TW434625B - Dynamic focus voltage amplitude controller - Google Patents

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434625 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（ 本發明關於波束著陸失眞改正裝置。 背景 在，極射，’泉g (CRT)上顯示之影像可能遭受不完美或失 '«散焦或非直線性等人射在Crt上之掃描波東。此種 不冗美或失眞之發生係由於自CRT之電子槍至面板之距 離，在波束被偏向時變化甚大，例如，在水平偏向中。降 h Λ生在K平偏向中，波束被偏向時之散焦，可經由發展 一動態聚焦電壓而獲得’該聚焦電壓在水平速率有—拋物 .泉呢壓成伤，及將動態聚焦電壓加在CRT之聚焦電極上， 以動態改變聚焦電壓。吾人熟知，可自—s改正電壓獲得 水千速率之拋物線電壓成份，此電壓發展在水平偏向輸出 級之一 S形電容器。 一電視接收機，電腦或監視器可利用不同水平掃描頻率之 偏向電流，使其有能力在同—CRT上選擇性顯示影像資 訊。當顯示由廣播標準限定之電視信號之影像資訊時，可 利用約爲16 KHz之水平偏向電流，稱爲lfH速率則更爲經 濟。當顯示高清晰度電視信號或顯示監視器資料信號之： 像資訊時’水平偏向電流之速率可等於或大於32 KHz。： 高速率係指2nfH。n値等於或大於】〇 义 在能以多掃描速率操作之視頻顯示監視器之水平偏向+ 路輸出級中，吾人皆知利用切換s電容器可改變電路中= 屯奋器之數目。S電容器選擇係經由根據選擇之水 頻率可選擇之開關，自動完成。〜 ° 當利用非切換驰返電容器時，水平馳返期間之長度與不 ，4 · 本紙狀㈣财關家鮮祕⑽x 297^il ---I----At I I ^---裝--------訂--------:線 (請先閱讀背面之注意事項/填寫本頁) B7 434625 五、發明說明（2 ) 同水平頻率疋期間相同。結果，在不同頻率之s改正電壓 之所需波幅可能不同。而動態聚焦電壓之拋物線電壓成份 之所硌波幅可能必須相同。因此，如以不同水平頻率控制 動態聚焦電壓之拋物線電壓成份之波幅，與控制$改正電 壓之波幅方式分開，則更理想。 在實施一新穎特性中，在s形電容器上發展一拋物線水 平速率電壓。此拋物線電壓經由可控制可變分壓器予以衰 減。分壓器之輸出耦和至微分放大器之一輸入，其比較及 #1整拋物線電壓之峰至峰波幅使與一電壓參考相等。峰至 峰波幅之調整由控制可控制及可變分壓器之光電阻器之電 阻完成。衰減之拋物線電壓在高壓放大器中放大。因此， 衰減之變化可控制不同水平頻率之動態聚焦電壓之拋物線 電壓成份之波幅。 在實施另一新穎特性中，拋物線電壓之衰減並非經過耦 合至一開關之電壓分壓器，衰減之拋物線在高壓放大器中 放大。衷減希之開關響應一 X換控制信號，其代表選擇之 水平頻率。因此，衰減之變化可控制不同水平頻率之動態 聚焦電壓之拋物線電壓成份之波幅。 利用此新穎特性之視頻影像裝置包括第—抛物線信號 源’該信號之頻率與選自許多頻率之偏向頻率有關。第一 抛物線信號之波幅根據選擇之頻率決定。—分壓器包括一 電阻器’分壓器之輸入耦合至第一拋物線信號源，以產生 具有根據電阻器値之波幅之衰減ίώ物線信號。—控制電路 響應代表第一拋物線信號波幅之控制信號，該控制電路搞 - — 1J — ！一 1·-裝 - ------訂------— -線 {靖先閱讀背面之注意事f填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ί4 ίΑ yi yi χ υ 1 - *» / J ' V 〒 % 四 Γ i 434625 A7 B? 經濟部智慧財產局員工消費合作社印*'J?l· 五、發明說明（ 合至-電阻器，根據控制信號以改變電阻器之値。一放大巧 響應衰減抛物線信號，並韓合至聚焦電極，該放大器將衰 減之拋物線信號放大以在聚焦電極產生一動態聚焦電壓。 圓式簡略說明 圖1 A及1 B説明-水平偏向電路輸出級及—根據本發明特 f生之包括一扠制衰減器之動態聚焦電壓產生器；及 圖1C爲根據本發明特性之圖以之衰減器之另一備選。 較佳實施例之詳細説明 圖1說明具有多掃描頻率能力之電視接收機之水平偏向電 路輸出級101。級101由一調整之電源供應1〇〇所激勵以產生 供應電壓B+。-傳統驅動器級103,以選擇之水平掃描頻率 nfH響應一輸入信號1073〇驅動器級1〇3產生一驅動控制信 號103a以控制輸出級〗01之交換電晶體】〇4之交換作業。^ 如η = 1之値可能代表根據如廣播標準之電視信號之水平頻 率。電晶體104之集極偶合至一驰返變壓器丁〇之初級圈 TOW1之一端點Τ0Α。電晶體1 〇4之集極亦耦合至一非交換 馳返電容器1 〇5。電晶體1〇4之集極亦耦合至水平偏向線 圏LY以構成一驰返共振電路。電晶體1〇4亦耦合至—傳統 阻尼二極體1 〇8。線圈l Υ與一線性電感器L〗Ν及一非交換 驰返驰返或s電容器CS1争聯耦合。電容器CS1亦耦合2端 點2 5與一參考電位或GND之間，俾端點2 5可插入電疼= UN與S電容器CS1之間。 輸出級101能產生一偏向電流ii。偏向電流4對任何選 自2fH至2.4fH之信號103a之水平掃描頻率及選擇之lf之^ !· 1 — ·裝--------訂---------線 {請先閱讀背面之注意事項/.填寫本頁) -6

^346^5 B7 4 五、發明說明（ 平頻率均有一相同預定波幅。偏向電流iy波幅之控制， 在水平頻率増加時，自動增加電壓B +而達成，反之二 然’因此可維持-恆定之偏向電流iy之波幅。電壓B+: 傳統調節之電源供應_控制，該電源供應經由變壓器π 之馳返線圈T0WO以封閉迴路構型操作。電壓Β +之波°幅根 據一整流之回授驰返脈衝信號F Β而建立，該信號有二代 表電流iy波幅之強度。—垂直速率抛物線信號以傳統 万式產生’未示出。信號E_w耦合至電源供應咖以 電壓B +之一垂直速率拋物線成份，以提供東西失眞改正 —切換電路60用以改正波束著陸誤差如線性。電 2性耦合無，或僅一軌跡或s電容器⑶及—軌跡或$電 容器CS3之-或二與軌跡電容器⑶成並聯。選擇性^ 〈決定作爲頻率範園之函數，水平掃描頻率即自該頻率； 選出。在切換電路60中，電容器⑶耦合至端點2 電晶體™關⑴之没極之間。電晶體Q2之源極镇合至 地GND…保護電阻器R2可防止過大電壓跨 上，跨電晶體Q2耦合。 -寄存器2〇1將切換控制信號6〇a及6卟施加。控制 60,衝益98搞合至電晶師之閘極。當控制信號咖 爲…選位準，電晶體…不導電。另—方自，當"】 弟二可選位準，電晶體的導電。緩衝㈣提供 所需位準轉移以傳統方式完成上述之切換作 在切換電路6G中，電容器⑶轉合至端點25與阳開關 ϋ張&度適用中_家標準（CNS)A7^^1{) χ 297公餐） ill--I I Ί--II* 裝·--.-----訂·---------線 (請先閱讀背面之注意事項/填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印 434625 π ____B7 五、發明說明（5 ) Q2’之没極之間。FET開關Q2i由控制信號6〇b控制，其方式 與FET開關Q 2控制信號6〇a所控制相同。因此，緩衝器98, 執行與緩衝器9 8相似之功能。 一微處理器208響應頻率至資料信號轉換器209產生之資 料信號209b。信號2〇9b有一數目値，其代表同步信號 HORZ-S YNC之頻率或偏向電流丨y。轉換器2〇9包括一計數 器’其在信號HORZ-SYNC期間計算時脈脈衝之數目，及 根據在一定期間發生之時脈脈衝之數目產生字信號2〇9a。 Μ處理器208產生控制信號2〇8a，其搞合至寄存器2〇1之輸 入。h號208a之値根據信號HORZ-SYNC之水平速率決 定。寄存器201根據資料信號2〇8a產生控制信號6〇3和6此， 其位準由仏號208a根據信號HORZ-SYNC之頻率決定。或 者，信號208a之値由信號10913決定’其由一鍵盤提供，未 示出。 當水平偏向電流i y之頻率爲！ &，電晶體Q 2及Q2，導 電。結果S電容器CS2及CS3爲電路中S電容器，其與s電容 益CS1並聯耦合，並建立—最大s電容値。當水平偏向電 流iy之頻率爲等於或大於2 fH或小於2 14 fH，電晶體（^2關 閉，電晶體Q21導電。結果，s電容器CS2自非交換s電容 I&CSI除輕合’ S電容器CS3耦合至S電容器CS1以建立一 中間s電容値。當水平偏向電流丨y之頻率等於或大於2 fH ’電晶體Q 2及Q2’不導電。結果，s電，容器CS2及CS3自S 電4器CS 1除耦合，及建立一最小s電容値。在電容器 C S 1，C S 2或C S 3中之偏向電流產生一 s形抛物線電壓v 5。 -8- 氏張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格297公爱)------- ：----------裝·---_------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項/填寫本頁) 434625 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（6 ) 由電容器他構成之總驰返電容在不同掃描頻率時不改 變。因此，馳返期間之長度在不同掃描頻率亦相同。電容 器CSi，CS2及CS3之值加以選擇以便產生在不同掃描頻率 不同波幅之拋物線電壓乂5。電壓V5之不同波幅之所以需 要’係由於驰返期間長度為不變。 圖1 B說明容納新r鎮特性之動態聚焦電壓產生器9 9。圖 1 A及圖1 B中之相似符號及號碼代表相同項目及功能。圖 1B之電壓V5有一負向驰返峰值。拋物線電壓乂5之峰至峰 波幅在16KHZ或lfH時為60V，在2fH時為8〇v，在2 4fH時為 125V。拋物線電壓V5經電容器^4電容耦合至電阻器Ri6〇 控制分壓器或哀減器7〇包括電阻器及電容器cds 發展一衰減之拋物線電壓V5'於端點i2〇上。分壓器7 〇之衰 減由鎘硫化物光電阻器CDS之導電情況而決定，該CDS為 光耦合器PC1之一部份。光電阻器CDS響應自二極體LED發 射之光’該二極體為光搞合器p C 1之一部份。自二極體 LED之光響應自達靈敦電晶體q10之電流。達靈敦電晶體 Q10及達靈敦電晶體Q〗丨彼此耦合，並耦合至電阻器R19， R23及R24以形成微分放大器。達靈敦電晶體q π之基極耦 合至V3之參考電壓，其得自經由電阻器R11及R12組成之 電阻分壓器之I2V電壓。 電壓V5’之DC成份接近0V。AC成份由電阻器R16，CDS及 電阻器R17決定。電阻器CDS之值由自光發射二極體LED之 光能決定。電壓V5’之A C成份，即V 5 ”經電容器C21耦合 至達靈敦電晶體Q 10之基極，及至箝位二極體D 6之陰極 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) ---；------；---1---裝---------訂---------線 <請先閱讀背面之注意事項/填寫本頁) 434625 A7 B7 五、發明說明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項箅填寫本頁) 極。電壓V5"之負峰値由二極體D6維持在-0.6V。電壓V5" 之正峰値在達靈敦電晶體Q1 1之基極爲3 V位準超過時使電 晶體Q 10導電。達靈敦電晶體Q10導電時，電流通過二極 體LED而產生光通量。此光通量作用在電阻器CDS上以便 降低其電阻値，電壓V5'及電壓V5之波幅。改變電阻器 CDS之電阻値之響應速度甚慢。如作用在一負回授迴路之 低通濾波器。當電壓V5"之正峰値爲低於+3 V，電晶體Q 10 之工作時間變短，自二極體LED之平均光能降低，直到平 衡建立爲止。電壓V5”之正峰値波幅可保持在稍大於 + 3V，電壓V5"及V51之峰至峰波幅可爲4V，與輸入頻率或 波幅無關。 在電阻器CDS及電阻器R1 6之連接端點1 20上發展之驅動 電壓V5'，經電容器C 3，電阻器R17及電容器C24電容耦合 至聚焦放大器9 7之相加接點輸入端點1 2 1，電阻器CDS之 增益控制作用在調節在端點12 1上之電壓，使其在每一 1 fH，2 fH及2.4fH速率時之峰至+波幅相等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 電容器C 3提供水平拋物線之電容耦合。一電容器C 1 0電 容耦合一以傳統方式產生之垂直拋物線V 8至端點12 1。聚 焦放大器9 7之直流作業點由電阻器R 5決定，而非由拋物 線信號決定，因爲電容耦合可消除直流成份。電容器C24 可改正由放大器9 7之誤差輸入電容造成之相位延遲，俾水 平聚焦改正按時而適當。 在放大器9 7中，電晶體Q 5及電''晶體Q 6彼此耦合以形成 微分輸入級。此等電晶體具有極高之集極電流與基極電流 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)AJ規格（210 X 297公釐） 434625 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8 ) 比值，稱為beta以增加端點12 1之輸入阻抗。電晶體Q 5及 Q 6之基極與射極接點電壓可彼此補償以降低由溫度改變 引起之直流偏壓漂移。電阻器R〖1及電阻器R12構成分壓器 加在供應電壓V10上+12 V以便將電晶體Q 6偏壓為+3 V。射 極電阻器R10耦合至電晶體Q 5及Q 6之射極，其電阻值被 選以導電約6mA之最大電流。其可保護高電壓電晶體 Q20。電晶體Q20經電晶體Q13耦合至電晶體Q 5作業如一 開關。電晶體Q20經串級構型之電晶體Q13耦合至電晶體 Q5 =電晶體Q20必須受保護以防過度驅動，因為電晶體 Q20僅能接受1 OmA之集極電流。其可以完成係因為放大器 9 7有一 6mA集極電流之高超導及約6mA以上之超導。電晶 體Q20，Q13及Q5之串級構型阻隔了跨電晶體Q20之集極與 基極接點上之米勒電容，未示出，因此，帶寬得以增加。串 級構型亦可使放大器增益與高電晶體Q20之低beta無關。 圖1 A之變壓器Τ Ο之線圈TO W3產生一步進馳返電壓， 其在二極體D12中整流及在電容器CI3中濾波以產生供應 電壓VS U以激勵圖1 B中之動態聚焦電壓產生器9 9。一主 動上拉電晶體Q1集極耦合至供應電壓VSU。電晶體Q 1之基 極上拉電阻器R 1經包括二極體D 7及電容器C26之引導或 增大安排耦合至VSU。二極體D 5與電阻器R 1 _聯耦合至 電晶體Q20之集極。二極體D 4耦合至電晶體Q 1之端點97a 及電晶體Q20之集極之間。 在端點97a輸出波形之負峰至#值期間，二極體D 7將在 暗椏體D 7之陰極之電容器C26之一末端鉗位至+ 1600 V供應電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -----I 1 -----；---裝 -------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項/填寫本頁) 5 A7 B7 五、發明說明（9 (請先閱讀背面之注意事項异填寫本頁) 壓VSU，及電晶體Q20將電容器^^之另一末端拉至接進地 %位。電晶體Q 1被二極體D 4及D 5之動作成爲不導電。端 點97a之電壓上升時，電容器C26所存能量經電阻器R i饋 至電晶體Q 1之基極。跨電阻器R i之電壓仍維持爲高，即 使跨電晶體Q1之集極射極電恩接近零。因此，電晶體q ^ 射極電泥仍可維持。端點97a之輸出正峰値可接近+1 6〇〇v 之供應電壓VSU且無失眞。 廷谷C 1代表聚焦電極1 7與接線之雜散電容之和。主動 上拉電晶體Q1可自端點97a供應電流將雜散電容c 1充電。 下拉電晶體Q20能經二極體d 4自電容器C 1吸收電流。優 異的’主動上拉安排用來以較低之功率消耗或得快速響應 時間。放大器9 7利用分路經一回授電阻器r 2在端點97a輸 出。電阻器R17和R2被選以在端點97a產生1000V水平率電 壓。結果，放大器9 7之電壓增益爲數百。 由電壓V5產生之水平速率之動態聚焦電壓成份及由電 壓V 8以垂直速率產生之成份，經電流阻擋電容器〇22電容 耦合至CRT 10之聚焦電極1 7，以發展動態聚焦電壓F v。 由電阻器R28，R29组成之分壓器所發展之電壓ρ· v之直流 電壓成份等於8KV。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在垂直遮沒期間’一定期控制信號V丨3係在高狀態，及 在垂直遮沒期間後之4視頻線時間，稱爲AKB測量期間， 未示出。由延遲電路200產生一信號V13，該延遲電路延遲 —傳統垂直遮沒信號VERT-BLANK —適當數目之數個視頻 線之時間’如4個。信號V 1 3經電阻器R26耦合至電晶體 -12- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 x 297公笼） 434625 A7 B7 五、發明說明（10 ) (請先閱讀背面之注意事項/填寫本頁) Q 15之基極。電晶體Q 1 5之集極經電阻器2 7耦合至電晶體 Q20之射極及電晶體Q1 3之集極間之接點。電晶體Q 13之集 極耦合至電晶體Q20之射極，電晶體Q 1 3之射極耦合至電 晶體Q5之集極。在垂直遮沒及AKB測量期間，電晶體Q1 3 被電晶體Q 1 5關閉，及阻止電流自電晶體Q5之集極流至電 晶體Q20之射極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制私 優異的，電晶體Q20之射極電流在AKB測量期間經由電 阻器R27及電晶體Q15得以維持。電阻器R27在AKB測量期 間耦合至電晶體Q20之射極及地之間。在AKB測量期間， 電阻器R27上跨有一約1 1.3V之恆壓。電阻器R27之値加以 選擇以使電晶體Q20中爲恆値電流，俾跨電阻器R1上發展 之電壓等於供應電壓VSU及端點97a之動態聚焦電壓之峰 値間之差。此可消除不良之聚焦電壓渡越，及第一視頻線 散焦，此種情況在A K B測量期間之後，正常動態聚焦電壓 開始時可能發生。如電阻器R27未耦合至電晶體Q20之射 極，放大器9 7在端點97a之輸出電壓，將可達供應電壓 VSU之+1600V之位準。但在端點97a之波形之所需峰値典 型爲1450V。如在端點97a之放大器輸出電壓如變爲 1600V，在AKB測量期間，在影像之頂部，第一條可見水 平線開始時，將發生一大渡越。此一渡越非常不利，將使 第一條可見水平線開始部份，在AKB測量期間之後發生散 焦。

爲防止此一大渡越，經由電阻~器R27提供電流路徑至電 晶體Q20之電晶體QI5中之電流，在垂直遮沒期間及AKB -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21CU297公爱） 434625 Λ7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（Μ ) 測量期間’降低至端點97a之輸出電壓。作爲電流源之電 晶體Q20並在跨電阻器R1上造成電壓降。“KB測量期 間，端點97a之動態聚焦電壓被設定爲约等於相加之水平 及垂直成份之岭値之位準。因此，有利的，在akb測量期 間之後，聚焦電壓渡越大幅降低。 圖1 C説明一切換衰減器7〇’，其可用在圖1 Β之安排中而 不用非切換衰減器70。®1Α，18及1〇：中相似符號及數 字代表相似項目或功能。 圖1C之哀減器70·包括一電阻器pjl及電阻器R7 2 ,其與 圖1Β之電阻為R16共同形成一可控制分壓器。分壓器之衰 減由切換電阻器Q20之導電狀態決定’電晶體Q2〇耦合至 電阻器R72及切換電晶體Q2 1，其搞合至電阻器1。電晶 體Q21及電晶體Q20由控制信號6〇c及6〇d分別控制。圖1 A 中寄存器201產生之控制信號60c及6〇d與控制信號6〇a及6〇b 之方式相似。圖1 C之控制信號6〇c僅在頻率等於2.4fH時爲 高狀態。控制信號60d僅在頻率等於或大於2 fH時爲高狀 態。信號60c及60d在頻率等於1 fH時爲低狀態。 當信號60c及60d爲高狀態時，電晶體Q2i或Q2〇分別導 電。當電晶體Q20及Q21關閉時無衰減，其僅在頻率等於 1 時發生。當電晶體Q20導電時，及電晶體Q2丨關閉時， 將有一中度衰減’其在頻率等於2 fH時發生。當電晶體Q20 及Q2 I均導電時有一最大衰減，其發生在頻率等於2 時。 〜 電阻器R16，R71及R72之値加以選擇俾端點12 1上之電壓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規柊（210x 297公呈 — — — — — —-ΙΊΙ — ·!-—·裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項/填寫本頁) 43 4 6 2 5 at _B7_ 五、發明說明（12 ) 等於在1 fH，2 fH及2.4fH速率時之峰至峰波幅。電阻器 R16，R7 1及R72之選擇標準目的在使水平拋物線聚焦改正 波幅在每一 1 fH，2 fH及2.4fH時均相等。在圖1 C之安排 中，與圖1B不同，電阻器R16之値等於56K歐姆。 -------^1 ^----;---时衣--------訂 *-------I (請先閱讀背面之注意事項〆填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CN'S)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 434625 | D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 I . 一種視頻影像裝置，包含： - 一陰極射線管，包括一聚焦電極·. 一第一拋物線信號源，其頻率與選自許多頻率中之偏 向頻率有關，其波幅根據選擇之頻率決定： 一分壓器，包括第一電阻，其有一輸入耦合至該第一 拋物線信號之源以產生具有根據第一電阻値之波幅之衰 減拋物線信號； 一控制電路響應代表該第一拋物線信號波幅之控制信 號，並耦合至第一電阻器以根據該控制信號改變該第一 電阻器之値；及 一放大器響應該衰減拋物線信號及靶合至該聚焦電 極’以放大該衰減之拋物線信號以在該聚焦電極產生一 動態聚焦電壓。 2 ·如申請專利範圍第i項之視頻影像装置’其中該分壓器 尚含一第二電阻器，其中該控制電路含一放大器響應該 拋物線彳s號以根據第一抛物線信號之強度調整第一及第 二電阻器間之比値。 3 .如申請專利範圍第1項之視頻影像裝置，尚含一放大器 響應該衰減之拋物線信號以負回授方式自動控制該衰減 之抛物線信號。 4 .如申請專利範固第1項之視頻影像裝置’其中該第一電 阻器包含一光電阻器。 5 .如申請專利範圍第}項之視頻系像装置，其中該第一拋 物線信號發展在一S形電容器中，及電容耦合至該分壓 - -------1--'1·裝-------Ϊ 訂-------線 (請先閱讀背面之注意事項/ 4'寫本頁) -16 - 本紙張尺度適用中0國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公爱） 434625 0388 99 ABCD 申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印N 6.—種視頻影像裝置，包含： 一陰極射線管包括一聚焦電極； —拋物線信號源，其頻率與選自許多頻率中之一偏向 頻率有關，其具有根據選擇之頻率決定之波幅； " 一可控制開關響應代表該拋物線電壓之頻率之—信 號，在選擇第一頻率時有—第一狀態，及選擇第二頻^ 時有一第二狀態； 一 一分壓器，包括一電阻器耦合至該開關，當選擇第一 頻率時選擇該電阻器，當選擇第二頻率時不選擇該電阻 器，以產生一衰減之拋物線信號，俾分壓器之衰減依照 開關之狀態決定：及 一放大器響應該衰減電壓，並耦合至該聚焦電極以放 大及衰減之抛物線電壓以在該聚焦電極產生一動態聚焦 電壓。 7 . —種視頻影像裝置，包含： 一陰極射線管，包括一聚電極； —第一拋物線信號源，其頻率與選自許多頻率中之— 偏向頻率有關，其具有根據選擇之頻率決定之波幅： 一分壓器，包括第一阻抗，具有一輸入耦合至該第一 拋物線信號源，以產生一電壓分離拋物線信號，其具有 根據第一阻抗値之波幅：及 一控制電路響應該電壓分離拋物線信號，及耦合至該 第一阻抗以根據該耦合至聚焦電極以在聚焦電極上發展 -------^ I,---- --裝：-------訂--------線 (請先閱讀背面之注急事項/填寫本頁) -17 本纸張尺度遠用申國园家標準（CNSM4規格（210 X 297公釐） 434625 領 CS D8 六、申請專利範圍 動態聚焦電壓之該電壓分離拋物線信號，改變第一阻 抗之値。 8 .—種視頻影像裝置，包含： 一陰極射線管包括一聚焦電極； 第一拋物線源，其頻率與選自許多頻率之一偏向頻 率有關，且有根據選擇頻率決定之波幅·， 一分壓器，包括第一阻抗，其有一輸入棋合至該第 一拋物線信號源，以產生電壓分離抛物線信號，該信 號具有根據該第一阻抗値之波幅；及 一控制電路響應一控制信號，並耦合至第一阻抗以 根據該第一控制信號以連續，非切換方式改變該第一 阻抗之値，該電壓分離抛物線信號被耦合至該聚焦電 極，以便在聚焦電極上發展動態聚焦電壓。 -------------^衣；-------訂 *-------- (請先閱讀背面之注意事項-.坟寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張义度適用中國國家標準（CNS)A-i規格（21〇χ297公釐）