TW424026B - Cell potential measuring electrode and measuring apparatus using the same - Google Patents

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A7 __ B7 五、發明説明（） 發明領域： (請先閉讀背面之·項存填爲本 本發明係關於一種低阻抗單元電位測量電極組件，典 型地在絕緣基體上具有許多微電極，且具有包圍包括微電 極之區域的壁。此裝置可使用電極而測量被監視的樣品之 電生理活性，當在微電極的區域中培養這些單元或組鱭。 本發明利用獨立的參考電極來降低整個系統的阻抗，所以 降低在測量資料中固有的雜訊。最好微電極被一壁包圍， 此壁用於控制被監視的樣品周圍的氣氛。 發明背景： 單元電位測量裝置包被發展來測量由神經單元、其它 的單元或組織的活性所產生的活性或電位（例如，曰本公 開8 — 62209)，而不需要插入玻璃電極等等於單元 中。 經濟部中央標準局員工消资合作社印装 藉著將一玻璃電極等等插入單元中之單元電位的測量 會損壞到此單元。單元電位的長時間測量是非常困難。同 時地測量許多位置會更加困難；對於可放入一測量電極陣 列中的電極之數目有限制，且同樣地很難適當地決定測量 電極上的樣品之位置。相反地，使用在一基體（具有包圍 包括微電極的區域之壁）上具有許多微電極之單元電位測 量電極，允許在由壁所包圍的區域內之單元的培養，及許 多位置的電位之同時測量而不會損壞到這些單元。 這些單元電位測量裝置測量單元電位。在公開8 -6 2 2 0 9.中討論此一方式。當6 4個微電極被擺設於8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨0X297公釐） -4- 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 ! 24〇2q a? B7五、發明説明& ) 行及8列中，理論上藉著使用一微電極作爲參考電位（亦 即，作爲連接至培養媒體的電位之共同參考電極），其它 6 3個電位的單元電位可藉著使用餘留的6 3個微電極而 同時地測量。 然而，當測量非常低位準或微電位例如單元電位時， 雜訊會是一問題。雜訊位準會視參考電極的位置及型式的 選定而明顯地改變。如上所述，當使用一微電極作爲參考 電極時，由於高雜訊位準，藉著使用餘留的6 3個微電極 之在6 3個位置之電位的同時測量是不可能的。當參考電 極與測量電極彼此一對一對應時，可在非常低的雜訊位準 狀態測量電位：但是如果使用6 4個微電極，例如對應 3 2個參考電極及3 2個測量電極，只有3 2個位置可被 同時測量。 理論上，雖然必須限制參考電極的數目以在儘可能多 的位置同時測量電位。 如公開8 — 6 2 2 0 9之圖1 4所示，一列中的8個 電極被使用作爲參考電極，且7個測量電極是與各參考電 極有關，使得可以在7 X 8 = 5 6個位置同時地測量電位 。如果5 6個電極被使用作爲測量電極，亦即藉著使用一 列中的8個微電極作爲參考電極，測量處的損失約爲1 2 % ’與使用全部6 4或6 3件作爲測量電極的情形相比。 然而，即使當7個測量電極與一參考電極一起使用，雜訊 仍然相當大。很難偵測單元電位中雜訊的改變。 此外’如公開8 — 6 2 2 0 9之圖1 4所示，當放置 -5 - 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） ----U--,---J:J-----訂------0^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 4〇2e A? B7 經濟部中央標準局員4消費合作社印裂 五、發明説明& ) 單元或組織的段S於許多微電極上時，段S不應被放置在 使用作爲參考電極的一列微電極上。此一放置需要技巧且 很難，因爲段S必須被被鉗子固定，且當經由顯微鏡來觀 察此段時被移動。很難放置段S使得一列的8個微電極被 完全暴露，而餘留的5 6個微電極完全被此段覆蓋。如果 段S被放置成完全暴露一列中的8個微電極，通常某些餘 留的5 6個微電極被暴露，因此同時測量的位置之數目減 小。 發明節要： 本發明是要解決這些問題。本發明提供一種單元電位 測量電極，較不受雜訊影響，但能同時地測量在許多位置 的電位，藉著有效地利用全部的可用微電極，如果當放置 欲被測量的單元或組織的段時，定位並不是非常準確。 本發明的單元電位測量電極最好包括：在一絕緣基體 上的許多微電極：一導電圖案，用於連接微電極至微電極 區域外的某些區域；電接點，連接至導電圖案的尾端：一 絕緣膜，覆蓋導電圖案的表面；及一壁，包圍包括絕緣膜 的表面上的微電極之區域。本發明的參考電極具有比測量 電極的阻抗低很多的阻抗。它們分別被放置在由壁所包圍 的區域中的許多位置，且通常是在距離微電極一段特定距 離處。電接點通常被進丁歩連接於用於各參考電極的接線 之導電圖案與導電圖案的尾端之間。用於參考電極的接線 之導電圖案的表面典型地被一絕緣膜覆蓋。 依據本發明，由於互斥參考電極被提供在遠離許多測 本纸張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X 297公釐） ----J ---J: _ ------訂'------線(， (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -6 - Λ 〇 〇?6 Α7 Β7 經濟部中央標準局負.ΐ消费合作社印製 五、發明説明i ) 量微電極的區域之許多位置，很容易放置單元樣品的段以 覆蓋全部的微電極，而沒有與參考電極接觸《參考電極典 型地具有例如比測量微電極更大的面積，因此阻抗較小， 所以雜訊位準很小，即使被共同地連接至用於測量位置的 許多參考電位。所以 > 共同參考電極可與許多測量微電極 一起使用。此外，由於各許多參考電極可響應許多測量微 電極，使用全部的微電極可容易地同時測量單元電位。 最好，許多參考電極被放置在距許多微電極區域幾乎 相等的距離處，且以幾乎相等的角度之間隔。藉著”幾乎 相等的角度之間隔”，我們意指當從上來看許多微電極區 域時，許多參考電極延伸遠離等角度線中的此區域。特別 是，許多微電極被放置在一矩形矩陣中，且四個參考電極 被提供在固定此矩形矩陣的區域之對角線的延伸上。在此 一對稱的放置中，對於各微電極之雜訊位準被平均化。 作爲一特定的例子，微電極被定位在矩形的矩陣擺設 中，具有例如0 . 8至2 · 2mm的側面（在300itzm 微電極間距的情形）或0 . 8至3 . 3 m m的側量（在 3 0 0 K m微電極間距的情形）。四個參考電極被定位在 —側爲5至1 5 m m的矩形之四個角隅a特別是，6 4個 微電極被放置在8列及8行中，以約1 0 0至4 5 0 /im 最好是1 0 0至3 0 0 A m的中心間距。 欲將參考電極的阻抗設定成充分地小於微電極的阻抗 ，參考電極的面積最好是微電極的面積之4至2 5倍（最 好是1 6倍）。作爲一特定的例子，各微電極的面積最好 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 -& 本紙柒尺度適闲中國國家標準（CNS ) Λ4规格（2Ι0Χ 297公釐）

A ΑΊ Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明s ) 是在約4 X 1 02與4 X 1 C^em2之間，且各參考電極 的面積最好是在約6 4 X 1 02與6 4 X 1 04#1112之間 〇 最好由相同的材料來製成微電極與參考電極，以簡化 製造程序並得到優點。最好，微電極與參考電極晕由在銦 錫氧化物（I TO )膜上鎳電鍍、金電鍍與鈾電鍍的層製 成。在鍍鉑之後，參考電極的阻抗最好是介於2與3仟歐 姆之間。 _絕緣基體（例如玻璃基體）可以是幾乎方形。許多電 接點可被連接至導電圖案的尾端，且最好被放置在絕緣基 體的四個側面上。結果，接線許多微電極與參考電極的圖 案之布局是容易的。因爲電接點的間距可做成非常大，經 由電接點而與外部單位的電連接亦是容易的。 微電極區域通常非常小。當經由顯微鏡來觀察樣品時 ，很難區別在垂直與側面方向上的位置。最好將指標微罩 放置在微電極區域附近，以允許經由顯微鏡在許多方向、 軸及位置的視覺辨識。 本發明之最佳的單元電位測量裝置是由一單元放置裝 置做成，具有：單元電位測量電極；用於與電接點接觸之 接觸處；及一電極固定器，用於藉著從上下夾住而固定此 絕緣基體。在本發明的變化中，一信號處理器可被放置在 微電極矩陣或區域附近。單元電位測量電極可被電氣地連 接至單元放置組件裝置•以允許在各微電極與參考電極之 間被測量到且由樣品所產生的電壓信號之處理。單元電位 ---1 — ~-,---J· i-----IT------線' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國蚨標隼（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐} -8-

經濟部中央標李局負工消費合作杜印製 五、發明説明έ ) 測量組件通常包括一區域’由用於培養樣品單元或組織的 壁所包圍。它亦最好包栝一光學裝置，用於放大及光學地 觀察在由壁包圍的區域中被培養的單元或組織。此單元電 位測量裝置最好進一步包含一影像記億裝置，用於儲存由 光學裝置所得到的放大影像。 圖形之簡要敘述： 圖1是一方塊圖，指出依據本發明的單元電位測量裝 置的整個構造。 圖2是包括本發明的單元電位測量電極的單元放置裝 置之爆炸圖。 圖3是一平面圖，指出用於接線的導電圖案及單元電 位測量裝置的中央部份中的微電極之例子。 圖4是一平面圖，.指出單元電位測量電極的整個構造 〇 圖5是一單元電位測量電極的剖面之圖形。 圖6是一平面圖及一側剖面圖，指出藉著以上下固定 器夾住而固定單元電位測量電極。 圖7是圖6中單元電位測量電極與上下固定器的立體 圖α 圖8是設在上固定器中的接觸金屬配件的側面圖。 圖9是一波形圖，指出設在單元電位測量電極中的參 考電極之5 0微米平方尺寸的情形中之雜訊位準。 圖1 0是一波形圖，指出設在單元電位測量電極中的 ---—ΜI-1.----(------訂------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家樣率（CNS ) Α4規格（公釐） -9^ 經濟部中央標隼局I工消費合作社印製 'μ B7 _ . . __ ,, 一五、發明説明$ ) 參考電極之5 0微米平方尺寸的情形中之雜訊位準。 圖1 1是一波形圖’指出設在單兀電位測量電極中的 參考電極之2 0 0微米平方尺寸的情形中之雜訊位準。 圖1 2是一方塊圖，指出藉著使用習知的單元電位測 量電極之單元電位的測量方法的一個例子。 件符號說明 1 2345 678 8 a8 b '99 a 9 b 9 c9 d 10 單元放置裝置 單元電位測量電極 固定器 固定器 印刷接線板 玻璃圓柱形構件 電接點 扣件 軸銷 突起 接觸金屬區域 銷 底部 彎曲部份 可移動的接觸部份 參考電極 微電極 本紙诔尺度適用中國國家榡準（CNS ) Α4規格（210X297公瘦） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -Λ* 訂 -10- 6 :.24 A7 B7 經濟部中央標隼局貞工消費合作社印裝 五、 發明説明[ 丨） 1 2 導電圖案 1 3 玻璃基體 1 4 絕緣膜 1 5 鍍鎳 1 6 鍍金 1 7 箭頭罩 1 8 微罩 2 0 光學觀察裝置 2 1 顯微鏡 2 2 S I T相機 2 3 局解析顯不 2 4 影像記憶裝置 3 〇 電腦 3 1 A / D轉換器 3 2 D / A轉換器 3 3 隔離器 3 4 放大器 4 0 單元培養系統 4 1 溫度控制器 4 2 培養流體循環系統 4 3 饋送器 較佳實施例之詳細敘述： 圖1指出使用依據本發明之單元電位測量電極與參考 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2〗0X 297公釐） ----:|I-Γ.---TA—-----訂------線〈 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -11 - A7 B7 ^26 五、發明説明g ) 電極之整個單元電位測量裝置的典型例子。此單元電位測 量裝置包含一集積的單元放置裝置1，含有本發明的單元 電位測量電極’一光學觀察裝置2 〇，包括一倒立的顯微 鏡2 1，用於光學地測量放置於單元放置裝置1中的樣品 或單元’一電腦3 0，用於給予一模擬的信號至單元，且 用於處理來自單元的輸出信號，及一單元培養系統4〇， 用於保持關於樣品的培養溫度。 除了在其上設置單元放置裝置1的倒立顯微鏡外，光 學觀察裝置2 0亦可包含一S I T相機2 2用於顯微鏡 2 1 ' —高解析度顯示2 3及一影像記憶裝置2 4。高解 析度顯示2 3亦可被使用作爲電腦3 0之顯示。 電腦3 0通常是一個人電腦（p c )，其中裝有測量 軟體。電腦3 0與單元放置裝置經由用於測量之I / 〇板 而連接在一起。1/ ◦板包括一A/D轉換器31及一 D/A轉換器3 2。A/D轉換器3 1通常用於測量及轉 換所得到的電位；D /A轉換器3 2是刺激信號至樣品。 例如，A/D轉換器3 1可具有16位元、64通道，且 D/A轉換器3 2具有1 6位元、8通道。 安裝於電腦3 0中的測量軟體可包括軟體，用於設定 給予刺激信號的條件，形成刺激信號，及用於記錄所得到 的偵測信號。藉著使用此測量軟體，電腦3 0可包含：機 構，用於將刺激信號給予至單元，及機構’用於處理從單 元偵測到的信號。電腦3 0可亦控制光學觀察裝置（ S I T相機及影像記憶裝置）及單元培養系統- I. Ί---二 '------訂------丨線~-1 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印家 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2L0X297公釐） -12 - ff CV Ο

