TW479364B - Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor - Google Patents
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Description
479364 A7
本發明牽涉到製造包切半導體主體的半 攻主赠且右—^主 來直咸 缸/、 表面，該表面具有絕緣閘極的場效泰曰蝴 並覆蓋有閘-電介皙厣、、成、Um 9 ’ 丨資層，孩層I上澱積有矽層，在該層之 上形成-定羲該閘極的蝕刻光罩，之後以蝕刻方法二中 形成孩閘極，接著藉由在半導體主體表面植入離子在該閘 極附近出現摻雜區，該區形成該電晶體的源極和汲極區， 之後下步驟中，塗佈一金屬層，與半導體主體中的源 極和汲極區以及閘極的上表面形成接點，並藉由覆蓋閘極 側壁的中間電絕緣層隔開該閘極側壁，之後，#由加熱， 在該金屬層接觸矽的位置形成金屬矽接點，接著藉由選擇 性蚀刻移除金屬層未改變的部份。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
其中，這類方法曾在專利文件US-A 5,753,557中介紹 過。在製造積體電路時，所形成的源择和汲極區以及閘 極’一般具有梦金屬合金的低阻抗接點，以下稱爲矽化 (silicide )。珍接點的提供通常藉由在整面表面上澱積合適 的金屬譬如鈥自行調整產生，接著執行加熱步驟。在鈦直 接接觸矽的位置，譬如電晶體的源極和汲極區以及一般由 掺雜多晶矽組成的閘極之上，該鈦轉變爲矽化物。在鈦未 接觸碎的位置，譬如場效氧化層或絕緣槽之上，以及閘極 覆盍有間隔區的側面，鈥不會改變。未改變的鈦可藉由選 擇性的蝕刻步驟加以移除。事實上，已發現這通常一方面 導致源極區及/或没極區間，另一方面，透過沿著間隔區 的接通與該閘極間的短路。在本專利中，此現象通常被稱 爲「橋接」。爲避免此種短路，上述專利文件US-A -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） T,--..----------------、訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 479364 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 --------_Β7____ 五、發明說明（2 ) 5,753,557提出儘可能將閘極上的間隔區延伸地像閘極上表 面一樣遠，以增加矽接點間的距離。其中此方法的缺點爲 閘極上的接點尺寸會縮小，因而增加電晶體的輸入阻抗。 此外，此方法需要一相當關鍵的蝕刻步驟，以獲得定義閘 極上的接點之光罩。 本發明的目的係提供一種不會導致接點阻抗增加也不必 採用額外關鍵處理步驟即可避免Γ橋接」的方法。爲了達 到此目的，在本文件第一段所述之方法種類，其特徵在於 根據本發明，其中在閘極出現蚀刻光罩以及角度與表面呈 垂直時執行離子的植入，以致投射於蝕刻光罩側壁上的離 子向半導體主體表面散射，並在閘極附近的源極和汲極區 形成子區域，該子區域的摻雜程度較離閘極相當遠的部份 源極及汲極區要高，之後，藉由熱氧化，在源極和汲極區 上形成一氧化層，該氧化層在子區域上的厚度要比上述離 源極及没極區遠的部份要厚，之後，接著執行蝕刻步驟， 其中該較遠的源極及汲極區部份上的氧化層整個被移除， 孩子區域上的氧化層僅將部份厚度移除，以致氧化層保持 在子區域之上’且在隨後步驟中，在該較遠部份上所提供 的金屬層，與半導體主體表面接觸，以及在該子區域位置 上的金屬層，藉由氧化層與該表面分隔開來。本發明利用 眾所週知的現象，在矽的氧化的情況下，氧化速率隨摻雜 濃度增加。因此離子散射到光罩上，小範圍接近閘極的摻 雜濃度同時增加，以致在氧化的情況下，較厚的氧化層在 這些區域生長，在矽化製程中形成額外的間隔區。這些區 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21(} 297公釐） 'Γ;--;----------------^丨訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
五、發明說明（3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印f 隔區以簡單、自行調整方式獲得，不必加入額外的關鍵處 理步驟。 根據本發明的較佳方法具體實施例如個別的申請專利範 圍所述。 本發明的各種觀點係來自之後所述之具體實施例，且將 參考該具體實施例加以闡明。 在附圖中： 圖1-8顯示利用本發明方法所製造的場效電晶體之側視 圖’爲製垮製程的不同階段。 下又中，將藉由範例，包含具有浮動閘的n通道場效電 晶體的非揮發記憶體元件，説明根據本發明的一種方法。 很明顯地，根據本發明的方法也可用於製造一般η通道電 晶體或ρ通道場效電晶體以及包含兩種導電類型的電晶體 之積體電路。應特別注意到，處理步驟係針對本發明加以 描述。對本發明而τ並不重要但爲標準處理步驟的譬如像 防穿通植入等傳統處理步驟，此處並不説明。 從包含第一導電型表面區3的矽的半導體主體1開始， 本例:，該表面區鄰接一表面2。在表面區3中，以傳統 方式疋義一作用區，例如沿著作用區的周邊之厚的場氧化 物附近，圖巾未顯*。當然另夕卜也可以沿著作用區周邊產 生絕緣槽。作用區表面2，例如藉由熱氧化，覆蓋有厚度 爲例如llnm的氧化層5，形成浮動閘_M〇s電晶體的間電 介質。在此氧化層上’轉統方式形成-多晶#或非晶碎 層6，厚度馬例如〇·2 ^ m，該矽層在原處或在稍後階段進
479364 A7. ___ B7 五、發明說明（4 ) 行p型摻雜。在矽層6上形成一光致抗蝕層7的光罩，定義 MO S電晶體的浮動閘極。該光罩7可直接在層6上形成。 但取好是該層6先具有一碎氧化或氮氧化梦層4，之後在 該層4上形成光罩7。圖}顯示此製造階段的裝置。 層4和層6無光罩的部份（以下將以多層表示）藉由蝕刻的 傳統方法移除，藉此形成浮動閘或閘極8 (圖2 )。氧化層 5未覆蓋的部份也可移除，如圖2所示，但非必要。可視 需要在稍後階段移除氧化層5的這些部份。與大部份傳統 製程不同岣是，尚未移除光罩7。 接下來，參見圖3，坤（As)離子的植入以線段9表示。 離子以角度Θ植入，在本範例中爲7度，並與表面呈垂直 角度1 0植入。例如植入能量爲6 〇 K e V。已發現到在此條 件下’投射於光罩7上的神離子以表面2的方向散射。鄰 近浮動閘極8的區域1 1 a，不僅如鄰區i J b 一樣直接植入 砷離子，且離子均由光罩7散射。因此區域^^較將形成 的電晶體源及汲極區1 1 b獲得較高的摻雜濃度。離子植入 後，移除光罩7。 在隨後步驟中，氧化環境下的溫度在1 〇分鐘内升高到 約800°C。矽氧化層在矽主體表面上以厚薄不一的方式形 成’該秒氧化層的厚度1 4很薄爲40 nm，分別在源極區和 没極區較不咼度掺雜區12a和13a之上形成，以及一厚度 相當厚的層1 5約爲80 nm，該層在源極和汲極區的較高度 摻雜區12 b和13b之上形成（圖4)。同時，氧化層16在多 閘極8側面形成。藉由氧化氮氧層4掩蓋閘極8的上表面， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫未頁) -------I ^---------線' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7
479364 五、發明說明（5 ) 該層在氧化步驟後可選擇性地移除。藉由各向異性蝕刻， 移除子區域12a和13a上相當薄的氧化層14。由於氧化層 14、15間厚度差異，蚀刻步驟可以較高度摻雜區i2fc和 1 3 b保持覆蓋有氧化層} 5的方式來執行。接著，浮動問8 覆蓋薄的共聚電介質17，該電介質可由例如氧-氮_氧化 層形成。整個被第二多層18覆蓋，接著再摻雜。圖5顯示 此製造階段。 依傳統觀念，多層1 8具有的模式可獲得控制閘1 9。控 制閘側壁*有氧化間隔區2 〇。移除區域1 2 &和1 3 &之上的_ 氧化物，同時區域i 2b和13b保持覆蓋有氧化物15 (圖 6” 下一步驟（圖7)，一金屬層21，以鈦爲例，澱積例如約 30 nm的厚度。該層21首先接觸源極和汲極區12a和13a 以及控制閘1 9的上表面，且由氧化層1 5隔開_近閘極8的 區域1 2 b和1 3 b，以及由間隔區2 0隔開控制閘丨9的側 壁。藉由以溫度例如700°C加熱，接通矽的鈥將轉變爲石夕 化鈥合金，同時剩餘接通氧化矽的鈦不會形成合金。藉由 選擇性蚀，可移除非合金鈦，產生如圖8所示的階段。二 源極區1 2和汲極區1 3分別具有矽化接點2 2和2 3，該接點 先分別延伸至區域1 2 a及1 3 a之上，兩者距閘極有一段距 離。該控制閘1 9也具有一矽化接點2 4，橫向穿過閘極寬 度。一方面矽化接點2 2及2 3之間以及另一方面和碎化接 點2 4之間的短路由於出現整個以自行調整方式形成的氧 化層1 5而避免掉。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 'L---_----------------、丨訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^/^364
五、發明說明（6 攸上述内谷瞭解到，氧化層15的區域i2b與13b的寬 度可藉由植入角度㊀、光致抗蚀層7和多層6以及植入離 子的能量與類型加以調整。並發現到，植入角度爲7度， 多層（約250 nm)和光致抗蝕層7(約i 35"m)採用傳統厚度 時’可獲得寬度約300 nm的氧化層。 上又中，已藉由非揮發性記憶體元件説明本發明。很明 顯地，本發明也很容易用來製造可形成部份電子電路的主 動電路元件Μ Ο S電晶體。 並且對衿本行業專家很明顯地有許多不同的變化。例 如，氧化間隔區1 5的寬度可在某種限度内藉由調整光致 抗蚀層7、植入角度θ、植入能量和所使用的雜質加以調 整。本方法不僅可用於製造η型通道電晶體也可製造ρ型 通道電晶體。 ’ 1--；-----------------I ^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 479364 第89 1 02499號專利申請案 中文說明書修正頁(90年11月） A7 B7 qo^i/n \>^ 補充 五、發明説明) 圖式元件符號說明 1 半導體主體 13a 較不高度掺雜區 2 表面 13b 較高度摻雜區 3 表面區 14 氧化物層 4 氧化矽或氮氧化矽層 15 氧化物層 5 氧化物層 16 氧化物層 6 多晶碎或非晶碎層 17 共聚電介質 7 光致抗蚀層 18 多層 8 浮動閘或閘極 19 控制閘 9 線段 20 氧化物間隔 10 垂直 2 1 金屬層 11a 區域 22 碎化物接點 lib 區域 23 矽化物接點 12a 較不高度摻雜區 24 矽化物接點 12b 較高度摻雜區
裝
-93 -本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 479364 專正 號修 9圍 9範 -4利 24:o Z 11 、一 ：口 9中 8文 第中 請 中 利 年 90 案月 A BCD /¾ \>D 六、申請專利範圍 1· 種製造半導體裝置的方法，包括：一碎半導體主體在 表面上具有一含絕緣閘極的場效電晶體，該表面覆蓋有 閘-電介質層，該層之上澱積一矽層，其上形成定義該 閘極的I虫刻光罩，之後，藉由姓刻從該碎層形成該閘 極，接著藉由在半導體主體表面植入離子在該閘極附近 形成摻雜區，該區形成該電晶體的源極區和汲極區，之 後，在接下來的步驟中，塗覆一金屬層，該層與半導禮 主體中的源極及汲極區以及與該閘極的上表面形成一接 點，且其藉由覆蓋閘極側壁的中間電絕緣層與該閘極側 壁分隔開，之後，藉由加熱，在金屬層接觸矽的位置形 成金屬矽化接點，以及接著藉由選擇性蝕刻移除未轉換 的部份金屬層，其特徵在於在閘極出現蝕刻光罩以及角 度與表面王垂直時執行離子的植入，以致入射於蝕刻光 罩側壁上的離子向半導體主體表面散射，並在閘極附近 的源極和汲極區中形成子區域，該子區域的摻雜程度較 離閘極相當遠的部份源極及汲極區要高，之後，藉由熱 氧化，在菽源極和汲極區上形成一氧化層，該氧化層在 子區域上的厚度要比上述離源極及汲極區遠的部份要 厚，該步驟之後，接著執行蝕刻步驟，其中該較遠的部 份源極及汲極區上的氧化層整個被移除，且該子區域上 的氧化層僅將部份厚度移除，以致氧化層保持在子區域 (上，且在隨後步驟中，在該較遠部份上所提供的金屬 層與半導體主體的表面接觸，以及在該子區域位置上的 金屬層’藉由氧化層與該表面分隔開來。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公董)__ 479364 A B c D六、申請專利範圍 2.如申請專利範圍第1項之方法，其特徵在於該垂直和植 入方向間的角度等於，或至少實質上等於7度。 3·如申請專利範圍第1或2項之方法，其特徵在於該蝕刻光 罩係由厚度等於，或實質上等於2 的光致抗蝕層所形 成。 4·如申請專利範圍第1項之方法，其特徵在於該離子係由 砷離子所形成。 5·如申請專利範圍第1項之方法，其特徵在於提供該閘極 作為具有浮動閘的場效電晶體形式之非揮發性記憶體元 件的浮動閘極。 6·如申請專利範圍第3項之方法，其特徵在於該離子係由 坤離子所形成。 7·如申請專利範圍第3項之方法，其特徵在於提供該閘極 作為具有浮動閘的場效電晶體形式之非揮發性記憶體元 件的浮動閘極。 8.如申請專利範圍第4項之方法，其特徵在於提供該閘極 作為具有浮動閘的場效電晶體形式之非揮發性記憶體元 件的浮動閘極。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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