JP2002053994A - 銅電気めっき組成物 - Google Patents

銅電気めっき組成物

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JP2002053994A JP2001112360A JP2001112360A JP2002053994A JP 2002053994 A JP2002053994 A JP 2002053994A JP 2001112360 A JP2001112360 A JP 2001112360A JP 2001112360 A JP2001112360 A JP 2001112360A JP 2002053994 A JP2002053994 A JP 2002053994A
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デニス・モリッセイ
Mark Lefebvre
マーク・ルフェーブル
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 銅電気めっき組成物を提供する。 【解決手段】 電解質、銅イオンのソースの１以上、光
沢剤の１以上、および実質的に平坦な銅層を提供し、微
細な構造物を実質的に欠陥を形成することなく充填する
ことができる平滑化剤を含み、該光沢剤が浴に基づいて
少なくとも約１ｍｇ／Ｌの量で存在する、半導体デバイ
ス上に銅を電気めっきするための組成物が開示される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は、概して、電解めっき組成物の分
野に関する。特に、本発明は、銅電気めっき組成物の分
野に関する。物品を金属被覆で電気めっきする方法は、
概して、電極の一方が被めっき物品である、めっき液中
の２つの電極の間に電流を流すことを含む。典型的な酸
性銅めっき液は、溶解された銅（通常は硫酸銅）、浴に
導電性を与えるのに充分な量の、硫酸をはじめとする酸
性電解質、およびめっき物の均一性および金属堆積物の
品質を向上させる有標添加剤（ｐｒｏｐｒｉｅｔａｒｙ
ａｄｄｉｔｉｖｅ）を含む。そのような添加剤として
は、光沢剤、平滑化剤、界面活性剤、抑制剤などが挙げ
られる。電解銅めっき溶液は、多くの産業用途に使用さ
れる。例えば、それらは自動車産業において、装飾およ
び腐蝕保護被覆が適用される前のベース層を堆積させる
ために使用される。それらは、エレクトロニクス産業に
おいて、特にプリント回路板および半導体の製造のため
にも使用される。回路板製造のためには、銅は、プリン
ト回路板の表面の選択された部分の上に、および回路ボ
ードの基材の表面間を貫通するスルーホールの壁上に電
気めっきされる。該スルーホールの壁は、まず、メタラ
イズされ、ボードの回路層の間に導電性を提供する。半
導体製造のためには、銅は、バイア、トレンチまたはこ
れらの組み合わせをはじめとする種々の構造物を有する
ウエハーの表面上に電気めっきされる。バイアおよびト
レンチはメタライズされ、半導体デバイスの種々の層の
間に導電性を提供する。
【０００２】プリント回路板の電気めっきをはじめとす
る、めっきの特定の領域においては、電気めっき浴中で
の光沢剤および／または平滑化剤の使用は、基体表面上
に均一な金属堆積物を生じさせるという点で重要視され
る場合があることが知られている。不規則なトポグラフ
ィーを有する基体をめっきすることは、特別な困難性を
生じさせる場合がある。電気めっきの間、ボルテージド
ロップバリエーション（ｖｏｌｔａｇｅ ｄｒｏｐ ｖ
ａｒｉａｔｉｏｎ）が、典型的には、不規則な表面に沿
って存在するであろうし、その結果、不均一な金属堆積
物が生じる場合がある。ボルテージドロップバリエーシ
ョンが相対的に顕著な部分、すなわち、表面の不規則性
が実質的な部分では、めっきの不規則性が悪化される。
その結果、より厚い金属の堆積、すなわち、オーバープ
レーティング（ｏｖｅｒｐｌａｔｉｎｇ）がそのような
表面の不規則部分の上に観察される。よって、高品質の
金属めっき（例えば、実質的に均一な厚さの金属層また
はプレート）は、しばしば、電子デバイスの製造におけ
るチャレンジングステップとなっている。
【０００３】プリント回路板の製造においては、銅電気
めっき浴中での平滑化剤またはレベリング剤の使用は公
知である。そのような平滑化剤は、典型的には、電気め
っき浴に添加され、実質的に均一な銅層を提供するよう
な有機化合物である。例えば、米国特許第５２５２１９
６号（Ｓｏｎｎｅｎｂｅｒｇ ｅｔ ａｌ．）は、プリ
ント回路板の製造において使用するための、式Ｎ−Ｒ−
Ｓの基を含む特定の平滑化剤の使用を開示し、そこで
は、該平滑化剤は１ｐｐｍ未満の量で存在する。半導体
の製造は開示されていない。半導体の製造における平滑
化剤の使用は公知であるが、そのような薬剤は、バイア
およびトレンチをはじめとする微細な構造物に対して、
低い充填性能しか提供しないことが知られている。例え
ば、半導体の製造に使用されている公知の平滑化剤は、
実質的に平坦な表面を形成するが、それらはバイアまた
はトレンチにおいて、実質的に多くのボイドも形成す
る。そのようなボイドは、半導体において電気的にオー
プンな回路を生じさせる場合がある。電子デバイスのジ
オメトリーが小さくなるにつれて、より微細な構造物を
完全に充填すると同時に、均一な銅層をめっきすること
の困難性がより大きくなる。
【０００４】米国特許第６０２４８５７号（Ｒｅｉｄ）
に認められる、提案されている溶液はウエハーの銅電気
めっきにおける特定の平滑化剤の使用を開示する。この
特許においては、平滑化剤は、めっきされるべき構造物
の幅と少なくとも同じ大きさを有する分子であることを
必須のものとするように選択される。そのような平滑化
剤は巨大分子であり、２００，０００〜１０，０００，
０００の分子量を有する。そのようなアプローチは、同
じ基体に異なるサイズの構造物が存在する場合に問題と
なる。また、そのような平滑化剤は非常に大きいので、
微粒子を除去する通常の濾過プロセスの間にめっき浴か
ら除かれる。よって、当該技術分野においては、ボイド
を形成せず、低減されたオーバープレーティングを示
し、さらに異なるサイズの構造物を有する基体をめっき
するのに有用な、半導体の製造において使用するための
平滑化剤の必要性が存在している。
【０００５】驚くべきことに、本発明は、低減されたオ
ーバープレーティングを有する金属層、特に銅層を提供
することが見出された。本発明によって提供される金属
層は、非常に微細な構造物（ｆｅａｔｕｒｅ）を有する
基体上でさえ、実質的に平坦である。さらに驚くべきこ
とに、本発明は、構造物中にボイドをはじめとする加え
られた（ａｄｄｅｄ）欠陥が実質的に形成されていない
金属層、特に、非常に微細な構造物中にボイドをはじめ
とする欠陥が形成されていない銅層を提供する。一態様
においては、本発明は、半導体デバイス上へ、銅を電気
めっきするための組成物であって、電解質、銅イオンの
ソースの１以上、光沢剤の１以上、および実質的に平坦
な銅層を提供し、実質的に欠陥を形成することなく微細
な構造物を充填することができる平滑化剤を含み、該平
滑化剤が、浴に基づいて、少なくとも約１ｍｇ／Ｌの量
で存在する、前記組成物を提供する。
【０００６】第２の態様においては、本発明は、銅を、
微細な構造物を有する基体上に電気めっきする方法であ
って、めっきされるべき基体を、実質的に平坦な銅層を
提供し、実質的に欠陥を形成することなく微細な構造物
を充填することができる平滑化剤を含む銅電気めっき浴
と接触させ、さらに該基体上に銅層を堆積させるのに充
分な電流密度を、充分な時間の間、浴に適用する工程を
含む前記方法を提供する。第３の態様においては、本発
明は、電子デバイスを製造する方法であって、めっきさ
れるべき基体を、実質的に平坦な銅層を提供し、実質的
に欠陥を形成することなく微細な構造物を充填すること
ができる平滑化剤を含む銅電気めっき浴と接触させ、さ
らに該基体上に銅層を堆積させるのに充分な電流密度
を、充分な時間の間、浴に適用する工程を含む前記方法
を提供する。第４の態様においては、本発明は、半導体
デバイスの銅層においてオーバープレーティングを低減
させる方法であって、めっきされるべき基体を、実質的
に平坦な銅層を提供し、実質的に欠陥を形成することな
く微細な構造物を充填することができる平滑化剤を含む
銅電気めっき浴と接触させ、さらに該基体上に銅層を堆
積させるのに充分な電流密度を、充分な時間の間、浴に
適用する工程を含む前記方法を提供する。第５の態様に
おいては、本発明は、実質的に平坦な銅層および充填さ
れた微細な構造物を有する基体を含む装置であって、該
微細な構造物が実質的に加えられた欠陥を有しておら
ず、さらに該銅層がポリッシングプロセスにかけられて
いない、前記装置を提供する。
【０００７】本明細書を通じて、他に特に明示されない
限りは、次の略語は次の意味を有する：Ａ＝アンペア；
ｍＡ／ｃｍ２＝ミリアンペア／平方センチメートル；℃
＝摂氏度；ｇ＝グラム；ｍｇ＝ミリグラム；Å＝オング
ストローム；Ｌ＝リットル；ｐｐｍ＝百万分率；ｐｐｂ
＝１０億分率；μｍ＝ミクロン；ｃｍ＝センチメート
ル；ＲＰＭ＝１分間あたりの回転数；ＤＩ＝脱イオン；
ｍＬ＝ミリリットル。他に示されない限りは、全ての量
は重量パーセントであり、全ての比率は重量比である。
全ての数値範囲は境界値を含み、交換可能である。「構
造物」とは、基体上のジオメトリーを意味し、例えば、
トレンチおよびバイアが挙げられるがこれらに限定され
るものではない。用語「微細な構造物」とは、サイズが
１ミクロン以下の構造物をいう。「非常に微細な構造
物」とは、サイズが１／２ミクロン以下の構造物をい
う。「ハライド」とは、フルオライド、クロライド、ブ
ロマイドおよびヨーダイドをいう。同様に「ハロ」はフ
ルオロ、クロロ、ブロモおよびヨードをいう。用語「ア
ルキル」とは、直鎖、分岐鎖、および環式アルキルを含
む。用語「平滑化剤」と「レベリング剤」は本明細書を
通じて交換可能に使用される。
【０００８】本発明は、微細な構造物を有する基体上に
めっきされた金属層、特にめっきされた銅層であって、
該金属層は低減されたオーバープレーティングを有し、
該微細な構造物は加えられたボイドを実質的に有してお
らず、好ましくは、ボイドを実質的に有していないよう
な、前記層を提供する。「オーバープレーティング」と
は、構造物を有しないかまたは実質的に有しない領域と
比較して、構造物が密に存在する領域上に、より厚い金
属堆積物が存在することをいう。構造物を有しないか、
または実質的に有しない領域上のめっき厚さと比較し
た、構造物が密に存在する領域上のめっき厚さとのその
ような違いは、「ステップ高さ（ｓｔｅｐｈｅｉｇｈ
ｔ）」と呼ばれる。好適な基体は、電子デバイスの製造
に使用される任意のものであり、例えば、プリント回路
板または半導体の製造に使用される基体が挙げられる。
特に好適な基体は、半導体の製造に使用されるウエハー
であり、より好適には、基体はデュアルダマシン製造プ
ロセスにおいて使用されるウエハーである。基体が非常
に微細な構造物を含むのが好ましい。本発明は、特に、
サブ−ハーフ−ミクロン以下の構造物、さらに特有のも
のとしては、０．３ミクロン以下の構造物、最も特有の
ものとしては、０．２５ミクロン以下の構造物を有する
基体をめっきするのに使用するのに適する。微細な構造
物が加えられたボイドを有しないことがさらに好まし
い。本発明は、高アスペクト比のバイアおよびトレン
チ、例えば、４：１のアスペクト比を有するもの、また
はそれより大きい、例えば１０：１のものを、該バイア
またはトレンチが実質的にボイドを有しないか、好まし
くはボイドを有しないように、銅で充填するのに特に適
しており、さらにとりわけ、本発明は高アスペクト比の
トレンチを充填するのに適する。本発明は、１ミクロン
より大きい構造物を充填するのに適していることも当業
者は認識するであろう。
【０００９】本発明は、実質的に平坦な銅層を提供し、
限定されるものではないがボイドをはじめとする欠陥を
実質的に形成させずに構造物を充填することができる平
滑化剤を、金属電気めっき浴、好ましくは銅電気めっき
浴に混合することによって達成される。好適な平滑化剤
としては、ニグロシン（ｎｉｇｒｏｓｉｎｅ）、ペンタ
メチル−パラ−ローザニリン ヒドロハライド、ヘキサ
メチル−パラ−ローザニリン ヒドロハライド、または
式Ｎ−Ｒ−Ｓ〔式中、Ｒは置換アルキル、非置換アルキ
ル、置換アリールまたは非置換アリールである。〕の官
能基を有する化合物が挙げられるがこれらに限定される
ものではない。概して、そのような金属電気めっき浴
は、電解質、金属イオンのソースの１以上、光沢剤の１
以上および任意に他の添加剤を含む。そのような浴は、
典型的には水性である。好適な電解質としては、例え
ば、硫酸、酢酸、フルオロホウ酸、メタンスルホン酸、
エタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、フ
ェニルスルホン酸、メチルスルファミン酸、ｐ−トルエ
ンスルホン酸、塩酸、リン酸などが挙げられるがこれら
に限定されるものではない。酸は、典型的には、約１〜
約３００ｇ／Ｌの範囲の量で存在し、好ましくは、約１
５０〜約２５０ｇ／Ｌである。そのような電解質は任意
に、クロライドイオンをはじめとするハライドイオンの
ソース、例えば、銅クロライドまたは塩酸を含むことが
できる。広範囲のハライドイオン濃度が本発明において
使用されることができる。典型的には、ハライドイオン
濃度は、めっき浴に基づいて、約０〜約１００ｐｐｍの
範囲であり、好ましくは、約２５〜約７５ｐｐｍであ
る。電解質が硫酸であるのが好ましく、好ましくは硫酸
とクロライドイオンのソースとの混合物である。本発明
において有用な、酸およびハライドイオンのソースは概
して商業的に入手可能であり、さらなる精製をすること
なく使用されることができる。
【００１０】少なくとも部分的に電気めっき浴に可溶性
である、任意の金属イオンのソースが好適である。金属
イオンのソースは、めっき浴中に可溶性であるのが好ま
しい。好適な金属イオンのソースは金属塩であり、金属
スルフェート、金属ハライド、金属アセテート、金属ナ
イトレート、金属フルオロボレート、金属メタンスルホ
ネート、金属フェニルスルホネート、金属スルファメー
ト、金属ｐ−トルエンスルホネートなどが挙げられるが
これらに限定されるものではない。金属が銅であるのが
好ましい。金属イオンのソースが、銅スルフェート、銅
クロライド、銅アセテート、銅ナイトレート、銅フルオ
ロボレート、銅メタンスルホネート、銅フェニルスルホ
ネート、および銅ｐ−トルエンスルホネートであるのが
より好ましい。銅スルフェート５水和物が特に好まし
い。好適な金属塩は概して商業的に入手可能であり、さ
らに精製をすることなく使用されることができる。金属
塩は本発明において、基体を電気めっきするのに充分な
金属イオンを提供するような任意の量で使用される。好
適な金属塩としては、すず塩、銅塩などが挙げられるが
これらに限定されるものではない。金属が銅の場合に
は、銅塩は典型的には、めっき液の約１０〜約３００ｇ
／Ｌの範囲の量で存在し、好ましくは、約２５〜約２０
０ｇ／Ｌであり、より好ましくは、約４０〜約１７５ｇ
／Ｌである。金属塩の混合物が本発明に従って電気めっ
きされることができることが認識されるであろう。よっ
て、約２重量％までのすずを有する銅−すずをはじめと
する合金は、本発明に従って有利にめっきされることが
できる。そのような混合物中の各金属塩の量は、めっき
されるべき特定の合金に応じて変更されるものであり、
これは当業者に公知の事項である。
【００１１】任意のブライトナーまたは光沢剤は、本発
明における使用に適する。典型的な光沢剤は１以上の硫
黄原子を有し、約１０００以下の分子量を有する。硫酸
および／またはスルホン酸基を有する光沢剤化合物が概
して好ましく、特に、式Ｒ’−Ｓ−Ｒ−ＳＯ３Ｘ〔式
中、Ｒは任意に置換されたアルキル、任意に置換された
ヘテロアルキル、任意に置換されたアリールまたは任意
に置換されたヘテロ環であり；Ｘはナトリウムまたはカ
リウムのようなカウンターイオンであり；Ｒ’は水素ま
たは化学結合である。〕の基を有する化合物が好まし
い。典型的には、アルキル基は（Ｃ１−Ｃ１６）アルキ
ルであり、好ましくは（Ｃ３−Ｃ１２）アルキルであ
る。ヘテロアルキル基は典型的には、アルキル鎖内に１
以上のヘテロ原子、例えば窒素、硫黄または酸素を有す
る。好適なアリール基としては、フェニル、ベンジル、
ビフェニルおよびナフチルが挙げられるがこれらに限定
されるものではない。好適なヘテロ環基は典型的には、
１〜約３個のヘテロ原子、例えば窒素、硫黄または酸素
を有し、１〜３個の、別々のまたは融合した環系であ
る。そのようなヘテロ環基は芳香族または非−芳香族で
あることができる。本発明における使用に適する具体的
な光沢剤としては、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ジチオカルバミ
ン酸−（３−スルホプロピル）エステル；３−メルカプ
ト−プロピルスルホン酸−（３−スルホプロピル）エス
テル；３−メルカプト−プロピルスルホン酸ナトリウム
塩；炭酸−ジチオ−ｏ−エチルエステル−ｓ−エステル
と３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸カリウム
塩；ビス−スルホプロピルジスルファイド；３−（ベン
ゾチアゾリル−ｓ−チオ）プロピルスルホン酸ナトリウ
ム塩；ピリジニウムプロピルスルホベタイン；１−ナト
リウム−３−メルカプトプロパン−１−スルホネート；
などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００１２】そのような光沢剤は、典型的には、浴に基
づいて、少なくとも約１ｍｇ／Ｌの量で使用され、好ま
しくは、少なくとも約１．２ｍｇ／Ｌであり、より好ま
しくは、少なくとも約１．５ｍｇ／Ｌである。例えば、
光沢剤は約１ｍｇ／Ｌ〜約２００ｍｇ／Ｌの量で存在す
る。本発明において有用な光沢剤の、特に好適な量は、
少なくとも約２ｍｇ／Ｌであり、より好ましくは、少な
くとも約４ｇ／Ｌである。さらにより高い濃度の光沢剤
が好ましく、例えば、浴に基づいて、少なくとも約１
０、１５、２０、３０、４０または５０ｍｇ／Ｌであ
る。
【００１３】本発明において有用な平滑化剤は、実質的
に平坦な銅層を提供し、実質的にボイドを形成すること
なく微細な構造物を充填できる任意のものである。好適
な平滑化剤としては、ニグロシンの１以上、ペンタメチ
ル−パラ−ローザニリン ヒドロハライド、ヘキサメチ
ル−パラ−ローザニリン ヒドロハライド、または式Ｎ
−Ｒ−Ｓ〔式中、Ｒは置換アルキル、非置換アルキル、
置換アリールまたは非置換アリールである。〕の官能基
を有する化合物、が挙げられるがこれらに限定されるも
のではない。典型的には、アルキル基は（Ｃ１−Ｃ６）
アルキルであり、好ましくは、（Ｃ１−Ｃ４）アルキル
である。概して、アリール基は（Ｃ６−Ｃ２０）アリー
ルであり、好ましくは、（Ｃ６−Ｃ１０）アリールであ
る。そのようなアリール基はさらに、ヘテロ原子、例え
ば、硫黄、窒素および酸素を有することができる。アリ
ール基はフェニルまたはナフチルであるのが好ましい。
式Ｎ−Ｓ−Ｒの官能基を有する化合物は、一般的に公知
であり、概して商業的に入手可能であり、さらなる精製
を行うことなく使用されることができる。
【００１４】Ｎ−Ｒ−Ｓ官能基を有するそのような化合
物においては、硫黄（Ｓ）および／または窒素（Ｎ）
が、そのような化合物に単結合または２重結合で結合さ
れることができる。硫黄がそのような化合物に単結合で
結合される場合には、該硫黄は他の置換基、例えば、限
定されるものではないが、水素、（Ｃ１−Ｃ１２）アル
キル、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニル、（Ｃ６−Ｃ２０）
アリール、（Ｃ１−Ｃ１ ２）アルキルチオ、（Ｃ２−Ｃ
１２）アルケニルチオ、（Ｃ６−Ｃ２０）アリールチオ
などを有するであろう。同様に、窒素は１以上の置換
基、例えば、限定されるものではないが、水素、（Ｃ１
−Ｃ１２）アルキル、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニル、
（Ｃ７−Ｃ１０）アリールなどを有するであろう。Ｎ−
Ｒ−Ｓ官能基は、非環式または環式であることができ
る。環式Ｎ−Ｒ−Ｓ官能基を有する化合物としては、環
系に窒素もしくは硫黄のいずれか、または窒素と硫黄の
両方を有する該官能基を含む化合物が挙げられる。「置
換アルキル」とは、アルキル基の水素の１以上が他の置
換基、例えば、限定されるものではないが、シアノ、ヒ
ドロキシ、ハロ、（Ｃ１−Ｃ６）アルコキシ、（Ｃ１−
Ｃ６）アルキルチオ、チオール、ニトロなどで置き換え
られたものを意味する。「置換アリール」とは、アリー
ル環上の水素の１以上が、１以上の置換基、例えば、限
定されるものではないが、シアノ、ヒドロキシ、ハロ、
（Ｃ １−Ｃ６）アルコキシ、（Ｃ１−Ｃ６）アルキル、
（Ｃ２−Ｃ６）アルケニル、（Ｃ１−Ｃ６）アルキルチ
オ、チオール、ニトロなどで置き換えられたものを意味
する。「アリール」は炭素環式または複素環式芳香族
系、例えば、限定されるものではないが、フェニル、ナ
フチルなどを含む。
【００１５】本発明における平滑化剤として有用なニグ
ロシンは、アニリンまたはその同族体の酸化によって得
られる、黒またはディープブルーのアジン染料のクラス
に該当するものである。ニグロシンは純粋なニグロシ
ン、すなわち、式Ｃ３８Ｈ２７Ｎ３を有するアニリンブ
ラックであるのが好ましい。本発明において有用なその
ようなニグロシンは、概して商業的に入手可能であり、
さらなる精製なしに使用されることができる。ペンタメ
チル−パラ−ローザニリン ヒドロハライドおよびヘキ
サメチル−パラ−ローザニリン ヒドロハライドは、任
意のヒドロハライド形態で使用されることができる。そ
れらは、そのヒドロクロライドとして使用されるのが好
ましい。ペンタメチル−パラ−ローザニリン ヒドロハ
ライドおよびヘキサメチル−パラ−ローザニリン ヒド
ロハライドは、混合物として使用されるのがさらに好ま
しい。特に好ましい混合物は、ペンタメチル−パラ−ロ
ーザニリン ヒドロクロライドおよびヘキサメチル−パ
ラ−ローザニリン ヒドロクロライドであり、概して、
メチルバイオレットまたはクリスタルバイオレットとし
て商業的に入手可能である。
【００１６】本発明の平滑化剤は、１−（２−ヒドロキ
シエチル）−２−イミダゾリジンチオン；メルカプトピ
リジン、例えば、４−メルカプトピリジンおよび２−メ
ルカプトピリジン；メルカプトチアゾリン、例えば、２
−メルカプトチアゾリン；エチレンチオウレア；チオウ
レア；アルキル化ポリアルキレンイミン；ペンタメチル
−パラ−ローザニリン ヒドロクロライド；ヘキサメチ
ル−パラ−ローザニリン ヒドロクロライド；ペンタメ
チル−パラ−ローザニリン ヒドロクロライドとヘキサ
メチル−パラ−ローザニリン ヒドロクロライドとの混
合物、およびニグロシンであるのが好ましい。平滑化剤
は、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリジ
ンチオン、ニグロシン、およびペンタメチル−パラ−ロ
ーザニリン ヒドロクロライドとヘキサメチル−パラ−
ローザニリン ヒドロクロライドとの混合物であるのが
より好ましく、最も好ましくは、１−（２−ヒドロキシ
エチル）−２−イミダゾリジンチオンである。
【００１７】２以上の平滑化剤が本発明において有利に
使用されることができることが、当該分野の当業者に認
識されるであろう。よって、本発明の平滑化剤の混合物
が使用されることができる。別の態様では、本発明の平
滑化剤の１以上と公知の平滑化剤の１以上との混合物が
使用されることができる。本発明の平滑化剤は典型的に
は、めっき浴の総重量に基づいて、約０．１ｐｐｍ〜約
１０ｐｐｍの範囲の量で使用されることができるが、よ
り多い量が使用されることもできる。平滑化剤は、約
０．２５〜約５ｐｐｍの量で存在するのが好ましく、よ
り好ましくは、約０．５〜約３ｐｐｍである。めっき浴
において、平滑化剤の量が増加するにつれて、光沢剤の
量も増加されるのが好ましい。約１ｐｐｍより多い平滑
化剤の量が、特定のめっき浴において特に有用である。
本発明の平滑化剤は巨大分子化合物ではない。本発明の
平滑化剤は、約１００００より小さい分子量を有するの
が好ましく、好ましくは、約５０００より小さく、より
好ましくは、約１０００より小さく、さらにより好まし
くは、約６００より小さい。
【００１８】本発明の電気めっき浴は、任意の添加剤の
１以上を含むことができる。そのような任意の添加剤と
しては、抑制剤、界面活性剤などが挙げられるがこれら
に限定されるものではない。そのような抑制剤および光
沢剤は概して公知である。どのような抑制剤および／ま
たは光沢剤が使用されるか、およびどのような量で使用
されるかは当業者にとって明らかな事項であろう。本発
明において有用な抑制剤は、限定されるものではない
が、ポリマー物質であり、特に、ヘテロ原子の置換を有
するものであり、より特定すると酸素置換である。抑制
剤は高分子量ポリエーテルであるのが好ましく、例え
ば、式： Ｒ−Ｏ−（ＣＸＹＣＸ’Ｙ’Ｏ）ｎＨ 〔式中、Ｒは（Ｃ２−Ｃ２０）アルキル基または（Ｃ６
−Ｃ１０）アリール基であり；Ｘ、Ｙ、Ｘ’およびＹ’
のそれぞれは、水素、アルキル、例えば、メチル、エチ
ルまたはプロピル、アリール、例えば、フェニル、また
はアルアルキル、例えば、ベンジルから独立して選択さ
れ；さらに、ｎは５〜１０００００の整数である。〕の
高分子量ポリエーテルである。Ｘ、Ｙ、Ｘ’およびＹ’
の１以上は水素であることが好ましい。Ｒがエチレンで
あることがさらに好ましい。Ｒがエチレンであり、ｎが
１２０００より大きいことがより好ましい。特に好適な
抑制剤としては、商業的に入手可能なポリエチレングリ
コールコポリマーが挙げられ、エチレンオキシド−プロ
ピレンオキシドコポリマー、およびブチルアルコール−
エチレンオキシド−プロピレンオキシドコポリマーが挙
げられる。好適なブチルアルコール−エチレンオキシド
−プロピレンオキシドコポリマーは約１８００の重量平
均分子量を有するものである。
【００１９】抑制剤が使用される場合には、それらは典
型的には、浴の重量に基づいて、約１〜約１００００ｐ
ｐｍの範囲の量で存在し、好ましくは、約５〜約１００
００ｐｐｍである。本発明における電気めっき浴として
有用な特に好適な組成物は、可溶性銅塩の１以上、酸の
１以上、平滑化剤の１以上、および光沢剤の１以上を含
み、該光沢剤は、浴の少なくとも約１ｍｇ／Ｌの濃度で
存在する。より特定された好適な組成物は、可溶性銅塩
の１以上を約１０〜約３００ｇ／Ｌ、酸の１以上を約１
５０〜約２５０ｇ／Ｌ、ハライドイオンを約２５〜約７
５ｐｐｍ、ニグロシン、ペンタメチル−パラ−ローザニ
リン ヒドロハライド、ヘキサメチル−パラ−ローザニ
リン ヒドロハライド、または式Ｎ−Ｒ−Ｓ〔式中、Ｒ
は置換アルキル、非置換アルキル、置換アリールまたは
非置換アリールである。〕の官能基を有する化合物から
選択される平滑化剤の１以上を約０．１〜約１０ｐｐ
ｍ、並びに光沢剤の１以上を含み、該光沢剤が浴の少な
くとも約１ｍｇ／Ｌの濃度で存在するような前記組成物
である。これらの組成物はさらに抑制剤を含むのが好ま
しい。抑制剤は、約５〜約１００００ｐｐｍの量で存在
するのがより好ましい。
【００２０】本発明の電気めっき浴は、任意の順番で、
前記成分を混合することにより調製されることができ
る。金属塩、水、酸および任意のハライドイオンソース
をはじめとする無機成分が最初に浴容器に添加され、続
いて、平滑化剤、光沢剤、抑制剤、界面活性剤などをは
じめとする有機成分が添加されるのが好ましい。典型的
には、本発明のめっき浴は、約１５℃〜約６５℃または
それより高い任意の温度で使用されることができる。め
っき浴の温度は、１５℃〜３５℃であるのが好ましく、
より好ましくは、２０℃〜３０℃である。概して、本発
明が、金属を基体、例えばプリント回路板の上に堆積さ
せるために使用される場合には、めっき浴は使用の間撹
拌される。任意の好適な撹拌方法が本発明において使用
されることができる。好適な撹拌方法としては、エアス
パージング（ａｉｒ ｓｐａｒｇｉｎｇ）、ワークピー
スアジテーション（ｗｏｒｋ ｐｉｅｃｅ ａｇｉｔａ
ｔｉｏｎ）、インピングメント（ｉｍｐｉｎｇｍｅｎ
ｔ）などが挙げられるがこれらに限定されるものではな
い。そのような方法は当業者に公知である。本発明が半
導体基体、例えばウエハーをめっきするのに使用される
場合には、該ウエハーは、例えば、１〜１５０ＲＰＭで
回転されることができ、めっき液はポンピングまたはス
プレイングによって、回転するウエハーに接触する。他
の態様においては、めっき浴の流れが、所望の金属堆積
物を提供するのに充分である場合には、ウエハーは回転
されることを必要としない。
【００２１】典型的には、基体を本発明のめっき浴と接
触させることによって、基体がめっきされる。典型的に
は、浴には、銅層を基体上に堆積させるのに充分な電流
密度が、充分な時間の間適用される。好適な電流密度
は、これに限定されるものではないが、約１〜約４０ｍ
Ａ／ｃｍ２の範囲である。電流密度は約３〜約３０ｍＡ
／ｃｍ２であるのが好ましい。具体的な電流密度は、め
っきされるべき基体、選択される平滑化剤などに応じて
変化するものである。そのような電流密度の選択は当業
者が選択する範囲内の事項である。本発明は、種々の基
体、特に、微細な構造物を有する基体を電気めっきする
ために使用されることができる。例えば、本発明は、銅
を、微小な直径で高アスペクト比のバイア、トレンチま
たは他のアパーチャ（ａｐｅｒｔｕｒｅ）を有する回路
板基体の上に堆積させるために、さらに、半導体デバイ
スをはじめとする集積回路デバイスをめっきするため
に、特に適している。半導体デバイスが本発明に従って
めっきされるのが好ましい。そのような半導体デバイス
としては、半導体の製造において使用されるウエハーが
挙げられるが、これに限定されるものではない。特に、
本発明は、導電性の層を有する基体に、少なくとも１つ
のバイアまたはトレンチを提供し、可溶性銅塩の１以
上、酸の１以上、実質的に平坦な金属層を提供し、実質
的にボイドを形成することなしに構造物を充填すること
ができる平滑化剤の１以上、並びに光沢剤の１以上を含
む電解めっき浴であって、該光沢剤が浴の少なくとも約
１ｍｇ／Ｌの濃度で存在する該電解めっき浴を用いて、
導電性の層の上に金属層を電解めっきする工程を含む、
半導体デバイスを製造するための方法を提供する。より
特定すると、本発明は、導電性の層を有する基体に、少
なくとも１つのバイアまたはトレンチを提供し、可溶性
銅塩の１以上を１０〜約３００ｇ／Ｌ、酸の１以上を約
１００〜約３００ｇ／Ｌ、ハライドイオンを約２５〜約
７５ｐｐｍ、ニグロシン、ペンタメチル−パラ−ローザ
ニリン ヒドロハライド、ヘキサメチル−パラ−ローザ
ニリン ヒドロハライド、または式Ｎ−Ｒ−Ｓ〔式中、
Ｒは置換アルキル、非置換アルキル、置換アリールまた
は非置換アリールである。〕の官能基を有する化合物か
ら選択される平滑化剤の１以上を約０．１〜約１０ｐｐ
ｍ、並びに光沢剤の１以上を含む電解めっき浴であっ
て、該光沢剤が浴の少なくとも約１ｍｇ／Ｌの濃度で存
在する該電解めっき浴を用いて、導電性の層の上に金属
層を電解めっきする工程を含む半導体デバイスを製造す
る方法を提供する。
【００２２】本発明のプロセスは、概して、半導体の製
造に関連して記載されているが、本発明は、低減された
オーバープレーティング、および実質的にボイドを有し
ない、金属で充填された微細な構造物が望まれるよう
な、如何なる電解プロセスにおいても有用であることが
できることが認識されるであろう。そのようなプロセス
はプリント回路板の製造を含む。本発明の利点は、オー
バープレーティングが低減されるか、または実質的に除
去されることである。そのような低減されたオーバープ
レーティングは、後の化学的−機械的ポリッシング（Ｃ
ＭＰ）プロセスの間に、特に、半導体の製造において、
銅をはじめとする金属を除去するために費やされる時間
と労力がより少なくなることを意味する。よって、半導
体デバイス、ウエハー、プリント回路板などをはじめと
する基体であって、実質的に平坦な銅層を有し、加えら
れた欠陥を実質的に有しない充填された微細な構造物を
有し、該銅層がＣＭＰプロセスをはじめとするポリッシ
ングプロセスにかけられていない該基体を含む装置が、
本発明に従って形成される。「実質的に平坦」とは、銅
層において、非常に微細な構造物が密な領域と、非常に
微細な構造物が存在しないか、または実質的に存在しな
い領域との間での、ステップ高さ（ｓｔｅｐ ｈｅｉｇ
ｈｔ）の違いが１μｍより小さいことを意味し、好まし
くは、０．７５μｍより小さく、より好ましくは、０．
６μｍより小さく、さらにより好ましくは０．１μｍよ
り小さい。「加えられた欠陥を実質的に有しない」と
は、平滑化剤が、そのような平滑化剤を含まないコント
ロールのめっき浴と比較して、非常に微細な構造物にお
いて、ボイドをはじめとする欠陥の数または大きさを増
加させないことをいう。本発明のさらなる利点は、単一
の平滑化剤を使用して、実質的に平坦な金属層が、不均
一なサイズの微細な構造物を有する基体上に堆積される
ことができ、該構造物は、加えられたボイドを実質的に
有しないことである。「不均一なサイズの微細な構造
物」とは、１つの基体内で微細な構造物が種々のサイズ
を有することをいう。よって、平滑化剤を、充填される
構造物のサイズに適合させる必要性が除かれる。次の実
施例は、本発明のさらなる種々の態様を例示することを
意図するものであるが、如何なる態様も、本発明の範囲
を限定するものではない。
【００２３】実施例１ ２５０Åのタンタルバリア層および１０００Åの物理的
に蒸着された（ＰＶＤ）銅のシード層を有する、ブラン
ケット８インチ（ｃａ．２０．３ｃｍ）ウエハー、すな
わち、構造物を有しないウエハーが、１７５ｇ／Ｌの硫
酸、１７．５ｇ／Ｌの銅イオン（硫酸銅として）、５０
ｐｐｍのクロライドイオン（塩酸として）、分子量２４
００のＥＯ／ＰＯコポリマー ８００ｐｐｍ、および光
沢剤としてビス−ナトリウム−スルホノプロピル−ジス
ルファイドを含む銅浴中でめっきされた。コントロール
のウエハーは光沢剤を含まない浴でめっきされた。ウエ
ハーＡおよびＢ（本発明）は、平滑化剤として、１−
（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリジンチオン
を含む浴でめっきされた。めっき浴中での光沢剤および
平滑化剤の量は表１に示される。ウエハーは、カソード
に電気的に接触させられ、めっき溶液が、２０ＲＰＭよ
り速く回転している該ウエハーの表面にポンプで移送さ
れた。次の整流シークエンスが使用され、ウエハーがめ
っきされた；工程１：電流１．０Ａ、トータルチャージ
０．０８Ａ−分；工程２：電流４．５Ａ、トータルチャ
ージ４．４０Ａ−分；工程３：電流６．０Ａ、トータル
チャージ１０．５Ａ−分。ウエハーは２５℃でめっきさ
れた。
【００２４】全体的なウエハー内の不均一性（ｇｌｏｂ
ａｌ ｗｉｔｈｉｎ−ｗａｆｅｒｎｏｎ−ｕｎｉｆｏｒ
ｍｉｔｙ）が、めっき後直ちに、４９ポイントを用いた
抵抗率マッピングツールを用いて測定された。めっきの
不均一性は、銅層の厚さの標準偏差として表１に示され
る。
【００２５】
【表１】
【００２６】これらのデータは、本発明の平滑化剤が、
めっきされた銅層において、平滑化剤を使用せずにめっ
きされた層よりも、高いウエハー内の均一性を提供する
ことを明らかに示す。
【００２７】実施例２ ２５０Åのタンタルバリア層および１０００Åの銅のＰ
ＶＤシード層を有する、トレンチがパターン付けされた
８インチ（ｃａ．２０．３ｃｍ）のウエハーがツール内
でめっきされ、約１μｍの銅を堆積させた。ウエハーは
０．２μｍ、０．３μｍ、１μｍおよび２μｍのトレン
チを有していた。該ウエハーは、実施例１の銅浴を用い
てめっきされた。コントロールのウエハー２は、実施例
１のコントロールのウエハー１と同じ浴を用いてめっき
された。ウエハーＣ〜Ｆ（本発明）は、平滑化剤とし
て、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリジ
ンチオンを含む浴でめっきされた。めっき浴中の光沢剤
と平滑化剤の量は表２に示される。
【００２８】
【表２】
【００２９】電流はＤＣ波で浴に適用され、実施例１の
方法に従って、２５℃でめっき層を形成させた。めっき
後、ウエハーはＤＩ水でリンスされ、乾燥された。乾燥
後、ウエハーはＦＩＢ顕微鏡を用いて検査された。図１
は、コントロールのウエハー２のＦＩＢ顕微鏡写真であ
り、０．３μｍのトレンチ上での銅のオーバープレーテ
ィングを示す。図２は、ウエハーＥのＦＩＢ顕微鏡写真
であり、０．３μｍのトレンチ上での銅のオーバープレ
ーティングが実質的にないことを示す。これらの図は、
本発明の平滑化剤がオーバープレーティングを低減させ
るのに有効であることを明瞭に示している。本発明およ
びコントロールを含む、全てのサンプルにおいて、めっ
きされたトレンチはボイドを有していなかった。めっき
層のステップ高さ、すなわち、構造物が密な領域を覆う
めっき層の厚さと平坦な領域を覆うめっき層の厚さの違
いは、表３においてミクロン単位で示される。
【００３０】
【表３】
【００３１】マイナス値のステップ高さは、平坦な領域
を覆うめっき層の厚さが、構造物が密な領域を覆うめっ
き層の厚さよりも厚いことを示す。これらの結果は、本
発明の平滑化剤がオーバープレーティング、特に非常に
微細な構造物上でのオーバープレーティングを顕著に低
減させることを明らかに示す。
【００３２】実施例３ ２５０Åのタンタルバリア層および１０００Åの銅のＰ
ＶＤシード層を有する、バイアがパターン付けされた８
インチ（ｃａ．２０．３ｃｍ）のウエハーがツール内で
めっきされ、銅を電解的に堆積させた。ウエハーは０．
２２μｍ、０．２５μｍ、０．３μｍおよび０．６μｍ
のバイアを有していた。該ウエハーは、実施例１の銅浴
を用いてめっきされた。コントロールのウエハー３は、
実施例１のコントロールのウエハー１と同じ浴を用いて
めっきされた。ウエハーＧ（本発明）は、実施例１の方
法に従って、平滑化剤として、１ｐｐｍの１−（２−ヒ
ドロキシエチル）−２−イミダゾリジンチオン、および
光沢剤として、６ｍＬ／Ｌのビス−ナトリウム−スルホ
ノプロピル−ジスルフィドを含む浴を用いてめっきされ
た。
【００３３】めっき後、ウエハーはＤＩ水でリンスさ
れ、乾燥された。乾燥後、ウエハーはＦＩＢ顕微鏡を用
いて検査された。図３は、コントロールのウエハー３の
ＦＩＢ顕微鏡写真であり、０．２５μｍのバイア上での
銅のオーバープレーティングを示す。図４は、ウエハー
ＧのＦＩＢ顕微鏡写真であり、０．２５μｍのトレンチ
上での銅のオーバープレーティングが実質的にないこと
を示す。これらの図は、本発明の平滑化剤がオーバープ
レーティングを低減させるのに有効であることを明瞭に
示している。コントロールのウエハーとウエハーＧとで
は両方とも、０．２２μｍのバイアにおいて、ボトムに
ボイドが認められた。しかし、ウエハーＧはコントロー
ルのウエハーと比べて、ボイドの形成の増加が認められ
なかった。めっき後のウエハーの観察において、ウエハ
ーＧは非常に光沢があり、平滑化された銅層を有してお
り、該層にはその上面にパターンをほとんど認めること
ができなかった。これに対して、コントロールのウエハ
ー３は高い分解能で回路が認められた。めっき層のステ
ップ高さ、すなわち、構造物が密な領域を覆うめっき層
の厚さと平坦な領域を覆うめっき層の厚さの違いは、表
４においてミクロン単位で示される。
【００３４】
【表４】
【００３５】マイナス値のステップ高さは、平坦な領域
を覆うめっき層の厚さが、構造物が密な領域を覆うめっ
き層の厚さよりも厚いことを示す。これらの結果は、本
発明の平滑化剤がオーバープレーティング、特に非常に
微細な構造物上でのオーバープレーティングを顕著に低
減させることを明らかに示す。
【００３６】実施例４ 実施例２からの、コントロールのウエハー２とウエハー
Ｃ−Ｅが、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で検査された。ウ
エハーＣ−Ｅの表面は、コントロールのウエハー２の表
面よりも、実質的になめらかであることが認められた。
データは表５に示される。「位置」とは、ウエハー上で
の測定の位置であり、中心部または端部で示され、「Ｒ
ａ」は平均粗さである。
【００３７】
【表５】
【００３８】このように、本発明の平滑化剤は、実質的
に平坦な表面を提供するだけでなく、表面の粗さが低減
された銅層も提供する。
【００３９】実施例５（比較例） 半導体ウエハーのめっきにおいて、公知の平滑化剤が評
価された。試験に供された平滑化剤はＪｅｆｆａｍｉｎ
ｅ（商標）Ｔ−４０３ ３級アミン（Ｔｅｘａｃｏ社か
ら入手可能）Ｊａｎｕｓ Ｇｒｅｅｎ Ｂ、Ｔｅｔｒｏ
ｎｉｃ（商標）９０Ｒ４ ３級アミン（ＢＡＳＦ社より
入手可能）、およびエピクロロヒドリンとイミダゾール
との反応混合物であった。それぞれのケースにおいて、
得られた銅堆積物は平坦であったが、めっきされた微細
な構造物において、顕著なボイドの形成が認められた。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、０．３μｍのトレンチ上の銅のオー
バープレーティングを示す、コントロールサンプルのＦ
ＩＢ顕微鏡写真である。
【図２】 図２は、０．３μｍのトレンチ上の銅のオー
バープレーティングを実質的に示さない、本発明のサン
プルのＦＩＢ顕微鏡写真である。
【図３】 図３は、０．２５μｍのバイア上の銅のオー
バープレーティングを示す、ＦＩＢ顕微鏡写真である。
【図４】 図４は、０．２５μｍのバイア上の銅のオー
バープレーティングを実質的に示さない、ＦＩＢ顕微鏡
写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596156668 455 Ｆｏｒｅｓｔ Ｓｔｒｅｅｔ，Ｍａ ｒｌｂｏｒｏｕｇｈ，ＭＡ 01752 Ｕ. Ｓ．Ａ (72)発明者 レオン・アール・バースタッド アメリカ合衆国マサチューセッツ州02767, レイナム，リーガン・サークル・８ (72)発明者 デニス・モリッセイ アメリカ合衆国ニューヨーク州11743，ハ ンティントン，トレイナー・コート・36 (72)発明者 マーク・ルフェーブル アメリカ合衆国ニューハンプシャー州 03051，ハドソン，ハイリンデール・ドラ イブ・12 Ｆターム(参考） 4K023 AA01 AA19 BA06 CB13 DA06 DA07 DA08 4K024 AA09 AB01 BA11 BB12 BC10 CA02 CA04 CA05 GA01 GA02 4M104 BB04 BB17 DD52 FF17 FF22 5E343 AA22 BB23 CC78 DD43 GG06 GG20

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電解質、銅イオンのソースの１以上、光
    沢剤の１以上、および実質的に平坦な銅層を提供し、微
    細な構造物を実質的に欠陥を形成させることなく充填す
    ることができる平滑化剤を含み、該光沢剤が浴に基づい
    て少なくとも約１ｍｇ／Ｌの量で存在する、半導体デバ
    イス上に銅を電気めっきするための組成物。
  2. 【請求項２】 平滑化剤が、浴に基づいて、約０．１〜
    約１０ｐｐｍの量で存在する請求項１記載の組成物。
  3. 【請求項３】 平滑化剤が、ニグロシン、ペンタメチル
    −パラ−ローザニリンヒドロハライド、ヘキサメチル−
    パラ−ローザニリン ヒドロハライド、または式Ｎ−Ｒ
    −Ｓ〔式中、Ｒは置換アルキル、非置換アルキル、置換
    アリールまたは非置換アリールである。〕の官能基を有
    する化合物の１以上から選択される請求項１記載の組成
    物。
  4. 【請求項４】 平滑化剤が、１−（２−ヒドロキシエチ
    ル）−２−イミダゾリジンチオンである請求項１記載の
    組成物。
  5. 【請求項５】 電解質がハライドイオンのソースをさら
    に含む請求項１記載の組成物。
  6. 【請求項６】 電解質が硫酸である請求項１記載の組成
    物。
  7. 【請求項７】 めっきされるべき基体を、実質的に平坦
    な銅層を提供し、構造物を実質的に欠陥を形成させるこ
    となく充填することができる平滑化剤を含む銅電気めっ
    き浴と接触させ、さらに該基体上に銅層を堆積させるの
    に充分な電流密度を、充分な時間の間、浴に適用する工
    程を含む、銅を、微細な構造物を有する基体上に電気め
    っきする方法。
  8. 【請求項８】 平滑化剤が、ニグロシン、ペンタメチル
    −パラ−ローザニリンヒドロハライド、ヘキサメチル−
    パラ−ローザニリン ヒドロハライド、または式Ｎ−Ｒ
    −Ｓ〔式中、Ｒは置換アルキル、非置換アルキル、置換
    アリールまたは非置換アリールである。〕の官能基を有
    する化合物の１以上から選択される請求項７記載の方
    法。
  9. 【請求項９】 平滑化剤が、浴に基づいて約０．１〜約
    １０ｐｐｍの量で存在する請求項８記載の方法。
  10. 【請求項１０】 平滑化剤が、１−（２−ヒドロキシエ
    チル）−２−イミダゾリジンチオンである請求項７記載
    の方法。
  11. 【請求項１１】 銅電気めっき浴が光沢剤の１以上を含
    み、該光沢剤が、浴に基づいて少なくとも約１ｍｇ／Ｌ
    の量で存在する請求項７記載の方法。
  12. 【請求項１２】 めっきされるべき基体を、実質的に平
    坦な銅層を提供し、構造物を実質的に欠陥を形成させる
    ことなく充填することができる平滑化剤を含む銅電気め
    っき浴と接触させ、さらに該基体上に銅層を堆積させる
    のに充分な電流密度を、充分な時間の間、浴に適用する
    工程を含む、電子デバイスを製造する方法。
  13. 【請求項１３】 平滑化剤が、ニグロシン、ペンタメチ
    ル−パラ−ローザニリン ヒドロハライド、ヘキサメチ
    ル−パラ−ローザニリン ヒドロハライド、または式Ｎ
    −Ｒ−Ｓ〔式中、Ｒは置換アルキル、非置換アルキル、
    置換アリールまたは非置換アリールである。〕の官能基
    を有する化合物の１以上から選択される請求項１２記載
    の方法。
  14. 【請求項１４】 平滑化剤が、浴に基づいて約０．１〜
    約１０ｐｐｍの量で存在する請求項１２記載の方法。
  15. 【請求項１５】 平滑化剤が、１−（２−ヒドロキシエ
    チル）−２−イミダゾリジンチオンである請求項１２記
    載の方法。
  16. 【請求項１６】 銅電気めっき浴が光沢剤の１以上を含
    み、該光沢剤が、浴に基づいて少なくとも約１ｍｇ／Ｌ
    の量で存在する請求項１２記載の方法。
  17. 【請求項１７】 めっきされるべき基体を、実質的に平
    坦な銅層を提供し、構造物を実質的に欠陥を形成させる
    ことなく充填することができる平滑化剤を含む銅電気め
    っき浴と接触させ、さらに該基体上に銅層を堆積させる
    のに充分な電流密度を、充分な時間の間、浴に適用する
    工程を含む、半導体デバイスの銅層においてオーバープ
    レーティングを低減させる方法。
  18. 【請求項１８】 平滑化剤が、浴に基づいて約０．１〜
    約１０ｐｐｍの量で存在する請求項１７記載の方法。
  19. 【請求項１９】 平滑化剤が、ニグロシン、ペンタメチ
    ル−パラ−ローザニリン ヒドロハライド、ヘキサメチ
    ル−パラ−ローザニリン ヒドロハライド、または式Ｎ
    −Ｒ−Ｓ〔式中、Ｒは置換アルキル、非置換アルキル、
    置換アリールまたは非置換アリールである。〕の官能基
    を有する化合物の１以上から選択される請求項１７記載
    の方法。
  20. 【請求項２０】 平滑化剤が、１−（２−ヒドロキシエ
    チル）−２−イミダゾリジンチオンである請求項１７記
    載の方法。
  21. 【請求項２１】 実質的に平坦な銅層および充填された
    微細な構造物を有する基体を含む装置であって、該微細
    な構造物が実質的に加えられた欠陥を有しておらず、さ
    らに該銅層がポリッシングプロセスにかけられていな
    い、前記装置。
  22. 【請求項２２】 基体が半導体デバイス、ウエハーまた
    はプリント回路板である請求項２２記載の装置。
  23. 【請求項２３】 ポリッシングプロセスが化学的−機械
    的ポリッシングプロセスである請求項２１記載の装置。
  24. 【請求項２４】 微細な構造物が不均一なサイズである
    請求項２１記載の装置。
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