7 7 A B 經濟部中央標準局貝工消资合作社印裝 五、發明説明<;0 ) 以下一幕接著一幕地敘述測量軟體之功能的大網。 在參數設定銀幕上’可以設定複雜的模擬條件，藉著 使用鍵盤或滑鼠將模擬波形畫在銀幕上。如果記錄條件的 設定爲6 4個輸入通道，且取樣速率爲1 〇 kH z ，電腦 可處理連續的記錄數小時此外，藉著以滑鼠或筆指出顯 示在銀幕上的顯微鏡影像，可以標示出施加刺激信號之電 極及從單元拾取偵測信號的電極。單元培養系統4 0的溫 度、pH及其它條件可從鍵盤來設定。 在記錄銀幕上，從單元偵測到的自發活性電位或感應 電位可即時地被顯示。此外，被記錄的自發活性電位或感 應電位，可藉著重疊在單元的顯微鏡影像上而被顯示。當 測量感應電位時，顯示整個被記錄的波形。當測量自發活 性電位時，藉著使用窗鑑別器或波形鑑別器之尖峰偵測功 能，只有當偵測到自發活性的產生時才顯示被記錄的波形 。連同被記錄的波形之顯示，可即時地顯示測量參數（例 如模擬條件、記錄條件，溫度、p Η等等）。亦提供用於 警告當溫度或ρ Η超過可允許的範圍時之警告功能。 關於資料分析或處理，可使用傅立葉函數轉換（ F F Τ )分析' 干涉分析及相關分析。可使用的功能可包 括使用波形鑑別的單尖峰分離功能、瞬間輪廓顯示功能' 外形顯示功能、及電流源密度分析功能。這些分析結果可 藉著重疊在儲存於影像記憶裝置中的顯微鏡影像而被顯示 〇 當從電腦3 0發出一刺激信號時.，此刺激信號被送至 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐} ---------X _1 : -. < (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線' -13- 經濟部中央標隼局員工消費合作社印家 424〇2e A7 ______ B7五、發明説明“) 單元放置裝置，經由D/A轉換器3 2及隔離器3 3。單 元放置裝置1包括一單元電位測量電極，其如後面所敘述 可由一矩陣形式的玻璃基體上之6 4個微電極做成，且具 有一包圍壁，用於保持樣品（例如單元或組織的區段）與 微電極及它們的培養流體接觸。送至單元放置裝置1之刺 激信號被施加至6 4個微電極的任意電極，然後被施加至 一個或許多樣品。 發生於各微電極與參考電位之間的感應、喚起或自發 的電位通過6 4通道高靈敏度放大器3 4及A/D轉換器 3 1進入電腦3 0。放大器3 4的放大因數可以是例如 8 0至1 0 0 d B，例如在約〇 . 1至1 〇 k Η z或至 2 ◦ kH ζ的頻帶中。然而，當藉著使用低切濾波器而測 量由一刺激信號感應的電位時，頻帶爲1 0 Ο Η z至1 〇 kHz。自發電位通常是在100Hz至20Hz的範圍 內。 單元培養系統4 0通常包括：一溫度控制器4 1 ，培 養流體循環裝置4 2，及一饋送器4 3，用於供給例如空 氣與二氧化碳的混合氣體。單元培養系統4 0亦可由商業 的微孵卵器、溫度控制器及二氧化碳氣缸做成。微孵卵器 可藉由裴爾提元件（Peltier element)而用於控制在〇至 5 0°C的溫度範圍內，且可應用於3 0毫升/分或更小的 液體饋送速率及1.0毫升/分或更小的氣體流動速率。 或者可使用配合溫度控制器的微孵卵器。 關於圖2之爆炸圖f將更詳細地說明單元放置裝置1 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 線' 本紙張尺度適用令國國家榡隼（CNS ) A4現格（2Ι0Χ2<)7公釐） -14- 經濟、邱中央標隼局員工消費合作社印裝 24026 A7 _________B7 _ 五、發明説明（2 ) (圖1所示）的構造。較佳的單元放置裝置丨可由一單元 電位測量電極（亦稱爲集積的多電極或微電極組件）2， 具有一圓柱形壁，設在一透明的玻璃基體上，且在其內側 區域中具有許多微電極，固定器3、4分成兩個部份，用 於藉著從上與下夾住而固定單元電位測量電極2，及用於 固定固定器的印刷接線板5所組成。 圖3指出玻璃基體的細節用於構成單元電位測量電 極（集積的多電極）2之玻璃基體的尺寸可以是厚度 1·1mm且約50mm平方。在玻璃基體的中央部份中 |64個微電極11被做成8x8的矩陣形狀。微電極彼 此絕緣且與參考電極絕緣。用於接線的導電圖案1 2被連 接至各微電極1 1 =微電極1 1可以是約5 0微米平方， 且相鄰的電極之中心間的距離約爲1 5 0微米。所以，描 述的6 4個微電極1 1被表示成8 X 8的矩陣形式，所形 成的矩形區域的一側約爲1 . 1 m m。 雖然本發明的敘述包含關於尺寸及面積的特定參考， 但本發明並不限於此；它們只用於導引而非限定。 而且，如圖4所示，參考電極1 0形成在從放置微電 極的玻璃基體之中央部份中的矩形區域之對角線延伸的線 上的四個位置。參考電極彼此絕緣且與微電極絕緣。這些 參考電極1 0亦被連接至位在玻璃基體的四側上的電接點 7，藉著用於接線微電極1 1的導電圖案1 2。如以下所 敘述，參考電極1 〇以相同於微電極1 1的處理被形成’ 但是尺寸則明顯地大於微電極1 1的尺寸，微電極1 1的 ---τ： — ----4 ·--------V------線； i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用t國國家糅準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 424026 經漭部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7五、發明説明“） 尺寸爲例如約一側爲2 0 0微米的矩形。所以，與約5 0 微米平方的其中一個微電極1 1相比，矩形面積較大，最 好是大1 6倍，且參考電極1 0的阻抗小於微電極1 1的 阻抗。 參考電極10的位置最好是在從放置微電極11的玻 璃基體之中央部份中的矩形區域之對角線延伸的線上。在 變化中，參考電極1 0位於距矩形區域的中心6 m m。另 —方式，它們被放置在一側約8 · 5mm的方形的四個角 隅。 此外|如圖4所示，坡璃基體的各四側上可發現1 7 個電接點7。這些電接點7被附著（一個接著一個）至各 6 4個微電極1 1及四個參考電極1 〇，經由導電圖案 1 2。1 7個電接點的間距最好分隔成通用連接器的 1.27mm間距。集積的多電極2之製造過程藉著參見 圖5中的剖面圖而說明如下。圖5中的描述是爲了容易說 明沒有刻度。 在玻璃基體1 3的表面上，塗覆1 5 0 nm厚度的 I T 0 (銦錫氧化物）膜，且一導電圖案1 2藉著光電阻 與蝕刻而形成。厚度約爲1 . 4微米的負光感聚亞醯胺膜 被塗於其上，並形成一絕緣膜1 4。在微電極1 1 (或參 考電極1 〇 )與電接點7的部份上，暴露I Τ Ο膜，然後 塗上厚度爲5 0 nm的鍍金1 6及厚度爲5 0 0 nm的鍍 鎳1 5。 聚苯乙烯或玻璃圓柱形構件6對應內側直徑約2 2 本纸張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） n I I —--*-- -—--- (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線( -16- 42Λ026 A7 B7 經濟部中央標準局負工消费合作杜印製 五、發明説明Q ) mm外側直徑約2 5 mm高度8mm的壁，可藉著使用矽 黏著劑而被放置在玻璃基體的中央部份上（參見圖2與圖 4 )。.高度良好的黏著劑爲R T V (室溫硫化）矽橡膠， 特別是使用酸固化系統。由於在固化步驟期間產生的醋酸 ’它們會產生低程度的毒性。兩種可用的物品包括K E 4 2 T及矽橡膠醫學黏著劑矽型A。指出圓柱形壁構件6 ，但壁可以是橢圓的，以允許容易接達至樣品。壁構件6 被附著至玻璃基體的中央，亦即與放置6 4個微電極的矩 形區域的中央部份對齊。在由此圓柱形構件6包圍的區域 中’培養單元或組織。此圓柱形構件6被塡充以例如1重 量％的氯鉑酸、0 . 01重量％的醋酸鉛及〇 . 0025 重量％的鹽酸之水溶液，且通過2 OmA/cm2的電流 1分鐘’餡黑1 1 a (或參考電極鈾黑1 0 a )被沈積在 微電極11與參考電極10的表面上。 圓柱形構件6內的區域稱爲”測量區域”，其包括含 微電極11與參考電極10的區域。參考電極1〇被放置 在圓柱形構件6的內表面上是屬於本發明之範圍內。 在集積的多電極2的一個角隅，提供指出方向的指標 罩或箭頭罩1 7。此箭頭罩1 7可以與相同於微電極1 1 及參考電極1 0的方式製成。然而，表面只被塗以鍍金， 並沒有形成鉑黑。箭頭罩1 7的長度與寬度均爲約5 m m 。此外’在放置微電極1 1的矩形區域的一個角隅附近1 提供一類似於箭頭罩的小指標覃例如微罩1 8 〇此微罩 1 8無法以肉眼看到，但是藉著測量裝置的光學觀察裝置 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 線、 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Λ4規格（2丨0X297公釐） -17- 經濟部中夬標隼局貝工消费合作社印製 414026 五、發明説明“） 之放大圖，可辨識與箭頭罩1 7相同的圖案’所以可辨識 方向、位置、軸等等。如同箭頭罩1 7 ’微罩1 8可以相 同於微電極1 1與參考電極1 〇的方弍製成。 圖2中，集積的多電極2被夾在固定器3、4之間。 以相同的方式做成電連接。固定器3、4典型地爲聚合物 。步階部份是用來固定集積的多電極2之邊緣’且矩形開 口形成在中央部份中。上固定器3設有一對扣件8及1 7 片X 4對的接觸金屬區域9。夾住並固定集積的多電極2 之固定器3、4的頂視圖表示於圖6 (A)中，其側面圖 (剖面B — B)表示於圖6 (B)中，且其立體圖表示於 圖7中。由這些圖形可淸楚看出，扣件8被上固定器3的 兩個相對側上的軸銷8 a支撐且沿著其旋轉。如圖7所示 ，槽4 a形成在下固定器4的背面兩個相對側中。扣件8 的突起8 b被裝入槽4 a中，且上與下固定器被堅固地固 定於夾住集積的多電極2之狀態。 總數爲6 8的接觸金屬配件9設在上固定器3上以對 應集積的多電極2之電接點7，此接觸金屬配件9是藉著 處理彈性且導電的金屬板例如B e / C u彈性合金 > 電鍍 以N i與A u。金屬配件9具有圖8所示的剖面形狀。亦 即其與銷9 a、底部9 b及可移動的接觸部份9 d相合， 可移動的接觸部份9 d經由一彎曲部份9 c而從底部9 b 延伸。在此構造中，可移動的接觸部份9 d可彈性地與底 部9b分離。在上固定器3中，在68 (17x4)個位 置形成用於裝入底部9 b的溝及闬於插入接觸金屬配件9 本紙張尺度適用中國國家標準(~CNS ) A4規格（210X 297公釐) ~~ (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) ,tr 線(- 424026 A7 經濟部中夬標準局員工消費合作社印裴 B7五、發明説明j(6 ) 的銷9 a之孔。 如圖2與圖6 ( B )所示，接觸金屬配件9插入並固 定於孔與溝中，銷9 a從上固定器3突起。接觸金屬配件 9有底部9 b的長度不同之兩種型式。兩種尺寸的配件9 交替地放置’從上固定器3突起的1 6個銷9 a被擺設成 兩個鋸齒列。如後面所敘述，這些銷9 a被連接至安裝在 印刷接線板5上的連接器以與外側連接。 接觸金屬配件9之可移動的接觸部份9 d從上固定器 3的下側突起，當接觸金屬配件9被插入並固定於上固定 器3的孔與溝中。固定器3'4固定在集積的多電極2的 兩側上’各接觸金屬配件9之可移動的接觸部份9 d接觸 集積的多電極2之電接點7，且藉著彎曲部份9 c的彈性 變形將特定的接觸壓力給至接觸區域。以此方式，用於經 由導電圖案1 2連接至集積的多電極2之微電極1 1.與參 考電極1 0之電接點7，與接觸金屬配件9相比，被電氣 地連接在較低的接觸電阻（3 0歐姆或更小）。 如上所述，固定器3、4將集積的多電極2堅固地固 定在與集積的多電極2電接觸的狀態，固定器被電氣地連 接並固定至印刷接線板5，如圖2所示。從集積的多電極 2之微電極1 1與參考電極1 〇至導電圖案1 2、電接點 7及接觸金屬配件9的電連接，經由印刷接線板5被進一 步連接至上述的單元電位測量裝置。藉著使用印刷接線板 5而便利在測量裝置上集積的多電極之處理。 亦如圖2所示’印刷電路板5可由例如玻璃環氧樹脂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

,1T 線. 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210X297公煃） -19- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 424026 μ ___ B7五、發明説明G ) 兩側基體做成。連接器5 a被設在形成於印刷電路板5的 中心之圓形開口的圓周上的四個位置的背側。由於從上固 定器3的表面上四個位置突起於雨個鋸齒列的16個銷 9 a被插入各別的對應連接器5 a中，集積的多電極2與 固定器3、4之組件被固定至印刷接線板5並被電氣地連 接。 在印刷接線板5的兩個邊緣，可發現用於邊緣連接器 的2.54mm間距之電接點。這些電接點及中央連接器 5 a被連接於導電圖案5 c中。兩個連接器5 a之內側列 被表面圖案接線，且外側列被背側圖案接線，且在兩個邊 緣5 b的表面及背側上各3 4個，亦即形成總數6 8個電 接點。欲使機械地固定，上固定器3可藉著以螺絲之固定 而固定至印刷接線板5。 參見圖4來敘述集積的多電極2之參考電極1 0。參 考電極1 0通常沒入於培養流體中，成爲用於測量發生於 各微電極中的電位之參考電位。所以各微電極11被連接 至放大器3 4 (圖1 )的輸入端，且參考電極1 〇被連接 至各放大器的參考電壓端子。6 4通道放大器被分成四組 1 6個通道，四個參考電極各共同地連接至1 6通道的一 組參考電壓端子。 首先，由圖4可淸楚看出，最好將四個參考電極定位 在包含微電極1 1的中央矩形區域的對角線之延伸上。通 常，這是爲了圖案接線方便。此外，欲容易地放置單元或 組織的區段以覆蓋全部的6 4個微電極但不覆蓋四個參考 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X 297公慶） -20- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 424026 A7 ____B7_ 五、發明説明（8 ) 電極，放置微電極1 1的中央矩形區域與參考電極1 〇之 間的距離應儘可能地大。此外，藉著將四個參考電極1 Q 放置在距矩形區域的中心等距離處1發生於各微電極中的 雜訊位準是均勻的。雖然參考電極的位置被指定如上，數 値並不是絕對的而只是用於說明。 參考電極1 0的尺寸可以是4 一 6 4，最好是約上述 微電極的面積的1 6倍。結果，在放大器的測量電位輸入 側與參考電位輸入側之間阻抗被平衡，且雜訊位準最小。 例如，藉著以相同的處理來形成微電極與參考電極，且藉 著設定參考電極的面積爲微電極的16倍，16個微電極 的阻抗與一參考電極的阻抗幾乎相等。 例子 此例子表示出在包括例如上述之集積的多電極的系統 與5 0微米平方及2 0 0微米平方的參考電極之間的雜訊 位準之差異。圖9與10指出這些比較的雜訊位準。 我們製造分別具有5 0微米平方及2 0 0微米平方'的 參考電極之集積的多電極（例如圖4所示）。集積的多電 極各具有圓柱形構件6。通常使於組織培養之相同的培養 媒體被放置在圓柱形構件6內。欲限制所得到的信號之雜 訊，沒有單元或組織樣品被放置在微電極上。如圖1 1所 示，測量中央七處（通道1至5、7、8)的64個微電 極。 圖9指出5 0微米平方的參考電極之雜訊波形，且圖 1 0指出5 0微米平方的參考電極之雜訊波形。在各圖形 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210;< 2<Π公慶） I---T — - J----!'----^--.訂------線5 (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) -21 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印裝 4g4Q26_^______五、發明説明（9 ) 中，縱座標軸上的電壓爲Ο . 02mV/d i v，且橫座 標軸上的時間爲5 . Oms/d i v。從圖9與圖1 0之. 間的比較可淸楚地看出*當參考電極爲2 0 〇微米平方（ 圖1 0 )時，與5 0微米平方的參考電極（圖9 )相比， 雜訊位準較小。附帶一提，如敘述於與習知技術的關係， 藉著使用6 4個微電極的其中之一作爲響應1 6個微電極 的參考電極，雜訊位準會大如圖9 _。 如這裡所述，依據本發明之單元電位測量電極及裝置 1雜訊效果很小，且如果當設定欲被測量的單元或組織之 區段時定位不是非常精確，可有效地利用全部的微電極， 且可同時地測量在許多點的電位。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,1Τ 本紙張尺度適用中國國家橾隼（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -22 -

Claims (1)

1. 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 424026 六、申請專利範圍 1 . 一種單元電位測量電極組件，適於測量神經樣品 中的電位，包含： (a )許多測量微電極，彼此絕緣且位在測量區域中 的絕緣基體上， (b )許多參考電極，在該測量區域中彼此隔離，各 該參考電極具有阻抗小於各該測量電極，當以1 k Η z ， 5 0 m ν在涵蓋該測量區域的電解液中測量。 2 ·如申請專利範圍第1項之單元電位測量電極組件 1其中各許多參考電極的面積大於各許多測量微電極的面 積。 3 .如申請專利範圍第2項之單元電位測量電極組件 ，其中各許多參考電極的面積是各許多測量微電極的面積 的4至2 5倍。 4 .如申請專利範圍第2項之單元電位測量電極組件 ，其中該各許多測量微電極的面積爲4X 1 02至4 X 1 04em2，且該各許多參考電極的面積爲6 4X 1 02 至 6 4 X 1 0 4 A m 2。 5 .如申請專利範圍第1項之單元電位測量電極組件 ，其中各許多測量微電極位於該測量區域的陣列中。 6 .如申請專利範圍第5項之單元電位測量電極組件 ，其中6 4個微電極是以1 0 0至4 5 0微米的中心間距 而擺設成8列及8線中。 7 .如申請專利範圍第1項之單元電位測量電極組件 •其中各許多測量微電極及各許多參考電極可連接至測量 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4规格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本f) 、11 — -23- 經濟部中央標率务員工消費合作社印製 ¢24026 s々、申請專利範圍 區域外的位置。 8 .如申請專利範圍第1項之單元電位測量電極組件 ，其中測量區域是由一壁包圍。 9 如申請專利範圍第8項之單元電位測量電極組件 ，其中壁是圓形的。 1 0 .如申請專利範圍第8項之單元電位測量電極組 件，其中壁是橢圓的。 1 —種單元電位測量電極，包含：許多微電極， 置於一絕緣基體上；一導電圖案，用於該微電極之接線： 一電接點，連接至該導電圖案的尾端；一絕緣膜，覆蓋該 導電圖案的表面；及一壁，包圍包括該絕緣膜的表面上之 微電極的區域，此單元電位測量電極是一種單元電位測量 電極，使用於測量當在由該壁所包圍的區域中培養單元或 組織時之電生理活性， 其中具有阻抗小於該微電極的阻抗之參考電極分別被 放置在由該壁包圍的區域中之許多位置，且與該微電極的 位置之區域距離一段特定距離，電接點被進一步連接於用 於各參考電極的接線之導電圖案與該導電圖案的尾端之間 ，且用於該參考電極的接線之導電圖案的表面被覆蓋以該 絕緣膜。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之單元電位測量電極 ，其中該許多參考電極被放置成與該許多微電極的位置之 區域幾乎成相等距離，且以幾乎相等角度的間隔。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之單元電位測量電極 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標举（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24- 〆 C8 D8 六、申請專利範園 ，其中該許多微電極置於矩形區域的一矩陣中，且四個該 參考電極被提供在該矩形區域的對角線之延伸上。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之單元電位測量電極 ，其中該微電極在矩陣排列的矩形區域中的一側上是 0 · 8至3 . 3mm，且該四個參考電極被放置在矩形的 四個角隅，一側5至1 5 m m。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之單元電位測量電極 ’其中6 4個微電極被放置在8列及8線中，以1 〇 〇至 4 5 0微米的中心間距。 1 6 .如申請專利範圍第1 1項之單元電位測量電極 ’其中該參考電極的面積是該測量微電極的面積的4至 2 5倍。 17.如申請專利範圍第16項之單元電位測量電極 ’其中該參考電極的面積是該測量微電極的面積的1 6倍 〇 經濟部中夬檩準局員工消費合作社印裴 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本莨) 1 8 如申請專利範圍第1 1項之單元電位測量電極 ’其中該測量微電極的面積爲4X1 〇2至4 X 1 〇4 #m2，且該參考電極的面積爲6 4X 1 〇2至6 4X 1 0 4 β m 2。 1 9 .如申請專利範圍第1 1項之單元電位測量電極 ’其中該微電極與該參考電極是由相同材料製成。 2 0 _如申請專利範圍第丨9項之單元電位測量電極 ’其中該微電極及該參考電極是藉由在銦錫氧化物膜上形 成鎳電鍍、金電鍍及鉑電鍍而做成。 本紙張尺度適用中國^家揉i ( CNS ) A4规格（210X297公慶） -25- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ^24026 骂 D8 六、申請專利範圍 2 1 .如申請專利範圍第1 1項之單元電位測量電極 ，其中該絕緣基體幾乎是正方的，且連接至該導電圖案的 尾端之許多電接點被分布且放置在該絕緣基體的四側中。 2 2 .如申請專利範圍第1 1項之單元電位測量電極 ，其中當放大時用於視覺地辨識方向之指標微罩，被提供 在該微電極的位置之區域附近= 2 3 . —種單元電位測量裝置，包含： 一單元放置裝置，具有如申請專利範圍第1 1至2 2 項的其中一項之單元電位測量電極，及接觸金屬，用於與 其電接點接觸，且包括一電極固定器，用於藉著從上下夾 住而固定該絕緣基體， 一信號處理器，電氣地連接至該單元放置裝置，用於 處理該單元電位測量電極的參考電極與微電極之間所產生 的電壓信號，藉著在由壁所包圍的區域中培養的單元或組 織之活性，及 一光學裝置，用於放大並光學地觀察在由壁所包圍的 區域中培養的單元或組織。 2 4 .如申請專利範圍第2 3項之單元電位測量裝置 ’進一步包含一影像記億裝置’用於儲存由該光學裝置所 得到的放大影像。 本紙張尺度適用中國围家棣準（CNS )以洗格（210Χ297公釐） (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T -26-