TW432133B - Method and apparatus for automatic adjustment of thread tension - Google Patents

Description

M432133 罩1的結構包含一片基板11及一預設圖案12，該預設圖案 12具有多數個彼此交錯設置且厚度實質相同的金屬遮光層 121及多數個由相鄰兩遮光層121共同界定出之透光區1.22 。當在該光罩1上設計並製作出該預設圖案12後，利用如 圖2所示的微影曝光系統200，將該光罩1置放於該微影曝 光系統200令’並經一曝光光源201照射，便可將該預設 圖案12轉移至晶圓1〇〇上的光阻層ι〇1，之後再將曝光後 的光阻層101經過曝光後烘烤（Post exp〇sure bake，以下簡 稱PEB)、顯影等後續步驟即可將該晶圓1〇〇上的光阻層 1〇1成型出特定之光阻圖案102,該光阻圖案102具有與該 光罩1之遮光層121形狀相似的線路i〇3(Line)及對應該透 光區122的間隙i〇4(Space)。 其中，該光罩1上的預設圖案12經曝光光源照射後會 在透鏡之相反側的一聚焦平面（F〇cal plane)成像，當該聚焦 平面與一最佳的光阻平面重疊時，經過後硬化及顯影步驟 後會得到解析度最佳的光阻圖案1〇2。然而，由於聚焦透鏡 的品質不佳或是曝光光源通過該些透光區122而照射至該 光阻層101時，會因為該些透光區122密度不同、或是經 曝光後的光阻於PEB等後續製程時，會因為氫離子擴散程 度的差異令該光阻層101在同一聚焦平面產生不同濃度的 光酸，使得在不同線路密度區域形成的光阻圖案會有光阻 行為表現不一致的解析度問題；或是因&光線在通過該些 透光區122時，於鄰近該些遮光層121邊緣產生的繞射現 象，使得該些透光區122與該遮光層121之間的光強度對 4 M432133

比降低’造成顯影後圖案失真；或是因為該晶圓表面凹凸 不平使仔形成於該晶圓上的光阻厚度不均句，而曝光後因 為通過該光罩的曝光光源會聚焦在該光阻的同一水平.面上 /因此，對不同厚度的光阻I⑻而言，也容易造成顯影 後开v成之S阻圖案表現不_致的解析度問題或是局部圖 案在對準時會產生聚焦深度變化或失焦（Def。⑽而產生線 寬變異超過規格範圍、邊緣粗糙度變差，或光阻截面輪廓 變差的問題’而導致例如，如圖3A所示在高線路密度區域 形成之線路1〇3有頂部面積過小、高度不足或是如圖3b 、所示在線路1〇3的末端有圓弧化⑽仙土㈣的現象、 或是末端產生足部(F〇〇ting pr〇fUe)’或是因為形成之間隙 1 〇4的關鍵尺寸誤差導致該間隙〗Q4產生頸縮⑽咖㈣等顯 影圖案失真問題。 傳統在解決失焦所造成的顯影後圖案失真的努力上， 有的針對微影設備改良，有的將曝光過程可能造成失焦的

因子建構出即時偵測並回饋修正的系統，另外，目前在半 導體製程中’當確；t進行微影曝光前，會先挑選產品晶圓 進行對f、曝光矩㈣⑽Exp〇sure Matdx)的量測來決定最佳 的製程焦距值。然巾，已揭露的眾多方法中，對於在同一 晶片上因線路密度差異或是結構之平坦度不均等問題造成 的顯影解析度不佳或是微區域失焦等問題仍然沒有較 改善方式。 【新型内容】 因此 1本新型之目的，即在提供— 種針對不同的半導 5 體°又6十圖形尺寸或半導體設計圖形密集度（Pattern loading) 設計，而可提升微影製程空間的光罩。 此外，本新型之另一目的，即，在提供一種用以改善光 阻層於曝光顯影後形成之光阻圖案變形失真問題的光罩。 於疋，本新型之光罩用以形成與一半導體元件線路相 對應的光阻圖案，包含一透光基板、複數個遮光圖案，及 複數個透光區。 該透光基板允許一曝光光源通過，該些遮光圖案間隔 設置於該透光基板表面，可阻隔該曝光光源而令穿透過該 等遮光圖案之光的能量低於一光阻的感光能量，該些透光 區疋由該些遮光圖案界定出，允許該曝光光源通過而令該 光阻感光該些遮光圖案共同構成預計形成之該光阻圖案 ’並具有至少兩種厚度。 此外’本新型之光罩包含一透光基板、一個遮光單元 ，及複數個透光區。 該透光基板允許一曝光光源通過，該遮光單元設置於 該透光基板表面，可阻隔該曝光光源而令穿透過該遮光單 元之光的能量低於一光阻的感光能量，該些透光區由該遮 光單元界定出並允許該曝光光源通過而令該光阻感光其 中’該遮光單元具有多個彼此間隔排列的遮光圖案且該 每一個遮光圖案具有至少兩種不同的厚度。 本新型之功效在於：利用具有至少兩種厚度之遮光圖 案的光罩’令曝光光源於通過該光罩的透光區時產生不同 的光學現象並在該光阻層形成不同深度的聚焦平面，用以 M432133 改善該光阻層於曝光顯影後形成之光阻圖案變形失真的問 題，而可擴大微影製程空間。 【實施方式】 有關本新型之前述及其他技術内容、特點與功效，在 乂下配&參考圖式之二個較佳實施例的詳細說明中，將可 清楚的呈現。 在本新型被詳細描述之前，要注意的是，在以下的說 明内容中，類似的元件是以相同的編號來表示。 本新型的光罩可以是一種倍縮式光罩，即光罩上之線 路圖案可以5:1或4:1的比例微縮轉移至一如圖j所示具有 光阻層101的晶圓1〇〇上，並經由顯影製程後令該光阻 層1 〇1 ^/成與後續欲轉移在該晶圓1GG上之電路結構相同 之光阻圖S。要說明的是，該光罩的圖案係依據最終形成 在該晶® 100㈣路圖案設計，例如線路密度不@，或是 再依據該晶圓1〇〇的構成材料差異、表面形態差異等，而 製作形成具不同密集度（Proximity)或線寬分佈（Linearity)之 遮光圖案，因此不以圖中所示為限制。 參閱圖1、2，該光阻圖案係利用該微影曝光系統2〇〇 ，將該光罩置放於該微影曝光系統2〇〇中，並經一曝光光 1 "、、射’令通過該光罩的曝光光源201令該光阻層1〇1 的局。卩區域感光，最後再將該感光後之光阻層101經過顯 影製程後即可得到。 該微影曝光系統200是利用光學投影技術之步進機或 掃描步進機，包括將該曝光光源201聚集至光罩的聚焦透 7 M432133 镜202 ’以及令光罩上圖案成像至該晶圓loo上之投影透鏡 203等等組件’該曝光光源201可使用波長為248奈米或 193奈米之深紫外光（DUV) ’甚至是極深紫外光,(euv)。於 下述實把例中的光罩均是以4:1方式微縮轉移至該晶圓1 〇〇 作說明。 參閱圖4，本新型的一第一較佳實施例是提供一種光罩 3，用以令一蓋覆在一晶圓上之光阻層形成具有相同之線路 密度的光阻圖案為例作說明。 該預定形成之光阻圖案為具有多條彼此間隔設置並由 光阻材料構成的線路（Line)及多個由該些線路界定之間隙 (Space) ’該光罩3具有與該光阻圖案相對應之遮光圖案 ，且於圖4中所示之該光罩3僅為顯示部分結構。 該光罩3包含一透光基板31、多個遮光圖案32，及多 個透光區33。 所述遮光圖案32具有多條彼此相間隔並交錯地形成於 該透光基板31上的第一遮光層321及第二遮光層322，可 阻隔該曝光光源201 (見圖2)而令穿透過該等第一、二遮光 層321、322之光的能量低於該光阻層的感光能量，該每一 透光區33是由相鄰的一第一遮光層321及一第二遮光層 322所共同界定’允許該曝光光.源2〇1通過而令該光阻層感 光’且所述第一遮光層321與第二遮光層322具有不同厚 度。 要說明的是’間距的定義是指該形成的光阻圖案的一 條線（Line)的寬度加上其相鄰近的一個間隙（Space)的寬度 8 M432133 ，在本實施例中，在該晶圓上所欲成型之線路圖案（Pattern) 之間的間距（Pitch)是小於140奈米，因此，在4倍光罩的 圖案設計下，每一個第一遮光層321及每一個第二遮光層 322與各自相鄰的一透光區33所定義出的間距小於560奈 米。 進一步地說明，該些遮光圖案32可完全或部份阻隔該 曝光光源201穿透，其材料可選自：MoSi、ToSi2、Nb205 、Mo〇3、MoN、Cr203、TiN、ZrN、Ti02、TaN、Ta205、 Si02、NbN、Si3N4、ZrN、A1203N、MoSi、MoSiN、 MoSiON、MoSiO、CrOC、CrONC、Cr、Mo、Ti、Ta、鐵氧 化物、無機材料，或此等之一組合。 該透光基板31是由允許深紫外光照射穿透的材料構成 ，例如由石英玻璃（Quartz)所製成，而由於光罩製程中對於 該些遮光圖案 32的尺寸，例如：線寬一致性（CD uniformity)、鉻膜厚度一致性（Chromium thickness uniformity)或鉻膜截面輪廓（Edge profile)等皆需要嚴密控制 在規格範圍内，較佳地，所述遮光圖案32的高度是介於 5〜200奈米之間，且所述第一遮光層321與第二遮光層322 的厚度差不小於20A。 當該曝光光源201通過該光罩3時，由於該些透光區 33是由具有不同厚度之第一、二遮光層321、322所界定出 ，因此，當光線通過該每一透光區33時，鄰近該第一、二 遮光層321、322的邊緣會產生不同的繞射現象，而可改變 該透光區33及與該透光區33相鄰之第一、二遮光層321、 9 M432133 322區域的光強度對比，而可藉此修正習知該曝光光源2〇1 於通過具有相同厚度之遮光層丨21(見圖丨）的光罩後因繞射 現象而容易在高密度線路區造成形成的線路圖案產生頂部 表面積不足，或是有高度不足（Shortening)的問題，可讓形 成之光阻圖案得到修正，而提升曝光顯影製程容許程度。 值得一提的是，該些遮光圖案32亦可結合輔助線或利 用光學近階修正技術（Optical proximity correction)進行設計 修正，而該光罩3也可是一種相位移光罩或是二元式光罩 〇 此外，要再說明的是，由於該光阻圖案的線（Line)及間 隙（Space)的寬度會依據預計成形在該晶圓上之電路結構的 線路密度（Pattern density)不同而有所不同，換言之，該光罩 3的遮光圖案32及透光區33也會對應欲形成之該光阻圖案 而設計成具有不同寬度’且該些遮光圖案32則可對應不同 寬度的透光區33而呈現不同的厚度表現，而可藉此讓形成 之不同線路密度的圖案得到修正。 參閲圖5,本新型的一第二較佳實施例是提供一種光罩 4,用以令一蓋覆在一晶圓上之光阻層形成預定的光阻圖案 。於本較佳實施例中該光阻圖案為具有多條彼此間隔設置 並由光阻材料構成的線路（Line)及多個由該些線路界定之間 隙（Space)。圖5所示為該第二較佳實施例之光罩4的仰視 立體圖。 該光罩4包含一透光基板41，多個遮光圖案42，及多 10 M432133 個透光區43。 ~«光圖案42為相間隔地設置料透光基板41上 ，可阻隔料光光源2CU(見圖2)而令穿透過所述遮光圖案 42之光的能量低於該光阻層的感光能量，由於該透光基板 41及該些遮光圖案42的構成材料與該第—較佳實施例相同 因此不再資述。 ，、中該每-遮光圖案42具有一與該透光基板^表 面連接的第一遮光層421，及—實質自該第一遮光層似表 面的中央位置向遠離該透光基板41方向延伸的第二遮光層 422，所述透光區43 {由所述遮光圖案42所共同界定，允 許該曝光_ 2G1通過而令該光阻層感光；較佳地，該每 一個遮光«42與相鄰的—透絲43所定義出的間距是 小於560奈米。 ▲而在裏私便利性的考量下該第二遮光層422可選用與 該第-遮光層421不同姓刻選擇比的材料，例如：該第一 遮光層421可選自鉻，該第二遮光層似可選自氮化组 (蘭)。如此，則可經由適當的姓刻反應氣體的選用，當進 仃該第一遮光f 421的圖案化#刻時，該第二遮光層似 ^乍為硬質遮罩，而當進行第二遮光層422之圖案化姓刻 日守’其下之第-遮光層421可為姓刻訊號的终止層。此外 ，所述第二遮光層422的材質亦可使用與該第一遮光層421 相同的材質，例如：皆是今屈 "疋金屬鉻臈，但在蝕刻過程中便需 要精抗的勤刻時間控制，以成型出所需的厚度與立體型態 而由於光罩製程中對於該些遮光圖案42的尺寸，例如： 11 M432133 線寬一致性（CD uniformity)、鉻膜厚度一致性（Chromium thickness uniformity)或鉻膜截面輪靡（Edge profile)等皆需要 嚴密控制在規格範圍内，較佳地，該些遮光圖案42的高度 是介於5〜200奈米（nm)之間，且所述第一遮光層421與第 二遮光層422的厚度差不小於2〇A。 當該曝光光源201通過該光罩4時，會將所述遮光圖 案42轉移至該光阻層，之後再經過pEB及顯影步驟後即可 令該光阻層形成具有多條與所述遮光圖案42對應的線路 (line)，及多個對應該些透光區43且無光阻材料存在的間隙 (space)的光阻圖案。 本案利用該遮光圖案42的第一遮光層421與第二遮光 層422的厚度差異，讓通過所述透光區43的光線在鄰近該 第一、一遮光層421、422的邊緣產生不同的繞射現象，增 加光強度的對比’並用以微調該光罩4與該投影透鏡加( 見圖2)之間的距離，令光線在該綠層產生不同深度的聚 焦平面，而可藉以改善習知光線通過所述透光區122(見圖 υ時’因為繞射影響造成所述遮光層121(見圖u與透光區 122的光強度對比降低’及因為該光阻層在於咖等後續 ^程時，會因為光酸擴散程度的差異，令該光阻層在同一' 聚焦平面產生不同濃度的光酸’導致形成之間隙產生頸縮 (Μ—)的顯影圖案失真問題，而可提升曝光顯影製程容 許程度。 π β 參閱圖6,要說明的是，該些遮光圖案42還可旦有至 少一自該第一遮光f 421的兩端部423延伸的第三遮光層 12 M432133 424’且該第一遮光層421與該第三遮光層424的厚度差不 小於20人’而形成如圖6所示具有不同態樣的遮光單元42a 、42b、42c，該些遮光單元42a〜42c為配合半導體線路設計 而可單獨或混合存在，如此可令該遮光圖案42藉由該些遮 光單元42a、42b、42c厚度的差異性，改善習知該光阻層於 曝光顯影後形成之不同線路因為繞射造成光強度對比降低 所產生的顯影圖案失真的問題。 此外，參閱圖7,當欲利用一光罩上之遮光圖案於一光 阻層形成一凹槽時，則可結合前述圖5及圖6所示之該些 遮光圖案42，得到一具有如圖7所示之遮光圖案42，的光罩 4’’圖7所示為該光罩4,的仰視立體圖。 該光罩4,具有一呈矩形的透光區43，，該遮光圖案42, 具有一與該透光基板41(見圖5)連接並環圍該透光區43,的 第—遮光層421，、一環圍該第一遮光層421，的兩對邊的第 三遮光層424，，及一自該第一遮光層421，對應該透光區43, 的中間位置延伸的第二遮光層422，，而讓該遮光圖案42，的 中央及兩對邊具有較大厚度，藉以改善曝光形成後之凹槽 的關鍵尺寸誤差及形成之凹槽的周緣圓化（R〇unding)的問^ 。要說明的是，當預計形成的凹槽尺寸較小時，則可不需 再形成該第二遮光層422，，即只需令該遮光圖案42，於對應 該透光區43,的其中兩對邊具有較大厚度即可。 一 參閱圖8,本新型的一第三較佳實施例是提供一種光罩 5 ’包含一透光基板51、多個遮光圖案52，及多個透 53。. 13 M432133 該每-個遮光圖案52具有一與該透光基板51表面連 接並具有一第-厚度的第-_ 521及-自該第一遮光 層521鄰近該透光基板51的其中U邊延伸並與該透光基 板表面連接的第二遮光層522，該第二遮光層522具有 一第二厚度且該第二厚度小於該第-厚度，該些透光區53 具有複數個第-透光區531及複數個第二透光區532，且該 母個第透光區531是由相鄰的兩個第一遮光層52丨共 同界疋出該母個第一透光區532是由相鄰的兩個第二 遮光層522共同界定出，任一個遮光圖案52與相鄰的一第· 一透光區531定義出一第一間距S1，任一個遮光圖案52與 相鄰的一第二透絲532定義出一第二間距S2，該第一間 距si不同於該第二間距S2，且該第一、二間距si、^不 大於560奈米。較佳地，該些遮光圖案52的高度是介於 5〜200奈米（nm)之間，且所述第一遮光層521與第二遮光層 522的厚度差不小於2〇入。 利用该些遮光圖案52的第一遮光層521及第二遮光層 522的厚度差異，讓通過該些具有不同寬度的第一、二透光鲁 區531、532的光線在鄰近該第一遮光層521及第二遮光層 522的邊緣產生不同的繞射效應，使光線在該第一、二透光 區53卜532與第一、二遮光層521、522之間的強度對比 值產生差異，而可改善習知因為光線通過透光區122(見圖 1)的繞射影響’導致該光阻層於對應所述遮光層121(見圖 1)位置的區域也吸收到光線曝光而使後續對應形成的該些線 路產生頂部變形，表面積不足或是有高度不足（Sh〇rting)的 14 M432133 問題，可讓形成之線路圖案得到修正，而提升曝光顯影製 程容許程度。 此外要說明的是，圖5所示的該些遮光圖案42與圖 8所示的該些遮光圖案52可針對絲圖錢路的佈局設計 而同時應用於同一光罩。 综上所述’本新型該光罩主要藉由形成具有至少兩種 厚度之遮光圖案（第-、二遮光層），不僅可微調光軍與投影 透鏡之間的距離來達到產生不同深度的聚焦平面的目的， 以修正形成之光阻圖案的顯影解析度差異問題，並同時利 用該些遮光圖案的厚度差異’讓通過所述透光區的光線在 鄰近㈣透光區的邊緣產生不同的繞射效應’使光線在該 母一透光區及與該透光區相鄰之遮光圖案之間的光強度對 比值產生差異’而可改善習知因為光線遍過透光區122的 繞射影響’所導致的顯影圖樣失真的問題’而可提升曝光 顯影製程容許程度並可擴大對焦製程空間。 惟以上所述者’僅為本新型之較佳實施例而已，當不 能以此限定本新型實施之範圍’即大凡依本新型申^利 範圍及新型說明内容所作之簡單的等效變化與修都皆仍 屬本新型專利涵.蓋之範圍内。 【圖式簡單說明】 構； 圖1是-局部剖面示意圖’顯示習知的二元式光罩結 的 圖2是-不意圖’說明_微影曝光系統及其與光罩 相對關係； ~ 15 丄： 之光【二一示意圖’說明利用習知二元式光罩形成 九阻圖案顯影失真的態樣； 圖4是一局部剖面示意圖，說明本 一 ； 尤卓之弟 圖5是一仰視立體示意圖，說明本新型光罩之一第二 較佳實施例； 一 圖6是一局部立體示意圖’說明圖4中該遮光 不同實施態樣， 圖7疋一仰視立體不意圖，說明用於形成一 罩態樣；及 圖8是一局部剖面示意圖， 較佳實施例。 圖案的 凹槽的光 第 16 M432133

※申請日^p'c分類： 一、新型名稱：（中文/英文) 光罩 二、 中文新型摘要： 本新型在提供一種用以改善半導體設計元件微影製程 空間（Process window)的光罩，包含一透光基板、複數個 間隔置於該透光基板表面，可阻隔該曝光光源穿透的遮 光圖案及複數個允s十該曝光光源通過並由該些遮光圖案 界疋出的透光區，特別的是該些遮光圖案具有不同厚度， 利用具有至少兩種厚度之遮光層的光罩，令曝光光源於通 過該光罩的透光區時因光行經路徑長度不同產生不同的光 學現象而在該光阻層形成不同深度的聚焦平面，用以改善 5亥光阻層於曝光顯影後形成之光阻圖案變形失真的問題， 而可擴大微影製程空間。 三、 英文新型摘要： 1 M432133

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圖3C M432133

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0¾ 9 M432133

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oo 函

M432133 四、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：圖（4 )。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 3....... …··光罩 321 .... …·第- _遮光層 31 ··.·· ••…透光基板 322···· …·第二 二遮光層 32••… .....遮光圖案 33...... •…透光區 M432133 ιοί.产"賴· 年月

【主要元件符號說明】 200… •…微影曝光系統 201… —曝光光源 202… 曰曰圓 203… •…聚焦透鏡 204… 彳又衫透鏡 3…… …·光罩 31 ·.··. •…透光基板 32…… •…遮光圖案 321 ··· —弟 遮光層 322… —第一遮光層 33…… …透光區 4 ....... …光罩 41…… …透光基板 42a ··_· …遮光單元 42b ··· …遮光早元 42c …. …遮光單元 42…… …遮光圖案 421 ···· …第遮光層 422 ···· …第一遮光層 423 .·.· …端部 424 ··· —弟遮光層 43…… •透光£ 45…… …光罩 42,·…. …遮光圖案 421，… …弟遮光層 422,… …苐一遮光層 424,… …弟—遮光層 43,••… …透光區 5 ······ …光罩 51…… …透光基板 52…… …遮光圖案 521… …第遮光層 522 ··· …第一遮光層 53…… …透光區 531 ···· …第一透光區 532 ··· …第二透光區 S1…… …第一間距 S2…… …第二間距 17 M432133

半導體元件線路對應的光阻圖 申請案號第101202977號替換 六、申請專利範圍： 1. 一種光罩，用以形成與一 案，包含： 一透光基板’允許一曝光光源通過； 複數個遮光圖案，間隔排列設置於該透光基板表面 ，可阻隔該曝光光源而令穿透過該等遮光圖案之光的能 量低於一光阻的感光能量，該些遮光圖案共同構成預計 形成之該光阻圖案，並具有至少兩種厚度；及 複數個透光區，由該些遮光圖案界定出，允許該曝 光光源通過而令該光阻感光。 依據申請專利範圍第丨項所述之光罩，其中，兩相鄰的 遮光圖案具有不同厚度且厚度差不小於2〇a。 依據申請專利範圍第丨或2項所述之光罩，其中，該些 遮光圖案的厚度介於5〜200奈米。

，任一個遮 間距，且該 間距不大於560奈米。 1或2項所述之光罩 個具有至少兩種厚度 ’其中，該些 ’且其厚度差 5.依據申凊專利範圍第1 遮光圖案其中至少—傾 不小於20人。 6.依據申請專利範圍第1 一種相位移光罩。 項所述之光罩，其中 該光罩為 項所述之光罩，其中，該光罩為 7 ·依據申請專利範圍第1 一種二元式光罩。 18 M432133 8. —種光罩，包含： 一透光基板，允許一曝光光源通過； 一個遮光單兀，設置於該透光基板表面，可阻隔該 曝光光源而令穿透過該遮光單元之光的能量低於一光阻 的感光能量，該遮光單元具有多個彼此間隔排列的遮光 圖案，且该每一個遮光圖案具有至少兩種不同的厚度： 及 又 複數個透光區，由該遮光單元界定出並允許該曝光 光源通過而令該光阻感光。 9. 依據申請專利範圍第8項所述之光罩，其中，該每—個 遮光圖案具有一層與該透光基板表面連接的第—遮光層 ，及一層自該第一遮光層遠離該透光基板的部分表面向 遠離該透光基板方向延伸的第二遮光層，該第二遮光异 是自該第一遮光層表面的中間延伸，且該第一、二遮光 層的厚度差不小於20 A。 10. 依據申請專利範圍第9項所述之光罩，其中，該每—個 遮光圖案還具有一層形成於該第一遮光層表面的第三遮 光層’該第一遮光層的表面具有相對遠離的兩個端部， 该第三遮光層是由其中至少一端部向遠離該第一遮光層 的表面方向延伸，且該第一遮光層與該第三遮光層的厚 度差不小於20 A。 依據申請專利範圍第8項所述之光罩，其中，任—個遮 光圖案與相鄰透光區的寬度共同定義出一間距，該間距 不大於560奈米。 19 M432133 12.依據申請專利範圍第8項所述之光罩，其中，該每一個 遮光圖案具有一與該透光基板表面連接並具有一第一厚 度的第一遮光層及一自該第一遮光層鄰近該透光基板的 其中一側邊延伸並與該透光基板表面連接的第二遮光層 ，該第二遮光層具有一第二厚度且該第二厚度小於該第 一厚度，該些透光區具有複數個第一透光區及複數個第 二透光區，且該每一第一透光區是由相鄰的兩個第一遮 光層共同界定出，該每一第二透光區是由相鄰的兩個第 二遮光層共同界定出。 13.依據申請專利範圍第12項所述之光罩，其中，任一個遮 光圖案與相鄰的一第一透光區共同界定出一第一間距， 任一個遮光圖案與相鄰的一苐二透光區共同界定出一第 二間距，該第一間距不同於該第二間距，且該第一、一 間距均不大於560奈米。 14_依據申請專利範圍第8項所述之光罩，其中，該光罩為 一種相位移光罩。 15.依據申請專利範圍第§項所述之光罩，其中，該光罩為 一種二元式光罩。 20