねじれ
角を増強される。
【００７０】すなわち、メチル基、ｔ−ブチル基、イソ
プロピル基、ナフチル基のペリ位水素原子等の立体障害
のある置換基を有機化合物内に効果的に配置することに
より、高Ｔｇ正孔輸送化合物のＴｇを下げることなく、
多少の正孔輸送能の低下が見られるが短波長発光を有す
る正孔輸送化合物が得られる。但し、置換基は上記に限
定するものではない。
プロピル基、ナフチル基のペリ位水素原子等の立体障害
のある置換基を有機化合物内に効果的に配置することに
より、高Ｔｇ正孔輸送化合物のＴｇを下げることなく、
多少の正孔輸送能の低下が見られるが短波長発光を有す
る正孔輸送化合物が得られる。但し、置換基は上記に限
定するものではない。
【００７１】また、芳香環に共役する基を導入する場合
に非共役する位に導入する（例えば、トリフェニルアミ
ンの場合フェニル基のメタ位）ことでも得られる。
に非共役する位に導入する（例えば、トリフェニルアミ
ンの場合フェニル基のメタ位）ことでも得られる。
【００７２】このように立体障害置換基を有する正孔輸
送材料及び非共役型正孔輸送材料の化合物例を以下に挙
げるがこれに限定するものではない。
送材料及び非共役型正孔輸送材料の化合物例を以下に挙
げるがこれに限定するものではない。
【００７３】
【化１】
【００７４】
【化２】
【００７５】
【化３】
【００７６】
【化４】
【００７７】
【化５】
【００７８】
【化６】
【００７９】
【化７】
【００８０】
【化８】
【００８１】
【化９】
【００８２】
【化１０】
【００８３】
【化１１】
【００８４】この正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、
例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、イン
クジェット法、ＬＢ法などの公知の方法により、薄膜化
することにより形成することができる。正孔輸送層の膜
厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ
程度である。この正孔輸送層は、上記材料の一種又は二
種以上からなる一層構造であっても良い。
例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、イン
クジェット法、ＬＢ法などの公知の方法により、薄膜化
することにより形成することができる。正孔輸送層の膜
厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ
程度である。この正孔輸送層は、上記材料の一種又は二
種以上からなる一層構造であっても良い。
【００８５】正孔輸送層が、発光層に隣接しない場合の
正孔輸送材料については、蛍光極大波長が４１５ｎｍを
越えてもよく、特に制限はない。従来、光導伝材料にお
いて、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているも
のやＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公
知のものの中から任意のものを選択して用いることがで
きる。
正孔輸送材料については、蛍光極大波長が４１５ｎｍを
越えてもよく、特に制限はない。従来、光導伝材料にお
いて、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているも
のやＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公
知のものの中から任意のものを選択して用いることがで
きる。
【００８６】本発明において、発光層が電子輸送型発光
層で、且つ、隣接層が正孔輸送層である場合、前記正孔
輸送層を構成する正孔輸送材料のイオン化ポテンシャル
が５．７ｅＶ以下であって、前記正孔輸送材料の蛍光極
大波長が、前記電子輸送型発光層を構成する発光材料の
蛍光極大波長よりも短波長であることが好ましい。また
この場合、前記正孔輸送材料のイオン化ポテンシャル
が、前記発光材料のイオン化ポテンシャルよりも小さい
ことが好ましい。
層で、且つ、隣接層が正孔輸送層である場合、前記正孔
輸送層を構成する正孔輸送材料のイオン化ポテンシャル
が５．７ｅＶ以下であって、前記正孔輸送材料の蛍光極
大波長が、前記電子輸送型発光層を構成する発光材料の
蛍光極大波長よりも短波長であることが好ましい。また
この場合、前記正孔輸送材料のイオン化ポテンシャル
が、前記発光材料のイオン化ポテンシャルよりも小さい
ことが好ましい。
【００８７】正孔輸送材料のイオン化ポテンシャルと
は、化合物のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにあ
る電子を真空準位放出するのに必要なエネルギーで定義
され、当該正孔輸送材料で蒸着膜を形成するか、スピン
コート膜を形成するかもしくは粉体のままの状態で光電
子分光法により直接測定した値である。
は、化合物のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにあ
る電子を真空準位放出するのに必要なエネルギーで定義
され、当該正孔輸送材料で蒸着膜を形成するか、スピン
コート膜を形成するかもしくは粉体のままの状態で光電
子分光法により直接測定した値である。
【００８８】蛍光極大波長については上述の通りであ
る。また、イオン化ポテンシャルが小さいとは、よりＨ
ＯＭＯ準位から電子を足り出しやすいことを意味し、す
なわち酸化されやすいことを意味する。
る。また、イオン化ポテンシャルが小さいとは、よりＨ
ＯＭＯ準位から電子を足り出しやすいことを意味し、す
なわち酸化されやすいことを意味する。
【００８９】電子輸送層とは電子を輸送する機能を有す
る材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も
電子輸送層に含まれる。
る材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も
電子輸送層に含まれる。
【００９０】電子輸送層は単層もしくは複数層設けるこ
とができる。本発明において、発光層が正孔輸送型発光
層であり、電子輸送層が発光層と隣接する隣接層である
場合には、当該電子輸送層を構成する電子輸送材料の蛍
光極大波長が４１５ｎｍ以下であることが好ましい。ま
た、このような層構成の場合、さらに前記電子輸送層と
接する側とは反対側の前記正孔輸送型発光層の隣接層と
して正孔輸送層を有し、該正孔輸送層を構成する正孔輸
送材料の蛍光極大波長が４１５ｎｍであることが好まし
い。つまり、発光層をはさんだ３層すべての材料の蛍光
極大波長が４１５ｎｍ以下ということである。蛍光極大
波長については、上述した通りである。
とができる。本発明において、発光層が正孔輸送型発光
層であり、電子輸送層が発光層と隣接する隣接層である
場合には、当該電子輸送層を構成する電子輸送材料の蛍
光極大波長が４１５ｎｍ以下であることが好ましい。ま
た、このような層構成の場合、さらに前記電子輸送層と
接する側とは反対側の前記正孔輸送型発光層の隣接層と
して正孔輸送層を有し、該正孔輸送層を構成する正孔輸
送材料の蛍光極大波長が４１５ｎｍであることが好まし
い。つまり、発光層をはさんだ３層すべての材料の蛍光
極大波長が４１５ｎｍ以下ということである。蛍光極大
波長については、上述した通りである。
【００９１】蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下の電子輸送
材料としては、特に制限はなく、公知のものの中から任
意のものを選択して用いることができる。
材料としては、特に制限はなく、公知のものの中から任
意のものを選択して用いることができる。
【００９２】この電子輸送材料の例としては、フェナン
トロリン誘導体、ビピリジン誘導体、ニトロ置換フルオ
レン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオ
キシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラ
カルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデン
メタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘
導体，オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さら
に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジア
ゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾー
ル誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン
環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料、電子
注入材料として用いることができる。
トロリン誘導体、ビピリジン誘導体、ニトロ置換フルオ
レン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオ
キシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラ
カルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデン
メタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘
導体，オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さら
に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジア
ゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾー
ル誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン
環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料、電子
注入材料として用いることができる。
【００９３】さらにこれらの材料を高分子鎖に導入し
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
【００９４】また金属錯体を用いることもできる。本発
明の電子輸送材料としては、電子輸送能を有しつつか
つ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇである化合
物が好ましい。
明の電子輸送材料としては、電子輸送能を有しつつか
つ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇである化合
物が好ましい。
【００９５】このような有機化合物は具体的な一例とし
てはπ電子平面を立体障害等の効果により非平面的する
ことで得られる。例としてはトリアリールアミンのアリ
ール基のオルト位（窒素原子から見た）に立体障害性の
置換基を導入することが挙げられる。これによりねじれ
角を増強される。
てはπ電子平面を立体障害等の効果により非平面的する
ことで得られる。例としてはトリアリールアミンのアリ
ール基のオルト位（窒素原子から見た）に立体障害性の
置換基を導入することが挙げられる。これによりねじれ
角を増強される。
【００９６】すなわち、メチル基、ｔ−ブチル基、イソ
プロピル基、ナフチル基のペリ位水素原子等の立体障害
のある置換基を有機化合物内に効果的に配置することに
より、高Ｔｇ電子輸送化合物のＴｇを下げることなく、
多少の電子輸送能の低下が見られるが短波長発光を有す
る電子輸送化合物が得られる。但し、置換基は上記に限
定するものではない。
プロピル基、ナフチル基のペリ位水素原子等の立体障害
のある置換基を有機化合物内に効果的に配置することに
より、高Ｔｇ電子輸送化合物のＴｇを下げることなく、
多少の電子輸送能の低下が見られるが短波長発光を有す
る電子輸送化合物が得られる。但し、置換基は上記に限
定するものではない。
【００９７】また、芳香環に共役する基を導入する場合
に非共役する位に導入する（例えば、トリフェニルアミ
ンの場合フェニル基のメタ位）ことでも得られる。
に非共役する位に導入する（例えば、トリフェニルアミ
ンの場合フェニル基のメタ位）ことでも得られる。
【００９８】このように立体障害置換基を有する電子輸
送材料および非共役型電子輸送材料の化合物例、を以下
に挙げるがこれに限定するものではない。
送材料および非共役型電子輸送材料の化合物例、を以下
に挙げるがこれに限定するものではない。
【００９９】
【化１２】
【０１００】
【化１３】
【０１０１】この電子輸送層は、上記化合物を、例えば
真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、イ
ンクジェット法などの公知の薄膜化法により製膜して形
成することができる。電子輸送層、電子注入層としての
膜厚は、特に制限はないが、通常は０．１ｎｍ〜５μｍ
の範囲で選ばれる。この電子輸送層、電子注入層は、こ
れらの電子輸送材料一種又は二種以上からなる一層構造
であってもよい。
真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、イ
ンクジェット法などの公知の薄膜化法により製膜して形
成することができる。電子輸送層、電子注入層としての
膜厚は、特に制限はないが、通常は０．１ｎｍ〜５μｍ
の範囲で選ばれる。この電子輸送層、電子注入層は、こ
れらの電子輸送材料一種又は二種以上からなる一層構造
であってもよい。
【０１０２】電子輸送層が、発光層に隣接しない場合に
は、電子輸送層を構成する電子輸送材料は、蛍光極大波
長が４１５ｎｍを越えてもよくい。その場合には特に制
限はなく、公知のものの中から任意のものを選択して用
いることができる。
は、電子輸送層を構成する電子輸送材料は、蛍光極大波
長が４１５ｎｍを越えてもよくい。その場合には特に制
限はなく、公知のものの中から任意のものを選択して用
いることができる。
【０１０３】本発明において、発光層が正孔輸送型発光
層で、且つ、隣接層が電子輸送層である場合、前記電子
輸送層を構成する電子輸送材料の電子親和力が２．５ｅ
Ｖ以上であって、前記電子輸送材料の蛍光極大波長が、
前記正孔輸送型発光層を構成する発光材料の蛍光極大波
長よりも短波長であることが好ましい。またこの場合、
前記電子輸送材料の電子親和力が、前記発光材料の電子
親和力よりも小さいことが好ましい。
層で、且つ、隣接層が電子輸送層である場合、前記電子
輸送層を構成する電子輸送材料の電子親和力が２．５ｅ
Ｖ以上であって、前記電子輸送材料の蛍光極大波長が、
前記正孔輸送型発光層を構成する発光材料の蛍光極大波
長よりも短波長であることが好ましい。またこの場合、
前記電子輸送材料の電子親和力が、前記発光材料の電子
親和力よりも小さいことが好ましい。
【０１０４】電子親和力とは真空準位にある電子が化合
物のＬＵＭＯ（最低空分子軌道）レベルに落ちて安定化
するエネルギーで定義され、イオン化ポテンシャルの値
に吸収スペクトルの吸収端のエネルギー値を加えたもの
である。イオン化ポテンシャルは上述の通りである。
物のＬＵＭＯ（最低空分子軌道）レベルに落ちて安定化
するエネルギーで定義され、イオン化ポテンシャルの値
に吸収スペクトルの吸収端のエネルギー値を加えたもの
である。イオン化ポテンシャルは上述の通りである。
【０１０５】また、蛍光極大波長とは上述と同義であ
る。また、電子親和力が大きいとはＬＵＭＯ準位に真空
準位から電子が入りやすく安定化エネルギーが大きいこ
とを意味し、すなわち還元されやすいことを意味する。
る。また、電子親和力が大きいとはＬＵＭＯ準位に真空
準位から電子が入りやすく安定化エネルギーが大きいこ
とを意味し、すなわち還元されやすいことを意味する。
【０１０６】次に発光層を構成する発光材料について説
明する。発光材料は、蛍光または燐光を発する有機化合
物または錯体であることが好ましく、本発明において
は、蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下であることが必要で
ある。このようば発光材料としては、有機ＥＬ素子の発
光層に使用される公知のものの中から任意のものを選択
して用いることができる。
明する。発光材料は、蛍光または燐光を発する有機化合
物または錯体であることが好ましく、本発明において
は、蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下であることが必要で
ある。このようば発光材料としては、有機ＥＬ素子の発
光層に使用される公知のものの中から任意のものを選択
して用いることができる。
【０１０７】また、前記の正孔輸送材料や電子輸送材料
の殆どが発光材料としても使用できる。
の殆どが発光材料としても使用できる。
【０１０８】発光材料はポリビニルカルバゾールやポリ
フルオレンのような高分子材料でも良く、さらに前記発
光材料を高分子鎖に導入した、または前記発光材料を高
分子の主鎖とした高分子材料を使用しても良い。
フルオレンのような高分子材料でも良く、さらに前記発
光材料を高分子鎖に導入した、または前記発光材料を高
分子の主鎖とした高分子材料を使用しても良い。
【０１０９】また、発光層にはドーパント（ゲスト物
質）を併用してもよく、ＥＬ素子のドーパントとして使
用される公知のものの中から任意のものを選択して用い
ることができる。
質）を併用してもよく、ＥＬ素子のドーパントとして使
用される公知のものの中から任意のものを選択して用い
ることができる。
【０１１０】発光材料としては、正孔輸送能、電子輸送
能を有しつつかつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高
Ｔｇである化合物が好ましい。
能を有しつつかつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高
Ｔｇである化合物が好ましい。
【０１１１】このような有機化合物は具体的な一例とし
てはπ電子平面を立体障害等の効果により非平面的する
ことで得られる。例としてはトリアリールアミンのアリ
ール基のオルト位（窒素原子から見た）に立体障害性の
置換基を導入することが挙げられる。これによりねじれ
角を増強される。
てはπ電子平面を立体障害等の効果により非平面的する
ことで得られる。例としてはトリアリールアミンのアリ
ール基のオルト位（窒素原子から見た）に立体障害性の
置換基を導入することが挙げられる。これによりねじれ
角を増強される。
【０１１２】すなわち、メチル基、ｔ−ブチル基、イソ
プロピル基、ナフチル基のペリ位水素原子等の立体障害
のある置換基を有機化合物内に効果的に配置することに
より、高Ｔｇ正孔輸送化合物、高Ｔｇ電子輸送化合物の
Ｔｇを下げることなく、多少の正孔輸送能、電子輸送能
の低下が見られるが短波長発光を有する発光材料が得ら
れる。但し、置換基は上記に限定するものではない。
プロピル基、ナフチル基のペリ位水素原子等の立体障害
のある置換基を有機化合物内に効果的に配置することに
より、高Ｔｇ正孔輸送化合物、高Ｔｇ電子輸送化合物の
Ｔｇを下げることなく、多少の正孔輸送能、電子輸送能
の低下が見られるが短波長発光を有する発光材料が得ら
れる。但し、置換基は上記に限定するものではない。
【０１１３】また、芳香環に共役する基を導入する場合
に非共役する位に導入する（例えば、トリフェニルアミ
ンの場合フェニル基のメタ位）ことでも得られる。
に非共役する位に導入する（例えば、トリフェニルアミ
ンの場合フェニル基のメタ位）ことでも得られる。
【０１１４】このように立体障害置換基を有する発光材
料、非共役型発光材料の化合物例を以下に挙げるがこれ
に限定するものではない。
料、非共役型発光材料の化合物例を以下に挙げるがこれ
に限定するものではない。
【０１１５】
【化１４】
【０１１６】
【化１５】
【０１１７】
【化１６】
【０１１８】
【化１７】
【０１１９】この発光層は、上記化合物を、例えば真空
蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インク
ジェット法などの公知の薄膜化法により製膜して形成す
ることができる。発光層としての膜厚は、特に制限はな
いが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲で選ばれる。この発
光層は、これらの発光材料一種又は二種以上からなる一
層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種
組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インク
ジェット法などの公知の薄膜化法により製膜して形成す
ることができる。発光層としての膜厚は、特に制限はな
いが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲で選ばれる。この発
光層は、これらの発光材料一種又は二種以上からなる一
層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種
組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
【０１２０】本発明の有機ＥＬ素子において、有機化合
物薄膜を構成する全材料のそれぞれのガラス転移点（Ｔ
ｇ）は、１００度以上であることが、有機ＥＬ素子の寿
命を延ばすことになり好ましい。また、有機ＥＬ素子自
体にフレキシブル性を与えることになる。Ｔｇは、示差
走査熱量測定法（ＤＳＣ）により測定される。
物薄膜を構成する全材料のそれぞれのガラス転移点（Ｔ
ｇ）は、１００度以上であることが、有機ＥＬ素子の寿
命を延ばすことになり好ましい。また、有機ＥＬ素子自
体にフレキシブル性を与えることになる。Ｔｇは、示差
走査熱量測定法（ＤＳＣ）により測定される。
【０１２１】本発明の有機ＥＬ素子に好ましく用いられ
る基体は、ガラス、プラスチックなどの種類には特に限
定はなく、また、透明のものであれば特に制限はない
が、好ましく用いられる基板としては例えばガラス、石
英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。
る基体は、ガラス、プラスチックなどの種類には特に限
定はなく、また、透明のものであれば特に制限はない
が、好ましく用いられる基板としては例えばガラス、石
英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。
【０１２２】特に好ましい基体としては、有機ＥＬ素子
にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムで
ある。
にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムで
ある。
【０１２３】樹脂フィルムとしては、例えばポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレー
ト（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリ
エーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフ
ェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポ
リカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート
（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（Ｃ
ＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレー
ト（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリ
エーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフ
ェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポ
リカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート
（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（Ｃ
ＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。
【０１２４】樹脂フィルムの表面には、無機物もしくは
有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成
されていても良い。
有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成
されていても良い。
【０１２５】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素
子の発光の室温における外部取り出し効率は１％以上で
あることが好ましく、より好ましくは２％以上である。
子の発光の室温における外部取り出し効率は１％以上で
あることが好ましく、より好ましくは２％以上である。
【０１２６】尚、外部取り出し量子効率（％）＝有機Ｅ
Ｌ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電
子数×１００である。
Ｌ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電
子数×１００である。
【０１２７】さらに、本発明の有機ＥＬ素子は、発光層
からの発光を吸収し、該発光とは異なる色に変換する色
変換部を有することが好ましい。
からの発光を吸収し、該発光とは異なる色に変換する色
変換部を有することが好ましい。
【０１２８】色変換部としては、蛍光体を含有した色変
換フィルターまたはカラーフィルター等の色相改良フィ
ルター等がある。
換フィルターまたはカラーフィルター等の色相改良フィ
ルター等がある。
【０１２９】色変換部は、発光層からの発光を吸収出来
る位置であればどこに設けても構わないが、基体に隣接
して設けることが好ましい。
る位置であればどこに設けても構わないが、基体に隣接
して設けることが好ましい。
【０１３０】前記色変換フィルターに含有される蛍光体
としては有機蛍光体でも無機蛍光体でも良い。
としては有機蛍光体でも無機蛍光体でも良い。
【０１３１】有機蛍光体の例としてはレーザー色素等を
用いても良い。好ましくは蛍光量子収率の高い蛍光色素
である。
用いても良い。好ましくは蛍光量子収率の高い蛍光色素
である。
【０１３２】蛍光体としては、無機蛍光体の方が好まし
い。無機蛍光体は希土類錯体系蛍光体を含む。
い。無機蛍光体は希土類錯体系蛍光体を含む。
【０１３３】無機蛍光体の組成は特に制限はないが、結
晶母体であるＹ2Ｏ2Ｓ、Ｚｎ2ＳｉＯ4、Ｃａ5（ＰＯ4）
3Ｃｌ等に代表される金属酸化物及びＺｎＳ、ＳｒＳ、
ＣａＳ等に代表される硫化物に、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｙｂ等の希土類金属のイオンやＡｇ、Ａｌ、Ｍｎ、
Ｉｎ、Ｃｕ、Ｓｂ等の金属のイオンを賦活剤または共賦
活剤として組み合わせたものが好ましい。
晶母体であるＹ2Ｏ2Ｓ、Ｚｎ2ＳｉＯ4、Ｃａ5（ＰＯ4）
3Ｃｌ等に代表される金属酸化物及びＺｎＳ、ＳｒＳ、
ＣａＳ等に代表される硫化物に、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｙｂ等の希土類金属のイオンやＡｇ、Ａｌ、Ｍｎ、
Ｉｎ、Ｃｕ、Ｓｂ等の金属のイオンを賦活剤または共賦
活剤として組み合わせたものが好ましい。
【０１３４】結晶母体を更に詳しく説明すると、結晶母
体としては金属酸化物が好ましく、例えば、（Ｘ）3Ａ
ｌ16Ｏ27、（Ｘ）4Ａｌ14Ｏ25、（Ｘ）3Ａl2Ｓｉ
2Ｏ10、（Ｘ）4Ｓｉ2Ｏ8、（Ｘ）2Ｓｉ2Ｏ6、（Ｘ）2Ｐ
2Ｏ7、（Ｘ）2Ｐ2Ｏ5、（Ｘ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ、（Ｘ）
2Ｓｉ3Ｏ8−２（Ｘ）Ｃｌ2 〔ここで、Ｘはアルカリ土類金属を表す。なお、Ｘで表
されるアルカリ土類金属は単一成分でも２種類以上の混
合成分でもよく、その混合比率は任意でよい。〕のよう
なアルカリ土類金属で置換された酸化アルミニウム、酸
化ケイ素、リン酸、ハロリン酸等が代表的な結晶母体と
して挙げられる。
体としては金属酸化物が好ましく、例えば、（Ｘ）3Ａ
ｌ16Ｏ27、（Ｘ）4Ａｌ14Ｏ25、（Ｘ）3Ａl2Ｓｉ
2Ｏ10、（Ｘ）4Ｓｉ2Ｏ8、（Ｘ）2Ｓｉ2Ｏ6、（Ｘ）2Ｐ
2Ｏ7、（Ｘ）2Ｐ2Ｏ5、（Ｘ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ、（Ｘ）
2Ｓｉ3Ｏ8−２（Ｘ）Ｃｌ2 〔ここで、Ｘはアルカリ土類金属を表す。なお、Ｘで表
されるアルカリ土類金属は単一成分でも２種類以上の混
合成分でもよく、その混合比率は任意でよい。〕のよう
なアルカリ土類金属で置換された酸化アルミニウム、酸
化ケイ素、リン酸、ハロリン酸等が代表的な結晶母体と
して挙げられる。
【０１３５】その他の好ましい結晶母体としては、亜鉛
の酸化物および硫化物、イットリウムやガドリウム、ラ
ンタン等の希土類金属の酸化物およびその酸化物の酸素
の一部を硫黄原子に換えた（硫化物）もの、および希土
類金属の硫化物およびそれらの酸化物や硫化物に任意の
金属元素を配合したもの等が挙げられる。
の酸化物および硫化物、イットリウムやガドリウム、ラ
ンタン等の希土類金属の酸化物およびその酸化物の酸素
の一部を硫黄原子に換えた（硫化物）もの、および希土
類金属の硫化物およびそれらの酸化物や硫化物に任意の
金属元素を配合したもの等が挙げられる。
【０１３６】結晶母体の好ましい例を以下に列挙する。
Ｍｇ4ＧｅＯ5.5Ｆ、Ｍｇ4ＧｅＯ6、ＺｎＳ、Ｙ2Ｏ2Ｓ、
Ｙ3Ａｌ5Ｏ12、Ｙ2ＳｉＯ10、Ｚｎ2ＳｉＯ4、Ｙ2Ｏ3、
ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17、ＢａＡｌ12Ｏ19、（Ｂａ、Ｓｒ、
Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ2Ｏ3、（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3、（Ｚｎ、
Ｃｄ）Ｓ、ＳｒＧａ2Ｓ4、ＳｒＳ、ＧａＳ、ＳｎＯ2、
Ｃａ10（ＰＯ4）6（Ｆ、Ｃｌ）2、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍ
ｇ、Ｍｎ）Ａｌ10Ｏ17、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ）10
（ＰＯ4）6Ｃｌ2、（Ｌａ、Ｃｅ）ＰＯ4、ＣｅＭｇＡｌ
11Ｏ19、ＧｄＭｇＢ5Ｏ10、Ｓｒ2Ｐ 2Ｏ7、Ｓｒ4Ａｌ14
Ｏ25、Ｙ2ＳＯ4、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ、Ｇｄ2Ｏ3、ＹＶＯ4、Ｙ
（Ｐ、Ｖ）Ｏ4等である。
Ｍｇ4ＧｅＯ5.5Ｆ、Ｍｇ4ＧｅＯ6、ＺｎＳ、Ｙ2Ｏ2Ｓ、
Ｙ3Ａｌ5Ｏ12、Ｙ2ＳｉＯ10、Ｚｎ2ＳｉＯ4、Ｙ2Ｏ3、
ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17、ＢａＡｌ12Ｏ19、（Ｂａ、Ｓｒ、
Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ2Ｏ3、（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3、（Ｚｎ、
Ｃｄ）Ｓ、ＳｒＧａ2Ｓ4、ＳｒＳ、ＧａＳ、ＳｎＯ2、
Ｃａ10（ＰＯ4）6（Ｆ、Ｃｌ）2、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍ
ｇ、Ｍｎ）Ａｌ10Ｏ17、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ）10
（ＰＯ4）6Ｃｌ2、（Ｌａ、Ｃｅ）ＰＯ4、ＣｅＭｇＡｌ
11Ｏ19、ＧｄＭｇＢ5Ｏ10、Ｓｒ2Ｐ 2Ｏ7、Ｓｒ4Ａｌ14
Ｏ25、Ｙ2ＳＯ4、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ、Ｇｄ2Ｏ3、ＹＶＯ4、Ｙ
（Ｐ、Ｖ）Ｏ4等である。
【０１３７】以上の結晶母体及び賦活剤または共賦活剤
は、同族の元素と一部置き換えたものでも構わないし、
とくに元素組成に制限はなく、青紫領域の光を吸収して
可視光を発するものであればよい。
は、同族の元素と一部置き換えたものでも構わないし、
とくに元素組成に制限はなく、青紫領域の光を吸収して
可視光を発するものであればよい。
【０１３８】無機蛍光体の賦活剤、共賦活剤として好ま
しいものは、Ｌａ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｙｂ、Ｐｒ等に
代表されるランタノイド元素のイオン、Ａｇ、Ｍｎ、Ｃ
ｕ、Ｉｎ、Ａｌ等の金属のイオンであり、そのドープ量
は母体に対して０．００１〜１００モル％が好ましく、
０．０１〜５０モル％がさらに好ましい。
しいものは、Ｌａ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｙｂ、Ｐｒ等に
代表されるランタノイド元素のイオン、Ａｇ、Ｍｎ、Ｃ
ｕ、Ｉｎ、Ａｌ等の金属のイオンであり、そのドープ量
は母体に対して０．００１〜１００モル％が好ましく、
０．０１〜５０モル％がさらに好ましい。
【０１３９】賦活剤、共賦活剤は結晶母体を構成するイ
オンの一部を上記ランタノイドのようなイオンに置き換
えることでその結晶の中にドープされる。
オンの一部を上記ランタノイドのようなイオンに置き換
えることでその結晶の中にドープされる。
【０１４０】蛍光体結晶の実際の組成は、厳密に記載す
れば以下のような組成式になるが、賦活剤の量の大小は
本質的な蛍光特性に影響を及ぼさないことが多いので、
以下特にことわりのない限り下記ｘやｙの数値は記載し
ないこととする。例えばＳｒ 4- xＡｌ14Ｏ25：Ｅｕ
2+ xは、本発明においてはＳｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ2+と表
記する。
れば以下のような組成式になるが、賦活剤の量の大小は
本質的な蛍光特性に影響を及ぼさないことが多いので、
以下特にことわりのない限り下記ｘやｙの数値は記載し
ないこととする。例えばＳｒ 4- xＡｌ14Ｏ25：Ｅｕ
2+ xは、本発明においてはＳｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ2+と表
記する。
【０１４１】以下に代表的な無機蛍光体（結晶母体と賦
活剤によって構成される無機蛍光体）の組成式を記載す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。（Ｂ
ａzＭｇ1-z）3-x-yＡｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+ x，Ｍｎ2+ y、Ｓ
ｒ4- xＡｌ14Ｏ25：Ｅｕ2+ x、（Ｓｒ1-zＢａz）1-xＡｌ2
Ｓｉ2Ｏ8：Ｅｕ2+ x、Ｂａ2- xＳｉＯ4：Ｅｕ2+ x、Ｓｒ 2-
xＳｉＯ4：Ｅｕ2+ x、Ｍｇ2- xＳｉＯ4：Ｅｕ2+ x、（Ｂａ
Ｓｒ）1-xＳｉＯ4：Ｅｕ2+ x、Ｙ2-x-yＳｉＯ5：Ｃ
ｅ3+x、Ｔｂ3+y、Ｓｒ2- xＰ2Ｏ5：Ｅｕ2+ x、Ｓｒ2- xＰ2
Ｏ7：Ｅｕ2+ x、（ＢａyＣａzＭｇ1-y-z）5-x（ＰＯ4）3
Ｃｌ：Ｅｕ2+ x、Ｓｒ 2- xＳｉ3Ｏ8−２ＳｒＣｌ2：Ｅｕ
2+ x［ｘ，ｙおよびｚはそれぞれ１以下の任意の数を表
す。］ 以下に本発明に好ましく使用される無機蛍光体を示す
が、本発明はこれらの化合物に限定されるものではな
い。 ［青色発光 無機蛍光化合物］ （ＢＬ−１） Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｓｎ4+ （ＢＬ−２） Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ2+ （ＢＬ−３） ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+ （ＢＬ−４） ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｃｅ3+ （ＢＬ−５） ＣａＧａ2Ｓ4：Ｃｅ3+ （ＢＬ−６） （Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍｇ、Ｍｎ）Ａｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+ （ＢＬ−７） （Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ）10（ＰＯ4）6Ｃl2：Ｅｕ2+ （ＢＬ−８） ＢａＡｌ2ＳｉＯ8：Ｅｕ2+ （ＢＬ−９） Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｅｕ2+ （ＢＬ−１０） Ｓｒ5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ2+ （ＢＬ−１１） （Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ2+ （ＢＬ−１２） ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+ （ＢＬ−１３） （Ｂａ，Ｃａ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ2+ （ＢＬ−１４） Ｂａ3ＭｇＳｉ2Ｏ8：Ｅｕ2+ （ＢＬ−１５） Ｓｒ3ＭｇＳｉ2Ｏ8：Ｅｕ2+ ［緑色発光 無機蛍光化合物］ （ＧＬ−１） （ＢａＭｇ）Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+ （ＧＬ−２） Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ2+ （ＧＬ−３） （ＳｒＢａ）Ａｌ2Ｓｉ2Ｏ8：Ｅｕ2+ （ＧＬ−４） （ＢａＭｇ）2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+ （ＧＬ−５） Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ3+，Ｔｂ3+ （ＧＬ−６） Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7−Ｓｒ2Ｂ2Ｏ5：Ｅｕ2+ （ＧＬ−７） （ＢａＣａＭｇ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ2+ （ＧＬ−８） Ｓｒ2Ｓｉ3Ｏ8−２ＳｒＣｌ2：Ｅｕ2+ （ＧＬ−９） Ｚｒ2ＳｉＯ4、ＭｇＡｌ11Ｏ19：Ｃｅ3+，Ｔｂ3+ （ＧＬ−１０） Ｂａ2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+ （ＧＬ−１１） Ｓｒ2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+ （ＧＬ−１２） （ＢａＳｒ）ＳｉＯ4：Ｅｕ2+ ［赤色発光 無機蛍光化合物］ （ＲＬ−１） Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ3+ （ＲＬ−２） ＹＡｌＯ3：Ｅｕ3+ （ＲＬ−３） Ｃａ2Ｙ2（ＳｉＯ4）6：Ｅｕ3+ （ＲＬ−４） ＬｉＹ9（ＳｉＯ4）6Ｏ2：Ｅｕ3+ （ＲＬ−５） ＹＶＯ4：Ｅｕ3+ （ＲＬ−６） ＣａＳ：Ｅｕ3+ （ＲＬ−７） Ｇｄ2Ｏ3：Ｅｕ3+ （ＲＬ−８） Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ3+ （ＲＬ−９） Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ4：Ｅｕ3+ （ＲＬ−１０） Ｍｇ4ＧｅＯ5.5：Ｍｎ4+ （ＲＬ−１１） Ｍｇ4ＧｅＯ6：Ｍｎ4+ 上記無機蛍光体は、必要に応じて表面改質処理を施して
もよく、その方法としてはシランカップリング剤等の化
学的処理によるものや、サブミクロンオーダーの微粒子
等の添加による物理的処理によるもの、さらにはそれら
の併用によるもの等が挙げられる。
活剤によって構成される無機蛍光体）の組成式を記載す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。（Ｂ
ａzＭｇ1-z）3-x-yＡｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+ x，Ｍｎ2+ y、Ｓ
ｒ4- xＡｌ14Ｏ25：Ｅｕ2+ x、（Ｓｒ1-zＢａz）1-xＡｌ2
Ｓｉ2Ｏ8：Ｅｕ2+ x、Ｂａ2- xＳｉＯ4：Ｅｕ2+ x、Ｓｒ 2-
xＳｉＯ4：Ｅｕ2+ x、Ｍｇ2- xＳｉＯ4：Ｅｕ2+ x、（Ｂａ
Ｓｒ）1-xＳｉＯ4：Ｅｕ2+ x、Ｙ2-x-yＳｉＯ5：Ｃ
ｅ3+x、Ｔｂ3+y、Ｓｒ2- xＰ2Ｏ5：Ｅｕ2+ x、Ｓｒ2- xＰ2
Ｏ7：Ｅｕ2+ x、（ＢａyＣａzＭｇ1-y-z）5-x（ＰＯ4）3
Ｃｌ：Ｅｕ2+ x、Ｓｒ 2- xＳｉ3Ｏ8−２ＳｒＣｌ2：Ｅｕ
2+ x［ｘ，ｙおよびｚはそれぞれ１以下の任意の数を表
す。］ 以下に本発明に好ましく使用される無機蛍光体を示す
が、本発明はこれらの化合物に限定されるものではな
い。 ［青色発光 無機蛍光化合物］ （ＢＬ−１） Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｓｎ4+ （ＢＬ−２） Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ2+ （ＢＬ−３） ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+ （ＢＬ−４） ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｃｅ3+ （ＢＬ−５） ＣａＧａ2Ｓ4：Ｃｅ3+ （ＢＬ−６） （Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍｇ、Ｍｎ）Ａｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+ （ＢＬ−７） （Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ）10（ＰＯ4）6Ｃl2：Ｅｕ2+ （ＢＬ−８） ＢａＡｌ2ＳｉＯ8：Ｅｕ2+ （ＢＬ−９） Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｅｕ2+ （ＢＬ−１０） Ｓｒ5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ2+ （ＢＬ−１１） （Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ2+ （ＢＬ−１２） ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+ （ＢＬ−１３） （Ｂａ，Ｃａ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ2+ （ＢＬ−１４） Ｂａ3ＭｇＳｉ2Ｏ8：Ｅｕ2+ （ＢＬ−１５） Ｓｒ3ＭｇＳｉ2Ｏ8：Ｅｕ2+ ［緑色発光 無機蛍光化合物］ （ＧＬ−１） （ＢａＭｇ）Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+ （ＧＬ−２） Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ2+ （ＧＬ−３） （ＳｒＢａ）Ａｌ2Ｓｉ2Ｏ8：Ｅｕ2+ （ＧＬ−４） （ＢａＭｇ）2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+ （ＧＬ−５） Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ3+，Ｔｂ3+ （ＧＬ−６） Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7−Ｓｒ2Ｂ2Ｏ5：Ｅｕ2+ （ＧＬ−７） （ＢａＣａＭｇ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ2+ （ＧＬ−８） Ｓｒ2Ｓｉ3Ｏ8−２ＳｒＣｌ2：Ｅｕ2+ （ＧＬ−９） Ｚｒ2ＳｉＯ4、ＭｇＡｌ11Ｏ19：Ｃｅ3+，Ｔｂ3+ （ＧＬ−１０） Ｂａ2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+ （ＧＬ−１１） Ｓｒ2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+ （ＧＬ−１２） （ＢａＳｒ）ＳｉＯ4：Ｅｕ2+ ［赤色発光 無機蛍光化合物］ （ＲＬ−１） Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ3+ （ＲＬ−２） ＹＡｌＯ3：Ｅｕ3+ （ＲＬ−３） Ｃａ2Ｙ2（ＳｉＯ4）6：Ｅｕ3+ （ＲＬ−４） ＬｉＹ9（ＳｉＯ4）6Ｏ2：Ｅｕ3+ （ＲＬ−５） ＹＶＯ4：Ｅｕ3+ （ＲＬ−６） ＣａＳ：Ｅｕ3+ （ＲＬ−７） Ｇｄ2Ｏ3：Ｅｕ3+ （ＲＬ−８） Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ3+ （ＲＬ−９） Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ4：Ｅｕ3+ （ＲＬ−１０） Ｍｇ4ＧｅＯ5.5：Ｍｎ4+ （ＲＬ−１１） Ｍｇ4ＧｅＯ6：Ｍｎ4+ 上記無機蛍光体は、必要に応じて表面改質処理を施して
もよく、その方法としてはシランカップリング剤等の化
学的処理によるものや、サブミクロンオーダーの微粒子
等の添加による物理的処理によるもの、さらにはそれら
の併用によるもの等が挙げられる。
【０１４２】シランカップリング剤としては、日本ユニ
カー株式会社発行（１９９７年８月２日）の「ＮＵＣシ
リコーン シランカップリング剤」カタログに記載され
ているものがそのまま使え、その具体例としては、例え
ば、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）−エチル
トリアルコキシシラン、グリシジルオキシエチルトリエ
トキシシラン、γ−アクリロイルオキシ−ｎ−プロピル
トリ−ｎ−プロピルオキシシラン、γ−メタクリロイル
オキシ−ｎ−プロピル−ｎ−プロピルオキシシラン、ジ
（γ−アクリロイルオキシ−ｎ−プロピル）ジ−ｎ−プ
ロピルオキシシラン、アクリロイルオキシジメトキシエ
チルシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−ア
ミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルト
リメトキシシランなどが挙げられる。
カー株式会社発行（１９９７年８月２日）の「ＮＵＣシ
リコーン シランカップリング剤」カタログに記載され
ているものがそのまま使え、その具体例としては、例え
ば、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）−エチル
トリアルコキシシラン、グリシジルオキシエチルトリエ
トキシシラン、γ−アクリロイルオキシ−ｎ−プロピル
トリ−ｎ−プロピルオキシシラン、γ−メタクリロイル
オキシ−ｎ−プロピル−ｎ−プロピルオキシシラン、ジ
（γ−アクリロイルオキシ−ｎ−プロピル）ジ−ｎ−プ
ロピルオキシシラン、アクリロイルオキシジメトキシエ
チルシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−ア
ミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルト
リメトキシシランなどが挙げられる。
【０１４３】本発明で用いられる微粒子としては、無機
微粒子であることが好ましく、例えば、シリカ、チタニ
ア、ジルコニア、酸化亜鉛等の微粒子が挙げられる。
微粒子であることが好ましく、例えば、シリカ、チタニ
ア、ジルコニア、酸化亜鉛等の微粒子が挙げられる。
【０１４４】本発明に用いられる無機蛍光体は、発光強
度の観点から、製造時に機械的破砕工程を経ない、つま
りビルドアップ法で合成されるものが好ましく、特にゾ
ル−ゲル法等による液相法によって製造されるものが好
ましい。また、組成上は無機酸化物が母体となっている
ものが好ましい。
度の観点から、製造時に機械的破砕工程を経ない、つま
りビルドアップ法で合成されるものが好ましく、特にゾ
ル−ゲル法等による液相法によって製造されるものが好
ましい。また、組成上は無機酸化物が母体となっている
ものが好ましい。
【０１４５】無機蛍光体は、ゾル−ゲル法により製造さ
れていることが好ましい。ゾル−ゲル法による製造方法
とは、例えば、作花済夫著「ゾル−ゲル法の応用」（１
９９７年アグネ承風社発行）に詳しく書かれているが、
基本的には、溶液から出発し、溶液のゾル化、ゲル化を
経て材料を溶融法よりも低温で合成する方法を意味し、
本発明でいう「ゾル−ゲル法」とは、蛍光体製造の少な
くとも１工程で液相法での反応を行うことを指し、通常
の無機蛍光体合成に適用される溶融反応で行う合成法と
区別することができる。本発明のゾル−ゲル法は、一般
的には母体または賦活剤または共賦活剤に用いる元素
（金属）を例えばテトラメトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣＨ
3）4）やユーロピウム＝２，４＝ペンタンジオネート
（Ｅｕ3+（ＣＨ3ＣＯＣＨ＝Ｃ（Ｏ−）ＣＨ3）3）等の
金属アルコキシドや金属錯体、またはそれらの有機溶媒
溶液に金属単体を加えて作るダブルアルコキシド（例え
ばＡｌ（ＯＢｕ）3の２−ブタノール溶液に金属マグネ
シウムを加えて作るＭｇ〔Ａｌ（ＯＢｕ）3〕2等）、金
属ハロゲン化物、有機酸の金属塩、金属単体として必要
量混合し、液相状態で熱的または化学的に重縮合するこ
とによる製造方法を意味し、必要に応じて焼成や還元処
理等を施してもよい。
れていることが好ましい。ゾル−ゲル法による製造方法
とは、例えば、作花済夫著「ゾル−ゲル法の応用」（１
９９７年アグネ承風社発行）に詳しく書かれているが、
基本的には、溶液から出発し、溶液のゾル化、ゲル化を
経て材料を溶融法よりも低温で合成する方法を意味し、
本発明でいう「ゾル−ゲル法」とは、蛍光体製造の少な
くとも１工程で液相法での反応を行うことを指し、通常
の無機蛍光体合成に適用される溶融反応で行う合成法と
区別することができる。本発明のゾル−ゲル法は、一般
的には母体または賦活剤または共賦活剤に用いる元素
（金属）を例えばテトラメトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣＨ
3）4）やユーロピウム＝２，４＝ペンタンジオネート
（Ｅｕ3+（ＣＨ3ＣＯＣＨ＝Ｃ（Ｏ−）ＣＨ3）3）等の
金属アルコキシドや金属錯体、またはそれらの有機溶媒
溶液に金属単体を加えて作るダブルアルコキシド（例え
ばＡｌ（ＯＢｕ）3の２−ブタノール溶液に金属マグネ
シウムを加えて作るＭｇ〔Ａｌ（ＯＢｕ）3〕2等）、金
属ハロゲン化物、有機酸の金属塩、金属単体として必要
量混合し、液相状態で熱的または化学的に重縮合するこ
とによる製造方法を意味し、必要に応じて焼成や還元処
理等を施してもよい。
【０１４６】なお、前記金属アルコキシド、金属ハロゲ
ン化物、金属塩または金属の「金属」とは、一般に周期
律表等で定義されている「金属類（Ｍｅｔａｌｓ）」の
他に「遷移金属（Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ Ｍｅｔａｌ
ｓ）」の全ての元素、「ランタノイド」の全ての元素、
「アクチノイド」の全ての元素、および「非金属（Ｎｏ
ｎ Ｍｅｔａｌｓ）」として定義されるホウ素、珪素
（シリコン）を含んだものとして定義する。
ン化物、金属塩または金属の「金属」とは、一般に周期
律表等で定義されている「金属類（Ｍｅｔａｌｓ）」の
他に「遷移金属（Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ Ｍｅｔａｌ
ｓ）」の全ての元素、「ランタノイド」の全ての元素、
「アクチノイド」の全ての元素、および「非金属（Ｎｏ
ｎ Ｍｅｔａｌｓ）」として定義されるホウ素、珪素
（シリコン）を含んだものとして定義する。
【０１４７】また、特にゾル−ゲル法で製造する場合、
蛍光体の前駆溶液または一次粒子を含む液を透明基板に
印刷法やインクジェット法等でパターニングした後に焼
成や還元処理等の結晶化処理または高輝度化処理を施し
ても良い。
蛍光体の前駆溶液または一次粒子を含む液を透明基板に
印刷法やインクジェット法等でパターニングした後に焼
成や還元処理等の結晶化処理または高輝度化処理を施し
ても良い。
【０１４８】希土類錯体系蛍光体としては、希土類金属
としてＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ等を有するものが挙
げられ、錯体を形成する有機配位子としては、芳香族
系、非芳香族系のどちらでも良く、好ましく下記一般式
（１）で表される化合物が好ましい。
としてＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ等を有するものが挙
げられ、錯体を形成する有機配位子としては、芳香族
系、非芳香族系のどちらでも良く、好ましく下記一般式
（１）で表される化合物が好ましい。
【０１４９】一般式（１）Ｘａ−（Ｌｘ）−（Ｌｙ）ｎ
−（Ｌｚ）−Ｙａ ［式中、Ｌｘ、Ｌｙ、Ｌｚはそれぞれ独立に２個以上の
結合手を持つ原子を表わし、ｎは０または１を表わし、
ＸａはＬｘの隣接位に配位可能な原子を有する置換基を
表わし、ＹａはＬｚの隣接位に配位可能な原子を有する
置換基を表わす。さらにＸａの任意の部分とＬｘとは互
いに縮合して環を形成してもよく、Ｙａの任意の部分と
Ｌｚとは互いに縮合して環を形成してもよく、ＬｘとＬ
ｚとは互いに縮合して環を形成してもよく、さらに分子
内に芳香族炭化水素環または芳香族複素環が少なくとも
一つ存在する。ただし、Ｘａ−（Ｌｘ）−（Ｌｙ）ｎ−
（Ｌｚ）−Ｙａがβ−ジケトン誘導体やβ−ケトエステ
ル誘導体、β−ケトアミド誘導体又は前記ケトンの酸素
原子を硫黄原子又は−Ｎ（Ｒ201）−に置き換えたも
の、クラウンエーテルやアザクラウンエーテルまたはチ
アクラウンエーテルまたはクラウンエーテルの酸素原子
を任意の数硫黄原子または−Ｎ（Ｒ201）−に置き換え
たクラウンエーテルを表わす場合には芳香族炭化水素環
または芳香族複素環は無くてもよい。−Ｎ（Ｒ201）−
において、Ｒ201は、水素原子、置換または無置換のア
ルキル基、置換または無置換のアリール基を表す。］一
般式（１）において、ＸａおよびＹａで表される配位可
能な原子とは、具体的には酸素原子、窒素原子、硫黄原
子、セレン原子、テルル原子であり、特に酸素原子、窒
素原子、硫黄原子であることが好ましい。
−（Ｌｚ）−Ｙａ ［式中、Ｌｘ、Ｌｙ、Ｌｚはそれぞれ独立に２個以上の
結合手を持つ原子を表わし、ｎは０または１を表わし、
ＸａはＬｘの隣接位に配位可能な原子を有する置換基を
表わし、ＹａはＬｚの隣接位に配位可能な原子を有する
置換基を表わす。さらにＸａの任意の部分とＬｘとは互
いに縮合して環を形成してもよく、Ｙａの任意の部分と
Ｌｚとは互いに縮合して環を形成してもよく、ＬｘとＬ
ｚとは互いに縮合して環を形成してもよく、さらに分子
内に芳香族炭化水素環または芳香族複素環が少なくとも
一つ存在する。ただし、Ｘａ−（Ｌｘ）−（Ｌｙ）ｎ−
（Ｌｚ）−Ｙａがβ−ジケトン誘導体やβ−ケトエステ
ル誘導体、β−ケトアミド誘導体又は前記ケトンの酸素
原子を硫黄原子又は−Ｎ（Ｒ201）−に置き換えたも
の、クラウンエーテルやアザクラウンエーテルまたはチ
アクラウンエーテルまたはクラウンエーテルの酸素原子
を任意の数硫黄原子または−Ｎ（Ｒ201）−に置き換え
たクラウンエーテルを表わす場合には芳香族炭化水素環
または芳香族複素環は無くてもよい。−Ｎ（Ｒ201）−
において、Ｒ201は、水素原子、置換または無置換のア
ルキル基、置換または無置換のアリール基を表す。］一
般式（１）において、ＸａおよびＹａで表される配位可
能な原子とは、具体的には酸素原子、窒素原子、硫黄原
子、セレン原子、テルル原子であり、特に酸素原子、窒
素原子、硫黄原子であることが好ましい。
【０１５０】一般式（１）において、Ｌｘ、Ｌｙ、Ｌｚ
で表される２個以上の結合手を持つ原子としては、特に
制限はないが、代表的には炭素原子、酸素原子、窒素原
子、シリコン原子、チタン原子等が挙げられるが、この
ましいものは炭素原子である。
で表される２個以上の結合手を持つ原子としては、特に
制限はないが、代表的には炭素原子、酸素原子、窒素原
子、シリコン原子、チタン原子等が挙げられるが、この
ましいものは炭素原子である。
【０１５１】以下に一般式（１）で表される希土類錯体
系蛍光体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定され
るものではない。
系蛍光体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定され
るものではない。
【０１５２】
【化１８】
【０１５３】
【化１９】
【０１５４】
【化２０】
【０１５５】
【化２１】
【０１５６】
【化２２】
【０１５７】
【化２３】
【０１５８】
【化２４】
【０１５９】次に、本発明の有機ＥＬ素子を作製する好
適な例を説明する。例として、陽極／正孔注入層／正孔
輸送層／正孔輸送型発光層／電子輸送層／電子注入層／
陰極からなるＥＬ素子の作製法について説明すると、ま
ず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質
からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００
ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリング
などの方法により形成させ、陽極を作製する。次に、こ
の上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、正孔輸
送型発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層の有
機化合物薄膜を形成させる。
適な例を説明する。例として、陽極／正孔注入層／正孔
輸送層／正孔輸送型発光層／電子輸送層／電子注入層／
陰極からなるＥＬ素子の作製法について説明すると、ま
ず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質
からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００
ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリング
などの方法により形成させ、陽極を作製する。次に、こ
の上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、正孔輸
送型発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層の有
機化合物薄膜を形成させる。
【０１６０】この有機化合物薄膜の薄膜化の方法として
は、前記の如くスピンコート法、キャスト法、インクジ
ェット法、蒸着法などがあるが、均質な膜が得られやす
く、かつピンホールが生成しにくいなどの点から、真空
蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さらに層
ごとに異なる製膜法を適用しても良い。製膜に蒸着法を
採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類
などにより異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５
０℃、真空度１０-6〜１０-2Ｐａ、蒸着速度０．０１〜
５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚０．１
ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
は、前記の如くスピンコート法、キャスト法、インクジ
ェット法、蒸着法などがあるが、均質な膜が得られやす
く、かつピンホールが生成しにくいなどの点から、真空
蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さらに層
ごとに異なる製膜法を適用しても良い。製膜に蒸着法を
採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類
などにより異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５
０℃、真空度１０-6〜１０-2Ｐａ、蒸着速度０．０１〜
５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚０．１
ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
【０１６１】これらの層の形成後、その上に陰極用物質
からなる薄膜を、１μｍ以下好ましくは５０〜２００ｎ
ｍの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリ
ングなどの方法により形成させ、陰極を設けることによ
り、所望のＥＬ素子が得られる。この有機ＥＬ素子の作
製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極ま
で作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製
膜法を施してもかまわないが、その際には作業を乾燥不
活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
からなる薄膜を、１μｍ以下好ましくは５０〜２００ｎ
ｍの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリ
ングなどの方法により形成させ、陰極を設けることによ
り、所望のＥＬ素子が得られる。この有機ＥＬ素子の作
製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極ま
で作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製
膜法を施してもかまわないが、その際には作業を乾燥不
活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
【０１６２】また作製順序を逆にして、陰極、電子注入
層、電子輸送層、正孔輸送型発光層、正孔輸送層、正孔
注入層、陽極の順に作製することも可能である。このよ
うにして得られた有機ＥＬ素子に、直流電圧を印加する
場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４
０Ｖ程度を印加すると、発光が観測できる。また、逆の
極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じ
ない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が
＋、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、
印加する交流の波形は任意でよい。
層、電子輸送層、正孔輸送型発光層、正孔輸送層、正孔
注入層、陽極の順に作製することも可能である。このよ
うにして得られた有機ＥＬ素子に、直流電圧を印加する
場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４
０Ｖ程度を印加すると、発光が観測できる。また、逆の
極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じ
ない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が
＋、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、
印加する交流の波形は任意でよい。
【０１６３】上記説明した本発明の有機ＥＬ素子は、各
種発光光源、照明装置、表示デバイスとして用いること
ができる。表示デバイスにおいて、色変換部が青色変換
部、緑色変換部、赤色変換部である３種の有機ＥＬ素子
を用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。
種発光光源、照明装置、表示デバイスとして用いること
ができる。表示デバイスにおいて、色変換部が青色変換
部、緑色変換部、赤色変換部である３種の有機ＥＬ素子
を用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。
【０１６４】表示デバイスとしてはテレビ、パソコン、
モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情
報表示等のディスプレーなどが挙げられる。特に静止画
像や動画像を再生する表示装置として使用しても良く、
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は
単純マトリックス（パッシブマトリックス）方式でもア
クティブマトリックス方式でもどちらでも良い。
モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情
報表示等のディスプレーなどが挙げられる。特に静止画
像や動画像を再生する表示装置として使用しても良く、
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は
単純マトリックス（パッシブマトリックス）方式でもア
クティブマトリックス方式でもどちらでも良い。
【０１６５】照明装置としては家庭用照明、車内照明、
時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機等が挙
げられるがこれに限定するものではない。
時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機等が挙
げられるがこれに限定するものではない。
【０１６６】照明装置としては、有機ＥＬ素子の発光層
から放出される発光をそのまま用いてもよいし、該発光
の色領域に吸収を有する蛍光体を組み合わせ色変換し、
白色光としてもよい。白色光とはＣＩＥ色度図の定める
白色のことである。
から放出される発光をそのまま用いてもよいし、該発光
の色領域に吸収を有する蛍光体を組み合わせ色変換し、
白色光としてもよい。白色光とはＣＩＥ色度図の定める
白色のことである。
【０１６７】また、本発明の有機ＥＬ素子に共振器構造
を持たせることでレーザー発振有機ＥＬ素子として用い
ても良い。
を持たせることでレーザー発振有機ＥＬ素子として用い
ても良い。
【０１６８】このような短波長光をレーザー発振する有
機ＥＬ素子の使用目的としては光記憶媒体の光源、電子
写真の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等
が挙げられるがこれに限定するものではない。
機ＥＬ素子の使用目的としては光記憶媒体の光源、電子
写真の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等
が挙げられるがこれに限定するものではない。
【０１６９】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明の態様はこれに限定されない （実施例１）ガラス基板上にＩＴＯを膜厚２００ｎｍで
蒸着して陽極（シート抵抗３０Ω／□）を形成した。こ
の陽極上に、真空蒸着法により化合物１−２１を膜厚３
３ｎｍに蒸着して正孔輸送層を形成した。次いで、化合
物３−１を膜厚３３ｎｍに蒸着して正孔輸送型発光層を
形成した。更にその上にＢＣを膜厚３３ｎｍ蒸着して電
子輸送層とした。
るが、本発明の態様はこれに限定されない （実施例１）ガラス基板上にＩＴＯを膜厚２００ｎｍで
蒸着して陽極（シート抵抗３０Ω／□）を形成した。こ
の陽極上に、真空蒸着法により化合物１−２１を膜厚３
３ｎｍに蒸着して正孔輸送層を形成した。次いで、化合
物３−１を膜厚３３ｎｍに蒸着して正孔輸送型発光層を
形成した。更にその上にＢＣを膜厚３３ｎｍ蒸着して電
子輸送層とした。
【０１７０】最後に、ＭｇとＡｇを共蒸着して膜厚２０
０ｎｍのＭｇＡｇ（１０：１）陰極を形成して有機ＥＬ
素子Ｎｏ．１を作製した。
０ｎｍのＭｇＡｇ（１０：１）陰極を形成して有機ＥＬ
素子Ｎｏ．１を作製した。
【０１７１】
【化２５】
【０１７２】以下に化合物１−２１、化合物３−１、Ｂ
Ｃの物性を示す。
Ｃの物性を示す。
【０１７３】
【表１】
【０１７４】作製した有機ＥＬ素子の発光特性を示す。
電界発光の発光極大波長４０５ｎｍ、最大輝度５００ｃ
ｄ、最大放射エネルギー１６Ｗ／ｓｒ／ｍ2であった。
電界発光の発光極大波長４０５ｎｍ、最大輝度５００ｃ
ｄ、最大放射エネルギー１６Ｗ／ｓｒ／ｍ2であった。
【０１７５】外部取り出し量子効率は１．０％、ＣＩＥ
色度図では（０．１７５，０．０６）であり青紫領域で
あった。また、駆動電圧は４〜１９Ｖであった。
色度図では（０．１７５，０．０６）であり青紫領域で
あった。また、駆動電圧は４〜１９Ｖであった。
【０１７６】尚、外部取り出し量子効率（％）＝有機Ｅ
Ｌ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電
子数×１００である。
Ｌ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電
子数×１００である。
【０１７７】尚、外部取り出し量効率の測定法は、分光
放射輝度計ＣＳ−１０００により測定した発光スペクト
ルを各波長の光子のエネルギーから３８０〜７８０ｎｍ
の光子数を求め、さらにランバーシアン仮定に基づき発
光面から発光した光子数を求めた。また、電流量から電
子数は求めた。
放射輝度計ＣＳ−１０００により測定した発光スペクト
ルを各波長の光子のエネルギーから３８０〜７８０ｎｍ
の光子数を求め、さらにランバーシアン仮定に基づき発
光面から発光した光子数を求めた。また、電流量から電
子数は求めた。
【０１７８】（実施例２）ガラス基板上にＩＴＯを膜厚
２００ｎｍで蒸着して陽極（シート抵抗３０Ω／□）を
形成した。この陽極上に、真空蒸着法により化合物１−
１を膜厚３３ｎｍに蒸着して正孔輸送層を形成した。次
いで、化合物３−１を膜厚３３ｎｍに蒸着して正孔輸送
型発光層を形成した。更にその上に化合物ＢＣを膜厚３
３ｎｍ蒸着して電子輸送層とした。
２００ｎｍで蒸着して陽極（シート抵抗３０Ω／□）を
形成した。この陽極上に、真空蒸着法により化合物１−
１を膜厚３３ｎｍに蒸着して正孔輸送層を形成した。次
いで、化合物３−１を膜厚３３ｎｍに蒸着して正孔輸送
型発光層を形成した。更にその上に化合物ＢＣを膜厚３
３ｎｍ蒸着して電子輸送層とした。
【０１７９】最後に、ＭｇとＡｇを共蒸着して膜厚２０
０ｎｍのＭｇＡｇ（１０：１）陰極を形成して有機ＥＬ
素子Ｎｏ．２を作製した。
０ｎｍのＭｇＡｇ（１０：１）陰極を形成して有機ＥＬ
素子Ｎｏ．２を作製した。
【０１８０】以下に化合物の物性を示す。
【０１８１】
【表２】
【０１８２】作製した有機ＥＬ素子の発光特性を示す。
電界発光の発光極大波長４０５ｎｍ、最大輝度３００ｃ
ｄ、最大放射エネルギー１３Ｗ／ｓｒ／ｍ2であった。
電界発光の発光極大波長４０５ｎｍ、最大輝度３００ｃ
ｄ、最大放射エネルギー１３Ｗ／ｓｒ／ｍ2であった。
【０１８３】外部取り出し量子効率は１．２％、ＣＩＥ
色度図では（０．１７５，０．０６）であり、青紫領域
であった。
色度図では（０．１７５，０．０６）であり、青紫領域
であった。
【０１８４】（実施例３）ガラス基板上にＩＴＯを膜厚
２００ｎｍで蒸着して陽極（シート抵抗３０Ω／□）を
形成した。この陽極上に、真空蒸着法によりｍ−ＭＴＤ
ＡＴＡを２０ｎｍ蒸着して正孔注入層を形成した。次い
で真空蒸着法により化合物１−２１を膜厚２０ｎｍに蒸
着して正孔輸送層を形成した。更に化合物３−１を膜厚
２０ｎｍに蒸着して正孔輸送型発光層を形成した。その
上にＢＣを膜厚２０ｎｍ蒸着して電子輸送層とした。そ
して、その上にＡｌｑを２０ｎｍ積層し電子輸送層とし
た。更にＬｉＦ０．５ｎｍおよびＡｌ１１０ｎｍを蒸着
して陰極を形成して有機ＥＬ素子Ｎｏ．３を作製した。
２００ｎｍで蒸着して陽極（シート抵抗３０Ω／□）を
形成した。この陽極上に、真空蒸着法によりｍ−ＭＴＤ
ＡＴＡを２０ｎｍ蒸着して正孔注入層を形成した。次い
で真空蒸着法により化合物１−２１を膜厚２０ｎｍに蒸
着して正孔輸送層を形成した。更に化合物３−１を膜厚
２０ｎｍに蒸着して正孔輸送型発光層を形成した。その
上にＢＣを膜厚２０ｎｍ蒸着して電子輸送層とした。そ
して、その上にＡｌｑを２０ｎｍ積層し電子輸送層とし
た。更にＬｉＦ０．５ｎｍおよびＡｌ１１０ｎｍを蒸着
して陰極を形成して有機ＥＬ素子Ｎｏ．３を作製した。
【０１８５】以下に化合物の物性を示す。
【０１８６】
【表３】
【０１８７】
【化２６】
【０１８８】作製した有機ＥＬ素子の発光特性を示す。
発光極大波長４０５ｎｍ、最大輝度７００ｃｄ、最大放
射エネルギー２５Ｗ／ｓｒ／ｍ2であった。外部取り出
し量子効率は２．１％、ＣＩＥ色度図では（０．１７
５，０．０６）であり、青紫領域であった。
発光極大波長４０５ｎｍ、最大輝度７００ｃｄ、最大放
射エネルギー２５Ｗ／ｓｒ／ｍ2であった。外部取り出
し量子効率は２．１％、ＣＩＥ色度図では（０．１７
５，０．０６）であり、青紫領域であった。
【０１８９】（実施例４）電子注入層を化合物２−３に
変えた以外、実施例１と同様の有機ＥＬ素子Ｎｏ．４を
作製した。
変えた以外、実施例１と同様の有機ＥＬ素子Ｎｏ．４を
作製した。
【０１９０】以下に化合物の物性を示す。
【０１９１】
【表４】
【０１９２】発光極大波長４０５ｎｍ、最大輝度６００
ｃｄ、最大放射エネルギー２２Ｗ／ｓｒ／ｍ2であっ
た。
ｃｄ、最大放射エネルギー２２Ｗ／ｓｒ／ｍ2であっ
た。
【０１９３】外部取り出し量子効率は１．１％、ＣＩＥ
色度図では（０．１７５，０．０６）であり青紫領域で
あった。
色度図では（０．１７５，０．０６）であり青紫領域で
あった。
【０１９４】駆動電圧は４〜２７Ｖで、すべての化合物
のＴｇを１００℃以上にする事により、実施例１に比し
て安定に駆動するようになった。
のＴｇを１００℃以上にする事により、実施例１に比し
て安定に駆動するようになった。
【０１９５】（実施例５）ガラス基板上にＩＴＯを膜厚
２００ｎｍで蒸着して陽極（シート抵抗３０Ω／□）を
形成した。この陽極上に、真空蒸着法により化合物１−
２１を膜厚３３ｎｍに蒸着して正孔輸送層を形成した。
次いで、化合物３−１１を膜厚３３ｎｍに蒸着して電子
輸送型発光層を形成した。更にその上にＢＣを膜厚３３
ｎｍ蒸着して電子輸送層とした。
２００ｎｍで蒸着して陽極（シート抵抗３０Ω／□）を
形成した。この陽極上に、真空蒸着法により化合物１−
２１を膜厚３３ｎｍに蒸着して正孔輸送層を形成した。
次いで、化合物３−１１を膜厚３３ｎｍに蒸着して電子
輸送型発光層を形成した。更にその上にＢＣを膜厚３３
ｎｍ蒸着して電子輸送層とした。
【０１９６】最後に、ＭｇとＡｇを共蒸着して膜厚２０
０ｎｍのＭｇＡｇ（１０：１）陰極を形成して有機ＥＬ
素子Ｎｏ．５を作製した。
０ｎｍのＭｇＡｇ（１０：１）陰極を形成して有機ＥＬ
素子Ｎｏ．５を作製した。
【０１９７】以下に化合物の物性を示す。
【０１９８】
【表５】
【０１９９】作製した有機ＥＬ素子の発光特性を示す。
電界発光の発光極大波長４０２ｎｍ、最大輝度３００ｃ
ｄ、最大放射エネルギー１３Ｗ／ｓｒ／ｍ2であった。
外部取り出し量子効率は１．１％、ＣＩＥ色度図では
（０．１７５，０．０６）であり、青紫領域であった。
電界発光の発光極大波長４０２ｎｍ、最大輝度３００ｃ
ｄ、最大放射エネルギー１３Ｗ／ｓｒ／ｍ2であった。
外部取り出し量子効率は１．１％、ＣＩＥ色度図では
（０．１７５，０．０６）であり、青紫領域であった。
【０２００】（比較例１）実施例１の有機ＥＬ素子Ｎ
ｏ．１の電子輸送層ＢＣを、Ａｌｑに変更した以外、同
様の有機ＥＬ素子Ｎｏ．６を作製した。すると、Ａｌｑ
が電子輸送型発光層となった。
ｏ．１の電子輸送層ＢＣを、Ａｌｑに変更した以外、同
様の有機ＥＬ素子Ｎｏ．６を作製した。すると、Ａｌｑ
が電子輸送型発光層となった。
【０２０１】
【表６】
【０２０２】作製した有機ＥＬ素子の発光特性を示す。
電界発光の発光極大波長５１８ｎｍ、最大輝度３３００
ｃｄ、最大放射エネルギー８．８Ｗ／ｓｒ／ｍ2であっ
た。また、ＣＩＥ色度図では（０．３０，０．５０）で
あり、黄緑領域であった。
電界発光の発光極大波長５１８ｎｍ、最大輝度３３００
ｃｄ、最大放射エネルギー８．８Ｗ／ｓｒ／ｍ2であっ
た。また、ＣＩＥ色度図では（０．３０，０．５０）で
あり、黄緑領域であった。
【０２０３】（比較例２）実施例５の有機ＥＬ素子Ｎ
ｏ．５の正孔輸送層である化合物１−２１をｍ−ＭＴＤ
ＡＴＡに変えた以外同様にして、有機ＥＬ素子Ｎｏ．７
を作製した。すると、ｍ−ＭＴＤＡＴＡが正孔輸送型発
光層となった。
ｏ．５の正孔輸送層である化合物１−２１をｍ−ＭＴＤ
ＡＴＡに変えた以外同様にして、有機ＥＬ素子Ｎｏ．７
を作製した。すると、ｍ−ＭＴＤＡＴＡが正孔輸送型発
光層となった。
【０２０４】以下に化合物の物性を示す。
【０２０５】
【表７】
【０２０６】作製した有機ＥＬ素子の発光特性を示す。
電界発光の発光極大波長４３０ｎｍ、最大輝度５００ｃ
ｄ、最大放射エネルギー４．４Ｗ／ｓｒ／ｍ2、ＣＩＥ
色度図では（０．１６３，０．１２５）であり青領域で
あった。
電界発光の発光極大波長４３０ｎｍ、最大輝度５００ｃ
ｄ、最大放射エネルギー４．４Ｗ／ｓｒ／ｍ2、ＣＩＥ
色度図では（０．１６３，０．１２５）であり青領域で
あった。
【０２０７】（実施例６）基板上のＩＴＯの上に、正孔
注入層として化合物１−２１を３０ｎｍ、正孔輸送型発
光層として化合物３−１を３０ｎｍ、電子輸送層として
化合物２−７を２０ｎｍ、電子注入層としてＡｌｑを２
０ｎｍ、陰極としてＬｉＦ０．５ｎｍおよびＡｌを１１
０ｎｍを真空蒸着法により蒸着した有機ＥＬ素子Ｎｏ．
８を作製した。
注入層として化合物１−２１を３０ｎｍ、正孔輸送型発
光層として化合物３−１を３０ｎｍ、電子輸送層として
化合物２−７を２０ｎｍ、電子注入層としてＡｌｑを２
０ｎｍ、陰極としてＬｉＦ０．５ｎｍおよびＡｌを１１
０ｎｍを真空蒸着法により蒸着した有機ＥＬ素子Ｎｏ．
８を作製した。
【０２０８】
【表８】
【０２０９】作製した有機ＥＬ素子の発光特性は、電界
発光の発光極大波長が４０５ｎｍ、外部取り出し量子効
率１．１％、最大輝度４５０ｃｄ、最大放射エネルギー
１６Ｗ／ｓｒ／ｍ2、ＣＩＥ色度図では（０．１７５，
０．０６）であり青紫色であった。
発光の発光極大波長が４０５ｎｍ、外部取り出し量子効
率１．１％、最大輝度４５０ｃｄ、最大放射エネルギー
１６Ｗ／ｓｒ／ｍ2、ＣＩＥ色度図では（０．１７５，
０．０６）であり青紫色であった。
【０２１０】（実施例７）上記実施例３，４および６で
作製した有機ＥＬ素子Ｎｏ．３，４および８について、
寿命評価を行った。尚、有機ＥＬ素子Ｎｏ．４および８
は有機化合物薄膜を構成する全材料のガラス転移点が１
００度以上であり、一方、有機ＥＬ素子Ｎｏ．３は一部
ガラス転移点が１００℃をきる材料を含んでいる。
作製した有機ＥＬ素子Ｎｏ．３，４および８について、
寿命評価を行った。尚、有機ＥＬ素子Ｎｏ．４および８
は有機化合物薄膜を構成する全材料のガラス転移点が１
００度以上であり、一方、有機ＥＬ素子Ｎｏ．３は一部
ガラス転移点が１００℃をきる材料を含んでいる。
【０２１１】寿命の測定法は、有機ＥＬ素子をデシケー
タの中に入れ、０．１Ｐａ以下に減圧した。その状態
で、１．０Ａにて定電流駆動させた。有機ＥＬ素子の大
きさは２ｍ×２ｍｍである。
タの中に入れ、０．１Ｐａ以下に減圧した。その状態
で、１．０Ａにて定電流駆動させた。有機ＥＬ素子の大
きさは２ｍ×２ｍｍである。
【０２１２】このときの輝度を測定し、輝度が半減した
ところを寿命とした。有機ＥＬ素子Ｎｏ．３の寿命を１
としたとき、有機ＥＬ素子Ｎｏ．４および８の相対寿命
を下記表９に示す。
ところを寿命とした。有機ＥＬ素子Ｎｏ．３の寿命を１
としたとき、有機ＥＬ素子Ｎｏ．４および８の相対寿命
を下記表９に示す。
【０２１３】
【表９】
【０２１４】有機ＥＬ素子の有機化合物薄膜を構成する
全材料のガラス転移点Ｔｇを１００℃以上とすることで
飛躍的に超寿命化したことがわかる。
全材料のガラス転移点Ｔｇを１００℃以上とすることで
飛躍的に超寿命化したことがわかる。
【０２１５】（実施例８）平均粒径５ｎｍのエアロジル
０．１６ｇにエタノール１５ｇおよびγ−グリシドキシ
プロピルトリエトキシシラン０．２２ｇを加えて開放系
室温下１時間攪拌した。この混合物と無機蛍光体（ＧＬ
