CN1055818C - 一种使基板选择金属化的方法 - Google Patents

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Abstract

一种使基板选择金属化的方法，例如在诸如印刷电路板基板、聚酰亚胺基板或陶瓷基板等基板上形成电路的方法，重要的是，该方法不使用光刻胶，或相应的化学显影剂或脱胶剂。更确地说，根据本方法，在合用的基板表面形成底质溶液层。通过掩模对该层用适当波长的光暴光，导致在基板表面的相应于溶液层暴光区的区域形成底层金属。使底质溶液层的暴光区和未暴光区经碱性溶液处理去掉底质溶液层的未暴光区。此后，用常规技术在底层金属上淀积如电镀补充金属。

Description

一种使基板选择金属化的方法
本发明涉及一种选择性金属化的方法，例如在印刷电路板基板、聚酰亚胺基板或陶瓷基片等基板表面形成电路的方法，该法不需要使用光刻胶。
通常，一块基板，如印刷电路板基板有选择地金属化，例如首先在基板表面形成有图形的钯(Pd)底层，在基板上形成电路。然后，将所得基板浸入金属镀池，如无电极的铜镀池中，使溶液中的相应金属，如铜有选择地从溶液中只淀积到底层图形上。选择淀积的铜则构成所需的选择金属化，如所需的电路。
当形成底层图形时，使用增(添加)减(去除)工艺过程。在去除工艺过程中，首先在合用的基板表面上形成无图形的，如钯底层。这是通过例如在基板表面上溅射底层金属来完成的。另一办法是从溶液中淀积底层金属。例如，从含钯盐和氯化锡的溶液中很容易在基板表面上淀积出无图形的钯层。一旦淀积了底层金属，在底层上淀积一层光刻胶，通过带有预定图形的掩模进行暴光，再经显影。后使用定形的光刻胶作蚀刻掩模，蚀刻，例如化学下面的底层。此后，用化学法剥落光刻胶，仅留下定形的底层。
在添加工艺过程中，首先在合用的基板表面淀积光刻胶层，通过掩模进行暴光、再显影。然后用有图形的光刻胶层作淀积掩模，在合用的基板表面上淀积底金属，如钯。然后化学剥落有图形的光刻胶层(连同淀积在光刻胶上的底金属)，仅留下淀积到光刻胶图形的通道内的底金属，构成底层图形。
众所周知，使用光刻胶及相应的化学显影剂、脱胶剂对环境是有害的。所以，期望开发出一种不依赖使用光刻胶形成底层图形的方法。
一种不依赖使用光刻胶形成底层图形的方法已由Thomas II.Baum等人披露(见“Photoselective Catalysis of Electroless CopperSolutiou for the Formation of Adherent Copper Film onto Poly-imide”，Chem.Mater.，Vol.3，No.4，1991，pp714-720)。根据该杂志文献，将基板表面浸入底质水溶液中，在聚酰亚胺基板上形成钯底层图形。该溶液包含水合三草酸高铁钾(M3Fe((C2O4)3)和四氨合氯化钯(Pd(NH3)4Cl2)。然后用UV光通过一掩模辐照基板表面上的所得底质溶液层，将钯金属从溶液的UV辐照区光致选择地淀积到基板表面上。其结果，不用光刻胶就形成了有图形的钯底层(该有图形的底层与底质溶液层的非暴光区保持接触，并被非暴光区包围。)
根据Baum等人的杂志文献，将如前所述制成的有图形的钯底层的聚酰亚胺基板浸入pH值为12的无电极铜镀池中，使得铜仅淀积在钯上。然而，如下所讨论的，本发明者等发现将第2、第3、第4片……聚酰亚胺基板连续浸入同一无电极铜镀池中，很快出现了严重的难题。当将上述的光致选择钯积方法用于其它有机基板，诸如制作印刷电路极中的所用的环氧树脂/纤维玻璃基板和含氟聚合物基板时，也出现了完全相同的难题。再有，将上述光致选择钯淀积方法用于无机、陶瓷基板，诸如氧化铝基板、氮化铝基板及氮化硅基板时，也产生了同样的难题。
本发明包括当使用Baum等人的杂志文献中披露的方法，在基板，诸如聚酰亚胺基板、印刷电路板基板或陶瓷基板上形成有图形的底层，如钯底层图形，然后将基板浸入金属镀池如无电极铜镀池中，形成相应的电路时，本发明者等发现，金属往往不只淀积在底层图形上。而且金属也淀积到留在基板表面上的底质溶液光敏层的未暴光区，这种有害的金属淀积的频度是随浸入同一金属镀池的基板数量的增加而增加的。因此，在这种基板表面上所形成的电路会出现不希望有的短路。另外，还发现基板浸入的金属镀池已被未暴光的底质溶液沾污而变得不稳定。
本发明还包括下列发现，在将基板浸入相应金属镀池之前，通过去掉留在基板表面上的底质溶液光敏层的非暴光区，只留下定形的底层，可避免上述的有害金属淀积和镀池不稳定的问题。让底质溶液光敏层的暴光区和非暴光区经受碱性溶液，如用氢氧化钾溶液处理，即可排除上述问题。在此排除过程中，基本上没有金属淀积到底质溶液层的未暴光区或底层图形上。
值得注意，将底质溶液光敏层暴光区和非暴光区经受碱性溶液处理的附加工艺步骤达到了意料不到的有益效果。即底质溶液层比如是用三草酸高铁钾和四氨合氯化钯形成的，然后将底质溶液光敏层暴光区和非暴光区经受上述碱溶液处理，不仅去掉非暴光区，而且形成铁的氧化物，如氧化氢氧化铁(FeOOH)—环绕底金属的凝胶。此凝胶防止了底金属的氧化，因而容许带有底层图形的基板在浸入金属镀池之前可存放数个月。而且，当基板浸入镀池中时，凝胶在金属镀池中很快扩展并变为可穿透的。因而允许金属容易淀积到有图形的底层上。
本发明还包括下列发现，除钯的底层图形之外，在基板上也容易光致选择形成比如铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)的底层图形。根据本发明，是用UV光通过掩模对底质溶液的适当光敏层进行暴光，然后按上述方法，再去掉这些层的未暴光区，形成所有的底层图形。值得注意，各底质溶液的这种光敏层的组分包括含金属的水溶性化合物和光敏的水溶性草酸盐化合物。
本发明包括一种选择性地金属化，例如在基板上，如在印刷电路板基板、聚酰亚胺基板或陶瓷基板上形成电路的方法。值得注意，该法不需要使用光刻胶或为了显影和去掉这种光刻胶所需的相应化学物质。
根据本发明的方法，用下述的光致选择工艺，首先，在基板表面上形成金属底层图形。这里的底层图形的金属最好是钯(Pd)。替代的办法，该底层图形的金属(可以)是铂(Pt)、金(Au)或银(Ag)。
根据本发明的光致选择工艺，首先形成底质溶液镀池，将合用的基板浸入该镀池中。另一办法是将这种镀液作为涂镀在基板上的底质溶液源。值得注意，底质溶液是水溶液，其组分包括含金属的水溶性化合物和光致反应的水溶性草酸盐化合物(对于本发明，光致反应草酸盐化合物是一种当以适当波长的光照射时能与含金属的化合物进行反应的草酸盐化合物，在反应过程中，将含金属的化合物中的铁还原成相应的碱金属)。
含金属的水溶性化合物，参照上面，一般的化学式为MLmXm，其中的M代表金属正离子，L代表含氮的路易斯(Lewis)碱配合体，x代表负离子，而m和n代表整数。若有图形的底质是钯(Pd)、铂(Pl)、金(Au)或银(Ag)，则M代表Pd(2+)、Pt(2+)、Au(1+)、Au(3+)或Ag(+1)(按常规。本说明通篇所用的上角标全代表氧化状态)。路易斯(Lewis)碱配合体L是单基配合体或多基配合体，如NH3或乙二胺。负离子x例如是F(-1)、Cl(-1)、Br(-1)、(SO4)(-2)或(NO3)(-1)。例如若M代表Pd(+2)，则MLmXm，最好是Pd(NH3)4Cl2。这就是四氨合氯化钯，更普遍地写成(NH3)4PaCl2(当然，上述含金属的化合物MLmXm的水合形式也被本发明所包含)。
光致反应水溶性草酸盐化合物，参照上文，一般化学式为YpM((C2O4)3)p，其中的p代表整数。其中的Y例如代表碱金属离子，如K(+1)或Na(+1)。或者Y代表或包括季铵离子，即(NH4)(+1)。此外，M代表铁离子，即FeKe(+3)或钌离子，即Ru(+3)。若有图形的底层例如是钯，则光致反应水溶性草酸盐化合物最好是草酸铁钾(三草酸高铁钾)即K3Fe((C2O4))3。(同上，上述的光致反应水溶性草酸盐化合物，YpM((C2O4)3)p的水合形式也为本发明所包含)。
虽非必要，但底质镀池最好还包括表面活性剂，如Rohm Haascompany(Philadelphia，Pennsylvania)出售的商标为Triton x-100的表面活性剂。
为确保在底质溶液池中，用光致反应草酸盐化合物使含金属化合物完全还原，前者对后者的摩尔比至少应是8∶1，最好为10∶1。考虑到这种条件限制，底质溶液池中含金属化合物的浓度应在约4-9.5g/L(克/升)，最好是7g/L。浓度低于约4g/L是不好的，因为有不希望有的小量底质金属淀积到相应的基板上。浓度大于9.5g/L也不好，底质溶液在9.5g/L时是被含金属化合物饱和的，再加入这种化合物也不会溶解在溶液中。
光致反应草酸盐化合物在底质溶液池中的浓度在约25g/L-65g/L的范围，最好是47g/L。低于25g/L的浓度是不好的，因为这暗示着没有足够的光致反应材料来还原所有在含金属的化合物中的金属。浓度高于65g/L也不好，因为该底质溶液已被65g/L浓度的草酸盐化合物饱和，再加添这种化合物也不含溶解到溶液中。
表面活性剂在底质溶液镀池中的浓度，若用的话，在约0.02ppm-2ppm，最好为1ppm。浓度小于0.02ppm是不好的，因为溶液的其它成分导致相应的衬底湿润不好。浓度大于2ppm也不必要，即再多也不再增强湿润效果。
当形成底质溶液时，镀液的成分按下列顺序加到镀槽中以避免镀液不稳定性：(1)加水；(2)加表面活化剂；(3)加光致反应草酸盐化合物，同时搅拌直至光致反应草酸化合物完全溶解；(4)加含金属化合物，同时搅拌，直至含金属化合物完全溶解。应予注意，上述步骤应该，比如在黄光下进行，以避免光致反应草酸盐化合物分解。
举例来说，若有图形的底层是钯，则相应的底质溶液的成分包括四氨合氯化钯、三草酸高铁钾及Triton x-100表面活性剂，首先比如将100mL的水注入在镀槽中，容易形成稳定的镀溶。然后应该将如两滴Triton x-100g表面活性剂加到镀液中。然后应该比如将4.7克水合三草酸高铁钾加到镀液中，同时搅拌，直至水合三草酸高铁钾完全溶于镀液中。最后，应该比如将0.7克单水合回氨合氯化钯加到镀液中，同时搅拌，直到后者完全溶于镀液中。
应予注意，最好马上用常规的滤芯，比如普通的5μm滤芯过滤底质镀液，去掉镀液中的颗粒。若溶于镀液的光致反应草酸盐化合物是三草酸高铁四，则这些颗粒一般就是含铁的颗粒，如氧化铁颗粒。一般认为这些颗粒形成于镀液中，这是因为草酸盐化合物对光是敏感的，而镀溶又免不了暴光。这些颗粒是令人讨厌的，应予除掉，以免这些颗粒淀积到浸入镀液中的衬底上。此外，若这些颗粒浓度过高可能使镀液变得不稳定。
在底质镀液形成后，将待用的基板浸入镀液中，以在合用的衬底表面上形成底质溶液光敏层。该层的厚度在约20-60A的范围，最好为约40A。厚度小于20A是不好的，因为所得底金属的覆盖率尚不完全，底金属具有讨厌的大量针孔。厚度大于60A也不必要，因为再厚也没有什么优点。
现有用紫外(UV)光，即波长范围在约300-450nm优选约200-450nm的光通过掩模照射底质溶液的光敏层。一种稳定的UV光源比如是UV灯(Model 161B，Tamarak Scientific company，Ana-heim，California)。如上所述，用这种UV光照射到底质溶液上导致光诱导反应，在底质溶液光敏层对应于暴光的表面区形成金属，如钯。照射到底质溶液层上的UV光强在约20-180mJ/cm2的范围，最好为约65mJ/cm2。光强低于20mJ/cm2是不好的，因为不足以使含金属化合物与草酸盐化合物充分反应。光强大于180mJ/cm2也不好，因为在草酸盐化合物与含金属化合物的反应过程中所形成的中间产物会被分解，形成讨厌的氧化物，如氧化铁，淀积在相应的衬底上。显然，金属，如铜将不镀到这种氧化物上。
鉴于含金属化合物与草酸盐化合物之间的反应，认为UV光的照射导致草酸根的形成，起到将含金属化合物中的金属离子还原为碱金属的作用。
在有用基板表面光致选择形成底层图形之后，因上述现由去掉仍接触包围底层图形的底质溶液光敏层的未暴光区。根据本发明，这一步是将基板浸入碱性溶液，如氢氧化钠水溶液中实现的。显然，此碱性溶的pH值应至少为14，其温度应在40-55℃的范围。温度与pH值分别低于40℃和14是不希望的，因为相应的溶液不能去掉所有的未暴光的底质溶区，并产生不希望有的少量的比如氧化铁凝胶，温度高于55℃也是不希望的，因为相应的溶液能把底质溶液的暴光区和未暴光区全去掉。
举例来说，可用的碱性溶液是氢氧化钠水溶液，其浓度比如为2M，其温度在55℃。
应予注意，对于聚酰亚基板，上述碱性溶液无需加热到室温以上的温度(约25℃)。即使用维持在室温的碱性溶液很容易去掉相应于底质溶液的光敏层的未暴光区，将聚酰亚胺基板的表面弄得干干净净。
按上述提示，使用碱性溶液去掉底质溶液层未暴光区具有意料不到的在底金属周围也形成铁或钌的氧化物凝胶，如氧化氢氧化铁或氧化氢氧化钌凝胶的有益效果。这种凝胶是有用的，因为它防止了金属氧化，并允许相应的基板在浸入金属镀液之前存放数月。此外，当浸入金属镀液时，凝胶会扩展，并在此镀液中变为完全可穿透的，允许金属淀积到底金属上。(应予注意凝胶的量，相对于被镀金属和底金属的量，是极小的，对被镀金属的功效没有可察觉到的影响。)相反，若使用酸性溶液去除底质溶液光敏层的未暴光区，则发现这种去除工艺必须导致底金属的氧化。这是非常不利的，因为当相应的基板浸入金属镀液中时，基本没有金属淀积到已氧化的底质金属上。还有，这种酸性溶液会将底质溶液光敏层的暴光区和未暴光区一起去掉。
如上所述当除去底质溶液层的未暴光区后，现在的基板已可以通过无电极金属电极在底金属上淀积金属。对此，若底质金属由钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)或银(Ag)组成，应予注意，各种金属都易于淀积到这种底质金属上。所说的各种金属当中包括铜(Cu)、钴(Co)、镍(Ni)和金(Au)。
众所周知，常规工业金属镀池，如常规工业无电极铜镀液工作在较高的温度，如72℃。这是不利的，因为将带有底层图形的基板直接浸入这种工业金属镀池中将导致底层图形的部分或总破坏。为避免这种破坏，根据本发明，首先将带有底层图形的基板浸入工作在室温(约25℃)的相应金属镀池中。这种浸入的目的在于在底层上淀积较薄的金属层，下文称为触击电镀层，当将基板浸入工业金属镀池中时，起保护底层的作用。应予注意，这种触及电镀层的厚度应至少是1μm，以达到对底层的有效保护。
当在底层图形上形成触击电镀层后，基板可浸入工业金属镀池中，以在触击电镀层上淀积补充金属。
如上提示，本发明对各种基板的选择金属化是适用的，如聚酰亚胺基板，印刷电路板基板及陶瓷基板都是适用的。在聚酰亚胺基板当中包括其组分为聚苯四羧酸二酐-苯二胺(BPDA-PDA)和联苯四羧酸二酐-氧化双苯胺(BPDA-ODA)的板材。在聚酰亚胺基板当中还包括那些其组分为1，2，4，5苯四酸二酐-氧化双苯胺(PMDA-ODA)的板材。显然，针对每种聚酰亚胺基板，人们发现，若在聚酰亚胺表面上形成底质溶液层之前聚酰亚胺表面已被碱水解，那么淀积到聚酰亚胺基板表面的底层图形上的金属，如铜的粘附力实质上是增加了。将基板表面浸入，例如氢氧化钠水溶液和N，N，N′，N′-四(2-羟基丙基)乙二胺中10-30分钟很容易做到这点。前者的浓度优选在约2M-2.5M的范围，而后者的浓度优选在约0.05M-0.1M的范围内。然而，显然聚酰亚胺基板的碱水解增强了金属的粘附力，但不希望采用这种水解，因为聚酰亚胺会被转化成相应的聚酰胺酸二钠盐。
仍针对上述聚酰亚胺，其组分包括聚苯四羧酸二酐-苯二胺及联苯四羧酸二酐-氧化双苯胺的板材与其组分包括1，2，4，5苯四酸二酐-氧化双苯胺的板材之间是有区别的。即前者耐热碱性镀液，即耐加热到高于室温的温度的碱性镀液的冲击，而后者耐不住这种冲击(当然，在足够高的温度，即在150℃和/或在足够高的pH值，即pH值为14时，即使聚苯四羧酸二酐-苯二胺和联苯四羧酸二酐-氧化双苯胺也要经受冲击)。随后，当前者浸入工业金属镀池即一般碱性镀池时，没有负作用。然而，当后者浸入热工业金属镀池时，基板未被底层图形覆盖的面积可能被冲击，因而转换成相应的聚酰氨酸。
所幸的是由上述碱水解过程和金属电镀过程引起的聚酰亚胺到聚酰氨酸的转换是可逆的。即，在各种情况下，电镀之后，可将聚酰亚胺基板加热，以便用与使聚酰氨酸转换为相应的聚酰亚胺常规使用的过程与温度，将任何聚酰氨酸转换为相应的聚酰亚胺。因引，在碱水解和金属电镀过程中蒙受的任何损伤均可容易地加以补救。
在通过本发明易于选择金属化的印刷电路板基板当中包括其组分为环氧树脂/纤维玻璃的一些板材。此外，本发明也适用于其组分包括含氟聚合物的印刷电路板基板。这些基板的组分包括：(1)聚四氟乙烯(PTEE)；(2)四氟乙烯和六氟丙烯的共聚物；(3)四氟乙烯和全氟烷氧乙烯醚的共聚物；以及(4)聚四氟乙烯和有一个或多个氟化的间二氧杂环戊烯环链段的化合物的共聚物。关于(4)应予注意，这种基板往往有无定形的结构。
致于其组分包括PTFE又经致密化的印刷电路板基板，已发现其表面往往含有讨厌的铬淀积物。这种淀积物是不希望有的，因为铬起类似底金属作用，导致金属，比如铜镀在不该电镀的地方。显然，已发现在底质溶液光敏层形成之前，将基板浸入过硫酸钠/硫酸水溶液中，很容易去掉这种铬淀积物。一种适用的溶液是将25g的过硫酸钠和5ml的硫酸溶解到100mL的去离子水中形成的。相应的浸泡时间应在约2分钟。
在通过本发明易于选择金属化的陶瓷基板当中包括：那些具有氧化铝组分、氮化铝组分及氮化硅组分的板材。实施例1
将环氧树脂/纤维玻璃(商业上一般称为FR-4)印刷电路板基板浸入碱清洁剂/脱脂剂(商品名K2，Pemwalt Corporation(Corn-weld Heights，Pennsylvania)售出)的液池中30秒。然后，用去离子水冲洗该基板2分钟，浸入10％硫酸池中10秒，中和K2池的碱性，再用去离子水冲洗2分钟。
首先将100mL的水注入镀液槽中，然后，加2滴Triton x-100表面活性剂到镀池中，制备钯底质溶液镀液。之后，将4.7g的三草酸高铁钾水合物加到镀液中，同时搅拌，直至三草酸高铁钾水合物完全溶解。最后将0.7g的四氨合氯化钯单水合物加到镀液中，同时搅拌，直至水合四氨合氯化钯完全溶解。
将环氧树脂/纤维玻璃基板浸入上述的钯底质溶液池中5分钟。在浸泡过程中，使镀液通过5μm滤芯连续过滤。从镀液中取出，用俗称气刀使基板风干。
用Tamarak Model 161B UV灯通过掩模使基板对UV光暴光，达到光致选择打底。照射到基板上UV光强是62mJ/cm2(Sup2)。暴光时间为10秒。
在光致选择打底步骤之后，将基板浸入2M氢氧化钠池中，保持在50-55℃，时间2分钟，去掉基板上底质溶液层的未暴光区。
从氢氧化钠池中取出后，用去离子中洗基板2分钟，再浸入10％硫酸10秒，然后再用去离子水冲洗1分钟。
将基板浸入常规的无电极铜镀液中，保持室温(约25℃)，15分钟。其结果，在钯底层图形上形成厚10μm的铜电镀能击层。然后，将基板浸入一般工业无电极铜电镀池中。
在显微镜下对基板作光学检查，表明铜已淀积到钯底层图形上，别处没有铜。铜的粘附很好。实施例2
首先用含氧化铬的铜箔使PTFE Model 2800印刷电路板基板(从Rogers Corporation，Rogers，Connecticut订购)致密化。然后，用普通的HCl溶液处理基板，去掉铜箔。此后，首先用过硫酸钠/硫酸水溶液，如上所述，冲洗基板2分钟，去掉铬淀积物。最后，除浸入K2清洁剂中外，基板经受与实施例1相同的工艺步骤。结果与实施例1所达到的结果相同。实施例3
将1，2，4，5苯四酸二酐-氧化双苯胺聚酰亚胺膜(商名Kapton，DupontCom pany售出)首先浸入上述的含氢氧化钠和N，N，N’，N’四(2-羟基丙)基)乙二胺的碱性溶液中，被碱水解。然后，将膜浸入含三草酸高铁钾和四氨合氯化钯的溶液中，10分钟，在改性的聚酰亚胺膜上形成底质溶液层。
通过掩模将膜对UV光暴光，在聚酰亚胺膜上形成钯底层图形。将膜浸入2M的保持在室温的氢氧化钠水溶液中，去掉底质溶液层的未暴光区。
将聚酰亚胺浸入无电极的铜电镀池中，于室温下操作，保持不超过10分钟，在底层钯图形上形成触击电镀铜层。然后将聚酰亚胺膜浸入一热的工业用无电极铜电镀池中，以在触击电镀层上淀积补充铜。此后，将聚酰亚胺膜加热到300℃，使在先前碱水解过程中可能形成的任何聚酰氨酸亚胺化，然后将膜浸入工业无电极铜电镀池中。
在显微镜下对聚酰亚胺膜作光学检验表明铜仅淀积到钯底层图形上。别处无铜、铜的粘附性很好。实施例4
在硅片上旋涂一层聚苯四羧酸二酐-苯二胺薄膜，加热驱除铸塑溶剂，并使该膜固化成聚酰亚胺结构。将该膜浸入上述含氢氧化钠和N，N，N′，N′-四(2-羟基丙基)乙二胺的碱性溶液中，10分钟，使之碱水解。然后将该膜浸入含三草酸高铁钾和四氨合氯化钯的溶液，30分钟，在聚酰亚胺膜上形成底质溶液层。
通过掩模，使底质溶液层对UV光暴光，在聚酰亚胺膜上形成钯底层图形。将该膜浸入保持在室温的2M氢氧化钠水溶液中，去掉底质溶液层的未暴光区。
将聚酰亚胺膜浸入一无电极的铜镀池中，在室温下运作，以便在钯底层图形上形成铜的触击电镀层。此后，将该聚酰亚胺膜浸入工业无电极铜电镀池中，以便在触击电镀层上淀积补充铜。然后，将聚酰亚胺膜加热到300℃，使在先前碱水解过程中可能形成的任聚酰胺酸亚胺化。其结果与实施例3所达到的结果相同。
虽然参照本发明的优先选实施例对本发明做具体地表示和描述，但应理解，对于本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范畴的前提下，可以在形式和细节上作出各种变式。

Claims (41)

1.一种使基板选择金属化的方法，包括下列步骤：
在所说的基板表面上形成一层溶液，所说的溶液组分包括含第一金属的化合物和光致反应草酸盐化合物；
使所说的溶液层的选定区暴光，因而在所说的基板的对应于所说的溶液层的选定区上形成所说的第一金属；
通过将所述层的已暴光和未暴光区域放到碱溶液中，从所说的基板上去掉所说的溶液层的未暴光区，同时无论在上述第一金属或所述层的未暴光区上实质上无金属淀积。
2.权利要求1的方法，其特征在于，还包括将所说的基板浸入第二金属镀池中，因而在所说的第一金属上淀积所说的第二金属。
3.权利要求1的方法，其特征在于，所说的含第一金属的化合物的一般化学式为MLmXn，其中的M代表一金属正离子，L是路易斯碱配合体，而x代表一负离子，m和n代表整数，1≤m≤4，1≤n≤3。
4.权利要求3的方法，其特征在于，M是Pd(2+1)。
5.权利要求3的方法，其特征在于，M是Pt(2+1)。
6.权利要求3的方法，其特征在于，M是Au(+1)。
7.权利要求3的方法，其特征在于，M是Au(3+)。
8.权利要求3的方法，其特征在于，M是Ag(1+)。
9.权利要求3的方法，其特征在于，L是含氮配合体。
10.权利要求9的方法，其特征在于，L是NH3。
11.权利要求9的方法，其特征在于，L是乙二胺。
12.权利要求9的方法，其特征在于，X是F(-1)。
13.权利要求3的方法，其特征在于，X是Cl(-1)。
14.权利要求3的方法，其特征在于，X是Br(-1)。
15.权利要求3的方法，其特征在于，X是(SO4)(-2)。
16.权利要求3的方法，其特征在于，X是(NO3)(-2)。
17.权利要求1的方法，其特征在于，所说的光致反应草酸盐化合物的一般化学式是YpM((C2O4)3)P，而p代表整数。
18.权利要求17的方法，其特征在于，Y是一碱金属离子。
19.权利要求17的方法，其特征在于，Y是K(K+1)。
20.权利要求17的方法，其特征在于，Y是Na(+1)。
21.权利要求17的方法，其特征在于，Y包括(NH4)(+1)。
22.权利要求17的方法，其特征在于，M是Fe(+3)。
23.权利要求17的方法，其特征在于，M是Ru(+3)。
24.权利要求1的方法，其特征在于，所说的基板的组分包括环氧树脂。
25.权利要求1的方法，其特征在于，所说的基板的组分包括含氟聚合物。
26.权利要求25的方法，其特征在于，所说的含氟聚合物是聚四氟乙烯。
27.权利要求25的方法，其特征在于，所说的含氟聚合物是四氟乙烯和六氟丙烯的共聚物。
28.权利要求25的方法，其特征在于，所说的含氟聚合物是四氟乙烯和全氟烷氧基乙烯醚的共聚物。
29.权利要求25的方法，其特征在于，所说的含氟聚合物是无定形含氟聚合物，并且是聚四氟乙烯和有氟化的间二氧杂戊烯环链段化合物的共聚物。
30.权利要求1的方法，其特征在于，所说的基板组分包括聚酰亚胺。
31.权利要求30的方法，其特征在于，所说的聚酰亚胺组分包括BPDA-PDA。
32.权利要求30的方法，其特征在于，所说的聚酰亚胺组分包括BPDA-ODA。
33.权利要求30的方法，其特征在于，所说的聚酰亚胺组分包括PMDA-ODA。
34.权利要求1的方法，其特征在于，所说的基板是一陶瓷基板。
35.权利要求34的方法，其特征在于，所说的陶瓷基板组分包括氧化铝。
36.权利要求34的方法，其特征在于，所说的陶瓷基板组分包括氮化铝。
37.权利要求34的方法，其特征在于，所说的陶瓷基板的组分包括氮化硅。
38.权利要求2的方法，其特征在于，所说的第二金属是Cu。
39.权利要求2的方法，其特征在于，所说的第二金属是Co。
40.权利要求2的方法，其特征在于，所说的第二金属是Ni。
41.权利要求2的方法，其特征在于，所说的第二金属是Au。
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