KR101055330B1 - 박막제조장치 및 박막제조장치용 이너 블록 - Google Patents
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Abstract
부품의 공통화에 의한 비용 삭감과 성막효율의 향상을 꾀할 수 있는 박막제조장치를 제공한다.
본 발명에 관한 박막제조장치(10)는 진공조(12) 내부에 설치된 이너 블록(17)에 의해 반응공간(31)의 용적을 규정하는 것으로, 이너 블록(17)의 내경 사이즈 변경만으로 진공조 사이즈를 변경하는 것뿐만 아니라 반응공간(31) 용적의 최적화를 꾀한다.
이것에 의해 공통의 진공조(12)를 이용하여 사이즈가 다른 복수 종의 기판(W) 성막이 가능하게 된다. 또, 처리하는 기판 사이즈에 맞추어 장치 구성부품 수의 증대를 최소한으로 억제하는 것이 가능해지므로, 부품 비용의 저감을 꾀할 수 있음과 함께, 조립작업·제품검사작업·조정작업의 간소화를 꾀하면서, 뛰어난 성막효율과 안정 성막을 실현할 수 있다.
박막제조장치, 박막, 제조장치, 이너 블록
Description
본 발명은 예를 들면 MOCVD장치 등의 박막제조장치에 관하여, 더욱 자세하게는, 기판처리 사이즈에 맞추어 반응공간의 용적을 조정 가능한 박막제조장치 및 박막제조장치용 이너 블록에 관한 것이다.
근년, 반도체 분야에 있어서는, 반도체 제조장치 메이커는 다종 다양한 프로세스 요구에 대응하기 위해 장치가 다양화하는 경향에 있으면서, 성막(막 형성)효율의 향상·짧은 납기 요구·저가격 요구에도 대응할 필요를 느끼고 있다.
한편, 종래부터 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법에 의해 박막을 제조하는 박막제조장치가 알려져 있다(하기 특허문헌 1 참조). 이런 종류의 화학적 반응 프로세스를 이용하는 반도체 제조장치에 있어서는, 성막효율 즉 가스사용 효율을 올리는 것에 대해 강한 시장 요구가 있다. 특히, 액체 원료는 대체로 고가이기 때문에 반도체 제조장치 본체의 가격보다 장기에 걸친 장치 운용비용을 중시하는 요즈음, 성막효율이 장치 선정의 결정적 수단이 될 수 있다.
특허문헌 1: 일번국 특개 2004-35971호 공보
그렇지만, 1대의 반도체 제조장치는 몇 개의 프로세스 모듈로 구성되고, 1개의 프로세스 모듈은 예를 들면 1000개 가까운 부품으로 구성되어 있다. 장치의 다양화는 구성부품에 차이를 낳아, 다른 부품의 수만큼 조립작업순서·부품조정방법이 필요로 되고, 작업종류가 증대해 조립작업·제품검사작업을 저해해 짧은 납기 요구가 실현될 수 없다. 또, 부품종류의 증가는 부품의 수만큼 발주업무·납기확인업무·수입업무도 증대하기 때문에 구매에 관한 업무도 증대시켜 버린다. 또, 부품을 구매하는 입장에 있어서, 부품종류의 증대는 일괄 구입의 가격적 우위성을 저해할 뿐더러, 부품마다의 납기는 짧은 납기 요구의 실현을 저해할 수 밖에 없다. 또, 부품을 판매하는 입장에 있어서도, 부품이 다르면 가공기계·절삭공구의 세팅이 달라 세팅변경의 수고가 가격·납기로 되돌아와 버린다.
한편, MOCVD법 등의 화학적 반응 프로세스를 이용하는 박막제조장치에 있어서, 성막효율을 올리기 위해서는, 기판에 맞추어 반응공간을 가능한 한 작게 구성할 필요가 있다. 그렇지만, 기판 사이즈마다 진공조 사이즈를 변경하면, 진공조에 접속되는 배관·기기등 여러 가지 부품이 바뀌고, 기계부품의 변경은 센서·배선 등의 전기부품의 변경으로 되고, 전기부품의 변경은 제어 소프트의 변경이 될 수 있다. 최종적으로는 많은 부품 종류가 생겨버린다. 게다가, 반도체 업계 규모에서 CO2(이산화탄소) 삭감이 큰 과제로도 되어 있고, 장치운용비용·CO2 삭감면에서도 가동전력의 저감이 강하게 요구되어 있다.
본 발명은 상술한 문제를 감안해서, 부품의 공통화에 의한 비용 삭감과 성막효율향상을 꾀할 수 있는 박막제조장치 및 박막제조장치용 이너 블록을 제공하는 것을 과제로 한다.
이상의 과제를 해결함에 있어서, 본 발명의 박막제조장치는 진공조와, 진공조 상부를 폐색하는 덮개(蓋體)와, 피처리기판을 지지하는 스테이지와, 스테이지와 대향하도록 덮개에 취부된 가스헤드를 구비한 박막제조장치에 있어서, 진공조와 덮개 사이에 배치되고, 가열원을 내장함과 함께 스테이지와 가스헤드와의 사이 반응공간의 용적을 규정하는 이너 블록을 구비하고 있다.
본 발명에서는 진공조 내부에 설치된 이너 블록에 의해 반응공간의 용적을 규정하는 것으로, 이너 블록 사이즈 변경만으로 진공조 사이즈를 변경하지 않고 반응공간 용적의 최적화를 꾀한다. 이것에 의해, 공통의 진공조를 이용해 사이즈가 다른 복수 종의 기판 성막이 가능해진다. 또, 처리하는 기판 사이즈에 맞추어 준비하는 장치 구성부품 수의 증대를 최소한으로 억제하는 것이 가능해지므로, 부품비용의 저감을 꾀할 수 있는 것과 동시에, 조립작업·제품검사작업·조정작업의 간소화를 꾀하면서, 뛰어난 성막효율과 안정성막을 실현할 수 있다.
바람직하게는, 이너 블록은 진공조 내벽면과 스테이지 외주부 사이에 설치된 환상 블록체로 구성되고, 진공조와 덮개에 대해서 씰부재를 통해 취부된다. 이러한 구성의 이너 블록에 있어서는, 기판 시이즈에 응하여 블록체 내경을 변경만으로 반응공간 용적의 최적화를 용이하게 실현할 수 있다.
또, 이너 블록은 가열원을 구비하고 있어, 성막시에 소정의 프로세스 온도로 가열조정하는 것으로 가스사용 효율을 높여 성막효율 향상을 꾀한다. 또, 이너 블록 전체가 아니고, 적어도 반응공간에 임하는 영역만 소정의 프로세스 온도로 유지만으로 소비전력의 삭감을 꾀할 수 있다. 이 경우, 이너 블록의 저온부가 임하는 공간영역을 상기 반응공간의 용적보다 크게 형성하고, 바람직하게는 해당 공간영역에 가스분압용 불활성 가스를 도입하는 것으로 이너 블록의 저온부 표면으로의 성막가스의 원료성분 석출을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 박막제조장치의 배관 구성도이다.
도 2는 반응가스원 구성의 일례를 나타내는 도이다.
도 3은 반응가스원의 다른 구성예를 나타내는 도이다.
도 4는 본 발명의 실시형태에 의한 박막제조장치의 구성을 나타내는 개략단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시형태에 의한 박막제조장치의 다른 구성을 나타내는 개략단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시형태에 의한 박막제조장치의 또다른 구성을 나타내는 개략단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시형태에 의한 박막제조장치에 이용되는 이너 블록 구성의 변형예를 나타내는 도이며, A는 측단면도, B는 A의 [B]-[B]선 단면도이다.
*부호의 설명*
10, 40: 박막제조장치 11: 처리실
12: 진공조 13: 가스헤드
14: 스테이지 15: 덮개(蓋體)
16: 방착판 17, 27, 50: 이너 블록
18, 19, 20, 42, 43: 씰부재 21: 반응가스 공급라인
22: 원료가스 공급라인 23: 분압제어용 가스도입포트
24: 배기포트 25: 진공배기라인
26: 진공배기장치 30, 44: 가스도입라인
31: 반응공간 32: 배기통로
33: 하부공간 34: 가열원
41: 스페이서 블록 W: 기판
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조해 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 박막제조장치(10)의 성막가스 공급라인 및 진공배기라인의 배관구성도이다. 또, 본 명세서에 있어서 「성막가스」란 화학반응에 이용하는 원료가스, 반응가스, 불활성가스 등의 단일가스 또는 혼합가스를 말한다.
본 실시형태의 박막제조장치(10)는 처리실(성막실; 11)을 내부에 형성하는 진공조(12)와, 처리실(11)에 성막가스를 도입하는 가스헤드(13)와, 처리실(11)에 설치되고 반도체 웨이퍼나 유리기판 등의 피처리기판(이하 「기판」이라 함; W)을 지지하는 스테이지(14)를 구비하고 있다.
처리실(11)은 진공배기라인(25)을 통해 진공배기장치(26)에 접속되어 있어, 메인 밸브(V0)를 개방(開弁)하는 것으로 소정의 감압분위기로 진공배기 가능하게 구성되어 있다. 스테이지(14)는 가스헤드(13)에 대향하여 배치되어 있다. 이 스테이지(14)는 예를 들면 핫 플레이트로 되고, 스테이지(14) 위에 재치되는 기판(W)을 소정 온도로 가열 가능하게 되어 있다.
가스헤드(13)는 상세를 후술하는 바와 같이 반응가스원에 연결하는 반응가스 공급라인(21)과, 원료가스원과 연결하는 원료가스 공급라인(22)이 각각 접속되어 있고 처리실(11)내에 반응가스, 원료가스 또는 이들 혼합가스를 도입한다. 본 실시형태에서는, 가스헤드(13)로서 예를 들면, 가스분출공을 복수 구비한 샤워헤드가 이용되어 있다.
반응가스로서는 NH3(암모니아 가스)나 H2(수소가스) 등이 이용된다. 원료가스로서는 성막금속(Ta, Cu, Al, Ti, Zr, V, Nb)의 유기금속재료가 이용되고, 성막대상(배선막, 배리어막 등)에 맞추어 선택된다. 이 경우, 반응가스에 활성화 된 암모니아가스 등의 질화가스를 이용하는 것으로 이러한 금속의 질화막이 제작된다. 불활성가스로서는 N2나 Ar이 이용된다.
여기서, 반응가스원에 대해 설명한다. 반응가스원은 도 2에 나타내듯이 매스 플로우 콘트롤러(MFC)를 이용해 가스유량을 제어할 수 있는 일반적인 가스원(반응가스원, 불활성가스원 등)이다. 이 가스원은 집적에 의해 1개의 가스원으로부터 복수의 가스를 나오게 하는 것이 가능하다. 도 3에 가스원의 집적예를 나타낸다. 도시예에 있어서, 반응가스(1)는 NH3, 반응가스(2)는 H2, 불활성가스는 N2이다. 이들 단일가스 또는 혼합가스를 가스원으로서 이용할 수가 있다.
원료가스원은 고체 또는 액체의 유기금속원료를 가스화해 원료가스로 하는 시스템이 이용되어 있다. 액체원료의 경우, 액을 기화기로 보내 기화시키는 기화 시스템 또는 버블링 시스템이 이용된다. 고체원료의 경우는 고체를 가열 액화한 후 기화기로 기화하는 원료가열 시스템과 기화 시스템의 복합시스템, 또는 가열 시스템과 버블링 시스템의 복합 시스템, 혹은 고체원료를 가스화하는 승화 시스템 등이 이용된다. 또, 원료가스는 유기금속재료에 한정되지 않고, WF6 등의 반도체 제조 프로세스에서 일반적으로 사용되어 있는 가스를 사용하는 것도 가능하다.
처리실(11)에 도입된 반응가스 및 원료가스는 서로 화학반응을 일으켜 기판(W)상에 금속박막을 형성한다. 부생성물이나 잉여가스는 진공배기라인(25)을 통해 배기된다.
반응가스와 원료가스는 성막실(11)내에 동시에 도입되어도 좋고, 따로따로 도입되어도 좋다. 원료가스 공급라인(21)은 제1 밸브(V1)를 개폐하는 것으로 원료가스의 도입/비도입의 전환을 행한다. 또, 제1 밸브(V1) 폐쇄시, 제2 밸브(V2)를 개방하는 것으로 원료가스나 바이패스 배관(24)을 통해 처리실(11)을 경유하지 않고 배기할 수 있도록 구성되어 있다. 이 경우, 제2 밸브(V2)는 성막시에 폐쇄하고, 성막종료후에 개방한다. 이와 같은 방법으로 원료가스를 공급하는 것으로, 처리실(11)에 원료가스를 안정되게 도입하는 것이 가능해진다.
또, 반응가스를 활성화시켜 처리실(11)에 도입하는 것도 가능하다. 본 실시형태에서는, 반응가스 공급라인(21)을 통해 공급되는 반응가스를 여기해 래디칼을 생성하기 위한 래디칼원(29)을 가스헤드(13) 근방에 설치하고 있다. 래디칼원(29) 으로서는 예를 들면 고온 가열된 촉매선이 이용된다.
도 4는 박막제조장치(10)의 내부구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 박막제조장치(10)는 진공조(12)와 진공조(12) 상부를 폐색하는 덮개(15)와, 기판(W)을 지지하는 스테이지(14)와, 스테이지(14)와 대향하도록 덮개(15)에 취부된 가스헤드(13)를 구비하고 있다.
가스헤드(13)와 스테이지(14) 사이의 공간영역은 원료가스와 반응가스가 상호 반응하여 기판(W)상에 금속박막을 형성시키는 반응공간(31)으로 되어 있다. 그리고, 진공조(12)와 덮개(15) 사이에는 반응공간(31)의 용적을 규정하는 이너 블록(17)이 설치되어 있다.
이너 블록(17)은 진공조(12) 내벽면과 스테이지(14) 외주부 사이에 설치된 단일의 환상 블록체로 구성되어 있다. 특히, 본 실시형태에서는 이너 블록(17)은 원환상으로 구성되어 있다. 이너 블록(17)의 외경은 진공조(12)의 내경과 거의 동일하고, 이너 블록(17)의 내경은 가스헤드(13) 및 스테이지(14)의 외주부와 대향하고, 반응공간(31)이 목적으로 하는 형성폭으로 조정되는 것으로 반응공간(31)의 용적을 규정한다.
그래서, 이너 블록(17)은 처리하는 기판(W) 사이즈{가스헤드(13), 스테이지(14)의 외경}에 대응해 최적인 반응공간을 형성하는 것이 복수 준비되어 있고, 예를 들면, 기판 사이즈가 φ200㎜의 경우에는 도 4에 나타내듯이 반응공간(31)의 형성폭이 D1으로 되는 이너 블록(17)이 적용되고, 기판 사이즈가 φ300㎜의 경우에는 도 5에 나타내듯이 반응공간(31)의 형성폭이 D2로 되는 이너 블록(27)이 적용된 다. 이너 블록(17)과 이너 블록(27)은 그 내경만이 다른 구성이므로, 이하의 설명에서는 대표적으로 이너 블록(17)쪽을 설명한다.
이너 블록(17)은 알루미늄이나 스텐레스 등의 금속재료로 구성되고, 진공조(12)와 덮개(15) 사이에 배치되는 것으로 반응공간(31)의 용적을 규정함과 함께, 진공조(12)에 대해서 덮개(15)를 조립할 때의 서로 플랜지로서의 기능도 가지고 있다. 이너 블록(17)의 주연부(17a)는 진공조(12) 및 덮개(15)에 대해서 환상의 씰부재(18, 19, 20)를 통해 협지되어 있어, 이너 블록(17)의 하단부(17b)는 진공조(12)의 저부에 대해서 씰부재(20)를 통해 취부되어 있다. 이것에 의해, 성막가스의 회송에 의한 진공조(12) 내벽면으로의 원료성분 석출을 방지할 수 있다. 또, 이너 블록(17)의 하단부(17b)측에는 환상의 요부(17c)가 설치되어 반응공간에 대한 배기공간을 적절한 용적으로 조정하고 있다.
진공조(12)의 내부 처리실(11)은 진공조(12)와 덮개(15) 사이에 배치된 이너 블록(17)에 의해, 반응공간(31)과, 배기통로(32)와, 하부공간(33) 3개의 공간으로 나누어지고 있다. 반응공간(31)은 가스헤드(13)와 스테이지(14)와 이너 블록(17)의 내주부로 형성되어 있다. 배기통로(32)는 스테이지(14)의 외주부와 이너 블록(17)의 외주부 사이의 환상공간으로 형성되어 있다.
하부공간(33)은 이너 블록(17)의 요부(17c)와 스테이지(14)의 외주부 사이에 형성되어 있다. 하부공간(33)은 배기통로(32)를 통해 반응공간(31)과 연통하고 있음과 함께, 반응공간(31)의 용적보다도 큰 용적을 가지고 있다. 또, 하부공간(33)에는 이너 블록(17)과 진공조(12)를 관통하는 개구로 되는 배기포트(24)가 형성되 어 있고, 이 배기포트(24)에 진공배기라인(25)이 접속되어 있다. 또, 진공조(12)의 저부에는 하부공간(33)에 대해서 가스분압제어용 불활성 가스를 도입하는 가스도입포트(23)가 설치되어 있다.
이너 블록(17)의 내주부에는 진공조(12) 및 이너 블록(17)에 대한 성막재료의 부착을 방지하기 위한 방착판(16)이 취부되어 있다. 또, 이너 블록(17)에는 가열원(34)이 내장되어 있고, 방착판(14)을 소정 온도로 가열조정 가능하게 되어 있다. 가열원(34)은 히터로 구성되지만, 이 이외에 온매의 순환유로 등으로 구성하여도 좋다. 또, 이너 블록(17)과는 별도로 진공조(12)를 온도제어 가능하게 구성하여도 좋다.
한편, 스테이지(14)는 기판(W)을 소정 온도로 가열하는 것이 가능한 핫 플레이트로 구성되어 있다. 기판(W)의 지지기구는 정척 척기구여도 좋고 메카니컬 클렘프기구이여도 좋다. 스테이지(14)에 대한 기판(W)의 반송 및 스테이지(14)에서 진공조(12) 외부로의 반출은 이너 블록(17)과 진공조(12)를 관통하는 개구(28)를 통해 도시하지 않은 기판반송 로봇에 의해 행해진다.
또, 가스헤드(13)는 기판(W)에 대해서 면내 균일하게 성막가스를 공급하는 샤워헤드로 구성되어 있다. 이 가스헤드(13)로의 성막가스 도입은 덮개(15)와 이너 블록(17)에 각각 형성된 유로를 접속하는 것으로 구성된 가스도입라인(30)을 통해 행해진다. 가스도입라인(30)은 반응가스 공급라인(21) 및/또는 원료가스 도입라인(22)에 접속되어 있다.
이상과 같이 구성되는 본 실시형태의 박막제조장치(10)에 있어서는 진공 조(12)의 내부에 배치된 이너 블록(17)에 의해 반응공간(31)의 용적을 규정하는 것으로, 이너 블록(17)의 내경 사이즈 변경만으로 진공조(12)의 크기를 변경하지 않고 반응공간 용적의 최적화를 꾀하도록 하고 있다. 또, 이너 블록(17)에 가열원(34)을 내장시키는 것으로, 반응공간(31)을 구성하는 벽면의 최적한 온도제어를 실현해, 가스헤드(13)에서 공급되는 성막가스의 사용효율을 높일 수 있는 것과 동시에, 막질의 향상을 꾀할 수 있다.
따라서 본 실시형태에 의하면, 공통의 진공조를 이용해 사이즈가 다른 복수 종의 기판 성막이 가능해지는 것과 동시에, 진공조의 기판마다, 프로세스마다의 설계, 변경이 불필요하게 된다. 또, 처리하는 기판 사이즈에 맞추어 준비하는 장치 구성부품 수의 증대를 최소한으로 억제하는 것이 가능해지므로, 부품비용의 저감을 꾀할 수 있는 것과 동시에, 조립작업·제품검사작업·조정작업의 간소화를 꾀하면서, 뛰어난 성막효율과 안정된 성막을 실현할 수 있다.
또, 진공조(12)의 내부 처리실(11)을 상술한 구성의 반응공간(310, 배기유로(32) 및 하부공간(33)으로 구성하는 것으로써, 반응공간(31)에 공급된 성막가스의 등방(等方)배기를 실현할 수 있어 성막효율의 향상에 공헌할 수 있다.
특히, 배기통로(32)의 2차측 즉 하부공간(33)의 용적을 반응공간(31)의 용적보다도 크게 구성함과 함께, 하부공간(33)으로 가스분압제어용 불활성 가스를 도입하는 것에 의해, 하부공간(33)의 내벽면에 대한 성막가스중의 원료성분 석출온도를 내릴 수 있다. 이것에 의해, 해당 하부공간(33)으로의 성막재료 부착을 억제할 수 있음과 함께, 하부공간(33)을 구성하는 벽면의 저온하를 꾀할 수 있으므로, 이너 블록(17)의 가열에 필요로 하는 에너지 즉 소비전력의 저감을 꾀할 수 있다.
더욱, 가스헤드(13)에 대해서 성막가스를 도입하는 가스도입라인(30)을 덮개(15), 이너 블록(17)에 형성하는 것으로 진공조(12)에 성막가스의 도입기구를 설치할 필요가 없을 뿐 아니라, 이너 블록(17)과 함께 덮개{15; 가스헤드(13)}를 기판 사이즈에 맞추어 변경하는 것만으로 성막가스의 도입기구를 용이하게 구축할 수가 있다.
이상과 같이, 본 실시형태에 의하면 기판 사이즈·프로세스마다 요구되는 박막제조장치(10)의 변경을 이너 블록(17)에 집약하는 것으로, 박막제조장치(10)의 이너 블록(17) 이외 부분의 변경을 경미하게 하는 것이 가능해지고, 또, 성막효율이 양호하고, 파티클이 적은 안정된 성막을 실시할 수가 있다.
계속해서, 도 6은 본 발명의 다른 실시형태에 의한 박막제조장치(40)의 개략구성도를 나타내고 있다. 또, 도면에 있어서 상술의 박막제조장치(10)와 대응하는 부분에 대해서는 동일부호를 붙이고, 그 상세한 설명은 생략하는 것으로 한다.
본 실시형태의 박막제조장치(40)는 덮개(115)와 이너 블록(17) 사이에, 스테이지(14)와 가스헤드(13) 사이의 거리를 조정하기 위한 스페이서 블록(41)을 구비하고 있다. 스페이서(41)는 덮개(15)와 인너 블록(17)에 대해서 씰부재(42, 43)를 통해 취부되어 있다. 또, 가스헤드(13)로 성막가스를 도입하는 가스도입라인(44)은 덮개(15)와 스페이서 블록(41)과 인너 블록(17)에 각각 형성된 유로를 접속하는 것으로 구성되어 있다.
본 실시형태의 박막제조장치(40)에 있어서는 이너 블록(17)의 내경 조정만이 아니고, 스페이서 블록(41)에 의해 스테이지(14)-가스헤드(13) 사이의 높이를 조정하는 것으로, 기판 사이즈나 프로세스 종류에 응하여 반응공간(31)의 높이 혹은 용적의 최적화를 꾀할 수 있다. 또, 스페이서 블록(41)을 별도로 설치하는 구성 대신해, 이너 블록(17)에 스페이서 블록(41)의 기능을 갖도록 해도 좋다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했지만, 물론, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상에 근거하여 여러 가지의 변형이 가능하다.
예를 들면 이상의 실시형태에서는, 기판(W) 사이즈에 응해, 내경이 다른 이너 블록(17, 27)을 사용한 경우에 대해 설명했지만, 예를 들면 도 7의 A, B에 나타내듯이, 이너 블록(50)을 내경(d1, d2 및 d3)을 가지는 3개의 환상 블록체(51, 52, 53)의 조합체로 구성해, 기판 사이즈에 맞추어 내주측의 블록체(52, 53)를 취부하거나 취출하도록 해도 좋다. 또 환상 블록체의 조합 수는 도시예에 한정되지 않는다.
이상 기술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 공통의 진공조를 이용해 사이즈가 다른 복수 종의 기판 성막이 가능해진다. 또, 처리하는 기판 사이즈에 맞추어 준비하는 장치구성부품 수의 증대를 최소한으로 억제하는 것이 가능해지므로 부품비용의 저감을 꾀함과 동시에, 조립작업·제품검사작업·조정작업의 간소화를 꾀하면서, 뛰어난 성막효율과 안정된 성막을 실현할 수 있다.
Claims (8)
- 진공조와, 상기 진공조의 상부를 폐색하는 덮개와, 피처리기판을 지지하는 스테이지와, 상기 스테이지와 대향하도록 상기 덮개에 취부된 가스헤드를 구비한 박막제조장치에 있어서,상기 진공조와 상기 덮개사이에 배치되고, 가열원을 내장함과 함께 상기 스테이지와 상기 가스헤드 사이의 반응공간의 용적을 규정하는 이너 블록을 구비하고,상기 이너 블록은 상기 진공조의 내벽면과 상기 스테이지의 외주부 사이에 설치된 환상 블록체이고, 상기 진공조와 상기 덮개에 대하여 환상의 씰부재를 통해 취부되어 있는 주연부를 가지는 것을 특징으로 하는 박막제조장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 이너 블록의 내주부에는 상기 진공조 및 상기 이너 블록에 대한 성막재료의 부착을 방지하기 위한 방착판이 취부되어 있는 것을 특징으로 하는 박막제조장치.
- 제1항에 있어서, 상기 진공조의 내부에는 상기 이너 블록의 내주부와 상기 스테이지의 외주부 사이에 형성된 배기통로를 통해 상기 반응공간과 연통하는 배기포트를 구비한 하부공간이 형성되어 있고, 상기 하부공간은 상기 반응공간보다도 큰 용적을 가지는 것을 특징으로 하는 박막제조장치.
- 제4항에 있어서, 상기 하부공간에는 가스분압제어용 가스도입포트가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 박막제조장치.
- 제1항에 있어서, 상기 덮개와 상기 이너 블록에는 상기 가스헤드에 대하여 성막가스를 도입하는 가스도입라인이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막제조장치.
- 제1항에 있어서, 상기 덮개와 상기 이너 블록 사이에는 상기 가스헤드와 상기 스테이지 사이의 거리를 조정하는 스페이서 블록이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 박막제조장치.
- 진공조와, 상기 진공조의 상부를 폐색하는 덮개와, 피처리기판을 지지하는 스테이지와, 상기 스테이지와 대향하도록 상기 덮개에 취부된 가스헤드를 구비한 박막제조장치에 있어서,상기 진공조와 상기 덮개 사이에 배치되어, 가열원을 내장함과 함께 상기 스테이지와 상기 가스헤드 사이의 반응공간의 용적을 규정하는 이너 블록을 구비하고,상기 진공조의 내부에는 상기 이너 블록의 내주부와 상기 스테이지의 외주부 사이에 형성된 배기통로를 통해 상기 반응공간과 연통하는 배기포트를 구비한 하부공간이 형성되어 있고, 상기 하부공간은 상기 반응공간보다도 큰 용적을 가지는 것을 특징으로 하는 박막제조장치.
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Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7824519B2 (en) * | 2007-05-18 | 2010-11-02 | Lam Research Corporation | Variable volume plasma processing chamber and associated methods |
| JP2011021264A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
| JP5031910B2 (ja) * | 2010-06-23 | 2012-09-26 | シャープ株式会社 | 気相成長装置 |
| CN105200396A (zh) * | 2014-06-18 | 2015-12-30 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种mocvd设备及其中寄生颗粒的清除方法 |
| CN110042368A (zh) * | 2019-05-14 | 2019-07-23 | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 | 一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置 |
| US11881385B2 (en) * | 2020-04-24 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for reducing defects in preclean chambers |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004149881A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Applied Materials Inc | プラズマ処理装置及び方法 |
| JP2005093576A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Sony Corp | 処理装置 |
| JP2005197600A (ja) | 2004-01-09 | 2005-07-21 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2834353A (en) | 1954-07-06 | 1958-05-13 | Albert A Rembold | Marginally punched and notched sorting cards |
| US4226208A (en) * | 1977-08-04 | 1980-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Vapor deposition apparatus |
| US4524719A (en) * | 1983-09-06 | 1985-06-25 | Anicon, Inc. | Substrate loading means for a chemical vapor deposition apparatus |
| US5134965A (en) * | 1989-06-16 | 1992-08-04 | Hitachi, Ltd. | Processing apparatus and method for plasma processing |
| GB9411911D0 (en) * | 1994-06-14 | 1994-08-03 | Swan Thomas & Co Ltd | Improvements in or relating to chemical vapour deposition |
| JP3257328B2 (ja) * | 1995-03-16 | 2002-02-18 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US6092486A (en) * | 1996-05-27 | 2000-07-25 | Sumimoto Metal Indsutries, Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP3050124B2 (ja) * | 1996-05-27 | 2000-06-12 | 住友金属工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
| WO1998023788A1 (en) | 1996-11-27 | 1998-06-04 | Emcore Corporation | Chemical vapor deposition apparatus |
| US5904800A (en) * | 1997-02-03 | 1999-05-18 | Motorola, Inc. | Semiconductor wafer processing chamber for reducing particles deposited onto the semiconductor wafer |
| US6258170B1 (en) * | 1997-09-11 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Vaporization and deposition apparatus |
| US6106625A (en) * | 1997-12-02 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Reactor useful for chemical vapor deposition of titanium nitride |
| US6273022B1 (en) * | 1998-03-14 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Distributed inductively-coupled plasma source |
| US6129808A (en) * | 1998-03-31 | 2000-10-10 | Lam Research Corporation | Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same |
| US6230651B1 (en) * | 1998-12-30 | 2001-05-15 | Lam Research Corporation | Gas injection system for plasma processing |
| US20020069970A1 (en) * | 2000-03-07 | 2002-06-13 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled semiconductor processing chamber liner |
| US6863835B1 (en) * | 2000-04-25 | 2005-03-08 | James D. Carducci | Magnetic barrier for plasma in chamber exhaust |
| US6554979B2 (en) * | 2000-06-05 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for bias deposition in a modulating electric field |
| US20020015855A1 (en) * | 2000-06-16 | 2002-02-07 | Talex Sajoto | System and method for depositing high dielectric constant materials and compatible conductive materials |
| JP3534716B2 (ja) * | 2001-05-28 | 2004-06-07 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法 |
| CN101818334B (zh) * | 2002-01-17 | 2012-12-12 | 松德沃技术公司 | Ald装置和方法 |
| US7160577B2 (en) * | 2002-05-02 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits |
| JP2004035971A (ja) | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造装置 |
| JP2004063661A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
| JP2004091849A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| US7048837B2 (en) * | 2002-09-13 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | End point detection for sputtering and resputtering |
| TW200508413A (en) * | 2003-08-06 | 2005-03-01 | Ulvac Inc | Device and method for manufacturing thin films |
| EP1661161A2 (en) * | 2003-08-07 | 2006-05-31 | Sundew Technologies, LLC | Perimeter partition-valve with protected seals |
| US8475625B2 (en) * | 2006-05-03 | 2013-07-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for etching high aspect ratio features |
-
2007
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Patent Citations (3)
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