TW500959B - Insulating substrate for forming conductive thin film and liquid crystal display device using the substrate - Google Patents
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Description
500959 A7 B7 五、發明説明彳（) (發明所屬之技術領域） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明有關於：以導電性薄膜來形成半導體裝置之配 線圖樣或電極等之電流路之用之絕緣基板，及使用該絕緣 基板之液晶顯示元件，特別是用於形成薄膜電晶體等爲開 關兀件而使用之液晶顯不兀件之配線圖樣之絕緣基板，及 使用該絕緣基板之液晶顯示元件。 (先前技術） 按薄膜電晶體（T F T )等爲畫素之開關元件之有源 矩陣方式之液晶顯示元件爲首之半導體元件乃在於絕緣基 板上使用導電性薄膜來形成配線圖樣或電極等之電流路。 特別是液晶顯示元件乃隨著近年來之大面積化，高積 體化而該內部配線之低電阻化成爲重要之課題，在於 T F T方式之液晶顯示元件中，由於從配線圖樣之端部側 而將掃瞄訊號或映像訊號予以給電，所以從給電點之距離 變大時，即會發生起因於配線之電阻値之訊號波形之歪變 ，致使顯示之不良。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此做爲形成配線或電極（下面簡稱''配線〃等）之 材料而一致在尋找（檢討）可替代以往一般所使用之鉻（ C r )之低電阻材料。又爲了減低電阻値之外，對於配線 之圖樣化之蝕刻製程之適應性，製程之複雜程度，膜應力 ，環境對策等綜合的考量時，做爲配線等之金屬膜之形成 材料而鋁（Μ 〇 )成爲有力之候選之一。 通常此種配線等形成係，對於形成在絕緣基板（液晶 張尺度適用中國國家標準（ CNS ) Α4規格(210X297公釐） " '~ -4 - 500959 Α7 Β7 五、發明説明2() 顯示元件即使玻璃基板爲主流）上之導電性薄膜，藉由使 用感光性抗蝕刻之遮蔽罩曝光及顯像以及蝕刻之圖樣形成 ’換S之使用光蝕法技術。 惟Μ 〇之膜係對於底層基板（液晶顯示元件係玻璃基 板’ L S I等之半導體裝置即矽基板等）之密著性不充分 容易剝離，加上塗佈抗蝕刻時也不會充分的密著，由而有 很難獲得所欲之蝕刻之精度之不合宜之點。因此通常使 Μ 〇時即添加其他元素做成合金來使用。 惟經此合金化而配線等之電阻値增大，又導致在灑射 用靶等之製程所使用之材料之高昂化。 上述金屬膜之對於底層基板之密著性之不良乃起源於 絕緣基板或Μ 〇膜本來之物性以及絕緣基板或Μ 〇膜表面 之被污染所致，由表面之被污染之觀點，通常在形成配線 等之薄膜之前後實施藉由各種流體之洗淨，真空中加熱等 處理。 又，例如在於日本專利公報特開平9 一 1 6 2 1 6 1 號揭示，在於形成抗蝕劑圖樣之後，金屬膜之蝕刻加工之 前，藉由氧氣等離子灰化處理來實施表面改質就可能提高 蝕刻之精度。 又從膜本來之物性之觀點而有，使用上述Μ 〇、或鉻 (C r )、或鎢（W )等之高融點金屬之合金之方法之外 ，例如美國發明第4 4 2 9 0 1 1號說明書所記述之構造 地，爲了表面安定化而將Μ 〇之膜之表面予以氮化而形成 氮化物之方法也有揭示。又例如’特開平 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2Η) X 297公釐） 5 --------—Μ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500959 A7 B7 — ............... ...................-- 一 ----- — - — . 五、發明説明3() (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 〇 - 1 6 1 1 4 0號公報揭示有，爲了壓剝連接電極之 壓接電極之目的而在高融點金屬之配線膜上形成氮化膜之 方法等等。 (發明所欲解決之課題） 上述先前技術中，絕緣基板之洗淨，真空中加熱等之 前處理乃已在業者間普遍的實施，惟現狀而言很難說可以 充分的去除污染。 又特開平9 一 1 6 2 1 6 1號公報所述之方法乃在於 形成抗蝕劑圖樣之後，實施氧氣等離子處理者，是否對於 絕緣基板之密著性（基板密著性，即底層之密著性）及抗 蝕劑之密著性有助益仍屬疑問。 再者，美國發明第4 4 2 9 0 1 1號說明書所述之在 絕緣基板之表面設置氮化物之層（氮化膜）之方法乃，形 成Μ 〇配線圖樣之後，以氨環境中以4 0 0乃至8 5 0 °C 來處理，須將絕緣基板曝於高溫，由而是否會影響薄膜形 成元件亦屬疑問。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，在上述先前技術乃在形成配線等之薄膜之後， 暫且取出於真空室外，或採取某一時間曝於大氣中之後， 以別裝置來實施處理之方法，所以有，大氣中之不純物之 被吸著於絕緣基板之表面之疑慮，以及須使用別裝置所致 之生產效率之降低，以及製造裝置之價格之提高等之問題 均有發生之可能。 再者，特開平1 0 - 1 6 1 1 4 0號公報所述之方法 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~德 500959 A7 _ B7 五、發明説明（4) 雖強調由於形成了氮化膜而可以抑制壓接電阻，惟對於基 板密著性及抗蝕劑密著性即不淸楚。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之目的係提供上述先前技術之各問題，藉由提 高絕緣基板及導電性薄膜及抗蝕劑之密著性，由而使配線 等之圖樣精度提高之具有低電阻之配線構造之導電性薄膜 形成用之絕緣基板及使用此絕緣基板之液晶顯示元件者。 (解決課題之手段） 爲了達成上述目的，本發明乃以氧氣等離子而將絕緣 基板之表面予以氧化處理排除不純物之後，藉由氮氣等離 子而予以氮化而使該絕緣基板之表面予以安定化使之成爲 淸淨表面，而後形成了導電性薄膜而構成之構造之導電性 薄膜形成用之絕緣基板。 此時爲了維持淸淨表面起見，實施絕緣基板之表面處 理之過程及藉由濺射之薄膜之形成過程乃以連續的方式行 之。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又在於形成導電性薄膜時，在該膜之上下地形成該導 電性薄膜之氮化層。依本發明而在於形成配線等之導電性 薄膜之過程就可實施總括性的表面處理。下面記述本發明 之代表性的構成。 首先，關於依本發明之導電性薄膜形成用絕緣基板即 (1)該經氧氣等離子處理之表面再施予氮氣等離子處理 之表面予以歐傑（Auger)電子分光分析時之氮濃度爲10莫爾 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 500959 A7 B7 五、發明説明5() %以上。 (2 )絕緣基板係玻璃基板，以飛行時間型二次離子 質量光譜儀所分析之該經氧氣等離子處理時之表面之二次 離子之中，、、ch6n +、c2h5n +、C2H8N +、 C 4 Η 1 2 N 、C8Hl5N2f//中之至少一'種之對於 S i +強度爲1 · 5 %以下，或上述二次離子之對於S i 1 強度之總和係3 · 5 %以下之表面予以氮氣等離子處理。 再者，關於使用上述之導電性薄膜形成用絕緣基板之 液晶顯示元件即： (3 )上述絕緣基板係玻璃基板，對於被施予氧氣等 離子處理之表面上，再施予氮氣等離子處理之玻璃基板之 表面實施俄歇電子分光分析時之氮濃度係1 0莫爾％以上 之上述玻璃基板做爲至少一方之基板，而在上述玻璃基板 之表面上具有依序形成導電性金屬之氮化物層，及上述導 電性金屬層及以上述導電性金屬之氮化物層而形成之疊層 配線者。 (4 )上述絕緣基板係玻璃基板，以飛行時間型二次 離子質量光譜儀分析該經氧氣等離子處理之玻璃之表面之 二次離子之中，'' C Η 6 N +、C 2 Η 6 N +、C 2 Η 8 N +、 C 4 Η 1 2 Ν + . C 8 Η 1 5 Ν 2 + "中之一種之對於S i +強度 爲1 . 5 %以下，或上述二次離子之對於s i +強度之總和 爲3 . 5%以下之玻璃基板上，再施予氮氣等離子之基板 做爲一方之基板，而在此玻璃基板之表面上具有依序疊層 有，導電性金屬之氮化物層，上述導電性金屬層，以及上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）_ 8 _ ------------IΊ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500959 A7 B7 五、發明説明6() 述導電性金屬之氮化物層而形成之疊層配線者。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) (5 )於（3 )或（4 )之上述導電性金屬係，鉬、 鋁、鉻、鎢中之其中之一或其中之二種以上之合金者。 並且在於上述絕緣基板上形成配線圖樣或電極等之導 電性電流路之導電性薄膜及導電性薄膜形成用之絕緣基板 之形成方法乃： (6 ) —種在於絕緣基板上形成導電性電流路之用之 導電性薄膜之形成方法，在於形成上述導電性薄膜之形成 前，對於上述絕緣基板之表面實施氧氣等離子處理接著實 施氮氣等離子處理，而將該經氧氣等離子處理之上述絕緣 基板之表面予以安定化。 (7 ) —種在於絕緣基板上形成導電性電流路之導電 性薄膜之形成方法，對於絕緣基板之表面實施氧氣等離子 處理，接著施予氮氣等離子處理之後，以保持真空環境之 狀態下立即在上述絕緣基板上形成導電性金屬之氮化物， 再形成上述導電性金屬之層之後，再度形成上述導電性金 屬之氮化物層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (8 )在於絕緣基板之表面施予氧氣等離子處理之後 接著施予氮氣等離子處理之後，以保持真空環境之狀態下 立即在於該基板上形成導電性金屬之氮化物，又形成上述 導電性金屬之層之後，再度形成上述導電性金屬之氮化物 層’然後塗佈抗蝕劑，使用具有規定之圖樣之遮蔽罩而予 以曝光、顯像、蝕刻處理，以資形成隨應於上述遮蔽罩之 圖樣之導電性電路。 張尺度適用國國家標準（CNS) A4規格（21GX297公釐）_ 9 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500959 A7 ___B7 五、發明説明7() (9 )上述絕緣基板乃爲液晶顯示元件用之玻璃基板 ’上述導電性金屬即使用鋁、鋁、鉻、鎢，其中之一或其 二種以上之合金。 本發明乃不侷限於上述之構成及後述之實施例，在不 逸脫本發明之技術思想之下仍可以做種之變形者。 (發明之實施形態） 下面參照實施例之圖面詳細的說明本發明之實施形態 〇 第1圖係說明形成於絕緣基板上之導電性薄膜之構造 之模式斷面圖。形成於做爲絕緣基板之玻璃基板1 〇 1上 之薄膜構成之一例。同圖中，玻璃基板1 〇 1上具有將表 面予以等離子處理之淸淨表面層1 0 2，在此淸淨表面層 1 0 2之上面又形成有第一之鉬氮化物之層1 0 3 (下面 稱第1 Μ 〇 — N膜）。 又在該上面形成Mo之薄膜1 〇 4，又在該上面形成 第2之鉬氮化物之層105 (下面稱第2 Mo-N膜） 。換之薄膜1 〇 4係以第一 Mo —N膜1 〇 3及 第2 Μ 〇 - N膜1 5而以上下挾持之構造。 本例中Μ 〇 — Ν膜係Μ 〇之基料中分散有氮化鉬 (Μ ο 2 Ν等）之形態，惟膜厚薄時有時採非晶質之狀態。 第2圖係說明將第Ί圖所―示之導·性S膜形成於絕緣 基板上之方法之槪略過程圖。參照第1圖之標號來說明。 首先以習知之方法使用鹼牲溶液而將表面予以洗淨處理之 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) A4規格(210 X297公釐）二 一 -1U - - --------,φ衣--：---.---1Τ------IAWJ. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 500959 Α7 Β7 五、發明説明8() 長邊830mm，短邊650mm，厚度〇·7mm之玻 璃基板1 0 1 ，以脫氣之目的而在真空中以紅外線燈加熱 。此加熱之設定溫度乃與成膜時之設定溫度可以整合之範 圍地設定爲高値（過程1 )。典型的係設定於3 7 3 K乃 至 5 7 3 K。 而後於真空室內將該基板1 0 1曝露於氧氣等離子， 而使附著於基板之表面近傍之污染物予以氧化處理使之脫 離（P - 2 )。此時以合宜的去除表面污染爲目的往往過 剩的施予氧氣等離子處理，該結果具有自由之結合手之氧 氣會殘留於表面。 接著在於氮氣等離子中處理該基板1 0 1而形成固定 了上述之自由結合手之氮化物層1 〇 2，使基板表面使之 安定化（P - 3 )。 再在此上面，使用Mo之靶，而導入氬與氮之混合氣 體（A r - N 2 )，而以濺射法而形成鉬氮化物之薄層（第 1 Mo— N 之薄膜）103 (P — 4)。 而後將A r - N 2混合氣體予以排氣，導入氬氣而將 Μ 〇之薄膜1 〇 4予以濺射形成（P — 5 )。又在此後， 再度使用A r - Ν 2混合氣體而形成鉬氮化物之薄層（第2 Mo—N 之薄膜）1〇5 (P — 6)。 對於成膜室之加熱後之絕緣基板之運送係保持真空環 境地實施爲合宜。又上述Mo之薄膜1 0 4之膜厚以 300n m第1 Μ ◦- N之薄膜103及第2 Mo — N之薄膜之薄膜1 〇 5係分別形成爲2 0 ni m之膜厚。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）,i瞻 . Μ···Μ·Ρ ΜΜ····· Η··Ι·Μ^ Ι···ΜΜΙ·· a········ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500959 A7 B7 五、發明説明9() Μ ◦- N薄膜乃助益於底層基板之淸淨表面層（經氧 氣等離子處理後氮氣等離子處理之絕緣基板之表面） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 102與Mo薄膜104，及Mo薄膜104與不圖示之 後段之圖案形成而被覆之抗蝕劑（光致抗蝕劑）之雙方之 密著性之提高。但是關於底層基板之密著性係只要有上述 淸淨表面層1 0 2之存在就有效果。又導電性材料係Μ 〇 以外之材料也無妨。 Μ 〇以外之材料即例如鉬、鋁、鉻、鎢，或這些二種 以上之合金或具有與這些同等之特性之金屬材料者。 而後，以習知之方法塗佈抗蝕劑，圖樣之曝光、顯像 、蝕刻、抗鈾劑之剝離等等經過光蝕法技法之各過程而形 成配線等之圖樣。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第3圖係說明本發明之導電性薄膜形成用之成膜裝置 之槪略構成之模式圖。此成膜裝置乃爲了形成第1圖所說 明之絕緣基板1 0 1之表面處理層1 〇 2及，在該基板上 形成Mo之薄膜104及第1之Mo- Ν薄膜1〇3，以 及第2 Mo - N薄膜1 〇 5之成膜裝置，係以通常之平 行平板型之等離子處理裝置及負葉式之磁控管濺射裝置所 構成。 使用於絕緣基板1 0 1之表面處理及成膜之圖示裝置 乃以運送室5 0 0及第1真空室5 0 1及第2真空室 5 1 1所構成。運送室5 0 0內設置有運送裝置（機器人 等）°又第1真空室5 0 1內設置有基板載置台5 〇2及 電極504，設有氣體導入機構503及電源505。同 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）—0 m ΊΖ - 500959 A7 B7 五、發明説明彳6 ) 樣’在於第2真空室5 1 1內設置有基板載置台5 1 2及 濺射電極5 1 5。安裝有氣體導入機構5 1 3及電源 5 1 4 °圖中之標號G ；L、G 2、G 3、G 4係開閉可能 之真空閘門。真空閘門G 1、G 4乃隔開運送室5 0 0與 外界（或前段處理裝置之真空閘門、真空閘門G 2即隔開 運送室500與第1真空室501之真空閘門、真空閘門 G 3即隔開運送室5 0 0與第2真空至5 1 1之真空閘門 〇 絕緣基板1 〇 1之表面處理及Μ 〇薄膜1 〇 4，第1 及第2 Mo-Ν薄膜103、 105之形成係分別以獨 立之真空室來實施，而這些處理之間而保持真空環境之下 被運送。 首先絕緣基板1 〇 1係介經運送室而以不圖示之運送 機構而導入於第1真空室5 0 1內，而載置於基板載置台 5 0 2。此時第1真空室5 0 1內即以不圖示之真空排氣 裝置而被抽爲真空。 此時以氣體導入機構5 0 3而以規定之壓力地導入氧 氣。氧氣壓力係例如5 0 P a (帕斯卡），惟這是由投入 之電力，真空室之容積，溫度等等條件而可任意設定。 對於電極5 0 4之投入電力密度係4 k W/m 2，處理 氣體壓力係50Pa。當氧氣壓力達規定之値之後，從電 源5 0 5而對於電極5 0 4供給電力，發生氧氣等離子， 而將絕緣基板1 0 1表面予以氧化處理，此結果，將絕緣 基板1 0 1之表面污染物即成爲氧化物而被去除。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I.«-------I Ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 500959
A
7 B 五、發明説明4 ) · 將實施上述之表面淸淨處理之絕緣基板1 0 1 (玻璃 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 基板）與處理前之同種之基板做比較對照，使用飛行時間 型二次離子質量光譜儀（T 0 F - S I M S )做分析。測 定條件係一次離子種：G a ，加速電壓1 5 k V，測定面 積8 0 X 8 0 // m，而測定十離子，結果，如表1 : 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表1 質量數 二次離子之 組成比 〇2等離子處理基板 對Si訊號強度（％) ------------ 未處理基板對S i 度（％) 27 C2H3 7.47 ___ 9.13 29 C2H5 6.55 7 17 32 CHaN 0.20 ———一 1 · 1 丨 〇 7 1 39 C3H3 4.26 ---u · / 1 _____ 5 20 41 C 3 Η 5 9.46 ^^_10.33 44 C2H6N 1.52 —^2.57 46 C2HbN 1.46 ___ 2.54 55 C4H7 4.40 ___ 4.71 57 C4H9 2.69 ~__3.23 74 C4H12N 0.25 1.72 139 C8H15N2 0.08 ___0.77 38 Si 100.00 ^^_100.00 錄 準 標 家 國一國 適 釐 公 7 29 500959 A 7 B7 五、發明説明ιέ ) 表 1 中，CH6N、C 2 Η 6 N . c 2 Η 8 Ν . C 4 Η i 2 Ν、C 8 Η i 5 Ν 2係與未處理基板相比可知氧氣等 離子處理（表中以〇 2等離子處理基板表示）之對於s i訊 號強度乃大幅度的減少。特別是含有氮之有機物之吸著種 特別的減低。 以上述等離子處理而去除這些不純物污染’由而對底 層密著性有助益。通常’此氧化處理乃儘可能的去除絕緣 基板之表面污染起見過剩的予以實施。此時在於絕緣基板 表面將會有氧氣原子吸著，惟基板本身係氧化物（S i〇2 )因此大部份將具有自由之結合手’表面乃成爲不安定之 狀態，於是繼續於上述氧氣等離子處理而以氮氣等離子處 理絕緣基板1 0 1之表面。 此氮氣等離子處理之程序乃具體的說明如下。 以第1真空室5 0 1之氣體導入機構5 0 3而將A r 氣體混合30% 2N2氣體之A r — 30% N2氣體（ A r — N 2氣）導入到規定之壓力，本例係A r - 〇 % N2氣之壓力爲6 0 P a，惟這是業者可任意設定者。 對於電極5 0 4之投入電力密度爲5 kW/m2，處理 氣體壓力爲60Pa，當Ar — 30% N2氣體壓力到達 規定之値之後，繼電源5 0 5對電極5 0 4供給電力，發 生A r - N 2等離子，將絕緣基板1 〇 1之表面予以氮化處 理。又導入氣體係只要能發生氮氣等離子者即任何者均可 以。 將表面予以氮化處理之絕緣基板1 0 1乃藉由運送室 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 15 _ I.,-------11 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tx 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7
A r 500959 五、發明説明彳6 ) 5 0 0之運送裝置5 5 0而從第1真空室5 0 1以保持真 空環境之狀態下運送至第2真空室5 1 1 ，載置於第2真 空室511之基板512此時第2真空室511內係以不 圖示之真空排氣裝置而抽真空。 此後，以氣體導入機構5 1 3而將A r - 3 0 % N 2 氣體導入到規定之壓力，本例之A r — N2氣體壓力爲 0 · 2 P a ，惟此値係由業者可任意設定，對於靶之投入 電力密度爲30kW/m1 2,處理氣體壓力係〇 . 2Pa。 N 2氣體壓力達到所欲之値之後，由電源5 1 4 對於安裝了 Μ 〇之靶之濺射電極5 1 5供給電力，而將靶 之Μ 〇濺射於絕緣基板1 〇 1。此時在靶5 1 5之表面即 以不圖示之永久磁鐵而形成有適合於磁控管放電之磁場。 此時在於絕緣基板1 0 1上有含於處理中之氮，而與 從革Ε所濺射飛來之Μ 〇粒子一齊形成含有氮之Μ 〇膜 , Iτ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 0 3。（下面簡稱Μ Ν薄膜）。將Μ Ν薄膜 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 0 3形成到規定之膜厚後A r氣體來置換原來之處理氣 體再度實施濺射，而在該絕緣基板1 0 1上形成Μ 〇薄膜 1 0 4，再度將處理氣體換爲A r - Ν2氣體而在上述絕緣 基板1 0 1上形成Μ 〇 - N薄膜1 〇 5。而後絕緣基板 1 0 1係由第2真空室5 1 1而移動至運送室5 0 0，而 以不圖不之連送機構而從運送室5 0 0運出至下序之處理 過程。 爲了評鑑如上述的被處理，成膜之Μ 〇薄膜之對於絕 緣基板之密著性起見實施了抓傷試驗。 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐）_ ^ g 500959 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（14) 此評鑑方式乃，將被成膜之Μ 〇薄膜之絕緣基板’在 於面內振動，而介經鑽石壓子而對於該薄膜施加負載之力 法。該鑽石壓子之先端曲率半徑係5 // m。 將薄膜之變形，發生傷時之負載做爲臨界貪載而做胃 密著性之指標。得以臨界負載愈大密著性愈高地做判斷。 再者，Μ 〇薄膜對於抗鈾劑之密著性之評鑑即藉由測 定純水之接觸角來實施，接觸角愈小濡馴性愈佳，而可判 斷爲密著性優異。 第4圖乃，Μ 〇薄膜上之由抓傷試驗之臨界負載之測 定結果之說明圖。圖中，臨界負載r爲1 7 OmN以上者 表示實用上不會發生薄膜之剝離之現象者。 本例中，做爲Μ 〇薄膜1 〇 4之對於絕緣基板1 〇 1 之密著性之評鑑，係在Μ 〇薄膜1 0 4之成膜後從第2真 空室5 1 1取出而實施抓傷試驗，而與未形成Μ 〇 - Ν薄 膜1 0 3之比較例進行評價。 做爲處理氣體除使用Ar - 3 0% N2之上述所說明 之成膜，（圖中以黑菱形♦標記）以外，亦針對僅使用 N2氣體（圖中以黑三角標記▲)，及使用Ar — 50% N 2之處理氣體之成膜（圖中以黑圓標記#)，進行評價。 另外，針對於絕緣基板上不形成Μ 〇 - N薄膜之使用 A r - 5 0 % N2之處理氣體之處理（圖中以A r — 5 Ο % Ν 2 / withoutMoN表示，標記爲〇 )，以及 加熱絕緣基板之後，將Μ 〇薄膜予以成膜之習知之絕 緣基板（圖中以只加熱表示，標記爲黑四角)，等也做 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210x297公釐） I-------0^----：---1Τ----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -17- 500959 A7 B7 五、發明説明（15) 評鑑。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又於表面處理層（淸淨處理面）1 〇 2之被形成之時 點，以歐傑電子分光分析（A E S )而實施絕緣基板之厚 度方向之元素分析。又對於挾著Mo薄膜之層之Mo - N 薄膜之層亦以A E S而實施深度方向分析。 再者爲了評鑑Μ 〇薄膜1 0 4之抗鈾劑密著性起見， 於Μ 〇 - Ν薄膜1 〇 5之形成完成之後，取出而測定純水 之接觸角。 如第4圖所示，以Ar — 3 0% N2及只用Ns之處 理氣體之處理時，處理時間即使只有2 0秒（s e c )亦 可獲得效果。特別是於A r - 3 0 % N 2之處理時，處理時 間有4 0 s e c以上就可以獲得充分之臨界負載，由此可 知隨著時間之延長效果越能提昇之事實。 又於A r與N 2之混合氣體之氮氣之比例愈高效果愈大 之事實亦可以看出。 黑四角係只用加熱而取出之參照試料。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者比較不形成Μ 〇 — N薄膜1 〇 3之情形時，雖然 形成有Μ 〇 - Ν薄膜者之密著性較優異，惟可知僅有Ν 2之 表面處理層1 0 2也有相當之效果之事實。 將這些表面處理層1 〇 2以AE S分析於深度d ( n m )方向之結果之一部分表示於表2。 表2表示，使用Ar — 30% N2氣體，Ar — 50 % Ν 2氣體，只用N 2氣體以及做爲比較例之習知之使用 Ar氣體之分析結果。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉八4規格（2丨〇〆297公釐） -18 - 500959 A7 B7 五、發明説明（16)
----------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 表2中，以m ο 1 % (原子份率）來表示氮氣濃度。 由表2所示之結果可以知道，所使用之氣體之氮氣濃度愈 高愈能形成高氮濃度之層。又隨著表面起之距離之變大， 氮含量越降低。以只用A r氣體處理之基板當然無法檢測 出有意義之程度之氮。 接著爲了檢證第2 Mo— N薄膜1 〇 5之對於抗蝕 劑之密著性，測定了第2 Μ 〇 — N薄膜1 0 5上之純水 之接觸角。表3就是該結果，表3中表示對於A r -30% N2氣體，Ar — 50% N2氣體，只用N2以 及做爲比較例而以往之使用A r氣體（即沒有第2 Μ 〇 —Ν薄膜)之測定結果。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐〉 、1Τ .曹 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 500959 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
•......................... I......... ........................ —I— .......................... .....—.......... n I (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- 500959 A7 __；____B7 _ 五、發明説明) 表4係，使用A r - 5 0% N2爲處理氣體者做分析 者，由於第2 Mo—N薄膜105之目標膜厚爲20 n m，所以從絕緣基板之表面及從表面之深度方向控制到 1 0 n m可檢出氮成份，惟控制3 0 n m即沒有意義程度 之數値。 下面說明將上述絕緣基板應用於薄膜電晶體型液晶顯 示裝置之實施例。 第5圖係模式的說明依本發明所製作之液晶顯示元件 之薄膜電晶體基板（T F T )之構造例之要部斷面圖。特 別是表示該基板之薄膜電晶體（T F T )之部份）。 圖中構成液晶顯示元件之絕緣基板係使用玻璃基板 301 (通常稱爲SUB1)。在此玻璃基板301之內 面（不圖示之面向基板側：與彩色濾光器基板之間挾持液 晶層之側）具備有氮化物層3 0 2，而在該上層依序疊層 第1 Mo —N處理303及Mo薄膜304以及第2 Μ 〇 - N薄膜3 0 5成膜而形成閘極電極G T。此閘極 電極G Τ仍與閘極配線同時的被形成。 覆罩閘極電極G Τ之上層而覆蓋氮化矽（S i Ν )地 形成閘極絕緣膜3 0 6 ( G I )。而在於閘極電極之上方 而在於閘極絕緣膜3 0 6 ( G I )之上面具有非晶形砂（ a _ s i層）及形成於此上層之以磷爲不純物而滲雜之由 非晶形矽（n + a — S i )層所成之半導體層A S。 接觸於半導體層A S之非晶形矽（n + a - S i )層 而依第1 Mo - N薄層，Mo薄層及第2 Mo - N薄 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格（210X 297公釐）-~ ~ I. --------I 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500959 A7 ___B7 五、發明説明) 層之順序地予以疊層之薄膜所形成之源極或漏極電極 s D 1，及漏極或源極電極S D。 覆罩源極或漏極電極S D 1及漏極或源極電極S D 2 而具有以SiN爲合宜之鈍化層313 (PAS)，而介 經開設於此鈍化層3 1 3之穿通孔3 1 4而形成有連接於 源極或漏極電極S D 1之畫素電極3 1 5 ( I Τ Ο 1 )。 並且在於最上層全面地形成有，直接與液晶接觸之指向膜 〇 R 1 1。 如第5圖所示，閘極電極（配線）及源極或漏極電極 S D 1及漏極或源極電極S D 2乃分別以依序疊層第1 Mo-N薄層及Mo薄層以及第2 Mo-N薄層而疊層 之薄膜來形成。 由而與該各電極（配線）之底層（閘極電極或配線時 即玻璃基板3 0 1 ，源極或漏極電極S D 1與漏極或源極 電極S D 2時即半導體層A S及閘極絕緣膜3 0 6 ( G 1 ))之密著性成爲良好，再者爲了圖樣形成之用之與抗蝕 劑之密著性也會成爲良好。 該結果可以抑制閘極電極（配線）或其他同樣之疊層 膜構造而成之電極（配線）與玻璃基板3 0 1或與下層之 薄膜之間之剝離，以及爲了實施蝕刻處理之光蝕技法之抗 蝕劑之密著性。 並且由於採用此構成，配線或電極之圖樣形成成爲正 確可提供製作之成品率，可以獲得可靠性高之大畫面之液 晶顯不兀件。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~^22 - ~ ------------IΊ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500959 A7 __ _ B7 五、發明説明26 ) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 下面參照第6圖乃至第9圖’說明上述第5圖所說明 之構造之液晶顯示元件之薄膜電晶體基板之製作方法之實 施例。 第6圖乃至第9圖乃說明構成依本發明之導電性薄膜 形成用之絕緣基板之薄膜電晶體型液晶顯示元件之薄膜電 晶體基板之製作方法之一實施例之槪略過程圖。第6圖之 (a )至第9圖之（m )係表示該過程順序。 首先使用如第3圖所說明之裝置而如第6 ( a )圖， 在於玻璃基板3 0 1上設置，以氧氣等離子處理及氮氣等 離子處理所形成之由氮化膜所成之淸淨表面層（表面處理 層）3 0 2。以此玻璃基板保持真空狀態地運送至濺射處 理室（第3圖之第2真空室），藉由濺射而連續的成膜 Mo— N薄膜3 0 3/Mo薄膜3 0 4/Mo—N薄膜 305之三層構成之膜（第6 (b)圖）。 對於此玻璃基板塗佈抗蝕劑3 0 6，而經曝光，顯像 而以閘極電極（配線）之形狀地圖樣形化開口（第6 ( c )圖）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 介著此抗蝕劑圖樣而以濕式蝕刻、剝離抗蝕劑而形成 閘極電極（配線）3 0 3 G T ( G L )第6 ( d )圖）。 在於第（9 d )圖即以閘極電極3 0 3 ( G T )地予以標 記。 在於形成閘極電極3 0 3 ( G T )之玻璃基板之全面 ，做爲絕緣層地形成S i N膜3 0 6 (第7 ( e )圖）。 而後做爲半導體層地，以等離子C V D法連續形成非晶形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐)~^ 〇3 - ' -- 500959 A7 B7 五、發明説明2$ ) 石夕（a — S i 雜之非晶形矽 層 〇 7 ’接著以磷做爲不純物的予以滲 a — Si)層 308 (第 7 (f)圖 在於半導體膜之上面塗佈抗蝕劑，由曝光、顯像而形 成半導體之島圖樣（第7 ( g )圖）。對此施予乾式蝕刻 加工、剝離抗蝕劑而形成半導體之島（第8 ( η )圖）。 覆罩半導體島，藉濺射法連續的成膜Μ 〇 一 ν薄膜3 0 9/Μο薄膜3 1 0/Μο— Ν薄膜3 1 1之三層構 成之膜（第8(1)圖）。 而後塗佈抗飩劑、曝光、顯像’而形成源極/漏極分 離圖樣（第8 ( j )圖）。並且介著此分離圖樣而以乾式 蝕刻加工來分離Μ Ν薄膜3 0 9
Mo — Ν薄膜3 1 1之三層再將 η Μ 〇薄膜3 1 0 / 一 S i層施予蝕刻 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經過抗蝕劑剝離之過程，而形成源極配線S D 1及漏極 配線S D 2 (第9 k )圖）。 覆罩這些源極配線S D 1及漏極配線S D 2，而做爲 絕緣膜（鈍化層）而以等離子C V D法而形成s i N膜 313 (第 9 (1)圖）。 再經塗佈抗蝕劑、曝光、顯像、乾式蝕刻、抗触劑之 剝離之各過程，而在純化層3 1 3上形成接觸孔3 1 4。 而形成以介著此接觸孔3 1 4而連接於源極電極s D 1之 各畫素地被分割配置之畫素電極3 1 5 ( I T〇1 )之薄 膜（第9 ( m )圖）。 構成畫素電極315 (IT01)之透明電極即以濺 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）_ 24 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
500959 A7 _B7 五、發明説明) 射來形成銦錫氧化物（I T 0 )。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本例乃介經接觸孔3 1 4而將畫素電極3 1 5 (I T〇1 )連接於構成源極電極S D 1之Μ 〇 — N薄膜 3 0 9/Μο薄膜3 1 0/Μο— Ν薄膜3 1 1之三層薄 膜，惟由於有Μ 〇 - Ν薄膜3 1 1之存在而較直接地連接 於Mo層3 1 0而更能達成牢固的結合，再者Mo - Ν薄 膜之電阻値比較低亦是利點之一。 而後做爲與液晶直接接觸之最上層，而形成由聚醯亞 胺所成之指向膜由而可以獲得如第5圖所示之薄膜電晶體 基板（有源基板）。 按爲了確認本發明之效果，以不使用由上述之本發明 之絕緣基板之表面處理或源極電極/漏極電極之三層構造 地製作了同樣之薄膜電晶體基板，結果，發生抗蝕劑圖樣 形成不良，或所成膜之薄膜本身之剝離等，無法獲得耐於 實用之製品。 接著說明適用了本發明之薄膜電晶體型液晶顯示元件 ，及使用此液晶顯示元件之液晶顯示裝置之典型的構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又本發明乃並非限定於，在於二枚之絕緣基板分別具 備畫素形成用之電極之縱電場方式之有源矩陣型液晶顯示 元件或單純矩陣型液晶顯示元件，而對於一方之基板（薄 膜電晶體基板··或有源矩陣基板）側具備有畫素形成用之 ------- —- ......................… 電極之橫電場方式之有源矩陣型液晶顯示元件之配線或電 極之形成上亦可適用。再者亦不限於液晶顯示元件，在於 高積體半導體裝置之配線圖樣或電極等同樣地可以適用。 本紙張尺度適财關家縣（CNS ) A4規格（21GX297公釐)~ ~ -25 - 500959 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明2έ ) 第1 0圖係說明構成本發明之液晶顯示裝置之液晶顯 示元件，及其週邊之構成之平面圖。又第1 〇圖係所謂 τ Ν方式之有源矩陣型液晶顯示裝置之一畫素近傍之構成 圖。各畫素係被配置於鄰接之二條之掃瞄訊號線（閘極訊 號線或水平訊號線）G L，及相鄰接之二條之映像訊號線 (漏極訊號線或垂直訊號線）D L之交叉領域內（四條之 訊號線所园之領域內）。 各畫素係包含薄膜電晶體T F Τ，透明畫素電極 I 丁 Ο 1及保持容量元件Cadd。掃瞄訊號線G L係延伸於 列方向，於行方向配置有複數條。映像訊號線D L係延伸 於行方向，列方向配置複數條。第1 0圖乃各畫素地做二 個薄膜電晶體T F T，惟也有各畫素之薄膜電晶體一個者 〇 對於此種構成之絕緣基板（玻璃基板：薄膜電晶體基 板（T F T基板））而介著液晶貼合具有共同電極及彩色 濾光器之絕緣基板：彩色濾光器基板（C F基板））以資 組合成液晶顯示元件。T F T基板及C F基板均具有 0 · 7mm程度之厚度。 第1 1圖係說明使用依本發明之液晶顯示元件之液晶 顯示裝置之構成例之分解斜視圖。在於液晶顯示元件 P N L安裝了驅動電路基板者，係以A B C來表示。在此 備有驅動電路基板液晶顯示元件A B S中組入了擴散板或 稜鏡板等之光學片，及背面光等之構件而成之狀態者即稱 之謂液晶顯示模組，第1 1圖表示，此做成爲液晶顯示模 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ % _ Ια---------:---.---IT------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 500959 A7 B7 五、發明説明说 ) 組者’液晶顯示模組M D L係以下述地被構成。 第1 1圖中，SHD係由金屬板所製之屏蔽殼體（亦 稱金屬框架），W D係顯示窗，S P C 1〜4係絕緣間隔 件’ F P C 1、2係多層可撓性電路基板（F P C 1係閘 極側電路基板，F P C 2係漏極側電路基板），H S係爲 了漏極側電路基板F P C 2之接地與屏蔽殼體S H D之電 氣連接而設之由金屬箔所成之薄片接地，P C Β係接口電 路基板，A S Β乃被組合之具有驅動電路基板之液晶顯示 元件，P L N係於貼合之二片之透明絕緣基板之一方之基 板上載置了驅動I C之液晶顯示元件（亦稱液晶顯示面板 )，G C 1及G C 2係橡膠緩衝器，P R S係稜鏡片（本 例係以二片之光學片所構成）。S P S係擴散片，G L B 係光導板，R F S係反射片，S L V係固定擴散片S P S 及稜鏡片P R S之襯套，MC A係以一體成型所形成之下 側殼體（模製殼體），L P係螢光管（通常使用冷陰極螢 光燈），L S係將螢光管L P之光反射至光導板G L B側 之反射器，L P C 1、2係燈電纜，L C T係變流器用之 連接用連接器，G B係支撑螢光管L P之橡膠襯套。 又，BL係由螢光管LP、反射器LS、光導板 GLB、反射片RFS所構成之背面光。介著擴散片 S P S及稜鏡片P R S等之光學片而接地於液晶顯示元件 P L N之背面。此背面光B L乃對於液晶顯示元件P N L 之背面供給均一之光，爲了從該液晶顯示元件P N L之表 面之觀視者，之將液晶之光之透過率之變化做爲映像（畫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 〇 X 297公釐）„ 27 - —--------丨I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500959 A7 _______ B7 五、發明説明2合) 像）顯示來認識而設置者。 如第1 1圖所示，疊置下側殼體M C A、背面光B L ，備有驅動電路基板之液晶顯示元件A S B，屏蔽殼體 S H D等而組合成液晶顯示模組M D L。 •第1 2圖係液晶顯示模組M D L之正面圖及側面圖。 露呈於屏蔽殻體S H D之顯示窗WD之領域乃被實施映像 顯示之領域（顯示領域）A R，最表面設有偏光板。屏蔽 殼體S H D與模組殼體M C A係藉由爪之鉚合來固定，該 液晶顯示模組M D L之上邊內部係收容了構成背面光之螢 光管L Ρ，而引出有給電用之燈電纜l P C。 第1 3圖係實裝了依本發明之液晶顯示裝置之電子機 器之一例之顯示監視器之外觀圖。本顯示監視器係由以台 座部所支撑之顯示部所成，在於顯示部有液晶顯示元件 P N L露呈而將畫像或映像做爲可視資訊地予以顯示。 又在於台座部或顯示部中內藏資訊處理裝置本體或電 視受像電路而做爲電腦或電視機亦有可能。 (發明之效果） 如上所說明，依本發明時，可以使導電性薄膜，例如 形成於薄膜電晶體基板上閘極配線（電極）、漏極配線（ 電極）、其他之導電性薄膜之，與絕緣基板之密著性（底 層密著性）及源極電極與畫素電極之連結性非常良好，更 能確實的形成配線或電極。提高可靠性，可以提供良品率 之筒品質之液晶顯示元件。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐)~^28 - ~ —J ---―T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500959 A7 ______ B7_ 五、發明説明始 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又對於L S I或薄膜電晶體型以外之液晶顯示元件， 以及其他之半導體裝置之配線或電極亦可奏出與上述同樣 之效果者。 圖式之簡單說明 第1圖係說明形成於絕緣基板上之導電性薄膜之構造 之模式斷面圖。 第2圖係說明將第1圖所示之導電性薄膜形成於絕緣 基板上之方法之槪略過程圖。 第3圖係說明爲了形成本發明之導電性薄膜用之成膜 裝置之槪略構成之模式圖。 第4圖係Μ 〇薄膜上之以抓傷試驗之臨界負載之測定 結果之說明圖。 第5圖係模式的說明依本發明所製作之液晶顯示元件 之薄膜電晶體基板（T F Τ基板）之構造例之要部斷面圖 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第6圖係說明構成依本發明之導電性薄膜形成用之絕 緣基板之薄膜電晶體型液晶顯示元件之薄膜電晶體基板之 製作方法之一實施例之槪略過程圖。 第7圖係說明構成依本發明之導電性薄膜形成用之絕 緣基板之薄膜電晶體型液晶顯示元件之薄膜電晶體基板之 製作方法之一實施例之槪略過程圖。繼續於第6圖者。 第8圖係說明構成依本發明之導電性薄膜形成用之絕 緣基板之薄膜電晶體型液晶顯示元件之薄膜電晶體基板之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）_ 29 _ 500959 Μ ___Β7___ 五、發明説明沙 ) 製作方法之一實施例之槪略過程圖。繼續於第7圖者。 第9圖係說明構成依本發明之導電性薄膜形成用之絕 緣基板之薄膜電晶體型液晶顯示元件之薄膜電晶體基板之 製作方法之一實施例之槪略過程圖。繼續於第8圖者。 •第1 0圖係說明構成本發明之液晶顯示裝置之液晶顯 示元件之一畫素及其週邊之構成之平面圖。 第1 1圖係說明使用依本發明之液晶顯示元件之構成 例之分解斜視圖。 第1 2圖係液晶顯示模組M D L之正面圖及側面圖。 第1 3圖係安裝依本發明之液晶顯示裝置之電子機器 之一例之顯示監視器之外觀圖。 (標號說明） 3 13 ( P A S ) 鈍化膜 314 接觸孔 3 1 5 ( L Τ Ο 1 ) 畫素電極 3 1 6 (〇R 1 1 ) 指向膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297^5^~ I.^--------丨 Ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 1 0 1 絕 緣 基 板 1 0 2 . 淸 淨 表 面 層 1 0 3 氮 化 物 層 1 0 4 鉬 ( Μ 〇 ) 薄 膜 1 0 5 鉬 及 氮 之 層 ( Μ 〇 — Ν ) 3 0 1 (S U B 1 ) 玻 璃 基 板 3 0 6 閘 極 絕 緣 膜 ( G I ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500959 A7 B7
五、發明説明4 ) 5 0 0 5 0 1 5 0 2、512 5 0 3、513 5 0 5.5 1 4 5 0 4. 5 1 5 5 11 5 5 0 G T S D 1 S D 2 AS 運送室 第一真空室 基板載置台 氣體導入機構 電源 電極 第2真空室 基板運送機構 閘極電極 源極電極 漏極電極 半導體層 I.^-------丨T (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
，1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）_ 31 -
Claims (1)
- 500959 公告本『丨::a ===^ W. 5 ,17 Mi. 六、申請專利範圍 I一——..一一 第89124204號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國91年5月修正 1 . 一種形成導電性薄膜用之絕緣基板，對於該被施 予氧氣等離子處理之表面上再施予氮氣等離子處理之表面 實施歐傑( Auger)電子分光分析之氮濃度係1 0莫爾％以 上爲其特徵者。 2 .如申請專利範圍第1項所述之形成導電性薄膜用 之絕緣基板，其中，上述絕緣基板係玻璃基板，且以飛行 時間型二次離子質量光譜儀來分析該經氧氣等離子處理之 後之表面時之二次離子中之vv C Η 6 N +、C 2 Η 6 N +、 C 2 Η 8 Ν + . C 4 Η 1 2 Ν + , C 8 Η 1 5 Ν 2 ""中之至少一種 之對S i+強度爲1 · 5%以下，或上述二次離子之對 S i +強度之總和爲3 · 5 %以下者。 3.—種液晶顯示元件， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 對於該被施予氧氣等離子處理之表面上，再施予氮氣 等離子處理之玻璃基板之表面實施俄歇電子分光分析之氮 濃度係1 0莫爾％以上之玻璃基板做爲至少一方之基板， 而在上述玻璃基板之表面上具有，依序形成導電性金屬之 氮化物層，及上述導電性金屬層及上述導電性金屬之氮化 物層而形成之疊層配線爲其特徵者。 4 · 一種液晶顯示元件， 以飛行時間型二次離子質量光譜儀分析該經氧氣等離 子處理之玻璃基板之表面之二次離子之中之*CH6N +、 本^張尺度適用中^國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 500959 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 C 2 Η 6 N +、C 2 Η 8 Ν +、C 4 Η 1 2 Ν + , C 8 Η 1 5 Ν 2 + " 中之一種之對s i +強度爲1 · 5%以下，或上述之二次離 子之對S i +強度之總和爲3 · 5 %以f之玻璃基板上，再 施予氮氣等離子處理之基板做爲一方之基板，而在上述玻 璃基板之表面上具有依序形成，導電性金屬之氮化物層， 及上述導電性金屬層，及上述導電性金屬之氮化物層而形 成之疊層配線，其爲特徵者。 5 ·如申請專利範圍第3項或第4項所述之液晶顯示 裝置，其中上述導電性金屬係鉬。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210义297公釐） -2-
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |