TW318258B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TW318258B
TW318258B TW085115158A TW85115158A TW318258B TW 318258 B TW318258 B TW 318258B TW 085115158 A TW085115158 A TW 085115158A TW 85115158 A TW85115158 A TW 85115158A TW 318258 B TW318258 B TW 318258B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
chamber
substrates
support
transfer
Prior art date
Application number
TW085115158A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Tokyo Electron Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP3292796A external-priority patent/JP3892494B2/ja
Priority claimed from JP31342096A external-priority patent/JP3650495B2/ja
Application filed by Tokyo Electron Co Ltd filed Critical Tokyo Electron Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW318258B publication Critical patent/TW318258B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781Batch transfer of wafers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • Y10S414/138Wafers positioned vertically within cassette
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

318258 經濟部中央搮準局貝工消费合作社印裝 A7 ___B7五、發明説明(1 ) 發明背景 本發明係關於對液晶顯示板(L C D )基板或是半導 體晶圓施加半導體處理的半導體處理裝置。此處所謂的半 導體處理,係指於L C D基板或是晶圓等被處理基板上, 施加爲製造半導體元件而實施之各種處理。 相關技術 以往,例如在LCD基板的製造工程中,係使用數個 於減壓氣氛中對L C D基板施加蝕刻或是灰化等指定處理 的真空處理容器所組成的裝置,也就是多真空室型的真空 處理裝置。 此種多真空室型的真空處理裝置,係具有以各處理室 及門閥(gate valve)爲中介之搬送室,及以搬送室與門 閥(gate valve)爲中介之裝填固定(load lock)室。 此外,真空處理裝置還設有從收容多數L C D基板且於大 氣氣氛中之卡匣取出一枚一枚的L C D基板搬送至裝填固 定室的搬送臂等之外部搬送機構,及設於減壓氣氛之搬送 室內於裝填固定室與各處理室之間搬送L C D基板之內部 搬送機構· 如此之L C D基板真空處理裝置,霱要在一定時間內 儘可能處理更多的基板,也就是說被要求生產率要儘可能 的高•多真空室型真空處理裝置亦即爲了同時處理複數個 基板以提髙生產率。 對於搬送系統也被要求高生產率·因此,作爲外部搬 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. ,tr 5-,ξ J1SS5S A7 ____B7_ 五、發明説明(2 ) 送機構,使用的是具有上下兩段臂而直接支持L C D基板 的搬送系統,即上段載置未處理基板,下段載置已處理基 板而對其加以支撐之構造。 將已處理之基板搬入卡匣並將下一個未處理基板由卡 匣中取出的時候,首先,由下臂進入卡匣內指定的細長孔 (slot),搬送臂全體降下至指定的高度而將已處理基板 送進細長孔內的載置部份載置,其次,下臂暫時退避至卡 匝外•接著,搬送臂全體向上升,這次上臂進入指定的細 長孔內。其次,搬送臂全體再度上升,把細長孔的載置部 所載置的未處理基板由上臂來支撐。接著,上臂也由細長 孔中退避出來· 然而此種做法也有速度上的極限,對此還更進一步要 求更髙的生產率。 經濟部中央棣準局貝工消费合作杜印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外,於內側搬送機構採用上下兩段式搬送臂而操作 真空處理室內的承受部時,需要經由下列的手績。首先, 上臂於載置未處理基板的狀態下,讓搬送臂進入真空處理 室內。接著讓下臂進入而由承受部接來已處理的基板後, 讓下臂退避其次讓上臂進入將未處理基板搬送至承受部上 。但是這樣的基板交換動作對於縮短基板交換動作的時間 也具有一定的限度,對此還是進一步要求更髙的生產率。 本發明之要約 本發明之目的在於藉由提高被處理基板的搬送效率而 提供高生產率之半導體裝置· 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS > A4規格(210X297公釐) 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印« A7 __B7_ 五、發明説明(3 ) 本發明的第1個觀點所相關的半導體處理裝置係具備 有:以第1間隔而將複數的被處理基板上下整齊排列而收 容之收容部,及 由前述收容部取出前述基板之外部搬送機構*及 在前述外部搬送機構將前述基板搬入的同時對前述基 板施加半導體處理的處理部等部份。此處的前述外部搬送 機構係具有: 可以對前述各基板之一規定出可以被支撐之第1及第 2支撐面,而同時可以相對上下移動之第1及第2臂,及 相對的移動前述第1及第2臂而調整第1及第2支撐 面的上下方向間隔的間隔調整機構,及 讓前述第1及第2背於前述收容部的相對面的位置與 前述處理部相對面的位置之間移動的驅動臂基座;前述第 1及第2臂的各自的上下方向的厚度較前述第1間隔更小 ,此外,前述第1及前述第2臂亦可藉由前述間隔調整機 構而設定爲於水平方向相重叠之重合狀態。 本發明之第2個觀點所相關的半導體處理裝置係具備 有:將複數被處理基板整齊排列而收容之收容部,及 由前述收容部將前述基板取出之外部搬送機構,及 在前述外部搬送機構將前述基板搬入的同時對前述基 板施加半導體處理的處理部等部份•此處的前述處理部係 具有: 載置前述基板之一之載置台,及 將前述基板之一支撐於前述載置台上方之第1位置而 本纸張尺度埴用中•國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央棣準局貝工消費合作社印製 〇i825s A7 ____B7_ 五、發明説明(4 ) 可以在進入狀態與退避狀態之間切換之第1支撐組件,及 將前述基板之一支撐於前述載置台上方之第2位置而 可以在進入狀態與退避狀態之間切換之第1支撐組件,且 前述第1及第2位置的配置方法爲上下重叠,及 對前述載置台將前述基板搬入搬出之內部搬送機構* 前述內部搬送機構係可保持且將前述基板之一對應於第1 及第2位置上下重叠之第1及第2保持部之搬送組件; 此處前述基板之一之第1基板被保持於前述第1保持 部,且前述基板之另一塊基板稱第2基板被前述第2支撐 構件支撐著,前述.搬送構件在進入前述載置台上方的指定 位置時, 前述第1及第2支撐構件對於前述搬送構件藉由相對 上下反方向移動而使得前述第1基板由前述第1保持部交 到前述第1支持構件,同時前述第2基板由前述第2支撐 構件交到前述第2保持部· 本發明之第3個觀點所相關的半導體處理裝置係具備 有:將複數被處理基板整齊排列而收容之收容部,及 由前述收容部將前述基板取出之外部搬送機構,及 前述搬送機構係具有規定出分別可以支撐前述基板之 —且將之上下重叠之第1及第2支撐面之第1及第2臂, 及 藉由前述第1及第2臂,可以通過門閥而可以操作且 可設定於減壓氣氛之第1裝填固定室,及 經由門閥接縯於前述第1裝填固定室且可以設定於減 本纸張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂
i>18^5S A7 _B7_ 五、發明説明(5 ) 壓氣氛之搬送室,及 經由門閥而與前述搬送室相接且可以在減壓氣氛中施 行半導體處理之第1處理室,及 於前述第1裝填固定室與前述第1處理室之間搬送前 述基板而配設於前述搬送室內之內部搬送機構;前述內部 搬送機構係可保持且將前述基板之一對應於第1及第2位 置上下重叠之第1及第2保持部之搬送組件; 此處,前述裝填固定室具有可以支搏前述基板之一且 上下重叠之第1及第2支撐高度,同時具備有可以貫通前 述第1及第2高度而上下移動且協調動作可以支撐前述基 板之一之複數的支撐栓· 本發明較佳之實施形態 第1圖爲本發明之實施形態之真空處理裝置之概觀示 意圖。第2圚爲其內部之概略斷面圖。 經濟部中央梂準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於此實施形態,真空處理裝置1係由玻璃製之L C D 基板上爲形成半導體元件而進行蝕刻或是灰化處理之多真 空室般的構成•處理裝置1的中央部份配設有經由門閥 9 a而接績的搬送室5及裝填固定室3 ·搬送室5係略爲 正方形,與裝填固定室不對面之其他側面分別經由於開口 部加以氣密密封且可開閉之門閥9 a而接績著3個處理室 2、4、6 · 各處理室2、4、6上接績著供給指定處理氣體之供 給手段,及排除真空室內氣體之排氣手段,亦即,各處理 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
olS^〇S Α7 ___Β7 五、發明説明(6 ) 室可以被設定且維持於任意的減壓氣氛•例如,處理室2 、6進行同樣的蝕刻處理,而另一處理室4則進行灰化( ashing)處理。處理室的組合並不限於此,也可以將適宜 的處理組合起來,如可以利用進行平行處理或是序列處理 等任意的處理等複數的處理室而據以實施。 於各處理室2、4、6內,配設有載置LCD基板S 之承受部(susceptor ) 10。於承受部10內藏有升降 基板用的支撐栓11。支撐栓11與配設於搬送室5內之 搬送機構6 0 a之協調運作而使基板S於承受部1 〇之上 對載置面搬送。 裝填固定室3經由門閥9 b而與外部氣氛相接。門閥 9 b的相反方向之外側配置有搬送機構2 0。搬送機構 2 0經由基台(base) 2 1而設置於支撐台8上· 經濟部中央橾準局員工消費合作杜印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 搬送機構2 0如第3圖所示,於基台2 1上具有可以 上下移動之升降機構(shaft) 2 2 ·升降機構2 2接績 著第1臂2 3,以其一端附近爲中心可以對升降機構2 2 旋轉移動(往返旋轉移動箭頭A) ·於第1臂23接績著 第2臂2 4,以其一端附近爲中心可以對第1臂旋轉移動 (往返旋轉移動箭頭B)。第2臂24上垂直設置升降機 構2 7,爲載置基板S而於升降機構2 7上裝設上叉(f-ork ) 25及下叉26 ·上下叉25、26的旋轉方向與 升降機構2 7 —起旋轉(往返旋轉移動箭頭C )。下叉 2 6從基部2 6 a突起2根距離指定間隔且平行且水平之 夾指(finger) 26b 與 26c。各夾指 26b、26c 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 3ί8細 Α7 _Β7 五、發明説明(7 ) 的上面與支撐之基板直接接觸,適當設置摩擦係數高的例 如合成橡膠製之彈性體或是合成樹脂等材質所製之接觸構 件2 6 d。藉此,可以防止在支撐時該基板位置偏移或是 掉落· 上叉2 5比下叉2 6具有較大的間隔,而具有平行且 成水平之2根指25b、25c。各指25b、25c的 上面與支撐之基板直接接觸,而且適當設置摩擦係數高的 如合成橡膠製之彈性體或是合成樹脂等材質所製之接觸構 件2 5 d。上叉2 5及下叉2 6於上下方向的厚度都較後 述的基板S的卡匣(cassette) 4 2內的收容間隔爲小。 經濟部t央橾準局貝工消費合作杜印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上叉2 5可以沿著桿2 7而上下移動,往最下方移動 時如第4圖所示,從水平方向來看的話是與下叉2 6相互 重合。此時,上叉25的兩指25b、25c正好位在下 叉26的兩指26b、26c的外側,而與下叉2 6位於 相同的髙度上。此外,此時,使兩叉2 5、26的上側的 支撐面整齊剌一。此處因爲兩叉2 5、2 6的厚度相同, 所以兩叉25、2 6的上側支撐面與下側的底面也於同一 面上。 於升降機構2 7內,內藏有讓上叉2 5上下移動的驅 動機構•該驅動機構可以使用由馬達驅動藉由滾珠螺絲而 讓上叉2 5滑動的機構•爲了防止由滾珠螺絲所構成的驅 動機構而來的微粒子在基板周邊浮游而污染基板,升降機 構2 7內的氣氛是藉由抽真空機構而經常性的向裝置外排 氣·> 本紙張尺度適用中國國家槺準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 〇 觸 58 A7 B7 經濟部中央橾準局負工消費合作社印製 五、發明説明(8 ) 升降機構2 7的變更例爲,滾珠螺絲與一體的覆蓋方 形導軌之形狀,例如可以使用長方形者。此外,爲使上叉 2 5的上下動作更加圔滑而且安定,可以在升降機構2 7 的後方(指25b、25c的相反方向)垂直增設副導軌 〇 支撐台8的側邊配設有卡匣標高器(cassette indexer) 41 * 卡匣標高器 41 之上經由升降機構 4 3 而載 置著收容指定數目(例如2 5枚)的基板S (例如L CD 玻璃基板)的卡E4 2。由升降機構4 3,卡匣4 2可以 上下移動且可以於任意位置停止。 如第1圖第2圖所示,夾著支撐台8而與卡匣標髙器 4 1成相對方向的位置亦可設置另一個卡匣標高器4 1。 藉此,因應處理室2、4、6的處理內容,處理時間等變 數而適切的將未處理基板與已處理基板加以交換、搬送, 而實現高生產率· 裝填固定室3可以設定且維持於任意的減壓氣氛。於 裝填固定室3內,如第5圖所示,配設有支撐基板S用的 具備一對腳架(stand) 3 1的緩衝架.(buffer rack) 3 Ο ·緩衝架3 0爲一次可以收容2枚基板S的構成,藉 此可以提高吸真空以及淨化的效率· 各腳架31具備有上下2個棚32、33。棚32、 3 3被設定爲可以容納於搬送機構20的上下叉2 5、 2 6間的距離內的間隔,形成2段水平的基板支持高度· 於本實施形態,緩衝架3 0的支撐高度間隔被設定爲較卡 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 V? 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印製 A7 _B7_ 五、發明説明(9 ) 匣42的基板S的支撐間隔爲大。此外各棚32、33的 上側,設有由摩擦係數較髙的合成橡膠所構成的突起3 4 ,以防止基板的移動或是掉落* 緩衝架3 0的一對腳架3 1係可以一體升降的。緩衝 架3 0的升降使得搬送室內所設的搬送機構不必升降而可 以從2片基板中選擇一片取出。 裝填固定室3內,爲同時定位2枚基板而配置有一對 定位器(?03^〇11161*)3 5及確認完成基板定位之光學感測 器(_式中未標示出)。一對的定位器35係於基板對角 線的延長線上成相對方向般的配置。各定位器3 5具有可 於圖中往返箭頭A之方向啓動之支撐物(supporter)3 6 ,及於支撐物3 6上自由旋轉而支撐的一對滾子(roller) 3 6、3 7。 定位器3 5以對角線方向挾持支撐於緩衝架上的2枚 基板的樣態進行基板的定位*滾子3 7係藉由基板側面以 4點押壓的方式對正位置,特別適合用於接近正方形的基 板的對位。滾子3 7是可以拆卸的裝置於支撐物3 6上可 以因應LCD基板的尺寸而逋當交換· 搬送室5係可以被設定且維持於任意的減壓氣氛。搬 送室5內配設有搬送機構6 0 a與緩衝筐體7 0 ·藉由搬 送機構,基板可於裝填固定室3與處理室2、4、6之間 搬送•緩衝筐體7 0可參照第2 0圚以及如後述般,其構 成爲可以收容複數的L C D基板·藉由緩衝筐體7 0可暫 時收容未處理基板或是已處理基板•如此藉由基板的暫時 本紙張尺度逍用中國國家梂準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部中央橾準局負工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(l〇 ) 收容而可以寄望提高生產性。 搬送機構6 0 a配設於基座6 8的一端,具有配設於 基座6 8而可以旋轉的第1臂6 2,及配設於第1臂6 2 先端部可以旋轉的第2臂6 4,及其機能爲搬送構件且配 設於第2臂進行基板搬送的先端臂6 5 »參照第2 0圖, 與後述搬送機構6 0不同的是其構成爲先端臂6 5僅能支 撐1片基板。 其次,說明本實施形態相關的真空處理裝置1的動作 〇 首先,於卡匣.4高器4 1載置收容複數未處裡基板例 如標基板S1〜S25的卡匣42·其次,搬送機構如第 1圖第2圖所示,面對卡匣4 2的取出開口部,取出收容 於卡匣最下部的基板S 1。此時,如第4圖所示,上叉2 5的支撐面與底面都降下至與下叉2 6相同的高度,兩者 可以說是一體化· 於此狀態藉由第1臂2 3,第2臂2 4以及上下叉 25、26的旋轉,同一高度的上下叉25、26如第6 圖所示,進入最下部的基板S 1的下方•此時基板S 1與 上下叉2 5、2 6之高度調整是由卡匣4 2的升降機構 4 3來負貴進行•通常是由最下部的基板S 1開始進行處 理,所以藉由升降機構4 3,採用讓卡E4 2暫時升髙到 指定的髙度,而後依次向下降的手縯·當然,由搬送機構 2 0的升降機構2 2來進行高度調整亦可· 接著,位於同一支撐高度的上下叉2 5,2 6進入基 本紙張尺度逍用中國國家揉準(CNS > A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 318^5S_B7___ 五、發明説明(11 ) 板s 1下的指定位置後,藉由升降桿2 2搬送機構2 0全 體上升到指定的髙度。藉此,於卡匣4 2內的載置部,其 周緣部被載置的基板S 1係由上下叉2 5、2 6而支撐。 於此場合,卡匣4 2側下降指定的高度亦可。其後,上下 叉25、26由卡匣42退避· 其次,支撐基板S 1的搬送機構2 0的上下叉2 5、 2 6進入裝填固定室3之內,將搬送機構2 0全體下降一 定髙度而將基板S 1載至於腳架3 1上側的棚3 2。其後 ,上下叉2 5、2 6由裝填固定室退避,裝填固定室抽真 空至指定的真空度。其次,真空系的搬送機構6 0 a將基 板取出,搬送至指定的處理室內例如處理室6。於該處對 基板S1進行如蝕刻之類的處理· 此外,於本實施形態,因爲於裝填固定室內可以載置 2枚基板,可以用下列操作取代將基板S 1藉由上下叉 25、26於同一支撐髙度而取得。亦即,讓上叉25的 停止位置比下叉2 6髙出指定高度(例如基板S的卡匣 4 2內的收容間隔)而進入卡匣4 2,下叉2 6支撐基板 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印袈 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 1的同時,上叉2 5也支撐到其上之基板S 2,同時將 兩枚基板搬入裝填固定室•藉此,亦可提髙於初期狀態的 生產性。 因真空處理裝置1係具有複數處理室2、4、6的多 真空室型,因此於初期階段,未處理基板依次經由裝填固 定室3,搬送室5而被搬送至處理室2、6,於該處進行 蝕刻,結束後之基板經由搬送室5而直接搬送到處理室4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 經濟部中央橾準局員工消费合作社印装 A7 B7 五、發明説明(12 ) 直接進行灰化處理*因此,搬送機構2 0僅從事將基板由 卡匣中取出而搬運的工作而已。 此處,如第7圚所示般,想像取出第5個基板S 5而 將其搬送至裝填固定室3的狀態*於此狀態,如第8圖所 示,裝填固定室3內的下段緩衝架上已經載置了處理完畢 的基板S 1 ,例如在往裝填固定室3的搬送途中’使上叉 2 5上升,而與下叉2 6分離,藉此,未處理基板S 5僅 被支撐於上叉25。 於此狀態,上叉2 5與下叉2 6進入裝填固定室3內 ,上叉2 5進入上方的上段棚3 2,下叉2 6進入下方的 下段棚3 3。進入指定的位置之後,如第9圖所示’讓上 叉2 5相對於上段棚3 2下降(箭頭D),下叉2 6相對 餘下段緩衝棚而上升(箭頭E)。藉此未處理的基板S5 ,被載置於上段棚3 2的同時,已處理的基板S 1也被下 叉2 6支撐著•這種動作藉由搬送機構2 0的升降桿2 2 的上升及上叉2 5的下降而達成。_ 藉由這種平行交付的做法,未處理基板搬入裝填固定 室3以及將收容於其內之已處理基板取出的時間可以大幅 縮短,也提升了生產率· 其後,如第1 0圖所示,支撐已處理基板S 1的下叉 26與上叉25由裝填固定室內退避,藉由如第11圖所 示之搬送機構2 0全體方向的轉換,這次如第1 2圖所示 的與卡匣42對面· 其次,支撐處理完畢的基板S 1的下叉2 6與上叉 本紙張尺度適用中國國家搮準(CNS ) ( 210X297公釐) (請先Μ讀背面之注意ί項再填寫本頁)
T -1R -
31S25S A7 B7_ 五、發明説明(l3 ) 2 5如第1 3圖所示進入卡匣4 2內•此時下叉2 6進入 卡匣4 2內的最下部的上方,上叉2 5進入其次未處理的 基板S 6的下方的指定位置· 而後這回上叉25對於卡匣42(更具體的說是對被 載置的基板S6)相對上升(第13、14圖的箭頭F) ,另一方面支撐處理完畢的基板S 1的下叉2 6對於卡匣 4 2 (更具體的說是對最下部的載置部)相對上升(第 13、14圖的箭頭G)·藉此,未處理的基板S6被上 叉2 6支撐的同時,處理完畢的基板S 1已被卡匣4 2的 最下部的載置部所載置。這樣的動作可以藉由搬送機構 2 0的升降桿2 2的下降與上叉2 5的上升而實現。此外 升降桿2 2的下降亦可以藉由升降機構4 3而以卡匣4 2 的上升來取代之· 藉由這種平行交付的做法,將處理完畢的基板搬入卡 匣4 2內以及由該卡匣4 2內取出被收容的未處理基板的 時間可以大幅縮短,也提升了生產率。 其後,支撐未處理基板S 6的上叉2 5與下叉2 6如 第1 5圖所示退避到卡匣4 2外,再度回到裝填固定室3 ,藉由已經描述過的裝填固定室內的平行交付,而與處理 完畢的基板S 2交換。 如此藉由上叉與下叉處於分離狀態而將已處理基板與 未處理基板的平行交付係於卡匣4 2內殘存著的中間狀態 進行· 接著卡匣4 2內已無未處裡基板時(終期狀態),如 本紙張尺度適用中國國家揲準(CNS )六4说格(210X297公釐) —1 fi — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央橾準局貝工消费合作杜印装 〇182〇8 A7 _ B7_ 五、發明説明(I4 ) 第4圖所示上叉2 5下降至與下叉2 6同一高度,兩者再 度一體化。於此狀態由裝填固定室3接受處理完畢的基板 ,如第1 6圖所示,實施往卡匣4 2搬運該處理完畢之基 板之搬送、收容動作。 如以上說明,本實施形態相關的真空處理裝置1,將 處理完畢的基板由裝填固定室3取出及將未處理基板收容 於裝填固定室3內,以及,將未處理基板由卡匣4 2內取 出及將處理完畢的基板收容於卡匣4 2內因爲將這些動作 平行處理,所以與過去將取出與收容兩個動作分開處理來 作比較,本發明幾乎節省了 1 /2的操作時間,而提高了 生產率。 經濟部中央橾準局負工消费合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外,於前述的實施形態中,上叉2 5與下叉2 6其 上下採用相同厚度的形式,於一體化的狀態(第4圖的狀 態)由水平方向看來是處於相互重合的型態,不限於此而 只有一部份重合的形態也可以。無論如何只要是比卡匣 42的基板S的排列間隔更小的厚度就好。藉此,構成 基板支持部的上叉2 5與下叉2 6的形態可以自由設計, 即使是基板變大也可以使之具有足夠的強度* 另外,搬送機構20係由第1臂23、第2臂24之 一端近旁以多關節構造構成而可以相互旋轉,除此之外, 如第1 7圇所示,只於1個地方使用旋轉系而於其他地方 使用直線滑動系的搬送機構8 0亦可》 搬送機構8 0具有基座板8 1,沿著其長邊方向配設 有可以滑動驅動(圖中的往復箭頭L )的滑軌8 2。此滑 本紙張尺度適用中國國家揉率(CNS ) A4規格(210X297公釐) 17 - 3ί 8^58 Α7 _Β7_ 五、發明説明(15 ) 軌8 2上裝設有於水平面內可以旋轉驅動(圖中的往復旋 轉箭頭M)的L字形腳架8 3 *於腳架8 3的垂直部還裝 設有可以垂直升降驅動(圇中的往復箭頭N)的水平板 8 4· 水平板8 4上爲載置基板S而配設上叉8 5與下叉 8 6 »下叉8 6是裝設於水平板8 4可以沿著長邊方向滑 動驅動(圖中的往復箭頭Q) ·下叉8 6的基部8 6 a垂 直設立副腳架8 7,上叉8 5則裝設於副腳架8 7上而可 以升降驅動*也就是說,上叉8 5與下叉8 6同時可以沿 著水平板8 4的長邊方向一體滑動。 與搬送機構2 0相同,搬送機構8 0的上下叉8 5、 8 6也可以如一塊板子般的重合在一起。另外關於搬送機 構的詳細機構參考第2 8圖而於後詳述。 使用此種構成的搬送機構8 0的話,可以將處理完畢 的基板往卡匣4 2收容,也可以同時進行將基板由卡匣取 出,因此可以增進工作率•因爲搬送機構只有一處使用旋 經濟部中央橾準局月工消费合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 轉構造,其他全部是直線滑動系,因此可以髙速安定動作 〇 如上所述*本寅施形態的半導髖裝置,可以並行處理 對收容體搬入處理完畢的基板並將未處理基板搬出,大幅 提高了生產率。而且於上述裝置,可以連績進行蝕刻灰化 的處理,與蝕刻的單一處理相比,可以對應使用者的霈求 具有極高的泛用性· 第1 8圖顯示本發明之另一實施形態之真空處理裝置 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) — 18 — Α7 _Β7_ 五、發明説明(16 ) 之概觀斜視圖·第1 9圇爲其內部之概略斷面圖。於這些 圖中,如有使用和第1圖至第1 7圖使用相同的符號時, 省略其詳細說明。 此實施形態之真空處理裝置1 A,亦以於玻璃製之 L C D基板上形成半導體元件而進行蝕刻處理及灰化處理 的多真空室型之構成。亦即如第1 8圖所示,與先前的實 施形態相同接縯著3個處理室2、4、6。各處理室2、 4、6上接續著供給指定處理氣體之供給手段,及排除真 空室內氣體之排氣手段,亦即,各處理室可以被設定且維 持於任意的減壓氣氛。例如,處理室2、6進行同樣的蝕 刻處理,而另一處理室4則進行灰化處理。處理室的組合 並不限於此,也可以將適宜的處理組合起來,如可以利用 進行平行處理或是序列處理等任意的處理等複數的處理室 而據以實施· 經濟部中央橾準局員工消费合作社印袈 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於各處理室2、4、6內,配設有載置LCD基板S 之承受部1 0。於承受部1 0配設有支撐基板S用的支撐 栓11。於本實施形態,支撐栓11之外還於承受部1〇 的周圍配設4根支撐基板用的支撐構件12·關於支撐栓 與支撐構件詳見後述。 裝填固定室3參照第21圖與先前的實施例有相同的 構成。亦即裝填固定室3可以設定且維持於任意的減壓氣 氛·於裝填固定室3內,配設有支撐基板S用的具備一對 腳架3 1的緩衝架3 0 ·緩衝架3 0爲一次可以收容2枚 基板S的構成,藉此可以提高吸真空以及淨化的效率· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 318258 A7 B7 五、發明説明(17) 此外,裝填固定室3內,爲同時定位2枚基板而配置有一 對定位器3 5及確認完成基板定位之光學感測器(圖式中 未標示出)。 裝填固定室3經由門閥9 b而接於外部氣氛。裝填固 定室3的外側部配設有2個卡匣索引41 ,其上分別載置 收容L C D基板的卡匣4 2。卡匣之一收容未處理基板, 另一卡匣收容已處理基板。卡匣4 2藉由升降機構4 3而 可以升降。 2個卡匣4 2之間,於支撐台5 1上配設有基板搬送 機構。搬送機構50於上下兩段配設臂52、53與支撐 並使可以一體進出退避且可以旋轉之基座5 4。臂5 2、 5 3上形成有支撐基板用的4個突起5 5 ·突起5 5係由 摩擦係數高的合成橡膠製的彈性體所構成,防止支撐基板 中發生位置偏離或是掉落的意外· 經濟部中央標準局月工消費合作杜印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 搬送機構5 0藉由臂5 2、5 3而可以同時搬送2枚 基板。亦即對於卡匣4 2,可以同時取出或是裝入2枚基 板。各卡匣4 2的高度藉由升降機構4 3來調整•藉由臂 5 2、5 3而設定於基板的取出位置或是裝入位置。臂 5 2、5 3的間隔被設定爲較各卡匣的基板支持間隔的最 大值還要大。因此可以對應種種的卡匣。 此外,亦可只設置一個卡匣。於此場合,處理完畢的 基板會回到同一個卡匣內的空隔內。搬送室5內可以被設 定並維持於任意的減壓氣氛。於搬送室5內,如第20圚 所示*配設有搬送機構6 0與可以收容複數的L C D基板 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 經濟部中央橾準局貝工消费合作杜印製 318^58 A7 _ B7_ 五、發明説明(18 ) 的緩衝筐體7 0 ·藉由搬送機構6 0而將基板搬送到裝填 固定室3及處理室2、4、6 ·此外,藉由緩衝筐體70 可暫時收容未處理基板或是已處理基板。如此藉由基板的 暫時收容而可以寄望提髙生產性。 搬送機構6 0配設於基座6 8的一端,具有配設於基 座6 8而可以旋轉的第1臂62,及配設於第1臂6 2先 端部可以旋轉的第2臂64,及配設於第2臂可以旋轉且 支持基板的抓取夾66。 藉由基座6 8內藏的驅動機構讓第1臂6 2、第2臂 6 4以及抓取夾6 6移動,而可以搬送基板。此外搬送機 構6 0藉由配設於基座6 8下的壓力缸機構6 9而可以上 下移動,此外以壓力缸爲軸亦可以旋轉 搬送機構6 0的抓取夾6 6具有兩段構成之叉6 6 a 、66b ·藉由上叉66a支撐未處理基板,而藉由下叉 6 6 b而支撐已處理基板。此外,於圖中並無檩示,各叉 尙未防止支撐基板中發生位置偏離或是掉落的意外,均配 有由摩擦係數高的合成橡膝製的彈性體所構成之突起。 緩衝筐體7 0系於基座6 8的另一端配置爲對於基座 68可以升降》筐體70具有4個緩衝筐體72、74、 76、78,形成水平的4段支撐基座高度。這些緩衝筐 體位支撐基板而設有突起7 9 ·突起7 9係由摩擦係數高 的合成橡膠製的彈性體所構成,防止支撐基板中發生位置 偏離或是掉落的意外。 搬送機構6 0及緩衝筐體7 0係以壓力缸6 9爲軸與 ^紙伕尺度遄用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 策. ,ιτ -21 - 318258 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 五 .發明説明(19 ) 1 基 座6 8為一體而 可旋轉。 如此 藉 由 讓基 座 6 8 旋 轉 而 使 1 I 得搬送 機構6 0可 以 面對處 理室 2 4、 6 或 是 裝 填 固 定 1 1 室 3 · 各處理室2 4、6 內配 設 上 述般 的 承 受 部 1 0 〇 1 1 承 受部 1 0爲形成 電 漿用的 下部 電 極 。於 承 受 部 1 0 的 周 請 先 I 1 圍 ,如 第2 1圖所 示 配設有 陶瓷 質 的 遮蔽 環 1 3 0 閲 讀 背 1 1 4 枝支撐栓1 1 (第2 支撐構件 )係配 設 於 承 受 部 之 注 1 I 1 0的 邊緣而可以 進 出退避 0 4 根 支 撐構 件 1 2 ( 第 1 支 意 事 項 1 1 I 撐構件 )係具有配 設 於承受 部的 周 圖 的遮 蔽環 1 3 而 可 以 再 填 1 進 出退避之支撐棒 1 2 a與 配設於 其 •JlX» Xflt 目IJ端 之 伸 出構 件 寫 本 頁 装 1 1 2 b 。藉由支持 棒 12a 的進 入 可以 支 持 基 板 接 收 1 1 基 板時 於第1位置 支 持未處 理基 板 S 1 β 此 外 ♦ 支 撐 栓 1 1 1的 進入而使得 支 撐基板成爲 可 能 ,接 受 基 板 時 於 低 於 1 訂 第 1位 置之第2位 置 支撐處 理完 畢 之 基板 S 2 〇 支 撐 構 件 I I 1 2於 退避位置, 如 第2 5 A翮 所 示 ,伸 出 構 件 1 2 b 處 1 1 1 於 不會妨礙到成受部 1 0的狀態 〇 但是* 支撐構 件 1 2 於 1 1 I 支 撐位 置如第2 5 B 圖所示 ,支 撐棒 12 a 的 迴 轉 造 成 伸 A V» 出 構件 由承受部向 外 突出而 位於 支 撐 位置 〇 / 1 抓 取夾6 6其 上 叉6 6 a係 對應 於前 述 第 1位 置 t 下 ί 1 叉 6 6 b係對應於前述第2 位置 而設 定其高 度 〇 如 後 述 般 1 | 上叉 6 6 a於支撐 未處理 今板 的 狀 態下 裝 入 處 理 室 內 時 1 1 未處 理基板於交 付 至位於 第1 位 置 之支撐構 件 1 2 的 同 1 1 I 時 ,位 於第一位置 由 支撐拴所支 撐 之 已處 理 基 板 是 由 叉 1 6 6 b 所接收。 1 1 其 次,說明如 上 之構成 之裝 置 之動作 〇 1 1 1 本紙張尺度遑用中國國家梂丰(CNS ) A4規格(210x297公釐) -22 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 318^53 A7 B7 五、發明説明(2〇 ) 首先,搬送機構50是以2枚臂52、53來驅動進 退,由收容未處理基板的一方的卡匣4 2 (第1 8圖左側 的卡匣)取出2枚基板並同時搬入裝填固定室3。 於裝填固定室3內,緩衝架30的棚32、33保持 2枚基板S。臂5 2及5 3退避後,裝填固定室內的大氣 側的門閥被關上。其後開始排氣,達到指定的真空度如 1 O^To r r程度之減壓。抽完真空後,藉由一對對位 器3 5的4個滾子9 0而押壓基板S進行位置比對。 如此位置對好之後,搬送室5即裝填固定室3之間的 門閥9 a被打開*由防止污染的観點由下段棚3 3的基板 S透過搬送機構6 0而搬入搬送室5內,保持於緩衝筐體 7 0最上方的緩衝區7 2。這個場合,基板S於緩衝架上 預先決定好指定的間隔而支撐,因此搬送機構的動作控制 並不依存於卡匣4 2的基板支撐間隔。亦即,不同的基板 支搂間隔並不需要對於各間隔變更搬送機構的動作量而無 須複雜之操作•亦即,可以減低裝置內之污染。 於搬送室5內搬入基板的狀態,再抽真空以達到 1 〇-4Τ 〇 r r程度的真空時,可以減少裝置內的污染。 其次藉由搬送機構6 0搬入搬送室內且保持於緩衝架7 2 將基板S搬送至指定的處理室,如處理室2。於此場合 ,除了最初搬送的場合以外,處理室內存在著已處理之基 板,需要進行已處理基板與未處理基板的交換· 此時參照第2 1圖至第2 4圖來說明· 首先,處理室之承受部1 0上載置已處理之基板S 2 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A策-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央榣準局貝工消费合作杜印製
31SS5S A7 _B7 五、發明説明(21) 的狀態下,支撐構件1 2由第2 5A圖的狀態進入。進而 如第2 5 B圖般旋轉支撐棒1 2 a,伸出構件1 2 b位於 承受部側的突出位置•於此狀態此支撐構件12爲可以位 於第1位置接受未處理基板S1的狀態。 其次,使支撐栓1 1進入並使已處理基板向上升,成 爲能夠於第2位置支撐。藉由以上的動作,形成如第2 1 圖的狀態•於此場合,搬送機溝6 0的抓取夾6 6其上叉 6 6 a對應於前述第1位置,其下叉6 6 b對應於前述第 2位置而設定其髙度,使上叉6 6 a支撐未處理基板S 1 〇 其次如第2 2圚所示,抓取夾6 6進入承受部的上方 ,將未處理基板S1搬送至承受部1〇的上方的第1位置 。於此場合叉6 6 b位於已處理之基板的正下方。於此狀 態讓支持構件1 2的支撐棒1 2 a稍稍上升,同時降下支 撐栓11。藉此,未處理基板S1由支撐構件所支撐的狀 態下,同時已處理之基板被支撐於下叉6 6之狀態。 之後如第2 3圖所示,處理完畢之基板S 2支撐的狀 態下讓抓取夾退避6 6。接著如第2 4圖,再度使支撐栓 進入並處理基板S 1,使支撐構件1 2退避回到圖2 5 A 的狀態。此動作與第2 4圖的動作並行,搬送室與處理室 內的門閥9 a進入避門動作開始進行過程之前處理》亦 即第2 4圖的動作對於生產率並無影響*如此藉由處理室 內的基板交換,未處理基板的搬入與處理過後的基板的搬 入以及藉由保持部一次的移動而進行*爲此,可以顯著減 本纸法尺度適用中國國家捸準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 笨·
、tT -24 - 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印袋 A7 B7 五、發明説明(22) 少基板的交換實踐·亦即過去這種交換操作需時17秒, 使用本法可以縮短到8秒以下。 如此於進行動作時,裝填固定室3內的棚3 2的基板 也被搬送進搬送室5內,保持於任一緩衝器。此種動作對 於卡匣4 2內的基板依序實行·此時因爲裝填固定室3及 搬送室5內的緩衝器的存在而可以不花費等待時間而連續 將基板搬入裝置內。提髙生產率。 處理完畢的基板S 2經由搬送機構而回到搬送室5, 進而經由裝填固定室3內藉由搬送機構5 0的臂5 2、 53而插入處理完畢之基板用的卡匣42(第18圚的右 側的卡匣)。 以上的處理由於有緩衝機構的存在,而且特別是由於 處理室內基板交換的髙效率化*可得過去未曾有過的高生 產率。此外,於上述裝置,蝕刻,灰化處理的連績處理亦 爲可能*這方面也有高效率。另外藉由變更過程,蝕刻、 蝕刻之連續處理,蝕刻之單一處理可以應使用者需要而調 整,極具泛用性。 例如,作爲支撐構件1 2而於支撐棒1 2 a的先端伸 出平板狀的構件12b 如第26圇所示,先端具有鉤狀 部1 2 c的栓狀支撐構件1 2 X亦可•而支撐構件1 2 X 於退避位置,如第2 7A圖所示,完全收容於遮蔽構件 13內,其上蓋有1 2 d ·支撐構件1 2 X進入支撐位置 時,如第2 7 B圖所示,蓋子1 2打開,上升至支撐位置 後旋轉,使鉤狀部1 2 c成爲往承受體1 0側突出之狀態 本紙張尺度逋用中國國家梂準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 ο18άύ8 Α7 Β7 五、發明説明(23) 。此外,支撐未處理基板之支撐構件(第1支撐構件)不 限於退避時上升下降的形式,例如藉由旋轉移動而退避亦 可•此外,抓取夾6 6亦即保持部也不限於上述說明之種 種物品•作爲抓取夾使用固定配設的上下兩段叉,此種叉 亦可使用可以獨立移動的•而且,基板支撐部亦不限於叉 狀,搬送機構50之臂52、53般的板狀亦可。 第2 8圖顯示本發明其他的實施形態相關的真空處理 裝置之概觀。第2 9圖與第3 0圖爲其內部之概略。這些 圖中,參照第1至第2 7 B圖的內容而與上述2個實施形 態共通的部份對於同一符號省略其說明。 此實施形態之真空處理裝置1 B,如第2 8圖所示, 與先前的實施形態相同接續著3個處理室2、4、6。處 理室2、4、6經由門閥9 a而分別接績至正方形的搬送 室5。例如,處理室2、6進行同樣的蝕刻處理*而另一 處理室4則進行灰化處理· 各處理室2、4、6內與先前的實施例相同,由配設 有4之支撐栓1 1即4根支撐構件1 2的承受部1 0 ·亦 即如前所述各處理室2、4、6處理完畢之基板與未處理 之基板的交換操作可以於搬送室5內配置之搬送機構6 0 的一個進出動作而進行。 搬送室5的另一邊,上下兩個裝填固定室3a、3b 分別經由門閥9 a而接績。此外裝填固定室3 a、3b與 基板卡匣4 2之間爲了搬送LCD基板S而取代搬送機構 5 0配設以第1 7圖所示之搬送機構8 0相同構造的搬送 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 策-
,1T 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 318^58 A7 _B7_ 五、發明説明(24 ) 機構· 搬送機構8 0具有基座板8 1,沿著其長邊方向配設 有可以滑動驅動的滑軌8 2。此滑軌8 2上裝設有於水平 面內可以旋轉驅動的L字形腳架8 3 ·於腳架8 3的垂直 部還裝設有可以垂直升降驅動的水平板8 4。 水平板8 4上爲載置基板S而配設上叉8 5與下叉 8 6 ·下叉8 6是裝設於水平板8 4可以沿著長邊方向滑 動驅動(圇中的往復箭頭Q)。下叉8 6的基部8 6 a垂 直設立副腳架8 7,上叉8 5則裝設於副腳架8 7上而可 以升降驅動。也就是說,上叉8 5與下叉8 6同時可以沿 著水平板8 4的長邊方向一體滑動。 上叉85的指85b、85c以及下叉86的指 86b、86c係於上下方向厚度相同,而較基板S的卡 匣42內的收容間隔爲小。此外,上叉85的指85b、 85c的內邊緣之間的幅較下叉86的指86b、86c 的外邊緣幅稍大。而且下叉8 6的基部8 6 a,較其指 86b、86 c更較下凹陷上叉85的基部85 a的厚度 〇 也就是說,上叉8 5降至最低點時,上叉8 5的指 85b、85c與下叉86的指86b、8 6c從橫方向 看來如一枚板子般的相互重合。此時,上叉8 5的指 85b、85c正好與下叉86的指86b、86c之外 側處於同一平面位置。此外此時至少兩個叉8 5、8 6的 上側支撐面被調整爲高度相同。此處兩叉8 5、8 6的厚 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 袈_ 318^53 B7 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 五、 發明説明(25 ) 1 | 度相 同 因 此 兩 叉的 上 側 支撐 面 與 下 側 支 撐 面 都 位於 同 樣 的 1 1 髙度 〇 1 | 使 用 此 種 構成 的 搬 送 機構 8 0 的 話 9 可 以 將 處 理 完 畢 1 I 的 基 板 往 卡 匣 4 2 收容 » 也 可 以 同 時進行將 基 板 由 卡 匝 取 請 先 閲 1 1 | 出 因 此 可 以 增進 工 作 率 〇 因 爲 搬 送 機雄 孩稱 只 有 一 處使 用 旋 讀 背 面 1 1 I 轉 構 造 9 其 他 全部 是 直 線 滑 動 系 贅 因 此 可 以 高 速 安 定 動 作 之 注 1 I 意 I 事 1 項 I 再 1 兩 個 裝填 固定 室 3 a 3 b 分 別 爲 可 以 設 定 且 維 持 於 寫 本 笨 任 意 減 壓 氣 氛 中〇 亦即 兩 個 裝填 固 定 室 3 a 、 3 b 分別 經 頁 1 | 由 門 閥 g a 而 接績 於 搬 送 室 5 0 此 外 藉 由 可 以 個 別 動 作 的 1 1 門 閥 9 b 而 與 外部 氣 氛 相 接 〇 1 1 I 於 此 實 施 形態 兩 個 裝 填 固 定 室 3 a \ 3 b 具 有 如 第 1 訂 3 1 圖 所 示 之 相同 內 部構 造 〇 亦即 各 裝 填 固 定 室 3 a > 1 1 3 b 具 有 水 平 的兩段 基 板 支撐高度 — 次 可 以 保 持 2 片 基 1 1 板 S 〇 上 段支 撐高度 由 相 對 方 向 的 — 對帶 ( band ) 9 1 來 1 丄 規 定 » 下 段支 撐高度 爲 由 相 對 方 向 之 一 對 待 9 2 而 規 定 〇 1 各帶 9 1 、9 2 配 設 有 向 .¾ a· m 方擴 展 的 *~~- 對 指 9 3 〇 指 1 1 I 9 3 裝 設 於 設 於內 側 壁 之 驅 動 部 9 4 » 由 驅動 部 9 4 在 第 1 1 | 3 1 圖 所 顯示 的位 置 9 與指 9 3 向 側 壁 退 避 的 退避 位 置 之 1 1 間 旋 轉 驅 動 〇 1 1 此 外 於 各裝填 固 定 室 3 a \ 3 b 的 底 壁 之 下 配 置 驅 動 1 1 部 ( 未 於 圖 中 標示 ) 而 藉 以 上 下 驅 動 4 根 支 撐 栓 9 6 〇 支 1 I 撐 栓 9 6 於 底 壁下 退 避 用 的 退 避 位 置 與 帶 9 1 所 規 定 的 上 1 1 | 段 支 撐 高 度 更 向上 突出 之 突 出 位 置 之 間 可 以 移 動 同 時 可 以 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 318^58 B7 五、發明説明(26 ) 停止在任意位置。 各指9 3閉上而處於第3 1圖所示之位置時,藉由帶 9 1、9 2可以對應基板S而支撐對應的支撐髙度•相反 的各指9 3於退避位置打開的話,支撐栓9 6所支撐的基 板S可以通過方向相對之一對帶9 1、9 1之間或著是一 對帶92、92之間通過· 更進一步,於此實施形態配設於搬送室5的傳送機構 60x具有上下2叉66 s及66b之抓取夾66 ·但是 並無附設緩衝筐體7 0 ·這是因爲上下兩個裝填固定室 3a與3b配設的同時,不只是處理室2、4、6,連裝 填固定室3 a與3 b亦可以藉由搬送機構6 Ο X的一個進 出動作來交換操作已經處理過的基板和未處理基板,因此 可以省略到緩衝筐體·此外,抓取夾6 6不需要向著緩衝 筐體7 0側因此抓取夾與基座6 8由1個中間臂相接續。 進而,基座6 8藉由壓力缸機構6 9而可以上下驅動。 如上述般的構成,各裝填固定室3 a與3 b藉由搬送 機構6 Ο X —連串的動作,可以交換操作已處理基板與未 處理基板•此操作藉由配設支撐栓1 1.與支撐構件12於 處理室2、4、6及承受器10上而得以實現•與已處裡 基板及未處理基板之間的交換操作類似· 此外,裝填固定室3a與3b的各帶91、92的指 9 3爲開閉可能,是因爲例如,空檔時間由處理完畢的基 板S上段支撐高度至下段支撐髙度移動等附隨的動作相對 應的緣故。亦即,處理完畢之基板與未處理基板之交換操 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 袈_ 訂 3iS 細 A7 ________B7 五、發明説明(27 ) 作的搬送機構6 Ο X的一個進出動作而已的話,各帶9 1 、9 2的指9 3不做開閉動作,只要固定於第3 1圖所示 之位置即可· 其次,裝填固定室3 a與3 b藉由搬送室5的搬送機 構6 Ο X而交換已處理基板與未處理基板的操作》此處, 假設搬送機構的下叉6 6 b支撐已處理基板S 1 ,而裝填 固定室3 a的帶9 1 (上段支撐髙度)支撐未處理基板 S 2的狀況·此外,裝填固定室3 a的上下段支撐髙度之 間的間隔較搬送機構6 Ο X的上下段支撐高度間的間隔更 大。又,省略門閥9 a等附隨的操作。 首先,由抓取夾6 6的下叉6 6 b支撐已處理之基板 5 1,以帶9 1支撐未處理基板S 2而插入裝填固定室 3a內。此時抓取夾66的上下叉66a、66b 的雙 方位於裝填固定室3 a上下帶9 1、9 2之間之位置· 其次,使支撐栓9 6上升,由支撐栓9 6而自抓取夾 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 6的下叉6 6 b接受已處理之基板S 1。其次,與支撐 栓96同時上升抓取夾66,由上叉66a自帶91接受 未處理基板S 2 » 其次,由上叉6 6 a而支撐未處理基板S 2的抓取夾 66退避至搬送室5。其次,降下支撐栓96,於帶92 (下段支撐高度)上載置已處理基板S 1 · 其次,接著上述的操作,說明裝填固定室3 a與3 b 藉由外部氣氛側的搬送機構8 0而交換已處理基板與未處 理基板的交換操作·此處假設裝填固定室3 a的帶92 ( 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS > A4規格(210X297公釐) 經濟部中央梂準局貝工消费合作杜印製 A7 B7_ 五、發贺説明("° ) 下段查撐高度)支撐著已處理基板S 1,搬送機構8 0的 上叉8 5上支撐著未處理基板的狀況。又門閥9 b等附隨 的操作說明於此省略· 首先,上叉8 5支撐未處理基板的搬送機構8 0插入 由帶9 2支持已處理基板S 1之裝填固定室3 a內。此時 搬送機構8 0的上下叉8 5、8 6之間的間隔預先留大, 上下叉8 5、8 6之間裝填固定室3 a的上下帶9 1 、 9 2至指定位置。 其次,升起搬送機構8 0的水平板8 4,同時將上叉 85向下叉86移動。由此操作,上下叉85、86在上 升的同時,兩者間隔變窄。亦及,上叉85自上帶9 1載 置未處理基板S 3的同時,藉由下叉8 6而由下帶9 2接 受已處理之基板S 1。 第3 2圖係根據第2 8圖至第3 1圖而敘述之實施形 態相關的真空裝置相關的L C D基板S的搬送順序示意圖 。此處,假設處理室2、6進行相同的蝕刻處理,處理室 4進行灰化處理,於第3 2圖爲了避免混亂,僅對於(a )附加處理裝置各室之參照符猇。(b )〜(s )之中的 數字僅標示L CD基板S的基板S 1〜S 8的係數而已。 首先,導入基板S1至下裝填固定室3 b,導入基板 S2至上裝填固定室3a·(第32圓(b) , (c)) •其次,將基板S1由下裝填固定室3 b經由搬送室5 ( 第32圖(d)),裝至處理室2,開始進行對基板S1 的蝕刻。又,平行於將基板 S1裝置處理室2的過程將 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS > A4规格(210XW?公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装. 訂 -31 - 經濟部中央橾準局—工消费合作杜印製 a? _B7_ 五、發明説明(29 ) 基板S3搬入裝填固定室3b (第32圖(e) ) ·接著 ,於處理基板S 1時,基板S 2由上裝填固定室3 a經由 搬送室5 (第32圖(f))裝至處理室6,開始進行對 基板S 2之蝕刻。又,基板S 2可以平行於裝設基板S 2 於處理室6,同時將基板S 4搬入上裝填固定室3 a (第 3 2 圖(g ))。 其次,於基板SI、S2在處理中時,基板S3由下 裝填固定室3b向搬送室5移動(第32圖(h)) •進 而於處理基板S 2的途中,將蝕刻完畢之基板S 1及S 3 藉由搬送機構6 Ο X的一進出動作而交換,基板S 1由搬 送室5取下的同時,基板S 3裝填入處理室2。又如此並 行處理,對下裝填固定室3b搬入基板S5 (第32圖( i ) ) · 其次,基板S 2、S3在處理中基板S1由搬送室5 裝填至處理室4,開始基板 S1的灰化處理(第32圖 (j))。進而,基板S2、S3、S1的處理中,基板 S4由上裝填固定室3 a移動至搬送室5 (第3 2圖(k ))。接著基板S3、S1在處理中,蝕刻處理完畢的基 板S 2由搬送室取出的同時將基板S 4裝填進處理室6。 又,與此平行處理將基板S 6搬進上裝填固定室3 a (第 3 2 圖(1 ) ) · 其次,基板S3、S4處理中,灰化處理完畢之基板 S 1與S 2藉由搬送機構6 Ο X的進出動作而交換•基板 S 1由搬送室5取出的同時將基板S 2裝入處理室4內( 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 318^58 A7 B7 基板S3、S4、S2處理中 ,處理完畢之基板S 1與S 5藉由搬送機構6 0 x的進出 動作而交換,基板s 1由下裝填固定室3 b取出的同時將 基板S5裝入搬送室5內(第32圖(η))。接著,基 板S 4、S 2於處理中,蝕刻處理完畢之基板S 3與S 5 藉由搬送機構6 Ο X的進出動作而交換,基板S 3由搬送 室5取出的同時將基板S 5裝入處理室2內。此外與此並 行處理,處理完畢之基板S1與S 7基板藉由外部氣氛 側的搬送機構8 0的進出動作而交換,取出基板S 1的同 時將基板S7搬入下裝填固定室3b(第32圖(〇)) ---------'策-- (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾率局貝工消费合作社印裝 、1Τ 以下藉由同樣操作的反覆 s)),基板S1〜S8可以 成處理,而由真空處理裝置搬 及下裝填固定室之基板交換的 有之高工作率得以實現。 又,本發明並不限於上述 明之要旨範圍內做種種的變形 置的各特徵部份的各實施形態 合·例如第1圖所示之處理裝 比較支撐栓11與支撐構件1 而使用敘述過之搬送機構6 0 裝置,亦可使用於第3圖所述 圇所述之裝填固定室3 a、3 操作(第32圖(p)〜( 依係數由小排到大的順序完 出*如以上之處理,處理室 髙效率化,而使得過去未曾 的實施形態,而可以在本發 。特別是分別敘述了處理裝 ,這些特徵部份可以任意組 置與第2 1圖所示之裝置作 2之組合或是參照第2 0圖 。此外第1 8圖所示之處理 之搬送機構2 0或是第3 1 b ·此外第2 8圖所示之處 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS Μ4规格(210Χ297公釐) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 __B7 _ 五理、1« 使>用第5圖所述之裝填固定室3或是第2 0 圖所述之搬送機構60* 進而,例如本發明對於具有單一處理室之處理裝置也 能適用,不限於真空處理,於常壓甚至正壓的處理裝置也 能適用。又,不限於蝕刻、灰化裝置,於成膜裝置或是其 他種種的處理裝置亦能適用•更且被搬送基板不限於 L C D基板,半導體基板或是其他基板亦可適用》 圖式之簡單說明 第1圓爲本發明之實施形態相關概觀之真空處理裝置 之斜視圊。 第2圚爲第1圖之裝置內部之概略橫剖平面圖。 第3圓爲第1圚之裝置之外部搬送機構之上叉與下叉 處於分離狀態之斜視圖。 第4圖爲第3圖所示之搬送機構於上叉與下叉重叠狀 態時之斜視圖。 第5圚爲第1圖所示之裝置之裝填固定室內配置之緩 衝架及位置器之斜視圖· 第6圖及第7圚爲藉由第3圓所示之搬送機構而由卡 匣內將未處理基板取出之示意圖* 第8圖至第11圖爲藉由第3圖所示之搬送機構而由 裝填固定室內對未處理基板與已處理基板進行交換動作之 示意圖· 第1 2圖至第15圖爲藉由第3圖之搬送機構而對卡 L張尺度逍用中國國家揉準(CNS ) A4规格(2丨0X297公釐)~ -34 - ---------T 笨---1---1T------f (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 318^58 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7__五、發明説明(32 ) 匣進行未處理基板與已處理基板之交換動作之示意圖· 第1 6圖爲藉由第3圖之搬送機構而將已處理基板收 容於卡匣之示意說明圖。 第1 7圖爲本發明之變形例之外部搬送機構之斜視圖 第1 8圖爲本發明另一實施形態之真空處理裝置之概 觀斜視圖。 第1 9圖爲第1 8圖所示之裝置之內部之概略斷面圖 〇 第2 0圖爲第1 8圖所示之裝置之配設於搬送室內之 搬送機構及緩衝筐髖之斜視躕· 第2 1至第2 4圖爲第1 8圓所示之裝置之處理室之 基板交換操作之說明圖· 第2 5 A、B圖爲第1 8圖所示之裝置之處理室內之 支撐未處理基板之支撐組件之動作示意圖。 第2 6圖爲第1 8圖所示之裝置之處琿室內支撐未處 理基板之支撐組件之變形例· 第2 7A、B圖爲第2 6圖所示之支撐組件之動作示 意圖· 第2 8圖爲概觀本發明之其他實施形態之真空處理裝 置之斜視圖。 第2 9圖爲第2 8圖所示之裝置之內部概略之剖面圖 〇 第3 0圖爲第2 8圖所示之裝置之內部之概略側面圖 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---------'策-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -* -35 - A7 B7 五、發明説明(33 ) 〇 第3 1圖爲第2 8圖所示之裝置之裝填固定室內部之 概略斜視圖。 第3 2圖爲第2 8圖所示之裝置之基板搬送順序之說 明圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝_ 訂 經濟部中央樣準局属工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1.一種半導體處理裝置|係具有: 於第1間隔上下整齊收容複數的被處理基板的收容部 :及 由前述收容部取出前述基板之外部搬送機構;及 藉由前述外部搬送機構而將前述基板搬入同時對前述 基板施加半導體處理之處理部;其中,前述外部搬送機構 係具備有‘· 將前述基板之一分別規定出可以支撐之第1及第2支 撐面同時可以上下移動之第1及第2臂;及 相對的移動前述第1及第2臂而調整第1及第2支撐 面的上下方向間隔的間隔調整機構,及 讓前述第1及第2臂於前述收容部的相對面的位置與 前述處理部相對面的位置之間移動的驅動臂基座且前述第 1及第2臂的各自的上下方向的厚度較前述第1間隔更小 ,此外,前述第1及前述第2臂亦可藉由前述間隔調整機 構而設定爲於水平方向相重叠之重合狀態· 2 .如申請專利範圔第1項之半導體處理裝置,其中 :於前述之重合狀態,前述第1及第2支撐面係位於同一 平面上。 3 .如申請專利範園第2項之半導體處理裝置,其中 :前述第1及第2臂於上下方向的厚度於實質上是同一的 〇 4 ·如申請專利範圔第3項之半導體處理裝置,其中 :前述第1臂具有開口部,前述第2臂具有與前述開口部 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 订 -37 - 經濟部中央橾率局負工消费合作社印装 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 互捕形狀之輪廓· 5 .如申請專利範圍第1項之半導體處理裝置,其中 :前述驅動臂基座可與前述第1及第2臂一體上下移動。 6 ·如申請專利範圍第1項之半導髖處理裝置,其中 :前述處理部具備有藉由前述第1及第2臂而通過門閥而 可以操作且可以在減壓的氣氛下設定之第1裝填固定室; 前述第1裝填固定室對前述基板之一可以支撐且具有可以 上下方向重叠堆積之第1及第2支撐高度。 7 .如申請專利範圍第6項之半導體處理裝置,其中 :前述處理部具備有:前述第1裝填固定室經由門閥而接 續至可以設定於減壓氣氛之搬送室:及 於前述搬送室通過門閥而接績至於減壓氣氛爲進行前 述半導體處理之第1處理室;於前述搬送室配設有前述第 1裝填固定室與前述第1處理室之間爲搬送前述基板之內 部搬送機構;於前述內部搬送機構,具備有可以保持前述 基板之一且可以上下重叠堆稹之第1及第2保持部之搬送 構件。 8 ·如申請專利範圍第7項之半導體處理裝置,其中 :前述處理部具備有藉由前述第1及第2臂透過門閥而可 以操作且可以設定於減壓氣氛且經由門閥而接績於前述搬 送室之第2裝填固定室,前述第1及第2裝填固定室爲上 下重叠。 9 .如申請專利範圍第7項之半導體處理裝置,其中 :經由門閥而與前述搬送室接績之於減壓氣氛進行半導體 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS > A4规格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本覓) 装. 訂 J, -38 - A8 Β8 C8 D8 々、申請專利範圍 處理之第2處理室。 其 10·如申請專利範圍第7項之半導體處理裝置 中: (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 爲載置前述基板之一而於前述第1處理室內配設載置 台;及 爲將前述基板之一支撐於前述載置台上方之第1位置 而可以於進入狀態跟退出狀態之間切換其狀態之第1支撐 構件;及 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 爲將前述基板之一支撐於前述載置台上方之第2位置 而可以於進入狀態跟退出狀態之間切換其狀態之第2支撐 構件*其中第1及第2位置係配置爲上下可以累積重叠; 此處,前述基板之一之第1基板被保持於前述搬送構件之 前述第1保持部,且前述基板之外的另一基板第2基板由 前述第2支撐構件的支撐,而於搬送構件於前述載置台上 方進入指定位置.的過程中,前述第1及第2支撐構件對於 前述之搬送構件做相對上下的反方向移動,而藉此前述第 1基板由前述第1保持部交到前述第1支撐構件同時前述 第2基板由前述第2支撐構件交到前述第2保持部* 1 1 .如申請專利範園第9項之半導體處理裝置,其 中:前述第1及第2基板於交付時,前述搬送構件處於停 止的狀態,而前述第1及第2支撐構件於上下方向移動。 12 . —種半導體處理裝置,係具有: 上下整齊收容複數的被處理基板的收容部:及 由前述收容部取出前述基板之外部搬送機構:及 本紙張尺度逋用中國國家樣率(CNS Μ4规格(210X297公釐) -39 - 經濟部中央揉準局貞工消費合作社印製 ^>18^58 μ C8 _. D8 々、申請專利範圍 藉由前述外部搬送機構而將前述基板搬入同時對前述 基板施加半導髖處理之處理部;其中,前述處理部具備有 :爲載置前述基板之一之載置台;及 爲將前述基板之一支撐於前述載置台上方之第1位置 而可以於進入狀態跟退出狀態之間切換其狀態之第1支撐 構件;及 爲將前述基板之一支撐於前述載置台上方之第2位置 而可以於進入狀態跟退出狀態之間切換其狀態之第2支撐 構件,其中第1及第2位置係配置爲上下可以累稹重叠; 對於前述載置台,前述基板搬入搬出用之內部搬送機 構,及 前述內部搬送機構係可以保持前述基板之一且可分別 對應前述第1及第2位置而具備有上下重合之第1及第2 保持部之搬送構件; 此處,前述基板之一之第1基板被保持於前述搬送構 件之前述第1保持部,且前述基板之外的另一基板第2基 板由前述第2支撐構件支撐的狀態下,而於搬送構件於前 述載置台上方進入指定位置的過程中,前述第1及第2支 撐構件對於前述之搬送構件做相對上下的反方向移動,而 藉此前述第1基板由前述第1保持部交到前述第1支撐構 件同時前述第2基板由前述第2支撐構件交到前述第2保 持部· 13.如申請專利範圍第12項之半導體處理裝置, 其中:前述第1及第2基板於交付時*前述搬送構件處於 本紙張尺度逋用中國國家棣準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 裝_ 訂 -40 - A8 B8 C8 D8 318253 六、申請專利範圍 停止的狀態’而前述第1及第2支撐構件於上下方向移動 〇 14·如申請專利範園第12項之半導體處理裝置, 其中:前述第2支撐構件係由對於前述載置台突出而可以 退避之複數支撐拴所構成,突出時於前述第2位置支撐前 述基板之一,且於退避時可以將前述基板之一載置於載置 台上。 15. 如申請專利範圍第12項之半導體處理裝置, 其中:前述第1位置係位於前述第2位置的上方,前述第 1支撐構件係具有當其位於前述第1位置時位於前述第2 基板的外側的複數的支撐棒,及於這些支撐棒上端朝向內 側突出的伸出構件;於前述第1位置,前述第1基板載置 於前述伸出構件上,前述第2基板藉由前述搬送構件搬送 之後,前述第1基板由前述第1支撐構件交付至前述第2 支撐構件的同時,前述第1支撐構件退出。 16. 如申請專利範圉第15項之半導體處理裝置, 其中:前述第1支撐構件的複數的支撐棒被設置爲可對於 前述載置台可以突出及退避,前述伸出構件於前述載置台 外側移動的同時,藉由前述支撐棒的退避,而使得前述第 1支撐構件退出。 17. 如申請專利範團第13項之半導體處理裝置, 其中:前述處理部具備有:可以設定於減壓氣氛之搬送室 ;及經由門閥而接績前述搬送室且於減壓氣氛進行前述半 導體處理之第1處理室;前述載置台配設於前述第1處理 本紙張尺度逋用中國國家揉率(CNS > A4规格(210X297公釐> --------y C------ίτ------κ ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印S. _ 41 _ 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 Λ Α8 318258 ll D8 7C、申請專利範圍 室內,前述內部搬送機構配置於前述搬送室內· 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之半導體處理裝置, 其中:前述處理部具備有:經由門閥而接績前述搬送室且 可設定於減壓氣氛之第1裝填固定室;前述第1裝填固定 室具有可以支撐將前述基板之一且具有上下重叠之第1及 第2支撐高度。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項之半導體處理裝置, 其中:前述第1裝填固定室係具有貫通於前述第1及第2 高度可以上下移動可以支撐前述基板之一之複數支撐栓。 2 0 .如申請專利範圍第1 9項之半導體處理裝置, 其中:前述內部搬送機構係可以將前述搬送構件於上下方 向移動· 2 1 .如申請專利範圍第1 8項之半導體處理裝置, 其中:前述處理部具備有:經由門閥而接縯前述搬送室且 可設定於減壓氣氛之2個裝填固定室;前述第1及第2裝 填固定室係上下重叠· 2 2 .如申請專利範園第1 7項之半導體處理裝置* 其中:於減壓氣氛處理半導體之第2處理室經由門閥而被 接績至前述搬送室。 23 · —種半導體處理裝置,係具有: 上下整齊收容複數的被處理基板的收容部:及 由前述收容部取出前述基板之外部搬送機構;及 藉由前述外部搬送機構而將前述基板搬入同時對前述 基板施加半専證處理之處理部;其中,前述外部搬送機構 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Α4洗格(210X297公釐> (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. -42 - 318^58 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 係具備有: 將前述基板之一分別規定出可以支撐之第1及第2支 撐面同時可以上下移動之第1及第2臂;及 藉由前述第1及第2臂可經由門閥而操作且可以設定 爲減壓氣氛之第1裝填固定室:及 接續於前述第1裝填固定室而經由門閥被接續且可以 設定爲減壓氣氛之搬送室:及 經由門閥而接至前述搬送室之且可於減壓氣氛中進行 半導體處理之第1處理室:及 位於前述第1裝填固定室與前述第1處理室之間位搬 運前述基板而配置於前述搬送室內之內部搬送機構,其中 前述內部搬送機構係具備有將前述基板之一保持且可上下 重叠之第1及第2保持部之搬送構件; 此處前述的裝填固定室係可以支撐前述基板之一且具 有上下可重叠之第一及第2支撐髙度同時貫通前述第1及 第2高度而可以上下移動且可以協同支撐前述基板之一之 複數的支撐栓。 2 4 .如申請專利範圍第2 3項之半導體處理裝置, 其中:前述內部搬送機構可將前述搬送構件上下移動· 2 5 .如申請專利範園第2 3項之半導體處理裝置, 其中:前述外部搬送機構可將前述第1及第2臂上下移動 〇 2 6 ·如申請專利範困第2 3項之半導體處理裝置, 其中:前述處理部係具有可經由門閥而接績至前述搬送室 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(2丨0X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裟· 訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印装 -43 - SlSkoS A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 且可以設定爲減壓氣氛之第2裝填固定室;前述第1及第 2裝填固定室係上下重合。 2 7 .如申請專利範圍第2 3項之半導體處理裝置, 其中:爲於減壓氣氛進行半導體處理之第2處理室經由門 閥接續至前述搬送室。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公瘦) -44 -
TW085115158A 1995-12-12 1996-12-07 TW318258B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32309495 1995-12-12
JP3292796A JP3892494B2 (ja) 1996-01-26 1996-01-26 基板搬送装置
JP31342096A JP3650495B2 (ja) 1995-12-12 1996-11-25 半導体処理装置、その基板交換機構及び基板交換方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW318258B true TW318258B (zh) 1997-10-21

Family

ID=33568284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW085115158A TW318258B (zh) 1995-12-12 1996-12-07

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5989346A (zh)
TW (1) TW318258B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8500915B2 (en) 2006-12-27 2013-08-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate transporting apparatus, substrate platform shelf and substrate processing apparatus

Families Citing this family (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6296735B1 (en) * 1993-05-03 2001-10-02 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Plasma treatment apparatus and method for operation same
TW401582B (en) * 1997-05-15 2000-08-11 Tokyo Electorn Limtied Apparatus for and method of transferring substrates
US6722834B1 (en) * 1997-10-08 2004-04-20 Applied Materials, Inc. Robot blade with dual offset wafer supports
AU2186099A (en) * 1998-02-09 1999-08-23 Nikon Corporation Apparatus for supporting base plate, apparatus and method for transferring base plate, method of replacing base plate, and exposure apparatus and method of manufacturing the same
JPH11288995A (ja) 1998-04-04 1999-10-19 Tokyo Electron Ltd 搬送システム及び処理装置
US6517303B1 (en) * 1998-05-20 2003-02-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle
US20040075822A1 (en) * 1998-07-03 2004-04-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and its making method, substrate carrying method, device manufacturing method and device
US6178361B1 (en) * 1998-11-20 2001-01-23 Karl Suss America, Inc. Automatic modular wafer substrate handling device
US6746196B1 (en) * 1999-01-12 2004-06-08 Tokyo Electron Limited Vacuum treatment device
US6610150B1 (en) 1999-04-02 2003-08-26 Asml Us, Inc. Semiconductor wafer processing system with vertically-stacked process chambers and single-axis dual-wafer transfer system
KR100551806B1 (ko) * 1999-09-06 2006-02-13 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 처리용 반송 장치 및 수용 장치와, 반도체 처리시스템
US6709522B1 (en) * 2000-07-11 2004-03-23 Nordson Corporation Material handling system and methods for a multichamber plasma treatment system
US6485248B1 (en) * 2000-10-10 2002-11-26 Applied Materials, Inc. Multiple wafer lift apparatus and associated method
US6918731B2 (en) * 2001-07-02 2005-07-19 Brooks Automation, Incorporated Fast swap dual substrate transport for load lock
US6647460B2 (en) * 2001-07-13 2003-11-11 Hitachi, Ltd. Storage device with I/O counter for partial data reallocation
WO2003006705A2 (en) * 2001-07-13 2003-01-23 Newport Corporation Wafer fabrication buffer station
EP1310986A1 (de) * 2001-11-08 2003-05-14 F & K Delvotec Bondtechnik GmbH Chipträgerplatten-Wechselmechanismus
JP4244555B2 (ja) * 2002-02-25 2009-03-25 東京エレクトロン株式会社 被処理体の支持機構
JP3693972B2 (ja) * 2002-03-19 2005-09-14 富士通株式会社 貼合せ基板製造装置及び基板貼合せ方法
US6936551B2 (en) * 2002-05-08 2005-08-30 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices
US8960099B2 (en) * 2002-07-22 2015-02-24 Brooks Automation, Inc Substrate processing apparatus
US7988398B2 (en) 2002-07-22 2011-08-02 Brooks Automation, Inc. Linear substrate transport apparatus
US7959395B2 (en) * 2002-07-22 2011-06-14 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus
US20070183871A1 (en) * 2002-07-22 2007-08-09 Christopher Hofmeister Substrate processing apparatus
US6696367B1 (en) * 2002-09-27 2004-02-24 Asm America, Inc. System for the improved handling of wafers within a process tool
CN1217773C (zh) * 2002-12-05 2005-09-07 爱德牌工程有限公司 平板显示器制造装置
US7214027B2 (en) * 2003-10-16 2007-05-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Wafer handler method and system
US7207766B2 (en) 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
US7665946B2 (en) * 2003-11-04 2010-02-23 Advanced Display Process Engineering Co., Ltd. Transfer chamber for flat display device manufacturing apparatus
US20070269297A1 (en) 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
US10086511B2 (en) 2003-11-10 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
US7458763B2 (en) 2003-11-10 2008-12-02 Blueshift Technologies, Inc. Mid-entry load lock for semiconductor handling system
WO2005048313A2 (en) * 2003-11-10 2005-05-26 Blueshift Technologies, Inc. Methods and systems for handling workpieces in a vacuum-based semiconductor handling system
US20050183824A1 (en) * 2004-02-25 2005-08-25 Advanced Display Process Engineering Co., Ltd. Apparatus for manufacturing flat-panel display
TWI286529B (en) * 2004-05-06 2007-09-11 Hannstar Display Corp Method and structure for reception and delivery
JP4509669B2 (ja) * 2004-06-29 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 載置機構及び被処理体の搬出方法
JP4990160B2 (ja) * 2004-12-22 2012-08-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板を処理するクラスタツールアーキテクチャ
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US20060137726A1 (en) * 2004-12-24 2006-06-29 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus
US7374391B2 (en) * 2005-12-22 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Substrate gripper for a substrate handling robot
JP4908771B2 (ja) * 2005-04-27 2012-04-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置システム
TW200640767A (en) * 2005-05-27 2006-12-01 Innolux Display Corp Apparatus for conveying substrate plates
JP4123249B2 (ja) * 2005-06-20 2008-07-23 日新イオン機器株式会社 真空処理装置およびその運転方法
JP4754304B2 (ja) * 2005-09-02 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、ロードロック室ユニット、および搬送装置の搬出方法
US7845891B2 (en) 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body
TWI383936B (zh) * 2006-02-01 2013-02-01 Olympus Corp 基板交換裝置、基板處理裝置及基板檢查裝置
JP4727500B2 (ja) * 2006-05-25 2011-07-20 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板処理システムおよび基板搬送方法
US8398355B2 (en) * 2006-05-26 2013-03-19 Brooks Automation, Inc. Linearly distributed semiconductor workpiece processing tool
US7665951B2 (en) 2006-06-02 2010-02-23 Applied Materials, Inc. Multiple slot load lock chamber and method of operation
DE102006026503B3 (de) * 2006-06-06 2008-01-31 Kuka Innotec Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Aufnehmen und Übergeben von Glassubstratplatten
US7845618B2 (en) 2006-06-28 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Valve door with ball coupling
US8124907B2 (en) 2006-08-04 2012-02-28 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with decoupled slit valve door seal compartment
US7949425B2 (en) * 2006-12-06 2011-05-24 Axcelis Technologies, Inc. High throughput wafer notch aligner
US20080138178A1 (en) * 2006-12-06 2008-06-12 Axcelis Technologies,Inc. High throughput serial wafer handling end station
JP4744426B2 (ja) * 2006-12-27 2011-08-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4726776B2 (ja) * 2006-12-27 2011-07-20 大日本スクリーン製造株式会社 反転装置およびそれを備えた基板処理装置
US20080166210A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Applied Materials, Inc. Supinating cartesian robot blade
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
JP5004612B2 (ja) * 2007-02-15 2012-08-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US8950998B2 (en) * 2007-02-27 2015-02-10 Brooks Automation, Inc. Batch substrate handling
US8317449B2 (en) * 2007-03-05 2012-11-27 Applied Materials, Inc. Multiple substrate transfer robot
US8226343B2 (en) * 2008-10-31 2012-07-24 Brian Weeks Apparatus and methods for loading and transporting containers
JP5037551B2 (ja) * 2009-03-24 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 基板交換機構及び基板交換方法
US8602706B2 (en) * 2009-08-17 2013-12-10 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus
US20110141448A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-16 Nikon Corporation Substrate carrier device, substrate carrying method, substrate supporting member, substrate holding device, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
TWI485799B (zh) 2009-12-10 2015-05-21 Orbotech Lt Solar Llc 自動排序之直線型處理裝置
JP5318005B2 (ja) * 2010-03-10 2013-10-16 株式会社Sokudo 基板処理装置、ストッカー装置および基板収納容器の搬送方法
US20110226419A1 (en) * 2010-03-18 2011-09-22 Yong Hyun Lee Process Chamber, Semiconductor Manufacturing Apparatus and Substrate Processing Method Having the Same
JP5620172B2 (ja) * 2010-07-16 2014-11-05 キヤノンアネルバ株式会社 基板搬送装置、電子デバイスの製造システムおよび電子デバイスの製造方法
KR101331507B1 (ko) * 2010-08-09 2013-11-20 엘지디스플레이 주식회사 기판 세정/건조 장치와 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그의 기판 세정/건조 방법, 및 디스플레이 패널의 제조 방법
JP5847393B2 (ja) * 2010-11-30 2016-01-20 川崎重工業株式会社 搬送ロボット
JP5666361B2 (ja) * 2011-03-29 2015-02-12 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置
US8459276B2 (en) 2011-05-24 2013-06-11 Orbotech LT Solar, LLC. Broken wafer recovery system
US20140064886A1 (en) * 2012-08-30 2014-03-06 Orbotech LT Solar, LLC. System, architecture and method for simultaneous transfer and process of substrates
US20140126988A1 (en) * 2012-11-02 2014-05-08 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Transportation System For Moving Flat Panel And Mechanical Apparatus Thereof And Method For Moving The Same
JP6190645B2 (ja) * 2013-07-09 2017-08-30 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法
US10424498B2 (en) 2013-09-09 2019-09-24 Persimmon Technologies Corporation Substrate transport vacuum platform
US9214369B2 (en) * 2013-11-01 2015-12-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Dynamic pitch substrate lift
US9378992B2 (en) 2014-06-27 2016-06-28 Axcelis Technologies, Inc. High throughput heated ion implantation system and method
US9607803B2 (en) 2015-08-04 2017-03-28 Axcelis Technologies, Inc. High throughput cooled ion implantation system and method
US10381257B2 (en) * 2015-08-31 2019-08-13 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Substrate conveying robot and substrate processing system with pair of blade members arranged in position out of vertical direction
JP6478878B2 (ja) * 2015-09-01 2019-03-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法並びに基板搬送プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN106882596B (zh) * 2017-03-23 2019-07-16 京东方科技集团股份有限公司 基板上下料系统、基板上料方法及基板下料方法
JP6955013B2 (ja) 2017-08-25 2021-10-27 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置及び基板搬送装置
US10549420B2 (en) * 2018-03-15 2020-02-04 Kimball Electronics Indiana, Inc. Over and under linear axis robot
CN111403324B (zh) * 2018-10-23 2021-03-12 长江存储科技有限责任公司 半导体器件翻转装置
JP7541457B2 (ja) * 2020-09-18 2024-08-28 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN112962078B (zh) * 2021-02-01 2023-07-18 肇庆宏旺金属实业有限公司 一种镀膜生产线及镀膜工艺

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3264076B2 (ja) * 1994-01-31 2002-03-11 松下電器産業株式会社 真空処理装置
JP3350278B2 (ja) * 1995-03-06 2002-11-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5746565A (en) * 1996-01-22 1998-05-05 Integrated Solutions, Inc. Robotic wafer handler

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8500915B2 (en) 2006-12-27 2013-08-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate transporting apparatus, substrate platform shelf and substrate processing apparatus
TWI455234B (zh) * 2006-12-27 2014-10-01 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US5989346A (en) 1999-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW318258B (zh)
KR100329514B1 (ko) 반도체 처리 장치
JP4270434B2 (ja) 基板移載装置並びに基板の取り出し方法および基板の収納方法
KR100673522B1 (ko) 기판 수납 트레이 팰릿 및 기판이송시스템
KR100639765B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 반도체 장치의 제조방법
US5509771A (en) Vacuum processing apparatus
KR0179385B1 (ko) 진공처리장치
JP2004059116A (ja) ディスプレイ用基板収納用トレイ及びディスプレイ用基板の取り出し機構並びにディスプレイ用基板の取り出し方法
TW563184B (en) Method and apparatus for processing substrates and method for manufacturing a semiconductor device
WO2008085233A1 (en) Loader and buffer for reduced lot size
JP3971601B2 (ja) 基板受渡装置および基板処理装置
TW200807605A (en) Conveying system
JP4227623B2 (ja) 半導体処理装置
JPH09205127A (ja) 基板搬送方法、基板搬送装置及び処理システム
JP3570827B2 (ja) 処理装置
JP3554534B2 (ja) 半導体処理装置の基板支持機構及び基板交換方法、並びに半導体処理装置及び基板搬送装置
JPH1179388A (ja) ガラス類枚葉処理装置
JP3941359B2 (ja) 被処理体の処理システム
JP3816929B2 (ja) 半導体処理装置
KR20070119480A (ko) 반송 시스템
JP2000012644A (ja) カセット移載システム
JPH06252245A (ja) 真空処理装置
JP2002246439A (ja) 被処理体の搬出入装置と処理システム
JPH08157062A (ja) 半導体ウエハの収納および取出し装置
JP5882600B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent