TW399203B - A semiconductor device having a electric charge amplifier for amplifying bit line electric charge - Google Patents
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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 U ή , A7 __:__ B7 ' ---丨〜ΓΓ’『.]j —_’ _ - I、發明.説稍(I ) 發明之背景 ^ 發明領域 本發明一般相關於一種動態隨機存取記憶體(DRAM) ’其係於一個低電源供應電壓操作。更特殊的是,其相關 於一個位元線感測放大器,用以放大一個電荷,其在感測 位元線感測放大器裡之單元電荷以前先放大施加到一個位 元線一個單元電荷,以充分之電位差,因此可以穩定且快 速地執行一個感測的操作。 相關柃術之描述 一般來說,當動態隨機存取記憶體(DRAM)的整合度 提高,內在電源供應電壓即變低來減少電能消耗並保證記 憶元件的可靠度。下面表格中列出使用於每一個動態隨機 存取記億體(DRAM)整合中電源供應電壓之趨勢。 動態隨機存取 64百萬位元256百萬位元10億位元40億位元以上 記憶體整合度 電源供應電廯 13伏特 2·5伏特 伏特 L2伏特以下 因此,爲了使用一個低電源供應電壓並且減少晶片尺 寸,在新的動態隨機存取記億體中連接到位元線之記憶元 數目增力σ了。於是當單元電荷被傳送到位元線時所產生之 位元線信號電壓變低了。 ___Λ_______ F紙適用中命搞準(CNS)應(21〇χ 297公* ) ~ ----------^-------、町------Λ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 U ή , A7 __:__ B7 ' ---丨〜ΓΓ’『.]j —_’ _ - I、發明.説稍(I ) 發明之背景 ^ 發明領域 本發明一般相關於一種動態隨機存取記憶體(DRAM) ’其係於一個低電源供應電壓操作。更特殊的是,其相關 於一個位元線感測放大器,用以放大一個電荷,其在感測 位元線感測放大器裡之單元電荷以前先放大施加到一個位 元線一個單元電荷,以充分之電位差,因此可以穩定且快 速地執行一個感測的操作。 相關柃術之描述 一般來說,當動態隨機存取記憶體(DRAM)的整合度 提高,內在電源供應電壓即變低來減少電能消耗並保證記 憶元件的可靠度。下面表格中列出使用於每一個動態隨機 存取記億體(DRAM)整合中電源供應電壓之趨勢。 動態隨機存取 64百萬位元256百萬位元10億位元40億位元以上 記憶體整合度 電源供應電廯 13伏特 2·5伏特 伏特 L2伏特以下 因此,爲了使用一個低電源供應電壓並且減少晶片尺 寸,在新的動態隨機存取記億體中連接到位元線之記憶元 數目增力σ了。於是當單元電荷被傳送到位元線時所產生之 位元線信號電壓變低了。 ___Λ_______ F紙適用中命搞準(CNS)應(21〇χ 297公* ) ~ ----------^-------、町------Λ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 一 B7 五、發明説明(少) 即使傳統動態隨機存取記憶體的位元線信號範圍自 200毫伏特到300毫伏特,在10億位元動態隨機存取記憶 體的位元線信號減少約100毫伏特左右。假若位元線信號 太低,穩定操作將無法藉由感測放大器之補償電壓所確保 。同時高速操作將受限制。 在本發明裡,被儲存在記憶元電容裡的電荷被傳送到 一條位元線以致於一個電荷放大器中產生一個位元線信號 ,同時在放大此位元線信號後一個感測放大器可以被操作 。因此本發明相關於一個適用於低電壓操作記憶體之位元 線感測放大器。 動態隨機存取記憶體(DRAM)使用單一電晶體與單一電 容爲單元,位元線信號(AVBL)可以由下面的式子獲得: .假設:VBLP= Vdd / 2 3 = CBL / CS (電容比) AVBL-Vdd / 2X (1/(1 + β)) 從以上的式子得知,位元線信號可由電源供應電壓 Vdd與電容比β決定。於是,因爲電源供應電壓Vdd於低 電壓之動態隨機存取記憶體中爲一個低値,電容比β應被降 低以維持原先位元線信號的大小。 假如連接到位元線之單元數目維持隨著動態隨機存取 記憶體整合度上升而增加,單元電容CS在無電荷情況下 介於20 — 25f法拉,同時位元線電容CBL亦相對減少。因 此,位元線信號的大小被維持。 然而,爲了減少高整合動態隨機存取記憶體(DRAM)的 _J___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐) ----------Λ------^-ιτ—----- V- \ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 好浐部中决打^而々-·1-消於合竹叙印掣 A7 B7 五、發明説明(j) 晶片大小,連接到位元線的記憶體數目必須增加,以致於 當電源供應電壓大小下降時,位元線信號也變低。 假如位元線信號太低,就很難以位元線感測放大器之 補償電壓完成穩定之感測操作。更甚的是,感測速度也減 低了。 圖一爲傳統位元線感測放大器之電路示意圖。假若儲 存在單元電容CS裡之電荷以使字元線WLi ( 1 S i S η)致 動方式而施加到位元線,則位元線信號AVBL之電壓差於 位元線BL及/ BL之間發生。在一預先決定之時間後,信 號SAP將達到電壓Vdd,與信號SAN達到電壓Vss,以致 使感測與重寫之操作被執行。在預先充電操作情形中,位 元線等化信號BLEQ被驅動,因此位元線以一個位元線預 先充電電壓VBLP被預先充電。因爲傳統位元線感測放大 器感測一位元線信號,在低位元線信號範圍裡可能發生故 障。 本發明之槪要 本發明係針對一種位元線感測放大器,用以放大電荷 ,其大體上排除上述因爲相關技術的缺點與限制所造成之 問題。 本發明之一個目的在於提供一種位元線感測放大器, 在感測於一位元線感測放大器記憶元電荷之前先放大施加 至一位元線之記憶元電荷到具充分電位差而用以放大電荷 ’因此可以穩定與快速地執行感測操作。 爲了實現上述目的,提供一個半導體記憶裝置,其具 __________ό_ 本紙張尺度適州中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ----------Λ------^ίτ—*----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ______B7_ 五、發明説明(#) 有複數個記憶元之一單元陣列方塊、與一個位元線感測放 大器,其用以感測與放大被傳送到真實位元線或互補位元 線之一單元電荷,位元線感測放大器放大被傳送到真實位 元線與互補位元線之單元電荷以充分電位差而放大電荷, 將此被放大之單元電荷傳送到位元線感測放大器。 更甚的是,在具有複數個記憶元之單元陣列方塊與一 位元線感測放大器之半導體記憶裝置中,該位元線感測放 大器係用以感測與放大被傳送到真實位元線或互補位元線 之單元電荷,用以放大一個電荷之位元線感測放大器包括 一個電荷放大器,其以充分電位能差放大被傳送到真 實位元線與互補位元線之單元電荷,然後將此被放大之單 元電荷傳送到位元線感測放大器;以及 一個切換元件,被連接到介於單元陣列方塊與電荷放 大器之間的真實位元線與互補位元線,且切換介在單元陣 列方塊與電荷放大器之間的連接。 附匾之簡略說明 圖一爲傳統位元線感測放大器之電路示意圖; 圖二A爲根據本發明之電荷放大器之槪念示意圖; 圖二B爲根據本發明之電荷放大器操作之波形示意圖 圖三A爲根據本發明之第一較佳實施例放大電荷之位 元線感測放大器電路示意圖; 圖三B爲根據本發明之第二較佳實施例放大電荷之位 _________7_____ 本紙張尺度適州中囤囷家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐) ---------'./-----1------^ J. 4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明(ς ) 元線感測放大器電路示意圖; .圖三C爲根據本發明之第三較佳實施例放大電荷之位 元線感測放大器電路示意圖; 圖四爲根據本發明應用到圖三A到三C之時序圖; 圖五A爲根據本發明之第四較佳實施例放大電荷之位 元線感測放大器電路示意圖; 圖五B爲根據本發明之第五較佳實施例放大電荷之位 元線感測放大器電路示意圖; 圖五C爲根據本發明之第六較佳實施例放大電荷之位 元線感測放大器電路示意圖: 圖六爲根據本發明應用到圖五A到五C之時序圖;及 圖七顯示根據本發明放大電荷之位元線感測放大器陣 列結構。 較佳官施例之細節說明 現將參考本發明詳細之較佳實施例,其中的範例在伴 隨之附圖中展列。 以下之簡稱被使用在本發明之圖式中。
Ml、M2、M3與M4 :金氧半電晶體,作成一電荷放 大器; CX :電容,作成一電荷放大器; MX :金氧半電晶體,作成一電容; CS :單元電容: VBLP :位元線預充電荷電壓; VCP :單元電容CS之平板電壓; _8_ 本紙張尺度適中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) m m - - —II - -1 1 ......-- I— - - .^1 - 丁 -I -- : 1^1 : '1' *5^ ^ ,T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明(u) BLSA :位元線感測放大器; BL與/BL :位元線; CBL :單元電容CS之總電容; SB與/ SB :在位元線以切換開關分開情形下位元線 感測放大器的兩個節點; CSB :位元線感測放大器的兩個節點SB與/ SB之電 容; WL :字元線(WL1、WL2、…、WLn-1、WLn);
Yj :共行解碼器之輸出,其選擇一個感測放大器並將 它連接到資料匯流排; BLEQ :位元線等化信號,其將位元線預充電到VBLP 電壓準位; _ SAN : N型通道金氧半裝置閂之源極節點,作成位元 線感測放大器,由VBLP改變到Vss,因此操作N型通道 金氧半裝置閂; SAP : P型通道金氧半裝置閂之源極節點,作成位元線 /感測放大器,由VBLP改變到Vss,因此操作P型通道金 氧半裝置之閂; BLS :控制位元線切換開關M3與M4之信號; QX :與金氧半電晶體Ml與M2之源極節點A (或A1 ,A2)耦合而成一個電荷放大器之電容CX (或MX)平板 信號。 圖二A爲根據本發明電荷放大器之槪念示意圖。 如圖二所示,有一個電荷放大器介於單元陣列與位元 9 _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4現格(210X297公釐) (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-·β A7 ________B7_ 五、發明説明(7 ) 線感測放大器之間,此位元線感測放大器放大由一個單元 電荷傳送到位元線所產生之位元線信號AVBL。電荷放大器 由兩個電晶體Ml、M2與一個電容CX所組成。電晶體Ml 、M2爲交錯耦合栓鎖結構,共同源極節點A完成電板信 號QX與電容CX之耦合^ 假使儲存在單元電容CS之電荷藉著使字元線WLi驅 動傳送到位元線BL則位元線原先預充電値、VBLP〃將改 變成"VBLP+AVBL #。 同時,在節點A之下爲一交錯耦合栓鎖以預先決定電 壓介於、VBLP〃與、VSS〃以預充電狀態被預充電之共源 極節點,假使位元線電壓改變至、VBLP+AVBL 〃而高狀 態Vdd的信號QX被改變到低信號Vss,被電容CX耦合之 節點A電壓掉下。結果,因爲電晶體M2形成一個交錯耦 合栓鎖首先被開啓,介於位元線/ BL與節點A之間的電 荷共用現象發生。因此可以放大位元線信號AVBL。假如位 元線信號AVBL爲一個負値(一),則電晶體Ml首先被開 啓,以致於電荷共用現象在位元線BL與節點A之間發生 〇 圖二B爲根據本發明之電荷放大器操作之波形示意圖 。如圖二B所示,當節點A的電壓藉由節點A與信號QX 之間的耦合減少,在節點A與位元線/ BL之間發生電荷 共用而位元線信號AVBL被放大成一個信號niAVBL ( m> 1 )0 圖三A爲根據本發明第一較佳實施例放大電荷之位元 _______10_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --------------------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 _B7 五、發明説明(S ) 線感測放大器的電路示意圖。 獮^ A中之電路包含: 第一電晶體M2,放於真實位元線BL與互補位元線/ BL之間,其中每一個汲極、閘極與源極被連接到互補位元 線/ BL、真實位元線BL與節點A ; 第二電晶體Ml,放於真實位元線BL與互補位元線/ BL之間,其中每一個汲極,閘極與源極被連接到真實位元 線BL、互補位元線/ BL與節點A ;及 一電容器CX,在節點A與控制信號之間被耦合》 第一及第二電晶體M2、Ml爲N型通道金氧半電晶體 。電容CX具有與單兀電容相同結構,並且與單元電容同 時形成。 .控制信號自一個建立電壓Vpp使字元線驅動改變到電 源供應電壓Vdd,因此放大了電荷β 根據本發明所述之第一較佳實施例中,電荷放大器21 介於單元陣列11與位元線感測放大器12之間。電荷放大 器21的電容CX與單元電容CS同時形成。 圖三Β爲根據本發明之第二較佳實施例放大電荷之位 元線慼測放大器的電路示意圖,一個金氧半電晶體MX之 閘極電容取代了第一較佳實施例的電容CX,因爲此電容由 金氧半電晶體製成,對於圖三B中電路的製造沒有困難。 圖三C爲根據本發明之第三較佳實施例放大電荷之位 元線感測放大器的電路示意圖。如圖三C中所示,此電路 包含: _______Π___ 中國國家標準(CNS ) Λ4規梢^ 210X297公釐) " ----------%-----—IT-------^ {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經济部中央打率Λκ-Τ消轮合竹.=fi印絮 A7 _B7_ 五、發明説明(7 ) N型通道金氧半電晶體M2,放於真實位元線BL與互 補位元線/ BL之間,其中每一個汲極、閘極與源極被連接 到互補位元線/ BL、真實位元線BL與節點A2 ; N型通道金氧半電晶體Ml,放於真實位元線BL與互 補位元線/ BL之間,其中每一個汲極、閘極與源極被連接 到真實位元線BL、互補位元線/ BL與節點A1 ;及 一個N型通道金氧半電晶體MX,其中每一個汲極、 閘極與源極被連接到節點A1、控制信號與節點A2。 N型通道金氧半電晶體MX的連接組成與圖三B不同 電荷放大器21的電容。電晶體Ml、M2的源極節點與電 晶體MX的源極與汲極共用,因此減少了佈局的面積。 ^四爲根據本發明應用到圖三A至三C之時序示意圖 β參考圖四,假若字元線在位元線信號BL與/ BL以位元 線等化信號BLEQ預充電4 Vpp ’,則位元線信號BL的電 壓以單元電荷改變到如AVBL之多。 那麼,假使信號QX從4 Vss ’改變到‘ Vdd ’,一個電 荷共用現象在位元線/ BL與節點A之間發生,以致於位 元線信號被放大到mAVBL,當信號SAP與SAN每一者被 驅動到4 Vdd ’與‘ Vss ’,藉由位元線感測放大器之被放大 位元線信號可執行感測與重寫操作。 如圖三B與三C所示,因爲金氧半電容MX總是開啓 著以達到節點A與信號QX之間的耦合,信號QX應從‘ ¥卩卩’2夂變成‘乂〇1(1,(或自1£1(1,到161^’)。 五A爲根據本發明第五較佳實施例放大電荷之位元 -------]2__ 本紙張尺度適川中國國家榡準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐) ---------.-(<-------訂-------涑 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明u0) 線感測放大器的電路示意圖。 如圖五A所示’和圖三a到三c比較,有兩個位元線 開關M3 ’ M4介於單元陣列方塊u與電荷放大器31之間 。當操作電荷放大器31時,在位元線與節點a之間的電 荷共用現象發生’以致於電荷放大作用變得隨著位元線電 容降低而增強。因此位元線信號△VBL以單元電荷產生而 電荷放大器31之後在位元線開關關閉之後被啓動,而一個 電荷共用現象在信號/ SB與節點A之間發生。此電荷共 用現象對位兀線信號之電荷放大作用是有效的,因爲C / SB <C/BL。電容CX可如同圖三a中單元電容CS—樣 被製成。 圖五B爲根據本發明第五較佳實施例放大電荷之位元 線感測放大器的電路示意圖》如圖五B所示,一個以金氧 半電晶體MX’s閘極電容取代電荷放大器31的電容cx〇 因爲此電容是由金氧半電晶體製成,其製作可以輕易地被 具體化而無任何困難。 '圖五C爲根據本發明第六較佳實施例放大電荷之位元 線感測放大器的電路示意圖。金氧半電晶體MX之耦合結 構造成不同於圖五B中電荷放大器31的電容CX。電晶體 Ml、M2的源極節點與金氧半電晶體MX的源極與汲極共 享,因此減少佈局面積。
、圖六爲根據本發明應用到圖五A到五C的時序圖。如 果字元線被驅動到建立電壓‘ Vpp ’而位元線BL及/ BL以 —個位元線等化信號BLEQs預充電到‘ VBLP ’位元線BL 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 A7 ______________B7_ 五、發明说明(il ) 的電壓被改變了AVBL之多。 然後位元線開關M3、M4以信號BLS開關與信號QX 自‘ Vdd,改變到4 Vss ’ ’在信號/ SB與節點A之間發生 電荷共用現象’以致使位元線信號放大到mAVBL (m>l )。此被放大的位元線信號由位元線感測放大器當信號 SAP與SAN每一個驅動成‘ Vdd,與‘ Vss,而被感測。之後 位元線開關M3,M4以信號BLS開啓以致使重寫操作能在 單元中執行。 如圖五B與五C所示,因爲金氧半電晶體MX總是開 啓來達成節點A與信號QX之間的耦合,信號qx應自‘ Vpp ’改變到4 Vdd ’(或自4 Vdd ’改變到‘ VBLP ’)。 圖七爲根據本發明所述放大電荷之位元線感測放大器 的陣列結構。如圖七所示,電荷放大器與圖五C之結構相 同。信號BLS與信號QX在感測放大器陣列被共用,而電 荷放大器31與感測放大器陣列同時被操作。剩餘的部分可 用與傳統位元線放大器(BLSA)陣列相同方式製成。更特 別的是,爲了減少電晶體之間不匹配所造成的影響,電荷 放大器31需要小心地注意其佈局與製造過程的尺寸。 如上所述,根據本發明放大電荷之位元線感測放大器 先在感測位元線感測放大器的單元電荷以足夠之電位差放 大一個應用到位元線之單元電荷,因此在低電源供應電壓 時能穩定且快速執行感測操作。此外連接到位元線之單元 數目可在本發明中增加,因此減少晶片大小。 可以了解其它不同之修正將明顯且不需偏離發明範疇 _____14____ 本紙張尺度適州中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ 訂 A7 B7 五、發明説明(丨>) 與精神地被熟悉此技術領域的工作者所作成。於是,不欲 將附加之專利申請範圍受限於以上所述者,而申請專利範 圍係構成以涵蓋存在於本發明之專利新穎處所有特點,包 含所有被視爲與本發明相關技術相等之特點。 _15 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --------------—ΐτ~------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Claims (1)
- 終正 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印裂 申請專利範圍 1·一種半導體記憶裝置,其具有複數個記憶元之一單 元陣列方塊、與一位元線感測放大器’其用以感測與放大 被傳送到真實位元線與互補位元線之單元電荷,該種裝置 更進一步包含: 一個電荷放大器,以充分電位差放大被傳送到真實位 元線與互補位元線之單元電荷’然後將被放大之單元電荷 傳送到位元線感測放大器。 2. 根據申請專利範圍第1項所述之半導體記憶裝置’ 更進一步包含: 一個切換元件,被連接到於單元陣列方塊與電荷放大 器之間的一真實位元線與互補位元線,並且切換單元陣列 方塊與電荷放大器之間的連接。 3. 根據申請專利範圍第2項所述之半導體記憶裝置’ 其中切換元件是以一個N型通道金氧半(NMOS)電晶體 製成。 4_根據申請專利範圍第1項所述之半導體記憶裝置’ 其中該用以放大電荷之位元線感測放大器包括: —第一電晶體,放於真實位元線BL以及互補位元線 之間,其每一汲極、閘極與源極被連接到互補位元線、真 實位元線與第一節點; —第二電晶體,放於真實位元線以及互補位元線之間 ’其每一汲極、閘極與源極被連接到真實位元線,互補位 元線與第一節點;及 一電容器,係耦接在第一節點與一控制信號之間。 本紙張尺度適用中國困家棣率(CNS ) A4规格(21〇x297公釐) --------裝------訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 終正 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印裂 申請專利範圍 1·一種半導體記憶裝置,其具有複數個記憶元之一單 元陣列方塊、與一位元線感測放大器’其用以感測與放大 被傳送到真實位元線與互補位元線之單元電荷,該種裝置 更進一步包含: 一個電荷放大器,以充分電位差放大被傳送到真實位 元線與互補位元線之單元電荷’然後將被放大之單元電荷 傳送到位元線感測放大器。 2. 根據申請專利範圍第1項所述之半導體記憶裝置’ 更進一步包含: 一個切換元件,被連接到於單元陣列方塊與電荷放大 器之間的一真實位元線與互補位元線,並且切換單元陣列 方塊與電荷放大器之間的連接。 3. 根據申請專利範圍第2項所述之半導體記憶裝置’ 其中切換元件是以一個N型通道金氧半(NMOS)電晶體 製成。 4_根據申請專利範圍第1項所述之半導體記憶裝置’ 其中該用以放大電荷之位元線感測放大器包括: —第一電晶體,放於真實位元線BL以及互補位元線 之間,其每一汲極、閘極與源極被連接到互補位元線、真 實位元線與第一節點; —第二電晶體,放於真實位元線以及互補位元線之間 ’其每一汲極、閘極與源極被連接到真實位元線,互補位 元線與第一節點;及 一電容器,係耦接在第一節點與一控制信號之間。 本紙張尺度適用中國困家棣率(CNS ) A4规格(21〇x297公釐) --------裝------訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範固 5·根據申請專利範圍第4項所述之半導體記憶裝置, 其中第一電晶體與第二電晶體是以一個N型通道金氧半( NMOS)電晶體製成。 6. 根據申請專利範圍第4項所述之半導體記憶裝置, 其中該電容器具有與—單元電容器之相同結構並且與單元 電容器同時被製成。 7. 根據申請專利範圍第4項所述之半導體記憶裝置, 其中該控制信號自驅動字元線之一個建立電壓改變到一個 電源電壓,因此執行一個電荷放大操作。 8. 根據申請專利範圍第1項所述之半導體記憶裝置, 其中該用以放大電荷之位元線感測放大器包括: 一第一電晶體,放於真實位元線以及互補位元線之間 ’其每一汲極、閘極與源極被連接到互補位元線、真實位 元線與第一節點; 一第二電晶體,放於真實位元線以及互補位元線之間 ’其每一汲極、閘極與源極被連接到真實位元線、互補位 元線與第一節點;及 一第三電晶體,每一汲極、閘極與源極被連接到第一 節點、控制信號與第一節點。 9. 根據申請專利範圍第8項所述之半導體記憶裝置’ 其中第一到第三電晶體是以N型通道金氧半(NMOS)電 晶體製成。 10. 根據申請專利範圍第8項所述之半導體記憶裝置 ,其中該控制信號自驅動字元線之一個建立電壓改變到一 本紙張尺度逋用中國國家標率(CNS > A4規格(210X297公釐) ^^1 In m* m n^i ^^1 m ^^—^1 ^^4 r *τ· (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁.)'申請專利範圍 個電源電壓,因此執行一個電荷放大操作。 U.根據申請專利範圍第1項所述之半導體記憶裝置 ’其中該用以放大電荷之位元線感測放大器包括: 一第一電晶體,放於真實位元線以及互補位元線之間 丄其每一汲極、閘極與源極被連接到互補位元線、真實位 元線與第一節點; 一第二電晶體,放於真實位元線以及互補位元線之間 ’其每一汲極、閘極與源極被連接到真實位元線、互補位 元線與第二節點;及 一第三電晶體,每一汲極,閘極與源極被連接到第二 節點、控制信號與第一節點》 根據申請專利範圍第1 1項所述之半導體記億裝 置’其中第一到第三電晶體是以N型通道金氧半(NMOS )電晶體製成的。 13.根據申請專利範圍第1 1項所述之半導體記憶裝 置’其中控制信號自驅動字元線之一個建立電壓改變到一 個電源電壓,因此執行一個電荷放大操作。 ^^^^1 —am^— ^^^1 nn I a^ln ^^^1 ^^4 / i i (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4说格(2丨〇><297公釐)
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