CN103698953A - 一种阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，用以解决现有的显示面板在受到挤压或者摩擦时，其中的集成电路中会积累大量的电荷，从而可能击穿该显示面板中的集成电路，进而对该显示面板中的集成电路造成损伤的问题。本发明实施例提供的一种阵列基板，包括：多条数据线和多条栅极线；至少一条数据线通过至少一个第一静电释放装置连接所述阵列基板上的第一引线，每个第一静电释放装置仅连接一条数据线；或者，至少一条栅极线通过至少一个第二静电释放装置连接所述阵列基板上的第二引线，每个第二静电释放装置仅连接一条栅极线。

Description

一种阵列基板、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
现有的显示装置可以采用多种不同的显示面板，例如，有机发光二极管（OLED，Organic Light-Emitting Diode）面板，薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD，Thin Film Transistor Liquid Crystal Display）。下面以TFT-LCD为例说明显示面板中的重要组成部分-阵列基板。
现有的TFT-LCD是由阵列基板和彩膜基板对盒而形成的。阵列基板中相互交叉地配置定义像素区域的栅极线和数据线，在各像素区域中配置像素电极和薄膜晶体管。将驱动信号施加到栅极线上，图像数据通过信号线施加到像素电极。然后在彩膜极板上配置黑矩阵，在各像素区域配置滤色层，配置公共电极，最后在阵列基板和彩膜基板对盒后充入液晶，通过加载栅极驱动信号和像素电极的电压来控制液晶的偏转从而控制光线的强弱，配合彩膜基板的功能，在基板上显示出所要表达的图像。
现有的TFT-LCD在制作和运输过程中，由于受到挤压或者摩擦的作用，很容易在TFT-LCD的集成电路中积累大量的电荷，这些静电荷很可能会击穿TFT-LCD中的集成电路，从而对TFT-LCD中的集成电路造成损伤。
综上所述，现有的显示面板在受到挤压或者摩擦时，会在显示面板的集成电路中积累大量的电荷，这些静电荷很可能会击穿显示面板中的集成电路，从而对显示面板中的集成电路造成损伤。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，用以解决现有的显示面板在受到挤压或者摩擦时，其中的集成电路中会积累大量的电荷，从而可能击穿该显示面板中的集成电路，进而对该显示面板中的集成电路造成损伤的问题。
基于上述问题，本发明实施例提供的一种阵列基板，包括：多条数据线和多条栅极线；至少一条数据线通过至少一个第一静电释放装置连接所述阵列基板上的第一引线，每个第一静电释放装置仅连接一条数据线；或者，至少一条栅极线通过至少一个第二静电释放装置连接所述阵列基板上的第二引线，每个第二静电释放装置仅连接一条栅极线；
所述第一静电释放装置，用于在其连接的数据线上的信号的电压大于第一阈值时开启，并在其连接的数据线上的信号的电压不大于第二阈值时关断，所述第一引线上的信号的电压不大于第二阈值；
所述第二静电释放装置，用于在其连接的栅极线上的信号的电压大于第三阈值时开启，并在其连接的栅极线上的信号的电压不大于第四阈值时关断，所述第二引线上的信号的电压不大于第四阈值。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括本发明实施例提供的阵列基板。
本发明实施例提供的一种显示装置，包括本发明实施例提供的显示面板。
本发明实施例的有益效果包括：
本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，若阵列基板上至少一条数据线通过至少一个第一静电释放装置连接到阵列基板上的第一引线，其中，每个第一静电释放装置仅连接一条数据线，在包含该阵列基板的显示面板中与连接第一静电释放装置的数据线相连的集成电路中积累电荷，且积累的电荷能够使该数据线连接的第一静电释放装置开启时，连接该数据线的集成电路中积累的电荷能够通过第一静电释放装置释放到第一引线上，从而避免了积累的电荷击穿该集成电路，进而避免对该显示面板造成损伤；并在该数据线连接的集成电路中积累的电荷释放至该数据线上的信号的电压不大于第二阈值时，该数据线连接的第一静电释放装置关断，从而使得该数据线能够向该数据线连接的像素传输信号，避免第一引线上的信号对该数据线连接的像素造成干扰，保证包含该阵列基板的显示面板能够正常工作。若至少一条栅极线通过至少一个第二静电释放装置连接该阵列基板上的第二引线，其中，每个第二静电释放装置仅连接一条栅极线；在包含该阵列基板的显示面板中与连接第二静电释放装置的栅极线相连的集成电路中积累电荷，且积累的电荷能够使连接该栅极线的第二静电释放装置开启时，连接该栅极线的集成电路中积累的电荷能够通过第二静电释放装置释放到第二引线上，从而避免积累的电荷击穿该集成电路，进而避免对该显示面板造成损伤；并在该栅极线连接的集成电路中积累的电荷释放至该栅极线上的信号的电压不大于第四阈值时，该栅极线连接的第二静电释放装置关断，从而使得该栅极线能够向该栅极线连接的像素传输信号，避免第二引线上的信号对该栅极线连接的像素造成干扰，保证包含该阵列基板的显示面板能够正常工作。
附图说明
图1a为本发明实施例提供的阵列基板之一的结构示意图；
图1b为本发明实施例提供的阵列基板之二的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板之三的结构示意图；
图3a为本发明实施例提供的阵列基板之四的结构示意图；
图3b为本发明实施例提供的阵列基板之五的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的阵列基板之六的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供的一种阵列基板，在该阵列基板中至少一条数据线通过至少一个第一静电释放装置连接该阵列基板上的第一引线，且每个第一静电释放装置仅连接一条数据线时，在包含该阵列基板的显示面板中与连接第一静电释放装置的数据线相连的集成电路中积累电荷，且积累的电荷能够使该数据线连接的第一静电释放装置开启时，连接该数据线的集成电路中积累的电荷能够通过第一静电释放装置释放到第一引线上，从而避免了积累的电荷击穿该集成电路；并在该数据线连接的集成电路中积累的电荷释放至该数据线连接的第一静电释放装置关断时，该数据线能够向该数据线连接的像素传输信号，避免第一引线上的信号对该数据线连接的像素造成干扰。在该阵列基板中至少一条栅极线通过至少一个第二静电释放装置连接该阵列基板上的第二引线，且每个第二静电释放装置仅连接一条栅极线时，在包含该阵列基板的显示面板中与连接第二静电释放装置的栅极线相连的集成电路中积累电荷，且积累的电荷能够使连接该栅极线的第二静电释放装置开启时，连接该栅极线的集成电路中积累的电荷能够通过第二静电释放装置释放到第二引线上，从而避免积累的电荷击穿该集成电路；并在该栅极线连接的集成电路中积累的电荷释放至该栅极线连接的第二静电释放装置关断时，该栅极线能够向该栅极线连接的像素传输信号，避免第二引线上的信号对该栅极线连接的像素造成干扰。
下面结合说明书附图，对本发明实施例提供的一种阵列基板、显示面板和显示装置的具体实施方式进行说明。
本发明实施例提供的一种阵列基板，包括：多条数据线和多条栅极线；至少一条数据线通过至少一个第一静电释放装置连接该阵列基板上的第一引线，每个第一静电释放装置仅连接一条数据线；或者，至少一条栅极线通过至少一个第二静电释放装置连接该阵列基板上的第二引线，每个第二静电释放装置仅连接一条栅极线；其中，第一静电释放装置，用于在其连接的数据线上的信号的电压大于第一阈值时开启，并在其连接的数据线上的信号的电压不大于第二阈值时关断，第一引线上的信号的电压不大于第二阈值；第二静电释放装置，用于在其连接的栅极线上的信号的电压大于第三阈值时开启，并在其连接的栅极线上的信号的电压不大于第四阈值时关断，第二引线上的信号的电压不大于第四阈值。
其中，第一阈值与第一静电释放装置的结构有关，当第一静电释放装置采用两个薄膜晶体管时，第一阈值约为几百伏至几千伏。
其中，第二阈值由第一静电释放装置中的薄膜晶体管的特性决定，大约在零伏左右。
当第一静电释放装置采用两个薄膜晶体管时，若第一静电释放装置连接的数据线上的信号的电压大于第一阈值，此时，第一静电释放装置开启，并且开启电流很大，这样其连接的数据线上积累的静电荷会迅速被释放掉，使得该数据线上的电压与第一引线上的电压相等，即不大于第二阈值，第一静电释放装置关闭。在第一静电释放装置连接的数据线上的电压为十几伏时，第一静电释放装置也会开启，但是开启电流很小，可以忽略其影响，所以当把包括该阵列基板的显示面板正常工作时(即，数据线上的电压为10V左右，栅极线上的电压为20V左右，公共电极上的电压为5V左右)是不会影响该显示面板正常工作的。
其中，第三阈值与第二静电释放装置的结构有关，当第二静电释放装置采用两个薄膜晶体管时，第三阈值约为几百伏至几千伏。
其中，第四阈值由第二静电释放装置中的薄膜晶体管的特性决定，大约在零伏左右。
当第二静电释放装置采用两个薄膜晶体管时，若第二静电释放装置连接的数据线上的信号的电压大于第一阈值，此时，第二静电释放装置开启，并且开启电流很大，这样其连接的栅极线上积累的静电荷会迅速被释放掉，使得该栅极线上的电压与第二引线上的电压相等，即不大于第四阈值，第二静电释放装置关闭。在第二静电释放装置连接的栅极线上的电压为十几伏时，第二静电释放装置也会开启，但是开启电流很小，可以忽略其影响，所以当把包括该阵列基板的显示面板正常工作时(即，数据线上的电压为10V左右，栅极线上的电压为20V左右，公共电极上的电压为5V左右)是不会影响该显示面板正常工作的。
图1a所示的阵列基板11中包括多条数据线（显示区12中纵向的引线）和多条栅极线（显示区12中横向的引线）；两条数据线通过第一静电释放装置ESD1连接阵列基板11上的第一引线L1，每个第一静电释放装置ESD1仅连接一条数据线，其中，第一引线L1可以位于显示区12中，也可以位于显示区12以外，较佳地，第一引线L1位于显示区12以外；这两条数据线中的每一条数据线均通过两个第一静电释放装置ESD1连接阵列基板11上的第一引线L1。其中，图1a还包括与数据线相连的源极驱动集成电路SIC1和SIC2，与栅极线相连的栅极驱动集成电路GIC1和GIC2，源极驱动集成电路SIC1和SIC2以及栅极驱动集成电路GIC1和GIC2可以位于阵列基板上，也可以位于与阵列基板相连的柔性电路板上。在本发明实施例中以源极驱动集成电路SIC1和SIC2以及栅极驱动集成电路GIC1和GIC2位于阵列基板上进行说明。阵列基板11上的第一引线L1可以设置一条，也可以设置多条。
当与连接第一静电释放装置的数据线相连的集成电路中积累的静电荷使得该数据线上的电压大于第一阈值时，与该数据线相连的第一静电释放装置开启，使得与该数据线相连的集成电路中积累的静电荷能够通过与该数据线相连的第一静电释放装置释放到第一引线L1上，避免了积累的静电荷击穿与该数据线相连的集成电路。而在静电荷释放至该数据线上的电压不大于第二阈值时，与该数据线相连的第一静电释放装置关断，使得该数据线上的信号不会受到第一引线L1上的信号的干扰，该数据线能够将源极驱动集成电路输出的信号传输到像素（图1a中未示出）上。
图1b所示的阵列基板11中包括多条数据线（显示区12中纵向的引线）和多条栅极线（显示区12中横向的引线）；三条栅极线通过第二静电释放装置ESD2连接阵列基板11上的第二引线L2，每个第二静电释放装置ESD2仅连接一条栅极线，其中，第二引线L2可以位于显示区12中，也可以位于显示区12以外，较佳地，第二引线L2位于显示区12以外；这三条栅极线中的一条栅极线通过一个第二静电释放装置ESD2连接阵列基板11上的第二引线L2，这三条栅极线中的另外两条栅极线中的每一条栅极线均通过两个第二静电释放装置连接阵列基板11上的第二引线L2。其中，图1b还包括与数据线相连的源极驱动集成电路SIC1和SIC2，与栅极线相连的栅极驱动集成电路GIC1和GIC2，源极驱动集成电路SIC1和SIC2以及栅极驱动集成电路GIC1和GIC2可以位于阵列基板上，也可以位于与阵列基板相连的柔性电路板上。阵列基板11上的第二引线L2可以设置一条，也可以设置多条。
当与连接第二静电释放装置的栅极线相连的集成电路中积累的静电荷使得该栅极线上的电压大于第三阈值时，与该栅极线相连的第二静电释放装置开启，使得与该栅极线相连的集成电路中积累的静电荷能够通过与该栅极线相连的第二静电释放装置释放到第二引线L2上，避免了积累的静电荷击穿与该栅极线相连的集成电路。而在静电荷释放至该栅极线上的电压不大于第四阈值时，与该栅极线相连的第二静电释放装置关断，使得该栅极线上的信号不会受到第二引线L2上的信号的干扰，该栅极线能够将栅极驱动集成电路输出的信号传输到像素（图1b中未示出）上。
较佳地，阵列基板上的每一条数据线通过至少一个第一静电释放装置连接该阵列基板上的第一引线。
较佳地，阵列基板上的每一条栅极线通过至少一个第二静电释放装置连接该阵列基板上的第二引线。
如图2所示，阵列基板11上每一条数据线通过一个第一静电释放装置ESD1连接阵列基板11上的第一引线L1；阵列基板11上每一条栅极线通过一个第二静电释放装置ESD2连接阵列基板11上的第二引线L2。
较佳地，本发明实施例提供的阵列基板还包括至少一个位于该阵列基板上的第一短路环，每个第一短路环连接至少一个第一静电释放装置，每个第一短路环通过一个第三静电释放装置连接该阵列基板上的第一引线；第三静电释放装置，用于在其连接的第一短路环上的信号的电压大于第五阈值时开启，并在其连接的第一短路环上的信号的电压不大于第六阈值时关断，第一引线上的信号的电压不大于第六阈值。
其中，第五阈值与第三静电释放装置的结构有关，当第三静电释放装置采用两个薄膜晶体管时，第五阈值约为几百伏至几千伏。
其中，第六阈值由第三静电释放装置中的薄膜晶体管的特性决定，大约在零伏左右。
当第三静电释放装置采用两个薄膜晶体管时，若第三静电释放装置连接的第一短路环上的信号的电压大于第五阈值，此时，第三静电释放装置开启，并且开启电流很大，这样其连接的第一短路环上的静电荷会迅速被释放掉，使得该第一短路环上的电压与第一引线上的电压相等，即不大于第六阈值，第三静电释放装置关闭。
如图3a所示的阵列基板11中包括多条数据线（显示区12中纵向的引线）、多条栅极线（显示区12中横向的引线）和两条位于阵列基板11上的第一短路环SR1；六条数据线通过第一静电释放装置ESD1连接阵列基板11上的第一短路环SR1，每个第一静电释放装置ESD1仅连接一条数据线，其中，有四条数据线各自分别连接一个第一静电释放装置ESD1，有两条数据线各自分别连接两个第一静电释放装置ESD1；每条第一短路换SR1通过两个第三静电释放装置ESD3连接第一引线L1，其中，第一短路环SR1可以位于显示区12中，也可以位于显示区12以外，较佳地，第一短路环SR1位于显示区12以外；第一引线L1可以位于显示区12中，也可以位于显示区12以外，较佳地，第一引线L1位于显示区12以外。其中，图3a还包括与数据线相连的源极驱动集成电路SIC1和SIC2，与栅极线相连的栅极驱动集成电路GIC1和GIC2，源极驱动集成电路SIC1和SIC2以及栅极驱动集成电路GIC1和GIC2可以位于阵列基板上，也可以位于与阵列基板相连的柔性电路板上。阵列基板11上的第一引线L1可以设置一条，也可以设置多条。阵列基板上的第一短路环SR1可以设置一条，也可以设置多条。
当第一短路环上的信号的电压大于第五阈值时，与该第一短路环相连的第三静电释放装置开启，使得该第一短路环上的静电荷能够通过与该第一短路环相连的第三静电释放装置释放到第一引线L1上。而在静电荷释放至该第一短路环上的信号的电压不大于第六阈值时，与该第一短路环相连的第三静电释放装置关断，使得连接该第一短路环的第一静电释放装置所连接的数据线上的信号不会受到第一引线L1上的信号的干扰，这些数据线能够不受干扰地将源极驱动集成电路输出的信号传输到像素（图3a中未示出）上。采用这种两级静电释放装置串联的结构，可以更好地避免第一引线L1上的信号对数据线上的信号的干扰。当然，也可以采用更多级的静电释放装置串联的结构，但这会降低显示区的面积与阵列基板的面积的比率。
进一步地，本发明实施例提供的阵列基板中可以设置K个第一短路环，M个第一静电释放装置，K个第一短路环中的mod(M/K)个第一短路环中的每个第一短路环连接
Figure BDA0000450327850000091
个第一静电释放装置；K个第一短路环中的其它第一短路环中的每个第一短路环连接个第一静电释放装置；mod代表取余函数，K小于等于M。
例如，阵列基板上设置了3个第一短路环，7个第一静电释放装置，3个第一短路环中的一个第一短路环连接3个第一静电释放装置，3个第一短路环中的另外两个第一短路环中的每一个第一短路环连接2个第一静电释放装置。
一条第一短路环将第一静电释放装置和第三静电释放装置串联起来，也就是说，要将一条数据线及其连接的源极驱动集成电路上积累的静电荷释放，需要经过第一静电释放装置和第三静电释放装置，从而提高电路的可靠性，避免第一静电释放装置或第三静电释放装置短路时，发生信号串扰。另外，K个第一短路环即K条静电释放的路径可以缓解静电释放的压力，提高静电释放的效率。
较佳地，本发明实施例提供的阵列基板还包括至少一个位于该阵列基板上的第二短路环，每个第二短路环连接至少一个第二静电释放装置，每个第二短路环通过一个第四静电释放装置连接该阵列基板上的第二引线；第四静电释放装置，用于在其连接的第二短路环上的信号的电压大于第七阈值时开启，并在其连接的第二短路环上的信号的电压不大于第八阈值时关断，第二引线上的信号的电压不大于第八阈值。
其中，第七阈值与第四静电释放装置的结构有关，当第四静电释放装置采用两个薄膜晶体管时，第七阈值约为几百伏至几千伏。
其中，第八阈值由第四静电释放装置中的薄膜晶体管的特性决定，大约在零伏左右。
当第四静电释放装置采用两个薄膜晶体管时，若第四静电释放装置连接的第二短路环上的信号的电压大于第七阈值，此时，第四静电释放装置开启，并且开启电流很大，这样其连接的第二短路环上积累的静电荷会迅速被释放掉，使得该第二短路环上的电压与第二引线上的电压相等，即不大于第八阈值，第四静电释放装置关闭。
如图3b所示的阵列基板11中包括多条数据线（显示区12中纵向的引线）、多条栅极线（显示区12中横向的引线）和两条位于阵列基板11上的第二短路换SR2；四条栅极线通过第二静电释放装置ESD2连接阵列基板11上的第二短路环SR2，每个第二静电释放装置ESD2仅连接一条栅极线，其中，有两条栅极线各自分别连接一个第二静电释放装置ESD2，有两条栅极线各自分别连接两个第二静电释放装置ESD2；每条第二短路换SR2通过两个第四静电释放装置ESD4连接第二引线L2，其中，第二短路环SR2可以位于显示区12中，也可以位于显示区12以外，较佳地，第二短路环SR2位于显示区12以外；第二引线L2可以位于显示区12中，也可以位于显示区12以外，较佳地，第二引线L2位于显示区12以外。其中，图3b还包括与数据线相连的源极驱动集成电路SIC1和SIC2，与栅极线相连的栅极驱动集成电路GIC1和GIC2，源极驱动集成电路SIC1和SIC2以及栅极驱动集成电路GIC1和GIC2可以位于阵列基板上，也可以位于与阵列基板相连的柔性电路板上。阵列基板11上的第二引线L2可以设置一条，也可以设置多条。阵列基板上的第二短路环SR2可以设置一条，也可以设置多条。
当第二短路环上的信号的电压大于第七阈值时，与该第二短路环相连的第四静电释放装置开启，使得该第二短路环上的静电荷能够通过与该第二短路环相连的第四静电释放装置释放到第二引线L2上。而在静电荷释放至该第二短路环上的信号的电压不大于第八阈值时，与该第二短路环相连的第四静电释放装置关断，使得连接该第二短路环的第二静电释放装置所连接的栅极线上的信号不会受到第二引线L2上的信号的干扰，该栅极线能够不受干扰地将栅极驱动集成电路输出的信号传输到像素（图3b中未示出）上。采用这种两级静电释放装置串联的结构，可以更好地避免第二引线L2上的信号对栅极线上的信号的干扰。当然，也可以采用更多级的静电释放装置串联的结构，但这会降低显示区的面积与阵列基板的面积的比率。
进一步地，本发明实施例提供的阵列基板上可以设置L个第二短路环，N个第二静电释放装置，L个第二短路环中的mod(N/L)个第二短路环中的每个第二短路环连接
Figure BDA0000450327850000111
个第二静电释放装置；L个第二短路环中的其它第二短路环中的每个第二短路环连接
Figure BDA0000450327850000112
个第二静电释放装置，mod代表取余函数，L小于等于N。
例如，第二短路环为4个，第二静电释放装置为7个，则4个第二短路环中的3个第二短路环中的每个第二短路环分别连接2个第二静电释放装置，4个第二短路环中的另外一个第二短路环连接1个第二静电释放装置。
一条第二短路环将第二静电释放装置和第四静电释放装置串联起来，也就是说，要将一条栅极线及其连接的栅极驱动集成电路上积累的静电荷释放，需要经过第二静电释放装置和第四静电释放装置，从而提高电路的可靠性，避免第二静电释放装置或第四静电释放装置短路时，发生信号串扰。另外，L个第二短路环即L条静电释放的路径可以缓解静电释放的压力，提高静电释放的效率。
较佳地，阵列基板上的第一引线和该阵列基板上的第二引线，均为公共电极线。
图4所示的阵列基板11中包括多条数据线（显示区12中纵向的引线）、多条栅极线（显示区12中横向的引线）、位于阵列基板11上的公共电极线Vcom、四条第一短路环SR1和两条第二短路环SR2；每条数据线分别通过两个第一静电释放装置ESD1连接阵列基板11上的第一短路环SR1，每个第一静电释放装置ESD1仅连接一条数据线，相邻两条数据线分别通过第一静电释放装置ESD1连接在不同的第一短路环SR1上；每条栅极线分别通过两个第二静电释放装置ESD2连接阵列基板11上的第二短路环SR2，每个第二静电释放装置ESD2仅连接一条栅极线；每条第一短路环SR1通过两个第三静电释放装置ESD3连接公共电极线Vcom，每条第二短路环SR2通过两个第四静电释放装置ESD4连接公共电极线Vcom，其中，四条第一短路环SR1和两条第二短路环SR2均位于显示区12以外；其中，图4还包括与数据线相连的源极驱动集成电路SIC1和SIC2，与栅极线相连的栅极驱动集成电路GIC1和GIC2。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括本发明实施例提供的阵列基板。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括本发明实施例提供的显示面板。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：多条数据线和多条栅极线；至少一条数据线通过至少一个第一静电释放装置连接所述阵列基板上的第一引线，每个第一静电释放装置仅连接一条数据线；或者，至少一条栅极线通过至少一个第二静电释放装置连接所述阵列基板上的第二引线，每个第二静电释放装置仅连接一条栅极线；
所述第一静电释放装置，用于在其连接的数据线上的信号的电压大于第一阈值时开启，并在其连接的数据线上的信号的电压不大于第二阈值时关断，所述第一引线上的信号的电压不大于第二阈值；
所述第二静电释放装置，用于在其连接的栅极线上的信号的电压大于第三阈值时开启，并在其连接的栅极线上的信号的电压不大于第四阈值时关断，所述第二引线上的信号的电压不大于第四阈值。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每一条数据线通过至少一个第一静电释放装置连接所述阵列基板上的第一引线。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每一条栅极线通过至少一个第二静电释放装置连接所述阵列基板上的第二引线。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：至少一个位于所述阵列基板上的第一短路环，每个第一短路环连接至少一个第一静电释放装置，每个第一短路环通过至少一个第三静电释放装置连接所述阵列基板上的第一引线；
所述第三静电释放装置，用于在其连接的第一短路环上的信号的电压大于第五阈值时开启，并在其连接的第一短路环上的信号的电压不大于第六阈值时关断，所述第一引线上的信号的电压不大于第六阈值。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，第一短路环为K个，第一静电释放装置为M个，K个第一短路环中的mod(M/K)个第一短路环中的每个第一短路环连接个第一静电释放装置；其它第一短路环中的每个第一短路环连接个第一静电释放装置,所述mod代表取余函数，K小于等于M。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：至少一个位于所述阵列基板上的第二短路环，每个第二短路环连接至少一个第二静电释放装置，每个第二短路环通过至少一个第四静电释放装置连接所述阵列基板上的第二引线；
所述第四静电释放装置，用于在其连接的第二短路环上的信号的电压大于第七阈值时开启，并在其连接的第二短路环上的信号的电压不大于第八阈值时关断，所述第二引线上的信号的电压不大于第八阈值。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，第二短路环为L个，第二静电释放装置为N个，L个第二短路环中的mod(N/L)个第二短路环中的每个第二短路环连接个第二静电释放装置；其它第二短路环中的每个第二短路环连接个第二静电释放装置,所述mod代表取余函数，L小于等于N。
8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上的第一引线和所述阵列基板上的第二引线均为公共电极线。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1～8任一所述的阵列基板。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求9所述的显示面板。
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