JP4468191B2 - 金属構造体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
[比較例1]
粗化処理を行わないこと以外は実施例2と同様の方法で金属構造体を製造した。めっき後に基板断面を観察したところ、めっき膜の優先的な成長は起こらず、図12に示す膜厚の比H1/H2は1.0となった。この比較例では、特定のパターンへの金属構造体の形成はできなかった。
Claims (18)
- 基板上に金属膜を有する金属構造体の製造方法において、前記金属膜が形成される部分を、複数の凹凸形状を有する導電体で形成する工程と、めっき反応を抑制し、めっき反応の進行に伴って、めっき反応抑制効果を失う物質を少なくとも1種添加しためっき液中で、前記導電体の凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成する工程とを含み、これにより凹凸形状を有する部分に形成された金属膜の最大厚さ(T)に対する、凹凸形状を有しない部分に形成された金属膜の厚さ(t)の比(T/t)が10より大きい金属膜を形成することを特徴とする金属構造体の製造方法。
- 請求項1において、前記物質がシアニン色素の少なくとも1種であることを特徴とする金属構造体の製造方法。
- 請求項1において、前記基板を導電体で形成し、前記基板上の金属膜を形成する部分に凹凸形状を形成することを特徴とする金属構造体の製造方法。
- 請求項1において、前記基板を絶縁体で形成し、前記基板上の前記金属膜が形成される部分に凹凸形状を有し、前記凹凸形状を維持したまま前記基板上に導電体を形成し、前記導電体上の凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成することを特徴とする金属構造体の製造方法。
- 請求項1において、前記基板を導電体で形成し、前記基板上に凹凸形状を形成した後、金属膜を形成する部分以外の凹凸を平坦化することを特徴とする金属構造体の製造方法。
- 請求項5において、前記金属膜を形成する部分以外の前記基板および前記導電体の表面を平坦化することを特徴とする金属構造体の製造方法。
- 請求項1において、電気めっきによって前記基板上の凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を形成した後、前記凹凸形状を有する部分以外に形成された金属膜を除去することを特徴とする金属構造体の製造方法。
- 請求項5において、凹凸形状を有する部分以外に形成された金属膜を除去した後、凹凸形状を有する部分以外に形成された前記導電体を除去することを特徴とする金属構造体の製造方法。
- 請求項1において、前記凹凸形状を有する部分のJIS B0601で規定される算術平均粗さRaが、凹凸形状を有する部分以外のRaに比べて大きいことを特徴とする金属構造体の製造方法。
- 請求項1において、前記凹凸形状を有する部分のJIS B0601で規定される粗さ曲線要素の平均長さRSmが、凹凸形状を有する部分以外におけるRSmに比べて小さいことを特徴とする金属構造体の製造方法。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の金属構造体の製造方法を用いて製造された金属構造体。
- 請求項12において、前記凹凸形状を有する部分のJIS B0601で規定される算術平均粗さRaが、凹凸形状を有しない部分のRaに比べて大きいことを特徴とする金属構造体。
- 請求項12において、前記凹凸形状を有する部分のJIS B0601で規定される粗さ曲線要素の平均長さRSmが、凹凸形状を有しない部分のRSmに比べて小さいことを特徴とする金属構造体。
- 請求項12において、前記基板が導電体で形成され、前記導電体に凹凸形状が形成されていることを特徴とする金属構造体。
- 請求項12において、前記基板が絶縁体であり、前記基板の上に前記導電体を有することを特徴とする金属構造体。
- 基板上に形成された複数の凹凸内に形成された電気めっきによる導電体と、該凹凸内の導電体と連続・一体化した凹凸外の電気めっきによる金属膜を有し、前記凹凸外の金属膜は前記凹凸上に突出して形成されている構造を有し、凹凸形状を有する部分に形成された金属膜の最大厚さ(T)に対する、凹凸形状を有しない部分に形成された金属膜の厚さ(t)の比(T/t)が10より大きいことを特徴とする金属構造体。
- 請求項17において、光学部品、スタンパ金型、検査用プローブ、熱交換器及びマイクロマシンのいずれかであることを特徴とする金属構造体。
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