TW473719B - Flash memory - Google Patents
Flash memory Download PDFInfo
- Publication number
- TW473719B TW473719B TW089111490A TW89111490A TW473719B TW 473719 B TW473719 B TW 473719B TW 089111490 A TW089111490 A TW 089111490A TW 89111490 A TW89111490 A TW 89111490A TW 473719 B TW473719 B TW 473719B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- data
- aforementioned
- memory
- signal
- read
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1072—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in multilevel memories
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C2029/0411—Online error correction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/10—Aspects relating to interfaces of memory device to external buses
- G11C2207/104—Embedded memory devices, e.g. memories with a processing device on the same die or ASIC memory designs
Description
A7 A7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 、發明說明(i ) 發明概述 發明範圍 本發明與快閃記憶體相關,尤其是與搭載了訂正錯誤電 路,具備高度可信性的快閃記憶體相關,可以使用在 NAND型快閃記憶體及NOR型快閃記憶體等。 相關先前技藝 非揮發性半導體記憶體之中的快閃記憶體,可以用較電 爲大的單位來刪除、重寫資料,可以應用在取代硬碟、在 私月包系統中記憶BIOS (基本輸出輸入系統)、行動電話上記 fe通信章程等及在數位相機等上記憶圖像等。因此記憶在 快閃記憶體内的資料,只要發生1位元的錯誤,就會造成 電腦系統當機、行動電話無法通信或是資料被破壞等問 題。 " 爲了要求應用快閃記憶體的系統具備高度可信性,用於 管理快閃記憶體的系統應該具備附加檢查資料,寫入&閃 記憶體内,以及讀取資訊資料與檢查資料,檢查資訊資料 有無錯誤,若發生錯誤即訂正錯誤的功能,可以對希望記 憶的 > 訊資料檢測及訂正錯誤。 然而,管理快閃記憶體的系統每次訂正錯誤的方法都 相同,例如,檢查資料不同、且資料長度不同時,就备發 題。亦即,以某個系統A所寫入的資料,由 ,予対,即使频無誤,-仍可I魏 正確边』—赴1變成錯誤 時,也可I檢肩〜錯..誤以致破壞了系統上的資料。、·。 本紙張尺τ目驛標準(CNS)Ai^T^ --------訂---------線 IPP· C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -4 - 297¾) 4?37切 A7 、發明說明( 兩有一種補救的方法,誤訂…总 可以有效的在快閃記憶體内 %$錯誤訂正。 但是錯誤訂正電路既複雜電路面積又大,快閃記憶體需 要的晶片,導致成本提高。解決之道,如本專利申請 ^ 的特願平7 J ^^ ^it * ^ ^ ^^ 人·, 、 -----—〜〜.〜〜 一 一‘ _ /、 备ii’一來抑制電路面積的增加。~~' 一此外,取近也發現採用多値記憶式的快閃記憶體,將工 位元以上的資料記憶仏個記憶格内。但是,彡値記憶式 的快閃記憶體’當Η®記憶格破壞時,會造成數個位元資 料的錯誤(亦即,發生叢發錯誤)。 爲求以短的檢查資料更有效率的訂正此種叢發錯彳吳「,有 . 卜日曰片尺寸加大,成 人㈢k出申請的特願平6_326344中,採用位元單位的錯誤 可正克法來執行多値記憶式快閃記—憶直,的錯誤訂正 個檢查資料來支援同時寫人i個記憶格内的數個位 料。 ^ 如上所述’雖上!±i尤鼓,閃記憶體内搭載錯誤訂正 |路的技術,但是並沒有一種正電路的¥閃記、 ^-/色_此...夠-兼.顧、..與.過去沒有搭載錯誤訂正電路的.快閃 之間的互換性,以及在縮Μ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一-DV « ί線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 J—i -5-
万面、 一短產生檢查資赴獻需時間方I 一
瑕疵分析時,游$ x產叩測試,J 憶體ΐ應f手^ 錯誤訂.正i路迁成故戈既忽I邀處都的 發明所欲解決之問題 。 本發月的目的,係針對上述 有搭載鋩每—X + 、 1 彳疋供一種與過去沒 、二a $ <正电路之快閃記憶體可以1施^ 體。1 〜一 J以互」1$快閃記憶 本發明的其他目的,在提供一種 誤確認所需時間,㈣m的檢測及錯 ㈣間的'心憶: "出時間’以縮短平均讀 4:所i:明的其他目的’在提供一種可以縮短產生檢 且貝枓所而時間’縮短表面上寫入時間的快閃記憶髀。 ::匕本發明的其他目的,在提供一種執行產品; 产疵刀析時,避免發生故障的快閃記憶體。 f ^匕!發明的其他目的,在提供—種快閃記憶體管理 勃二:其記憶格内寫入追加資訊資料,仍然能夠正確 執仃錯誤訂正的快閃記憶體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 …此外’纟發明的其他目的,在提供—種可以不倚賴 貧料長度,來正確執行錯誤訂正,應用系統在執行錯誤訂 正時,不致因記憶體内部的錯誤訂正電路造成故障的快 記憶體。 此外’本發明的其他目的,在提供一種可以選擇是否户欠 動搭載於内郅的錯誤訂正電路,方便執行瑕疵分析的快閃 -6- 本紙張尺度適財關家標準(CNS)A4規格(210 x 297公爱
、發明說明( 各己憶體。 此外,本發明的其 却拉W、 共他目的,在提供一種可以同時生產内 邵錯誤玎正電路有作 違地沾也0日、,用的產口口及無作用的產品,以提高生 同B每卜白本^明的其他目的’在提供一種應用開啓電源的 ’動憶格陣列讀出指定資料之快閃記憶體的系 ^ 不官如何運用搭載於快閃記憶體内的錯誤計正電 卩可以執行錯誤訂正,具有高度穩定性及可靠性的快 閃記憶體。 非I日j r天 柊内i入發明的其他目的’在二-竺藉由在1复記t 才口内寫入2 的资斜_,杖井7 + ;一—— 一一‘ IHUI BiCH符號的錯誤訂正 '----------------明-皮立' J、的多^直、快.閃記情體9 出,4誤玎正電路仍能正常運作的快閃記憶體。 纟發明的其他目的,在提供—種藉由將從記憶格 所I買出的資訊資料及檢查資料輸出至外部,可以檢查是否 能夠正確產生檢查資料’具有高度可靠性的快閃記憶體。 解決問題之手段 本發明的第一快閃記憶體,係由以下部分所構成"己憶 =由數個快閃記憶格所構成
外邵的寫入資料輸入命令,產生寫入資料搜入命令信號, 接文外邵的寫入命令’產生寫入命令信破、七第一信號_ 器丄其係接收外部所輸入的第一信號;控制信號產生電 路,其係依據前述的寫入命令信號啓動,產生控制信號P 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} J^T,. -·線; 經 濟 部 .智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明說明(5 貝料輸入緩衝器,纟係依據前述的冑人資料輸入命令信號 啓動二iii述第一信號同步接收外部所輸入的寫入資料; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其係依據前述的寫入資料輸入命令信號啓 動,與前述的第一信號同步接收前述的寫入資料I依據前 述的寫入命令啓動,與前述—的控制信號同步產生用於訂正 錯誤的檢查資料;收外入 、处、, 一一一 ——一Xi —v ' 址貨料:遲焉息身料輸 入〜命令信號啓動,並依據與前述第一信號同步,依據前述 位址資料及按照事先所決定的順序產生·位址信號,依據前 述寫入命令信號啓動,與前述的控制信號同步,按照事先 所決定的順序產生位址信號;數‘4^1餘記憶電雄,其係分 別針對各個記憶格設置,分別接受所分配的位址信號,暫 時记憶數個資料,放入前述的寫入資料及檢查資料;及寫 ,立ί舞5"其係麥農.煎述的寫入命令啓動,將暫時記憶在前 述數個資料記憶電路内的寫入資料及檢查資料寫入前述的 記憶格内。 -I線· 此外,第一快閃記憶體的較佳實施例,還具有:(1)依 ,前述寫入命令信號,^出至外部的^^虎 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的第二快閃記憶體,係由以下部分所構成:記愤 區,其係由數個快閃記憶格所構成;記憶格陣並: =個前述的記憶區所構成;產生控制信號的控制信號產生 電路;〜第一信號緩衝器,其係接收外部所輸入的第一信 唬,位址緩衝器,其係接收外部所輸入的位址資料;位 -8-
47371U 、發明說明(6 ) 定的順序產生位,同步’按照事先所決 述位址資料,按照事弈、=七述第一信號同步,依據前 係依據前述位:^:的::產生位址信號; 記憶區,從選擇的^科’選擇前述記憶格陣列中的 貧ϋ憶H,其係分別釉夂伽、〔才口中靖出貝枓;一^4 別從所選擇之纪情「、fr 士各個6己憶格設置,暫時記憶分 受所分=„憶格讀出的資料,分別接 資料;資料輸出緩:器=!記!的記憶格所讀出的 述數個:、:、=述罘一信號同步’將前 外部4錯誤訂正:::::憶格中讀出的資料輸出至 從前述數^料ΐΐ ί 控制信號同步,接收 前述第-信號同步憶格讀出的資料,並與 資料是否錯誤,並加=:述資料輸出緩衝器所輸出的 此外,第二快閃記憶體的較佳實施制, t ) 彳貫她例,也可以如以下的 (1)'還具有命令介面,j係 、 產生妝能為山人人a t 丨的狀怨i買出命令, 生狀一出叩令信號;及狀態輸出手段 狀態讀出命令信號啓動,藉 +系依據則= 出從記憶格所讀出的資料有無錯誤。勺貝枓輸出緩衝器,輸 可以訂正從記 :料中的數個資料,前一手段可::= ⑺前述的錯誤訂正電路,可以訂正從記憶格所讀出之 -9- 本紙張尺度綱+ @國家標準(CNS)A4規格(21G X 297公« 7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂: 線」 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
47371U A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(7 ) :料中的η個㈣)資料,可以檢測㈣個存在的錯誤, 則述的狀態輸出手段可以輸出能否執行錯誤訂正。 t路,其係在践憶格讀 料及前述錯誤訂正電路接ϋ隐格所讀出之““ 間’持績將忙碌信號輸出至外部。 、 本:明的罘二快閃記憶體,係由以下部分所構成:記憶 區,其係由數個快閃記憶格所構成;記憶抬立係 數個前述記憶區所構成;命令介面,其係接受外部的訂 =出命令,產生訂正讀出命令信號;織复號產生電路 其係依據前述訂正讀出命令信號啓動,產生控制信號: 一信號緩衝器’其係接收外部所輸入的第一信號;位址 衝器’其係接收外部所輸入的位址資料;位址信號產生啦 路,其係與前述第-信號同步,依據前述位址資料,並: 照事先所決定的順序產生位址信號,並依據前述訂正 命令信號啓動,與前述控制信號同步,並按照事先所4 的順序產生位址信號;純依據前述位 料,選擇前述記憶格陣列中的記憶區,從選擇的 各個記憶格中讀出資料,^_紐減I路,其係” 各個記憶格設置,暫時記憶分別從所選擇之記憶區, 的記憶格讀出的資料’分別接受所分配的位址信號 從暫時記憶的記憶格所讀出的資料;資料輸出緩衝器:1 係與前述第-信號同步’將前述數個資料記憶電路所輪 炙記憶格中讀出的資料輸出至外部;三錯誤訂正電路』 係與前述第-信號同步,接收從前述;個資料記$電路車 由 正 第 緩 電 應 出 其 出 其 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·· .線』 -10 參紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐 473719 A7 B7 五、發明說明(8 出之記憶格讀出的資料,* t 前述數個資料記憶電路幹出卞則述控制仏號同f,接收從 記憶格所讀出的資料是記資料,判斷從 生錯誤的資料。 右有軋决時,可以指出發 此外’ ^3燕的把憶體的較佳實施例, ⑴〜(4)項$述: 铋佳貫孤例,也可以如的 具,其係 邵的狀態讀出命令,產生狀 ”1面接文外 狀態讀出命令信號啓動,〆;:::=破,再依據前述 出攸圮憶格所碩出<資料有無錯誤。 + 、(H述可以訂正從記憶格之 ;料中的數個資料,前述狀態輸出手段可以輸出錯:的數 ^前可以訂正從記憶格所讀出之 二枓中的η個㈣1)資料’可以檢測(n+1)個存在的錯誤, W述的狀態輸出手段可以輸出能否執行錯誤訂正。曰 料ϋ間,向外部輸出忙綠信^—I且依讀出 命令k號,將忙碌信號輸出至外部。 本發明的第四快閃記憶體,係由以下部分所構成:記憶 區,其係由數個快閃記憶格所構成;命令介面,其係接受 外邵的寫入資料輸入命令,產生寫入資料輸入命令信號, 接文外郅的寫入命令’產生寫入命令信號;第一信號缓衡 器’其係接收外部所輸入的第一信號;控制信號產生電 -11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1·----------^裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· --線‘ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4?3’7切
路,其係依據前述的寫入侖人 資料輸人缓衝器,其#依1a,產生控制信號; 啓動,*前述第叶^據料的寫人資料輸人命令信號 錯誤訂:電路,其;::!接收外部所輸入的寫入資料; 動,與前述的第二信號=述的:入資料輸入命令信號啓 ,同步接收前述的寫入資料,依據前 述的寫入命令啓動,命A 1 m妹則 Μ /、則述的控制信號同步產生用於訂正 :二的“货料;姐纽,其係'分別針對各個 =格設置,與前述第—信號及前述控制信 = =憶數個資料’放人前述的寫人資料及檢查資料;及= 其係依據前述的“命令啓動,將暫時記憶在前述 電路内的窝人資料及檢查資料寫人前述的記 憶格内。 '外ΐ $上·,‘閃!己憶體的較佳實巍1,還具有:(1丄依 ϋϋ碌信號輸出至外部的忙旋作骑 輸出電路。 —一———7 經濟部知曰慧財產局員工消費合作社印製 本^明的第Hi己...疼體,係由以下,分巧構成:記憶 k其係由數個快閃記憶格所構成;記憶格陣列了 =個前述的記憶區所構成;產生控制信號的控制信號產生 迅路,第一仏號緩衝器,其係接收外部所輸入的第一信 说位址凌衝器,其係接收外邵所輸入的位址資料;讀出 手段’其係依據前述位址資料選擇前述記憶格陣列中的記 憶區,從所選擇之記憶區内各個記憶格讀出資料;數個資 料屺憶電路,其係分別對各個記憶格設置,暫時記憶分別 從所選擇之記憶區所對應的記憶格讀出的資料,與前述控 12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱 473719 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(10 制信號及前述弟一 Mn y _ .士山AA、之此次赳认 卿出從暫時記憶的記憶格所 碩出的/貝料,貝料輸出緩銜g 町杰’其係與前述第一作號同 步,將前述數個資料記憶電路所私山、:則1J .. 斤輸出< ?己憶格中讀出的資 料軸出至外部;及錯誤訂正電路 丰4、>、+、… %各,其係與前述控制信號同 步,接收從削述數個貧料記情雷 料,並與前述第-信號同步;=之記憶格讀出的資 所輸出的資料是否錯誤,並加述資料輸出緩衝器
此外,第五快閃記憶體的較佳音、A j私佳貫施例,也可以如以下的 (1)〜(4)項所述: (1^ '^直! l」L每,其係接受外部的狀態讀出命人, 產生狀態讀出命令信號;及狀熊輪 狀態讀出命令信號啓動,,由;=:段’其係依據前述 ,、、、、 猎由則述的資料輸出緩衝器,輸 出從兄憶格所讀出的資料有無錯誤。 u 電路,可以訂正從記憶格 資料中的數個資料,前述狀能^ 斤,出气 量。 狀心輸出手段可以輸出錯誤的數 (3)1述_的錯務—^可以訂正從纪愔玫士 ::中的離')資科,可以檢測㈣二 月j这的狀怨輸出手段可以輸出能否執行錯誤訂正。 、⑷還具有忙碌信號輸出電略:其係在從記憶格次 料及則述錯誤耵正電路#收從記憶格所讀出二;: 間,持續將忙碌信號輸出至外部。 ’ +勺"月 本:明係由以下部分所構成:μ s,其係由數個诞閃記s幕瓦孫崴丁記憶格 < ^ τ々,其係由 -13 - 本紙張尺度_中國國家標< (CNS)A4規格(21〇 χ 297公 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . · -丨線: 47371^ Α7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ---------Β7_____ 五、發明說明(H ) ^個:述屺憶區所構成;命令介面,其係接受外部的訂正 二出ρ ν,產生叮正讀出命令信號;控制υ虎nj路, 依據七述叮正讀出命令信號啓動,產生控制信號;第 〜2號緩衝斋,其係接收外部所輸入的第一信號;位址緩 衝為,其係接收外部所輸入的位址資料;〜其係 喪據七述位址;貝料,選擇前述記憶格陣列中的記憶區,從 選擇的記憶區内各個記憶格中讀出資料;數個資料記憶電 路’其係分別對各個記憶格設置,暫時記憶分別從所選擇 /、& It區所對應^己憶格讀出的冑料’ ·與第一信號及前述 ,制信ϋ步~ 輸出從暫時記憶之記 資料輸出緩衝器,其係與前述第一信號同f,將前述數個 資料=憶電路所輸出之記憶格中讀出的資料輸出至外部; 及錯誤可正電路,其係與前述第一信號同步,接收從前述 數個資料記憶電路輸出之記憶格讀㈣f料,並與前述控 _虎同步,接收從前述數個資料記憶電路輸出之“格 讀出的資料,判斷從記憶格所讀出的資料是否錯誤,若有 錯誤時,可以指出發生錯誤的資料。 ΐ—·— - ¾ ,鱼實典、Μ—,也I以如以下的 ⑴〜(4)項所遂丄. ⑴遝具有狀態輸出手段,其係前述的命 部的狀態讀出命令,產生狀態讀出命令信號,再依據前述 狀態讀出命令信號啓動,藉由前述的資料輸出緩衝器來輸 出k记憶格所謂出之資料有無錯誤。 ,可以訂正從記憶格所讀出之 (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁} -jjp裝 丨線」 _________-14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)i規格(210^7^57 五、發明說明(12) 資料中的數個資料,前述狀態輸 量。 手*又可以輪出錯誤的數 遥的錯誤亦益t音母,—可乂 ; , 資iLiJ靖雜料.,〜 前述的狀態輪出手段, 削—具有忙隸號輸心师 料的期間,向外部輸出忙碌信號,而且格^資 命令信號,^駕輸出至外部。依據則切正讀出 「本係由以下部分所構成:纪憶 胃’ 所構成r信號緩‘ :外二二輸:Γ:一信號’在第—期間輸出第-控制信 號’ uh吕遽產生電路’其係在與前述第—期間不同的第 :』間2 ’自動的產生第二控制信號;資料輸入缓衝器, ,、係與珂述第一信號同步接收從外部所輸入的寫入資料· 錯=訂正電路,其係與前述第一控制信號同步接收前述寫 入資料,與前述第二控制信號同#產生用於訂正錯誤的檢 查資料二數個資料記憶電路,其係分別對各個記憶格設 置,與前述第一控制信號及前述第二控制信號同步,暫= 記憶數個資料,放入前述的寫入資料及檢查資料;及寫入 手段’其係將暫時記憶在前述數個資料記憶電路中的寫入 資料及檢查資料寫入前述的記憶區内。 此外,第七快閃記憶體的較佳實施例,還具有:(1)在 前述第二iL間,向外部輸出忙碌信號的忙碌信號輸出泰 路。 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 473?1ύ Α7 13 五、發明說明( 本發明的以下部分所構成:記憶 區’其係由數個快閃記憶格所構成;記憶格陣列,其係由 數個前述的記憶區所構成;控制信號產生電路,其係在第 一期間,自動產生第一控制信號;信號緩衝器,其係接收 外部所輸入的第一信號,在與前述第一期間不同的第二期 間内,輸出第二控制信號;位址緩衝器,其係接收外部輸 入的位址資料;讀出手段,其係依據前述位址資料,選擇 前述1憶格陣列中的記憶區,從選擇的記憶區内各個記憶 格中讀出資料;數個資料記憶電路,其·係分別對各個記憶 史置,料記憶分別從所選擇之記憶區所對應的記憶: 項出的㈣第一控制信號及前述第二控制信號同步, ,出從暫時記憶之記憶格所讀㈣資料;纽輸虫缓衝 ^一~基'赞與則述第一信號同步,將前述數個資料記憶雨敌 所輸出之記憶格中讀出的資料輸出至外部;及錯誤=電 路’其係與前述第-控制信號同步,接收從前述數個^ 兄憶電路輸出之記憶格讀出的資料’並與前述第二 步,判斷前述資料輸出緩衝器所輸出的資料是否錯誤, 加以訂正。 s θ ϋΕ =,第'快閃記憶體的較佳實施例,也可以如 的(1)〜(4)項所述: 一…一一^ r 係接受外部的狀態讀出命令, 產生狀怨碩出命令信號;及狀態輪 # 1 X Λ A j出手段,其係依據前述 狀悲頃出命令信號啓動,藉由前述的資料 = 出從記憶格所讀出的資料有無錯誤。 , ™,輪 --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- ^3?ιθ Α7 Β7 五、發明說明(14 ) (2)前述的錯誤訂正電敗,^、、、 資料中的數個資料,前述狀能^ βΤ正W憶格所讀出之 量。 心輸出手段可以輸出錯誤的數 (3)如―述τ,ϋ 錯·〜,,•電》路— 資料中的齡Μ)資料,二 正從記憶格所讀出 前述的狀態輸出手段可以輸^ 目女ρ t、 %否執行錯誤訂正。 料及前述錯誤訂正電路接…丨係在心己憶格謂出 間,持續將忙碌信號輸出至外部。 貝枓的 本發明的第九快閃記憶辦-:-.、山、、 區,並#忐鉍一赉由以下邵分所構成:記 數個則述的記憶區所—· “,… 平幻具保 之 資 期 憶 由 數個前述的記憶區所構成;信號:衝:憶:陣列,其係 輸入的第-信號,在第—期間::二:= 號產生電路,其係在與第』“虎,控制 生第二控制信號;位址緩衝器===,自動產 資料;在山主机4 丹係接收外邵輸入的位 貝科,项出手段,其係依據前述位址 格陣列中的記憶區,從選擇 、則以 資料;數個資料記憶電路,並件固記憶格中 暫時^卜八係刀別對各個記憶格設 料:m 選擇之記憶區所對應的記憶格讀出 ==第一控制信號及前述第二控制信號同步’ 係盘前;?〜己憶格所讀出的資料;資料輸出緩衝器, 之記憶格中-出的丄:個資科記憶電路所輸 係盘前、卜/ 】出至外部;及錯誤訂正電路 ^弟—控制信號同步’接收從前㈣個資料記憶電 所 信 址 記憶 讀出 置, 的資 輸出 其 出 其 本紙張尺度翻巾關家鮮(CNS)A4規格(210 -17 X 297公髮7 47371Θ
五、發明說明(15 ) 路物出(讀格並與前述第二控制作號同 步,接收從前述數個資料記憶電路輸 料,判斷從記憶格讀出的資料是否錯誤,若
以指出發生錯誤的資料。 π a次日f J ⑴此::、,上九师己憶體的較佳實施例,也可以如以下的 (1)〜(4)項所述: (1)還具有命令介面,並俏技、 產生狀態讀出命令信號:二;外二的狀態讀出命令’ 狀態讀出命令信號啓動其係依據前述 出從記憶格所讀出的資料有無錯誤。、貝知出緩衝益’輸 ⑺前述的錯誤訂正電路’可以訂正從記 ί料中的數個資料,前述狀態輸出手段可以輸出錯誤的數 之 4):述的錯誤訂正電路’可以訂正從記憶格所讀出 二L的υ資料,可以檢測(η+ι)個存在的錯誤 刖述的狀‘讀出手段可以輸出能否執行錯誤訂正。 資 (4)返具有忙綠信號輸出電路,其係在從記憶格讀出 +的』間,將忙綠信號輸出至外部 將忙碌信號輸出至外部。 罘一期間, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的第十快閃記憶部r,#丄 ----11·步以下邵分所構成:記憶 :;將系:數個快閃記憶格所構成;忙碌信號輸出電路 =部輸入之各個記憶格内的窝入資料舞資料Ϊ 電路’其係可以記憶η位元之暫時記憶的前述寫入= -18· 本紙張尺度翻 t (CNS)A4 (210 χ 297^57" 473713 A7 五、發明說明(16 ) 及錯誤訂正電路,巧丨位元( ^ 產生m2位元(ml + m2<n)的檢查^料,產生 ^^ 檢查資料後,接收mm元(m 1 +%的 生"L4位_儿(ml + m2+m3 + m4 S η)的檢查資料 元的檢查資料在ml位元的ΤΓ^ΓΤ前述:個= δ己憶電路内後,輸人至前述數個資料記憶電路内暫二 憶;ΓΠ4位元的檢查資料在m3位元的寫入資料輸入: 資料記憶電路内後,輸入至前述數個資料記憶電路二 I時二己憶;暫時記憶在前述數個資料記憶電路内之一 ^元的寫入貝料及1112與1114位元的檢查資料,在爪4位 的檢查資料暫時記憶在前述數個資料記憶電路 前料記憶㈣;前述錯誤訂正電路在產生前 ϋ ^旦貝料時’將前述忙碌信號輸出電路所輸出的忙碌信 號輸出至外部。 ° 本發明的第十一快閃記憶體,係由以下部分所」冓直丄記 Ϊ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ; ^ ^ ^ 路’八係知忙碌信號輸出至外部;及錯誤訂正電路,其係 =從,記憶區所讀出的資料,指出錯誤讀出的資料。 ^兩在項出彳文以述記憶區所讀出資料的期間及前述錯誤 :丁二包,曰出錯誤讀出資料的期間,將忙碌信號持續從前 A忙碌信號輸出電路輸出至外部。 Λ月的第 二丄其係由數個快閃記憶格所構成;資料緩衝器,其係 知仗則述口己憶區所讀出之讀出資料輸出至外部;及錯誤訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^--------^--------Λ 經濟部知曰慧財產局員工消費合作社印製
X 297公釐) 473710 A7 、發明說明(彳7 ) 正電路,其係在輸出從前述資料緩衝器所讀出之資料 時’輸入用:從讀出資料中指出錯誤讀出資料的讀出資 =。其中」前述的錯誤訂正電路,再度將從資料緩衝器所 渭出之資料輸出至外邵時,訂正錯誤的讀出資料。 此外,第十二快閃記憶體的較佳實施例,也可:
的(1)〜(2)項所述: T (1)還具有將錯誤狀態輸出至外部的狀態輸出電路。 ⑺還具有暫時記憶從前述記憶區所讀出之J出資 數個資料記憶電路。 - '本發明的第十三快閃記憶體’係由以下部分所構成:記 格所構成;寫入手段,其係將 資訊資料及檢查資料寫入前述的記憶區内;讀出手段,其 係從前述的記憶區讀出前述資訊資料及前述檢查資料.^ 錯誤訂正電路,其係從前述資訊資料產生前述檢查資料, 並從前述資訊資料及前述檢查資料訂正前述資訊資料的錯 誤。其中,前述錯誤訂正電路將記憶在至少丨個以上浐定 記憶格内之資訊資料轉換成事先所決定的虛擬資料,^生 前述的檢查資料,將從前述指定記憶格所讀出的資訊資料 轉換成前述的虛擬資料,訂正前述的資訊資料。 本發1的第士四像體.,係冰I工复全 憶區,其係由數個快閃記憶格所構成;寫入手段,其係將 指定的η位元資訊資料及檢查資料寫入前述的記憶區内; 讀出手段,其係從前述的記憶區讀出前述η位元資訊資料 及前述檢查資料;及錯誤訂正電路,其係從前述η位元資 20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) • L----------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 4 ?3?切 〜------------_Β7_ 五、發明說明(18) 訊資料產生前述檢查資料,並從前述η位元資訊資料及前 述檢查資料訂正前述η位元資訊資料的錯誤。其中,前述 錯誤訂正電路,有效附加從外部輸人、之前述資訊資^ ^ 仏Mm< η)時事先所一多—客丄
^ —·.· 一 ______ rr^.-,., ^ Vf VA 貧料,產生前述的檢查資料。 本發明的第十五快閃記憶體,係由以下部分所構成:記 憶區,其係由數個快閃記憶格所構成;寫入手段,其係將 貧訊資料及檢查資料寫入前述的記憶區内;讀出手段,其 係從前述的記憶區讀出前述資訊資料及·前述檢查資料;錯 铁訂正電路,其係從前述資訊資料產生前述檢查資料,並 ,前述資訊資料及前述檢查資料訂正前述資^資料的錯 誤;及開關電路,其係選擇訂正錯誤,將前述資訊資料^ ,至外部,或是不訂正錯誤,而將前述資訊資料輪出至^ 憶區,其係由數個快閃記憶格所構成;寫入手段 將 貧訊資料及檢查資料寫人前述的記憶區内;讀 ^係和 係從前述的記憶區讀出前述資訊資料及前述檢 == 决π正電路’其係從前述資訊資料產生前述檢杏次拉、♦日 從前述資訊資料及前述檢查資料訂資;:+:: ::及開關電路,其係選擇是否啓動前述的::::: :發明的第十七快閃記憶體,係,¾ , Ε; ^ ^ ^ Fa1 |£ ^ ^ ^ ; ^ ^ ^ ^ ^ ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) «裝 -tr°J· 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 47371ΰ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由數個前述的記憶區所構成;寫入手段,其係將資訊資半 及檢查資料寫入前述的記憶區内;讀出手段,其係從前封 的記憶區讀出前述資訊資料及前述檢查資料;錯誤訂正黨 路,其係從七述資訊資料產生前述檢查資料,並從前述資 釩資料及前述檢查資料訂正前述資訊資料的錯誤;及讀出 手段,其係在開啓電源的同時,自動讀出指定記憶區内的 資料。 U 憶區,其係由數個快閃記憶格敗遵成彦手*^~ Α7 Β7 五、發明說明(19 ) 係將第一資訊資料及第一檢查資料的 入前述記憶區的各個記憶格内,之後,再將寫入的第一 訊資料及寫入的第一檢查資料與第二資訊資料及第二檢 資料一個位元一個位元的寫入前述記憶區的各個記憶 内,在1個記憶格内寫入2位元的資料;多値讀出手段, 係從前述的記憶區讀出前述第一資訊資料及前述第—士 資料,從前述記憶區讀出前述第二資訊資料及前述第二 查資料·’及錯誤訂正電路,其係從前述第一資訊資料產 前述第一檢查資料,從前述第二資訊資料產生前述第二 查資料,從前述第一資訊資料及前述第一檢查資料訂正 述第一資訊資料的錯誤,從前述第二資訊資料及前述第 檢查資料訂正前述第二資省^牛的錯誤。其中,前述的 誤訂正電路’ # g 來產i旅I春雄正 誤。 、一一^二 /〆 此外,本發明的1十九個快閃記憶體,係由以下部分 •22 本紙張尺度適財_家標準(CNS)A4規格(2ΐί χ 297公釐) f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
473719
五、發明說明(2〇) 構成:記憶區,其係由數個快閃記憶格所構成;刪除電 路’其係刪除前述記憶區,將贫有記憶格内的資料變成 1 n 段,其係將資訊資料及學查資料寫入前述的 一l讀出手段,其係從前述^述資訊 貝料及珂述檢查資料;及錯誤訂正電路,其係從前述資訊 #料產生如述檢查資料,從前述資訊資料及前述檢查資料 叮正則述資訊資料的錯誤。其中,煎錯誤訂正電路,
件產生所有1”的檢查資料。 J 本發明的第二#個快閃記憶體,係由·以下部分所構成: 記憶區,其係由數個快閃記憶格所構成;錯誤訂正電路, 其係從外部所輸入的資訊資料產生用於訂正錯誤的檢查資 料,從前述資訊資料及前述檢查資料訂正前述資訊資料的 錯誤;數個資料記憶電路,其係分別對各個記憶格設置; 寫入手段,其係將暫時記憶在前述數個資料記憶電路内的 資訊資料及檢查資料寫入前述的記憶區内;讀出手段\其 係從前述的記憶區將前述資訊資料及前述檢查資料讀出至 ^述數個資料記憶電路上;讀出手#,其係將從^憶在 刖述數個資料記憶電路上的記憶區所讀出的資訊資料及檢 查資料輸出至外部。 色發明的第二十-個快閃—記‘隨,〜缝!.下部分所構 成:記憶區,其係由數個快閃記憶格所構成;錯誤訂正電 路,其係從外部所輸入的資訊資料產生用於訂^錯誤的: 查資料,從前述資訊資料及前述檢查資料訂正前^資訊資 料的錯誤;數個資料記憶電路,其係分別對各二=‘格二 _ -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公髮^ ~ ----------- {請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 訂--------—
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473719 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(21 ) 置;寫入手段,其係將暫時記憶在前述數個資料記憶電路 一一 一 ' . .....- 内的資訊資料及檢查資料寫入前述的記憶區内;讀出手 段,其係從前述的記憶區將前述資訊資料及前述檢查資料 讀出至前述數個資料記憶電路上。其中,在外部車|入資訊 資料前,將記憶在前述數個資料記憶電路上的資料重設在 指定的資料内。 具體實施例 以下參照圖式詳細説明本發明的具體實施例。 (第一實施例) 圖1爲本發明第一實施例的快閃記憶體結構方塊圖。 數個端子1,用於從外部接受電源及信號,或是將信號 輸出至外部。這些端子1中,VCC端子係接受電源電壓 VCC ; VSS端子係用於接地;nCE端子係接受晶片賦能 (Chip enable)信號nCE ; nWE端子係接受寫入賦能(Write enable)信號nWE ; CLE端子係接受命令鎖存賦能(Command latch enable)信號CLE ; ALE端子係接受位址鎖存賦能信號 ALE ; nRE端子係接受讀出賦能信號nRE ; ECCENB端子係 接受錯誤訂正電路啓動信號ECCENB。 nBUSY端子輸出忙碌信號nBUSY,DO端子〜D7端子接受 寫入資料、命令資料及位址資料等的輸入資料DO〜D7,並 輸出讀出資料及狀態資料等的輸出資料DO〜D7。 前述寫入賦能信號nWE、命令鎖存賦能信號CLE、位址 鎖存賦能信號ALE、讀出賦能信號nRE及輸入資料 DO〜D7,在鎖存賦能信號nCE爲二玉^ -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
473719 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明(22) DO〜D7在鎖存賦能信號nCE爲1’L’’時輸出。 若將從前述VCC端子供應各内部電路的電源線及從前述 VSS端子供應各内部電路的接地線也顯示在圖式上,將過 於複雜,因此予以省略。 電源開啓檢測電路2,係用於檢測電源電壓VCC是否有 足夠高的電壓電平,若電平足夠,則電源開啓檢測信號 PON顯示” H··。 命令介面3在晶片賦能信號nC.E=’’L”、命令鎖存賦能信號 CLE=nHn時,於寫入賦能信號nWE從”1:··轉變成”H”的期間 接收輸入的資料DO〜D7,作爲命令資料,輸出讀出命令信 號READ資料鎖存讀出命令信號DLREAD、計算命令信號 CALC、資料輸出命令信號OUTPUT、狀態讀出命令信號 STATUS、倍速寫入命令DOUBLE信號、資料輸入命令信 號INPUT、檢查資料產生命令信號CHKGEN、寫入命令信 號PRO、删除命令信號ERASE等。此外,由於在内部i理 的讀出、寫入等須輸出至外部,因此從nBUSY端子輸出前 述的忙碌信號nBUSY。 位址緩衝器4在晶片賦能信號nCE= "L"、位址鎖存賦能信 號ALE= ’Ήπ時,於寫入賦能信號nWE從’’L"轉變成”H”的期 間接收輸入的資料DO〜D7,作爲位址資料,翁出低位址資 料Addx_0- 12與AddZ及行位址初期資料AddY」nit_0-9。 資料輸出輸入緩衝器5接受資料輸入命令信號INPUT,在 晶片賦能信號nCE= ”L”、位址鎖存賦能信號ALE= ’’L”、命 令鎖存賦能CLE=’’L”時,於寫入賦能信號nWE從1轉變成 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I.----------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--
473719 A7 B7 五、發明說明(24) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 輸入控制信號產生電路10,藉由資料輸入命令信號 INPUT及寫入賦能信號nWE等來控制,具有與該信號nWE 同步產生輸入控制信號INCLK的功能。 錯誤町正電路11具有接受資料輸入命令信號INPUt,與 輸入控制信號INCLK同步,放入信號線DL一0- 7的寫入資 料’接受檢查資料產生命令信號CHKGEN,與檢查資料產 生控制信號CGCLK同步,將檢查資料及同位資料(Padty data)輸出至信號線dl_0- 7的功能。 此外,錯誤訂正電路丨丨具有接受資料·鎖存讀出命令信號 DLREAD,與錯誤訂正控制信號ECCLK同步,放人信號線 DL一0-7的讀出資料,再接受計算命令信號CALC,與錯誤 可正控制信號ECCLK同步,檢測讀出資料錯誤的功能。 此外,錯誤訂正電路U具有接受資料輸出命令信號 OUTPUT ’與輸出控制信號0UTCLK同步,訂正錯誤資料 的功能’以及接受狀態讀出命令信號STATUS,將錯▲訂 正電路的狀態輸出至信號線DL_〇-7的功能。 孩錯誤可正電路11,也藉由行位址信號CSLa_527、 CSLb—527、CSLa—516、CSLb—516 及行位址初期資料
AddY—init一0_ 9等來控制 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因而設置記憶格陣列12及與其對應的源井(s〇urce WeU) 控制電路13、低控制電路14、行控制電路15及行位址產生 電路16。 其中的源井控制電路13是控制由記憶格陣列丨2的源線 SRC及記憶格陣列12所形成的井cwELL。 -27 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公爱) 473713 A7 B7 五、發明說明(25) 而低&制包路14則是控制記憶格陣列丨2的字線WL及選 擇閘、.泉SG。行控制電路丨5是控制記憶格陣列丨2的位元線 行位址產生電路16是藉由位址信號Addz與 AddY—lnit—〇- 9及錯誤訂正控制信號ECCLK、輸出控制信號 謝似、檢查資料產生控制信號CGCLK、輸人控制信號 INCLK等來控制,與這些控制信號同步,按照事先決定的 順序產生行位址信號CSL。 本實施例各設置兩個前述記憶格陣列12及前述各電路 13 14 15、16,兩組中的其中一組由位址信號Addz來選 擇。例如位址信號Addz=”L,,時,選擇記憶格陣列A及其對 底的黾路13、14、15、16 ;位址信號AddZ=,,H,,時,選擇 記憶格陣列B及其對應的電路13、14、15、16。 圖2顯1中抽出記憶-格身—1112之.一部會(記憶格陣 列絶其對應之也舰 ,結羞丄一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1·1:---------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該記憶格陣列12使用在同一個井CWELLa中形成iNAND 型記憶格單元(Unit)的陣列。NAND型記憶格單元與由漂 浮閘及控制閘疊層形成的格電晶體(Cell transist叫M _ 聯,例如串聯4個,其兩者連接選擇電晶體s,在 單元的一者連接位元線BLa 一 8j〜BLa—8j± 7之中的一支,另 一者則連接共if的源線义尺^江。 在此處將同-行之格電晶體Μ的集合 ΐΐΐ胃—的—集土fam 晶體Μ相對應的字線,以WLa_〇〜评以一來表示,nand格 單元之一者之選擇電晶體S的選擇閘線,以SGla 〇來^ -28 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
4737UJ
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(26) 不,NAND格單το另一者之選擇電晶體s的選擇閘線,以 SG2a_0來表示。 行控制電路15包含與上述記憶格陣列12之位元線 6!^8卜1一幻+ 7連接的資料記憶 路17在以行位址信_LaJ!里陵,全別與連接的信號線 10 一 0-7電連接,暫時記憶準備寫入所選擇之記憶格以内的 資料,及暫時記憶從選擇之記憶格Μ讀出的讀出資料。 此外,圖2記憶"格陣列i2H位元線〜BLa_8j+7及 行選擇線CSLaJ中的添加字j代表〇至548。因此位元線BLa 則為從BLa__0至BLa一4391,行信號CSLa爲從CSLa-〇至 CSLa-548 ° ,另外」—記憶—格陣列έ的結至㉟。 以下概要説明圖2之記憶格陣列丨2的動^。 (a)貝料塗五以塊爲單位來執行,所選擇的塊,JL全 邵的字%i例主m 爲20V。此時,井CWELLa爲2〇v,記反心 下,資料設定爲π 1 1 ·,。 ⑻資料的寫入以頁爲單位來執行,此處,一個記憶格Μ 記憶四個値時,選擇低位址資料Addx_〇爲"L"的^格]^1 時,將寫入資料記憶成” 〇"或” ;!,記憶格的資料則爲”丨〇,,或 丨丨1 Γ。 低位址資料AddX一 1〜Addx」2亦同,菱選擇表記憶 格Μ ’ ^末:己生兔 原來1己憶成π1〇η之"I己憶格中所寫入的"丨”變成,,1〇,,。原來記 憶成”11"之記憶格中所寫入的”〇”變成”〇1,,;原來記憶成 -29- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
· I n ϋ i^i n 一 0, 1 1_1 n ϋ n ϋ I 1 本紙張尺度適用中國國家標準(cnS)A4規格(210 x 297公爱) A7 B7 五、發明說明(27) ’’ 1 Γ之記憶格中所寫入的” 1,,變成” 11 ”。 (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) 此外,在寫入時,選擇字線爲20V,非選擇字線爲1〇ν。 寫入資料書寫” 1 ”時,位元線爲VCC ;書寫,,〇,,時,位元線 爲0V。選擇閘線SG1爲VCC,選擇閘線SG2爲0V。非選擇 塊的字線及選擇閘線均爲0V。此外,寫入藉由反複執行寫 入動作及寫入查證動作,可以有效控制記憶格的閥値。 資料與記憶格Μ閥値的關係,如表1所示。 表1
記憶格的資料 記憶格的閥値 AddX 〇=丨丨Η丨丨 AddX 一 0=,fL* 丨 1 1 0V以下 1 0 0.3 V 〜0·6 V 0 1 1.2V 〜1.5V 0 0 2.1V 〜2.4V ▼ ^ ^…乃Α,、ν 丁一 π ^ ,,王可硬擇閘綠 4V,選擇字線爲0V或0.9V或1.8V,非選擇字線爲4V。 選擇塊的全部選擇閘線及全部字線爲〇V。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 選擇+線爲0V ’格電流流通時,位元線電壓電平 nL”,可以讀出,,u”。同樣的,選擇字線爲〇·9ν時,可 讀出”10”,選擇字線爲18V時,可以讀出”〇},,&,,〇〇,, 選擇塊各動作與電壓的關係,如表2所示。 -30 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 473719 A7 B7 五、發明說明(28 ) 表2
刪除 寫入 讀出 位元線BL 20V VCC/0V H/L 選擇閘線SG1 20V VCC 4V 選擇字線WL 0V 20V 0.0V/0.9V/1.8V 非選擇字線WL … 10V 4V 選擇閘線SG2 20V 0V 4V 源線SRC 20V VCC 0V 井 CWELL 20V 0V 0V (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此處所謂的頁,爲表示圖2中同一行之4392個記憶格Μ集 合的實體性單位,而邏輯性寫入、讀出單位則爲4392位元 的記憶區。本實施例中,在實體性1頁中寫入邏輯性兩個 記憶區的資料,或是從實體性1頁中讀出邏輯性兩個記憶 區的資料。亦即,以低位址資料Addx 0〜Addx 12及低位 — — r 址資料AddZ指定的是記憶區的位址。因此,刪除的實體 性單位爲塊,是以實體性4頁所構成,以邏輯性8個記憶區 所構成。 圖3爲採用圖1所示結構之快閃記憶體的系統結構圖。 快閃記憶體20藉由CPU(中央處理單元)21來控制。CPU21 控制高速緩衝記憶體(Cache 以 幕等。電源電壓VCC同時供應快閃記憶體20、CPU21及高 速緩衝記憶體22。 系統中用於控制整個系統的!式儲存在快閃記憶體20 内,系統開啓電源,電源電壓VCC上昇時,快閃記憶體20 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4?37切
五、發明說明(29) 自動的讀出指定號碼的資料。CPU21在電源上昇時,從快 閃记U恤20碩出資料,所讀出的資料中放入用於控制快 記憶體的代碼。 CPU21將上述代碼儲存巧速緩衝記憶體22内,控 閃Λ 組20,謂出控制整個系統的程式,來控i系i。I 於tfe閃Ut體20能自動訂正錯誤,因此cpu2 }只需從快閃 記憶體2G讀出資料即可。若快閃記憶體2()無法自動訂正錯 淚時就八有CPU21可正錯誤,但是由於用於控制快閃記 憶體20的代碼是儲存在快閃記憶體2〇内·,因此只有這個代 碼仍然不能訂正錯誤。 圖1中,錯誤訂正電路丨丨中從資訊資料(外部輸入的窯入 貧、斗)產生查資料的部分(檢查資料產生電路),如圖4所 不。孩電路主要由,以D〇〜D19、卩所示的21個移位暫存器 18及9個邏輯演算電路19所構成。 圖5(a)爲抽出圖4中移位暫存器18中的一部分(以D所示的 部分)。 該移位暫存器由時鐘信號φ與其例置信號ηφ互補的信 號來驅動,時鐘信號φ以,,L”— ” Η”— ” L”(轉動時鐘信號φ 1週)的方式輸出鎖存資料,並將輸入信號放入鎖存。該時 鐘信號Φ爲與檢查資料產生控制信號CGCLK及輸入控制信 號INCLK同步的信號。 圖5 (b)爲圖4中邏輯演算電路19 一部分的結構。 〜一 ·.一-^1·'-一*一-〜〜一一 该迷輯演算電路演算兩個輸入IN 1及IN2,並輸出OUT。 從圖1中之D0端子〜D7端子所輸入的寫入資料,以資料 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------" 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473719 A7
五、發明說明(30 ) :出輸入緩衝器5作邏輯倒^,並輸出至信號線 —〇 DL—7内。圖4的檢查資料產生電路針對各個信號線 DL—0〜DL—7’設置在圖丨中的錯誤訂正電路上。 轉動時鐘信號…週的同時,將m元的寫入資料放入圖 的杖旦貝料產生電路内,在 如 竺 1 査的檢查資 料,並在如p所示的移位暫存器18中產生同位資料。 如D0〜D19所示之移位暫存器18中所產生的檢查資料, 在打開開目SW3,時鐘信號φ每轉動i週時,在各信號線 DL—0〜DL—7上,一個位元一個位元的產生。 產生20位7C的檢查資料後,打i1ilA1§W5,將晦鐘—信號 Φ轉動1週時,在各信號線DLJ)〜DLj7上產生丨位元的同位 =料。因此時鐘信號φ轉動549週時,輸入至])〇端子〜〇7 端子的是528位元的資料,所以產生2〇位元的檢查資料及i 位元的同位資料。如此產生的檢查資料及同位資料,輸出 至L 5虎、泉DL一0〜;DL一7,送達圖2所示的行控制電路1 $中的 貪料圮憶電路17,與寫入資料的同時寫入所選擇的記憶區 内0 從全部,爲” 1 ”的寫入資料(在信號線DL—〇〜DL一7上爲"〇,,的 寫入資產生的檢查資料及同位資料’:^^爲”丨^因 此刪除狀態,在全部爲”丨”的寫入資料時,之後產生的檢 查資料與寫入同位的狀態等價。 _ 上述的檢查資料產生電路’是依據 (1023,1003)符號產生檢查資料,其^生的多項式G(x) -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裴---- •irtlv ·111111. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
G⑴: A7 B7 31 = Χ20 + χ12 + Χ114-χ6 + χ54-χ^ + χ2 + χ+1 η 經 濟 部 .智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 由元一一i6)資料,因此1個記 壞時,很可能整個2位元都發生錯誤。但是在本實施例 中,各個位i資料是以各個Μ資料來獨立訂正,因此不 會像BCH符號採用位元單位的訂正方式而減低調整概率。 相反的’ i位元單位中發生瑕戚的記憶體(― deuce),若是採用如Read Solomon符號的叢發瑕疵訂正方 式,會差i生過^見嚴丄也丕·適宜。 圖6爲圖1之錯誤訂正電路丨丨中,產生檢查資料及同位資 料的演算流程(Algorism)。 首先在步驟si中,將資料輸入命令((:〇111111&11(1)輸入至命 令介面3,例如輸入16進制代碼”8〇H”。在步驟“中,將位 址資料輸入位址緩衝器4内,開始輸入寫入資料。在步驟 S3中,知’貝料開始輸入行位址AddY一丨仙一〇〜$設置在行位 址產生電路16中的變數行位址暫存器Add*c〇lf,並依據 該變數行位址暫存器Add 一 c〇1的内容產生行位址信號csl。 在步騍S4中,將DO二二£所示的暫存器重設爲” 〇,,, 將資料記憶電路17的寫入資^^ £1^ ”。^ 打開開關SW1,關閉開關SW3及SW5。 其次,在0S6中,放入輸入至D〇i子二d7端子的寫入 資料。在步驟S7中,若判定穹數行位址暫存器Add c〇1的 内容爲516時,則在步驟队电亂閉開關^2及SW4,若判 走久數行位址暫存器Add—c〇l的内容不是5 16時,則在步驟 34- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂· ·
本紙張尺度適用中關家標準(CNS)A4規格χ 297 ) 473719 A7
五、發明說明(32) S8中打開開關SW2及SW4。 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再 填 本 頁 當變數行位址暫存器Add_eGl的内容爲516時,則放入錯 誤可正電路U中的寫人資料·],,(因DL」的資料爲倒置資 料)。亦即,行位址516的資料從錯誤訂正中排除。 此種方式有以下的優點,亦即,可以在以後重新寫入 516號的資料,可以在以後重新5^^記憶在㈣記憶 :2 〇中資料所需的旗標資技如瑕疵區旗標 其次,在步驟sio中,將寫入資料放入錯誤訂正電路u 中,進行檢查資料及同位資料的演算。亦即,時鐘信號φ 轉動1週。此時,寫入資料輸出行位址信號CSL,也記憶 在資料記憶電路17内。繼續在步驟S11中,逐一增加變數 行位址暫存器Add_col的内容,按照行位址的順序放入寫 入資料。在步驟S12中,步驟S6〜S12的動作反複執行,直 至判足輸入了寫入命令爲止,例如輸入.16進制A碼 丨!10,Ή。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述的步驟S6〜S 12與寫入賦能信號nWE同步進行。在輸 入控制信號產生電路1 〇中,與寫入賦能信號nWe同步產生 輸入控制信號INCLK。與寫入賦能信號nWE同步輸入的寫 入資料,依據在錯誤訂正電路11上與輸入控制信號inclk 同步產生的時鐘信號φ,放入錯誤訂正電路丨丨内,同時按 照與輸入控制信號INCLK同步,依據變數行位址暫存器 Add—col内容所產生之行位址信號CSL的指示,暫時記憶在 所選擇的資料記憶電路17内。 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
、a述的步展s 12中,判定輸入前述寫入命令的丨6進制 代碼”10” Η時,在步驟S13中,判定變數行位址暫存器 =dd—c〇l的内容大於527。若是這個判定結果爲變數行位址 暫存器八3(1一0〇1的内容$ 527時,在步驟314中,則關閉開 關SW2及SW4 ’在步驟S15中,假設輸入”丨,,寫入資料,執 1檢查資料及同位的演算,在步驟S16中,將變數行位址 暫存器Add—col的内容增加i,在步驟S13中,再度判定變 數行位址暫存器Add-C〇1的内容是否大於527。 判足結果若是變數行位址暫存器Add—⑶丨的内容^ ^繼,在步驟S17中判定變數行位址暫存器Ad(Le〇i的内 合疋=等I 548。判疋結果若是變數行位址暫存器Α^^〇1 的内合- 548時,則在步驟s丨8中關閉開關s w丨及§ ,打 開開關SW3及SW4,在步驟S19中執行檢查資料的輸出及 同位演算。此時,依據變數行位址暫存器爐㈤内容的 檢查資料暫時記憶在資料記憶電路17内。繼續在步驟㈣ 中,將變數行位址暫#器縫一 c〇1的内容增加㈣,在步驟 S17中,再度判斷變數行位址暫存器域㈤的内容 於548。 — 判定結果若{變數行位址暫存器域㈤的内容=州 時,在步驟S21中關閉開關SW3,打開開關,在步驟 S22中輸出同位資料。&時,依據變數行位址暫存器 峰-内容的檢查資料暫時記憶在資料記憶電路”内。 ί後:在步驟S23中,原則1,將記憶在資料記憶電路17 中的寫人資料及檢查資料與同位資料—起寫人記憶 • hi·---------·!裝.丨 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -36 - 473719 A7 B7 五、發明說明(34) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述的步驟S13〜S22,與檢查資料產生控制信號cgcLK 同步執行。檢查資料產生命令CHM旦N積电ί△立♦信號 PRO產生’藉由該檢查資料產生命令ChkgeN,由檢查資 料產生控制k號產生電路9自動產生檢查資料產生控制信 號CGCLK。與該檢查資料產生控制信號cgCLk同步,從 錯誤可正電路11所產生的檢查資料及同位資料,同時按照 與檢查資料產生控制信號CGCLK同步,依據變數行位址暫 存器Add 一 col内容所產生之行位址信號CSL的指示,暫時記 憶在資料記憶電路17内。 · 圖7爲從1己憶格陣列η中的各墜一歹I丨a、B溪一選擇記憶 〔^料门時夸雨俾.^ 區^動,·μ作…的開^㊀P4招範例。 圖8爲從記憶格陣列丨2中的各陣列a、B逐一選擇記憶 區,資料僅寫入一個記憶區動作的時間範例。 首先説明圖7的動作時間。在命令鎖存賦能信號cle爲 ’’ H”的期間内,寫入賦能信號nWE上昇,輸入倍速寫入命 令’如16進制代碼” DO’Ή。繼續命令鎖存賦能信號CLE爲 ’’H’1的期間内,寫入賦能信號nWE上昇,如圖6的步驟31中 所述’輸入資料輸入命令的16進制代碼” 8〇”H。 經濟部知曰慧財產局員工消費合作社印製 繼續在位址鎖存賦能信號ALE爲"H”的期間,如圖6的步 驟幻〜S5中所述,放入三次隹址資縣。在i處复入^ 陣列12之格陣列A的位址。繼續於資料輸入命令信號 INPUT爲"H”時,如圖6的步驟S6〜S12中所述輸入寫入資料 hO〜h527。與寫入賦能信號nWE同步,輸入寫入資料h,依 據在錯誤可正電路丨丨中,與輸入控制信號INClk同步產生 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4 73 71 ϋ Α7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(35) 的時鐘信號Φ,放入錯爷 τχ μ 决叮正電路11中,同時按昭盥 INCLK同步,依據變數杆 Τ妆…、與 又双订仏址暫存器Add col内容所產峰 之行位址信號CSL的指示,叙仏 —j谷町產生 電路㈣。 $寺兄憶在所選擇的資料記憶 當輸入寫入命令的16進制代碼",_ S13〜S22中所述,寫入合人^ & ’水 17々信唬PRO爲"H”,依據該寫入 印令信號PRO’檢查資料產生命令信號chkg "Η”。依據該檢查資料產生命令信號chkgen產生檢杏= 料產生控制信號CGCLK,與該檢查資料產生㈣^ CGCLK同步,從錯誤訂正電路u所產生的檢查資料及同位 資料,暫時記憶在同時按照與CGCLK同步,依據變數行位 址暫存器Add_c〇1内容所產生之行位址信號csl的指示所選 擇的資料記憶電路17内。 若是藉由倍速寫入命令的16進制代碼,,d〇"h,執行有效 寫入(圖6的步驟S23)的寫入動作時,且同位資料記憶在資 料記憶電路17中時,寫入命令信號pR〇與檢查資料產生命 令信號CHKGEN變成"L",結束寫入。在寫入命令信號 PRO與檢查資料產生命令信號CHKGEN爲"H"的期間, nBUSY爲"L",並將忙碌狀態(内部處理中)的訊息輸出至 外部。 其次説明圖8的動作時間。在命令鎖存賦能信號cle爲 ” H”的期間内,寫入賦能信號nWE上昇,如圖6的步驟“中 所述,輸入資料輸入命令的16進制代碼” 8〇,,H。 繼續在位址鎖存賦能信號ALE爲” H”的期間,如圖6的步 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂--------- #- A7 B7 五、發明說明(36 ) 驟S2〜S5中所述’放入三次位址資料。在此處輸入記憶 陣列1 2之格陣列B的位址。 ϋ思口 繼續資料輸入命令:信號INPUT爲"Η,·,如同c 那圖6的步驟 S6〜S 12中所述’輸入寫入資料h3〜h520。血窝入❹' U兴舄入賦能信號 nWE同步輸入寫入資料h,依據錯誤訂正電路11 , INCLK同步產生的時鐘信號Φ放入錯誤訂正電路丨丨内^ f 時按照與輸入控制信號INCLIC同步,依據變數行位址暫2 器Add—col内容所產生之行位址信號CSL的指示,暫時化^ 在所選擇的資料記憶電路17内。 · ' ° % 雖然沒有輸入寫入資料hO〜h2,但是將資料記憶電路 的寫入資料重設爲’’ Γ’,另在錯誤訂正電路丨丨上使寫入資 料hO〜W爲”1”時,如D0〜D19所示的暫存器及p所示的暫: 器内容,迄h2的演算都沒有變化,因此沒有問題。亦即有 效的寫入資料hO〜112爲π 1”。 當輸入寫入命令的16進制代碼” 10,,Ηβ,如圖6的步驟 S13〜S22中所述’寫入命令信號叹〇爲” η”,依據該寫入 命令信號PRO,檢查資料產生命令信號chkgen也是 •,H”。依據該檢查資料產生命令信號CHKGEN產生檢查資 料產生控制信號CGCLK,在内不予CGCLK同步產生須你 寫入資料”1",取代未從外部輸入的寫入資料h52i〜h527 : 與上述fe查 > 料產生技制k號CGCLK同步,從錯誤訂正電 路Π所產生的檢查資料及同位資料,暫時記憶在同時按= 與CGCLK同步,依據變數行位址暫存器Ad(Lc〇i内容所產 生之行位址信號CSh的指示所選擇的資料記憶電路口内。- -39 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁} --------tT--------- 經濟部知曰慧財產局員工消費合作社印製 4^71θ Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(37 ) 同位資料記憶在記憶電路17内時,檢查資料 號CHKGEN爲"L,,,執行寫入動作。本實施例中,吃= 陣歹i 2的格陣列A及B所選擇的兩個記憶區同時執行; 入。寫入命令信號PR0爲"H”的期間,nBUSY爲"L" 碌狀悲(内邵處理中)的訊息輸出至外部。 、 圖9爲不啓動錯誤訂正電路_,資料寫入動作的時間 範例。首先於命令鎖存賦能信號CLE爲,,H,,的期間内, 入賦能信號nWE上昇,輸入錯誤訂正不啓動命令的16進制 代碼”A0,,H。繼續於命令鎖存賦能信號〇][^爲,,h,,的期間 内,寫入賦能信號nWE上昇,輸入資料輸入命令的“進 代碼”80" Η。 繼續在位址鎖存賦能信號ALE爲,,Η"的期間,放入三次 的位址資料。接著資料輸入命令信號= 寫入資料h〇〜Μ48。輸入寫入命令的16進制代碼"/〇” η 時,雖然寫入命令信號PRO爲"Η,,,不過檢查資料產生命 令信號CHKGEN仍然爲"L"。放入寫入命令的16進制代; ”10”後,立即變成寫入動作。 命令介面3 A是否啓動錯誤訂正電路i i的開關。輸入到 圖1中之ECCENB端子的啓動錯誤訂正電路信號Ecc職爲 L·時,中♦介面3爲不啓動錯誤訂正電路11的開關。… 圖ίο爲啓動錯誤訂正電路信號ECCENB爲”L"時,資料寫 入動作的時間範例。命令鎖存賦能信號CLE爲,,H,,的期間 内,寫入賦能信號nWE上昇,輸入資料輸入命令的16進制 代碼” 80” Η。繼續在位址鎖存賦能信號ALE爲,,H,,的期 • l· I.---------裝--------訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -40
4737UJ A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(38 ) 間,放入三次的位址資料。接著資料輪入命令 爲,’H”,輸入寫入資料hO〜h548。輸入寫入^人) UT 代碼’’ 10,,Η時,雖然寫入命令信號pRQ爲7 v的16進制 資料產生命令信號CHKGEN仍然爲” L,,。、4 1、杈旦 玫入寫入命令的 I6進制代碼,,10,,後,立即變成寫入動作。 圖8中所示的動作時間,其啓動錯每 田成叮正電路作號 ECCENB爲” H”,與圖10所示的動作時間 1J像的,是按昭 資料輸入命令π 80"—輸入位址->輸入資料 々丁 4焉入命令丨I 1 〇 ” 的流程’自動的產生檢查資料。當啓動·牡2二 田口力產曰决ΤΓ正電路信號 ECCENB爲’’L’’時,如圖10所示的動作時間,沒有產人資料。 /又 檢 圖^至圖Π顯示訂正、檢測在圖丨中的錯誤訂正電路 上,從生^誤^資料部分〇 " 圖 11 爲其中 -.丄圖 12 爲其中一個徵候群S3的轉換器,圖13爲其中一個 S1)計算器,圖14爲其^^個σ 2(=S1 X S1 X S1 + 斋’!!L色i也毛16爲亟出JL 中一個σ2— λ 2轉換器,圖17爲其中一個錯誤位檢; 器。 這些電路主要由,以DO〜D19、P、A0〜A9、B0~B9、 C0〜C9所示之51個移位暫存器18與數個邏輯演算電路19所 構成,並分別對應各信號線DL—0〜DL_7來設置。 這些電路依據1003)符號來訂 正從記憶格所讀出之資料的錯誤,亦即,兩個最小多項式 41 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,裝 訂--------.
473719 A7 B7 五、發明說明(4〇) 興錯誤訂正控制信號ECCLK同步產生行位址信號CSL, 在時鐘信號Φ第1週,放入行位址〇號的讀出資料,以下依 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 序在第2週放入行位址丨號、…、第548週放入行位址547號 的讀出資料。 ; 行位址516號的週期中,關閉開關SW4、SW6及SW7,放 入虛擬資料,,〇,,。這是因爲產生檢查資料時,將516號的寫 入資料當作虛擬資料” 〇”來計算。 徵1群S 1力憶在以A0〜A9所示的暫存器内。之前的計 算,以D0〜D9所示的暫存器中記憶徵候-群S1,以D10〜D19 所不的暫存器中記憶徵候群S3,以A〇〜A9所示的器中 記憶徵候群S1,以P所示的暫存器中記憶讀出資料的同 位。 此外在圖11中所示的徵候群S1、S3計算器上所得到的徵 候群S3,因g候群S 1與多表卺的次數不同,因此瘦由 圖12所示之徵候群S3的轉換器來整合。 ' 圖12中所示之徵候群S3的轉換器主要由,以b〇〜B9、 C0〜C9所tf之20個移位暫存器18與數個邏輯演算電路丨今所 構成,徵候群S3整合在徵候群S1内。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先,在步驟1 (STEP 1)中,以C所示的暫存器全部重 設爲’’ 〇ff,反複經過10次步驟2 (STEp 2)的演算後,在以C 所示的暫存器中產生S3的轉換値,將其記憶在以D1〇〜D19 所示的暫存器内。 4岫的計算,以D0〜D9所示的暫存器中記憶徵候群S1, 以D10〜D19所示的暫存器中記憶徵候群S3,以A〇〜A9所示 •43- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 47371Θ A7 五、發明說明(41 ) 的暫存器中記憶徵候群31,以p所示 資料的同位。 存态中1己憶讀出 圖13中所示之徵候群S1 χ S1的 B0〜B9、C0〜C9所示之2。個移位暫存器咖王二::: 電路19所構成,用於計算徵候群s 〃 ““异 首先,在步驟ifr以c所示的暫存器重嗖爲"〇", ==㈣2的演算後’在以C所示的暫存器中產生 1 S1知其記憶在以D0〜D9所示的暫存器内。 =^算’ _〜D9所示的暫存器_中記憶mu,以 暫;Γ:的暫存器中記憶徵候群幻,以A〇〜A9所示的 資 候群S1,以p所示的暫存器中記憶讀出 訂 圖14中所示之徵候群⑴⑴^+㈣計算器主要由 演 =B0〜B9、C0〜C9所示之2〇個移位暫存器18與數個邏輯 算電路19所構成,用於計算徵候群S1 χ si χ si +幻。, 首先’在步驟1中,以c所示的暫存器全部重設爲" 生 反複經過10次步驟2的演算後,在以C所示的暫存器中產 SI X SI X S1(-S1A3) ’分別將其加入以D1()〜D19所示之 存器的資料中予以記憶。 之前的計算,以D0〜D9所示的暫存器中記憶S1 XS1 (=σ ^, 以D10〜D19所示的暫存器中記憶徵候群S1A3 + S3 2), 以Δ0—1Α9所示的暫存器中記憶徵候群si,以Ρ所示的暫存 器中記憶讀出資料的同位Γ一一 此外’雖然在圖14所示之徵候群S1 X S1 X S1 + S3的計算 -44- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 473719 A7 五、發明說明(42 ) 器得^1的 > 態下,可以啓動封“一 示需,因此爲—了快速顧過顯 …、717 ’續藉由圖15所+ —凡1轉換器,將σΐ轉換成λι。 、^Ϊσΐ 圖I5所示的λ 1轉換器主| 工戈由,以Β0〜RQ、a 所示之20個移位暫存器18與數個 將σ 1轉換成又1。 异%峪19所構成, 首先,在步驟1中,以C所示的暫 J节#态全邵重設爲,,η,, 反複經過10次步驟2的演算後,在 ' 〕1收甘七# —、 、 ^斤不的暫存器中產生 几1 ’將其$己憶在以D0〜D9所示的暫存零内 之前的計算,以D0〜D9所示的智左山 7 $存态中:!己憶;^ 1, D10〜D19所示的暫存器中記憶徵 以 人狀砰π 2,以A0〜A Q蛴一 的暫存器中記憶徵候群S1,以p蛴-认^W不 資料的同位。 下c U哨出 ,外’雖然在圖15所示之"〜轉換器得出 怨下,可以啓動錯誤位置檢測器,不過顯示需要花時間, 因此舄了快速顯示,須藉由圖16所示的… 將(T 2轉換成又2。 ^ ^ ^ 圖16所示的σ2—Λ2轉換器主要由,以b〇〜b9、c〇〜c9 所示之20個移位暫存器18與數個邏輯演算電路μ 將π 2轉換成λ 2。 & ’ 首先,在步驟!*,以C所示的暫存器全部重設爲”〇”, 反複經過10次步驟2的演算後,在以c所示的暫存器中產生 Λ 2,將其1己憶在以D10〜D19所示的暫存器内。 之則的計算,以D0〜D9所示的暫存器中記憶几工,以 45- 私紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473719
D10〜D19所示的暫存器中記憶徵候 的暫存器中記憶徵候群S1 _拜,MA0〜A9所示 資料的同位。 W所-的暫存器中記憶讀出 圖17所示錯誤位置檢測器主要由,以DG〜m 所示之3G個移位暫存器18與數個邏輯演算電路19所構成 該錯誤位置檢測器,使用今& — ^ 便用记憶在DO〜D9所示之暫存器内 的又卜記憶在mo〜D19所示之暫存器内的λ2及記俜在 Α0〜Α9所示之暫存器内的徵候群S1,來檢測錯誤位置,藉 由與輸出控制信號產生電路8上產生之輸出控制信號 OUTCLK同步產生的時鐘信號φ來動作。此時,若下列的 條件式, A0= D0+ D10 A1 = D1 + D11 A2= D2+ D12 A3 = D3 + D13 ( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A4 = D4 + D14 A5 = D5 + D15 A6= D6+ D16 A7 = D7 + D17 A8 = D8 + D18 A9= D9+ D19 成立時,藉由各信號線DL_〇〜DL7,將從資料記憶電路17 輸出至DO端子〜D7的讀出資料倒置,訂正錯誤。 若時鐘信號Φ轉動1週期(錯誤位置演算的1週期)後,條 -46- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 A7 經濟部知0慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明(44) 件式成互,表示行位址〇號的讀出資料錯誤·。詳細的範例 如下,,如,信號線DL_3的錯誤位置檢測電路在時鐘信 唬Φ的第200週期(錯誤位置演算的第200週期)滿足條件式 時’即可以檢測出行位址199號的錯誤。 圖18爲從圖丨中之錯誤訂正電路丨丨的讀出資料,檢測、 訂正錯誤位置的演算流程範例。 一 次首先在步驟S101中,輸入記憶區及開始讀出先頭行位址 貝料。其次在步驟S102中,將資料從記憶區讀出至資料記 :隐電路17内。接著在步驟S1〇3中,以D_〇〜⑽所示的暫存 W以P所示的暫存器重設爲n 〇f,。再於步驟S104中,將變 數行位址暫存器Add一c〇1的内容設定爲〇。該變數行位址暫 存器Add—col置於行位址產生電路16中,依據該變數行位 址暫存器Add—col的内容產生行位址信號以七。 其次在步驟S105中,從藉由行位址所選擇的資料記憶電 路π輸出讀出資料。接著在步驟81〇6中,判定變數行‘址 暫存器Add—col的内容是否爲516,若變數行位址暫存器 Add-C〇1&内容爲516時,在步驟“⑽中關閉開關sw4、 SW6、SW7,若變數行位址暫存器Add—c〇i的内容不是 516,則在步驟S107中’打開開關SW4、SW6、SW7。疋 其次在步驟S109中,藉由—與^"ίΐϊϊ信號ECCLK同 步產生的時鐘信號Φ,執行徵候群及同位的演算。接著在 步驟siio中,判定變數行位址暫存器Add—c〇i的内容是否 等於547,若不是547 ,則進行步驟sm,將變數行位址暫 存器Add 一 col的内容前推一步回到前述的步驟sl〇5。如此 ---·---------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -47- 473719 A7 B7 五、發明說明(45) 逐一的增加,並反複執行徵候群及同位的演算,直到變數 行位址暫存器Add-C〇l的内容等於547。此外,上述步驟 S105〜S111的動作,是與錯誤訂正控制信號eccLK同步執 行的。 而在前述步驟s 11〇中,若判定變數行位址暫存器 Add 一 col的内容等於547時,則在步驟sn2中判定徵候群S1 是否爲0。判定結果若s 1== 〇時,則在步驟s丨丨3中判定S3是 否爲0。該判定結果若S3==〇時,表示判定無錯誤,並在步 驟S114終將狀態設定爲”正常”。 - 另外’若在前述步驟S112的判定結果S1 = 0,前述步驟 S 113的判定結果S3 * 〇時,則判定產生3位元以上的錯誤, 並在步驟S115中,將狀態設定爲”無法訂正”。 另外’若在前述步驟S112中的判定結果S 1辛0時,則在 步驟S116中判定是否S3= 0。若該判定結果S3= 0時,則判 足產生3位元以上的錯誤,並在步驟3122中,將狀態^定 爲"無法訂正,,。此外,若在步驟S116的判定結果S3 * 0 時’則在步驟S117中,執行S3的轉換、σ 1的計算、σ 2的 計算、λ 1的計算、;t 2的計算。 其次在步驟S118中判定λ 2是否爲〇。該判定結果若几 2= 0時’判定產生1位元的錯誤,並在步驟S 119中,將狀態 設定爲π 1位元錯誤”。 另外,若前述步驟S118中的判定結果;L 2 * 0時,則在步 驟S120中判定從寫入資料所產生的同位與從讀出資料所產 生的同位是否一致。該判定結果若爲同位一致,則判定產 -48- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) #裝 >aj· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 47371^ A7 B7 五、發明說明(46) — l· J---------·裝--- f請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁} 生2位元錯誤’並在步驟S121中,將狀態設定爲,,2位元錯 誤°若在前述步驟Sl2〇中的判定結果爲同位不一致時, 則判足產生3位元以上的錯誤,並在步驟S122中,將狀態 叹足爲無法可正”。繼續於確定狀態後,在步驟s丨23中, 再度將變數行位址暫存器Add_c〇1的内容設定爲〇。此外, 上述步驟S112〜S123、S105〜Sill的動作是與錯誤訂正控 制信號ECCLK同步執行的。 其次在步驟S124中,執行!週期的錯誤位置演算,在步 孤S125中’判定變數行位址暫存器Add一col的内容是否與 開始輸出資料的行位址一致。若判定結果爲一致,則進行 步驟S126,將變數行位址暫存器Add-C〇1的内容前推一步 回到幻述的步驟S124。如此逐一的增加,並反複執行步驟 S124: S126,直到變數行位址暫存器Add_c〇1的内容與開始 輸出資料的行位址一致。此外,上述步驟sl24〜si26的動 作,是與錯㉟訂正控制_ECCLK同步產生之時鐘信號φ 同步執行的。 的内容與1始输出資料的春—步一驟^27 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 中與咕出賦能信號nRE同步產生之〇UTCLK同步進行錯 誤位置演算,並依據變數行位址暫存器㈤的内容向 外部輸出資料。 調查是否應該訂正輸出資料,以便快速輸出。當然,若不考 49- 473719 A7 B7 五、發明說明(47) 慮快速輸出,也可以在同一個週期處理應否輸出及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖19爲圖18所示之演算流程中資料讀出動作的時間範 例0 亦即’在圖19中,首先在位址鎖存賦能信號ALE爲,,H,, 的期間内’寫入賦能信號nWE上昇,輸入用於執行記憶區 選擇及開始輸入資料行位址指定的位址資料ad0〜ad2 (圖18 的步驟S 101)。 放入位址資料a(i2時,讀出命令信號READ自動變爲 π H”,記憶格的資料從所選擇的記憶區讀出至資料記憶電 路17(圖18的步驟S102)。此期間,以DO〜D19所示的暫存 器、以P所示的暫存器設定爲” 0”(圖i 8的步驟S丨03),變數 行位址暫存器Add-col的内容設定爲〇(圖18的步驟S104)。 變數行位址暫存器Add_col在行位址產生電路16内,依 據該變數行位址暫存器Add—col的内容產生行位址信號 CSL° ( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 資料讀出至資料記憶電路丨7結束後,資料鎖存讀出命令 信號DLREAD爲” H,,,並藉此輸出錯誤訂正控制信號 ECCLK。與錯誤訂正控制信號ECCLK同步,按照行位址〇 號至547號的順序,從行位址所選擇的資料記憶電路丄7 中’ 項出資料輸出至錯誤訂正電路11,執行徵候群及同 位的計算(圖18的步驟s丨〇5〜s 1丨i)。 繼續’計算命令信號CALC變爲,Ή”,再度輸出錯誤訂正 控制信號ECCLK。與錯誤訂正控制信號ECCLK同步檢測讀 出資料的錯誤(圖18的步驟S112〜S122)。 -50- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 47371Θ A7 B7 五、發明說明(48 ) CALC爲” L"時,資料輸出命令信號〇υτρυτ變爲"H",輸 出輸出控制信號0UTCLK,準備向外部輸出(圖i 8的步驟 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) S123〜S126)。在圖19的範例中,由於開始輸出資料行位址 爲"1"號,因此執行兩次錯誤位置演算(圖18的步驟si24)。 之後’讀出命令信號READ變爲"L",可以向外部輸出。 該期卫」—^信號nBUSY成 爲” Lπ ’將輸出準備中向外部輪由。 w〜一 ――_ 一_ 讀出賦能信號nRE從·,Η"轉變至,的時間,輸出幹 號OUTCLK從"L”變成"Η",輸出行位址信號咖,心: 讀出資料D0~D7相對應的D0端子〜⑴端子輸出。: 錯誤位置演算,來檢測下-個行位址_” (圖18的步驟S127)。 .,、、m次 _I本 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 命令鎖存賦能信號CLE爲"H"的期間,寫入 nWE上昇,輸入狀態讀出命令的16進制代碼"7〇"h ^號 圖18的步驟川4、川5'川9、仙以122所述,於= 定的狀毖。此外,輸入上述狀態讀出命令” 7〇" H w '又 讀出命令信號STATUS爲"Η、在接受該狀態讀出= 號STATUS,nCE=,,L"時,讀出賦能信號戯”:二: "L"的時間,開始從狀態的端子D〇〜端子的輸出。=成 若從端子DO〜端子D2輸出,則如下表4所示· 1如, 表4
狀態 寫入 DO 0 D1 0 I 51 - 紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) A7 B7 五、發明說明(49) D2 0 0 DO所暫存器的狀態資料,表示讀出是否成功,也勺 括錯誤 ΤΓ 正(〇= ” ρ Α ς; ς;,,/ 1 ” f δ ττ 、 、k 办 ^ …“ i )。於寫入/刪除後執行 貝出,右成功,則輸出〇,若不成功,則輸出卜 =所示之暫存器的狀態資料,爲讀出/寫入/刪除的 狀怨資料。D1所示之暫存器及〇2所示之暫存器,最: 錯誤數量。 巧取大 圖11〜17的^路是針對各信號線DL 〇〜DL 7而仏罟丄 於HI’ J盖可分 錯 表 m ' …一' j 圖20爲在圖18所示之演算流程中不執行錯誤訂正, 出項出資料的動作時間範例。 本例中也輸出檢查資料及同位資料。藉此,彳以在外部 檢查錯誤訂正電路11的動作。 亦即’在圖20中,首先在命令鎖存賦能信號CLE爲."『 的期間内,寫入賦能信號nWE上昇,輸入錯誤訂正不戌動 命令的16進制代碼” B0,,H。而該錯誤訂正不啓動命令:也 與寫入時的錯誤訂正不啓動命令"a〇"h使用相同的命令。 圖20中所示的動作時間’與圖19中所示的動作時間7幾乎 相同。差異之處在於⑴輸入” b〇"h命令,⑺雖然也檢測 錯誤資料,但是不加以訂正即輸出,(3)也輸出檢查資料 及同位資料。 圖21爲輸入至圖i中之ECCENB端子的錯誤訂正電路戌動 信號ECCENB爲’’ L"時,資料讀出動作的時間ϋ了一^ — l·—.---------·!裝--- (請先閱讀背面之、注意事項再填寫本頁} 訂: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -52- A7 B7 五、發明說明(5〇 ) 錯誤ΤΓ正電路啓動信號ECCENB爲n L,,時,以圖1中的命 令介面3轉動開關,不啓動錯誤訂正電路丨i。 亦即,在圖21中,位址鎖存賦能信號ALE爲,,H,'的期間 内,寫入賦能信號nWE上昇,輸入用於指定記憶區選擇及 開始輸出資料行位址指定的位址資料ad〇〜ad2。 放入位址資料ad2時,讀出命令信號REAd自動變爲 π H”,記憶格的資料從所選擇的記憶區讀出至資料記憶電 路Π。之後,讀出命令信號READ變爲”L”,可以向外部輸 出另外’’貝料輸出命令k號OUTPUT變爲,,Η,,,可以輸 出輸出控制信號0UTCLK。讀出命令信號READ爲,,Η,,的期 間,忙碌信號nBUSY爲” L”,將輸出準備中輸出至外部。 一在讀出賦能信號nRE從,,H,,轉變成” l”的時間,輸出控制 信號OUTCLK從” L”變成”η”,輸出行位址信號咖,並開 I從DO端子〜〇7端子輸出讀出資料D〇〜〇7。 ^碼之記憶區屬爲痛I域. 〇 =即’在圖22中,電源電愿vcwov上昇,到達指定的 =源開啓檢測 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ON從L轉,交至” η”,自動传靖+人 ” t 目力使喂出叩令信號READ變成 開始碩出。位址缓衝器4也接受前述電源欠 變至”自動的將位址資== 圖= 斤于Γ重,開始輸出資料行位址被設定爲"〇"號。 作時間’與圖19中所示的動作時間幾乎 -53- χ^97公釐) 观裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) # ^紙張尺錢财關家標 47371Θ A7 B7 五、發明說明(51 ) 相同,舁昱 > 南+ 動。…、〈處在於是藉由電„啓檢測信號刚來禮 (第二實施例) 第一貫施例僅讀出 第一音 述第一實施例不同。 貫她例,搭載錯誤訂正電路之快閃#μ 構,盥FM蚯-α 私給&氏内5己憶體的電路矣 稱努圖1所π的電路結構幾乎受外部的錯趄奸工人人 —^二處,在於j^ 正來t ϋit;叩令信5虎ECREAD。 讀=第:f施例,在圖1中的錯誤訂正電路"上1盥0:8的〜執仃錯誤位置檢測、訂正的演算流程範例, ;、圖::“』述第-實施例,在圖1中的錯誤訂正電路i _ H貝出貝料’來執行錯誤位置檢測、訂正的演算流程 不同。 :即^―首A色堂ismi. j 勺:位址;貝料;I次在步^驟52(12一电二料從記憶區—出 至貝料記憶電路17内。接著在步驟S203中,將D0〜D19所 示的暫存器,1 ^所示的f存器設定爲,f 〇,,。繼續在步驟S2〇z —·---------裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------.' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 知久數行位址暫存器Aid一col S足容設定爲〇。該變 行位址暫存器Add—col在行位址產生電路16内,並依據 内容產生行位址信號CSL。 其次在步驟S205中,將讀出資料從行位址所選擇的資 記憶電路盞11处复。麗續▲免 位址暫存器Add一col的内容是否爲516,若爲516時,則 步驟S208中關閉開關SW4、SW6、SW7,若不是516,則 -54- 私紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) #· A7 47371Θ 五、發明說明(52 ) 步驟S207中’打開開關s W4、S W6、S W7。 繼續在步驟S209中,依據與外部讀出賦能信號nRE同步 之輸出控制信號〇UTCLK同步產生的時鐘信號φ,執行徵 候群及同位的演算。接著在步驟幻1〇中,將變數行位址暫 存器Add一col的内容前推一步,回到前述的步驟。如 此逐一增加,並反複執行徵候群及同位的演算,直到變= 行位址暫存器Add一col的内容等於527。此外,上述步驟 S2〇5〜S2106勺動作是與輸出控制信麗gUTCLK同步執 的0 . 繼續在步驟S211中,將訂正讀出命令輸入命令介面3 内,如輸入16進制代碼”20”H時,即以訂正讀出命令信號 ECREAD來執行錯誤訂正動作。接著在步驟幻財,打開 開關SW4、SW6、SW7。繼續在步驟mu中,藉由與錯誤 矸正控制信號ECCLK同步產生的時鐘信號φ來執行徵候群 同 jsL ^ 〇 ' 一二 …一·.…·-"…响一:一^ 接著在步驟S214中,判定變數行位址暫存器Add—c〇i的 内容是否爲547,若不是547,則前進至步驟S215,前推一 步回到前述步驟S213。如此逐—增加,並反複執行徵候群 及同位的演算,直到變數行位址暫存器編―㈤的内容等 於547。此外,上述步驟S2U〜S215的動作是與錯誤訂正控 制信號ECCLK同步執行的。 另外,若在可述步驟S214中判定變數行位址暫存器 =dd一⑶1的内容等於547時,則在步驟S2i6中判定徵候群 疋否爲〇。忒判疋結果若31=〇時,則在步驟s2i7中判定是 •l·—.---------«裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -55- 473719 Α7 Β7 經濟部知曰慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(53 ) 否S3= 0。該判定結果若S3= 0時,則判定無錯誤,並在步 驟S218中,將狀態設定爲”正常”。 另外’若在前述步驟S216的判定結果s丨=〇,前述步驟 S217的判定結果S3 *〇時,則判定產生3位元以上的錯誤, 並在步驟S219中,將狀態設定爲”無法訂正”。 另外,若在前述步驟S216中的判定結果s丨* 〇時,則在 步驟S220中判定是否S3=0。若該判定結果S3=〇時,則判 定產生3位元以上的錯誤,並在步驟S226中,將狀態設定 爲π無法訂正”。此外,若在前述步驟S22〇的判定結果S3 * 〇時,則在步驟S221中,執行S3的轉換、σ i的計算、σ 2 的計算、λ 1的計算、λ 2的計算。 其/人在步驟S222中判定;l 2是否爲〇。該判定結果若几 一 …-........- 2=0時’判定產生!位元的錯誤,並在步驟§223中,將狀態 备又足爲11 1位元錯誤’丨〇 另外,若前述步驟S222中的判定結果;I 2* 0時,則i步 展S224中判定從寫入資料所產生的同位與從讀出資料所產 生的同位是否一致。該判定結果若爲同位一致,則判定產 生2位元錯誤,並在步驟S225中,將狀態設定爲”2位元錯 誤,、 、若在A述步麗S224中的判定結果爲同位不一致時,則判 疋產生3位元以上的錯誤,盖在步驟Μ%中,將狀態設定 爲搂逢I兵丄t 將變數行位址暫存器Add—col的内容設定爲0,在步驟S228 中執行1週期的錯誤位置演算。此外,上述步驟S216〜S228 —_____ - 56 - 本紙張準(CNS)-A4規格⑽χ 297公 :—.-----------------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 473710 A7 --------------- 五、發明說明(54) 的動作是與錯誤玎正控制信號ECCLK同步執行的。 其次在步驟229中,命令鎖存賦能信號(:1^爲"11,,,寫入 賦能信號nWE上昇,輸入狀態讀出命令的16進制代碼 170’’11時’在步驟3230中輸出分別於3218、3219、3223、 S225、S226中設定的狀態。 亦即,輸入狀態讀出命令,,70” H時,狀態讀出命令信號 STATUS爲”Η。於接受狀態讀出命令信號STATUS,晶片 賦化仏號nCE= ’’ L”時,讀出賦能信號nRE從,,H,,轉變至” L” 的時間,在前述的步驟S230中,如表4所示的,從D0端子 〜D2端子輸出狀態。 由於通常都沒有錯誤,因此是輸出”正常”的狀態,並結 束讀出動作。若輸出1位元錯誤或2位元錯誤的狀態時,則 再度輸出讀出資料,同時加以訂正、輸出。若輸出,,無法 叮正”的狀態時,則結束讀出動作,CPU2 1辨識無法訂正 的記憶區已遭破壞。 1 圖24爲圖23所示之演算流程中的資料讀出動作時間範 例。 在位址鎖存賦能信號ALE爲,’ H”的期間内,寫入賦能信 號色二数疲指t复5擇及開始輸出資料行 位址指定的位址資料ad〇〜ad2 (圖23的步驟S201)。 放入位址資料ad2時,讀出命令信號REad自動變爲 ’’ Hn,記憶格的資料從所選擇的記憶區讀出至資料記憶電 路17(圖23的步驟S2〇2)。同時,以DO〜D19所示的暫存器、 以P所示的暫存器被設定爲”0,,(圖23的步驟S203),變數行 l· —---------·裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
-57- 本紙張尺錢+晒家標準(CNS)A4規格(210 X 297公tT 47371Θ A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(55 ) 位址暫存器Add—col的内容亦被設定爲〇(圖23的步驟 S204)。.邊數行位址暫存器Add—⑶1在行位址產生電路ι6 内’並依據孩變數行位址暫存器Add_c〇1的内容產生行位 址仏唬CSL。在嬪出命令信號REAE^,,H,,的期間,忙綠信 號nBUSY爲"L”,將輸出準備中輸出至外部。 上羞lx遂太命令信號 OUTPUT馬 ” H” : ^ It ^ It * ώ 控制信號0UTCLK。與輸出輸出控制信號οϋΐκ同步, 按照行位址〇號至527號的順序,從行位·址所選擇的資料記 憶電路17中,將讀出資料輸出至錯誤訂正電路u,執行徵 候群及同位的計算(圖23的步驟S2〇5〜S210)。 當輸入訂正讀出命令”2〇"H時(圖23的步驟S2u),錯誤 可正讀出命令信號ECREAD變爲,f H,,,同時資料鎖存讀出 命免t號DLREAD變成’’11",槔此輸出錯誤訂正控制信號 ECCLK。,與錯誤訂正控制信號ECCLK同步,按照行么址 528號至547號的順序,從行位址所選擇的資料記憶電路 17 ’將讀出資料輸出至錯誤訂正電路11±,並執行徵候群 及同位的計算(圖23的步驟S212〜S215)。 繼續,計算命令信號(:入1^(::爲”11”,再度輸出錯誤訂正控 制信號ECCLK。與錯誤訂正控制信號ECCLK同步檢測讀出 資料的錯誤(圖23的步驟S216〜S226) 0 ^ 計算命令信號CALC爲” L”時,資料輸出命令信 OUTPUT變爲"H” ’輸出輸出控制信號〇UTCLK,準備白夕; 邵輸出(圖23的步驟S227、S228)。錯誤訂正讀出命令;1 -58- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) l· J---------·!裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂.· 3 7 4 Α7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(56 ) ECREAD變成”[丨,,蛀土二 人 上 、、'°束叮正讀出動作。在錯誤訂正讀出
,,p 7 H ECREAD爲’’H,’的期間,忙碌信號ηΒυ3γ成爲 L:,將輸出準備中向外部輸出。 p 7鎖存賦能信號CLE爲,,h,,的期間,寫入賦能信號 nWE上昇,輸入狀態讀出命令”川” η時(圖u的步驟 S229) ’在圖23的步驟S23〇中輸出圖23的步驟§218、 S223、S225、S226中所設定的狀態。此時,輸入狀 心喂出叩令7〇,!則寺,狀態讀出命令信號STATUS爲,丨Ηπ 0 在接文咸狀怨謂出命令信號STATUS,·η(:Ε=,,L,,時,nRE k Η轉k成”L”的時間,如表4所示的,從D〇端子〜D2 ^ .......................................................................一.…一"‘一;. 4 丁跑出狀悲。 p若屬於1位元錯誤或是2位元錯誤的狀態,在讀出賦能信 號nREk Η轉變爲” L"的時間,輸出控制信號qutclk則 從"L”轉變成”η”,輸出行位址信號(:几,開始從D〇端子 〜D7端子輸出讀出資料。同時執行錯誤位置演算,以檢測 下一個行位址的輸出資料是否錯誤。如此可以在1週期前 先行碉查是否應該訂正輸出資料,以便快速輸出。當然, 若不考慮快速身1—,〜也 訂正的檢測。 上述第二實施例中,如煎述第一實施例所述,很容易啓 動透卫主i给丄查鼻科 及同位資料。 圖25爲第一實施例及第二實施例之快閃記憶體中的資料 刪除動作時間範例。 -59- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ,0—.------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印f
4737UJ
五、發明說明(57 ) 同:it:?憶格陣列12的各陣列A,-選擇記憶塊, 问時刪除兩個記憶塊。 nW=:存:能信號咖爲” H"的期間’窝入賦能信號 =,輸入刪除位址輸入命令的“進制代物H。 =t址鎖存賦能信號仰爲"H,,的期間,⑨入兩次的 :貝科:再度於命令鎖存賦能信號CLE爲” H"的期間, ”,、入賦能信號nWE上昇,輸入刪除位址輸入命令丨丨6〇丨丨h, 繼續^位址鎖存賦能信號副爲"H"的期間,放入兩次的 位址資料。另外,僅刪除一個記憶塊時-,不執行第二次的 刪除位址輸入命令,,6〇,,Η的輸入及位址的輸入。 二=存賦能信號CLE爲” Η"的期間,寫入賦能信號 —I入爾除命令的丨6進m,90” Η,刪除命令 信號E^^SE變爲” Η”,刪除所選擇的記憶塊。刪除命令信 號ERASE鳧6¾ ^ ^ ^碌善養祕:y^Y爲” l”,將内部 處理中向外部輸出。 t 、、上的λ明中’爲便於废叛丄資料 '同作資 料分開來處理二事實..上,.同.位資料皇 的一#檢查資料。 從前述的狀態可以瞭解,本發明在分別提供具有下 述特徵的快閃記ϋ。— 一 —一 八 ,亦即.本發明的第一快閃記憶體,係由以下部分所構 成:記憶區,其係由數個快閃記憶格Μ所構成;命令介面 3 ’其係接受外部的寫入資料輸入命令” 8〇,,,產生寫入資 料輸入命令信號INPUT,接受外部的寫入命令” 1〇” η,產 -60- 本紙琅尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 χ 297公釐)
473719 經濟部知曰慧財產局員工消費合作社印製 A7 Β7 五、發明說明(58 ) 生寫入命=信號PRO ;第一信號緩衝器1〇,其係接收外部 所輸入的第一信號nWE ; i命生丨丨口占士 1 ^ 匕&制k號產生電路9,其係依據 前述的寫入命令信號PR0啓動,產生控制信號cgclk;資 料輸入緩衝器5’其係依據前述的寫入資料輸入命令信號 INPUT啓動,與前述第一信號nWE同步接收外部所輸入的 寫入資料;錯誤訂正電路1卜其係依據前述的寫入資料輸 入命令信號mPUT啓動,與前述的第一信號nWE同步接收 前述的寫入資料,依據前述的寫入命令pR〇啓動,血前述 的控制信號CGCLK同步產生用於訂正錯.誤的檢查資料;位 址緩衝器4,其係接收外部所輸入的位址資料;位址信號 產生電路16,其係依據前述的寫入資料輸入命令^ mPUT啓動,並依據與前述第一信號nWE同步,依據前^ 位^資料及按照事先所決定的順序產生位址信號CSL,依 據别述寫入印令h號PRO啓動,與前述的控制信號CSL同 步,按照事先所決定的順序產生位址信號;數個資料‘憶 電路17,其係分別針對各個記憶格設置,分別接受所分配 的位址信號CSL,暫時記憶數個資料,放入前述的寫入資 料及檢查資教,其係依據前述的 寫入命令PRO啓動,將暫時記憶在前述數個資料記憶電路 17内的寫入資料及檢查資料窝入前述的記憶格内。 此外,第;得4&億渡-前:貧曾施-剌-r 寫入命令信號PRO,將忙碌信號』咖^ 信號輸出電路3。 ^ —....................... 依據上述第一快閃記憶體,將資訊資料輸入至寫入電 -61 - 太纸張尺度適用中國一"γγγττγ Μ / y NJ X υ 1 ζ ί\ ¾ C / 丄 ) \ 寺 r - .^—----------裝--------訂—-------. (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) 473710 A7 B7 五、發明說明(59) 路,雖疋與外部控制的信號nWE同步執行,但是錯誤訂正 私路在兩個期間,是與兩個控制信號同步動作,亦即,第 -期間與外部控制信號nWE同步,第二期間則與自動產生 内部控制信號CGCLK同步。 因此’即使在沒有輸入外部控制信號的期間,在内部錯 誤矸正電路上產生用於訂正錯誤的檢查資料,及將檢查資 料輸入至寫入電路内等的處理,仍然可以自動的在快閃記 隐把的内邵處理。因此,可以提供一種與過去沒有搭載錯 誤訂正電路之快閃記憶體具有互換性的抉閃記憶體。 此外,本發明的第 、 、 你由以下部分所構 成:記憶區,其係由數個快閃記憶格馗所構成;記憶格陣 列12,其係由數個前述的記憶區所構成;產生控 KCUC的控制信號產生電路7;第一信號緩衝^,其賴 收外邵所輸入的第一信號nRE ;位址緩衝器4,其係接收 外邪所輸入的位址資料;位址信號產生電路16,其係與前 ,控制信號ECCLK同步,按照事先所決定的順序產生位址 信號CSL,並與前述第一信號測同步,依據前述位址資 料,按照事先所決定的順序產生位址信號咖;讀出手段 經 濟 部 .智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 =夂::)省缝跑生隨^迦前述記憶格 =Γ憶區^選擇的記憶區内各個記憶格m中讀 個資料記憶電路17,其係分別對各個記憶格Μ 汉置’暫時記憶分別從所選擇之記憶區所對應的 出=料’分別接受所分配的位址信號CSL,#出^ 把憶的死憶格所讀出的資料;資料輸出緩衝器 = -62-
473719 A7
閱 讀 背 © 之 注 意 事 #· 填气 I裝
頁 I
I
I
I
I
I 訂 473719 經濟部知曰慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明(61 ) 間與外邵控制信號nRE同步,第二期間則與自動產生内部 控制信號ECCLK同步。 因此,即使在沒有輸入外部控制信號的期間,在内部錯 誤玎正電路上產生用於訂正錯誤的檢查資料,及將用於訂 正錯誤之讀出電路所讀出的資料(資訊資料及檢查資料)讀 出至錯誤訂正電路内等的處理,仍然可以自動的在快閃記 憶體的内部處理。因此,可以提供一種與過去沒有搭載錯 誤訂正電路之快閃記憶體具有互換性的快閃記憶體。 此外’本記,體,係由以下部分所構 成數個快閃^格陣 列12,其係由數個前述記憶區所構成;命令介面3,其係 接受外部的訂正讀出命令”2〇,,H,產生訂正讀出命令信號 ECREAD ·,控制信號產生電路7,其係依據前述訂正讀出 命令#唬ECREAD啓動,產生控制信號ECCLK ;第一信號 緩衝器8,其係接收外部所輸入的第一信號ftRE;位址緩 衝器4,其係接收外部所輸入的位址資料;位址信號產生 電路16,其係與前述第一信號nRE同步,依據前述位址資 料,並按照事先所決定的順序產生位址信號csL,並依據 前述訂正讀出命令信號ECREAD啓動,與前述控制信號 ECCLK同步,並按照事先所決定的順序產生位址信號 CSL ;讀出手段(13,14,15),其係依據前述位址資料,選 擇前述記憶格陣列12中的記憶區,從選擇的記憶區内各個 圮憶格Μ中1買出資料;數個資料記憶電路丨7,其係分別對 各個記憶格Μ設置,暫時記憶分別從所選擇之記憶區所對 -64- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) .-----------------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 473719 A7 B7 五、發明說明(62 ) 應的記憶格Μ讀出沾次士、丨 勺為料’分別接受所分配的位址信號 CSL,輸出從暫暗^ 记憶的記憶格Μ所讀出的資料;資料輸 出%:衝崙5,其佴咖4μ 、則述弟一信號nRE同步,將前述數個 貧料記憶電路17所认, 、 7知出之記憶格Μ中讀出的資料輸出至外 邵;及錯誤訂正兩构 、, 包略,其係與前述第一信號nRE同步,接 收從前述數個資粗^ 貝竹冗炫電路17輸出之記憶格Μ讀出的資 料,並與前述#杂丨 二刊k號ECCLK同步,接收從前述數個資料 記憶電路17輸出泛立> ,
、士 十思格Μ讀出的資料,判斷從記憶格M 所讀出的資料是π权〜 ^ 的文料 〇 ^决’右有錯誤時,·可以指出發生錯誤 此外,較佳的實施例爲: /、!? d狀怨輸出手段(5,1 U,其係前述的命令介面3 接文外部的狀態讀出命令,· 7〇,,,產生狀態讀出命令信號 STATUS再依據則述狀態讀出命令信號啓動,藉 由前述的資料輸出緩衝器5來輸出從記憶格Μ所讀出之^ 料有無錯誤。 、=則述的錯决叮正電路i i,可以訂正從記憶格Μ所讀出 錯誤的數量。 則述狀恐輸出手段(5, u)可以輸出 、(=)則述的錯誤可正電路u,可以訂正從記憶格輯讀出 貝^料中的η個(η έ丨)資料,可以檢測(n+丨)個存在的錯 爾述的狀態輸出手段(5, n)可以輸出能否執行錯誤^ (4)還具有忙碌信號輸出電路3,其係在從記憶格m讀出 _ -65- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,裝
-n n n n · 473719 A7
賢料的期間,向外部輸出忙碌信號,而 。=CREAD,將忙碌信號沾仍γ輸出至外部。 三快閃記憶體’錯誤訂正電路在兩個期間, 信號nRE同步,第1二二t間與外部控制 少罘一期間則與自動產生内部斤制作骑 ECCLK同步。因此,即你产、々女认 ίΜ工弟Η口讀 n M吏在、/又有輸入外部控制信號的期 正電路上產生用於訂正錯誤的檢查資 二Γ:誤時指出其資料等的處理’仍然可以自動的在 决閃,己憶fa的内邵處理。因此,可以提供—種與過去沒有 搭載錯誤訂正電路之快閃記憶體具有互換性的快閃記 體。 心 、此外,本發明的第四快閃記憶體,係由以下部分所構 成:記憶區’其係由數個快閃記憶格_構成;命令介面 3,其係接受外部的寫入資料輸入命令,,8〇πη,產生寫入 資料輸入命令INPUT信號,接受外部的寫入命令,,1〇,,k, 產生寫入命令信號pR〇 ;第一信號緩衝器1〇,其係接收外 4所知入的弟一仏號nWE ;控制信號產生電路9,其係依 據前述的寫入命令信號PR0啓動,產生控制信號cgclk; 貝料輸入緩衝器5,其係依據前述的寫入資料輸入命令信 號INPUT啓動,與前述第一信號nWE同步接收外部所輸入 的寫入資料;錯誤訂正電路丨丨,其係依據前述的寫入資料 輸入命令信號INPUT啓動,與前述的第一信號nWE同步接 收前述的寫入資料,依據前述的寫入命令PR〇啓動,與前 述的控制信號CGCLK同步產生用於訂正錯誤的檢查資料; 66- 適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 #· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473719 A7 Β7 五、發明說明(64) 數個資料記憶電路17,其係分別針對各個記憶格M設置, 與前述第一信號nWE及前述控制信號cGCLk同步,暫日^記 憶數個資料,放入前述的寫入資料及檢查資料;及寫入手 段(13,I4,15),其係依據前述的寫入命令PR〇啓動,將暫 時記憶在前述數個資料記憶電路17内的寫入資料及檢查資 料寫入前述的記憶格内。 ’ 此外,較佳的實施例還具有依據前述寫入命令信號 PRO,將忙碌信號nBUSY輸出至外部的忙碌信號輸出電路 3 〇 . 上述第四快閃1己憶體與前述的第一快閃記憶體相比較, 將寫入資料及檢查資料放入資料記憶電路17内暫時記憶 時,並不是被分配的位址信號,雖然在與外部控制信號 nWE及内部控制信號cGCLK同步放入這一點有所不同,不 過基本上與前述第一快閃記憶體所得到的效果相同。 此外,本發明的第五快閃記憶體,係由以下部分户斤構 成:記憶區,其係由數個快閃記憶格Μ所構成;記憶格陣 列12 ’其係由數個前述的記憶區所構成;產生控制信號 ECCLK的控制信號產生電路7 ;第一信號緩衝器8,其係接 收外邵所輸入的第一信號nRE ;位址緩衝器4,其係接收 外邵所輸入的位址資料;讀出手段(13,14,15),其係依據 刖述位址資料選擇前述記憶格陣列12中的記憶區,從所選 擇 < 冗憶區内各個記憶格M讀出資料;數個資料記憶電路 17 ’其係分別對各個記憶格Μ設置,暫時記憶分別從所選 擇之七憶區所對應的記憶格Μ讀出的資料,與前述控制信 -67- 本,,氏張尺度過用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473719 A7 五、發明說明(65) bcclk及前述第-信號nRE同步,輸出 憶格Μ所讀出的資料;資料輸出緩衝器5,其:: -信號nRE同步’將前述數個資料記憶電路η所輸= 憶格財讀出的資料輸出至外部;及錯誤訂正電路⑴= =前述控制信號ECCLK同步,接收從前述數 情 電路17輸出之記憶格Μ讀出的資料,並與前述第一;: 戯同步,㈣從前料料輸出緩衝器^ 否錯誤,並加以訂正。 印叼貝枓疋 此外,較佳的實施例爲: _ "(?還具“二介面3,㊣係接受外部的狀態讀出命令 7〇 ’ i狀怨讀出命令信號STATUs;&狀態輸 其係依據前述狀態讀出命令信號STATUS啓動, 料輸出緩衝器5,輸出從記憶㈣所讀出的 、^錯誤訂正電路11,可以訂正從記憶格_ “ ==數個資料,前述狀態輸出手段(5, u)可以輸出 以檢測( n+L㈡ ; 6狀態輸出手段(5,u)可以輸出能否執行錯誤訂 水η有忙碌、信號輸出電路3,其係在從記憶格μ讀出 二期間曰块’正電路11接收從記憶格μ所讀出之資科 、、β,持%將忙碌信號nBUSY輸出至外部。 -68- 本紙張尺度適用t @ A4規格⑵〇 x 297綠) Α7
五、發明說明(66 ) 上述弟五快閃記憶體與前述的第二快閃記憶體相比較, 從資料1己憶電路17輸出資料時,並不是被分配的位址信 號’雖然在與内部控制信號ECCLK及外部控制信號nRE同 步這一點有所不同,不過基本上與前述第二快閃記憶體所 得到的效果相同。 經 濟 部 .智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 、此外,本發明的第六快閃記憶體,係由以下部分所構 成·圮憶區,其係由數個快閃記憶格Μ所構成;記憶格陣 列12,其係由數個前述記憶區所構成;命令介面3,其係 接又外4的叮正讀出命令"2〇” Η,產生訂正讀出命令信號 ECRE jD,控制信號產生電路7,其係依據前述訂正讀出 命令=號eCREAD啓動,產生控制信號ecclk;第一信號 緩:器8’其係接收外部所輸入的第一信號避;位址緩 衝器4,其係接收外部所輸入的位址資料;讀出手段(13, 14,15)、’其係依據前述位址資料,選擇前述記憶格陣列 中的记U區,彳文選擇的記憶區内各個記憶格Μ中讀土資 料,數個資料記憶電路17,其係分別對各個記憶格廳 置,:時記憶分別從所選擇之記憶區所對應的記憶格以讀 出的資料,與第-信號nRE及前述控制信號咖以同步, ,出從暫時記憶之記憶格_讀出的資料;資料輸出緩衝 器5其係與刖述第一信號nRE同步,將前述數個資料記 憶電路17所輸出之記憶格乂中讀出的資料輸出至外部;及 ^誤訂正電路U,其係與前述第—信號戲时,接收從 d j數個貝料記憶電路i 7輸出之記憶格m讀出的資料,並 與則述控制k號ECCLK同步,接收從前述數個資料記憶電 -69-
473710 五、發明說明(67) 路Π輸出之記憶格M讀 、 的資料是否錯誤,4貝、貝料’判斷從記憶格Μ所讀it 料。 右有錯誤時,可以指出發生錯誤的資 此外,較佳的實施例爲. (M具有狀態輪出手^; 接受外部的狀態讀+人a ‘ 命令介面2 月屯命令丨’ 7 〇 ” u , STATUS,再依據前述 + ,產生狀態讀出命令信號 由前述的資料輸出緩衝^^人命令信號STATUS啓動,藉 料有無錯誤。 时“輸出從記憶格Μ所讀出之資 (2)前述的錯誤訂正 之數個資料,前、以訂憶格μ所讀出 錯誤的數量。 &狀悲輸出手段(5, 11)可以輸出 (3 )」1! iL—的、錯卩先*丁 fp雷牧1 1 私路11,可以訂正從記憶格 之資料中的η個(n含^资料 π、——一 斤。貝出 、. )貝料’可以檢測(η+ 1)個存在的錯 誤,前述的狀態輸出手段r r 予丰又(5,11)可以輸出能否執行錯誤訂 正0 、⑷返具有忙碌信號輸出電路3,其係在從記憶格Μ讀出 貝料=期㈤,向外邵輸出忙碌信號心仍γ,而且依據前述 盯正項出命令仏號ECREAD,將忙碌信號nBUS¥輸出至外 部。 上述第六快閃記憶體與前述的第三快閃記憶體相比較, 從資料記憶電路17輸出資料時,並不是被分配的位址信 號’雖然在與外部控制信號nRE及内部控制信號ecclk同 步這一點有所不同,不過基本上與前述第三快閃記憶體所 -70- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) :裝 』=°J·_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473719 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(68 ) 得到的效果相同。 、此外’本發明的第七快閃記憶體,係由以下部分所構 成·圯憶區,其係由數個快閃記憶格“所構成;信號緩衝 :10,其係接收外部所輸入的第一信號nWE,在第一期間 輸出第一控制信號INCLK ;控制信號產生電路9,其係在 與則述弟一期間不同的第二期間内,自動的產生第二控制 k號CGCLK ;資料輸入緩衝器5,其係與前述第一信號 nWE同步接收從外部所輸入的寫入資料;錯誤訂正電路 11,其係與前述第一控制信號INCLK同·步接收前述寫入資 料,與w述第二控制信號CGCLK同步產生用於訂正錯誤的 檢查货料;數個資料記憶電路17,其係分別對各個記憶格 Μ設置,與前述第一控制信號INCLK及前述第二控制信號 CGCLK同步,暫時記憶數個資料,放入前述的寫入資料及 檢查資料;及寫入手段(13, 14, 15),其係將暫時記憶在前 述數個資料記憶電路17中的寫入資料及檢查資料寫入士求 的記憶區内。 ^ 此外,較佳的實施例爲: (1)在則述第二期間,向外部輸出忙碌信的忙 信號輸出電路3。 ' 上述第七快閃記憶體與前述的第一快閃記憶體相比較, 雖然在使用兩個内部控制信號CGCLK、INCLK這一點有所 不同,不過基本上與前述第一快閃記憶體所得到的效果^ 同0 此外,本發明的第八快閃記憶體,係由以下部分所構 -71 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) :—η---------装--------訂---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 47371ο A7 五、發明說明(69) 、己隐區纟係由數個快閃記憶格Μ所構成;記憶格陣 列12’其係由數個前述的記憶區所構成;控制 路7,其係在第一期間,自 座丨乂、& ^ 目勁產生罘一控制信號ECCLK ; 信號緩衝器8,其供拉於μ " '、接收外$所輸入的第一信號nRE,在 與前述第一期間不同的第-省 A/. 7弟一期間内,輸出弟二控制信號 OUTCLK;位址緩衝器4,其係接收㈣輸人 ^謂出手段(13,14,15),其係依據前述位址資料,選擇 則述記憶格陣列i 2中的記憶區,從選擇的記憶區内各個記 憶格Μ中讀出資料;數個資料記憶電路]7,其係分別對各 個記憶格Μ設置,暫時記憶分別從所選擇之記憶區所對應 的記憶格Μ讀出的資料,访?哲 t、u ]貝村與罘一控制信號ECCLK及前述第 ί控制信號㈣CLK同步,輸出從暫時記憶之記憶格Μ所 i買出的資料;資料輸出緩衝器5,其係與前述第二信號 OUTCLK同步,將前述數個資料記憶電路17所輸出之記憶 格Μ中讀出的資料輸出至外部;及錯誤訂正電如,至係 與前述第-控制信號ECCLK同步,接收從前述數個資料記 憶電路17輸出之記憶格M讀出的資料,並與前述第二信號 OUTCLK同步,判斷前述資料輸出緩衝器5所輸 是否錯誤,並加以訂正。 + 此外,較佳的實施例爲: ⑴還具有命令介面3 ’其係接受外部的狀態讀出命令 "70"H,產生狀態讀出命令信uTATus;及狀態輸出手 段(5,一 11),纟係依據前述狀態讀出命令信號sta而啓 動,藉由前述的資料輪出缮^^< X,, 徇、爱衝斋5,輸出從記憶格Μ所讀 -72 私紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項*|填寫本頁) 裝 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
47371U A7 ‘發明說明(7〇) 出的資料有無錯誤。 (2) 前述的錯誤訂正電路丨丨, >咨抵士 批/ 」以4正從記憶格Μ所讀出 〈貝枓中的數個資料,前述狀態輸 錯誤的數量。 (,1) 了以輪出 (3) 前述的錯誤訂正電路η, 之資料中的η個(…)資料,可、二…己憶格Μ所讀出 、; 可以私測(η+ 1)個存在的供 决,W述的狀態輪出羊辟Μ 1 正。 麵出手段(5, u)可以輸出能否執行錯誤訂 資二綠信號輸出電路3,其係;在從記憶格M讀出 貝枓及則迷4誤灯正電路u接收從記憶格靖讀出之 的期間:持續將忙碌信號nBUSY輸出至外部。 上述第八快閃記憶體與前述的第二快閃記憶體相比較, 雖然在使料個内部㈣信號咖LK、晴UK這一 所不同’不過基本上與前述第:快閃記憶體所得到的效 相同。 ^ 、此外’本發明的第九快閃記憶體,係由以下部分所構 成:記憶區,其係由數個快閃記憶格晴構成;記憶林陣 列12,其係由數個前述的記憶區所構成;信號緩衝器8, 其係接收外部所輸入的第—信號nRE,在第_期間輸出第 一控制信號OUTCLK ;控制信號產生電路7,其係在與第 :期間不同的第二期間,自動產生第二控制信號ECCLK; 位址緩衝器4,其係接收外部輸入的位址資料;讀出手段 (13, 14, 15),其係依據前述位址資料,選擇前述記憶格^ 列12中的記憶區,從選擇的記憶區内各個記憶格%中讀出 -73- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 111111. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
4737UJ A7 B7 經 濟 部 •智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明(71 ) 資料;數個資料記憶電路17,其係分別對各個記憶格顺 置,暫時記憶分別從所選擇之記憶區所對應的記憶格 出的資料,與前述第_松生丨 ^ 垃制^唬OUTCLK及前述第二控制 信號ECCLK同步,輸出從暫時記憶之記憶㈣讀出的資 料;資料輸出緩衝器5,其係與前述第 _CLK同步,將前述數個資料記憶電路 2 格財讀出的資料輸出至外部;及錯誤訂正電路u,= 記憶電路η輸出之記憶格M讀出的資料.,並 + 制信=CCLK同步,接收從前述數個資料 = 格r讀出的資料,判斷從記._出的資料= 1曰铁,若有錯誤時,可以指出發生錯誤的資料。 此外,較佳的實施例爲: 二;其?讀出命令信號⑽及狀態輸“ (,),係依據前述狀態讀出命令信號π"⑽ 二;:::述的資料輸出缓衝器5,輸出 ; 出的資料有無錯誤。 ^明 錯誤訂正電路u ’可以訂正從記憶 :::::數個資”述^±迦)可;: 錯誤訂正電路n ’可以訂正從記憶 資料,可以檢測㈣)個存在的Ϊ 狀,⑮輸出手段(5, 1 〇可以輸出能否執行錯誤訂 本紙張尺度中 -74- X 297 ) --;---------裝--------訂---------*^ρι· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 47371^ A7 B7 五 '發明說明(72 ) 正。 (4)還具有忙碌信號輸出電路3,其係在從記憶格Μ讀出 資料的期間,將忙碌信號nBUSY輸出至外部,並在前述第 —期間,將忙綠信號nBUSY輸出至外部。 上述第九快閃記憶體與前述的第三快閃記憶體相比較, 雖然在使用兩個内部控制信號ECCLK、OUTCLK這一點有 所不同,不過基本上與前述第三快閃記憶體所得到的效果 相同。 此外,本發明的第十快閃記憶體,係由以下部分所構 成:記憶區,其係由數個快閃記憶格Μ所構成;忙綠信號 輸出電路3,其係將忙碌信號nBUSY輸出至外部;資料輸 入緩衝器5 ’其係接收寫入外部輸入之各個記憶格内的寫 入資料;數個資料記憶電路Π,其係可以記憶η位元之暫 時$己憶的如述寫入資料;及錯誤訂正電路1 1,其係接收 ml位元(ml<n)的寫入資料,產生m2位元(ml + m2<n)的檢 查資料’產生前述m2位元的檢查資料後,接收m3位元 ί請先閱讀背面之注意事項#!填寫本頁) 裝
—.1 ϋ ϋ I ον 1 ϋ n n ϋ n ϋ I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^吐的—撿主資嚴。It 寫入資料輸入至前述數個資料記憶電路17内後,輸入至前 述數個資料記憶電路17内暫時記憶;m4位元的檢查資= 在m3位元的寫入資料輸入至前述數個資料記憶電路丨了内 後,輸入至前述數個資料記憶電路17内暫時記憶;暫時纪 憶在前述數個資料記憶電路17内之1111與〇13位^的寫入 料及m2與m4位元的檢查資料,在m4位元的檢查資料暫二 #· -75 A7 A7 五、 —^ --- B7 發明說明(73 ) 記憶在前述數個資料記憶電路17内後,寫入前述的記憶區 内,以述錯誤玎正電路1 1在產生前述m2位元的檢查資料 時,將前述忙碌信號輸出電路3所輸出的忙碌信號nBusY 輪出至外部。 、上述的第十快閃記憶體,接收兩個記憶區部分的資訊資 =,並同時寫入兩個記憶區内。寫入第一記憶區内的資訊 資料輸入時,輸出忙碌信號,表面上快閃管理系統是在寫 入中,而在内部產生檢查資料。因此檢查資料產生處理的 時間比寫入爲短,因而可以提供一種縮-短表面上寫入時間 的快閃記憶體。 ,此外,本發明的第十一快閃記憶體,係由以下部分所構 成:記憶區’其係由數個快閃記憶格崎構成;忙綠信號 輸出電路3,其係將忙碌信號11]81^丫輸出至外部;及錯誤 叮正電路11,其係讀出從前述記憶區所讀出的資料,指出 ά曰為喂出的’貝料。其中,在讀出從前述記憶區所讀出会料 :期間:前述錯誤訂正電路u指出錯誤讀出資料的期間, 將忙綠信號nBUSY持續從前述忙碌信號輸出電路3輸出至 外部。 上彳的第十一快閃記憶體,在從記憶區讀出資料的期間 a為。丁正笔路11指出錯誤的期間,持續將忙碌信號 nBUSY輸出至外部。因此,可以提供一種與過去沒有搭載 錯誤訂正電路之快閃記憶體具有互換性的快閃記憶體。 、此外,本發明的第十二快閃記憶體,係由以下部分所構 成:記憶區,其係由數個快閃記憶格Μ所構成;資料緩衝 -76- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4賴故rcnrw 9〇7八移、 _·--^---------裝--------訂---------· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4?3,7!y A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
473710 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明(75 ) 正電路11將記憶在至少1個以上指定記憶格内之資訊資料 轉換成事先所決定的虛擬資料,產生前述的檢查資料,將 從前述指定記憶格“所讀出的資訊資料轉換成前述的虛擬 負料’可正前述的資訊資料。 上述的第十三快閃記憶體,將寫入指定記憶區内的資訊 資料轉換成固定資料,來產生檢查資料,執行錯誤訂正。 因此’快閃記憶體管理系統可以提供一種即使在將追加 的資訊資料寫入其記憶格内時,仍然可以正確訂正錯誤的 快閃記憶體。 - 此外’本發明的第十四快閃記憶體,係由以下部分所構 成:記憶區,其係由數個快閃記憶格Μ所構成;寫入手段 (13,14,15),其係將指定的^位元資訊資料及檢查資料寫 入前述的1己憶區内·,讀出手段(13,14,15),其係從前述的 記憶區讀出前述η位元資訊資料及前述檢查資料;及錯誤 ΤΓ正電路11 ’其係從前述η位元資訊資料產生前述檢春資 料’並從前述η位元資訊資料及前述檢查資料訂正前述^位 元資訊資料的錯誤。其中,前述錯誤訂正電路11,有效附 加外部輸入之前述資訊資料於m位元(m< η)時事先所決 定(n- m)位元的虛擬資料,作爲資訊資料,產生前述的檢 查資料。 上述的第十四快間記憶體,即使從外部輸入的資訊資料 長度與指定的長度不同,仍然可以正確的訂正錯誤。亦 即,即使從快閃記憶體管理系統所輸出的資訊資料長度比 指定的長度爲短,仍然可以正確的訂正錯誤。因此,可以 -78- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) : ·裳------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------#· A7 A7 經 濟 部 .智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明(76) 提供-種無須倚賴資訊資料長度來正確訂正錯誤的 憶體。 、此外,本發明的第十五快閃記憶體,係由以下部分所構 成:記憶區,其係由數個快閃記憶格“所構成;寫入手 (13, 14,、15),其㈣資訊資料及檢查資料寫入前述的記·: 區内;謂出手段(13, 14, 15),其係從前述的記憶區讀 述資訊資料及前述檢查資料;錯誤訂正電路u,並係從前 述資訊資料產生前述檢查資料,並從前述資訊料及S 檢查資料訂正前述資訊資料的錯誤;&開關電路3,其係 選擇可正錯誤,將前述資訊資料輸出至外部,或是不訂正 錯誤,而將前述資訊資料輸出至外部。 上述的第十五快閃記憶體’設有電動開關,可以選擇是 否啓動所搭載的錯誤訂正電路。因此,可以提供—種便於 執行瑕疵分析的快閃記憶體。 、 亦即,雖然會有是否因經常啓動錯誤訂正電路,訂土並 輸,錯誤,而發生錯誤,或是不清楚發生錯誤的記憶格, 或是執行產品測試等瑕疵分析等的問題,但是可以藉由所 設置的選擇電路來避免上述問題的發生。 此外,本發明的第十六快閃記憶體,係由以下部分所構 成:記憶區,其係由身鱼快閃記憶格说所構成寫^段 二14,、±15 ),其係料及檢查資料寫入前述的記憶 區内,貝出手段(13,14,15),其係從前述的記憶區讀出前 述資訊資料及前述檢查資料;錯誤訂正電路n,其係 79- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) l· J---------e t---- (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) 訂--------- 4?3?1θ
、發明說明( 77 經 濟 部 •智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 祆查資料訂正前述資訊資料的錯誤;及開關電路3, 選擇是否啓動前述的錯誤訂正電路丨丨。 、係 ^述的第十六快閃記憶體,設有產品*貨時可以固 肩關,可以選擇是否啓動搭載於内部的錯誤訂正電路。 此^可以提供一種可以同時生產内部錯誤訂正電路 及無作用之產品的快閃記憶體。 J即,_閃記憶體的系統在訂正錯誤時,内部的錯 <Γ正動作只不過延缓寫入及讀出動作,需要關閉内部的 :坎可正電路。若是分別製造内部錯誤.訂正電路有作用及 幾作用的產品’會有減低生產性的問題,#由設置 雨 路即可加以解決。 A 此外,本發明的第十七快閃記憶體,係由以下部分所構 成:1己憶區,其係由數個快閃記憶格騎構成;記憶格陣 列12,其係由數個前述的記憶區所構成;寫入手段(13, M, ^),其係將資訊資料及檢查資料寫人前述的記憶區A / 項出手段(13, 14, 15) ’其係從前述的記憶區讀出前述資訊 =料及前述檢查資料;錯誤訂正電路u,其係從前述資訊 資料產生前述檢查資料,並從前料訊倾及前述檢查資 料灯正前述資訊資料的錯誤;及讀出手段(2,3, 13, 14, 15),其係在開啓電源的同0争’自動讀出指定記憶區内的 資料。 上述的第十七决閃吞己憶體,應用在開啓電源的同時,自 動從記憶格陣列讀出敎資料之快閃記憶體的系統,可以 提供-種搭載於快閃記憶體内的錯誤訂正電路,無論在任 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 · #· -n ί - -80 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -------B7___ 五、發明說明(78 ) 何情況下’均能訂正錯誤,具有高度穩定性與可靠性的快 閃記憶體。 # 亦即,使用在開啓電源的同時,自動從記憶格陣列讀出 指定資料之快閃記憶體的系統,可以解決若以指定的資料 來控制快閃1己憶體時,即使該系統在執行錯誤訂正,若是 該指定的資料是系統啓動之前的資料,則錯誤訂正無效的 問題。 此外,本發明的第十八快閃記憶體,係由以下部分所構 成··記憶區,其係由數個快閃記憶格Μ所構成;多値寫入 手ί又(13,14,15)’其係將第一資訊資料及第一檢查資料一 個位元一個位元的寫入前述記憶區的各個記憶格内,之 後’再將寫入的第一資訊資料及窝入的第_檢查資料與第 二資訊資料及第二檢查資料一個位元一個位元的寫入前述 記憶區的各個記憶格内,在1個記憶格内寫入2位元的資 料;多値讀出手段(13, 14, 15),其係從前述的記憶區缺出 前述第一資訊資料及前述第一檢查資料,從前述記憶區讀 出前述第二資訊資料及前述第二檢查資料;及錯誤訂正電 路11,其係從前述第一資訊資料產生前述第一檢查資料, 從如述第一資訊資料產生前述第二檢查資料,從前述第一 資訊資料及前述第一檢查資料訂正前述第一資訊資料的錯 誤,從前述第二資訊資料及前述第二檢查資料訂正前述第 二資訊資料的錯誤。其中,前述屬錯誤紅瓜屢^路斗^係依 B C H 產查‘正錯誤。 上述的第十八快閃記憶體,是將第一資訊資料及第—檢 ________- 81 - 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) ---;---------裝--- (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) 訂--------I' #·
47371U A7 五、發明說明( 79 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 且貧料,一個位元一個位元的寫入記憶區的各個記憶格 内,之後,再將寫人的第—資訊資料及第ϋ資料與^ 二資訊資料及第二檢查資料_個位元—個位元的寫入該記 憶區的各個記憶格内,在丨個記憶格内寫入2位元的資二: 此外還搭載依據BCH符號的電路。因此,可以提供晶片^ 寸較小的多値快閃記憶體。 亦即’在多値快閃1己憶體中,會因一個記憶格破壞而引 起數個位元的錯誤。因此,宜採用可以執行叢發鋩 的=較爲有效。另外,以位元爲單位.的錯誤訂:電路結 構簡單,且晶片尺寸不致過大。以位元爲單位訂正錯誤; 錯誤訂正電路,作爲適用於多値快閃記憶體的錯誤訂正電 路’可以解決補救效率低的問題。 此外,本發明的第十九快閃記憶體,係由以下部分所構 成:記憶區,其係由數個快閃記憶格河所構成;刪除電路 (13, 14, 15),其係刪除前述記憶區,將所有記憶格内士資 料變成"1” ;寫入手段(13, 14, 15),其係將資訊資料及檢 查資料寫入前述的記憶區内;讀出手段(13, 14, 15),其係 從前述的記憶區讀出前述資訊資料及前述檢查資料;及錯 誤可正電路11 ’其係從前述資訊資料產生前述檢查資料, 從前述資訊資料及前述檢查資料訂正前述資訊資料的 誤。其中,前述的錯誤訂正電路丨丨,從所有” i,,的資訊 料產生所有”1”的檢查資料。 體_ 乂_艘删除之ϋ憶m.进作〆 錯 資 馬 ---;---------^--------訂---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 82 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) 473719 A7 五、發明說明(80 ) 生所有"0”的檢查資料。因此,可以提 〜、...............'、 種即使在刪除 f -貝出曰之正電路仍然能多ΓΐΤί :即:刪除搭載了錯誤訂正電路之快閃 : =::要:1料重新讀出。此時可以解決當啓= h丁正'路時’出現誤檢測,誤認爲有錯誤的問題。 此外’本發明的第二十快閃記憶體,係由以下部 成1己憶區,其係由數個快閃記憶格輯構成;錯⑼正 電路U,其係從外部所輸入的資訊資料產生用於訂正Μ 的t查資料’從前述資訊資料及前述檢.查資料訂正前; 訊資料的錯誤;數個資料却恃兩玫 产执M A W仓 其係分別對各個記 :置;寫入手段(13,14,15)’其係將暫時記憶在前 述數個資料記憶電路17内的資訊資料及檢查資料寫入前述 的記憶區内;讀出手段(13,14,15),其係從前述的吃 將前述資訊資料及前述檢查資料讀出至前述數個資料; 電路π上;及輸出手段(3,5,6, 16) ’其係將從記憶在命: 數個資料記憶電路17上的記憶區所讀出的資 資料輸出至外部。 文上述的第二十快閃記憶體,具有將從記憶區讀出之資訊 貧料及檢查資料輸出至外部的輸出手段。因此,可以檢杏 是否正確產生檢查資料,可以提供一種高度可靠性的快7 記憶體。 本發明的第二十一快閃記憶體,係由以下部分所構成: 記憶區,其係由數個快閃記憶格乂所構成;錯誤訂正電路 11,其係從外部所輸入的資訊資料產生用於訂正錯誤的檢 -83- ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) l·—.---------·!裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4?371ϋ Α7 ^----------Β7 ___ 五、發明說明(82 ) 或4位元等。另外,在不脱離本發明主旨的範圍内,實施 型態可以作各種的改變。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明效果 上述^本發明的快閃記憶體(申請專利範圍第i、3、8、 I3、丨5、2〇、25、27、32項及其附屬申請項目厂 生内邵控制信號同步。因此,即使在沒有輸入外部控制信 號的期間、,仍然自動在内部執行,在内-部錯誤訂正電路上 屋生用於訂正錯誤的檢查資料、將檢查資料輸入至寫入電 路内、從用於訂正錯誤的讀出電路將讀出資料(資訊資料 ,檢查資料)讀出至錯誤訂正電路等的處理。因此,可以 提供-種與過去沒有搭載錯誤訂正電路之快閃記憶體具有 互換性的快閃記憶體。 此外,本發明的快閃記憶體(申請專利範圍第37項);接 收兩個記憶區部分的資訊資料,並同時寫入兩個記憶區 内。寫入第-記憶區内的資訊資料輸入時,輸出忙碌作 號,表面上快閃管理系統是在寫入中,而在内部產生檢查 資料。因此檢查資料產生處理的時間比寫人爲μ,因而可 以提供一種縮短表面上寫入時間的快閃記憶體。 此外,本發明的快閃記憶體(申請專利範圍第38項),在 從記憶區讀出資料的期間及錯誤訂正電路u指出錯誤的期 間,持續將忙碌信號nBUSY輸出至外部。因此,可以提供 一種與過去沒有搭載錯誤訂正電路之快閃記憶體具有互換 -85- 473710 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明(83 性的快閃記憶體。 此夕卜本發明的快閃記憶體(申請專利範圍第39項及其 附屬申請項目),其錯誤訂正電路在讀出資料輸出至外部 的同時動作。之後執行剩餘的錯誤訂正處理,只在有錯誤 時’才再度可正錯誤,並輸出至外部。因此,可以提供一 種縮短平均讀出時間的快閃記憶體。 此夕外,本發明的快閃記憶體(申請專利範圍第42項),藉 t將=人指定記憶區内的資訊資料轉換成固定資料,產^ 檢查:料’來執行錯誤訂正。因此,快·閃記憶體管理系統 可以提供-種即使在將追加的資訊資料寫入其記憶格内 時,仍然可以正確訂正錯誤的快閃記憶體。 此外,本發明的快閃記憶體(申請專利範圍第43項),從 外邵輸入的資訊資料長度與指定的長度不同日寺,藉由實 際、自動的增加固定資料,產生檢查資料及執行錯誤訂
正,可以k供一種無須倚賴資訊資料長度來正確訂正“誤 的快閃記憶體。 9 P 此外’本發明的快閃記憶體(申請專利範'圍第44項),設 有電動開關,藉由選擇是否啓動所搭載的錯誤訂正電路, 可以提供一種便於執行瑕疵分析的快閃記憶體。 此外’本發明的快閃記憶體(申請專利範圍農Μ項),設 有產品出貨時可以固定的開關,藉由選擇是否隻鱼2备載於 内邵的錯誤訂正電路,可以提供一種可以同時生產内部錯 說可正意路有作用及無作用之產品的快閃記憶體。 此外’本發明的快閃記憶體(申請專利範圍第46項),可 _______ -86- 不紙就㈣用f國國家標準(CNg)A4規格⑽χ撕公爱了 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
戍ί #在快閃冗憶體上搭載錯誤訂正電4,能夠在開 a =的同0争’自動從記憶格陣列讀出指定資料,無論在 何h /兄下,均具有鬲度穩定性與可靠性的快閃記憶體。 j外,本發明的快閃記憶體(申請專利範圍第項),是 知弟-資訊資料及第_檢查資料,—個位元―個位元的寫 :記2區的各個記憶格内,之後,再將寫入的第一資訊資 料及第一檢查資料與第二資訊資料及第二檢查資料一個位 元個位元的寫入該記憶區的各個記憶格内,在丨個記憶 才。内寫入2位το的資料。此外還搭載依據BCH符號的電 各因此,可以提供晶片尺寸較小的多値快閃記憶體。 此外,本發明的快閃記憶體(申請專利範圍第48項),爲 一種可以提供即使在刪除後重新讀出,錯誤訂正電路仍然 正常動作的快閃記憶體。 此外,本發明的快閃記憶體(申請專利範圍第49項),爲 一種可以ϋ由㈣記憶區所讀出之資訊資料&資料輸 出至外部的輸出手段,來檢查是否正確產生檢查資料,具 有高度可靠性的快閃記憶體。 、 此外’本發明的快閃記憶體(申請專利範圍第5〇項),爲 一種可以提供具有簡單、快速的電路,且不倚賴資料長 度’可以正確訂正錯誤的快閃記憶體。 圖式描述 圖!爲本發明第一種實施例之快閃記憶體結構的方 圖。 圖2爲·抽出圖h中一個記憶格陣列部分的電路圖。 -87- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 請 先 閱 讀 背 S 之 注 意 事 項羞 ί裝 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473718 A7 B7 五、發明說明(85 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖3爲適用於圖1之快閃記憶體的系統結構方塊圖。 圖4爲圖1中之錯誤可正電路中之檢查資料產生部分的% 路圖。 兒 圖5爲圖1中之錯誤訂正電路中之移位暫存器與邏輯演〜 電路的電路圖。 鼻 圖6顯示第一種實施例中的寫入演算流程範例。 圖7顯tf圖6之寫入演算流程中,同時在兩個記憶區窝入 資料的動作時間範例。 〜圖8顯示圖6之寫入演算流程中 資料的動作時間範例。 圖9顯示實施例的寫入時間。圖10顯示實施例的寫入時間。 圖11顯示圖1之錯誤訂正電路中的徵候群S1&S3產生部分。 圖12顯示圖丨之錯誤訂正電路中的徵候群幻轉換電路.。 圖13顯示圖1之錯誤訂正電路中的。i=si χ以計算電路0 圖14顯示圖1之錯誤訂正雷政击路中的σ 2=S1 X SI X S1 + S3計算電路。 圖15顯示圖i之錯誤訂正電路中的“〜又冰換器。 圖16顯示圖i之錯誤訂正電路中的江卜几 。 圖17顯示圖1之錯誤訂正電路 ’%路中的錯誤位置檢測電路。圖18顯示第一種實施例中的讀出演算流程範例。圖19顯示圖18之讀出演算流程中的讀出動作時間範例。 僅在一個記憶區内寫入 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 -88· 473710 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 ____— 五、發明說明(86 ) 圖2〇顯示圖18之讀出演算流程中的不訂正錯誤而輪出& 出資料的動作範例。 嗔 圖21顯示圖1 8之讀出演算流程中,錯誤訂正啓動偉號 ECCENB爲n L”時的資料讀出動作時間範例。 ) 圖22顯示圖3所示之系統中,於電源上昇時,自動讀出 指定號碼之1己憶區的動作時間範例。 圖23顯示第二種實施例的讀出演算流程範例。 圖24顯示圖23之讀出演算流程中的讀出動作時間範例。 圖25顯示本發明之快閃記憶體的刪除動作時間範例。 符號説明 1…外部端子 2…電源開啓檢測電路 3…命令介面 4…位址緩衝器 5…資料輸出輸入緩衝器 f 6…10緩衝器 7…錯誤訂正控制信號產生電路 8…輸出控制信號產生電路 9…檢查資料產生控制信號產生電路 10…輸入控制信號產生電路 11…錯誤訂正電路 12…記憶格陣列 13…源井控制電路 14…低控制電路 -89- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 裝--------訂---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 473719 A7 B7 五、發明說明(87 ) 15…行控制電路 16…行位址產生電路 17…資料記憶電路 18…移位暫存器 19…邏輯演算電路 20…快閃記憶體 21…中央處理單元 2 2…高速缓衝記憶體 (請先閱讀背面之注意事項#<填寫本頁) 裝
訂--------I #. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 4737UJ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種快閃記憶體,係由以下部分所構成: i己憶區,其係由數個快閃記憶格所構成; 命令介面,其係接受外部的寫入資料輸入命令,產 生寫入資料輸入命令信號,接受外部的寫入命令,產 生寫入命令信號; 第一信號緩衝器,其係接收外部所輸入的第一信號; k制k號產生電路,其係依據前述的寫入命令信號 啓動,產生控制信號; 資料輸入緩衝器,其係依據前述的寫入資料輪入命 令信號啓動,與前述第一信號同步接收外部所輪入的 寫入資料; 錯误ΰ丁正電路,其係依據前述的寫入資料輸入命令 信號啓動,與前述的第一信號同步接收前述的寫入資 料’依據前述的寫入命令啓動,與前述的控制信號同 步產生用於訂正錯誤的檢查資料; ^ 位址緩衝器,其係接收外部所輸入的位址資料; 位址信號產生電路,其係依據前述的寫入資料輸入 命令#唬啓動,並依據與前述第一信號同步,依據前 述位址資料及按照事先所決定的順序產生位址信號, 依據财述寫入命令信號啓動,與前述的控制信號同 步’按照事先所決定的順序產生位址信號; 數個資料記憶電路,其係分別針對各個記憶格設 置,分別接受所分配的位址信號,暫時記憶數個資 料,放入前述的寫入資料及檢查資料;及 —----------|^^裳-----^—訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製寫入手& ’其係依據前述的寫入命令啓動,將暫時 C憶在前述數個資料記憶電路内的寫入資料及檢杳次 料寫入前述的記憶格内。 貝 2·如申請專利範圍第i項之快閃記憶體,i具有依據前述 寫入命令信號,將忙碌信號輸出至外部的忙碌信於 出電路。 ^ ’輸 3· —種快閃記憶體,係由以下部分所構成: 元憶區’其係由數個快閃記憶格所構成; 記憶格陣列,其係由數個前述的記臆區所構成·, 產生控制信號的控制信號產生電路; 第一信號緩衝器,其係接收外部所輸入的第一信號· 位址緩衝器,其係接收外部所輸入的位址資料;^ 位址信號產生電路,其係與前述控制信號同步,按 照事先所決定的順序產生位址信號,並與前述第一= 號同步,依據前述位址資料,按照事先所決定-二 產生位址信號; 、序 讀出手段,其係依據前述位址資料,選擇前述記憶 格陣列中的記憶區,從選擇的記憶區内各個記憶^ 讀出資料; σ 數個資料記憶電路,其係分別對各個記憶格嗖冒 暫時記憶分另m所選擇之記憶區所對應⑹己憶格$出 的資料,分別接受所分配的位址信號,輸出從暫時 憶的記憶格所讀出的資料; 、α 資料輸出緩衝器,其係與前述第一信號同步,將前 C請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁} 裝--------訂----- #· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 -92 - 圍 六、申請專利範 Γ ΐ::科:憶電路所輸出之記憶格中讀出的資料輸 二錯誤訂正電路,其係與前述控制信號同步,接收從 路輸出之記憶格讀出的資料,並 輸出的資科=,,;:=資料輸出緩衝器所 4· 範:第3项之快閃記憶體,還具有命令介 令信/的狀態讀出命令’產生狀態讀出命 令俨狀怨輸出手段,其係依據前述狀態讀出命 -所二iC出緩衝器,輸出從記 5·::請=範園第4項之快嶋體,前述的錯誤訂正 t 料,前述狀態輸出手段可以輸出錯誤的數量中。的數個資 •=凊專利範圍第4項之快閃記憶體’前述的錯誤^丁正 i料:T以I正從記憶格所讀出之資料中的η個 手段可以輸出能否執行錯誤訂正。…狀態輸出 如申明專利範圍第3項之快閃記憶體,且 , 輸出電路,其係在從記憶格讀出資料及二r碌仏號 電路接收從記憶格所讀出之資料 :=錯誤訂正 信號輸出至外部。 持、%將忙綠 8· —種快閃記憶體,係由以下部分所構成: 記憶區,其係由數個快閃記憶格所構成· -93- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑽χ 297公爱) 473710 A8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C8 D8 申請專利範圍 。己格陣列,其係由數個前述記憶區所構成; ^ 7 ;|面,其係接受外部的訂正讀出命令,產生 正讀出命令信號; 控制信號產生電路,其係依據前述訂正讀出命令 號啓動,產生控制信號; " 第一信號緩衝器,其係接收外部所輸入的第—信號; 位址緩衝器,其係接收外部所輸入的位址資料. ?止信號產生電路,其係與前述第一信號同步,依 據則述位址資料,並按照事先所決定的順序產生位址 信號,並依據前述訂正讀出命令信號啓動,盥 制,號同步,並按照事先所決定的順序產生位址信號;工 謂出手段’其係依據前述位址料,選擇前述 格陣列中的記憶區,從 ·“ 讀出資料; “内各個記憶格中 數個資料記憶電路,並仿分別料 糾土、冰 八係刀別對各個記憶格設被, $時⑽A別從所選擇之記憶區所對應的記憶格讀出 的貧料,分別接受所分配的位址 ^ 憶的記憶格所讀出的資料; 、七 資料輸出緩衝器’其係與前述第-信號同步,將前 出至外部;及 斤輸出…格中讀出的資料輸 錯誤訂正電路,其係與前述第—信 前述數個資料記憶電路輸出之^ ^收故 與前述控制信號同步,接收從a 勺貝料,並 接收仗則述數個資料記憶電路 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格 ------------φ-裝---- (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) 訂--- 等 94 4經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 格讀出的資料’判斷從記憶格所 9 mr’若有錯誤時’可以指出發生錯誤的資料。 .:申,專利範圍第8項之快閃記憶體,還具有狀態輪出 又:其係前述的命令介面接受外部的狀態讀 二ί狀態讀出命令信號,再依據前述狀態讀出命 a奴動,藉由前述的資料輸出缓衝器來輸出 憶格所讀出之資料有無錯誤。 σ 10.=申請專利範園第9項之快閃記憶體,前述的錯誤訂正 屯路一可以5丁正從記憶格所讀出之資料中的數個資 料,前述狀態輸出手段可以輸出錯誤的數量。 11· ^中請專利範圍第9項之快閃記憶體,前述的錯誤訂正 :路’可以訂正從記憶格所讀出之資料中的η個 資料,可以檢測(η+1)個存在的錯誤,前述的狀態輸出 手段可以輸出能否執行錯誤訂正。 12.如申請專利範圍第8項之快閃記憶體,還具有忙綠“ 輸出電路,其係、在從記憶格讀出資料的期間,向外部 輸出忙碌#唬’而且依據前述訂正讀出命令信號,將 忙碌#號輸出至外部。 13· —種快閃記憶體,係由以下部分所構成: 記憶區,其係由數個快閃記憶格所構成; 命令介面,其係接受外部的寫入資料輸入命令,產 生寫入資料輸入命令信號,接受外部的寫入命令,產 生寫入命令信號; 第一信號緩衝器,其係接收外部所輸入的第一信號; 95- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) II-----I I I I ---I Γ____訂·___— II__ f請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 4737UJ A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 控制信號產生電路,其係依據前述的寫入命令信號 啓動,產生控制信號; 負料輸入緩衝备,其係依據前述的寫入資料輸入命 令信號啓動,與前述第一信號同步接收外部所輸入的 寫入資料; 錯誤訂正電路,其係依據前述的寫入資料輸入命令 k號啓動,與前述的第一信號同步接收前述的寫入資 料,依據前述的寫入命令啓動,與前述的控制信號同 步產生用於訂正錯誤的檢查資料;- 數個貝料兄憶電路’其係分別針對各個記憶格設 置,與前述第一信號及前述控制信號同步,暫時記憶 數個資料,放入前述的寫入資料及檢查資料;及 寫入手段’其係依據前述的寫入命令啓動,將暫時 1己憶在前述數個資料記憶電路内的寫入資料及檢查資 料寫入前述的記憶格内。 f 14·如申請專利範圍第13項之快閃記憶體,還具有依據前 述寫入命令信號,將忙碌信號輸出至外部的忙碌信號 輸出電路。 15· —種快閃記憶體,係由以下部分所構成: 記憶區,其係由數個快閃記憶格所構成; 記憶格陣列,其係由數個前述的記憶區所構成; 產生控制信號的控制信號產生電路; 第一信號緩衝器,其係接收外部所輸入的第一信號; 位址緩衝器,其係接收外部所輸入的位址資料; -96- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) —I----------裝-----··—訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7出手段,其係、依據前述位址資料選擇前述記憶格 丄中的記憶區,從所選擇之記憶區内各個記憶格讀 貝料; t個資料記憶電路’其係分別對各個記憶格設置, ^己憶分別從所選擇之記憶區所對應的記憶格讀出 ::料’與珂述控制信號及前述第一信號同步,輸出 <暫時記憶的記憶格所讀出的資料; :料輸出缓衝器’其係與前述第一信號同步,將前 =數個資料記憶電路所輸出之記憶格中讀出的資料輸 出至外部;及 4錯誤訂正電路’其係與前述控制信號同步,接收從 2=數個資料記憶電路輸出之記憶格讀出的資料,並 於:逑第-信號同步,判斷從前述資料輸出緩衝器所 季則出的資料是否錯誤,並加以訂正。 16.如申請專利範圍第15項之快閃記憶體,還具有命乂介 二:其係接受外部的狀態讀出命令,產生狀態讀出命 二就;及狀態輸出手段,其係依據前述狀態讀出命 力,藉由前述的資料輸出緩衝器,輸出從記 匕&所i買出的資料有無錯誤。 17·:::專=圍第16項之快閃記憶體,前述的錯誤訂 ?路’可以可正從記憶格所讀出之資 料,前述狀態輸出手段可以輸出錯誤的數量貝 18·如申請專利範園第16項之快閃記憶體,前述的 正電路,可以訂正從記憶格所讀出之資料中的乂二) 97- -丨:---------裝--------訂---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度_帽國家標準(CNsHlii: (210 x 297公釐) 47371Θ Is 經 濟 部 .智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 六、申請專利範圍 ^ 可X袄測(n+ 1)個存在的錯誤,前述的狀態輪出 手段可以輸出能否執行錯誤訂正。 19·如申請專利範圍第15項之快閃記憶體,還具有忙綠信 號輸出電路,其係在從記憶格讀出資料及前述錯誤訂 正電路接收從記憶格所讀出之資料的期間,持續將松 碌信號輸出至外部。 20. -種快閃記憶體,係由以下部分所構成: 記憶區,其係由數個快閃記憶格所構成; 記憶格陣列,其係由數個前述記憶·區所構成; 命令介面,其係接受外部的訂正讀出命令,產生訂 正讀出命令信號; 杈制仏唬產生電路,其係依據前述訂正讀出命令信 號啓動,產生控制信號; 第一信號緩衝器,其係接收外部所輸入的第一信號; 位址緩衝器,其係接收外部所輸入的位址資料;f 項出手&,其係依據前述位址資料,選擇前述記憶 格陣列中的記憶區,從選擇的記憶區内各個記憶格中 讀出資料; 數個資料記憶電路,其係分別對各個記憶格設置, 暫時記憶分別從所選擇之記憶區所對應的記憶格讀出 的資料’與第一信號及前述控制信號同步,輸出從暫 時記憶之記憶格所讀出的資料; 資料輸出緩衝器’其係與前述第一信號同步,將前 述數個資料記憶電路所輸出之記憶格中讀出的資料輸 98- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) :---------1 裝--------訂---------^^1 C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 473?ΐύ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 申請專利範圍 出至外部;及 T ^ 路’其係與前述第一信號同步,接收從 前述數個資料記恃^山、 七己“路輸出〈記憶格讀出的資料,並 與刖述控制信號同步,垃 、、 ^ 接收攸則述數個資料記憶電路 輸出之S己憶格讀七66咨} » 勺貝枓’判断從記憶格所讀出的資 料疋否錯誤,若有錯^吳暗,可 4匕 、 "守 了以扎出發生錯誤的資料。 21. 如申请專利範圍第2〇項 > 也pq、 山ο *弟0員 < 快閃1己憶體,還具有狀態輸 出手段,其係前述的命令介面拄 人 士 , p 7 ;丨面接文外邵的狀態讀出命 二產=態讀出:令信號,再依據前述狀態讀出命 力,由爾述的資料輸出緩衝器來輸出從 憶格所讀出之資料有無錯誤。 。 22. 如申請專利範園第21項之快閃記憶 正電路,可以訂正從記憶格所讀 丁 料,W述狀態輸出手段可以輸出錯誤的數量。固貝 23. 如申請專利範圍第21項之快閃記憶體,前述 正電路,可以訂正從記憶格所讀出之資料中的η個(= 貧料,可以檢測(η+1)個存在的錯誤,前述的狀' ) 手段可以輸出能否執行錯誤訂正。 〜、别出 24·如申請專利範圍第2〇項之快閃記憶體,還具有忙 號輸出電路,其係在從記憶格讀出資料的期間了 ^ 6 部輸出忙碌信號,而且依據前述訂正讀出命;^外 將忙碌信號輸出至外部。 I ’ 25· —種快閃記憶體,係由以下部分所構成: 記憶區,其係由數個快閃記憶格所構成; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) .裝--------訂---- 等A/r。唬緩衝器,其係接收外部所輸入的第一信號,在 第一期間輸出第一控制信號; 斤k制k號產生電路,其係在與前述第一期間不同的 第二期間内,自動的產生第二控制信號; 貪料軚入緩衝器,其係與前述第一信號同步接收從 外郅所輸入的寫入資料; 二‘戎叮正電路,其係與前述第一控制信號同步接收 …述寫入資料,與前述第二控制信號同步產生用於訂 正錯誤的檢查資料; - ,數個#料冗憶電路,其係分別對各個記憶格設置, 人蝻述第一控制信號及前述第二控制信號同步,暫時 记憶數個資料,放入前述的寫入資料及檢查資料;及 寫入手段,其係將暫時記憶在前述數個資料記憶電 路中的寫入資料及檢查資料寫入前述的記憶區内。 26·=申請專利範圍第25項之快閃記憶體,還具有在俞述 第二期間,向外部輸出忙碌信號的忙碌信號輸出電路。 27· —種快閃記憶體,係由以下部分所構成: 1己憶區,其係由數個快閃記憶格所構成; 记憶格陣列,其係由數個前述的記憶區所構成; 控制信號產生電路,其係在第一期@,自動產 一控制信號; 仏號緩衝器,其係接收外部所輸入的第一信號,在與 則述第一期間不同的第二期間内,輸出第二控制信號; 位址緩衝器,其係接收外部輸入的位址資料; I ^---------裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -100- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473719 、申請專利範圍 嗔出手段,其係依據前述位址資料,選擇前述記憶格 陣列中的記憶區’從選擇的記憶區内各個記憶格中讀出 資料; 數個資料記憶電路,其係分別對各個記憶格設置, 次己匕刀別彳< 所選擇之記憶區所對應的記憶格讀出 於:料’與第-控制信號及前述第二控制信號同步, 知出從暫時記憶之記憶格所讀出的資料; 料輸出缓衝器,其係與前述第二信號同步,將前 資料記憶電路所輸出之記憶格中讀出的資料輸 至外邵;及 ^誤訂正電路’其係與前述第—㈣信 數個資料記憶電路輸出之記憶格讀出的資 枓,並與前述第二信號同步,判 器所輪出的资料β 爿断則述貧料輸出緩衝 平則出的貝枓疋否錯誤,並加以訂正。 28·如申請專利範圍第27項之快閃記憶體,。 人 面’其係接受外部的狀態讀出命令生狀」::1 令信號;及狀態輸出手段,Α 狀悲項出中 令信號啓動,藉由前述的資料2據前述狀態讀出命 憶格所讀出的資料有無錯誤。 友衝-輸出攸§己 29.如申請專利範園第28項之快 正雷踗,-Γ、,、 ^ ^ ’前述的錯誤訂 正甩路,可以玎正從記憶格所 =狀態輸出手段可,錯 3〇·如申巧專利範圍第“項之快閃 正電路,可以訂正從記憶格 “’前述的錯誤訂 厅%出又資料中的η個(r^D -101 —^----------I 裝--------訂---------^^1 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標3 (CNS)^^⑽x 29了 公釐) 47371Θ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 貪料,可以檢測(n+丨)個存在 r 手段可以輸出能否執行錯誤訂正…前述象、輪出 範圍第27項之快閃記憶體,還具有忙碌信 ::广’其係在從記憶格讀出資料及前述錯誤訂 ==從記憶格所讀出之資料的期間,持續將忙 碌L號私出至外邵。 32. -種:閃記憶體’係由以下部分所構成: 記憶區,其係由數個快閃記憶格所構成; j隐才°陣列,其係由數個前述的記億區所構成; ”衝器’其係接收外部所輸入的第一信號,在 弟一期間輸出第一控制信號; 控制信號產生電路,其係在與第—期間不同的第二 期間,自動產生第二控制信號; 位址、’爰衝态,其係接收外部輸入的位址資料; 項出手段,其係依據前述位址資料,選擇前述士憶 才口車列中的记’丨思區,從選擇的記憶區内各個記憶格中 讀出資料; 數個資料記憶電路,其係分別對各個記憶格設置, 暫時記憶分別從所選擇之記憶區所對應 的資料,與前述第-控制信號及前述第二控;U同 步,輸出從暫時記憶之記憶格所讀出的資料; 資料輸出緩衝器,其係與前述第一信號同步,將爾 述數個貝料記憶電路所輸出之記憶格中讀出的資料賴 出至外部;及 -102 ------------I 裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一-0> · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 297公釐) A8 B8 C8 D8申請專利範圍 47371Θ 收=':二!路二其係與前述第-控制信號同步,接 料广:二固貧料記憶電路輸出之記憶格讀出的資 料記憶電路輸=:::=步,接收從前述數個資 二;:科…誤’若有錯誤時,可以指出發生錯 33·如申請專利範圍第32項之快 面,其係接受外部的狀能讀出人;:二'有命令介 令信號;及狀態輸出手Γ,A = f ^狀態讀出命 令信號欣私一丄义、、、/、係依據珂述狀態讀出命 惜故、;、Γ ,猎由丽述的資料輸出緩衝器,輸出;今 憶秸所1買出的資料有無錯誤。 之σ Μ.:::專利範園第33項之快閃記憶體,前述的 兒路,可以訂正從記憶格所讀 :π 料’前述狀態輸出手段可以輸二;^的數個資 35. Π:”範園第33項之快閃記憶體,前述的錯誤訂 —私路,可以玎正從記憶格所讀出之資料中 貧料,可以檢測(η+1)個存在的 (η = 〇 手段可以輸出能否執行錯誤訂正^ ^的狀態輸出 36. 如申請專利範圍第則之快閃記憶體,還 唬輸出電路,其係在從記憶格讀 :。 族产啼土人 喝^貝^的期間,將忙 ;。唬知出至外部,並在前述第二期間, 輸出至外部。 π It碌k唬 37· —種快閃記憶體,係由以下部分所構成: 記憶區,其係由數個快閃記憶格所構成; I: I —I — I ·11111--^ · I I I--I-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -103- 本紙張尺度適用中國國^T^)A4規格⑽χ 297公爱 4737ΐβ 六、申請專利範圍 忙碌信號輸出電路,其係將忙碌信號輸出至外部; 資料輸入緩衝器,其係接收寫入外部輸入之各個記 憶格内的寫入資料; 數個資料記憶電路,其係可以記憶11位元之暫時記憶 的前述寫入資料;及 錯誤訂正電路,其係接收ml位元(ml<n)w寫入資 料,產生m2位元(mi + m2<n)的檢查資料,產生前述m2 位=的檢查資料後,接收m3位元(ml + m2+m3<勾=寫 入貪料,產生m4位元(ml + m2+ m3+ ιη4·δ η)的檢查資料; 其中,m2位元的檢查資料在ml位元的寫入資料輸入 至前述數個資料記憶電路内後,輸入至前述數個資料 記憶電路内暫時記憶;m4位元的檢查資料在m3位元的 寫入資料輸入至前述數個資料記憶電路内後,輸入至 前述數個資料記憶電路内暫時記憶;㈣記憶在前述 數個資料記憶電路内之ml與m3位元的寫入資料及阳2與 m4位元的檢查資料,在m4位元的檢查資料暫時記憶^ 錢數個資料記憶電路内後,寫人前述的記憶區内; 前述錯誤訂正電路在產生前述…位元的檢查資料 時,將前述忙碌信號輸出電路所輸出的忙綠信號 至外部。 38. —種快閃記憶體,係由以下部分所構成: 記憶區,其係由數個快閃記憶格所構成; 忙碌信號輸出電路,其係將忙碌信號輸出至外部;及 錯誤訂正電路,其係讀出從前述記憶區所讀出的資 -104- 本紙張尺度適用屮各標芈(CNS)A4規格⑵0 χ 297公髮- 丨^----------裝--------訂--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 等. 今⑶ίϋ 圍 '申請專利範 2、’指出錯誤讀出的資料;其 — :::出資料的期間及前述錯誤訂正::從前述記憶 貝科的期間,將忙綠信 包路指出錯誤讀 電路輪出至外部。 持1仗珂述松碌信號輸出 39.-種快閃記憶體’係由以下部分 :::,其係由數個快閃記憶格所構成· 料輪將從前述記憶區所讀出之讀出資 錯誤訂正電路,其係在輸 出之資料w ^ 1出k則述貧料緩衝器所讀 出資料的讀出資料; -出貝料中指出錯誤i買 其中,前述的錯誤訂正雷故 所4 +、、之』4 路再度將從資料緩衝器 40.如申請專利範圍第39項之快閃γ ^的讀出 U己憶體,還具有將錯誤 心細出至外邵的狀態輸出電路。 f 礼:申請專利範圍第39項之快閃記憶體,還具有暫時記 '!思從雨述記憶區所讀出之讀出資料的數個資料記憶電 路。 / 42· —種快閃記憶體,係由以下部分所構成: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 死憶區,其係由數個快閃記憶格所構成; 寫入手段,其係將資訊資料及檢查資料寫入前述的 記憶區内; 讀出手段,其係從前述的記憶區讀出前述資訊資料 及前述檢查資料;及 -105- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4737UJ 六、申請專利範圍 ▲曰误ff正電路,並作你a 、 資料,並從前述資;訊資料產生前述檢查 訊資科的錯誤; 前述檢查資料訂玉前述資 4:内前,誤訂正電路將記憶在至少Η固以上指定 產二:Γ"資料轉換成事先所決定的虚擬資料, 資二: 料’將從前述指定記憶格所讀出的 料:貝枓轉換成前述的虛擬資料,訂正前述的資訊資 43. -種快閃記憶體,係由以下部分所構.成: 記憶區,其係由數個快閃記憶格所構成; 寫入手奴,其係將指定的η位元資訊資料及檢查資 寫入前述的記憶區内; 、碩出手段,其係從前述的記憶區讀出前述η位元 資料及前述檢查資料;及 / 聲 今釔戾叮正電路,其係從前述η位元資訊資料產生诸述 檢查資料,並從前述η位元資訊資料及前述檢查資料訂 正前述η位元資訊資料的錯誤; 、/、中,别述錯誤可正電路,有效附加從外部輪入之 則述資訊資料於m位元(m< η)時事先所決定(n- m)位元= 虛擬資料,作爲資訊資料,產生前述的檢查資料。、 44·種快閃記憶體,係由以下部分所構成·· 1己憶區,其係由數個快閃記憶格所構成; 寫入手段,其係將資訊資料及檢查資料寫入前述的 記憶區内; ' -106 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) 4737UJ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 喂出手奴,其係從前述的記憶區讀出前述資^ 及前述檢查資料; > 科 錯誤訂正電路,其係從前述資訊資料產生前 資料,並從前述資訊資料及前述檢查資料訂 1 訊資料的錯誤;及 ^耷 開關電路’其係選擇訂正錯誤,將前述資訊 出至外部,或是不訂正錯誤,而將前述資訊 輪 至外部。 Ύ輸出 45·種快閃;己丨思體’係由以下部分所構-成: 記憶區,其係由數個快閃記憶格所構成·, 寫入手段,其係將資訊資料及檢查資料 記憶區内; ~ <的 讀出手段,其係從前述的記憶區讀出前述資訊 及前述檢查資料; 錯誤訂正電路,其係從前述資訊資料產生前述输 資料,並從前述資訊資料及前述檢查資料訂正前^查 訊資料的錯誤;及 ^資 開關電路,其係選擇是否啓動前述的錯誤訂正電路 46. —種快閃記憶體,係由以下部分所構成: 記憶區,其係由數個快閃記憶格所構成; 1己憶格陣列’其係由數個前述的記憶區所構成· 寫入手段,其係將資訊資料及檢查資料耷, β "ΓΤ两八可述的 記憶區内; 讀出手段,其係從前述的記憶區讀出前述資訊資剩 -107 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 「襄--------訂--- 聲· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部*%慧財產局員工消費合作社印製 及前述檢查資料; …錯誤訂正電路,其係從前述資訊資料產生前述檢查 資料,並從前述資訊資料及前述檢查資料訂正前述資 訊資料的錯誤;及 、胃出手&,其係在開啓電源的同時,自動讀出指定 3己憶區内的資料。 47 一^ •種快閃記憶體,係由以下部分所構成: A fe區’其係由數個快閃記憶格所構成; 夕値寫入手段’其係將第一資訊資料及第一檢查資 料一個位兀一個位元的寫入前述記憶區的各個記憶格 =,之後,再將寫入的第一資訊資料及寫入的第一檢 且貪料與第二資訊資料及第二檢查資料一個位元一個 垃凡的寫入前述記憶區的各個記憶格内,在丨個記憶格 内寫入2位元的資料; …多値讀出手段,其係從前述的記憶區讀出前述崇一 資矾資料及前述第一檢查資料,從前述記憶區讀出前 述第二資訊資料及前述第二檢查資料;及 錯誤可正電路,其係從前述第一資訊資料產生前述 第一檢查資料’從前述第二資訊資料產生前述第二檢 查資料’從前述第一資訊資料及前述第一檢查資料訂 正前述第一資訊資料的錯誤,從前述第二資訊資料及 七述第二檢查資料訂正前述第二資訊資料的錯誤; 其中,前述的錯誤訂正電路,係依據BCH符號來產生 檢查資料及訂正錯誤。 -108- 本紙張尺錢财關緖準(CNS)A4^^(2i〇x29f^7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)六、申請專利範圍 48· —種快閃記憶體,係由以下部分所構成: 兄憶區,其係由數個快閃記憶格所構成; 刪除%路,其係刪除前述記憶區,將所有記憶格内 的資料變成” 1,,; 寫入手段’其係將資訊資料及檢查資料寫入前述的 記憶區内; 1 讀出手段,其係從前述的記憶區讀出前述資訊資料 及前述檢查資料;及 錯誤訂正電路,其係從前述資訊資料產生前述檢查 資料’從前述資訊資料及前述檢查資料訂正前述資訊 資料的錯誤; 其中,前述的錯誤訂正電路,從所有”丨"的資訊資料 產生所有” 1 ”的檢查資料。 49. 一種快閃記憶體,係由以下部分所構成: 兒憶區,其係由數個快閃記憶格所構成; ’ 錯誤訂正電路,其係從外部所輸入的資訊資料產生 用於㊂丁正錯誤的檢查資料,從前述資訊資料及前述檢 查資料可正前述資訊資料的錯誤; 數個資料記憶電路,其係分別對各個記憶格設置; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 窝入手段,其係將暫時s己憶在前述數個資料記憶喊 路内的資訊資料及檢查資料寫入前述的記憶區内; 凟出手段,其係從前述的記憶區將前述資訊資料及 珂述檢查資料讀出至前述數個資料記憶電路上;及 輸出手段,其係將從記憶在前述數個資料記憶電路 -109- 473719 k申請專利範圍 上的1己憶區所讀出的資訊資料及檢杏 5。· -種快閃記憶體,係由以下部分所構:科輸出至外部。 記憶區,其係由數個快閃記憶格所構成; 錯誤訂正電路,其係從外部所輸入的資訊資料 用於可正錯誤的檢查資料,從前述資訊資料及前 查資料可正前述資訊資料的錯誤; 〜 數個資料記憶電路,其係分別對各個記憶格設置; 寫入手段,其係將暫時記憶在前述數個資料^憶+ 路,的資訊資料及檢查資料寫入前述·的記憶區内1 % 讀出手段,其係從前述的記憶區將前述資訊資料及 前述檢查資料讀出至前述數個資料記憶電路上; 其中,在外部輸入資訊資料前,將記憶在前述數個 資料記憶電路上的資料重設在指定的資料内。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -110- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18187499A JP4074029B2 (ja) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | フラッシュメモリ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW473719B true TW473719B (en) | 2002-01-21 |
Family
ID=16108377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089111490A TW473719B (en) | 1999-06-28 | 2000-06-13 | Flash memory |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US6611938B1 (zh) |
EP (2) | EP1065594B1 (zh) |
JP (1) | JP4074029B2 (zh) |
KR (1) | KR100378272B1 (zh) |
CN (2) | CN1206657C (zh) |
DE (2) | DE60035810T2 (zh) |
TW (1) | TW473719B (zh) |
Families Citing this family (114)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4112849B2 (ja) | 2001-11-21 | 2008-07-02 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP3851865B2 (ja) | 2001-12-19 | 2006-11-29 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
CN1319071C (zh) * | 2002-08-07 | 2007-05-30 | 飞虹积体电路股份有限公司 | 以快闪存储器模拟电擦除可编程只读存储器的系统及方法 |
JP4129381B2 (ja) | 2002-09-25 | 2008-08-06 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7296213B2 (en) * | 2002-12-11 | 2007-11-13 | Nvidia Corporation | Error correction cache for flash memory |
JP4314057B2 (ja) | 2003-04-18 | 2009-08-12 | サンディスク コーポレイション | 不揮発性半導体記憶装置および電子装置 |
ITRM20030198A1 (it) * | 2003-04-28 | 2004-10-29 | Micron Technology Inc | Monitor ad unita' di controllo basata su rom in un |
US7703780B2 (en) * | 2003-09-30 | 2010-04-27 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Wheel supporting apparatus improving ride comfort of vehicle |
US7865809B1 (en) | 2004-03-11 | 2011-01-04 | Super Talent Electronics, Inc. | Data error detection and correction in non-volatile memory devices |
JP2005327437A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-11-24 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置 |
US7882299B2 (en) * | 2004-12-21 | 2011-02-01 | Sandisk Corporation | System and method for use of on-chip non-volatile memory write cache |
US7844879B2 (en) | 2006-01-20 | 2010-11-30 | Marvell World Trade Ltd. | Method and system for error correction in flash memory |
US8055979B2 (en) * | 2006-01-20 | 2011-11-08 | Marvell World Trade Ltd. | Flash memory with coding and signal processing |
JP4846384B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2011-12-28 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP4836608B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2011-12-14 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
DE602006006788D1 (de) * | 2006-03-02 | 2009-06-25 | St Microelectronics Srl | Leseverfahren eines Speichers mit eingebetteter Fehlerkorrekturkode und Speicher mit eingebetteter Fehlerkorrekturkode |
JP2007305267A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US7624329B2 (en) * | 2006-08-30 | 2009-11-24 | Freescale Semiconductor, Inc. | Programming a memory device having error correction logic |
US7809899B2 (en) * | 2007-05-29 | 2010-10-05 | Lsi Corporation | System for integrity protection for standard 2n-bit multiple sized memory devices |
WO2009095902A2 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Densbits Technologies Ltd. | Systems and methods for handling immediate data errors in flash memory |
US8650352B2 (en) * | 2007-09-20 | 2014-02-11 | Densbits Technologies Ltd. | Systems and methods for determining logical values of coupled flash memory cells |
US8694715B2 (en) | 2007-10-22 | 2014-04-08 | Densbits Technologies Ltd. | Methods for adaptively programming flash memory devices and flash memory systems incorporating same |
US8443242B2 (en) | 2007-10-25 | 2013-05-14 | Densbits Technologies Ltd. | Systems and methods for multiple coding rates in flash devices |
WO2009072103A2 (en) | 2007-12-05 | 2009-06-11 | Densbits Technologies Ltd. | Flash memory apparatus and methods using a plurality of decoding stages including optional use of concatenated bch codes and/or designation of 'first below' cells |
WO2009072102A2 (en) | 2007-12-05 | 2009-06-11 | Densbits Technologies Ltd. | System and methods employing mock thresholds to generate actual reading thresholds in flash memory devices |
WO2009072105A2 (en) * | 2007-12-05 | 2009-06-11 | Densbits Technologies Ltd. | A low power chien-search based bch/rs decoding system for flash memory, mobile communications devices and other applications |
WO2009074979A2 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Densbits Technologies Ltd. | Chien-search system employing a clock-gating scheme to save power for error correction decoder and other applications |
WO2009074978A2 (en) | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Densbits Technologies Ltd. | Systems and methods for error correction and decoding on multi-level physical media |
US8327246B2 (en) | 2007-12-18 | 2012-12-04 | Densbits Technologies Ltd. | Apparatus for coding at a plurality of rates in multi-level flash memory systems, and methods useful in conjunction therewith |
JP4672742B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2011-04-20 | 株式会社東芝 | メモリコントローラおよびメモリシステム |
US8972472B2 (en) * | 2008-03-25 | 2015-03-03 | Densbits Technologies Ltd. | Apparatus and methods for hardware-efficient unbiased rounding |
JP2008251154A (ja) * | 2008-04-11 | 2008-10-16 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8332725B2 (en) | 2008-08-20 | 2012-12-11 | Densbits Technologies Ltd. | Reprogramming non volatile memory portions |
US8819385B2 (en) | 2009-04-06 | 2014-08-26 | Densbits Technologies Ltd. | Device and method for managing a flash memory |
US8458574B2 (en) | 2009-04-06 | 2013-06-04 | Densbits Technologies Ltd. | Compact chien-search based decoding apparatus and method |
CN101872318B (zh) * | 2009-04-22 | 2012-10-24 | 群联电子股份有限公司 | 用于快闪记忆体的资料存取方法及其储存系统与控制器 |
KR101575248B1 (ko) | 2009-04-30 | 2015-12-07 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러 및 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
US8566510B2 (en) | 2009-05-12 | 2013-10-22 | Densbits Technologies Ltd. | Systems and method for flash memory management |
US8225052B2 (en) | 2009-06-03 | 2012-07-17 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling host memory access with memory devices and systems |
JP5668279B2 (ja) | 2009-08-06 | 2015-02-12 | ソニー株式会社 | 不揮発性ランダムアクセスメモリおよび不揮発性メモリシステム |
EP2299362A3 (en) * | 2009-08-18 | 2011-05-04 | ViaSat, Inc. | Forward error correction for memories |
US8868821B2 (en) | 2009-08-26 | 2014-10-21 | Densbits Technologies Ltd. | Systems and methods for pre-equalization and code design for a flash memory |
US8995197B1 (en) | 2009-08-26 | 2015-03-31 | Densbits Technologies Ltd. | System and methods for dynamic erase and program control for flash memory device memories |
US9330767B1 (en) | 2009-08-26 | 2016-05-03 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Flash memory module and method for programming a page of flash memory cells |
US8305812B2 (en) * | 2009-08-26 | 2012-11-06 | Densbits Technologies Ltd. | Flash memory module and method for programming a page of flash memory cells |
US8730729B2 (en) | 2009-10-15 | 2014-05-20 | Densbits Technologies Ltd. | Systems and methods for averaging error rates in non-volatile devices and storage systems |
US8724387B2 (en) | 2009-10-22 | 2014-05-13 | Densbits Technologies Ltd. | Method, system, and computer readable medium for reading and programming flash memory cells using multiple bias voltages |
TWI486764B (zh) * | 2009-10-30 | 2015-06-01 | Silicon Motion Inc | 資料儲存裝置,控制器,以及於次等級記憶體存取資料之方法 |
US8626988B2 (en) * | 2009-11-19 | 2014-01-07 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for uncoded bit error rate equalization via interleaving |
US9037777B2 (en) * | 2009-12-22 | 2015-05-19 | Densbits Technologies Ltd. | Device, system, and method for reducing program/read disturb in flash arrays |
US8607124B2 (en) * | 2009-12-24 | 2013-12-10 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for setting a flash memory cell read threshold |
CN102117230B (zh) * | 2009-12-31 | 2013-01-09 | 群联电子股份有限公司 | 数据写入方法、闪存控制器与闪存储存装置 |
US8700970B2 (en) * | 2010-02-28 | 2014-04-15 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for multi-dimensional decoding |
US8516274B2 (en) | 2010-04-06 | 2013-08-20 | Densbits Technologies Ltd. | Method, system and medium for analog encryption in a flash memory |
US8527840B2 (en) | 2010-04-06 | 2013-09-03 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for restoring damaged data programmed on a flash device |
US8745317B2 (en) | 2010-04-07 | 2014-06-03 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for storing information in a multi-level cell memory |
US20110258366A1 (en) * | 2010-04-19 | 2011-10-20 | Mosaid Technologies Incorporated | Status indication in a system having a plurality of memory devices |
US9021177B2 (en) | 2010-04-29 | 2015-04-28 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for allocating and using spare blocks in a flash memory |
US8726130B2 (en) * | 2010-06-01 | 2014-05-13 | Greenliant Llc | Dynamic buffer management in a NAND memory controller to minimize age related performance degradation due to error correction |
US8799747B2 (en) * | 2010-06-03 | 2014-08-05 | Seagate Technology Llc | Data hardening to compensate for loss of data retention characteristics in a non-volatile memory |
US8539311B2 (en) | 2010-07-01 | 2013-09-17 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for data recovery in multi-level cell memories |
US8621321B2 (en) | 2010-07-01 | 2013-12-31 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for multi-dimensional encoding and decoding |
US20120008414A1 (en) | 2010-07-06 | 2012-01-12 | Michael Katz | Systems and methods for storing, retrieving, and adjusting read thresholds in flash memory storage system |
US8964464B2 (en) | 2010-08-24 | 2015-02-24 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for accelerated sampling |
US8508995B2 (en) | 2010-09-15 | 2013-08-13 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for adjusting read voltage thresholds in memories |
US9063878B2 (en) | 2010-11-03 | 2015-06-23 | Densbits Technologies Ltd. | Method, system and computer readable medium for copy back |
US8850100B2 (en) | 2010-12-07 | 2014-09-30 | Densbits Technologies Ltd. | Interleaving codeword portions between multiple planes and/or dies of a flash memory device |
US10079068B2 (en) | 2011-02-23 | 2018-09-18 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Devices and method for wear estimation based memory management |
US8693258B2 (en) | 2011-03-17 | 2014-04-08 | Densbits Technologies Ltd. | Obtaining soft information using a hard interface |
US8990665B1 (en) | 2011-04-06 | 2015-03-24 | Densbits Technologies Ltd. | System, method and computer program product for joint search of a read threshold and soft decoding |
US9195592B1 (en) | 2011-05-12 | 2015-11-24 | Densbits Technologies Ltd. | Advanced management of a non-volatile memory |
US9110785B1 (en) | 2011-05-12 | 2015-08-18 | Densbits Technologies Ltd. | Ordered merge of data sectors that belong to memory space portions |
US9501392B1 (en) | 2011-05-12 | 2016-11-22 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Management of a non-volatile memory module |
US9396106B2 (en) | 2011-05-12 | 2016-07-19 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Advanced management of a non-volatile memory |
US9372792B1 (en) | 2011-05-12 | 2016-06-21 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Advanced management of a non-volatile memory |
US8996790B1 (en) | 2011-05-12 | 2015-03-31 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for flash memory management |
US8667211B2 (en) | 2011-06-01 | 2014-03-04 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for managing a non-volatile memory |
US8588003B1 (en) | 2011-08-01 | 2013-11-19 | Densbits Technologies Ltd. | System, method and computer program product for programming and for recovering from a power failure |
US8553468B2 (en) | 2011-09-21 | 2013-10-08 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for managing erase operations in a non-volatile memory |
WO2013094913A1 (ko) * | 2011-12-23 | 2013-06-27 | 한양대학교 산학협력단 | 입출력 핀을 이용한 다중 웨이 낸드 플래시 제어 장치 및 방법 |
US8947941B2 (en) | 2012-02-09 | 2015-02-03 | Densbits Technologies Ltd. | State responsive operations relating to flash memory cells |
US8996788B2 (en) | 2012-02-09 | 2015-03-31 | Densbits Technologies Ltd. | Configurable flash interface |
US8806294B2 (en) | 2012-04-20 | 2014-08-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Error detection within a memory |
US8996793B1 (en) | 2012-04-24 | 2015-03-31 | Densbits Technologies Ltd. | System, method and computer readable medium for generating soft information |
US8838937B1 (en) | 2012-05-23 | 2014-09-16 | Densbits Technologies Ltd. | Methods, systems and computer readable medium for writing and reading data |
US8879325B1 (en) | 2012-05-30 | 2014-11-04 | Densbits Technologies Ltd. | System, method and computer program product for processing read threshold information and for reading a flash memory module |
US8797804B2 (en) | 2012-07-30 | 2014-08-05 | Micron Technology, Inc. | Vertical memory with body connection |
US9921954B1 (en) | 2012-08-27 | 2018-03-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method and system for split flash memory management between host and storage controller |
US9368225B1 (en) | 2012-11-21 | 2016-06-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Determining read thresholds based upon read error direction statistics |
US9069659B1 (en) | 2013-01-03 | 2015-06-30 | Densbits Technologies Ltd. | Read threshold determination using reference read threshold |
US9136876B1 (en) | 2013-06-13 | 2015-09-15 | Densbits Technologies Ltd. | Size limited multi-dimensional decoding |
US9413491B1 (en) | 2013-10-08 | 2016-08-09 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | System and method for multiple dimension decoding and encoding a message |
US9786388B1 (en) | 2013-10-09 | 2017-10-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Detecting and managing bad columns |
US9348694B1 (en) | 2013-10-09 | 2016-05-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Detecting and managing bad columns |
US9397706B1 (en) | 2013-10-09 | 2016-07-19 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | System and method for irregular multiple dimension decoding and encoding |
CN104681097B (zh) * | 2013-11-27 | 2017-11-21 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种非易失性存储器的修复方法 |
TWI523025B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-02-21 | 慧榮科技股份有限公司 | 資料儲存裝置及其錯誤校正方法 |
US9536612B1 (en) | 2014-01-23 | 2017-01-03 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd | Digital signaling processing for three dimensional flash memory arrays |
US10120792B1 (en) | 2014-01-29 | 2018-11-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Programming an embedded flash storage device |
US9542262B1 (en) | 2014-05-29 | 2017-01-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Error correction |
US9892033B1 (en) | 2014-06-24 | 2018-02-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Management of memory units |
US9972393B1 (en) | 2014-07-03 | 2018-05-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accelerating programming of a flash memory module |
US9584159B1 (en) | 2014-07-03 | 2017-02-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Interleaved encoding |
US9449702B1 (en) | 2014-07-08 | 2016-09-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Power management |
WO2016013285A1 (ja) * | 2014-07-24 | 2016-01-28 | ソニー株式会社 | メモリコントローラおよびメモリコントローラの制御方法 |
US9367392B2 (en) * | 2014-08-01 | 2016-06-14 | Winbond Electronics Corporation | NAND flash memory having internal ECC processing and method of operation thereof |
US9524211B1 (en) | 2014-11-18 | 2016-12-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Codeword management |
US10305515B1 (en) | 2015-02-02 | 2019-05-28 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | System and method for encoding using multiple linear feedback shift registers |
US10628255B1 (en) | 2015-06-11 | 2020-04-21 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Multi-dimensional decoding |
US9851921B1 (en) | 2015-07-05 | 2017-12-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Flash memory chip processing |
US9954558B1 (en) | 2016-03-03 | 2018-04-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Fast decoding of data stored in a flash memory |
KR102540765B1 (ko) * | 2016-09-07 | 2023-06-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
CN107918571B (zh) * | 2016-10-08 | 2021-04-30 | 上海宝存信息科技有限公司 | 测试储存单元的方法以及使用该方法的装置 |
CN112230855A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-01-15 | 英韧科技(上海)有限公司 | 固态硬盘及其读写方法 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB509485A (en) | 1936-10-20 | 1939-07-17 | Signalisation Et Construction | Improvements in or relating to gutters and kerbs for roads |
JPS58108830A (ja) | 1981-12-23 | 1983-06-29 | Hitachi Ltd | ジヨセフソン論理集積回路 |
JPS61134988A (ja) | 1984-12-04 | 1986-06-23 | Toshiba Corp | 半導体メモリにおける誤り検出訂正機能制御系 |
US4646312A (en) * | 1984-12-13 | 1987-02-24 | Ncr Corporation | Error detection and correction system |
DE3751609T2 (de) * | 1986-09-01 | 1996-07-04 | Nec Corp | Datenprozessor mit Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung. |
JPH04141900A (ja) | 1990-10-01 | 1992-05-15 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路 |
JP2821278B2 (ja) | 1991-04-15 | 1998-11-05 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 半導体集積回路 |
US6230233B1 (en) * | 1991-09-13 | 2001-05-08 | Sandisk Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
KR950003013B1 (ko) | 1992-03-30 | 1995-03-29 | 삼성전자 주식회사 | 틀림정정회로를 가지는 이이피롬 |
KR970008188B1 (ko) * | 1993-04-08 | 1997-05-21 | 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 플래시메모리의 제어방법 및 그것을 사용한 정보처리장치 |
US6078520A (en) * | 1993-04-08 | 2000-06-20 | Hitachi, Ltd. | Flash memory control method and information processing system therewith |
JP3999822B2 (ja) | 1993-12-28 | 2007-10-31 | 株式会社東芝 | 記憶システム |
US5603001A (en) | 1994-05-09 | 1997-02-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor disk system having a plurality of flash memories |
US6804760B2 (en) * | 1994-12-23 | 2004-10-12 | Micron Technology, Inc. | Method for determining a type of memory present in a system |
US5475693A (en) * | 1994-12-27 | 1995-12-12 | Intel Corporation | Error management processes for flash EEPROM memory arrays |
JP3272903B2 (ja) | 1995-03-16 | 2002-04-08 | 株式会社東芝 | 誤り訂正検出回路と半導体記憶装置 |
US5606532A (en) | 1995-03-17 | 1997-02-25 | Atmel Corporation | EEPROM array with flash-like core |
TW318240B (zh) * | 1996-01-22 | 1997-10-21 | Sony Co Ltd | |
JP3200012B2 (ja) | 1996-04-19 | 2001-08-20 | 株式会社東芝 | 記憶システム |
JPH09288895A (ja) | 1996-04-19 | 1997-11-04 | Toshiba Corp | 3値記憶半導体記憶システム |
JP3740212B2 (ja) * | 1996-05-01 | 2006-02-01 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性半導体記憶装置 |
US5793943A (en) * | 1996-07-29 | 1998-08-11 | Micron Electronics, Inc. | System for a primary BIOS ROM recovery in a dual BIOS ROM computer system |
US5754566A (en) | 1996-09-06 | 1998-05-19 | Intel Corporation | Method and apparatus for correcting a multilevel cell memory by using interleaving |
CA2214743C (en) * | 1996-09-20 | 2002-03-05 | Ntt Mobile Communications Network Inc. | A frame synchronization circuit and communications system |
US5864569A (en) | 1996-10-18 | 1999-01-26 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for performing error correction on data read from a multistate memory |
US6026014A (en) * | 1996-12-20 | 2000-02-15 | Hitachi, Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory and read method |
US6279069B1 (en) * | 1996-12-26 | 2001-08-21 | Intel Corporation | Interface for flash EEPROM memory arrays |
JPH10207726A (ja) | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ディスク装置 |
US5920578A (en) * | 1997-04-23 | 1999-07-06 | Cirrus Logic, Inc. | Method and apparatus for efficiently processing a multi-dimensional code |
US6048090A (en) * | 1997-04-23 | 2000-04-11 | Cirrus Logic, Inc. | Error correction and concurrent verification of a product code |
KR100323554B1 (ko) * | 1997-05-14 | 2002-03-08 | 니시무로 타이죠 | 불휘발성반도체메모리장치 |
US6360346B1 (en) * | 1997-08-27 | 2002-03-19 | Sony Corporation | Storage unit, method of checking storage unit, reading and writing method |
US6732322B1 (en) * | 1998-01-21 | 2004-05-04 | Sony Corporation | Encoding method and memory device |
JP3199021B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2001-08-13 | 日本電気株式会社 | 半導体メモリ装置、該半導体メモリ装置の検査方法及び使用方法 |
JPH11298895A (ja) | 1998-04-06 | 1999-10-29 | Sony Corp | 画像符号化装置とその方法 |
DE69832609D1 (de) * | 1998-09-30 | 2006-01-05 | St Microelectronics Srl | Emulierte EEPROM Speicheranordnung und entsprechendes Verfahren |
JP4105819B2 (ja) * | 1999-04-26 | 2008-06-25 | 株式会社ルネサステクノロジ | 記憶装置およびメモリカード |
US6360347B1 (en) * | 1999-05-18 | 2002-03-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Error correction method for a memory device |
-
1999
- 1999-06-28 JP JP18187499A patent/JP4074029B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-06-13 TW TW089111490A patent/TW473719B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-06-27 US US09/604,692 patent/US6611938B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-27 KR KR10-2000-0035593A patent/KR100378272B1/ko active IP Right Grant
- 2000-06-28 DE DE60035810T patent/DE60035810T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-28 EP EP00113125A patent/EP1065594B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-28 EP EP04011269A patent/EP1450259B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-28 CN CNB001192493A patent/CN1206657C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-28 DE DE60013044T patent/DE60013044T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-28 CN CN2005100655644A patent/CN1681046B/zh not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-06-24 US US10/601,636 patent/US7219285B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-05-10 US US11/747,225 patent/US7509566B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-16 US US12/371,659 patent/US7908529B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-11 US US13/046,333 patent/US8365025B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-12-07 US US13/708,222 patent/US9053043B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1065594A3 (en) | 2001-03-21 |
KR100378272B1 (ko) | 2003-03-29 |
US8365025B2 (en) | 2013-01-29 |
DE60013044D1 (de) | 2004-09-23 |
DE60035810D1 (de) | 2007-09-13 |
EP1065594A2 (en) | 2001-01-03 |
EP1450259A3 (en) | 2004-10-20 |
US20040030971A1 (en) | 2004-02-12 |
CN1681046B (zh) | 2011-07-13 |
DE60013044T2 (de) | 2005-08-18 |
US9053043B2 (en) | 2015-06-09 |
EP1450259B1 (en) | 2007-08-01 |
JP2001014888A (ja) | 2001-01-19 |
US20090164712A1 (en) | 2009-06-25 |
US7509566B2 (en) | 2009-03-24 |
US6611938B1 (en) | 2003-08-26 |
US7908529B2 (en) | 2011-03-15 |
CN1279482A (zh) | 2001-01-10 |
JP4074029B2 (ja) | 2008-04-09 |
KR20010007539A (ko) | 2001-01-26 |
EP1065594B1 (en) | 2004-08-18 |
EP1450259A2 (en) | 2004-08-25 |
US20070223277A1 (en) | 2007-09-27 |
US20110167320A1 (en) | 2011-07-07 |
DE60035810T2 (de) | 2008-09-18 |
US7219285B2 (en) | 2007-05-15 |
CN1681046A (zh) | 2005-10-12 |
US20130097473A1 (en) | 2013-04-18 |
CN1206657C (zh) | 2005-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW473719B (en) | Flash memory | |
TWI307100B (en) | Memory and method for reading error checking thereof | |
TWI299120B (en) | Integrated circuit devices and methods of operating the same | |
TWI303435B (en) | An error detection and correction scheme for a memory device | |
TWI375151B (en) | A controller for one type of nand flash memory for emulating another type of nand flash memory and methods for the same | |
TWI433157B (zh) | 存取快閃記憶體的方法以及相關之記憶裝置 | |
US8250417B2 (en) | Method for detecting flash program failures | |
CN105843749B (zh) | 一种基于FPGA的NAND Flash容错方法 | |
TWI332611B (en) | Method for writing data in flash memory and error correction coding/decoding method thereof | |
TW200408949A (en) | Control method of apparatus for non-volatile memory | |
TW200915327A (en) | Method of protecting data for power failure and controller using the same | |
TW201007748A (en) | Method and apparatus for error correction | |
TW201106151A (en) | Detection of uncorrectable re-grown fuses in a microprocessor | |
US8255616B2 (en) | Non-volatile memory device and method therefor | |
US8271719B2 (en) | Non-volatile memory controller device and method therefor | |
CN101427323A (zh) | 读取非易失性计算机存储器的系统和方法 | |
TW201123196A (en) | Bit error threshold and content addressable memory to address a remapped memory device | |
TW200530831A (en) | Interface for a block addressable mass storage system | |
US20120265921A1 (en) | Boot data storage schemes for electronic devices | |
TW201113887A (en) | Data writing method for a flash memory, and controller and storage system using the same | |
TWI554886B (zh) | 資料保護方法、記憶體控制電路單元及記憶體儲存裝置 | |
TW200828330A (en) | Allowable bit errors per sector in memory devices | |
TW201913382A (zh) | 解碼方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元 | |
TWM304711U (en) | Flash memory data access reliability enhancing device | |
TW201101318A (en) | Controller circuit having functions for identifying error data in flash memory and storage system and method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |