CN107479285B - 一种阵列基板及显示装置 - Google Patents
一种阵列基板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107479285B CN107479285B CN201710778808.6A CN201710778808A CN107479285B CN 107479285 B CN107479285 B CN 107479285B CN 201710778808 A CN201710778808 A CN 201710778808A CN 107479285 B CN107479285 B CN 107479285B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- peripheral
- trace
- array substrate
- wiring
- routing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 122
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-NOHWODKXSA-N lead-200 Chemical compound [200Pb] WABPQHHGFIMREM-NOHWODKXSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0288—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using passive elements as protective elements, e.g. resistors, capacitors, inductors, spark-gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0296—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices involving a specific disposition of the protective devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
- G02F1/133784—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by rubbing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/22—Antistatic materials or arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明实施例提供一种阵列基板及显示装置,涉及显示技术领域,能够降低辅助走线结构在拐角处发生尖端放电的几率。该阵列基板包括多组信号线引线,同一组信号线引线延伸至同一绑定区,该阵列基板还包括设置于相邻组信号线引线之间的辅助走线结构;辅助走线结构包括由至少三条外围走线顺次连接而成的外围封闭走线圈,外围封闭走线圈在拐角处通过弧线平滑连接。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置,因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点,而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
如图1所示,液晶显示装置划分为走线区01和显示区02,显示区02中包括对液晶层中的液晶分子进行配向的配向膜(图中未示出),走线区01中设置有与扇形走线(Fanout)结构F连接的多个绑定区(Bongding Area),其中,配向膜一般采用摩擦配向工艺制作,即通过滚动摩擦辊,使配向膜上形成配向槽。
如图1所示,现有技术中,一般在相邻扇形走线结构F之间的区域设置辅助走线结构10,以避免摩擦辊在从显示区02滚动至走线区01时,因相邻扇形走线结构F之间的区域与周围区域之间因断差过大而导致摩擦云纹现象(Rub Mura)。
然而,如图2所示,由于配向膜阻抗较高,可视为绝缘塑料,因此,摩擦产生的电荷容易积累在摩擦辊03的表面,这样一来,在摩擦辊03从显示区02沿方向T滚动至走线区01时,摩擦辊03的表面的电荷会转移至辅助走线结构10上,导致在该辅助走线结构10的拐角A处容易发生尖端放电,瞬间会产生较大电流,且电流会通过扇形走线结构F(图2中仅示出了扇形走线结构F的部分)中的走线传输至显示区02,进而造成显示装置在正常画面显示过程中出现显示异常或者显示不均的现象(例如,Mura)。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及显示装置,能够降低辅助走线结构在拐角处发生尖端放电的几率。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例一方面提供一种阵列基板,包括:多组信号线引线,同一组信号线引线延伸至同一绑定区,所述阵列基板还包括:设置于相邻组信号线引线之间的辅助走线结构;所述辅助走线结构包括由至少三条外围走线顺次连接而成的外围封闭走线圈,所述外围封闭走线圈在拐角处通过弧线平滑连接。
进一步优选的,所述辅助走线结构还包括位于所述外围封闭走线圈内的内部走线,所述外围封闭走线圈上设置有至少一个朝向所述内部走线一侧的尖端。
进一步优选的,所述至少三条外围走线中包括位于靠近所述阵列基板的显示区一侧、且与多个所述绑定区排列方向平行的第一外围走线;所述第一外围走线上设置有至少一个所述尖端。
进一步优选的,所述至少三条外围走线为四条外围走线;所述四条外围走线中包括与所述第一外围走线平行设置的第二外围走线,以及分别位于所述第一外围走线和所述第二外围走线的两侧的第三外围走线和第四外围走线;其中,所述第三外围走线和所述第四外围走线分别与其相邻组的信号线引线中最靠近所述辅助走线结构的两个信号线引线平行设置。
进一步优选的,所述内部走线包括:与所述外围封闭走线圈直接连接的第二内部走线,以及与所述第二内部走线断开的第一内部走线;所述第一内部走线与所述第一外围走线平行设置,且所述第一内部走线至少与所述第一外围走线中设置所述尖端的部分正对设置;所述第一内部走线与所述第二内部走线在断开处通过导电连接部连接,所述导电连接部的电阻率大于所述内部走线的电阻率。
进一步优选的,所述第一内部走线与所述第一外围走线相邻设置。
进一步优选的,所述第一内部走线的两端均通过所述导电连接部与所述第二内部走线连接。
进一步优选的,所述导电连接部主要由透明导电材料构成。
进一步优选的,所述第一外围走线上设置有多个尖端。
进一步优选的,所述外围封闭走线圈上设置有弯折结构,所述弯折结构构成所述尖端;或者,所述外围封闭走线圈上设置有凸起结构,所述凸起结构构成所述尖端。
本发明实施例另一方面还提供一种显示装置,包括前述的阵列基板。
本发明实施例提供一种阵列基板及显示装置,该阵列基板包括多组信号线引线,同一组信号线引线延伸至同一绑定区;该阵列基板还包括设置于相邻组信号线引线之间的辅助走线结构,其中,辅助走线结构包括由至少三条外围走线顺次连接而成的外围封闭走线圈,外围封闭走线圈在拐角处通过弧线平滑连接,即相邻连接的外围走线的拐角不存在尖端,这样一来,即使在辅助走线结构上积累有电荷时,由于相邻连接的外围走线在拐角处不具备进行尖端放电的条件,从而降低了辅助走线结构在拐角处发生尖端放电的几率,也即降低了因辅助走线结构发生尖端放电而对显示区域造成不良影响的几率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中提供的一种阵列基板的结构示意图;
图2为图1中的阵列基板的局部结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图;
图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板的局部结构示意图;
图6为本发明实施例提供的再一种阵列基板的局部结构示意图;
图7为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图;
图8为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图;
图9为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图。
附图标记:
01-走线区;02-显示区;03-摩擦辊;10-辅助走线结构;100-外围封闭走线圈;101-外围走线;1011-第一外围走线;1012-第二外围走线;1013-第三外围走线;1014-第四外围走线;110-内部走线;111-第一内部走线;112-第二内部走线;120-导电连接部;20-扇形走线区;200-信号线引线;201-转接孔;300-信号线;A-尖端。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种阵列基板,如图3所示,该阵列基板包括多组信号线引线200,其中,同一组信号线引线200延伸至同一绑定区(Bonding Area),可以理解的是,一组信号线引线200是指由多条信号线引线200形成的一个扇形走线(Fanout)区20。
如图3所示,该阵列基板还包括:设置于相邻组信号线引线200之间的辅助走线结构10,也即辅助走线结构10位于相邻的扇形走线区20之间,如图4(图3中的局部放大图)所示,该辅助走线结构10包括由至少三条外围走线101顺次连接而成的外围封闭走线圈100,该外围封闭走线圈100在拐角处通过弧线平滑连接。
此处应当理解到,对于上述至少三条外围走线101顺次连接形成封闭圈结构而言,其中的多条外围走线101中相邻连接的外围走线之间必然为非平行设置,也即相邻连接的外围走线在连接处会出现拐角。
基于此,按照本发明中的设置方案,将相邻连接的外围走线的拐角连接处设置为通过弧线平滑连接,即相邻连接的外围走线的拐角不存在尖端,这样一来,即使在辅助走线结构上积累有电荷时,由于相邻连接的外围走线在拐角处不具备进行尖端放电的条件,从而降低了辅助走线结构在拐角处发生尖端放电的几率,也即降低了因辅助走线结构发生尖端放电而对显示区域造成不良影响的几率。
此处需要说明的是,上述“在拐角处通过弧线平滑连接”中的弧线是指:该弧线的斜率由在拐角处连接的两条外围走线101中的一条外围走线101的斜率依次连续变化至另一条外围走线101的斜率;也即该弧线可以是圆弧、椭圆弧、其他的弧,只要保证通过该弧线在拐角处将两条外围走线101平滑连接即可,本发明对此不作限定。
另外,在上述设置外围封闭走线圈100在拐角处通过弧线平滑连接的基础上,为了避免因电荷的积累而造成的隐患,对阵列基板造成不良影响。本发明优选的,如图5所示,该辅助走线结构10还包括位于外围封闭走线圈100内的内部走线110,该外围封闭走线圈100上设置有至少一个朝向内部走线110一侧的尖端A,以使得尖端A与内部走线110之间能够进行尖端放电。
具体的,在外围封闭走线圈100具有电荷积累时,在尖端A处电荷密度很大,从而使得尖端A位置附件的电场增强,外围封闭走线圈100在尖端A与内部走线110之间产生尖端放电,这样一来,通过尖端放电,从而达到对外围封闭走线圈100上的电荷进行消耗的目的,进而降低了因电荷积累造成的不良影响。
另外,本领域的技术人员应当理解到,对于液晶显示装置而言,可参考图2以及背景技术中对应的文字部分,阵列基板上一般设置有配向膜,配向膜一般采用摩擦配向工艺制作,并在制作过程中摩擦辊03表面会积累电荷,且在摩擦辊03从显示区02沿方向T滚动至走线区01时,摩擦辊03会首先与辅助走线结构10中靠近显示区02的外围走线接触。
基于此,为了避免因摩擦辊03表面积累的电荷均匀的分散在外围封闭走线圈100上,而导致尖端A上的聚集的电荷密度相对较低,从而不利于通过尖端A进行尖端放电而消耗电荷,本发明优选的,结合图6和图3所示,该辅助走线结构10中,构成外围封闭走线圈100的至少三条外围走线101中包括位于靠近阵列基板的显示区一侧、且与多个绑定区排列方向平行的第一外围走线1011,该第一外围走线1011上设置有至少一个尖端A。
其中,需要说明的是,对于上述“多个绑定区排列方向”,本领域的技术人员应当理解到,在阵列基板中的对于相同类型的信号线引线(例如数据线引线或者栅线引线)对应的多个绑定区的排列方向,一般为沿栅线或者数据线的延伸方向排布,在此情况下,可以知道,第一外围走线1011与多个绑定区排列方向平行也意味着第一外围走线1011的延伸方向与栅线或者数据线的延伸方向一致。例如,对应于数据线引线的多个绑定区而言,其排列方向一般沿栅线的延伸方向排布,此时第一外围走线1011在与多个绑定区排列方向平行的同时,也与栅线的延伸方向平行;又例如,对应于栅线引线的多个绑定区而言,其排列方向一般沿数据线的延伸方向排布,此时第一外围走线1011在与多个绑定区排列方向平行的同时,也与数据线的延伸方向平行。
这样一来,当摩擦辊03从显示区02沿方向T滚动至走线区01时,摩擦辊03会直接与第一外围走线1011接触,从而使得摩擦辊03表面的较大密度的电荷通过第一外围走线1011上的尖端A更容易进行尖端放电,也即能够有效的通过尖端放电以达到消耗电荷的目的。
当然,对于本发明中的至少三条外围走线101而言,如图6所示,一般的,在实际的制作中优选的采用四条外围走线,该四条外围走线中包括与第一外围走线1011平行设置的第二外围走线1012,以及分别位于第一外围走线1011和第二外围走线1012的两侧的第三外围走线1013和第四外围走线1014,其中第三外围走线1013和第四外围走线1014分别与其相邻组的信号线引线中最靠近辅助走线结构10的两个信号线引线200平行设置;也即该四条外围走线顺次连接形成近似梯形的外围封闭走线圈100;其中,该近似梯形的外围封闭走线圈100中较短的底边可以对应上述第一外围走线1011,另一个较长的底边对应的第二外围走线1012,与该第一外围走线1011平行设置;第三外围走线1013和第四外围走线1014对应该近似梯形的外围封闭走线圈100中的两个侧边,且分别与紧邻的信号线引线200平行设置。以下实施例均是以该近似梯形的外围封闭走线圈100为例对本发明做进一步的说明。
在此基础上,为了更进一步的对辅助走线结构10上的电荷进行消耗,如图7所示,内部走线110包括:与外围封闭走线圈100直接连接的第二内部走线112,以及与第二内部走线112断开的第一内部走线111,当然,此处应当理解到,第一内部走线111的两端与外围封闭走线圈100以及第二内部走线112均为断开状态;另外,对于第二内部走线112而言,可以是一条走线,也可以是多条走线,本发明对此不作具体限定。
其中,第一内部走线111与第一外围走线1011平行设置,且第一内部走线101至少与第一外围走线1011中设置尖端A的部分正对设置,也即第一内部走线101在第一外围走线1011上的正投影至少覆盖该第一外围走线1011中设置尖端A的部分;另外,第一内部走线111与第二内部走线112在断开处通过导电连接部120连接,且导电连接部120的电阻率大于内部走线110的电阻率。
这样一来,在第一外围走线1011上的尖端A发生尖端放电瞬间产生的较大电流会通过第一内部走线111并经过导电连接部120传输至第二内部走线112,由于本发明中导电连接部120采用电阻率较大的材料制成,应当理解到,在导电连接部形状大小一致的情况下,采用电阻率较大的材料相比于采用电阻率较小的材料制作导电连接部能够有效的保证该导电连接部具有较大的电阻,以使得上述电流流经导电连接部产生大量热量,从而达到进一步对辅助走线结构上的电荷进行消耗的目的。当然对于实际中导电连接部形状大小需要根据实际情况(例如阵列基板的类型、走线密度等)进行确定,本发明对此不作限定。
一般的,导电连接部120可以主要由透明导电材料构成,例如,氧化铟锡(ITO);在此情况下,电流流经导电连接部120产生大量热量,使得导电连接部120可能烧毁,但是有效的降低了对显示区域造成不良影响的几率。当然,考虑到阵列基板中具有其他主要由透明导电材料构成的器件,为了简化工艺,该导电连接部可以与阵列基板中其他由透明导电材料构成的器件(例如,像素电极),通过同层同材料,也即通过同一次制作工艺制作。
此处需要说明的是,为了能够最大可能通过导电连接部120对辅助走线结构10上的电荷进行消耗,本发明优选的,如图7所示,设置第一内部走线111的两端均通过导电连接部120与第二内部走线112连接。
另外,为了避免电荷会部分经过其他走线结构不能有效的通过导电连接部120而进行消耗,本发明优选的,如图7所示,在第一内部走线111与第一外围走线100相邻设置。
当然,本发明中,第一内部走线111可以为一条,也可以为多条,本发明对此不作限定,可以根据实际的需要进行设定。其中,在第一内部走线111为一条的情况下,为了保证在尖端A发生尖端放电瞬间产生的较大电流能够有效的通过第一内部走线111并经过导电连接部120传输至第二内部走线112,需要保证该第一内部走线111与第一外围走线100相邻设置;在第一内部走线111为多条的情况下(参考图7),至少保证一条第一内部走线111与第一外围走线100相邻设置;当然,对于其他的第一内部走线111与第一外围走线100之间,可以存在第一内部走线111,但避免设置第一内部走线111以外的走线结构。
此外,对于第一外围走线1011上设置的尖端A而言,可以是一个,也可是多个,本发明对此不作限定,可以根据实际的需要进行设定。当然,为了能够进行有效的通过尖端放电对电荷进行消耗,优选的可以在第一外围走线1011上设置多个尖端A,例如,可以是2个。
更进一步的,对于本发明中的尖端A而言,可以如图7所示的,外围封闭走线圈100上设置有弯折结构,该弯折结构构成尖端A;也可以如图8所示,外围封闭走线圈100上设置有凸起结构,该凸起结构构成尖端A;本发明对此不作限定,可以根据实际的需要进行设定。
以下提供一种阵列基板,相比于现有技术中因辅助走线结构中的外围封闭走线圈在尖端放电而会对显示区域造成不良影响而言,采用本发明的设计方案,能够显著的降低因外围封闭走线圈在尖端放电而会对显示区域造成不良影响的几率。
具体的,如图9所示,该阵列基板中,信号线引线200与阵列基板的显示区02中的信号线300通过转接孔201以透明导电材料(例如,ITO)连接。
对于上述连接方式,如果采用现有技术中的辅助走线结构,则容易在外围封闭走线圈上的拐角位置发生尖端放电,并且在尖端放电产生的瞬间的较大电流,会通过信号线引线200流经转接孔201,进而造成转接孔201位置处的透明导电材料产生大量的热量,并被烧毁,进而导致对应位置出现显示异常的现象。
相比于此,如图9所示,采用本发明中的技术方案,首先将外围封闭走线圈100在拐角处通过弧线平滑连接,避免在拐角处发生尖端放电,进而通过在第一外围走线1011上设置有朝向内部走线110一侧的尖端A,通过在尖端A处产生尖端放电,将电荷转移至内部走线110,同时,通过将与第一外围走线1011正对的第一内部走线111的两端通过电阻率较大的导电连接部120与第二内部走线112连接,从而进一步消耗上述电荷,从而能够显著的降低对显示区域造成不良影响的几率。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括前述的阵列基板,具有与前述实施例提供的阵列基板相同的结构和有益效果。由于前述实施例已经对阵列基板的结构和有益效果进行了详细的描述,此处不再赘述。
需要说明的是,在本发明实施例中,显示装置具体至少可以包括液晶显示面板和有机发光二极管显示面板,例如该显示面板可以应用至液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件中。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:多组信号线引线,同一组信号线引线延伸至同一绑定区,所述阵列基板还包括:设置于相邻组信号线引线之间的辅助走线结构;
所述辅助走线结构包括由至少三条外围走线顺次连接而成的外围封闭走线圈,所述外围封闭走线圈在拐角处通过弧线平滑连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述辅助走线结构还包括位于所述外围封闭走线圈内的内部走线,所述外围封闭走线圈上设置有至少一个朝向所述内部走线一侧的尖端。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述至少三条外围走线中包括位于靠近所述阵列基板的显示区一侧、且与多个所述绑定区排列方向平行的第一外围走线;
所述第一外围走线上设置有至少一个所述尖端。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述至少三条外围走线为四条外围走线;
所述四条外围走线中包括与所述第一外围走线平行设置的第二外围走线,以及分别位于所述第一外围走线和所述第二外围走线的两侧的第三外围走线和第四外围走线;其中,所述第三外围走线和所述第四外围走线分别与其相邻组的信号线引线中最靠近所述辅助走线结构的两个信号线引线平行设置。
5.根据权利要求3-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,
所述内部走线包括:与所述外围封闭走线圈直接连接的第二内部走线,以及与所述第二内部走线断开的第一内部走线;
所述第一内部走线与所述第一外围走线平行设置,且所述第一内部走线至少与所述第一外围走线中设置所述尖端的部分正对设置;
所述第一内部走线与所述第二内部走线在断开处通过导电连接部连接,所述导电连接部的电阻率大于所述内部走线的电阻率。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一内部走线与所述第一外围走线相邻设置。
7.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一内部走线的两端均通过所述导电连接部与所述第二内部走线连接。
8.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述导电连接部主要由透明导电材料构成。
9.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述外围封闭走线圈上设置有弯折结构,所述弯折结构构成所述尖端;
或者,所述外围封闭走线圈上设置有凸起结构,所述凸起结构构成所述尖端。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710778808.6A CN107479285B (zh) | 2017-08-31 | 2017-08-31 | 一种阵列基板及显示装置 |
PCT/CN2018/093451 WO2019042002A1 (zh) | 2017-08-31 | 2018-06-28 | 阵列基板及显示装置 |
US16/474,527 US11112659B2 (en) | 2017-08-31 | 2018-06-28 | Array substrate and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710778808.6A CN107479285B (zh) | 2017-08-31 | 2017-08-31 | 一种阵列基板及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107479285A CN107479285A (zh) | 2017-12-15 |
CN107479285B true CN107479285B (zh) | 2020-05-12 |
Family
ID=60604327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710778808.6A Active CN107479285B (zh) | 2017-08-31 | 2017-08-31 | 一种阵列基板及显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11112659B2 (zh) |
CN (1) | CN107479285B (zh) |
WO (1) | WO2019042002A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107479285B (zh) | 2017-08-31 | 2020-05-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
CN107634072B (zh) * | 2017-10-25 | 2020-04-03 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
CN108513523B (zh) * | 2018-03-30 | 2020-12-22 | 信利半导体有限公司 | 一种用于显示器件的抗静电失效装置 |
CN109061970A (zh) * | 2018-09-03 | 2018-12-21 | 重庆惠科金渝光电科技有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN114299827B (zh) * | 2018-10-11 | 2023-11-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100349038C (zh) * | 2003-04-25 | 2007-11-14 | 胜华科技股份有限公司 | 具尖端放电的显示面板传导金属线布局方法及装置 |
KR20080063627A (ko) * | 2007-01-02 | 2008-07-07 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
CN102636925A (zh) * | 2011-02-14 | 2012-08-15 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器 |
CN103698953A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN105158981A (zh) * | 2014-05-27 | 2015-12-16 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示面板和液晶显示装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH081502B2 (ja) * | 1993-06-21 | 1996-01-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 液晶表示装置 |
KR20130139745A (ko) * | 2011-01-28 | 2013-12-23 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 플라즈마 디스플레이 패널용 배면판 |
JP2013169122A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-08-29 | Panasonic Corp | 非接触充電モジュール及びそれを備えた携帯端末 |
KR102181165B1 (ko) * | 2014-03-04 | 2020-11-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그것을 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법 |
CN104570493B (zh) * | 2015-01-22 | 2017-10-31 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板母板及其制作方法、静电消除设备 |
CN107479285B (zh) * | 2017-08-31 | 2020-05-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
-
2017
- 2017-08-31 CN CN201710778808.6A patent/CN107479285B/zh active Active
-
2018
- 2018-06-28 US US16/474,527 patent/US11112659B2/en active Active
- 2018-06-28 WO PCT/CN2018/093451 patent/WO2019042002A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100349038C (zh) * | 2003-04-25 | 2007-11-14 | 胜华科技股份有限公司 | 具尖端放电的显示面板传导金属线布局方法及装置 |
KR20080063627A (ko) * | 2007-01-02 | 2008-07-07 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
CN102636925A (zh) * | 2011-02-14 | 2012-08-15 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器 |
CN103698953A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN105158981A (zh) * | 2014-05-27 | 2015-12-16 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示面板和液晶显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107479285A (zh) | 2017-12-15 |
WO2019042002A1 (zh) | 2019-03-07 |
US11112659B2 (en) | 2021-09-07 |
US20190361303A1 (en) | 2019-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107479285B (zh) | 一种阵列基板及显示装置 | |
CN111180494B (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN108054193B (zh) | 柔性显示面板及柔性显示装置 | |
US11209947B2 (en) | Touch structure and touch panel | |
US10636505B2 (en) | Display panel and display device | |
CN108021267B (zh) | 触控显示装置 | |
CN111736398B (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
US9229289B2 (en) | Array substrate for narrow bezel type liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
US10001889B2 (en) | Mesh electrode, sensing device, and electrode layer | |
US9470939B2 (en) | Array substrate and display device | |
US9552090B2 (en) | Touch panel and display with the same | |
CN109545838B (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
US20210271347A1 (en) | Touch display devices | |
KR20140068592A (ko) | 표시장치 | |
US11177295B2 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof and display device | |
US11221717B2 (en) | Touch substrate, manufacturing method and display device | |
US20150116605A1 (en) | Display panel | |
CN109698192B (zh) | 静电保护电路、阵列基板及显示装置 | |
US9575374B2 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
KR102047726B1 (ko) | 인셀 터치 방식 액정표시장치 및 그 제작 방법 | |
US8552638B2 (en) | Pixel array substrate and display panel | |
CN110716356B (zh) | 具有共用电极层间隙图案设计的显示装置 | |
KR20130024328A (ko) | 터치 스크린 패널 | |
CN106873267B (zh) | 显示面板 | |
TWI595298B (zh) | 顯示面板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |