TW314593B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TW314593B
TW314593B TW085110685A TW85110685A TW314593B TW 314593 B TW314593 B TW 314593B TW 085110685 A TW085110685 A TW 085110685A TW 85110685 A TW85110685 A TW 85110685A TW 314593 B TW314593 B TW 314593B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
item
resistance
resistance thermometer
patent application
Prior art date
Application number
TW085110685A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Heraeus Sensor Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Sensor Gmbh filed Critical Heraeus Sensor Gmbh
Application granted granted Critical
Publication of TW314593B publication Critical patent/TW314593B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • G01K7/183Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer characterised by the use of the resistive element

Description

^14〇9S a? __B7 五、發明説明(1 ) 本發明係關於電阻溫度計,其具有呈電阻層形式之度量 用電阻器,此電阻層具有0.1至10微米之厚度,實質上由始 族金屬所組成,其係被塗敷至具有熱膨脹係數在8.5至 10.5 ppm/K範圍内之載體底座之電絕緣表面上,且其具有電 絕緣覆蓋層。 從DE 24 50 551得知一種具有鉑電阻層之電阻溫度計,其 係被塗敷至一個底材上,此底材包括一個氧化鋁載體底座 及一個舖設於其上之薄中間層。此中間層係由鑭、釔、卸 、鈦及鐵之氧化物及/或上文所指稱之金屬氧化物之混合 物所组成,其具有調整氧抡鋁載體底座與鉑電阻層間之熱 膨脹失配之功能。但是,其有下述問題,於高溫下,不足 化學計量或超過化學計量之氧化物,會失去其電絕緣性質 ,而影嚮使用該電阻溫度計所度量之數値。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事續再填寫本頁) 再者,一種得知自DE 25 27 739之方法,係爲製造電阻溫 度計用之電度量電阻器,其中在製自陶瓷材料之載體底座 上之度量用電阻器,係包含鉑薄膜,此薄膜係以預定形式 藉濺射所製成並含有預先界定之溫度係數。於此方法中, 此種陶瓷係作爲載體底座使用,其平均熱膨脹係數與溫度 計鉑之差異,係低於± 30%。供基材用之此種陶瓷基本原 料,係被藉由蒸氣沈積所製成之鉑薄膜電阻層所覆蓋,該 基本原料係在含氧大氣中加熱至'致使基材含有低於15 ppm 鉻、低於30 ppm鐵、低於45 ppm錯及低於700 ppm碎之程度, 呈對於鉑具有反應性之形式。由於所有上文所列示之金屬 同時存在,故由於此等金屬所致之污染物之總和,不會超 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(2 ) 過20 ppm,於是以0.1至10微米厚度之舶所塗覆之基材,係 在含氧大氣中,於l〇〇〇°C至1400°C範圍内之溫度下加熱至少 60分鐘。此基材係由氧化銘、氧化鈹、氧化也、氧化鎂所 組成,或由矽酸鎂所組成。於塗覆期間,基材係受到500°C 至900°C範圍内之溫度所作用。較佳係使用氧化鋁陶瓷作爲 基材。鉑層呈現1至5微米之厚度。 於DE 40 26 061中,係揭示具有預定溫度係數之電度量電 阻器之製法,該電阻器特別是供電阻溫度計使用,一個作 爲電阻層之鉑薄膜,係經濺射或藉蒸氣沈積塗敷於基材上 ,使用網版印刷方法,將含有磺酸基樹脂酸铑之製劑塗敷 於其上並燃燒,以致使铑滲入,並均勻分佈於鉑電阻層中 。當使用金屬基材時,加有鉑薄膜側面之基材係具有製自 玻璃-陶瓷之電絕緣中間層。 自DE 43 00 084得知一種具有鉑度量用電阻器之電阻溫度 計,該電阻器具有0.1至10微米之厚度。將電阻層塗敷至載 體底座之電絕緣表面上,此載體底座包含熱膨脹係數在8.5 至10.5 ppm/K之範圍内,其目的在於避免所塗敷敏感性電阻 層之機械張力,以致造成電阻特性,猶如在懸掛之度量用 電阻器之情況。此度量用電阻器係欲在-200°C至+500°C之範 圍内作爲溫度傳感器使用,並具有高準確度、於是達成對 於根據DIN EEC 751之預先界定參考値特性之儘可能小之差 異。在此方法期間,電絕緣表面係藉電絕緣基材之表面, 或藉玻璃或陶瓷層之電絕緣表面形成。在一較佳具體實施 例中,係描述一種具有電絕緣玻璃層之鈦基材之用途。再 _-_δ_ζ_ 本紙乐尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) (請先K讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 、-° 東 五、發明説明(3 ) A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 者,其係描述金屬基材與製自氧化矽、氮化矽、氧化鋁、 二氧化鈦、氧化鎂或鎂鋁尖晶石之薄層,在表面處之電絕 緣。 此万法之缺點,一方面是製造期間之昂貴程序(例如金 屬基材之預清洗及/或玻璃層在氮氣下之燃燒),及另一 方面,最大應用溫度係受限於50(rc,此係由於來自金屬基 材下方之薄中間層污染物,可容易地抵達敏感性鉑層。但 疋,在已知陶瓷基材之情況中,亦有鉑層"中毒"之危險, 因污染物(例如來自罩殼材料)可伴隨著溫度計罩殼内之還 原大氣抵達鉑層,並可在讀處(藉催化作用)與鉑反應,以 致電阻特性係被強烈地改變。於此情況中,不再能夠保証 此種電阻溫度計之實用性。 本發明之—項目的,係爲提供一種電阻溫度計,其能夠 具有長期安定性,即使在較高溫度範園内亦然,意即高於 5〇〇°C ’且同時保持已知具體實施例之優點。根據 DIN正C 751之度量用電阻器之電阻特性,係在-200°C至+850 eC之範固内,儘可能正確地重現。再者,係描述使用市購 可得基材之可能性。 根據本發明’解決該問題之方式在於選擇一種材料作爲 供銷度量用電阻器使用之基材,其基本上由也酸鎂所組成 。此材料係以最佳化方式適合鉑之膨脹係數,該鉑具有其 平均熱膨脹係數爲8.9 ppm。於是,在加熱與冷卻期間所發 展 < 張力,係被降至最低,以致使一項特徵將按照根據 DINIEC 751中所預定之方式,於_200。〇與+85〇。〇之間重現。 -6- 本紙狀度_ tiiii^7CNS ) ( 210X297^f ) (請先閱讀背面之注意事項另填寫本頁) .裝 、-=β
五、發明説明(4 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 此高於WC下,於永久儲存後重現。再者 组得之材料’但其經常被使用於高頻率 之基材且直到現在尚未得知作爲電阻溫度計 T基材。當製造銷薄膜度量用電阻器時,其符合製造程岸 麥:之所有要求條件(強度、尺寸、處理溫二 序 項1::=問題,本發明係藉由根據申請專利範圍第2 、:徵解決。若例如所提供基材之表面品質不足以 後鉑薄膜塗敷技術(基發 塗敷处〇3或Mg0之(中間發層至= T 主所述製自鈇.酸鎂之基材上。再 者’係達成欲被塗數壬φ内 、 此電阻層較佳係由銷所组;層^阻層之經改良黏著性。 ^於此兩種措施(選擇適當基材,及若必要則塗敷中間 感性銘層防止來自底座之&染物之最佳化保護 :用二及在熱膨滕行爲上之適應性,除了其他所 外,均得到保証。 二免除來自舶薄膜之其他不利影嚮,例如因外部溫度計 材料所造成者,此銘層係具有覆蓋層。就像供始層 用心底厓一樣,此覆蓋層於其熱膨脹行爲上, 切地接近敎熱膨脹純,以致因爲此化合物所造成^ 阻特性又改變,係被保持儘可能地小。 . 可有利地使用财酸鹽玻璃作爲覆蓋層,其係利用網版 :刷程序塗敷並燒入其中。此玻璃覆蓋層之厚度係在10微 〃至1〇〇微米之範圍内。典型上係達成3〇微米之層厚。 爲保証特別強力之保護作用,係將具有厚度在(Π毫米與 裝------T --------線----- (請先閱讀背面之注意事項-磺寫本頁) 一 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ______B7 五、發明説明(5 ) 1毫米間之陶瓷薄片,塗敷至鉑電阻層作爲覆蓋層,並利 用冷熟化陶瓷黏合劑或玻璃軟焊料連接。上述硼矽酸鹽玻 璃可作爲例如破璃軟焊料使用。該陶瓷薄片可有利地由與 基材相同之材料所组成,換言之係爲鈦酸鎂。 於下文中,係利用圖1與2詳細描述本發明之主題: 圖1係説明電阻溫度計之度量用電阻器,其中係將電阻 層直接塗敷至電絕緣基材之表面。 圖2係説明於電阻層與基材間具有中間層之度量用電阻 器。 . % 根據圖1 ’ 一個具有表面'2之長方形物體1係作爲基材使 用’該表面2係適合欲被塗敷之度量用電阻器4之形式。在 本具體實施例中,表面2係以20毫微米至20〇毫微米之粗孝造 高度形成。基材1係由鈦酸鎂MgTi〇3所組成。但是,其亦 可塗敷氧化鋁作爲材料。包含一部份鉑族金屬較佳爲始之 電阻層4 ’係被塗敷至基材1之表面2上。電阻層4係藉阶 接濺射及/或蒸發塗敷,造成呈彎曲路徑形式之結構。此 相對較敏感(及具觸媒活性)之鉑層4係藉覆蓋層5保護。 對南溫應用而言,係使用具有厚度爲0.1毫米至1毫米之 陶資:薄片作爲覆蓋層5。於此情況中,陶究薄片係具有〇 3 毫米之厚度,且係由鈦酸鎂所輯成。陶瓷薄片係利用硬玻 璃軟焊料連接至基材層4及/或基材1。由於施加高達5〇〇 C之溫度,故覆蓋薄片5亦可利.用具有低这點之玻璃軟焊 料或陶瓷黏合劑連接。 覆蓋層5亦可自硼碎酸鹽玻璃形成,以取代陶瓷;薄片, __________- 8 -____ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )_ A4規格(21〇Χ&公釐) ~~'~~ —~~~ ----------^------1Τ------^ (請先閲讀背面之注意事項杲填窝本頁) A7 五、發明説明(6 ) 其係利用網版印刷程序塗敷。於燃燒後,硼矽酸鹽玻璃層 具有30微米之厚度。 於基材1之一個側面上,接點表面8、9係被安排在與彎 曲之電阻層4有關聯處。此等接點表面8、9亦可被描述爲 厚層墊片,且係被塗敷至電阻層4之連接接點6、7。於接 點表面8、9處,外部連接導線10、u係藉焊接或黏結敷上 。連接區域係藉由製自玻璃陶瓷材料之外罩層14,而成爲 電絕緣且爲應變舒解,該玻璃陶瓷材料係被塗敷至接點表 面8 9,及部伤塗敷至覆蓋層5。硼矽酸鹽玻璃已經証實 係爲適當玻璃陶瓷材料。已發現其厚度係在〇·5毫米至3毫 米之範圍内。對於在高溫領域中之應用(>6⑻。c)而言,除 了覆蓋層14以外,係在接點表面8、9之區域中塗敷覆蓋薄 片12。此程序係利用硬玻璃軟焊料進行,其可與覆蓋層μ 之硼矽酸鹽玻璃相同。 經 中 標 準 局 員 X 消 費 合 社 印 製 裝 訂 根據圖2,係將電絕緣中間層3塗敷至基材i之表面2。此 中間層3係藉陰極濺射方法塗敷。但是,亦可藉蒸發或厚 膜技術(樹脂酸鹽之網版印刷)塗敷。中間層3會調整基材ι <表面缺陷,JL另外,在其膨脹行爲上係適合欲被塗敷之 電阻層4。此中間層係由氧化链或氧化鎂所組成。其亦可 作爲基材!與欲被塗敷之電阻層4間之黏合劑使用。當使用
製自鈥酸鎂之基材時,A 已aiE實可特別合宜地塗敷氧化鋁作 爲中間層。 度計之進—步構造,係相應㈣ι中所述之具 體實施例,關於覆蓋層5,連接接點表面Μ,接點表面 (CNS) 〇14od3 五、發明説明(7 ) A7 8、9,連接導線10、11,接點表面覆蓋層14及覆蓋薄片12 ---------¢------ΪΤ------Φ (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 __-10- 本紙乐尺度ϋ用中國國家¥準(CNS ) A4規格(2丨0X297公羞)

Claims (1)

  1. π、申請專利範圍 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 種電阻溫度計,其具有呈電阻層形式之度量用電阻器 ,具有0.1至10微米之厚度,實質上由鉑族金屬所组成 其係被塗敷至具有熱膨脹係數在8.5至10.5 ppm/K範圍 内之載體底座之電絕緣表面上,且其具有電絕緣覆蓋層 其特徵在於實質上製自鈦酸鎂之基材⑴係欲被作爲 載體底座使用。_ . 根據申凊專利範圍第1項之電阻溫度計,其特徵在於較 佳係製自氧化鋁或氧化鎂之中間層⑺,係被塗敷於基 材⑴與電阻層⑷之間。 根據申请專利範圍第丨或2項之電阻溫度計,其特徵在 於覆蓋層(5)係由爛碎酸鹽玻璃所組成。 4·根據申請專利範圍第3項之電阻溫度計,其特徵在於硼 矽酸鹽玻璃具有1〇微米至1〇〇微米範圍内之厚度。 5.根據申凊專利範圍第〗或2項之電阻溫度計,其特徵在 於覆蓋層(5)爲製自基材⑴材料之陶瓷薄片。 6_根據申請專利範圍第5項之電阻溫度計,其特徵在於陶 資:薄片具有0.1至1毫米之厚度。 7·根據申請專利範圍第5項之電阻溫度計,其特徵在於作 爲覆蓋層(5)之陶瓷薄片,係利用陶瓷黏合劑或玻璃軚 焊料連接至電阻層(4)與基材(1)。 — -11 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閔讀背面之注意事¾.-鳥本頁) 裝. 訂
TW085110685A 1995-10-30 1996-09-02 TW314593B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19540194A DE19540194C1 (de) 1995-10-30 1995-10-30 Widerstandsthermometer aus einem Metall der Platingruppe

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW314593B true TW314593B (zh) 1997-09-01

Family

ID=7776032

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW085110685A TW314593B (zh) 1995-10-30 1996-09-02

Country Status (11)

Country Link
US (1) US5831512A (zh)
EP (1) EP0772031A1 (zh)
JP (1) JPH09145489A (zh)
KR (1) KR970022254A (zh)
CN (1) CN1046029C (zh)
BR (1) BR9605342A (zh)
CA (1) CA2189197A1 (zh)
DE (1) DE19540194C1 (zh)
NO (1) NO963449L (zh)
SG (1) SG46750A1 (zh)
TW (1) TW314593B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10529470B2 (en) 2014-03-26 2020-01-07 Heraeus Nexensos Gmbh Ceramic carrier and sensor element, heating element and sensor module, each with a ceramic carrier and method for manufacturing a ceramic carrier

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19633486C1 (de) * 1996-08-20 1998-01-15 Heraeus Sensor Nite Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit dünnen Leiterbahnen und Anschluß-Kontaktierungsbereichen sowie deren Verwendung
EP0905494A3 (de) * 1997-09-26 2000-02-23 SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG Hochtemperatursensor
DE19742696A1 (de) * 1997-09-26 1999-05-06 Siemens Matsushita Components Bauelement mit planarer Leiterbahn
DE19813468C1 (de) * 1998-03-26 1999-07-22 Sensotherm Temperatursensorik Sensorbauelement
EP0973020B1 (de) * 1998-07-16 2009-06-03 EPIQ Sensor-Nite N.V. Elektrischer Temperatur-Sensor mit Mehrfachschicht
EP0987529A1 (de) 1998-09-14 2000-03-22 Heraeus Electro-Nite International N.V. Elektrischer Widerstand mit wenigstens zwei Anschlusskontaktfeldern auf einem Substrat mit wenigstens einer Ausnehmung sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE19901183C2 (de) * 1999-01-14 2001-01-25 Sensotherm Temperatursensorik Platintemperatursensor und Herstellungsverfahren für denselben
DE19901184C1 (de) * 1999-01-14 2000-10-26 Sensotherm Temperatursensorik Platintemperatursensor und Verfahren zur Herstellung desselben
DE19959243A1 (de) * 1999-12-08 2001-06-13 Abb Research Ltd Sicherung
US6341892B1 (en) 2000-02-03 2002-01-29 George Schmermund Resistance thermometer probe
DE10016415A1 (de) * 2000-04-01 2001-10-11 Bosch Gmbh Robert Sensorelement, insbesondere Temperaturfühler
US6995691B2 (en) * 2001-02-14 2006-02-07 Heetronix Bonded structure using reacted borosilicate mixture
JP2003031579A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Denso Corp センサ及びその製造方法
US7106167B2 (en) * 2002-06-28 2006-09-12 Heetronix Stable high temperature sensor system with tungsten on AlN
US6762671B2 (en) * 2002-10-25 2004-07-13 Delphi Technologies, Inc. Temperature sensor and method of making and using the same
US7632537B2 (en) * 2002-10-30 2009-12-15 Hybird Electronics Australia Pty Ltd. Circuits including a titanium substrate
JP4009520B2 (ja) * 2002-11-05 2007-11-14 日東電工株式会社 温度測定用フレキシブル配線回路基板
US7915994B2 (en) * 2003-11-13 2011-03-29 Harco Laboratories, Inc. Thermal variable resistance device with protective sheath
US7339455B2 (en) * 2004-03-08 2008-03-04 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Platinum resistor temperature sensor
DE202006001883U1 (de) * 2006-02-03 2007-03-08 Ephy-Mess Gesellschaft für Elektro-Physikalische Meßgeräte mbH Widerstandsthermometer
JP4906388B2 (ja) * 2006-04-07 2012-03-28 生活協同組合コープさっぽろ 鮮度情報検出用インジケータホルダ
CN100405032C (zh) * 2006-05-29 2008-07-23 云南瑞升烟草技术(集团)有限公司 卷烟内部动态温度测量设备
JP5607285B2 (ja) * 2006-06-23 2014-10-15 日本精工株式会社 軸受装置
DE102007023434B4 (de) 2007-05-16 2017-07-06 Innovative Sensor Technology Ist Ag Widerstandsthermometer
DE102007035997A1 (de) 2007-07-30 2009-02-05 Innovative Sensor Technology Ist Ag Vorrichtung zur Bestimmung und/oder Überwachung einer Prozessgröße
DE102007046907B4 (de) * 2007-09-28 2015-02-26 Heraeus Sensor Technology Gmbh Schichtwiderstand und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102007046900C5 (de) 2007-09-28 2018-07-26 Heraeus Sensor Technology Gmbh Hochtemperatursensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung
DE102007058410A1 (de) * 2007-12-03 2009-06-04 Innovative Sensor Technology Ist Ag Vorrichtung zur Bestimmung und/oder Überwachung der Temperatur
DE102009007940B4 (de) 2009-02-06 2010-11-18 Heraeus Sensor Technology Gmbh Nichtleitfähiges Zirkonoxid
DE102009017676B3 (de) * 2009-04-16 2010-08-05 Heraeus Sensor Technology Gmbh Hochtemperatursensor mit Chipdrähten aus Chromoxid bildender Eisenlegierung
JP5665408B2 (ja) * 2010-08-04 2015-02-04 国立大学法人東北大学 水分発生用反応炉
WO2012033125A1 (ja) * 2010-09-07 2012-03-15 住友電気工業株式会社 基板、基板の製造方法およびsawデバイス
DE102010055934B4 (de) 2010-12-23 2018-09-06 Epcos Ag Aktuator und Verfahren zu dessen Herstellung
JP6404726B2 (ja) * 2014-03-07 2018-10-17 日本特殊陶業株式会社 感温素子及び温度センサ
DE102015223950A1 (de) * 2015-12-01 2017-06-01 TE Connectivity Sensors Germany GmbH Substrat für eine Sensoranordnung für ein Widerstandsthermometer, Sensoranordnung, Widerstandsthermometer und Verfahren zur Herstellung eines solchen Substrats
DE102015223951B4 (de) * 2015-12-01 2022-12-01 TE Connectivity Sensors Germany GmbH Substrat für eine Sensoranordnung für ein Widerstandsthermometer, Sensoranordnung und Widerstandsthermometer
DE102015223949B4 (de) * 2015-12-01 2020-09-24 TE Connectivity Sensors Germany GmbH Sensoranordnung für ein Widerstandsthermometer, Widerstandsthermometer und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
DE102015223948B3 (de) * 2015-12-01 2017-03-30 TE Connectivity Sensors Germany GmbH Substrat für eine Sensoranordnung für ein Widerstandsthermometer, Sensoranordnung, Widerstandsthermometer und Verfahren zur Herstellung eines solchen Substrats
JP2018146404A (ja) * 2017-03-06 2018-09-20 Koa株式会社 温度センサ素子
DE102018110889A1 (de) * 2017-05-16 2018-11-22 Koa Corporation Temperatursensor-Element
US10502641B2 (en) 2017-05-18 2019-12-10 Sensata Technologies, Inc. Floating conductor housing
US10371581B2 (en) 2017-06-02 2019-08-06 Sensata Technologies, Inc. Alumina diffusion barrier for sensing elements
US11300458B2 (en) 2017-09-05 2022-04-12 Littelfuse, Inc. Temperature sensing tape, assembly, and method of temperature control
KR20190026630A (ko) * 2017-09-05 2019-03-13 리텔퓨즈 인코퍼레이티드 온도 감지 테이프
CN112513599A (zh) * 2018-08-10 2021-03-16 世美特株式会社 温度传感器及包括温度传感器的装置
US11226244B2 (en) 2019-01-30 2022-01-18 Sensata Technologies, Inc. Automotive exhaust gas sensor with two calibration portions
CN109827671A (zh) * 2019-03-12 2019-05-31 哈尔滨理工大学 一种热电偶成型方法
US11371892B2 (en) * 2019-06-28 2022-06-28 Fluke Corporation Platinum resistance temperature sensor having floating platinum member
CN110388992B (zh) * 2019-07-19 2021-03-16 重庆斯太宝科技有限公司 一种高稳定性温度传感器敏感元件

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2450551C2 (de) * 1974-10-24 1977-01-13 Heraeus Gmbh W C Elektrischer messwiderstand fuer ein widerstandsthermometer und verfahren zu seiner herstellung
DE2527739C3 (de) * 1975-06-21 1978-08-31 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Meßwiderstandes für ein Widerstandsthermometer
DE3146020C2 (de) * 1981-11-20 1985-11-07 Danfoss A/S, Nordborg Temperaturabhängiger Widerstand, insbesondere für Widerstandsthermometer
DE3630393C2 (de) * 1985-09-10 1994-06-23 Sharp Kk Widerstandsthermometer
DE3733193C1 (de) * 1987-10-01 1988-11-24 Bosch Gmbh Robert NTC-Temperaturfuehler sowie Verfahren zur Herstellung von NTC-Temperaturfuehlerelementen
JPH0328719A (ja) * 1989-06-27 1991-02-06 Ngk Insulators Ltd 検出素子
US4954926A (en) * 1989-07-28 1990-09-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor composition
DE4026061C1 (zh) * 1990-08-17 1992-02-13 Heraeus Sensor Gmbh, 6450 Hanau, De
EP0571412B1 (de) * 1991-02-15 1998-05-27 Siemens Aktiengesellschaft Hochtemperatur-platinmetall-temperatursensor
JPH071185B2 (ja) * 1991-08-21 1995-01-11 日本碍子株式会社 抵抗体素子
JPH05223614A (ja) * 1992-02-18 1993-08-31 Ngk Insulators Ltd 熱式流量計用検知素子
US5349322A (en) * 1992-03-27 1994-09-20 Ngk Insulators, Ltd. Resistors for thermal flowmeters
JP3203803B2 (ja) * 1992-09-01 2001-08-27 株式会社デンソー サーミスタ式温度センサ
DE4300084C2 (de) * 1993-01-06 1995-07-27 Heraeus Sensor Gmbh Widerstandsthermometer mit einem Meßwiderstand
JPH0729706A (ja) * 1993-07-08 1995-01-31 Nippondenso Co Ltd 高温用温度センサ及びその製造方法
JPH07312301A (ja) * 1994-03-24 1995-11-28 Ngk Insulators Ltd 抵抗体素子
DE4415980A1 (de) * 1994-05-06 1995-11-09 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur Temperaturmessung an einer Sauerstoffsonde

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10529470B2 (en) 2014-03-26 2020-01-07 Heraeus Nexensos Gmbh Ceramic carrier and sensor element, heating element and sensor module, each with a ceramic carrier and method for manufacturing a ceramic carrier

Also Published As

Publication number Publication date
CN1158416A (zh) 1997-09-03
NO963449D0 (no) 1996-08-19
BR9605342A (pt) 1998-07-28
DE19540194C1 (de) 1997-02-20
CA2189197A1 (en) 1997-05-01
KR970022254A (ko) 1997-05-28
SG46750A1 (en) 1998-02-20
CN1046029C (zh) 1999-10-27
JPH09145489A (ja) 1997-06-06
EP0772031A1 (de) 1997-05-07
NO963449L (no) 1997-05-02
US5831512A (en) 1998-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW314593B (zh)
CN104641208B (zh) 温度传感器
GB2181298A (en) Platinum resistance thermometer and manufacture thereof
TWI588459B (zh) Temperature sensor
TW526671B (en) Ceramic heater
US5332991A (en) Resistor type physical quantity sensor having migration inhibiting pattern
CN104969046A (zh) 温度传感器
JPH01282401A (ja) 金属基体被覆材の厚さを測定する装置と方法
JPH0354841B2 (zh)
EP0334614A2 (en) Catalytic gas detector
JPH11354302A (ja) 薄膜抵抗素子
JPS6149829B2 (zh)
JPS61181103A (ja) 白金測温抵抗体
JP2616476B2 (ja) 温度測定用プローブ
JPH05145142A (ja) 磁気抵抗素子
JP2661718B2 (ja) 薄膜の抵抗温度係数測定用基板
JP2634753B2 (ja) 歪センサ
JPH0534205A (ja) 温度センサ
JPS62173703A (ja) sic薄膜サ−ミスタ
JPS6040946A (ja) 感ガス素子
JPH04339250A (ja) ガスセンサ
JPH01105151A (ja) 熱伝導率及び温度測定プローブとその製造方法
JPS6341002A (ja) 薄膜サ−ミスタ
JPS61295052A (ja) サ−マルヘツド
JPH10160593A (ja) 温度センサ素子