TW498349B - Electroconductive composition and printed circuit board using the same - Google Patents
Electroconductive composition and printed circuit board using the same Download PDFInfo
- Publication number
- TW498349B TW498349B TW090108679A TW90108679A TW498349B TW 498349 B TW498349 B TW 498349B TW 090108679 A TW090108679 A TW 090108679A TW 90108679 A TW90108679 A TW 90108679A TW 498349 B TW498349 B TW 498349B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- glass
- powder
- conductive composition
- patent application
- item
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 40
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 22
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 10
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 7
- 238000003878 thermal aging Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 2
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 2
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000008159 sesame oil Substances 0.000 description 2
- 235000011803 sesame oil Nutrition 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- 229940098465 tincture Drugs 0.000 description 2
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000270666 Testudines Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000004494 ethyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 235000013372 meat Nutrition 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000035922 thirst Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49883—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials the conductive materials containing organic materials or pastes, e.g. for thick films
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/901—Printed circuit
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Colloid Chemistry (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
五、發明說明(1) 本發明之背景 1 ·本,明之領域 末一種主f由銅粉所構成、且也包含破,粉 2.相關技述 刷電路板使用該組合物。 電::已ϊ ΐ 2刷技術對例如混合1 c(hybrid 1 c)的印刷 糊,以貫用’其中主要由銅粉或銀粉所構成的導電 璃、陶穿< 17刷的方法或直接圖刷的方法,塗覆於由破 要汐絕緣板上’接著供烤,成所 型,装在ί :糊可根據烘烤的溫度被分類為:高溫烘烤 烘烤型,;;=二°0。。至約95a°c下供烤;或為中溫 在6001左右 圍伙不超過75(rc下烘烤、或特別是 ^電掏屬於高溫供烤型時’ 別是導電度)及對雷攸k ^ ^ ^ 人#夺电将性(特 1古㈤卩 對電路板之黏著為優良的電路型態,苴兩 八::、共烤’亚因此有時對已預先形成的經印刷電阻哭而 供熱㈣。比較起來,屬於中溫==此 « :並且因此具有可形成電路[ 二# 4σ i手子已預先形成的經印刷電阻器、介.電體箄不摇 結強度上有些遜於屬於高溫及對電路板的鍵 通常,屬於中溫烘烤型的導雷 中的金屬粉末及玻螭粉末,f ^刀月欠於有機媒介物 刀末,亚且在烘烤的時間内將金屬粉