−１０）２０ｇとを乳鉢に移し、よくすり混ぜた後、７
０℃のオーブンで２時間、さらに１２０℃のオーブンで
２時間加熱し、表面改質した（ＧＬ−１０）を得た。
０．１６ｇにエタノール１５ｇおよびγ−グリシドキシ
プロピルトリエトキシシラン０．２２ｇを加えて開放系
室温下１時間攪拌した。この混合物と無機蛍光体（ＧＬ
−１０）２０ｇとを乳鉢に移し、よくすり混ぜた後、７
０℃のオーブンで２時間、さらに１２０℃のオーブンで
２時間加熱し、表面改質した（ＧＬ−１０）を得た。
【０２１６】また、同様にして、ＲＬ−１０とＢＬ−３
の表面改質も行った。上記の表面改質を施した本発明の
赤色発光無機蛍光体（ＲＬ−１０）１０ｇに、トルエン
／エタノール＝１／１の混合溶液（３００ｇ）で溶解さ
れたブチラール３０ｇを加え、攪拌した後、Ｗｅｔ膜厚
２００μｍでガラス上に塗布した。得られた塗布済みガ
ラスを１００℃のオーブンで４時間加熱乾燥した。更に
赤色のカラーフィルターを張り付けることにより本発明
の色変換フィルター（Ｆ−１）を作製した。
の表面改質も行った。上記の表面改質を施した本発明の
赤色発光無機蛍光体（ＲＬ−１０）１０ｇに、トルエン
／エタノール＝１／１の混合溶液（３００ｇ）で溶解さ
れたブチラール３０ｇを加え、攪拌した後、Ｗｅｔ膜厚
２００μｍでガラス上に塗布した。得られた塗布済みガ
ラスを１００℃のオーブンで４時間加熱乾燥した。更に
赤色のカラーフィルターを張り付けることにより本発明
の色変換フィルター（Ｆ−１）を作製した。
【０２１７】また、これと同じ方法で緑色発光無機蛍光
体（ＧＬ−１０）を塗設し、緑色のカラーフィルターを
張ることで色変換フィルター（Ｆ−２）および青色発光
無機蛍光体（ＢＬ−３）を塗設し青色のカラーフィルタ
ーを張ることで色変換フィルター（Ｆ−３）を作製し
た。
体（ＧＬ−１０）を塗設し、緑色のカラーフィルターを
張ることで色変換フィルター（Ｆ−２）および青色発光
無機蛍光体（ＢＬ−３）を塗設し青色のカラーフィルタ
ーを張ることで色変換フィルター（Ｆ−３）を作製し
た。
【０２１８】このＦ−１を上記実施例で作製した本発明
の有機ＥＬ素子Ｎｏ．１〜５または８それぞれにおい
て、有機化合物薄膜を蒸着していない面に重ねた（Ｆ−
ＥＬ１）。同様にＦ−２、Ｆ−３枚の色変換フィルター
を有機ＥＬ素子Ｎｏ．１〜５または８それぞれにおい
て、有機化合物薄膜を蒸着していない面に重ねた（Ｆ−
ＥＬ２、Ｆ−ＥＬ３）。
の有機ＥＬ素子Ｎｏ．１〜５または８それぞれにおい
て、有機化合物薄膜を蒸着していない面に重ねた（Ｆ−
ＥＬ１）。同様にＦ−２、Ｆ−３枚の色変換フィルター
を有機ＥＬ素子Ｎｏ．１〜５または８それぞれにおい
て、有機化合物薄膜を蒸着していない面に重ねた（Ｆ−
ＥＬ２、Ｆ−ＥＬ３）。
【０２１９】Ｆ−ＥＬ１に電流を流すと青紫発光が色変
換フィルターにより色変換され赤色光になった。
換フィルターにより色変換され赤色光になった。
【０２２０】Ｆ−ＥＬ２に電流を流すと青紫発光が色変
換フィルターにより色変換され緑色光になった。
換フィルターにより色変換され緑色光になった。
【０２２１】Ｆ−ＥＬ３に電流を流すと青紫発光が色変
換フィルターにより色変換され青色光になった。
換フィルターにより色変換され青色光になった。
【０２２２】（実施例９）２００×７００ｍｍ2のター
ゲット２台を備えたマグネトロンスパッタリング装置
（島津製作所株式会社製ＳＬＣ−１５Ｓ型）を使用し
て、透明導電性フィルムを作製した。基体として厚さ１
００μｍのポリアリレート透明フィルム、バリヤー性薄
膜用ターゲットとしてＳｉＯ1.5、透明導電性薄膜用タ
ーゲットとして酸化スズ比１０％のＩＴＯ、スパッタガ
スとしてバリヤー性薄膜はアルゴンのみで総ガス圧１．
４ｍＴｏｒｒ、ガス流量１００ｓｃｃｍ（ｓｃｃｍ：ｓ
ｔａｎｄａｒｄ ｃｃ／ｍｉｎ（１×１０-6ｍ3／ｍｉ
ｎ））、透明導電性薄膜ではアルゴンに酸素を１％加え
たもので総ガス圧５ｍＴｏｒｒ、ガス流量５０ｓｃｃ
ｍ、パワー条件としてバリヤー薄膜はＲＦ１０００Ｗ
（１．１１Ｗ／ｃｍ2）、透明導電性薄膜はＤＣ０．５
Ａ、３００Ｖ（０．１７Ｗ／ｃｍ2）となるようにして
成膜を行った。バリヤー性薄膜は７．５分処理し厚さ４
０ｎｍ、透明導電性薄膜は３０分処理し厚さ１００ｎ
ｍ、シート抵抗５０Ω／□の透明樹脂フィルムを得た。
ゲット２台を備えたマグネトロンスパッタリング装置
（島津製作所株式会社製ＳＬＣ−１５Ｓ型）を使用し
て、透明導電性フィルムを作製した。基体として厚さ１
００μｍのポリアリレート透明フィルム、バリヤー性薄
膜用ターゲットとしてＳｉＯ1.5、透明導電性薄膜用タ
ーゲットとして酸化スズ比１０％のＩＴＯ、スパッタガ
スとしてバリヤー性薄膜はアルゴンのみで総ガス圧１．
４ｍＴｏｒｒ、ガス流量１００ｓｃｃｍ（ｓｃｃｍ：ｓ
ｔａｎｄａｒｄ ｃｃ／ｍｉｎ（１×１０-6ｍ3／ｍｉ
ｎ））、透明導電性薄膜ではアルゴンに酸素を１％加え
たもので総ガス圧５ｍＴｏｒｒ、ガス流量５０ｓｃｃ
ｍ、パワー条件としてバリヤー薄膜はＲＦ１０００Ｗ
（１．１１Ｗ／ｃｍ2）、透明導電性薄膜はＤＣ０．５
Ａ、３００Ｖ（０．１７Ｗ／ｃｍ2）となるようにして
成膜を行った。バリヤー性薄膜は７．５分処理し厚さ４
０ｎｍ、透明導電性薄膜は３０分処理し厚さ１００ｎ
ｍ、シート抵抗５０Ω／□の透明樹脂フィルムを得た。
【０２２３】このプラスチック基体を用いて、後は実施
例８と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
例８と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０２２４】これらの有機ＥＬ素子は、湾曲させること
が可能であり、フレキシブルデバイスに適用できる。
が可能であり、フレキシブルデバイスに適用できる。
【０２２５】（実施例１０）以下、上記実施例９で作製
した本発明の有機ＥＬ素子から構成される本発明の表示
装置の一例を図面に基づいて以下に説明する。実施例９
で作製した有機ＥＬ素子は、基体として樹脂フィルムを
用いており、且つ、色変換部を有するものであり、赤色
光を発するもの、緑色光を発するもの、青色光を発する
ものの３種類である。
した本発明の有機ＥＬ素子から構成される本発明の表示
装置の一例を図面に基づいて以下に説明する。実施例９
で作製した有機ＥＬ素子は、基体として樹脂フィルムを
用いており、且つ、色変換部を有するものであり、赤色
光を発するもの、緑色光を発するもの、青色光を発する
ものの３種類である。
【０２２６】図１は、有機ＥＬ素子の発光により画像情
報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの
模式図である。
報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの
模式図である。
【０２２７】ディスプレイ１は、複数の画素３を有する
表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行
う制御部Ｂ等からなる。
表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行
う制御部Ｂ等からなる。
【０２２８】制御部Ｂは、表示部Ａと電気的に接続さ
れ、複数の画素３それぞれに外部からの画像情報に基づ
いて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により
走査線毎の画素３が画像データ信号に応じて順次発光し
て画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。
れ、複数の画素３それぞれに外部からの画像情報に基づ
いて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により
走査線毎の画素３が画像データ信号に応じて順次発光し
て画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。
【０２２９】図２は、表示部Ａの模式図である。表示部
Ａは基体上に、複数の走査線５およびデータ線６を含む
配線部と、複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要
な部材の説明を以下に行う。
Ａは基体上に、複数の走査線５およびデータ線６を含む
配線部と、複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要
な部材の説明を以下に行う。
【０２３０】図においては、画素３の発光した光が、白
矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。
矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。
【０２３１】配線部の走査線５および複数のデータ線６
は、それぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６
は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続して
いる（詳細不図示）。
は、それぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６
は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続して
いる（詳細不図示）。
【０２３２】画素３は、走査線５から走査信号が印加さ
れると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受
け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤色
の画素、緑色の画素、青色の画素を、適宜、同一基体上
に並置することによって、フルカラー表示が可能とな
る。
れると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受
け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤色
の画素、緑色の画素、青色の画素を、適宜、同一基体上
に並置することによって、フルカラー表示が可能とな
る。
【０２３３】次に、画素３の発光プロセスを説明する。
図３は、画素３の模式図である。
図３は、画素３の模式図である。
【０２３４】画素３は、有機ＥＬ素子１０、スイッチン
グトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデン
サ１３等を備えている。
グトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデン
サ１３等を備えている。
【０２３５】図において、制御部Ｂからデータ線６を介
してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像デ
ータ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５
を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査
信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の
駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号が
コンデンサ１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達
される。
してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像デ
ータ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５
を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査
信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の
駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号が
コンデンサ１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達
される。
【０２３６】画像データ信号の伝達により、コンデンサ
１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるととも
に、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トラ
ンジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、
ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲ
ートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ラ
イン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。
１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるととも
に、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トラ
ンジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、
ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲ
ートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ラ
イン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。
【０２３７】制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の
走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆
動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１
の駆動がオフしてもコンデンサ１３は充電された画像デ
ータ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２
の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行
われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走
査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同
期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジ
スタ１２の駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。
走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆
動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１
の駆動がオフしてもコンデンサ１３は充電された画像デ
ータ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２
の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行
われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走
査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同
期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジ
スタ１２の駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。
【０２３８】すなわち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複
数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アク
ティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動
トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有
機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方
法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アク
ティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動
トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有
機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方
法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
【０２３９】ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数
の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階
調の発光でも良いし、２値の画像データ信号による所定
の発光量のオン、オフでも良い。
の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階
調の発光でも良いし、２値の画像データ信号による所定
の発光量のオン、オフでも良い。
【０２４０】また、コンデンサ１３の電位の保持は、次
の走査信号の印加まで継続して保持しても良いし、次の
走査信号が印加される直前に放電させても良い。
の走査信号の印加まで継続して保持しても良いし、次の
走査信号が印加される直前に放電させても良い。
【０２４１】本発明においては、上述したアクティブマ
トリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみ
データ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブ
マトリクス方式の発光駆動でも良い。
トリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみ
データ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブ
マトリクス方式の発光駆動でも良い。
【０２４２】図４は、パッシブマトリクス方式によるデ
ィスプレイＡの模式図である。図において、複数の走査
線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して
格子状に設けられている。
ィスプレイＡの模式図である。図において、複数の走査
線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して
格子状に設けられている。
【０２４３】順次走査により走査線５の走査信号が印加
されたとき、印加された走査線５に接続している画素３
が画像データ信号に応じて発光する。
されたとき、印加された走査線５に接続している画素３
が画像データ信号に応じて発光する。
【０２４４】パッシブマトリクス方式では画素３にアク
ティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
ティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
【０２４５】（実施例１１）実施例８の無機蛍光体をＢ
Ｌ−１０：ＧＬ−１０：ＲＬ−１０＝１０：９０：４５
の割合で混ぜた。この混ぜ合わせた蛍光体１０ｇに、ト
ルエン／エタノール＝１／１の混合溶液（３００ｇ）で
溶解されたブチラール３０ｇを加え、攪拌した後、Ｗｅ
ｔ膜厚２００μｍでガラス上に塗布した。得られた塗布
済みガラスを１００℃のオーブンで４時間加熱乾燥し本
発明の色変換フィルター（Ｆ−４）を作製した。
Ｌ−１０：ＧＬ−１０：ＲＬ−１０＝１０：９０：４５
の割合で混ぜた。この混ぜ合わせた蛍光体１０ｇに、ト
ルエン／エタノール＝１／１の混合溶液（３００ｇ）で
溶解されたブチラール３０ｇを加え、攪拌した後、Ｗｅ
ｔ膜厚２００μｍでガラス上に塗布した。得られた塗布
済みガラスを１００℃のオーブンで４時間加熱乾燥し本
発明の色変換フィルター（Ｆ−４）を作製した。
【０２４６】このＦ−４を有機ＥＬ素子Ｎｏ．１の有機
層を蒸着していない面に重ねた（Ｆ−ＥＬ４）。
層を蒸着していない面に重ねた（Ｆ−ＥＬ４）。
【０２４７】Ｆ−ＥＬ４に電流を流すと青紫発光が色変
換フィルターにより色変換され白色光となった。
換フィルターにより色変換され白色光となった。
【０２４８】上記Ｆ−ＥＬ４から構成される白色光の照
明装置を作製したところ、このように無機蛍光体の混合
したものを色変換部として用いることにより、所望の色
を発光させることあ可能となった。これは、従来の有機
ＥＬ素子のように、デバイスの層構成を調整するより簡
単である。
明装置を作製したところ、このように無機蛍光体の混合
したものを色変換部として用いることにより、所望の色
を発光させることあ可能となった。これは、従来の有機
ＥＬ素子のように、デバイスの層構成を調整するより簡
単である。
【０２４９】
【発明の効果】省電力で面状発光し、フレキシブルデバ
イスの作製が可能であり、発光効率が高い発光極大波長
が４１５ｎｍ以下の有機ＥＬ素子、該有機ＥＬ素子を用
いた発光光源、照明装置、表示デバイスを提供すること
が出来た。
イスの作製が可能であり、発光効率が高い発光極大波長
が４１５ｎｍ以下の有機ＥＬ素子、該有機ＥＬ素子を用
いた発光光源、照明装置、表示デバイスを提供すること
が出来た。
【図１】有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を
示した模式図である。
示した模式図である。
【図２】表示部の模式図である。
【図３】画素の模式図である。
【図４】パッシブマトリクス方式による表示装置の模式
図である。
図である。
１ ディスプレイ ３ 画素 ５ 走査線 ６ データ線 ７ 電源ライン １０ 有機ＥＬ素子 １１ スイッチングトランジスタ １２ 駆動トランジスタ １３ コンデンサ Ａ 表示部（ディスプレイ） Ｂ 制御部
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｅ 33/22 33/22 Ｂ Ｄ (72)発明者 植田 則子 東京都日野市さくら町１番地コニカ株式会 社内 (72)発明者 北 弘志 東京都日野市さくら町１番地コニカ株式会 社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB04 AB12 AB18 BA06 BA07 BB06 CA06 CB01 DA01 DB03 EB00 5C094 AA08 AA31 BA12 BA27 BA32 CA19 CA24 DA06 DA13 DB01 DB02 DB04 EA04 EA05 EB02 ED20 FA01 FA02 FB01 FB02 JA11
Claims (22)
- 【請求項１】 基体上に、一対の電極および該一対の電
極に挟持される有機化合物薄膜を有する有機エレクトロ
ルミネッセンス素子において、 前記有機化合物薄膜は発光層と、 前記発光層と隣接する隣接層とを有し、 前記発光層を構成する発光材料および前記隣接層を構成
する隣接層材料それぞれの蛍光極大波長が４１５ｎｍ以
下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス素子。 - 【請求項２】 前記有機エレクトロルミネッセンス素子
の電界発光の極大発光波長が４１５ｎｍ以下であること
を特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。 - 【請求項３】 前記発光層が電子輸送型発光層であり、
且つ、前記隣接層が正孔輸送層であることを特徴とする
請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセン
ス素子。 - 【請求項４】 前記正孔輸送層が接する側とは反対側の
前記電子輸送型発光層の隣接層として電子輸送層を有
し、前記電子輸送層を構成する電子輸送材料の蛍光極大
波長が４１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３
に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項５】 前記正孔輸送層を構成する正孔輸送材料
のイオン化ポテンシャルが５．７ｅＶ以下であり、前記
正孔輸送材料の蛍光極大波長が前記電子輸送型発光層を
構成する発光材料の蛍光極大波長よりも短波長であるこ
とを特徴とする請求項３または４に記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子。 - 【請求項６】 前記正孔輸送材料のイオン化ポテンシャ
ルが、前記発光材料のイオン化ポテンシャルよりも小さ
いことを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。 - 【請求項７】 前記発光層が正孔輸送型発光層であり、
且つ、前記隣接層が電子輸送層であることを特徴とする
請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセン
ス素子。 - 【請求項８】 前記正孔輸送層が接する側とは反対側の
前記電子輸送型発光層の隣接層として電子輸送層を有
し、前記正孔輸送層を構成する正孔輸送材料の蛍光極大
波長が４１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項７
に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項９】 前記電子輸送層を構成する電子輸送材料
の電子親和力が２．５ｅＶ以上であり、前記電子輸送材
料の蛍光極大波長が前記正孔輸送型発光層を構成する発
光材料の蛍光極大波長よりも短波長であることを特徴と
する請求項７または８に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。 - 【請求項１０】 前記電子輸送材料の電子親和力が、前
記発光材料の電子親和力よりも大きいことを特徴とする
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項１１】 前記有機化合物薄膜を構成する全材料
のそれぞれのガラス転移点が１００度以上であることを
特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項１２】 前記基体が樹脂フィルムであることを
特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項１３】 前記有機エレクトロルミネッセンス素
子の発光の室温における外部取り出し効率が２％以上で
あることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項１４】 前記発光層からの発光を吸収し、該発
光とは異なる色に変換する色変換部とを有することを特
徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項１５】 前記発光層からの発光が青紫領域の色
であることを特徴とする請求項１４に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。 - 【請求項１６】 前記色変換部が、無機蛍光体を含有す
ることを特徴とする請求項１４または１５に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項１７】 請求項１〜１６のいずれか１項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子から構成される発
光光源。 - 【請求項１８】 請求項１〜１６のいずれか１項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子から構成される照
明装置。 - 【請求項１９】 前記色変換部が前記発光層からの発光
を吸収し青色に変換する青色変換部である請求項１４に
記載の第１の有機エレクトロルミネッセンス素子と、前
記色変換部が前記発光層からの発光を吸収し緑色に変換
する緑色変換部である請求項１４に記載の第２の有機エ
レクトロルミネッセンス素子と、前記色変換部が前記発
光層からの発光を吸収し赤色に変換する赤色変換部であ
る請求項１４に記載の第３の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子とから構成されるフルカラーの表示デバイス。 - 【請求項２０】 基体上に、一対の電極および該一対の
電極に挟持される有機化合物薄膜を有する有機エレクト
ロルミネッセンス素子の前記一対の電極に電圧をかけて
発光させる発光方法において、 前記有機化合物薄膜は発光層と、 前記発光層と隣接する隣接層とを有し、 前記発光層を構成する発光材料および前記隣接層を構成
する隣接層材料それぞれの蛍光極大波長が４１５ｎｍ以
下であることを特徴とする発光方法。 - 【請求項２１】 基体上に、一対の電極および該一対の
電極に挟持される有機化合物薄膜を有する有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、 前記有機化合物薄膜は発光層と、 前記発光層と隣接する隣接層とを有し、 前記有機エレクトロルミネッセンス素子の電界発光の極
大発光波長が４１５ｎｍ以下であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項２２】 基体上に、一対の電極および該一対の
電極に挟持される有機化合物薄膜を有する有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、 前記有機化合物薄膜は発光層と、 前記発光層の両側に隣接するそれぞれ一層ずつの隣接層
とを有し、 前記有機エレクトロルミネッセンス素子の電界発光の極
大発光波長が４１５ｎｍ以下であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001129284A JP2002324676A (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、発光光源、照明装置、表示デバイスおよび発光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001129284A JP2002324676A (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、発光光源、照明装置、表示デバイスおよび発光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002324676A true JP2002324676A (ja) | 2002-11-08 |
Family
ID=18977834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001129284A Pending JP2002324676A (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、発光光源、照明装置、表示デバイスおよび発光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002324676A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039236A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2005122650A1 (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Pioneer Corporation | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2006191040A (ja) * | 2004-12-31 | 2006-07-20 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光素子 |
