TW312079B - - Google Patents

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A7 B7 五、發明説明（) 發明之背景： 1 .發明之領域： 本發明係闞於一種選擇性金靨化之方法’例如在像印刷 電路板基質、聚醯亞胺基質、或陶瓷基質等基霣表面上形 成一電路，而該方法不需用到光阻。 2.相醆技藝之說明： 對像印刷罨路板基質等基質，傳統上乃予Μ選擇性地金 屬化，例如藉由初始在基質之表面形成一圖樣化之鈀引晶 層，一霄路即形成於該基質上。之後將該基質浸入一像無 霉銅沉積槽等之金屬沉積槽中*在其中*對應的金羼（例 如銅）乃選擇性地自溶液中沉積在該圖樣化之引晶層上。 然後該蜇擇性沉積之_即構成所要的選擇性敷設金屬*即 所要的電路。 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在形成圈樣化之引晶層時，減去程序或加上程序皆可用 。在減去程序中，一未圖樣化之引晶層（例如鈀）乃初始形 成在感興趣之基質表面上。此偁藉由，例如將該引晶金鼷 化在基W表面而達成。或者，該引晶金羼乃自溶液沉稹而 得。例如，一未圈樣化之鈀層可自一包含鈀鹽及氛化錫之 溶液立即沉積在基質表面上。一旦該引晶金颺沉稹了 * 一 層光砠即沉積在該引晶層上，經由一光罩（有所要之匾樣 )暍光，並顯影。位於下方之引晶層即利用該騸樣化之光 阻當做蝕刻面罩進行蝕刻（例如化學蝕刻）。之後，用化學 方法去除光阻*留下圈樣化之引晶層。 在加上程序中，一層光阻乃於初始時沉積在所要的基質 -4- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐.) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 9ί2979 a7 B7 五·、發明説明（） 表面上，络由一面罩曝光並顯影。然後一金»籽晶（像把 )利用該圈樣化之光阻層當做沉積面罩K沉積在所要的基 質表面上。接著用化學方法去除該圖樣化之光阻層（Μ及 沉積在光阻本身上之金羼籽晶），只留下沉積在圈樣化光 阻層諸開口内之金靨籽晶（構成圖樣化之引晶層)。 如所周知者，光阻及對應之化學顯影劑、去除劑等之使 用均對環境不宜。因此，已嘗試發展不褡倚靠使用光姐來 彤成圈樣化引晶層之方法。 _ - 其中之一方法見於Thomas Η. Baum等人於Chen.

Mater, Vol.3, Νο·4, 1991.第 714-720 頁所發表之"供 在聚醯亞胺上形成黏附鋦膜之無霉銅溶液光選擇催化”。 根據此期刊文章，一圖揉化之鈀引晶層乃藉由將基質表面 浸入一含水的引晶溶液中而形成在一聚皤亞胺基霣表面上 。此溶液包括三草酸根絡锇酸鉀（K3Fe(C2〇4)3)及氛化四 氨基鈀（Pd (NH3)4C丨2)之水合式。在基質表面上造成之引 晶溶液層接著經由一面罩而為紫外線所照射，Μ光選擇性 地將鈀金覊自紫外媒所照射的溶液區域中沉稹在基質表面 上。结果，在不爾使用光狃之情形下，形成了一翮樣化之 鈀引晶層°(此圖樣化之引晶層維持與引晶溶液層之未曝 光區域相接觭，且為其所包圍。I ) 根據Bau·等人之期刊文章，將一有著圈樣化鈀引晶磨之 聚釀亞胺基質（如上述所產生者）浸入一 pH值為12之無電鋦 沉積槽中，會使鋦沉積在鈀上。然而，如下所討論者，本 發明人已發現到：快速地接連浸入第二、第三、第四等等 -5- 本紙張尺度逋用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------「裝-- (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T S1S079 a? _B7五、發明説明（） 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 此聚醯亞胺基質於相同的無電鋦沉積槽中會產生嚴重的問 題。再者*當上述之光選擇鈀沉積方法懕用至其它有櫬基 質（像環氧樹脂/玻璃纗雄基質及含氟聚合物等用於製造 印刷霉路板者）時，這些相同的問s即產生。