第5頁 五、發明說明(2) ____ ί ϋί形成經燒結之金屬本體。在扭烤的日士 Pi 體液態,改進金屬的經燒結特::二:破璃粉 以調節導電糊的黏度,使這也為液態介質, 玻璃粉末對雷路杯的对—二杨末為可印刷的。 璃私末被熔融,並移動到糊狀 :鍵、.,。機構,其中破 得在供烤導電糊的時間内,將 ^路板之間的介面,使 路板上。因此,在 π之金屬本體鍵結到電 含金屬組份,並且較二:;份;?較上層部份較富 疋:玻璃組份在被比喻做乂田3玻璃組份’該結果 屬顆粒之手臂的狀態m表面向上伸張、經過金 膜導體的角色。 知决機械性鍵結到電路板及厚 主要由銅粉所構成之導電-因為銅粉具有小的電線電〃,、k年來已逐漸實用。這是 的,另外事實為:其盘I ,並且在移動特性上為優良 貴。 /如或銀-纪粉末比較起來較不昂 至此,需要維持主要由〜 氧化性的氣壓下,其中氧二,所構成之導電糊的烘烤在非 分,因為銅粉對氧化是里是不大於5百萬分之一部 生銅粉以有氧氣輔助^ ^的、。然而,因為相信:通常發 之氧含量不大於5百萬分之濕潤(we tt ing),在烘烤時間 潤銅粉的可濕性,容許之部分’會降低以熔融玻璃濕 厚膜導體自身的強度及瑪妨礙銅顆粒的燒結,結果是: 本發明之摘要 電性在燒結之後有時後降低。
第6頁
日 達到上述情況的考罝’並且根據本發明目的 =提供一種具有優良導電性之導電組合物,並且徂 板之夠大的鍵結強度,並也提供在其上形成電路型二“ 印刷電路板,是使用該導電組合物。 "路“之 因此,根據本發明一方面是包含銅粉及較少鉛之八 =的導電組合物,該銅粉包含(1 )從50至90重量百分比之私 含有彳之1至3重量百分比氧的銅粉a,並且具有平 ^ ^ η η ^ , β τ 5 顆粒尺 了疋仗0· 9至1· 5微米;及(2)從1〇至50重量百分比之含有 〇· 2至3重量百分比氧的銅粉β,並且具有平均: 大於〇· 6微米。 了尺寸不 當使用根 的可濕性藉 使得銅粉以 導體變得密 很大的程度 特定的比率 且其導電性 應注意的 得到足夠的 地進行,而 且焊接的性 0. 9微米時: 物來形成的 微米時,燒 據本發明之導電組合 者存在於銅粉Α及Β中 玻璃的液相燒結平順 實,並且導電性及對 。同時,因為相當小 被包含,該厚膜導體 及鍵結強度被進一步 是:當在銅粉A中的氧 鍵結強度,因為以玻 當其超過3重量%時, 質降低。再者,當銅 體積密度便得較小 糊狀物。另一方面, 結的性質降低。 的知"疋氧含量而被改進, 地加速,因此得到的厚膜 電路板的鍵結強度增加到 平均顆粒尺寸之銅粉B以 可製成足狗地更密實,並 地改進。 含量少於1重量%時,不能 璃液相燒結銅粉不能平順 導體的電阻變得較大,並 粉A的平均顆粒尺寸小於 ’需要較大量的有機媒介 當平均顆粒尺寸超過丨.5 498349 五、發明說明(4) 也應注意的疋:當在銅粉Β Φ 不能得到足夠的鍵結強度。$低於0· 2重量%時, 不能平順地進行,如同在鋼粉二、、以玻璃_液才目燒結銅粉 超過3重量%時,導體的電阻變 γ 。另一方面,當其 平均顆粒尺寸超過0· 6微米日士,丁乂。再者’當銅粉B的 結強度的厚膜導體,因為以1人犯^到密貫且具有大鍵 改進填充的效率。 匕〇、’5 ;:刀及B的顆粒並不足以 再者’當銅粉A在包含銅令 50重量%時(換言之,當=粉中的比率是少於 銅粉的體積密度便得較小β另的一比方率面超過,量” ’整個 超過90重量%時(換言之,當二方面’當當銅粉Α的比率 田銅杨β的比率少於If)舌景%、 以混合鋼粉A及B的顆粒並不足以改、隹//於10重里心’ 能提供有強大鍵結強度的厚膜導體。、的效率,因此不 二:艮^發明之銅粉中的氧 卜體之銅粉中的氧份量,以重量%表示。該含量增加 ^ =如^持粉末靜置在供箱—段特定的時間, 銅可以對:粉末在氫氣壓中加以還原處理而減少。在 =中的乳含罝可以例如:惰性氣體融合_紅外線吸收方法 或::法來分析’如日本工業標準(JIS)㈣⑽述的。 本=明也提供有特定電路型態提供於其中的印刷電路 物所^ ί少部份的電路型態是以根據本發明之導電組合 f據本發明,可得到具有優良導電性之特定電路型態、 °對電路板有夠大鍵結強度的印刷電路板,是因為以根
III 1 1 1 II i II 1 1 B ill I 立、發明說明(5) /ft發明之導電組合物形成該電路型能。再去
導電組合物可在相當低的“下;;,因為根據 有不同良好性質及優良可会α 人、烤,可得ξ,丨I 於印刷電路板之上及其中的其:;::::,❿不,存在 圖示之簡要敘it ,、他-路兀件提供熱損害。 ,1三重組份圖,顯示根據本 破璃組合比率;且 要2〇3〜M31i〇2 圖2為根據本發明之印 較佳具體實施例之敘述路板的剖面圖, !m:之導電組合物將在下列更詳細地解釋 顆粒尺寸較佳分別是社5至:中5重;二的二含量及平均 銅粉“勺氧含量及平均顆i ;匕',.0至h 2 498349 五、發明說明(6) 、、 此&供岔貫且其具有較大的鍵結強度的厚膜遂舰 •、 ’較佳的是上述的玻璃粉末必須包含具有以 •^3 yB2〇3〜xsi〇2 (其中x+y+z=i〇〇莫耳%)代表之組人 玻璃組份,# 0 ν π θ 士十/ 、 ' 〇物的 中所示夕-比率(x,y,z)落在如所附圖1 ’、 二重組合物圖中的鍵結點A (1 5,3 5,5 0 )、 1(ϋ〇,15)、c(45,4°,15),“,⑼’⑻及八等部份之 依此序所包含之區域内。 刀之 ^此組合比率之B丨2 〇3 — B2 〇3 i 02玻璃粉末,可限制 升,並且可限制在導電組合物供烤二 坡肖、、、QB日,結果是:其為液態的效果可完全地使用 :2:::燒結特性。因此’可降低烘烤的溫度’而不使 下的二璃。因& ’可以在不超過700 t的中範圍溫度 t F更特別是在約6〇〇。〇下,而形成具有大鍵結強度 之始、貫厚膜導體。 娘皮 再者,更佳為具有以式χΒ“〇3 —yB2〇3一xSi〇2(其中 = y + z= 1〇〇莫耳%)代表之組合物的玻璃組份,必須呈有组 °比率(乂,乂,2)落在鍵結點(2 5,3 0,4 5 )、(25,55,20)、 包含肉(,3 5, 25, 4〇)及(25, 3〇, 45)等部份之依此序所 "",因為其進一步包含燒結特性及鍵結強度。 八 在根據本發明之導電組合物中,玻璃粉末可包含 不匕:或鹼t金屬氧化物。在此情況下,鹼金屬氧 且2 二過10莫耳%,以玻璃粉末的總量為基礎,並 在:=乳r勿較佳不超過20莫耳%,以相、同的基礎。 靶圍 &璃的軟化點被降低,α玻璃之液相燒結可
第10頁 五、發明說明(7) 更平順地進行。 在根據本取日日+ # _ 於從2至15重量百電組合物中,破璃粉末也較佳地包含 礎。更佳地,比二比的比率,以整個導電組合物為基 導電性且對電重量百分比。因&,具良好 玻璃粉末含夠大鍵結強度的厚膜導體,可以選擇 不3里乾圍是從2至1 5重量百分比來报士 & 導電組合物為基礎。_ 4立Μ a 匕來形成,以整個 %時,對雷政h 應主思的疋:㊂玻螭粉末是少於2重量 :對電路板的鍵結強度有時是不夠的。另—罜里 果八起過U重量%,淳接性質有時會變弱。方面,如 微ί者藉ϊ::粉末的平均顆粒尺寸範圍是從。.1 Μ :玻::末,反應性被改進,使-之的Ϊ:: 厚膜導體上避免烘烤之後的孔洞“笃 度;少及;;Π ”玻=並 ::限制在熱老化期間的強 至。·7微米更,的疋.玻璃粉末的平均顆粒尺寸範圍是從G.4 再者,較佳的是:根據本發明之導電組合物必 ^機媒介物…含一種結合劑及溶劑,且、進-: 必須不超過70Gt。換言之,以滿足上述之組合物、^皿度 I得到可在不超過7 〇 〇 t的溫度下足夠燒結的 ς求^ 在某些情況下不超過60 0 t:。例如:甚至當在配備:糊或恭 阻或其他7L件之陶瓷電路板上形成電路型態時,]电 有良好I電性j對電路板有夠A鍵結強度的厚 ^成具 大體上不對這些元件提供熱損害。 、’而
菖根據本發 導電糊時,偏 樹脂或類似物 溶劑來做為溶 明之導電組合 好使用纖維素 伯乂為結合劑, 劑。 物是一種包含結合劑及溶劑的 乙酯樹脂、酸醇樹脂、丙烯酸 並且偏好香油腦類溶劑或醇類 下一步 例0 解釋根據本發明 之印刷電路板的較佳具體實施 如圖2所示,gp反丨 烤之陶f所制^ 1龟路板1 1配備有以氧化鋁或在低溫烘 璃」ί: 板1,有由無結晶性玻璃:結晶性玻 4b,A" 5物或類似物所構成之第一絕緣層4a及 益妹/曰^ 於主要表面的頂部及底部兩者上方;以及也由 :::1 一璃、結晶性玻璃、玻璃陶瓷混合物或類似物所 〜弟一、、、巴緣層(保護層)8 a及8 b、被置於第一絕緣層4 及4b上方。 μ在基板1之主要表面的頂部及底部之一(也就是基板丨及 第=絕緣層4a及4b之間的介面之一),分別形成第一電略 型態3a或3b。該型態主要是由Ag或其他金屬所組成。第〜 電路型態3 a的零件是經由在基板1上形成之通孔2電連結到 第一電路型態3b的零件上。應注意的是:第一電路型態3a 及3 b包括電線及電極。 在第一絕緣層4a及4b中,形成通孔5a及5b。再者,厚_ 電阻6 a及6 b是由R u 〇2或類似物所構成,在第一絕緣層4 a及' 4 b的表面上形成(也就是分別為在第一絕緣層4 a與第二名邑 緣層8a之間、及第一絕緣層4b與第二絕緣層8b之間的介兩 上)。厚膜電阻6a及6b分別經由通孔5a及5b及經由在第〜
第12頁 五、發明說明(9) 絕緣層4a及4b上形成之望—/ 了 一帝玖剂处0 战之弟一電路型態7a及7b,電碴从,斤 一迅路型悲3a及3b的雯杜p ^ 兒連結到第 7 ri 7U B 幻令件上。應注意的是:第-番物…匕 7a及7b是以根據本發 ^ 乐一電路型態 電極。 月之¥电糊形成的,並且包括電線及
再者,在印刷雷敗& τL 片狀電阻等之架置交件 ^如:片狀線圈、片狀電容、 (也就是印刷電路板u之主要表面上。 由焊劑9電連έ士至丨丨筮 _ . 木置令件1 0經 电逆、、、口到第二電路型態7 a上。 r 接ΐ:t上述之印刷電路板11的製造方法將被解釋。 衣備基板1。做為基板1,烘烤氧化鋁板、在低溫 下ς共烤之陶瓷製成的經燒結板、或類似板可以例如厚度約 。,5公羞來使用。下一步,經由通孔在基板…雷:度二 孔或其他方法形成孔洞。然後,做為通孔之孔洞以主要由 Ag或類似物組成的導電糊填充,接著在空氣中、溫度約 8 5 0 C烘烤,在基板}上形成通孔2。下一步,在基板工的主 要表面以主要由Ag或類似物組成的導電糊進行網板印刷。 然後’在空氣中、溫度約8 5 〇它下烘烤,形成第一電路型 態3a及3b,部份地連接到通孔2。 下一步’以主要由無結晶性玻璃、結晶性玻璃、玻璃陶 £或類似物組成的絕緣糊進行網板印刷。然後,在特別位 置所形成之做為通孔的孔洞以主要由Ag或類似物組成的導 電糊填充,接著在空氣中、溫度約8 5 0 °C下烘烤,形成具 有通孔5a及5b的第一絕緣層4a及4b。 、 下—步,在第一絕緣層4a及4b的表面上以主要由Ru02或
第13頁 498349 五、發明說明(ίο) -一 類似物組成的電阻糊進行網板印刷,接著在空氣中、溫度 約8 5 0 °C下烘烤,形成厚膜電阻6 a及6b。然後,在第一絕 緣層4a及4b的表面上以根據本發明之導電組合物進行網板 印刷,使得其零件連接到厚膜電阻6 a及6b上,接著在非氧 化性氣壓(例如在氮氣氣壓)中、溫度約6 〇 〇它下烘烤,形 成第二電路型態7a及7b。 下一步,在第一絕緣 板印刷,接著在 絕緣層8 a及8 b。 絕緣層8 a上的特 再流動,使得連 如上述,根據 來形成第二電路 下烘烤,結果是 厚膜電阻6a及6b 對根據本發明 本發明之印刷電 明可應用到功能 在其上有半導體 他類似的裝置。 路板,雙面印刷 等。 空氣中 再者, 定位置 接架置 印刷電 型態7a 印刷電 提供熱 之印刷 路板1 1 性的模 裝置等 更特定 電路板 層4a及4b的表面上以絕緣糊進行網 、溫度約5 0 0 °C下烘烤;形成第二 焊劑(例如:乳狀焊劑)9被置於第二 上,並且架置零件1 〇被架設,接著 零件1 0到第二電路型態7 a上。 路板11,根據本發明之導電糊被用 及7b °因此,其可在溫度約6 〇 〇 路板可以高可靠性、且大體上不對 損害地製造。 電路板1 1做上述解釋。然而,根據 是不限於上述的實例。例如:本發 組’例如:混合丨以^!^^ IC)、 4置的功此性封裝(p a c k a g e )及其 地’其可廣泛地應用於單面印刷電 、彈性電路板、多層陶瓷電路板 本發明以下列具體之實例為基礎來解釋。
第14頁 498349
開始=··添加有機媒介物到銅粉及玻璃粉末的混合物 ’接著揉搓之,以製備具有下表1所示之組合物的導電 2。做為有機媒介物,使用可得自添加8〇重量部分之香油 月®到2 0重里部分之丙烯酸樹脂的混合物,接著混合。 ♦下步,在氧化鋁板上以表1中樣本號碼1至1 8代表之導 電糊進行網板印刷,形成薄膜厚度為2〇微米的塗層薄膜。 其在1 5 0 C下乾燥1 〇分鐘。然後樣本在氣壓(氧含量不多 =0·5一百萬士分之:部分)、6 0 0。。及7〇(rc之間的溫度下加以 烘烤一小時,在氧化鋁板上以導電糊形成某些厚膜導體 (電路型態)。 因此形成之厚膜導體被加以測量電線電阻、起始鍵結強 度及熱老化之後的鍵結強度。測量的結果與導電糊的組合 物一起列於表1中。 在表1中,電線電阻(m Ω/ □)是根據四終端方法,對電 路成型之厚膜導體的兩點間電阻測量得到的片狀電阻值, 並且具有長度(L )對寬度(W)的尺寸關係為 l〇〇:l(L/W=100/l),且轉換該值為每一單位厚度。在表i 之鍵結強度(牛頓,N)是以焊接的方式鍵結鉛線到厚膜導 體、接著是拉此鉛電線所得到的值。至此,具有尺寸2公 釐X 2公釐的厚膜導體,在2 3 5 ± 5 〇c下被浸到包含2 %銀 (Ag)的共熔焊劑中5 ± 1秒,並且直徑為〇 · 8公釐之鍍錫銅 線做為鉛線,以焊接的方式連接到此厚膜導體。測量的進 行是將此鉛線使用張力測試器在伸拉速度為2〇公釐/分鐘 拉伸。
第15頁 498349 五、發明說明(12) 有關上述之鍵結強声, 鍵結強度兩者都顯示二夺始鍵、’’°強度及在熱老化之後的 在焊接上述鉛線之後的立即鍵結 (始鍵結強度代表 鍵結強度代表物種在1 5 〇。 π 而在熱老化之後的 時之後的鍵結強度。 '皿又下加以老化處理1,0 0 0小 線路之電阻判斷的進—牛社 化之後的鍵結強度分別顯表1 &。。鍵結強度及在熱老 m Ω / □的值被用做判斷的枳準 \於電線電阻,3 · 〇 過該值之數值所產生的,下㊣^不σ日◦是對那些具有不超 之數值所產生ό勺。關於起U:x J對那些具有超過該值 判斷的標準’且標記〇是對那:呈:、30牛頓的值是用做 產生的,且標§己X是對那此且 不小於该值之數值所 的。再者,關於在熱老化:後::該值之數值所產生 用做判斷的標準’且標記。是對::強度,10牛頓的值是 值所產生的,且標記X是對那此呈:具有不小於該值之數 生的。 二一有小於該值之數值所產 在表1中,種類"1 ,, (Bl2〇3:B2〇3:S1〇2.3〇:4〇:t;;^r 表Zn。-M「si。2 破的
第16頁 498349 五、發明說明(13) [表1]
樣本 銅粉A 銅粉B 銅粉 玻璃粉末 烘烤的 電線的電阻 鍵結強度1 鍵結強度2 號碼 顆粒 氧含 顆粒 氧含 A:B的 種類 添加的 溫度 (ιήΩ〇 結果 (牛頓) 結果 (牛頓) 結果 尺寸 量(重 尺寸 量(重 比率 份量重 (°c) (微米) 量%) (微米) 量%) 量%) 1 1.0 2.5 0.5 1.5 70:30 1 10 700 2.0 〇 35 〇 15 〇 2 1.0 2.5 0.5 1.5 70:30 2 10 600 2.5 〇 33 〇 12 〇 3 1.0 2.5 0.5 1.5 50:50 2 10 600 2.7 〇 31 〇 10 〇 4 1.0 2.5 0.5 1.5 90:10 2 10 600 2.9 〇 31 6 11 〇 5 1.0 1.5 0.5 1.5 70:30 2 10 600 2.4 〇 33 〇 10 〇 6 1.0 2.5 0.5 0.5 70:30 2 10 600 2.4 〇 33 〇 12 〇 7 1.5 2.5 0.5 1.5 70:30 2 10 600 2.8 〇 33 〇 10 〇 8 1.0 2.5 0.5 1.5 100:0 2 10 600 3.2 X 32 〇 7 X 9 1.0 0.5 0.5 1.5 70:30 2 10 600 4.0 X 15 X 0 X 10 1.0 4.0 0.5 1.5 70:30 2 10 600 4.5 X 28 X 9 X 11 2.0 2.5 0.5 1.5 70:30 2 10 600 3.0 〇 25 X 5 X 12 0.8 2.5 0.5 1.5 70:30 2 10 600 2.9 〇 32 〇 6 X 13 1.0 0.8 0.5 1.5 70:30 2 10 600 2.7 〇 29 X 4 X 14 1.0 2.5 0.6 1.5 70:30 2 10 600 3.0 〇 31 〇 10 〇 15 1.0 2.5 0.7 1.5 70:30 2 10 600 3.0 〇 30 〇 9 X 16 1.0 2.5 0.5 0.1 70:30 2 10 600 2.8 〇 29 X 7 X 17 1.0 2.5 0.5 4.0 70:30 2 10 600 5.0 X 27 X 9 X 18 1.0 2.5 0.5 1.5 40:60 2 10 600 2.9 〇 30 〇 5 X *鍵結強度 鍵結強度 1.......起始鍵結強度 2.........熱老化之後的鍵結強度 從表1中,要了解:當使用樣本號碼8號之導、電糊時,電 線電阻增加且熱老化之後的鍵結強度降低,而起始鍵結強
第17頁 498349 五 、發明說明(14) 度是優良的。這是因為銅粉 少)。另-方面,當使用樣本二鋼粉6的比率太 化之後的鍵結強度降低,;ζ電糊時,熱老 量)。 疋因為銅粉A的比率太少、(鋼粉㈣比率過 也是當使用樣本號碼9及1 3號之導雷糊甘各 。 供烤時,不形成密實之厚膜導體之力亚^在約6〇〇°C下 有減少之起始鍵結強度及減少之敎老阻,f 是因為在銅粉A中的氧 ·建結強度。& 導電糊時,起#紐α / / 田使用樣本號碼1 0號之 少。這:因;ΐ結強度及熱老化後的鍵結強度兩者都減 ^ 疋U為在鋼粉Α中的氧含量過量。 化以;;;:11號之導電糊日寺,-起始鍵結強度及熱老 寸太大。另Ϊ減少:這是因為在銅粉八中的平均顆粒尺 老化後的鍵 ^ ’當使用樣本號碼12號之導電糊時,熱 是因為在度減少’雖然起始鍵結強度為優良的。這 也θ $銅tΑ中的平均顆粒尺寸太小。 強度減二使=樣本號碼15號之導電糊時,熱老化後的鍵結 β的平均黯\然起始鍵結強度為優良的。這是因為在鋼粉 也是卷尺寸太大。 烤時& §使用樣本號碼1 6號之導電糊並且在約6 0 0 °C下供 減少之Ϊ形成密實之厚膜導體,有減少之起始鍵結強度及 量太+ $化後的鍵結強度。這是因為在銅粉Β中的氧含 ^ ^。當使用樣本號碼1 7號之導電糊時,增加電線電 ρ且,並读小 ^ ^ 彳^'起始鍵結強度和熱老化後的鍵結強度兩者。這
第18頁 498349 五、發明說明(15) 一 是因為在銅粉B中的氧含量過量。 、比較上,使用樣本號瑪1至7號及1 4號的導電糊 成之電路型態顯示優良的導電性,電線電阻低 、” y 3 · 0 m Ω / □。其也顯示優良的鍵結強度,私起過 小於30牛頓,且熱老化後的鍵結強度不小於^牛g強度不 應注意的是:除了添加1重量%之玻璃粉末之、 有相同組合物之樣本號碼2號的導電糊時,恭 使用具 結強度會減少-些。這是因為在導電糊中的玻二板的二 太小。另一方面,除了添加16重量%之玻璃粉末々末伤里 :具有相同組合物之樣本號碼2號的導的j :會減少-些。這是因為在導電糊中的破璃粉末 太US If用包含少於50重量%、且不多於9〇重量%之, 末A的*電糊,以整個銅粉為基礎,該粉末之4 1.0重《、且不多於3·。重量%的氧, 寸是不小於。.9微米、且不大於I 5微 : 為基礎’也包含不多於5〇重量%、且不少於!。且以二銅 B、,’該粉末B包含不少於〇.2重量%、且不多於3重==末 =且具有平均顆粒尺寸是不多於。.6微米,其可能:文進: 粉及玻璃之間的可渴性、祚、隹 進銅 , ^ 改進銅粉的燒結性質、增加燒社 =本身的強纟,並限制熱老化後之鍵 至當在低氧含量中進行烘烤時。 的減夕,甚 根據本心明之‘電組合物包含銅粉及玻璃粉 鋼粉包含⑴從5〇至90重量百分比之含有從丨至3重量百中分该
498349
五、發明說明(16) 比氧的銅粉A 並且具有平均顆粒尺寸是從0 · 9至1 · 5微 ,,及(2)從10至50重量百分比之含有〇· 2至3重量百分比 氧的銅粉B,並且具有平均顆粒尺寸不大於〇· 6微米。因 藉著存在於銅粉A及b中的特定氧份量,銅粉及玻璃之 濕性被改進,銅粉之液相燒結平順地被加速,因此 改進。同日夺,厚膜導體久;;:電性及鍵結強度大大地 ±導電性及鍵結強度,因I;二;製造’有進-步改進的 %帮粒尺寸的銅粉B。 x/匕3某些比率之有相當小平 裉據本發明之印刷電路板也是〜 曰其上的電路板,其中至少部份 ^有提供特別電路型態 ^史導電組合物所形成的。因此,、電路型態是以根據本發 ^導電性及對電路板有夠大鍵結》刷電路板可以具有優 ,因為根據本發明之導電組合物^的電路型態獲得。再 么’印刷電路板可製被造有不同的^在相當低的溫度下烘 ^ ^,並且不對印刷電路板本身及^好特性、有優良的可 〇 /、他電路元件提供熱損 498349
第21頁
Claims (1)
- 六、申請專利範圍 含1· -種包含銅粉及玻璃粉末的導電組合物,該銅粉包 (1)從50至90重量百分屮夕人女 沾加从λ , 里白刀比之含有從1至3重量百分比氧 咖:)二亚且具有平均顆粒尺寸是從〇 9至15微米;及 的攸丨、〇至50重量百分比之含有〇·2至3重量百分比氧 5 ^ ’並且具有平均顆粒尺寸不大於0 · Θ微米;且 該玻璃粉末實質上不包含鉛組份。 2古,據申請專利範圍第丨項之導電組合物,其中該玻璃 已含硼矽酸鹽破璃,其包含至少Bl2 03及ZnO之一。 粉末包π專利範圍第2項之導電組合物,其中該玻璃 %)代 # S 具有以式xBi2〇3 — yB203-xSi02(1tx + y + z = 10(^* 茇^ :之組合物的玻璃組份,並且具-有組合比率(X,y,z) AU 5 2 Γ附圖1中所示之三重組合物圖中的鍵結點 及A 箅都’八)>:B(25,60,15)、C( 45,40,15)、D(45,2 0,3 5 ) 4、 根彳伤之依此序所包含之區域内。 粉末^含I請專利範圍第1項之導電組合物,其中該玻璃 %)代 ^ 3,有以式xBi2〇3-yB2〇3-xS!02(其中x + y + z二 100 莫耳 落在如^、姐合物的破璃組份,並且具有組合比率(x,y,z) A (丨5 3 5斤附圖1中所示之三重組合物圖中的鍵結點 及八尊却’5〇)、B(25,60,15)、C( 45,40,15)、D(45,2 0,3 5 ) 5、 _\份之依此序所包含之區域内。 粉末被圍第4項之導電組合物,其中該玻璃 物的鲍旦 的/辰度疋從2至1 5重量百分比’以、該導電組合 、、、4量為基礎。第22頁 498349 六、申請專利範圍 一一 6. 根據申請專利範圍第1項之導電組合物,其中該玻璃 粉末被包含的濃度是從2至1 5重量百分比,以該導電組合 物的總量為基礎。 7. 根據申請專利範圍第5項之導電組合物,其中該玻璃 粉末具有平均顆粒尺寸範圍是從0. 1至1微米。 8. 根據申請專利範圍第1項之導電組合物,其中該玻璃 粉末具有平均顆粒尺寸範圍是從0. 1至1微米。 9. 根據申請專利範圍第1項之導電組合物,其中該導電 組合物進一步包含一種由結合劑及溶劑組成之有機媒介 物,且烘烤溫度必須不超過7 0 0 °C。 1 0. —種在其上提供有特定電路型態的印刷電路板,其 中至少部份的該電路型態以根據申諝專利範圍第1至9項之 任一項的導電組合物形成。第23頁
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000124303A JP2001307547A (ja) | 2000-04-25 | 2000-04-25 | 導電性組成物およびそれを用いた印刷回路板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW498349B true TW498349B (en) | 2002-08-11 |
Family
ID=18634451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090108679A TW498349B (en) | 2000-04-25 | 2001-04-11 | Electroconductive composition and printed circuit board using the same |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6468447B2 (zh) |
JP (1) | JP2001307547A (zh) |
GB (1) | GB2361695B (zh) |
TW (1) | TW498349B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI509631B (zh) * | 2011-02-25 | 2015-11-21 | Henkel IP & Holding GmbH | 用於電子裝置之可燒結銀薄片黏著劑 |
US10000670B2 (en) | 2012-07-30 | 2018-06-19 | Henkel IP & Holding GmbH | Silver sintering compositions with fluxing or reducing agents for metal adhesion |
CN111548194A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-18 | 南京凯泰化学科技有限公司 | 一种印制电路板的制备方法 |
US11745294B2 (en) | 2015-05-08 | 2023-09-05 | Henkel Ag & Co., Kgaa | Sinterable films and pastes and methods for use thereof |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4565823B2 (ja) * | 2003-09-08 | 2010-10-20 | 京セラ株式会社 | 圧電アクチュエータ用導電ペースト、圧電アクチュエータ及び液体吐出装置 |
US7435361B2 (en) * | 2005-04-14 | 2008-10-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
US8344523B2 (en) * | 2006-05-08 | 2013-01-01 | Diemat, Inc. | Conductive composition |
KR100896610B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2009-05-08 | 삼성전기주식회사 | 다층 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
US20100164030A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-01 | International Business Machines Corporation | Chip carrier bearing large silicon for high performance computing and related method |
US20110303883A1 (en) * | 2009-02-24 | 2011-12-15 | Kentaro Ishihara | Glass composition for electrode formation and electrode formation material |
US8207453B2 (en) * | 2009-12-17 | 2012-06-26 | Intel Corporation | Glass core substrate for integrated circuit devices and methods of making the same |
US9420707B2 (en) * | 2009-12-17 | 2016-08-16 | Intel Corporation | Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same |
SG193304A1 (en) * | 2011-03-08 | 2013-10-30 | Merck Patent Gmbh | Metallisation barrier based on aluminium oxide |
WO2013133827A1 (en) | 2012-03-07 | 2013-09-12 | Intel Corporation | Glass clad microelectronic substrate |
US9001520B2 (en) | 2012-09-24 | 2015-04-07 | Intel Corporation | Microelectronic structures having laminated or embedded glass routing structures for high density packaging |
KR102105906B1 (ko) * | 2018-09-18 | 2020-04-29 | (주)창성 | 고온 소결용 Cu 페이스트 조성물 및 이를 구비한 금속-세라믹기판의 제조방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2550630B2 (ja) * | 1987-12-23 | 1996-11-06 | 株式会社村田製作所 | 導電性被膜形成用銅ペースト |
JPH0465010A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-03-02 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 銅導体ペースト |
JPH04277406A (ja) * | 1991-03-04 | 1992-10-02 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 銅導体ペースト |
JPH06318403A (ja) * | 1993-05-07 | 1994-11-15 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性被膜形成用銅ペースト |
US5413193A (en) * | 1994-03-31 | 1995-05-09 | Miller; Steven | Adjustable eye bolt for bicycle cantilever brakes |
JPH08306228A (ja) * | 1995-05-10 | 1996-11-22 | Murata Mfg Co Ltd | 銅導電性ペースト |
US5976628A (en) * | 1995-12-08 | 1999-11-02 | Mitsuboshi Belting Ltd. | Copper conductor paste and production method of copper conductor film |
JPH10233119A (ja) * | 1997-02-18 | 1998-09-02 | Mitsuboshi Belting Ltd | 銅導体ペースト及び該銅導体ペーストを印刷した基板 |
-
2000
- 2000-04-25 JP JP2000124303A patent/JP2001307547A/ja active Pending
-
2001
- 2001-04-11 TW TW090108679A patent/TW498349B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-04-12 GB GB0109258A patent/GB2361695B/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-25 US US09/842,222 patent/US6468447B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI509631B (zh) * | 2011-02-25 | 2015-11-21 | Henkel IP & Holding GmbH | 用於電子裝置之可燒結銀薄片黏著劑 |
US10000670B2 (en) | 2012-07-30 | 2018-06-19 | Henkel IP & Holding GmbH | Silver sintering compositions with fluxing or reducing agents for metal adhesion |
US11745294B2 (en) | 2015-05-08 | 2023-09-05 | Henkel Ag & Co., Kgaa | Sinterable films and pastes and methods for use thereof |
CN111548194A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-18 | 南京凯泰化学科技有限公司 | 一种印制电路板的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20010042854A1 (en) | 2001-11-22 |
JP2001307547A (ja) | 2001-11-02 |
GB2361695B (en) | 2002-08-21 |
GB2361695A9 (en) | 2002-04-15 |
US6468447B2 (en) | 2002-10-22 |
GB0109258D0 (en) | 2001-05-30 |
GB2361695A (en) | 2001-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW498349B (en) | Electroconductive composition and printed circuit board using the same | |
EP0235682B2 (en) | Aluminium nitride sintered body having conductive metallized layer | |
US9799421B2 (en) | Thick print copper pastes for aluminum nitride substrates | |
TW200807464A (en) | Ceramic electronic component and method of producing the same | |
JPH08180731A (ja) | 導電性厚膜組成物、厚膜電極、セラミック電子部品、および積層セラミックコンデンサ | |
JPS63181400A (ja) | セラミツク多層基板 | |
JP5075222B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
JP2001243836A (ja) | 導電性ペースト及びそれを用いた印刷配線板 | |
JP4973546B2 (ja) | 導電性ペースト、積層セラミック電子部品および多層セラミック基板 | |
TW200525555A (en) | Thick film conductor paste compositions for LTCC tape | |
JP2572823B2 (ja) | セラミック接合体 | |
TWI742979B (zh) | 緩衝層用助燒結劑、包含緩衝層之電阻及電阻製法 | |
JP3610247B2 (ja) | 配線基板 | |
JPH09190950A (ja) | 電子部品の外部電極 | |
JP7243856B2 (ja) | 回路基板及び回路基板の製造方法 | |
JPH0465011A (ja) | 銅導体ペースト | |
JP3929989B2 (ja) | 導電性ペースト及びその導電性ペーストを用いたセラミック多層回路基板。 | |
JPH11284296A (ja) | 配線基板 | |
JP4646362B2 (ja) | 導体組成物およびこれを用いた配線基板 | |
JP4254136B2 (ja) | 導電性ペーストおよびセラミック電子部品 | |
JP5313526B2 (ja) | 低温焼成多層基板用導電性ペースト | |
JP2004055558A (ja) | 銅ペースト及びそれを用いた配線基板 | |
JP3556377B2 (ja) | 配線基板 | |
JP2000182435A (ja) | 導電性ペースト及びセラミック電子部品 | |
JP2009043516A (ja) | 導電性ペースト及び圧電部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |