TW467953B - New detergent and cleaning method of using it - Google Patents

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TW467953B
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Taiwan
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acid
cleaning
photoresist
film
patent application
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TW088119599A
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Masahiro Nohara
Ryou Hashimoto
Taimi Oketani
Hisaki Abe
Taketo Maruyama
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co
Sharp Kk
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4 6 7 9 5 3 A7 _;_B7_ 五、發明說明（1) 本發明係有關由氧化劑與螯合劑所成的洗淨劑、及使 用其製造半導體元件及液晶板用基板的方法。 (請先閱讀背面之庄意事項再填寫本頁) 更詳言之，係有關在半導體積體電路之製程中，為除 去光阻層及光咀殘渣物之洗淨方法；在液晶板用基板之 製程中液晶板所使用的玻璃基板之洗淨方法，Μ及液晶 板用基板製造時所使用的鉅、鋁、珞、鈮、銦-錫氧化 物（Κ下稱為ΙΤΟ)等之薄膜電路元件製造時之乾式蝕 刻時的殘渣物予Κ除去的洗淨方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Μ往，在1C、LSI等之半導體元件或液晶板用基板之 製造，一般係探闬光刻術法。藉由該光刻術法來製造半 導體元件或 液晶板用基板時，通常係在矽晶圓或玻璃 等之基板上形成氧化矽膜等之絕緣膜或為進行做為導電 用之配線的金靥膜等之導電薄膜後，在其表面均勻地塗 覆光阻，設置感光層，再使其施予選擇性曝光及顧像處 理K彤成所企求的光胆模式，然後，使光阻模式藉由在 做為下層部之薄膜上施予選擇性蝕刻處理而形成模式， 再使該光阻模式完全地除去之一連串工程。近年來，半 導體元件或液晶板用基板進行高積體化，必須形成1 / 4 微米Μ下的模式，伴隨該加工尺寸的超微细化，在上述 選擇性蝕刻處理中，Μ乾式蝕刻法為主流，且使用光阻 模式之除去與藉由等離子予以灰化處理（研磨加工）。 然而，於該乾式蝕刻處理中，在所形成的模式周邊上 會生成來自乾式蝕刻氣體、光阻劑及導電薄膜之殘渣物 (Κ下稱為光阻殘渣物）。該光阻殘渣物尤其是殘存於 —3 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 467953 _B7_;_ 五、發明說明（2) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 通孔內部及其周邊時，會引起髙阻抗，且會產生導電短 路等不為企求的情形。因此，除去該光咀殘渣物對為製 得髙品質之半導體元件或液晶板用基板而言極其重要。 另外，近年來尤其為使液晶板所使用的液晶用玻璃基 板之表面積增大且要求畫素數多的顯示器，故伴腱於此 ，對於液晶用玻璃棊板表面全體的洗淨度之處理有直接 關係，結果，強烈企求提高洗淨力。 目前，液晶甩玻璃基板之清潔劑係使用無機鹼與有機 鹼等之鹼糸清潔劑、或硫酸、氟酸、緩衝的氟酸等酸系 清潔劑。然而，使用無機鹼之清潔劑，於洗淨後會吸附 鹼離子而殘存，尤其是薄膜電晶體（TFT)基板時所殘存 的鹼雛子會引起電氣特性上的問題◊而使用有機鹼之清 潔劑，無法得到充份的洗淨效果，視情形而定會引起繼 後工程時所形成的薄膜密接不良的問題。而藉由一般的 清潔劑予Μ洗淨時，因蝕刻作用產生的玻璃基板面之損 傷而使微小面粗糙，且無法完全除去微小的粒子；鑑於 此等之間題企求提髙液晶之積體度、增大玻璃基板之表 面積，係為重要的課題，企求有效的改善方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Μ往，有關上述光咀殘渣物之剝離方法，於日本特開 昭62-49355號公報、及特開昭64-46253號公報等掲示烷 醇胺與有機溶劑之混合系所成的有機胺糸剝離液，惟此 等之剝離液，其處理溫度較高、剝離液中之可燃性有機 化合物會蒸發，而具引火性。而且，於除去光阻殘渣後 ,不使用醇等有機溶劑而進行水洗時，由於有機胺呈現 一 4 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 4 6 7 9 5 3 五、發明說明（3) 鹼性會使金屬膜等腐蝕，故必須使用做為沖洗液之醇等 有機溶劑等各缺點存在。日本特開平7-201794號及 8-20205號公報中揭示，較藉由有機胺系剝離液之光阻 殘渣除去能力高，可在低溫下使用，由氟化合物、有機 溶劑及防腐蝕刻所成的氟糸水溶液。 此外，近年來，半導體元件或液晶板用基板之製程中 對於乾式蝕刻、研磨加工等之處理條件嚴格，翁由較為 改性的光阻劑，Μ上述之有機胺糸剝離液或氟糸水溶液 無法完全除去。而且，在不除去光阻殘渣而予Μ放置時 ，由於產生阻抗增加、斷線、或短路或配線異常等電氣 問題，故強烈企求可完全除去上述光阻殘渣之清潔劑。 另外，有機胺糸剝離液幾乎完全無法除去乾式蝕刻後 之钽系殘渣物。為除去該钽系殘渣物時，於乾式蝕刻後 使用如緩衝的氟酸之氟系清潔劑，惟仍有會使兩性離子 矽或聚矽之開關元件的材料或玻璃基板腐蝕等之問題。 本發明之目的係提供一種可有效地除去半導體元件製 程中所產生的光阻殘渣物、液晶板用基板之製程中所產 生的來自導電薄膜金鼷之殘渣物，做為蝕刻罩所使用的 <諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使機間腐 所無時等 路的短料 電存在材 體殘可膜 積後渣緣 。 體刻殘絕 劑導蝕咀或 潔半式光料 清在乾或材 的種，劑線 物一中151配 染供程光種 污提工之各 之係線罩使 上的配成會 板目之彤不 基一件上旦。 璃另元體.法 玻之體基去方 及明導膠除淨 膜發半塑 Μ 洗 姐本的或予之 光 用質内蝕 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 4 6 7 9 b 〇 _._B7_ 五、發明說明（4) 本發明之另一目的條提供一種使液晶板製程中使用的 液晶用玻璃基板洗淨的方法。 本發明之另一目的係使在玻璃基板上形成薄膜電路時 乾式蝕刻時所產生的殘渣物在完全不使玻璃基板或薄膜 電路元件或配線材料腐蝕下容易地予κ除去，極有效地 洗淨液晶板用基板的方法。 本發明人等為逹成上述目的，再三深入研究的結果， 發現由氧化劑與螯合劑所成的清潔劑及使用該清潔劑之 洗淨方法本發明係有鑑於該見解而予κ完成。 換言之，本發明之第1形態係為含有0.1〜60重量％ 氧化劑及0，0 0 0 1〜5重量％螯合劑所成的清潔劑。 本發明之第2形態傜為一種洗淨方法，其特徵為在無 機質或塑膠基體上塗覆光阻膜，且進行形成罩子，使非 罩範圍予Μ乾式蝕刻，並使用上述之清潔劑除去於乾式 蝕刻時產生的光阻殘渣物及/或罩形成的光阻。上述方 法中，亦可在乾式蝕刻後視其所需進行灰化處理，再藉 由上述清潔劑除去乾式鈾刻時產生的光咀殘渣。 本發明之第3形態係為液晶板用基扳之洗淨方法，其 特徵為在玻璃基板上彤成導電薄膜，再於該導電簿膜上 Μ光阻劑形成所定的模式，且使其乾式蝕刻除去做為訑 刻罩之上述導電薄膜的非罩範圍，並進行灰化處理，然 後，藉由上述之清潔劑除去於乾式蝕刻時產生的來自導 電薄膜之殘渣物。於上述方法中可於乾式蝕刻後繼續進 行灰化處理.再藉由清潔劑除去殘渣物。 —6 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------一訂----------"V- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 467953 B7__ 五、發明說明（，） _而夕簡塱說明 第1圖係為進行實施例及比較例所使用的蝕刻處理， 再進行研磨加工處理之A1合金電路元件的截面圖。 第2圖係為實施例及比較例使用的蝕刻處理後具光阻 膜之钽薄膜電路元件之截面圖。 第3圖係為使第2圖所示之薄膜電路元件後之钽薄膜 電路元件之截面圔。 第4圖係為實施例及比較例使用的触刻處理後具光阻 膜之鈮薄膜電路元件之截面圖。 第5圖係為使第4圖所示之薄膜電路元件洗淨後之鈮 薄膜電路元件之截面圖。 為當細搿明夕黑住形糖 本發明之清潔劑係為由氧化劑輿蝥合麵所成者，更佳 者為含氧化劑與蝥合劑之水溶液所構成。 氣化劑例如有過氧化氫、臭氧、遇氛酸等之無機過氧 化物及過氧化苯甲釀基等之有機過氧化物。於此等之氧 化劑中Μ無機過氧化物較佳，更佳者為過氧化氫。氧化 劑亦可使用做為有機溶劑溶液。本發明所使用的氧化劑 之湄度對清潔劑縴重量而言為0.1〜60重量S：,較佳者 為0 . 5〜3 0重量！I；。若該溏度小於0 . 1重量時，無法得 到所企求的洗淨效果，而若大於60重虽3!時，會使導電 薄膜材料等之配線材料腐蝕。 另外，本發明所使用的蝥合劑例如有乙烯基二胺四醋 酸（EDTA)、羥基乙基乙烯基二胺三醋酸（HEDTA)、二羥 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^S1Bod A7 __B7 五、發明說明（6) 基乙基乙烯基二胺四醋酸（DHEDTA)、.1,3~丙烷二胺四醋 酸（1 , 3-P.DTA)、二乙烯基三胺五醋酸（DTPA)、三乙烯基 四胺六醋酸（TTNA)、氟基三醋酸（NTA)、羥基乙基亞胺 基二醋酸（HIMDA)等之胺基聚羧酸類，或此等之銨鹽、 金屬鹽或有機鹼鹽等。 此外，例如有甲基二膦酸、胺基參亞甲基膦酸、次乙 基二膦酸、卜羥基次乙基-1,1-二膦酸、1-羥基次丙基 -1,1-二膦酸、乙基胺基雙亞甲基膦酸、十二烷基胺基 雙亞甲基膦酸、乙烯基二胺肆亞甲基膦酸、己二胺肆亞 甲基膦酸、二乙烯基三胺五亞甲基膦酸及1,2 -丙二胺四 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) .經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其螯者聚機 22 二基基 ，系物三有 有有燒烯甲 。 劑酸化、、 具具丙乙亞 用 合膦氧酸鹽 中中2-、 四 使· 蟹。N 麟屬 子子 1 酸.胺. 合 糸等之基金 分分 Μ 膦二· 組 酸鹽化甲、 為為言基烷 合 膦屬氧六鹽 者者而甲丙 適 之金被、銨 佳佳體亞2-上 基鹼子酸之 較更具五1’ Μ 酸、原磷等 惟，。胺為 種 膦鹽氮基等 -劑劑三者 21 上胺之甲此 劑合合基佳 或-8 Μ機中四或合螯螯烯更 獨 。 個有子' , 螯条糸乙， 單 者 1 、 分酸類 。一酸酸二等 Μ 群有鹽為磷酸劑任膦膦、酸 可 成具銨係基瞵.合之之之酸膦 劑 所中其物甲合螯述基基膦基 合 酸子及化用縮為上酸酸基甲 螯 滕分、氧使之做用膦膦甲亞 之 基之物之可等.等使上個亞肆。述 甲等化劑亦酸鹽可 Κ6 四胺酸上 亞 氧合 磷胺 個 ~ 胺二隣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 467953 B7_ 五、發明說明（7) {睛先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述螯合劑之濃度沒有特別的限制，通常對清潔劑總 量而言為0.0001〜5重量％ ，就洗淨效果、經濟性等而 言M0.01〜3重量％尤佳。若濃度小於0.0001重量S!時， 無法得到所企求的洗淨效果，而若大於5重量％時，會 使導電簿膜材料受到腐蝕。 本發明之清潔劑的pH值，沒有特別的限制。通常使用 pH值3〜12,惟視蝕刻條件，所使用的無機質基體的種 類等予Μ選擇。使用鹼性時，可添加綾、胺、四甲銨氫 氧化物之4級胺氫氧化物等；使用酸性時，可添加有機 酸、無機酸等。 此外，為提髙清潔劑之濕潤性時，亦可添加界面活性 劑，不限定為何種，在不影響本發明效果之範圍内量用 陽離子糸、非離子系、陰雛子系界面活性劑。其中Μ磺 酸糸界面活性劑、聚羧酸型界面活性劑或環氧乙烷加成 型界面活性劑。 實胞本發明洗淨方法之溫度，通常為常溫〜可 視蝕刻條件，所使用的基體材料予Μ適當地選擇。 本發明之洗淨方法所使用的無機質基體之材料例如有 矽、非晶性矽、聚矽、氧化矽、氮化矽等之矽系材料； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 鋁、鋁合金、鈦、钛合金、氮化鈦、鏡、鎢合金、钽、 组氧化物、組合金、鉻、鉻氧化物、鉻合金、鈮、鈮合 金、ΙΤ0 (銦-錫氧化物）等之絕緣薄膜或導電薄膜材料； 鎵-砷、鎵-磷、絪-磷等之化合物半導體。塑膠基體之 材料例如有環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚醚碼 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 467 95 3 A7 ___B7五、發明說明（8) 樹光 酯 Μ 酸上 芳體 聚 基 Λ 質 脂 機 樹。無 胺等在 亞脂係 醯樹法 醚酯方 聚酸淨 、 碳洗 脂聚之 樹、件 酯脂元 酸樹體 烯胺導 丙亞半 聚醯明 、 聚發 脂、本 樹脂 乾潔 圍清 範述 罩上 非Μ 之 * 膜渣 薄殘 電阻 導光 述的 上生 使產 ，所 後時 式此 模使 的且 定 . 所去 成除 形刻 ®触 阻式 灰除 行劑 進潔 需清 所述 其上 視 Μ ..渣 後殘 刻的 蝕成 式生 乾所 於刻 Κ蝕 可式 亦乾 , 因 者使 去再 除 ， Μ理 予處 劑化 去 光 Μ 上. 板 基 璃 坡 在 係 法 方 淨 洗 之 板 基 用 板 晶 液 明 發 本 予之 圍述 範上 罩Κ 非渣 之殘 膜阻 薄光 電的 導成 述生 上所 使時 -此 後使 式且 模， 的去 定除 所刻 成蝕 肜式 劑乾 阻 Κ 灰劑 行潔 進清 需之 所述 其上 視Μ ，渣 後殘 刻的 蝕成 式生 乾所 於刻 Μ 蝕 可式 亦乾 ，rai 者使 去再 除 ， 劑理 潔處 清化 高 機 有 由 使 如 例 係 Η ΰρ 磨 研 /IV 理 處 化 灰 的 指 所 。 處 去此 除 子法 雛方 等的 氧體 的具 生。 產者 所去 中除 體 Μ 子予 雛 等 在、 由C0 藉之 劑應 阻反 光燒 的燃 成為 所做 子 , 分體
2 ο C (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) V- ---------訂---------户 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 研容 與述 板上 基在 理 * 處力 被電 入波 封周 ，髙 内加 器外 容極 之電 間述 極上 電對 對且 1 , 於體 在氣 存 Η 在加 係磨 之除 中來 體化 子氣 雛劑 等阻 該光 使使 ，以 體 ， 子應 離反 等質 之物 體之 ，氣面 工表 加板 眉基 研與 生子_ 產離 內性 器活 有 之 醇 如 用 使 需 不 並。 ，可 洗即 沖洗 之沖 後地 劑份 .潔充 清水 之Μ 明僅 。 發可 劑本’ 阻用劑 光使溶 去 機 ο 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 κ 297公釐） A7 467953 B7_ 五、發明說明（9) (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且，本發明係提供使用上述由氧化劑與螯合劑所成 的清潔劑來洗淨玻璃基板的方法，惟該方法的玻璃基板 ，做為各種液晶板用基板極為有用。此外，本發明之液 晶板用基板的洗淨方法亦可使用預先藉由上述玻璃基板 之洗淨方法予Μ洗淨者。 其次，藉由實施例及比較例更具體地說明本發明。惟 本發明不受此等賁施例所限制。 奮施例1 ⑴清潔劑之調製 在9 4 8 g超純水中添加5 0 g做為氧化劑之高純度過氧化 氫、做為螯合劑之1,2-丙烷二胺四亞甲基膦酸，並予 K攪拌，調製成均勻的清潔劑。 (2)光阻殘渣之除去 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在矽基板上順序設置氧化膜、鈦阻金屬膜、氮化鈦阻 金屬膜、A1合金（A卜Cu)導電薄膜、氮化鈦阻金屬膜， 再於其上塗覆光阻劑。藉由光刻術於光阻劑上形成模式 ，且使其使用氟系氣體做為罩進行乾式蝕刻處理。另外 ，藉由氧等離子體進行灰化處理。使所得的A1合金電路 元件之截面圖如第1圔所示。於第1圖中在矽基板1上 順序形成氧化膜2 、钛阻金屬膜3 、氮化钛阻金屬膜4a ,A1合金導電薄膜5 、氮化鈦阻金鼷膜4b，而在此等之 側壁上殘存有光阻殘渣6 。 然後，使該A 1回金電路元件在5 0 C下浸潰於上述⑴所 調製的清潔劑，Μ超純水沖洗、乾燥。再Μ掃描型電子 -1 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 46 7 95 3 B7__- 五、發明說明（1〇) 顧微鏡（SEM)觀察表面狀態，且Μ下述之判斷基準來評 估光阻殘渣之剝離性及Α1合金導電薄膜。結果，完全除 去光阻殘渣、Α1合金完全沒有腐蝕情彩。而且，藉由 SEM觀察之評估基準如下所述。 (剝離狀態） 0 :完全除去 〇：幾乎完全除去 △:部份殘存 X ;大部份殘存 (腐蝕狀態） ◎:完全沒有腐蝕 〇：幾乎沒有腐蝕 △:有陷坑狀或凹痕狀腐蝕 X: Α1合金等電薄膜全面粗糙，另外，iU合金導電薄 膜有後退情彤。 當施例2〜9 與實施例1相同地製作A1合金電路元件，且以表1所 示之處理條件浸漬於表1所示之組成的清潔劑後，Μ超 純水沖洗、乾燥。M SE Μ觀察側壁上殘存的光阻殘渣之 剝雛性及Α1合金導電薄膜表®之腐蝕狀態。結果如表1 所示。 比較例1〜5 Μ表1所示之處理條件浸潰於表1所示之組成的清潔 劑後，以超純水沖洗、乾燥。以S Ε Μ觀察側壁殘存的光 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 -----贫---------缺.' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 467953 _B7 _ 五、發明說明（） 11 阻殘渣之剝離性及A 1合金導電薄膜表面之腐蝕狀態，與 實施例相同的上述判斷基準進行評估。結果如表1所示。 表1 清潔劑組成 洗淨條件 評 價 氧化劑 螯合劑 水 溫度 時間 剝離性 腐蝕性 (重量％ ) (重量Si ) (重量％) (V) (分） 實_例 1 ΗΡ(5) PDTPC0.2) 94.8 50 5 ◎ ◎ 2 ΗΡ(ΙΟ) PDTP(0.05) 89.95 50 5 ◎ ◎ 3 HP (3) PDTP(l) 96.0 50 5 ◎ ◎ 4 HP(5) DTPP(0.2) 94.8 50 5 ◎ © 5 HP(10) EDTP(l) 89.0 50 5 ◎ ◎ δ HP(5) EDTP(0.3) 94.7 50 5 ◎ © 7 HP (5) PDTP(〇.2) 94.8 30 15 ◎ ◎ 8 HP (5) PDTP(0.2) 94,8 70 1 ◎ ◎ 9 HP(0.5) PDTP(1.5) 98.0 60 10 ◎ ◎ 比較例 1 - HP⑸ 一 95 50 5 △ ◎ 2 —™ PDTP(0.5) 99.5 50 5 X 3 HP(10) 一 90 50 5 △ ◎ 4 HP(10) —- 90 70 20 〇 〇 5 —. EDTA(2) 98.0 50 10 X ◎ HP:過氧化氫 PDTP: 1,2-丙烷二胺四亞甲基磺酸 DTPP:二乙烯基三胺五亞甲基膦酸 EDTA:乙烯基二胺四醋酸 EDTP:乙烯基二胺肆亞甲基膦酸 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1'' 裝---------訂---------的 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 467953 A7 B7 12 五、發明說明（） 甯施例1 0 (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) K與實施例1相同的方法，在矽基板上除設置A 1合金 (A 1 -C u )導電薄膜外，於其上塗覆光阻劑，藉由光刻術 形成模式，使其使用做為罩之氟系氣體進行乾式蝕刻。 使彤成罩的光阻劑及於乾式蝕刻時所產生的光阻殘渣物 ，在50Ό下浸濱於與實施例1相同組成之清潔劑，且K 超純水沖洗、乾燥。然後，KSEM觀察表面狀態，K上 述之判斷基準來評估形成罩之光阻劑及光阻殘渣的剝離 性及A1合金導電薄膜之腐蝕。結果，形成罩之光阻劑及 光阻殘渣完全被除去，A1合金導電薄膜完全沒有腐蝕情 形。 實施例.丄L .⑴清潔劑之調製 在947g超純水中添加5〇g做為氧化劑之高純度過氧化 氫、3g做為整合劑之1,2-丙烷二胺四亞甲基膦酸並予K 攪拌，調製成均匀的清潔劑。 ⑵洗淨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在玻璃基板上以濺射法設置钽薄膜，且於其上塗覆光 阻劑，藉由光刻術形成模式，使其使用做為罩之氟条氣 體進行乾式蝕刻處理。