TW466787B - Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof - Google Patents

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
TW466787B
TW466787B TW089126787A TW89126787A TW466787B TW 466787 B TW466787 B TW 466787B TW 089126787 A TW089126787 A TW 089126787A TW 89126787 A TW89126787 A TW 89126787A TW 466787 B TW466787 B TW 466787B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
semiconductor light
layer
phosphor
emitting device
Prior art date
Application number
TW089126787A
Other languages
English (en)
Inventor
Chisato Furukawa
Hideto Sugawara
Nubohiro Suzuki
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW466787B publication Critical patent/TW466787B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

A7 4 6 6 787 __B7___ 五、發明說明（1 ) 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體發光元件及其製造方法，尤其較 佳地適用於發光效率高之半導體發光元件之製造方法。 【習知技術】 利用光之記億裝置係記憶容量大，具有因非接觸之長 壽命及高可靠性，所以，被廣泛地利用。於此，所使用之 光係愈短波長因可提高記錄密度，所以，有從藍色改爲綠 色發光元件之趨向。又，已實現藉組合藍色L E D與 YA G熒光體以獲得白色光之白色L E D等新發光元件。 作爲從藍色到綠色之發光元件，現在，以G a N系材 料已得到高亮度之發光二極體（L E D )或雷射二極體（ LED)。 對此G a N系發光元件之結晶成長技術，最近E L〇 (.Epitaxially Laterarlly Overgrown )受到注目。 第1 1圖係表示於E L 0之成長情形槪要之剖面圖。 首先，在藍寶石基板1上形成選擇成長光罩2 (第11圖 (a))，在ELO進行GaN系膜之成長時，結晶缺陷. 係因橫方向與縱方向之成長速度之差，如嵌入選擇成長光 罩似地成長（第11圖（b)及第9圖（c))。並且’ 其時，結晶缺陷因沿著快速向橫方向發生，所以’因選擇 成長光罩上之E L 0引起之G a N膜，轉移將變成非常地 少。更且，疊層磊晶層得到元件構造時，質地之缺陷密度 因非常地低，所以，可得到優於發光特性之半導體發光元 --------------r,:j- I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4-
4 6 6 7 B T A7 Β7 五、發明說明（2 ) 件 【發明所欲解決之問題】 使用這種H a N系材料之高亮度之發光二極體（ LED)中，於發光中心（D/A)型之藍色LED構造 ，係屬於活性層愈I n Ga N摻雜有作爲施主（donor)之 Si及作爲受主（accepter )之Z n、Mg等，並非頻帶端因 欲在發光中心得到所需之發光波長，所以，在可視光以外 也發生許多之紫外（Ultra Violet : U V )光。亦即，於此 活性層之組成係以I η 1 3 %，中心波長4 ’ 0 0 0 n m之 頻帶端之發光波長雖然有3 6 5 nm左右，但是不只是發 光中心也存在有從此頻帶端之紫外光，愈增加注入電流頻 帶端發光之比例會增加。然而，此紫外光未被有效利用， 光取出效库仍然停留於低水準。 又，減少I η組成從活性層只產生紫外光之U V發光 L E D因所產生之紫外光未有效地取出，仍然停留於低外 部量子效率。又，上述E L 0技術只被利用於低轉移化。 - ......\ ...'一 I lr'r! ! I 訂·！ I ! 線！· y (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本 決這 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 些問題所發明者，其目的係提供 種光取出效率高之半導體發光裝置 【解決問題之手段】 依據本發明，提供一種半導體發光元件 係具有： 絕緣基板，與 其疊層構造 -5- 本紙張尺度適用$國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 8 6 78 7 a7 ____B7___ 五、發明說明（3 ) G a N疊層膜：疊層形成於上述絕緣基板上之G a N 系疊層膜，其一層爲使用包含將紫外光變換爲可視光之熒 光體之選擇成長光罩材層使其成長之G a N系膜，與 活性層：形成於此G a N系疊層膜上，而至少發光紫 外光成分。 依據此半導體發光元件，在E L 0用之選擇成長光罩 層之中，因預先混入有熒光體，所以可將以往未被有效利 用之紫外光在活性層附近可變換爲可視光，所以可顯著地 提升與熒光體之耦合效率。 在最上層再包含熒光體就更佳，提升從紫外光變換爲 可視光之效率可更提高發光效率。 發光層係AlxIny G a ι - χ - y Ν ( Ο ^ χ -◦ . lSy 芸 1)膜，或包含有 Βζ G a ι - ζ Ν ( Ο ^ ζ 《1)膜較佳。. 包含熒光體之選擇成長光罩，係被形成爲條狀、格子 狀、水珠花紋狀之任一較佳。 在絕緣基板背面側形成透鏡較佳.，藉此可從背面側之 光取出，也可安裝於浮片晶片。 經齊邨智慧材產-¾員X-消費合泎fi印i ---------------F-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線. 包含熒光體之選擇成長光罩層之厚度爲5 0 nm以上 、2 Ο n m以下較佳。 又，若依據關於本發明之半導體發光元件之·製造方法 ，一種在絕緣基板上形成G a N系半導體層之疊層體之工 程，其特徵爲具有： · 在其一部疊層熒光體'或包含熒光體之塗層材作爲母材 本纸張尺度適用中/國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） ~ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 b 7 4 s g 78 7 ‘ A7 ______By _ 五、發明說明（4 ) 之選擇成長用之光罩材之工程，及 包含使用此光罩材層以成長G a N系膜之工程，與 在此G a N系半導體層疊層體上方疊層至少發光紫外 光之活性層之工程。. 疊層光罩材之工程，係將包含熒光體之光罩材連同溶 劑供給，於5 0 0 °C附近蒸發溶劑成分得到，或連同氧化 矽等無機黏合劑供給，加熱固著獲得較佳。 【發明之實施形態】 茲參照圖式詳細說明本發明之實施形態如下。 第1圖係表示關於本發明之半導體發光元件1 0之構 造之剖面圖。 在藍寶石基板1 1上疊層GaN緩衝層1 2、Π — G a N層1 3，在其上均勻地混入之熒光體之S i 〇2所成 之ELO所需之光罩層15，在其上使用此光罩由ELO 所形成之11一〇31'\[層16，在疊層111〇3層17、 p-A 1 G a N 帽蓋層 1 8、P — G a N 貼合層（clad layer ) 19、P + — GaN 接觸層 20，在 P + — GaN 接 觸層2 0之光取出面形成有透明電極2 2，如接觸於透明 電極有p電極2 4，在露出之n — G a N層1 6分別形成 η電極2 5，表面全體由鈍化膜2 1及23覆蓋+。在此鈍 化膜也混入有熒光體。 按，作爲活性層在此爲A 1 χ I n y G a 1 - χ - y N (OSxSO . lSySl)膜，但是也可以使用 本紙張尺度適用j1國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱) ' -------II--尸- /)----— II 訂·！ ---線-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 466787 五、發明說明（5 ) B ^ G a 1 - z N (OSzS)膜等種種之膜。 第2圖係表示使用關於本發明之半導體發光元件1 0 之半導體發光裝置3 0構成之剖面圖。 半導體發光元件1 0係搭載於桿3 1上，半導體發光 元件10之P電極2 4係此桿3 1 ，與η電極2 5以導線 3 2與各個電線3 3所連接。並且，全體係由帽蓋3 5覆 蓋。 第3圖係第1圖所示半導體發光元件之發光動作之模 式圖。於此，就發光中心型之情形說明如下。 在屬於發光層之I n G a活性層1 7所發出之光雖然 釋出於所有方向（球狀），但是其中紫外光成分因射到包 含於鈍化膜2 3之熒光體面而變換爲可視光。亦即，熒光 體也會變成發光源。 按，從活性層1 7直接向基板側之光4 3係絕緣基板 之底面，亦即，在導線架之反射面反射，而從上方被取出 0 此結果，因最終從此發光元件釋出之光4 4之中紫外 光成分之一部爲變成可視光成分，將變成作爲可視光之發 光量會增加。 第4圖係表示此情形之圖表，以實線所描繪之通常之 中心發光型之發光裝置係從活性層之發光在可視光頻帶與 紫外光領域分別具有尖峰，與此相對以波線所描繪之依據 本發明之發光裝置因使用E L 0光罩中之熒光體進行變換 致使尖峰變成一個，曉得在可視光頻帶之發光量爲增加。 本紙張尺度適用尤國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ;J--------訂--- 線！ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8- 4 6 6 787 A7 B7 缦濟邨智慧財產苟—工.消費合作社印製 五、 發明說明 ( 6 ) 按 » G a N 系材料，因 藍寶 石基 板1 1對於 可 視 光 爲 透 明 ， 所 以 這 些 變換光係藍 寶石 基板 側，亦即， 也 可 從 元 件 之 下面 側 有 效 地取出。 第 5 圖 係 表 示第1蘭所 示半 導體 發光元件之 變 形 例 者 J 將 從 活 性 層 1 7向下方之 光積 極地 利用者。於 此 爲 了 提 1¾ 取 出 效 率 在 藍寶石基板 1 1下面形成有透鏡5 0 〇 又 因 不 必 從表面取出 光， 所以 第1圖之構 成 所 需 之 透 明 電 極 就 可 省 略，在接觸 層2 0直 接連接P電 極 2 4 〇 所 以 可 減 低 接 觸電阻。 因 採 用 這 種 構成，就可 有效 地取 出迄今不能 從 背 面 取 出 之 光 線 0 因 此 ，可製造從 背面 進行 取出光線之 所 三田 m 浮 片 晶 片 ( flip chip )安裝背面 發光 型之 L E D。浮 片 晶 片 係 裝 配 工 程 變 成 簡 便降低成本之效果甚大。 第 6 圖 用 來 說明U V發 光L E D 適用本發明 例 之 發 光 動 作 之 圖 0 雖 然 從活性層1 8向 所有 方向放射紫 外 線 但 是 對 於 E L 〇 光罩層1 5 中之 熒光 體照射此紫 外 線 時 5 此 熒 光 體 將 變 成 發光體而使 可視 光發 光。換言之 此 熒 光 體 將 作 爲 可 視 光 之光源發生作用 0 第 7 圖 至 第 9圖係表示 光罩 層之 圖案之具體 例 ， 可 培 擇 第 7 圖 所示 條 狀圖案5 1 、第8圖所示之格子狀匱 案 5 2 、 如 第 9 圖 所示之水珠花樣狀圖案5 3等圖案。 第 1 0 圖 係 表示關於本 發明 之半 導體發光元 件 之 製 造 方 法 之 工 程 別 剖 面圖。 首 先 準 備 藍寶石基板 11 ，在此表面依序成長
- V -6 線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21:0 χ 297公釐） 9 466 78 7 A7 B7 五、發明說明（ G a N緩衝層1 2 G a N層1 3 (第1 0圖 按著，液狀之S i 0 2，例如將商品名0 C D (東京應 化社製）均勻地混入.熒光體之材料使用旋轉器（spimner ) 等均勻地塗佈，以形成膜厚爲5 0 n m以上、2 0 n m以 下之光罩層1 4 (第1 0僵（b ))。關於此光罩層材料 將後述之。 接著，將此光罩層1 4使用光刻微影成像術（ photolithography )形成圖.案，以形成E L 0所用之光罩圖 案 15 (第 10 圖（c))。 並且，使用此光罩進行EL0成長n — GaN層1 6 ，再在其上依序成長I nGa層17、p_AlGaN帽 蓋層18、p— AlGaN帽蓋層18、P+— GaN接觸 層 20 (第 10 圖（d))。 接著，如第1 0圖所示，蝕刻一部分元件使η接觸層 露出，在全面形成鈍化膜2 1之後，去除P + — G a Ν接觸 層2 0上之大部分鈍化膜2 1，在此部分選擇性地形成透 明電極2 2，如覆蓋此透明電極2 2形成鈍化膜2 3。在 這些鈍化膜2 1及2 3混入有熒光體。 接著，選擇性地去除鈍化膜2 1及2 3使透明電極端 部及η接觸面之一部分，在這些場所分別形成p電極2 4 及η電極25，以得到發光元件30。 於此實施形態雖然鈍化膜2 1及2 3採用了混入有熒 光體者，但是只在透明電極上部之鈍化膜2 3混入有熒光 - / /.'1 -------------------^---------$!_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10 466 787 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ______B7____ 五、發明說明（8 ) 體在機能上就足夠，又，也可以將鈍化膜不包含熒光體者 〇 並且，替代形成於透明電極上之鈍化膜2 3也可形成 炎光體層。 使用這樣地所構成之半導體發光元件，製造半導體發 光裝置時，將此半導體發光元件安裝於導線架等之裝設構 件3 1 ’將p電極2 4與裝設構件3 1使用金線3 3連接 ’將η電極2 5以導線3 2與金線連接，在導線架上將半 導體發光元件1 0使用樹脂3 4等塡充。可在此樹脂3 4 包含熒光體。並且，將全體收納於至少上面爲透明體之帽 蓋3 5內就可完成半導體發光裝置。 於此，作爲混入於E L 0光罩圖案或鈍化膜之熒光體 例如可使用（B a ，C a ) Β 4 0 7 (商品名C Μ Ζ — 1 5 2旭化成）及（C a，S r ) 2 Ρ 2 0 7 (商品名 CMZ-165旭化成）。 塗佈此熒光體所用之熒光體淤漿係製作如下。 首先，準備混合硝化棉（例如旭化成Η 1 2 0 0 0 ) 1 . 5重量％、醋酸丁酯98 . 5%之1 . 5%之NC黏 合劑，將上述熒光體（Ba，Ca) Β4〇7 (商品名 CMZ-152 旭化成製）及（Ca ，Sr) 2Ρ2〇7 ( 商品名C Μ Z - 1 6 5旭化成製）之混合物計1 Ο 0 g、 將上述NC黏合劑1 〇 O C C，再混合含有以硏磨機粉碎 更細之玻璃珠粒之黏著劑:混合物5 C C，作爲黏度.調整用 添加醋酸丁酯混合攪拌2 4小時以上，藉通過2 0 0或 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -丨r, 訂· -·線. 本紙張尺度適用f國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - A7 4 6 S 787 __B7___ 五、發明說明（9 ) 1 5 0網目之過濾器得到了熒光體淤漿。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此熒光體淤漿爲被塗佈，但是儘管進行充分之硏磨若 黏著力弱時就增加N C黏合劑之添加量，若黏著力太強時 就改變熒光體之配比對應即可。 塗佈後之熒光體淤漿在5 5 0 °C左右之溫度烘烤就會 固化。 按，不必使用這種無機黏劑，也可使用有機溶劑等塗 佈於熒光體，藉加熱將溶劑蒸發以殘留熒光體。 【發明效果】 如以上，若依據本發明之半導體發光裝置，在選擇成 長光罩材之中，因預先混入有熒光體，就可將從發光層發 出之部分紫外光在活性層附近變換爲可視光，可顯著地提 升全體發光裝置之發光效率。 又，因在最上層再備有包含熒光體之保護膜，再提升 從紫外光到可視光之變換效率，發光效率會再提高。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，依據關於本發明之半導體裝置之製造方法，將包 含熒光體之選擇成長光罩藉由無機黏合劑或有機溶劑之蒸 發確實地形成，就可安定地製造發光效率高之半導體發光 元件。 圖式之簡單說明 第1圖係表示關於本發明之半導體發光元件構成之元 件剖面圖。 本紙張尺度適用f國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- A7 4 6 6 787 ______B7___ 五、發明說明（ίο) 第2圖係表示使用第1圖所示半導體發光元件之半導 體發光裝置構造之剖面圖。· 第3圖係表示關於本發明之半導體發光元件之發光動 作之模式圖。 第4圖係表示第3圖所示之半導體發光元件之發光強 度分布之圖表。 第5圖係表示半導體發光元件之變形例之元件剖面圖 〇 第6圖係表示於U V發光型之半導體發光元件之發光 動作之模式圖。 第7圖係表示選擇成長光罩之圖案形狀之平面圖。 第8圖係表示選擇成長光罩之其他圖案形狀之平面圖 第9圖係表示選擇成長光罩之再其他圖案形狀之平面 圖。 第1 〇/ik:係表示關於本發明之半導體發光元件之製造 工程之工程1¾¾¾面圖。 第1 係表示E L 0光罩及依E L 0之成長情形之 工程別剖 【符號之說明】 11 藍寶石基板， 12 GaN緩衝層， 13 n — GaN 層， 笔準（CNS)A4 規格（210 X 297 公釐） -13 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 線· 經蒉部智慧財t-l)員I-消費合阼fi印製 本紙張尺度適用$國國家標準 468787 A7 _B7_五、發明說明（11 ) 15 S i 〇 2， 16 n — GaN 層， 1 7，4 Ο I n G a N 活性層， 18 p— AlGaN 帽蓋層， 19 p—GaN貼合層， 20 p+— GaN接觸層， 21 鈍化膜， _ 2 3 鈍化膜， 2 4 ρ電極， 2 5 η電極， 30 發光元件， 3 1 導線架， 3 4 金線， 35 熒光體， 4 1 活性層上面， 42 鈍化膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-0_ --線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用ΐ國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14-

Claims (1)

