CN111638617A - 一种静电防护线路、静电防护线路制程方法及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供一种静电防护线路，该静电防护线路包括：栅极信号线、驱动电路、栅极连接线以及源漏极。所述栅极信号线包括第一端与第二端，所述驱动电路连接所述第一端，所述栅极连接线连接所述第二端，所述栅极连接线至少部分弯折，所述源漏极连接所述栅极连接线远离所述第二端的一端，且部分覆盖所述栅极连接线远离所述第二端的一端。通过在栅极信号线的一端设置弯折的栅极连接线，静电释放通过弯折的栅极连接线，可以损耗掉一部分电流，减弱其影响，避免弱静电释放造成的面板边缘亮点。

Description

一种静电防护线路、静电防护线路制程方法及显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种静电防护线路、静电防护线路制程方法及显示面板。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)产品目前工艺成熟，良率稳定，依然是很多手机、平板、车载显示屏幕的首选。目前的中小尺寸产品多是主动式矩阵液晶显示器(gate driver on array,GOA)线路均匀分布在显示面板两侧，受限于空间的大小，而栅极(Gate)信号线未作特殊的静电释放(Electro-Static discharge,ESD)防护，处于悬空状态。在TFT的制程中，ESD风险是一直存在的，有效显示区(Active Area,AA)(包括Gate信号线末端)并未做特殊的ESD防护，AA区边缘的像素易受到ESD炸伤而形成显示面板边缘的亮点。
发明内容
本申请实施例提供一种静电防护线路、静电防护线路制程方法及显示面板，能够减少弱静电释放导致的边缘亮点。
本申请提供一种静电防护线路，包括：
栅极信号线，所述栅极信号线包括第一端与第二端；
驱动电路，所述驱动电路连接所述第一端；
栅极连接线，所述栅极连接线连接所述第二端，所述栅极连接线至少部分弯折；
源漏极，所述源漏极连接所述栅极连接线远离所述第二端的一端，且部分覆盖所述栅极连接线远离所述第二端的一端。
在一些实施例中，所述栅极连接线与所述源漏极之间设置有层间绝缘层，所述层间绝缘层上设置有至少一个通孔，所述栅极连接线通过所述通孔与所述源漏极连接。
在一些实施例中，所述通孔的形状为圆柱形、方柱形或圆台形。
在一些实施例中，所述栅极连接线的宽度小于所述栅极信号线的宽度。
在一些实施例中，所述栅极连接线弯折后的空间大小为一个主像素的空间大小。
在一些实施例中，所述栅极连接线全部弯折。
在一些实施例中，所述栅极连接线弯折为之字形、蛇形、脉冲形、凹凸折线形、波浪形或锯齿形。
本申请提供一种静电防护线路制程方法，包括：
提供一栅极信号线，所述栅极信号线包括第一端与第二端；
在所述第一端连接驱动电路；
在所述第二端连接栅极连接线，所述栅极连接线至少部分弯折；
在所述栅极连接线远离所述第二端的一端连接源漏极。
在一些实施例中，所述在所述栅极连接线远离所述第二端的一端连接源漏极包括：
在所述栅极连接线远离所述第二端的一端设置层间绝缘层，且所述层间绝缘层部分覆盖所述栅极连接线远离所述第二端的一端；
在层间绝缘层上设置至少一个通孔；
在所述通孔和所述层间绝缘层上设置源漏极；其中，所述栅极连接线通过所述通孔与所述源漏极连接。
本申请实施例提供一种显示面板，包括至少两个以上所述的静电防护线路。
本申请实施例所提供的静电防护线路，包括：栅极信号线、驱动电路、栅极连接线以及源漏极。所述栅极信号线包括第一端与第二端，所述驱动电路连接所述第一端，所述栅极连接线连接所述第二端，所述栅极连接线至少部分弯折，所述源漏极连接所述栅极连接线远离所述第二端的一端，且部分覆盖所述栅极连接线远离所述第二端的一端。通过在栅极信号线的一端设置弯折的栅极连接线，静电释放通过弯折的栅极连接线，可以损耗掉一部分电流，减弱其影响，避免弱静电释放造成的面板边缘亮点。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的静电防护线路的一种结构示意图。
图2为本申请实施例提供的栅极连接线与源漏极连接处的局部切面图。
图3为本申请实施例提供的静电防护线路制程方法的一种流程示意图。
图4为本申请实施例提供的显示面板的一种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
需要说明的是，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
本申请实施例提供一种静电防护线路、静电防护线路制程方法及显示面板，以下对静电防护线路做详细介绍。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的静电防护线路10的一种结构示意图。该静电防护线路10包括栅极信号线101、驱动电路102、栅极连接线103以及源漏极104。栅极信号线101包括第一端101a与第二端101b，驱动电路102连接第一端101a，栅极连接线103连接第二端101b，栅极连接线103至少部分弯折，源漏极104连接栅极连接线103远离第二端101b的一端，且部分覆盖栅极连接线103远离所述第二端的一端。通过在栅极信号线101的一端设置弯折的栅极连接线103，静电释放通过弯折的栅极连接线103，可以损耗掉一部分电流，减弱其影响，避免弱静电释放造成的面板边缘亮点。
其中，驱动电路102(gate driver on array,GOA)是将栅极驱动电路(gatedriver ICs)设置在阵列基板上，来代替外接驱动芯片的一种电路。应用GOA可以减少制作程序，降低产品生产成本，提高显示面板的高集成度，使显示面板更薄型化。
其中，请参阅图2，图2是本申请实施例提供的栅极连接线与源漏极连接处的局部切面图。栅极连接线103与源漏极104之间设置有层间绝缘层105，层间绝缘层105上设置有至少一个通孔106，栅极连接线103通过通孔106与源漏极104连接。通过在层间绝缘层105上设置通孔106，可对静电释放进一步防护，若静电释放通过栅极连接线103后仍然存在，则会炸伤通孔106，不影响有效显示区的像素。
其中，图2中所示通孔106以圆台形为实例，但并不是对通孔106的形状的限制。通孔106的形状为圆柱形、方柱形或圆台形。将通孔106设置为圆柱形可以使通孔106所受的应力均匀分布，防止受力不均造成的通孔106变形或开裂，保证栅极连接线103与源漏极104的连接。将通孔106设置为方柱形能够使源漏极104设置在通孔106中更贴合，不易脱落。将通孔106设置为圆台形方便源漏极104的设置，并且能够使源漏极104设置得更平坦，不易因过度弯折而产生性能不良，在保证栅极连接线103与源漏极104接触的同时，还能使源漏极104获得更好的工作性能。
其中，栅极连接线103的宽度小于栅极信号线101的宽度。栅极连接线103是为减小静电释放导致的不良而设置的，栅极连接线103的长度越长，对静电释放的减弱效果就越好。因此栅极连接线103的宽度小于栅极信号线101的宽度，能够在有限的空间内将栅极连接线103的长度设置的更长，从而更好地进行静电防护。
其中，栅极连接线103弯折后的空间大小为一个主像素的空间大小。依据各产品主像素大小不同，对栅极连接线103做弯折设计，可以使栅极连接线103更好的适应产品，对不同产品产生更优的静电防护效果。
其中，栅极连接线103全部弯折。具体地，将栅极连接线103全部盘起。栅极连接线103全部弯折，则可在有限的空间内将栅极连接线103的长度设置的更长，静电释放后所需经过的栅极连接线103也更长，能够更加有效地减弱静电释放对线路的影响。
其中，栅极连接线103弯折为之字形、蛇形、脉冲形、凹凸折线形、波浪形或锯齿形。这几种弯折形态能够在较小的空间内弯折更长的栅极连接线103，使静电释放途径的路线更长，对静电释放的减弱效果更好。
本申请实施例提供的静电防护线路10，包括栅极信号线101、驱动电路102、栅极连接线103以及源漏极104。通过在栅极信号线101的一端设置至少部分弯折的栅极连接线103，可在静电释放(Electro-Static discharge,ESD)通过时，损耗掉一部分电流，减弱其影响。另外，在栅极连接线103远离栅极信号线101一端与源漏极103之间设置有层间绝缘层105，并且层间绝缘层105上设置有至少一个通孔106，若ESD通过栅极连接线103之后，ESD仍然存在，则会炸伤通孔106，不影响有效显示区像素，能避免弱ESD造成的面板边缘亮点。
本申请实施例提供一种静电防护线路制程方法，以下对静电防护线路制程方法做详细介绍。请参阅图3，图3是本申请实施例中的静电防护线路制程方法的一种流程示意图。
201、提供一栅极信号线，栅极信号线包括第一端与第二端。
202、在第一端连接驱动电路。
203、在第二端连接栅极连接线，栅极连接线至少部分弯折。
204、在栅极连接线远离所述第二端的一端连接源漏极。
具体地，在栅极连接线远离所述第二端的一端设置层间绝缘层，且层间绝缘层部分覆盖所述栅极连接线远离所述第二端的一端。在层间绝缘层上设置至少一个通孔。在通孔和层间绝缘层上设置源漏极。其中，栅极连接线通过通孔与源漏极连接。设置通孔能够进一步进行静电防护，若静电释放通过栅极连接线之后，ESD仍然存在，则会炸伤通孔，而不影响有效显示区像素。
本申请实施例提供的静电防护线路制程方法，制成一种静电防护线路，包括栅极信号线、驱动电路、栅极连接线以及源漏极。通过在栅极信号线的一端设置至少部分弯折的栅极连接线，可在ESD通过时，损耗掉一部分电流，减弱其影响。另外，在栅极连接线远离栅极信号线一端与源漏极之间设置有层间绝缘层，并且层间绝缘层上设置有至少一个通孔，若ESD通过栅极连接线之后，ESD仍然存在，则会炸伤通孔，不影响有效显示区像素，能避免弱ESD造成的面板边缘亮点。
本申请实施例提供一种显示面板100，图4是本申请实施例提供的显示面板100的一种结构示意图。其中，显示面板100包括至少两个以上所述的静电防护线路10和信号线20，静电防护线路10通过信号线20连接。显示面板100还可以包括其他装置。本申请实施例中源漏极信号线20和其他装置及其装配是本领域技术人员所熟知的相关技术，在此不做过多赘述。
本申请实施例提供的显示面板100，包括至少两个以上所述的静电防护线路10和信号线20，静电防护线路10包括栅极信号线101、驱动电路102、栅极连接线103以及源漏极104。通过在栅极信号线101的一端设置至少部分弯折的栅极连接线103，可在ESD通过时，损耗掉一部分电流，减弱其影响。另外，在栅极连接线103远离栅极信号线101一端与源漏极103之间设置有层间绝缘层105，并且层间绝缘层105上设置有至少一个通孔106，若ESD通过栅极连接线103之后，ESD仍然存在，则会炸伤通孔106，不影响有效显示区像素，能避免弱ESD造成的面板边缘亮点。
以上对本申请实施例提供的静电防护线路、静电防护线路制程方法及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种静电防护线路，其特征在于，包括：
栅极信号线，所述栅极信号线包括第一端与第二端；
驱动电路，所述驱动电路连接所述第一端；
栅极连接线，所述栅极连接线连接所述第二端，所述栅极连接线至少部分弯折；
源漏极，所述源漏极连接所述栅极连接线远离所述第二端的一端，且部分覆盖所述栅极连接线远离所述第二端的一端。
2.根据权利要求1所述的静电防护线路，其特征在于，所述栅极连接线与所述源漏极之间设置有层间绝缘层，所述层间绝缘层上设置有至少一个通孔，所述栅极连接线通过所述通孔与所述源漏极连接。
3.根据权利要求2所述的静电防护线路，其特征在于，所述通孔的形状为圆柱形、方柱形或圆台形。
4.根据权利要求1所述的静电防护线路，其特征在于，所述栅极连接线的宽度小于所述栅极信号线的宽度。
5.根据权利要求1所述的静电防护线路，其特征在于，所述栅极连接线弯折后的空间大小为一个主像素的空间大小。
6.根据权利要求1所述的静电防护线路，其特征在于，所述栅极连接线全部弯折。
7.根据权利要求1所述的静电防护线路，其特征在于，所述栅极连接线弯折为之字形、蛇形、脉冲形、凹凸折线形、波浪形或锯齿形。
8.一种静电防护线路制程方法，其特征在于，包括：
提供一栅极信号线，所述栅极信号线包括第一端与第二端；
在所述第一端连接驱动电路；
在所述第二端连接栅极连接线，所述栅极连接线至少部分弯折；
在所述栅极连接线远离所述第二端的一端连接源漏极。
9.根据权利要求8所述的静电防护线路制程方法，其特征在于，所述在所述栅极连接线远离所述第二端的一端连接源漏极包括：
在所述栅极连接线远离所述第二端的一端设置层间绝缘层，且所述层间绝缘层部分覆盖所述栅极连接线远离所述第二端的一端；
在层间绝缘层上设置至少一个通孔；
在所述通孔和所述层间绝缘层上设置源漏极；其中，所述栅极连接线通过所述通孔与所述源漏极连接。
10.一种显示面板，其特征在于，包括至少两个静电防护线路，所述静电防护线路为权利要求1至7任一项所述的静电防护线路。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07225393A (ja) * 1994-02-10 1995-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリクス方式液晶表示装置
KR20020087548A (ko) * 2001-05-14 2002-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Ｔｆｔ 기판의 패드 구조 및 그 제조방법
CN1928681A (zh) * 2005-09-05 2007-03-14 中华映管股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板、其静电放电保护元件及其制造方法
KR20080011855A (ko) * 2006-08-01 2008-02-11 삼성전자주식회사 표시 셀의 제조 방법 및 표시 셀
CN101221330A (zh) * 2006-11-22 2008-07-16 卡西欧计算机株式会社 液晶显示装置
CN105182645A (zh) * 2015-10-12 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法和显示装置
CN210575951U (zh) * 2019-11-06 2020-05-19 北京京东方技术开发有限公司 静电保护单元及阵列基板

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3634138B2 (ja) 1998-02-23 2005-03-30 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP3845540B2 (ja) * 2000-03-10 2006-11-15 セイコーエプソン株式会社 液晶装置およびその製造方法
CN101251986B (zh) 2004-07-26 2012-01-04 精工爱普生株式会社 发光装置
CN103021945B (zh) 2012-12-31 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN107505789B (zh) 2017-09-19 2019-08-02 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN107863340B (zh) 2017-10-25 2020-04-10 上海中航光电子有限公司 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07225393A (ja) * 1994-02-10 1995-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリクス方式液晶表示装置
KR20020087548A (ko) * 2001-05-14 2002-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Ｔｆｔ 기판의 패드 구조 및 그 제조방법
CN1928681A (zh) * 2005-09-05 2007-03-14 中华映管股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板、其静电放电保护元件及其制造方法
KR20080011855A (ko) * 2006-08-01 2008-02-11 삼성전자주식회사 표시 셀의 제조 방법 및 표시 셀
CN101221330A (zh) * 2006-11-22 2008-07-16 卡西欧计算机株式会社 液晶显示装置
CN105182645A (zh) * 2015-10-12 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法和显示装置
CN210575951U (zh) * 2019-11-06 2020-05-19 北京京东方技术开发有限公司 静电保护单元及阵列基板

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