此處，形成靼薄瞑電路元件之截 面圖如第2圖所示。於第2圖中在玻璃基板7上形成有 钽薄膜9上殘存有光阻圖型8 ,在组薄膜9之側壁上產 生光阻殘渣11。於乾式蝕刻處理時生成的钽微粒子1 〇等 之鉅糸殘渣物飛散，且殘存於玻璃基板7上。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 467953 A7 _B7 1令五、發明說明（） 然後，使該钽薄膜電路元件在50 t下浸濱於上述⑴所 調製的清潔劑中10分鐘，Κ超純水沖洗、乾燥。於該洗 淨後之钽薄膜電路元件之截面圖如第3圖所示。. 再Κ掃描型電子顯微鏡（SEM)觀察玻璃基板？之表面 ,且有關靼微粒子之除去性Κ下述之判斷基準予Κ評估 。結果，完全除去钽微粒子等之Μ糸殘渣物。結果如表 2所示。 (除去性之判斷基準） ◎:完全除去 〇：幾乎完全除去 Δ ：有部份殘存物 X :大部份殘存 富施例1 2〜1 6及比較例6〜8_ 與實施例11相同地製作钽薄膜電路元件，在表2所示 組成之清潔劑中Μ表2所示條件浸潰钽薄膜電路元件後 ,Μ超純水沖洗、乾燥。使所得的靼薄膜電路元件之玻 璃基板7表面Μ掃描型電子顯微鏡（SEM)觀察，且有關. 鉅微粒子之除去性係依與踅胞例11相同的上逑判斷基準 予Μ評估。结果如表2所示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) !! — — 1 訂·--------轉
~.B -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 6 7 9 5 3 a? B7 14 五、發明說明（） 表2
清潔劑組成 洗淨條件 氧化劑 (重畺％ ) 螯合劑 (重量S；) 水 (重量is ) 溫度 (¾) 時間 鉅微粒子除去性 (分） 實施例 11 HP(5) PDTP(0.3) 94.7 50 1G ◎ 12 HP(5) DTPP(0.3) 94.7 50 10 ◎ 13 HP⑸ EDBP(0.3) 94.7 50 10 ◎ 14 HP (5) EDTA(0.5) 94.5 55 15 ◎ 15 HP(IO) PDTP(0.3) 89.7 40 10 ◎ 16 HP(3) PDTP(0.3) 96.7 60 10 ◎ 比較例 6 HP (5) — 95,0 50 10 △ 7 — PDTP(0.3) 99.7 50 10 X 8 DTPPC0.3) 99.7 50 10 X {請先閱讀背.面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 HP:過氧化氫 PDTP: 1,2-丙烷二肢四亞甲基膦酸 DTPP:二乙烯基三胺五亞甲基膦酸 EDTA:乙烯基二胺四醋酸 EDTP:乙烯基二胺肆亞甲基膦酸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 4-67953 _B7_ 五、發明說明（15) 比齩例9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用實施例11之組薄瞑電路元件，Μ由60簠量S：單乙 醇胺、4 0重量3； Ν -甲基吡咯烷銅所成的剝離液，在8 0 C 下進行洗淨10分鐘，以異丙醇進行沖洗、乾燥後，K掃 , 描型電子顯微鏡（SEM)觀察的結果，第2圖中之钽微粒 子大部份殘存。 皙油；例1 7〜2 2及kh齩例Ί 0〜1 2 在玻璃基板上K濺射法設置鈮薄膜，且於其上塗覆光 阻劑，藉由光刻術形成模式，使其使用做為罩之.氟糸氣 體進行乾式蝕刻處理。此處，形成鈮薄膜電路元件之截 面圖如第4圖所示。於第4圖中在玻璃基板12上形成有 鈮薄膜14上殘存有光阻圖型1 3 ,於乾式蝕刻處理時生成 的鈮微粒子15等之鈮系殘渣物飛散，且殘存於玻璃基板 12上。 然後，使該鈮薄膜電路元件Μ表3所示之條件浸漬於 表3所示組成之清潔劑中，Μ超純水沖洗、乾燥。於該 洗淨後之鈮薄膜電路元件之截面圃如第S圖所示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再Μ掃描型電子顧微鏡（SEM)觀察玻璃基板12之表面 ，且有關鈪微粒子之除去性Κ與實胞例11相同的判斷基 準予Μ評估。結果如表3所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 瘋$7953 a7 __B7 五、發明說明（16 )
表3 清潔劑組成 洗淨條件 氧化劑 螯合輝 水 溫度 時間 鈮微粒子除去性 (重量％ )(重量％ ) (重量％ ) (V) (分） 實胞例 17 HP(5) PDTP(0.3) 94.7 50 IQ ◎ 18 HP(5) DTPP(0.3) 94.7 50 10 ◎ 19 HP (5) EDBP(0.3) 94,7 50 10 ◎ 20 HP (5) EDTA(0.5) 94.5 55 15 ◎ 21 HP(10) PDTP(0.3) 89.7 40 10 ◎ 22 HP⑶ PDTP(0.3) 96.7 60 10 ◎ 比較例 10 HP⑸ _ 95.0 50 10 △ Π — PDTP(0.3) 99.7 50 10 X 12 _ DTPPC0.3) 99.7 50 10 X (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 HP:過氧化氫 PDTP: 1,2-丙院二胺四亞甲基膦酸 DTPP:二乙烯基三胺五亞甲基膦酸 EDTA:乙烯基二胺四醋酸 EDTP:乙烯基二胺肆亞甲基膦酸 本紙張尺度適用中國囤家標準（CNS)A4規格_ (210 X 297公釐） 46795 3 A7 B7 五、發明說明（ 17 使用第4圖所示之鈮薄膜電路元件，K由60重量％單 乙醇胺、4 0重量％ N -甲基吡咯烷酮所成的剝離液，在8 0 QC 下進行洗淨10分鐘，Μ異丙醇進行沖洗、乾燥後，Μ掃 描型電子顧微鏡（SEM)觀察的結果，第2圖中之鈮微粒 子大部份殘存。 管胞例23 使玻璃基板Μ含有5重量％過氧化氫、0,2重量％ 1， 2-丙烷二胺四亞甲基膦酸、其餘為水之清潔劑，在30¾ 下洗淨15分鐘。水洗、乾燥後，Κ掃描型電子顧微鏡 (SEM)觀察，完全沒有損傷或表面粗糙情形。 而且，洗淨後之玻璃基板上Κ濺射法形成膜厚3000& 之鉅薄膜後，使樹脂膠帶附著，進行剝離試驗，钽膜厚 完全沒有剝離情形。 比較例14 使玻璃基板在23C下在緩衝氟酸水溶液中洙淨15分鐘 。水洗、乾燥後M S Ε Μ觀察，玻璃表面有很明顯的損傷。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使玻璃基板从含有0.5重量JS TM A Η(四甲基胺氫氧化物） 水溶液，在23¾下洗淨15分鐘。水洗、乾燥後，Κ掃描 型電子顯微鏡（SEM)觀察，完全沒有損傷或表面粗糙情 形。 而互，洗淨後之玻璃基板上Μ濺射法形成膜厚3000^ 之钽薄膜後，使樹脂膠帶附著，進行剝離試驗，钽薄膜 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 467953 _；_B7_ 五、發明說明（18 ) 厚幾乎完全被剝離，故可知黏接不佳。 管施例24. Μ與實施例11相同的方法，在玻璃基板上K濺射法設 置钽薄膜，於其上塗覆光阻劑，藉由光刻術形成橫式， 且使其使用做為罩之氟糸氣體進行乾式蝕刻處理後，另 使用氧等離子體，在170¾下進行灰化處理3分鐘，再 使於乾式蝕刻時產生的組系殘渣物在與實施例11相同組 成的清潔劑中，5 0 *0下浸濱1 0分鐘，並Μ超纯水沖洗、 乾燥◊结果，使所得的钽薄膜電路元件之玻璃基板表面 Κ掃描型電子顯微鏡（SEM)觀察，且有關钽微粒子之除 去性依與上述相同的判斷基準予Μ評估。結果可知，钽 微粒子等之鉅糸殘渣物完全被除去。 產業上之利用可能性 本發明之清潔液係可使無機質上或膠塑基體上塗覆的 光阻膜、光阻殘渣或研磨加工處理的後殘存光阻殘渣， 在短時間内容易地除去，而其配線材料完全不受腐蝕。 而且，本發明之清潔液可容易地除去乾式蝕刻時產生 的來自導電薄膜之殘渣物，且不會使玻璃基板或薄膜電 路元件上使用的開關元件或酝線材料受到腐蝕，可充份 地洗淨，故可得清淨化且雜質極少的高品質液晶板。 另外，本發明之清潔液對於玻璃基板之洗淨效果極佳 ,Μ該方法洗淨的玻璃基板做為各種高品質液晶板用基 板極為有用。 —2 0 — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 I! — 訂-----I _
A.U 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 46 7 95 3 _B7 五、發明說明（） 19 符號之說明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 矽 基 板 2 氧 化 膜 3 鈦 阻 金 屬 膜 4 a 氮 化 鈦 咀 金 屬 膜 4 b 氮 化 鈦 胆 金 屬 膜 5 A 1 合 金 導 電 薄 膜 6 光 阻 殘 渣 7 玻 璃 基 板 8 光 阻 圖 型 9 II 薄 膜 10 m 微 粒 子 11 光 阻 殘 渣 12 玻 璃 基 板 13 光 阻 圖 型 14 鈪 薄 膜 15 鈪 微 粒 子 I,---;-------Γ 裝---r (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n 訂----------終 β 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. A8 467953 § ^ D8 、申請專利範圍 第88119599號「新穎之淸潔劑及使用它之洗淨方法j專利案 (90年07月1〇日修正） Λ申請專利範圍： 1. —種淸潔劑組成物，其特徵爲含有0·1〜60重量％氧化 劑及0.0001〜5重量％螯合劑所組成；其中氧化劑爲過 氧化氫，螯合劑爲至少一種選自胺基聚羧酸、膦酸系 螯合劑及縮合膦酸所成群。 2. 如申請專利範圍第1項之淸潔劑組成物’其中，膦酸系 螯合劑係至少一種選自甲基二膦酸、胺基參亞甲基膦酸 、次乙基二膦酸、1-羥基次乙基-1,1-二膦酸、1-羥基次 丙基-1,1-二膦酸、乙基胺基雙亞甲基膦酸、十二烷基胺 基雙亞甲基隣酸、乙烯基二胺肆亞甲基膦酸、己二胺肆 亞甲基膦酸、二乙烯基三胺五亞甲基膦酸及1，2-丙二胺 四亞甲基膦酸所成群。 3. 如申請專利範圍第1項之淸潔劑組成物.，其中胺基聚羧 酸係至少一種選自乙烯基二胺四醋酸、羥基乙基乙烯基 二胺三醋酸、二羥基乙基乙烯基二胺四醋酸、1,3-丙烷 二胺四醋酸、二乙烯基三胺五醋酸、三乙烯基四胺六醋 酸、氰基三醋酸及羥基乙基亞胺基二醋酸所成群。 4. 如申請專利範圍第I項之清潔劑組成物’其中縮合磷酸 係至少一種選自甲基磷酸、四甲基磷酸 '六甲基磷酸及 三聚磷酸所成群。 / 5. —種半導體元件之洗淨方法，其特徵爲在無機質或塑膠 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --裂-------f 訂---------- 嬅 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46795 3 8888 ABCD 、申請專利範圍 基體上塗覆光阻膜，且進行形成罩子，使非罩範圍予 以乾式蝕刻，並使用如申請專利範圍第1項之淸潔劑除 去於乾式蝕刻時產生的光阻殘渣物及/或罩形成的光阻 0 6·—種半導體元件之洗淨方法，其特徵爲在無機質或塑膠 基體上塗覆光阻膜，再進行形成罩子，使非罩範圍予以 乾式鈾刻，且使罩形成的光阻劑另進行硏磨加工，使用 如申請專利範圍第1項之淸潔劑除去於乾式蝕刻時產 生的光阻殘渣物。 7. —種液晶板用基板之洗淨方法，其特徵爲在玻璃基板上 形成導電薄膜，再於該導電薄膜上以光阻劑形成所定的 模式，且使其乾式蝕刻除去做爲蝕刻罩之上述導電薄膜 的非罩範圍，然後，藉由如申請專利範圍第1項之淸潔 劑除去於乾式蝕刻時產生的來自導電薄膜之殘渣物。 8. —種液晶板用基板之洗淨方法，其特徵爲在玻璃基板上 形成導電薄膜，再於該導電薄膜上以光阻劑形成所定的 模式，且使其乾式蝕刻除去做爲蝕刻罩之上述導電薄膜 的非罩範圍，並進行灰化處理，然後，藉由如申請專利 範圍第1項之淸潔劑除去於乾式蝕刻時產生的來自導 電薄膜之殘渣物。 a—種玻璃基板之洗淨方法，其特徵爲在製造液晶板前先 藉由如申請專利範圍第1項之淸潔劑組成物，將供製造 液晶板用之玻璃基板，洗淨以除去製造液晶板步驟中不 良之影響及污染物質。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) -----------、;袭--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂_ · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
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