| JP2006216858A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Institute Of Physical & Chemical Research | 有機ｅｌ素子 |
| JP2006310815A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-11-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| JP2008502102A (ja) * | 2004-06-04 | 2008-01-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | エレクトロルミネッセント構造、及びｅｌ構造を有するｌｅｄ |
| JP2011029210A (ja) * | 2003-04-29 | 2011-02-10 | General Electric Co <Ge> | 有機層及びホトルミネセント層を有する光源 |
| JP2011026610A (ja) * | 2006-09-12 | 2011-02-10 | Jiaotong Univ | 高飽和赤色発光Ｍｎ（ＩＶ）活性蛍光体およびその製造方法 |
| US8283679B2 (en) | 2003-06-30 | 2012-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having light-emitting element and light-receiving element for transmitting among circuits formed over the plurality of substrates |
| WO2013073434A1 (ja) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| JP2013109932A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2013127844A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | 有機ｅｌ素子 |
| US9085729B2 (en) * | 2004-02-09 | 2015-07-21 | Lg Display Co., Ltd. | Blue emitters for use in organic electroluminescence devices |
| US11659764B2 (en) | 2017-12-26 | 2023-05-23 | Lg Chem, Ltd. | Amine based compound and organic light emitting device comprising the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000026472A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-01-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属錯体、それらからなるエレクトロルミネツセンス素子材料およびそれらを用いたエレクトロルミネツセンス素子 |
| JP2000156289A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-06-06 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
| WO2000044851A2 (en) * | 1999-02-01 | 2000-08-03 | South Bank University Enterprises Ltd | Electroluminescent materials |
| JP2002356449A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Sony Corp | ポリフェニレン化合物、その合成中間体、及びこれらの製造方法 |
-
2001
- 2001-04-26 JP JP2001129284A patent/JP2002324676A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000026472A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-01-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属錯体、それらからなるエレクトロルミネツセンス素子材料およびそれらを用いたエレクトロルミネツセンス素子 |
| JP2000156289A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-06-06 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
| WO2000044851A2 (en) * | 1999-02-01 | 2000-08-03 | South Bank University Enterprises Ltd | Electroluminescent materials |
| JP2002356449A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Sony Corp | ポリフェニレン化合物、その合成中間体、及びこれらの製造方法 |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011029210A (ja) * | 2003-04-29 | 2011-02-10 | General Electric Co <Ge> | 有機層及びホトルミネセント層を有する光源 |
| US8283679B2 (en) | 2003-06-30 | 2012-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having light-emitting element and light-receiving element for transmitting among circuits formed over the plurality of substrates |
| JP2005039236A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US9085729B2 (en) * | 2004-02-09 | 2015-07-21 | Lg Display Co., Ltd. | Blue emitters for use in organic electroluminescence devices |
| KR101303372B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2013-09-03 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 전계 발광 구조물 및 그것을 포함하는 발광 다이오드 |
| JP2008502102A (ja) * | 2004-06-04 | 2008-01-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | エレクトロルミネッセント構造、及びｅｌ構造を有するｌｅｄ |
| WO2005122650A1 (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Pioneer Corporation | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP4722695B2 (ja) * | 2004-12-31 | 2011-07-13 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機発光素子 |
| KR101030008B1 (ko) | 2004-12-31 | 2011-04-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
| US7829205B2 (en) | 2004-12-31 | 2010-11-09 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
| JP2006191040A (ja) * | 2004-12-31 | 2006-07-20 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光素子 |
| JP2006216858A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Institute Of Physical & Chemical Research | 有機ｅｌ素子 |
| JP2006310815A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-11-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| JP2011162798A (ja) * | 2006-09-12 | 2011-08-25 | Jiaotong Univ | 高飽和赤色発光体Ｍｎ（ＩＶ）活性蛍光体およびその製造方法 |
| JP2011026610A (ja) * | 2006-09-12 | 2011-02-10 | Jiaotong Univ | 高飽和赤色発光Ｍｎ（ＩＶ）活性蛍光体およびその製造方法 |
| JP2013109932A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | 有機ｅｌ素子 |
| CN103947000A (zh) * | 2011-11-18 | 2014-07-23 | 吉坤日矿日石能源株式会社 | 有机el元件 |
| KR20140092810A (ko) * | 2011-11-18 | 2014-07-24 | 제이엑스 닛코닛세키에너지주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 |
| US9059420B2 (en) | 2011-11-18 | 2015-06-16 | Jx Nippon Oil & Energy Corporation | Organic EL element with light extraction and light emission efficiency |
| WO2013073434A1 (ja) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| KR101927569B1 (ko) * | 2011-11-18 | 2018-12-10 | 제이엑스티지 에네루기 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 소자 |
| JP2013127844A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | 有機ｅｌ素子 |
| US11659764B2 (en) | 2017-12-26 | 2023-05-23 | Lg Chem, Ltd. | Amine based compound and organic light emitting device comprising the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5135657B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
| JP5120398B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
| JP3873720B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 | |
| JP4770033B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4427947B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
| JP4804661B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4951829B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 | |
| JP2002359076A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、発光方法、表示方法および透明基板 | |
| JP5340999B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
| JP2003031371A (ja) | 有機電界発光素子及び青色発光素子 | |
| JP2004185967A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、表示装置、照明装置及び光源 | |
| JP4788078B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料および表示装置 | |
| JP3960131B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 | |
| JP2002324676A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、発光光源、照明装置、表示デバイスおよび発光方法 | |
| JP2002356462A (ja) | アリールベンジジン誘導体化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、および有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4804662B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
| JP2003077680A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
| JP2004288380A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP5321710B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
| JP4686895B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
| JP4734849B2 (ja) | アルミニウム混合配位子錯体化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子 | |
| JP2002151268A (ja) | 有機化合物、無機系蛍光体、色変換フィルターおよび有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2004342484A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 | |
| JP2000003790A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP4556335B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101214 |