又·當上述 之光選擇鈀沉積方法懕用至無櫬、陶瓷基霣（像氧化鋁基 質、氮化鋁基質及氮化矽基質）時，這些相同的問題亦會 產生。 發明之總结： _ 太發明牽涉到本發明人之發現：當一圈樣化之引晶靥， 例如一圖樣化之鈀引晶層，係利用Bau*等人期刊文章所說 明的方法形成在一基霣上（像聚醢亞胺基質、印刷轚路板 基質、或陶瓷基筲），且接著將該基質浸入一金饜沉積槽 中（例如一無霉飼沉積槽）K形成一對應之電路時，該金 属通常並未正好沉積在該圖樣化之引晶層上，而是，金鼷 亦沉稹在殘留於基質表面上之引晶溶液光反應層的未曝光 區域上*且此多餘之金饜沉積頻率阐著浸入相同金臑沉積 槽中之此類基霣數目增加而變大。结果•在此一基質表面 上形成之霉路展現了不想要的短路現象。再者，已發規供 諸基質浸入其中之金藺沉積槽會因該未瞜光之引晶溶疲而 變得有毒且不穩定。 本發明亦牽涉到一發現：藉由在將基質浸入一對應之金 靨沉積楕之前，將殘留在基質表面上之引晶溶液光反應層 的未曝光區域除去，只留下圖樣化之引晶層，可遴免上述 之多餘金鼷沉積問題及槽不穩定問題。此去除可藉由將引 -6 - 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五'發明説明（） 晶溶液光反應層之曝光及未曝光區域置於一驗性溶液中（ 像氧化納水溶液）而立即達成。在此去除過程中，大 致不會有金靨沉積在騸樣化之引晶層上或引晶溶液層之未 曝光區域上。 意義重大地*將引晶溶液光反應層之曝光及未曝光區域 置於上述鹼性溶液中之新增步驟獲致了一未預料到之良好 结果。亦即，若引晶溶液層係用，例如三草酸根络鐵酸鉀 及氡化四氨基鈀形成，則將引晶-溶液光反應層之曝光及未 曝光區域置於上述之鹼性溶疲中不僅可除去未曝光區域* 且亦可形成一種氧化鐵，例如氧氫氧化鐵（FeOOΗ)-在引晶 金屬本身週圍之膠滯體。此醪體防止引晶金靨之氧化，如 此使有著圈樣化引晶層之基霣可儲存數個月再浸入一金羼 沉積槽中。再者，當基霣浸入榷中時，此膠體在金鼷沉積 槽中會快速擴張且變得非常容易滲透*從而使金属可立即 沉積在圖樣化之引晶層上。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 t请先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明進一步鞏涉到一發現：除了圈樣化之鈀引晶層外 ，諸如白金（Pt)、金（Au)及銀（Ag)等圖樣化之引晶層亦可 立即光選擇性地形成在基質上。所有此類圖樣化之引晶磨 乃根撺本發明，藉由將適當的引晶溶液光反應層曝於紫外 镍下（經由一面罩），接著將這些層之未暘光區域除去（ 如上述）而形成。意義重大地，各此類引晶溶液光反應層 均具有一組成一包括一含金圈、水溶性的化合物及一光反 應、水溶性的草酸鹽化合物。 較佳實施例之詳细說明·· -7- 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 312079 A7 B7五、發明説明（) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 本發明案涉到選擇性金饜化之方法•例如在像印刷電路 板基質、聚醯亞胺基質或陶瓷基質等基質上形成一霣路。 意義重大地，此方法不需使用光阻或其對應之化學品（用 W顯影及去除此一光砠）。 根據本方法，一圖樣化之金靨引晶曆乃於初始時利甩以 下所述之光選擇程序，形成在所要的基質表面上◊在此， 圖樣化之金鼷引晶層最好為鈀（Pd)。可替代地•該圖樣化 之金饜引晶層可為白金（PU、金_以1!)或銀（Ag)。 根棟本發明之光選擇程序，苜先形成一引晶溶液槽（所 要的基霣將浸入其中）。可替代地，此槽係用做一引晶溶 液源（噴塗在基質上）。意義重大地•此引晶溶液乃一水 溶液，且具有一包括一含金鼷、水溶性的化合物及一光反 應、水溶性的箄酸鹽化合物之组成。（為了本發明之目的 •—光反應箄酸鹽化合物乃一箄酸鹽化合物-當為一具適 當波長之光所照射時，即與該含金靨之化合物進行反應* 在反應期間，該含金靨化合物中之金鼷離子即還原至對應 的基底金颺。） 上述之含金屬、水溶性化合物具有一般化學式HL»X„ ， 其中Μ表一金屬陽離子、L為一含氮之路易氏《8(配位基· X表一陰離子且》及n表整數。若圜樣化之引晶曆為鈀、 白金、金或銀，則 Μ 表Pd42*)、Pt12*5、Au11*)、 Aut3 —或Ag—。（如傳铳，在此揭示中所用書於上方之 符號表氧化狀態。）路易氏鹼配位基L乃一單ffi位基或裱 配位基（例如NH3I5；乙二胺）。陰離子X為•例如 ~ 8 * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X297公釐） S1S079五、發明説明（） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 、（：1(-1)、Br(-"、（S04>(_2)、或。若，例 如Μ表Pd(2*)，則ML„Xn最好為Pd(NH3)4Cl2(fD好是氛化 四氨基鈀，更方便的寫法是（MH3)4PdCU)。（當然，上述 含金屬化合物之水合式亦包含在本發明中。） 上述之光反應、水溶性的草酸鹽化合物具有一般化學式 ΥΡΜ(((：2〇Λ)3)Ρ ，其中P表一整數。在此，Y代表，例如 一鹼金靨離子，像或Ha—15等。可替代地· Y代表 或包括季銨離子，亦即（N iU) s IV 。另外，Μ代表鐵離子 ，亦即Fe卜3)，或釕離子，亦即Ru 1 + 。若團樣化之引晶 翳為鈀，則該光反應、水溶性之箄酸鹽化合物最好為三草 酸根絡鐵酸鉀，亦即K3Fe(C2〇4)3。（如前*上述光反應、 水溶性之草酸鹽化合物YpM((C2〇4)3)p其水合式亦包含在 本發明中。） 儘管非必要》但引晶溶液檐最好亦包括一表面活化劑， 像由 Rohm Haas Coepany of Philadelphia, Pennsy丨vania所賣的Triton X-100表面活化劑。 為在一引晶溶液播中確保含金屬化合物被光反應草酸鹽 化合物完全堪原*後者對前者之分子比至少應為8:1 ，最 好為10:1。將此限制記住，在引晶溶液槽中之含金屬化合 物其濃度從約每升水有4克（g/L)至约9.5g/L ·且最好 約7 g/L 。湄縮低於約4 g/L即不宜，因為只有一不遘宜 之小量引晶金颶沉積在對懕之基質上。濃度高於約9.5 g/L亦不宜，因為在約9.5 g/L之濃度，引晶溶液會因該 含金屬化合物而赛飽和，再增加之此類化合物無法在該溶 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )入杉1格（210X297公釐） ---------一 Μ装-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 312079 at B7五、發明説明（） 經濟部中央標率局員工消費合作社印裝 液中溶解。 在引晶溶液榷中之光反應箄酸鹽化合物濃度約從25 g/L至65 g/L，最好約為47 g/L。濃度低於25 g/L即不宜 ，因為此意味著所含之光反應材料不足Μ堪原該含金鷗化 合物中之所有金鼷。濃度高於約65 g/L亦不宜，因為在約 65 g/L之漘度，引晶溶液脅因該草酸鹽化合物而變飽和， 再增加之此頚化合物無法在該溶液中溶解。 若在引晶溶液槽中使用表面活性劑*則其濃度約從 0.02 ppm至.2 ppm ，最好約1 ρρπ。湄度低於約0.02 ppm 即不宜，因為它們會因溶液之其他組成而導致對應基質之 不良濕潤。濃度高於均2 PPB1是不必要的，亦即它們無法 再增進濕潤效果。 當形成引晶溶液槽時，槽之各組成應Μ下列之次序加至 槽容器内Μ遴免槽不穩定：（1)加水；（2)加表面活化劑 ;(3)加光反應箄酸鹽化合物，同時攪拌，直到其完全溶 解；及（4)加含金屬之化合物，同時捎拌，直到其完全溶 解。大家應注意到上述諸步驟應在，例如黃光下進行Κ避 免光反應箄酸鹽化合物之分解。 舉例*若該圖樣化之引晶層為鈀，而對懕引晶溶液槽之 組成包栝氯化四氨基鈀、三草酸根絡鐵酸鉀及Tr丨ton X-100表面活化劑，則一有用的（穗定的）槽可立即依下列 步驟實施而得：首先倒入槽容器内i 00 nL水（例），接著加 入兩滴Triton X-10 0表面活化劑（例），再加人4.7克三草 酸根絡锇酸鉀水合物（例），同時攪拌，直到其完全溶解， -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — — — — — — ..裝 I I I J, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（） 最後加入0.7克氯化四氨基鈀-水合物（例），同時攢拌* 直到其完全溶解。 請注意該引晶溶液檐最好持續過逋•可利用傳統的濾筒 ，例如傳铳5微米漶筒來去除槽内粒子。若溶在榷内之光 感應草酸鹽化合物為，例如三草酸根络截酸鉀，則瑄些粒 子為典型含鐵粒子（像氧化锇粒子）。據信這些粒子之形成 係因該草酸鹽化合物對光敏感，而該槽難免脅曝光。這些 粒子是不想要的，應去除以防止它們沉積在浸入槽中之基 質上。另外，這些粒子濃度過高時可能肴使槽爱不穩定。 —旦引晶溶液槽形成了，感興趣的基質即浸人檐中Μ在 該基質之表面形成一引晶溶液光感應層。此層之厚度從约 20 Α至約60 A，最好為約40 Α。厚度小於約20 Α即不宜， 因為所造成的引晶金鼷覆蓋會不完全且引晶金羼會有許多 不良的針孔。厚度大於約60 A亦不必要，因為沒有好處。 絮外媒（UV)，亦即波長從約200 ηβ至約450 η·，最好約 300 η*至約450 ηαι之光，現在經由一面罩照射在該引晶溶 液光反應層上。一有用的此類UV光源為，例如Ta«arak Scientific Company of Anahein, California 所資的 UV lamp Model 161B。如上所討論者，將此類UV光照射在 引晶溶液舍產生一光誘導反應*使金靥（例如鈀）形成在基 霣表面之某些區域上（與引晶溶液光反應層之暍光區域相 對應者）。照射在引晶溶液層上之UV光強度约從20 mJ/cm2至〗80 bJ/c»2，最好约為65 bJ/c«2 。強度小於約 20 mJ/cm2即不宜，因為無法使所有的含金鬭化合物與該 -11 - 本紙張^度逋用中國國家標率（CNS ) A4规格（210X297公ft > 1.— i H — —-II I 1【I 士m 0 - - i- I 、^OJ (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) «2079 A7 B7 五、發明説明（） 經濟部中央標準局貞工消費合作社印製 苣酸鹽化合物進行反應。強度大於約180 nJ/c·2亦不宜’ 因為一中間產物（形成於箄酸鹽化合物與含金鼷化合物二 者反應之遇程中）會分解，導致形成一不想要的氧化物（ 例如氣化鐵，脅沉積在對應的基質上）。意義重大地*金 矚（例如铜）將無法沉積在此氣化物上。 與該含金醑化合物及草酸鹽化合物二者之反應有翡的* 撺相信（IV光之撞擊會導致一箄酸鹽原子圈之形成’用W使 含金鼷化合物中之金藺雎子還原成基底金羼。 在光選擇地於所要基質表面上形成一騮樣化之引晶層後 ，引晶溶液光反應層之未曝光區域（仍然包圍該圔樣化之 引晶層並與其相接觸）乃為了前述理由予Μ去除。此可藉 由，根撺本發明•將基質浸入一_性溶液（像一氫氧化鈉 水溶液）中而達成。意義重大地，此鹼性溶液之pH值至少 應為14，而溫度則從約40度C至約55度C 。溫度、pH值小 於約40度C 、14即不宜，因為該對應溶液無法去除引晶溶 液之所有未曝光區域，且會產生小量不想要的氧化鐵膠體 (例）。溫度高於55度C亦不宜，因為該對應溶液會將引 晶溶液之暍光及未曝光區域均去除。 塞例，一有用的鹼性溶液為氫氧化納水溶液*其氮氧化 納之濃度為2M，而溶液之溫度為55度C 。 請注意，在聚醢亞胺基質之情形下*上述鹼性溶液之溫 度即不需超過室溫（約25度C)。亦卽，聚醢亞胺基質之表 面很平滑，藉由使用維持在室溫之鹼性溶疲即可立即去除 對懕引晶溶液光反應層之未曝光區域。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 5120?^ A7 B7 五、發明説明（） 如上所注意到的*用鹼性溶液去除引晶溶液層之未曝光 區域具有未預料到之良好结果：耆在引晶金餳遇圍亦形成 —種鐵或釕之氧化物膠滯體，例如氧氫氧化鐵或氧氫氧化 釕。此膠滞體係有益的*因為它防止引晶金鼸之氧化，而 使釾應基質可先儲存數個月再浸入金鼷沉積槽中。再者. 在浸入金鼷沉積槽中時，該膠滯髏會在槽中擴散並變得非 常容易滲透，使金屬可沉積在引晶金鼷上。（謅注意，該 膠滯體之量*與沉積金屬及引晶-金鼷之量相比，乃極小者 ，旦對沉積金靨之用處毫無影響。）與其相對照，若用一 酸性溶液來去除引晶溶液光反應層之未曝光區域，則已發 現此一去除過程必然會導致引晶金饜之氣化。這是非常不 利的，因為當對應基質浸入金鼷沉積槽時，金屬將無法沉 積在氧化之引晶金膈上。再者*此一酸性溶液會去除引晶 溶液光反應層之曝光及未曝光區域。 如上所述，在去除了引晶溶液層未曝光區域之情形下， 該基質即可經由*例如無霄金驕沉積將金羼沉積在引晶金 饜上。鼸於此點，若引晶金颺包含鈀、白金、金或銀，則 請注意有許多金臛可立即沉積在這些引晶金屬上，包括鋇 、姑、練及金。 如所周知者*傳統的工桊金鼷沉積槽*例如傳铳的工業 無踅鋦沉積槽•工作在相當高的溫度下，例如72度C 。這 是不利的，因為將一有著圜樣化引晶層之基筲直接浸入此 一工業金鬮沉積槽將會導致該園樣化引晶層之局部或整個 的破壊。為避免此破壊，根據本發明，乃先將該基質浸人 -13- 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4规格（210X297公釐） ----------'1裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 31207^ A7 B7五、發明説明（） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 一操作在室溫（約25度C)之對應金颶沉積槽中*其目的在 沉積一層相當薄的金属（此後稱為打擊層）於引晶層上*當 該基質浸入一工業金鼷沉積槽時*該打擊層可用K保護引 晶層。請注意打擊層之厚度至少應為1微米才能達到保護 引晶層之效果。 打擊層形成後，該基質即可浸入一工業金饜沉積槽以在 打擊層上沉積額外的金饜。 如上所注意到的，本發明可對-各棰基質做選擇性金颶化 ，像聚醯亞胺基質、印刷霄路板基質及陶瓷基質。其中聚 醢亞睽基筲之組成包括有聯苯基四羧二酐-苯二胺 (BPDA- PDA)及聯苯基四羧二酐-氣基雙苯胺（BPJ)A-〇DA) ，亦可包括苯均四酸二酐-氧基雙苯胺（PMDA-ODA)。意義 重大地，與這些聚醢亞胺基質有關的*已發現若在引晶溶 液層形成於聚醯亞胺表面之前對聚醢亞胺表面進行基底水 解，則金鼷（例如鋦，沉積在一圖樣化之引晶層上，該引 晶層覆蓋在聚醯亞胺基質之表面上）之黏附力可大為增加 。此可藉由將該基®表面浸入，例如一氫氧化納及 Ν,Ν,Ν’，Ν’-四個（2-羥基丙基）乙二胺之水溶液中1〇至 30分鏵而立即達到。前者之濃度最好約在2Η至2.5Μ之間， 而後者約在0.05Μ至0.1Μ之間。然而，儘管聚醯亞胺基霣 之基底水解可增進金鼷黏附力，此水解並不受歡迎，因為 聚醯亞胺會轉成對應聚醢胺酸之二納鹽。 與上述聚醢亞胺有闞的一包括BPDA-PDA及BPDA-0DA者與 包括PMDA-0DA者彼此間有差異。亦即，前者可抵擋熱驗性 _ 1 4 - 本紙張尺ϋ中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) $12079 T Α7 Β7 五、發明説明（） 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 槽之攻擊（亦即驗性檑之溫度高於室溫（約25度C))·而後 者則無法抵擋。（當然在相當高溫，例如150度C，及/或 相當高pH，例如14時，即使BPDA-PDA及BPDA-0DA亦無法抵 擋。）因此*當前者浸入工業金鼷沉積槽（典型為鹼性）時 ，無不利後果發生。然而*當後者浸入熱工業金屬沉積镭 時，基質其未被圖樣化引晶層覆蓋之區域則可能被攻擊， 從而轉變為對應的聚藤胺酸。 幸運地，由上述基底水解過程_及金屬沉積過程所造成的 聚醯亞胺至聚醢胺酸轉赛可立即反逆。亦即，無論如何· 在沉積後，可用傳铳所用之程序及溫度將聚醢胺酸轉回聚 醯亞胺。如此，可輕易補救任何在基底水解及金麵沉積期 間所受之損壊。 可用於本發明之印刷霄路板基質乃具有環氧樹脂/玻璃 纖維组成者，另外*其亦可具有包括含氟聚合物之組成， 包括：（〗）聚四氟乙烯（PTFE); (2)四氟乙烯及六氟丙烯之 共聚物；（3)四氟乙烯及全氟烷氧基乙烯基乙醚之共聚物 •，及（4) PTFE及具有一個以上氟化二噁茂環鐽段之化合物 之共聚物。蘭於（4)，請注意此類基質通常具有無定形结 構。 顒於具有包括PTFE組成之印刷電路板基筲，已發現此類 基質之表面通常包含不想要的鉻沉積物。此類沉稹物並不 宜*因為鉻像引晶金鬭* #使金屬*例如飼沈積在不想要 的地方。意義重大地，已發現在形成引晶溶液光感應層之 前，藉由將基質浸入一過硫酸納/碕酸水溶液中，可立即 -1 5 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS )八4規格（210Χ297公釐） 3120^9 A7 B7 五、發明説明（） 將此鉻沉積物去除。一此類有用之溶液可藉由將25克之逯 碕酸納及5毫升之硫酸溶解在100毫升之去雄子水中而形 成。對應之浸入時間應為約2分鐘◊ 可用在本發明中之陶瓷基霣乃諸具有氧化鋁組成、氮化 鋁組成及氮化矽組成者。 例1 將一環氣樹脂/玻璃纖維（在業界一般稱做FR-4)印刷電 路板基質浸入一驗性清潔劑/去-油脂劑槽（品名為K2，由 Pennwalt Corporation of Co r n we Id Heights , Pennsylvania所售）中30秒鐘。接著M去離子水對該基質 沖洗2分鐘，之後將其浸人一10S!硫酸槽中10秒鐘K中和 Κ2槽之鹼性，再以去離子水沖洗2分鐘。 一鈀引晶溶液榷之準備乃藉由：首先將100 mL之水倒入 槽容器內，接著加2滴Tr it〇n X-1〇〇表面活化劑，之後加 入4.7克三草酸根絡锇酸鉀水合物，同時攪拌，直到其完 全溶解，最後加入0.7克氯化四氨基鈀-水合物，同時攪 拌，直到其完全溶解。 經濟部中央榡準局負工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將該環氧樹脂/玻璃孅維基質浸入上述之鈀引晶溶液槽 中5分鐘。在浸入期間，該槽經由—5微米濾茼持績過漶 粒子。在自此槽取雜時，Μ—所謂的空氣刀風乾該基質。 將該基質曝於UV光下：經由一面罩，用一 Tamarak Model 161B UV燈來達成光選擇引晶。撞擊在基質上之 UV光強度為62 mJ/CB2 。曝光時間為10秒鐘。 在光選擇引晶步驟後，將該基質浸入一維持在50-55度 -16 - 本紙涑尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X；297公釐） A7 B7 —〜一--- ------ 五、發明説明（） C之2M氫氧化鈉槽中2分鏞，以去除基質上引晶溶液層之 未曝光區域。 在自氫氧化納樓取離時，K去離子水對基質沖洗2分_ ，之後將其浸入碲酸中10秒鐘，接著再K去皤子水沖 洗1分鐘。 將該基質浸入—維持在室溫（約25度C)之無霄鋦沉積榷 15分鏡。结果，在該圖樣化鈀引晶層上形成一厚度達〗〇微 米之鋦打擊層。之後*將該基質浸入一傳統的工業無電鋦 沉積槽中。 在顯微鏡下對該基質做光檢視，証明了鋦只沉積在圖揉 化之鈀引晶層上，他處則無。铜黏附力非常好。 例2 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 I - · - -1 I - - «1^ _ - I* t-^I - - · - - n. n ί請先閲請背面之注意事項再填寫本頁} — PTFE, Model 2800印刷電路板基質（由Rogers Corporation of Rogers, Connecticut 購得）乃於初始時 用一鋦萡（包含氧化鉻）密封。接著以一傳統的HC1溶液 處理此基質以去除銅箔。之後，以一過硫酸納/磙酸水溶 液清洗該基質2分鐘K去除鉻沉積物。最後，除了不浸入 K2清潔槽外，其餘之處理步驟均與例1所述者相同。结果 同於例1 。 例3 一 PMDA-0DA聚醯亞胺薄瞑（品名為Kapton,由Dupont Company所售）於初始時浸入前述之鐮性溶液（包含氮氧 化納及Ν.Ν，Ν’，Ν·-四個（2-羥基丙基）乙二胺 > 中10分鐘K 進行基底水解。接著將其浸入一包含三草酸根絡锇酸鉀及 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4^ ( 2丨0乂297公釐） Α7 Β7 五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 氡化四氨基鈀之溶液中10分鐘Μ在該薄膜上形成一層引晶 溶液。 經由一面罩將該薄瞑瞜於UV光下以在該聚醯亞胺薄膜上 形成一圖樣化之鈀引晶層。將該薄膜浸入一維持在室溫之 2M氡氧化納水溶液中K去除引晶溶：：：：：：：：：：：：：：：：：：：： ::嚥Α膜浸入一工作在室溫之無霣鋦沉積槽中1 〇 分鐘K上，K在0樣化之鈀引晶層上形成一鋦打擊層。接 著將其浸入一熱的工業無電銅沉積槽中，Μ在打擊層上沉 積額外的_。之後，將該聚醢亞胺薄膜加熱至300度CK亞 胺化任何聚艟胺酸（可能於初始之基底水解期間及後續之 工業無電鋦沉積榷浸入期間形成者）。 在顯微鏡下對該基質做光檢視•証明了銅只沉積在圖樣 化之鈀引晶層上，他處則無。鋦黏附力非常好。 例4 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 將一 BPD A-PDA薄膜旋轉塗在一矽晶圓上，加熱Μ餺出鑄 型溶劑並將薄_固化為聚醯亞胺结構。將此薄膜浸人上述 之鹸性溶液（包含氫氧化納及Μ,Ν,Ν’，Ν’-四個（2-羥基丙 基乙二胺）中10分鑌Μ進行基底水解。接著將其浸入一包 含三草酸根络鐵酸鉀及氯化四氨基鈀之溶液中30分鐘，Μ 在該薄膜上形成一層引晶溶液。 經由一面罩將該薄膜暍於UV光下以在該聚睡亞胺薄膜上 形成一圖樣化之鈀引晶層。將該薄膜浸入一維持在室溫之 2 ΜΜ氧化納水溶液中Μ去除引晶溶液層之未曝光區域。 將該聚_亞胺薄膜浸入一操作在室溫之無電鋦沉積槽中 -1 8 * 本紙張尺中國國家標隼（CNS ) Α4規格（21〇X297公董1 Α7 Β7 五、發明説明（ * Μ在圈樣化之鈀引晶層上形成一铜打擊層。之後，將其 浸入一工業無霄_沉積槽中，Κ在打擊層上沉積額外的銅 。之後，將該聚瞌亞胺薄瞑加熱至300度C以亞胺化任何 聚醯胺酸（可能於初始之基底水解期間形成者）。结果同 於例3所達成者。 儘管本發明已Μ諸較佳實豳例做了說明，習於此藝者將 了解到在未偏離本發明精神及範疇下*許多形式上及细節 上之改赛均為可能。 —I-1— I - I I - I- —1' I 1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -19- 本紙張尺度適用中國國家橾隼（CMS ) A4规格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 312079 ί88 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種對基筲實施選擇性金靨化之方法，包含Μ下步驟： 在該基霣之一表面形成一層溶液•該溶液具有一组成 ，該組成包括一含第一金鼷化合物及一光反應草酸鹽化 合物； 將該層之獲選區域曝光，從而在對應於該層各獲選區 域之該基質各區域上形成該第一金屬；及 自該基筲去除該層之未曝光區域，同時大致未在該第 一金屬或該層之未曝光區__上沉積任何金屬。 2. 根據申請專利範圍第1項之方法，更包含將該基質浸入 —第二金靨沉積槽之步软，從而將該第二金鼷沉積在該 第一金靨上。 3. 根撺申請專利範圍第1項之方法，其中該含第一金靨化 合物具有一般化學式，其中Μ表一金屬陽離子， L為一路易氏鹼配位基，X表一陰離子，Β及η代表整 數。 4- 根捸申請專利範圍第3項之方法，其中Η為。 5. 根撺申請專利範圍第3項之方法，其中Μ為Pt ◊ 6. 根摁申請專利範圍第3項之方法，其中Μ為Αιι(^。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再球寫本頁) 7. 根撺申請專利範圍第3項之方法，其中Μ為 8. 根撺申請專利範圍第3項之方法，其中Η為Ag 。 9. 根據申請專利範圍第3項之方法，其中L為一含氮之配 位基。 10-根據申請專利範圍第9項之方法，其中L為HH3。 U.根據申請專利範圍第9項之方法*其中L為乙二胺。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 312079 鉍 C8 D8 々、申請專利範圍 12. 根據申請專利範圍第3項之方法，其中X為F(_1)。 13. 根據申請專利範圍第3項之方法，其中X為Cl卜u。 ~ 14.根據申請專利範圍第3項之方法*其中X為Brh1^ 15. 根據申請專利範圍第3項之方法•其中X為（S(U)卜2 > 〇 16. 根據申請專利範圍第3項之方法’其中X為 0 17 .根據申請專利範圍第1項之-方法，其中該光反思草酸鹽 化合物具有一般化學式Y-M((C2〇4)3)p· p表一整數。 18. 根據申請專利範圍第17項之方法，其中Y為一鹼金屬離 子。 19. 根據申請專利篛圍第17項之方法，其中Y— 20. 根據申請專利範圍第17項之方法•其中Y為Ha 。 21. 根據申請專利範圍第17項之方法，其中Y包括 (NH4)(…。 22. 根據申請專利範圍第17項之方法，其中Μ為Fe« + 3)。 23. 根據申請專利範圍第17項之方法，其中Η為Ru〃3)。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再>寫本頁) 24. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該基質具有一包 括環氧樹脂之姐成。 ‘25.根撺申請專利範圍第1項之方法，其中該基質具有一包 括含氟聚合物之组成。 26. 根據申請專利範圍第25項之方法，其中該含氟聚合物為 聚四氟乙烯。 27. 根據申請專利範圍第25項之方法，其中該含氟聚合物為 -χΐ -* 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ：297公釐） A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 四氟乙烯與六氟丙烯之一共聚物。 28. 根據申請專利範圍第25項之方法·其中該含氟聚合物為 四氟乙烯與全氟烷氧基乙烯基乙醚之一共聚物。 29. 根據申請專利範圍第25項之方法，其中該含氟聚合物為 無定形之含氟聚合物，且為聚四氟乙烯與一具有一氟化 二噁茂環鐽段之化合物之一共聚物。 、〇.根據申請專利範圍第1項之方法，其中該基質具有一包 括聚醢亞胺之组成。 一— 31. 根揀申請專利範圍第30項之方法，其中該聚藤亞胺具有 —包括BPDA-PDA之組成。 32. 根據申請專利範圍第30項之方法，其中該聚睡亞胺具有 一包括BPDA-0DA之組成。 33. 根據申請專利範圍第30項之方法*其中該聚醢亞胺具有 —包括PMDA-0DA之組成。 34. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該基筲為一陶瓷 基質。 35. 根據申請專利齬圍第34項之方法·其中該陶瓷基質具有 —包括氧化鋁之組成。 36·根據申謫專利範圍第34項之方法*其中該陶瓷基質具有 一包括氮化鋁之組成。 37.根據申請專利範圍第34項之方法，其中該陶瓷基質具有 —包括氮化矽之组成。 38·根撺申請專利範圍第2項之方法，其中該第二金«為 C u ° 】 裝 訂 -* (請先閱讀背面之注意事項茗与寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 312079 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 ο 4 法 法 方 方 之 之 項 項 2 2 第 第 圍 圍 範 範 利 利 專 專 請 請 申 申 據。搏 根CO根 第 該 中 其 為 屬 金 第 該 中 其 為 屬 金 法 方 之 項 2 第 圍 範 利 專 請 申 據 根 第 該 中 其 為 羼 金 (請先閱讀背面之注意事項务母爽本頁) '装- 訂 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 Λ/ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）