TW507506B - Method for filling through hole - Google Patents

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TW507506B
TW507506B TW089122361A TW89122361A TW507506B TW 507506 B TW507506 B TW 507506B TW 089122361 A TW089122361 A TW 089122361A TW 89122361 A TW89122361 A TW 89122361A TW 507506 B TW507506 B TW 507506B
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TW
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copper
plating
hole
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TW089122361A
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Masami Ishikawa
Hideki Hagiwara
Ryoichi Kimizuka
Original Assignee
Ebara Udylite Kk
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Description

507506 A7 B7 五、發明說明(1) 發明所屬之技術領域 本發明係有關塡孔方法,更詳細而言係有關設於印刷 電路板之基板上的封閉穿孔等之微小孔中塡充金屬之塡孔 方法。 習知之技術 最近將行動電話,個人電腦,錄放影機,電腦遊樂機 等之電子機器,以電路實際安裝法,適用於聚集技法,此 種聚集技法,在積層板上設置微小孔(穿孔),由其微小 孔中析出的金屬,可進行各電路層間之連接。此種微小孔 中,對封閉之微小孔(以下稱「穿孔」),依其穿孔電鍍 成塡法進行各層間之連接。 此際,左穿孔之內側面及底面使促成金屬皮膜之穿孔 電鍍,欲於孔上再堆上導體層係有困難的,又於層間連接 '之際,爲保證通電金屬皮膜析出面積必須增大。另一方面 在穿孔中使用塡充金屬的塡孔方法時,則該孔即完全塡埋 ,且進行塡孔後,若穿孔表面平坦時,在孔上即能形成孔 ,在減少尺寸度係有利的。因此取代絕緣體之平坦化上有 具限的穿孔電鍍時,則塡埋層間之孔的所謂塡孔之必要性 正曰益高漲著。 以往塡孔之形成,在絕緣所形成的孔之底部之導體層 使活性化,利用電氣鍍銅形成柱(pillar)或桿( post ) 經由硏磨使在表面露出的析出銅平滑化之方法,或使用無 電解鍍銅僅使孔之底部之導體層活性化,採取無電解電鍍 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ^--------1T---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507506 A7 _____B7 _______ 五、發明說明(2) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 選擇性的堆積方法。此等方法之中,前者之方法所析出頗 厚的鍍銅層即產生必需硏磨的問題,又後者之方法欲得必 要厚度之鍍銅層,會產生需頗費時之問題。 發明欲解決之課題 從而極需開發以簡單的操作,有較好效率的形成塡孔 方法,本發明之課題即爲因應要求提供技術。 爲解決課題而採用之手段 本發明人等,有關可有效率進行塡孔之酸性銅電鍍浴 中,同時進行種種檢討結果爲以電鍍方式塡埋封閉穿孔, 得知以使用硫酸銅濃度較高,且硫酸濃度較低浴係較合適 的。 亦即以往·,一般用作印刷基板之硫酸銅電鍍之浴,雖 ‘然以硫酸銅7 5 g / L,硫酸1 8 0 g / L爲基本組成, {旦係指裝飾用銅電鍍浴組成,/爲塡埋上封閉穿孔,發現以 採用硫酸銅2 2 5 g/L,硫酸5 5 g/L之程度係較宜 的。 經濟部智慧財轰笱員11肖費釜乍土 不過若以該組成進行印刷基板之電鍍,即使將添加劑 使用於印刷基板用者,但物性(銅電鍍皮膜之伸長率或抗 拉強度)變壞,又有電鍍厚度之差異亦變大等問題產生。 因此更進一步,應彌補該組成所產生的物性之惡化等 缺點,重新檢討的結果,發現由調整添加劑之配合量,可 具有一般的印刷基板浴之同等物性,且塡孔性〔埋坑( -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 507506 A7 B7___ 五、發明說明(3 ) )性〕優越的酸性銅電鍍浴,並藉由使用該浴可使印刷基 板等之封閉穿孔中能優先的析出銅。 亦即,本發明係將具有封閉穿孔之基板導電化處理後 ,以含有下列成分(A ) -( E ) (A) 1〇〇〜3〇Og/L之硫酸銅 (B) 30〜150g/L之硫酸 (C) 10〜l〇〇〇mg/L之由聚丙二醇,聚環 氧丙烷—環氧乙烷共聚物(· Plurornc )型界面活性劑, Teuonic型界面活性劑,聚乙二醇,甘油醯或聚乙二醇,二 烷基醚選出的第1成分。 (D) 〇 · 1〜2 0mg/L之由磺基烷基磺酸鈉, 雙磺基有機化合物及由二硫氨基甲酸衍生物選出的第2成 分。 (E) 〇 . 05〜10mg/L之由聚伸烷基亞胺, 1 -羥乙基- 2 -烷基咪唑啉氯化物,金胺及其衍生物, 甲基紫及其衍生物,並賈納斯黑(Janus black )其由衍生 物選出的第3成分之酸性銅電鍍浴電鍍之塡孔方法。 發明之實施形態 實施本發明方法時,首先有必要具有封閉穿孔之基板 予以導電化處理。 以本發明之塡孔方法爲對象的基板,爲係具有孔徑爲 5 0〜200// m,深度(樹脂層厚度)爲30〜100 // m之封閉穿孔的印刷基板之基板,作爲具體的基板之例 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) .裝--------訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -fi- 507506 A7 B7 五、發明說明(4) ,可舉出I C裸晶片(bare chip )直接安裝於包裝基板等, 此基板除貫穿孔(Qu,Hole )外,與貫通孔(Through Hole )混雜亦可,再者爲溝槽亦可。 此種基扳導電處理時一般方法,例如可利用無電解金 屬電鍍方法或噴鍍予進行。 其次,經予導電化處理之基板,係於含有上述成分( A )〜(E )之酸性銅浴中被銅電鍍著,於此種酸性銅電 鍍浴組成,在成分(A )之硫酸銅之濃度爲1 〇 〇〜 30〇g/L,較宜爲180〜25〇g/L濃度,另一 方面在成分.(B)之硫酸濃度爲3 0〜1 5 0 g/L,較 宜爲40〜80g/L濃度。此等成分(A)及(B)之 量係與以往裝飾用硫酸銅電鍍相同者,尙且除上述成分〈 A )及成分(B )外,以存在氯離子爲宜,此濃度以氯離 子濃度計爲2〇〜10mg/L,尤宜爲40〜8 0mg _ / L。 又成分(C )之第一成分,亦可說稱作聚合物成分, 其具體例,可舉出如下:
(1)下式(I)表示的聚丙乙醇 HO—(C3H6〇y^r*H (1) . (式中,ηι係表示由1至2 0之數) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之泫意事項再填寫本頁) ----訂---------線 507506 A7 -B7 — -------—--------------—------- 五、發明說明(5) (2)下式(π)表示的聚環氧丙烷(環氧乙烷共聚物) 型界面活性劑
HO—(C2H4〇)l5 (C3H6〇y^2一(C2H4〇)^-H (II) (式中Π2及1 2係表示由1至3 0之數,m2表示由1 0 至1 0 0之數) (3 )下式(瓜)表示的Tetronic型界面活性劑 H—(OH4C2)i3一(〇H6C3)m^ / (C3H60)ii^"iC2H4。加Γ*Η /Ν——CH2 一 CH2— N、 y
H-(OH4C2te—t〇H6C3)m3 (C3H6〇ys3-1C2H4〇te-H ^ (III) (式中n3係表示由1至2 0 0之數,m3表示由1至4 之數) (4 )下式(IV )表示聚乙二醇,縮水甘油基醚 /CH2 — 0 —(C2H40)^H H—(C2H4〇)i4~ Ο— CH\ CH2—0—(〇2Η4Ο^Η (IV) (式中Π4,Π14及14係表示各各由1至200之數) (5 )下式(V)表示聚乙二醇•二烷基醚 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐> (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) |衣--------訂 線
經濟邨智慧財臺奇員!.肖乍土 PTA 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 507506 A7 B7 五、發明說明(6 )
Ri〇—<c2h4o^5—0B2 (V) . (式中,尺1及112係表示氫原子或碳由1至5之低級烷基 ,115表示由2至2 0〇之數)。 此成分(C )可使用任1種類式混合使用複數,該濃 度爲1〇〜l〇0〇mg/L,較宜爲50〜3〇0mg / L。 再者,成分(D)之第2成分,通常亦可稱爲載體成 分,其具體例,可舉出如下: (1)下式(VI)表示磺基烷基磺酸鹽 HS-L1-s〇3M1 (VI) (式中,L i係表示碳數由1至1 8飽和或不飽和之伸烷基 Μ 1表不驗金屬) (2 )下式(vn)表示的雙磺基有機化合物。 X-l2ssl3-y1 (VII) (式中L2及L3係表示碳數由1到1 8之飽和或表示不飽 和之伸烷基,X 1及Y i表示硫酸鹽殘基或磷酸鹽殘基。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 一 -9 - --------^---------' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507506 A7 - ^^__Β7 ___ 五、發明說明(7) (3 )下式(V0I )表示的二硫代胺基甲酸衍生物。 R3\ /NCSU 一 X2 · (VIII) R3及&4係表示氫原子或碳數由1至3之低級烷 基’ L4表示碳數由3至6之伸烷基,Χ2表示硫酸鹽殘基 或憐酸鹽殘基)。 & D )可使用任1種類,或混合使用複數,以 此濃度爲0 . 1〜20mg/L,較宜爲0 · 5〜5mg / L。 胃#,成分(E)之第3成分,通常亦可稱爲均展劑 成分,其具體例,可舉出如下: (1 )下式(K )表示聚伸烷基亞胺 17 —·N— (IX) (式中,L5,L6及L7表示碳數由1至3之低級伸烷基 ,116及1115表示由1至2 00之數), (2 )下式(X)表示的1 一羥乙基一 2 -烷基咪唑琳鹽 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂i -------. 經濟部智慧財產局員工消費合作比中設 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -10- 507506 A7 B7 H〇一CHp- CH,
N 、N CH2-CH2 五、發明說明(8 X3 CH, (X) (式中,R5表示碳數由14至2 0之飽和或不飽和之烷基 ,X 3表示鹵原子) (3 )下式(X I )表示的金胺及其衍生物 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝
訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (XI) (式中R6,R 7 , R 8及R 9表示氫原子或碳數由1至3之 低級院基) 4 )下式(X Π )表示的甲基紫或結晶紫及其那些衍生 物
(XII) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -- 507506 A7 B7_五、發明說明(9 ) (式中,RlO,Rll,Rl2,Rl3,R14 及 R15 表不氯 原子或碳數由1至3之低級烷基,X4表示鹵原子) (5 )次式(X m )表示lanus Black及其衍生物。
(XIII) ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (式中,R 1 6及R 1 7表示低級院基,R 1 8表示經基,胺 基,羥苯基或羥苯基重氮,X 5表示鹵原 >子。 此成分(E ),亦能混合使用任一種類或複數,以此 濃度爲〇·〇5〜l 〇mg/L.,宜爲0 · 1〜2mg/ L。 以上使用酸性銅電鍍液進行銅電鍍,係按照一般硫酸 銅電鍍條件,經過直流或P R電流電解即可。則浴溫在 2 3 °C至2 7 °C之間,電流密度由1至3 A / d m 2爲宜, 又一般以空氣調節器進行攪拌較爲宜。 上述的本發明方法,完全填埋封閉芽孔爲止的時間, 係隨著穿孔之直徑或深度而異,例如爲完全塡埋孔之直徑 1 0 0 // m,深度5 0 # Π1之孔,電流密度2 · 0 A / d m 2,經過約6 0分電解即可,此時之表面(除孔以外之 部分)的電鍍厚度約爲2 0 A m ° 計· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公髮) -1?- 507506 A7 B7__ 五、發明說明(10) 實施例 •----------I .— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 舉出如下之實施例,雖然本發明可更詳細說明,但本 發明並不只限於該等實施例。 實施例1 如圖1所示,直徑1 〇 〇 # m,深度6 0 # m之封閉 穿孔,在貼合銅之環氧樹脂印刷基板上開孔。對此印刷基 板上,首先進行無電解銅電鍍,在穿孔內壁及基板之表面 :析出0 · 5 // m銅(以下稱爲「導電化處理」),此種無 電解銅電鍍使用nsemoron製程(荏原優萊特科技股份公司 製造)。 纊 其次,進行此導電化處理,將具有封閉穿孔印刷基板 ,由下述3種浴,使用陰極電流密度2 A / d m 2進行硫酸 銅電鍍。此處所使用比較浴1,係對於裝飾用硫酸銅電鍍 之組成,一般使用印刷基板用硫酸銅電鍍之添加劑所添加 的組成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電鍍開始後,4 5分後,6 0分後及7 5分後,使用 顯微鏡檢查表面之銅電鍍之厚度與用銅塡埋孔之比例。此 結果表不於表1。 尙且,用銅塡埋的孔之比例(孔塡埋比例),係由第 2圖表示的孔底至孔內之電鍍厚度(a ),求出由孔底至 電鍍表面之厚度(b),求出以(a)除(b)之百分率 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -- 507506 A7 B7 五、發明說明( (硫酸銅電鍍浴組成) 本發明浴1 硫酸銅 硫酸 氯離子 聚環氧丙烷-環氧乙烷共聚物 (Pluronic) L 6 4 * 金胺(Auramine) * S P S " +旭電化公司製造 **化合物(XI)中,R6 = +化合物(VH )中,L 2 = L 3 一 S 〇 3 Η ) 2 2 5 g / L 5 5 g / L 6 〇 m g / L 1 〇 0 m g / L 2 m g / L 5 m g / L Rt=R8 = R9=CH3 =C 3 H 6 , X 1 = Y 1 = . --------訂---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合泎f£印M 本發明浴2 硫酸銅 硫酸 氯離子 聚環氧丙烷-環氧乙烷共聚物 (Pluronic)L64* 金胺* * S P S + ' μ,+與上述相同
1 〇 0 g / L 1 5 0 g / L 6 〇 m g / L 1 0 0 m g / L 2 m g / L 5 m g / L 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -14- 507506 A7 ________B7____ 五、發明說明(12) 比較浴1
硫酸銅 2 2 5 g / L •III1IIIIII 1 · I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
硫酸 5 5 g / L
氯離子 60mg/L
Cupnght TH + + 5 m 1 / L + +径原優萊特科技股份有限公司製造 (結果) 電鍍時間 (分) 表面電鍍厚度 (β m ) 埋坑比例(%) 本發明浴1 本發明浴2 比較浴1 4 5 15 85 70 20 60 20 100 90 25 75 25 100 100 30 -f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由以上結果顯而可知若由一般習用的硫酸銅電鍍浴所 使用的比較浴1進行銅電鍍時,雖然封閉穿孔內之電鍍厚 度與表面同等式多或少變薄係當然的,但若使用本發明浴 時,則對表面電鍍厚度爲2 0〜2 5 // m,深度爲6 0 //. m之孔,以銅塡埋係有可能。 實施例2 除使用下述之本發明浴3,改變封閉穿孔之孔徑以外 餘以,與實施例1同樣操作調查埋孔性,其結果如表2所 示。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) -- -15- 507506 A7 B7 五、發明說明(13) (.硫酸銅電鍍浴組成) 本發明浴3 硫酸銅 硫酸 氯離子 Tetronic TR 704* Janus Black * MPS + +旭電化工業公司製造 * *化合物(X瓜)中,R 基苯基重氮基 +化合物(VI)中, 1 6 2 2 5 g / L 5 5 g / L 6 0 m g / L 2 0 0 m g / L 1 m g / L 〇· 5 m g / L R 1 7 = C 2 H 5 , Rl8 =經
M N a ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . (結果) 〔表2〕 纊 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電鍍 表面電 埋坑之比例(%) 時間 鍍厚度 2 0 0 μ m 孑L 1 0 0 μ m 孔 8 0 μ m 孔 6 0 μ m 孔 5 0 μ m 孑L (分) (μπι) 45 15 85 90 90 85 70 60 20 90 100 100 95 80 75 25 95 100 100 100 90 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) -1R - 507506 A7 — B7 經濟邹智慧犲至奇員11宵費>乍土 五、發明說明(1今 由以上結果,埋孔性之 6〇/zm,直徑即8〇〜1 〇· 8 ),即使較該値大或 實施例3 印刷基板用之銅電鍍, 由本發明電鍍浴而得的銅被 基板用浴(比較浴2 )及裝 被膜之物性。使用各浴比較 銅電'鍍後,由不鏡鋼鋼板剝 之帶狀試片,在試驗機上進 抗拉強度。此結果示於表3 (硫酸銅電鍍浴組成) 本發明浴1 硫酸銅 硫酸 氯離子 聚環氧丙烷-環氧乙烷共聚 物(Pluronic)L64* 聚乙二醇二烷基醚* * 金胺+ S P S η *旭電化公司製造 最具有效率的機能,對於深度 OOem (長徑比1 ·〇— 較小,均可知埋坑性會降低。 因析出銅被膜物性係被重視, 膜之物性,比較由一般的印刷 飾用浴(比較浴3 )而得的銅 ,將不銹鋼鋼板進行50 落電鍍被膜,以1〇mm寬度 行拉伸試驗,測定其伸長率與
2 2 5 g / L 5 5 g / L 6 0 m g / L 1 0 0 m g / L 1 0 0 m g / L 2 m g / L 5 m g / L (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -17- 507506 A7 _B7_五、發明說明(15 ) ** 化合物(V)中, + 化合物(X I )中,R6 = R7 = R8R9=CH3 + + 化合物(W)中,L2=L3=C3H6,X 1 = Y 1 一 S 〇 3 Η ) 比較浴2 (印刷基板用浴) 硫酸銅 硫酸 氯離子 Cubright TH# #荏原優萊特科技股份公司製造
7 5 g / L 1 8 0 g / L 6 0 m g / L 5 m 1 / L ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 比較浴3 (裝飾用浴) 硫酸銅 硫酸 氯離子 聚乙二醇4000 S P S + + 硫代尿素 Janus Green $ >與本發明浴1相同 # #和光化學工業公司製造
2 2 5 g / L 5 5 g / L 6 0 m g / L 1 0 0 m g / L 1 m g / L 0 · 1 m g / L 〇· 1 m g / L (結果) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -1R - 507506 A7 B7 五、發明說明( 表3 電鍍浴 伸長率 抗拉強度 (% ) (k g / m m 2 ) 本發明浴1 19 2 8 比較浴2 2 0 2 7 比較浴3 6 2 5 由以上試驗結果,由本發明浴所得的銅被膜,可確認 出與由一般印刷基板用浴而得的銅被膜,具有同等的優越 物性。 另一方面與本發明浴相同的銅濃度及硫酸濃度之裝飾 浴組成,加上以往一般的添加添加劑(比較例3 ),雖然 孔埋性面有恰如其分的效果,但所得的銅被膜之物性較不 宜,因此對印刷基板等之基板實用性較低。如此適合於塡 孔浴應有極大依存添加劑成分之組合。 實施例4 因封閉穿孔設置在圖案基板上較多,試驗是否可能在 圖案基板上之溝槽同樣塡埋穿孔。試驗如第3圖電路之溝 槽之寬度5 0 深度(光阻厚度)5 0 /zm之圖案基 板上,對本發明浴1 (實施例1,實施例3 )與比較浴2 (實施例3 )進行電鍍,進行對周圍之光阻是否能得到相 同高度。 對此試驗,光阻壁係絕緣性,無法進行電鍍銅等之導 -------------------ti (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .Φ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -19- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 507506 A7 B7 五、發明說明(17) 電化處理一事係根本上與埋孔不同。亦即埋孔時,孔內之 壁面亦予以導電化處理,故由孔內之全面開始進行電氣銅 電鍍之析出,而圖案電鍍則故僅由溝底之銅表面析出。 (結果) 用陰極電流密度2 A / d m 2 ,·在各浴內依指定時間進 行硫酸銅電鍍,表面之銅電鍍厚度與溝槽用銅塡埋之比例 示於表4。 〔表4〕 電鑛時間 (分) 表面電鍍厚度 (β m ) 埋溝比例(% ) 本發明浴1 比較浴2 4 5 15 7 0 3 0 6 0 2 0 8〇 4 0 7 5 2 5 9 5 5〇 9 0 3 0 10 0 6〇 由其結果顯而得知,使用印刷基板用浴進行銅電鍍, 雖然圖案溝內之電鍍厚度與表面同等或多或少變薄雖爲當 然的,但依使用本發明浴,在表面電鍍厚度爲3 〇 // m, 深度爲5 0 // m之溝用銅塡埋係有可能的。 〔圖之簡單說明〕 第1圖爲模式所表示出實施例1使用印刷基板之封閉 本紙張尺度適用巾國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱)· " -20- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------ 訂---------線邊 507506 A7 B7 五、發明說明(β 圖 之 法 定 測 之 例 比 孔 彐二 埋 出 求 示 表 爲 〇 圖 圖 2 之第 孔 穿 溝 之 間 電 光 的 上 板 基 用 使 4 施 實 示 表 的 式 模 爲 圖 。 3 上 第以 圖 之 (請先閱讀背面之注意事項再4(寫本頁) % 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -21 -

Claims (1)

  1. 507506
    六、申請專利範圍 1 . 一種塡孔方法,其特徵在於將具有封閉穿孔之基 板導電處理後,於以含有下述(A ) -( E )之成分: (A) 1〇0〜3〇0g/L之硫酸銅, (B) 3〇〜15〇g/L之硫酸, (C) 10〜1 000mg/L之聚乙二醇,聚丙二 醇,聚環氧丙烷-環氧乙烷共聚物型界面活性劑等之第一 成分, (D) 0 · 1〜20mg/L之磺基烷基磺酸鈉,雙 磺基有機化合物等之第二成分,及 (E) .0 . 05〜10mg/L之聚伸烷基亞胺,1 -羥基乙基- 2 -烷基咪唑啉氯化物,金胺及其衍生物, 甲基紫及其衍生物,結晶紫及其衍生物與賈納斯黑及其衍 生物選出的第三成分之酸性銅電鍍液中進行電鍍。 .2 ·如申請專利範圍第1項之塡孔方法,係藉由無電 解金屬電鍍或濺鍍方式進行導電化處理。 3 ·如申請專利範圍第1項之塡孔方法,其中酸性銅 電鍍液中的氯濃度爲2 0〜1 〇 〇mg/L。 (.請光間..Ht-B.V.-r二意事項兵填,丨命頁) 裝 、π 會 經濟部智总財4局員工消費合作钍印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(210 X2V公釐)-22 -
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