TW402817B - Photoelectric conversion apparatus and method of manufacturing the same - Google Patents

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TW402817B
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Shinnichi Hayashi
Akira Funakoshi
Akira Tago
Satoshi Okada
Shinichi Takeda
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Canon Kk
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Description

A7 B7 402817 五、發明説明Q ) 發明背景 發明領域 '本發明係關於一種光電轉換裝置，且更特別而言，係 關於一種使用大面稹處理而形成之光電轉換裝置，其適於 使用當成二維光電轉換裝置，以在例如，傳真裝置，數位 影印裝置*或X射線影像拾取器或影像拾取裝置中，執行 —對一讀取操作· 相關背景技藝 在習知技術中，使用含有降低光學系統和C C D型感 應器之讀取系統當成在傅真裝置，影印裝置，X射線拾取 裝置中之文件讀取器·以近來在典型的爲含氫非晶矽之光 電轉換半導體材料中（以下視爲a -Si)，在所謂的接 觸型感應器中有顯著的發展，其藉由形成光電轉換元件和 訊號處理單元在具有大面稹之基底上而得，且設計成經由 一對一光學系統而謓取資訊源之影像•由於a — S i不只 可使用當成一光電轉換材料，且亦可使用當成一薄膜場效 電晶體（以下稱爲TFT)，因此，光電轉換半導體層和 TFT半導體層可同時形成· 再者，例如薄膜場效電晶體之開關元件和電容元件可 展現良好的匹配，且具有相同的膜構造•因此，這些元件 可同時形成相同的膜•此外，具有較高S/N比之光電轉 換裝置可以低成本製造•再者，由於每個電容具有絕緣層 共同使用當成中介層，且可形成具有良好的特性’因此可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4规格（210X297公釐） II^---Jut,II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •1T- 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 -4 - 402817 A7 B7 五、發明説明（2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 提供一種髙效能光電轉換裝置，其可输出以簡單結構由多 數光電轉換元件而得之光學資訊之片之整合值•在使用低 成本，大面稹和高效能之光電轉換裝置下，可提供傳真裝 置或X射線裝置附加價值· 在製造具有大螢幕之光電轉換裝置中，在製造過程中 ，難以完全移去微小灰塵*特別是在沉稹非晶矽質在一基 底上之處理時，由薄膜沉稹裝置之壁所剝離之灰塵，和當 金靥層沉稹在一基底上時，，遺留在基底上之灰塵。因此， 當基底之尺寸增加時*則離以消除由灰塵等所引起之接線 (互接）錯誤，如接線層之短電路和開電路（斷開）*在 使用一基底之大螢幕光電轉換裝置1 2 1之製造中，如第 1圚所示，由於基底之尺寸之增加，每個基底之產量降低 ，且同時，每個基底之損失亦會增加· 經濟部中央標隼局員工消费合作社印裝 如上所述，使用一大面積基底難以充份的降低大面稹 光電轉換裝置之成本•在此狀況下，大面積光電轉換裝置 使用多數之基底•如矽晶片*或薄玻璃板製造，其具有光 電轉換元件形成在它們的表面上，且以陣列之形式安裝基 底在一基層上* 由2 A爲由二維安排多數之基底而得光電轉換裝置之 示意平面圖•第2圖B爲此裝置之示意側面圖·參考第2 圖A和2B，此裝置包括基底1和基層2 »黏劑5 1用以 固定基底1至基層2· 關於基底1方面，一般使用矽晶片或薄玻璃片*矽晶 片之厚度誤差爲± 2 5 #·薄玻璃片之厚度誤差爲土 本紙張尺度適用中國困家標準（CNS ) A4规格（2I0X297公釐） 5 402817 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 2 0 0 #·—般而言，半導髖元件形成在基底1之上表面 上•在安裝半導體元件在基底1上時*在許多例中，基底 1之下表面結合至基層2 · 但是*當基底1以黏劑5 1以一固定厚度固定至基層 2時，相關的基底1展現位準間隙，如此會導致對光電轉 換裝置之效能之顯著破壞· 第2圖B爲介於基底間之位準間隙B之示意側面圓。 爲了更容易了解起見，其，中強調了間隙B ·如第2圖B所 示，基底1之厚度Ti*!* 2展現了 一變化*因此，如果黏 劑5 1之厚度t 2固定，則相關基底1之上表面（半導體 元件部份）設定在不同位準上，如此導致介於基底1間之 位準間隙B · 由於介於基底間發生位準間隙B，介於形成在一給定 基底上之一磷，或一物體（原件），和一半導體元件間之 距離會超過容許之範围•結果，物體會在焦距外，而引起 在解晰度或靈敏度上之下降· 當磷結合至基底1之半導體元件表面時，由於在陣列 中之基底1之半導體元件表面具有不同的位準，則相當難 以緊密的結合磷至所有的基底1 *即使磷可結合至基底1 ，此種位準差異亦會引起磷之剝落· 在習知技藝中，爲了消除位準間隙B和在相同位準上 設定相關的基底，基底首先抛光至相同厚度。但是，此種 方法需要許多時間和許多步驟，如此導致成本之增加· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ! „ I, 1^5装 訂. , ^ k---^ <請先閱讀背面之注意事項再壤寫本頁) 40281? A7 __B7_____ 五、發明説明（4 ) 發明概要 本發明之目的乃在解決上述之問題，藉由形成一大面 稹光電轉換裝置，該光電轉換裝置由多數基底所構成，每 個基底上具有光電轉換元件，且其互相相鄰的安排•本發 明並用以改善光電轉換裝置之效能· 本發明之另一目的乃在完成一光電轉換裝置*該光電 轉換裝置由二維安排之多數基底所構成，其中介於基底間 之位準間隙可以簡單的:¾:法可消除，以解決例如聚焦錯誤 ，解晰度降低，靈敏度破壞，和結合至基底表面之磷之剝 落。 本發明之另一目的乃在提供一種光電轉換裝置，其中 在一基層上介於相鄰的基底間之空間中實質上並未產生任 何改變，且在光電轉換元件之節距上亦無任何變化· 本發明之另一目的乃在提供一種光電轉換裝置，其可 達到產品之高生產率和低成本，且可解決上述之問題，以 及用以製造該光電轉換裝置之方法· 經濟部中央標率局負工消費合作社印製 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之另一目的乃提供一種光電轉換裝置·其由多 數之半導體元件基底以一黏劑安排並固定在一基層上而構 成， 其中相對於該基層之多數基底之相對表面之位準依照 該黏劑之厚度而調整*該基底以該黏劑結合至基層，因此 ，該相對表面設定在相同平面內· 本發明之目的乃在提供一種光電轉換裝置，其由多數 之基底構成，每個基底具有光電轉換元件，且結合至互相 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 7 402817 A7 B7 五、發明説明（5 ) 相鄰之二基層，其中該基底以一具有彈性之黏劑結合至該 基層。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之另一目的乃在提供一種光電轉換裝置之製造 方法，該光電轉換裝置由以一黏劑安排和固定在一基層上 之多數半導體元件所構成，包含之步驟爲硬化該黏劑，而 由該基層之上表面至該基底之半導體元件表面間之距離保 持爲一設計值· 本發明之另一目的乃在提供一種光電轉換裝置之安裝 裝置，該光電轉換裝置由以黏劑安排和固定在一基層上之 多數半導體元件基底所構成，包含用以握持該基底之機構 •直到該黏劑硬化•而由該基層之上表面至該基底之半導 體元件表面之距離保持爲一設計值· 依照本發明，在由多數基底所構成之光電轉換裝置中 ，每個基底具有半導體元件，且其安排在具有一平面之基 餍上*具有半導體元件之一陣列乃安裝成使基底之半導體 元件表面設定在相同平面上，且相關的基底固定，而在基 底厚度中之變化以黏劑之厚度調整· 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 依照本發明，多數之基底（每個基底上安裝有光電轉 換元件）乃以互相相鄰之黏劑結合至一基層，且一彈性黏 劑樹脂使用當成黏著樹脂•由介於基底和基層間以在週遭 環境溫度而由熱膨膠係數差異所引起之力乃由黏著樹脂之 彈力所吸收，藉以抑制介於相鄰基底間之空間變化，且使 介於相鄰基底間之空間固定*而無關於週遭環境溫度之改 變· 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 8 經濟部中央樣準局—工消费合作社印製 402817 A7 一―…一——__B7 五、發明説明（6 ) 依照本發明，在至少由兩基底所構成之光電轉換裝置 中，毎個基底上具有二維安排之光電轉換元件，且其結合 在一平面內，介於安裝有光電轉換元件之基底和基層在熱 膨脹係數中之差異由不具有彈性之固定黏著樹脂和具有彈 性之半固定黏著樹脂所收吸，該黏著樹脂使用以結合基底 ，藉此使介於基底間之空間實質的均勻*而無關於週遭環 境溫度之改變· 在由兩或更多基底結，合至一基靥之光電轉換裝置中， 由介於每個安裝有光電轉換元件之基底和基層間之膨脹係 數之不同而引起之問題，乃由塗靥配重之結合和不具彈性 之固定黏著樹脂和具彈性之半固定黏著樹脂之應用位置所 解決· 用於結合之黏劑可依照用於基底和基層之結合表面之 材料而適當的選擇•如果主要目的爲調整每個基底之位準 ，最好選擇在硬化時，不會收縮或只些微收縮之黏劑· 即使黏劑並非完全均勻•爲了下述之理由，最好使用 具有彈性之黏劑•當光電轉換裝置欲讀取在緊密接觸下之 目標時，可執行讀取操作，而可藉由按壓而使其均勻· 但是，如果該裝置在按壓狀態下使用時*則裝置之使 用會受到不必要的限制•因此，最好選擇不會硬化收縮之 彈性黏劑。 關於使用於本發明之較佳黏劑方面，可使用丙烯酸基 ，環氧基，或矽酮基樹脂•關於具有彈性特別是似橡膠彈 性之黏著樹脂方面，可使用矽酮基黏劑樹脂，乙酸橡膠基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） --.--^---Γ π,!装 -----------訂--.---—錄， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 40S817 A7 ______B7_ 五、發明説明（7 ) 黏劑樹脂多硫基黏劑樹脂，苯乙烯橡膠基黏劑樹脂，睛橡 膠基黏劑樹脂，和氯丁二烯基黏著樹脂· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 明顯的，關於黏著樹脂方面，可使用一部份或兩部份 之黏劑•黏劑亦可依需要的結合或混合· 圖式簡單說明 第1圖爲具有光電轉換元件之基底之示意平面圖； 第2圖A爲光電轉換,裝置之示意平面圖； 第2圈B爲第2圖A之裝置之示意截面圖； 第3圈A爲依照本發明之較佳實施例之光電轉換裝置 之示意平面圖： 第3圖B爲第3圖A之裝置之示意截面圖： 第4圖爲由第3圖B之圓D所表示之部份之擴大示意 截面圖； 第5圖和1 6爲本發明之較佳實施例之安裝步驟之流 程圖： 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 第6圖A和6B，7A和7B，8A和8B，9A和 9B，10A 和 10B，11A 和 11B，12A 和 12 B，13A 和 13B，14A 和 14B，17A 和 17B ，18A 和 18B，19A 和 19B，和 20A 和 20B 分別爲本發明之光電轉換裝置之較佳實施例之安裝步驟之 示意平面圖和示意截面圖； 第1 5圖爲由第1 4圖B之圓E所指示之部份之擴大 示意截面圖； 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " -10 - 40281? at _B7 五、發明説明（8 ) 第2 1圖和2 2，和2 5和2 6分別爲本發明之光電 轉換裝置之較佳實施例之示意平面圖和示意截面圖： 第23圖，24，27，28和29爲本發明之光電 轉換裝置之較佳實施例之示意平面圖； 第3 0圖A爲光電轉換裝置之較佳實施例和X射線裝 置之週邊單元之示意部份平面圖； 第3 0圖B爲第3 0圖A之構造示意部份截面圖：和 第3 1圖爲應用本發_明之光電轉換裝置之具有X射線 裝置之X射線系統之較佳實施例之示意圖· 較佳實施例之詳細說明 〔第一實施例〕 經濟部中央標準局男工消費合作杜印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3圖A爲依照本發明之較隹實施例之光電轉換裝置 之示意平面圖•第3圚B爲該裝置之示意截面圖·參考第 3圖A和第3圖B，四個基底1以黏劑5 1固定在一基層 2上，因此它們的半導體元件1 3之表面是均勻的•磷 1 2當成一波長轉換構件•在此構造中，在光電轉換元件 只具有非常低或無靈敏度之波長區域中，例如X射線或電 磁波之入射照射乃轉換成元件具有充份靈敏度之波長區域 之光，且此光線輸出至元件•以此方式，上述之裝置可作 用當成X射線影像拾取裝置· 第4圖爲在第3圖B中之D部份之擴大視圖· 如第3圖B所示，在此實施例中之基底1具有不同的 心張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ' -11 - A7 B7 五、發明説明（9 ) 厚度丁1和丁2，但是基底1之位準以黏劑5 1之厚度ti 和t 2調整，以使所有基底1之上表面設定在位準A上· 以下參考第5 5之流程圖和伴隨之附圖說明在此實施 例中安裝基底之方光•以下參考第5圖之流程圖說明基底 安裝方法· 首先，執行*設定基層'（步驟1201) · 第6圖A爲基層2設定在第一級3之狀態之示意平面 圖•第6圖B爲在第6¾入中之構造之示意截面圖•基層 2設定成與安裝在第一級3上之三個定位銷5接觸。同時 ，基層2之下表面由第一級3真空夾緊，以保持上述之設 定狀態。 而後，執行*應用黏劑# (步驟1202) · 如第7圖A之示意平面圖和第7圖B之示意截面圖所 示，黏劑5 1在位置3 6以預定間隔應用至基層2之上表 面· 例如，約0 . 0 5 g之黏劑應用成黏劑髙度H = 0 . 5 m m或更多· 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印裝 (請先Μ讀背面之注$項再填寫本頁) 黏劑特性 型式：光固定樹脂 黏度：20000cps 固定率：2000mj,/cm2 而後執行、基底之設定〃（步驟1203) ·步驟 1 2 0 1之、基層之設定#可和步驟1 2 0 2之、黏劑之 應用〃同時執行· 本紙張尺度適用中鬮國家棣準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A7 B7 10 40281? 五、發明説明（ 第8圖A爲基底1設定在第二級4之狀態之示意平面 圖•第8圖B爲第8圖A之構造之示意截面圖•基底1設 定在第二級4以和安裝在第二級4上之三個定位銷5接觸 •此時，基底1之下表面由第二級4真空夾緊*以保持上 述之設定狀態•部份13示意的顯示光電轉換元件矩陣之 部份· 而後執行^基底之夾住# (步驟1 204) · 第9圄A至10B顯,示基底1由真空板6或真空墊7 而從第二級真空夾緊之狀態· 第9圖A和1 0A爲示意平面圖•第9圖B和1 OB 爲示意截面圖。 如第9圖A和9 B所示，真空板6形成一凹槽9在基 層構件構件之表面，並形成一吸入孔（未顯示）以連接凹 槽9 ·吸入孔和例如泵（未顯示）之吸入機構相通，因此 在槽9中例如空氣之氣體可在吸入機構之操作下受到牽引 9 真空板6之凹槽6形成表面和基底1接觸，且介於凹 槽9和基底1間之空氣由吸入機構所牽引。結果，真空板 6夾至基底1 · 凹槽9之形狀或凹槽9之凹陷部份之形狀可依需要而 改變· 真空墊7爲一撓性墊，其安裝在連接至一墊板8之管 7 a之末梢端。真空墊7共同的安裝當成彈性構件環繞管 7 a之開口。當管7 a和基底1接觸時，真空墊7用以避 各紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） I H. ^—"I I I I I^f、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 13 - A7 B7 402817 五、發明説明（u ) 免對基底1之破壞，並用以避免真空洩漏以使例如連接至 管7 a之泵（未顯示）之吸入機構有效的抽出空氣· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在考量所需之夾緊力，每個基底之尺寸等，真空墊7 之構造可適當的決定· 真空板6和真空墊7和當成每個基底1之上表面之元 件部份接觸•因此，爲了避免或抑制真空洩漏，最好對至 少真空板6之基層構件（例如，一鋁構件）之部份之表面 執行例如鐵弗龍塗覆之表,面處理，以和基底1接觸•以相 同的理由，每個真空墊7最好由橡皮材料製成。 明顯的，吸入機構並不限於上述之機構，且可依需要 的修改· 而後，執行^基底之定位^ (步驟1205) · 經濟部中央梯準局員工消費合作社印製 第1 1圖A爲第一基底1藉由真空板6由第二級4傳 送和定位至在第一級3上之基層3上之預定位置*第11 圖B爲第1 1圖A之構造之示意截面圈•此時，由基層2 之上表面至基底1之元件表面之距離A (參考位準）依照 當成安裝在真空板6上之夾具之每個阻止銷14之突出量 而製成固定· 如果基底1之厚度丁1和1'2爲1 . 1±0 · 1mm時 ，假設參考位準A爲1.3mm，則厚度之最大變化爲 0 . 2mm·黏劑之厚度丨1和〖2依照在基底1之厚度中 之變化而決定如下： A = T 1 + t 1 A = 丁 2 十 t 2 良紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -14 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（12 ) 執行|黏劑之硬化# (步驟1206) · 第1 2圖A爲以UV光源1 0所發射之UV光1 1照 射而使黏劑硬化之例之示意平面圖•第1 2圖B爲第1 2 圖A之構造之示意截面圄· 爲了保持和基層2之位準（參照距離）A，在基底1 上之黏劑5 1硬化，而保持黏劑之厚度t 1·明顯的是， 光源1 0並不限於一 UV光源，亦可依照黏劑之型式適當 的選擇其它的光源•最好4使用UV光硬化，因爲UV光無 熱之問題。但是，依照使用之黏劑型式*亦可選擇其它的 加熱方法·明顯的，如果未使用光固定黏劑，則不需要 U V照射。例如，可使用兩部份黏劑以暫時的保持基底只 一段預定的期間*明顯的，在此例中’黏劑只需應用至必 須之部份。 其次，執行""釋放對基底之卡盤'（步驟1 207) 〇 第1 3圖A爲真空板6之真空卡盤在基底1之下表面 上之黏劑5 1硬化後釋放之示意平面圖’且確認由基底1 之上表面至基層2之位準（參照位準）A保持者•第1 3 圖B爲第1 3圖A之構造之示意截面圖。 重覆包括上述之'' 基底之設定'步驟和後續步驟之處 理以結合第二和後續基底1 *在此例中，重覆如上所述之 相同操作三或更多次，以結合四個基底1，而後終止該處 理。 , _ ϊ ；裝 訂 —線 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210X297公釐> -15 - 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 A7 _____ B7 五、發明説明（13 ) 〔第二實施例〕 第1 4圖爲依照本發明之另一實施例之光電轉換裝置 之示意平面圖•第14圖B爲圖14A所示構造之示意截 面圖•第1 5圖爲第1 4圖B之E部份之擴大視圖•參考 第1 4圖A和1 4 B，此裝置包括具有半導體元件1 3形 成在上表面之多數基底1 ，和固定至基底1之一基層2· 黏劑5 1用以結合基底1至基餍2 ·用以轉換具有短波長 之光爲可見光之波長轉換，構件1 2 (典型的爲磷）乃使用 黏劑61而結合至基底1。第二實施例之光電轉換裝置由 這些元件所構成。 如第14圖B所示，在此實施例中之基底1具有不同 的厚度F1和F2·但是，基底1之位準以黏劑5 1之厚度 f 1和f 2調整，因此，包括基曆2之整個構造之厚度可均 勻的設定爲一厚度B。
Fi+fi+C = B
F2+f2+C=B 其中C爲基層2之厚度· 雖然未顯示，如果第三和第四基底1和黏著層之厚度 界定爲F3，F4，f 3和f 4 ’則可維持相似的關係° 以下參考第1 6圖和第1 7圖A至2 0B之流程圖說 明依照此實施例之基底安裝方法•第1 7圖A和1 7B ’ 18A 和 18B，19A 和 19B ’ 和 20A 和 20B 分 民張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格(210X297公釐) --,--：---：---:装------訂·--.----缂- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -16 - 402817 . A7 B7 五、發明説明（14 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 別爲示意平面圖和示意側面圖·參考第1 7圔A至2 Ο B ，一個第三級1 0 3用以固定基層2，和四個第一級 1 04用以對準多數之基底1 ·—個第二級1 06用以運 送基底1 *而它們的元件表面側設定在相同平面上•定位 銷1 0 5形成在第三級1 0 3上·間隔器1 1 4用以控制 介於第三級103和第二級106間之間隙。吸入孔 1 1 5形成在第三級1 03中·定位銷1 09形成在第一 級104上·吸入孔1 1, 6形成在第一級104中。雖然 未顯示，吸入孔亦形成在第二級1 0 6之下部份側中•第 1 6圖所示之第一，第二，和第三級相當於第1 7圖A至 20B之級104，106和103· 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 第1 7圖A和1 7 B爲用以說明相關於第一級且顯示 在第1 6圄中之步驟之圖，亦即，設定一基底在第一級之 步驟（步驟1 5 0 4 )，夾住第一基底之步驟（步驟 1505)，和定位基底之步驟（步驟1506) ·四個 基底1之每一個基底藉由使每個基底和三個定位銷1 0 9 接觸而設定在四個第一級之相關之一上（步驟1 5 0 4 ) 。此時，基底1之元件表面面向上，如第1 7圆B所示· 而後，爲了固定基底1在第一級1 0 4上，在第一級 1 0 4中，空氣經由吸入孔1 1 6抽出（如第2 0圖A所 示）*藉以夾住第一基底（步驟1505) *第一級 1 0 4可在X · Y * 0和Z方向移動•基底1之相關位置 對準由移動第一級1 0 4而執行。如果每個基底需要對準 相關的位置，以mm之程度或更少之準確度時，操作者可 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > A4規格（210X297公釐） -17 - 402817 A7 B7 五、發明説明（15 ) 執行對準，而以一顯微鏡檢査每個面板之圖樣或對準標示 。以此處理，可完成在第一級1 0 4上之四個基底1之相 關位置對準（步驟1 506) · (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 8圖A和1 8 B爲相關於第三級且顯示在第1 6 圖中之步驟之圖，亦即，應用黏劑之步驟（步驟1 5 Ο 1 )，設定基底之步驟（步驟1502)，和夾住基層之步 驟（步驟1 5 0 3) *黏劑5 1以黏劑塗覆單元（例如一 散佈器）而應用至基層2,(步驟1501) ·例如，如第 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 1 8圖A和1 8 B所示之裝置可安裝一散佈器以應用黏劑 •雖然第1 8圖A和1 8 B顯示黏劑應用至在基層2上之 3 6個點之狀態，但是依照所需之狀況，黏劑可以線或整 個平面之型式應用•爲了使四個基底1之元件上表面側儘 可能的平坦，最好使用在硬化時可展現最小膨脹/收縮之 黏劑•此外，爲了抑制溫度變化而引起形變之影響，最好 使用典型的爲環氧基黏劑之包括兩部份黏劑（底漆劑和硬 化劑）之冷固定黏劑或光固定黏劑•以此方式塗覆以黏劑 5 1之基層在和安裝在第三級1 0 3上之三個定位銷 105接觸後，設定在第三級103上（步驟1502) •爲了固定基層2在第三級1 0 3上，基層2之下表面經 由在第三級1 0 3中之吸入孔1 1 5 (如第1 7圖A所示 )而牽引，藉以夾住基層2 (步驟1503) ·第19圖 A和1 9 B爲夾住在第1 6圖之第二級上之第二基底之步 驟•爲了夾住對準基底1，第二級106在第一級1〇4 上移動，且剛好在其接觸基底1之前，降低至一位置·而 私紙張尺度適用中國國家揉隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 40281? A7 __B7 五、發明説明（16 ) 後，經由形成在第二級1 0 6之下表面中之吸入孔（未顯 示）而吸取空氣，並監視吸取壓力·第一級1 0 4慢慢的 上升•在第一級1 0 4和第二級1 0 6接觸下，當所監視 之壓力變成預定壓力或較小時·第一級1 0 4停止，且夾 住操作亦停止•以此操作，基底1可平滑的由第一級 1 0 4傳送至第二級1 0 6，而不會引起任何的位置偏置 和損壞，藉此可完成基底之夾住在第二級1 0 6上（步驟 1 5 0 6 )·由於此裝置<使用一第二級以用於四個第一級 ，第二級1 0 6之吸入部份最好分成四個系統以相關於相 關的基底而切換•此外，由於基底1之厚度改變*上述之 處理最好對每個第一級1 0 4循序的執行· 第2 0圖Α和2 Ο Β爲相關於第三級且如第1 6圚所 示之步驟之說明圖，亦即，設置一基底之步驟（步驟 1 5 0 8 )，硬化之黏劑之步驟（步驟1509)，釋放 基底之卡盤之步驟（步驟15 10)，和釋放基層之卡盤 之步驟（步驟15 11) *在夾住四個基底1之第二級 1 0 6在第三級1 0 3上移動，以結合基底1至基層2時 ，第二級1 0 6下降，且介於第二級1 0 6和第三級 1 0 3間之間隙固定爲每個定位間隔器1 1 4之髙度•每 個間隔器1 1 4之髙度設計成使介於第三級1 0 3和第二 級1 06間之間隙變成在第1 4圖B中之厚度•藉由安裝 間隔器1 1 4之突起部份在形成在第二級1 0 6之對準孔 (未 顯示）中，基層2和基底1可對準在平面方向· 基層2之下表面和基底1之元件表面側保持互相牽引，直 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---,------Γ--:黔------訂.--K----象fί (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) -19 - 40281 A7 B7 五、發明説明（ 17 到黏劑51硬化，如第20 底1和基層2之位置移位可 *最後*第二級106之夾 上升•結果，基底1和基層 103上•當第三級103 基餍2可由裝置中移去· 如上所述，四個基底之 相同平面上，且基層表面，受 兩平面間之距離可保持固定 如第1 4圖B所示·元件表 層表面，且相關基底之元件 f 1和f 2所調整· 圖B所示•以此操作，介於基 受到抑制，直到黏劑5 1硬化 住操作停止，且第二級1 0 6 2以夾住狀態留在第三級 之吸附操作停止時，基底1和 半導體元件表面受真空箝夾在 真空箝夾在另一平面上•介於 ，直到黏劑硬化。以此操作， 面依照設計之尺寸而結合至基 表面之位準可由黏劑之厚度 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局員工消费合作社印製 〔第三 第 •圖2 如 基底2 劑之黏 2，藉 光 換元件 實施例〕 2 1圖爲依照本發 2爲第2 1圖中之 第2 1圖所示，安 11*212*2 劑5 1，以一預定 以形成一個大的光 電轉換裝置2 1 0 以一相等間隔在四 ，和214上而得，藉以 經由一對一光學系統謓取 明之光電轉換 光電轉換裝置 裝有光電轉換 1 3，和 2 1 間隔（未顯示 電轉換裝置2 1藉由二維的 個基底2 1 1 形成所謂的接 資訊源之影像 裝置之示意平面圖 之示意截面圖· 元件之陣列之四個 4以例如矽酮基黏 )而結合至一基層 10 1· 安排多數之光電轉 •212*213 觸型感應器，用以 •在每個基底上， 木紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20 - 40281? A7 ___ B7 五、發明説明（丨8 ) 同時形成光電轉換半導體餍和一T F T半導體餍·如上所 述，以在典型的爲a — S i之光電轉換半導體材料中之發 展，光電轉換元件和薄膜場效電晶體可形成在大面積基底 上（例如，一玻璃基底）·每個基底211，212， 2 1 3和2 1 4可由此種技術加以製造。 在第2 1圖所示之光電轉換裝置中，當週遭環境溫度 改變時*介於安裝有光電轉換元件之基底和與基底結合之 基餍間之熱膨膠係數之差 4異會產生一力以引起介於相鄰基 底間之空間上之變化•但是，如果使用例如矽酮黏劑之彈 性材料當成黏劑5 1時，此力會由黏著樹脂之彈性所吸收 。因此，介於結合基底間之空間可保持固定，而無關於週 遭環境溫度之改變。 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注f項再填寫本頁) 如果基底和基層由相同的材料製成時，則無熱膨膠係 數差異。但是，如果使用熱固樹脂時，若在週遭環境溫度 改變下，在基底和樹脂或基層和樹脂間之介面上會形成龜 裂，此乃因爲介於基底和樹脂或介於基層和樹脂間之熱膨 膠係數之差異•因此，即使基底和基層以相同的材料製成 ，最好使用例如矽酮基黏劑之彈性材料•關於調整包括黏 劑之構造之厚度之方法，可使用在第一和第二實施例之任 —定位方法β 〔第四實施例〕 第2 3圖爲依照本發明之另一光電轉換裝置之示意平 面圖· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210X297公釐) -21 - 402817 A7 ____B7 五、發明説明（19 ) 如第2 3圇所示•在此實施例中，和第三實施例相似 的，安裝有光電轉換元件之陣例之四個基底2 1 1， 212，213和214乃以例如矽酮基黏劑之黏劑51 ，以預定間隔結合至基層2，藉以形成大的光電轉換裝置 2 1 0 1 *即使介於安裝有光電轉換元件之基底和與基底 結合之基層間之熱膨脹係數之差異會產生—力以引起介於 相鄰基底間之空間之變化，由於使用例如矽酮基黏劑之彈 性材料，此力可由黏著樹4脂之彈性所吸收* 在此實施例中，如第2 3圖所示，在相鄰基底之相鄰 部份上之黏劑之塗覆重量大於在剩餘部份上者。因此，介 於基底和基餍之相鄰部份間之結合區域變大，且抵抗由熱 膨脹係數差異而產生之力之阻止力增加，藉以完成抑制介 於基底間之空間中之變化· 〔第五實施例〕 第2 4圖爲依照本發明之另一實施例之光電轉換裝置 之示意平面圖· 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 和第2 3圖之第四實施例相似的*在此實施例之光笔 轉換裝置中*介於相鄰基底和一基層之相鄰部份間之結合 面積乃設定成較大，以阻止由熱膨脹係數差異所產生之力 。但是，在此實施例中，如第2 4圖所示，藉由設定比剩 餘區域更多數黏劑樹脂之應用部份在相鄰基底之相鄰部份 上，結合面積可增加•因此，和第四實施例相似的，可達 成抑制介於基底間之空間變化之構造· 氏張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ~ -22 - 402817 A7 B7____ 五、發明説明（20 ) 〔第六實施例〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下參考2 5圖和2 6說明本發明之另一實施例*第 2 5圖爲由四個基底1所構成之光電轉換裝置之示意平面 圖，每個基底1具有多數之光電轉換元件以利用黏劑5 1 a和5 1 b結合至基底2 ·第2 6圖爲此裝置之示意截面 圖。 此實施例使用具有不,同性質之黏劑5 1 a和5 1 b以 結合基底1至基層2 ·在此實施例中*黏劑5 1 b比黏劑 5 1 a更具彈性· 更特別而言，關於彈性黏劑5 1 b *可使用如上所述 之矽酮基黏劑•關於較無彈性之黏劑5 1 a，可使用例如 環氧基黏劑。 在此實施例中*較無彈性黏劑5 1 a沿著相關基底1 之相鄰側應用，而彈性黏劑5 1 b應用至剩餘部份•亦即 ，在此實施例中，黏劑5 la使用當成固定黏劑，和黏劑 5 1 b使用當成半固定黏劑· 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 依照此實施例，由於當成固定黏劑之較無彈性黏劑應 用至相鄰基底之相鄰部份，以將它們固定，即使週遭溫度 改變時，基底之接合部份之移動亦可忽略*因此，所得之 影像可展現相當髙的品質· 〔第七實施例〕 第2 7圖爲本發明之第七實施例之示意平面圇。 氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠) -23 - 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 A7 _—__B7__ 五、發明説明（21 ) 和第六實施例相似的•此實施例使用具有不同特性之 黏劑5 1 a和5 1 b ·此外，和第六實施例相似的，在此 實施例中，不具有或具有很低彈性之黏劑5 1 a乃沿著相 鄰基底之相鄰側而應用* 但是，在此實施例中，黏劑5 1 a之塗覆重置設定較 大，以增加結合面稹· 以此構造，基底可更穩定的固定至基層*此外，藉由 以上述相同的方式應用彈,性黏劑5 1 a *即可解決例如熱 膨脹等問題。 〔第八實施例〕 第2 8圚爲本發明之第八實施例之示意平面圖· 在此實施例中，如第2 8圚所示，沿著相鄰基底之相 鄰側應用之不具有或具有相當少彈性之黏劑5 1 a之應用 點設定較大。以此應用可確保基底之相關定位，而無關於 週遭溫度之改變· 〔第九實施例〕 第29圖爲本發明之第九實施例之示意平面圖。 在此實施例中，如第2 9圖所示，不具有或只具有相 當少彈性之黏劑5 1 a以線的型式沿著相鄰基底之相鄰側 應用· 相似的，在此例中，可確保基底之相關定位，而無關 於週遭溫度之改變· 各紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------„---:裝------訂·ί^----縳 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -24 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 402817 A7 A7 B7 五、發明説明（22 ) 〔第十實施例〕 以下說明使用上述光電轉換裝置之X射線裝置· 第3 0圖A爲X射線裝置之光電轉換單元和週邊訊號 處理單元之示意平面圖•第3 0圚B爲光電轉換單元和週 邊訊號處理單元之詳細構造之示意截面圖· 參考第30圖A和30B，X射線裝置包括a_S i 感應器基底6011，和<3-81感應器基底6011結 合之一基層構件6 0 1 2，用以阻止X射線之一板 6 0 1 3，形成在a -S i感應器基底6 0 1 1上之磷 6030，連接至a — Si感應器基底6011之彈性板 6010，安裝有週邊訊號處理電路之電路板6018， 連接器6019，電阻6014，和容納上述構件之殼 6020，a _S i感應器基底601 1以例如上述實施 例所述之矽酮基黏劑之彈性材料而結合至基層構件 6 0 1 2，而介於a — S i感應器基底6 0 1 1間之空間 可保持均勻，而無關於週遭環境溫度之改變* 第3 1躧爲使用具有上述光電轉換裝置之X射線之檢 査系統之構造· 如第3 1圖所示，該檢査系統包括一影像感應器單元 6040，一X射線管6050，一影像處理器6070 ’和一顯示器6 0 8 0，它們安排在X射線室中·此系統 亦包括一顯示器6 0 8 1和具有一雷射印表機之底片處理 器6 1 0 0，它們安排在一診療室中· (張认制巾關家鮮（CNS > ( 2丨GX297公釐) 11,1 ^ Γ^訂-I — { ^(1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -25 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 ____B7 五、發明説明（23 ) 當欲檢査的個人6 0 6 1進入X射線室，並移動以使 胸部6 0 2 0對著影像感應器單元6 0 4 0時，X射線室 6 0 5 0依照由影像處理器6 0 7 0之控制訊號而操作， 以照射X射線6 0 6 0 ·照射之X射線通過胸部，並由影 像感應器單元6 0 4 0轉換成光學訊號和電訊號·而後， 這些訊號傳送至影像處理器6 0 7 0 ·影像處理器 6 0 7 0產生相關於胸部之影像訊號，並將其送至顯示器 6080，藉以顯示胸部，之X射線影像•此外，影像處理 器6 0 7 0傳送影像訊號當成一影像訊號6 0 9 0至診療 室· 在診療室中*由X射線室傳送之影像訊號6 0 9 0傳 送至顯示_6 0 8 1，以顯示胸部之X射線影像，並依需 要由底片處理器6100產生一底片61 10。 在此實施例中，由於基層和基底以彈性黏劑互相結合 在一起，即使光電轉換裝置所設置之環境中之溫度顯著且 急遽的變化時，和使用不具有彈性之黏劑之例比較，本實 施例可有效的抑制介於相關基底間之空間之變化和黏劑之 龜裂· 藉由使用具有不同性質之黏劑，亦即，彈性黏劑和不 具有彈性或彈性很小之黏劑，即可達成抵抗例如振動之機 械應力和熱應力之底片構造。因此，此種構造適用於例如 汽車之移動系統中· 明顯的，在第三至第九實施例之光電轉換裝置中，基 底位準最好由第一和第二實施例之方法調整和固定· ^尺度適用中國國家標準（〇«)八4規格（210><297公釐） (请先閱讀背面之注f項再填寫本頁) :餐· -26 - A7 __B7____ 五、發明説明（24 ) 〔技術優點〕 如上所述，依照本發明，可得下述之效果· 依照本發明，由於多數基底之半導體元件表面並未有 位準變化，因此不會發生聚焦錯誤，且可防止解晰度之下 降和靈取度之破壞· 由於例如磷之波長轉換構件可相關於多數基底而結合 在相同或實質相同的平面上*因此有利於波長轉換構件之 結合。此外，構件亦不會輕易的剝離，且因此可獲得高可 靠度結構· 依照本發明，在基底安裝在一基層上之前，相關之基 底無需受處理以使具有相同之厚度•因此可達到在生產率 上之改善和在成本上之降低· 此外，依照本發明，基底以一光固定黏劑固定至一基 層，而由基層之上表面至每個基底之半導體元件表面之距 離（參考位準）A保持固定•以此方法，可縮短工時，且 可製造大置穩定之產品· 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 ---I I - - I Λα HI ml m I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，依照本發明，當發生週遭環境溫度改變時，介 於一基層和每個基底間之熱膨脹係數之差異而產生之力可 由黏著樹脂之彈性所吸收•藉此可抑制介於相鄰基底間之 空間中之變化*並可保持介於相鄰基底間之空間爲固定* 而無關於週遭溫度之改變· 當光電轉換元件以預定圖素節距安排在基底上，且基 底相關於圖素節距而以預定間隔安排時，介於基底時之空 本紙張尺度適用中國困家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -27 - 402817 A7 _B7__ 五、發明説明（25) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 間中之變化如同在整個光電轉換裝罝中之圖素節距中之變 化•但是，依照本發明，由於介於相鄰基底間之空間保持 固定而無關於週遭環境溫度之改變*因此可抑制在圖素節 距中之變化* 依照本發明，在相鄰基底之相鄰部份上之黏著樹脂之 應用點數目或塗覆重量設定大於剩餘區域，以增加相鄰基 底之相鄰部份之結合面積，藉此可更有效的抑制介於基底 間之空間中之變化· ， 依照本發明，使用不具彈性或弾性相當低之黏劑在上 述相鄰部份中，和使用具有不同特性，例如*具有彈性之 黏劑在剩餘部份中，藉此可抑制介於基底間之空間之變化 ，增加基底表面位置準確度，和解決由於週遭環境溫度改 變而引起之問題。 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印裝 依照本發明，使用不具有彈性或彈性相當低之黏劑當 成黏劑在上述之相鄰部份上，並使用具有不同性質，例如 *彈性之黏劑當成黏劑在剩餘部份上•此外•在相鄰部份 或結合面稹上之黏劑之塗覆重量設定成大於在剩餘部份或 結合面稹上具有不同性質之黏劑之塗覆重置•再者，在相 鄰部份上黏劑之應用點之密度髙於在剩餘部份上具有不同 性質之黏劑之應用點密度。以此方法，可進一步改善阻止 振動之功能· 使用本發明之光電轉換裝置之典型爲X射線裝置（X 射線影像拾取裝置）之傅輸照像裝置之尺寸可降低，且可 輕易的安裝在欲移動之車輛上•此外，可利於照像資料之 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -28 - A7 B7 五、發明説明（26 ) 數位處理或電處理· 明顯的，本發明並不限於上述之說明和實施例，且這 些實施例可依需要的修改和結合，但是這些修改和結合仍 靥本發明之精神和範疇· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 本紙張尺度逍用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -29 -

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局負工消费合作社印«. 40281? a8 C8 * . _ D8_ 々、申請專利範圍 1 . 一種光電轉換裝置，具有二維光吸收表面，其包 含： 一半導體元件基底具有二維安排之多數光電轉換元件 » 一基層，其上安排和固定多數半導體元件基底；和 一黏劑用以固定多數之半導體元件基底至該基層，其 中該黏劑具有不同厚度之部份•因此，在半導體元件基底 之光電轉換元件之光接收表面側上之位準乃在相同平面上 〇 2 .如申請專利範圍第1項之光電轉換裝置·其中該 黏劑包括具有彈性之第一黏劑，和彈性小於第一黏劑之彈 性或實質無彈性之第二黏劑· 3 .如申請專利範圍第2項之光電轉換裝置，其中該 第二黏劑沿著相鄰基底之相鄰部份應用· 4 .如申請專利範圍第3項之光電轉換裝置，其中該 第二黏劑應用之面積大於第一黏劑之應用面稹* 5 .如申請專利範圍第3項之光電轉換裝置，其中該 第二黏劑之應用點之密度高於第一黏劑之應用點之密度* 6 .如申請專利範圍第3項之光電轉換裝置，其中該 第二黏劑以線之型式應用· 7 .如申請專利範圍第1項之光電轉換裝置，其中該 黏劑具有彈性· 8 .如申請專利範圍第7項之光電轉換裝置，其中在 結合該基底和該黏劑中，沿著相鄰基底之相鄰部份之結合 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS) A4規格（210X297公釐）_ 30 - --^---------------订--,----贫， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印装 402817 A8 B8 C8 · _ D8_ 六、申請專利範圍 面稹設定成較大· 9 .如申請專利範圏第7項之光電轉換裝置，其中在 結合該基底和該黏劑中，該黏劑之多數應用點乃沿著相鄰 基底之相鄰部份設定· 1 0 .如申請專利範圍第7項之光電轉換裝置，其 中在結合該基底和該黏劑中，沿著相鄰基底之相鄰部份， 使用較大置之黏劑· 1 1 .如申請專利範圍第1項之光電轉換裝置*其中 該基底使用不少於具有不同性質之兩種黏劑固定· 1 2 . —種光電轉換裝置，其由多數之半導體元件基 底以一黏劑安排並固定在一基層上而構成， 其中相對於該基餍之多數基底之相對表面之位準依照 該黏劑之厚度而調整，該基底以該黏现結合至基層，因此 ，該相對表面設定在相同平面內* 其中該基底使用不少於具有不同性質之兩種黏劑固定 ，和 其中該黏劑包括具有彈性之第一黏劑，和彈性小於第 —黏劑之弹性或實質無彈性之第二黏劑* 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之光電轉換裝置，其 中該第二黏劑沿著相鄰基底之相鄰部份應用· 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之光電轉換裝置，其 中該第二黏劑應用之面稹大於第一黏劑之應用面稹· 1 5 .如申請專利範圍第1 3項之光電轉換裝置，其 中該第二黏劑之應用點之密度高於第一黏劑之應用點之密 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公釐> _ 31 _ —^-----^裝------訂--.----%· (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾率局員工消費合作社印裝 A8 B8 , C8 D8 六、申請專利範圍 度。 16.如申請專利範圍第13項之光電轉換裝置，其 中該第二黏劑以線之型式應用· 1 7 .如申請專利範圍第1項之光電轉換裝置*其中 該黏劑包括一光固定黏劑· 1 8 .如申請專利範圍第1項之光電轉換裝置，其中 該黏劑包括一冷固定黏劑· 1 9 .如申請專利範圍第1項之光電轉換裝置*其中 該光電轉換裝罝包括一兩部份黏劑· 2 0 .如申請專利範圍第1 9項之光電轉換裝置，其 中該兩部份黏劑包括使用一底漆劑和一硬化劑之混合物之 黏劑· 2 1 .如申請專利範圍第1項之光電轉換裝置，其中 該基底上具有一波長轉換構件· 2 2 .如申請專利範圍第2 1項之光電轉換裝置，其 中該波長轉換構件具有一磷· 2 3 .如申請專利範圍第1項之光電轉換裝置，其中 該半導體元件包括光電轉換元件· 2 4 .如申請專利範圍第2 3項之光電轉換裝置，其 中該光電轉換元件爲二維安排。 2 5 .如申請專利範圍第1項之光電轉換裝置，其中 該黏劑爲選自含有丙烯酸基黏劑，環氧基黏劑，和矽酮基 黏劑所組成之群之一構件· 2 6 .如申請專利範圍第1項之光電轉換裝置，其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210X297公釐〉_ 32 _ --Γ---------裝------訂--.----錚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 402817 A8 B8 C8 D8 _ 、申請專利範圍 $黏劑爲選自含有矽酮基黏劑，多硫基黏劑，苯乙烯橡膠 s黏劑·睛橡膠基黏劑，和氣丁二烯基黏劑之群之一構件 〇 2 7 . —種光電轉換裝置*具有二維光接收表面，其 包含： 一半導髖元件基底具有二維安排之多數光電轉換元件 一基靥，其上安排和固定多數半導元件基底；和 一黏劑，其具有彈性以固定多數之半導體元件基底至 基台’其中應用黏劑之多劑之多數區域提供在相鄰半導體 基底之側邊上之半導體基底之側端部份上。 2 8 .如申請專利範圍第2 7項之光電轉換裝置，其 中相鄰部份具有第二黏劑•該第二黏劑沒有彈性或彈性低 於具有彈性之該黏劑· 2 9 .如申請專利範圍第2 8項之光電轉換裝置，其 中該第二黏劑所應用之密度髙於具有彈性之該黏劑之應用 密度· 3 0 .如申請專利範圍第2 8項之光電轉換裝置，其 中該第二黏劑以線的型式沿著相鄰部份應用· 3 1 .如申請專利範圍第2 8項之光電轉換裝置，其 中該第二黏劑之應用面積大於具有弾性之該黏劑之應用面 稹。 3 2 .如申請專利範圍第2 7項之光電轉換裝置，其 中該黏劑包括具有似橡膠彈性之一黏劑樹脂· 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4規格（210X297公釐）_ 33 _ I 1 ;—裝丨 訂 .r (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印装 40281? A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消费合作社印袈 夂、申請專利範圍 3 3 .如申請專利範团第2 7項之光電轉換裝置，其 中在相鄰基底之相鄰部份上之黏劑之塗覆重置或應用部份 之數目設定成大於在剩餘區域· 3 4 .如申請專利範圔第2 7項之光電轉換裝置•其 中在相鄰基底之相鄰部份上之黏劑之應用面稹設定大於剩 餘區域· 3 5 ·如申請專利範圍第2 7項之光電轉換裝置，其 中具有彈性之黏劑應用在非相鄰基底之相鄰部份之區域中 〇 3 6 .如申請專利範圍第3 5項之光電轉換裝置，其 中相鄰部份具有第二黏劑，該第二黏劑沒有彈性或彈性低 於具有彈性之該黏劑· 3 7 .如申請專利範圔第3 6項之光電轉換裝置，其 中該第二黏劑所應用之密度髙於具有彈性之該黏劑之應用 密度· 3 8 .如申請專利範圍第3 6項之光電轉換裝置•其 中該第二黏劑以線的型式沿著相鄰部份應用· 3 9 .如申請專利範圍第3 6項之光電轉換裝置，其 中該第二黏劑之應用面稹大於具有彈性之該黏劑之應用面 稹· 4 0 .如申請專利範圍第2 7項之光電轉換裝置•其 中該具有彈性之黏劑爲選自含有矽酮基黏劑，乙酸橡膠基 黏劑多硫基黏劑，苯乙烯橡膠基黏劑，睛橡膠基黏劑，和 氯丁二烯基黏劑之群之一構件· 本紙張尺度逋用中國國家標率（CNS > A4規格（210x297公釐）-34 - i-ϋ 1^1 n 1·~ - f HI —1 n (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 A8 B8 C8 _D8 六、申請專利範圍 4 1 .如申請專利範園第2 7項之光電轉換裝置’其 中該基底上具有一波長轉換構件。 4 2 .如申請専利範圍第4 1項之光電轉換裝置’其 中該波長轉換構件具有一磷。 4 3 .如申請專利範圔第2 7項之光電轉換裝置’其 中該光電轉換元件爲二維安排。 4 4 .如申請專利範团第2 7項之光電轉換裝置’其 蝎 中該黏劑爲選自含有矽酮基黏劑，乙酸橡膠基黏劑’多硫 基黏劑，苯乙烯橡膠基黏劑，腈橡膠基黏劑，和氯丁二烯 基黏劑之群之一構件。 4 5 .如申請專利範圍第3 6項之光電轉換裝置’其 中該第二黏劑爲選自含有丙烯酸基黏劑，環氧基黏劑*和 矽酮基黏劑所組成之群之一構件。 4 6 . —種透射影像拾取裝置，其具有如申請專利範 圍第1項所界定之光電轉換裝置。 4 7 . —種透射影像拾取裝置*其具有如申請專利範 圍第2 7項所界定之光電轉換裝置。 4 8 . —種光電轉換裝置之製造方法，該光電轉換裝 置由以一黏劑安排和固定在一基餍上之多數半導體元件所 構成，包含之步驟爲硬化該黏劑，而由該基層之上表面至 該基底之半導體元件表面間之距離保持爲一設計值。 4 9 .如申請專利範圔第4 8項之方法，其中該距離 保持一夾具之突出量· _5 0 .如申請專利範圔第4 8項之方法，其中該黏劑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ -35 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂· 40^817 a| C8 D8 ......— — I ： 1 ' ^ 六、申請專利範圍 具有一光固定性質· 5 1 .如申請專利範圔第4 8項之方法，進一步包含 照射光以使該黏劑硬化之步驟· 5 2 . —種光電轉換裝置之安裝裝置，該光電轉換裝 置由以黏劑安排和固定在一基層上之多數半導體元件基底 所構成，包含用以握持該基底之機構，直到該黏劑硬化* 而由該基層之上表面至該基底之半導體元件表面之距離保 持爲一設計值* · --：--------r10------訂.--；----錚 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）_ 36
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Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3805031B2 (ja) * 1995-10-20 2006-08-02 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP3618973B2 (ja) * 1997-10-01 2005-02-09 キヤノン株式会社 半導体装置及び光検出装置の製造方法
GB9925227D0 (en) 1999-10-25 1999-12-22 Internet Limited Data storage retrieval and access system
AU2001234152A1 (en) 2000-02-25 2001-09-03 Hamamatsu Photonics K.K. X-ray imaging device and method of manufacture thereof
JP4302279B2 (ja) * 2000-02-29 2009-07-22 富士フイルム株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP2001264442A (ja) * 2000-03-22 2001-09-26 Fuji Photo Film Co Ltd 画像記録媒体
JP3978971B2 (ja) * 2000-03-28 2007-09-19 株式会社島津製作所 ２次元画像検出器およびその製造方法
US6855935B2 (en) 2000-03-31 2005-02-15 Canon Kabushiki Kaisha Electromagnetic wave detector
JP2003168794A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Canon Inc 放射線検出素子、放射線撮像装置、放射線検出方法、及び放射線撮像方法
US6953934B2 (en) * 2002-03-06 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detection apparatus and system
JP3722367B2 (ja) 2002-03-19 2005-11-30 ソニー株式会社 固体撮像素子の製造方法
US7127793B2 (en) * 2002-04-24 2006-10-31 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method of producing solid state pickup device
KR100539234B1 (ko) * 2003-06-11 2005-12-27 삼성전자주식회사 투명 고분자 소재를 적용한 씨모스형 이미지 센서 모듈 및그 제조방법
US20050009239A1 (en) * 2003-07-07 2005-01-13 Wolff Larry Lee Optoelectronic packaging with embedded window
JP4563042B2 (ja) * 2004-01-29 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 放射線イメージセンサ
JP4389626B2 (ja) * 2004-03-29 2009-12-24 ソニー株式会社 固体撮像素子の製造方法
DE202004011854U1 (de) * 2004-07-28 2004-11-04 Microelectronic Packaging Dresden Gmbh Image-Modul
JPWO2006112320A1 (ja) * 2005-04-15 2008-12-11 株式会社日立メディコ Ｘ線平面検出器及びｘ線画像診断装置
JP4622670B2 (ja) * 2005-05-17 2011-02-02 株式会社島津製作所 ２次元放射線検出器
TWI278694B (en) * 2005-09-20 2007-04-11 Ind Tech Res Inst Method for supporting a flexible substrate and method for manufacturing a flexible display
JP2006139316A (ja) * 2006-02-10 2006-06-01 Ushio Inc 原稿読み取り用光源装置
JP4871629B2 (ja) * 2006-04-12 2012-02-08 キヤノン株式会社 放射線撮像装置の製造方法及び放射線撮像システム
JP2008014900A (ja) * 2006-07-10 2008-01-24 Fujifilm Corp 放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル
DE102006038969B4 (de) * 2006-08-21 2013-02-28 Siemens Aktiengesellschaft Röntgenkonverterelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102007027207A1 (de) * 2006-10-21 2008-04-24 Sunzenit Gmbh Photovoltaikmodul mit Kühleinrichtung
WO2008078702A1 (ja) * 2006-12-27 2008-07-03 Kabushiki Kaisha Toshiba 放射線検出器
JP5004848B2 (ja) * 2007-04-18 2012-08-22 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
JP5350604B2 (ja) * 2007-05-16 2013-11-27 スパンション エルエルシー 半導体装置及びその製造方法
JP5124227B2 (ja) * 2007-10-01 2013-01-23 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
WO2009133502A2 (en) * 2008-04-29 2009-11-05 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Photo-detector
CN102216807B (zh) * 2008-11-21 2016-08-17 皇家飞利浦电子股份有限公司 平铺式辐射检测器的组装方法
US9496442B2 (en) * 2009-01-22 2016-11-15 Omnipv Solar modules including spectral concentrators and related manufacturing methods
JP5665494B2 (ja) * 2010-06-24 2015-02-04 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線撮像システム
JP2012047487A (ja) 2010-08-24 2012-03-08 Hamamatsu Photonics Kk 放射線検出器
WO2012032797A1 (ja) * 2010-09-07 2012-03-15 コニカミノルタエムジー株式会社 放射線画像検出器の製造方法および放射線画像検出器
JP2012154696A (ja) 2011-01-24 2012-08-16 Canon Inc シンチレータパネル、放射線検出装置およびそれらの製造方法
JP5709572B2 (ja) 2011-02-18 2015-04-30 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
WO2012145038A1 (en) * 2011-04-19 2012-10-26 Teledyne Rad-Icon Imaging Corp. Method of direct silicon tiling of a tiled image sensor array
EA021593B1 (ru) * 2012-11-21 2015-07-30 Закрытое Акционерное Общество "Импульс" Детектор рентгеновского изображения, способ изготовления фоточувствительного элемента и способ изготовления детектора
JP2015049121A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 株式会社東芝 検出器モジュール製造方法、検出器モジュール及び医用画像診断装置
US10649497B2 (en) * 2014-07-23 2020-05-12 Apple Inc. Adaptive processes for improving integrity of surfaces
WO2016014047A1 (en) 2014-07-23 2016-01-28 Apple Inc. Adaptive processes for improving integrity of surfaces
US9599723B2 (en) 2015-08-18 2017-03-21 Carestream Health, Inc. Method and apparatus with tiled image sensors
DE102018200845B4 (de) 2018-01-19 2021-05-06 Siemens Healthcare Gmbh Montageverfahren für die Herstellung eines Röntgendetektors, Röntgendetektor und Röntgengerät
JP7427410B2 (ja) 2019-10-11 2024-02-05 キヤノン株式会社 撮像装置及びカメラ

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4537827A (en) * 1983-02-07 1985-08-27 Hughes Aircraft Company Optically flat semiconductor baseplate structure
EP0355522B1 (en) * 1988-08-18 1993-12-15 Seiko Epson Corporation Solid state image pickup device
JPH0287869A (ja) * 1988-09-26 1990-03-28 Ricoh Co Ltd 千鳥配列マルチチツプ型イメージセンサ
JPH02143466A (ja) * 1988-11-25 1990-06-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
GB2262658B (en) * 1989-02-21 1993-09-29 Canon Kk Photoelectric converter
US4999077A (en) * 1989-08-31 1991-03-12 Xerox Corporation Method of fabricating full width scanning or imaging arrays from subunits
US5132539A (en) * 1991-08-29 1992-07-21 General Electric Company Planar X-ray imager having a moisture-resistant sealing structure
JP3805031B2 (ja) * 1995-10-20 2006-08-02 キヤノン株式会社 光電変換装置

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Publication number Publication date
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US5856699A (en) 1999-01-05
EP0769817A2 (en) 1997-04-23
DE69637881D1 (de) 2009-04-30
DE69636404D1 (de) 2006-09-14

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