CN105182645A - 显示基板及其制作方法和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种显示基板和显示装置,显示基板包括:多条栅线,在所述栅线的至少一端设置有多个第一静电释放单元,用于释放所述栅线中的静电,其中,所述多个第一静电释放单元的曲率不同。通过多个静电释放单元分别释放静电,当其中一个静电释放单元被静电电流击穿后,其他静电释放单元仍能继续工作。并且由于多个静电释放单元的曲率不同,可以使得静电电流较大时,多个静电释放单元逐个被击穿,提高了静电释放单元释放静电的次数,保证了静电释放的效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种显示基板、一种显示装置和一种显示基板制作方法。
背景技术
传统液晶显示面板的阵列基板,为了防止生产工艺及后续使用中静电过大导致阵列基板发生静电击穿,在基板中设置了静电释放单元,以避免了阵列基板的TFT结构破坏而导致显示异常。
其中一种结构是采用尖端放电原理:在强电场作用下,物体的尖锐部分电力线密集,容易发生放电现象。因此常在基板上设置相距较近的两个尖角结构单元,一个单元连接需要保护的阵列基板元件,一个单元连接公共电极线或者接地。静电产生的时候,阵列基板的电荷通过两个尖角单元释放到面积大的公共电极线或者导入地。
将连接公共电极线或者接地的尖角单元制作为孤立金属单元,可以作为静电释放诱导单元,通过诱导击穿发生达到静电能量释放的目的。但是该结构一次击穿后将失去诱导能力,后续静电产生时将失去保护效果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,如何提高静电释放单元的使用次数,从而多次保护基板。
为此目的,本发明提出了一种显示基板,包括:
多条栅线,在每条栅线的至少一端设置有多个第一静电释放单元,用于释放所述栅线中的静电,
其中,所述多个第一静电释放单元的曲率不同。
优选地,显示基板还包括:
与所述多个第一静电释放单元对应的多个第一静电诱导单元,用于接收所述第一静电释放单元释放的静电。
优选地,显示基板还包括:
至少一条与数据线平行的第一公共电极线;
多个第一薄膜晶体管,每个第一薄膜晶体管对应一条所述栅线,
其中,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一公共电极线相连,所述薄膜晶体管的源极和栅极与对应的栅线相连。
优选地,在每条栅线每一端的沿着轴线两侧分别设置有所述多个第一静电释放单元。
优选地,位于栅线一端的多个第一静电释放单元的曲率沿栅线中点到栅线一端的方向递增。
优选地,显示基板还包括:
多条数据线,在每条数据线的至少一端设置有多个第二静电释放单元,用于释放所述数据线中的静电,
其中,所述多个第二静电释放单元的曲率不同。
优选地,显示基板还包括:
与所述多个第二静电释放单元对应的多个第二静电诱导单元,用于接收所述第二静电释放单元释放的静电。
优选地,显示基板还包括:
至少一条与所述栅线平行的第二公共电极线;
多个第二薄膜晶体管,每个第二薄膜晶体管对应一条所述数据线,
其中,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二公共电极线相连,所述第二薄膜晶体管的源极和栅极与对应的数据线相连。
优选地,在每条数据线每一端的沿着轴线两侧分别设置有所述多个第二静电释放单元。
优选地,位于数据线一端的多个第二静电释放单元的曲率沿数据线中点到数据线一端的方向递增。
本发明还提出了一种显示装置,包括上述显示基板。
本发明还提出了一种上述显示基板的制作方法,包括:
在基底上形成多条栅线的同时在每条栅线的至少一端形成多个第一静电释放单元,用于释放所述栅线中的静电;
在栅绝缘层形成多条数据线的同时在每条数据线的至少一端形成多个第二静电释放单元,用于释放所述数据线中的静电,
其中,所述多个第一静电释放单元的曲率不同,所述多个第二静电释放单元的曲率不同。
优选地,所述制作方法还包括:
在形成所述栅线的同时,在所述基底上形成与所述多个第一静电释放单元对应的多个第一静电诱导单元,用于接收所述第一静电释放单元释放的静电;
在形成所述数据线的同时,在所述栅绝缘层上形成与所述多个第二静电释放单元对应的多个第二静电诱导单元,用于接收所述第二静电释放单元释放的静电。
根据上述技术方案,通过多个静电释放单元分别释放静电,当其中一个静电释放单元被静电电流击穿后,其他静电释放单元仍能继续工作。并且由于多个静电释放单元的曲率不同,可以使得静电电流较大时,多个静电释放单元逐个被击穿,提高了静电释放单元释放静电的次数,保证了静电释放的效果。
附图说明
通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点,附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制,在附图中:
图1示出了根据本发明一个实施例的显示基板的结构示意图;
图2示出了图1中虚线处的放大示意图;
图3示出了根据本发明一个实施例的第一静电诱导单元的示意图;
图4示出了根据本发明一个实施例的第一公共电极线的示意图;
图5示出了根据本发明一个实施例的栅线的结构示意图;
图6示出了根据本发明又一个实施例的显示基板的结构示意图;
图7示出了图6中虚线处的放大示意图;
图8示出了根据本发明一个实施例的第二静电诱导单元的示意图;
图9示出了根据本发明一个实施例的第二公共电极线的示意图;
图10示出了根据本发明一个实施例的数据线的结构示意图;
图11示出了根据本发明一个实施例的显示基板的制作方法的示意流程图;
附图标号说明:
1-栅线;11-第一静电释放单元;12-第一静电诱导单元;13-第一公共电极线;14-第一薄膜晶体管;2-数据线;21-第二静电释放单元;22-第二静电诱导单元;23-第二公共电极线;24-第二薄膜晶体管。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点,下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,但是,本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施,因此,本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
如图1和图2所示,根据本发明一个实施例的显示基板,包括:
多条栅线1,在每条栅线1的至少一端设置有多个第一静电释放单元11,用于释放栅线1中的静电,
其中,多个第一静电释放单元11的曲率不同。
本实施例可以通过多个第一静电释放单元11分别释放栅线中的静电,当其中一个第一静电释放单元11被静电电流击穿后,其他第一静电释放单元11仍能继续工作。并且由于多个第一静电释放单元11的曲率不同,可以使得静电电流较大时,多个第一静电释放单元11逐个被击穿,例如图2中所示的4个第一静电释放单元11,曲率沿栅线中点到栅线一端的方向递增,其中最靠近栅线一端的第一静电释放单元11曲率最大,当静电电流较大时,会首先击穿该第一静电释放单元11,而其他第一静电释放单元11则可以继续正常工作,从而提高了第一静电释放单元11释放静电的次数,保证了栅线1的静电释放效果。
需要说明的是,图中仅示出了在栅线1的一端设置第一静电释放单元,实际上可以根据需要量栅线1的两端都设置静电释放单元11。
如图3所示,优选地,显示基板还包括:
与多个第一静电释放单元11对应的多个第一静电诱导单元12,用于接收第一静电释放单元11释放的静电,其中,第一静电诱导单元12可以设置在栅线所在的层结构上,例如栅线设置在玻璃基底上,那么第一静电诱导单元12也可以设置在玻璃基底上,第一静电诱导单元12的形状可以与第一静电释放单元11相对应。
对第一静电释放单元11对应设置第一静电诱导单元12,可以保证第一静电释放单元11中的静电快速释放,减少静电荷在第一静电释放单元11堆积的时间,以避免静电荷产生湍流而发热熔毁第一静电释放单元11。
如图4所示,优选地,显示基板还包括:
至少一条与数据线2平行的第一公共电极线13;
多个第一薄膜晶体管14,每个第一薄膜晶体管14对应一条栅线,
其中,第一薄膜晶体管14的漏极与第一公共电极线13相连,薄膜晶体管的源极和栅极与对应的栅线1相连。
当栅线1中的静电荷无法导出时,例如所有第一静电释放单元11都被击穿后,那么栅线1中的静电荷可以传输至第一薄膜晶体管13的栅极,使得第一薄膜晶体管14开启,并通过第一薄膜晶体管14的源极和漏极传输至第一公共电极线13,进而完成静电的释放,进一步保证了栅线1释放静电的效果。
如图5所示,优选地,在每条栅线1每一端的沿着轴线两侧分别设置有多个第一静电释放单元11。通过将第一静电释放单元11分别设置在栅线1轴线的两侧,可以保证快速地释放静电。其中,可以设置一侧的第一静电释放单元11与另一侧的第一静电释放单元11不对应,以错开静电释放的位置,从而保证第一静电释放单元11可以逐个击穿。
优选地,位于栅线1一端的多个第一静电释放单元11的曲率沿栅线中点到栅线一端的方向递增。
由于尖端放电原理,静电更容易积累到栅线1的两端,因此可以设置越靠近端点的第一静电释放单元11曲率越大(越尖锐),而曲率越大的第一静电释放单元11越容易积累积累静电荷,从而可以把靠近端点的较多的静电荷释放掉。
如图6和图7所示,优选地,显示基板还包括:
多条数据线2,在每条数据线的至少一端设置有多个第二静电释放单元21,用于释放数据线2中的静电,
其中,多个第二静电释放单元21的曲率不同。
本实施例可以通过多个第二静电释放单元21分别释放数据线中的静电,当其中一个第二静电释放单元21被静电电流击穿后,其他第二静电释放单元21仍能继续工作。并且由于多个第二静电释放单元21的曲率不同,可以使得静电电流较大时,多个第二静电释放单元21逐个被击穿,提高了第二静电释放单元21释放静电的次数,保证了数据线2的静电释放效果。
需要说明的是,图中仅示出了在数据线2的一端设置第二静电释放单元21,实际上可以根据需要量数据线2的两端都设置第二静电释放单元21。第二静电释放单元21的形状和设置方式可以与第一静电释放单元11的相近,在此不再赘述。
如图8所示,优选地,显示基板还包括:
与多个第二静电释放单元21对应的多个第二静电诱导单元22,用于接收第二静电释放单元21释放的静电。
对第二静电释放单元21对应设置第二静电诱导单元22,可以保证第二静电释放单元21中的静电快速释放,减少静电荷在第二静电释放单元21堆积的时间,以避免静电荷产生湍流而发热熔毁第二静电释放单元21。
如他9所示,优选地,显示基板还包括:
至少一条与栅线1平行的第二公共电极线23;
多个第二薄膜晶体管24,每个第二薄膜晶体管24对应一条数据线2,
其中,第二薄膜晶体管24的漏极与第二公共电极线23相连,第二薄膜晶体管24的源极和栅极与对应的数据线相连。
当数据线2中的静电荷无法导出时,例如所有第二静电释放单元21都被击穿后,那么数据线2中的静电荷可以传输至第二薄膜晶体管24的栅极,使得第二薄膜晶体管24开启,并通过第二薄膜晶体管24的源极和漏极传输至第二公共电极线23,进而完成静电的释放,进一步保证了数据线2释放静电的效果。
如图10所示,优选地,在每条数据线2每一端的沿着轴线两侧分别设置有多个第二静电释放单元21。通过将第二静电释放单元21分别设置在数据线2轴线的两侧,可以保证快速地释放静电。
优选地,位于数据线2一端的多个第二静电释放单元21的曲率沿数据线中点到数据线一端的方向递增。
由于尖端放电原理,静电更容易积累到数据线2的两端,因此可以设置越靠近端点的第二静电释放单元21曲率越大(越尖锐),而曲率越大的第二静电释放单元21越容易积累积累静电荷,从而可以把靠近端点的较多的静电荷释放掉。
本发明还提出了一种显示装置,包括上述显示基板。
需要说明的是,本实施例中的显示装置可以为:电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
如图11所示,本发明还提出了一种上述显示基板的制作方法,包括:
S1,在基底上形成多条栅线的同时在每条栅线的至少一端形成多个第一静电释放单元,用于释放栅线中的静电;
S2,在栅绝缘层形成多条数据线的同时在每条数据线的至少一端形成多个第二静电释放单元,用于释放数据线中的静电,
其中,多个第一静电释放单元的曲率不同,多个第二静电释放单元的曲率不同。
优选地,制作方法还包括:
在形成栅线的同时,在基底上形成与多个第一静电释放单元对应的多个第一静电诱导单元,用于接收第一静电释放单元释放的静电;
在形成数据线的同时,在栅绝缘层上形成与多个第二静电释放单元对应的多个第二静电诱导单元,用于接收第二静电释放单元释放的静电。同层形成静电诱导单元和静电释放单元,可以简化制作工艺。
其中,上述流程所采用的形成工艺例如可包括:沉积、溅射等成膜工艺和刻蚀等构图工艺。
以上结合附图详细说明了本发明的技术方案,考虑到现有技术中,静电释放结构一旦被击穿就无法维持静电释放功能。根据本发明的技术方案,通过多个静电释放单元分别释放静电,当其中一个静电释放单元被静电电流击穿后,其他静电释放单元仍能继续工作。并且由于多个静电释放单元的曲率不同,可以使得静电电流较大时,多个静电释放单元逐个被击穿,提高了静电释放单元释放静电的次数,保证了静电释放的效果。
在本发明中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上,除非另有明确的限定。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (13)
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
多条栅线,在每条栅线的至少一端设置有多个第一静电释放单元,用于释放所述栅线中的静电,
其中,所述多个第一静电释放单元的曲率不同。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:
与所述多个第一静电释放单元对应的多个第一静电诱导单元,用于接收所述第一静电释放单元释放的静电。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:
至少一条与数据线平行的第一公共电极线;
多个第一薄膜晶体管,每个第一薄膜晶体管对应一条所述栅线,
其中,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一公共电极线相连,所述薄膜晶体管的源极和栅极与对应的栅线相连。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,在每条栅线每一端的沿着轴线两侧分别设置有所述多个第一静电释放单元。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,位于栅线一端的多个第一静电释放单元的曲率沿栅线中点到栅线一端的方向递增。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示基板,其特征在于,还包括:
多条数据线,在每条数据线的至少一端设置有多个第二静电释放单元,用于释放所述数据线中的静电,
其中,所述多个第二静电释放单元的曲率不同。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,还包括:
与所述多个第二静电释放单元对应的多个第二静电诱导单元,用于接收所述第二静电释放单元释放的静电。
8.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,还包括:
至少一条与所述栅线平行的第二公共电极线;
多个第二薄膜晶体管,每个第二薄膜晶体管对应一条所述数据线,
其中,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二公共电极线相连,所述第二薄膜晶体管的源极和栅极与对应的数据线相连。
9.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,在每条数据线每一端的沿着轴线两侧分别设置有所述多个第二静电释放单元。
10.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,位于数据线一端的多个第二静电释放单元的曲率沿数据线中点到数据线一端的方向递增。
11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至10中任一项所述的显示基板。
12.一种权利要求1至10中任一项所述显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
在基底上形成多条栅线的同时在每条栅线的至少一端形成多个第一静电释放单元,用于释放所述栅线中的静电;
在栅绝缘层形成多条数据线的同时在每条数据线的至少一端形成多个第二静电释放单元,用于释放所述数据线中的静电,
其中,所述多个第一静电释放单元的曲率不同,所述多个第二静电释放单元的曲率不同。
13.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,还包括:
在形成所述栅线的同时,在所述基底上形成与所述多个第一静电释放单元对应的多个第一静电诱导单元,用于接收所述第一静电释放单元释放的静电;
在形成所述数据线的同时,在所述栅绝缘层上形成与所述多个第二静电释放单元对应的多个第二静电诱导单元,用于接收所述第二静电释放单元释放的静电。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510657458.9A CN105182645B (zh) | 2015-10-12 | 2015-10-12 | 显示基板及其制作方法和显示装置 |
US15/268,880 US10101621B2 (en) | 2015-10-12 | 2016-09-19 | Display substrate and manufacturing method thereof, display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510657458.9A CN105182645B (zh) | 2015-10-12 | 2015-10-12 | 显示基板及其制作方法和显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105182645A true CN105182645A (zh) | 2015-12-23 |
CN105182645B CN105182645B (zh) | 2018-09-11 |
Family
ID=54904820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510657458.9A Active CN105182645B (zh) | 2015-10-12 | 2015-10-12 | 显示基板及其制作方法和显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10101621B2 (zh) |
CN (1) | CN105182645B (zh) |
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US10101621B2 (en) | 2018-10-16 |
CN105182645B (zh) | 2018-09-11 |
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C06 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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