TW413951B - Thin film transistors - Google Patents

Thin film transistors Download PDF

Info

Publication number
TW413951B
TW413951B TW088110493A TW88110493A TW413951B TW 413951 B TW413951 B TW 413951B TW 088110493 A TW088110493 A TW 088110493A TW 88110493 A TW88110493 A TW 88110493A TW 413951 B TW413951 B TW 413951B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
integrated circuit
field effect
item
patent application
insulating layer
Prior art date
Application number
TW088110493A
Other languages
English (en)
Inventor
Ananth Dodabalapur
Original Assignee
Lucent Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lucent Technologies Inc filed Critical Lucent Technologies Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW413951B publication Critical patent/TW413951B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
    • H01L21/743—Making of internal connections, substrate contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1203—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body the substrate comprising an insulating body on a semiconductor body, e.g. SOI
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78681—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising AIIIBV or AIIBVI or AIVBVI semiconductor materials, or Se or Te
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/311—Phthalocyanine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/928—Front and rear surface processing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

413951 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（） 1 發明範圍 本發明是關於薄膜電晶體（τ F T s )，特別是關於 具有新穎設計以便於互聯的薄膜電晶體積體電路。 發明背景 半導體積體電路（積體電路s)在商業電子中普遍存 在。用於電子邏輯和記憶裝置的積體電路幾乎都是矽基裝 置，而應用於光電的積體電路典型上爲m-v及π-ν I 基裝置。電晶體一mo s和雙極一之製造是藉由在半導體 基材中產生不純的區域，且在半導體表面上形成多晶矽或 金屬電極，以與下面的半導體區域接觸或互相作用。平面 及台面基材構造二者皆使用。在這些裝置的製造中，半導 體基材的主要性質1和基材層的形成及與基材的電接觸， 指示製造序列起始於半導體基材的處理》隨後，在過程中 •於源、洩和閘極或射、基和集極陣列形成以後，使這些 元件接觸以形成電晶體陣列。製造的最後相將與電晶體陣 列互聯。於是，典型半導體積體電路利用很多層建立，起 始於一活性半導體基材。例如，在一典型矽Μ ◦ S電晶體 的製造中，層可包括一場氧化物、一閘電介質、一閘金屬 層、一第一級間電介質層、一第一級金屬互聯層' 一第二 級間電介質層、一第二級金屬層和一絕緣覆蓋層》在目前 半導體積體電路製造的基本序列中，金屬互聯層最後形成 。只要主要製造步驟在過程中先執行，則此序列是有利的 。此因素藉由使最可能處理失敗者在製造序列中先發生而 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 本紙張尺度適用中國國家標隼{ CNS > Α4規格（210X297公釐> -4 - A7 __4139.^1_Ξ_ 五、發明説明（） 2 減少裝置的成本》然而，此序列之一顯著缺點爲，由這些 較早的主要步驟形成之元件易受損於使裝置完成之隨後步 驟所使用的處理狀況。此對於半導體基材、基材中的不純 區域和半導體裝置元件與絕緣及接觸層之間的界面而言尤 真。裝置的這些部分對於熱特別敏感。於是，例如，用於 澱積金屬互聯層和級間電介質的技術已發展出來，而在熱 處理方面謹慎地加以限制。因此，已隨著時間而進展的典 型積體電路製造過程由於此廣爲人知的熱感受性而嚴重受 限制。 當積體電路裝置密度增加，更突顯互聯的問題。雖然 個別電晶體設計已採用目前的積體電路技術，但裝置密度 正在變大，以致於未來積體電路製造的主要步驟可能包含 金屬化和互聯操作。在那種狀況下，成本最低的過程將是 可最先形成互聯者。此外，縱然在較低成本的積體電路技 術中，其不需要高電晶體性能，互聯技術和強大的互聯策 略可能變成支配性的設計問題。 % 近年來，積體電路技術已建議使用有機半導體電晶體 。此電路的主要吸引力來自於預期容易處理及與撓性基材 的相容性。這些優點期待轉移至一低成本積體電路技術中 ’其適用於諸如聰明卡（s m a t c a r d )、電子標籤和顯示器 9 薄膜電晶體裝置描述於F· Garnier等人的科學期刊第 2 6 5 卷弟 1 6 8 4 — 1 6 8 6 頁，H. Koezuka 等人的應 用物理信件第62 (15)卷第17 94— 1796頁， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 -5- — 413951 B7 五、發明説明（） 3 Η Fuc hi garni等人的應用物理信件第6 3 ( 1 0 )卷第 1372-1374頁，G. HorowUz等人的應用物理期刊 第7 0 ( 1 )卷第4 6 9 - 4 7 5頁和G. HorowUz等人的 合成金屬期刊第42 — 43卷第1 1 27—1 1 30頁。 這些參考資料中所描述的裝置是根據諸如活性材料之聚合 物或低聚合物’與較早發展的無定形矽薄膜電晶體結構形 成對比。裝置典型上爲場效電晶體（場效電晶體s )。在 簡化處理和降低成本方面，聚合物活性裝置比半導體薄膜 電晶體更具有顯著的優點。它們亦與廣泛用於互聯基材的 聚合物基材相容。聚合物薄膜電晶體爲潛在撓性，而聚合 物薄膜電晶體積體電路可直接裝在撓性印刷電路板上。它 們亦具有熱膨脹的相容係數，以致於焊劑結合、導電性環 氧樹脂結合和其他互聯比半導體積體電路/聚合物互聯基 材組合遭受較少的應變。雖然Μ I S場效電晶體裝置最易 於在廣泛的商業應用中發現，但使用ρ型和η型有機活性 材料二者的薄膜電晶體裝置亦爲習知。參見授予3, Miyauchi等人的美國專利5 3 1 5 1 2 9號，合成金屬期 刊 41—43 (1991)第 1155 — 1158 頁，揭 示一接合型場效電晶體，其包括一層在η型矽上的ρ型聚 吩》 聚合物基薄膜電晶體裝置的最新發展揭示於1 9 9 6 年5月10日公告的美國專利5596208號、 1 9 97年4月2 9日公告的美國專利5 6 2 5 1 9 9號 和1 9 9 6年1 1月1 2日公告的美國專利 本紙張尺度逋用中國國家橾率（ CNS > Α4規格（210X297公釐） ' -6- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 413951 五、發明説明（） 4 5 5 7 4 2 9 1號，其全部附於此供暫告，特別吊於|兌明 有用的材料。藉由η型和p型活性聚合物材料二者的發展 ’如适些專利所述’則可容易地實現互補性積體電路，如 5 6 2 5 1 9 9號專利特別詳述者。 爲了定義，術語「有機半導體」意圖定義一種材料， 其含有一與其他兀素組合之貫質數量的碳，或包括碳元素 之一同素異形體，且在室溫（2 0°C)顯示至少1 平 方公分/V · s之電荷載體移動率。所討論之薄膜電晶體 的有機半導體導電率典型上在2 0°C時小於約丨 S /公 分。 雖然新薄膜電晶體裝置比起過去的半導體積體電路技 術已有顯著的發展’但這些裝置的構造和整體製造方法仍 緊緊遵循矽積體電路製造所用者。例如，縱然這些薄膜電 晶體裝置中的基材是主要元件，如同傳統積體電路構造， 不論從性能或製造良率的觀點而言，這些積體電路裝置是 藉由在一電晶體陣列中形成活性裝置然後形成互聯而一致 地產生。 發明槪述 我們已經發展出一種在積體電路製造中基本上爲新穎 的方法’其中互聯是在形成活性電晶體以前形成。由此序 列產生的積體電路裝置具有反相的結構，而互聯埋在基材 旁邊’活性元件則在頂部。此方法遵循電晶體製造序列的 分析’且使用有機半導體活性材料以移走傳統半導體積體 本紙張又度適用十國圉家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7413951_B7_五、發明説明（） 5 電路製造中所存在的主要污物。特別是，前述熱限制已除 去’可以廣泛地選擇製造互聯級的處理狀況。此外，如果 互聯策略、性能和良率在新的低成本薄膜電晶體技術中變 成具有支配性，本發明允許薄膜電晶體積體電路製造的互 聯相在序列中較早發生，於是提供更高良率與更低成本的 潛力。 圖式簡單說明 圖1 - 1 7是過程步驟的示意性代表，用於產生依據 本發明之一反相積體電路的一實施例；而 圖18是一反相積體電路的第二實施例之示意圖。 主要元件對照表 11 積體電路基材 12 第一級金屬 13 石版印刷遮罩 14 金屬澆槽 15 第一級間電介質 16 有圖案的遮罩 1 7 開口 18 級間窗 19 第二級金屬 2 1 遮罩 .2 2 澆槽___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4规格（210X297公董） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 ，8 - 413951 五、發明説明（） 6 2 3 第二級間電介質 2 4 閘 金 屬 層 2 5 閘 結 構 2 6 閘 電 介 質 2 7 源 / 洩 極 接 觸 層 2 8 傳 統 石 版 印 刷 罩 2 9 源 極 3 0 洩 極 3 1 活 性 半 導 體 本 體 4 1 η 型 ( 或 Ρ 型 ) 層 4 2 η 型 ( 或 Ρ 型 層 ) 4 3 閘 4 5 源 極 4 6 洩 極 4 7 第 一 級 金 屬 4 8 第 二 級 金 屬 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) T . J's° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 詳細說明 參考圖1’積體電路基材之一部分顯示在11。將繪 示單一的反相薄膜電晶體以求簡便’但可了解，單一裝置 代表一大積體陣列之裝置。而且，此處之圖所顯示的特性 未依據尺寸。 基材較佳爲絕綠材料，諸如玻璃或聚合物。其可爲剛 性或撓性’且其可包括一·環氧樹脂或陶瓷的標準印刷電路 本紙伕尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（2【OX297公釐） -9- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 413951 A7 :_____B7五、發明说明（） 7 基材。替代地’其可爲矽，S i 〇2絕緣層生長或澱積於其 上。第一級金屬顯示於1 2。在此反相結構中，此級稱爲 第一級，因爲其最先形成，但專精於此技藝者將明白，其 對應於傳統結構中的第二級金屬化3金屬可爲任何導電性 材料。標準積體電路技術的共同選擇爲鋁。然而，由於此 處所述結構的本性，導電性材料的選擇可從比通常所考慮 者更大的範圍中爲之，包含標準材料，即，鋁， T iPdAu、TiPtAu、TaN'TiN 等，以及 非傳統适擇’最著名者爲銅，與諸如含有金 屬之聚合物油墨的導電性聚合物。聚合物導體的使用有助 於需要稍微撓性的應用。澱積技術的選擇亦較廣，因爲在 處理中之此階段的結構，與在此階段的傳統積體電路處理 相比，沒有熱敏感性成份。於是，如果不考慮方便性和成 本效益的話’此殿積步驟，與兩於形成二級或多級金屬化 互聯的接續澱積和蝕刻步驟，可包含顯著的基材加熱。於 是’金屬層可蒸發或濺蝕。金屬層的厚度可廣泛加以改變 ’但典型上在0.05至2微米的範圍。 次一步驟’由圖2代表，是使用一石版印刷遮罩1 3 ，典型上爲光石版印刷遮罩，以將第一級金屬化賦予圖案 ’但可使用e光線或X光石版印刷形成a其他遮罩步驟， 待說明於下，亦可使用這些替代的石版印刷技術》第一金 屬層接著藉由例如電漿或R I E蝕刻之標準蝕刻陚予圖案 ，以產生圖3所示之金屬澆槽（runner) 1. 4圖案。 藉由可用之導電性材料的廣大選擇範圍|則在互聯密 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 本紙乐尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!0X297公釐） -10- 413951 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_____ 五、發明説明（） 8 度不大的應用中，使用篩網印刷 '模版印刷、噴墨印刷或 類似技術以將電路直接印刷是有用的。 參考圖4，第一級間電介質1 5形成於第一級金屬圖 案上，如圖示。在依據本發明之結構中的級間電介質可爲 各種絕緣材料，諸如旋壓玻璃（S 〇 G )、或由例如 CVD澱積的S i 3N4或S 1 〇2。在此處所述的薄膜電 晶體結構中，所預期者爲，聚合物的使用’自簡化處理和 成本二者的觀點而言，只要它們有效的地方皆係所欲者1 且亦用以產生可忍受應變的積體電路結構’即’稍具撓性 。因此，就此應用而言，建議使用聚醯亞胺或類似的有機 聚合物絕緣材料絕緣體。一適當材料爲曰產化學公司提供 而名稱爲RN - 8 1 2的聚醯亞胺。此材料可以容易地產 生於具備0 . 1 - 1微米厚度之層中，其具有所欲的絕緣 性質。有機絕緣體的應用技術典型上爲旋壓塗層或溶解鑄 造。某些無機絕緣體，著名者爲旋壓玻璃，亦具有方便應 用的性質。在某些應用中，其中不需要圖案的尺寸，電介 質層可施加成一有圖案的層，其已含有ί及間窗。 需要時，級間電介質接著以有圖案的遮罩1 6加以遮 罩，如圖5所示，而藉由開口 1 7暴露於抗蝕劑中的電介 質層1 5部分被蝕刻以形成一窗’以將第一和第二級互聯 。遮罩開口對準第一級互聯圖案中的金屬澆槽1 4。爲簡 便起見，顯示單一級間互聯，但一典型積體電路將具有很 多此類級間互聯。這些級間互聯爲標準型，而形成級間窗 的技術是廣爲人知的。例如’如果電介質層爲S i ◦ 2，則 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度逍用中國國家#準（CNS )八4規格（21〇Χ297公釐} -11 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 413951_^____五、發明説明（） 9 窗可由電漿蝕刻或R I E形成。所產生的結構顯示於圖6 ，而級間窗1 8形成於電介質層1 5中。 第二級金屬1 9澱積於第一級間電介質1 5上，如圖 7所示。第二級金屬可相同於，或不同於第一級金屬3第 二級金屬利用遮罩2 1以類似於第一級的方式施加圖案， 如圖8與9所示。第二級金屬化中的澆槽2 2之一 ’如所 示，與在級間窗1 8的第一級金屬化1 4互聯。 下一步驟是形成第二級間電介質2 3，如圖1 〇所示 。此層可以類似於層1 5的方式形成，而級間電介質2 3 亦設有貫穿孔或窗（未顯示），以供第二級與其次將形成 的閘級之間的級間互聯。 閘級金屬，在傳統結構中通常爲第一級金屬，且通常 爲多晶矽，在本發明的序列中較晚形成，且可包括各種金 屬 <=一般的需求一閘級金屬必須較爲耐火以忍受傳統的植 入驅動步驟，在本發明的過程中已免除，所以，閑材料可 從很多材料中選擇，甚至於鋁或銅亦可。然而，此技藝在 以生長的S i 0 2絕緣之矽閘方面具有廣泛的經驗。以 T a N或T i N絕緣的鉅閘亦適甩。閘金屬層2 4顯示於 圖1 1 ，其殿積於第二級間電介質層2 2上且澱積於將閘 與第一級金屬互聯的窗（未顯示）內。閘金屬層接著藉由 傳統石版印刷而施加圖案（圖1 2 )，以形成閘結構2 5 。導電性聚合物亦適用於閘金屬，且與此處所述結構中的 其他元件特別相容。 然後，閘電介質2 6形成於結構上’如圖1 3所示。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS 規格（210X297公釐） -12- 413951 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 _五、發明説明（） 10 閘電介質可爲如上述的傳統氧化物或氮化物，或可爲 S 0 G或諸如聚醯亞胺的有機絕緣體，其可藉由旋壓技術 而傳統地形成。已成功使用於此應用中的此類材料之一例 是預亞胺化的聚醯亞胺，由日產化學公司供應，其名稱爲 SE — 1 1 80。此材料可以每分鐘400 0轉旋壓且在 1 2 0°C固化2小時，以產生厚度爲7 0毫微米的塗層。 需要時，閘材料可爲多晶矽，且閘電介質在多晶矽上生長 成一表面層，在該事例中，閘電介質層2 6將不像圖1 1 —般遮蓋整個第二級間電介質。 源/洩極接觸層2 7接著澱積於結構上，如圖1 4所 示，然後利用傳統石版印刷遮罩2 8施加圖案，如圖1 5 所示|以界定源極29與洩極30 *如圖1 6所示。替代 地，源與洩極可利用習知添加技術形成。源極與洩極材料 可爲多晶矽或很多金屬導體之一，或可爲諸如poly aniline 的有機導體。就展示應用而言，電極可爲銦錫氧化物。在 本發明所產生的產品中，源與洩極爲金。 本發明之過程的最後基本步驟，其在傳統場效電晶體 過程中爲第一步驟，繪示於圖1 7，且係活性半導體本體 3 1之形成，其中實現場效應，且其中場效電晶體頻道延 伸於源極2 9與洩極3 0之間。本發明中，活性材料較佳 爲有機半導體，但亦可爲諸如無定形矽、多晶矽、 C d S e、T i 〇2 ' Z nO、C u」S之無機薄膜電晶體 材料。作爲無機材料使用之一例，未摻雜質的α - S :可 藉由電漿增強化學蒸氣澱積（P E — C V D )或R F濺蝕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -13 - 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 413951 A7 ___B7 _五、發明説明（） 11 加以澱積。 