TW417134B - Distributed inductively-coupled plasma source - Google Patents

Description

Α7 Β7 T 417134 五、發明説明（ 發明領城： —'»— “ 本發明係關於半導體處理室之電馬 源。 玉心吼忍式耦合的電漿 發明背景：_ 製造半導體的許多處理，像是蚀刻及沉積，為„# 刻及兔將沉積，㈣，它們使用在一真空室中被激勵至一 電聚狀態的處理試劑。通常’帛電聚是藉由辆合射頻(㈣ 電源至該處理氣體混合物而被激勵。該RF電場將在該處 理氣體混合物中之原子解離以形成電紫。 將RF能量耦合至處理氣體的一個方法為電感耦合’ 其中一 R F能量供應被連接至一電感線圈，其不是直接安 裝在該室的内部就是被安裝在該室壁之一部分的外部，該 部分為介電質。與電容耦合的電漿源相比，一電感地耦合 的電漿源的優點為其允許調整供應至該電漿的rF能量’ 且該調整與該半導體工件上之DC偏壓無關》 電感線圈通常是作成電磁線圈的形狀，其不是圈繞在 該真空室的圓柱形外壁上，就是安裝在該室的圓形上@ & 上。其它傳統的電感線圈被作成一安裝在該室/ 一 。殘電磁線 或圓頂形的上壁上之平面或半平面螺旋的形狀 〃 & _的軸朝向 圈及螺旋線圏共同的缺點為產生一沿著該綠圏

.. 冰之大的RF 核半導體工件伸展的RF電磁場。一靠近該工什 冰嗜工件之 場是所不想要的’因為其可能會傷及將被製造於" 上的半導體裝置。 第5貫 國同家標準i )八4規格（2UVX297公符） (請先閱讀背而之注意事項#壤S本頁) -訂 -—r. 經濟部智15'·1""员工;/i€K合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 授予Ogle之美國專利第5,435,88 1號揭示一種電感耦 合的電漿源其將靠近該半導體工件之RF磁場降至最小。 其使用了散佈於一處理室之介電質的圓形上壁上之一陣 列的電感線圏。每一線圈的軸與該室頂壁垂直且與半導體 工件垂直，且相鄰的線圈係以不同的相位相連接用以產生 相反極性的磁場。此結構在與該頂壁相鄰的”近場"中產生 —”尖端（cusp)”磁場圖案，其將處理氣體激勵成一電漿。 然而，在靠近該工件的”遠場M中，該相反極性的磁場抵消 掉使得靠近該工件的磁場強度是可被忽略的’藉此將對於 半導體裝置之危害的可能性降至最低。

Ogle的設計的缺點在於，該RF磁產在靠近該電感線 圈陣列的周邊處是不均勻的。詳言之’ 〇 g丨e的磁陣列的周 邊偏離平均地間隔開，極性，磁極交替的中央圖案。此在 該RF場中之空間的不均勻性產生所不想要之在電漿強化 的半導體製造處理中的空間不均勻性。 發明目的及概述： .本發明為一種將電源電感地耦合至在一半導體處理 室中之電漿上的設備及方法。 在一第一態樣中，一電感線圈的陣列被散置於具有一 圓形橫截面的幾何表面上°每一線圈具有一椒形的橫截 面，使得在該陣列中之任何兩個相鄰線圏的相鄰侧大致與 該幾何表面的該圆形截面的半徑平行。 本發明可產生一與在一電漿處理室中之半導體工件 第6頁 本纸張尺度適坰中國园家標準（t’NS ) Λ4坭格（2丨()X297公筇） (請先閱讀#而之注意事項再填寫本頁) T - -la 經濟部智站对產局段工>/]費合作社印製 417 134 經濟部智慧財威局：只工消"合作社印製 A7 B7 五、發明説明（）

I 相鄰的電漿，其具有絕佳的空間均勻性，即在半徑方向及 方位角方向都均勻。該電漿具有絕慣的半徑均句性因為相 鄰線圈的相鄰側係大致平行。其具有絕佳的方位角均勻性 因為該等線圈在方位角方向相對於該幾何表面被等距地 間隔開。 吾人的發明可適用的室壓範圍相當大。某些傳統的設 計是藉由在一諧#頻率持續地加速電子而將能量耦合至 該電漿，這只能在室壓夠低以確保電子的平均自由路徑大 於磁極之間的空間時才可被達成。相反的，吾人的發明不 需要持績地加速電子，所以其並不局限在低室壓下操作。 吾人的發明可很容易地藉由在該陣列中添加電感線 圈而適用於較大的或不同形狀的電漿室。將吾人的設計針 對不同的處理及不同的室尺吋及不同的形狀最佳化是相 當直接的，因為由任何兩個相鄰的線圈所貢獻的電漿強化 被局現在該二線圈的附近。相反的，對於改變使用一單一 的電感線圈之傳統設計的尺吋及形狀是相當麻煩的。 在較佳的實拖例中，相鄰的線圈產生極性相反的磁 場。較有利地，與許多傳統電感線圈設計相反的，一相鄰 線圈所感應產生的渦電流會彼此抵消掉而不會彼此增 加，使得沒有渦電流會環繞在該室壁1 2的周圍。 本發明之前述的實施例對於用來處理圓形半導體晶 圓之圓柱形電漿室是極為理想的。在適合處理不規則的工 件，像是平板顯示器，的實施例中，該電感線圈被安排成 一矩形的陣列或矩陣而不是一圓形的陣列。在一矩形的陣 第7頁 表紙張尺度適汛中阐國家標华 ( CNS ) ΛΊ現格（210乂297公錄.） (Μ先閱讀背而之注意事項存填鸿本頁)

A7 B7 Γ 417134 五、發明説明（）

I 列中，線圈不需是一特定形狀的線圈，且其截面可以是’ 例如，圓形或矩形。為了要讓電漿的側向均勻性最大化， 介於相鄰線圈之間之M w "形側向或橫向間隔對於每一對相 鄰的線圏而言都應相等。該等線圈以各自極性連接至一 RF 能量供應使得相鄰的線圈產生極性相反的RF磁場。 在本發明的一第二態樣中，每一電感線圈是以最靠近 該電漿的該線圈電線匝最接近或即是電子接地電位的方 式連接至該能量供應。本發明的此態樣將耦合於該等電感 線圈與該電漿之間的t容性（靜電）最小化，藉此將與線圈 相鄰之室的；'賤射最小化。 在一實施例中，每一線圈之最靠近該電漿之一端係直 接連接至該電子接地，及該線圈的相反端則連接至一 R F 能量供應之未平衡的輸出。在一第二及一第三實施例中， 兩個線圈是以串聯的方式將每一線圈之最銬近該電漿之 一端連接起來。在該第二實施例中，每一線圈之相反ΓRF 熱Ί端係連接至一 RF能量供應之一各子平衡的輸出。在 該第三實施例中，一線圈的熱端連接至一 RI7能量供應的 未平衡輸出，及另一線圈的熱端經由一電容器連接至該電 子接地，該電容器與後者線圈於RF能量供應的頻率諧振 (resonate) 〇 本發明的一第三態樣為使用於前一段落的第三實施 例中之將兩個線圈連接至一未平衡的電源輸出的電路用 以將兩個線圈之間的接合處保持在靠近該電子接地電 位。此電路是新穎的及有價值的，不論該等線圈是否與一 _第8貫___ 本紙張尺度適用中國阈家標i?- ( CNS ) /\4坭格{ 210X297公苋) ~ '~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智芨則產局肖工消費合作社印製 __；___B7 五、發明説明（） ! 電漿室相關連。 圖式簡單說明·· 第1圖為應用本發明之一電漿室的部分示意’剖面側視 圖。 第2圖為在該室中之電感線圈的陣列的示意上視圖。 第3圖為第2圖中之電感線圈的部分示意立體圖。 第4圖為第1 - 3圖之電感線圈之一的立體圖。 第5圖為第1 - 3圖之電感線圈之一的剖面圖。 第6圖為第5圖之電感線圈之分解立體圖。 第7圖該電感線圈陣列沿著半圓形剖面路徑之剖面圖’其 顯示該方位角方向之磁尖端場。 第8圖為兩個以並聯的方式速接於一 能量供應與一電 子接地之間之相鄰的線圈的電子示意圖° 第9圖為兩個以串聯的方式連接至一 R F能量供應之一平 衡的輸出之相鄰的線圈的電子示意圖。 第1 0圖為兩個以串聯的方式連接至一 R F能量供應之一未 平衡的輸出之相鄭的線圏的電子示意圖，其包括一 新穎的特徵，其中一個線圈是經由一電容器連接至 電子接地。 第1 1圖為包括一中央線圈的另一電感線圈陣列的示意上 視圖·ϊ 第1 2圖為第1 1圓之電感線圈陣列的一部分示意立體圖。 第13圖為具有中心線圏之另一電感線圈陣列的示意上視 __第9頁 __ 本紙張尺度適用中闯阐家從( CNS Μ4规格（210X2们公释） "'~ (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) Τ 'vs 1. 經濟部智慧財A局：Η工消費合作社印製 in - 1-1 -- 1 417 134 A7 ___B7 五、發明説明（） ! 圖。 第1 4圓為圓柱形電感線圈的一矩形陣列的示意上視圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填{"木I ) 第1 5圖為電感線圈之一矩形陣列的示意上視圖，其中每 一線圈具有一-矩形的橫戴面。 經濟部智慧財威局資4消费合作社印製 第10頁 圖號 對照說明： 10 室蓋 12 室側壁 14 底壁 1 6 陽極電極 1 8 支撐架 22 處理氣體 32 第一 RF能量供應 34 第二R F能量供應 100 室内部 24 排放埠 25 婉蜓的排放搐板 26 外襯裡 27 内襯裡 2 9 0形環 28 環形架 30 線圈陣列 3 1 第一阻抗配接網路 40 ,40a,42 線圏 33 第二阻抗配接網路 50 中空線圈形體 54 上表面 53 外表面 44 方位角側 5 1 固定件 56 基板 52 磁心 120 磁通量線 43 中心匝 58 蓋子 59 螺絲 57 拉線釘 48,49 配接網路輸出 90,9 1,92 電容器 11 0 電感線圈對 93 電感器 60 中心線圈 本紙iii尺度適用中國國家標準丨CNS > Λ4峴格（210X297公苋） A7 JV 4 ! 7 ί B7 — ___ —— 五、發明説明（） 62 線圈形體1 64 磁心 70徑向内線圈 72徑向外線圈 發明詳細説明： 第丨圓顯示一使用本發明之電蒙室。此被舉出的室是 用於實施在矽晶圓上之介電層的電漿強化蚀刻，但本發明 對於用在半導體製.造處理’如蝕刻’化學氣相沉積’或濺 射沉積，之任何電漿宜是同樣有用的。 真空室具有一圃拄形鋁側壁1 2，一圓形鋁底壁14， 及一圓形底壁或蓋10其是由一介電材料’像是氧化紹 (A【2〇3，俗稱為緣土），氮化鋁’或碳化珍所製成。吾人較 偏昊鋁，主要是因為其在許多其它的電锻室中已成功地被 用作為一介電質，JI亦因為其與其它的介電質比較起來是 較便宜的》 該室的惻壁及底壁被接地。一鋁陽極電極1 6與該室 的圓柱形軸心垂直iL與藉由介電支撐架1 8而該被接地的 室呈電氣絕緣。一半導體工件’如一矽晶圓（未示出）透過 傳統的機構，如一機械式夾環或一靜電夾頭.而被固持於 該陽極電極的上表面之上。此室結構是傳統的。 處理氣體22經由數個氣體入口埠（位示出）流入該室 中’該等氣體入口埠被方位角地間隔於該室側壁1 2周園 且在蓋10底下β第一及第二RF能量供應32及34將RF 能量耦合至室内部丨0〇用以從該處理氣體形成一電漿。 一排放幫浦（未示出）被安裝在在該室底壁1 4中之排 n I IJ ! m n n - ^ - t^i m 1_ HI f— T .T 、-'D (請先閲讀背面之it意事項再填本頁) 經濟部智慈5:是局肖工消费合作杜印製 -—- 經濟部皙慧財/i局'-H工泊骨合作社印製 Γ 417134 _____B7 發明説明（）

I 放埠24的外部°該幫浦將處理氣體及反應產物從該室經 由婉挺的排放擒板2 5 ’然後在排放碑2 4排出 由該較佳的排放擋板2 5所施加的該蜿蜒的排放路徑 是要阻擋電漿到達該排放埠 ''排放擋板是藉由將陽極化的 鋁外襯2 6及rt襯2 7之惻向延伸加以重疊而形成的。該等 襯裡是可移除的用以方便清洗。該惋蜒的排放擔板及襯裡 被更詳細地描述於由Shan等人所發明，讓渡給本案受讓 人之共同係屬中的美國專利申請案第08/666,981號中，該 案的全部内容藉由此參照而被併於本文中。 該外襯2 6的上端包括一向内延伸的環形架2 8，該蓋 10是躺在該架上，其具有一Ο形環29用以提供一真空密 封。一在該外襯中的氣體通道提供處理氣體22流至該入 口埠。 第一 R F能量供應3 2經由一第一阻抗配接網路3 1而 供應電源給一安裝在該介電質室蓋1 0上之新穎的感應線 圈陣列3 0。在陣列3 0中之每一線圈4 0，42被捲繞在與該 室的軸平行的一抽周圍，即與該室蓋及半導體工件垂直。 通過該等感應線圏的RF電流在該室之蓋的正下方的區域 產生一 RF電磁場，用以將RF能量耦合至該電漿並藉此加 前該電漿的密度。（第7圖顯示該RF磁場線1 20) 傳統上’ 一第二阻抗配接網路3 3電容地將該第二RF 能量供應3 4耦合至該陽極電極I 6用以相對於該接地的室 壁在該陽極電極上產生負的直流偏壓。在該陽極電極1 6 上之負偏壓從該處理氣體吸引離子朝向該半導體工件，使 ------ 第 12 頁 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（21(1><2()7公舞) (請先閱讀.背面之注意事項再填寫本頁}

五、發明説明（） (請先間讀背而之注意Ψ項再填寫本買) 得處理氣體在該半導體工件上實施一所需要的半導體製 造處理，像是蚀刻在該工件表面上之既有膜層或在該表面 上沉積一新的膜層之傳統的處理。 第2-4圖及第6圖顯示在陣列30中之八個電感線圏 40，42的每一者都具有楔形，該等線圈被等間隔地設置在 室蓋10的方位角周園。如第4-7圖所示，每一線圈40， 42具有多匝的銅線43捲繞在一中空的線圈形體50周圍。 每一線圈形體都具有一楔形的上表面如第2-4圓所示，及 當從第4-6圖所示的一側觀看時每一者都具有一 U形的截 面。詳言之，每一線圈形體5 0包含一彎曲的，矩形的， 寬的外表面5 3 ; —幾乎三角形的楔形上表面54 ;及一彎 曲的，窄的，内尖端表面 55。每一線圈形體的方位角側 4 4都是完全開放的，如第4 - 7圖所示。 每一線圈行體5 0是由介電材料所形成使得線圈的繞 组可接觸該形體而不會短路。該等係線圈形體最好是具有 一非常低的介電常數用以將橫跨該線圏繞組的實際電容 降至最小，藉此升高該等線圈之自我的諧振頻率。線圈形 體之最佳材料為鐵氟龍（Teflon)。 經濟部智慧財產局員工消"合作社印製 為了要方便該該電感線圈陣列作為一單一的單原來 安裝及移除而無需開啟該室蓋1 〇，八個楔形的線圈形體 5 0是藉由一推入式的固定件5 1而安裝在一單一的圓盤形 基板5 6上。在較佳的實施例中，基板5 6是由一具有一比 形成線圈昔體之鐵氟龍的機械剛性還高的塑膠材料所製 形成的。該較佳的塑膠材料是由杜邦公司以U11 e m商標名 第13頁 本纸張又度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（2i()X2y7公泠） A7 B7 417134 五、發明説明（

I 成所出售之塑膠。其通常被稱為”天，然〜用以包含碳 之"黑U丨t e m"作區別。 每一電感線圈40, 42最好是包圍一鐵心、52。吾人相 信該磁心52可凝聚該磁場並將塑形使得延伸於相鄰線圈 4〇,42之間的磁通量線120將主要被集中在〜延伸通過該 電浆室的内部100介於每一線阁之個別的下軸端之間的孤 線上’如第第7圖所示。沒有磁心、52時，I大部分的 磁通量將橫向地延伸於該等線圈在蓋1 0之上之中央阻43 之間。換言之，吾人相信磁心52將磁通量12〇集中在該 室内部100之被電t所佔據的區域中，藉此改上電感線圈 40 ’ 42將RF能量耦合至該電漿的效率。 在較佳的實施例中，每一電感線圈的磁心是由丨2根 鎂肥粒鐵桿52所構成，其具有約40至60的導磁係數。（吾 人所測試之肥粒體的供應商宣稱導磁係數為6〇，但手冊上 通常都顯示鎂鋅肥粒體的導磁係數為40。） 一為了要，复肥粒體桿氣冷，肥粒鐵桿被間隔開來。肥粒 卞K ^間的間隙是由空氣所佔據。為了要保持該間隙及對 崁桿每一桿的頂端都佔據一在該線圈形體50的 /丨4 4之分開的開口，及每一桿的底部佔據在該基板 刀開來的開口。在基板中的開口亦具有降低每一 肥粒體桿的底部用以更加靠近該室蓋1〇自"'點，藉此將 線圏陣列30產生於該室中之礤場強度最大化。 Α等線圏連接至該第—RF能量供應32的方式為，在 疋流波开"的任何半週期的期間，流經線圏40的一半之 ㈣張尺度適用 (請先閱讀背而之注意事項戽填艿木頁) *1Γ "! 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、 r 4ίτ 發明説明（ 電流為順時鐘，及流經線圈42的另一半的電流為逆時鐘’ 兩個極性的該等線圈被交替地置於該陣列的方位周圍。第 2及7圖藉由將連續的線圈40，42交替地標示為S及N 以代表有每個個別的線區在RF電流波形的半個週期期間 所產生的磁場來顯示此交替的配置。在接下來的半個週期 期間，南及北磁極將會互換。 來自於線圏陣列3 0之交替極性的磁場在，，近場"（即靠 近室蓋丨0)中產生一合磁場其具有一，，尖端"圖案，如第7 圖的磁場線1 20所示。因此，由該RF能量供應32所供應 的能量被耦合至與宣蓋1 〇相鄰的處理氣體混合物用以加 強該電漿的密度。 每一線圈是楔形的使得任兩個相鄰的線圏之相鄭惻 44大致是平行的。除了在該蓋的中心之外，介於兩個在方 位角上相鄰的線圏之間的方位角間隙，，W"在所有徑向的位 置大致是相同的，使得該等線圈產生具有絕佳的徑向均勻 性之磁場。 當離該電感線圈陣列3 0的底部的距離增加時，該磁 場強度會快速地細降至可忽略的水平，因為相反極性的磁 場線會彼此抵消。吾人所稱的"遠場，，為在該室内離該線圈 陣列的底部夠遠的區域，其磁場強度少於與室蓋相鄰處之 磁場強度大小的至少一或兩次方。吾人所稱的”穿透距離" 為該磁尖端場1 2 0延伸入該室中之距離，即，該穿透距離 為”近場”的深度。 該半導體工件（安裝在該陽極電極1 6上）最好是離位 第15頁 本紙張反度適用中國阈家標準（CNS ) Λ4规格< 210X297公趁） (请先閱请骨,&之注意事項#琅巧本貞) ir 經濟部智葸财1局員工消費合作社印製 _----- j' 417134 A7 ------B7 五、發明説明（) ~

I 在磁場強度可被忽略之該遠場中的電感線圏卩車列3 〇夠 遠。有兩彳固原因使這是有利的。 首先’雖然將磁場最小化的重要性亦與將被實施之半 導體製造處理及已被製造於該工件上之介電質及半導體 結構有關’但讓在半導體工件處的嵫場最小化翁時可對於 將被製造於該工件上的半導體裝置的損害的機會降至最 小有所幫助。 再者’將該工件置於離該線圏陣列一段大於該穿透距 離的距離可化解在該近場中之磁場強度上之局部化的空 間不均勻性的效果。詳言之，吾人發現在介於相鄰的線圈 之間的間隙處其電漿的輝光最亮，顯示嵫場最強。如果工 件放置的太靠近該線圈陣列的，話則在工件上的處理速率 會相對應於介於線圈與線圏中心之間的間隙的位置而分 別表現出峰值與谷值。相反地，當距離增加超過該磁場強 度的穿透距離時’電漿強度會因為擴散的關係而逐漸變得 均句。因此，當工件被置於超過穿透距離的位置處時，該 半導體工件製造處理可達成絕佳的空間均勻性。 (請先閱讀背而之：β意事項再填荇本頁) 、1Τ Λί.' 經濟部智s!li庚局Η工沩"合作社印製 為 因 場 遠 該 該 超 在 強場 加磁 陣列 圈陣 線圈 感^ 電該 過 場 近 該 巨 透 穿 電之 之中 中 } i 漿 電 在通 ’ 度 度密 密漿 率的 速離 理距 處透 的穿 上該 件過 工 每 在置 ,位 的 放 度置 密被 漿件 電工 之果 中如 場’ 近低 在降 於被 日 常降 此 因 一 中 用驗 在 的 件 , 施工 如實該 例來及 。 理列 話處陣 矽 的上 圓 晶 矽! 在 刻 蚀 於 用 人升 吾提 在被 率會 速時 刻近 蚀靠 現此 發彼 人成 吾放 置 圓 晶 的圈， 層線此 化該因 氧將。 準 標 家 」國 I中 用 I度 尺 紙 本

S N 麟 6Ϊ Μ. 公 7 9 2 ___ B7 ___ B7 經濟部智慧財是局Η工消赀合作社印製 五、發明説明（） ! 設計該線圈陣列的穿透距離及該工件的安裝位置涉及了 當該工件較靠近該穿透距離時之改善處理速率與當工件 的位置遠超過該穿透距離時改善處理的空間均勻性兩者 間的平衡。 電漿密度具有一在該線圈陣列3 0附近的徑向分佈， 其完全部同於在該工件附近的徑向分佈。詳言之，當來自 於該電漿的離子從線圈陣列的附近朝向該工件遷移時，靠 近該室的周邊（及該工件周邊）的電漿密度因會於在室壁 1 2的離子結合而被降低。因此，為了要讓在該工件附近的 電漿逆度的徑向均句性最佳化，該線圈陣列的磁場圖案最 好是產生一徑向非均勻的電漿密度：詳言之，其電漿密度 在靠近線圈陣列周邊處要強過在線圈中心處之電將密 度。因此，在所舉出的較佳實施例中，線圈陣列3 0具有 一沒有電感線圈的中央區域用以在靠近該線圈陣列的周 邊產生一最強的RF磁場。當電漿中的離子從線圈陣列的 周邊朝向該工件遷移時，側向的擴散增大接近中心軸處的 電漿密度並在鄰近該工件處獲得徑向均勻的電漿密度。 為了進一步將接近室側壁1 2處之電漿密度最大化， 線圈陣列的直徑最好是接近或大於該室的直徑=在所舉出 的較佳實施例中，這是藉由將線圈的外緣53儘可能地靠 近蓋子5 8來達成的。較有利地，吾人的設計允許將線圈 置放於靠近該蓋子5 8或室側壁1 2，而不會在蓋子或室惻 壁中感應較大的渦電流。 渦電流是所不想要的，因為它們會將來自於RF能量 _第17貫__ \張又度適用中國阈家標隼（CNS ) Λ4規格（2IOX 297公f ) ^ 々 i'"1 (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) r 417134 at B7 五、發明説明（）

I (請先閲讀背而之注意事項再4寫本頁) 供應3 2的能量以熱的方式消耗掉，因而減少耦合至電漿 的能量。在吾人的設計中，雖然個別的線圈40或42會在 室壁裝感應渦電流1但由整個線圈陣列3 0所感應之累積 的過電流被取小化’因為相鄰的線圈具有相反的磁場極 性，因此感應極性相反的渦電流。因此，與許多傳統的電 感線圈設計相反的是，由相鄰的線圈所感應的渦電流會彼 此抵消而不會彼此加強，使得不會由渦電流環繞在室壁1 2 的周邊。 所舉出的較佳的實施例是以使用在一用於製造8英吋 直徑的矽晶圓的電漿室中來操作。在此實施例中，該線圈 陣列的直徑是丨2英吋（30公分），及每一線圈的軸向長度 或高度為2英吋（5公分）。介於相鄰線圈的平行面44之間 的今隙W為1.25英吋（3.2公分）。該線圈陣列的中央區的 直徑D，介於相對線圈的尖端5 5之間，為3.9英吋（9.9公 分）。每一線圈具有3又3/4匝的銅線43。該礬土陶磁蓋 1 0的直徑為12英吋（30公分）及厚度為0.65英吋（1.65公 分）。該陽極電極1 6將一 8英吋的晶圓支撐在蓋1 0的底 下3英付（7.6公分）處。 經濟部智慧財邊局Μ工消"合作社印製 在使用蝕刻一在一 8英吋矽晶圓上的氧化矽層的標準 處理的此實施例的測試中，其蝕刻為空間’均勻的，且在晶 圓上沒有視覺上可觀察到之對應於該肥粒鐵心或該等楔 形的行狀之的蚀刻圖案。吾人測量触刻之一 ο n e - s i g ni a空 間不均勻度只等於一個百分比（3公釐邊緣除外）。此觀察 到及測量到的絕佳蝕刻速率均勻性表是在晶圓的磁場強 第18頁 本紙張反度適州中國國家標準{ CNS ) Λ4规格（2ΙΟΧ297公龙） A7 經濟部智慧財是局肖工消赍合作社印製 ___ B7五、發明説明（） I 度是可忽略的，及與該蓋相鄰之磁場均勻性至少與在晶圓 上達到絕佳的處理均勻度所需的均勻度同樣良好。 磁場的形狀及均勻性受到下列尺吋的影響：線圈之軸 向長度或高度"H";介於相鄰線圈之間的方位角間隙"W” ； 及該線圈陣列之沒有被一線圈所佔據之中央區域的直徑 |’D "，即由徑向相對之線圈的尖端所界定的直徑（見第2及 5圖）；及介於方位角相鄰的線圈之間的中心至中心的角度 間隔。 方位角間隙 W及介於方位角相鄰的線圈之間的中心 至中心的角度間隔為重要的設計參數，因為它們影響該" 穿透距離"，其為磁尖端場仲展至該室蓋1 0的底下進入該 室内部1 0 0的距離。增加介於線圈之間的方位角間隙W或 介於線圈之間的中心至中心的角度間隔典型地將增加該 磁場的穿透距離。當設計該免感線圈陣列0時’將該磁 場的穿透距離最佳化典型地應主要考慮到方位角間隙的 選擇。 磁場穿透距離的最佳化主要是要在處理速率與空間 均勻性兩個考量之間取得平衡。增加穿透距離可以是有利 的因為其可增加在該室蓋1 〇底下之可耦合RF能量之電漿 的體積。然而，減少穿透距離亦可為有利的，因為其能讓 半導體工件被置於靠近該線圏陣列3 0且仍能保持在磁場 可被忽略的遠場中的位置。對於一給定的穿透距離而言， 該工件的距離超果該穿透距離會影響到處理速率及空間 均勾性。 第19頁 (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 、-° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公犮） 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 s 417 134 at B7五、發明説明（） I 即使是如在上述較佳實施例中所示的工件只在該室 蓋底下3英寸，吾人發現在工件上的磁場強度是可忽略 的，這可在上述的試驗中蝕刻速率在方位角上沒有顯著的 變化獲得證明。因此，該磁場的有效穿透距離必需小於3 英寸。 該被舉出的實施例使用8個安排在該室蓋1 0方位角 周圍的楔形線圈40，42。因此，介於相鄰的線圈之間的中 心至中心的角度間隔為360度/8 = 45度。增加線圈的數目 而減小線圈之間的角度間隔會產生兩種效果。首先，其會 改善靠近該工件之電漿的方位角均勻性。再者，如果介於 線圈之間的方位角間隙 W被減小與線圈之間之被減小的 角度間隔成正比的話，該磁場在該室中之穿透距離將如上 所述的被減小11 有關藉由調整方位角間隙 W或中心至中心的角度間 隔來調整磁場之穿透距離的上述討論假設由線圈所產生 的磁場主要是出現在相鄰線圈之間的間隙中，如第7圖所 示的場線1 20，而不是直接在每一線圈的底下，其為相鄰 的線圈是相同的極性而不是相反的極性的情形。 在尺寸為如上所述之較佳的實施例中，線圏高度Η對 方位角間隙W的比約為1.6，即H : W= 1.6 : 1。該等試驗 亦對方位角間隙W從1.25英吋增加至5英寸的實施例作 了試驗，使得該間隙為該線圈高度的2.5倍大，因而將該 比例反轉，即H : W= 1 : 2.5。該等試樣顯示最大蝕刻速率 的區域是直接位在每一線圈‘底下的區域。這表示由每一線 第20頁 本紙悵尺度過用中國國家標準（C’NS ) Λ4规格（2IOX2V7公雄） ---------:r--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ^ f •-7 ^ f •-7 經濟部智惩財產局負工消費合作社印製 A7 Β7 五、發明説明（ 圈所產生的磁場在H : W = 1 : 2·5時集中於線圈底下，而 不是像在H : W = 1 .6 : 1時一樣延伸至相鄰線圏之間。 由此結果推測，吾人相信H : w的比值最好是大於 1 (即，線圈的軸向長度或高度應大於介於相鄰線圈之間的 方位角間隙W)用以產生均勾地跨越線圈之間的間隙之一 磁場圓案，而不是集中在每一線圈的正下方。吾人相信此 圖案將可在該工件的附近提供最佳的電漿空間均勻性，且 如上所述的其將允許對磁場的f透距離作調整。 如果中央區域的直徑I〕相對於相鄰線圈的方位角間 隙W而言太大的話，則在靠近該線圈陣列中心處會有磁場 強度下降。如上所述，吾人發現最佳的處理均勾性是D = 3 _ 9 英寸及W= 1 .25英寸。相反的，如果直徑D被減小至一與 方位角間隙W相近，或甚這更小的話，則所有的線圈將離 該中心約近用以以一種複雜的方式互動，這是吾人尚未試 驗及分析的。因此，吾人目前無法預測所獲得之磁場圖 案。 本發明的一項優點為讓本發明的設計適用於不同的 處理及不同的室尺寸及形狀是相當簡單直接’因為由任何 兩個相鄰的線圏所貢獻的電將強化是被局部化於該二線 圈的附近。例如，藉由增加或減少由最靠近該半導體工件 之電漿密度或處理速率是最低或最高的區域的線圈所產 生的磁場來將吾人的設計最佳化以達到最大的空間均勻 性是很容易的。另一個例子為，吾人的設計可單純地藉由 添加更多的線圈及/或增加每一線圏的尺寸而適用於較大 第21育 本紙張尺度適用^_家標準((他）六4祕（2丨()乂297公錄 (請先間讀背,&之注意事項存填湾本莨)

A7 B7 F 417134 五、發明説明（）

I 的處理室。 另一個例子為，吾人的設計可藉由將線圈安排成一矩 形的陣列或矩陣而非一圓形的陣列而被使用在一用來製 造矩形的平板顯示器的矩形室中。為了要將在該工件的附 近的電漿密度之惻向均勻性最大，介於相鄰線圏的周邊之 間的側向或橫向間隙"W"對於每一對線圈都應該相等。在 先前所討論之具有圓形橫截面之用來製造圓形半導體晶 圓的室中，此均勻的間隔最好是使用楔形線圈來達 成。在具有矩形橫截面之用來製造矩形半導體晶圓的室 中，此均勻的間隔"wM的達成與每一電感線圈的形狀無 關，介於線圈的周邊之間的間隙” W 可均勻地被提供。第 1 4圖顯示電感線圏40，42的一矩形陣列，其中該等線圏 是圓柱形的，即每一線圈具有一圓形的橫截面。第丨5圖 顯示一矩形陣列其中每一線圈具有一矩形的橫截面。 有兩個理由使得調節蓋1 0的溫度很重要的。首先， 該蓋（及其它曝露於該電漿中之室表面）的溫度強烈地影響 電漿處理的性能。因此，該蓋的溫度應被加以調節用以確 保一致的處理性能。再者，在無法避免將聚合物沉積於該 蓋上的處理中，過度的溫度變動會造成聚合物剝落並污染 該工件。 該蓋的溫度在該電漿存在該室中時會有升高的傾 向，因為從該電漿吸收熱及從線圈40，42吸收熱及RF能 量。相反的，當該電漿於工件被移出及裝入該室中的期間 被停止時，該蓋的溫度將會下降。 _第 22X___ 本紙張义度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公雄)

·. Ί 線 (請先閱請背而之注意事項再填寫本頁；I 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（ 為了要調節該蓋的溫度，該蓋的較佳實袍例包括通道 (未示於圖中）’ -介電質冷卻流體被抽果通過該等通道， 該冷卻流體最好是去離予水及乙二醇的混合物…外部的 控制系統將該冷卻流體的溫度調整於5〇。〇。 如果每-線圈40, 42包括一磁心”如在所舉出的較 佳實施例中所示，該嵫心的溫度亦是很重要的，因為 大多數的磁性材料的導磁係數都是與溫度有關。對於大多 數的肥粒鐵材料而了 ’導嵫係數隨著溫度上升而提高至在 一門檻溫度時的最大值’然後當溫度超過該忙檻值後即下 降。對於使用在吾人的較佳實施例中之特定的鎮斜肥粒鐵 而言，該門檻溫度約1 〇Ot。 當磁心的溫度超過該門檻值時，在溫度上即會有一無 控制的勝升，因為磁心的溫度上升將會降低其導磁係數， 這將會降低每一線圈的電感，及將藉由增加通過該線圏的 電嘍流而進一步升高線圏的溫度。為了要防止此不受控制 的溫度升高，將該磁心的溫度保持在該門檻溫度之下是極 有必要的。 除了將該磁心5 2的溫度保持在該門檻溫度之下之 外，調節該等磁心的溫度用以儘可能實際地限制它們在溫 度上的變動亦是所想要的》因為溫度變動會改變線圏4〇 , 42的電感’在該阻抗配接網路3 1中之可變電感及/或可變 電阻必需被加以調整’用以將由該R F能量供應3 2聲供應 之耦合至該電漿的RF能量保持在一恆定的水平。傳統的 配接網路3丨可自動地且持續地實施所需要之調整。然而， 第23頁 表紙张尺度中國《家標準（C，NS ) Λ4规格（2】0：)<2(;7公趁） (請先閱讀开而之注意事項再填<?0本頁) 訂 ! 經濟部智慧財/t-局員工消赍合作社印製 417 134 A7 B7 五、發明説明（ 該磁心的所被允許的溫丨變㈣固愈*，在肖阻抗配接綱 路3丨中之可變電感及/或可變電陳所需要之調整範圍就愈 大’因而增加了可變電感及/或可變φ阻的成本。因此，要 將該配接網路的成本降至最低1整該等磁心的溫度用以 儘可能f際的限制它們的溫度變動是所想要的。 在目前較佳的實施例中’吾人使用兩種方法來冷卻該 肥鐵磁心52 «首先，一風眉| (未示出）被安裝在該線圈陣列 30之上並將相對冷的環境空氣向下 <至該線_列。該冷 卻可藉由讓該線圏形體50 4中空及在其方位角㈣44為開 放的使得肥粒鐵磁心的惻邊完全曝露於該冷的空氣中而 被加強。*者’先前所討論的室蓋1〇的溫度調節因為該 蓋與線圈形體50與基板56之^熱傳遞的關係而有助於 冷卻該線圈陣列。因Λ ’吾人可將肥粒鐵磁心的溫度保持 在20至45°C的範圍之内。 在其它需要更高的RF能量的應用中會需要更為積極 的冷卻機構。對於此等應用而言，吾人完成了使用線圈陣 列30之強逍性氣體冷卻的可能性。詳言之，吾人將空氣 或氣氣聚入形成在基板56中的通道中，氣體將從該等通 道向上流至線圈40，42 ’然後由〜位在該線圈陣列之上的 氣體排放歧管排出。 因為磁場強度隨著離開該線圈陣列3〇的軸向距離而 迅速地衰減，將該線圈陣列與該電毁分隔開的該室蓋1〇 應儘可能的薄，雖然不致於薄到會很容易斷裂。該較佳的 室蓋會如此的厚的原因是為了要容納剛剛所描述的水冷 第24頁 4紙张尺度適用中國阀家樣率（C，NS 现格（2丨(ΐχπ7公兑） f請先閲讀背而之>1意事项再填-|\-?本頁〕 、-=a 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 .4> 1 五、 經濟部眢慧財產局3:工消費合作社印製 A7 B7 發明説明（） 卻通道。吾人預“蓋的厚度可藉由省略該等冷卻路毯而 被減至此厚度的-半'然而，吾人目前認為省略冷卻通道 是不實際的，因為調節該蓋的溫度是很重要的。 在所舉出的實施例中，基板56並不是直接固定在该 蓋丨〇上，因為Μ盍的礬土材料不夠強到足以承受其被嫘 接至該線圈陣列上。取而代之的是，該基板被固^於〆金 屬蓋5 8上，該蓋5 8然後被固定於室壁丨2上。萁$ 8的目 的單純的是為了防止來自於線圈的RF幅射干擾到附近的 其它電子設備，及保護人使其不會接觸到線圈且被電刻。 更詳言之’該基板是透過四個L形，有螺紋的介電質拉線 釘57而被固定於該金屬蓋上’該等拉線釘是由螺絲59固 定在基板5 6的周邊上及蓋5 8上的對應安裝孔中。 為了要確保處理性能的一致性及可重復性，精確地將 線圈陣列的中心與室的中心軸對齊是很重要的。因此，剛 剛所描述之決定該基板5 6相對於該室之位置之拉線釘’ 固定件，及安裝孔必需要有很緊的尺寸裕度。吾人發現將 尺寸裕度保持在不大於幾個米爾（mH)’即〇 1公紫，是很 實用的》 蓋1 0的對齊與線圈陣列的對齊比起來是較不關鍵 的，因為該蓋子沒有電氣作動的組件。在所舉出的較佳實 施例中，該蓋子的周邊很單純地躺在該外襯裡2 6之向内 突伸出的架子2 8上。該蓋子是以其自身的重量而被保持 在定位上而不需使用固定件，直到該室被柚真空為jh。當 一真空於該室内產生時，在該蓋子外部之大氣壓力將蓋子 笫25頁 本紙悵尺度適用中國阈家標準（CMS ) Λ4规格（21UX 2叮公f ) ^ fu« ·

