TW502357B - Integrated micro-contact pin and its manufacturing method - Google Patents

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TW502357B
TW502357B TW090113584A TW90113584A TW502357B TW 502357 B TW502357 B TW 502357B TW 090113584 A TW090113584 A TW 090113584A TW 90113584 A TW90113584 A TW 90113584A TW 502357 B TW502357 B TW 502357B
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Haruo Yoshida
Yasuhiro Maeda
Yoshihide Miyagawa
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Advantest Corp
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502357 A7 __ B7 五、發明説明(1 ) 〔背景技術〕. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關一種用於欲試驗例如封裝前之半導體集 積電路或是封裝超小型的半導體集積電路之動作,而予以 積體化微觸針之微觸針及其製造方.法。 習知爲查核封裝前的半導體集積電路動作,故將與半 導體集積電路接觸的觸針作成類似針頭狀而用來探測低速 信號。因而習知此種觸針並未特別考慮到作爲信號傳輸路 而使特性阻抗維持一定等。 因此,使用此種觸針對半導體集積電路傳送、接收高 速信號的情況下,會因觸針而發生信號傳輸中不當的反射 或串音等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以探測高速信號爲目的,而增添信號傳輸線路槪念的 觸針貝[J有KASUKEDOMAIKUROUEBU公司所販賣的微波用探 測器。此探測器是將保持1根輸入側觸針的方塊、和保持 1根輸出側觸針的方塊安裝在框體,而針對半導體集積電 路執行一對的點探測。使用此微波用探測器來試驗半導體 集積電路的多處,多半很浪費時間,且無法同時試驗多處 動作狀態。 習知方面,同時探測多數處的多通道探針據知有日本 發明公開案第3 2 1 1 7 0 / 9 5「I C電路試驗用探針 集成體」(美國發明申請案第0 8 / 2 4 7,8 7 4號) 。就此探針集成體來看,是在電介質薄膜層的一面形成彈 性的薄金屬板,在另一面並列形成彈性的多數金屬性引線 圖案,該些引線圖案是製成其同一側的各一端距離電介質 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -4- 502357 A7 B7 五、發明説明(2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 薄膜層突出0. · 7 6 m m左右的探針突起體(接觸針)。 未特別加以詳細說明,但記載上是「對接地(主要的)而 言會使之達到適當的電阻抗特性」,認爲前述金屬板和各 引線圖案是分別構成微波帶狀線路,推斷能以保持高頻傳 輸線路特性的狀態,令多數觸針同時針對半導體集積電路 進行探測。 但此種積體化微觸針,由於接觸針的間隔很窄,接觸 針極細,重複使用時摩耗較快,且其摩耗對於所有接觸針 而言是不一樣的,反而產生形成包括觸針的多數引線僵案 的薄板必需整個換掉的情形。此時,前述日本發明公開公 報所示的習知積體化微觸針,就包括其引線圖案的薄板部 分比較大,比較昂貴的來看,更換該昂貴的薄板是相當浪 費費用的。 又,前述積體化微觸針,由於引線圖案很接近,且該 些圖案間沒有遮蔽,而在傳輸鄰接引線圖案的兩解碼間發 生干擾,也就是通道間受干擾的問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者,接觸針係爲配列一列或是2列,針對沿著方形 半導體集積電路的各邊而配列的塡襯進行探測之觸針。 對所封裝的超小型半導體集積電路進行試驗的積體化 微觸針仍具有與上述相同的問題。 本發明之目的在於提供一種針間隔例如窄度爲1 5 0 微米,且即使有許多針仍可便宜製作之積體化微觸針及其 製造方法。 本發明之另一目的在於提供一種可簡單交換,且費用 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 一 -5- 502357 A7 B7 五、發明説明(3 ) 也很便宜之積體化微觸針及其製造方法。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔發明之揭示〕 若按本發明之積體化微觸針,即可在端子支持體貫通 形成複數假可傳輸直流電流的端子用高頻傳輸線路,就其 端子支持體之一面來看,在各端子用高頻傳輸線路的一端 ,分別安裝觸針的一端。 甚至若按本發明之形態,.就端子支持體的另一方之面 側來看,傳輸線路方塊是拆裝自如地固定在端子支持體, 在傳輸線路方塊內配列複數的中繼用高頻傳輸線路,各中 繼用局頻傳輸線路的一端則利用與端子用高頻傳輸線路相 同的間隔而定位,且分別與所對應的端子用高頻傳輸線路 之另一端連接,中繼用高頻傳輸線路的另一端係大於端子 用高頻傳輸線路的間隔。 若按本發明之另一形態樣,端子支持體爲板狀體,端 子用高頻傳輸線路爲二次元分佈,傳輸線路方塊爲三次元 漸進的擴大。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若按本發明之又另一形態,中繼用高頻傳輸線路會咼 頻地互相遮蔽。 若按本發明之又另一形態,端子用高頻傳輸線路會高 頻地互相遮蔽。 若按本發明之製造方法,即可將能傳輸直流電流的端 子用高頻傳輸線路貫通形成在端子支持體; 將微觸針配列在薄基板上,且將配列該微觸針的基板 I紙張尺度通用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 — -6- 502357 A7 B7 五、發明説明(4 ) 複數枚傾斜地堆積而製成基板積層體; (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 分別連接該基板積層體的各微觸針之一端和各端子用 高頻傳輸線路之一端; 然後溶解除去基板積層體的基板。 〔實施例之說明〕 於第1圖表示按本發明之積體化微觸針的實施例。 端子支持體1 1在本例中是在方形基板12貫通形成 複數的端子用高頻傳輸線路1 3,該些端子用高頻傳輸線 路1 3是以矩陣狀配列定位的。各端子用高頻傳輸線路 1 3可接通直流電流。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此例是以端子用高頻傳輸線路1 3作爲同軸傳輸線路 而構成的場合,基板1 2是由金屬等導電性材製成的,在 基板1 2形成貫通孔1 4,在其貫通孔1 4的中心軸線上 ,沿著軸線配置中心導體1 5,在其中心導體1 5與貫通 孔1 4的內周面之間塡充電介質層1 6,包括貫通孔1 4 的內周面之基板1 2是作爲外導體,作用在於構成同軸傳 輸線路1 3。 就該端子支持體1 1的一面來看,觸針1 8的一端是 分別以各端子用高頻傳輸線路1 3的一端能通過直流電流 的方式被連接的。本實施例中是在中心導體1 5的一端連 接觸針1 8的一端。觸針1 8則是相對中心導體1 5而傾 斜,也就是中心導體1 5對水平面1 9而言爲垂直的狀況 下,觸針1 8相對於水平面1 9的角度Θ以3 0度〜6 0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 502357 Α7 Β7 五、發明説明(5 ) 度左右爲佳。. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 基板1 2的適當位置,在圖中是在4角貫通形成將該 積體化微觸針2 1與例如試驗裝置一起安裝在連接用工作 特性基板之際的定位用孔2 2。 端子用高頻傳輸線路1 3的數量,實際上多數設爲數 10至數100χ數10至數100左右,基板12的厚 度D 1例如爲3 0 0微米、觸針1 8的間隔(節距)D 2 例如爲1 5 0微米左右,貫通孔1 4的內徑R 1例如8 0 爲微米左右,觸針18的長度L1例如爲30〜50微米 左右。 端子用高頻傳輸線路1 3的特性阻抗是與連接線路的 半導體集積電路試驗裝置之連接線的特性阻抗加以整合, 例如爲5 0 Ω。特性阻抗是根據同軸線路的狀況、外導體 內徑與中心導體外徑、和該些間的電介質之介質常數決定 的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 作爲基板1 2可應用如陶瓷之絕緣材料,於貫通孔 1 4的內周面利用金屬蒸鍍等成爲金屬而形成外導體以作 爲同軸線路ό 其次,參照第2圖加以說明該積體化微觸針之製造方 法的實施例。 作爲基板1 2可採用A 1,C u, Bronze等之金屬材 料或是例如在矽基板注入硼等雜質之導電材料,分別在形 成該端子用高頻傳輸線路1 3的位置,例如利用照相蝕刻 法如第2 A圖所示地形成圓形貫通孔1 4 °再者,.桌2 Η 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) -8- 502357 A7 B7 五、發明説明(6 ) 之斷面係與第1 A圖之斷面對應。此狀況圖未示,但亦貫 通形第1 B圖中之定位用孔2 2。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次,如第2 B圖所不,在貫通孔1 4例如利用 CVD法(化學汽相生長法)埋入S i〇2等電介質層1 6 ,.然後如第2 C圖所示,利用照相蝕刻法等貫通形成與貫 通孔1 4同軸心之中心孔2 4。如第2 D圖所示,在其中 心孔2 4內以金、銅等進行電鍍、蒸鍍等而埋入中心導體 1 5。在此中心導體1 5埋入貫通孔1 4,可利用玻璃真 空密封金屬細線。即可按此構成第1圖中之端子支持體 1 1 ° 例如以下製作一方觸針集合體。亦即如第3 A圖所示 ,在薄基板2 5形成互相平行之等節距的複數定位溝2 6 。此定位溝2 6的節距D 3係與觸針1 8的節距D 2相同 。基板2 5的寬度W 1則約爲觸針1 8之長度L 1。此定 位溝2 6最好爲V溝,例如作爲基板2 5可採用矽結晶板 ,對此按照利用圖案化和矽結晶之各向異性的蝕刻就很容 易形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第3 B圖所示,將觸針1 8以該溝2 6作爲引導而 配置在各定位溝2 6。觸針1 8可採用於導電性觸鬚式電 極(髮狀單結晶)、細線狀玻璃鍍金的針,即如磷青銅線 之彈性金屬紐線等具有導電性還很堅硬且具彈性之直徑爲 2 0〜3 0微米左右的針。爲保持定位在定位溝2 6內的 觸針1 8之位置,故將例如S i 0 2等絕緣材料之薄保持膜 2 7,例如利用C V D法,如第3 C圖所示形成在基板 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X297公釐) 一 -9 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502357 A7 B7 __ 五、發明説明(7 ) 2 5上。觸針.1 8即爲埋入基板2 5和保持膜2 7之間的 狀態。 將複數枚在此種基板2 5上保持複數根觸針1 8的基 板,如第3 D圖所示,於觸針1 8的長度方向,僅依序錯 開距離D 4的狀態,藉由環氧化系有機黏合劑、聚醯亞胺 系有機黏合劑等黏合劑予以重疊而構成積層體2 8。水平 配置此積層體2 8時,觸針1 8相對於水平面的角度0是 由所定値(3 0度〜6 0度)錯開D 4之大小決定的。 分別將該積層體2 8的上面和下面,如第3 E圖所示 ,例如利用機械硏磨加以平坦化。利用此平坦化,觸針 1 8的兩端分別會出現同在一平面上的接觸面。此時,行 列配置的觸針1 8之行方向節距及列方向節距分別會與支 持在端子支持體1 1的同軸線路1 3之中心導體1 5的行 方向節距及列方向節距一致的方式來選定定位溝2 6的節 距、基板2 5的厚度、溝2 6的深度、保持膜2 7的厚度 〇 使此上面和下面平坦化之積層體2 8 (第3 E圖)及 端子支持體1 1 (第2 D圖),如第3 F圖所示,互相接 觸到觸針1 8的端面及中心導體1 5的端面,並利用加熱 焊接法或焊接等將兩者互相接合。 然後以化學式溶解除去基板2 5和保持膜2 7。此時 中心導體1 5可採用難以發生化學反應的材料,例如塗佈 金等之導體,或採用分別單獨溶解基板2 5和保持膜2 7 的化學溶解劑並利用化學式蝕刻等予以除去。再者,若需 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
、1T -10- 502357 A7 B7 五、發明説明(8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 要可利用針對化學反應做保護的光阻材料等,對端子支持 體1 1進行掩蔽而溶觸除去基板2 5、保持膜2 7。藉此 取得第1圖所示的積體化微觸針。欲簡易且確實地施行前 述中心導體1 5和觸針1 8的接合,故將中心導體1 5的 端面稍微突出端子支持體1 1 (基板1 2 )的板面即可。 前述中作爲端子支持體1 1的基板1 2是採用導電性 材材料的基板,但也可採用如陶瓷之絕緣材料。此狀況乃 如第2 A圖所示,形成貫通孔1 4後,如第2 E圖所示, 利用蒸鍍金等使貫通孔1 4的內周面成爲金屬而形成外部 導體2 9,然後可在其外部導體2 9內,利用與參照第 2 B圖至第2 D圖所說明之相同的手法,形成中心導體 15和電介質16。 如第4圖所示,將從半導體集積電路試驗裝置的信號 處理用工作特性基板3 2突出的定決銷3 3,嵌合插入端 子支持體1 1的定位用孔2 2內,而以將端子用同軸線路 (高頻傳輸線路)1 3與工作特性基板3 2之同軸型通孔 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 4連接的狀態,在工作特性基板3 2拆裝自如地加以固 定根據本發明之積體化微觸針3 1。將積體化微觸針3 1 的各觸針1 8之前端分別接觸到被試驗半導體集積電路 3 5上之所對應的塡襯(電極)3 6而進行試驗。再者, 塡襯(電極)3 6是指直流偏壓施加用的電極、試驗信號 施加(發送)用電極、探測(接收)用電極。加以整合工 作特性基板3 2的同軸型通孔3 4之特性阻抗和端子用高 頻傳輸線路1 3之特性阻抗。而由於觸針1 8長度例如明 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -11 502357 A7 B7 五、發明説明(9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 顯縮短0 · 3.〜0 · 5微米左右,故可將高速試驗信號良 好地傳輸到塡襯3 6,還有來自塡襯3 6的高速信號也能 良地向工作特性基板3 2傳輸。施加偏壓的塡襯、和與所 接觸的觸針1 8連接的同軸型通孔3 4會與工作特性基板 3 2上的線路圖案3 7連接。 於上述中,作爲端子用高頻傳輸線路1 3可採用同軸 型的線路,但只要能傳輸高頻信號,且也能傳輸直流信號 ,故其他的傳輸線路亦可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 例如可採用共平面線路。此時,例如第5 A圖所示, 在S i 3 N 4基板、陶瓷基板或玻璃基板等電介質基板4 1 上,例如利用針對銅箔、金箔等之圖案化加以交互地配列 形成寬幅接地線4 2和窄幅信號線4 3,藉由其中1條信 號線4 3與其兩相鄰的接地線4 2構成共平面線路4 4。 在此複數平行的共平面線路4 4上,例如利用S i〇2之化 學汽相生長或是蒸鍍予以形成電介質層4 5,更在該電介 質層4 5上形成共平面線路4 4,且重複交互地形成共平 面線路4 4和電介質層4 5。於此共平面線路4 4的圖中 ,橫向的節距和數量,還圖中縱向的節距和數量,分別會 與欲達到目的的觸針1 8之配列所對應的節距和數量一致 〇 然後,如第5 A圖中以虛線所示,將此積層線路,一 個個以端子支持體1 1的厚度D 1,於共平面線路4 4的 長度方向予以切斷,藉此取得複數個以共平面線路4 4作 爲端子用高頻傳輸線路1 3的端子支持體1 1。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' ' -12- 502357 A7 B7 _ 五、發明説明(10) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於第5 B圖表示與具有端子用共平面線路的端子支持 體1 1之第1 A圖對應的斷面。於第5 A圖的下和上設置 較厚的基板4 1和4 6,在該些部分於切斷各端子支持體 1 1前或是切斷後形成定位用孔2 2即可。 於共平面線路4 4的接地線4 2和信號線4 3之配列 方向,由於在鄰接共平面線路4 4間保留接地線4 2,故 干涉該些鄰接共平面線路4 4間的情形就十分的小。於第 5 A圖中,在重疊共平面線路4 4之方向的鄰接共平面線 路4 4間會有干涉之虞的狀況,乃於第5 C圖如一部分所 示,於交互堆疊共平面線路4 4和電介質層4 5之際,電 介質層45可爲2層,且可在其間介設一接地用導體層 4 7 〇 作爲端子用高頻線路1 3是可使用微波導片線路。該 情況下的端子支持體1 1之製造方法則參照第6圖做一說 明。利用共平面線路與構成端子用高頻線路1 3之情況相 同地在基板4 1上,利用銅或是金等之蒸鍍形成由導體層 所形成之接地層4 8,且在接地層4 8上,例如利用 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 i〇2之蒸鍍形成電介質層4 9,且形成互相平行該電介 質層4 9上的複數信號線5 1,而構成微波導片線路5 2 。在其上形成電介質層5 3,之後重複依序形成接地層 4 8 —電介質層4 9 —信號線5 1 —電介質層5 3,然後 將此積層體,於信號線5 1的長度方向,一個個切斷爲厚 度D 1,藉此取得複數個以微波導片線路5 2作爲端子用 高頻傳輸線路1 3的端子支持體1 1。 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -13- 502357 A7 _______ B7 _ 五、發明説明(Μ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者,作爲第5圖、第6圖中的電介質層可採用例如 聚醯亞胺薄膜,在薄膜黏貼銅箔等導體箔,將該導體箔予 以加工或是不加工在共平面線路4 4、信號線5 1作爲接 地層,亦可堆積此種接地層並加以熱熔接,藉此製成第 5.Α圖或是第6圖所示的積層體。 爲易於連接上述之積體化微觸針和工作特性基板,且 維持良好的高頻特性,在端子支持體1 1拆裝自如地安裝 傳輸線路方塊爲佳。也就是例如第7圖所示,在具備有二 次元分佈觸針1 8之積體化微觸針3 1上,也就是與觸針 1 8相反側,拆裝自如地安裝傳輸線路方塊6 1。在傳輸 線路方塊6 1的內部,設有一端分別與積體化微觸針3 1 之各端子用高頻傳輸線路13連接,另一端位於與積體化 微觸針3 1相反的面上6 1 a之中繼用高頻傳輸線路6 2 。該些中繼用高頻傳輸線路6 2會分別遠離積體化微觸針 3 1,而依然保持其特性阻抗緩縵地擴大鄰接間隔,在面 上6 1 a上,端子支持體1 1側之面的中繼用高頻傳輸線 路6 2之鄰接間隔例如約爲1 0倍左右。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,該些中繼用高頻傳輸線路6 2也可傳輸直流信號 ,且可整合端子用高頻傳輸線路1 3和特性阻抗。 接著說明傳輸線路方塊6 1之製造方法。例如第8 A 圖所示,準備一邊側爲短邊、相對邊爲長邊之例如陶瓷等 之薄電介質基板6 3。於基板6 3分別一體形成使前述短 邊6 3 a的兩側延長之安裝部6 4。在此基板6 3的一面 使多條一端位於短邊6 3 a、另一端位於前述長邊6 3 b 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇Χ297公釐) ' _ 14_ 502357 A7 B7 五、發明説明(12) 的共平面線路6 5,利用照相蝕刻法或厚膜印刷法等,應 用銅、金等金屬而形成。共平面線路6 5是交互配列寬幅 接地線6 5 a和窄幅信號線6 5 b,並藉由各信號線 6 5 b及其兩側接地線6 5 a構成1條共平面線路6 5。 共平面線路6 5的數量等於積體化微觸針3 1之觸針 1 8的行(或是列)方向數量,且其短邊6 3 a側的節距 等與其觸針1 8的行(或是列)配列節距。 共平面線路6 5的另一端,也就是長邊6 3 b側的端 ,間隔很大,例如約爲短邊6 3 a側之間隔的1 〇倍(圖 面上爲了方便作圖並未表示)。此時共平面線路6 5的特 性阻抗被維持在一定水準,信號線6 5 b的寬度爲一定, 且信號線6 5 b和兩側接地線6 5 a的各間隔也爲一定寬 度。因而各接地線6 5 a的寬度,是依照由短邊6 3 a接 近長邊6 3 b而緩緩擴大。也可如圖中之1處以虛線所示 ,隨著由接地線6 5 a的中途接近長邊6 3 b而設有擴大 的間隙6 6,並將接地線6 5 a保持一定的寬度。又短邊 6 3 a爲直線,但共平面線路6 5的線路長是互等的,也 就是信號傳遞時間爲相同的,長邊6 3 b則相對於短邊 6 3 a呈凹圓弧狀曲線。 對應需求而如第8 B圖所不,在基板6 3的另一'面, 例如利用蒸鍍形成銅等之導體層6 7。使多數枚依此所獲 得的多數共平面線路6 5之基板6 3,如第8 C圖所示, 互相接觸到短邊6 3 a側,使長邊6 3 b側例如介設陶瓷 、玻璃等間隔片6 8依序重疊而互相黏合。此黏合是使用 ^氏張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 502357 A7 B7 五、發明説明(13) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 環氧化系、聚醯亞胺系等有機黏合劑,或者介裝玻璃、陶 瓷等低介質常數的間隔片,使之熱壓合等即可。接著如第 8 D圖所示,加以整平直接黏合此基板6 3側的端面。 此堆積的基板6 3之量數等於積體化微觸針3 1之觸 針1 8的配列之列(或是行)方向的數量,且其平整化的 端面6 1 b之共平面線路6 5的基板6 3之堆積方向的節 距係等於積體化微觸針3 1之觸針1 8的配列之列(或是 行)方向的節距。也就是按此選定基板6 3的厚度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將按此所構成的傳輸線路方塊6 1,如第7圖所示, 使定ίΐΔ銷插通至形成在其各基板6 3兩側的安裝部6 4之 重疊部分的定位孔6 9、和端子支持體1 1的定位孔2 2 (第1圖),而使兩者得以定位,並使端子支持體1 1的 端子用高頻傳輸線路1 3和中繼用高頻傳輸線路6 2分別 對應予以接觸連接。此時如第9圖所示,預先在與傳輸線 路方塊6 1的積體化微觸針3 1之連接面6 1 b,固定一 與端子支持體1 1同樣構成的連接板7 2,在該連接板 7 2突出固定一定位銷7 1,在連接板7 2拆裝自如地安 裝著端子支持體1 1,於此時將定位銷7 1插入到端子支 持體1 1的定位孔2 2,藉此各對應的高頻傳輸線路就會 定位連.接,且易更換積體化微觸針3 1。作爲中繼用高頻 傳輸線路6 2的共平面線路6 5,乃如第1 0 A圖所示, 在基板6 3上利用如第8 A圖所示的圖案來形成接地線用 溝和信號線用溝,在該些溝形成面上形成金屬層後,進行 平坦化硏磨,藉此即可在分別該些溝內交互取得接地線 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS )八4規格(210Χ297公釐) -16- 502357 A7 B7 五、發明説明(14) 6 5 a和信號線6 5 b。之後的處理只要與第8圖所的狀 況相同地進行即可。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表示用同軸線路加以構成作爲中繼用高頻傳輸線路 62之例。如第10B圖、第10C圖所示,在基板63 上形成多道斷面形狀爲方形同軸線路1半之方形溝7 5, 形成與第8 A圖所示的共平面線路6 5相同之鄰接間隔緩 緩擴大之圖案,且使其溝75的內面利用金或是銅等成爲 金屬而形成外導體7 6,然後在溝7 5內例如藉由蒸鍍埋 入如S i 0 2之電介質7 7,在該電介質7 7上沿著溝7 5 的中心利用印刷法或是照相蝕刻法等形成中心導體7 8。 第1 0 B圖爲便於觀看而以虛線表示中心導體7 8。製作 多數枚形成縱切此種方形同軸線路之基板6 3,其中每2 枚如第1 0 D圖所示,使溝7 5的形成面互相接合,使縱 切方形同軸線路的半體互相合爲一體,而構成方形同軸線 路7 9。也就是多數同軸線路7 9會得到一端側的鄰接間 隔很接近,另一端側的鄰接間隔較爲擴大者。此多數枚重 疊基板8 1乃與第8 C圖所示相同,會使一端側接觸,另 一端側則透過間隔片重疊爲一體,甚至直接接觸側的端面 則與第8 D圖所示相同加以平坦化,以構成傳輸線路方塊 6 1。同樣地作爲中繼用高頻傳輸線路6 2也可構成圓形 同軸線路。 中繼用高頻傳輸線路6 2同樣也可利用微波導片線路 而構成。此狀況圖未表示,但只要將與第8 A圖之共平面 線路6 5的圖案線路相同的圖案線路之信號線形成在基板 本紙張尺度逍用中國國家標準( CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 ~ -17- 502357 A7 B7 五、發明説明(15) 6 3的一面,且在基板6 3的另一面以導體層6 7作爲接 地面而形成就很容易理解。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 就與傳輸線路方塊6 1之積體化微觸針3 1相反側來 看,間隔大的中繼用高頻傳輸線路6 2之端是與工作特性 基板所對應的端子(電極)連接,但爲了易於連接,故如 第1 1圖所示,加以硏磨與積體化微觸針3 1側之端面 6 1 b平行的平面,使工作特性基板3 2針對該平面 6 1 c予以對接,各中繼用高頻傳輸線路6 2也可與所要 的電極連接。此時,只要將中繼用高頻傳輸線路6 2方面 的信號傳遞時間的偏差與在工作特性基板3 2側插入延遲 線而作爲全體的傳遞時間一致即可。 於上述中,積體化微觸針3 1是以二次元配列觸針 1 8,但一次元配列亦可。相對於此的傳輸線路方塊6 1 乃如第8A圖、第1 0A圖、第1 〇D圖所示,是以二次 元配列中繼用高頻傳輸線路6 2。更可傾斜安裝觸針1 S ,但也可垂直接觸到被試驗半導體集積電路的塡襯(電極 )° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者附加機能爲: (a )以降低被試驗半導體集積電路的電極3 6和微 觸針1 8之間的接触電阻爲目的,以超音波使傳輸線路方 塊6 1微動,觸針1 8可摩擦電極3 6而破壞其氧化皮膜 〇 (b )亦可由被試驗半導體集積電路的電極3 6透過 微觸針1 8,或利用輻射構成藉由冷卻機構散發傳遞到傳 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格( 210X297公釐) — " -18- 502357 A7 B7 五、發明説明(16) 輸線路方塊6 1的熱能。 (c )也可具備有:在傳輸線路方塊6 1的側面或是 以此爲準的場所設置監視照相機,來識別被試驗半導體集 積電路之基板的標記等,藉以確實地在被試驗半導體集積 電路的電極3 6引導微觸針1 8之機構。 若按本發明即可獲得以下效果。 1 )可使封裝以前或是最新超小型封裝的半導體集積 電路動作試驗實現實效之微觸針。針間隔1 5 0微米左右 、針數也能實現數千通道。 2 )直到探測被試驗半導體集積電路之電極3 6的觸 針1 8之前爲止,信號傳輸線路的特性阻抗均保持在一定 的範圍,因而能探測高速信號。 3 )不但可傳輸試驗信號、測定信號,也可對被試驗 半導體集積電路施加直流偏壓。 4 )也可對應被試驗半導體集積電路之電極配置,將 微觸針1 8二次元地集積在基板。 5 )在積體化微觸針3 1之端子支持體11設置導溝 或是導銷的狀況下,當變換被試驗半導體集積電路時,或 是微觸針1 8摩耗時,很容易換掉整個積體化微觸針3 1 ,且定位調整很容易。 6 )應用傳輸線路方塊6 1的狀況下,可二次元或是 三次元地擴大積體化微觸針3 1之端子用高頻傳輸線路 1 3的間隔,與工作特性基板連接就很容易。 7 )傾斜安裝觸針1 8的狀況下,觸針1 8都會接觸 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ··裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 502357 A7 ___ B7 _ 五、發明説明(17) 到半導體集積電路的電極,該觸針彈性彎曲接觸點錯開而 電極會摩擦破壞其氧化皮膜,得到良好的電接觸。 8 )作爲端子用高頻傳輸線路1 3、中繼用高頻傳輸 線路6 2而應用同軸線路或共平面線路的狀況下,可防止 鄰接傳輸線路間的干涉。 〔圖面之簡單說明〕 第1圖係表示本發明之賓施例,第1 A圖係爲第1B 圖之1 A — 1 A線斷面圖、第1B圖係爲第1 A圖之底面 圖。 第2 A圖至第2 E圖係分別表示與第1圖中之端子支 持體1 1的製造工程之第1 A圖對應之斷面圖。 第3A圖至第3 F圖係分別說明將第1圖中之觸針 1 8的集合體連接在端子支持體1 1的工程之圖。 第4圖係表示本發明之實施例使用狀態例之斷面圖。 第5 A圖至第5 C圖係分別說明具有共平面線路的端 子支持體11之製造工程之圖。 第6圖係說明具有微波導片線路之端子支持體1 1的 製造工程之立體圖。 第.7圖係表示在積體化微觸針3 1組合傳輸線路方塊 6 1的實施例之立體圖。 第8 A圖至第8 D圖係分別說明具備有共平面線路之 傳輸線路方塊61的製造工程之圖。 第9圖係表示組合積體化微觸針3 1和傳輸線路方塊 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 502357 A7 B7 五、發明説明(18) 6 1的其他實施例之斷面圖。 第1 0 A圖至第1 0 D圖係分別製造傳輸線路方塊 6 1的其他例狀況之說明圖。 第1 1圖係表示組合積體化微觸針和傳輸線路方塊的 另一其他實施例之斷面圖。 〔符號之說明〕 11 端子支持體 1 2 方形基板 13 端子用高頻傳輸線路 14 貫通孔 15 中心導體 16 電介質層 1 8 觸針 1 9 水平面 21 積體化微觸針 2 2 定位用孔 2 4 中心孔 2 5 薄基板 2 6 定位溝 2 7 保持膜 2 8 積層體 2 9 外部導體 32 信號處理用工件特性基板 本紙張尺度適用中爾國家標準( CNS ) A4規格(210 X 297公釐)~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 21 - 502357 A7 B7 五、發明説明(19 3 3 3 4 4 4 4 4 4 4 4 6 4 7 1 1和 2 3 4 5 8 9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 2 3 3 a 4 3 b 定位針 積體化微觸針 被試驗半導體積體電路 塡襯 通孔 線路圖案 電介質基板 4 6 厚基板 接地線 信號線 共平面線路 電介質層 接地線 電介質層 信號線 微波導片線路 電介質層 傳輸線路方塊 面上 中繼用高頻傳輸線路 薄電介質基板 短邊 安裝部 長邊 i—---Γ------裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -22- 502357 A7 B7 五、發明説明(2〇) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 5 共平面線路 6 5 a 接地線 6 5 b 信號線 6 6 間隙 6 7 導體層 6 8 間隔片 6 lb 端面 6 9 定位孔 7 1 定位針 7 2 連接板 7 5 方形溝 7 6 外導體 7 7 電介質 7 8 中心導體 7 9 方形同軸線路 8 1 重合基板 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -23-

Claims (1)

  1. 502357 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種積體化微觸針,其具備有: 貫通形成複數個可傳輸直流電流的端子用高頻傳輸線 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 路之端子支持體、和 就上述端子支持體之一面來看,一端分別安裝在上述 各端子用高頻傳輸線路的一端之複數根觸針。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之積體化微觸針,其 具備有: 就上述端子支持體的另一面來看,一端分別與上述各 端子用高頻傳輸線路的另一端連接,另一端具有較上述端 子用高頻傳輸線路間隔還寬的中繼用高頻傳輸線路,且拆 裝自如互相地固定在上述端子支持體之傳輸線路方塊。 3 .如申請專利範圍第2項所述之積體化微觸針, 上述端子支持體是板狀體,上述端子用高頻傳輸線路 是二次元分佈的,上述傳輸線路方塊是三次元漸進擴大。 4 .如申請專利範圍第3項所述之積體化微觸針, 上述傳輸線路方塊的中繼用高頻傳輸線路會互相高頻 地遮蔽。 5 .如申請專利範圍第3項所述之積體化微觸針, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述各觸針係相對上述端子支持體的上述一面,略傾 斜在同一方向。 6 .如申請專利範圍第3項所述之積體化微觸針, 上述端子支持體的上述端子用高頻傳輸線路會高頻地 互相遮蔽。 7 .如申請專利範圍第3項所述之積體化微觸針, 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) ~ ~ 502357 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 上述端子支持體是拆裝自如地安裝在上述傳輸線路方 塊,且設有令之相互定位之手段。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 ·如申請專利範圍第3項所述之積體化微觸針, 上述各中繼用高頻傳輸線路的各電氣長爲同一的。 9 .如申請專利範圍第3項所述之積體化微觸針, 上述傳輸線路方塊係上述中繼用高頻傳輸線路爲堆積 複數個二次元配列的層狀方塊,並成爲三次元方塊。 1 0 · —種積體化微觸針之製造方法,其具有: 分佈貫通複數個能傳輸直流電流之端子用高頻傳輸線 路而形成端子支持體之工程、和 將複數的微觸針並列配到在薄基板上,且將配列該微 觸針的基板以複數枚傾斜堆積層而製成基板積層體之工程 、和 分別連接上述基板積層體的各微觸針和上述端子支持 體的各端子用高頻傳輸線路之一端的工程、和 溶解除去上述基板積層體的基板之工程。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項所述之製造方法, 形成上述端子支持體之工程係具有: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在方形絕緣基板的一面平行並排複數的高頻傳輸線路 而形成之傳輸線路形成工程、和 在形成上述高頻傳輸線路的上述方形絕緣基板上形成 電介質層之電介質形成工程、和 在上述電介質層上將上述傳輸線路形成工程與上述電 介質形成工程重複所設定次數,而形成在內部包括高頻傳 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -25- 502357 Α8 Β8 C8 D8 t、申請專利範圍 輸線路配列之複數層的電介質方塊之工程、和 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述電介質方塊是將上述高頻傳輸線路於其長度方向 ,一個個切成上述端子用高頻傳輸線路的長度,而獲得上 述端子支持體之工程。 2 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之製造方法制 其具有 於一平面形成採取與上述端子支持體的端子用高 輸線路之分佈相同分佈的方式來配置一端,另一端則於內 部具備有較上述端子用高頻傳輸線路間隔寬之中繼用高頻 傳輸線路的傳輸線路方塊之工程、和 使上述傳輸線路方塊的上述一平面側及與上述端子支 持體的上述微觸針相反側相對,而可拆裝地互相固定,且 使上述端子用高頻傳輸線路與上述中繼用高頻傳輸線路之 對應者互相連接之工程。 :, 、兩:秦 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述之製造方法ΐ, 形成上述傳輸線路方塊之工程係具有: \ϋ • \饵麵 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在一邊爲短邊、且與短邊相對之邊爲長邊的薄電‘介賀 基板之一面,依照上述複數個中繼用高頻傳輸線路的一端 是位於上述短邊,另一端是位置上述長邊,且由短邊接近 長邊,而使鄰接間隔緩緩擴張的方式,並列形成上述中繼 用局頻傳輸線路之工程、和 使複數枚一面形成此中繼用高頻傳輸線路的薄電介質 基板,互相接觸到其短邊側,且使長邊側介設一間隔片依 序重疊並互相固定之工程、和 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -26- 502357 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 整平該些重疊的薄電介質基板的上述短邊側之工程。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -27-
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