已發展出各種有機半導體，以用於薄膜電晶體裝置。 其爲： ί .二萘嵌苯四羧基雙脫水物（PTCDA)、 Ρ 丁 c D Α的亞胺衍生物； ϋ·萘烯四羧基雙脫水物（NTCDA); ϋΐ .氟化銅酞花青； iv . α —聯六噻吩； V.聚合物基體中的ρ，ρ’ 一二氨基雙苯類； vi .並四苯或並五苯，或其終端代替衍生物： vfi 噻吩的低聚合物，低聚合度24且各8，經由2 一與5 -碳鍵結： νΐϊ 亞噻吩基與亞乙烯的替代共低聚合物，以噻吩作 爲終止群與3 - 6噻吩環，經由其2 —與5 —碳鍵結： 1-\.苯並〔1，2 —乜：4,5 — 13，〕二噻吩的 線性二聚物與三聚物： X · V · vi .與vii .的低聚合物，而取代物（例如， 具備1 - 2 0碳的烷基取代物）在終端噻吩的4 -或5 -碳上； X ί · a —六噻吩； X ϋ ,規則位向聚（噻吩）。 Ρ與η型材料包含於此表中，且需要時可聯合以用於 互補性積體電路= 先前步驟序列所說明與產生的薄膜電晶體結構只是本 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ' -14- ----------------ΤΓ------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7413951__j7_五、發明説明（） 12 發明可應用的薄膜電晶體之一型 '另一型顯示於圖1 8。 此裝置是〗-場效電晶體之一修改型’而η型（或p型） 層4 1與η型（或ρ型）層4 2 —起形成ρ - η接合。閘 4 3控制源極4 5與洩極4 6之間的頻道夾斷。第一級金 屬顯示於4 7，第二級金屬4 8基本上與配合圖1 7的場 效電晶體所述者相同。 如上述，爲簡化起見，閘級之間的互聯，或源極與洩 極級，及互聯級未顯示，但係標準型。例如，圖1 8中的 閘4 3與第一級金屬澆槽4 7之間的互聯可經由一通過層 4 2，且通過一覆蓋絕緣層一如果存在的話一之窗而爲之 。與閘4 3的接觸將經由層4 3之一延伸（在圖示平面之 法向）或通過一在覆蓋絕緣層中的開口而直接爲之_。在圖 1 7之裝置的事例中，閘與第二級金屬澆槽（或在單一金 屬化級積體電路中的第一級澆槽）之間的級間互聯將經由 第二級間電介質而爲之=> 圖1 7與1 8所示裝置是場效電晶體之一般性分類的 代表，且展示可應用至任何型式場效電晶體裝置之本發明 的原則，即，互聯級最先而電晶體最後形成。 如前述，圖中的特性不必然依據尺寸。活性裝置一即 ’薄膜電晶體一的尺寸可利用細線技術做成很小。特別是 ，源極至洩極的間隔可爲5毫微米或更少。在這些小尺寸 處，單一聚合物鏈，或一些有機分子跨越源極至洩極的距 離。藉由此一積體電路技術，可以達成極高的積體密度。 有機/聚合物半導體的分子本性允許此電晶體的尺寸收縮 本紙浪尺度適用中國國家橾準（CMS ) Α4规格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 線 -15- 413951 a? B7 五、發明説明（） 13 至如此小的尺寸，且亦使個別電晶體之間可以有效隔離。 某些互聯的尺寸，例如，級2金屬上的功率與接地互聯’ 可顯著大於圖中所示者3 以上所提供與配合圖1 - 1 7所述的繪示例是用於一 具備二級互聯的裝置。本發明同樣可應用於具備一或甚至 於三級互聯的積體電路。本發明的一般特性是在一場效電 晶體形成於互聯級上以前形成至少一互聯級，而電晶體之 至少某些源極或洩極或閘極經由互聯級而互聯。 本發明的各種額外修改將可由專精於此技藝者思及。 來自於此說明書之特殊教誨的所有演變，其基本上根據此 技藝藉以進步的原則及其等效事物，係適當地認爲在如所 說明與宣佈之本發明的範疇內。 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
,1T 铸！ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙浪尺度通用中國國家標準（CNS > Α4規格（210X297公釐） -16-

Claims (1)

  1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 413951_gs8六、申請專利範圍 1 .—種積體電路（I C )裝置，包括： a . —基材，其頂表面包括一絕緣材料， b .至少一在該基材上的導電性互聯電路， c . 一遮蓋該至少一互聯電路的絕緣層，和 d ·複數形成於該絕緣層上的場效電晶體，該場效電 晶體各具有一源極、一洩極與一閘極，且其中至少某些源 極、洩極與閘極由該互聯電路互聯。 2 如申請專利範圍第1項之積體電路裝置，其中該 複數場效電晶體是薄膜電晶體。 3 ·如申請專利範圍第2項之積體電路裝置，其中該 複數薄膜電晶體具有一包括一有機半導體的活性區域。 4 .如申請專利範圍第3項之積體電路裝置，其中具 有至少二導電層，而一導電電路的區域和另一導電電路互 聯，且和至少某些源極、洩極與閘極互聯。 5 ·如申請專利範圍第3項之積體電路裝置，其中該 絕緣層是一有機聚合物。 6 .如申請專利範圍第5項之積體電路裝置，其中該 導電電路包括一有機聚合物。 7 ·如申請專利範圍第1項之積體電路裝置，其中該 源極與該洩極相隔的距離小於5毫微米。 8 · —種製造積體電路之方法，包括的步驟有： a .形成一導電層於一絕緣基材上， b .以石版印刷施加圖案於該導電層，以形成一互聯 電路， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 本紙張尺度適用中國國家捸準（CNS > A4規格（2丨0X2S»7公釐） -17- 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 413951 5« cs D8 ____ 六、申請專利範圍 C .澱積一絕緣層於該互聯電路上， d .產生該絕緣層的的第一部分，其他部分保持暴露 e .蝕刻該絕緣層的暴露部分以形成複數開口，該開 口對準該互聯電路部分， f .形成複數場效電晶體於該絕緣層上，和 g.使該複數場效電晶體與該互聯電路互聯。 9 .如申請專利範圍第8項之方法，其中該場效電晶 體藉由下列步驟而形成，包括： i .彤成一場效電晶體閘， Π .形成一閘電介質層於該場效電晶體閘上， iii .形成隔開的源與洩極，和 iv ·形成一活性層於該源與洩極之間，該活性層包括 一有機半導體。 1 0 .如申請專利範圍第9項之方法，其中該有·機年; 導體是從基本上由以下所組成的群選出的材g : i .二萘嵌苯四羧基雙脫水物（PTC da)、 P T C D A的亞胺衍生物； Π.萘烯四羧基雙脫水物（NTCDA)； iii .氟化銅酞花青： iv . α —聯六噻吩： ν.聚合物基體中的ρ，ρ’ _二氨基雙苯類； vi ·並四苯或並五苯，或其終端代替衍生物； Vii ·噻吩的低聚合物，低聚合度㊂4且s 8，經由2 本紙張尺度適用中國國家榇率（CNS ) A4規格（210X297公兼^} ~~ — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 " -18- 413951 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 —與5 ~碳鍵結； V111 ·亞噻吩基與亞乙烯的替代共低聚合物，以噻吩作 爲終止群與3 - 6噻吩環，經由其2_與5 一碳鍵結； lx.苯並〔l’2-b:4，5-b，〕二噻吩的 線性二聚物與三聚物； X · v · Vi ‘與νϋ .的低聚合物，而取代物（例如， 具備1 ~ 2 0碳的烷基取代物）在終端噻吩的4 —或5 -ι碳上； X 1 ，a —六噻吩； X ϋ .規則位向聚（噻吩）。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項之方法，其中該絕緣 層包括一有檄聚合物。 1 2 .如申請專利範圍第丨1項之方法，其中該互聯 電路包括一有機聚合物。 (请先閱讀背面之注意事項其填客本頁) 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度逋用中a國家揉準（CNS ) A4規名 ( 210X297公釐） -19-
TW088110493A 1998-08-20 1999-06-22 Thin film transistors TW413951B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/137,920 US6215130B1 (en) 1998-08-20 1998-08-20 Thin film transistors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW413951B true TW413951B (en) 2000-12-01

Family

ID=22479639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088110493A TW413951B (en) 1998-08-20 1999-06-22 Thin film transistors

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6215130B1 (zh)
EP (1) EP0981165A1 (zh)
JP (1) JP2000068523A (zh)
KR (1) KR100667603B1 (zh)
TW (1) TW413951B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8264027B2 (en) 2006-08-24 2012-09-11 Kovio, Inc. Printed non-volatile memory

Families Citing this family (135)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU3987299A (en) 1998-05-12 1999-11-29 E-Ink Corporation Microencapsulated electrophoretic electrostatically-addressed media for drawing device applications
EP1196814A1 (en) * 1999-07-21 2002-04-17 E Ink Corporation Use of a storage capacitor to enhance the performance of an active matrix driven electronic display
WO2001017040A1 (en) 1999-08-31 2001-03-08 E Ink Corporation A solvent annealing process for forming a thin semiconductor film with advantageous properties
EP1208603A1 (en) 1999-08-31 2002-05-29 E Ink Corporation Transistor for an electronically driven display
US6580127B1 (en) * 1999-09-30 2003-06-17 International Business Machines Corporation High performance thin film transistor and active matrix process for flat panel displays
DE10033112C2 (de) * 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
US6414164B1 (en) * 2000-07-12 2002-07-02 International Business Machines Corporation Synthesis of soluble derivatives of sexithiophene and their use as the semiconducting channels in thin-film filed-effect transistors
DE10057665A1 (de) * 2000-11-21 2002-06-06 Siemens Ag Integrierte Schaltung und Herstellungsverfahren dazu
JP2004507096A (ja) * 2000-08-18 2004-03-04 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト 有機電界効果トランジスタ（ｏｆｅｔ），該有機電界効果トランジスタの製造方法、前記有機電界効果トランジスタから形成される集積回路、及び該集積回路の使用
US7875975B2 (en) * 2000-08-18 2011-01-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic integrated circuit completely encapsulated by multi-layered barrier and included in RFID tag
DE10043204A1 (de) * 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
DE10044842A1 (de) * 2000-09-11 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters
DE10045192A1 (de) 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
DE10061299A1 (de) * 2000-12-08 2002-06-27 Siemens Ag Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu
DE10061297C2 (de) * 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
DE10063721A1 (de) * 2000-12-20 2002-07-11 Merck Patent Gmbh Organischer Halbleiter, Herstellungsverfahren dazu und Verwendungen
DE10105914C1 (de) * 2001-02-09 2002-10-10 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung
US20040094771A1 (en) * 2001-03-26 2004-05-20 Adolf Bernds Device with at least two organic electronic components and method for producing the same
DE10126859A1 (de) * 2001-06-01 2002-12-12 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen
DE10126860C2 (de) * 2001-06-01 2003-05-28 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen
CN101108783B (zh) * 2001-08-09 2012-04-04 旭化成株式会社 有机半导体元件
KR100428002B1 (ko) * 2001-08-23 2004-04-30 (주)그라쎌 유기 고분자 게이트 절연막을 구비하는 유기 반도체트랜지스터의 제조 방법
US6734038B2 (en) * 2001-09-04 2004-05-11 The Trustees Of Princeton University Method of manufacturing high-mobility organic thin films using organic vapor phase deposition
DE10151036A1 (de) * 2001-10-16 2003-05-08 Siemens Ag Isolator für ein organisches Elektronikbauteil
DE10151440C1 (de) * 2001-10-18 2003-02-06 Siemens Ag Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
JP4275336B2 (ja) * 2001-11-16 2009-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE10160732A1 (de) * 2001-12-11 2003-06-26 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung und Verwendung dazu
JP4247377B2 (ja) * 2001-12-28 2009-04-02 独立行政法人産業技術総合研究所 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US6949762B2 (en) * 2002-01-11 2005-09-27 Xerox Corporation Polythiophenes and devices thereof
US6768132B2 (en) 2002-03-07 2004-07-27 3M Innovative Properties Company Surface modified organic thin film transistors
DE10212640B4 (de) * 2002-03-21 2004-02-05 Siemens Ag Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren
US7190008B2 (en) 2002-04-24 2007-03-13 E Ink Corporation Electro-optic displays, and components for use therein
DE10226370B4 (de) * 2002-06-13 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET)
EP1525630A2 (de) 2002-07-29 2005-04-27 Siemens Aktiengesellschaft Elektronisches bauteil mit vorwiegend organischen funktionsmaterialien und herstellungsverfahren dazu
WO2004020057A1 (de) * 2002-08-08 2004-03-11 Siemens Aktiengesellschaft Elektronisches gerät
CN100338791C (zh) 2002-08-23 2007-09-19 波尔伊克两合公司 用于过电压保护的有机元件及相关电路
KR100524552B1 (ko) * 2002-09-28 2005-10-28 삼성전자주식회사 유기 게이트 절연막 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터
US20060118778A1 (en) * 2002-11-05 2006-06-08 Wolfgang Clemens Organic electronic component with high-resolution structuring and method for the production thereof
DE10253154A1 (de) * 2002-11-14 2004-05-27 Siemens Ag Messgerät zur Bestimmung eines Analyten in einer Flüssigkeitsprobe
ATE540436T1 (de) * 2002-11-19 2012-01-15 Polyic Gmbh & Co Kg Organisches elektronisches bauelement mit gleichem organischem material für zumindest zwei funktionsschichten
EP1563553B1 (de) * 2002-11-19 2007-02-14 PolyIC GmbH & Co. KG Organische elektronische schaltung mit stukturierter halbleitender funktionsschicht und herstellungsverfahren dazu
KR100508545B1 (ko) * 2002-12-14 2005-08-17 한국전자통신연구원 수직 구조의 반도체 박막 트랜지스터
US6869821B2 (en) * 2002-12-30 2005-03-22 Xerox Corporation Method for producing organic electronic devices on deposited dielectric materials
DE10300521A1 (de) * 2003-01-09 2004-07-22 Siemens Ag Organoresistiver Speicher
DE10302149A1 (de) * 2003-01-21 2005-08-25 Siemens Ag Verwendung leitfähiger Carbon-black/Graphit-Mischungen für die Herstellung von low-cost Elektronik
WO2004066348A2 (de) * 2003-01-21 2004-08-05 Polyic Gmbh & Co. Kg Organisches elektronikbauteil und verfahren zur herstellung organischer elektronik
US7973313B2 (en) * 2003-02-24 2011-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit device, IC label, container comprising the thin film integrated circuit, manufacturing method of the thin film integrated circuit device, manufacturing method of the container, and management method of product having the container
US20040169176A1 (en) * 2003-02-28 2004-09-02 Peterson Paul E. Methods of forming thin film transistors and related systems
JP2004349583A (ja) * 2003-05-23 2004-12-09 Sharp Corp トランジスタの製造方法
KR100995451B1 (ko) * 2003-07-03 2010-11-18 삼성전자주식회사 다층 구조의 게이트 절연막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
DE10330062A1 (de) * 2003-07-03 2005-01-27 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von organischen Schichten
DE10330064B3 (de) * 2003-07-03 2004-12-09 Siemens Ag Logikgatter mit potentialfreier Gate-Elektrode für organische integrierte Schaltungen
US7109519B2 (en) * 2003-07-15 2006-09-19 3M Innovative Properties Company Bis(2-acenyl)acetylene semiconductors
DE10338277A1 (de) * 2003-08-20 2005-03-17 Siemens Ag Organischer Kondensator mit spannungsgesteuerter Kapazität
DE10339036A1 (de) 2003-08-25 2005-03-31 Siemens Ag Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu
DE10340644B4 (de) * 2003-09-03 2010-10-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Mechanische Steuerelemente für organische Polymerelektronik
DE10340643B4 (de) * 2003-09-03 2009-04-16 Polyic Gmbh & Co. Kg Druckverfahren zur Herstellung einer Doppelschicht für Polymerelektronik-Schaltungen, sowie dadurch hergestelltes elektronisches Bauelement mit Doppelschicht
KR101012950B1 (ko) * 2003-10-15 2011-02-08 삼성전자주식회사 유기 절연체 형성용 조성물 및 이를 이용하여 제조된 유기절연체
KR20050058062A (ko) * 2003-12-11 2005-06-16 삼성전자주식회사 유기절연막 형성용 조성물 및 이를 사용하여 제조된유기절연막
DE10361713B4 (de) * 2003-12-30 2008-02-07 Qimonda Ag Verwendung von Charge-Transfer-Komplexen aus einem Elektronendonor und einem Elektronenakzeptor als Basis für resistive Speicher und Speicherzelle enthaltend diese Komplexe
DE102004002024A1 (de) * 2004-01-14 2005-08-11 Siemens Ag Organischer Transistor mit selbstjustierender Gate-Elektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
US7838871B2 (en) 2004-03-24 2010-11-23 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic field-effect transistor, flat panel display device including the same, and a method of manufacturing the organic field-effect transistor
EP1580822A1 (de) * 2004-03-24 2005-09-28 Samsung SDI Co., Ltd. Organischer Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung
JP5108210B2 (ja) * 2004-06-21 2012-12-26 三星電子株式会社 有機絶縁膜組成物およびこれを用いた有機絶縁膜のパターン形成方法および有機薄膜トランジスタおよびこれを含む表示素子
US20050279995A1 (en) * 2004-06-21 2005-12-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for preparing organic insulating film and organic insulating film prepared from the same
DE102004040831A1 (de) * 2004-08-23 2006-03-09 Polyic Gmbh & Co. Kg Funketikettfähige Umverpackung
US20060088962A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Herman Gregory S Method of forming a solution processed transistor having a multilayer dielectric
US7265003B2 (en) * 2004-10-22 2007-09-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a transistor having a dual layer dielectric
DE102004059465A1 (de) * 2004-12-10 2006-06-14 Polyic Gmbh & Co. Kg Erkennungssystem
DE102004059464A1 (de) * 2004-12-10 2006-06-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbauteil mit Modulator
DE102004059467A1 (de) * 2004-12-10 2006-07-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Gatter aus organischen Feldeffekttransistoren
DE102004063435A1 (de) 2004-12-23 2006-07-27 Polyic Gmbh & Co. Kg Organischer Gleichrichter
KR101086159B1 (ko) * 2005-01-07 2011-11-25 삼성전자주식회사 불소계 고분자 박막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
KR101102222B1 (ko) * 2005-02-04 2012-01-05 삼성전자주식회사 전기장 처리를 이용한 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
DE102005009819A1 (de) 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe
DE102005009820A1 (de) * 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen
KR101133767B1 (ko) * 2005-03-09 2012-04-09 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JPWO2006103853A1 (ja) * 2005-03-25 2008-09-04 国立大学法人東京工業大学 二酸化チタンを活性層として用いる半導体装置およびその製造方法
DE102005017655B4 (de) * 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102005035590A1 (de) * 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronisches Bauelement
DE102005042166A1 (de) * 2005-09-06 2007-03-15 Polyic Gmbh & Co.Kg Organisches Bauelement und ein solches umfassende elektrische Schaltung
DE102005044306A1 (de) * 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
KR101139052B1 (ko) * 2005-12-06 2012-04-30 삼성전자주식회사 불소를 포함하는 유기절연체 조성물 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터
KR101186740B1 (ko) * 2006-02-17 2012-09-28 삼성전자주식회사 뱅크형성 방법 및 이에 의해 형성된 뱅크를 함유하는 유기박막 트랜지스터
KR101186725B1 (ko) * 2006-02-21 2012-09-28 삼성전자주식회사 불소계 고분자 박막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법
KR101249097B1 (ko) * 2006-05-04 2013-03-29 삼성전자주식회사 유기절연막 조성물, 유기절연막의 형성방법 및 이에 의해형성된 유기절연막을 함유하는 유기박막 트랜지스터
KR101120450B1 (ko) 2006-08-04 2012-03-14 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 절연층, 전자 디바이스, 전계 효과 트랜지스터 및 폴리비닐티오페놀
US20080054258A1 (en) * 2006-08-11 2008-03-06 Basf Aktiengesellschaft Use of perylene diimide derivatives as air-stable n-channel organic semiconductors
KR101258294B1 (ko) * 2006-11-13 2013-04-25 삼성전자주식회사 가교성 유기 절연체 형성용 조성물 및 이를 이용하여제조된 유기 절연체
KR20080068240A (ko) * 2007-01-18 2008-07-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR101430260B1 (ko) * 2007-01-24 2014-08-14 삼성전자주식회사 티아졸 함유 유기반도체 고분자, 이의 제조방법 및 이를이용한 유기박막트랜지스터
KR20080101229A (ko) * 2007-05-16 2008-11-21 삼성전자주식회사 액정성을 가지는 유기반도체 고분자, 이의 제조방법 및이를 이용한 유기박막트랜지스터
KR101353824B1 (ko) * 2007-06-12 2014-01-21 삼성전자주식회사 유기 절연체 형성용 조성물 및 이를 이용하여 제조된 유기절연체
US7768080B2 (en) * 2007-07-30 2010-08-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multilayer dielectric
KR101377842B1 (ko) * 2007-11-08 2014-03-25 삼성전자주식회사 페닐렌 비닐렌-바이아릴렌 비닐렌 교호공중합체, 이의제조방법 및 이를 포함하는 유기박막 트랜지스터
KR101377924B1 (ko) 2007-11-08 2014-03-25 삼성전자주식회사 페닐렌 비닐렌-올리고아릴렌 비닐렌 교호공중합체, 이의제조방법 및 이를 포함하는 유기박막 트랜지스터
KR101371998B1 (ko) 2008-01-25 2014-03-07 삼성전자주식회사 절연체 형성용 조성물 및 이를 이용하는 유기 절연체
KR101450137B1 (ko) 2008-01-25 2014-10-13 삼성전자주식회사 유기반도체용 공중합체 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터 및 유기 전자소자
WO2010032834A1 (ja) * 2008-09-22 2010-03-25 セイコーエプソン株式会社 有機半導体装置、有機半導体装置の製造方法、電子デバイス、電子機器および絶縁層形成組成物
JP5470787B2 (ja) * 2008-09-22 2014-04-16 セイコーエプソン株式会社 有機半導体装置、有機半導体装置の製造方法、電子デバイスおよび電子機器
JP5470788B2 (ja) * 2008-09-22 2014-04-16 セイコーエプソン株式会社 有機半導体装置、有機半導体装置の製造方法、電子デバイスおよび電子機器
KR100975913B1 (ko) * 2008-10-31 2010-08-13 한국전자통신연구원 유기 박막 트랜지스터용 조성물, 이를 이용하여 형성된 유기 박막 트랜지스터 및 그 형성방법
KR101648072B1 (ko) * 2009-07-03 2016-08-12 삼성전자 주식회사 유기 반도체 고분자 및 이를 포함하는 트랜지스터
JP2011035037A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Sony Corp 回路基板の製造方法および回路基板
KR101644048B1 (ko) * 2009-08-25 2016-07-29 삼성전자 주식회사 유기 반도체 고분자 및 이를 포함하는 트랜지스터
TWI426566B (zh) * 2009-11-05 2014-02-11 Univ Nat Taiwan 薄膜電晶體與其製法
US8288767B2 (en) * 2010-01-04 2012-10-16 National Taiwan University Thin-film transistor and forming method thereof
KR101730617B1 (ko) 2010-11-22 2017-04-27 삼성전자주식회사 유기 반도체 소자용 조성물 및 이로부터 얻어지는 고분자를 포함하는 트랜지스터와 전자 소자
KR102011872B1 (ko) 2011-01-04 2019-08-19 삼성전자주식회사 낮은 밴드 갭을 갖는 유기 반도체 화합물 및 이를 포함하는 트랜지스터와 전자 소자
US20120168726A1 (en) 2011-01-05 2012-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic semiconductor compound, and transistor and electronic device including the same
US8368053B2 (en) * 2011-03-03 2013-02-05 International Business Machines Corporation Multilayer-interconnection first integration scheme for graphene and carbon nanotube transistor based integration
US8658805B2 (en) 2011-11-07 2014-02-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Fused polyheteroaromatic compound, organic thin film including the compound, and electronic device including the organic thin film
US8878169B2 (en) * 2012-02-07 2014-11-04 Polyera Corporation Photocurable polymeric materials and related electronic devices
KR101889004B1 (ko) 2012-04-20 2018-08-20 삼성전자주식회사 축합다환 헤테로방향족 화합물, 이를 포함하는 유기 박막 및 상기 유기 박막을 포함하는 전자 소자
US8692238B2 (en) 2012-04-25 2014-04-08 Eastman Kodak Company Semiconductor devices and methods of preparation
EP2671880B1 (en) 2012-06-05 2015-09-16 Samsung Electronics Co., Ltd Fused polycyclic heteroaromatic compound, organic thin film including compound and electronic device including organic thin film
US9721697B2 (en) 2012-11-08 2017-08-01 Eastman Kodak Company Organic polymeric bi-metallic composites
US8779415B2 (en) 2012-11-08 2014-07-15 Eastman Kodak Company Devices containing organic polymeric multi-metallic composites
JP6274112B2 (ja) 2012-12-12 2018-02-07 株式会社ニコン 組成物、積層体、積層体の製造方法、トランジスタおよびトランジスタの製造方法
JP6375952B2 (ja) 2013-01-07 2018-08-22 株式会社ニコン 組成物、積層体、積層体の製造方法、トランジスタおよびトランジスタの製造方法
JP6221074B2 (ja) * 2013-03-22 2017-11-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置
EP2884542A3 (en) * 2013-12-10 2015-09-02 IMEC vzw Integrated circuit device with power gating switch in back end of line
CN106688050B (zh) 2014-06-11 2018-09-18 伊斯曼柯达公司 具有带含硫代硫酸盐聚合物的电介质层的器件
EP3186248B1 (en) * 2014-08-28 2022-04-20 Clap Co., Ltd. Thin film semiconductor comprising small-molecular semiconducting compound and non-conductive polymer
GB201418610D0 (en) * 2014-10-20 2014-12-03 Cambridge Entpr Ltd Transistor devices
EP3050887B1 (en) 2015-01-29 2017-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Fused polycyclic heteroaromatic compound, organic thin film including compound and electronic device including organic thin film
US9876090B1 (en) * 2016-06-30 2018-01-23 International Business Machines Corporation Lattice matched and strain compensated single-crystal compound for gate dielectric
CN108365095A (zh) * 2017-09-30 2018-08-03 广东聚华印刷显示技术有限公司 薄膜晶体管及其制备方法
KR102464890B1 (ko) 2017-10-18 2022-11-07 삼성전자주식회사 축합다환 헤테로방향족 화합물, 유기 박막 및 전자 소자
US20220045274A1 (en) * 2020-08-06 2022-02-10 Facebook Technologies Llc Ofets having organic semiconductor layer with high carrier mobility and in situ isolation
KR20230079161A (ko) 2020-10-02 2023-06-05 셀링크 코포레이션 가요성 상호접속 회로를 연결하기 위한 방법 및 시스템
CN116326219B (zh) * 2020-10-02 2024-03-26 塞林克公司 与柔性互连电路形成连接
KR20220084837A (ko) 2020-12-14 2022-06-21 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60123073A (ja) * 1983-12-08 1985-07-01 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜太陽電池
JPH0612799B2 (ja) * 1986-03-03 1994-02-16 三菱電機株式会社 積層型半導体装置およびその製造方法
US5006913A (en) * 1988-11-05 1991-04-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Stacked type semiconductor device
FR2664430B1 (fr) * 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
JP2923700B2 (ja) * 1991-03-27 1999-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US5425816A (en) * 1991-08-19 1995-06-20 Spectrolab, Inc. Electrical feedthrough structure and fabrication method
US5321286A (en) * 1991-11-26 1994-06-14 Nec Corporation Non-volatile semiconductor memory device having thin film memory transistors stacked over associated selecting transistors
KR0128826B1 (ko) * 1993-12-31 1998-04-08 김주용 디램셀 제조방법
US5612552A (en) * 1994-03-31 1997-03-18 Lsi Logic Corporation Multilevel gate array integrated circuit structure with perpendicular access to all active device regions
US5742075A (en) * 1994-10-07 1998-04-21 Iowa State University Research Foundation, Inc. Amorphous silicon on insulator VLSI circuit structures
TW293172B (zh) * 1994-12-09 1996-12-11 At & T Corp
US5574291A (en) * 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
JPH08167630A (ja) * 1994-12-15 1996-06-25 Hitachi Ltd チップ接続構造
US5670387A (en) * 1995-01-03 1997-09-23 Motorola, Inc. Process for forming semiconductor-on-insulator device
JP3994441B2 (ja) * 1995-01-09 2007-10-17 松下電器産業株式会社 電界効果トランジスタ
US5659181A (en) * 1995-03-02 1997-08-19 Lucent Technologies Inc. Article comprising α-hexathienyl
US5625199A (en) * 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
US5731216A (en) * 1996-03-27 1998-03-24 Image Quest Technologies, Inc. Method of making an active matrix display incorporating an improved TFT
US5886410A (en) * 1996-06-26 1999-03-23 Intel Corporation Interconnect structure with hard mask and low dielectric constant materials
US5822856A (en) * 1996-06-28 1998-10-20 International Business Machines Corporation Manufacturing circuit board assemblies having filled vias
US5770482A (en) * 1996-10-08 1998-06-23 Advanced Micro Devices, Inc. Multi-level transistor fabrication method with a patterned upper transistor substrate and interconnection thereto
JPH10189759A (ja) * 1996-12-26 1998-07-21 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
US5981970A (en) * 1997-03-25 1999-11-09 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic semiconductor requiring low operating voltages
US5976974A (en) * 1997-04-22 1999-11-02 W. L. Gore & Associates, Inc. Method of forming redundant signal traces and corresponding electronic components
US5888872A (en) * 1997-06-20 1999-03-30 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming source drain junction areas self-aligned between a sidewall spacer and an etched lateral sidewall
US5998804A (en) * 1997-07-03 1999-12-07 Hna Holdings, Inc. Transistors incorporating substrates comprising liquid crystal polymers
US5936259A (en) * 1997-10-16 1999-08-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistor and organic semiconductor material thereof
US6030860A (en) * 1997-12-19 2000-02-29 Advanced Micro Devices, Inc. Elevated substrate formation and local interconnect integrated fabrication
US6136702A (en) * 1999-11-29 2000-10-24 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8264027B2 (en) 2006-08-24 2012-09-11 Kovio, Inc. Printed non-volatile memory
US8796774B2 (en) 2006-08-24 2014-08-05 Thin Film Electronics Asa Printed non-volatile memory

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000017418A (ko) 2000-03-25
JP2000068523A (ja) 2000-03-03
KR100667603B1 (ko) 2007-01-15
US6215130B1 (en) 2001-04-10
US6232157B1 (en) 2001-05-15
EP0981165A1 (en) 2000-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW413951B (en) Thin film transistors
JP4166485B2 (ja) 集積回路薄膜トランジスタデバイスの製造方法
US6284562B1 (en) Thin film transistors
Halik et al. Relationship between molecular structure and electrical performance of oligothiophene organic thin film transistors
US6891237B1 (en) Organic semiconductor device having an active dielectric layer comprising silsesquioxanes
Halik et al. Fully patterned all-organic thin film transistors
CN100414414C (zh) 有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
US6136702A (en) Thin film transistors
JP3994441B2 (ja) 電界効果トランジスタ
TW200522362A (en) Thin film transistor array panel using organic semiconductor and a method for manufacturing the same
JP2000029403A (ja) 有機発光ダイオ―ドとモノリシックに集積化された薄膜トランジスタ
JP2004228587A (ja) トランジスタからなる製品
US20070034860A1 (en) Field effect organic transistor
CN101192623A (zh) 具有双层电极的有机薄膜晶体管
US7259392B2 (en) Organic thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
US20080246095A1 (en) Ambipolar transistor design
EP2377178B1 (en) Method of manufacturing organic semiconductor nanofibrillar network dispersed in insulating polymer using a blend of organic semiconductor/insulating polymer and organic thin film transistor using the same
CN1716059A (zh) 有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
JP2002009290A (ja) 有機電子素子の製造方法、および、該製造方法により製造された有機電子素子
JP2010045366A (ja) 半導体ポリマー
US20060102954A1 (en) Organic thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
JP2010045367A (ja) 半導体ポリマーを備える電子デバイス
WO2007136619A2 (en) Solution processible materials and their use in electronic devices
JP5223294B2 (ja) 有機薄膜トランジスタの製造方法
JP2004095874A (ja) 有機半導体素子及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent