TW402757B

TW402757B - A liquid crystal display substrate, device, and its manufacturing method

Info

Publication number: TW402757B
Application number: TW088101245A
Authority: TW
Inventors: Yoshiaki Nakayoshi; Kikuo Ono
Original assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1998-02-23
Filing date: 1999-01-27
Publication date: 2000-08-21
Also published as: US6310667B1; JPH11237640A; JP3634138B2; KR19990072860A

Description

A7 B7 402757 五、發明說明（1 ) 發明所屬之技術領域本發明係關於將薄膜電晶體等作爲開關元件設置之主動矩陣方式的液晶顯示基板、液晶顯示裝置以及其製造方法。先行技術 - 主動矩陣方式的液晶顯示裝置，係分別對應被配置爲 .矩陣狀的複數像素電極Μ設非線型元件（開關元件）者。各像素之液晶，理論上是常時驅動（負荷比爲1.0 )的緣放，所以採用分時驅動方式.，與所謂單純矩陣方式相比主動矩陣方式具有較佳的對比，特別是在彩色液晶顯示裝置已經成爲不可或缺的技術。作爲具有代表性的崩關元件可以舉出薄膜電晶體（T F Τ )。又，使用薄膜電晶體的主動矩陣方式的液晶裝置，例如有日本專利特開昭6 3 — 3 0 9 9 2 1號公報，或是「採用冗長構成的1 2.5吋主動矩陣方式的彩色液晶顯示器」，日經電子，1 9 ·3〜2 1 0頁，1 9 8 6年1 2月 1 5日，日經McGraw-Hill社發行等等係屬已知。主動矩陣方式液晶顯示裝置的液晶顯示面板（亦即，也被稱爲液晶顯示元件或者L C D )，例如係於透過液晶層與相對方向配置的至少一方的透明基板之中，於一方的基板的液晶層側的面上，被形成延伸於X方向而且並列設置於y方向的複數條閘極線，及中介著該閘極限與絕緣膜延伸於y方向而且並列設置於X方向的複數條資料線，於私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) \—/ςί、 -裝 i ! —-I —tr---------線/ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10375' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（2 ) 這些各線所包圍的區域被構成單位像素區域，於此各項素區域分別具備薄膜電晶體以及像素電極》上述的X方向與 y方向，係沿著與液晶層相對方向的基板面延伸而且相互交叉（換句話說，不是平行）.的關係。在大多數的場合， y方向被定義爲與X方向約略垂直地交叉，但是隨著製品的要求，交叉角度也可以適當變更。又，在本說明書中以後所記述的X方向、y方向在沒有特別指明的情況下是依照上述的定義。這些像素電極，中介著藉由來自閘極線的掃描訊號電壓的供給而被打開（ON)的薄膜電晶體而被供給來自資料線的影像訊號電壓，藉此，在與被形成於相對方向的另一方基板上的共通像素電極之間產生電場（縱電場的場合），藉由此電場，調變中介於像素電極與共通像素電極之間的液晶層的光線透過，以進行指定的顯示。此外，這些閘極線、資料線、薄膜電晶體以及像素電極等，係分別將不同材料層藉由使用選擇蝕刻的方法，形成指定圖案，而藉由依序層積而形成的》又，如此的液晶顯示裝置，例如詳細揭示於特開昭6 2 — 32651號公報。然而，在製造形成上述的閘極線、資料線、薄膜電晶體等的基板時，閘極線以及‘賓料線會產生斷線的不良。因此’在TFT基板製造工程中，藉、由測i ^阻來變査是否有斷線，以選別出製品的良否。此斷線檢查工程，使用T F T基板上的檢査端子，與本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •----------丨丨->裝------訂--------'^0— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 402757 五、發明說明（3) 配合該檢査端子的間隔而製作的複數根檢査針，針對所有配線實施。 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 此斷線檢査，將上述閘極線或者資料線的相鄰接的配線串連接續，而統合進行這些配線的斷線檢査的記述，揭示於特開平0 1 — 1 2 4 8 2 5號公報或特開平〇 2 — 1 8 2 5號公報。發明之揭示上述特開平0 1 — 1 2 4 8 2 5號公報或特開平〇 2 - 1 8 2 5號公報都揭示了斷線檢査後的程序中由於靜電而導致閘極絕緣破壞的問題。作爲此問題的對策，揭示了與實施樣態不同的，以I T 0等膜短路枏鄰接的2條閘極線、相鄰接的2條資料線以及閘極線的一端與資料線的一端的構成。但是實際上，上述的靜電導致不良產生的課題之外’含有其他有待解決的課題。那就是將斷線檢査應該被判定爲合格（沒有配線不良）的TFT基板錯誤判定爲有配線不良的情形。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在斷線檢查時，檢查針與檢査端子的電氣接續不佳的場合’被接續於該檢查端子的線（閘極線或資料線）被判定爲不良，具有此線的TF T基板被判定爲不合格而被排除。結果，對於被供給的T F T基板的數目之生產率變低。如此的接觸不良，主要產生於檢査針與檢査端子的位置對準n的場合。特別是確保基板的位置精度相當困難的大型玻璃基板上配置複數枚T F T基板的場合，或者檢· 本紙張尺度缚用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製，五、發明說明（4 ) 査端子的間隔很窄的高精細液晶顯示裝置，其爲應該要解決的課題。. 此外，檢査針或者具備複數個檢査針的檢査裝置，因爲要配合製品的精細度而製作，所以爲了在同時生產複數種製品，必須要準備對應該種類的檢査針◊這個情形只要參閱揭示適於精細度高的液晶顯示裝置的檢查端子構造的特開平0 7 — 1 9 9 2 1 0號公報即可明白。被揭示於此公報的檢査端子，與上述特開平0 1 — 1 2 4 8 2 5號公報所揭示者不同，以使用後者的斷線檢查的裝置，不能夠進行前者的斷線檢查》本發明的目的在於抑制斷線檢査工程之檢査針與檢査端子的接觸不良所導致檢査不良的產生。本發明的其他目的在於使用同一檢査針，可以進行精細度不同的複數種類的製品檢查。爲了解決前述課題，本發明係於具有將複數個使驅動液晶的電極以及對其供給電氣訊號的配線而分別將上述配線沿著指定的方向延伸排列的面的基板，起自上述配線之一設置在覆蓋此配線的絕緣膜上延伸的端子，而且將該端子在上述絕緣膜上延伸至鄰接於該一配線的上述配線之另一的上部。將此端子提供上述一配線的斷線檢査。此構成的特徵，在於上述端子具眘藉由從上述配線之一延伸至上述絕緣膜而產生的高低差。此構成稱爲第1構成。 ,· 於上述第1構成，上述端子被形成於上述基板的被提供影像顯示的區域的外側。實施上述第1構成時，可以將 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 • 1_· emw mmmm

ϋ 1- ϋ ϋ 一a-J，0 —a af ·__§ ie _1 I J 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）備抑A7 .·____B7 五、發明說明（5 ) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製上述端子設於複數個上述配線。此外，於設有上述端子的配線的一方側並列的至少一條配線串連接續形成所謂配線群亦可。於這兩個實施形態，於上述配線或者被串連接續的配線群的一端設上述端子，將另一端接續於與上述配線另行設置的配線較佳。此外，在後者的實施形態，在被直線串連的配線的端部（上述）也可以設上述端子。無論是哪一種配線形態，上述端子對於被設此端子的配線供給電氣訊號的其他端子，以夾著被提供於上述影像顯示的區域相對方向配置者較佳。無論是何種實施形態複數的上述端子都存在於基板上部。這些上述端子配合上述複數的配線排列而配置較佳。其理由，是因爲上述配線對應於在上述基板上被配置爲陣列狀的像素（由使驅動上述液晶的電極的配置規定的）的排列的緣故，對於根據上述端子形狀進行斷線檢査時的檢査探針（包含上述檢査針的檢査裝置的感測部份）的位置對準具有極佳的效果。將上述配線沿著橫切方向並列的複數上述端子，例如配置爲千鳥格子狀，亦即將鄰接的端子的位置交互偏移而配置即可。此外，後者的實施形態被推許的構成，是因應上述配線的間隔每η 條線或者每η條與每m條的變形的反覆（η，m2 1且η 4Π1)形成端子亦可。又，上述第1構成之配”線的定義，不僅包括對使驅動上述液晶的電極直接施加電壓的配線，也包括主動矩陣型液晶顯示裝置之中介著開關元件間接施加電壓的配線還有對此開關元件供給控制訊號的配線、提供保持上述電極的 ’本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^^-- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 t〇2757 , A7 ' _ B7 五、發明說明（6 ) 電位的電容之配線。這些功能相異的配線，即使在基板上部鄰接被配置的場合，也在沒有特別的情況下不會妨礙到上述第1構成的基板以及使用該基板的液晶顯示裝置的實 .施。爲了解決主動矩陣型液晶顯示裝置的上述課題之本發明的液晶顯示基板，係於透過液晶層與另一方基板相對方向配置形成液晶顯示面板的基板面上，設有：延伸於X方向而且並列設置於y方向的複數條閘極線，及中介著該閘極限與絕緣膜延伸於y方向而且並列設置於X方向的複數條資料線，及藉由透過前述閘極線供給的掃描訊號打開 (〇 N )的開關元件，及透過該打開的開關元件供給來自前述資料線的影像訊號的像素電極之液晶顯示基板，其特徵爲：於前述面上，設有導電接續鄰接的2條以上的前述資料線或者閘極線的配線，於2條以上的該資料線或者閘極線之上，中介著第2絕緣膜配置該資料線或者閘極線的檢查端子。對於前述的第1構成，因爲藉由檢査端子的面積確保斷線檢査時的檢査探針的位置對準精度之構成具有特徵，所以將此基板（液晶顯示基板）的構成稱爲第2構成。上述第2構成之較佳的實施形態之一，特徵係將前述配線設於基板切斷線的外側之該液晶顯示基板的端部。此外，本發明的液晶顯示裝置，係具備於透過液晶層相對方向配置的一對基板之中，於一方的基板的前述液晶層側之面上，設有：延伸於X方向而且並列設置於y方向私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 — —— — — ΙΙΙΙΙΙ» --— — III— ^*— — — — — 1! <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) it 的757 經濟部智慧財產局員工消.費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7 ) 的複數條閘極線，及中介著該閘極限與絕緣膜延伸於y方向而且並列設置於X方向的複數條資料線，及藉由透過前述閘極線供給的掃描訊號打開（ON)的開關元件，及透過該打開的開關元件供給來自前述資料線的影像訊號的像素電極之液晶顯示面板之液晶顯示裝置，其特徵_爲：設於前述面上的前述資料線或者閘極線的檢査端子，中介著第 2絕緣膜被配置於2條以上的該資料線或者閘極線之上。此外，本發明的液晶顯示裝置的製造方法，係具備於透過液晶層相對方向配置的一對基板之中，於一方的基板的前述液晶層側之面上，設有：延伸於X方向而且並列設置於y方向的複數條閘極線，及中介著該閘極限與絕緣膜延伸於y方向而且並列設置於X方向的複數條資料線，及· 藉由透過前述閘極線供給的掃描訊號打開（ON)的開關元件，及透過該打開的開關元件供給來自前述資料線的影像訊號的像素電極之液晶顯示面板之液晶顯示裝置的製造方法，其特徵爲：於前述面上，設有導電接續鄰接的2條以上的前述資料線或者閘極線的配線，於2條以上的該資料線或者閘極線之上，中介著第2絕緣膜設置該資料線或. 者閘極線的檢查端子。此外，特徵爲將前述配線設於基板切斷線的外側之前述一方基板的端部。. 進而，特徵爲前述資料線的斷線檢査之後，具有將前述一方基板切斷，切斷前述配線的工程。此工程，也可以 .實施於使用上述第1構成的基板的液晶顯不裝置的製造® --------------裝.-------訂--------- ί靖先閲讀背面之注意事項再填¾本買) 10 (2 格規 A4 s) N (c 準標冢 T 用 m ^ A7 B7 五、發明說明（8 ) 關於上述基板（液晶顯示基板）、液晶顯示裝置以及其製造方法所敘述的被形成於配線上的絕緣膜或者第2絕緣膜（以後，以後者的名稱表示）的性格說明如下。無論是哪一種液晶顯示裝置，在具有驅動液晶的電極 (以後，稱之爲「像素電極j )被形成的面的基板，至少被形成有供對像素電極施加電壓之用的配線。特別是像素電極被配置爲陣列狀而且被緻密配置的場合，配線數目也隨之增加，伴隨著出現於上述基板面的高低差（對於基板面方向的基板厚度方向的變動）也變得顯著。另一方面，使用液晶層的影像顯示，其被密封的液晶分子的配向控制是很重要的，於對此施加電場的上述基板的最上面（被形成像素電極之側的成長表面）需要使液晶分子配向於所要的方向。對於此一要求，必須要在鄰接液晶層的形成配向膜的面上緩和上述的高低差。爲了解決此課題而使成長上述第2絕緣膜。其特徵爲於其成長表面（第2絕緣膜的上面）減少了存在於此被成長的面（第2絕緣膜的下底）的高低差，可以藉由透過型電子顯微鏡以剖面影像判別成長目的不同的其他絕緣膜。與上述第2絕緣膜比較，將開關元件（被採用於液晶顯示裝置的場合，通常稱爲薄膜電晶體）設於每一像素的主動矩陣型液晶顯示裝置所·殽的閘極絕緣膜的性格說明如下。作爲開關元件使用場效應電晶體的場合，必須要因應影像資訊而使對驅動液晶的電極施加電壓的路徑的至少一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝i — l_—-丨丨訂·ί丨丨—丨丨·線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 =-Η-=· A7 B7 五、發明說明（θ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 方開閉。此電壓施加被開閉的區域，通常稱爲通道 (channel)。此通道，被形成爲非結晶矽（標記爲a- S i ) 或者是多結晶矽（標記爲poly· S i )之膜。另一方面，控制此電壓施加的開閉的電極，通常被稱爲閘極，透過絕緣膜（閘極絕緣膜）對通道施加電場（閛極訊號），控制通過此處的載體（carrier)量。此載體量支配上述液晶的驅動，亦即支配配向。因爲被顯示於液晶顯示裝置的影像的階調是被液晶的配向微妙地支配的緣故，所以於液晶顯示裝置的各像素被要求因應閘極訊號的電壓必須沒有雜亂而且確實地對液晶施加。爲了滿足此一要求，必須要控制決定閘極訊號與通過通道的載體量的關係的上述絕緣膜的特性。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製以上所述的上述第2絕緣膜與閘極絕緣膜的形成目的的不同，例如顯現於膜的密度（有時使閘極絕緣膜的密度高過第2絕緣膜）。此外，在連續閘極絕緣膜與上述通道的工程，以與此工程獨立的其他工程將第2絕緣膜分別形成的程序被採用的例子很多。進而，閘極絕緣膜與第2絕緣膜以IP樣元素組成的材料構成，同時於透過型電子顯微鏡的斷面像識別其接合界面，亦有出現濃淡的對比。此外，爲了緩和上述成長表面的高低差，亦有將第2絕緣膜形成爲較閘極絕緣膜更厚者。以上，敘述了閘極絕緣·膜與第2絕緣膜的比較，但是此一議論在將第2絕緣膜置換爲前述第1構成之「被形成於配線上的絕緣膜」也可以成立。接著，無論是哪一種’ 於其上面形成像素電極的話，對液晶層的驅動電壓施加就木紙張尺度埤用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） -12 - A7 _打57 ___B7___；_ 五、發明說明（1〇) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 更有效果。當然，將第2絕緣膜分爲2層形成，於其間形成像素電極，而於其上面形成配向膜亦可。於不具有閘極線或者是相當於此的配線的被動矩陣型液晶顯示裝置，對於確保對配線層的基板的黏著性之其他的絕緣膜（被形成於配線與基板之間的絕緣膜），被形成於上述配線的絕緣膜（第2絕緣膜）即使不像對上述的閘極絕緣膜那般鮮明也顯示出不同。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製以上所述知本發明的第1構成，係接於相關對驅動上述液晶的電極（像素電極）的電氣訊號傳達的配線而且具有覆蓋此配線的絕緣膜上延伸的上述檢査端子的高低差的形狀，藉此可以大幅減低斷線檢查時的檢查探針陣列（對檢查端子進行電氣接觸的複數檢查針被並列設置的裝置）的位置對準的誤差。在以對基板預先賦予的標記作爲基準進行檢査探針陣列與檢査端子的位置對準的從前的方法，各個檢査針與對應於此的分別的檢査端子的接觸時產生誤差，而這會招致檢查針的一部份有所損傷的問題。接著，藉由此損傷的檢查針來檢査特定配線的結果，會將沒有斷線的基板判斷爲有斷線的基板，而將此判定爲不合格品。然而，藉由上述第1構成，將檢査端子的高低差進行光學的或者電氣地監管，藉此可以將實際的檢査端子的位置資訊傳送給檢查探針陣列的位··置控制系統，所以使檢査針接觸指定的檢查端子，此檢.查之後將檢査針升高到不會抵到基板上面的凸部的高度，將檢査探針陣列移動到下次的檢查處所。 .本纸張尺度適用中國國家標準CCNS>A4規格（210 X 297公釐） -13- 4 ❹ 2757 A7 B7 五、發明說明（11) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將檢查端子設爲較檢査對象的配線更高的構成採甩於半導體積體電路元件之例，已見於特開平0 4 — 142053號公報，但是該公報對有鑑於液晶顯示基板的檢查探針的移動，而將上述端子延伸於並列而且鄰接於上述檢查對象配線的配線上同時確保檢査針的接觸面與其位置對準的基準的想法並未有任何暗示。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製另一方面，在本發明的第2構成以及上述的液晶顯示裝置，導電接續2條以上的資料線或者閘極線，透過絕緣膜配置於鄰接資料線或者閘極線的檢査端子的資料線或者閘極線上，藉由共通檢査該2條以上的資料線或者閘極線的斷線，可以使檢査端子的平面尺寸擴大。以資料線之例敘述的話，對於被接續檢査端子的資料線，對應於跨過此檢查端子而且與該資料線電氣（較佳者爲串連）接續的2 條以上的其他資料線的像素電極的配置而排列著。因此，跨過其他資料線的檢査端子成爲沿著上述檢査探針陣列的掃描方向延伸的形狀。上述的檢査針的損傷，多在搭載此檢査針的檢査探針陣列的掃描，亦即從一測定位置向其他測定位置移動時產生。對此問題，被廣泛形成於第2絕緣膜上的檢査端子，可以充分按壓其表面形狀的凹凸，所以即使檢查端子的表面有摩擦也可以減低損傷的機率。增大檢査端子的面積的優點，在.於接觸斷線檢査的檢査針時，對於機械的位置對準的精度對於資料線或閘極線的間距無法充分確保時特別有效果。進而，即使在檢査針有所損傷其先端彎曲的場合，也可以抑制檢査針與檢査端子的位置 •本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) 402757 A7 B7 五、發明說明（12) 對準的偏移，所以可以抑制斷線檢査時的檢査不良的產生° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，藉由設置檢査端子因應例如影像顯示區域的大小或者精細度而調整該檢査端子的大小，對於精細度相異的複數種類製品，可以共通使用檢査針。因此，於同時生產不同種類製品的製造工程，可以省略交換檢査真的時間，提高生產效率。本發明在適用於間距約爲例如閘極線的1 / 3的資料線時效果很大，但也可以適用於閘極線，此外也可以適用於資料線與閘極線。進而，無論對縱電場方式或橫電場方式的主動矩陣方式的液晶裝置的資料線或閘極線，或者 F C A ( Flip-Chip Attachment )，亦即 C 0 G (Chip On Glass)方式的液晶顯示裝置，或者是單純矩陣方式的液晶顯示裝置的帶狀透明像素電極都可以適用。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製又，關於上述的特開平0 1 — 1 2 4 8 2 5號公報或特開平0 2 - 1 8 2 5號公報所討論到的靜電破壞，無論採用上述之任一構成都完全不產生靜電破壞。靜電導致基板上的元件不良的發生，雖然與基板切斷時相比在基板搬送時會產生，但是其機率與本發明所欲解決的課題相比是低到可以忽略的程度。基板搬送時的靜電破壞，應該是在帶電的物體（操作工具或者·'搬送作業者的手等）接觸於基板時產生的，於此工程，特別是在上述第2構成，資料線或閘極線之至少一方是保持於2條以上串聯接續連結的狀態。例如，交叉於X條資料線串聯接續的配線的閘極線的 •本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 場合，受到靜電影響電極電極因爲被配置爲X 升可以抑制於1 / X。 y條的話，上述電壓上致絕緣破壞的電壓上升緣故，可以推定前述的，與閘極線相比每1條的串聯配線可以具有防壓上升的電個.串聯，所除此之外，升可以更低藉由分配給靜電破壞變線的配線電止靜電破壞明的.第1構成適用於被動矩陣型的因爲在設於此的像素電極與供給該存在著被靜電破壞的元件的緣故，將鄰接的配線串聯，也可以發揮上於主動矩陣型的液晶顯示裝置也是導致的麻煩自身，引起的機率已經經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 402757 五、發明說明（13) 其中1條有靜電侵入的晶體的的汲極電極或源以各個電晶體的電壓上將上述閘極線串聯接續至l/xy。因爲將招複數的電晶體而抑制的得不顯著。根據此假定容有變小傾向的資料線的效果。進而，將上述本發液晶顯示裝置的場合，電氣訊號的配線之間不所以斷線檢查時即使不述的效果。這種情形對成立的。因爲上述靜電降到非常低。發明之實施形態以下.，使用圖面詳細說明將本發明適用於縱電場方式主動矩陣型液晶顯示裝置之實施形態。又，以下說明的圖面中’具有同一功能者被賦予同一符號，而省略其重複的說明。第1實施形態私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐

-1G (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

A7 B7 402757 五、發明說明（14) 《液晶顯示面板P N L· > {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2圖係對應於液晶顯示面板PNL的重要部位剖面圖（對應於第3圖的A 1 —A2切斷線的剖面圖），亦即，從TFT基板TFTSUB的閘極線GL與資料線 D L的交叉部橫切像素電極I TO 1，進而將該閘極線 G L·橫切的剖面圖。液晶顯示面板P N L，將隔著指定的間隙相互相對方向被配置的所謂TF T基板TF T S UB與其對向基板 ◦PSUB作爲外圍器，於此1對基板間中介著液晶層 L C。 TF T基板TFTSUB的液晶層L C側之面上，被形成閘極線（掃描訊號線）G L、薄膜電晶體T F T、資料線（影像訊號線或者汲極線）D L、透明像素電極 I T01等，此外，於對向基板OPSUB的液晶層LC 側之面上，被形成遮光膜（黑矩陣）BM '彩色濾光片 F I L、共通透明像素電極I T02等。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在該圖中雖未明示，於其單位像素（於彩色顯示，係由鄰接的3個單位像素構成一個完整像素），其薄膜電晶體藉由來自閘極線GL的掃描訊號而被打開（ON)，介由此被打開的薄膜電晶體T F T來自資料線D L的影像訊號被供給至像素電極I TO1，於此像素電極I TO 1與共通像素電極I Τ Ο 2之間因應被施加於這些電極的電壓而產生電場。藉此，調變像素電極I TO 1與共通像素電極 - 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製他加 _B7 ______ 五、發明說明（15) I T 0 2之間的液晶層L C，使其透光率產生變化。例如，來自被配置於TFT基板TFT S UB的外側之此處未圖示的背光（backlight :參照第2 2圖的符號 B L )的光線透過液晶層L C以及彩色濾光片F I L，透出對向基板〇 P S U B的外側，亦即透出顯示觀察側。又，S U B 1、S U B 2係透明玻璃基板， ORI 1、ORI 2 係配向膜，P0L1、P0L2 係偏光板。以下，針對上述各構成構件依序說明。《TFT基板TFTSUB》第3圖係從T F T基板.T F T S U B的液晶層L C側所見的單位像素與其周邊區域的平面圖案的重要部份平面圖。第2圖，如第3圖所示，首先在TFT基板 TF T S UB的液晶層L C側之面上，形成相互平行而隔開設置的複數條閘極線GL，及與這些閘極線交叉（以絕緣膜G I絕緣）並且相互平行而隔開設置的複數條資料線 D L 〇藉由相互鄰接的2條閘極線GL，與相互鄰接的2條資料線D L所包圍的區域分.別形成像素區域，於這些各像素區域，幾乎橫跨其分別區域的全域被形成像素電極 I T 0 1。發揮開關元件的功能的薄膜電晶體TFT，於各像素本紙張尺度缚用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t) ---:--------· Mil —----------"5^0--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) =-16*- 麯 2:755: A7 B7 五、發明說明（16 ) 電極I TO 1被形成在閘極線GL上，其源極電極SD 1 被接續於像素電極I T 0 1。被供給至閘極線G L的掃描訊號電壓，被施加給以該閘極線G L的一部份區域所構成的薄膜電晶體T F T的閘極電極而該薄膜電晶體成爲打開狀態，此時，被供給至資料線DL的影像訊號電壓透過源極電極SD 1被寫入像素電極I T 0 1。《閘極線G L·》如第2圖所示，閘極線GL，以單層的導電膜g 1形成。導電膜gl，使用厚度600〜3000A (埃）的鉻（C r )或鉬（Mo )或者是與其他高融點金屬形成的合金等。在本例中，使用厚度2 0 0 0A程度的以濺鍍方式形成的鉻與鉬的合金膜（鉻5 0重量百分比，鉬5 0重量百分比）。資料線DL，以導電膜d 1形成。此導電膜d 1，使用高融點金屬例如鉻或鉬的合金。在本例中，使用鉻7 0 重量百分比，鉬3 0重量百分比的合金。其他，也可以使用鉻8 0重量百分比’鉬2 0重量百分比的合金，或者是鉻5 0重量百分比，鉬5 0重量百分比的合金等。 ·* 《薄膜電晶體T F T > 如第2、3圖所示，於透明玻璃基板S U B 1上被形成閘極線GL，其表面被形成閘極絕緣膜G I 、半導體層 ’本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 一裝 • n 1 ϋ 1«- ϋ 訂---- 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 40275Ϊ A7 B7 五、發明說明（17) A S等，而構成薄膜電晶體TFT。薄膜電晶體TFT， <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .例如對閘極線G L上施加偏壓電壓的話，源極電極S D 1 -汲極電極（資料線D L )之間的通道電阻變小，使偏壓電壓爲零的話，通道電阻變大。閘極線GL的一區域之閘極電極上，設有由氮化矽所構成的閘極絕緣膜GI ，其上形成有不添加不純物的非結晶矽所構成的i型半導體層，以及添加了不純物的非結晶矽所構成的η型半導體層d 〇。進而，於其上形成源極電極SD1、汲極電極（資料線DL發揮其功能，以下在沒有特別記載的情形下，汲極電極即爲資料線D L )，構成薄膜電晶體T F T。作爲閘極絕緣膜G I的材料，被選擇例如藉由電漿 CVD法形成的氮化矽，被形成爲2 0 0 0〜5 0 0. 0A 的厚度（在本例爲3 5 0 0 A程度）。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i型半導體層AS，被形成爲500〜2 500A的厚度（在本例爲2000A程度）。η型半導體層d〇，係爲了與i型半導體層A S形成歐姆接觸而設的，以參雜了磷（P )的非結晶矽半導體層形成之。又’在本例的液晶顯示面板P N L，爲了方便將一方固定稱爲源極電極，將另一方稱爲汲極電極。源及電極、汲極電極的稱呼，本來應該由其間的偏壓特性來決定的，在動作中其極性反轉，源極電極、汲極電極也跟著交替。亦即，在構成被揭示於本說明書的液晶顯示裝置時，即使將被規定爲汲極的電極改爲源極，而將被規定爲源極的電 .本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公爱） A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（18 ) 極改爲汲極而使其發揮功能，對於作爲液晶顯示裝置其功能並沒有妨礙。《源極電極ε d 1 > 源極電極SD1，被形成於η型矽半導體層d 0以及閘極絕緣膜G I上，藉由導電膜d 1而構成。《透明像素電極IT01> 像素驗極I Τ 0 1，係以結晶質的銦錫氧化物（ I Τ 0 : Indium-Tin-Oxide )等透明導電膜d 2形成的。此透明導電膜d 2，藉由I TO的濺鎪膜形成，其厚度爲 300〜3Ό00Α(在本例爲1400A程度）。又，本說明書對透明導電膜的規定，並不是意味著不吸收入射光，而是與構成其周邊的導電性材料相比光的吸收量很少的意思。其定量的定義之一，可規定爲可見光區域（波長 3 80〜770nm的範圍）的透光率爲70%以上，較佳者爲8 0%以上，具有半導體以上的導電性的物質。亦即，並不限於在現今主流的I n2〇3內添加Sn〇2l〜 5重量百分比的上述I TO，以上述定義爲基準選定其他的材料，而以此構成像素電極亦可。《保持電容Cadd》，· 如第3圖所示，保持電容C a d d，係以被形成於薄膜電晶體T F T側的（基板面方向）另外一側的閘極線 G L上，於此閘極線G L上夾著絕緣膜G I以及保護膜表紙張尺度埤用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 * 297公t) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

五、發明說明（19) (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) P SV1延伸的像素電極I T01之重疊區域的電容構成之。此保持電容C a d d，具有防止液晶層L C的電容的衰減或薄膜電晶體T F T關閉（0 F F )時的電壓降低的功能“ 《保護膜P S V 1》如第2、3圖所示，於形成TFT基板TFT SUB 的薄膜電晶體T F T等的液晶層L C側的表面上，除了設於導電接續像素電極I TO 1與源極電極SD 1的部份或者TFT基板TFTSUg的周邊部之閛極線GL以及資料線D L的端子部的一部份之外，都以保護膜p S v 1覆蓋。.. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製保護膜P S V 1，形成的主要目的爲保護薄膜電晶體 τ F T不受溼氣等影響，例如藉由電漿c VD法形成厚度 2 0 0 0〜8 0Ό 0A的氧化矽膜或氮化矽膜。此外，在本例中，可以防止資料線DL與像素電極I TO 1的短路不良。亦即’於製造工程，即使由於資料線D L或者像素電極I Τ Ο 1的圖案的加工不良導致兩膜在平面上重疊的場合’也因爲藉由保護膜PSV 1而絕緣分離，可以防止短路不良。 *4 《汲極檢査端子D TM以及閘極檢査端子G TM> 第1圖（A)係橫向切斷汲極檢査端子（資料線檢査端子）DTM部的資料線DL的剖面圖、第1圖（B)係 2S· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x297公釐） 402757 Δ7 Α7 __Β7 ______ 五、發明說明（ 20) 閘極檢査端子（閘極線檢查端子）GTM部的閘極線GL 在橫向切斷方向的剖面圖、第1圖（C)係基板切斷前的 4 TFT基板TFTSUB的槪略平面圖。第1圖（A)係第1圖（C )的B 1 - B 2切斷線之剖面圖第1圖（B ) 係第1圖（C )的C 1 - C 2切斷線之剖面圖。如第1圖（A)所示，汲極檢査端子DTM，係由於導電膜d1所構成的資料線DL上中介著包覆該導電膜 d1的保護膜？3乂1而被接續的1丁0膜所構成的導電膜d2而構成的。又，搭載了驅動I C晶片的TCP (膠帶載體封包）被接續，對資料線D L從外部施加電壓訊號的汲極端子D T C P (第1圖（C ))也是同樣的構成，但是每1條資料線D L形成1倜端子。相對於此，汲極檢查端子D TM ’被形成爲每複數條（此處爲3條）資料線 DL形成1個端子。此外，汲極檢査端子DTM的透明導電膜d 2，與透明像素電極I TO 1的透明導電膜d 2係以同一工程形成的。

如第1圖（B )所示，閘極檢査端子GTM，於導電膜g 1所構成的閘極線gL，藉由透過包覆該導電膜g 1 的閘極絕緣膜G I以及保護膜P SV 1而被接續的I TO 膜所形成的導電膜d 2所構成。又，搭載驅動I c晶片的 T C P被接續，從外部對蘭·'極線G L施加電壓訊號的閛極端子GTCP (第1圖（C))也是同樣的構成，但是毎 1條閘極線G L被形成1個端子。相對於此，閘極檢査端子GTM，被形成爲每複數條（此處爲3條）閘極線GL 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐）H--；— t請先Ba讀背面之涑意夢读存填寫本頁) -^τ)裝 il!^.!v 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _75ϊ Α7 Β7 五、發明說明（21) 形成1個端子。此外，閘極檢査端子GTM的透明導電膜 d 2，與透明像素電極I T 0 1的透明導電膜d 2係以同 —工程形成的又，於（C) ，GCUT1、GCUT2、 GCUT3、GCUT4 係丁 FT 基板 TFTSUB 的切斷線（僅顯不主要部份）’ G SO爲顧示區域，d S 1、 DS 2、D S 3係將每複數條（此處爲3條）資料線DL 導電接續的接續配線，D C L係將資料線d L共通短路的資料線共通短路配線，DTCP係與輸入來自外部的資料訊號的T C P的輸出端子接續之用的汲極端子，G S 1、 GS2、GS3係將每複數條（此處爲3條）閘極線GL 導電接續的接續配線，G C L係將閛極線G L共通短路的閘極線共通短路配線，G T C P係與輸入來自外部的閘極訊號的T C P的輸出端子接續之用的端子，D C T係檢査資料線D L的斷線之用的檢查端子，G C T係檢査閘極線 GL的斷線之用的檢査端子。 (檢查方法等的內容詳見後述）《資料線D L》第1 6圖係第1圖（C)的基板切斷前的TFT基板 T F T S U B的槪略平面圖·之中，僅顯示資料線D L部份之圖。本實施形態係使用T C P方式的驅動1 c的場合。在本實施形態，舉出被設於TFT基板TFT SUB 上的複數條資料線DL之中的3條（DL 1、DL2、本纸張尺度缚用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）、 -----------· I----- — ^^----- (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 40： ' 402757 五、發明說明（ 22) DL3)爲例來加以說明》資料線DL，爲了檢査其有無斷線，以下述方式導電接續。圖上側的汲極端子DTCP，係供與驅動I C導電接續而設的。圖下側的汲極檢査端子D TM，係於後述斷檢查時使接觸檢査針取得導電接續而設的。 ---------- ' · .. —· 下策的汲極檢查端子D TM 1被接續於資料線 D L 1，資料線D L1被接續於上側的汲極端子 DTCP1。汲極端子DTCP1藉由其鄰接的汲極端子 0丁（：^2與接續配線0 3 1而被接續，汲極端子 DTCP2與資料線DL2接續》資料線DL2與汲極檢查端子DTM1並不直接接續，而是如第1圖（A)所示透過保護膜P s v 1而被絕緣。資料線D L 2藉由鄰接的資料線D L 3與接續配線D S 2而被接續。資料線〇 L 3 與汲極端子D. TCP 3接續，汲極端子DTCP 3藉由接續配線D S 3與共通短路配線DC L接續。於共通短路配線D C L，設有供檢査針接觸的檢査端子D C T。如此，資料線D L以3條爲1組反覆地被配置、接續。又，針對閘極線G L的配線接續構成，因爲與資料線 DL同樣的緣故，省略其說明（參照第1圖（C))。此外，與資料線D L的外部電路之接續端子D T C P，於後述的第3實施形態以第2 8圖來說明。《資料線D L的斷線檢査工程》斷線檢查工程，係以確認資料線D L以及閘極線G乙 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Zw 402757 五、發明說明（23) 是否有斷線、並藉以選擇分別不良基板爲目的。以下，針對TFT基板TFTSUB的資料線〇1的斷線檢查工程加以說明。 ·· ·· 第1 7圖係供說明資料線DL的斷線檢査工程之圖。 STG係支撐TFT基板TFTSUB的台座， PR01、PR02係檢査針，DR1、DR2係檢査針的驅動裝置’PU係電源裝置，CM係電流計。斷線檢查裝置’通常由發出任意電壓的直流電源裝置 P U，及被接續於電源裝置P U的檢査針（電氣接觸針） P R0 1 ’及直流電流計CM，及被接續於電流計CM的檢查針PR02，及固定檢査的TFT基板TFTSUB 的台座STG，及使檢查針PR01、PR〇2在上下方向以及水平方向上移動的驅動裝置D R 1、D R 2等所構成。第2 4圖係在實際的生產線進行第1 7圖所示的斷線檢查的檢查裝置之一例。第24圖（a)，係顯示由具有 6 5 0 mmX8 3 Omm大的表面尺寸之玻璃母板 (Mother Glass，厚度爲 0.7 mm，表示爲 T F T S U B )製作4枚液晶顯示基板的場合之斷線檢査，而在被形成於圖示的玻璃母板的左側之成爲液晶顯示基板的2個區域進行檢查。.··在此例，資料線與閘極線都採用本發明的第1以及第2構成。顯示於第24圖（a)的各構成要素，係以 PRO 1 g、PR02 g表示閘極斷線檢査用探針，用 •本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ί請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---— -4—丨訂·丨！經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（24) {請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) ARR 1 g、ARR2 g表示被搭載的探針陣列，以 DR1 g、DR2 g表示使此探針陣列移動於圖示的座標軸的y_以及z軸_的驅動單元_。各參照符號於其末尾帶有g 的表示閘極線的斷線檢查用，最後第2字之數字2代表用於對被設於閘極線端部的（本發明的特徵的）檢查端子 G TM的檢查探針接觸，最後第2字之數字1代表用於對被設於上述共通短路配線D C L的檢査端子G C T的檢査探針接觸。關於資料線的斷線檢査用裝置也同樣地定義，只有末尾的d字不同。各個驅動單πDRig、經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 DR2 g、DR 1 d、DR2 ci被載置於軌道2 1〜2 3 之任一，沿著此軌道在y軸方向移動。邶軌道被支撐於被載放於延伸在X方向的其他軌道1 0、3 0的驅動裝置 D R X 1〜3以及與此相對方向的可動台3 1〜3 3，藉由驅動裝置D R X 1〜3之任一的X軸方向的移動，來調( 整上述探針陣列的X軸方向的位置。探針陣列與該驅動單元，在從上述玻璃母板最大形成9枚液晶顯示基板的場合，分別具備有閘極線用的3組以及資料線用的3組（在圖中分別有一組休止）。又，第2 4圖（b )，顯示被吊在軌道2 1〜2 3的上述撿查端子G C T用的檢査探針裝置的樣子爲例。檢査裝置全體，被固定於具有防震功能的台40，軌道1〇、30分.別將兩端以臂4 1、42安置於台4 0上。載置上述玻璃母板（TFT基板）的台座 STG，被載置於分別可以在x方向與y方向上微調的其他台座4 3。私紙張尺度押用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） A7 B7 五、發明說明（25) 第2 4圖（a )的對一部份探針陣列ARR以圓圈表示的探針PRO，不能構成玻璃母板的檢査面的上側實際看到。在此，將探針陣列A R R的剖面槪要顯示於第2 5 圖。探針（檢査針）PRO，如圖所示於單側具有非常彎曲的曲面狀端部而具有近似子彈的剖面形狀。此曲面狀的先端接觸於檢查端子的表面。此先端之曲率半徑R1爲 2 0 Am，圓筒狀的另一端直徑R 2爲1 0 0 # m，以後述的XGA規格等現行製品的資料線寬度爲6〜1 0 來看，是大了很多。由材質來看其構造，其係具有含碳鋼形成的中心部5 1，覆蓋其表面的鎳層5 2進而還有覆蓋鎳層的金（Au)層5 3的3層構造。中心部5 1的體積較大的理由是爲了確保機械強度而不是導電性。另一方面，探針PRO的另一端（上端）設有線圈彈簧等彈性體 5 4，在探針P RO接觸於檢査端子的瞬間，緩和對此施加的力量》進而於其上部斷線檢査訊號輸出入用的埠 5 5，導電接續於探針PRO »圖示的探針陣列ARR，將如此構成的5根探針裝著於相互被絕緣的套（housing) 5 0 。同時顯示由下側來看此探針陣列之圖, (UNDERVIEW )。此仰視圖UNDERVIEW係準備於與第 2 4圖不同的配置的檢查端子的一個形狀例。顯示此圖的目的，是說明在鄰接的檢查端子移位時，在千鳥格子狀的配置時，使用於此的探針陣列的配置也改變β 如此，即使已經有防止破損對策的探針陣列，也會產生探針PRO的破損。參照第24圖（a)，說明其樣 •.本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 一裝·！ — — ！1 訂— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 402757 五、發明說明（26) {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 子。探針陣列ARR的位置對準，是將玻璃母板 T F T S u b上的液晶顯示基板形成區域所被畫上的位置對準用標記MRK以攝影機CAM等檢知，配合撿査對象的液晶顯示基板的規格（顯示區域的對角線長度、精細度）決定探針揮列的掃描條件。此掃描條件，是因應以液晶顯示基板的規格決定的檢査端子位置之探針陣列的移動行程，亦即例如使ARR2 g在X軸方向上，ARR2 d 在y軸方向上依序移動（掃描）。然而，僅靠著根據位置對準用標記MRK之條件設定來決定掃描條件，與實際的探針陣列的移動之間會有誤差。爲了解消此誤差，雖然亦嘗試於具有9 0 程度的線間距的上述製品，將局部的資料線寬度增加爲3 0〜5 0 # m，以謀求探針與檢査端子的確實接觸，但是效果並沒有提升。在本發明，著眼於在將探針陣列從測定位置掃描移動到下一個測定位置時時產生探針破損的情形。接著顯示在本實施例所揭示的液晶顯示基板的斷線檢査端子構造具有如下的效果。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在本發明的第1構造的觀點，因應資料線或閘極線的圖案如第1圖（A) 、（B)所示使凹部出現於分別的檢查端子DTM、GTM的做法對於位置對準精度的確保很有幫助。如第1圖所示，形成分別的檢査端子的I T 0 1 的沿著基板SUB 1的主面之面，分爲以根據上述凹部以斜坡爲境界與資料線D L或閘極線G L相接的部份，以及較此爲高的部份（延伸於覆蓋資料線的第2絕緣膜本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） A7 B7 402757 五、發明說明（27) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ?3¥1上的部份）。接著*使用第25圖所示的探針陣列進行斷線檢查時，使用後者的面爲有利。因此，前者的面，亦即凹部因爲未隱藏於探針的陰影下》所以可以藉由攝影機等來監看。使用第2 4圖a的檢査裝置的場合，攝影機CAM，安裝於驅動裝置DRX2、DR2 g即可。上述絕緣膜P S V 1，因爲使其下側的凹凸於其上面被緩和，所以顯現於上面的上述凹部變得很醒目。此外，因應資料線D L或閘極線G L的配列圖案而規則出現通過的凹部也容易影像辨識。進而，如第2 6圖所適於探針陣列的套5 0設發光元件（發光二極體）LD與受光元件（光電二極體）PD的組合而成的感光單元，或者是設渦電流感知器ECS，而通過通道（path) 5 6光學或者電氣標記上述凹部的話更能提高位置對準的精度。又，在第2 6圖，於一端設上述的光學感知器（L D、P D )於另一端設電氣感知器，但是即使廢止其中一方於兩端設2處所或者更多的光學或者電氣感知器的任一亦可。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在本發明的第2構造的觀點，資料線或者閘極線的檢查端子分別以橫切並排於該被接續的配線的章料線或.者間極，释的方式延伸1:。亦即，如第2 4圖所示，資料線的檢査端子於接觸於此的檢査探針所掃描的X方向上延伸，而閘極線的檢查端子在接觸於此·的檢查探針所掃描的y方向上延伸。此做法，是在前述的從前的檢査探針陣列的掃描中，使掃描時檢查探針的位置對準更爲充裕》此外，即使檢查探針並沒有充分從基板面提起就掃描，檢査探針僅有私紙張尺度埤用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 五、發明說明（28) 擦過檢查端子的緣故受到損傷的機率大爲下降。回到第1 7圖，說明斷線檢查方法。藉由圖示的檢査裝置實施斷線檢查時，首先於台座S T G上載置τ FT基板TFTSUB。其次藉由驅動裝置DR1、DR2使檢查針PR01、PR02接觸於TFT基板TFTSUB 上的檢查端子DTMl'DCT,(第16圖），從電源裝置？11透過檢査針？11〇1、？11〇2與檢査端子 DTM1、DCT 對資料線 DL1、DL2、DL3 施加電壓，藉由電流計CM測定電流値，算出資料線d L 1〜 D L 3的電阻以判定有無斷線。電流値較預先決定的下限閾質還小的場合，判斷爲斷線不良》其次，藉由驅動裝置 D R 2使被接觸於檢查端子D TM的探針P R0 2接觸於鄰接的下一個檢查端子DTM2，實施與DL 1〜DL 3 的那一組相鄰的次一（被接續於檢査端子DTM2的）資料線的斷線檢查。如此，雖然藉由驅動裝置D R 2移動檢査針P R ◦ 2進行檢査，但是在位置對準並沒有良好進行的場合，或檢查針P R 0 2的先端彎掉的場合等，檢査針 P R0 2與檢查端子D TM並沒有良好接觸的蒼和，檢査電流成爲在下限閾値之下而被誤判定爲斷線。但是，在本實施形態，如第1 6圖所示，相鄰的2條以上的（在圖中爲3條）資料線DL在TFT基板 TFTSUB的基板切斷線CUT1、CUT2的外側端部藉由接續配線DS1、DS2接續，如第1圖（A)所示，於鄰接的資料線DL上透過保護膜P SV 1與該鄰接本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —^.裝-----1—訂·——丨—^3— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 402757 A7 _-____ B7 五、發明說明（29) 的資料線DL平面上（亦即從與基板垂直的方向來看）重疊的方式配置各汲極檢査端子DTM，共通檢査2條以上 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的電氣接續的資料線D L的斷線。亦即，使移動的檢査針 • . · PRO 2所要接觸的檢查端子d TM的面積可以增大的緣故，所以由於檢查針p R 〇 2的位置對準的不良所導致的誤判定可以降低》亦即，使斷線檢査裝置的檢査針接觸時’對於對資料線D L的間距不能夠充分確保機械的位置對準精度的場合，或者是針有損傷先端彎曲的場合，因爲都可以抑制檢査針與檢查端子的位置對準的偏移，所以可以抑制斷線檢查時的檢査不良的產生。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製進而，使用顯示與同樣的資料線配置的第2 4圖a右下的基板說明第1圖c或第1 6圖所示的可適用於本實施例的斷線檢査配線的其他檢查方法。a〜]!之檢査端子分爲每隔1根間隔開的a、c、e、g群，與鄰接於此群之任一之b、d、f、h之群，使前者的端子群的電位較後者的端子群的電位更高（例如，使前者爲正電位，使後者爲負電位），於分別被接續至後者的端子群的配線測定電流。此時，如果端子d的電流値不滿判定値的話，端子d 一 c之間或者端子d — e之間判定爲有斷線之疑。其次，反轉前者端子群與後者端子群的電位，於分別被接續至後者端子群的配線測定電流.。〜此時，如果端子c的電流値不滿判定値的^，判斷端子d — c之間有斷線。採用此方法的話，不需要在共通短路配線D C L設檢査端子D C T。此外第2 4圖的檢査探針PRO 1 d、探針陣列本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^2- A7 B7 五、發明說明（30) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ARR 1 g以及驅動單元DR 1 d也變成不需要。亦即，可以簡化檢查裝置的構成。此優點對於閘極線的斷線檢査也同樣成立。另一方面’液晶顯示裝置具有種種精細度不同的規格。現在正檢討中或者在不久的將來會被提出檢討的規格顯示於第1表。於此第1表橫寬比意味著顯示畫面的縱橫長度比。黑白顯示的場合，精細度定義爲資料線數X閘極線數之積，在彩色顯示的場合，必須要在每個像素發出3 種不同波長的光。亦即，必須要準備上述的積的紅、綠、藍之所謂RGB的3種類像素。亦即，資料線數成爲第1 表的數値的3倍。此處成爲問題的是即使精細度高的製品被出貨，但是因應與此相比精細度較低（第1表的上段側）的製品的需要，還必須製造精細度低的製品。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在如此的狀況下，活用既有的檢査裝置進行液晶顯示基板的斷線檢查時，本發明發揮很大的效果。亦即，調整汲極檢查端子D TM的大小設該汲極檢査端子D TM，藉此對於精細度相異的複數種液晶顯示面板P N L的製品，可以使用共通的檢查針。根擄本發明的第2構成，因應精細度的高低而增加檢査端子跨過的配線數，將更多的資料線串連接續而進行斷線檢查。此外，根據本發明的第1構成，採用第2 6圖的探針陣·.列等改善檢査裝置的位置控制特性，因應此使探針更微細。這個場合，對於精細度低的機種，即使將資料線檢査端子抑制爲跨過鄰接於此的1條資料線的程度的大小也可以進行斷線檢査。因此，於同時本紙張尺4埤用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）. -33^ 402757 A7 ____Β7___________ 五、發明說明（31) 生產種類不同的製品之製造工程，可以省掉交換檢査針的時間，提高生產效率。此外，本發.明在如上述於1枚TF Τ基板 T F T S U Β之中進行複數次檢査的場合也有效，對於在 1枚玻璃基板上配置複數枚的TFT基板TFT SUB，亦即所謂取多面的場.合更爲有效。亦即，在取多面的場合，藉由驅動裝置DR1、DR2移動檢査針PR01、 :P R Ο 2的距離變大，要充分確保對於台座S T G的位置對準的精度變成困難的緣故，藉由可以使檢查針P R 0 2 接觸的檢查端子D Τ Μ的面.積增大，因而可以使檢査針 P R 0 2與檢查端子D ΤΜ的位置對準保持良好。《接續配線DS 1〜3、GS 1〜3的切斷工程》其次，說明切斷接續配線DS1〜3、GS1〜3的工程。在本實施形態，使藉由後述的製造工程所製造的 TFT基板TFT SUB，與另行製造的對向基板 Ο P S U B，隔著一定的間隔重合並且貼合之後，爲了使. T F T基板T F T S U B的外形成爲製品的外形而實施玻璃基板的切斷工程。藉由接續配線DS1〜3、GS 1〜 3導電接續的賨料線DL、·，閘極線GL，藉由此切斷工程在切斷線GCUT1〜4之處被切斷，使得鄰接的各資料線D L、各閘極線彼此在電氣上獨立分離。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 III — — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 402757 A7 B7 五、發明說明（32 > 《對向基板OPSUB〉 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 如第2圖所示，透明玻璃基板SUB 2，係在與 TFT基板TFT SUB之間置液晶層L C之間隙而相對方向被配置的。於此對向基板OP S UB的液晶層L C側的面上，依序層積遮光膜（黒矩陣）BM、紅色、綠色、藍色的彩色濾光片F I L、保護膜P SV2、共通透明像素電極I T 0 2以及配向膜〇 R I 2。此外，於該對向積板〇 P S U B的相反側面上，貼合有偏光板POL 2 *藉由此與位於TFT基板 T F T S U B之未被形成薄膜電晶體T F T的相反側之面上的偏光板P0L1，使透過光偏光。遮光膜B Μ，係以鉻的濺鍍膜、黑色有機樹脂膜或者石墨膜等形成，遮光的同時，也發揮對於在寧個像素電極 I TO 1將光分離爲框狀，提高對比的黑矩陣的功能。《TFT基板TFTSUB與對向基板OPSUB的密封形態》經濟部智慧財產局員工消費合作社印製上述的TFT基板TFTSUB與對向基板 O P S U B，是以樹脂製的密封材隔著指定的空隙相對方向的方式被貼合。貼合後的基板端部的構造，以未設閘極線G. L的閘極端子G T C P之側爲例，顯示於第2 7圖 A。被揭示於圖中的構成要素，與第2圖所揭示者共通 (標記著相同的參照符號），進而在第2 7圖A再加上下述構成要素。 S L係在上述密封材，爲環氧樹脂或者於此加入氧化 '本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 402757 at B7 五、發明說明（33) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 鈦等所構成。於對向基板0 P SUB側，夾著與被形成分爲2層的保護膜PSV2a、PSV2b，被設於TFT 基板TFT SUB上的像素電極I T 01同時對液晶層 L C施加電位差的對向電極I TO 2 »對於每幕影像資訊電位都變化的各像素電極，對向電極I TO 2無關於像素之差被設定於指定的電壓範圍。亦即，對向電極I TO 2 多由第2 7圖A的右側延伸至閘極端子側的基板端部爲止而形成。接著，爲了避免在對向電極I TO 2蓄積多餘的電荷，透過設於密封材S L內的導體（未圖示）被接續至設於T F T基板T F T S U B側的外部電路（或者、接地電路）。保護膜PSV2b，幕亦在於如此的對向電極 I T 0 2的保護以及密封材S L的固定。S I 0，係爲了提高基板與被形成於此表面上的閘極線G L ( S U B 1 側）或遮光膜BM以及彩色濾光片F I L ( SUB 2側）的黏著性而設之膜，以氧化矽等構成。關於GTM1、2 將於稍後敘述》經濟部智慧財產局員工消費合作社印製無視於第2 7圖厶的〇丁1^1、0丁]^2的構成要素的話，在密封材S L周邊存在著所謂死空間（dead space)。例如，從顯示區域G S 0 (定義爲在每個基板端的最接近的遮光膜開口的「邊緣」的位置）起直到密封材的內面 (接於液晶層的面，在第2 ·7圖A爲右側）爲止的距離 L 1設定爲較2mm爲大。此外，從基板端部直到密封材的外面（在第2 7圖A爲左側）爲止的距離L 2也取約爲 0.4mm程度。對應於此，於TFT基板TFT SU B上 • 3G - 本紙張尺度適用.中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 五、發明說明（34) 形成上述死空間。於第27圖A，使距離L1爲2mm以上，是因爲對於確保在本發明的液晶顯示裝置的實裝階段，與覆蓋基板 S UB 2上面的周緣的框FR組合之際的對準精度是很重要的。進而，以相對‘方向於將遮光膜BM的端部（遮光膜自身的外周）包圍於上述密封材SL的「空間」，換句話說相對方向於保持液晶層L C的「空間」較佳。亦即，遮光膜B Μ不會越過密封材S L向基板端部延伸者是被推薦的。其理由如下。以樹脂材料構成遮光膜ΒΜ的場合，基板切斷時遮光膜的端部剝離，而有漏光的可能性。此遮光膜剝離的原因，可能是源自遮光膜與其周邊的構成要素的黏著性強弱。在第27圖A，爲了使遮光膜ΒΜ安定固定於基板 S U B 2，設有氧化矽膜S I 0。但是遮光膜B Μ與氧化矽膜S I 0的黏著強度，與遮光膜Β Μ和設於其上的（因爲將基板S UB 2作爲基準，所以與第2 7圖Α的配置顛倒）保護膜P SV2 a的黏著強度相比要差上許多。進而，遮光膜BM與保護膜P SV 2 a的黏著強度，與密封材S L與保護膜P S V 2 b的黏著強度相比還要差上許多。亦即，遮光膜ΒΜ與氧化矽膜SI0的黏著部，對於基板切斷等從外部施力的影·響有偏脆的現象。此外，即使採用如鉻等黏著力優異的.遮光膜材料，考慮到以上述的黏著強度規定的條件，不能否定遮光膜ΒΜ從基板SUB 2. (或者其上之層）的上面剝離（浮起）的可能性。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -37 - A7 402757 B7 五、發明說明（35) 對於如此的課題，將第2 7圖A所示的遮光膜B Μ，以其端部不達到密封材S L上的方式，收於被基板 S UB 2的密封材包圍的面內者被推薦。其具體例之一，以密封材的內面（接於液晶層的面，在第2 7圖Α爲右側）與遮光膜端部的距離L 3確保爲0.2mm以上者較佳。又，從遮光膜BM端部的外周洩漏的光，在液晶顯示裝置的實裝階段矽藉由覆蓋基板S U B 2上面的周緣之框 F R來遮斷。另一方面，切斷玻璃基板（前述的玻璃母板）分離爲各個液晶顯示基板時，從切斷部產生第2 7圖B所示的龜裂。第2 7圖B，係從平面方向來看第2 7圖A (剖面圖）的基板SUB1、SUB 2的左側端部時的龜裂之素描，如2枚貝殼模樣的低窪產生於基板面。亦即，此低窪到達T F T基板或者對向基板與密封材S L的接續部時，產生從液晶層洩漏液晶組成物。接著，通常此低建的侵入距離L 4平均爲0.2mm，較大的場合也有到達0.3 mm 的。有鑑於如此狀況，即使是不使用於液晶顯示基板內的電路與外部電路的接續之端部，其基板S U B 1、 SUB2的端部與密封材SL的外面的距離L2，也至少要較）.3mm更帶，例如0.3 5mm以上，較佳者爲 0 . 4 m m 以上。如上所述考慮在顯示區域GS 〇的外周必然會產生死空間的擴大與前述的檢查探針的形狀的話，本發明的檢査端子GTm的位置，如第2 7圖A所示，可以在顯示區域 .本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------1----〶裝------*丨 — 訂---rllll'^w. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 402757 ^ _______B7_____ 五、發明說明（ 36) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) GSO的外周與密封材SL之間（GTM1)，或者可以在密封材SL的外側與基板端部之間（GTM2)。於前者的構成，組裝液晶顯示裝置而使其驅動時，檢査端子 G TM1對最接近的像素電極I T 01有產生電場干涉之虞的場合，推薦使檢查端子G Τ Μ 1與上述像素電極的相對方向的端部的距離L 5較該像素電極的長度（此處爲沿著閘極線的長度）L 6更大。以上的議論，對於資料線也同樣成立，這個場合上述的像素電極的長度L 6定義爲沿著有問題的檢査端子被接續的「資料線」的長度。《TFT基板TFTSUB的製造方法》其次，使用第4圖、第5圖〜第1 5圖說明上述液晶顯示面板PNL的TFT基板TFTSUB的製造方法。第4圖，係將TFT基板TFT SUB的製造流程整理爲工程1〜5之流程圖。第5〜1 5圖係對應於第4圖的工程1〜5的剖面構造圖。經濟部智慧財產局員工~消費合作社印製第5〜1 0圖對應於第3圖的A1 — A 2切斷線剖面圖（亦即，第2圖的TFT基板）。亦即，第4圖的工程 1〜5之，從TFT基板TFT SUB的閘極線GL與資料線D L的交叉部橫切像素.電極，進而橫切該閘極線GL 的剖面圖。此外，第1 1〜1 5圖（A )對應於第1圖（C )的 Bl — B2切斷線剖面圖（亦即，第1圖（A))，第本紙張尺度、適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） ' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 402757 A7 _B7_____ 五、發明說明（37 ) 11〜15圖（B)對應於第1圖（C)的Cl — C2切斷線剖面圖（亦即，第1圖（B))。亦即，（A)係第 4圖的工程1〜5的包含汲極檢査端子DTM的資料線 DL的剖面圖，（B)係第4圖的工程1〜5的包含閘極檢査端子GTM的閘極線GL的剖面圖。以下，依序說明鉻工程。 <工程1 >

如第4圖所示，首先準備透明基板SUB1，於其一方（液晶層側）表面上，藉由濺鏟形成供形成閘極線GL 之用的鉻與鉬的合金膜。接著，於此合金膜上藉由光蝕刻處理（以下，簡稱爲光處理，此爲第1光處理）形成指定圖案的遮罩膜（光阻膜等，以下相同）。其後，選擇蝕刻該合金膜，形成指定圖案的導電膜 gl (參照第5、11圖）。在本例中，溼式蝕刻液使用濃度1 5重量百分比程度的硝酸第二铈銨溶液進行溼式蝕刻處理》 <工程2 > 其次，於設有前述導電膜g 1的透明玻璃基板 SUB 1上，例如藉由電漿CVD法依序形成氮化矽膜 (SiN膜）Gl 、 i型非結晶矽半導體層AS以及η型非結晶矽半導體層d〇。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐〉 — — — — —— — — — — I· · I I I I J I I ^ «— — —— — I — I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明說明（38 ) 其次’藉由光處理（第2光處理）形成遮罩膜》 (諦先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其後，使用六氟化硫（SF6)與氯化氫（HC 1 )的混合氣體，將η型非結晶矽半導體層d〇、 i型非結晶矽半導體層A S蝕刻除去，形成指定的圖案（參照第6、 1 2圖）。藉由此工程，形成薄膜電晶體TFT的通道部’或閘極線G L與資料線D L的交叉部，以及這些的周邊（參照第3圖）。此時，以在該蝕刻不形成i型非結晶矽半導體層A S的殘渣的方式，在氮化矽瞋g I的表面露出之後仍然維持進行蝕刻的緣故，.所以氮化矽膜G I的表面雖然很少但還是有被蝕刻到。 <工程3 > 其次，於此透明玻璃基板SUB 1上，藉由濺鍍形成供形成源極電極SD1、資料線DL (汲極電極）（包含資料線D L的汲極端子D TM或與汲極檢査端子D TM接續的部份）之用的鉻與鉬之合金膜。此外，也可以層積鉻膜與鉻鉬合金膜與鉻膜。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，於此合金膜上藉由光處理（第3光處理）形成遮罩膜。其後’選擇性蝕刻該合金膜，形成指定的圖案（參照第7、1 3圖）。藉由此工·程，將構成資料線d L、汲極端子部DTM、汲極檢査端子DTM、源極電極SD 1的導電膜d1加工爲指定的形狀。其次，利用在該工程形成的導電膜d 1的遮罩，使用本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 402757 A7 B7 五、發明說明（39) 六氟化硫與三氯化砸的混合氣體選擇性地乾蝕刻除去η型非結晶矽半導體層d〇(參照第8圖）。 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〈工程4 > 其次，於此透明玻璃基板，藉由電漿CVD法形成作爲保護膜P S V 1的氮化矽膜。膜厚爲2 0 0 0〜 6 0 〇 0 A (埃）程度。在本例中爲3000A。接著，藉由光處理（第4光處理）於該氮化矽膜上形成遮罩膜。其後，使用六氟化硫與氧氣的混合氣體，蝕刻該氮化矽膜。藉由此工程，除去與源極電極S D 1接續的接觸孔 CH、汲極端子DTM、汲極檢査端子DTM以及閘極端子GTM、閘極檢查端子GTM的接續不上部的保護膜 P S V 1 (參照第9、1 4圖）。 <工程5 > 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，於此透明玻璃基板S UB 1上，藉由濺鍍設由 I TO膜所構成的導電膜d 2。接著，藉由光處理（第5光處理）形成遮罩膜。其後，藉由溴化氫溶液選擇性蝕刻導電膜d 2，形成像素電極11'〇1.(參照第.10、15圖）。此時，像素部的接觸孔CH、閘極端子GTM、閘極檢査端子 GTM、汲極端子DTM、汲極撿操紫DTM等的露出的金屬膜表面，藉由該導電膜d2(ITO膜）包覆》此端 .本紙張尺度.哮用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Α7 402',57 Β7 五、發明說明（40) 子部的導電膜d 2，與下面的金屬膜導電接續，除了發揮將來自被接續於該導電膜d 2的驅動I c的電壓訊號傳達至閘極線G L、資料線D L的功用的之外，還發揮保護端子部的前述金屬膜不會受到腐蝕等化學反應或是機械破損的影響。根據以上的工程，完成TFT基板TFTSUB的各種膜的層積工程。第2實施形態使用第1 8圖說明本發明的第2實施形態。第18圖係與前述第1實施形態相同的圖，在基板切斷前的T F T 基板T FT S U B的槪略平面圖之中僅顯示資料線d L的部份。本實施形態也是使用T C P方式的驅動I c。 TF T基板TF T S UB的製造方法與第1實施形態相同。在本實施形態，有以下3點與第1實施形態不同。 (1)沒有共通短路配線（第16圖的DCL)、檢査端子（D C T )接續配線D S 3。（ 2 )以4條資料線 DL1、DL2、DL3、DL4爲1組透過接續配線 DS1、DS2導電接續、實施檢査。（3)第1實施形態的檢查端子D C T改用檢査端子D T Μ 2。在本實施形態，配置共通短路配線（第1 6圖的 DCL)的部份的面積可以減除，可得更大的顯示區域 G S 0。以上，於T C Ρ方式的液晶顯示裝置，在第1實施形 ’本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ ϋιιιι^·ΙΙΓ 經濟部智慧財產局員. 工消費合作社印製 4Θ- 40275'Γ A7 ^_' B7 五、發明說明（41) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 態，係針對3條資料線D L —次進行檢査，而在第2實施形態，是針對4條資料線一次進行檢査的方式》亦即，在第1實施形態’可以同時檢査奇數條資料線D L。在第2 實施形態，可以同時檢査偶數條資料線D L。第2實施形態，可以更增大檢查端子D Τ Μ的面積。當然，使一次可以檢查的線數增多亦可。進而，在第2實施形態對於閘極線GL也與第1實施形態相同如第1圖（C )所示，藉由設閘極檢查端子 GTM、接續配線G S 1〜3、閘極線共通短路配線 GCL、檢查端子GCT可以進行閘極線GL的斷線檢查。第3實施形態前述第1 、2實施形態係TCP方式的液晶顯示裝置，在第3實施形態，是使用F CA (Flip-Chip Attachment 方式的驅動I C。TFT基板TFTSUB的製造方法、斷線檢查方法與第1實施形態相同。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第19圖係基板切斷前的TFT基板TFTSUB的槪略平面圖之中僅顯示資料線DL的部份。亦即，第1 9 圖對應於第1實施形態的第1圖（C ) ’第2 0圖對應於第 1 6 圖。 ' DFCA 1係被實裝於TFT基板TFT SUB上的驅動I C晶片（未圖示）的輸入端子的端子’ DF CA2 係驅動I C晶片的輸出端子被接續的端子’ D F P C係對本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 402757 A7 B7 五、發明說明（42) 驅動1C輸入來自外部的訊號之用的FPC (可撓性印刷線路板）被接續的端子，，GFCA1係驅動1C晶片的輸入端子被接續的端子DFCA2係驅動IC晶片的輸出端子被接續的端子，DFPC係FPC被接續的端子。與第1實施形態不同之處，在於資料線D L的接續配線DS 1、DS 3、閘極線GL的接續配線GS 1、 G S 3的切斷方式》在本實施形態，以與在切斷線 GCUT1、2之處切斷接續配線DS2、GS2的玻璃基板切斷工程不同的另外其他的工程，沿著切斷線 LCUT1、LCUT2藉由雷射光切斷接續配線 031、3、031、3»切斷線1^(：11丁1、 LCTU2，被配置於驅動1C (未圖示）的實裝部之下，與T C P方式比較製品的外型可以縮小。如本實施形態所示，本發明對F C A方式也有效。《與資料線的外部電路的接續形態》此處，包含前述的第1、2實施形態，參照第2 8圖舉上述端子D F C A爲例說明接續資料線與外部電路的端子構造。第2 8圖係省略顯示區域的詳細之夾著顯示區域相對方向的檢査端子DTM(左側）與外部電路的接續端子D F C A (右側）之圖。·· 使用第1實施形態所述的程序可以實現的端子構造，係第2 8圖A及B。第2 8圖A的構成，係將資料線D L 延伸至端子D F C A爲止者》亦即，具有可以降低從端子本紙張尺度用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4Θ· I----------0 裝.— 訂.！—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明說明（43). 到T F T的汲極電極的電阻的優點。 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 對此，在第2 8圖B例如以高融點金屬形成的資料線 D L起與像素電極同時被形成的I TO 1的配線在保護膜 P SV 1上拉起電路形成端子。亦即，資料線D L與直線狀的第2 8圖A的構造相比有電阻上升的可能性。但是因爲在容易形成平坦表面的保護膜P S V 1上進行與外部電路的導電接續，所以可期待提高其可信賴性。進而，第28圖B的構成，於本實施形態的FCA實裝，也可以藉由第1實施形態的方式的基板切斷來切斷斷線檢査用接續配線G S 1 ' G S 3、D S 1、D S 3。首先，將第1 9圖的D F C A 1、G F C A 1、經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 DFCA2、GFCA2、DFPC、GFPC 全部形成於保護膜P S V 1上。參照第2 8圖B的右側，成爲在保護膜P SV. 1上向右延伸的導電膜I T01在1個處所 (DFCA2—DFCA1)被分斷的形態。另一方面，不將DS 1、DS3、GS 1、GS3的各配線拉上於保護膜P S V 1，而在其下延伸至資料線01、閘極線 GL、共通短路配線DCL、GCL或者直到其附近爲止。於第2 8圖B的右側，顯示將資料線D L向右端延伸. 的樣子。如以上所述使DS 1、DS 3透過保護膜 PSV1 交叉於 DFCA1 …DFCA2、DFPC ’ 而使GS 1、GS 3透過閘極絕緣膜G I以及保護膜 PSV1交叉於GFCA1、GFCA2、GFPC而延伸於基板外周部即可。表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 40^757 五、發明說明（44) (請先閱讀背面之注意ί項再填寫本頁) 第2 8圖C，係使資料線DL從閘極絕緣膜G I上落至基板SUB 1側構成端子DFCA者。因此，不能夠利用同時形成閘極氧化膜GI與保護膜PSV的第1實施形態的工程4。然而，在基板S U B 1表面之被保證爲平坦面的面上設有與外部電路接續的端子，所以可信賴性高，此外具有不管成膜結果如何基板上的端子形成位置（高度）都不變化的優點。關於外部電路與資料線或者閘極線的接續端子，第 2 8圖A〜C所示的任一構成都不會妨礙本發明的實施。可以選擇程序或者性能之任一爲優先，而變更實施形態，例如可以將檢查端子以I T 0以外的例如金屬材料構成之。《液晶顯示模組的全體構成》第22圖係實裝了第19圖所示的液晶顯示面板 P N L的液晶顯示模組M D L的分解立體圖。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S H D係由金屬板所構成的遮蔽外殼（shield case)(也稱爲金屬框架），WD係顯示窗，SPC1〜4爲絕緣間隔件，FPC1、2係被折曲的多層可撓性電路基板（ F P C 1係閘極側電路基板、F P C 2係汲極側電路基板），PCB係界面電路基·板，A S B係被組裝的附有驅動電路基板的液晶顯示元件，PNL係於重疊的2枚透明絕緣基板的一方基板上搭載驅動IC的液晶顯示面板， GC1以及GC2係橡膠避震墊，PRS係稜鏡薄片（2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4027 b A7 B7 五、發明說明（45) (請先Μ讀背面之it意事項再填寫本頁) 枚）、SPS係擴散薄片、GLB係導光板、RFS係反射薄片、MCA係藉由一體成形而形成的下側外殻（鑄型外殼）、LP係螢光管、LPC係燈管電線、LCT係反相器用的接頭、G B係支撐螢光敢L P的橡膠避震墊，以如圖所示的上下配置關係堆疊各構件組裝成液晶顯示模組 M D L。《實裝了液晶顯示模組MDL的資訊處理》第2 3圖係實裝了液晶顯示模組M D L的筆記型電腦或者文書處理機的立體圖。第4實施形態第4實施形態也是使用FCA方式的轤動1C。第2 1圖係對應餘地2實施形態的第1 8圖之圖，在基板切斷前的T F Τ基板T F T S U Β的槪略平面圖之中，僅顯示資料線D L的部份。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本實施形態，將第2實施形態（第1 8圖）所示的偶數條資料線D L作爲1組一次檢査的方式以F C Α方式實施。接續配線DS1、DS2的切斷方法，與第3實施形態相同。亦即，接續配線D S 2的切斷係藉由切斷線 GCUT1的玻璃切斷而切‘.斷，接續配線d S 1係在切斷線L C U Τ 1以雷射光切斷。在本實施形態也如同第2實施形態所說明的藉由省略共通短路配線D C L而達到外形的縮小，藉由第3實施形態所說明的F C A方式具有縮小 40 - 本紙張尺度i|用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）五、發明說明（46) 外形的效果。 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以上根據實施形態具體說明本發明，但是本發明並不以上述實施形態爲限定，在不逸脫其要旨的範圍內當然可以進行種種的變更。例如，本發明雖然指出適用於間距爲閘極線的例如1 / 3的細小資料線時效果很大，但是也可以適用於閘極線，此外，當然也可以適用於資料線與閘極線雙方。此外，在前述實施例，係在檢査端子DTM、 GTM的外側藉由切斷線GCUT1、GCUT2切斷基板TFTSUB，使檢査端子DTM、GTM殘存，但是在檢查端子DTM、GTM的內側切斷基板 TFTSUB，而捨棄檢査端子DTM、GTM亦可。進而，對於縱電場方式或橫電場方式的主動矩陣方式的液晶顯示裝置的資料線或閘極線也可以適用，對F C A方式的液晶顯示裝置也可以適用，或者對於單純矩陣方式的液晶顯示裝置的帶狀透明像素電極也可以適用》接下來介紹這些變形例的一部份。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製《第1變形例》在上述的實施形態，將檢査端子以及像素電極同時形成於保護膜P S V 1上，但是因爲要使設於顯示區域的配向膜0 R I 1的平坦性特別·提高，而將保護膜PSV1的形成分爲2個工程，將像素電極I TO 1形成於較檢査端子I TO 1更偏基板側亦可。此例顯示於第2 9圖A及 B 。 •本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 W2757 A7 .' _^_ B7 _____ 五、發明說明（47 ) 其製程爲：形成保護膜PSV1 a後，暫時僅將此蝕刻，使露出薄膜電晶體TFT的源極電極SD1。接著，形成I T 0膜，以圖案化像素電極的方式施以蝕刻之後，形成保護膜P SV 1 b。爲了方便理解而圖示的保護膜 P S V 1 a、b之間的界面，隨著材料以及成膜條件的不同，即使在電子顯微鏡底下也常常看不見界面。檢査端子的形成，依照第1實施形態將保護膜P S V 1 a、b以及閘極氧化膜G I於同一工程中蝕刻，使露出圖示的資料線 D L以及未圖示的閘極線。此構成，在構成像素電極的I TO 1的表面粗糙度有問題的場合特別有效。像素電極被包覆於保護膜 P SV 1 b的部份，也具有靜電不易進入的優點。此外，因爲像素電極與檢查端子是以不同的工程形成的，所以可以_由選擇檢查端子的採料。《第2變形例》如前所述’提高顯示區域的精細度的話特別是資料線的寬度以及間隔會微細化。接著，供從資料線或閘極線拉出檢查端子之用而設於保護膜P S V 1的孔也必須跟著更爲微細。如此狀況下的本發明.’··可以藉由第3 0圖所示的剖面形狀來實施。此圖相當於第1圖A，但是以導電材料埋掉孔穴，由路出於其底部的資料線D L取得導通，使導通於保護膜PSV1上的•檢査端子。導電材料，推薦的是半導紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 ϋ I ββ an ϋ 1· ϋ · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __I__B7___ 五、發明說明（48 ) 體元件的接觸孔接續所使用的多結晶矽等。 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 《第3變形例〉以下敘述本發明的面內開關型主動矩陣液晶顯示裝置 (以下，稱爲I P S型液晶顯示裝置）的應用例。此種液晶顯示裝置，特徵在於控制液晶組成物的配向的電場的施加方向。第1〜4實施形態所示的液晶顯示裝置或者被動矩陣液晶顯示裝置是使控制電場施加於相對方向的基板之間，但是這種液晶顯示裝置，是在沿著其基板面的方向上施加控制電場。由於此特徵，這種裝置也被稱爲橫電場型液晶顯示裝置（對此，第1〜4實施形態所記載的裝置，稱爲縱電場型液晶顯示裝置）。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製以第31圖A的平面圖與第31圖B的剖面圖說明一般的I P S型液晶顯示裝置的構成。第3 1圖A的平面圖，顯示一個像素以及繞於此像素的配線的樣子，像素區域包圍於2條閘極線G L與2條資料線D L，於其交叉點之一被形成供驅動像素之用的電晶體的構成與第3圖的液晶顯示裝置共通。但是有下列不同。從電晶體的源極電極（定義與第1實施形態相同）延伸的像素電極P X，不被形成於以遮光膜（形成於相對方向的基板的至少一方）的開口 6 0所規定的像素區域全體。因此，像素電極也可以遮斷光的材料來構成。此外，具有與像素電極Ρ X同時形成控制液晶組成物配向的電場之對向電極C Τ被形成於與像素電極同一基板上的特徵。 ^91-=· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 402757 五、發明說明（49) 因此，必須要有向對向電極供給指定的電位或者從對向電極除去剩餘的電荷的配練（對向電極線）CL)» (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁》 I P S型液晶顯示裝置的動作功能，以沿著第3 1圖 A的A — A /間的虛線之第3 1圖B的剖面圖來說明》第 3 1圖B爲了說明而使像素電極P X的左側與右側的液晶分子Μ 0 L (將細長分子構造視爲圓柱）的朝向相反，亦即使所謂分子配向的方向相反。於實際的影像顯示動作，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .左右液晶分子M 0L因應被形成於像素電極Ρ X與對向電極C X之間的電場而使像素電極Ρ X配向爲約略同於中心的方式。圖示的右側分子，..在未被施加電場的場合顯示直行於紙面的配向，左側的分子顯示被施加以黑色箭頭所示的電場時的配向。接著，在相對方向於像素電極及其曲動用開關元件被形成的基板SUB 1的相對方向的基板 S U B 2的液晶層之面，不被形成由I T O等構成的導電膜。此外，被成膜於此面的材料之中，比電阻値有可能成爲最高的遮光膜BM以及彩色濾光片F I L，分別選擇電阻値達到1X1 〇6Ω · cm以上的材料》其理由爲改變了第3 1圖B所示的電場方向。於具有上述特徵的IPS型液晶顯示裝置適用本發明之一例顯示於第3 2圖。參照符號幾乎與第1實施形態的第1圖C或第1 6圖所說明‘的完全相同，很明白的關於資料線可以與上述第1〜4實施形態同樣的要領實施。在圖中，資料線D L以及閘極線G L的與外部電路接續的端子分別爲.DT、R、GTR，其檢查端子的與資料線DL或本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公茇）一="52"Γ 402757 A7 B7 五、發明說明（5〇 ) (請先閱讀背面之注意ί項再填寫本頁) 者閘極線GL接觸的部份以黑色表示，被形成於保護膜 P SV1上的部份以白色顯示。又，陰影線的區域7〇代表1個像_ » 但是，實施閘極線G L時，必須考慮到第3 1圖A的說明也提到的沿著閘極線G L而且與相同面成對而延伸的對向電極C L (第3 2圖以虛線表示）的存在。爲了使不要因爲每條對向電極線C L的電位不同，而導致每條閘極線的像素的階調出現雜亂，複數的對像電極線C L被接續於共通的配線（此處稱爲共通對向電極線）C C L，藉由被設於此的端子C L R提供電位。亦即，斷線檢查時將複數的閘極線形成應該串聯接續的配線的話，必定接觸於對向電極線C L，導通於共通對向電極線C C L » 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製亦即，在第3 2圖的構成在夾著顯示區域與上述共通對向電極線C C L相對方向之側設閘極線G L之與外部電路接續的端子GTR，使閘極線以及與此成對的對向電極串聯配線，在檢查端子G T Μ與端子C L R使探針接觸進行斷線檢査。此處閘極線的檢査端子G Τ Μ雖然是每一條閘極線都使位置移位，但是因應被形成於該保護膜 P SV 1上的部份（白色部份）的面積使其並排爲一列亦可。 •. 《第4變形例》第3 3圖顯示將本發明適用於被動矩陣型液晶顯示裝置之例。如第3 3圖Α所示，由I TO等透明導電膜所構 ^53^· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 402757 A7 B7 五、發明說明（51 ) . (猜先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 成的複數像素訊號線PL 1被形成爲並排於基板上。透過液晶層相對方向於此基板的第2基板上，在組裝液晶顯示裝置的階段，以與像素訊號線P L 1交叉的方式形成複數的影像訊號線PL2(以虛線表示）。此影像訊號線 PL1、PL2，在相互相對方向的區域形成一對像素電極P X 1、P X 2。於影像訊號線P L 1被輸入來自端子 P 丁 R的影像訊號。於此影像訊號線P L 1的端部，每3條線設一個檢査端子P T Μ，具有檢査端子的影像訊號線P L 1，透過輿此並排的2條影像訊號線P L 1與配線P S被配線爲串聯，導通於其他的端子P S C。斷線檢查，係使檢査探針接觸各個檢査端子Ρ ΤΜ與端子P S C而進行的。配線 P S，由與上述端子P TR同時被形成的鉻等高融點金屬所構成，於斷線檢査後藉由沿著切斷線G C U Τ 1、2的基板切斷而除去。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第33圖6，顯示第33圖厶的3_3<剖面。透過氧化矽膜S I 0被形成於基板SUB 1上的透明導電膜 I TO l a成爲上述的影像訊號線P L 1 ’被形成於覆蓋此線的保護膜P SV 1上的透明導電膜I TO 1 b成爲上述的檢査端子Ρ Τ Μ。第34圖，顯示將上述·.的檢査端子構造應用於像素電極之例。亦即，從第34圖Α以及顯示其b — b ^剖面的第3 4圖B可以明白，係將影像訊號線P L與像素電極 P X 1區分功能的構成。亦即，前者係於基板S U B 1上 -〇4 ·.本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）五、發明說明（52) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 透過氧化矽膜S I 0而形成的導電層，其構成材料可以不管透光率而選擇。另一方面，後者係從上述導電層延伸至覆蓋此導電層的保護膜P S V 1上的透明導電膜。接著，檢査端子P TM近似於第1圖A.所芣的剖面形狀》如以上所說明的，根據本發明的話，可以防止T F T 基板的製造工程中由於斷驗檢査時的檢査針與檢査端子的接觸不良導致的檢查不良，可以提供高生產率、高精細度的液晶顯示裝置。圖面之簡單說明第1圖（A )係橫向切斷本發明的第1實施形態的汲極檢査端子DTM部的資料線D L的方向的剖面圖（第1 圖（C)的B 1— B2切斷線之剖面圖）、第1圖（B) 係閘極檢查端子G TM部的閘極線G L在橫向切斷方向的剖面圖（第1圖（C)的C1-C2切斷線之剖面圖）、第1圖（C)係基板切斷前的TFT基板TFTSUB的槪略平面圖。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第2圖係液晶顯示面板P N L的重要部位剖面圖（第 3圖的A1—A2切斷線之剖面圖）。第3圖係從TFT基板TFTSUB的液晶層LC側所見的單位像素與其周邊區.域的平面圖案的重要部份平面圖β 第4圖係將T FT基板T F T SU Β的製造流程整理爲工程1〜5之流程圖。了 55- .本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公爱） 402757 a? B7 五、發明說明（53) 第5圖係第4圖的工程1之對應於第3圖的A 1 _ A 2切斷線剖面圖之剖面圖。第6圖係第4圖的工程2之對應於第3圖的A 1 — A 2切斷線剖面圖之剖面圖。第7圖係第4圖的工程3之對應於第3圖的A 1 — A 2切斷線剖面圖之剖面圖。第8圖係第4圖的工程3之對應於第3圖的A 1 — A 2切斷線剖面圖之剖面圖。第9圖係第4圖的工程4之對應於第3圖的A 1 — A 2切斷線剖面圖之剖面圖。第1 0圖係第4圖的工程5之對應於第3圖的A 1 — A 2切斷線剖面圖之剖面圖。第1 1圖（A)係第4圖的工程1之對應於第1圖 (C )的B 1 — B 2切斷線剖面圖之剖面圖，第1 1圖 (B )係對應於C 1 一 C 2切斷線剖面圖之剖面圖。, 第1 2圖（A)係第4圖的工程2之對應於第1圖 (C )的B 1 _ B 2切斷線剖面圖之剖面圖，第1 2圖 (B )係對應於C 1 - C 2切斷線剖面圖之剖面圖。第1 3圖（A )係第4圖的工程3之對應於第1圖 (C)的B 1 — B 2切斷線剖面圖之剖面圖’第1 3圖 (B )係對應於C 1 - C 2.切斷線剖面圖之剖面圖。第1 4圖（A)係第4圖的工程4之對應於第1圖 (C)的B 1 — B 2切斷線剖面圖之剖面圖’第1 4圖 (B)係對應於C1一C2切斷線剖面圖之剖面圖。 ..本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先w讀背面之注意事項再填寫本頁) amt ϋ 1-^,°4 ί 1 »m§ ϋ I β.

IV 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（54) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 5圖（A)係第4圖的工程5之對應於第1圖 (C )的b χ _ b 2切斷線剖面圖之剖面圖，第1 5圖 (B )係對應於C i 一 c 2切斷線剖面圖之剖面圖。第16圖係第1圖（c)的基板切斷前的TFT基板 TFTSUB的槪略平面圖之中，僅顯示資料線dL部份之圖。第1 7圖係供說明資料線D L的斷線檢查工程之圖。第18圖係本發明的第2實施形態的基板切斷前的 T F T基板τ FT S U B的槪略平面圖之中，僅顯示資料線ϋ L·部份之圖, 第1 9圖係本發明的第3實施形態的F CA方式的基板切斷前的TFT基板TFTSUB的槪略平面圖。第20圖係本發明的第3實施形態的基板切斷前的 TFT基板TFT SUB的槪略平面圖之中，僅顯示資料 .線D L部份之圖。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第2 1圖係本發明的第4實施形態的F C A方式的基板切斷前的TF 丁基板TF T SUB的槪略平面圖之中，僅顯示資料線DL部份之圖。第2 2圖係可以適用本發明的F CA方式的液晶顯示模組的分解立體圖。第2 3圖係實裝第2 2·圖的液晶顯示模組的筆記型電腦或者文書處理機的立體圖。第2 顯示液晶顯示基板的斷線檢査裝置的槪要之 I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） A7 B7 五、發明說明（55 ) 第2 5圖係顯示使用於第2 4圖的斷線檢査裝置等的檢查探針陣列之槪要。第2 6圖係顯示於檢査探針陣列搭載光學的或者電氣的位置感知^positioning Sens.or)的構成。第2 7 說明藉由密封材而貼合的T F T基板與對向基板的基4^15之構成，及在，此發生的基板龜裂之圖。第2 8 顯示設於液晶顯示基板的外部電路與接續端子的構成。藤藝！第2 9圖5 形例的資料線第3 0圖

iIS 顯示根據本發明的液晶顯示基板的第1變緻b査端子以及.薄膜電晶體的構成 jf»oiΨι 顯示根據本發明的液晶顯示基板的第2變形例的資料線端子。第3 1圖卩_顯示面內開關型的液晶顯示裝置的平面構成（由基板面^見的構成）與剖面構成。第3 2圖係顯示根據本發明的液晶顯示基板的第3變形例之對面內開關型的液晶顯示裝置用基板的適用例。第3 3圖示根據本發明的液晶顯示基板的第4變經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i 陣型的液晶顯示裝置用基板的適用例之平形例之對被動丨面圖以及剖面第3 4圖，係顯示根據本發明的液晶顯示基板的第4變形例之對被動矩陣型的液晶··顯示裝置用基板的另一適用例及像素電極附近的剖面之圖。符號說明 Λ L I f ----------.1「裝------ί__ 訂---:------------------ {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) · 58 _ 402757 A7 B7 五、發明說明（56) T F T SUB T F Τ 基板 G L 閘極線 D L 資料線 I T 0 1 像素電極 0 P S U B * 對向基板 L C 液晶層 B Μ 遮光膜 (黑矩陣 ) F I L 彩色濾光片 I T 〇 2 共通透明像素電極 S U B 1 > S u B 2 透明玻璃基板 0 R I 1 · ‘〇 R I 2 配向膜 P 0 L 1， • P 〇 L 2 偏光板 G I 閘極絕緣膜 d 0 η型半導體層 S D 1 源極電極 P N L 液晶顯示面板 C a d d 保持電容經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 40275? 六、申請專利範圍 1、一種液晶顯示基板，係於透過液晶層與另一方基板相對方向配置形成液晶顯示面板的基板面上，設有：延伸於X方向而.且並列設置於y方向的複數條閘極線，及 _ . _ 中介著該閘極限與絕緣膜延伸於y方向而且並列設置於X方向的複數條資料線，及藉由透過前述閘極線供給的掃描訊號打開（ON)的開關元件，及透過該打開的開關元件供給來自前述資料線的影像訊號的像素電極之液晶顯示基板，其特徵爲：. 於前述面上，設有導電接續鄰接的2條以上的前述資料線或者閘極線的配線，於2條以上的該資料線或者閘極線之上，中介著第2 絕緣膜配置該資料線或者閘極線的檢査端子》 2、如申請專利範圍第1項之液晶顯示基板，其中前述配線設於基板切斷線的外側之該液晶顯示基板的端部。 3、一種液晶顯示裝置，係具備於透過液晶層相對方向配置的一對基板之、中，於一方的基板的前述液晶層側之面上，設有：延伸於X方向而且並列設置於y方向的複數條閘極 • · 線，及中介著該閘極限與絕緣膜延伸於y方向而且並列設置於X方向的複數條資料線，及本紙張尺度逋用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐）.60· 穿· (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B8 C8 D8 六、申請專利範圍藉由透過前述閘極線供給的掃描訊號打開（ON)的開關元件，及透過該打開的開關元件供給來自前述資料線的影像訊號的像素電極之液晶顯示面板之液晶顯示裝置，其特徵 & · 設於前述面上的前述資料線或者閘極線的檢査端子，中介著第2豳緣膜被配置於2條以上的該資料線或者閛極線之上。 4、一種液晶顯示裝置的製造方法，係具備於透過液晶層相對方向配置的一對基板之中，於一方的基板的前述液晶層側之面上，設有：延伸於X方向而且並列設置於y方向的複數條閘極線，及中介著該閘極限與絕緣膜延伸於y方向而且並列設置於X方向的複數條資料線，及藉由透過前述閘極線供給的掃描訊號打開（ON.)的開關元件，及透過該打開的開關元件供給來自前述資料線的影像訊號的像素電極之液晶顯示面板之液晶顯示裝置的製造方法’其特徵爲：於前述面上，設有導電接續鄰接的2條以上的前述資 « I 料線或者閘極線的配線，於2條以上的該資料線或者閘極線之上’中介著第2絕緣膜設置該資料線或者閘極線的檢査端子。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -61 - —II-----〇----——訂——丨———9 f請先聞讀背面之注意事項再填寫本耳) A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5、如申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置的製造方法，其中將前述配線設於基板切斷線的外側之前述一方基板的端部。’. 6、如申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置的製造方法，其中前述資料線的斷線檢査之後，具有將前述一方基板切斷，切斷前述配線的工程。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨紅· 订- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家榇率（CNS ) A4規格（210X297公釐） -62-