JP2005005453A

JP2005005453A - プリント配線板およびその製造方法

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Publication number: JP2005005453A
Application number: JP2003166610A
Authority: JP
Inventors: Reiji Higuchi; 令史樋口; Hideyuki Fujinami; 秀之藤浪
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 2003-06-11
Filing date: 2003-06-11
Publication date: 2005-01-06

Abstract

【課題】アディティブ法により、ベース基材の表面に選択的に銅を析出させて回路形成するプリント配線板において、高層レジストを形成し、回路幅と回路高の比が１：２以上の回路を備えるプリント配線板を取得することを目的とする。
【解決手段】ベース基材にラミネートしたレジストに回路パターンを露光・現像し、非回路形成部を架橋レジストで被覆するレジストパターニング工程と、再度ラミネートしたレジストに、レジストパターニング工程と同一の回路パターンを露光・現像し、非回路形成部に架橋レジストを積層するレジスト積層工程とによってベース基材に高層レジストを形成し、前記高層レジストの非被覆部分に、電解又は無電解めっきにより導体を析出・積層することによって、回路幅と回路高の比を１：２以上とした回路高の大きな回路を形成したプリント配線板を製造する。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、高アスペクト比の回路を有するプリント配線板およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来技術によるプリント配線板の製造方法について図を参照して説明する。図５に示すプリント配線板の製造方法は、アディティブ法により、ベース基材の表面に選択的に銅を析出させて回路形成するものである。
図５（ａ）に示すように、ポリイミドやガラスエポキシ樹脂などの絶縁樹脂フィルムからなるベース基材１の表面に、金属からなるシード層２を設けた後、図５（ｂ）に示すように、前記シード層２を備えるベース基材１に、ドライフィルムレジスト３をロールラミネート又は真空ラミネートによりラミネートする。このときドライフィルムレジスト３の代わりに液状レジストをスピンコートしてもよい。
その後、図５（ｃ）及び（ｄ）に示すように、前記レジスト３に回路パターンを露光・現像し、非回路形成部を架橋レジスト６で被覆する。詳しくは、回路形成部を遮光するマスク５を、前記ドライフィルムレジスト３の表面にマスキングし、レジストを残したい部分（非回路形成部）に紫外線４を照射して架橋レジスト６とした後、炭酸ナトリウム溶液で現像し、未架橋（遮光した部分）のレジストを除去する。これによって、回路形成部のレジストを除去し、非回路形成部を架橋レジスト６で被覆する。
そして図５（ｅ）に示すように、非回路形成部を架橋レジスト６で被覆したベース基材１を電解めっきし、架橋レジスト６の非被覆部分に導体（銅など）を析出して積層し、回路７を形成する。その後、図５（ｆ）に示すように、架橋レジスト６を剥離するとともに、図５（ｇ）に示すように、非回路形成部にあるシード層２を除去することによって、ベース基材１の表面に回路７を形成したプリント配線板を製造する。
【０００３】
すなわち、アディティブ法により回路形成を行ってプリント配線板を製造する場合、従来技術によれば、非回路形成部を架橋レジストで被覆し、このレジストの非被覆部に銅を析出して回路を形成していた（特許文献１を参照）。
なお、導体（銅など）を析出・積層して形成した回路７の高さの限界は、ラミネートしたドライフィルムレジスト３の層厚に依存する。
【０００４】
【特許文献１】
特開平５−１８３２５９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、電子基板の高密度化が進み、回路がファイン化されてきている。
一方、プラズマディスプレイのように大電流を流さなくてはならない電子基板においては、ある程度回路断面積（回路幅×回路高）が必要となるため、ファイン回路を備えるプリント配線板を用いた場合、回路幅を狭くしたときは、回路高を増大させなくてはならない。
このとき、ファイン回路形成に適しているアディティブ法によって形成した回路の低部と、側面のアスペクト比（つまり回路幅と回路高の比）はレジストの回路パターンニングに依存する。
【０００６】
レジストのパターニングでは、回路形成部を遮光するマスク５を、前記ドライフィルムレジスト３の表面にマスキングし、レジストを残したい部分（非回路形成部）に紫外線４を照射して、非回路形成部のレジストを架橋した後、未架橋レジスト（すなわち回路形成部のレジスト）を除去する。
一般的に、プリント配線板で使用されるレジストの解像度は、レジスト材料や露光した紫外線の平行度から、レジスト除去部の幅（つまりマスク５の遮光部の幅）と、レジスト除去部の高さ（レジスト厚）との比が、およそ１：１が限界となっている。そのためアディティブ法で形成する回路の低部と側面のアスペクト比（すなわち回路幅と回路高の比）も１：１が限界となっていた。
最近では、レジスト除去部の幅（つまりマスク５の遮光部の幅）と、レジストと除去部の高さ（レジスト厚）との比が、１：２程度まで形成できるレジスト材料の開発もされているが、何れにせよ、紫外線の平行度による回路パターンの解像度の限界により、回路のアスペクト比が制限されていた。
すなわち、解像度が良好な高層レジストの形成困難性から、回路高の大きなファイン回路を備えるプリント配線板を取得することができなかった。
【０００７】
かかる問題を鑑み、この発明によれば、アディティブ法により、ベース基材の表面に選択的に銅を析出させて回路形成するプリント配線板において、高層レジストを形成することによって、高アスペクト比の回路を有するプリント配線板を製造し、回路幅と回路高の比が１：２以上である回路を備えるプリント配線板を取得することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明による第１の形態は、ベース基材にラミネートしたレジストに回路パターンを露光・現像し、非回路形成部を架橋レジストで被覆するレジストパターニング工程と、再度ラミネートしたレジストに、レジストパターニング工程と同一の回路パターンを露光・現像し、非回路形成部に架橋レジストを積層するレジスト積層工程とによってベース基材に高層レジストを形成し、前記高層レジストの非被覆部分に、電解又は無電解めっきにより導体を析出・積層することによって、回路幅と回路高の比を１：２以上とした回路高の大きな回路を形成したプリント配線板を製造するものである。
【０００９】
またこの発明による第２の形態は、ベース基材にラミネートしたレジストに回路パターンを露光・現像して非回路形成部を架橋レジストで被覆するとともに、電解又は無電解めっきによって前記架橋レジストの非被覆部分に導体を析出するパターニング工程と、再度ラミネートしたレジストに、前記パターニング工程と同一の回路パターンを露光・現像し、非回路形成部に架橋レジストを積層するとともに、電解又は無電解めっきによって前記架橋レジストの非被覆部分に導体を積層する積層工程とによって、ベース基材に架橋レジストを積み重ねて高層レジストを形成するとともに、前記高層レジストの非被覆部分に導体を積み重ね、回路幅と回路高の比を１：２以上とした回路高の大きな回路を形成したプリント配線板を製造するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
まず第１の発明によるプリント配線板の製造方法の好適な実施例について、図１及び図２を参照して説明する。
【００１１】
この実施例では、図１（ａ）〜（ｄ）によるレジストパターニング工程と、図１（ｅ）〜（ｇ）によるレジスト積層工程とによって、ベース基材１の表面に高層レジスト６０を形成した後（高層レジスト形成工程）、図２（ａ）〜（ｄ）による回路形成工程によって、回路高の大きな回路７０を備えるプリント配線板を製造する。
【００１２】
レジストパターニング工程では、図１（ａ）に示すように、ポリイミドやガラスエポキシ樹脂などの電子機器で使用可能な絶縁樹脂フィルムから作成したベース基材１の表面に、層厚０．１〜３μｍのシード層２を設けた後、図１（ｂ）に示すように、前記シード層２を備えるベース基材１の表面に、ドライフィルムレジスト３１をロールラミネート又は真空ラミネートによってラミネートする。
このときドライフィルムレジスト３１の代わりに液状レジストをスピンコートしてもよい。
【００１３】
絶縁樹脂フィルムからなるベース基材１の表面に設けたシード層２は、ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），クロム（Ｃｒ）などの導電性の金属からなり、電解めっきによる回路形成工程において、めっき浴中で前記シード層２を通電することによって、前記シード層２の表面に導体（銅など）を析出・積層させる。
なお無電解めっきにより回路形成する場合、ベース基材１の表面にシード層２を設ける必要はない。
【００１４】
この実施例では、ポリイミドフィルムであるカプトンＥＮ（東レデュポン製）からなるベース基材１をスパッタリングチャンバにセットし、プラズマガスにアルゴンを用い、７×１０^−３Ｔｏｒｒの真空下でスパッタリングにより２０００Åのニッケルまたは銅によるシード層２を形成した。
【００１５】
そしてシード層２を形成した後、ネガ型のドライフィルムレジスト３１をラミネートし、図１（ｃ）および（ｄ）に示すように、レジスト３１に回路パターンを露光・現像し、非回路形成部を架橋レジスト６１で被覆した。
詳しくは、回路形成部を遮光するマスク５を、前記ネガ型のドライフィルムレジスト３１の表面にマスキングし、レジストを残したい部分（非回路形成部）に紫外線４を照射して架橋した後（架橋レジスト６１）、炭酸ナトリウム溶液で現像し、未架橋（遮光した部分）のレジストを除去した。
すなわち、回路形成部のドライフィルムレジスト３１（未架橋）を除去し、非回路形成部を架橋レジスト６１で被覆した。
【００１６】
ガラス又はポリエチレンテレフタレートなどからなるマスク５には、回路パターンにあわせて光透過部と非透過部とが形成され、選択的に紫外線４を透過させる（図１（ｃ）を参照）。
つまり、回路形成部を非透過部でマスキングして紫外線照射を防止（遮光）し、回路形成部のレジストを未架橋とするとともに、非回路形成部を光透過部でマスキングして紫外線４を照射（露光）し、非回路形成部のレジストを架橋する。
【００１７】
続いて、図１（ｅ）〜（ｇ）に示すレジスト積層工程では、非回路形成部が架橋レジスト６１で被覆されたベース基材１の表面に、再度レジスト３２をラミネートする。
つまり、図１（ｅ）に示すように、部分的に架橋レジスト６１を被覆したベース基材１の表面全体に、ドライフィルムレジスト３２をロールラミネート又は真空ラミネートによりラミネートする。
このときドライフィルムレジスト３２の代わりに液状レジストをスピンコートしてもよい。
【００１８】
その後、図１（ｆ）及び（ｇ）に示すように、上述のレジストパターニング工程と同一の回路パターンを前記レジスト３２に露光・現像し、非回路形成部に架橋レジスト６２を積層する。
詳しくは、レジストパターニング工程の図１（ｃ）で使用したマスクと同一の回路パターンを有するマスク５を、前記ドライフィルムレジスト３２の表面にマスキングし、レジストを残したい部分（架橋レジスト６１の上）に紫外線４を照射して架橋した後（架橋レジスト６２）、炭酸ナトリウム溶液で現像し、未架橋（遮光した部分）のレジストを除去する。
これによって、レジストパターニング工程で形成した架橋レジスト６１の上に、さらに架橋レジスト６２を積層する。
【００１９】
図１（ｅ）〜（ｇ）に示すレジスト積層工程を複数回繰返すことによって、架橋レジストを積層し、所望とする高さの高層レジスト６０を形成する。
この実施例では、レジスト積層工程を２回繰返すことによって、架橋レジストを３層（６１〜６３）積み重ね、高層レジスト６０を形成した（図２（ａ）を参照）。
【００２０】
なお、レジストパターニング工程とレジスト積層工程とによって、同一の回路パターンを複数回繰返して露光・現像し、高層レジスト６０を形成するが、マスク５のアライメント誤差を考慮し、レジスト積層工程で使用するマスクの光透過部の幅を１〜５μｍ程度狭くすることが好ましい。
例えば、レジスト積層工程においてレジストに紫外線４を選択的に照射して非回路形成部に架橋レジストを積層するにあたって、遮光幅（非光透過部の幅）を回路幅より１〜５μ程度広くしたマスク５を用いて回路パターンを露光することによって、マスク５のアライメントの誤差によって遮光部（非光透過部）にずれが発生しても、回路形成部のレジストは確実に遮光される。つまりマスク５のアライメント誤差があっても、回路形成部のレジストを未架橋レジストとして除去することができ、回路形成阻害（導体の積層阻害）を防止することができる。
【００２１】
そして、ベース基材１の表面に架橋レジスト（６１〜６３）を積み重ねて高層レジスト６０を形成した後（図２（ａ）を参照）、前記高層レジスト６０の非被覆部分に導体（銅など）を析出・積層し、回路高の大きな回路７０を形成する（回路形成工程）。
つまり、図２（ｂ）に示すように、高層レジスト６０と高層レジスト６０の間（高層レジスト非被覆部分）に、電解めっき又は無電解めっきによって導体を析出・積層して、回路高の大きな回路７０を形成し、その後、図２（ｃ）および（ｄ）に示すように、前記高層レジスト６０を剥離するとともに、非回路形成部にあるシード層２を除去することによって、ベース基材１の表面に回路高の大きな回路７０を備えるプリント配線板を製造する。
【００２２】
この実施例では、高層レジスト６０を備えるベース基材１を硫酸銅めっき浴に浸し、シード層２を通電することによって、シード層２が露出している部分（高層レジスト非被覆部分）に銅を析出・積層し、回路高の大きな回路７０を形成した。めっき浴の組成を下記に示す。
【００２３】
＜硫酸銅めっき浴＞
硫酸銅５水塩 ……………………………………………… ７５ｇ／Ｌ
硫酸 ………………………………………………………… １９０ｇ／Ｌ
塩素イオン ………………………………………………… ５０ｍｇ／Ｌ
カッパーグリームＣＬＸ−Ａ（メルテックス製） …… ５ｍＬ／Ｌ
カッパーグリームＣＬＸ−Ｃ（メルテックス製） …… ５ｍＬ／Ｌ
【００２４】
高層レジスト非被覆部分に銅を析出し、高層レジスト６０と同等の高さに積層した後、３％水酸化ナトリウム水溶液を用いて高層レジスト６０を剥離し、その後、一般的な銅エッチャント（例えば、塩化鉄系エッチャント）を用いて、非回路形成部にあるシート層２をエッチングして除去した。
【００２５】
この発明によれば、電解めっき又は無電解めっきによる回路形成は、一般的なアディティブ法によるものである。つまり、レジスト積層工程を経て高層レジストを形成し、この高層レジストを備えるベース基材を用いて電解めっき又は無電解めっきによる回路形成を行うことによって、回路高の大きな回路を形成することができ、回路幅と回路高の比が１：２以上の回路を備えたプリント配線板の製造が可能となる。
【００２６】
次に、第２の発明によるプリント配線板の製造方法の好適な実施例について、図３及び図４を参照して説明する。
【００２７】
この実施例では、図３（ａ）〜（ｅ）によるパターニング工程と、図３（ｆ）〜（ｉ）による積層工程とによって、ベース基材１の表面に架橋レジストを積み重ねた高層レジスト６０を形成するとともに、前記高層レジスト６０の非被覆部分に導体を積み重ねた回路７０を形成し、回路高の大きな回路７０を備えるプリント配線板を製造する。
【００２８】
パターニング工程では、図３（ａ）に示すように、ポリイミドやガラスエポキシ樹脂などの電子機器で使用可能な絶縁樹脂フィルムから作成したベース基材１の表面に、層厚０．１〜３μｍのシード層２を設けた後、図３（ｂ）に示すように、前記シード層２を備えるベース基材１の表面に、ドライフィルムレジスト３１をロールラミネート又は真空ラミネートによってラミネートする。
このときドライフィルムレジスト３１の代わりに液状レジストをスピンコートしてもよい。
【００２９】
絶縁樹脂フィルムからなるベース基材１の表面に設けたシード層２は、ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），クロム（Ｃｒ）などの導電性の金属からなり、電解めっきによる回路形成工程において、めっき浴中で前記シード層２を通電することによって、前記シード層２の表面に導体（銅など）を析出・積層させる。
なお無電解めっきにより回路形成する場合、ベース基材１の表面にシード層２を設ける必要はない。
【００３０】
この実施例では、ポリイミドフィルムであるカプトンＥＮ（東レデュポン製）からなるベース基材１をスパッタリングチャンバにセットし、プラズマガスにアルゴンを用い、７×１０^−３Ｔｏｒｒの真空下でスパッタリングにより２０００Åのニッケルまたは銅によるシード層２を形成した。
【００３１】
そしてシード層２を形成した後、ネガ型のドライフィルムレジスト３１をラミネートし、図３（ｃ）および（ｄ）に示すように、レジスト３１に回路パターンを露光・現像し、非回路形成部を架橋レジスト６１で被覆した。
詳しくは、回路形成部を遮光するマスク５を、前記ネガ型のドライフィルムレジスト３１の表面にマスキングし、レジストを残したい部分（非回路形成部）に紫外線４を照射して架橋した後（架橋レジスト６１）、炭酸ナトリウム溶液で現像し、未架橋（遮光した部分）のレジストを除去した。
すなわち、回路形成部のドライフィルムレジスト３１（未架橋）を除去し、非回路形成部を架橋レジスト６１で被覆した。
【００３２】
ガラス又はポリエチレンテレフタレートなどからなるマスク５には、回路パターンにあわせて光透過部と非透過部とが形成され、選択的に紫外線４を透過させる（図３（ｃ）を参照）。
つまり、回路形成部を非透過部でマスクして紫外線照射を防止（遮光）することによって、回路形成部のレジストを未架橋とするとともに、非回路形成部を光透過部でマスクして紫外線４を照射し、非回路形成部のレジストを架橋する。
【００３３】
その後、架橋レジスト６１の非被覆部分に、電解めっき又は無電解めっきによって導体７１を析出・積層する（図３（ｅ）を参照）。
この実施例では、非回路形成部を架橋レジスト６１で被覆したベース基材１を硫酸銅めっき浴に浸し、シード層２を通電することによって、シード層２が露出している部分（架橋レジスト非被覆部分）に銅を析出させ、前記架橋レジスト６１と同等の高さまで導体（銅）７１を積層した。めっき浴の組成を下記に示す。
【００３４】
＜硫酸銅めっき浴＞
硫酸銅５水塩 ……………………………………………… ７５ｇ／Ｌ
硫酸 ………………………………………………………… １９０ｇ／Ｌ
塩素イオン ………………………………………………… ５０ｍｇ／Ｌ
カッパーグリームＣＬＸ−Ａ（メルテックス製） …… ５ｍＬ／Ｌ
カッパーグリームＣＬＸ−Ｃ（メルテックス製） …… ５ｍＬ／Ｌ
【００３５】
続いて、図３（ｆ）〜（ｉ）に示す積層工程では、パターニング工程において非回路形成部に被覆した架橋レジスト６１の上にさらに架橋レジスト６２を積み重ねて高層レジストを形成するとともに、パターニング工程において回路形成部に析出・積層した導体７１の上にさらに導体７２を積み重ねて回路高の大きな回路７０を形成する。
【００３６】
積層工程では、まず図３（ｆ）に示すように、パターニング工程において非回路形成部に被覆した架橋レジスト６１と、前記架橋レジスト６１の非被覆部（回路形成部）に析出・積層した導体７１の上から、ドライフィルムレジスト３２をロールラミネート又は真空ラミネートによりラミネートする。
このときドライフィルムレジスト３１の代わりに液状レジストをスピンコートしてもよい。
【００３７】
そして、図３（ｇ）及び（ｈ）に示すように、上述のパターニング工程と同一の回路パターンを前記レジスト３２に露光・現像し、非回路形成部に架橋レジスト６２を積層する。
詳しくは、パターニング工程の図３（ｃ）で使用したマスクと同一の回路パターンを有するマスク５を、前記ドライフィルムレジスト３２の表面にマスキングし、レジストを残したい部分（架橋レジスト６１の上）に紫外線４を照射して架橋した後（架橋レジスト６２）、炭酸ナトリウム溶液で現像し、未架橋（遮光した部分）のレジストを除去する。
これによって、パターニング工程で形成した架橋レジスト６１の上に、さらに架橋レジスト６２を積み重ねる（積層する）。
【００３８】
なお積層工程において、パターニング工程と同一の回路パターンを有するマスク５を使用して露光・現像することによって、架橋レジスト６１の上にさらに架橋レジスト６２を積み重ねるが、マスク５のアライメント誤差を考慮し、積層工程で使用するマスクの光透過部の幅を１〜５μｍ程度狭くすることが好ましい。
例えば、積層工程においてレジストに紫外線４を選択的に照射して非回路形成部に架橋レジストを積層するにあたって、遮光幅（非光透過部の幅）を回路幅より１〜５μ程度広くしたマスク５を用いて回路パターンを露光することによって、マスク５のアライメントの誤差によって遮光部（非光透過部）にずれが発生しても、回路形成部（導体上）のレジストは確実に遮光される。つまりマスク５のアライメント誤差があっても、回路形成部（導体上）のレジストを未架橋レジストとして除去することができ、回路形成阻害（導体の積層阻害）を防止することができる。
【００３９】
ベース基材１の非回路形成部を被覆する架橋レジスト６１の上に架橋レジスト６２を積み重ねた後、図３（ｉ）に示すように、架橋レジスト６２の非被覆部分に、電解めっき又は無電解めっきによって導体７２を析出・積層する。
この実施例では、非回路形成部を被覆する架橋レジスト６１の上にさらに架橋レジスト６２を積み重ねたベース基材１を硫酸銅めっき浴に浸し、シード層２を通電することによって、導体（銅）７１の上に銅を析出して、前記架橋レジスト６２と同等の高さまで導体（銅）７２を積層した。つまり、導体７１の上に導体７２を積み重ねた（積層した）。
なお、めっき浴はパターニング工程で使用したものと同じものを使用した。
【００４０】
このように、図３（ｆ）〜（ｉ）に示す積層工程を複数回繰返すことによって、架橋レジストを積み重ねて高層レジスト６０を形成するとともに、前記高層レジス６０トの非被覆部分に導体を積み重ねて、所望とする高さの回路７０を形成する。
【００４１】
この実施例では、積層工程を２回繰返すことによって、架橋レジストを３層（６１〜６３）積み重ね、高層レジスト６０を形成するとともに（図４（ａ）を参照）、導体を３層（７１〜７３）積み重ね、回路高の大きな回路７０を形成した（図４（ｂ）を参照）。
【００４２】
架橋レジスト（６１〜６３）を積み重ねて高層レジスト６０を形成するとともに、前記架橋レジストの非被覆部分に析出・積層した導体（７１〜７３）を積み重ねて回路高の大きな回路７０を形成した後、図４（ｃ）および（ｄ）に示すように、３％水酸化ナトリウム水溶液を用いて高層レジスト６０を剥離し、その後、一般的な銅エッチャント（例えば、塩化鉄系エッチャント）を用いて、非回路形成部にあるシート層２をエッチングして除去した。
【００４３】
この発明によれば、電解めっき又は無電解めっきによる回路形成は、一般的なアディティブ法によるものである。つまり、パターニング工程と積層工程とを経、非回路形成部への架橋レジストの形成と、架橋レジスト非被覆部分への導体の析出・積層を繰返すことによって、非回路形成部に架橋レジスト積み重ねて高層レジストを形成するとともに、架橋レジストの非被覆部分に析出・積層した導体を積み重ねて（つまり高層レジストの非被覆部分に導体を積層して）回路高の大きな回路を形成することができ、回路幅と回路高の比が１：２以上の回路を備えたプリント配線板の製造が可能となる。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、ベース基材にラミネートしたレジストに回路パターンを露光・現像し、非回路形成部を架橋レジストで被覆するレジストパターニング工程と、再度ラミネートしたレジストに、レジストパターニング工程と同一の回路パターンを露光・現像し、非回路形成部に架橋レジストを積層するレジスト積層工程とによってベース基材に高層レジストを形成し、前記高層レジストの非被覆部分に、電解又は無電解めっきにより導体を析出・積層することによって、回路幅と回路高の比を１：２以上とした回路高の大きな回路を備えるプリント配線板を取得することができた。
また、ベース基材にラミネートしたレジストに回路パターンを露光・現像して非回路形成部を架橋レジストで被覆するとともに、電解又は無電解めっきによって前記架橋レジストの非被覆部分に導体を析出するパターニング工程と、再度ラミネートしたレジストに、前記パターニング工程と同一の回路パターンを露光・現像し、非回路形成部に架橋レジストを積層するとともに、電解又は無電解めっきによって前記架橋レジストの非被覆部分に導体を積層する積層工程とによって、ベース基材に架橋レジストを積み重ねて高層レジストを形成するとともに、前記高層レジストの非被覆部分に導体を積み重ねることによって、回路幅と回路高の比を１：２以上とした回路高の大きな回路を備えるプリント配線板を取得することがができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の発明によるプリント配線板の製造方法を説明する第１図（高層レジスト形成工程）。
【図２】第１の発明によるプリント配線板の製造方法を説明する第２図（回路形成工程）。
【図３】第２の発明によるプリント配線板の製造方法を説明する第１図。
【図４】第２の発明によるプリント配線板の製造方法を説明する第２図。
【図５】従来技術によるプリント配線板の製造方法を説明する図。
【符号の説明】
１ベース基材
２シード層
３１，３２ドライフィルムレジスト
４紫外線
５マスク
６０高層レジスト
６１，６２，６３架橋レジスト
７０回路
７１，７２，７３導体

Claims

ベース基材（１）にラミネートしたレジスト（３１）に回路パターンを露光・現像し、非回路形成部を架橋レジスト（６１）で被覆するレジストパターニング工程と、
再度ラミネートしたレジスト（３２）に、前記レジストパターニング工程と同一の回路パターンを露光・現像し、非回路形成部に架橋レジスト（６２）を積層するレジスト積層工程と、
によって形成した高層レジスト（６０）の非被覆部分に析出・積層した導体からなる回路（７０）を備えることを特徴とするプリント配線板。
ベース基材（１）にラミネートしたレジスト（３１）に回路パターンを露光・現像し、非回路形成部を架橋レジスト（６１）で被覆するとともに、前記架橋レジスト（６１）の非被覆部分に導体を析出するパターニング工程と、
再度ラミネートしたレジスト（３２）に、前記パターニング工程と同一の回路パターンを前記レジスト（３２）に露光・現像し、非回路形成部に架橋レジスト（６２）を積層するとともに、前記架橋レジスト（６２）の非被覆部分に導体（７２）を積層する積層工程と、
によって形成した高層レジスト（６０）の非被覆部分に析出・積層した導体からなる回路（７０）を備えることを特徴とするプリント配線板。
回路幅と回路高の比が１：２以上であることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント基板。
ベース基材（１）にラミネートしたレジスト（３１）に回路パターンを露光・現像し、非回路形成部を架橋レジスト（６１）で被覆するレジストパターニング工程と、
再度ラミネートしたレジスト（３２）に、レジストパターニング工程と同一の回路パターンを露光・現像し、非回路形成部に架橋レジスト（６２）を積層するレジスト積層工程とによって、
ベース基材（１）に高層レジスト（６０）を形成し、
前記高層レジスト（６０）の非被覆部分に、電解又は無電解めっきにより導体を析出・積層し、回路（７０）を形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
レジスト積層工程を複数回繰返すことを特徴とする請求項４に記載のプリント配線板の製造方法。
ベース基材（１）にラミネートしたレジスト（３１）に回路パターンを露光・現像して非回路形成部を架橋レジスト（６１）で被覆するとともに、電解又は無電解めっきによって前記架橋レジスト（６１）の非被覆部分に導体（７１）を析出・積層するパターニング工程と、
再度ラミネートしたレジスト（３２）に、前記パターニング工程と同一の回路パターンを露光・現像し、非回路形成部に架橋レジスト（６２）を積層するとともに、電解又は無電解めっきによって前記架橋レジスト（６２）の非被覆部分に導体（７２）を析出・積層する積層工程とによって、
ベース基材（１）に架橋レジストを積み重ねた高層レジスト（６０）を形成するとともに、前記高層レジスト（６０）の非被覆部分に導体を積み重ね、回路（７０）を形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
積層工程を複数回繰返すことを特徴とする請求項６に記載のプリント配線板の製造方法。
回路（７０）を形成した後、高層レジスト（６０）を除去することを特徴とする請求項４ないし７の何れか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
レジストとして、ネガ型のドライフィルムを使用することを特徴とする請求項４から８の何れか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
回路形成部を遮光する非透過部と、光透過部とからなるマスク（５）をレジストの表面にマスキングして紫外線（４）を照射し、レジストに回路パターンを露光・現像し、非回路形成部を被覆する架橋レジストを積層するにあたって、
回路幅よりも遮光幅を１〜５μ程度広くしたマスク（５）を用い、回路パターンを露光することを特徴する請求項４から９の何れか１項に記載のプリント配線板の製造方法。