  1. α8β83β8 466 787 六、申請專利範圍 1 . 一種半導體發光元件，其疊層構造爲具有： 絕緣基板，與 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) G a N系疊層膜：一種疊層形成於上述絕緣基板上之 G a N系疊層膜’其一層爲使用包含將紫外光變換爲可視 光之女光體之選擇成長光罩材層所成長之G a N系膜，與 活性層：形成於此G a N系疊層膜上之至少發光紫外 光。 2 .如申請轉移範圍第1項之半導體發光元件，其中 在最上層再備有包含熒光體之保護膜。 3 .如申請轉移範圍第1項之半導體發光元件，其中 上述發光層係包含AlxIny G a 1 - x _ , N(OSx Ο . 1 $ y S 1 )膜’或 BzGai-zN (SzSl)膜。 4 .如申請轉移範圍第1項之半導體發光元件，其中 包含上述熒光體之選擇成長光罩材層，係形成爲條狀。 5 .如申請轉移範圍第1項之半導體發光元件，其中 包含上述熒光體之選擇成長光罩材層，係形成爲格子狀。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6. 如申請轉移範圍第1項之半導體發光元件，其中 包含上述熒光體之選擇成長光罩材層，係形成爲水珠花樣 狀。 7. 如申請轉移範圍第1項至第6項之任一項之半導 體發光元件，其中再備有形成於上述絕緣基板背面側之透 鏡。 8. 如申請轉移範圍第1項至第6項之任一項之半導 體發光元件，其中包含上述熒光體之光罩層之厚度爲2 0 -15- _)Α4 規格（210 X 297 公釐） A8 B8 C8 D8 六 4 6' 6 78 7 、申請專利範圍 nm以上、50nm以下。 9 . 一種半導體發光元件之製造方法，其係在絕緣基 板上形成G a N系半導體層之疊層體，其特徵爲具有-· 在其一部分疊層紫外光置換爲可視光之熒光體或將包 含熒光體之塗層材作爲母材之選擇成長用之光罩材，及 使用此光罩材層成長G a N系膜之工程，與 在此G a N系半導體層疊層體上方疊層至少發光紫外 光之活性層之工程。 1 0 .如申請轉移範圍第9項之半導體發光元件之製 造方法，其中疊層上述光罩材之工程，係將包含上述熒光 體之光罩材連同溶劑供給，在5 0 0°C附近蒸發溶劑成獲 得。 11. 如申請轉移範圍第9項之半導體發光元件之製 造方法，其中包含上述熒光體之光罩材，係連同無機黏合 齊!Μ共給，以加熱固著得到。 12. 如申請轉移範圍第11項之半導體發光元件之 ^胃方法，其中無機黏合劑係氧化矽。 //. .〆 -------------k J-------訂ί—I—•線 1—' y· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟邹智慧財產局員X消費合作社印製 本紙張尺度適用韦國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 -16-
TW089126787A 1999-12-21 2000-12-14 Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof TW466787B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36283999A JP2001177145A (ja) 1999-12-21 1999-12-21 半導体発光素子およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW466787B true TW466787B (en) 2001-12-01

Family

ID=18477863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089126787A TW466787B (en) 1999-12-21 2000-12-14 Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Country Status (5)

Country Link
US (3) US6504181B2 (zh)
EP (1) EP1111689B1 (zh)
JP (1) JP2001177145A (zh)
DE (1) DE60038216T2 (zh)
TW (1) TW466787B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI392110B (zh) * 2005-05-19 2013-04-01 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh 製作發光轉換型發光二極體的方法

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10010638A1 (de) * 2000-03-03 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines lichtabstrahlenden Halbleiterkörpers mit Lumineszenzkonversionselement
JP2002170989A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Sharp Corp 窒化物系化合物半導体発光素子
JP3864735B2 (ja) * 2000-12-28 2007-01-10 ソニー株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
JP3812827B2 (ja) * 2001-08-23 2006-08-23 ソニー株式会社 発光素子の取り付け方法
US20030189215A1 (en) 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
DE60326572D1 (de) * 2002-05-15 2009-04-23 Panasonic Corp Lichtemittierendes halbleiterelement und zugehöriges produktionsverfahren
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
US7928455B2 (en) * 2002-07-15 2011-04-19 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device and method for forming the same
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
CN100508221C (zh) * 2002-10-30 2009-07-01 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于混合色的发光二极管光源的生产方法
JP2006505118A (ja) 2002-10-30 2006-02-09 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング ルミネセンス変換層を備えた発光ダイオード光源を製造するための方法
US6855571B1 (en) * 2003-02-14 2005-02-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of producing GaN-based semiconductor laser device and semiconductor substrate used therefor
WO2004081140A1 (ja) * 2003-03-13 2004-09-23 Nichia Corporation 発光膜、発光装置、発光膜の製造方法および発光装置の製造方法
CN100509994C (zh) * 2003-03-13 2009-07-08 日亚化学工业株式会社 发光膜、发光装置、发光膜的制造方法以及发光装置的制造方法
US7098589B2 (en) 2003-04-15 2006-08-29 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with high light collimation
US7274043B2 (en) * 2003-04-15 2007-09-25 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode systems
US7521854B2 (en) * 2003-04-15 2009-04-21 Luminus Devices, Inc. Patterned light emitting devices and extraction efficiencies related to the same
US7667238B2 (en) * 2003-04-15 2010-02-23 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices for liquid crystal displays
US7083993B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Methods of making multi-layer light emitting devices
US7105861B2 (en) * 2003-04-15 2006-09-12 Luminus Devices, Inc. Electronic device contact structures
US7211831B2 (en) * 2003-04-15 2007-05-01 Luminus Devices, Inc. Light emitting device with patterned surfaces
US20040259279A1 (en) 2003-04-15 2004-12-23 Erchak Alexei A. Light emitting device methods
US7084434B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Uniform color phosphor-coated light-emitting diode
US7074631B2 (en) * 2003-04-15 2006-07-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device methods
US7262550B2 (en) * 2003-04-15 2007-08-28 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode utilizing a physical pattern
US6831302B2 (en) * 2003-04-15 2004-12-14 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with improved extraction efficiency
US8999736B2 (en) * 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic system
KR101034055B1 (ko) * 2003-07-18 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7341880B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7344903B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-18 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
JP2005167138A (ja) * 2003-12-05 2005-06-23 Nec Lighting Ltd 白色発光素子
US7450311B2 (en) 2003-12-12 2008-11-11 Luminus Devices, Inc. Optical display systems and methods
KR100581831B1 (ko) * 2004-02-05 2006-05-23 엘지전자 주식회사 발광 다이오드
DE202005002110U1 (de) * 2004-02-19 2005-05-04 Hong-Yuan Technology Co., Ltd., Yonghe Lichtemittierende Vorrichtung
JP2005286017A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光素子
CN100359705C (zh) * 2004-03-30 2008-01-02 深圳市蓝科电子有限公司 白光二极管制造方法
US20050224812A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-13 Yu-Chuan Liu Light-emitting device and manufacturing process of the light-emitting device
US7227192B2 (en) * 2004-03-31 2007-06-05 Tekcove Co., Ltd Light-emitting device and manufacturing process of the light-emitting device
US7553683B2 (en) * 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
US20060006793A1 (en) * 2004-07-12 2006-01-12 Baroky Tajul A Deep ultraviolet used to produce white light
US20060038188A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Erchak Alexei A Light emitting diode systems
US20060043400A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Erchak Alexei A Polarized light emitting device
KR100616631B1 (ko) 2004-11-15 2006-08-28 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
US20070145386A1 (en) 2004-12-08 2007-06-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR100624449B1 (ko) 2004-12-08 2006-09-18 삼성전기주식회사 요철 구조를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법
US8680534B2 (en) 2005-01-11 2014-03-25 Semileds Corporation Vertical light emitting diodes (LED) having metal substrate and spin coated phosphor layer for producing white light
US8012774B2 (en) * 2005-01-11 2011-09-06 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Coating process for a light-emitting diode (LED)
TWI352437B (en) 2007-08-27 2011-11-11 Epistar Corp Optoelectronic semiconductor device
KR100665116B1 (ko) * 2005-01-27 2007-01-09 삼성전기주식회사 Ｅｓｄ 보호용 ｌｅｄ를 구비한 질화갈륨계 발광 소자 및그 제조 방법
US7291864B2 (en) * 2005-02-28 2007-11-06 The Regents Of The University Of California Single or multi-color high efficiency light emitting diode (LED) by growth over a patterned substrate
US20070045640A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Erchak Alexei A Light emitting devices for liquid crystal displays
KR100655162B1 (ko) * 2005-06-24 2006-12-08 (주)더리즈 발광 소자의 보호막 형성의 방법
US7196354B1 (en) 2005-09-29 2007-03-27 Luminus Devices, Inc. Wavelength-converting light-emitting devices
JP2007109792A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Sony Corp 半導体発光素子および波長変換基板
JP2007165409A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Rohm Co Ltd 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
KR100735320B1 (ko) * 2005-12-27 2007-07-04 삼성전기주식회사 형광체막 형성방법 및 이를 이용한 발광다이오드 패키지제조방법
KR100833313B1 (ko) * 2006-01-02 2008-05-28 삼성전기주식회사 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그의 제조방법
KR100723233B1 (ko) * 2006-03-31 2007-05-29 삼성전기주식회사 백색 발광 소자
US20070295951A1 (en) * 2006-06-26 2007-12-27 Jen-Inn Chyi Light-emitting diode incorporating an array of light extracting spots
JP2008041739A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Tokai Kogaku Kk 蛍光発光装置
US7847306B2 (en) * 2006-10-23 2010-12-07 Hong Kong Applied Science and Technology Research Insitute Company, Ltd. Light emitting diode device, method of fabrication and use thereof
US20080101062A1 (en) * 2006-10-27 2008-05-01 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Lighting device for projecting a beam of light
US8110425B2 (en) 2007-03-20 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Laser liftoff structure and related methods
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
JP5279006B2 (ja) * 2008-03-26 2013-09-04 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光素子
US20100105156A1 (en) * 2008-10-27 2010-04-29 Po-Shen Chen Method of manufacturing light-emitting diode package
CN102341926A (zh) * 2009-03-05 2012-02-01 株式会社小糸制作所 发光模块、发光模块的制造方法及灯具单元
KR101662010B1 (ko) 2010-05-20 2016-10-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
DE102010051287A1 (de) * 2010-11-12 2012-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US8492746B2 (en) 2011-09-12 2013-07-23 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) dice having wavelength conversion layers
US8410508B1 (en) 2011-09-12 2013-04-02 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) package having wavelength conversion member and wafer level fabrication method
US8912021B2 (en) 2011-09-12 2014-12-16 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. System and method for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers
US8841146B2 (en) 2011-09-12 2014-09-23 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method and system for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers having controlled color characteristics
CN102723418A (zh) * 2012-01-18 2012-10-10 许并社 共形涂布具有荧光特性钝化层的白光led芯片结构
DE102012217640B4 (de) * 2012-09-27 2020-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
CN102867901B (zh) * 2012-09-29 2015-10-07 晶科电子（广州）有限公司 一种带荧光粉层的白光led器件及其制作方法
DE102013200509A1 (de) * 2013-01-15 2014-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
KR102075713B1 (ko) 2013-07-15 2020-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
JP2015173142A (ja) * 2014-03-11 2015-10-01 株式会社東芝 半導体発光装置
TWI550902B (zh) * 2014-04-02 2016-09-21 國立交通大學 發光二極體元件
CN104681721B (zh) * 2015-03-15 2017-10-24 西安电子科技大学 基于notch结构的GaN耿氏二极管及制作方法
KR101761856B1 (ko) * 2016-03-02 2017-07-26 서울반도체 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
JP2019008067A (ja) * 2017-06-22 2019-01-17 スタンレー電気株式会社 波長変換部材及びその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4206668A1 (de) * 1991-03-05 1992-09-10 Bkl Inc Verbesserte elektrolumineszenz-vorrichtung
JPH05152609A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH09153645A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子
JP3240926B2 (ja) 1996-06-25 2001-12-25 日立電線株式会社 発光素子
