JP5780798B2 - 無電解メッキパターン形成用組成物、塗布液、及び無電解メッキパターン形成方法 - Google Patents
無電解メッキパターン形成用組成物、塗布液、及び無電解メッキパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5780798B2 JP5780798B2 JP2011068062A JP2011068062A JP5780798B2 JP 5780798 B2 JP5780798 B2 JP 5780798B2 JP 2011068062 A JP2011068062 A JP 2011068062A JP 2011068062 A JP2011068062 A JP 2011068062A JP 5780798 B2 JP5780798 B2 JP 5780798B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electroless plating
- metal
- substrate
- plating pattern
- pattern forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
(1)チタンブトキシドポリマー、有機酸からなる光増感剤、及び塩化パラジウムの混合液を基板に塗布する。
(2)フォトマスクを通して紫外線照射することで、照射部に光触媒作用でパラジウム金属微粒子を析出させる。なお、この照射部は、後に無電解メッキパターン(パターン化金属微細線)が形成される部分となる。以下では、この部分をパターン部とする。
(3)溶液処理で未露光部(パターン部以外)の金属イオン(塩化パラジウムイオン)を除去する。
(4)無電解メッキを行う。このとき、パラジウム金属微粒子が析出しているパターン部のみにおいて選択的に無電解メッキの膜が成長し、無電解メッキパターンが形成される。
・溶液処理を行っても、パターン部以外の金属イオンを十分に除去できないと、無電解メッキの際に、メッキ液中の還元剤により、パターン部以外にも触媒金属微粒子(パラジウム金属微粒子)が生成し、金属が析出してしまう。
本発明の無電解メッキパターン形成用組成物を用いれば、無電解メッキパターンから成るパターン化金属微細線を正確に、短時間で形成することができる。
前記触媒金属としては、例えば、無電解メッキで用いられる公知の触媒金属を用いることができる。具体的には、パラジウム、銀、金、白金、ニッケル、銅等が挙げられる。中でも無電解メッキで用いられる多くの還元剤に対して良好な酸化触媒となり得るパラジウムが好ましい。
本発明の無電解メッキパターン形成方法によれば、無電解メッキパターンから成るパターン化金属微細線を正確に、短時間で形成することができる。
本発明の無電解メッキパターン形成方法では、例えば、基体に直接塗布液を塗布してもよいし、基体上にバインダーを塗布し、そのバインダーの乾燥後に塗布液を塗布して、2層膜を形成してもよい。バインダーを塗布することで、塗布液により形成される膜と基体との密着性がより向上する。
1.塗布液の調製
(塗布液A)
(i)酸化チタンナノ粒子の合成
チタンテトライソプロポキシド(Aldrich)を、その濃度が0.548 Mになるように、0.1M硝酸に添加し、超音波処理で加水分解物を分散した後、100 ℃で8時間加熱攪拌した。ロータリーエバポレイターで溶液分を除去した後、固形分を再び、同量の0.1M硝酸に懸濁し、テフロン(登録商標)製加圧容器に入れ、密閉した後、180 ℃で6時間加熱した。得られた酸化チタンナノ粒子溶液を超音波処理して、酸化チタンナノ粒子を分散した。
(ii)光還元析出によるパラジウム微粒子の担持と表面修飾
前記(i)で得られた酸化チタンナノ粒子分散液にアセトンを添加して酸化チタンナノ粒子を凝集させ、遠心分離で酸化チタンナノ粒子を沈殿させた。これをアセトンで一回洗浄した後、酸化チタンナノ粒子を、そのチタン原子濃度が0.278Mになるように、50vol%エタノール水溶液に懸濁した。この懸濁液に、塩酸水溶液に溶解した0.1M塩化パラジウムを、パラジウム濃度が2.78mMになるように添加した(酸化チタン中のチタン原子濃度に対して1atom%)。これをシャーレに開け、マグネチックスターラーで攪拌しながら、超高圧水銀ランプから発せられる紫外線(60mWcm-2@365nm)を3分間照射して、パラジウム微粒子を酸化チタンナノ粒子の表面上に還元析出させた。紫外線照射直後から、パラジウムの還元析出に伴い、溶液は黄褐色から灰色に変化した。
(iii)感光性金属アルコキシドの添加
0.5Mチタンブトキシドポリマー(Aldrich)の1-メトキシ-2-プロパノール溶液に乳酸エチル(感光性を付与する配位子)を添加し、これを所定量のエタノールで希釈し、最後に上記(ii)で調製した表面修飾パラジウム担持酸化チタンナノ粒子懸濁液を混合することで、塗布液Aを完成した。この塗布液Aには、感光性金属アルコキシド(乳酸エチルが配位したチタンブトキシドポリマー)が含まれる。
(塗布液B)
塗布液Aの場合と同様に、酸化チタンナノ粒子分散液を得た。この酸化チタンナノ粒子分散液にアセトンを添加して酸化チタンナノ粒子を凝集させ、遠心分離で酸化チタンナノ粒子を沈殿させた。これをアセトンで一回洗浄した後、酸化チタンナノ粒子を、そのチタン原子濃度が0.278Mになるように、N,N-ジメチルアセトアミドに懸濁した。
(1)膜を形成する工程
反応性酸素プラズマで処理した基板に、チタンブトキシドポリマーからなるバインダーを、1000rpm、30secのスピンコートで塗布し、100 ℃で30sec乾燥させた。このバインダーとは、チタンブトキシドポリマーを0.25Mの濃度で含むとともに、乳酸エチルを1Mの濃度で含むエタノール溶液である。次に、バインダーを塗布したガラス基板上に、塗布液Aを、4000rpm、30secの条件でスピンコートした。これを100℃で1分間乾燥した。
(2)露光及び現像工程
前記(1)で膜を形成した基板にフォトマスクを載せ、超高圧水銀ランプの光に2分間露光した。露光は、図2の(a)に示すフォトマスクと用いた場合と、(b)に示すフォトマスクと用いた場合とで、それぞれ行った。
(3)無電解メッキ工程
前記(2)において作成した触媒パターン付き基板を、50 ℃に熱した無電解銅メッキ液に5分間浸漬することで、銅を析出させた。無電解銅メッキ液の組成は表4に示すとおりである。
なお、図3に、上述したパターン化金属微細線の形成手順をまとめて示す。
(1)図4の(a)、(b)に、基板としてPEN基板を用い、フォトマスクとして図2の(a)に示す「5μm-90Tフォトマスク」を用いた場合のパターン化パラジウム担持酸化チタン膜の光学顕微鏡写真を示す。この写真により、パラジウム担持酸化チタンからなる線幅5μmのメッシュ状パターンを形成できたことが確認できた。
(2)図5の(a)に、基板としてガラス基板を用い、フォトマスクとして図2の(b)に示す「2μm-80Tフォトマスク」を用いた場合のパターン化パラジウム担持酸化チタン膜の光学顕微鏡写真を示す。この写真により、パラジウム担持酸化チタンからなる線幅3μmのメッシュ状パターンを形成できたことが確認できた。
例えば、塗布液Aの代わりに塗布液Bを用いて無電解メッキパターン(パターン化微細銅線)を形成しても、塗布液Aを用いた場合と略同様の効果が得られる。
101・・・金属化合物粒子、103・・・有機物、105・・・触媒金属微粒子
Claims (6)
- 表面を有機物で修飾されるとともに、前記表面に触媒金属微粒子を担持した金属化合物粒子を含む無電解メッキパターン形成用組成物。
- 前記有機物は、3-ヒドロキシ-4-ピロン誘導体、又は1,2-ジオールであることを特徴とする請求項1記載の無電解メッキパターン形成用組成物。
- 前記触媒金属は、パラジウム、銀、白金、ニッケル、及び銅からなる群から選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1又は2記載の無電解メッキパターン形成用組成物。
- 金属アルコキシドに化学式1〜3のいずれかで表される配位子が配位して成る感光性金属アルコキシドを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の無電解メッキパターン形成用組成物。
化学式1〜3におけるR1、R2、R3、R4は、炭化水素又は水素である。化学式2、3におけるXは、O、S、N−CnH2n+1(nは整数)、CH2のいずれかであり、Yは、OH、ONa、OKのいずれかである。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の無電解メッキパターン形成用組成物を含むことを特徴とする塗布液。
- 請求項5記載の塗布液を基体に塗布して膜を形成する工程と、
前記基体に対し露光及び現像を行う工程と、
前記基体に対し無電解メッキを行う工程と、
を含むことを特徴とする無電解メッキパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011068062A JP5780798B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 無電解メッキパターン形成用組成物、塗布液、及び無電解メッキパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011068062A JP5780798B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 無電解メッキパターン形成用組成物、塗布液、及び無電解メッキパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012203224A JP2012203224A (ja) | 2012-10-22 |
JP5780798B2 true JP5780798B2 (ja) | 2015-09-16 |
Family
ID=47184298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011068062A Expired - Fee Related JP5780798B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 無電解メッキパターン形成用組成物、塗布液、及び無電解メッキパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5780798B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107210260A (zh) * | 2015-02-16 | 2017-09-26 | 英特尔公司 | 微电子内建层及其形成方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6379975A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 金属めつきされた無機粒子粉末の製造方法 |
JPH05136563A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 配線板の製造法 |
KR100815376B1 (ko) * | 2006-08-17 | 2008-03-19 | 삼성전자주식회사 | 신규한 금속패턴 제조방법 및 이를 이용한 평판표시소자 |
JP5554003B2 (ja) * | 2009-03-17 | 2014-07-23 | 東海旅客鉄道株式会社 | 薄膜形成方法 |
-
2011
- 2011-03-25 JP JP2011068062A patent/JP5780798B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012203224A (ja) | 2012-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5510216A (en) | Selective metallization process | |
TW312079B (ja) | ||
JPH05202483A (ja) | 無電解金属化方法と組成物 | |
TW201526987A (zh) | 奈米銀複合二氧化鈦溶膠光觸媒之製法、光觸媒塗佈液、光觸媒構件及其利用方法 | |
WO2007085911A2 (en) | Modified nanostructured titania materials and methods of manufacture | |
JP5694265B2 (ja) | 無電解めっき方法及び無電解めっき膜 | |
JP2008047874A (ja) | 新規の金属パターンの製造方法及びこれを用いた平板表示素子 | |
JP4172996B2 (ja) | 金属パターン形成用有機金属化合物及びこれを用いた金属パターン形成方法 | |
JP6681831B2 (ja) | パターン化された金属被膜を製造する方法 | |
JP2000073176A (ja) | シリルハイドライド機能性樹脂上への非電解金属析出法 | |
Shi et al. | Molecular layer deposition of a hafnium-based hybrid thin film as an electron beam resist | |
JP5780798B2 (ja) | 無電解メッキパターン形成用組成物、塗布液、及び無電解メッキパターン形成方法 | |
JP3058063B2 (ja) | 無電解めっきのための活性化触媒液および無電解めっき方法 | |
JP4628914B2 (ja) | 回路パターン形成方法 | |
JP5554003B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP3111891B2 (ja) | 無電解めっきのための活性化触媒液および無電解めっき方法 | |
JP5988151B2 (ja) | 3次元多層構造体の製造方法 | |
JP5734045B2 (ja) | 感光性金属アルコキシド、塗布液、及びパターン化膜の形成方法 | |
EP0729293B1 (en) | Selective metallization process | |
WO2006057242A1 (ja) | 遷移金属の還元方法、それを用いたケイ素含有重合体の表面処理方法、遷移金属微粒子の製造方法、物品および配線基板の製造方法 | |
Byk et al. | Photochemical selective deposition of nickel using a TiO2–Pd2+ layer | |
JP5818480B2 (ja) | 薄膜形成用組成物、塗布液、及び薄膜形成方法 | |
Perkas et al. | Modification of Parylene film-coated glass with TiO2 nanoparticles and its photocatalytic properties | |
JP5787569B2 (ja) | 金属薄膜パターンの製造方法 | |
JP2003262712A (ja) | 光学膜被覆物品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150623 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150714 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5780798 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |