JP2017123387A - 配線基板の製造方法、配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】配線となる導体部が微細化したときでも剥離が生じにくく、導体部に高い信頼性を付与できる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】この製造方法では、まず基材１２上にポジ型の液状感光性レジスト材１４を塗布してレジスト層２１を形成する。レジスト層形成工程後、露光及び現像によりレジスト層２１に開口部２２を形成する。パターン形成工程後、レジスト層２１に対してプラズマを処理する。このプラズマ処理工程では、レジスト層２１の厚さ方向に沿った断面視において、開口部２２の基材１２側の底部を含む位置に、当該開口部２２の最小幅よりも大きな幅を形成するアンダーカット部２５を形成する。この後、レジスト層２１の開口部２２内に、配線３５となる導体部３１を形成する。この導体部形成工程では、レジスト層２１のアンダーカット部２５の断面形状に追従した断面形状の裾野部３２を有する導体部３１を形成する。【選択図】図６

Description

本発明は、基材上に配線となる導体部が形成された配線基板の製造方法、配線基板に関するものである。

従来、基板に高密度配線を形成する方法として、例えばセミアディティブ法がよく知られている。この方法では、まず、銅めっきを析出させるためのシード層が形成された基材上に、感光性レジスト材の塗布によってレジスト層が形成される（レジスト層形成工程）。次に、レジスト層に対する露光及び現像により、レジスト層における所定位置に開口部が形成される（パターン形成工程）。次に、電解銅めっきを行うことによって、レジスト層の開口部内に配線となる導体部が形成される（導体部形成工程）。そしてこの後、レジスト層が剥離され、シード層のうちレジスト層の剥離により露出する部分が除去されることで、導体部が互いに分離された状態となる（導体部分離工程）。

ところで、パターン形成工程においてレジスト層を露光する場合、シード層に接する側で光が横方向に散乱することにより、感光性レジスト材が裾状に硬化してしまう。このため、現像を行うと、レジスト層の下部に裾引き部が形成されてしまう。このような裾引き部が存在している箇所には銅めっきが付着せず、好ましい形状の導体部が形成できないことから、何らかの方法で裾引き部を除去しておく必要がある。

このような事情のもと、例えば、ネガ型の感光性レジスト材を用いて形成されたレジスト層に対して露光及び現像を行った後、異方性プラズマエッチングを施すことで、レジストパターンの基部に沿って形成された裾引き状部を除去する従来技術が開示されている（例えば、特許文献１を参照）。同じく特許文献２においても、露光及び現像を行った後、ドライ処理としてプラズマ処理を施す従来技術が開示されている。

特開２００３−４５８７１号公報 特開２００１−１９６７４０号公報

ところで、レジスト層の裾引き状部をプラズマにより除去する上記従来技術によれば、導体層形成工程にて電解銅めっきを行う際に気泡の抱き込み等によるめっき不良の発生が抑えられるとともに、アンダーカットのない導体部の形成が可能なため接続信頼性に優れた導体部が得られるものと考えられている。

しかしながら、導体部分離工程においてエッチングを行うことで、シード層のうちレジスト層の剥離により露出する部分を除去しようとすると、導体部にアンダーカットが発生してしまう。そのため、導体部が微細化（即ち配線幅が細く）になるに伴い、導体部の剥離が発生しやすくなる。従って、この場合には導体部に高い信頼性を付与することが困難になってしまう。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、配線となる導体部が微細化したときでも剥離が生じにくく、導体部に高い信頼性を付与することができる配線基板の製造方法、配線基板を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、基材上に液状感光性レジスト材を塗布してレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層に対する露光及び現像により、前記レジスト層における所定位置に開口部を形成するパターン形成工程と、前記開口部が形成された前記レジスト層に対してプラズマを処理するプラズマ処理工程と、プラズマ処理された前記レジスト層の前記開口部内に、配線となる導体部を形成する導体部形成工程とを含む配線基板の製造方法において、前記レジスト形成工程では、ポジ型の液状感光性レジスト材を用い、前記プラズマ処理工程では、前記レジスト層の厚さ方向に沿った断面視において、前記開口部の前記基材側の底部を含む位置に、当該開口部の最小幅よりも大きな幅を形成するアンダーカット部を形成するとともに、前記導体部形成工程では、前記レジスト層の前記アンダーカット部の断面形状に追従した断面形状の裾野部を有する前記導体部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法、がある。

従って、手段１に記載の発明によると、プラズマ処理工程によりレジスト層の開口部の最小幅よりも大きな幅を形成するアンダーカット部が形成されるため、導体部形成工程では、レジスト層のアンダーカット部の断面形状に追従した断面形状の裾野部を有する導体部が形成される。そして、このような断面形状の導体部であれば、基材側との接触面積も増えて安定化するため、微細配線化したときでも剥離の発生を回避することができる。よって、配線となる導体部の信頼性を向上させることができる。

上記手段に記載の発明におけるレジスト層形成工程では、基材上に液状感光性レジスト材を塗布してレジスト層を形成する。液状感光性レジスト材としては、露光部分が除去され、非露光部分が残るポジ型の液状感光性レジスト材を使用することが好ましい。ポジ型の液状感光性レジスト材としては特に限定されず、例えばノボラック型のポジ型の液状感光性レジスト材や、化学増幅型のポジ型の液状感光性レジスト材を用いることができる。なお、後者の材料を用いた場合、前者の材料を用いた場合に比べて、光を当てたときの化学反応が進みやすいため、例えば露光時間を短縮すること等ができる。

ここで、レジスト層が形成される「基材」としては、例えば、樹脂やセラミック等からなるコア基板があるほか、表面に樹脂絶縁層が形成された状態のコア基板や、さらにその表面に導電金属からなるシード層が形成された状態のコア基板などがある。上記のシード層とは、電解めっきを行う際の給電用金属層であって、例えば、銅、ニッケル、クロム、コバルト、チタン、タングステン、モリブデン、金、銀等により形成される。

続くパターン形成工程では、レジスト層に対する露光及び現像により、レジスト層における所定位置に開口部を形成する。ポジ型の液状感光性レジスト材を選択した場合、レジスト層を露光する際に、例えば、開口部を形成したい箇所に対応して光透過部孔が設けられたフォトマスク等が使用され、そのフォトマスクを介して光が照射される。なお、このようなフォトマスクを使用する手法のほか、例えば、フォトマスクを使用せずレーザ光を直接描画してレジスト層を露光する手法などを採用することが可能である。そして、露光後に現像することにより、レジスト層における露光部分が除去され、そこに開口部がパターン形成される。なお、この時点では、レジスト層の下部には裾引き部が形成される。

続くプラズマ処理工程では、開口部が形成されたレジスト層に対してプラズマを処理する。そしてこの処理により、レジスト層の厚さ方向に沿った断面視において、開口部の基材側の底部を含む位置に、当該開口部の最小幅よりも大きな幅を形成するアンダーカット部が形成される。

例えば、レジスト層のアンダーカット部における壁面の形状については特に限定されず、凹曲面状、平面状、凸曲面状のいずれであってもよいが、特に凹曲面状であることが好ましい。壁面がこのような形状であると、後の工程で形成される導体部の裾野部を凸曲面状とすることができ、導体部の底部を確実に補強することができる。

レジスト層の厚さ方向に沿った断面視において、アンダーカット部を形成するレジスト層の壁面によって画定されるレジスト層の最小幅は、レジスト層の最大幅の１／２以上の寸法であることがよく、さらには１／２〜９／１０の寸法であることがよりよい。このような寸法範囲であると、所望とする形状・大きさを有する好適な裾野部を導体部に容易にかつ確実に形成することができる。なお、レジスト層の最小幅の寸法が、レジスト層の最大幅の１／２未満であると、基材に対してレジスト層が接触する面積が少なくなり、レジスト層が剥離しやすくなる等の不具合が生じるおそれがある。また、導体部同士の絶縁距離が確保されなくなるおそれもある。逆に、９／１０超であると、形成されるアンダーカット部が小さくなりすぎてしまい、十分な大きさの裾野部を導体部に形成することができなくなるおそれがある。

上記のプラズマ処理としては、具体的には、酸素、窒素、水素、二酸化炭素、四塩化炭素、フッ素化合物、不活性ガスまたはこれらの混合ガスを、反応ガスとして用いたプラズマ処理が挙げられる。これらのなかでは、酸素を用いたプラズマ処理が好ましい。この工程におけるプラズマ処理の条件としては特に限定されないが、例えば、プラズマ放出量を３６００Ｗ〜４０００Ｗとし、気体供給量を１．２Ｐａ・ｍ^３／ｓ〜１．５Ｐａ・ｍ^３／ｓとし、気体供給圧を１８Ｐａ〜２２Ｐａとし、処理時間を通常より長めの５分〜２０分とすることが好ましい。この範囲内で処理を行うことで、所望とする好適な断面形状のレジスト層を確実にパターン形成することができる。

続く導体部形成工程では、プラズマ処理されたレジスト層の開口部内に、配線となる導体部を形成する。導体部を形成する手法としては特に限定されず、従来公知の任意の手法を採用することができ、例えばめっき法が好適である。具体的には、表面に上記のシード層があらかじめ形成された基材に対し、レジスト層形成工程、パターン形成工程及びプラズマ処理工程を行った後、開口部から露出しているシード層に対する電解めっきにより、銅めっきからなる導体部を形成する。電解めっきとしては特に限定されず、例えば、電解銅めっき、電解ニッケルめっき、電解クロムめっき、電解スズめっき、電解亜鉛めっき、電解金めっき、電解銀めっき等が選択されうるが、コスト性や導電性等の観点から電解銅めっきが特に好ましい。そして、このような導体部形成工程を経ることで、レジスト層のアンダーカット部の断面形状に追従した断面形状の裾野部を有する導体部が形成される。導体部形成工程後には、レジスト層が剥離され、シード層のうちレジスト層の剥離により露出する部分が除去される。

なお、電解銅めっき以外に導体部を形成する手法として、例えば、導電金属粒子を含む導電ペーストを印刷して開口部内に充填する手法を採用してもよい。この場合、従来公知の任意の導電ペーストを使用することができるが、コスト性や導電性等の観点から銅ペーストを用いることが好ましい。

また、上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、基材上に配線となる導体部が形成された配線基板であって、前記導体部の厚さ方向に沿った断面視において、前記導体部は、前記基材側の底部を含む位置に、前記導体部の最小幅よりも大きな幅を有する裾野部を有し、前記裾野部が凸曲面状であることを特徴とする配線基板、がある。

従って、手段２に記載の発明によると、凸曲面状という好適な断面形状の裾野部を有する導体部が形成されるため、基材側との接触面積が増えて導体部が安定化する。それゆえ、微細配線化したときでも剥離の発生を回避することができる。よって、配線となる導体部の信頼性を向上させることができる。

本発明を具体化した実施形態の配線基板の製造方法において、基材にシード層を形成した状態を示す要部拡大概略断面図。 同配線基板の製造方法において、１層めの配線を設けるためのレジスト層を形成した状態を示す要部拡大概略断面図。 同配線基板の製造方法において、露光時の状態を示す要部拡大概略断面図。 同配線基板の製造方法において、現像後の状態を示す要部拡大概略断面図。 同配線基板の製造方法において、プラズマ処理を行った状態を示す要部拡大概略断面図。 同配線基板の製造方法において、電解銅めっきにより導体部を形成した状態を示す要部拡大概略断面図。 同配線基板の製造方法において、レジスト層を除去した状態を示す要部拡大概略断面図。 同配線基板の製造方法において、シード層を除去した状態を示す要部拡大概略断面図。 同配線基板の製造方法において、２層めの配線を形成した状態を示す要部拡大概略断面図。 実施例１にて行った確認試験の結果を示すＳＥＭ写真。 実施例２にて行った確認試験の結果を示すＳＥＭ写真。

以下、本発明を具体化した実施形態の配線基板の製造方法を図１〜図１１に基づき詳細に説明する。

本実施形態の配線基板１１の製造方法では、まず、基材１２を用意するとともに、その基材１２の表面に電解めっき用のシード層１３を形成する（図１参照）。ここでは、基材１２としてガラスエポキシ製のコア基板を使用している。このコア基板には、例えば表裏面の導通を図るための図示しないめっきスルーホール等が形成されている。また、シード層１３としては、無電解めっきにより厚さ０．０５μｍ〜０．５μｍ程度の銅層が形成されている。なお、無電解めっきの代わりに例えばスパッタリングやＣＶＤ等により銅層を形成してもよい。

次に、シード層１３が形成された前記基材１２上に液状感光性レジスト材１４を従来公知の方法により塗布し、シード層１３全体を覆うめっきレジスト層２１を均一に形成する（レジスト形成工程；図２参照）。本実施形態では、液状感光性レジスト材１４として化学増幅型のポジ型の液状感光性レジスト材を用いている。塗布の方法として例えばカーテンコート法やスピンコート法等が採用され、塗布厚さについては３μｍ〜７μｍ程度（ここでは約５μｍ）に設定されている。

次に、あらかじめ所定のフォトマスク１５を用意するとともに、そのフォトマスク１５をめっきレジスト層２１上に配置する。このフォトマスク１５は、板ガラス１６の片側面に光不透過層１７を形成したものである。光不透過層１７には複数の光透過部孔１８が設けられている。なお、これら光透過部孔１８は、めっきレジスト層２１において開口部２２を形成したい箇所に対応して配置されている。そして、このようなマスク配置状態でフォトマスク１５を介して光Ｌ１を照射することにより、めっきレジスト層２１の露光処理を行う（レジスト形成工程における露光処理；図３参照）。

次に、露光されためっきレジスト層２１を所定の現像液を用いて現像処理する。すると、めっきレジスト層２１における露光部分が除去され、そこに開口部２２がパターン形成される。なお、この時点では、めっきレジスト層２１の下部には、下方に行くに従って徐々に幅広となる裾引き部２３が形成される（レジスト形成工程における現像処理；図４参照）。

次に、開口部２２が形成されためっきレジスト層２１に対して、プラズマを処理する（プラズマ処理工程；図５参照）。本実施形態では、反応ガスとして酸素を用いたプラズマ処理を行っている。ここでは、プラズマ放出量を３６００Ｗ〜４０００Ｗ、気体供給量を１．２Ｐａ・ｍ^３／ｓ〜１．５Ｐａ・ｍ^３／ｓ、気体供給圧を１８Ｐａ〜２２Ｐａに設定している。そしてこの処理により、裾引き部２３が選択的に除去されるとともに、めっきレジスト層２１の厚さ方向に沿った断面視において、開口部２２の基材１２側の底部を含む位置に、当該開口部２２の最小幅Ｗ３よりも大きな幅Ｗ４を形成するアンダーカット部２５が形成される。なお、めっきレジスト層２１のアンダーカット部２５における壁面２４は、図５に示すように凹曲面状を呈したものとなる。また、めっきレジスト層２１の最小幅Ｗ２は、めっきレジスト層２１の最大幅Ｗ１の５／１０〜８／１０程度の寸法となっている。

次に、電解銅めっきを行うことにより、開口部２２の底面において露出しているシード層１３に対し、銅めっき層からなる導体部３１を形成する（導体部形成工程；図６参照）。このとき、めっきレジスト層２１のアンダーカット部２５の断面形状に追従した断面形状の裾野部３２、即ち凸曲面状を呈した裾野部３２が、導体部３１において基材１２側の底部を含む位置に形成される。なお、この裾野部３２は、導体部３１の最小幅Ｗ３よりも大きな幅Ｗ４を有したものとなっており、具体的には１．０５倍〜１．３０倍程度の幅を有したものとなっている。また、導体部３１の厚さは３μｍ〜４μｍ程度となるように設定されている。導体部３１における裾野部３２は、厚さが０．２μｍ〜１．０μｍ程度であって、シード層１３よりも厚く（１．１倍〜３倍程度厚く）なるように形成されている。

次に、専用のレジスト剥離液を用いてめっきレジスト層２１を処理することで、めっきレジスト層２１を剥離する（レジスト剥離工程；図７参照）。その結果、シード層１３のうち、めっきレジスト層２１によって覆われていた部分が露出する。

次に、銅を溶解するエッチング液を用いて短時間のエッチング処理を行うことにより、シード層１３における露出部分を除去する。その結果、導体部３１が互いに分離された状態となり、所望とするパターン形状を有する１層めの配線３５が完成する（導体部分離工程；図８参照）。なお、この場合において、導体部３１の裾野部３２は、導体部３１の直下に位置するシード層１３をエッチング液から保護する、いわばエッチガードとして機能する。

この後、導体部３１に対して粗化処理を行い、導体部３１の表面全体に微細な凹凸を形成した後、エポキシ等の絶縁樹脂材料からなる層間絶縁層４１を形成する。さらに、レーザ加工によるビア孔４２の形成、無電解銅めっきによるシード層１３の形成を行った後、上述した諸工程を繰り返すことにより２層めの配線４５やビア導体４６等を形成する（図９参照）。さらに、３層め以降の配線について同様の工程を実施することにより、本実施形態の配線基板１１が完成する。

以下、本実施形態について行った実施例１，２について説明する。

［実施例１］
実施例１では、上記の手順にてレジスト形成工程を行った後、処理時間をいくつか設定してプラズマ処理を行い（０分（即ちプラズマ処理なし）、１分、５分、１０分）、さらに電解銅めっきによる導体部形成工程を行ってから、めっきレジスト層２１を剥離した。その後、導体部３１のＳＥＭ写真を撮影して外観を確認し、比較を行った（図１０を参照）。

その結果、プラズマ５分処理区及びプラズマ１０分処理区では、導体部３１において基材１２側の底部を含む位置にテーパ状の部分が発生し、裾野部３２が形成されることが確認された（図１０中の白抜き矢印を参照）。また、プラズマ５分処理区とプラズマ１０分処理区とを比較すると、時間の長い試験区のほうが裾野部３２が大きくなることがわかった。これに対して、プラズマ３分処理区ではテーパ状の部分が発生せず、裾野部３２が形成されなかった。また、プラズマ無処理区については裾野部３２の形成に至らないばかりか、密着性が悪い箇所が部分的に発生していることが確認された。

［実施例２］
実施例２では、上記の手順にてレジスト形成工程、プラズマ処理工程（処理時間１０分）、電解銅めっきによる導体部形成工程、レジスト剥離工程を順次行うとともに、工程終了ごとにめっきレジスト層２１や導体部３１の断面のＳＥＭ写真を撮影して外観を確認した（図１１を参照）。

その結果、レジスト形成工程後の時点で、めっきレジスト層２１の下部に裾引き部２３が発生することが確認された。そして、プラズマ処理工程後においては、裾引き部２３がなくなり、めっきレジスト層２１にアンダーカット部２５が形成されることが確認された。さらに、電解銅めっきによる導体部形成工程を行うと、アンダーカット部２５の断面形状に追従した断面形状の裾野部３２を有する導体部３１が形成されることが確認された。

従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態の配線基板１１の製造方法では、プラズマ処理工程によりめっきレジスト層２１の開口部２２の最小幅Ｗ３よりも大きな幅Ｗ４を形成するアンダーカット部２５が形成される。また、導体部形成工程では、めっきレジスト層２１のアンダーカット部２５の断面形状に追従した断面形状の裾野部３２を有する導体部３１が形成される。そして、このような断面形状の導体部３１であれば、基材１２側との接触面積も増えて安定化する。そのため、微細配線化したとき（例えばＬ／Ｓ＝５μｍ／５μｍ以下としたとき）でも剥離の発生を回避することができる。よって、配線３５，４５となる導体部３１の信頼性を向上させることができる。さらに、導体部分離工程において、裾野部３２は、導体部３１の直下に位置するシード層１３をエッチング液から保護する、いわばエッチガードとして機能する。よって、導体部３１における剥離の発生を未然に防ぐことができる。

（２）本実施形態のレジスト層形成工程では、基材１２上に化学増幅型のポジ型の液状感光性レジスト材１４を塗布してめっきレジスト層２１を形成している。ゆえに、光を当てたときの化学反応が進みやすく、露光時間を短縮すること等ができることから、配線基板１１を製造する際の生産性向上に寄与することができる。

（３）本実施形態では、めっきレジスト層２１のアンダーカット部２５を形成する壁面２４が凹曲面状であることから、電解銅めっきによる導体部形成工程を行うことで、横方向に張り出した箇所の表面３３が凸曲面状の裾野部３２を有する導体部３１を容易にかつ確実に形成することができる。なお、凹曲面状や平面状の裾野部３２に比べて、凸曲面状の裾野部３２は横方向に張り出した箇所の体積が大きいものとなることから、その下にあるシード層１３を確実に補強することができる。

（４）本実施形態では、めっきレジスト層２１の厚さ方向に沿った断面視において、アンダーカット部２５を形成するめっきレジスト層２１の壁面２４によって画定されるめっきレジスト層２１の最小幅Ｗ２が、めっきレジスト層２１の最大幅Ｗ１の５／１０〜８／１０程度の寸法となっている。このため、所望とする形状・大きさを有する好適な裾野部３２を導体部３１に容易にかつ確実に形成することができる。

（５）本実施形態では、粗化処理により導体部３１の表面全体に微細な凹凸を形成した後に層間絶縁層４１が形成されることから、導体部３１に対する層間絶縁層４１の密着性が高くなり、信頼性の向上を図ることができる。また、例えば平面状の裾野部に比べて、凸曲面状の裾野部３２は横方向に張り出した箇所の表面積が大きいものとなることから、当該箇所に対する層間絶縁層４１の密着性を確実に高くすることができる。

なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。

・上記実施形態では、シード層１３が無電解銅めっき層であったが、これに限定されず、銅以外の導電金属からなる無電解めっき層（例えば無電解ニッケル層など）であってもよい。言い換えると、シード層１３を形成する金属材料は、導電部３１を形成する金属材料と同種であってもよく、異種であってもよい。また、無電解めっき以外の手法、例えばスパッタリングやＣＶＤ等の手法により、シード層１３を形成してもよい。

・上記実施形態では、電解めっき法により導体部３１を形成したが、例えば、銅ペースト、銀ペースト、ニッケルペースト、タングステンペースト等といった導電ペーストを印刷して開口部２２内に充填するという手法を採用してもよい。なお、この場合にはシード層１３の形成を省略することができる。

・本実施形態では、めっきレジスト層２１のアンダーカット部２５を形成する壁面２４を凹曲面状とし導体部３１の裾野部３２を凸曲面状としていたが、これとは逆に、アンダーカット部２５を形成する壁面２４を凸曲面状とし裾野部３２を凹曲面状とすることもできる。

１１…配線基板
１２…基材
１３…シード層
１４…液状感光性レジスト材
２１…レジスト層としてのめっきレジスト層
２２…開口部
２４…壁面
２５…アンダーカット部
３１…導体部
３２…裾野部
３５，４５…配線
Ｗ１…レジスト層の最大幅
Ｗ２…レジスト層の最小幅
Ｗ３…（開口部の）最小幅
Ｗ４…幅

Claims (6)

1. 基材上に液状感光性レジスト材を塗布してレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
   前記レジスト層に対する露光及び現像により、前記レジスト層における所定位置に開口部を形成するパターン形成工程と、
   前記開口部が形成された前記レジスト層に対してプラズマを処理するプラズマ処理工程と、
   プラズマ処理された前記レジスト層の前記開口部内に、配線となる導体部を形成する導体部形成工程と
   を含む配線基板の製造方法において、
   前記レジスト形成工程では、ポジ型の液状感光性レジスト材を用い、
   前記プラズマ処理工程では、前記レジスト層の厚さ方向に沿った断面視において、前記開口部の前記基材側の底部を含む位置に、当該開口部の最小幅よりも大きな幅を形成するアンダーカット部を形成するとともに、
   前記導体部形成工程では、前記レジスト層の前記アンダーカット部の断面形状に追従した断面形状の裾野部を有する前記導体部を形成する
   ことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記レジスト層の前記アンダーカット部における壁面は凹曲面状であり、前記導体部の前記裾野部は凸曲面状であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 前記レジスト層の厚さ方向に沿った断面視において、前記アンダーカット部における前記レジスト層の壁面によって画定される前記レジスト層の最小幅は、前記レジスト層の最大幅の１／２以上の寸法であることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記レジスト層形成工程では、導電金属からなるシード層上に前記レジスト層を形成するとともに、
   前記導体部形成工程では、前記開口部から露出している前記シード層に対する電解銅めっきにより、前記導体部を形成し、
   前記導体部形成工程後に、前記レジスト層を剥離して、前記シード層のうち前記レジスト層の剥離により露出する部分を除去する
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
5. 前記レジスト層形成工程では、化学増幅型の前記ポジ型の液状感光性レジスト材を用いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
6. 基材上に配線となる導体部が形成された配線基板であって、
   前記導体部の厚さ方向に沿った断面視において、前記導体部は、前記基材側の底部を含む位置に、前記導体部の最小幅よりも大きな幅を有する裾野部を有し、前記裾野部が凸曲面状である
   ことを特徴とする配線基板。