,1T A7 417134 ______B7 五、發明説明（） ~

I 緊講地保持在定位。 為了要壤在該室内之電漿最大化，將基板5 6儘可能 地靠近蓋子1 〇安裝是較佳的。吾人較偏好之基板的安裝 方法允许㉙蓋10直接躺在該蓋1〇上。詳言之，有螺絲59 穿過之在蓋5 8中的孔被垂直地拉長，藉此在螺絲5 9被旋 緊之前允許基板5 6相對於蓋5 8垂直地移動。首先，整個 線圈陣列3 0藉由將螺絲5 9伸過在該蓋5 8中的孔並將它 們部分地旋入拉線釘5 7中而被鬆弛地固定於該蓋5 8上。 接著，該所得到的總成被降下至該室蓋I 〇上，使得基板 5 6躺在蓋1 〇之上。最後，該蓋5 8被嫘訂於該室，及螺絲 5 9被旋緊用以保持該線圈陣列的對齊。 第8-1 0圖分別顯示三個用來在每一對相鄰的線圏 40 - 42中產生相反磁場極性的電路。為了簡化圖式，第 8 - 9圖只顯示四個線圈對中的一個，及第1 0圖只顯示四個 線圈對中的兩個。在第 8 -1 0圖中的所有三個電路中，四 對線圈實際上是以彼此並聯連接至該卩且抗配接網路。第1 0 圖藉由顯示以並聯彼此連接之兩對線圈1 1 0來顯示該四對 線圈的並聯連接。 在第8圖的設計中，所有的8個線圈40 ’ 42都是以 並聯的方式連接至該RF能量供應32 :因此能量供應必需 供應給該線圏陣列一總電流等於流經每一個别線圈電流 量的8倍的電流量。在第9及〖〇圖中所示的設計中，每 一對相鄰的線圈40a，42對1 1 0是以串聯的方式連接’及 所獲得之四個串聯連接的線圈對是以並聯的方式連接至 第26頁 ______ 本紙張尺度適州中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2 X 2V7公苋） (請先閱讀背面之注意事項再填."本頁)

*1T " 經濟部智慧財產局Η 4消"合作社印製 4 A7 B7 五、發明説明（ 1 能量供應32。因此，該能量供應必需供應給該線圈陣列— 總電流等於流經每一個別線圈電流量的4倍的電流量 里°吾 人認為第8圖的設計較不理想因為其需要能量供應輪送第 9及1 0圖的設計所需的電流量的兩倍。 對於許多半導體製程而言，將來自於該第—RF能量 供應3 2的丨U7能量儘可能地以電感的方式而非以電容的方 式（即靜電式地）耦合至該電槳，用以將來自於電漿離子之 對至蓋的政射降至最低。示於第8 -丨0圖中之所有的繞組 方式共同的優點為在每一線圈的接近該接地電位處保持 最少的匝數。因此，每一線圈之最靠近該電漿的部分將具 有最低的RF電塾，藉此降低桃合於該電圏與該電漿之間 的電容。 —傳統的法拉第遮罩可被安裝於該線圈陣列與該室 内部之間，如果想要進一步降低線圈與電漿之間的電容 (靜電）耦合的話。 在第8圖的實施例中，第一線圈被逆時鐘繞組，而第 —線圏4 2被順時鐘繞組。每一線圈之最底下的阻係與接 地連接。每一線圈之最上端的匝則與一未平衡的阻抗配接 網路3 1的輸出3 5連接，該配接網路從RF能量供應3 2基 收其輸入。因為兩個線圏40，42被繞組於相反方向，所 以當被相同的R F電流驅動時，其分別產生極相相反的磁 場。 在第9及1 〇圓的實施例中，兩個線圈4 0 a，4 2被繞 組於相同的方向，其是以順時鐘方向被舉例，但其亦可以 第27頁 表紙張尺度適用中國阄家標华（CNS ) Λ4現格（21()χπ7公雄） (請先閱請背而之注意事項再境巧本頁) -5 經濟部智慧財產局Η工消費合作社印製 Α7 Γ 417134 五、發明説明（） '— 是被繞組於逆時鐘方向。兩個線圈是藉由在接合處39將 (#先閱讀背而之注意事項4填寫本頁) 第一線圈的最底下的匝連接至第二線圈之最底下的匝而 以串聯的方式迷接。 在第9圖的設計中’該RF能量供應32經由—阻抗配 接網路3U與每一對線圏的兩個線圈連接，該配接網路在 兩個輸出48 ’ 49之間提供—平衡的（即微差的）輸出訊號。 該配接網路的第一輸出端48連接至第一線圈40a之最頂 端的E ’及該第二輸出端49係連接至第二緯圈42之最頂 端的匝。兩個線圈40a及42分別產生極性相反的磁場， 因為流經個別緩圈中之電流方向彼此相反。線圈4〇a及42 的最底下的阻（在接合處39連接在一起）為在接地電位，因 為該配接網路的兩個輸出相對於該被接地的變壓器中心 片而言是平衡的。 經濟部智慧財產局；SK工消費合作社印製 第9圖的設計之一可能的變化（未示出）將會是去掉該 變壓器次級繞組的中心片’在該例子中電感線圈4〇a及42 相對於接地而言將會是"浮動"的，即將不存在將該次級繞 組及遠電感線圈連接至接地的路徑。在此"浮動，，的例子 中’每一線圈之最底下的0L及接合處39仍將被保持接近 該接地電位’因為該線圈陣列的佈局是相對於該组抗配接 網路之平衡的輸出48，49對稱。 在第9圖的設計中’該阻抗配接網路3丨a使用一變壓 器來將該能量供應3 2的未平衡輸出轉變為一平衡的輸出 48，49 ^第9圖的設的一個缺點為很難設計一有效率的， 高功率的RF變壓器’即可承受高RF電壓而不會產生電 _‘ _ 第28頁 ϋί艮尺度適用中國國七標率（cii ) Λ4規格（2mx2<>7公為---- Λ Α7 Β7 五 發明説明（ 弧，具有一夠低的電阻以達到高效率，及在主要及次級繞 組之間具有~高的耦合係數之變壓器。 第1 0圖展示一用來驅動每一電感線圏對丨〗〇之新穎 的電路’使得介於每一對線圈之兩個線圈40a , 42之間的 接合處39約在接地電位。與第9圖之需要具有—對平衡 的輸出48-49之阻抗配接網路3丨a的設計相反的是，第j 〇 圖的設計可以與具有一未平衡的輸出35之任何傳統的阻 抗配接網路3丨—起使用。 詳言之，在第1 0圏的設計中，第一電感線圏圏的，，熱 ••端（即第一線圈40a沒有與第二線圈42連接的那一端）連 接至該配接網路3 i的輸出35 ’及第二線圈42的”熱，，端經 由一電容器9〇而連接至接地。電容器90具有一被選定的 電谷值用以在該第二觉感線圈4 2的觉感約為該r丨：能量供 應3 2的頻率時產生一串聯的i皆振。因為此串聯的諸振的 關係’介於兩個線圈之間的接合處3 9接進電子接地。因 為電容器90的電容電抗大致抵消掉第二線圈42的電感阻 抗’所以連接至該阻抗配接網路3 1的輸出3 5之負載的阻 抗約為第一線圈4 0 a加上該觉梁的負載阻抗（加上一因為 在肥粒鐵磁心中之熱散逸之小量的電阻成分）。 因為電感線圈對1 1 0是以並聯的方式彼此相連接，所 以該電容器90應在RF能量供應的頻率譜振的電感是每一 對線圈對1 1 0之個別的第二線圈42的平行結合。如果有N 個相同的線圈對的話’則N個第二線圏4 2之結合的電感 將會是一個第二線圈42的電感除以N°因此’電容器90 _第 29 頁_______ 本纸悵尺度適Μ中闼阀家橾準（rNS ) Λ4规格（2|〇：/'297公筇） I 訂 線 (請先閱讀IrlFJ之注意事項再填艿本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 ί 417 134 Α7 Β7 五、發明説明（）

I (誚先閱讀背而之注意事項再稹艿本頁) 之所需要的電容值將會是N乘上將與該等第二線圈42中 的一者在RF能量供應的頻率諧振之電容。（在第1 -7圖的 較佳實施例中，有四個線圈對，所以N = 4。） 雖然任何傳統的阻抗配接網路3 1都可被使用，但第8 及1 0圖顯示吾人用於配接網路之較佳電路，其為一傳統 的” L網路"。該網路將該電漿負載阻抗加以轉變用以與該 能量供應3 2之5 0歐姆之電阻輸出阻抗配合。該可變”負 載”的電容器9 1及可變”調整n的電感93最好是被一回饋迴 路所調整用以將在該RI7能量供應3 2的輸出被反射的寧量 最小化，其是由一傳統的反射能量偵測器所測量。當該往 路被調整用以讓被反射的能量最小時，該”調整的”電感器 93的電感通常會被調整使得三個電容器90，9丨，92及三 個電感4〇a，42，93的串連結合約在該RF能量供應32的 頻率諧振。該電漿負載阻抗被轉變成之輸入阻抗主要是藉 由該M負載"電容器91之經過調整的值來決定。 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 或者，該固定的電容器92可用一可變的M調整"電容 器來取代，在該例子中該”調整的”電感器93可被省略。 然而，吾人認為對於此高壓的應用而言，一可變電感器是 比一可變電容器要來的好，因為一適當的可變電容器會比 較昂貴。而且，一典型的高壓可變電容器的轉動軸具有高 的轉動摩擦力，其將妨礙該阻抗配接網路的快速調整。 相反的，該”負載”電容器91具有一較低的阻抗，因 此不需承受此高電壓且可被經濟地加以製造。對於該可變 的"負載"電容器而言，吾人之較佳的設計被描述於由 第30頁 本紙張尺度適用中國阈家標隼（CNS > Λ4规烙（21〇Χ297公漦） 經濟部智葸財產局肖工消費合作社印^ Λ7 Β7 五、發明説明（)

I

Richard Mett等人於1997年1〇月20日提出名稱為"High efficiency Impedance Matching Network”之美國專利申請 案第0 8 / 9 5 4，3 7 6貌中’該案的全部内容藉由此參照而被併 於本文中。 線圈陣列3 0之吾人較佳的實施例使用八個電感線圈 (即四個線圈對），其中每一線圏都具有3.6 # Η的電感。在 第9及I 0圖的設計中，電感線圏40a，42是以串聯方式 連接，及四個線圈對則是以並聯的方式連接，連接於電容 器90與該阻抗配接網路的輸出3 5之間的線圈陣列的總電 感為1. 8 # Η。 吾人目前較佳的實施例使用第1 〇圖的電路，其中該 RF能量供應的頻率為1 3.56MHa :電容器90為1 20pf ;該 負載電容器9 1為一 450pf之固定電容器並聯一 30-丨300pf 的可變電容器，該調整電容器92為90pf ;及該調整電感 器為 0.35-0.7 y II。 如稍早提及的，在該較佳實施例中之每一電感線圈 4 0 a，4 2具有3又3 / 4匝的電線。在一較早的原型中’每 一電感線圏具有6匝電線。吾人發現在較早的原型中之線 圏陣列之雜散電容給予該陣列一約丨4]V1 Hz的自我諧振頻 率’其幾乎與該RF能量供應32的13.56MHz頻率相同》 因此’對於任何一阻抗配接網路而言很難讓該線圈陣列配 合合該能量供應輸出阻抗。將匝的數目減少至3又3/4匝 可將自我講振頻率提高至約28MHz。此經驗顯示最佳的設 汁會^:到在孩線圈陣列的實體佈局中之寄生電感及電容 __________ 第 31 頁 本紙張尺度適用中_家榡準< CNS ) Λ4^格（2丨OX297公燁） --I I n _ n n . I n n Hr - T _ n n --1... -·、\各 (請先閲讀背而之注意事項#4艿本頁) A7 417134 _____B7______ 五、發明説明（）

I 的影響。 每一對串聯的線圈（40，42)或（40a，42)可用一磁分路 (未不出）盖在其上’該磁分路磁性地連接該對線圈之兩個 線圈的磁心°此一磁分路應可多少增加由線圈所產生的磁 通量。然而，在吾人的試驗中，該磁分路並沒有產生顯著 的效益，所以在較佳的實施例中並沒有使用磁分路。 如稍早所提及的，示於第丨_3圖中之電感線圈陣列其 不論在該陣列之沒有電感線阍的屮心處的間隙為何，都可 在被測試的半導體製造中產生絕佳的空間均勻性。然而， 存在有處理的空間均句性可藉由在該陣列的中心添加一 線圏用以改變磁場圆案而被改善的應用。第1 1及1 2圖顯 示另一電感線圏陣列，其添加—捲繞在一鐵氟龍介電質線 圈形體<32上之圓柱形中心線圈60，其軸與周圍的線圈 40，42的軸平行圓柱形的肥粒鐵磁心64較佳地佔據 該線圈形體62中心的一圆柱形空穴。 該中心線圈最好是連接至該RI;能量供應3 2，其供應 能量給該楔形線圈40 ’ 42。該中心線圈6〇是於s相位的 線圈40連接或是以N相位的線圏42連接都沒有關係。該 中心線圏之磁場強度可被調整用以產生—所想要的磁場 圖案。最好是，該中心線圏的磁場強度是根據經驗被調整 用以讓該磁場強度的空間均勻性最大化或讓在該工件上 實施之製造處理的空間均句性最大化。該磁場強度可藉由 改變在It中心，線® 60 Λ之電線姐數，肖&改變使用在該 磁心中之乏粒鐵材料的數量或成分，或藉由調整相對於其 __________竺 32Τ 本紙烺尺度適用中阀阀家標率（CNS ) Μ現格（210X^7^^-—-- (請先閱讀背而之注意事項存4ΪΪΤ本茛) -=¾ 線 經濟部智慧財產局W工消費合作社印奴

I 五、發明説明（） 它線圈被施加於該中心線圏之RF能量，而被調整。 (請先閱讀背而之注意事項再4寫本頁) 第1 3圖顯示一具有兩個同心線圈陣列的電感線圈陣 列的替代實施例。詳言之，在此實施例中，第2圖所示之 實施例的每一楔形線圈被分割成一徑向内線圈70及一徑 向外線圈72，它們之間有一間_隙。該等線圈被連接至該第 # 一 RF能量供應且其極性經過選擇，使得在任何方向上之 相鄰的線圏會具有相反的極性，在第1 3圖中以S及N來 表敕。 第1 3'圖之同心線圏實施例提供一較大數量之可被獨 立地加以調整的實體參數用以讓將被實施於該半導體工 件上的處理的空間均勻性被最大化，或用以讓某些其它的 處理性能參數最佳化。例如，可被獨立地加以調整的尺寸 包括有介於相鄰的内線圈7 0之間的方位角間隙，介於相 鄰的外線圈7 2之間的方位角間隙，及介於内線圈7 0與外 線圈7 2之間之徑向間隙。因為在這些參數之間的交互作 用相當複雜，所以調整典型地是根據經驗來使其最佳化。 經濟部智"'財產局員工"費合作社印製 第1 3圖之同心線圈實施例產生一具有尖端圖案（cusp patter η)的磁場，其徑向的分量在大小上是與其方位角上的 分量相等。相反的，第2圖的實施例產生一具有可忽略的 徑向分量的磁場。此差異影響了被產生於該處理室中之電 漿的均勻性，因為一桎向的磁場造成在該電漿中之電子之 方位角的漂移。相反地，一方位角的磁場會造成在該電漿 中之電子的徑向漂移，藉此造成電漿密度之徑向的不均勻 性。第2圖與第1 3圖之實施例之間的選擇為視與其它室 第33頁 本紙張尺度適用中國阀家標準（CNS ) Λ4規格< 2H)X2V7公雄） i. I 4 1 7 1 3 ί a7 ___B7_________ 五、發明説明（）

I 設計間的偏移及會影響空間均勻性之化學處理因子之所 需而定。 上述所討論之較佳實施例使用一 RF能量供應3 2其在 1 3 ·56ΜΗζ的頻率供應能量給該線圈陣列。吾人的理論分 析預測，對於一給定的能量水平而言降低該RF頻率將會 增加在該等線圏中之電流，其將因為電感線圈之電線的電 阻而增加能量以熱的形式被散逸。此增加的電流亦將增加 感應的磁場，其將會增加能量在該肥粒體磁心中以熱的形 式被散逸。吾人藉由將能量供應頻率從1 3MHz改變為 2MHz來測試此理論。吾人的試驗證實對於將由該能量供 應被輪送之相同的RF能量水平而言，肥粒鐵在2MHz時 比在1 3 Μ Η z還熱。 吾人的分析亦預測降低RFR頻率將會增加該磁場的 穿透距離。對於一給定之相對於該線圈陣列的工件安裝位 置而言，增加穿透距離通常會如之前所描述的提高處理速 率並減低該處理的空間均勻性。 在所描述的較佳實施例中，處理氣體被從該線圈陣列 3 〇所電感地耦合的rf能量及從該陽極電極1 6電容地耦 合的RF能量的一結合所激勵成一電漿狀態。吾人之發明 性的線圈陣列亦可被用來加強被任何其它種類的電漿源 所激勵的電漿密度。 _— ___ 第3A育 本紙張尺度適用中酬家棟辛（CNS) M規2丨㈤们公焚） {請先閱讀背而之注意事項再填巧本頁) 灯 經濟部智慧財產局工消費合作社印製

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 A8 . ^ ^ B8 4:: CS D8六、申請專利範圍 I 1 . 一種用來將電子能量電感地耦合至一真空室中之電漿的 電漿源，該電漿源至少包含： 一第一組多個電感線圏，其中 每一線圈具有一抽向端其被置於與一具有一圓 形橫截面的第一幾何表面相鄰處， 該等線圈相對於該第一幾何表面的圓形橫截面 被等方位角地間隔開，及 每一線圈具有一楔形的橫截面使得任兩個相鄰 的線圈的相鄰側大致平行於該第一幾何表面的圓 形橫截面的半徑。 2. 如申請專利範圍第1項所述之電漿源，其中： 每一線圈具有一縱軸，該等線圈即捲繞在該軸的周 圍；及 每一線圈的該縱軸大致垂直於該第一幾何表面。 3. 如申請專利範圍第1項所述之電漿源，其中任兩個相鄰 的線圈會產生極性相反之各自的磁場。 4. 如申請專利範圍第1項所述之電漿源，其更包含： 一電子能量供應其以相對應的極性被連接至每個電 感線圈用以供應它們電能，使得任兩個相鄰的線圈產生 極性相反之各自的磁場 (請先鬩讀背而之注意事項再填寫本K ) 第35頁 本紙浪尺度適用中國國家標唪（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 經濟部中央標牟局員工消費合作社印策 C8 D8 六、申請專利範園 I 5. 如申請專利範圍第4項所述之電漿源，其中： 對於任兩個相鄰的線圈而言，該二相鄰的線圈中的 一者是順時鐘捲繞，而該二相鄰的線圈中的另一者則是 逆時鐘捲繞。 6. 如申請專利範圍第4項所述之電漿源，其中： 每一線圈都是被捲繞於相同的方向上；及 任兩個相鄰的線圈都是以相反的極性連接至該能量 供應使得來自於該能量供應的電流是以相反的方向流 經該二相鄰的線圈。 7. 如申請專利範圍第1项所述之電漿源，其中每一電感線 圈進一步包含一磁心其具有大於1之導磁係數。 8 ·如申請專利範園第1項所述之電漿源，其更包含： 一中心電感線圈，其具有一被置於與該第一幾何表 面的中心相鄰的軸端，該中心線圏被該第一組多個線圈 所圍繞。 9.如申請專利範圍第1項所述之電漿源，其更包含： 一第二组多個電感線圈，其中 第二組線圈中的每一者具有一被置於與一概略 平面的環形表面相鄰的軸端，該還形表面與該第一 幾何表面同心且圈圍住該第一幾何表面， 第36頁 本紙張尺度適用中國國家標率< CNS > Α4規格（210Χ297公釐） I"------ίτ------I (請先閱讀背而之注意事項再填窍木頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印袈 417 13 4 D8 六、申請專利範圍 I 第二组的該等線圈相對於該環形表面被等方位 角地間隔開，及 ' 每一線圈具有一楔形的橫截面使得任兩個相鄰 的線圈的相鄰側大致平行於該環形表面的半徑。 1 ().如申請專利範圍第9項所述之電漿源，其中任兩個相鄰 的線圈產生極性相反之各自的磁場。 1 1. 一種用來製造半導體的電漿室，其至少包含： 一殼體用來密封一内部空間，用以能夠在該内部承 受一真空； 一 RF能量供應； 多個被連接的電感線圈用以接受來自於該 RF能量 供應的電能使得該等線圈在該内部的一部分中產生一 磁場，其中 每一線圈具有一軸向端其被置於與一具有一圓 形橫截面的第一幾何表面相鄰處， 該等線圈相對於該第一幾何表面的圓形橫截面 被等方位角地間隔開，及 每一線圈具有一楔形的橫截面使得任兩個相鄰 的線圈的相鄰側大致平行於該第一幾何表面的圓 形橫截面的半徑。 1 2.如申請專利範圍第1 1項所述之電漿室，其中： 第37頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4規·格（210X29*7公釐） I--------;!'------ΐτ------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) D8 D8 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 六、申請專利範圍 I 該幾何表面為該殼體的一圓形介電質壁的表面；及 該等感應線圏被置於與該圓形壁相鄰且是在該圓形 壁的外部處。 ’ 1 3.如申請專利範圍第U項所述之電漿室，其更包含： 一用來將一半導體工件保持與該.幾何表面平行的央 頭。 1 4.如申請專利範圍第丨〗項所述之電漿室，其中： 每一線圈都具有一縱軸，該等線圈即捲繞在該軸的 周圍；及 每一線圏的該縱軸大致垂直於該第一幾何表面。 1 5 .如申請專利範圍第Η項所述之電漿室，其中該能量供 應以相對應的極性被連接至每個電感線圈用以供應它 們電能，使得任兩個相鄰的線圈產生極性相反之各自的 磁場。 1 6.如申請專利範圍第1 5項所述之電漿室，其更包含： 一夾頭用來將一半導體工件保持在該室中的一個位 置，該位置離該等電感線圈一距離： 其中該等電感線圏被一方位角的間隙間隔開，該間 隙相對於介於該等電感線圈與該工件位置之間的距離 而言夠小，使得由該等線圈所產生的任何磁場的強度在 第38頁 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Λ4規格（2Ι0Χ297公釐） (#先閒讀背而之注意事項再填鸡本Β ) I11 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -417 134 DS 六、申請專利範圍 t 該工件位置的強度至少比在該電漿室中之較靠近該等 線圏的其它位置的強度要小1 〇倍。 1 7.如申請專利範園第1 6項所述之電漿室，其中該夾頭將 該半導體工件保持著與該幾何表面平行。 1 8 ·如申請專利範圍第1 5項所述之電漿室，其中： 對於任兩個相鄰的線圈而言，該二相鄰的線圈中的 一者是順時鐘捲繞，而該二相鄰的線圈中的另一者則是 逆時鐘捲繞。 1 9.如申請專利範園第1 5項所述之電漿室，其中： 每一線圈都是被捲繞於相同的方向上；及 任兩個相鄰的線圈都是以相反的極性連接至該能量 供應使得來自於該能量供應的電流是以相反的方向流 經該二相鄰的線圈。 ' 20.如申請專利範圍第1 1項所述之電漿室，其中每一電感 線圈進一步包含一磁心其具有大於1之導磁係數。 2 1 .如申請專利範圍第Π項所述之電槳室，其更包含： 一中心電感線圈，其被速接至該能量供應且具有一 被置於與該幾何表面的屮心相鄰的軸端，該中心線圈被 該第一組多個線圈所圍繞。 第39頁 本紙张尺度適用中國罔家標準（CNS ) Λ4规格{ 2IOX 297公釐） I--------y------^------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *-" ABCD 經濟部中夾標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 I 22.如申請專利範圍第1 1項所述之電漿室，其更包含： 一第二組多個電感線圈，其中 第二組線圈中的每一者具有一被置於與一概略 平面的環形表面相鄰的軸端，該還形表面與該第一 幾何表面同心且圈圍住該第一幾何表面， 第二组的該等線圏相對於該環形表面被等方位 角地間隔間，及 每一線圈具有一楔形的橫截面使得任兩個相鄰的線 圈的相鄰側大致平行於該環形表面的半徑。 2 3.如申請專利範圍第22項所述之電槳室，其中任兩個相 鄰的線圈產生極性相反之各自的磁場。 24. —種用來製造半導體的電漿室，其至少包含： 一殼體用來密封一内部空間，用以能夠在該内部承 受一真空； 一夾頭，用來將一半導體工件保持在該内部中的一 具有中心軸之概略平面的圓形工件區域中； 一 RF能量供應； 多個被連接的電感線圈用以接受來自於該R F能量 供應的電能使得該等線圈在該内部的一部分中產生一 磁場，其中 每一線圈被捲繞於一各自的軸周圍，該軸大致 與該中心軸平行， 第奶頁 (讀先閱讀背面之注意事項再項寫本頁) "it 線 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ! 417134 Μ B8 C8 D8 六、申請專利範圍 I 該等線圈被等方位角地繞著該中心軸的周圍間 隔開，及 每一線圈具有一楔形的橫截面，使得對於每兩個相 鄰的線圈而言，該二相鄰的線圈之各自的相鄰惻大致平 行於該圓形工件區域的半徑" 25.如中請專利範圍第24項所述之電漿室，其中： 每一電感線圈具有一面向該工件區域的軸端；及 所有電感線圈之各自的軸端被置於一與該工件區域 平行的平面上° 2 6.如申請專利範圍第2 4項所述之電漿室，其中該能量供 應以相對應的極性被連接至每個電感線圈用以供應它 們電能，使得任兩個相鄰的線圈產生極性相反之各自的 磁場。 27.如申請專利範圍第26項所述之電漿室，其中： 每一電感線圈被置放於至少離該工件區域一距離 處， 每兩個相鄰線圏的相鄰側被一方位角間隙間隔開， 該間隙相對於該距離而言夠小，使得使得由該等線圈所 產生的任何磁場的強度在該工件位置的強度至少比在 該電漿室中之較靠近該等線圈的其它位置的強度要小 10倍。 第41頁 本紙張尺度適用中國國家椋準（CNS )八4規格（2!0X297公釐） I--------f------ix------^ . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消f合作社印製 六、申請專利範圍 j 28.如申請專利範1圍第26項所述之電漿室，其中： 對於任兩個相鄰的線圏而言，該二相鄰的線圈中的 一者是順時鐘捲繞，而該二相鄰的線圈中的另一者則是 逆時鐘捲繞。 2 9.如申請專利範圍第26項所述之電漿室，其中： 每一線圈都是被捲繞於相同的方向上；及 任兩個相鄰的線圈都是以相反的極性連接至該能量 供應使得來自於該能量供應的電流是以相反的方向流 經該二相鄰的線圈。 3 0.如申請專利範圍第24項所述之電漿室，其中每一電感 線圈進一步包含一磁心其具有大於1之導磁係數。 3 1如申請專利範圍第24項所述之電漿室，其更包含： 一中心電感線圈其被速接至該能量供應且其被捲繞 於一與該中心袖同心的抽周園π 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 2. —種用來製造半導體的電漿室，其至少包含： 一殼體用來密封一内部空間，用以能夠在該内部承 受一真空； 多個電感線圈被安排在一矩形陣列中，其中 每一線圈具有一縱軸，該線圏即捲繞在該縱軸 周圍， 第42頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4At格（210Χ297公t J 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 Λ« C8 D8 六、申請專利範圍 I 每一線圏的縱軸大致上與一幾何平面垂直， 每一線圈具有一袖端其與該幾何平面相鄰，及 該等線圏彼此被間隔開使得任兩個相鄰線圈之 各自的周邊之間的橫向間隙等於一第一預定的距 離，其對於任兩個相鄰的線圏而言是大致相同的； 及 一 RF能量供應被連接用以供應電能給該等電感線 圏，使得該等線圈在該内部的一部分中產生一磁場，該 RF能量供應以相對應的極性被連接至每個電感線圈， 使得任兩個相鄰的線圈產生極性相反之各自的磁場。 3 3 .如申請專利範圍第3 2項所述之電漿室，其中每一電感 線圈具有一圓形的橫截面。 34.如申請專利範圓第32項所述之電漿室，其中每一電感 線圏具有一矩形的橫截面，及其中相鄰線圈的相鄰側是 平行的。 3 5 .如申請專利範園第32項所述之電漿室，其更包括： 一央頭用來將一半導體工件保持著與該幾何平面平 行。 3 6 .如申請專利範圍第3 2項所述之電漿室，其更包含： 一夾頭用來將一半導體工件保持在該室中的一個位 第43頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4規格（2I0X297公釐） I--------V------------^ (請先間讀背而之注意事項再"寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 '417134 S D8 六、申請專利範圍 I 置，該位置離該等電感線圏一距離； 其中該第一預定的距離相對於介於該等電感線圈與 該工件位置之間的距離而言夠小，使得由該等線圈所產 生的任何磁場的強度在該工件位置的強度至少比在該 電漿室中之較靠近該等線圈的其它位置的強度要小1 0 倍。 3 7.如申請專利範圍第36項所述之電漿室，其中該夾頭將 該半導體工件保持著與該幾何平面平行。 3 8.如申請專利範圍第3 6項所述之電漿室，其中： 對於任兩個相鄰的線圈而言，該二相鄰的線圈中的 一者是順時鐘捲繞，而該二相鄰的線圈中的另一者則是 逆時鐘捲繞。 39. 如申請專利範園第36項所述之電漿室，其中： 每一線圈都是被捲繞於相同的方向上；及 任兩個相鄰的線圏都是以相反的極性連接至該能量 供應使得來自於該能量供應的電流是以相反的方向流 經該二相鄰的線圈。 40. 如申請專利範圍第32項所述之電漿室，其中每一電感 線圈進一步包含一磁心其具有大於i之導磁係數。 第44頁 本紙ί艮尺度適用中國國家橾準（CNS ) Λ4規格（2IOX297公釐） (請先閱讀背而之注意事項再填艿本頁 訂 線 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 C8 D8 六、申請專利範圍 I 4 i. 一種用來製造半導體的電漿室，其至少包含： 一殼體用來密封一内部空間，用以能夠在該内部承 受一真空； 一 RF能量供應；及 多個電感線圈其被安裝在與該内部相鄰處並連接至 該能量供應，其中 每一線圈具有一第一端及一第二端，它們分別 是接近及遠離該内部，及 每一電圈都連接至該能量供應，使得相對於電 予接地而言，該線圈的第一端相較於該線圈的第二 端是在較低的RF電壓》 42. 如申請專利範圍第4 1項所述之電漿室，其中： 該R F能量供應包含兩個輸出，它們分別被電氣地接 地及未接地； 每一線圈的第一端連接至該電子接地；及 每一線圏的第二端連接至未接地的能量供應輸出。 43. 如申請專利範圍第4 1項所述之電漿室，其更包含： 一電容器其具有兩個終端，兩個電容器終端中的一 個連接至電子接地，該二電容器終端中的另一個未接 地； 其中該R F能量供應包含兩個輸出，它們分別被電氣 地接地及未接地； 第45頁 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) 格（210X297公釐） I-----_----V:------ίτ------i (請先閱讀背Ift之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 Λ8 m C8 D8 六、申請專利範圍 I 其中該等電感線圈成對地連接在一起，使得每一對 包含兩個電感線圏，及使得對於每一對電感線圈而言 一對線圈中的兩個線圈之各自的第一線圈端是 連接在一起， 該對線圈的一第一個線圈的第二線圈端係連接 至該電容器之未接地的終端，及 該對線圈的一另一線圏的第二線圈端係連接至 該RF能量供應之未接地的輸出端；及 其中該電容器具有一電容值其在該RF能量供應的 頻率與該電感諧振，該電感是藉由以並聯方式將所有的 線圈對之各自的第一線圈連接起來所提供的》 44.如申請專利範圍第4 1項所述之電漿室，其更包含： 一電容器其具有兩個終端，兩個電容器終端中的一 個連接至電子接地，該二電容器終端中的另一個未接 地； 其中該RF能量供應包含兩個輸出，它們分別被電氣 地接地及未掉地； 其中該等電感線圏的數目為整數N乘上2 ; 其中該等電感線圈被連接成N對，使得每一對包含 兩個電感線圈，及使得對於每一對電感線圈而言 一對線圈中的兩個線圈之各自的第一線圈端是 連接在一起， 該對線圏的一第一個線圈的第二線圈端係連接 第46頁 本紙張尺度適用中國阐家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） I--------r------ΐτ------.^ (#先閱讀背筘之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 t 7 ί 3 , ?8S D8 六、申請專利範圍 I 至該電容器之未接地的終端，及 該對線圈的一另一線圈的第二線圈端係連接至 該R F能量供應之未接地的輸出端；及 其中該電容器具有一電容值約等於該整數N乘上該 電容值，其在該RF能量供應的頻率時與N對線圏中的 一對的第一線圈的電感諧振。 4 5.如申請專利範圍第41項所述之電漿室，其中： 該RF能量供應包含兩個輸出，它們相對於電子接地 被平衡：及 該等電感線圏成對地速接在一起，使得每一對包含 兩個電感線圈，及使得對於每一對電感線圈而言 該對線圈中的兩個線圈之各自的第一線圈端是 連接在一起，及 該對線圈中的兩個線圈之各自的第二線圈端是 分別連接至第一及第二能量供應輸出。 4 6 .如申請專利範圍第4 1項所述之電漿室，其中： 該RF能量供應包含兩個輸出，它們相對於電子接地 而言是浮動的；及 該等電感線圈成對地速接在一起*使得每一對包含 兩個電感線圈，及使得對於每一對電感線圈而言 該對線圏中的兩個線圈之各自的第一線圈端是 連接在一起，及 _第47頁 本紙浪尺度適用中國國家標準{ CNS) A4規格（21〇X 297公釐） I I Ϊ t . I , I 線 (請先閱讀背而之：;i悉事項再填寫本買) 經濟部t央標準局員工消費合作社印裝 ['· A * m C8 D8 六、申請專利範園 I 該對線圈中的兩個線圏之各自的第二線圈端是 分別連接至第一及第二能量供應輸出。 4 7. —種用來製造半導體的電漿室，其至少包含： 一殼體用來密封一内部空問，用以能夠在該内部承 受一真空； - 一 R F能量供應，其包含兩個輪出，它們分別被電氣 地接地及未接地；及 多個電感線圈其連接至該能量供應且被安裝在與該 内部的一區域相鄰處用以將一電磁能量耦合至該區域 中的一電漿，其中 每一線圏具有一第一端及一第二端，它們分別 是接近及遠離該内部*及 每一線圈都連接至該能量供應，使得相對於電 子接地而言，該線圈的第一端相較於該線圈的第二 端是在較低的R丨：電壓。 . 48. —種用來製造半導體的電漿室，其至少包含： 一殼體用來密封一内部空間*用以能夠在該内部承 受一真空； 一 RF能量供應，其包含兩個輸出，它們分別被電氣 地接地及未接地，·及 多個電感線圈其連接至該能量供應且被安裝在與該 内部的一區域相鄰處用以將一電磁能量耦合至該區域 第48頁 本紙張尺度適用中國阈家標準（CNS ) Λ4規格（2IOX2们公釐） I--------V------ΐτ------線 (請先閱讀背面之注意亨項再填寫本頁) 417134 S D8 六、申請專利範圍 中的一電漿，1其中 每一線圈具有一第一端及一第二端，它們分別 是接近及遠離該内部， 該第一線圈端連接至電子接地，及 該第二線圈端連接至該未接地的能量供應輸 出。 49. 一種用來製造半導體的電漿室，其至少包含： 一殼體用來密封一内部空間，用以能夠在該内部承 受一真空； 一 RF能量供應，其包含兩個輸出，其中的一個輸出 連接至電子接地，另一個輸出沒有接地； 一電容器其具有兩個终端，兩個電容器終端中的一 個連接至電子接地，該二電容器終端中的另一個未接 地； 多個電感線圈其連接至該能量供應且被安裝在與該 内部的一區域相鄰處用以將一電磁能量耦合至該區域 中的一電漿； 經濟部中央標隼局負工消費合作社印裂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該等電感線圈成對地連接在一起，使得每一對包含 兩個電感線圈，及使得對於每一對電感線圏而言 一對線圈中的兩個線圈之各自的第一線圏端是 連接在一起， 該對線圈的一第一個線圈的第二線圈端係連接 至該電容器之未接地的終端，及 第491 本紙張尺度適用中國國家標卒（CNS ) Λ4規格（210X2^7公釐） D8 D8 經濟部中央標準局員工消f合作社印掣 六、申請專利範圍 I 該對線圏的一另一線圈的第二線圈端係連接至 該RF能量供應之未接地的輸出端；及 其中該電容器具有一電容值其在該RF能量供應的 頻率與該電感諧振，該電感是藉由以並聯方式將所有的 線圈對之各自的第一線圈連接起來所提供的。 5 0. —種用來製造半導體的電漿室，其至少包含： 一殼體用來密封一内部空間，用以能夠在該内部承 受一真空： 一 RF能量供應，其包含兩個輸出，其中的一個輸出 連接至電子接地，另一個輸出沒有接地； 一電容器其具有兩個終端，兩個電容器終端中的一 個連接至電子接地’該二電容器終端中的另一個未接 地； 多個電感線圈其連接至該能量供應且被安裝在與該 内部的一區域相鄰處用以將一電磁能量耦合至該區域 中的一電漿； 其中該等電感線圏的數目為整數N乘上2 ; 其中該等電感線圈被連接成N對，使得每一對包含 兩個電感線圈，及使得對於每一對電感線圈而言 一對線圈中的兩個線圈之各自的第一線圈端是 連接在一起， 該對線圏的一第一個線圈的第二線圏端係連接 至該電容器之未接地的終端，及 _ ___第50頁 本紙張又度適用中國罔家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） —----^-----f------ίτ------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本页) Λ8 B8 C8 D8 部承 電子 在與 讀區 每-* 遠離 端係 二線 417134 申請專利範園 f 該對線圈的一另一線圈的第二線圈端係連接至 該RF能量供應之未接地的輸出端；及 其中該電容器具有一電容值约等於該整數N悉 來上該 電容值，其在該RF能量供應的頻率時與N對線圈中 —對的第一線圈的電感講振。 ~種用來製造半導體的電槳室，其至少包含： 一殼體用來密封一内部空間，用以能夠在該内 受一真空； 一 RF能量供應’其包含兩個輸出，它們相對於 接地被平衡；及 多對電感線圈，其連接至該能量供應且被安裝 該内部的一區域相鄰處用以將一電磁能量耦合至 域中的一電漿； 其中每對線圈包括兩個電感線圈，該對線圈的 線圈具有一第一端及一第二端，它們分別是接近及 該電漿區’該對線圈中之兩個線圈的各自第一電圈 連接在一起，及該對線圈中的兩個線圈之各自的第 圈端是分別連接至第一及第二能量供應輸出。 52. —種用來製造半導體的電漿室，其至少包含： 一殼體用來密封一内部空間，用以能夠在該内部承 受一真空； 一 RF能量供應，其包含兩個輸出’它們相對於電子 第51頁 本紙张尺度適用中國國家標皐< cns ) m规格（210x297公釐） I f------.η------線 (請先閱讀背面之注意事項再¾寫本S > 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 經濟部中央標嗥局員工消費合作社印製 C8 D8 六、申請專利範圍 I 接第是浮動的；及 多對電感線圈，其連接至該能量供應且被安裝在與 該内部的一區域相鄰處用以將一電磁能量耦合至該區 域中的一電漿； 其中每對線圈包括兩個電感線圏，該對線圈的每一 線圈具有一第一端及一第二端，它們分別是接近及遠離 該電漿區，該對線圈中之兩個線圈的各自第一電圈端係 連接在一起，及該對線圏中的兩個線圏之各自的第二線 圈端是分別連接至第一及第二能量供應輸出。 5 3 . —種將一對電感線圈耦合至一 R .F能量供應的電路，其 至少包含： 一具有兩個輸出的RI7能量供應，其中的一個輸出連 接至電子接地，及另一個輸出未接地； 一阻抗配接網路其具有一輸入及一輸出，該配接網 路的輸入連接至該能量供應的未接地輸出； 第一及第二電感線圈，每一電感線圈具有一第一端 及一第二端，其中 第一線圈的第一端連接至第二線圈的第一端， 及 第一線圈的第二端連接至該阻抗配接網路的輸 出；及 一電容器連接於電子接地與該第二線圈的第二端之 間，其中該電容器具有一電容值其在該RF能量供應的 第52頁 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4规格（210X297公釐） Λ - —--------------II------^ (請先鬩讀背面y注意事項再填寫本頁) Λ8 B8 C8 D8 i.L Μ 3 4 六、申請專利範圍 I 頻率與該第二線圏諧振。 5 4. —種將多電感線圏耦合至一 RF能量供應的電路，其至 少包含： 一具有兩個輸出的RF能量供應，其中的一個輸出連 接至電子接地，及另一個輸出未接地； 一阻抗配接網路其具有一輸入及一輸出，該配接網 路的輸入連接至該能量供應的未接地輸出；. 一電容器其具有兩個終端，其中一個電容器終端連 接至電子接地，及另一個電容器終端未接地；及 多個電感線圈，每一線圏具有一第一及一第二端， 其中該等電感線圈的數目為整數N乘上2及其中該等電 感線圈被連接成N對，使得每一對包含兩個電感線圈， 及使得對於每一對電感線圈而言 一對線圈中的兩個線圈之各自的第一線圈端是 連接在一起， 該對線圈的一第一個線圈的第二線圈端係連接 至該電容器之未接地的終端，及 該對線圈的一另一線圈的第二線圈端係連接至 該阻抗配接網路的輸出；及 其中該電容器具有一電容值約等於該整數N乘上該 電容值，其在該RF能量供應的頻率時與N對線圈中的 一對的第一線圏的電感諧振。 第53頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I--------f------IT------.^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 •· B8 C8 D8 六、申請專利範圍 I 5 5. —種將電能電感地耦合至’一真空室中的電漿中之方 法，其至少包含以下的步驟： 將多個楔形電感線圈安裝在與該中空室的一闪部區 域相鄰處，該等線圏被安裝讓每一線圈相對於一具有一 圓形橫截面的幾何表面被置放，使得 每一線圈的一直端被置放於與該幾何表面相鄰 處， 該等線圈相對於該幾何表面被等方位角地間隔 開，及 任兩個相鄰線圈的相鄰惻遠該幾何平面的圓形 橫截面的半徑平行；及 供應交流電給該等線圈讓線圏產生一磁場。 5 6 .如申請專利範圍第5 5項所述之方法，其中供應電流的 步驟更包含： 以對應於各自電感線圈的極性供給該電流給各自的 線圈使得任兩個相鄰的電感線圈產生各自極性相反的 磁場。 經濟部中央標準局員工消f合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 57.如申請專利範圍第56項所述之方法，其進一步包含的 步驟為： 對於任兩個相鄰的線圈而言，將該'二相鄰的線圏中 的一者順時鐘捲繞，而將該二相鄰的線圈中的另一者逆 時鐘捲繞。 第54頁 本紙張尺度適用中國囤家標準（CNS ) Λ4规格（210X297公釐） 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 ί 417134 «ί D8 六、申請專利範圍 I 5 ίί.如申請專利範圍第5 (3項所述之方法，其中供應電流的 步驟更包含： 將每一線圈捲繞於相同的方向； 在兩個能量供應輸出之間供應該交流電；及 將任兩個相鄰線圏連接至極性相反的兩個能量供應 輸出，使得被供應的電流是以相反的方向流經該二相鄰 的線圏。 5 9.如申請專利範園第5 5項所述之方法，其中該幾何表面 為該室的圓形介電質壁的一表面。 60·如申請專利範圍第5 5項所述之方法，其進一步包含的 步驟為： 將一半導體工件保持在該室中的一個位置，該位置 離該等電感線圏一個距離； 其中安裝該等電感線圈的步驟進一步包含用一方位 角間隙將相鄰的線圈方位角地分隔開，該方位角間隙相 對於介於該等電感線圈與該工件位置之間的距離而言 夠小·使得由該等線圈所產生的任何磁場的強度在該工 件位置的強度至少比在該電漿室中之較靠近該等線圈 的其它位置的強度要小1 〇倍。 6 1 . —種將電能電感地耦合至一真空室中的電漿中之方 法，其至少包含以下的步騾： 第55頁 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4规格（210 X 297公釐） I---------狀..------訂-----Ί線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 /1 AH B8 C8 D8六、申請專利範圍 I 將一半導體工件保持在一具有一中心軸之大致平面 的圓形工件區域中*其中該工件區域是在該真空室中， 將多個楔形電感線圈安裝在與該中空室的一内部區 域相鄰處，其中 每一線圈被捲繞於一各自的軸周圍，該袖大致 與該中心軸平行， 該等線圈被等方位角地繞著該中心軸的周圍間 隔開，及 每一線圈具冇一楔形的橫贱面，使得對於每兩 個相鄰的線圈而言，該二相鄰的線圈之各自的相鄰 側大致平行於該圓形工件區域的半徑；及 供應交流電給該等線圈讓線圈產生一磁場。 6 2.如申請專利範圍第6 1項所述的方法，其中安裝該等電 感線圈的方法進一步包括的步驟為： 將每一線圏定向使得該線圏的一軸端面向該工件區 域；及 安裝該等線圈使得所有電感線圈之各自的軸端都被 置於一與該工件區域平行的平面上。 6 3 .如申請專利範圍第6 1項所述的方法，其中供應電流的 步驟更包含： 以對應於各自電感線圈的極性供給該電流給各自的 線圈使得任兩個相鄰的電感線圈產生各自極性相反的 第56頁 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) Λ4規格（2丨0X297公釐） ;1'+τί ^-^· (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 J 417134 ί? C8 D8六、申請專利範圍 I 磁場 <34.如申請專利範圍第6丨項所述的方法’其進一步包含的 步驟為： 對於任兩個相鄰的線圈而言，將該二相鄰的線圈中 的一者順時鐘捲繞，而將該二相鄰的線圈中的另一者逆 時鐘捲繞。 6 5.如申請專利範圍第61項所述的方法，其中供應電流的 步驟更包含： 將每一線圈捲繞於相同的方向； 在兩個能量供應輸出之間供應該交流電：及 將任兩個相鄰線圏連接至極性相反的兩個能量供應 輸出，使得被供應的電流是以相反的方向流經該二相鄰 的線圈。 6 6.如申請專利範圍第6 1項所述的方法，其中安裝該等電 感線圈的步驟進一步包含： 用一方位角間隙將相鄰的線圈方位角地分隔開，該 方位角間隙相對於介於該等電感線圈與該工件位置之 間的距離而言夠小，使得由該等線圈所產生的任何磁場 的強度在該工件位置的強度至少比在該電漿室中之較 靠近該等線圈的其它位置的強度要小丨〇倍。 第57頁 ---------¥------ΪΤ------^ . (請先W讀背面之注意事項再填寫本S ) 本紙張尺度適用中國國家標牵（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） I V、申請專利範園 6 7.如申請專利範圍第6 1項所述的方法，其進一步包含的 步驟為： (誚先間讀背而之注意事項再填寫本頁} 提供一具有一繞组軸的額外電感線圈； 安裝該額外的電感線圈使得其繞组軸與該工件區域 的中心軸同心；及 供應交流電給該額外的電感線圈用以產生一磁場。 6 8. —種將R 1;電能電感地耦合至一真空室中的電漿中之方 法，其至少包含以下的步驟： 提供多個電感線圈，其中每一線圈具有一縱軸，該 線圈即繞著該縱軸捲繞； 將該等電感線圈安排在一矩形陣列中與該真空室中 的一内部區域相鄰，該等線圈被置放使得 經濟部中央標隼局貞工消費合作社印裂 每一線圈具有一軸端其與一幾何平面相鄰， 每一線圈的縱軸與該幾何平面垂直，及 該等線圈彼此被間隔開使得任兩個相鄰線圈之 各自的周邊之間的橫向間隙等於一第一預定的距 離，其對於任兩個相鄰的線圈而言是大致相同的； 及 一 RF能量供應被連接用以供應電能給該等電感線 圈，使得該等線圈在該内部的一部分中產生一磁場，該 RF能量供應以相對應的極性被連接至每個電感線圈， 使得任兩個相鄰的線圈產生極性相反之各自的磁場。 第58頁 本紙張尺度適用中國阈家標準（CNS ) Λ4規格（2Ι〇Χ297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 .4?7r〇4 - C8 D8 六、申請專利範圍 t 6 9.如申請專利範園第6 8項所述的方法，其中該提供的步 驟進一步包含提供具有一圓形橫戢面的線圈。 7 0 .如申請專利範圍第6 8項所述的方法，其中： 該提供的步驟進一步包含提供具有一矩形橫截面的 線圈；及 該置放的步驟進一步包含將該等線圈加以置放使得 相鄰線圈的相鄰側相平行。 7 1 .如申請專利範圍第68項所述的方法，其進一步包含的 步驟為： - 將一半導體工件保持與該幾何平面平行。 7 2 .如申請專利範圍第6 8項所述的方法，其進一步包含的 步鄉為： 將一丰導體工件保持在該室中的一個位置，該位置 離該等電感線圈一距離； 其中該第一預定的距離相對於介於該等電感線圈與 該工件位置之間的距離而言夠小，使得由該等線圈所產 生的任何磁場的強度在該工件位置的強度至少比在該 電漿室中之較靠近該等線圏的其它位置的強度要小10 倍。 73 .如申請專利範圍第72項所述的方法，其進一步包含的 第59頁 本紙浪尺度適用申國國家標準（CNS ) Λ4说格（210X297公釐） ---------舻------1T------.^ (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消f合作社印製 417 13d iS ^ CS D8 六、申請專利範圍 I 步驟為： 將一半導體工件保持與該幾何平面平行。 74.如申請專利範園第68項所述的方法，其進一步包含的 步驟為： 在每一電感線圈中安裝一磁心，其具有一大概略大 於〗的導磁係數。 7 5. —種將電能電感地耦合至一真空室中的電漿中之方 法，其至少包含以下的步驟： 在兩個能量供應輸出之間提供一 RF電子訊號； 將多個電感線圈安裝在該真空室的一内部區域的附 近使得每一線圈具有第一及第二端，它們分別是靠近及 遠離該區域；及 將每一線圈連接至兩個能量供應輸出使得相對於電 子接地而言，該線圈的第一端相較於該線圏的第二端是 在較低的RF電壓。 76. —種將電能電感地耦合至一真空室中的電漿中之方 法，其至少包含以下的步驟： 在兩個能量供應輸出之間提供一 RF電子訊號，該二 輸出分別被電子接地及未被接地； 將多個電感線圈安裝在該真空室的一内部區域的附 近使得每一線圈具有第一及第二端，它們分別是靠近及 笫60頁 本紙張尺度適用中罔阈家標準（CNS ) Λ4说格（2i〇X.297公釐） ---------------ΪΓ------^ (請先閱讀背面之注意事項ffi-蛾寫本頁) 417134 Λ8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 I 遠離該區域； 將每一線圈的第一端連接至電子接地；及 將每一線圏的第二端速接至未接地的能量供應輸 出。 7 7. —種將電能電感地耦合至一真空室中的電漿中之方 法，其至少包含以下的步驟： __在兩個能量供應輸出之間提供一 RF電子訊號，該二 輸出分別被電子接地及未被接地； 將多個電感線圏安裝在該真空室的一内部區域的附 近使得每一線圈具有第一及第二端，它們分別是靠近及 遠離該區域； 提供一電容器，其具起第一及第二終端； 將該電容器的第一終端連接至電子接地；及 將該等電感線圏成對地連接在一起，使得每一對包 含兩個電感線圏，對於每一對電感線圈而言，包含了以 下的步驟： 將該對線圏中的兩個線圈之各自的第一線圈端 連接在一起， 將該對線圈的一第一個線圈的第二線圈端連接 至該電容器之未接地的終端，及 將該對線圈的一另一線圈的第二線圈端連接至 該RF能量供應之未接地的輸出端；及 其中該電容器具有一電容值其在該RF能量供應的 第61頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > 規格（210X297公釐） y------、玎------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾隼局員工消費合作社印褽 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 C8 D8 六、申請專利範圍 I 頻率與該電感諧振，該電感是藉由以並聯方式將所有的 線圏對之各自的第一線圏連接起來所提供的。 7 8. —種將電能電感地耦合至一真空室中的電漿中之方 法，其至少包含以下的步驟： 在兩個能量供應輸出之間提供一 R F電予訊號，該二 輸出分別被電子接地及未被接地： 提供一電容器，其具起第一及第二終端； 將該電容器的第一終端速接至電子接地； 將多個電感線圈安裝在該真空室的一内部區域的附 近使得每一線圈具有第一及第二端，它們分別是靠近及 遠離該區域，其中該等線圈的數目是整數N乘以2 ;及 將該等電感線圈連接成N對，使得每一對包含兩個 電感線圈，對於每一對電感線圈而言，包含了以下的步 驟： 將該對線圈中的兩個線圏之各自的第一線圈端 連接在一起， 將該對線圈的一第一個線圏的第二線圈端連接 至該電容器之第二終端，及 將該對線圈的一另一線圈的第二線圈端連接至 該’RF能量供應之未接地的輸出端；及 其中該電容器具有一電容值約等於該整數N乘上該 電容值，其在該RF能量供應的頻率時與N對線圈中的 一對的第一線圈的電感諧振。 第62頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ;!,ir-------^ (請先閱讀背面之注意事項再4寫本頁) 417 134 2? C8 08 ττ、申請專利把1¾] I 7 9. —種將電能電感地耦合至一真空室中的電漿中之方 法，其至少包含以下的步驟： 在兩個能量供應輸出之間提供一 RF電子訊號，該二 輸出分別被電子接地及未被接地； 將多個電感線圈安裝在該真空室的一内部區域的附 近使得每一線圈具有第一及第二端，它們分別是靠近及 遠離該區域； 將該等電感線圈成對地連接在一起1使得每一對包 含兩個電感線圈，對於每一對電感線圏而言，包含了以 下的步驟 將該對線圏中的兩個線圈之各自的第一線圈端 連接在一起，及 將該對線圈的兩個線圈之各自的第二線圈端分 別連接至第一及第二能量供應輸出。 8 0. —種將電能電感地耦合至一真空室中的電漿中之方 法，其至少包含以下的步驟： 經濟部申央標準局員工消費合作社印11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在兩個能量供應輸出之間提供一 RF電子訊號，該二 輸出相對於電子接地而言是浮動的； 將多個電感線圏安裝在該真空室的一内部區域的附 近使得每一線圈具有第一及第二端，它們分別是靠近及 遠離該區域； 將該等電感線圈成對地連接在一起，使得每一對包 含兩個電感線圈，對於每一對電感線圈而言，包含了以 第63頁 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（21〇X 297公釐） 經濟部中央標準局負工消費合作社印11 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 I 下的步驟 將該對線圈中的兩個線圈之各自的第一線圏端 連接在一起，及 將該對線圈的兩個線圈之各自的第二線圈端分 別連接至第一及第二能量供應輸出。 8 1 . —種將RF電能電感地耦合至一真空室中的電漿中之方 法1其至少包含以下的步驟： 在兩個能量供應輸出之間提供一 RF電子訊號，該二 輸出分別被電子接地及未被接地； 提供一具有一輪入及一輸出之阻抗配接網路； 將該配接網路的輸入連接至該能量供應的未接地輸 出； 提供第一及第二電感線圈，每一電感線圈具有一第 一端及一第二端； 將該第一線圈的第一端連接至第二線圏的第一端， 及 將第一線圏的第二端連接至該阻抗配接網路的輸 出； 提供一電容器，其具有一電容值，該電容值在該RF 能量供應的頻率與該第二線圈諧振；及 將該電容器連接於電子接地與該第二線圈的第二端 之間。 第64頁 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ---------f------ir------^. (請先間讀背面之注惠事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局—工消費合作社印製 I 4 17 13 4 as - B8 CS D8 六、申請專利範圍 8 2 . —種將RF電^電感地耦合至一真空室中的電漿中之方 法，其至少包含以下的步驟： 在兩個能量供應輸出之間提供一 RF電子訊號，該二 輸出分別被電子接地及未被接地； 提供一具有一輸入及一輸出之阻抗配接網路； 將該配接網路的輸入連接至該能量供應的未接地輸 出； 提供多個電感線圈，每一電感線圏具有一第一端及 一第二端，其中該等線圈的數目是整數N乘以2 ; 將該等電感線圈連接成N對，使得每一對由第一及 第二電感線圈所構成，對於每一對電感線圈而言，包含 了以下的步驟： 將每一對的第一線圈的第一端速接至每一對的 第二線圈的第一端，及 將每一對的第一線圈的第二端連接至該阻抗配 接網路的輸出；及 提供一電容器具有一電容值約等於該整數N乘上該 電容值，其在該RF能量供應的頻率時與N對線圏中的 一對的第一線圏的電感諧振；及 將該電容器連接於電子接地與該第二線圈的第二端 之間。 第65頁 本紙悵尺度適用中國國家標辛-(CNS ) Λ衫見格（2丨Ο X 297公釐） ---------铲-----—,π------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)