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5813752A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters
JPH1187778A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JP3036495B2 (ja) * 1997-11-07 2000-04-24 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JP3620269B2 (ja) * 1998-02-27 2005-02-16 豊田合成株式会社 ＧａＮ系半導体素子の製造方法
JPH11307813A (ja) * 1998-04-03 1999-11-05 Hewlett Packard Co <Hp> 発光装置、その製造方法およびディスプレイ
JP3584748B2 (ja) * 1998-09-10 2004-11-04 富士電機ホールディングス株式会社 蛍光変換フィルタおよび該フィルタを有するカラー表示装置
US6404125B1 (en) * 1998-10-21 2002-06-11 Sarnoff Corporation Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
JP2000082849A (ja) 1999-09-27 2000-03-21 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
JP2001111109A (ja) * 1999-10-07 2001-04-20 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI392110B (zh) * 2005-05-19 2013-04-01 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh 製作發光轉換型發光二極體的方法
US8690629B2 (en) 2005-05-19 2014-04-08 Osram Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Luminescence conversion LED

Also Published As

Publication number Publication date
US20010004112A1 (en) 2001-06-21
EP1111689B1 (en) 2008-03-05
US20040079955A1 (en) 2004-04-29
DE60038216T2 (de) 2009-03-19
EP1111689A3 (en) 2006-06-07
JP2001177145A (ja) 2001-06-29
US6791118B2 (en) 2004-09-14
US20030062531A1 (en) 2003-04-03
US6627521B2 (en) 2003-09-30
EP1111689A2 (en) 2001-06-27
US6504181B2 (en) 2003-01-07
DE60038216D1 (de) 2008-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW466787B (en) Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof
US8669560B2 (en) Light-emitting device, light-emitting device package and lighting system
US9224926B2 (en) Light-emitting device and lighting system
TW497277B (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
JP6294031B2 (ja) 発光素子
EP2696375B1 (en) Light emitting diode
EP2362447A2 (en) Light emitting diode
JP2011139062A (ja) 発光素子、発光素子パッケージおよび照明システム
JP2011109070A (ja) 発光素子及びその製造方法
US8878158B2 (en) Light emitting device, light emitting device package, and lighting system
CN109285939B (zh) 一种红光倒装芯片及其制作方法
US20110089436A1 (en) Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package and lighting system
EP2312652A2 (en) Light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20120111364A (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
TWI745715B (zh) Uv-led及顯示器
EP2381492B1 (en) Light emitting device with resonant thickness of one semiconductor layer
KR101843740B1 (ko) 발광소자
KR20130041642A (ko) 발광소자 및 그 제조방법
US11139342B2 (en) UV-LED and display
KR20140090282A (ko) 발광소자
EP4340028A1 (en) Light-emitting module and display device having same
JP2005228802A (ja) 蛍光発光装置、蛍光発光素子、および蛍光体
KR20130020863A (ko) 발광 소자
KR20120137171A (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
EP3644379A1 (en) Uv-led and display

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees