JP4177220B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
"A 512Kb Cross−Point Cell MRAM",ISSCC 2003/SESSION 16/NON−VOLATILE MEMORY/PAPER 16.1
図1は、本発明の第1実施形態によるクロスポイント型強誘電体メモリ(半導体記憶装置)の構成を示した回路図である。まず、図1を参照して、第1実施形態によるクロスポイント型強誘電体メモリの構成について説明する。
=1/2Vcc−ΔVini…(1)
一方、メモリセル1にデータ「1」が記憶されていた場合には、ビット線BLの電位VBLは、以下の式(2)に示すようになる。
次に、第1実施形態では、チョッパコンパレータ2のインバータ回路4によってデータ「0」または「1」の判別を行う。具体的には、ビット線BLの電位VBLが、チョッパコンパレータ2のインバータ回路4の論理しきい値の電位VT(1/2Vcc)よりも大きいか小さいかで、インバータ回路4の出力を0VまたはVccに変化させることによりデータの判別を行う。すなわち、ビット線BLの電位VBLが1/2Vccよりも小さい場合には、データ「0」と判別し、インバータ回路4から外部へVcc(Hレベル)の電位(Vout)が出力される。一方、ビット線BLの電位VBLが1/2Vccよりも大きい場合には、データ「1」と判別し、インバータ回路4から外部へ0V(Lレベル)の電位(Vout)が出力される。
上記式(3)を変形することにより、以下の式(4)が得られる。
上記式(4)の結果から、初期状態でメモリセル1がデータ「1」を保持している場合に、インバータ回路4がそのデータを「1」と判別できるようにするために、ΔViniの電圧(チョッパコンパレータ2のnチャネルトランジスタのゲート−拡散層間のカップリング容量に対応する電圧)を、ΔViniとΔV0(図3の「0」からA点への分極状態の変化に対応する電位の変化量)との和が、ΔV1(図3の「1」からA点への分極状態の変化に対応する電位の変化量)を上回らないように設定する。このような電圧にΔViniを設定することにより、データ「1」を保持するメモリセル1からビット線BLに読み出された電位VBL(1/2Vcc−ΔVini+ΔV1−ΔV0)は、1/2Vccよりも小さくなるので、データ「1」と判別され、インバータ回路4から外部へ0V(Lレベル)の電位(Vout)が出力される。
図4は、本発明の第2実施形態による1T(トランジスタ)1C(キャパシタ)型強誘電体メモリ(半導体記憶装置)の構成を示した回路図である。まず、図4を参照して、第2実施形態による1T1C型強誘電体メモリの構成について説明する。
上記式(5)を変形することにより、以下の式(6)が得られる。
上記式(6)の結果から、初期状態でデータ「1」を保持しているメモリセル11cからビット線BL1に読み出されたデータを、センスアンプ12によって、「1」と判別するために、ΔViniの電圧(キャパシタ16cの容量に対応する電圧)を、ΔViniとΔV0(図3の「0」からA点への分極状態の変化に対応する電位の変化量)との和が、ΔV1(図3の「1」からA点への分極状態の変化に対応する電位の変化量)を上回らないように設定する。このような電圧にΔViniを設定することにより、データ「1」を保持するメモリセル11cからビット線BL1に読み出された電位(1/2Vcc−ΔVini+ΔV1−ΔV0)は、反転ビット線/BL1の電位(1/2Vcc+ΔVini)よりも大きくなるので、センスアンプ12によりデータ「1」と判別される。
2 チョッパコンパレータ(データ読出手段)
3、13 強誘電体キャパシタ
BL、BL0、BL1 ビット線(データ読出線)
12a、12b センスアンプ(データ読出手段)
WL ワード線(電圧印加線)
PL プレート線(電圧印加線)
Claims (3)
- ビット線と電圧印加線との間に接続され、ヒステリシス特性を有する材料を含む記憶手段と、
前記ビット線に接続され、前記記憶手段に記憶されたデータを読み出すデータ読出手段と、
前記記憶手段に記憶された第1記憶データの読出し時の前記ビット線の電位の変化量と第2記憶データの読出し時の前記ビット線の電位の変化量との差よりも小さい電位だけ、電位を変化することが可能な所定の線とを備え、
データの読み出し時に、前記ビット線と前記電圧印加線との電位差が実質的に0Vである初期状態から、前記ビット線をフローティング状態にするとともに、前記電圧印加線に前記記憶手段の記憶状態を変化させることが可能な電圧を印加した後、前記電圧印加線の電圧を前記記憶手段の記憶状態が変化しない電圧に戻し、その時の前記所定の線の電位に基づいて前記データ読出手段によりデータの読み出しを行い、
前記所定の線は、前記ビット線であり、
前記データ読出手段は、前記ビット線に接続された1つのスイッチを含み、
前記データ読出手段の1つのスイッチをオンからオフにすることにより、前記ビット線をフローティング状態にするとともに前記ビット線の電位が前記記憶手段に記憶された前記第1記憶データの読出し時の前記ビット線の電位の変化量と前記第2記憶データの読出し時の前記ビット線の電位の変化量との差よりも小さい電位だけ変化されるように構成されている、半導体記憶装置。 - 前記電圧印加線は、ワード線であり、
前記記憶手段は、前記ワード線と前記ビット線との間に接続され、前記ヒステリシス特性を有する強誘電体キャパシタからなり、
前記データの読み出し時に、前記ビット線と前記ワード線との電位差が実質的に0Vである初期状態から、前記スイッチをオンからオフにすることにより、前記ビット線をフローティング状態にするとともに前記強誘電体キャパシタに記憶された前記第1記憶データの読出し時の前記ビット線の電位の変化量と前記第2記憶データの読出し時の前記ビット線の電位の変化量との差よりも小さい電位だけ、前記フローティング状態の前記ビット線の電位を変化させ、前記ワード線に前記強誘電体キャパシタの記憶状態を変化させることが可能な電圧を印加した後、前記ワード線を初期状態の電位に戻し、その時の前記ビット線の電位と前記初期状態の前記ビット線の電位とに基づいて前記データ読出手段によりデータの読み出しを行う、請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記データ読出手段は、入力端子および出力端子を有するとともに、前記ビット線に前記入力端子が接続され、所定の論理しきい値を有するインバータ回路をさらに含み、
前記スイッチは、前記インバータ回路の入力端子および出力端子に接続され、
前記初期状態では、前記データ読出手段のスイッチがオンすることにより、前記インバータの入力および出力が前記論理しきい値の電位になることによって、前記ビット線は、前記インバータの論理しきい値の電位にプリチャージされ、
前記ビット線のフローティング状態では、前記データ読出手段のスイッチがオンからオフすることにより、前記ビット線の電位が前記インバータの論理しきい値の電位から前記強誘電体キャパシタに記憶された前記第1記憶データの読出し時の前記ビット線の電位の変化量と前記第2記憶データの読出し時の前記ビット線の電位の変化量との差よりも小さい電位だけ変化され、
前記データの読み出し時には、前記インバータ回路に入力される前記ビット線電位が前記インバータ回路の論理しきい値よりも大きいか小さいかで、前記インバータ回路の出力を変化させることにより前記データの読み出しを行う、請求項2に記載の半導体記憶装置。
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